CN114302930B - 研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物以及使用其研磨钨图案晶圆的方法 - Google Patents
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Abstract
一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨(CMP)浆料组成物以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。所述化学机械研磨浆料组成物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中在化学机械研磨浆料组成物中，由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在，且多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在。
Description
技术领域
本发明涉及一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。更具体而言，本发明涉及一种可通过在研磨钨图案时减少钨图案中的凹陷来最小化钨研磨速率的降低同时提高浆料稳定性的研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物，以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。
背景技术
化学机械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)组成物及研磨(或平整)基板表面的方法在相关技术中为众所已知的。研磨半导体基板上的金属层(例如钨层)的研磨组成物可包含悬浮在水溶液中的磨料颗粒及化学促进剂(例如氧化剂、螯合剂、触媒等)。
为研磨金属层中的钨层，增加钨研磨速率为重要的。然而，减少经研磨钨层中的凹陷以及提高研磨速率亦为重要的。传统上，为减少凹陷，作为腐蚀抑制剂，将胺基酸化合物添加至研磨组成物中。然而，尽管可通过添加胺基酸化合物来减少凹陷，但存在钨层的研磨速率降低的问题。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供一种可在研磨钨图案时减少钨图案中的凹陷的同时最小化钨研磨速率的降低的研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物。
本发明的另一目的是提供一种具有提高的浆料稳定性的研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物。
技术方案
根据本发明的一个实施例，一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸(polycarboxylic acid)，其中在所述化学机械研磨浆料组成物中，所述由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在，且所述多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在：
[式1]
其中R1及R2各自独立地选自由氢原子、羟基(-OH)、带负电荷的氧离子(-O-)、单价脂族烃基、单价脂环族烃基、单价芳族烃基、烷氧基及芳氧基组成的群组，
R1及R2中的至少一者为羟基或带负电荷的氧离子(-O-)；
X为-O-、-S-、-NH-、-C(＝O)-、-(C＝O)O-、-(C＝O)NH-、-NH(C＝NH2 +)-NH-、含有至少一个氮原子的脂环族基、或含有至少一个氮原子的芳族基；
n为0或1；
L为直接键或二价连接基，
C＊为立体中心碳，
R3为-C(＝O)OH、-C(＝O)O-或-C(＝O)ORa(Ra为单价脂族烃基、单价脂环族烃基或单价芳族烃基)；且
R4为-NH2、-NH3 +或-NHRb(Rb为单价脂族烃基、单价脂环族烃基或单价芳族烃基)。
