TWI824634B - 電性連接結構 - Google Patents
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Abstract
一種電性連接結構，包括第一基板、第一導電墊、第二基板、第二導電墊、穿孔以及導電材。第一導電墊設置於第一基板上，其中第一導電墊包括第一上表面。第二導電墊設置於第二基板上，其中第二導電墊包括第二上表面。穿孔穿過第一基板並露出部分第二上表面。導電材部分設置於穿孔內，其中導電材包括最窄部以及與第二上表面接觸的第一接觸部。以剖視觀之，第一接觸部的長度大於最窄部的長度。
Description
本發明是有關於一種連接結構，且特別是有關於一種電性連接結構。
隨著電子裝置應用持續的增廣與技術的發展也日新月異，對於電子裝置的電性連接結構與品質的要求越來越高, 進而電子裝置面臨不同的問題。因此，電子裝置的研發須持續更新與調整。
本發明提供一種電性連接結構,其可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可縮短基板間電性導通的路徑以及可簡化周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框的設計。
本發明的電性連接結構包括第一基板、第一導電墊、第二基板、第二導電墊、穿孔以及導電材。第一導電墊設置於第一基板上，其中第一導電墊包括第一上表面。第二導電墊設置於第二基板上，其中第二導電墊包括第二上表面。穿孔穿過第一基板並露出部分第二上表面。導電材部分設置於穿孔內，其中導電材包括最窄部以及與第二上表面接觸的第一接觸部。以剖視觀之，第一接觸部的長度大於最窄部的長度。
基於上述，在本揭露的實施例中，穿孔穿過第一基板並露出第二導電墊的部分第二上表面，而導電材部分設置於穿孔內，可使第一基板與第二基板有電性導通的路徑。因此，本揭露的電性連接結構可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可縮短基板間電性導通的路徑以及可簡化周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框的設計。此外，導電材包括最窄部以及與第二上表面接觸的第一接觸部，以剖視觀之，第一接觸部的長度大於最窄部的長度，可增加導電墊與導電材的接觸長度，可提高多個基板電連接的成功率，以使本揭露的電性連接結構可具有較佳地電性可靠度。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的權利要求中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。
在下文說明書與權利要求書中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「下方」或「底部」及「上方」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「下方」側的元件將會成為在「上方」側的元件。
在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構系直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接(間接)接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。此外，用語「耦合」包含兩個結構之間係通過直接或間接電性連接的手段來傳遞能量，或是兩個分離的結構之間係以相互感應的手段來傳遞能量。
應瞭解到，當元件或膜層被稱為在另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。
在本揭露中，長度、寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距的量測方式可以是採用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測而得，詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包括欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各組件的長度、寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此為限。
此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
如本文所使用，用語「膜（film）」及/或「層（layer）」可指任何連續或不連續的結構及材料（諸如，借由本文所揭示之方法沉積之材料）。例如，膜及/或層可包括二維材料、三維材料、奈米粒子、或甚至部分或完整分子層、或部分或完整原子層、或原子及/或分子團簇(clusters)。膜或層可包含具有針孔(pinholes)的材料或層，其可以是至少部分連續的。
雖然術語第一、第二、第三…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。權利要求中可不使用相同術語，而依照權利要求中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在權利要求中可能為第二組成元件。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此特別定義。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，將數個不同實施例中的技術特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。
