TWI825357B

TWI825357B - 研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物以及使用其研磨鎢圖案晶圓之方法

Info

Publication number: TWI825357B
Application number: TW109137844A
Authority: TW
Inventors: 李知虎; 南沇希; 辛奈律; 李泳基; 李永熙; 李鍾元
Original assignee: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司
Priority date: 2019-11-01
Filing date: 2020-10-30
Publication date: 2023-12-11
Also published as: KR102570805B1; WO2021086015A1; CN114302930B; CN114302930A; KR20210053082A; TW202118840A

Abstract

一種研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨(CMP)漿料組成物以及一種使用其研磨鎢圖案晶圓之方法。所述化學機械研磨漿料組成物包含：選自極性溶劑及非極性溶劑中的至少一者；磨蝕劑；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中在化學機械研磨漿料組成物中，由式1表示的化合物以約0.001重量%至約2重量%的量存在，且多羧酸以約0.001重量%至約5重量%的量存在。

Description

研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物以及使用其研磨鎢圖案晶圓之方法

本發明是有關於一種研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物以及一種使用其研磨鎢圖案晶圓之方法。更具體而言，本發明是有關於一種可藉由在研磨鎢圖案時減少鎢圖案中的凹陷來最小化鎢研磨速率的降低同時提高漿料穩定性的研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物，以及一種使用其研磨鎢圖案晶圓之方法。

[相關申請案的交叉參考]

本申請案主張於2019年11月1日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2019-0138920號的權利，所述韓國專利申請案的全部揭露內容併入本案供參考。

化學機械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)組成物及研磨(或平整)基板表面的方法在相關技術中為眾所習知的。研磨半導體基板上的金屬層(例如鎢層)的研磨組成物可包含懸浮在水溶液中的磨料顆粒及化學促進劑(例如氧化劑、螯合劑、觸媒等)。

為研磨金屬層中的鎢層，增加鎢研磨速率為重要的。然而，減少經研磨鎢層中的凹陷以及提高研磨速率亦為重要的。傳統上，為減少凹陷，作為腐蝕抑制劑，將胺基酸化合物添加至研磨組成物中。然而，儘管可藉由添加胺基酸化合物來減少凹陷，但存在鎢層的研磨速率降低的問題。

本發明的一個目的是提供一種可在研磨鎢圖案時減少鎢圖案中的凹陷的同時最小化鎢研磨速率的降低的研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物。

本發明的另一目的是提供一種具有提高的漿料穩定性的研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物。

根據本發明的一個態樣，一種研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物包含：選自極性溶劑及非極性溶劑中的至少一者；磨蝕劑；由式1表示的化合物；及多羧酸(polycarboxylic acid)，其中在所述化學機械研磨漿料組成物中，所述由式1表示的化合物以約0.001重量%至約2重量%的量存在，且所述多羧酸以約0.001重量%至約5重量%的量存在：[式1]

其中R¹及R²各自獨立地選自由氫原子、羥基(-OH)、帶負電荷的氧離子(-O^-)、單價脂族烴基、單價脂環族烴基、單價芳族烴基、烷氧基及芳氧基組成的群組，R¹及R²中的至少一者為羥基或帶負電荷的氧離子(-O^-)；X為-O-、-S-、-NH-、-C(=O)-、-(C=O)O-、-(C=O)NH-、-NH(C=NH₂ ⁺)-NH-、含有至少一個氮原子的脂環族基、或含有至少一個氮原子的芳族基；n為0或1；L為直接鍵或二價連接基，C^*為立體中心碳，R³為-C(=O)OH、-C(=O)O^-或-C(=O)ORa(Ra為單價脂族烴基、單價脂環族烴基或單價芳族烴基)；且R⁴為-NH₂、-NH₃ ⁺或-NHRb(Rb為單價脂族烴基、單價脂環族烴基或單價芳族烴基)。

根據本發明的另一態樣，一種研磨鎢圖案晶圓之方法包括使用根據本發明的研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物來研磨鎢圖案晶圓。

本發明提供一種可在研磨鎢圖案時減少鎢圖案中的凹陷的同時最小化鎢研磨速率的降低的研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物。