根据本发明的另一实施例，一种研磨钨图案晶圆的方法包括使用根据本发明的研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物来研磨钨图案晶圆。
有利效果
本发明提供一种可在研磨钨图案时减少钨图案中的凹陷的同时最小化钨研磨速率的降低的研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物。
本发明提供一种具有提高的浆料稳定性的研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物。
具体实施方式
本文所用的术语“经取代或未经取代的”中的术语“经取代”意指对应官能基中的至少一个氢原子被选自由羟基、C1至C10烷基或卤代烷基、C2至C10烯基或卤代烯基、C2至C10炔基或卤代炔基、C3至C10环烷基、C3至C10环烯基、C6至C10芳基、C7至C10芳基烷基、C1至C10烷氧基、C6至C10芳氧基、胺基、卤素基、氰基及硫醇基组成的群组中的一者取代。
本文中用于表示特定数值范围的“X至Y”被定义为“大于或等于X且小于或等于Y”。
本发明的发明人基于以下确认开发了本发明：研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物通过包含特定量的由式1表示的化合物及多羧酸，可在研磨钨图案时减少钨图案中的凹陷，且可最小化钨研磨速率的降低，同时提高浆料稳定性。
根据本发明的研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物(以下称为“CMP浆料组成物”)包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中，由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在于化学机械研磨浆料组成物中，且多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在于化学机械研磨浆料组成物中。
以下，将详细阐述根据本发明的CMP浆料组成物的组分。
选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者可在用磨蚀剂研磨钨图案晶圆时减少摩擦。选自极性溶剂及非极性溶剂中的所述至少一者可包括水(例如，超纯水或去离子水)、有机胺、有机醇、有机醇胺、有机醚、有机酮等。较佳地，使用超纯水或去离子水。选自极性溶剂及非极性溶剂中的所述至少一者可以余量包含于CMP浆料组成物中。
磨蚀剂可以高研磨速率研磨绝缘层(例如，氧化硅层)及钨金属层。具体而言，磨蚀剂为金属或非金属氧化物磨蚀剂，且可包括选自二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛以及氧化锆中的至少一者。特别地，磨蚀剂可为二氧化硅。
磨蚀剂包括圆形或非圆形颗粒，且磨蚀剂的初级颗粒可具有约10纳米至200纳米、例如约40纳米至120纳米的平均粒径(D50)。在此范围内，CMP浆料组成物可确保作为根据本发明的研磨目标的绝缘层及钨金属层的足够研磨速率，而不会在研磨后产生表面缺陷(刮伤等)。作为本领域技术人员已知的典型粒径，“平均粒径(D50)”意指在磨蚀剂的重量分布中对应于50重量％的颗粒的直径。
在CMP浆料组成物中，磨蚀剂可以约0.001重量％至约20重量％、较佳地约0.01重量％至约10重量％、更佳地约0.01重量％至约5重量％以及最佳地约0.05重量％至约5重量％的量存在。在此范围内，CMP浆料组成物可确保绝缘层及钨金属层的足够研磨速率，同时确保浆料分散稳定性而不产生刮伤。
在CMP浆料组成物中，由式1表示的化合物可以约0.001重量％至约2重量％(例如，0.001重量％、0.002重量％、0.003重量％、0.004重量％、0.005重量％、0.006重量％、0.007重量％、0.008重量％、0.009重量％、0.01重量％、0.02重量％、0.03重量％、0.04重量％、0.05重量％、0.06重量％、0.07重量％、0.08重量％、0.09重量％、0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1wt％或2重量％)的量存在。在此范围内，CMP浆料组成物可减少研磨钨层时凹陷的产生，且可最小化钨研磨速率的降低。较佳地，由式1表示的化合物以约0.005重量％至约0.2重量％、更佳地约0.005重量％至约0.05重量％的量存在。
