CN114350263B - 化学机械抛光浆料组合物及使用其抛光钨图案晶片的方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 59
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims abstract description 44
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- -1 glycidyloxy Chemical group 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 16
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 12
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 9
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims description 5
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 49
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001447 ferric ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(1,2-dicarboxyethylamino)ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)NCCNC(C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006832 (C1-C10) alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNPURSDMOWDNOQ-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-7h-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-2-amine Chemical compound COC1=NC(N)=NC2=C1C=CN2 CNPURSDMOWDNOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 235000005206 Hibiscus Nutrition 0.000 description 1
- 235000007185 Hibiscus lunariifolius Nutrition 0.000 description 1
- 241001075721 Hibiscus trionum Species 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJJJMKBOIAWMBE-UHFFFAOYSA-N acetic acid;propane-1,3-diamine Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.NCCCN AJJJMKBOIAWMBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229960004642 ferric ammonium citrate Drugs 0.000 description 1
- 229940006199 ferric cation Drugs 0.000 description 1
- 229960002413 ferric citrate Drugs 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000004313 iron ammonium citrate Substances 0.000 description 1
- 235000000011 iron ammonium citrate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K iron(III) citrate Chemical compound [Fe+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000000864 peroxy group Chemical group O(O*)* 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUALKMYBYGCYNY-UHFFFAOYSA-E triazanium;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate;iron(3+) Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O AUALKMYBYGCYNY-UHFFFAOYSA-E 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅,且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度,同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年10月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0133040号的权益,所述申请的全部公开内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。