TWI826444B - 波紋抑制薄膜、波紋抑制薄膜層合體、具備波紋抑制薄膜之複合顯示裝置 - Google Patents

波紋抑制薄膜、波紋抑制薄膜層合體、具備波紋抑制薄膜之複合顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供可維持特定之直進透過性，並且可有效抑制波紋現象等之波紋抑制薄膜、波紋抑制薄膜層合體、具備波紋抑制薄膜之複合顯示裝置。 本發明之波紋抑制薄膜等係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象，於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，且以下述關係式(1)定義之直進透過率為8%以下之值。 直進透過率=Lp/Lo×100 (1) (Lp：於以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板之間，夾入波紋抑制薄膜之狀態測定之透過光的亮度(cd/m2 )，Lo：僅對以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板測定之透過光的亮度(cd/m2 ))

Description

波紋抑制薄膜、波紋抑制薄膜層合體、具備波紋抑制薄膜之複合顯示裝置
本發明有關波紋抑制薄膜、波紋抑制薄膜層合體、具備波紋抑制薄膜之複合顯示裝置。 尤其有關於液晶面板等之於內部包含微細圖型構造層，使用於2個含圖型構造層之光學構件之間時，波紋抑制性優異，進而因入射光之後方散射防止性優異故可顯示對比度優異之圖像的波紋抑制薄膜、波紋抑制薄膜層合體、具備波紋抑制薄膜之複合顯示裝置。
以往，作為顯示裝置之一種，提案有立體顯示圖像之立體圖像顯示裝置(專利文獻1等)。 更具體而言，係一種立體圖像顯示裝置，其係將2片液晶胞於垂直方向重疊之構造的立體圖像顯示裝置，藉由調整各液晶胞之圖向亮度，對於辨識者之兩眼傳送分別不同之圖像資訊，而立體顯示圖像。
又，亦提案有提高對比度等，進而企圖抑制波紋之液晶顯示裝置(專利文獻2~3等)。 更具體而言，係一種液晶顯示裝置，其具備光源部、基於映像信號顯示第1映像之第1液晶面板、顯示對應於第1映像的第2映像之第2液晶面板，該第1液晶面板與第2液晶面板隔開設置，並且於該等面板之間使用具有特定霧度值之粒子分散型光擴散層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-114371號公報(申請專利範圍等) [專利文獻2] 日本特開2015-191052號公報(申請專利範圍等) [專利文獻3] 日本專利第487803號公報(申請專利範圍等)
[發明欲解決之課題]
此處，專利文獻1所揭示之立體圖像顯示裝置係2個液晶胞空開間隔而對向之構造。而且，液晶胞於其內部具有彩色濾光片等之圖型構造層。因此，專利文獻1揭示之立體圖像顯示裝置會見到起因於與2個液晶胞對應之2個圖型構造層中之光學干涉，而產生波紋現象，不易看見立體圖像顯示的問題。
又，專利文獻2及3中揭示之液晶顯示裝置各提案於第1液晶顯示面板與第2液晶顯示面板之間使用具有特定霧度值(例如50%以上或90%以上)等之僅粒子分散型之光擴散層。的確，即使為該光擴散層，雖某程度發揮波紋抑制性，但尚不能說是充分。 此外，僅使用粒子分散型光擴散層作為光擴散層時，亦見到發生入射光之後方散射，難以獲得高對比度之立體圖像顯示之問題。
因此，本發明人等鑒於如以上情況，積極努力後，發現藉由於第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間使用至少具有內部折射率分佈構造之波紋抑制薄膜，且將以特定關係式表示之直進透過率控制為特定值以下，而使波紋控制性優異，而且後方散射少，故而可高對比度化，因而完成本發明。 亦即，本發明之目的在於提供因波紋抑制性優異且後方散射少而可高對比度化之波紋抑制薄膜、包含此等波紋抑制薄膜之波紋抑制薄膜層合體、及具備此等波紋抑制薄膜而可良好立體圖像顯示之複合顯示裝置。 [用以解決課題之手段]
依據本發明，提供一種波紋抑制薄膜，其係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的波紋抑制薄膜，其特徵係於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，且以下述關係式(1)定義之該波紋抑制薄膜之直進透過率為8%以下之值，而可解決上述問題。 直進透過率=Lp/Lo×100 (1) (Lp：於以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板之間，夾入波紋抑制薄膜之狀態測定之透過光的亮度(cd/m2 )，Lo：僅對以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板測定之透過光的亮度(cd/m2 ))。 藉由於2個含圖型構造層之光學構件之間使用具有此等內部折射率分佈構造且具有特定直進透過率之波紋抑制薄膜，波紋抑制優異，此外，可辨識高對比度之立體圖像等。
又，構成本發明時，於將波紋抑制薄膜的製造步驟的行進方向設為MD方向，將與製造步驟的行進方向於水平且垂直方向交叉的方向設為TD方向之情況下，較好以MD方向及TD方向為基準而成之±70˚的變角霧度值，或任一方的變角霧度值設為80%以上之值。 藉由作成如此考慮了將以波紋抑制薄膜的製造時之MD方向及TD方向為基準之變角霧度值之波紋抑制薄膜，無論自哪一方向辨識時均可獲得優異之波紋抑制性。
又，構成本發明時，較好依據JIS K 7136: 2000測定之霧度值(通常霧度值)設為80%以上之值。 藉由作成亦考慮了依據JIS測定之通常霧度值之波紋抑制薄膜，可與厚度偏差等無關地，獲得更優異之波紋抑制性。
又，構成本發明時，較好厚度設為40~ 500μm之範圍內之值。 藉由作成如此厚度之波紋抑制薄膜，即使配置使用於例如第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間時，全體亦不會過度變厚，而可獲得優異之波紋抑制性。
又，構成本發明時，較好於至少一表面設置黏著劑層。 藉由作成此等態樣之波紋控制薄膜，可提高使用感，且可強固地維持第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間隙等。
又，本發明之其他態樣係包含上述任波紋抑制薄膜而成之波紋抑制薄膜層合體，且較好於波紋抑制薄膜之至少一表面設置粒子分散型光擴散層。 藉由併用此等由內部折射率分佈構造之光擴散層而成的波紋抑制薄膜與粒子分散型光擴散層，可更細微地調整波紋抑制性或對比度，此外，波紋抑制薄膜之全體製造成本變低，就經濟上有利。 又，藉由併用特定厚度之粒子分散型光擴散層，亦可獲得如下優點：可對應於第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間隙，容易地將光擴散層全體調整於適當厚度。
又，本發明之其他態樣係一種波紋抑制薄膜層合體，其係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象，且包含第1波紋抑制薄膜及第2波紋抑制薄膜而成之波紋抑制薄膜層合體，其特徵係第1波紋抑制薄膜及第2波紋抑制薄膜於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，第1波紋抑制薄膜之MD方向與第2波紋抑制薄膜之MD方向所成之角度設為1~179˚之範圍內之值，且以上述關係式(1)定義之該波紋抑制薄膜層合體之直進透過率設為8%以下之值。 藉由如此調整第1波紋抑制薄膜之MD方向與第2波紋抑制薄膜之MD方向所成之角度，即使於光擴散性的方向有偏差等之情況，亦可進而更細微地控制變角霧度值，可更有效發揮波紋抑制性。
又，本發明之其他態樣係一種複合顯示裝置，其係至少具備配置於第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間，且能抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的波紋抑制薄膜之複合顯示裝置，其特徵係波紋抑制薄膜於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，且將以上述關係式(1)定義之該波紋抑制薄膜之直進透過率設為8%以下之值。 藉由作成於第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間使用此等具有內部折射率分佈構造等之波紋抑制薄膜之複合顯示裝置，而獲得良好波紋抑制性，此外，後方散射少，而可辨識高對比度之圖像等。
[第1實施形態] 第1實施形態係波紋抑制薄膜10，如圖1及圖2(a)~(c)所示，係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的波紋抑制薄膜，其特徵係於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，且以下述關係式(1)定義之該波紋抑制薄膜之直進透過率設為8%以下之值。 直進透過率=Lp/Lo×100 (1) (Lp：於以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板之間，夾入波紋抑制薄膜之狀態測定之透過光的亮度(cd/m2 )，Lo：僅對以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板測定之透過光的亮度(cd/m2 ))。
又，圖1係波紋抑制薄膜10之概略立體圖，圖2(a)係波紋抑制薄膜10之垂直剖面圖，圖2(b)係於波紋抑制薄膜之單面具備剝離薄膜16之例的垂直剖面圖，圖2(c)係於波紋抑制薄膜10之兩面具備剝離薄膜16a、16b之例的垂直剖面圖。 以下，適當參考圖式具體說明本發明之第1實施形態的波紋抑制薄膜10。
1.基本構造 如圖1及圖2(a)~(c)所示，波紋抑制薄膜10具有由單一層所成之內部折射率分佈構造作為基本構造，具有於單一層中，具備折射率相對較低的低折射率區域14與由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物12的構造。 亦即，如圖2(a)所示，折射率比較高的柱狀物12於其周圍存在之折射率相對較低的低折射率區域14之內部，分別具有特定間隔(t3)，成為立設之狀態。 藉此，可發揮作為光擴散薄膜之效果，於入射光在光擴散入射角度區域內之情況下，可沿行進方向充分擴散，另一方面，於光擴散入射角度區域外之情況下，可沿行進方向直接透過複數柱狀物，或顯示比光擴散入射角度區域內更弱之擴散。