[式1]
(其中R1及R2各自独立地选自由氢原子、羟基(-OH)、带负电荷的氧离子(-O-)、单价脂族烃基、单价脂环族烃基、单价芳族烃基、烷氧基及芳氧基组成的群组，
R1及R2中的至少一者为羟基或带负电荷的氧离子(-O-)；
X为-O-、-S-、-NH-、-C(＝O)-、-(C＝O)O-、-(C＝O)NH-、-NH(C＝NH2 +)-NH-、含有至少一个氮原子的脂环族基、或含有至少一个氮原子的芳族基；
n为0或1；
L为直接键或二价连接基，
C＊为立体中心碳，
R3为-C(＝O)OH、-C(＝O)O-或-C(＝O)ORa(Ra为单价脂族烃基、单价脂环族烃基或单价芳族烃基)；且
R4为-NH2、-NH3 +或-NHRb(Rb为单价脂族烃基、单价脂环族烃基或单价芳族烃基)。
在一个实施例中，在式1中，R3可为-C(＝O)O-且R4可为-NH3 +。在此实施例中，由式1表示的化合物的立体中心碳C*衍生自胺基酸，由此容许容易地制备由式1表示的化合物并降低钨蚀刻(腐蚀)速率。此外，在由式1表示的化合物中，含磷官能基表现出阴离子性质，且立体中心碳C*表现出两性离子性质，由此同时达成钨蚀刻(腐蚀)速率的降低及金属触媒的螯合。本文中，胺基酸可包括丝胺酸、酪胺酸及半胱胺酸，但不限于此。
在另一实施例中，在式1中，R3可为-C(＝O)OH且R4可为-NH2。在此实施例中，由式1表示的化合物衍生自胺基酸，由此容许容易地制备由式1表示的化合物并降低钨蚀刻(腐蚀)速率。
在一个实施例中，在式1中，R1及R2可各自独立地选自由羟基(-OH)、带负电荷的氧离子(-O-)、烷氧基及芳氧基组成的群组，且R1及R2中的至少一者可为羟基或带负电荷的氧离子(-O-)。由式1表示的化合物可包含磷酸酯基、次膦酸酯基或膦酸酯基，由此能够达成金属触媒的螯合。
在一个实施例中，具有立体中心碳C*的由式1表示的化合物可为单独的异构体或两种异构体的混合物(外消旋混合物)，但不限于此。
在式1中，“单价脂族烃基”可为经取代或未经取代的C1至C20直链或支链烷基，较佳地C1至C10烷基，更佳地C1至C5烷基。
在式1中，“单价脂环族烃基”可为经取代或未经取代的C3至C20脂环族烃基，较佳地C3至C10脂环族烃基，更佳地C3至C5脂环族烃基。
在式1中，“单价芳族烃基”可为经取代或未经取代的C6至C20芳基或者经取代或未经取代的C7至C20芳基烷基，较佳地C6至C10芳基或C7至C10芳基烷基。
在式1中，“烷氧基”可为具有连接至单价脂族烃基或单价脂环族烃基的二价氧的官能基，且可包括例如经取代或未经取代的C1至C20直链或支链烷氧基，较佳地C1至C10烷氧基，更佳地C1至C5烷氧基。
在式1中，“芳氧基”可为具有连接至单价芳族烃基的二价氧的官能基，且可包括例如经取代或未经取代的C6至C20芳氧基，例如C6至C10芳氧基。
在式1中，“含有至少一个氮原子的脂环族基”意指含有至少一个氮原子并具有2至6个成环碳原子、较佳地2至5个成环碳原子的脂环族基。
在式1中，“含有至少一个氮原子的芳族基”意指含有至少一个氮原子并具有3至10个成芳族环碳原子、较佳地3至8个成芳族环碳原子的芳族基。含有至少一个氮原子的芳族基可以单个环或两个或更多个芳族基的稠环的形式提供。
在式1中，相对于L定义的“二价连接基”意指“单价脂族烃基”、“单价脂环族烃基”及“单价芳族烃基”中的每一者的改质二价基。例如，“二价连接基”可为经取代或未经取代的C1至C20直链或支链伸烷基，较佳地C1至C10伸烷基，更佳地C1至C5伸烷基；经取代或未经取代的C3至C20伸环烷基，较佳地C3至C10伸环烷基，更佳地C3至C5伸环烷基；经取代或未经取代的C6至C20伸芳基；或者经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基，较佳地C6至C10伸芳基，或C7至C10芳基伸烷基。
在一个实施例中，由式1表示的化合物可衍生自由式1-1或式1-2表示的一种化合物，但不限于此。
[式1-1]
[式1-2]