現將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是本揭露的一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，電性連接結構100a包括第一基板110a、第一導電墊120a、第二基板130、第二導電墊140、穿孔150a以及導電材160a。第一導電墊120a設置於第一基板110a上，其中第一導電墊120a包括第一上表面122a。第二導電墊140設置於第二基板130上，其中第二導電墊140包括第二上表面142。穿孔150a穿過第一基板110a並露出部分第二上表面142。導電材160a部分設置於穿孔150a內，其中導電材160a包括最窄部162a以及與第二上表面142接觸的第一接觸部164a。以剖視觀之，第一接觸部164a的長度L12大於最窄部162a的長度L11，可增加第二導電墊140與導電材160a的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。在本實施例中，穿孔150a大體上可為上寬下窄的設計，但為了避免之後導電材160a與第二導電墊140的接觸長度不足，圖1的穿孔150a可包含左右兩側的穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2的設計。於最窄部162a往第一接觸部164a的方向，穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2包括穿孔150a左右兩側的穿孔孔徑逐漸變大的部分，且穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2鄰近第二導電墊140。當導電材160a填滿穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2時，可增加第二導電墊140與導電材160a的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。在一些實施例中，穿孔150a的設計可包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一即可，當導電材160a填滿穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一時，也可增加第二導電墊140與導電材160a的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。
導電材160a設置於穿孔150a中的方式可包括焊膏印刷(Solder paste printing) 、噴墨列印(inkjet printing)、化學氣相沉積（chemical vapor deposition）、物理氣相沉積（physical vapor deposition）、電鍍（electroplating）或其他適合的方式、或上述方式的組合，但不以此為限。導電材160a的材料可包括鉭(tantalum，Ta)、鈮(niobium，Nb)、鉿(hafnium，Hf)、鎳(nickel，Ni) 、鉻(chromium，Cr)、鈷(cobalt，Co),、鋯(zirconium，Zr)、鎢(tungsten，W)、鋁(aluminum，Al) 、錫(tin，Sn) 、銅(copper，Cu) 、銀(silver，Ag)、金(aurum，Au)或其他合適的金屬、或上述材料的合金或組合，但不以此為限。穿孔150a的製作方式可例如是以機械鑽孔(Mechanical Drilling) 、雷射鑽孔(Laser drilling)、超音波鑽孔(Ultrasonic drilling)、微放電加工(Micro Electrical Discharge Machining, μ-EDM)、微細磨料噴射加工(Micro powder blasting)或是感應耦合電漿離子蝕刻(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching, ICP-RIE) 或其他適合的方式、或上述方式的組合，但不以此為限。
詳細來說，在本實施例中，第一基板110a與第二基板130可分別例如是剛性基板、柔性基板或上述的組合。第一基板110a的材質與第二基板130的材質可分別例如是玻璃、石英、藍寶石、陶瓷、聚碳酸酯（PC）、聚醯亞胺（PI）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、其他合適的基板材料或以上的組合，但不限於此。再者，如圖1所示，本實施例的電性連接結構100a還包括中間層170，設置於第一基板110a與第二基板130之間，且覆蓋第二導電墊140。穿孔150a穿過第一基板110a與部分中間層170而暴露出部分第二上表面142。換言之，中間層170可以設置在多個基板中的至少兩個之間。此處，中間層170的材料可以包括有機材料、無機材料、其他合適的基板材料或上述的組合，但不限於此。在一些實施例中，中間層170可以粘附多個基板中的至少兩個。
請再參考圖1，在本實施例中，穿孔150a穿過第一導電墊120a、第一基板110a以及部分中間層170而暴露出第二導電墊140的部分第二上表面142。此處，穿孔150a的孔徑可例如是從第一基板110a往第二上表面142的方向先逐漸變小再逐漸變大，但不限於此。最窄部162a可位於中間層170中，但不限於此。導電材160a填滿穿孔150a，且延伸至位於穿孔150a兩側的第一導電墊120a的第一上表面122a上，其中填入的導電材160a電性連接第一導電墊120a與第二導電墊140，可達到垂直導通（即電連接）第一基板110a與第二基板130的效果。
更進一步來說，本實施例的導電材160a還包括與第一上表面122a接觸的第二接觸部166a，其中第二接觸部166a的長度L13大於最窄部162a的長度L11，可以增加第一導電墊120a與導電材160a的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。此處，如圖1所示，本實施例的第二接觸部166a的長度L13大於第一接觸部164a的長度L12，且第一接觸部164a的長度L12大於最窄部162a的長度L11，可增加第一導電墊120a與導電材160a的接觸長度及第二導電墊140與導電材160a的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。再者，本實施例的導電材160a具有一弧形的上表面160S，於導電材160a上層進行薄膜沈積時，可利於薄膜沈積時有較佳的側壁階梯覆蓋性(sidewall step coverage) 。