因此，若為可使此等特定入射光擴散透過，關於特定入射光可直接透過，或弱擴散透過而使光散射之內部折射率分佈構造之所謂相分離型之光擴散薄膜，則可較好地使用。 更具體而言，若為單純的柱構造(參考圖1等)、具有彎曲部之柱構造、單一層中具有重複構造的柱構造/柱構造的組合成的構造、由複數層所成之單純柱構造組合成之構造(參考圖6等)等之至少一者，則可使用作為可充分抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象，且可獲得高對比度之圖像顯示裝置的波紋抑制薄膜。
2.折射率相對較高的柱狀物 (1)高折射率部 又，用以構成低折射率區域中之折射率相對較高的柱狀物之高折射率部(以下有時簡稱為高折射率部)的材料物質種類並未特別限制，但通常較好將其主成分設為含有複數芳香環之(甲基)丙烯酸酯之聚合物。 其理由為若為該材料物質，則不僅可有效地形成高折射率部，亦可進而提高源自高折射率部之入射角依存性及擴散光之開散角度之故。 亦即係因為推定為藉由將高折射率部的主成分(以下有時稱為(A1)成分)設為特定之(甲基)丙烯酸酯之聚合物，而藉由活性能量線照射之光聚合，使成為(A1)成分之單體成分(以下有時稱為單體(A1)成分)之聚合速度快於成為低折射率部之主成分(以下有時稱為(B1)成分)之單體成分(以下有時稱為單體(B1)成分)的聚合速度之故。 因此，推定為於該等單體成分間之聚合速度產生特定差，抑制兩單體成分彼此之均一共聚合，更具體而言，藉由使兩單體成分之相溶性降低至特定範圍之所謂相分離，而可有效地降低兩單體成分彼此之共聚合性。
作為此等單體(A1)成分的含複數芳香環之(甲基)丙烯酸酯可舉例為(甲基)丙烯酸聯苯酯、(甲基)丙烯酸萘酯、(甲基)丙烯酸蒽酯、(甲基)丙烯酸苄基苯酯、(甲基)丙烯酸聯苯氧基烷酯、(甲基)丙烯酸萘氧基烷酯、(甲基)丙烯酸蒽氧基烷酯、(甲基)丙烯酸苄基苯氧基烷酯等，或該等之一部分藉由鹵素、烷基、烷氧基、鹵化烷基等取代之化合物之至少一者。
又，作為單體(A1)成分之含複數芳香環之(甲基)丙烯酸酯較好包含含聯苯環之化合物，尤其較好包含以下述通式(1)表示之聯苯化合物。
(通式(1)中，R1 ~R10 分別獨立，且R1 ~R10 之至少一個為下述通式(2)表示之取代基，其餘為氫原子、羥基、羧基、烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基烷基、羧基烷基及鹵原子之任一取代基)。
(通式(2)中，R11 為氫原子或甲基，碳數n為1~4之整數，重複數m為1~10之整數)。
其理由係推定為藉由使用具有特定構造之聯苯化合物作為單體(A1)成分，可使單體(A1)成分之聚合速度比單體(B1)成分之聚合速度更快速之故。 又，推定為可更容易將與單體(B1)成分之相溶性降低至特定範圍內，且提高源自(A1)成分之區域的折射率，結果，可更容易將與源自(B1)成分之區域的折射率之差調節至特定以上之值。 再者，依據具有特定構造之聯苯化合物，於光硬化前之單體階段為液狀，而有即使不使用稀釋溶劑等，亦可與單體(B1)成分的代表例之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯均一混合之優點。
又，通式(1)中之取代基R1 ~R10 包含烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基烷基及羧基烷基之任一者時，該烷基部分的碳數較好設為1~4的範圍內之值。 其理由為該碳數設為超過4之值時，單體(A1)成分之聚合速度降低，源自(A1)成分之區域的折射率過於降低，而有難以有效地形成特定柱狀物之情況之故。 因此，通式(1)中之取代基R1 ~R10 包含烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基烷基及羧基烷基之任一者時，該烷基部分的碳數更好設為1~3的範圍內之值，又更好設為1~2的範圍內之值。
且，通式(1)中之R2 ~R9 之任一者較好為以通式(2)表示之取代基。 其理由為藉由將以通式(2)表示之取代基位置設為聯苯環中之R1 及R10 以外之位置，而於光硬化前之階段，單體(A1)成分彼此配向，可有效防止結晶化之故。 藉此，於光硬化之階段，單體(A1)成分及單體(B1)成分可能以微細程度之凝集或相分離，而可於低折射率部更有效地獲得作為高折射率部之特定柱狀物之故。 進而，基於同樣觀點，特佳為通式(1)中之R3 、R5 、R6 及R8 之任一者設為以通式(2)表示之取代基。
又，通式(2)表示之取代基中之重複數m通常較好設為1~10之整數。 其理由為重複數m設為超過10之值時，連結聚合部位與聯苯環之氧基伸烷基鏈過長，有阻礙聚合部位之單體(A1)成分彼此聚合之情況之故。 因此，通式(2)表示之取代基中之重複數m更好設為1~4之整數，特佳設為1~2之整數。 又，基於同樣觀點，通式(2)表示之取代基中之碳數n通常較好設為1~4之整數。 尤其，基於防止聚合部位的聚合性碳-碳雙鍵之位置對於聯苯環過於接近而使聯苯環成為立體障礙，而使單體(A1)成分之聚合速度降低之觀點，通式(2)表示之取代基中之碳數n更好設為2~4之整數，又更好設為2~3之整數。
又，作為通式(1)表示之聯苯化合物之具體例，可舉例下述式(3)~(4)表示之化合物。
又，單體(A1)成分之重量平均分子量通常較好設為200~2,500之範圍內之值。 其理由推定係藉由將單體(A1)成分之重量平均分子量設為特定範圍，可更加快單體(A1)成分之聚合速度，可更有效降低單體(A1)成分及單體(B1)成分之共聚合性之故。 其結果，光硬化時，可更有效地形成單體(A1)成分及單體(B1)成分沿薄膜面方向交互延伸之柱狀物。 亦即，其原因係單體(A1)成分之重量平均分子量若設為未達200之值，則例如複數芳香環之位置與聚合性碳-碳雙鍵之位置過於接近，因立體障礙使聚合速度降低，而接近於單體(B1)成分之聚合速度，而有容易產生與單體(B1)成分之共聚合的情況之故。 另一方面，單體(A1)成分之重量平均分子量若設為超過2,500之值，則單體(A1)成分之聚合速度降低並接近於單體(B1)成分，容易產生與單體(B1)成分之共聚合，結果有難以規則且正確地形成柱狀物之情況之故。 因此，單體(A1)成分之重量平均分子量更好設為240~ 1,500之範圍內之值，又更好設為260~1,000之範圍內之值。 又，單體(A1)成分之重量平均分子量可為使用凝膠滲透層析(GPC)測定，或者亦可基於構成原子之原子量而自構造式算出。
(2)最大徑 又，如圖2(a)所示，波紋抑制薄膜10中，柱狀物12的垂直剖面中最大徑(t2)較好設為0.1~15μm之範圍內之值。 其理由為藉由將該最大徑設為0.1~15μm之範圍內之值，作為波紋抑制薄膜的柱構造內之入射光可更安定地反射，可更提高源自波紋抑制薄膜之入射角依存性及擴散光之開散角度之故。 亦即，該最大徑設為未達0.1μm之值時，則有不管入射光之入射角度如何，均難以顯示光擴散性之情況之故。 另一方面，該最大徑設為超過15μm之值時，於注構造內直進之光增加，有光擴散之均一性惡化之情況之故。 因此，波紋抑制薄膜中，柱狀物的剖面中最大徑更好設為0.5~10 μm之範圍內之值，又更好設為1~5μm之範圍內之值。 又，柱狀物之水平剖面形狀並未特別限制，但較好為例如圓、橢圓、多邊形、不規則形等。 又，所謂柱狀物之水平剖面意指藉由與薄膜表面平行之面切斷之剖面。 又，柱狀物之最大徑(t2)或長度(t1)、或者鄰接之柱狀物之間隔(t3)可藉光學數位顯微鏡觀察，以尺標為基準實際測得而算出。
(3)柱狀物長度 又，如圖2(a)所示，波紋抑制薄膜10中，柱狀物的長度(t1)較好設為5~495μm之範圍內之值。又，所謂該長度意指形成柱狀物之部分的厚度方向之長度。 其理由為該柱狀物之長度設為未達5μm之值時，柱狀物之長度不足，於柱構造物內直進之入射光增加，有難以獲得充分之入射角依存性及擴散光之開散角度的情況之故。 另一方面，該柱狀物之長度設為超過495μm之值時，對於波紋抑制薄膜用組成物照射活性能量線形成柱構造之際，因初期形成之柱構造會使光聚合之進行方向擴散，而有難以形成期望柱構造之情況之故。 因此，波紋抑制薄膜中，柱狀物的長度更好設為40~ 310μm之範圍內之值，又更好設為95~255μm之範圍內之值。 又，柱狀物的長度(t1)通常雖可視為等同波紋抑制薄膜之厚度，但亦有於波紋抑制薄膜之單面或雙面形成柱狀物的非形成區域的情況。 因此，形成有柱狀物之非形成區域的情況下，將自波紋抑制薄膜厚度減去其厚度後之值作為柱狀物的長度(t1)。
(4)柱狀物間的間隔 又，如圖2(a)所示，波紋抑制薄膜中，鄰接的柱狀物之間隔(t3)，亦即鄰接的柱狀物之中心間距離較好設為0.1 ~15μm之範圍內之值。 其理由為藉由將該間隔設為0.1~15μm之範圍內之值，作為波紋抑制薄膜之柱構造內之入射光可更安定地反射，可更提高源自波紋抑制薄膜之擴散光的開散角度之故。 亦即，該間隔設為未達0.1μm之值時，有不管入射光之入射角度如何，均難以顯示光擴散性之情況之故。 另一方面，該間隔設為超過15μm之值時，於柱構造內直進之光增加，而有光擴散之均一性惡化之情況之故。 因此，波紋抑制薄膜中，鄰接的柱狀物之間隔(t3)的下限更好設為0.5μm以上之值，又更好設為1μm以上之值。 而且，鄰接的柱狀物之間隔(t3)的上限更好設為10μm以下之值，又更好設為5μm以下之值。
(5)傾斜角/彎曲構造 又，雖未圖示，但波紋抑制薄膜中，較好複數柱狀物以相對於膜厚方向為一定傾斜角而林立。 其理由為藉由將柱狀物之傾斜角設為一定，作為波紋抑制薄膜之柱構造內之入射光可更安定地反射，可更提高源自波紋抑制薄膜之擴散光的開散角度之故。
且，同樣雖未圖示，但波紋抑制薄膜中，1根柱狀物亦較好於中途以特定角度彎曲。 其理由為藉由將柱狀物作成彎曲角予以彎曲，可使會於柱構造內直進之入射光減少，而可提高光擴散的均一性之故。 又，如此彎曲之柱狀物可藉由於進行活性能量線照射之際，邊使照射光之照射角度變化邊照射光，或添加微量紫外線吸收劑，或透過紫外線吸收過濾器照射光而獲得。 而且，彎曲角意指於使柱狀物於厚度方向而延伸方向變化時之由變化前的柱狀物界面的切線與變化後之柱狀物界面之切線所形成之角度。