(其中C*为立体中心碳)。
在CMP浆料组成物中，多羧酸可以约0.001重量％至约5重量％(例如，0.001重量％、0.002重量％、0.003重量％、0.004重量％、0.005重量％、0.006重量％、0.007重量％、0.008重量％、0.009重量％、0.01重量％、0.02重量％、0.03重量％、0.04重量％、0.05重量％、0.06重量％、0.07重量％、0.08重量％、0.09重量％、0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％或5重量％)的量存在。在此范围内，CMP浆料组成物可确保良好的浆料稳定性，同时容许金属触媒的螯合。较佳地，多羧酸以0.005重量％至约0.2重量％、更佳地0.005重量％至约0.1重量％的量存在于CMP浆料组成物中。
多羧酸可包括选自饱和或不饱和脂族多羧酸、脂环族多羧酸、芳族多羧酸及杂多羧酸中的至少一者。饱和或不饱和脂族多羧酸是指饱和或不饱和的C2至C20脂族多羧酸，且可包括选自例如丙二酸(malonic acid)、马来酸(maleic acid)、苹果酸(malic acid)、草酰乙酸(oxaloacetic acid)、富马酸(fumaric acid)、琥珀酸(succinic acid)、戊二酸(glutaric acid)、柠檬酸(citric acid)、异柠檬酸(isocitric acid)、草酸(oxalicacid)、己二酸(adipic acid)、酒石酸(tartaric acid)、衣康酸(itaconic acid)、柠康酸(citraconic acid)及中康酸(mesaconic acid)中的至少一者。脂环族多羧酸是指C3至C10脂环族多羧酸，且可包括选自例如环戊烷四羧酸、环戊烷三羧酸、环戊烷二羧酸、环丁烷四羧酸、环丁烷三羧酸及环丁烷二羧酸中的至少一者。芳族多羧酸是指C6至C20的单环或多环(包括通过连接基稠合或连接的形式)芳族多羧酸，且可包括选自例如对苯二甲酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸及萘二甲酸中的至少一者。杂多羧酸是指含有至少一个氮或氧的C2至C20杂多羧酸，且可包括选自例如1,3-丙二胺四乙酸(1,3-propylenediaminetetraaceticacid，PDTA)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid，EDTA)、二伸乙基三胺五乙酸(diethylenetriaminepentaacetic acid，DTPA)、次氮基三乙酸(nitrilotriaceticacid，NTA)、乙二胺-N,N'-二琥珀酸(ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid，EDDS)、天冬胺酸、谷胺酸、四氢呋喃四羧酸及四氢呋喃二羧酸中的至少一者。较佳地，多羧酸包括选自丙二酸、马来酸及苹果酸中的至少一者，作为饱和或不饱和C2至C5脂族多羧酸。
CMP浆料组成物可还包含胺基酸。
胺基酸用于通过稳定地保持CMP浆料组成物的pH来研磨绝缘层，以提高长期储存稳定性。此外，通过保持绝缘层与钨膜之间的研磨速率比，胺基酸可为CMP浆料组成物的供应、维护及储存提供便利。
胺基酸可包括选自甘胺酸、异亮胺酸、亮胺酸、苯丙胺酸、蛋胺酸、苏胺酸、色胺酸、缬胺酸、丙胺酸、精胺酸、半胱胺酸、谷胺酰胺、组胺酸、脯胺酸、丝胺酸、酪胺酸及离胺酸中的至少一者，但不限于此。
在CMP浆料组成物中，胺基酸可以约0.001重量％至约10重量％、较佳地约0.01重量％至约5重量％、更佳地约0.01重量％至约2重量％、最佳地约0.01重量％至约0.5重量％的量存在。在此范围内，CMP浆料组成物可抑制研磨钨图案晶圆时的腐蚀及凹陷的产生。
CMP浆料组成物可还包含选自铁离子化合物、铁离子的错合化合物及其水合物中的至少一者。
铁离子化合物、铁离子的错合化合物及其水合物可提高钨金属层及绝缘层的研磨速率。铁离子化合物或其错合物用作钨金属层的氧化剂，以提高相对于钨金属层及绝缘层中的每一者的研磨速率，同时通过降低钨金属层的蚀刻速率来防止间隙的产生。