簡言之，穿孔150a穿過第一基板110a並露出第二導電墊140的部分第二上表面142，而導電材160a部分設置於穿孔150a內，可使第一基板110a與第二基板130可電性導通。因此，本實施例的電性連接結構100a可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短第一基板110a與第二基板130間電性導通的路徑，也可簡化第一基板110a與第二基板130周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。此外，以剖視觀之，導電材160a的第一接觸部164a的長度L12大於導電材160a的最窄部162a的長度L11，可透過將穿孔150a設計成包含穿孔寬部WR1及/或穿孔寬部WR2，當導電材160a填滿穿孔寬部WR1及/或穿孔寬部WR2時，可增加第二導電墊140與導電材160a的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率，可使本揭露的電性連接結構100a可具有較佳地電性可靠度。
在此須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並省略相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖2，電性連接結構 100b與圖1的電性連接結構100a相似之處，在此不在贅述。圖1與圖2兩者的差異在於：在本實施例圖2中，第一基板110b包括基底層112與介電層114，其中介電層114設置於基底層112上，而第一導電墊120a設置於介電層114上。此處，基底層112的材質例如是聚合物，而介電層114的材質例如是無機材料,但不以此為限。在一些實施例中，基底層112與第一導電墊120a之間，可設計成更為多層的疊構(未圖示)，例如可增加導電層、半導體層、絕緣層、保護層、發光層、封裝層或其他適合的疊層、或上述疊層的組合，但不以此為限。
圖3是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖3，電性連接結構 100c與圖1的電性連接結構100a相似之處，在此不在贅述。圖1與圖3兩者的差異在於：在本實施例圖3中，導電材160c與穿孔150a之間具有空氣間隙G1，也就是說，導電材160c填滿穿孔寬部WR1和穿孔寬部WR2但沒有完全填滿穿孔150a。詳細來說，在本實施例中，第一導電墊120c包括側表面124c，其中側表面124c鄰近穿孔150a。導電材160c填入穿孔150a，且沿著第一導電墊120c的側表面124c延伸至第一導電墊120c的第一上表面122c上。導電材160c包括最窄部162c、與第二上表面142接觸的第一接觸部164c以及與第一上表面122c接觸的第二接觸部166c，其中第二接觸部166c的長度L33大於最窄部162c的長度L31，且第一接觸部164c的長度L32大於最窄部162c的長度L31，可增加第一導電墊120c、第二導電墊140與導電材160a的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。在本實施例圖3中，第一接觸部164c的長度L32可大於第二接觸部166c的長度L33。此處，導電材160c填滿穿孔寬部WR1和穿孔寬部WR2且直接接觸第二導電墊140、第一導電墊120c的側表面124c以及第一上表面122c，其中填入的導電材160c電性連接第一導電墊120c與第二導電墊140，可達到垂直導通（即電連接）第一基板110a與第二基板130的效果。本實施例的電性連接結構100c可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短第一基板110a與第二基板130間電性導通的路徑，也可簡化第一基板110a與第二基板130周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。
在一些實施例中，穿孔150a的設計可包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一即可，當導電材160c填滿穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一時，也可增加第二導電墊140與導電材160c的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。
圖4是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖4，電性連接結構 100d與圖1的電性連接結構100a相似之處，在此不在贅述。圖1與圖4兩者的其中之一差異在於：在本實施例圖4中，導電材160d與穿孔150d之間具有空氣間隙G2，也就是說，導電材160d填滿穿孔寬部WR1和穿孔寬部WR2但沒有完全填滿穿孔150d。詳細來說，導電材160d填入穿孔150d，且導電材160d包括最窄部162d、與第二上表面142接觸的第一接觸部164d以及與第一上表面122a接觸的第二接觸部166d，其中第二接觸部166d的長度L43大於第一接觸部164d的長度L42，且第一接觸部164d的長度L42大於最窄部162d的長度L41，可增加第一導電墊120a、第二導電墊140與導電材160d的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。此處，填入的導電材160d電性連接第一導電墊120a與第二導電墊140，可達到垂直導通（即電連接）第一基板110a與第二基板130的效果。本實施例的電性連接結構100d可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短第一基板110a與第二基板130間電性導通的路徑，也可簡化第一基板110a與第二基板130周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。