3.折射率相對較低之區域 (1)低折射率部 又，用以構成折射率相對較高的柱狀物周圍的折射率相對較低的區域之低折射率部的材料物質種類並未特別限制，較好為其主成分係胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之聚合物。 其理由為若為該材料物質，則不僅低折射率，亦可有效地形成源自高折射率之(A1)成分的高折射率部的柱狀物，因此可更提高擴散光之開散角度之故。 亦即，藉由將低折射率部之主成分的(B1)成分設為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之聚合物，不僅可更容易調節源自(A1)成分之柱狀折射率與源自(B1)成分之柱狀折射率的差，而且可有效抑制源自(B1)成分之柱狀折射率偏差，可更有效地獲得具備特定柱狀物之內部折射率分佈構造之故。 又所謂(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯兩者。
首先，作為(B1)成分之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯較好由(a)至少包含2個異氰酸酯基之化合物、(b)聚烷二醇及(c)(甲基)丙烯酸羥基烷酯所形成。 其中，作為(a)至少包含2個異氰酸酯基之化合物可舉例為例如2,4-二甲苯二異氰酸酯、2,6-二甲苯二異氰酸酯、1,3-甲苯二異氰酸酯、1,4-甲苯二異氰酸酯等之芳香族聚異氰酸酯，六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族聚異氰酸酯，異佛酮二異氰酸酯(IPDI)、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等之脂環式聚異氰酸酯，及該等之縮脲體、異氰脲酸酯體，進而為與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等之低分子含活性氫的化合物之反應物的加成體等(例如甲苯二異氰酸酯系3官能加成體)等。
又，上述中，較好為脂環式聚異氰酸酯。 其理由為若為脂環式聚異氰酸酯，則因立體配位子等之關係，與脂肪族聚異氰酸酯相比，容易對各異氰酸酯基的反應速度設定差，所得胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之分子設計變容易。 又，尤其(a)成分較好為脂環式二異氰酸酯。 其理由係若為脂環式二異氰酸酯，則例如可抑制(a)成分僅與(b)成分反應，或抑制(a)成分僅與(c)成分反應，可使(a)成分與(b)成分及(c)成分確實反應，可防止多餘副產物發生之故。 其結果，可有效抑制內部折射率分佈構造之源自(B1)成分之低折射率部中之折射率偏差。
又，若為脂環式二異氰酸酯，則與芳香族二異氰酸酯比較，可使所得單體(B1)成分與作為單體(A1)成分之代表例的具有特定構造之聯苯化合物的相溶性可降低至特定範圍，可更有效地形成低折射率部。 進而，若為脂環式二異氰酸酯，則與芳香族二異氰酸酯比較，可使所得單體(B1)成分之折射率減小，故與作為單體(A1)成分之代表例的具有特定構造之聯苯化合物的折射率差增大，可更有效地形成入射角度依存性優異之柱狀物。 又，此等脂環式二異氰酸酯中，異佛酮二異氰酸酯(IPDI)由於2個異氰酸酯基之反應差較大，故而特佳。
又，作為(b)成分的聚烷二醇，舉例為例如聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚己二醇、聚四亞甲醚二醇等，其中特佳為聚丙二醇。 其理由為若係聚丙二醇，則由於黏度低，故無溶劑下亦可處理之故。 且，若為聚丙二醇，則使單體(B1)成分硬化時，成為該硬化物中之良好軟片段，而可有效地提高波紋抑制薄膜之處理性或安裝性之故。 又，單體(B1)成分之重量平均分子量可藉由(b)成分之重量平均子量而調節。此處，(b)成分之重量平均子量通常為2,000~19,500，更好為3,500~14,300，特佳為6,300~ 12,300。
又，(c)成分之(甲基)丙烯酸羥基烷酯舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。 又，基於所得胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之聚合速度降低，更有效形成特定低折射率部之觀點，較好為甲基丙烯酸羥基烷酯，更好為甲基丙烯酸2-羥基乙酯。
又，(a)~(c)成分之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的合成可依據常用方法實施。 此時(a)~(c)成分之調配量，以莫耳比計，較好設為(a)成分：(b)成分：(c)成分=1~5：1：1~5之比例。 其理由為藉由設為該比例，對於(b)成分具有之2個羥基，分別與(a)成分具有之一異氰酸酯基反應，進而對於2個(a)成分分別具有之另一異氰酸酯基，與(c)成分具有之羥基反應並鍵結而有效地形成胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之故。 因此，(a)~(c)成分之調配量，以莫耳比計，更好設為(a)成分：(b)成分：(c)成分=1~3：1：1~3之比例，又更好設為2：1：2之比例。
又，單體(B1)成分之重量平均分子量較好設為3,000~20,000之範圍內之值。 其理由推定為藉由將單體(B1)成分之重量平均分子量設為3,000以上，可使單體(A1)成分與單體(B1)成分之聚合速度產生特定差，可有相地使兩成分之共聚合性降低之故。 其結果，於光硬化時，低折射率部中，可有效地形成以特定間隔林立之高折射率的柱狀物。 另一方面，單體(B1)成分之重量平均分子量設為超過20,000時，與單體(A1)成分之相溶性過度低，有波紋抑制用組成物之塗佈階段難以均一分散之情況之故。 因此，單體(B1)成分之重量平均分子量更好設為5,000 ~15,000之範圍內之值，又更好設為7,000~13,000之範圍內之值。 又，單體(B1)成分之重量平均分子量可為使用凝膠滲透層析(GPC)測定，或者亦可基於構成原子之原子量而自構造式算出。
又，單體(B1)成分可併用分子構造或重量平均分子量不同之2種以上，但基於抑制柱狀物中源自(B1)成分之柱狀物的折射率偏差之觀點，較好僅使用1種。
(2)折射率差 又，高折射率部的柱狀物之折射率與低折射率部的低折射率區預之折射率的差較好設為0.01以上之值。 其理由為藉由將該折射率之差設為0.01以上之值，於波紋抑制薄膜之柱構造區域內，可更提高源自薄膜之擴散光的開散角度，可使入射光安定反射，可獲得高霧度值，同時可作成低的直進透過率或低的後方散射性。 亦即，由於該折射率之差設為未達0.01之值時，入射光於柱構造內全反射之角度區域變窄，故擴散光之開散角度過度變窄，而有波紋抑制效果降低之情況之故。 因此，波紋抑制薄膜之柱狀物折射率與介質的折射率之差更好設為0.05以上之值，又更好設為0.1以上之值。 又，折射率差越大越好，但基於選擇可形成柱構造之材料之觀點，認為0.3左右為上限。
4.厚度 波紋抑制薄膜之厚度較好設為40~500μm之範圍內之值。 亦即，藉由設為40μm以上之值，可安定地確保沿膜厚方向之柱狀物長度，於作為波紋抑制薄膜之柱構造區域內入射光可更安定地反射，可更提高源自波紋抑制薄膜之擴散光的開散角度之故。
另一方面，藉由將該厚度設為500μm以下之值，可更容易形成於厚度方向具有均一長度之柱狀物的柱構造之故。 因此，波紋抑制薄膜之厚度下限較好設為60μm以上之值，更好設為100μm以上之值。 另一方面，波紋抑制薄膜之厚度上限較好設為350μm以下之範圍內之值，更好設為260μm以下之值。
5.層合類型 由單一層所成之波紋抑制薄膜亦較好複數層層合作成層合類型。 例如為了將波紋抑制薄膜之變角霧度值、通常霧度值、進而波紋抑制薄膜之全體厚度控制於特定範圍內之值，較好將由2片以上之單一層所成之波紋抑制薄膜予以複數片層合。 但，過度層合時，會有使用感降低，全光線透過率降低之情況。 因此，層合由單一層所成之波紋抑制薄膜時，較好設為2~5片之範圍內之值，更好設為2~4片之範圍內之值，又更好設為2片或3片。
6.直進透過率(%) 特徵係以下述關係式(1)定義之波紋抑制薄膜之直進透過率設為8%以下之值。 直進透過率=Lp/Lo×100 (1) (Lp：於以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板之間，夾入波紋抑制薄膜之狀態測定之透過光的亮度(cd/m2 )，Lo：僅對以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板測定之透過光的亮度(cd/m2 ))。
其理由係如圖3所示，藉由將波紋抑制薄膜之直進透過率設為特定值以下，可獲得優異之波紋抑制性之故。 因此，不僅波紋抑制薄膜之左右方向(與TD方向一致)，於上下方向(亦與MD方向一致)之波紋抑制性均良好，直進透過率更好設為7%以下之值，又更好設為6%以下之值，特佳設為4%以下之值。 但，波紋抑制薄膜之直進透過率過小時，可使用之樹脂材料的選擇幅度過窄，有使良率顯著降低，就經濟上不利之情況。 因此，波紋抑制薄膜之直進透過率之下限更好設為0.1%以上之值，又更好設為1%以上之值，再更好設為2%以上之值。
7.變角霧度值 波紋抑制薄膜之變角霧度值，亦即以變角霧度計測定之±70˚的變角霧度值(意指對於波紋抑制薄膜之法線方向，於±70˚的範圍測定之霧度值中之最低值。例如所謂TD方向之變角霧度值，係藉由將入射光固定於最初薄膜之法線方向，以於MD方向延伸之軸為基準，使薄膜於-70~70˚旋轉，以積分球使各角度之出射光聚光，而測定各入射角度之霧度值，且指其最低值)較好設為70%以上之值。 其理由為藉由將該變角霧度值設為特定值以上，可獲得優異波紋抑制性之故。
因此，關於波紋抑制薄膜之變角霧度值的下限，更好將其設為85%以上之值，更好設為90%以上之值。 但，波紋抑制薄膜之變角霧度值過度高時，構成波紋抑制薄膜之樹脂等的選擇幅度過度狹窄，而有製造上良率顯著降低，於經濟上不利之情況。 因此，關於波紋抑制薄膜之變角霧度值的上限，更好將其設為99%以下之值，更好設為98%以下之值。
此外，波紋抑制薄膜中，僅考慮依據JIS K 7136:2000測定之霧度值(通常霧度值)時，有產生波紋抑制性不充分時的情況。 然而，波紋抑制薄膜之通常霧度值有可以比較簡單且短時間測定之優點。 因此，以考慮上述波紋抑制薄膜之變角霧度值為前提，可謂較好亦考慮併用通常霧度值。 因此，波紋抑制薄膜中，以霧度計測定之通常霧度值之下限較好設為85%以上之值，更好設為90%以上之值，又更好設為95%以上之值。 另一方面，基於製造上良率之觀點，通常霧度值之上限較好設為99%以下之值，更好設為98%以下之值。