铁离子化合物可包括含三价铁阳离子的化合物。含三价铁阳离子的化合物可选自任何具有三价铁阳离子的化合物，其在水溶液中以游离阳离子的形式存在。例如，含三价铁阳离子的化合物可包括选自氯化铁((FeCl3)、硝酸铁(Fe(NO3)3)及硫酸亚铁(Fe2(SO4)3)中的至少一者，但不限于此。
铁离子的错合化合物可包括含三价铁阳离子的错合化合物。含三价铁阳离子的化合物可包括通过使三价铁阳离子与具有羧酸、磷酸、硫酸、胺基酸及胺中的至少一个官能基的有机或无机化合物在水溶液中反应而形成的化合物。有机或无机化合物可包括柠檬酸盐、柠檬酸铵、对甲苯磺酸(p-toluene sulfonic acid，pTSA)、1,3-丙二胺四乙酸(PDTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、二伸乙基三胺五乙酸(DTPA)、次氮基三乙酸(NTA)及乙二胺-N,N'-二琥珀酸(EDDS)，但不限于此。含三价铁阳离子的化合物的实例可包括柠檬酸铁、柠檬酸铁铵、Fe(III)-pTSA、Fe(III)-PDTA及Fe(III)-EDTA，但不限于此。
在CMP浆料组成物中，选自铁离子化合物、铁离子的错合化合物及其水合物中的至少一者可以约0.001重量％至约10重量％(例如，0.001重量％、0.002重量％、0.003重量％、0.004重量％、0.005重量％、0.006重量％、0.007重量％、0.008重量％、0.009重量％、0.01重量％、0.02重量％、0.03重量％、0.04重量％、0.05重量％、0.06重量％、0.07重量％、0.08重量％、0.09重量％、0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％或10重量％)、较佳地约0.001重量％至约5重量％、更佳地约0.001重量％至约1重量％、最佳地约0.001重量％至约0.5重量％的量存在。在此范围内，CMP浆料组成物可表现出相对于钨金属层合适的氧化能力，以提高钨层的研磨速率。
CMP浆料组成物可还包含氧化剂。
氧化剂可氧化绝缘层及钨金属层，以促进绝缘层及钨金属层的研磨，且可使绝缘层及钨金属膜的表面均匀，使得绝缘层及钨金属膜即使在研磨后亦具有良好的表面粗糙度。
氧化剂可包括选自无机过化合物、有机过化合物、溴酸或其盐、硝酸或其盐、氯酸或其盐、铬酸或其盐、碘酸或其盐、铁或其盐、铜或其盐、稀土金属氧化物、过渡金属氧化物及重铬酸钾中的至少一者。此处，过化合物是指含有至少一个过氧化基(-O-O-)或最高氧化态元素的化合物。较佳地，氧化剂为过化合物。例如，过化合物可包括选自过氧化氢、高碘酸钾、过硫酸钙及铁氰化钾中的至少一者，较佳为过氧化氢。
在CMP浆料组成物中，氧化剂可以约0.01重量％至约20重量％、较佳地约0.05重量％至约10重量％、更佳地约0.1重量％至约5重量％的量存在。在此范围内，CMP浆料组成物可提高研磨选择性。
CMP浆料组成物可具有约1至约5(例如，1、2、3、4或5)、较佳为约2至4的pH。在此范围内，CMP浆料组成物容许钨容易氧化，同时防止研磨速率降低。
CMP浆料组成物可还包含pH调节剂以保持合适的pH值。pH调节剂可包括选自无机酸(例如硝酸、磷酸、盐酸及硫酸)及有机酸(例如pKa值为约6或小于6的有机酸，例如乙酸及邻苯二甲酸)中的至少一者。pH调节剂可包括至少一种碱，例如氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、碳酸钠及碳酸钾。
CMP浆料组成物可还包含典型的添加剂，例如界面活性剂、分散剂、改质剂及界面活性助剂(surface active agent)。
根据本发明的研磨钨图案晶圆的方法包括使用根据本发明的研磨钨图案晶圆的CMP浆料组成物来研磨钨图案晶圆。
接下来，将参考实例来更详细地阐述本发明。然而，应注意提供该些实例仅用于说明，且不应被理解为以任何方式限制本发明。
在以下研磨条件下，对实例及比较例中制备的研磨钨图案晶圆的CMP浆料组成物进行了研磨评价。结果示于表4及5中。
[研磨评价条件]
1.研磨机：反射(Reflexion)300毫米(AMAT有限公司)
2.研磨条件：
-研磨垫：IC1010/SubaIV堆栈(Stacked)(罗德尔有限公司(Rodel Co.,Ltd.))