再者，圖4中穿孔150d的設計，可由一開始具較一致的穿孔孔徑，後於鄰近第二上表面142處，更包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2。在一些實施例中，穿孔150d的設計可包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一即可，當導電材160d填滿穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一時，也可增加第二導電墊140與導電材160d的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。
圖5是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖5，電性連接結構 100e與圖1的電性連接結構100a相似之處，在此不在贅述。圖1與圖5兩者的差異在於：在本實施例圖5中，穿孔150e大體上是上窄下寬的設計，貫穿第一導電墊120e、第一基板110a、部分中間層170而暴露出第二導電墊140的部分第二上表面142，其中穿孔150e的孔徑從第一基板110a往第二上表面142的方向逐漸變大。此處，穿孔150e貫穿第一導電墊120e時，暴露出部分第一基板110a，而導電材160e包括最窄部162e、與第二上表面142接觸的第一接觸部164e以及與第一上表面122e接觸的第二接觸部166e，其中最窄部162e的長度L51，其中長度L51大致上可為穿孔150e對應第一基板110a上表面的孔徑。再者，第二接觸部166e的長度L53大於第一接觸部164e的長度L52，且第一接觸部164e的長度L52大於最窄部162e的長度L51，可增加第一導電墊120e、第二導電墊140與導電材160e的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。此外，填入的導電材160e電性連接第一導電墊120e與第二導電墊140，可達到垂直導通（即電連接）第一基板110a與第二基板130的效果。本實施例的電性連接結構100e可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短第一基板110a與第二基板130間電性導通的路徑，也可簡化第一基板110a與第二基板130周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。
圖6是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖5與圖6，電性連接結構 100f與圖5的電性連接結構100e相似之處，在此不在贅述。圖5與圖6兩者的差異在於：在本實施例圖6中，穿孔150f包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2。穿孔150f貫穿第一導電墊120e、第一基板110a、部分中間層170而暴露出第二導電墊140的部分第二上表面142，其中穿孔150f的孔徑包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2，從第一基板110a往第二上表面142的方向形態上像是階梯式穿孔(以階梯式、兩階段地逐漸變大)。導電材160f包括最窄部162f、與第二上表面142接觸的第一接觸部164f以及與第一上表面122e接觸的第二接觸部166f，其中第二接觸部166f的長度L63大於第一接觸部164f的長度L62，且第一接觸部164f的長度L62大於最窄部162f的長度L61，可增加第一導電墊120e、第二導電墊140與導電材160f的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。此外，填入的導電材160f電性連接第一導電墊120e與第二導電墊140，可達到垂直導通（即電連接）第一基板110a與第二基板130的效果。本實施例的電性連接結構100f可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短第一基板110a與第二基板130間電性導通的路徑，也可簡化第一基板110a與第二基板130周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。在一些實施例中，穿孔150f的設計可包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一即可，當導電材160f填滿穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一時，也可增加第二導電墊140與導電材160f的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。
圖7是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖6與圖7，電性連接結構 100g與圖6的電性連接結構100f相似之處，在此不在贅述。圖6與圖7兩者的差異在於：在本實施例圖7中，第一基板110b包括基底層112與介電層114，其中介電層114設置於基底層112上，而第一導電墊120e設置於介電層114上。此處，基底層112的材質例如是聚合物，而介電層114的材質例如是無機材料,但不以此為限。在一些實施例中，基底層112與第一導電墊120e之間，可設計成更為多層的疊構(未圖示)，例如可增加導電層、半導體層、絕緣層、保護層、發光層、封裝層或其他適合的疊層、或上述疊層的組合，但不以此為限。