8.製造方法 其次，說明波紋抑制薄膜之典型形成方法(a)~(c)。 (a)準備波紋抑制薄膜用組成物之步驟 (b)對於製程薄片塗佈波紋抑制薄膜用組成物，形成塗佈層之步驟 (c)對於塗佈層以間隙層合法，進行平行光之活性能量線照射，於折射率相對低的區域中，形成林立有折射率相對高的複數柱狀物而成之柱狀構造區域之步驟
(1)步驟(a)：準備波紋抑制薄膜用組成物之步驟 步驟(a)係準備波紋抑制薄膜用組成物之步驟。 更具體而言，使單體(A)成分與單體(B)成分於40~80℃之高溫條件下攪拌，作成均一混合液。 且，較好與此同時，對於混合液，依據期望添加後述(C)成分等之其他添加劑後，攪拌至均一並且以成為期望黏度之方式，根據需要進而添加稀釋溶劑，藉此獲得波紋抑制薄膜用組成物之溶液。 又，單體(A)成分藉由聚合而成為構成波紋抑制薄膜之高折射率部的主成分。單體(B)之成分藉由聚合而成為構成波紋抑制薄膜之低折射率部的主成分。 又，關於單體(A)成分及單體(B)成分之種類細節，由於分別如第1實施形態之作為單體(A1)及(A2)、以及(B1)及(B2)成分所記載，故而省略。
又，單體(A)成分之折射率較好設為1.5~1.65之範圍內之值。 其理由係藉由將單體(A)成分之折射率設為該範圍內之值，可更容易調節柱構造中源自(A)成分之部分與源自(B)成分之部分的折射率之差，可更有效地獲得具備特定柱構造之波紋抑制薄膜之故。 亦即，單體(A)成分之折射率設為未達1.5之值時，與單體(B)成分之折射率之差過小，而有難以獲得期望入射角依存性之情況之故。 另一方面，單體(A)成分之折射率設為超過1.65之值時，與單體(B)成分之折射率差雖變大，但黏度過於降低，有難以與單體(B)成分相溶之情況之故。 因此，單體(A)成分之折射率較好設為1.55~1.6之範圍內之值，更好設為1.56~1.59之範圍內之值。 又，所謂上述單體(A)成分之折射率意指藉由光照射而硬化前之單體(A)成分之折射率。 而且，單體(A)成分之折射率可依據例如JIS K0062測定。
又，單體(A)成分之含量，相對於後述單體(B)成分100重量份，較好設為25~400重量份之範圍內之值。 其理由為藉由將單體(A)成分之含量設為該範圍內之值，可維持與單體(B)成分之混合性，並且於光照射時，可有效降低兩成分之共聚合性，可有效地形成特定之柱構造之故。 因此，單體(A)成分之含量相對於單體(B)成分100重量份，較好設為40~300重量份之範圍內之值，更好設為50 ~200重量份之範圍內之值。
又，單體(B)成分之折射率較好設為1.4~1.5之範圍內之值。 其理由係藉由將單體(B)成分之折射率設為該範圍內之值，可更容易調節柱構造中源自(A)成分之部分與源自(B)成分之部分的折射率之差，可更有效地獲得具備特定柱構造之波紋抑制薄膜之故。 因此，單體(B)成分之折射率較好設為1.45~1.49之範圍內之值，更好設為1.46~1.48之範圍內之值。 又，所謂上述單體(B)成分之折射率意指藉由光照射而硬化前之單體(B)成分之折射率。 而且，單體(B)成分之折射率可依據例如JIS K0062測定。
又，單體(B)成分之含量，相對於波紋抑制薄膜用組成物全體量(100重量%)，較好設為20~80重量%之範圍內之值。 其理由為單體(B)成分之含量設為未達20重量%之值時，單體(B)成分相對於單體(A)成分之存在比例減少，柱構造之源自(B)成分之部分寬度等與源自(A)成分之部分的寬度等相比，過度變小，而有難以獲得具有良好入射角度依存性之柱構造之情況之故。且有波紋抑制薄膜之厚度方向的柱狀物長度不充分之情況之故。 另一方面，單體(B)成分之含量設為超過80重量%之值時，單體(B)成分相對於單體(A)成分之存在比例變多，柱構造之源自(B)成分之部分寬度等與源自(A)成分之部分的寬度等相比，過度變大，反而有難以獲得具有良好入射角度依存性之柱構造之情況之故。且有波紋抑制薄膜之厚度方向的柱狀物長度不充分之情況之故。 因此，單體(B)成分之含量相對於波紋抑制薄膜用組成物全體量，較好設為30~70重量%之範圍內之值，更好設為40~60重量%之範圍內之值。
又，本實施形態之該波紋抑制薄膜用組成物中，較好依據期望含有光聚合起始劑作為(C)成分。 其理由為藉由含有光聚合起始劑，對波紋抑制薄膜用組成物照射活性能量線之際，可有效形成特定柱構造之故。 此處，所謂光聚合起始劑意指藉由紫外線等之活性能量線之照射而產生自由基種之化合物。
作為該光聚合起始劑，舉例為苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苯偶因正丁醚、苯偶因異丁醚、二苯甲酮、二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮、對-苯基二苯甲酮、4,4’-二乙胺基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮醛、苯乙酮二甲基縮醛、對-二甲胺基苯甲酸酯、寡聚[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷]等，可單獨使用該等中之1種，亦可組合2種以上使用。 又，作為含有光聚合起始劑時之含量，相對於單體(A)成分及單體(B)成分之合計量100重量%，較好設為0.2 ~20重量%之範圍內之值，更好設為0.5~15重量%之範圍內之值，又更好設為1~10重量%之範圍內之值。
又，在不損及本發明效果之範圍內，可適當添加其他添加劑。 作為其他添加劑舉例為例如抗氧化劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、聚合促進劑、聚合抑制劑、紅外線吸收劑、可塑劑、稀釋溶劑及調平劑等。 又，其他添加劑之含量，一般相對於單體(A)成分及單體(B)成分之合計量100重量%，較好設為0.01~5重量%之範圍內之值，更好設為0.02~3重量%之範圍內之值，又更好設為0.05~2重量%之範圍內之值。
(2)步驟(b)：塗佈步驟 步驟(b)係將所準備之波紋抑制薄膜用組成物對於製程薄片塗佈形成塗佈層之步驟。 作為製程薄片可使用塑膠薄膜、紙之任一者。 其中，作為塑膠薄膜，舉例為聚對苯二甲酸乙二酯等之聚酯系薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等之聚烯烴系薄膜、三乙醯纖維素薄膜等之纖維素系薄膜及聚醯亞胺系薄膜等。 又，作為紙，舉例為例如玻璃紙、銅版紙及層合紙等。
又，對於製程薄片，為了於光硬化後，所得之波紋抑制薄膜容易自製程薄片剝離，較好於製程薄片之波紋抑制薄膜用組成物之塗佈面側設置剝離層。 該剝離層可使用聚矽氧系剝離劑、氟系剝離劑、醇酸系剝離劑、烯烴系剝離劑等之以往習知之剝離劑而形成。 又，製程薄片之厚度通常較好設為25~200μm之範圍內之值。
又，作為於製程步驟上塗佈波紋抑制薄膜用組成物之方法，可藉由例如刮刀塗佈法、輥塗佈法、棒塗佈法、刮板塗佈法、模嘴塗佈法及凹版塗佈法等之以往習知之方法進行。 又，此時，塗佈層厚度較好設為100~700μm之範圍內之值。
(3)活性能量線照射步驟1(間隙層合法) 步驟(c)係以對塗佈層透過透明剝離薄膜，進行1階段之平行光活性能量線照射之所謂間隙層合法，形成折射率相對較高之複數柱狀物林立而成之柱狀構造區域的步驟。 亦即，較好對於製程薄片上形成之塗佈層透過透明剝離薄膜照射光線的平行度較高之平行光。
此處，所謂平行光意指發出的光方向自任一方向觀察時均不具有擴展而略平行之光。 更具體而言，較好為例如來自點光源之光藉由透鏡成為平行光後，照射於塗佈層，或將來自線狀光源之光藉由筒狀物之集合體成為平行光後，照射於塗佈層。 作為平行光照射裝置之具體例，舉例為例如對山下電裝(股)製之紫外線點光源「HYPERCURE 200」安裝隨選之均一曝光轉接器者。
接著，較好相對於塗佈層之法線，平行光之平行度設為10˚以下之值。 其理由為藉由將該平行度設為10˚以下之值，可有效且安定地製造複數柱狀物相對於膜厚方向以一定傾斜角林立而成之作為波紋抑制薄膜的柱構造區域之故。 因此，平行光之平行度更好設為5˚以下之值，又更好設為2˚以下之值，最好設為1˚以下之值。
且，作為照射光，舉例為紫外線或電子束等，但更好使用紫外線。 又，作為紫外線之照射條件較好將照度設為0.01~30 mW/cm2 之範圍內之值。 其理由係照度若設為未達0.1 mW/cm2 之值，則有難以明確形成柱構造之情況之故。另一方面，照度若設為超過30 mW/cm2 之值，則(A)成分及(B)成分進行相分離之前即硬化，相反地，有難以明確形成柱構造之故。 因此，紫外線之照度更好設為0.05~20 mW/cm2 之範圍內之值，又更好設為0.1~10 mW/cm2 之範圍內之值。 又，關於塗佈層之移動速度或照射光之照射角度，可使第1活性能量線照射步驟同樣。
(4)活性能量線照射步驟2(兩階段照射) 較好步驟(c)分成兩階段，首先，作為步驟(c1’)，對塗佈層進行第1活性能量線照射，於塗佈層之下方部分作為第1構造區域，於折射率相對較低之區域，形成沿薄膜面方向交替配置折射率相對較高之複數柱狀物而成之柱狀物區域，並且於塗佈層之上方部分留下未形成區域。 亦即，對於製程薄片上形成之塗佈層，照射經控制照射角度之僅由直接平行光所成之活性能量線例如紫外線。 此處，作為紫外線照射條件，較好照度設為0.01~50 mW/cm2 之範圍內之值。 其理由係若照度設為未達0.01 mW/cm2 之值，則有難以明確形成第1構造區域之情況之故。 另一方面，若照度設為超過50 mW/cm2 之值，則(A)成分及(B)成分進行相分離之前即硬化，相反地，於後述步驟(c2’)中，有難以明確形成第2構造區域之情況之故。 因此，紫外線照度更好設為0.05~20 mW/cm2 之範圍內之值，又更好設為0.1~10 mW/cm2 之範圍內之值。
其次，作為步驟(c2’)，較好對塗佈層進行第2活性能量線照射，於塗佈層之下方部分作為第2構造區域，於折射率相對較低之區域，形成沿薄膜面方向交互平行配置折射率相對較高的複數柱狀物所成之柱狀物區域。 較好藉由於如此單一層中，於上下方向層合所謂柱構造/柱構造之構造，而設為更具波紋抑制性或直進透過率較低之波紋抑制薄膜。
(5)黏著劑層之形成 雖為任意步驟，但較好設有黏著劑形成步驟，如圖2(b)~(c)所示，於波紋抑制薄膜10之至少一表面上設有黏著劑層(包含接著劑層，以下同) 16、16a、16b。 其理由為藉由此種態樣之波紋抑制薄膜，提高使用感之故。 且，例如可將第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間強固地固定配置，進而可使以關係式(1)表示之直進透過率的調整或變角霧度值之調整等更為容易。