本發明提供一種具有提高的漿料穩定性的研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物。

本文所用的術語「經取代或未經取代的」中的術語「經取代」意指對應官能基中的至少一個氫原子被選自由羥基、C₁至C₁₀烷基或鹵代烷基、C₂至C₁₀烯基或鹵代烯基、C₂至C₁₀炔基或鹵代炔基、C₃至C₁₀環烷基、C₃至C₁₀環烯基、C₆至C₁₀芳基、C₇至C₁₀芳基烷基、C₁至C₁₀烷氧基、C₆至C₁₀芳氧基、胺基、鹵素基、氰基及硫醇基組成的群組中的一者取代。

本文中用於表示特定數值範圍的「X至Y」被定義為「大於或等於X且小於或等於Y」。

本發明的發明人基於以下確認開發了本發明：研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物藉由包含特定量的由式1表示的化合物及多羧酸，可在研磨鎢圖案時減少鎢圖案中的凹陷，且可最小化鎢研磨速率的降低，同時提高漿料穩定性。

根據本發明的研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨漿料組成物(以下稱為「CMP漿料組成物」)包含：選自極性溶劑及非極性溶劑中的至少一者；磨蝕劑；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中，由式1表示的化合物以約0.001重量%至約2重量%的量存在於化學機械研磨漿料組成物中，且多羧酸以約0.001重量%至約5重量%的量存在於化學機械研磨漿料組成物中。

以下，將詳細闡述根據本發明的CMP漿料組成物的組分。

選自極性溶劑及非極性溶劑中的至少一者可在用磨蝕劑研磨鎢圖案晶圓時減少摩擦。選自極性溶劑及非極性溶劑中的所述至少一者可包括水(例如，超純水或去離子水)、有機胺、有機醇、有機醇胺、有機醚、有機酮等。較佳地，使用超純水或去離子水。選自極性溶劑及非極性溶劑中的所述至少一者可以餘量包含於CMP漿料組成物中。

磨蝕劑可以高研磨速率研磨絕緣層(例如，氧化矽層)及鎢金屬層。具體而言，磨蝕劑為金屬或非金屬氧化物磨蝕劑，且可包括選自二氧化矽、二氧化鈰、二氧化鈦以及氧化鋯中的至少一者。特別地，磨蝕劑可為二氧化矽。

磨蝕劑包括圓形或非圓形顆粒，且磨蝕劑的初級顆粒可具有約10奈米至200奈米、例如約40奈米至120奈米的平均粒徑(D50)。在此範圍內，CMP漿料組成物可確保作為根據本發明的研磨目標的絕緣層及鎢金屬層的足夠研磨速率，而不會在研磨後產生表面缺陷(刮傷等)。作為熟習此項技術者已知的典型粒徑，「平均粒徑(D50)」意指在磨蝕劑的重量分佈中對應於50重量%的顆粒的直徑。

在CMP漿料組成物中，磨蝕劑可以約0.001重量%至約20重量%、較佳地約0.01重量%至約10重量%、更佳地約0.01重量%至約5重量%以及最佳地約0.05重量%至約5重量%的量存在。在此範圍內，CMP漿料組成物可確保絕緣層及鎢金屬層的足夠研磨速率，同時確保漿料分散穩定性而不產生刮傷。

在CMP漿料組成物中，由式1表示的化合物可以約0.001重量%至約2重量%(例如，0.001重量%、0.002重量%、0.003重量%、0.004重量%、0.005重量%、0.006重量%、0.007重量%、0.008重量%、0.009重量%、0.01重量%、0.02重量%、0.03重量%、0.04重量%、0.05重量%、0.06重量%、0.07重量%、0.08重量%、0.09重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1wt%或2重量%)的量存在。在此範圍內，CMP漿料組成物可減少研磨鎢層時凹陷的產生，且可最小化鎢研磨速率的降低。較佳地，由式1表示的化合物以約0.005重量%至約0.2重量%、更佳地約0.005重量%至約0.05重量%的量存在。

[式1]

在一個實施例中，在式1中，R³可為-C(=O)O-且R⁴可為-NH₃ ⁺。在此實施例中，由式1表示的化合物的立體中心碳C*衍生自胺基酸，由此容許容易地製備由式1表示的化合物並降低鎢蝕刻(腐蝕)速率。此外，在由式1表示的化合物中，含磷官能基表現出陰離子性質，且立體中心碳C*表現出兩性離子性質，由此同時達成鎢蝕刻(腐蝕)速率的降低及金屬觸媒的螯合。本文中，胺基酸可包括絲胺酸、酪胺酸及半胱胺酸，但不限於此。

在另一實施例中，在式1中，R³可為-C(=O)OH且R⁴可為-NH₂。在此實施例中，由式1表示的化合物衍生自胺基酸，由此容許容易地製備由式1表示的化合物並降低鎢蝕刻(腐蝕)速率。