-机头速度：101转/分钟
-压板速度：100转/分钟
-压力：2.0磅/平方英寸
-扣环压力(Retainer Ring Pressure)：8磅/平方英寸
-浆料流速：200毫升/分钟
-研磨时间：60秒
3.研磨目标
-市售钨图案晶圆(MIT 854，300毫米)
-在多晶硅基板上依序沈积有300埃厚的氮化钛(TiN)及6,000埃厚的钨层的毯覆晶圆
4.分析方法
-凹陷(单位：纳米)：凹陷是通过使用原子力显微镜(Uvx-Gen3，布鲁克有限公司(Bruker Co.,Ltd.))测量图案的0.18×0.18微米区域中的轮廓来计算的
-研磨速率(单位：埃/分钟)：研磨速率是基于与在上述研磨条件下进行的评价中研磨前后的膜厚度差异对应的电阻获得的。
实例1
此实例显示出多羧酸对包含式1的化合物的浆料组成物的稳定性的影响。组成物的组分示于表1中。磨蚀剂为平均粒径(D50)为约95纳米且被充以约35毫伏特的二氧化硅颗粒。使用去离子水作为溶剂。自表2所示的粒度数据可见，根据本发明的含有多羧酸的浆料组成物表现出较不含多羧酸的浆料组成物更佳的稳定性。在40℃的烘箱中储存7天后使用颗粒分析仪(泽塔西泽尔纳米(Zetasizer Nano)，穆尔文有限公司(Malvern Co.,Ltd.))测量了在高温下储存的浆料颗粒的粒径。
表1
表2
| 浆料 | 类型 | 初始粒径(nm) | 在高温下储存后的粒径(nm) |
| 1-A | 本发明 | 95 | 99 |
| 1-B | 本发明 | 94 | 95 |
| 1-C | 本发明 | 96 | 95 |
| 1-D | 比较 | 95 | 197 |
实例2
此实例显示出式1的化合物对钨蚀刻(腐蚀)速率及钨研磨速率的影响。组成物的组分示于表3中。自表4所示的钨蚀刻(腐蚀)速率可见，含有式1的化合物的浆料组成物具有较不含有式1的化合物或含有含磷官能基的其他组成物更低的钨蚀刻(腐蚀)速率。此外，自表4所示的钨研磨速率可见，与式1的化合物对应的含磷胺基酸表现出较其他胺基酸更低的钨蚀刻(腐蚀)速率及更高的钨研磨速率。此外，如表4所示，当以相同摩尔量使用时，与式1的化合物对应的含磷胺基酸容许较含磷化合物及胺基酸更高的钨研磨速率。钨研磨速率是在50℃的温度下测量的，且是基于与研磨前后的膜厚度差异对应的电阻获得的。
表3
表4
实例3
此实例显示出式1的化合物对钨凹陷的影响。自表5所示的钨凹陷可见，含有式1的化合物的浆料组成物表现出较不含有式1的化合物或含有含磷官能基的其他组成物小的钨凹陷。
表5
应理解，在不背离本发明的精神及范围的条件下，本领域技术人员本领域技术人员可作出各种修改、改变、变更及等效实施例。
Claims (7)
1.一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物，包含：
选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；
磨蚀剂；
由式1表示的化合物；以及
多羧酸，
其中在所述化学机械研磨浆料组成物中，所述由式1表示的化合物以0.001重量％至2重量％的量存在，且所述多羧酸以0.001重量％至5重量％的量存在：
[式1]
其中R1及R2各自独立地选自由羟基、带负电荷的氧离子、烷氧基及芳氧基组成的群组，
R1及R2中的至少一者为羟基或带负电荷的氧离子；
X为-O-、-S-、-NH-、-C(＝O)-、-(C＝O)O-、-(C＝O)NH-、-NH(C＝NH2 +)-NH-、
含有至少一个氮原子的脂环族基、或含有至少一个氮原子的芳族基；
n为0或1；
L为直接键或二价连接基，
C＊为立体中心碳，
R3为-C(＝O)OH；且
R4为-NH2，且
其中所述化学机械研磨浆料组成物具有1至5的pH。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨浆料组成物，其中所述由式1表示的化合物衍生自由式1-1或式1-2表示的化合物：
[式1-1]
[式1-2]
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨浆料组成物，其中所述多羧酸包括饱和或不饱和C2至C20脂族多羧酸。
4.根据权利要求3所述的化学机械研磨浆料组成物，其中所述多羧酸包括选自丙二酸、马来酸、苹果酸、草酰乙酸、富马酸、琥珀酸、戊二酸、柠檬酸、异柠檬酸、草酸、己二酸、酒石酸、衣康酸、柠康酸及中康酸中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的化学机械研磨浆料组成物，还包含：
选自铁离子化合物、铁离子的错合化合物及其水合物中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的化学机械研磨浆料组成物，其中所述选自所述铁离子化合物、所述铁离子的错合化合物及其所述水合物中的至少一者以0.001重量％至10重量％的量存在于所述化学机械研磨浆料组成物中。
7.一种研磨钨图案晶圆的方法，包括：使用如权利要求1至6中任一项所述的化学机械研磨浆料组成物来研磨钨图案晶圆。
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