又，作為黏著劑層之種類，若考慮波紋抑制薄膜之使用方法，則較好設為源自光學用黏著劑之樹脂層。 因此，全光線透過率較好設為90%以上之值。 而且，形成該黏著劑層時，其厚度通常較好設為1~ 500μm之範圍內之值，更好設為10~100μm之範圍內之值，又更好設為20~50μm之範圍內之值。
[第2實施形態] 第2實施形態係第1實施形態之波紋抑制薄膜之變化例，如圖4(a)~(b)所示，係具有內部折射率分佈構造之波紋抑制薄膜10與粒子分散型光擴散薄膜18層合而成之波紋抑制薄膜層合體20、20’。 更具體而言，係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象之波紋抑制薄膜層合體20、20’，係在由單一層而成之折射率相對較低之低折射率區域14中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物12的波紋抑制薄膜10與於樹脂成分18b中分散粒子18a而成之粒子分散型光擴散薄膜18層合後之波紋抑制薄膜層合體。 而且，係以關係式(1)錶式之直進透過率設為8%以下之值為特徵之波紋抑制薄膜層合體20、20’(以下為了與第3實施形態之波紋抑制薄膜層合體區別，有時稱為第1波紋抑制薄膜層合體)。
圖4(a)中顯示於具有內部折射率分佈構造之波紋抑制薄膜10之單面具備粒子分散型光擴散薄膜18之波紋抑制薄膜層合體20。 又，圖4(b)中顯示於具有內部折射率分佈構造之波紋抑制薄膜10之兩面具備粒子分散型光擴散薄膜18、18’之波紋抑制薄膜層合體20’。 以下，對本發明之第2實施形態的波紋抑制薄膜層合體中，以構成與第1實施形態較大不同的粒子分散型光擴散薄膜為中心予以說明。
1. 具有內部折射率分佈構造之波紋抑制薄膜 針對具有內部折射率分佈構造之波紋抑制薄膜，基本上由於可使第1實施形態中說明之波紋抑制薄膜為同樣形態，故省略再度說明。
2. 粒子分散型光擴散薄膜 (1)粒子 作為調配於粒子分散型光擴散薄膜之粒子(光擴散微粒子)，於調配於粒子分散型光擴散薄膜之情況下，只要作為波紋抑制薄膜層合體可提高霧度值者，則可為任何態樣。 因此，作為該粒子，舉例為例如氧化矽、碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、黏土、滑石、二氧化鈦等之無機系微粒子；丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、環氧樹脂等之有機系之透光性微粒子；由如聚矽氧樹脂之具有無機與無機之中間構造之含矽化合物所成之微粒子(例如Momentive Performance Materials Japan公司製之TOSPEARL系列)等。 其中，基於黏著劑層之高精細化對應之觀點，較好為丙烯酸樹脂微粒子及由具有無機與無機之中間構造之含矽化合物所成之微粒子。 又，由具有無機與無機之中間構造之含矽化合物所成之微粒子即使少量添加抑可發揮其效果，良好地維持活性能量線硬化性黏著成分之黏著性，故而特佳。以上之光擴散微粒子可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
又，作為粒子形狀，較好為光擴散均一的球狀微粒子。 而且，基於獲得良好光擴散性或霧度值，該粒子之平均粒徑下限值較好設為1.0μm以上之值，更好設為2.0μm以上之值，又更好設為2.5μm以上之值。 另一方面，粒子之平均粒徑上限值較好設為10μm以下之值，更好設為7μm以下之值，最好設為5μm以下之值。 藉由將如此粒子之平均粒徑設為特定範圍內之值，可獲得良好光擴散性，另一方面，可獲得特定霧度值，發揮波紋抑制效果之故。 又，粒子之平均粒徑可為例如使用卡尺或測微器等直接測定平均值，但亦可依據JIS Z 8825:2013，使用雷射解析裝置等，作為算術平均值予以測定。
又，粒子含量通常相對於樹脂成分100質量份，較好設為0.1~30質量份之範圍內之值。 其理由為該粒子含量設為未達0.1質量份之值時，有無法獲得期望霧度值之情況之故。 另一方面，該粒子含量設為超過30質量份之值時，有粒子容易凝集，處理困難，或透明性過度降低之情況之故。 因此，粒子含量之下限值較好設為1質量份以上之值，更好設為3質量份以上之值。 又，粒子含量之上限值較好設為20質量份以下之值，更好設為10質量份以下之值。
(2)樹脂成分 作為樹脂成分種類並未特別限制，但基於成為耐久性優異之觀點，作為樹脂成分較好含有活性能量線硬化性黏著成分。 亦即，活性能量線硬化性黏著成分意指藉由照射活性能量線而硬化且顯示黏著性之成分。因此，可由單一硬化成分構成，或者亦可包含藉由活性能量線照射而硬化之成分與不因活性能量線之照射而硬化而顯示黏著性之成分。 更具體而言，較好為包含以下所示(甲基)丙烯酸酯聚合物等之活性能量線硬化性黏著成分。
(2)-1 (甲基)丙烯酸酯聚合物 作為構成(甲基)丙烯酸酯聚合物之單體，藉由源自烷基之碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷酯，而可展現較好黏著性。 作為烷基之碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷酯舉例為例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻基酯、(甲基)丙烯酸棕櫚基酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯等。其中，基於更提高黏著性之觀點，較好為碳數係1~8之(甲基)丙烯酸烷酯，特佳為(甲基)丙烯酸正丁酯或(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
而且，(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量通常較好為10萬~ 200萬之範圍內之值。 其理由為該(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量超過200萬時，所得黏著劑之被膜強度過於變高，有製造時間過度拉長之情況之故。 另一方面，該(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量設為未達10萬之值時，會有所得黏著性顯著降低，未反應單體量變多，處理便困難之情況之故。 因此(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量下限更好設為20萬以上之值，更好設為30萬以上之值。 另一方面，(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量上限更好設為100萬以下之值，更好設為80萬以下之值。 又，(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析(GPC)法作為標準聚苯乙烯換算值而測定。
(2)-2 分子內具有反應性基之(甲基)丙烯酸酯聚合物 作為上述樹脂成分的主成分之(甲基)丙烯酸酯聚合物，作為構成該聚合物之單體單位，較好於分子內具有與後述交聯劑(C)反應之反應性基。 其理由為藉由含有源自含反應性基單體之反應性基，與交聯劑反應，形成交聯構造(三維網眼構造)，而獲得凝集力高的樹脂成分之故。
此處，為了於分子內導入反應性基，作為聚合(甲基)丙烯酸酯聚合物時所用之含反應性基單體，可較好地舉例分子內具有羥基之單體(含羥基單體)、分子內具有羧基之單體(含羧基單體)、分子內具有胺基之單體(含胺基單體)等。 該等中，特佳為與交聯劑之反應性優異，對被黏著體之不良影響較少之含羥基單體。 更具體而言，作為此等含羥基單體，舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯等。
(2)-3 活性能量線硬化性化合物 上述樹脂成分含有之活性能量線硬化性化合物，只要可使所得樹脂成分之耐久性或凝集力提高至期望程度者即可，可為單體、寡聚物或聚合物之任一者，亦可為該等之混合物。 其中，可較好地舉例為與作為成分之較佳(甲基)丙烯酸酯聚合物等之相溶性優異之多關能丙烯酸酯系單體。 因此，樹脂成分中，藉由活性能量線照射，活性能量線硬化性化合物相互形成化學鍵，生成三維網眼構造。而且，藉由於該構造中捕捉(甲基)丙烯酸酯聚合物，而提高凝集力，結果，成為耐久性優異者。
此處，作為多官能丙烯酸酯系單體舉例為例如1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯、羥基戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊基二(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二環戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質磷酸二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質異氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯、二(丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯等之2官能型；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改質二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、ε-己內酯改質三-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、環氧乙烷改質異氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯等之3官能型；二甘油四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯之4官能；丙酸改質二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等之5官能型；二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等之6官能型等。其中更好為重量平均分子量為1000以下之分子量比較低者。該等可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