在一個實施例中，在式1中，R¹及R²可各自獨立地選自由羥基(-OH)、帶負電荷的氧離子(-O^-)、烷氧基及芳氧基組成的群組，且R¹及R²中的至少一者可為羥基或帶負電荷的氧離子(-O^-)。由式1表示的化合物可包含磷酸酯基、次膦酸酯基或膦酸酯基，由此能夠達成金屬觸媒的螯合。

在一個實施例中，具有立體中心碳C*的由式1表示的化合物可為單獨的異構體或兩種異構體的混合物(外消旋混合物)，但不限於此。

在式1中，「單價脂族烴基」可為經取代或未經取代的C₁至C₂₀直鏈或支鏈烷基，較佳地C₁至C₁₀烷基，更佳地C₁至C₅烷基。

在式1中，「單價脂環族烴基」可為經取代或未經取代的C₃至C₂₀脂環族烴基，較佳地C₃至C₁₀脂環族烴基，更佳地C₃至C₅脂環族烴基。

在式1中，「單價芳族烴基」可為經取代或未經取代的C₆至C₂₀芳基或者經取代或未經取代的C₇至C₂₀芳基烷基，較佳地C₆至C₁₀芳基或C₇至C₁₀芳基烷基。

在式1中，「烷氧基」可為具有連接至單價脂族烴基或單價脂環族烴基的二價氧的官能基，且可包括例如經取代或未經取代的C₁至C₂₀直鏈或支鏈烷氧基，較佳地C₁至C₁₀烷氧基，更佳地C₁至C₅烷氧基。

在式1中，「芳氧基」可為具有連接至單價芳族烴基的二價氧的官能基，且可包括例如經取代或未經取代的C₆至C₂₀芳氧基，例如C₆至C₁₀芳氧基。

在式1中，「含有至少一個氮原子的脂環族基」意指含有至少一個氮原子並具有2至6個成環碳原子、較佳地2至5個成環碳原子的脂環族基。

在式1中，「含有至少一個氮原子的芳族基」意指含有至少一個氮原子並具有3至10個成芳族環碳原子、較佳地3至8個成芳族環碳原子的芳族基。含有至少一個氮原子的芳族基可以單個環或兩個或更多個芳族基的稠環的形式提供。

在式1中，相對於L定義的「二價連接基」意指「單價脂族烴基」、「單價脂環族烴基」及「單價芳族經基」中的每一者的改質二價基。例如，「二價連接基」可為經取代或未經取代的C₁至C₂₀直鏈或支鏈伸烷基，較佳地C₁至C₁₀伸烷基，更佳地C₁至C₅伸烷基；經取代或未經取代的C₃至C₂₀伸環烷基，較佳地C₃至C₁₀ 伸環烷基，更佳地C₃至C₅伸環烷基；經取代或未經取代的C₆至C₂₀伸芳基；或者經取代或未經取代的C₇至C₂₀芳基伸烷基，較佳地C₆至C₁₀伸芳基，或C₇至C₁₀芳基伸烷基。

在一個實施例中，由式1表示的化合物可衍生自由式1-1或式1-2表示的一種化合物，但不限於此。

其中C*為立體中心碳。

在CMP漿料組成物中，多羧酸可以約0.001重量%至約 5重量%(例如，0.001重量%、0.002重量%、0.003重量%、0.004重量%、0.005重量%、0.006重量%、0.007重量%、0.008重量%、0.009重量%、0.01重量%、0.02重量%、0.03重量%、0.04重量%、0.05重量%、0.06重量%、0.07重量%、0.08重量%、0.09重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、2重量%、3重量%、4重量%或5重量%)的量存在。在此範圍內，CMP漿料組成物可確保良好的漿料穩定性，同時容許金屬觸媒的螯合。較佳地，多羧酸以0.005重量%至約0.2重量%、更佳地0.005重量%至約0.1重量%的量存在於CMP漿料組成物中。