更具体地,本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度,同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷的CMP浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。
背景技术
化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)组合物和抛光(或平坦化)衬底的表面的方法在相关技术中为人所熟知。用于抛光半导体衬底上的金属层(例如钨层)的抛光组合物可包含悬浮在水溶液中的研磨颗粒和例如氧化剂、催化剂等的化学促进剂。
使用CMP组合物抛光金属层的工艺包含:仅抛光金属层;抛光金属层和阻挡层;以及抛光金属层、阻挡层以及氧化物层。在这些步骤当中,在抛光金属层、阻挡层以及氧化物层的步骤中,使用用于抛光钨图案晶片的组合物并且可在以合适的抛光速率抛光金属层和氧化物层的条件下获得良好的抛光平整度。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物,所述CMP浆料组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度,同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。
本发明的另一方面是提供一种使用CMP浆料组合物抛光钨图案晶片的方法。
根据本发明的一个方面,提供一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物。组合物可包含溶剂和研磨剂。研磨剂可包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅,且组合物可具有约4到约7的pH。
聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷可包含聚乙烯亚胺与式1化合物的反应产物、从反应产物衍生的阳离子或反应产物的盐。
[式1]
其中L选自取代或未取代的C1到C20亚烷基、取代或未取代的C3到C20亚环烷基、取代或未取代的C6到C20亚芳基或其组合;X选自F、Cl、Br、I、环氧基以及缩水甘油基氧基;且R1到R3各自独立地选自氢、羟基、取代或未取代的C1到C20烷基、取代或未取代的C3到C20环烷基、取代或未取代的C6到C20芳基、取代或未取代的C1到C20烷氧基以及取代或未取代的C6到C20芳氧基,R1到R3中的至少一个选自羟基、取代或未取代的C1到C20烷氧基以及取代或未取代的C6到C20芳氧基。
在式1中,L可选自C1到C5亚烷基,X可选自Cl和缩水甘油基氧基,且R1到R3可各自独立地选自羟基、C1到C5烷基以及C1到C5烷氧基,R1到R3中的至少一个选自羟基和C1到C5烷氧基。
式1化合物可选自氯丙基三甲氧基硅烷、氯丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油基氧丙基三甲氧基硅烷以及缩水甘油基氧丙基三乙氧基硅烷。
如通过凝胶渗透色谱法(gel permeation chromatography,GPC)所测量,聚乙烯亚胺可具有约500克/摩尔到约1,000,000克/摩尔的重量平均分子量(weight averagemolecular weight,Mw)。
用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅可具有其表面上的正电荷、约10毫伏到约60毫伏的表面电位以及在约6到约10的pH下存在的等电点。
用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅可具有约10纳米到约200纳米的平均粒径(D50)。
组合物可进一步包含选自氧化剂、催化剂以及有机酸当中的至少一种。
组合物可包含:约0.001重量%到约20重量%的研磨剂;约0.01重量%到约20重量%的氧化剂;约0.001重量%到约10重量%的催化剂;约0.001重量%到约20重量%的有机酸;以及余量的溶剂。
提供一种抛光钨图案晶片的方法。方法包含使用所述CMP浆料组合物抛光钨图案晶片。
本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度,同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷的CMP浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。
具体实施方式
在本文中,除非上下文另外明确指示,否则单数形式“一(a/an)”和“所述”意图也包含复数形式。
此外,术语“包括(comprises)”、“包含(include)”和/或“具有(have)”在本说明书中使用时指定所陈述特征、步骤、操作、元素和/或组分的存在,但不排除存在或添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元素、组分和/或群组。