圖8是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖6與圖8，電性連接結構 100h與圖6的電性連接結構100f相似之處，在此不在贅述。圖6與圖8兩者的差異在於：在本實施例圖8中，導電材160h與穿孔150f之間具有空氣間隙G3，也就是說，導電材160h填滿穿孔寬部WR1和穿孔寬部WR2但沒有完全填滿穿孔150f。詳細來說，在本實施例中，第一導電墊120h包括側表面124h，其中側表面124h鄰近穿孔150f。導電材160h填入穿孔150f，且沿著第一導電墊120h的側表面124h延伸至第一導電墊120h的第一上表面122h上。導電材160h包括最窄部162h、與第二上表面142接觸的第一接觸部164h以及與第一上表面122h接觸的第二接觸部166h，其中第二接觸部166h的長度L83大於最窄部162h的長度L81，且第一接觸部164h的長度L82大於最窄部162h的長度L81，可增加第一導電墊120h、第二導電墊140與導電材160h的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。在本實施例圖8中，第一接觸部164h的長度L82可大於第二接觸部166h的長度L83。此處，導電材160h填滿穿孔寬部WR1和穿孔寬部WR2且直接接觸第二導電墊140、第一導電墊120h的側表面124h以及第一上表面122h，其中填入的導電材160h電性連接第一導電墊120h與第二導電墊140，可達到垂直導通（即電連接）第一基板110a與第二基板130的效果。本實施例的電性連接結構100h可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短第一基板110a與第二基板130間電性導通的路徑，也可簡化第一基板110a與第二基板130周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。
在一些實施例中，穿孔150f的設計可包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一即可，當導電材160h填滿穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一時，也可增加第二導電墊140與導電材160h的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。
圖9是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。請同時參考圖6與圖9，電性連接結構 100i與圖6的電性連接結構100f相似之處，在此不在贅述。圖6與圖9兩者的差異在於：在本實施例圖9中，導電材160i與穿孔150f之間具有空氣間隙G4，也就是說，導電材160i填滿穿孔寬部WR1和穿孔寬部WR2但沒有完全填滿穿孔150f。詳細來說，導電材160i填入穿孔150f，且導電材160i包括最窄部162i、與第二上表面142接觸的第一接觸部164i以及與第一上表面122e接觸的第二接觸部166i，其中第二接觸部166i的長度L93大於第一接觸部164i的長度L92，且第一接觸部164i的長度L92大於最窄部162i的長度L91，可增加第一導電墊120e、第二導電墊140與導電材160i的接觸長度，可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。此處，填入的導電材160i電性連接第一導電墊120e與第二導電墊140，可達到垂直導通（即電連接）第一基板110a與第二基板130的效果。本實施例的電性連接結構100i可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短第一基板110a與第二基板130間電性導通的路徑，也可簡化第一基板110a與第二基板130周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。
在一些實施例中，穿孔150f的設計可包含穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一即可，當導電材160i填滿穿孔寬部WR1與穿孔寬部WR2其中之一時，也可增加第二導電墊140與導電材160i的接觸長度，也可提高第一基板110a與第二基板130電連接的成功率。
圖10是採用圖1的電性連接結構的一種電子裝置的剖面示意圖。請參考圖10，在本實施例中，電子裝置10包括圖1的電性連接結構100a、電子元件20、驅動基板30以及第三導電墊180，其中第二基板130還包括與第二導電墊140電連接的導通孔135。電子元件20設置於第一基板110a上，且與設置在第一基板110a上的第一導電墊120a電性連接。第三導電墊180設置於驅動基板30上，且與第二基板130的導通孔135電性連接。換言之，本實施例的電子裝置10可透過電性連接結構100a來實現多個基板的電連接。此外，本實施例的電子裝置10可設置上述說明書中的任一電性連接結構(即電性連接結構100a~100i的任一者)。在一些實施例中，可具有多個電性連接結構設置於電子裝置10中，其中電性連接結構可設置上述說明書中的任一電性連接結構或上述電性連接結構的組合，但不以此為限。此處，本實施例的電子裝置10可包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置、發光裝置、觸控顯示裝置、封裝裝置、曲面顯示器、自由形狀顯示器或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置10可包括可彎折或可撓式電子裝置。電子裝置10可包括彼此電連接的多個燈板。電子裝置10例如包括液晶(liquid crystal)層或發光二極體(Light Emitting Diode，LED)。