多羧酸可包括選自飽和或不飽和脂族多羧酸、脂環族多羧酸、芳族多羧酸及雜多羧酸中的至少一者。飽和或不飽和脂族多羧酸是指飽和或不飽和的C₂至C₂₀脂族多羧酸，且可包括選自例如丙二酸(malonic acid)、馬來酸(maleic acid)、蘋果酸(malic acid)、草醯乙酸(oxaloacetic acid)、富馬酸(fumaric acid)、琥珀酸(succinic acid)、戊二酸(glutaric acid)、檸檬酸(citric acid)、異檸檬酸(isocitric acid)、草酸(oxalic acid)、己二酸(adipic acid)、酒石酸(tartaric acid)、衣康酸(itaconic acid)、檸康酸(citraconic acid)及中康酸(mesaconic acid)中的至少一者。脂環族多羧酸是指C₃至C₁₀脂環族多羧酸，且可包括選自例如環戊烷四羧酸、環戊烷三羧酸、環戊烷二羧酸、環丁烷四羧酸、環丁烷三羧酸及環丁烷二羧酸中的至少一者。芳族多羧酸是指C₆至C₂₀的單環或多環 (包括藉由連接基稠合或連接的形式)芳族多羧酸，且可包括選自例如對苯二甲酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸及萘二甲酸中的至少一者。雜多羧酸是指含有至少一個氮或氧的C₂至C₂₀雜多羧酸，且可包括選自例如1,3-丙二胺四乙酸(1,3-propylenediaminetetraacetic acid，PDTA)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid，EDTA)、二伸乙基三胺五乙酸(diethylenetriaminepentaacetic acid，DTPA)、次氮基三乙酸(nitrilotriacetic acid，NTA)、乙二胺-N,N'-二琥珀酸(ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid，EDDS)、天冬胺酸、谷胺酸、四氫呋喃四羧酸及四氫呋喃二羧酸中的至少一者。較佳地，多羧酸包括選自丙二酸、馬來酸及蘋果酸中的至少一者，作為飽和或不飽和C₂至C₅脂族多羧酸。

CMP漿料組成物可更包含胺基酸。

胺基酸用於藉由穩定地保持CMP漿料組成物的pH來研磨絕緣層，以提高長期儲存穩定性。此外，藉由保持絕緣層與鎢膜之間的研磨速率比，胺基酸可為CMP漿料組成物的供應、維護及儲存提供便利。

胺基酸可包括選自甘胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、苯丙胺酸、蛋胺酸、蘇胺酸、色胺酸、纈胺酸、丙胺酸、精胺酸、半胱胺酸、谷胺醯胺、組胺酸、脯胺酸、絲胺酸、酪胺酸及離胺酸中的至少一者，但不限於此。

在CMP漿料組成物中，胺基酸可以約0.001重量%至約 10重量%、較佳地約0.01重量%至約5重量%、更佳地約0.01重量%至約2重量%、最佳地約0.01重量%至約0.5重量%的量存在。在此範圍內，CMP漿料組成物可抑制研磨鎢圖案晶圓時的腐蝕及凹陷的產生。

CMP漿料組成物可更包含選自鐵離子化合物、鐵離子的錯合化合物及其水合物中的至少一者。

鐵離子化合物、鐵離子的錯合化合物及其水合物可提高鎢金屬層及絕緣層的研磨速率。鐵離子化合物或其錯合物用作鎢金屬層的氧化劑，以提高相對於鎢金屬層及絕緣層中的每一者的研磨速率，同時藉由降低鎢金屬層的蝕刻速率來防止間隙的產生。

鐵離子化合物可包括含三價鐵陽離子的化合物。含三價鐵陽離子的化合物可選自任何具有三價鐵陽離子的化合物，其在水溶液中以遊離陽離子的形式存在。例如，含三價鐵陽離子的化合物可包括選自氯化鐵((FeCl₃)、硝酸鐵(Fe(NO₃)₃)及硫酸亞鐵(Fe₂(SO₄)₃)中的至少一者，但不限於此。

鐵離子的錯合化合物可包括含三價鐵陽離子的錯合化合物。含三價鐵陽離子的化合物可包括藉由使三價鐵陽離子與具有羧酸、磷酸、硫酸、胺基酸及胺中的至少一個官能基的有機或無機化合物在水溶液中反應而形成的化合物。有機或無機化合物可包括檸檬酸鹽、檸檬酸銨、對甲苯磺酸(p-toluene sulfonic acid，pTSA)、1,3-丙二胺四乙酸(PDTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、二伸乙基三胺五乙酸(DTPA)、次氮基三乙酸(NTA)及乙二胺-N,N'-二琥珀酸(EDDS)，但不限於此。含三價鐵陽離子的化合物的實例可包括檸檬酸鐵、檸檬酸鐵銨、Fe(III)-pTSA、Fe(III)-PDTA及Fe(III)-EDTA，但不限於此。