在本文中,取代的C1到C20亚烷基、取代的C3到C20亚环烷基、取代的C6到C20亚芳基、取代的C1到C20烷基、取代的C3到C20环烷基、取代的C6到C20芳基、取代的C1到C20烷氧基以及取代的C6到C20芳氧基中的至少一个可选自C1到C20烷基、C3到C20环烷基以及C6到C20芳基。
此外,除非另外清楚地陈述,否则将与某一组分有关的数值解释为包含组分解释中的容差范围。
如本文中为表示特定的数值范围所使用的,表述“a到b”定义为“≥a且≤b”。
本发明人基于以下发现完成本发明:在用于抛光钨图案晶片的包含溶剂和研磨剂的CMP浆料组合物中,当将用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的研磨颗粒用作研磨剂时,通过减少侵蚀,同时抑制在抛光钨图案晶片后产生刮痕缺陷来改进钨图案晶片的抛光速率和钨图案晶片的抛光表面的平整度。此外,与现有技术中具有1到3的pH的强酸条件相比,本发明的发明人可在亚酸性pH条件下使用用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅作为研磨剂来实现钨图案晶片的抛光速率和钨图案晶片的抛光表面的平整度的改进。
根据本发明的一个方面,用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物(下文称为“CMP浆料组合物”)可包含溶剂和研磨剂,其中研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅,且组合物具有约4到约7的pH。
在下文中,将详细描述根据本发明的实施例的CMP浆料组合物的组分。
溶剂
溶剂用以在用研磨剂抛光钨图案晶片时减小摩擦力。溶剂可选自极性溶剂、非极性溶剂以及其组合。举例来说,溶剂可包含水(例如超纯水或去离子水)、有机胺、有机醇、有机醇胺、有机醚、有机酮等。在一个实施例中,溶剂可为超纯水或去离子水,但不限于此。溶剂可以余量包含在CMP浆料组合物中。
研磨剂
研磨剂可以高抛光速率抛光绝缘层(例如氧化硅层)和钨图案晶片。
研磨剂,例如用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅包含球形颗粒或非球形颗粒,且具有例如约10纳米到约200纳米(例如10纳米、20纳米、30纳米、40纳米、50纳米、60纳米、70纳米、80纳米、90纳米、100纳米、110纳米、120纳米、130纳米、140纳米、150纳米、160纳米、170纳米、180纳米、190纳米或200纳米),具体地为约20纳米到约180纳米,更具体地为约40纳米到约130纳米的平均粒径(D50)。在此范围内,CMP浆料组合物可确保相对于作为根据本发明的抛光目标的绝缘层和钨图案晶片的足够的抛光速率,而不在抛光后产生表面缺陷(刮痕等)。作为本领域的技术人员已知的典型粒径,“平均粒径(D50)”意指在研磨剂的体积分布中对应于约50体积%的颗粒的直径。
在CMP浆料组合物中,研磨剂,例如用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅可以例如约0.001重量%到20重量%,具体地约0.01重量%到10重量%,更具体地约0.05重量%到5重量%,又更具体地约0.5重量%到3重量%的量存在。在此范围内,CMP浆料组合物可在不产生刮痕的情况下确保绝缘层和钨图案晶片的足够的抛光速率,同时确保组合物的分散稳定性,但不限于此。
研磨剂可包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅。
聚乙烯亚胺为具有由氨基和CH2CH2间隔基构成的重复单元的胺类聚合物,且包含多个氮原子。与用具有少量氮原子(例如一个或两个氮原子)的未改性的二氧化硅或氨基硅烷改性的二氧化硅相比,用具有多个氮原子的聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅在钨图案晶片的抛光速率方面具有好得多的效果且具有钨图案晶片的平整度的改进。另外,与强酸性条件下相比,含有用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅的CMP浆料组合物可在亚酸性pH条件下抛光时实现钨图案晶片的高抛光速率和钨图案晶片的平整度的改进。
聚乙烯亚胺可选自线性聚乙烯亚胺、支链聚乙烯亚胺以及其组合。线性聚乙烯亚胺可由式A表示且支链聚乙烯亚胺可由式B表示,但不限于此:
[式A]
[式B]
根据一个实施例,如通过GPC所测量,聚乙烯亚胺可具有例如约500克/摩尔到1,000,000克/摩尔,具体地约1,000克/摩尔到约500,000克/摩尔,更具体地约2,500克/摩尔到约250,000克/摩尔,又更具体地约5,000克/摩尔到约50,000克/摩尔的重量平均分子量(Mw)。在此范围内,含有用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅的研磨剂可改进相对于绝缘层和钨图案晶片的抛光速率且可抑制在抛光后产生表面缺陷(刮痕等),但不限于此。
根据一个实施例,二氧化硅可用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性。聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷可包含聚乙烯亚胺与式1化合物的反应产物、从反应产物衍生的阳离子或反应产物的盐。