又，活性能量線硬化性化合物之含量，相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，較好為1質量份以上，特佳為3質量份以上，特佳為5質量份以上。又，活性能量線硬化性化合物(B)之含量較好為30質量份以下，更好為25質量份以下，特佳為20質量份以下，又更好為10質量份以下。藉由使活性能量線硬化性化合物(B)之含量落於上述範圍內，所得黏著劑成為耐久性更優異者，且所得光擴散黏著劑層21之處理性成為優異者。再者，可良好地維持(甲基)丙烯酸酯聚合物所致之黏著性。
(2)-4 交聯劑 構成粒子分散型光擴散薄膜之樹脂成分(硬化前)較好含有用以使於分子內具有反應性基之(甲基)丙烯酸酯聚合物交聯之交聯劑。 其理由為使樹脂成分加熱等時，交聯劑與於分子內具有反應性基之(甲基)丙烯酸酯聚合物反應，而提高所得樹脂成分之凝集力之故。
此處，作為交聯劑，若為可與(甲基)丙烯酸酯聚合物具有之反應性官能基反應者即可，舉例為例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、胺系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、聯胺系交聯劑、醛系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合劑系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、銨鹽系交聯劑等。 (甲基)丙烯酸酯聚合物具有羥基作為反應性官能基時，上述中，較好使用與羥基之反應性優異之異氰酸酯系交聯劑。又，交聯劑可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。
又，異氰酸酯系交聯劑較好係至少包含聚異氰酸酯化合物。 作為此等聚異氰酸酯化合物舉例為例如甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等之芳香族聚異氰酸酯，六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族聚異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等之脂環式聚異氰酸酯等，及該等之縮脲體、異氰脲酸酯體，進而為與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等之低分子含活性氫的化合物之反應物的加成體等。其中，基於與羥基之反應性之觀點，較好為三羥甲基丙烷改質之芳香族聚異氰酸酯，尤其較好為三羥甲基丙烷改質甲苯二異氰酸酯。 又，交聯劑之含量，相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，較好為0.01~10質量份，特佳為0.05~5質量份，更佳為0.1~1質量份。
(2)-5 各種添加劑 活性能量線硬化性黏著成分較好根據期望調配各種添加劑例如光聚合起始劑、矽烷偶合劑、折射率調整劑、抗靜電劑、黏著賦予劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光安定劑、軟化劑、填充劑等。
(3)厚度 粒子分散型光擴散薄膜厚度，可對應於用途及各種目的適當變更，但通常較好設為5~200μm之範圍內之值。 其理由為將粒子分散型光擴散薄膜厚度設為5μm時，處理便困難，有未見到層合效果(霧度值上升效果)之情況之故。 另一方面，將粒子分散型光擴散薄膜厚度設為超過200μm時，有直進透過率之值急遽降低，後方散射之比例過於增大之情況之故。 因此，粒子分散型光擴散薄膜厚度之下限較好設為10μm以上之值，又更好設為20μm以上之值。 另一方面，粒子分散型光擴散薄膜厚度之上限較好設為150μm以下之值，又更好設為100μm以下之值。
(4)製造方法 粒子分散型光擴散薄膜可藉由於硬化前之樹脂成分中均一混合分散特定量之特定粒子後，自其形成塗膜，進而照射紫外線等之活性能量線而製造。
(5)通常霧度值 粒子分散型光擴散薄膜單體之通常霧度值，亦即依據JIS K 7136: 2000測定之霧度值較好設為5%以上之值。 其理由為藉由將粒子分散型光擴散薄膜單體之通常霧度值設為特定值以上，而對其加上變角霧度值加以考慮之故，進而獲得優異波紋抑制性之故。 因此，粒子分散型光擴散薄膜單體之通常霧度值之下限較好設為20%以上之值，更好設為50%以上之值。 但，粒子分散型光擴散薄膜單體之通常霧度值上限過大時，有製造上良率顯著降低之情況。 因此，粒子分散型光擴散薄膜單體之通常霧度值之上限較好設為95%以下之值，更好設為90%以下之值，又更好設為88%以下之值。
3.效果 依據波紋抑制薄膜層合體20，可獲得對於如圖5所示之變角霧度值的粒子分散型光擴散薄膜單體之層合效果。 亦即，圖5中線A係顯示依據後述實施例1之波紋抑制薄膜(單層)之MD方向的變角霧度值之圖表。 又，圖5中線B係顯示依據後述實施例6之波紋抑制薄膜層合體之MD方向的變角霧度值之圖表。更具體而言，係顯示對於依據後述實施例1之波紋抑制薄膜(單層)，層合粒子分散型光擴散薄膜單體(通常霧度值：20%)而成之波紋抑制薄膜層合體的變角霧度值之圖表。 由該線B與線A等之比較，可理解藉由層合特定之粒子分散型光擴散薄膜單體(通常霧度值：20%)，可將變角霧度值自81.0%調整至84.8%。
又，圖5中之線C係顯示依據後述實施例7之波紋抑制薄膜層合體之MD方向的變角霧度值之圖表。更具體而言，係顯示對於依據後述實施例1之波紋抑制薄膜(單層)，層合粒子分散型光擴散薄膜單體(通常霧度值：40%)而成之波紋抑制薄膜層合體的變角霧度值之圖表。 由該線C等，可理解藉由層合特定之粒子分散型光擴散薄膜單體(通常霧度值：40%)，可將變角霧度值自81.0%調整至86.3%。
又，圖5中之線D係顯示依據後述實施例8之波紋抑制薄膜層合體之MD方向的變角霧度值之圖表。更具體而言，係顯示對於依據後述實施例1之波紋抑制薄膜(單層)，層合粒子分散型光擴散薄膜單體(通常霧度值：60%)而成之波紋抑制薄膜層合體的變角霧度值之圖表。 由該線D等，可理解藉由層合特定之粒子分散型光擴散薄膜單體(通常霧度值：60%)，可將變角霧度值自81.0%調整至90.2%。 因此，若為對於波紋抑制薄膜層合特定之粒子分散型光擴散薄膜而成之波紋抑制薄膜層合體20、20’，可經濟地將變角霧度值的值平準化，可設為特定範圍內之值。
[第3實施形態] 第3實施形態如圖6所示，係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的包含第1波紋抑制薄膜10a及第2波紋抑制薄膜10b而成之波紋抑制薄膜層合體30。 又，第1波紋抑制薄膜10a及第2波紋抑制薄膜10b分別於單一層中具有折射率相對較低的低折射率區域14，與由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物12。 而且，係以第1波紋抑制薄膜10a之MD方向與第2波紋抑制薄膜10b之MD方向所成之角度設為1~179˚之範圍內之值層合而成者為特徵的波紋抑制薄膜層合體30，且係以該波紋抑制薄膜層合體30之以關係式(1)表示之直進透過率設為8%以下之值為特徵的波紋抑制薄膜層合體30(以下，為了與上述第2實施形態之波紋抑制薄膜層合體區別，有時稱為第2波紋抑制薄膜層合體)。 藉由如此構成波紋抑制薄膜層合體30，可吸收MD方向等之通常霧度值等之特性偏差，可更細微且容易地調整以關係式(1)表示之直進透過率或變角霧度值等，可發揮特定之波紋抑制效果。 以下，適當參考圖式具體說明本發明第3實施形態之波紋抑制薄膜層合體。
1.基本構成 將第1波紋抑制薄膜10a之製造步驟的行進方向設為MD方向，將與第1波紋抑制薄膜10a之製造步驟的行進方向(MD方向)平行且垂直方向交叉之方向設為TD方向時，尤其於MD方向中，有變角霧度之值基於內部折射率分佈構造而異之情況(參考圖7(b)，虛線A(MD方向)及實線B (TD方向))， 此推定係因於製造步驟的行進方向(MD方向)，照射於兩端部分等之活性能量線之照射量偏差等所致。 因此，藉由以將第1波紋抑制薄膜之MD方向與第2波紋抑制薄膜之MD方向之交差角度設為1~179˚之範圍內之值之方式層合，可為波紋抑制薄膜之寬度方向的霧度偏差減小者(參考圖7(a)實線C；以交差角度90˚之方式層合，顯示第1波紋抑制薄膜基準的TD方向、MD方向之變角霧度，均顯示重疊行為)。 因此，更好以將第1波紋抑制薄膜之MD方向與第2波紋抑制薄膜之MD方向之交差角度設為30~150˚之範圍內之值之方式層合，又更好以交差角度設為60~120˚之範圍內之值之方式層合，最好以交差角度設為80~100˚之範圍內之值例如90˚之方式層合。
2. 第1及第2波紋抑制薄膜之MD方向 第1及第2波紋抑制薄膜之MD方向意指波紋抑制薄膜之製造步驟的行進方向。 亦即，波紋抑制薄膜之MD方向由於製造時連續搬送薄膜，故容易受到稍微角度變化或平行度變化之影響。因此，於MD方向與TD方向使角度變化時，可以目視簡單地判別霧度值偏差較大的方向為MD方向。 又，為使容易判別波紋抑制薄膜之MD方向，而製造波紋抑制薄膜時，於照射活性能量線之際，亦較好事先同時使箭頭等之識別標記曝光。
3.效果 因此，考慮第1波紋抑制薄膜之MD方向與第2波紋抑制薄膜之MD方向，藉由於圖6之箭頭A所示方向，將兩者層合，而如圖7(a)所示，可將MD方向及TD方向之變角霧度等之值平均化，且調整為高的值。
[第4實施形態] 第4實施形態係沿著圖8所示之箭頭A，配置於自下方起至少包含第1含圖型構造層之光學構件54與第2含圖型構造層之光學構件58之複數含圖型構造層之光學構件之間，且抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的具備波紋抑制薄膜10之複合顯示裝置100。 而且，係以波紋抑制薄膜10於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，且以關係式(1)表示之波紋抑制薄膜之直進透過率設為8%以下之值作為特徵之複合顯示裝置100。 以下，適當參考圖式具體說明本發明第4實施形態之複合顯示裝置100。
1.基本構成 係具備至少配置於第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間，且抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的波紋抑制薄膜之複合顯示裝置。 例如複合圖像顯示裝置為液晶顯示裝置之情況，如圖8所示，自箭頭A之下側起依序配置背光50、第1含圖型構造層之光學構件即第1液晶面板54、波紋抑制薄膜10、第2含圖型構造層之光學構件即第2液晶面板58。又，前述波紋抑制薄膜亦可置換為第1波紋抑制薄膜層合體或第2波紋抑制薄膜層合體。