在CMP漿料組成物中，選自鐵離子化合物、鐵離子的錯合化合物及其水合物中的至少一者可以約0.001重量%至約10重量%(例如，0.001重量%、0.002重量%、0.003重量%、0.004重量%、0.005重量%、0.006重量%、0.007重量%、0.008重量%、0.009重量%、0.01重量%、0.02重量%、0.03重量%、0.04重量%、0.05重量%、0.06重量%、0.07重量%、0.08重量%、0.09重量%、0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1重量%、2重量%、3重量%、4重量%、5重量%、6重量%、7重量%、8重量%、9重量%或10重量%)、較佳地約0.001重量%至約5重量%、更佳地約0.001重量%至約1重量%、最佳地約0.001重量%至約0.5重量%的量存在。在此範圍內，CMP漿料組成物可表現出相對於鎢金屬層合適的氧化能力，以提高鎢層的研磨速率。

CMP漿料組成物可更包含氧化劑。

氧化劑可氧化絕緣層及鎢金屬層，以促進絕緣層及鎢金屬層的研磨，且可使絕緣層及鎢金屬膜的表面均勻，使得絕緣層及鎢金屬膜即使在研磨後亦具有良好的表面粗糙度。

氧化劑可包括選自無機過化合物、有機過化合物、溴酸或其鹽、硝酸或其鹽、氯酸或其鹽、鉻酸或其鹽、碘酸或其鹽、鐵或其鹽、銅或其鹽、稀土金屬氧化物、過渡金屬氧化物及重鉻酸鉀中的至少一者。此處，過化合物是指含有至少一個過氧化基(-O-O-)或最高氧化態元素的化合物。較佳地，氧化劑為過化合物。例如，過化合物可包括選自過氧化氫、高碘酸鉀、過硫酸鈣及鐵氰化鉀中的至少一者，較佳為過氧化氫。

在CMP漿料組成物中，氧化劑可以約0.01重量%至約20重量%、較佳地約0.05重量%至約10重量%、更佳地約0.1重量%至約5重量%的量存在。在此範圍內，CMP漿料組成物可提高研磨選擇性。

CMP漿料組成物可具有約1至約5(例如，1、2、3、4或5)、較佳為約2至4的pH。在此範圍內，CMP漿料組成物容許鎢容易氧化，同時防止研磨速率降低。

CMP漿料組成物可更包含pH調節劑以保持合適的pH值。pH調節劑可包括選自無機酸(例如硝酸、磷酸、鹽酸及硫酸)及有機酸(例如pKa值為約6或小於6的有機酸，例如乙酸及鄰苯二甲酸)中的至少一者。pH調節劑可包括至少一種鹼，例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、碳酸鈉及碳酸鉀。

CMP漿料組成物可更包含典型的添加劑，例如界面活性劑、分散劑、改質劑及界面活性助劑(surface active agent)。

根據本發明的研磨鎢圖案晶圓之方法包括使用根據本發明的研磨鎢圖案晶圓之CMP漿料組成物來研磨鎢圖案晶圓。

接下來，將參考實例來更詳細地闡述本發明。然而，應注意提供該些實例僅用於說明，且不應被理解為以任何方式限制本發明。

在以下研磨條件下，對實例及比較例中製備的研磨鎢圖案晶圓之CMP漿料組成物進行了研磨評價。結果示於表4及5中。

[研磨評價條件]

1.研磨機：反射(Reflexion)300毫米(AMAT有限公司)

2.研磨條件：

-研磨墊：IC1010/SubaIV堆疊(Stacked)(羅德爾有限公司(Rodel Co.,Ltd.))

-機頭速度：101轉/分鐘

-壓板速度：100轉/分鐘

-壓力：2.0磅/平方英吋

-扣環壓力(Retainer Ring Pressure)：8磅/平方英吋

-漿料流速：200毫升/分鐘

-研磨時間：60秒

3.研磨目標

-市售鎢圖案晶圓(MIT 854，300毫米)

-在多晶矽基板上依序沈積有300埃厚的氮化鈦(TiN)及6,000埃厚的鎢層的毯覆晶圓

4.分析方法

-凹陷(單位：奈米)：凹陷是藉由使用原子力顯微鏡(Uvx- Gen3，布魯克有限公司(Bruker Co.,Ltd.))量測圖案的0.18×0.18微米區域中的輪廓來計算的