[式1]
此处,“从聚乙烯亚胺与式1化合物的反应产物衍生的阳离子”可意指反应产物中的至少一个氮原子可具有阳离子(即,N+)。另一方面,在聚乙烯亚胺与式1化合物的反应产物中,阳离子与上文提到的阳离子相同且阴离子可包含例如卤素阴离子(例如:F-、Cl-、Br-以及I-);有机酸阴离子,如碳酸阴离子(例如:CO3 2-和HCO3 -)、乙酸阴离子(CH3COO-)、柠檬酸阴离子(HOC(COO-)(CH2COO-)2)等;和/或无机酸阴离子,如含氮阴离子(例如:NO3 -、NO2 -);含磷阴离子(例如:PO4 3-、HPO4 2-以及H2PO4 -);含硫阴离子(例如:SO4 2-和HSO4 -);氰化物阴离子(CN-)等。
在式1中,L可选自取代或未取代的C1到C20亚烷基、取代或未取代的C3到C20亚环烷基、取代或未取代的C6到C20亚芳基或其组合。举例来说,L可为取代或未取代的C1到C10亚烷基,替代地为取代或未取代的C1到C5亚烷基。根据一个实施例,L可为正亚丙基(n-propylene),但不限于此。
在式1中,X可选自F、Cl、Br、I、环氧基以及缩水甘油基氧基。根据一个实施例,X可选自Cl和缩水甘油基氧基,但不限于此。
在式1中,R1到R3各自独立地选自氢、羟基、取代或未取代的C1到C20烷基、取代或未取代的C3到C20环烷基、取代或未取代的C6到C20芳基、取代或未取代的C1到C20烷氧基以及取代或未取代的C6到C20芳氧基,其中R1到R3中的至少一个选自羟基、取代或未取代的C1到C20烷氧基以及取代或未取代的C6到C20芳氧基。举例来说,R1到R3各自独立地选自氢、羟基、取代或未取代的C1到C10烷基以及取代或未取代的C1到C10烷氧基,其中R1到R3中的至少一个选自羟基和取代或未取代的C1到C10烷氧基。在另一实施例中,R1到R3各自独立地选自羟基、C1到C5烷基以及C1到C5烷氧基,其中R1到R3中的至少一个选自羟基和C1到C5烷氧基。在又一实施例中,R1到R3各自独立地选自甲氧基和乙氧基,但不限于此。
根据一个实施例,式1化合物可选自氯丙基三甲氧基硅烷、氯丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油基氧丙基三甲氧基硅烷以及缩水甘油基氧丙基三乙氧基硅烷。
用聚乙烯亚胺与式1化合物的反应产物、从反应产物衍生的阳离子或反应产物的盐改性的二氧化硅可通过将化合物、阳离子或盐添加到未改性的二氧化硅,接着在预定时间段内反应来获得。未改性的二氧化硅可包含胶态二氧化硅和烟雾状二氧化硅中的至少一种,优选地为胶态二氧化硅。
根据一个实施例,用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅可具有其表面上的正电荷、约10毫伏到约60毫伏(例如10毫伏、20毫伏、30毫伏、40毫伏、50毫伏或60毫伏)的表面电位以及在约6到约10的pH(例如约6到约8的pH,具体地约7到约8的pH)下存在的等电点。
CMP浆料组合物可进一步包含选自氧化剂、催化剂以及有机酸当中的至少一种。
氧化剂
氧化剂用以通过使钨图案晶片氧化来促进钨图案晶片的抛光。
氧化剂用以使钨图案晶片氧化以促进钨图案晶片的抛光。
氧化剂可包含选自由以下各项组成的群组中的至少一种:无机过化合物、有机过化合物、溴酸或其盐、硝酸或其盐、氯酸或其盐、铬酸或其盐、碘酸或其盐、铁或其盐、铜或其盐、稀土金属氧化物、过渡金属氧化物、重铬酸钾以及其混合物。此处,过化合物是指含有至少一种过氧化基(-O-O-)或处于最高氧化态下的元素的化合物。在一个实施例中,氧化剂可包含过化合物(例如过氧化氢、铁氰化钾、过硫酸钙、铁氰化钾等)。在另一实施例中,氧化剂可为过氧化氢,但不限于此。
在CMP浆料组合物中,氧化剂可以例如约0.01重量%到约20重量%,具体地约0.05重量%到约10重量%,更具体地约0.1重量%到约5重量%的量存在。在此范围内,CMP浆料组合物可改进钨金属层的抛光速率,但不限于此。
催化剂
催化剂用以改进钨图案晶片的抛光速率,且可包含例如铁离子化合物、铁离子的络合化合物以及其水合物。
铁离子化合物可包含含有三价铁阳离子的化合物。含有三价铁阳离子的化合物可选自任何具有三价铁阳离子的化合物,所述三价铁阳离子在水溶液中以自由阳离子形式存在。举例来说,含有三价铁阳离子的化合物可包含选自氯化铁(FeCl3)、硝酸铁(Fe(NO3)3)以及硫酸铁(Fe2(SO4)3)当中的至少一种,但不限于此。
铁离子的络合化合物可包含例如含有三价铁阳离子的络合化合物。含有三价铁阳离子的络合化合物可包含通过在水溶液中使三价铁阳离子与有机化合物或无机化合物反应而形成的化合物,所述有机化合物或无机化合物具有至少一个选自例如羧酸、磷酸、硫酸、氨基酸以及胺当中的官能团。有机化合物或无机化合物的实例可包含柠檬酸、柠檬酸铵、对甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid,pTSA)、1,3-丙二胺四乙酸(1,3-propylenediaminetetraacetic acid,PDTA)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid,EDTA)、二亚乙基三胺五乙酸(diethylenetriaminepentaacetic acid,DTPA)、氮基三乙酸(nitrilotriacetic acid,NTA)以及乙二胺-N,N'-二琥珀酸(ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid,EDDS),但不限于此。含有三价铁阳离子的化合物的实例可包含柠檬酸铁、柠檬酸铁铵、Fe(III)-pTSA、Fe(III)-PDTA以及Fe(III)-EDTA,但不限于此。