2. 第1含圖型構造層之光學構件 作為第1含圖型構造層之光學構件典型上為液晶面板。 此外，因與第2含圖型構造層之光學構件之關係，而產生波紋現象般之第1含圖型構造層之光學構件之態樣的情況，較好例如有機EL元件、液晶顯示裝置之彩色濾光片、有機EL元件之彩色濾光片、液晶顯示裝置之特殊電極圖型、有機EL元件之特殊電極圖型、液晶顯示裝置之稜柱圖型等亦作為第1含圖型構造層之光學構件。
3. 第2含圖型構造層之光學構件 作為第2含圖型構造層之光學構件典型上為第2液晶面板。 此外，因與第1含圖型構造層之光學構件之關係，而產生波紋現象般之第2含圖型構造層之光學構件之態樣的情況，較好例如有機EL元件、液晶顯示裝置之彩色濾光片、有機EL元件之彩色濾光片、液晶顯示裝置之特殊電極圖型、有機EL元件之特殊電極圖型、液晶顯示裝置之稜柱圖型等亦作為第2含圖型構造層之光學構件。
4.效果 藉由設為於第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間配置使用此等具有內部折射率分佈構造等之波紋抑制薄膜之複合顯示裝置，可有效發揮波紋抑制效果，維持較低的直進透過率，且亦可抑制後方散射，而可辨識高對比度之圖像。 [實施例]
以下參考實施例，更詳細說明本發明。但若無特別理由，則本發明範圍並非限制於以下實施例之記載。
[實施例1] 1.(甲基)丙烯酸酯共聚物之調製 於附攪拌裝置之聚合容器內，作為單體成分，對於重量平均分子量9,200之聚丙二醇(PPG) 1莫耳，收容異佛酮二異氰酸酯(IPDI) 2莫耳及甲基丙烯酸2-羥基乙酯(HEMA) 2莫耳後，依據常用方法溶液聚合，獲得重量平均分子量9,900之聚醚胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯。 所得聚醚胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯之重量平均分子量係使用凝膠滲透層析(GPC)法，依據下述測定條件，作為聚苯乙烯換算值測定後，為50萬。 ・GPC測定裝置：TOSOH公司製，HLC-8020 ・GPC管柱：TOSOH公司製(以下依通過順序記載) TSK防護管柱HXL-H TSK gel GMHXL(×2) TSK gel G2000HXL ・測定溶劑：四氫呋喃 ・測定溫度：40℃
2. 波紋抑制薄膜用組成物之調製 其次，於附攪拌裝置之容器內，對於所得聚醚胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯100重量份，添加重量平均分子量268之丙烯酸鄰-苯基苯氧基乙氧基乙基酯100重量份與2-羥基-2-甲基苯丙酮10重量份後，於80℃之條件下進行加熱混合，獲得波紋抑制薄膜用組成物。 又，測定聚醚胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯及丙烯酸鄰-苯基苯氧基乙氧基乙基酯之折射率後，藉由阿倍折射計[ATAGO公司製，品名「阿貝折射儀DR-M2」，Na光源，波長：589nm]，依據JIS K0062測定後，分別為1.58及1.46。
3. 波紋抑制薄膜用組成物之塗佈 其次，使用刮刀塗佈器將所得波紋抑制薄膜用組成物於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜之單面上以聚矽氧系剝離劑進行剝離處理後之重剝離型剝離薄片(LINTEC(股)製，製品名「SP-PET188CL」)之剝離處理面上形成塗佈層。 其次，使用乾燥爐，於90℃加熱處理1分鐘，獲得厚度120μm之塗佈層。 其次，於塗佈層之露出面側，層合厚度38μm之具有紫外線透過性之輕剝離薄膜(LINTEC(股)製，製品名「SP-PLZ383030」)，作成所謂之間隙層合構造。
4.塗佈層之光硬化 其次，對於間隙層合構造之塗佈層，透過輕剝離薄膜，藉由紫外線照射裝置(對山下電裝(股)製之紫外線點光源「HYPERCURE 200」安裝隨選之均一曝光轉接器者)所得之紫外線之平行光，以對塗佈膜0˚入射之方式，以峰值照度為1.0 mW/cm2 、累積光量為25 mJ/cm2 之條件予以曝光，進行塗佈層之光硬化。 而且，如圖1概略圖所示，獲得遍及至薄膜內部，於低折射率區域中形成有高折射率之柱構造的波紋抑制薄膜。
5.評價 (1)直進透過率之測定 所得波紋抑制薄膜之直進透過率係使用光源、兩片偏光板及亮度計測定。 亦即，於經平行尼柯爾透鏡配置之狀態的兩片偏光板之間，以使偏光板的吸收軸與波紋抑制薄膜的MD方向一致之方式，夾住所得波紋抑制薄膜之狀態，測定透過光之亮度(Lp)。 另一方面，針對經平行尼柯爾透鏡配置之狀態的兩片偏光板於未夾持波紋抑制薄膜之狀態，亦即對於僅兩片偏光板以同樣條件測定透過光之空白亮度(Lo=2763cd/m2 )。 其次，自所得Lp(cd/m2 )、Lo(cd/m2 )，依據下述關係式，算出直進透過率。 直進透過率=Lp/Lo×100 (1)
(2)變角霧度值之測定 所得波紋抑制薄膜剝離兩面之剝離薄膜後，不使用接著劑而對於厚1.1mm之玻璃板貼附，作成測定試料。 其次，針對測定試料，使用變角霧度計(東洋精機製作所(股)製，製品名「附入射角可變裝置之霧度計」)，於-70˚~+70˚之角度範圍，連續測定霧度值，將最低之霧度值設為變角霧度值(%)。
(3)通常霧度值及全光線透過率之測定 所得波紋抑制薄膜剝離兩面之剝離薄膜後，不使用接著劑而對於厚1.1mm之玻璃板貼附，作成測定試料。 其次，針對波紋抑制薄膜，依據JIS K 7136:2000，使用霧度計(日本電色工業(股)製，製品名「NDH5000」)，測定通常霧度值(%)及全光線透過率(%)。
(4) 波紋抑制性評價1(左右方向) 剝離所得波紋抑制薄膜之輕剝離薄膜，以波紋抑制薄膜的露出面與平板電腦終端(美國蘋果公司製，製品名「iPad(註冊商標)」，解像度：264dpi)之表面畫面對向的狀態予以貼附。 其次，剝離重剝離薄膜，對於波紋抑制薄膜之露出面，貼附具有60、120、180ppi之格子圖型之液晶顯示裝置用遮罩，作為評價試料。 其次，將上述平板電腦終端的畫面設為全面綠色顯示(RGB值(R、G、B)=0、255、0)，目視觀察左右方向(對應於CD方向)，依據下述判定基準，進行波紋之抑制性評價1。 ◎：對於顯示畫面，自法線方向的正面(0˚方向)及斜向方向(60˚方向)視覺觀察，任一格子圖型均未觀察到波紋發生。 ○：對於顯示畫面，自法線方向的正面視覺觀察，雖未觀察到波紋發生，但若自斜向方向視認，則於任一格子圖型觀察到若干波紋發生。 △：對於顯示畫面，自法線方向的正面視覺觀察，雖未觀察到波紋發生，但若自斜向方向視認，則於任一格子圖型明確觀察到波紋發生。 ×：對於顯示畫面，自法線方向的正面視覺觀察，及自斜向方向視認，於任一格子圖型均明確觀察到波紋發生。
(5) 波紋抑制性評價2(上下方向) 將上述平板電腦終端的畫面設為全面綠色顯示(RGB值(R、G、B)=0、255、0)，目視觀察上下方向(對應於MD方向)，依據下述判定基準，進行所得波紋抑制薄膜之波紋抑制性評價2。 ◎：對於顯示畫面，自法線方向的正面(0˚方向)及斜向方向(60˚方向)視覺觀察，任一格子圖型均未觀察到波紋發生。 ○：對於顯示畫面，自法線方向的正面視覺觀察，雖未觀察到波紋發生，但若自斜向方向視認，則於任一格子圖型觀察到若干波紋發生。 △：對於顯示畫面，自法線方向的正面視覺觀察，雖未觀察到波紋發生，但若自斜向方向視認，則於任一格子圖型明確觀察到波紋發生。 ×：對於顯示畫面，自法線方向的正面視覺觀察，及自斜向方向視認，於任一格子圖型均明確觀察到波紋發生。
(6)後方散射程度之推認 所得波紋抑制薄膜剝離兩面之剝離薄膜後，不使用接著劑而對於厚1.1mm之玻璃板貼附，作成測定試料。以波紋抑制薄膜之露出面與經防眩處理之液晶顯示裝置之顯示畫面對向之狀態予以貼附。 其次，將液晶顯示裝置設為黑顯示，自所得波紋抑制薄膜之背面，目視觀察，獲得如圖9之照片。觀察環境係以自各種方向入射螢光燈照明之亮環境進行。 自該照片所示之狀態，依據下述基準，評價後方散射程度。 ◎：自正面及斜後方觀察，未見到發白，推認為無後方散射。 ○：自正面及斜後方觀察，見到少許發白，後方散射程度很少。 △：自正面及斜後方觀察，稍見到發白，後方散射程度相當大。 ×：自正面及斜後方觀察，見到發白，後方散射顯著。
[實施例2] 實施例2中，除了替代實施例1之厚度120μm之具有紫外線透過性之輕剝離薄膜，而實施利用厚度60μm之具有紫外線透過性之輕剝離薄膜之間隙層合法(以下有時稱為60μm間隙層合法)以外，與實施例1同樣，作成波紋抑制薄膜，評價波紋抑制性等。
[實施例3] 實施例3中，準備2片與實施例1同樣獲得之波紋抑制薄膜(120μm間隙層合法)，將該等以使波紋抑制薄膜之MD方向與TD方向分別以90˚正交之方式予以層合，作成波紋抑制薄膜層合體以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[實施例4] 實施例4中，準備2片與實施例2同樣獲得之波紋抑制薄膜(60μm間隙層合法)，將該等以使波紋抑制薄膜MD方向與TD方向分別以正交之方式予以層合，作成波紋抑制薄膜層合體以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[實施例5] 實施例5中，準備3片與實施例1同樣獲得之波紋抑制薄膜(120μm間隙層合法)，將該等以使波紋抑制薄膜之MD方向完全一致之方式層合3片，作成波紋抑制薄膜層合體以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[實施例6] 實施例6中，對於與實施例1同樣獲得之波紋抑制薄膜(120μm間隙層合法)的單面，製作粒子分散型波紋抑制薄膜(厚度：60μm，霧度值：20%)，作成波紋抑制薄膜層合體以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