-研磨速率(單位：埃/分鐘)：研磨速率是基於與在上述研磨條件下進行的評價中研磨前後的膜厚度差異對應的電阻獲得的。

實例1

此實例顯示出多羧酸對包含式1的化合物的漿料組成物的穩定性的影響。組成物的組分示於表1中。磨蝕劑為平均粒徑(D50)為約95奈米且被充以約35毫伏特的二氧化矽顆粒。使用去離子水作為溶劑。自表2所示的粒度資料可見，根據本發明的含有多羧酸的漿料組成物表現出較不含多羧酸的漿料組成物更佳的穩定性。在40℃的烘箱中儲存7天后使用顆粒分析儀(澤塔西澤爾奈米(Zetasizer Nano)，莫爾文有限公司(Malvern Co.,Ltd.))量測了在高溫下儲存的漿料顆粒的粒徑。

實例2

此實例顯示出式1的化合物對鎢蝕刻(腐蝕)速率及鎢研磨速率的影響。組成物的組分示於表3中。自表4所示的鎢蝕刻(腐蝕)速率可見，含有式1的化合物的漿料組成物具有較不含有式1的化合物或含有含磷官能基的其他組成物更低的鎢蝕刻(腐蝕)速率。此外，自表4所示的鎢研磨速率可見，與式1的化合物對應的含磷胺基酸表現出較其他胺基酸更低的鎢蝕刻(腐蝕)速率及更高的鎢研磨速率。此外，如表4所示，當以相同莫耳量使用時，與式1的化合物對應的含磷胺基酸容許較含磷化合物及胺基酸更高的鎢研磨速率。鎢研磨速率是在50℃的溫度下量測的，且是基於與研磨前後的膜厚度差異對應的電阻獲得的。

實例3

此實例顯示出式1的化合物對鎢凹陷的影響。自表5所示的鎢凹陷可見，含有式1的化合物的漿料組成物表現出較不含有式1的化合物或含有含磷官能基的其他組成物小的鎢凹陷。

應理解，在不背離本發明的精神及範圍的條件下，熟習此項技術者可作出各種修改、改變、變更及等效實施例。

Claims

一種研磨鎢圖案晶圓之化學機械研磨(CMP)漿料組成物，包含：選自極性溶劑及非極性溶劑中的至少一者；磨蝕劑；由式1表示的化合物；以及多羧酸，其中在所述化學機械研磨漿料組成物中，所述磨蝕劑以0.001重量%至20重量%的量存在，所述由式1表示的化合物以0.001重量%至2重量%的量存在，且所述多羧酸以0.001重量%至5重量%的量存在：
其中R¹及R²各自獨立地選自羥基(-OH)或帶負電荷的氧離子(-O^-)；X為-O-；n為0或1；L為直接鍵或二價連接基；C^*為立體中心碳； R³為-C(=O)OH或-C(=O)O^-；且R⁴為-NH₂或-NH₃ ⁺，其中所述磨蝕劑包括選自二氧化矽、二氧化鈰、二氧化鈦以及氧化鋯中的至少一者，以及其中所述多羧酸包括飽和或不飽和C₂至C₂₀脂族多羧酸。
如請求項1所述的化學機械研磨漿料組成物，其中，在式1中，R³為-C(=O)OH，且R⁴為-NH₂。
如請求項1所述的化學機械研磨漿料組成物，其中所述由式1表示的化合物衍生自由式1-1或式1-2表示的化合物中的一者：
如請求項1所述的化學機械研磨漿料組成物，其中所述多羧酸包括選自丙二酸、馬來酸、蘋果酸、草醯乙酸、富馬酸、琥珀酸、戊二酸、檸檬酸、異檸檬酸、草酸、己二酸、酒石酸、衣康酸、檸康酸及中康酸中的至少一者。
如請求項1所述的化學機械研磨漿料組成物，其中所述化學機械研磨漿料組成物具有1至5的pH。
如請求項1所述的化學機械研磨漿料組成物，更包含：選自鐵離子化合物、鐵離子的錯合化合物及其水合物中的至少一者。
如請求項6所述的化學機械研磨漿料組成物，其中所述選自所述鐵離子化合物、所述鐵離子的錯合化合物及其所述水合物中的至少一者以0.001重量%至10重量%的量存在於所述化學機械研磨漿料組成物中。
一種研磨鎢圖案晶圓之方法，包括：使用如請求項1至7中任一項所述的化學機械研磨漿料組成物來研磨鎢圖案晶圓。