在CMP浆料组合物中,催化剂(例如选自铁离子化合物、铁离子的络合化合物以及其水合物当中的至少一种)可以例如约0.001重量%到约10重量%,具体地约0.001重量%到约5重量%,更具体地约0.001重量%到约1重量%,又更具体地约0.001重量%到约0.5重量%的量存在。在此范围内,CMP浆料组合物可改进钨金属层的抛光速率,但不限于此。
有机酸
有机酸用以使CMP浆料组合物的pH稳定。有机酸可包含聚羧酸,如丙二酸、马来酸、苹果酸等;或氨基酸,如甘氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、苯丙氨酸、甲硫氨酸、苏氨酸、色氨酸、缬氨酸、丙氨酸、精氨酸、半胱氨酸、谷氨酰酸、组氨酸、脯氨酸、丝氨酸、酪氨酸以及离氨酸等。
在CMP浆料组合物中,有机酸可以例如约0.001重量%到约20重量%,具体地约0.01重量%到约10重量%,更具体地约0.01重量%到约5重量%,又更具体地约0.01重量%到约1重量%的量存在。在此范围内,有机酸可使CMP浆料组合物的pH稳定,但不限于此。
CMP浆料组合物可具有约4到约7,例如大于约4到约7,具体地约4到约6,更具体地大于约4到约6,又更具体地约4.5到约6,又更具体地大于约4.5到约6,又更具体地约5到约6的pH。在此范围内,与在强酸性条件下相比,含有改性的二氧化硅作为研磨剂的CMP浆料组合物可在亚酸性pH条件下抛光时实现钨图案晶片的高抛光速率。
CMP浆料组合物可进一步包含pH调节剂以维持合适的pH值。
pH调节剂
pH调节剂可包含选自无机酸和有机酸当中的至少一种,所述无机酸例如硝酸、磷酸、氢氯酸以及硫酸,所述有机酸例如具有约6或小于6的pKa值的有机酸,如乙酸和邻苯二甲酸。pH调节剂可包含选自例如氨溶液、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、碳酸钠以及碳酸钾当中的至少一种碱。
CMP浆料组合物可进一步包含典型的添加剂,如生物杀灭剂、表面活性剂、分散剂、改性剂、表面活化剂等。在CMP浆料组合物中,添加剂可以约0.001重量%到约5重量%、具体地约0.001重量%到约1重量%、更具体地约0.001重量%到约0.5重量%的量存在。在此范围内,添加剂可在不影响抛光速率的情况下实现其效果,但不限于此。
根据本发明的另一方面,提供一种抛光钨图案晶片的方法。抛光方法包含使用根据本发明的CMP浆料组合物抛光钨图案晶片。
接下来,将参考实例更详细地描述本发明。然而,应注意,这些实例仅出于说明目的而提供,且不应以任何方式理解为限制本发明。
实例
实例和比较例中所使用的组分的详情如下。
(1)未改性的研磨剂:具有120纳米的平均粒径(D50)的胶态二氧化硅(PL-7,扶桑化学工业(Fuso Chemical Industries))。
(2)pH调节剂:硝酸或氨溶液。
实例1
就未改性的研磨剂的固体含量来说,0.04毫摩尔的三甲氧基硅烷基丙基改性的聚乙烯亚胺(在异丙醇中为50%,产品代码:SSP-060,盖勒斯特(Gelest))与未改性的研磨剂混合,且在pH 2.5的条件下在25℃下反应72小时,由此制备用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅(平均粒径(D50):125纳米)。
按CMP浆料组合物的总重量计,通过混合1.5重量%的作为研磨剂的改性的二氧化硅,0.01重量%的作为催化剂的Fe(III)-EDTA,0.15重量%的作为有机酸的乙酸以及余量的作为溶剂的去离子水来制备CMP浆料组合物。使用pH调节剂将CMP浆料组合物调节到5.5的pH。随后,将0.3重量%的过氧化氢作为氧化剂添加到浆料组合物。
实例2
除了通过将1.0毫摩尔的[3-(2,3-环氧丙氧基)丙基]三甲氧基硅烷(EPO,98%纯度,西格玛-奥德里奇(Sigma-Aldrich))和3.0毫摩尔的超支化聚乙烯亚胺(PEI,Mw=60,000,西格玛-奥德里奇)溶解在150毫升的甲苯中,接着在80℃下搅拌反应产物24小时并减压干燥来制备聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷,并且用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷代替三甲氧基硅烷基丙基改性的聚乙烯亚胺之外,以与实例1中相同的方式制备CMP浆料组合物。
比较例1
除了使用未改性的研磨剂作为研磨剂之外,以与实例1中相同的方式制备CMP浆料组合物。
比较例2
除了用氨基丙基三乙氧基硅烷((3-氨丙基)三乙氧基硅烷99%,西格玛-奥德里奇)代替三甲氧基硅烷基丙基改性的聚乙烯亚胺来改性二氧化硅之外,以与实例1中相同的方式制备CMP浆料组合物。
比较例3
除了使用pH调节剂将CMP浆料组合物的pH改变为3.9之外,以与实例1中相同的方式制备CMP浆料组合物。
比较例4
除了使用pH调节剂将CMP浆料组合物的pH改变为7.1之外,以与实例1中相同的方式制备CMP浆料组合物。
在以下抛光条件下,对实例和比较例中制备的CMP浆料组合物进行抛光评估。结果显示于表1中。
[抛光评估条件]
1.抛光机:Reflexion 300毫米(应用材料有限公司(AMAT Co.,Ltd.))