又，粒子分散型波紋抑制薄膜係源自波紋抑制薄膜用組成物，該波紋抑制薄膜用組成物係將藉由溶液聚合法獲得之丙烯酸酯共聚物(作為單體成分為丙烯酸2-乙基己酯60重量份、丙烯酸異冰片酯10重量份、N-丙烯醯基嗎啉10重量份及丙烯酸2-羥基乙酯20重量份) 100重量份、活性能量線硬化性成分(環氧乙烷改質異氰脲酸二丙烯酸酯及環氧乙烷改質異氰脲酸三丙烯酸酯之混合物(東亞合成(股)製，製品名「ALUNIX M315」))5重量份、作為光聚合起始劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮0.25重量份、二苯甲酮0.25重量份、作為交聯劑之三羥甲基丙烷改質甲苯二異氰酸酯0.2重量份、作為矽烷偶合劑之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷0.3重量份、及由含矽化合物所成之微粒子(Momentive Performance Materials Japan公司製，製品名「TOSPEARL 145L」，平均粒徑：4.5μm，折射率：1.43) 1重量份混合，進而以甲基乙基酮稀釋而獲得。 其次，使用刮刀塗佈器，將所得波紋抑制薄膜用組成物於聚對苯二甲酸乙二酯之單面以聚矽氧剝離劑予以剝離處理之重剝離型剝離薄片(LINTEC(股)製，製品名「SP-PET382050」)之剝離處理面形成塗佈層。 其次，使用乾燥爐，於90℃加熱處理1分鐘，獲得厚50μm之塗佈層。 其次，於塗佈層之露出面側，層合厚度120μm之具有紫外線透過性之輕剝離薄膜(LINTEC(股)製，製品名「SP-PET382120」)。 接著，透過輕剝離薄膜，藉由紫外線照射裝置(對山下電裝(股)製之紫外線點光源「HYPERCURE 200」安裝隨選之均一曝光轉接器者)所得之紫外線之平行光，以對塗佈膜0˚入射之方式，以峰值照度為1.0 mW/cm2 、累積光量為25 mJ/cm2 之條件予以曝光，進行塗佈層之光硬化。 最後，於23℃、50%Rh之條件下養生7天，所得粒子分散型波紋抑制薄膜(厚度：50μm，通常霧度值：20%)對於實施例1所得之波紋抑制薄膜1片的單面進行貼附，作成波紋抑制薄膜層合體以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性。
[實施例7] 實施例7中，對於與實施例1同樣獲得之波紋抑制薄膜(120μm間隙層合法)的單面，調整實施例6製作之粒子分散型波紋抑制薄膜中之粒子調配量，製作粒子分散型波紋抑制薄膜(厚度：50μm，霧度值：40%)，作成波紋抑制薄膜層合體以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[實施例8] 實施例8中，對於與實施例1同樣獲得之波紋抑制薄膜(120μm間隙層合法)的單面，調整實施例6製作之粒子分散型波紋抑制薄膜中之粒子調配量，製作粒子分散型波紋抑制薄膜(厚度：50μm，霧度值：60%)，作成波紋抑制薄膜層合體以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[比較例1] 比較例1中，調整實施例6製作之粒子分散型波紋抑制薄膜中之粒子調配量，將粒子分散型波紋抑制薄膜(厚度：50μm，霧度值：75%)作為單體使用以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[比較例2] 比較例2中，將實施例6製作之粒子分散型波紋抑制薄膜中之粒子種設為苯乙烯粒子填料(平均粒徑：4.5μm，調配量：10.0質量%)，將粒子分散型波紋抑制薄膜(厚度：50μm，霧度值：87%)作為單體使用以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[比較例3] 比較例3中，將實施例6製作之粒子分散型波紋抑制薄膜中之粒子種設為苯乙烯粒子填料(平均粒徑：2.5μm，調配量：22.4質量%)，獲得第1粒子分散型波紋抑制薄膜(通常霧度值：85%，厚度：12μm)。 同樣，將實施例6製作之粒子分散型波紋抑制薄膜中之粒子種設為苯乙烯粒子填料(平均粒徑：2.5μm，調配量：7.1質量%)，獲得第2粒子分散型波紋抑制薄膜(霧度值：53%，厚度：12μm)。 層合第1粒子分散型波紋抑制薄膜與第2粒子分散型波紋抑制薄膜，作成波紋抑制薄膜層合體(通常霧度值：91%，厚度：24μm)以外，與實施例1同樣，評價波紋抑制性等。
[產業上之可利用性]
如以上詳述，依據本發明，藉由將以特定關係式(1)表示之直進透過率設為特定範圍內之值，而可提供波紋抑制性良好且後方擴散程度較少之波紋抑制薄膜。 因此，本發明之波紋抑制薄膜等，藉由配置於各種第1顯示裝置及第2顯示裝置之間隙間，作成複合顯示裝置，可獲得優異之波紋抑制性，進而後方擴散程度少，可辨識高對比度之立體圖像等。
若進一步來說，本發明之波紋抑制薄膜等之使用對像典型上雖為第1液晶面板及第2液晶面板之組合，但於波紋發生成為問題之組合中，亦可廣泛利用。 因此，不僅液晶顯示裝置，由於亦有使用有機EL元件及電極圖型之情況，故亦可使用於第1有機EL元件及第2有機EL元件之組合、或第1液晶面板及第2液晶面板之組合等之同樣波紋發生成為問題的用途中。 亦即，即使該等用途，亦可期待良好之波紋抑制性、或較少之後方擴散程度，且有助於立體圖像之高品質化。
10‧‧‧波紋抑制薄膜 12‧‧‧折射率相對較高的柱狀物(高折射率部) 14‧‧‧折射率相對較低的低折射率區域(低折射率部) 16、16a、16b‧‧‧黏著劑層 18、18’‧‧‧粒子分散型波紋抑制薄膜 18a‧‧‧粒子 18b‧‧‧樹脂層 20‧‧‧波紋抑制薄膜層合體(第1波紋抑制薄膜層合體) 30‧‧‧波紋抑制薄膜層合體(第2波紋抑制薄膜層合體) 50‧‧‧背光 52‧‧‧第1偏光薄膜 54‧‧‧第1含圖型構造層之光學構件 56‧‧‧第2偏光薄膜 58‧‧‧第2含圖型構造層之光學構件 60‧‧‧第3偏光薄膜 90、100、110‧‧‧複合顯示裝置
圖1係波紋抑制薄膜之概略立體圖。 圖2(a)~(c)係波紋抑制薄膜之垂直剖面圖。 圖3係供於用以說明波紋抑制薄膜之波紋評價(相對值)與直進透過率(Lp/Lo×100)(%)之關係的圖。 圖4(a)~(b)係供於用以說明波紋抑制薄膜層合體(第1波紋抑制薄膜層合體)之圖。 圖5係供於用以說明波紋抑制薄膜層合體(第1波紋抑制薄膜層合體)之效果的圖。 圖6係供於用以說明另一波紋抑制薄膜層合體(第2波紋抑制薄膜層合體)之效果的圖。 圖7(a)~(b)係供於用以說明另一波紋抑制薄膜層合體(第2波紋抑制薄膜層合體)之效果的圖。 圖8係供於用以說明使用波紋抑制薄膜之複合顯示裝置之圖。 圖9係顯示波紋抑制薄膜及波紋抑制薄膜層合體之後方散射程度的圖(照片)。
10‧‧‧波紋抑制薄膜
12‧‧‧折射率相對較高的柱狀物(高折射率部)
14‧‧‧折射率相對較低的低折射區域(低折射率部)

Claims (5)

  1. 一種波紋抑制薄膜，其係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的波紋抑制薄膜，其特徵係於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，厚度為40~500μm之範圍內之值，依據JIS K 7136：2000測定之霧度值為90%以上之值，將形成前述波紋抑制薄膜時的行進方向設為MD方向，並將與該MD方向於水平且垂直方向交叉的方向設為TD方向之情況下，以前述MD方向為基準而成之±70°的變角霧度值以及以前述TD方向為基準而成之±70°的變角霧度值中至少一者為85%以上之值，且將以下述關係式(1)定義之該波紋抑制薄膜之直進透過率設為6.4%以下之值，直進透過率=Lp/Lo×100 (1)(Lp：於以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板之間，夾入波紋抑制薄膜之狀態測定之透過光的亮度(cd/m2)，Lo：僅對以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板測定之透過光的亮度(cd/m2))。
  2. 如請求項1之波紋抑制薄膜，其中於至少一表面設置黏著劑層。
  3. 一種波紋抑制薄膜層合體，其特徵係包含如請求項1或2之波紋抑制薄膜而成之波紋抑制薄膜層合體，於前述波紋抑制薄膜之至少一表面設置粒子分散型光擴散層。
  4. 一種波紋抑制薄膜層合體，其係抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象，且包含第1波紋抑制薄膜及第2波紋抑制薄膜而成之波紋抑制薄膜層合體，其特徵係前述第1波紋抑制薄膜及第2波紋抑制薄膜於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，前述第1波紋抑制薄膜及前述第2波紋抑制薄膜之厚度為40~500μm之範圍內之值，前述第1波紋抑制薄膜及前述第2波紋抑制薄膜之依據JIS K 7136：2000測定之霧度值為90%以上之值，將形成前述波紋抑制薄膜時的行進方向設為MD方向，並將與該MD方向於水平且垂直方向交叉的方向設為TD方向之情況下，以前述MD方向為基準而成之±70°的變角霧度值以及以前述TD方向為基準而成之±70°的變角霧度值中至少一者為85%以上之值，將前述第1波紋抑制薄膜之MD方向與對應於該等之前述第2波紋抑制薄膜之MD方向所成之角度設為1~179°之範圍內之值，且將以下述關係式(1)定義之該波紋抑制薄膜層合體 之直進透過率設為6.4%以下之值，直進透過率=Lp/Lo×100 (1)(Lp：於以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板之間，夾入波紋抑制薄膜之狀態測定之透過光的亮度(cd/m2)，Lo：僅對以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板測定之透過光的亮度(cd/m2))。
  5. 一種複合顯示裝置，其係具備至少配置於第1含圖型構造層之光學構件與第2含圖型構造層之光學構件之間，且能抑制因兩個空間頻率差所產生之波紋現象的波紋抑制薄膜之複合顯示裝置，其特徵係前述波紋抑制薄膜於由單一層所成之折射率相對較低的區域中，具有由折射率相對較高的材料所成之複數柱狀物，前述波紋抑制薄膜之厚度為40~500μm之範圍內之值，前述波紋抑制薄膜之依據JIS K 7136：2000測定之霧度值為90%以上之值，將形成前述波紋抑制薄膜時的行進方向設為MD方向，並將與該MD方向於水平且垂直方向交叉的方向設為TD方向之情況下，以前述MD方向為基準而成之±70°的變角霧度值以及以前述TD方向為基準而成之±70°的變角霧度值中至少一者為85%以上之值，且將以下述關係式(1)定義之該波紋抑制薄膜之直進 透過率設為6.4%以下之值，直進透過率=Lp/Lo×100 (1)(Lp：於以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板之間，夾入波紋抑制薄膜之狀態測定之透過光的亮度(cd/m2)，Lo：僅對以平行尼柯耳透鏡狀態配置之2片偏光板測定之透過光的亮度(cd/m2))。
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