2.抛光条件
-抛光垫:VP3100/罗门哈斯公司(Rohm and Haas Company)
-磁头速度:35转/分钟
-压板速度:33转/分钟
-压力:1.5磅/平方英寸
-挡环压力:8磅/平方英寸
-浆料流动速率:250毫升/分钟
-抛光时间:60秒
3.抛光目标
-可商购的钨图案晶片(MIT 854,300毫米)
-通过将用于钨抛光的CMP浆料(STARPLANAR7000,三星SDI有限公司(Samsung SDICo.,Ltd.))与去离子水以1:2的重量比混合来制备混合物,并且按混合物的重量计,以2重量%的量将过氧化氢添加到混合物中,由此制备混合溶液,所述混合溶液继而用于抛光钨图案晶片。在101转/分钟的磁头速度、33转/分钟的压板速度、2磅/平方英寸的抛光压力、8磅/平方英寸的挡环压力以及250毫升/分钟的混合溶液流动速率的条件下,使用IC1010/SubaIV堆叠抛光垫(罗德尔有限公司(Rodel Co.,Ltd.))在抛光机(Reflexion LK300mm)上抛光钨图案晶片。执行抛光以去除钨金属层,直到暴露出氧化物/金属图案为止。
4.分析方法
-抛光速率(单位:埃/分钟):基于在上述抛光条件下的评估中对应于抛光前后膜厚度的差的电阻来计算钨金属层的抛光速率。基于在上述抛光条件下抛光前后膜厚度的差来计算绝缘层的抛光速率,其中使用反射计测量膜厚度的差。
-平整度(侵蚀,单位:埃):在上述抛光条件下使用在实例和比较例中制备的CMP浆料组合物中的每一种抛光晶片之后,使用Insight CAP紧凑型原子分析器(布鲁克有限公司(Bruker Co.,Ltd.))来测量图案的轮廓。基于已抛光晶片的0.18/0.18微米图案区域中的周围氧化物(peri-oxide)与单元氧化物(cell-oxide)之间的高度差来计算侵蚀。扫描速度设定成100微米/秒且扫描长度设定成2毫米。
表1
实例1 | 实例2 | 比较例1 | 比较例2 | 比较例3 | 比较例4 | |
pH | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 3.9 | 7.1 |
钨金属层的抛光速率 | 30 | 30 | 10 | 10 | 20 | 25 |
绝缘层的抛光速率 | 120 | 120 | 5 | 10 | 50 | 80 |
平整度 | 150 | 150 | 800 | 550 | 300 | 400 |
如从表1中可看出,在抛光钨图案晶片时,使用用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅制备的且具有在发明范围内的pH值的实例1和实例2的CMP浆料组合物展现出较比较例1到比较例4的CMP浆料组合物更高的抛光速率和更好的平整度。
尽管上文已描述一些实施例,但应理解,本发明不限于这些实施例且可在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改、变化以及更改。因此,本发明的范围应仅由随附权利要求和其等效物限制。
Claims (8)
1.一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物,包括:
溶剂;0.001重量%到20重量%的研磨剂;0.01重量%到20重量%的氧化剂;0.001重量%到10重量%的催化剂;以及0.001重量%到20重量%的有机酸,
其中所述研磨剂包括用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅,且所述化学机械抛光浆料组合物具有4.5到6的pH,以及
其中所述聚乙烯亚胺衍生的所述氨基硅烷包括所述聚乙烯亚胺与式1化合物的反应产物、从所述反应产物衍生的阳离子或所述反应产物的盐:
[式1]
其中L选自取代或未取代的C1到C20亚烷基、取代或未取代的C3到C20亚环烷基、取代或未取代的C6到C20亚芳基或其组合;
X选自氟、氯、溴、碘、环氧基以及缩水甘油基氧基;以及
R1到R3各自独立地选自氢、羟基、取代或未取代的C1到C20烷基、取代或未取代的C3到C20环烷基、取代或未取代的C6到C20芳基、取代或未取代的C1到C20烷氧基以及取代或未取代的C6到C20芳氧基,R1到R3中的至少一个选自羟基、取代或未取代的C1到C20烷氧基以及取代或未取代的C6到C20芳氧基。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中在式1中,L选自C1到C5亚烷基,X选自氯和缩水甘油基氧基,且R1到R3各自独立地选自羟基、C1到C5烷基以及C1到C5烷氧基,R1到R3中的至少一个选自羟基和C1到C5烷氧基。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中所述式1化合物选自氯丙基三甲氧基硅烷、氯丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油基氧丙基三甲氧基硅烷以及缩水甘油基氧丙基三乙氧基硅烷。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中通过凝胶渗透色谱法所测量,所述聚乙烯亚胺具有500克/摩尔到1,000,000克/摩尔的重量平均分子量。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中用所述聚乙烯亚胺衍生的所述氨基硅烷改性的所述二氧化硅具有其表面上的正电荷、10毫伏到60毫伏的表面电位,且所述二氧化硅的等电点在6到10的pH下存在。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中用所述聚乙烯亚胺衍生的所述氨基硅烷改性的所述二氧化硅具有10纳米到200纳米的D50平均粒径。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,包括:
余量的所述溶剂。
8.一种抛光钨图案晶片的方法,包括:使用如权利要求1至7中任一项所述的化学机械抛光浆料组合物来抛光钨图案晶片。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200133040A KR20220049424A (ko) | 2020-10-14 | 2020-10-14 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
KR10-2020-0133040 | 2020-10-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114350263A CN114350263A (zh) | 2022-04-15 |
CN114350263B true CN114350263B (zh) | 2023-07-25 |
Family
ID=81077535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111152096.XA Active CN114350263B (zh) | 2020-10-14 | 2021-09-29 | 化学机械抛光浆料组合物及使用其抛光钨图案晶片的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220112401A1 (zh) |
JP (1) | JP2022064862A (zh) |
KR (1) | KR20220049424A (zh) |
CN (1) | CN114350263B (zh) |
TW (1) | TW202214794A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100945227B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2010-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택 플러그 형성방법 |
-
2020
- 2020-10-14 KR KR1020200133040A patent/KR20220049424A/ko not_active Application Discontinuation
-
2021
- 2021-09-20 US US17/479,284 patent/US20220112401A1/en active Pending
- 2021-09-29 CN CN202111152096.XA patent/CN114350263B/zh active Active
- 2021-10-04 TW TW110136918A patent/TW202214794A/zh unknown
- 2021-10-07 JP JP2021165411A patent/JP2022064862A/ja active Pending
Patent Citations (7)
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CN106575614A (zh) * | 2014-06-25 | 2017-04-19 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 化学‑机械抛光组合物的制造方法 |
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CN108350318A (zh) * | 2015-10-28 | 2018-07-31 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 具有阳离子型表面活性剂及环糊精的加工钨的浆料 |
CN110669438A (zh) * | 2018-07-03 | 2020-01-10 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 用于钨的中性至碱性化学机械抛光组合物和方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220112401A1 (en) | 2022-04-14 |
CN114350263A (zh) | 2022-04-15 |
TW202214794A (zh) | 2022-04-16 |
JP2022064862A (ja) | 2022-04-26 |
KR20220049424A (ko) | 2022-04-21 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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