電子元件20可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、可變電容、濾波器、二極體、電晶體(transistors)、感應器、微機電系統元件(MEMS)、液晶晶片(liquid crystal chip)等，但不限於此。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)、量子點發光二極體(quantum dot LED)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他適合之材料、或上述組合，但不以此為限。感應器可例如包括電容式感應器（capacitive sensors）、光學式感應器（optical sensors）、電磁式感應器（electromagnetic sensors）、指紋感應器（fingerprint sensor，FPS）、觸控感應器（touch sensor）、天線（antenna）、或觸控筆（pen sensor）等，但不限於此。天線裝置例如但不限於液晶天線、二極體天線。天線裝置例如可以包括但不限於天線拼接裝置。需要說明的是，電子裝置10可以是上述任意排列組合，但不限於此。此外，電子裝置10在外觀上可以具有矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他合適的形狀。電子裝置10可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、貨架系統等週邊系統，以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。
值得一提的是，在上述的實施例中，電性連接結構的數量示意地繪示一個，而基板的數量示意地繪示二個或三個，但不以此為限。於其他未繪示的實施例中，電性連接結構的數量以及基板的數量可依據需求而增加，此仍屬於本揭露所欲保護的範圍。而且，電性連接結構可選用上述說明書中的任一電性連接結構或上述電性連接結構的組合，但不以此為限。
綜上所述，在本揭露的實施例中，穿孔穿過第一基板並露出第二導電墊的部分第二上表面，而導電材部分設置於穿孔內，可使第一基板與第二基板可電性導通。因此，本揭露的電性連接結構可達到電連接多個基板的效果，於後續應用於電子裝置上時，可大大縮短基板間電性導通的路徑，也可簡化基板周邊區的設計，可使電子裝置實現窄邊框甚至無邊框的設計。此外，導電材包括最窄部以及與第二上表面接觸的第一接觸部，以剖視觀之，第一接觸部的長度大於最窄部的長度，可增加導電墊與導電材的接觸長度，可提高多個基板電連接的成功率，可使本揭露的電性連接結構具有較佳地電性可靠度。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:電子裝置
20:電子元件
30:驅動基板
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i:電性連接結構
110a、110b:第一基板
112:基底層
114:介電層
120a、120c、120e、120h:第一導電墊
122a、122c、122e、122h:第一上表面
124c、124h:側表面
130:第二基板
135:導通孔
140:第二導電墊
142:第二上表面
150a、150d、150e、150f:穿孔
150s:穿孔側壁
160a、160c、160d、160e、160f、160h、160i:導電材
160s: 上表面
162a、162c、162d、162e、162f、162h、162i:最窄部
164a、164c、164d、164e、164f、164h、164i:第一接觸部
166a、166c、166d、166e、166f、166h、166i:第二接觸部
170:中間層
180:第三導電墊
G1、G2、G3、G4:空氣間隙
L11、L12、L13、L31、L32、L33、L41、L42、L43、L51、L52、L53、L61、L62、L63、L81、L82、L83、L91、L92、L93:長度
WR1、WR2:穿孔寬部
圖1是本揭露的一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖2是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖3是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖4是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖5是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖6是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖7是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖8是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖9是本揭露的另一實施例的一種電性連接結構的剖面示意圖。
圖10是採用圖1的電性連接結構的一種電子裝置的剖面示意圖。
100a:電性連接結構
110a:第一基板
120a:第一導電墊
122a:第一上表面
130:第二基板
140:第二導電墊
142:第二上表面
150a:穿孔
150s:穿孔側壁
160a:導電材
160s:上表面
162a:最窄部
164a:第一接觸部
166a:第二接觸部
170:中間層
L11、L12、L13:長度
WR1、WR2:穿孔寬部
Claims (10)
- 一種電性連接結構，包括： 一第一基板； 一第一導電墊，設置於該第一基板上，其中該第一導電墊包括一第一上表面； 一第二基板； 一第二導電墊，設置於該第二基板上，其中該第二導電墊包括一第二上表面； 一穿孔，穿過該第一基板並露出部分該第二上表面；以及 一導電材，部分設置於該穿孔內，其中該導電材包括一最窄部以及與該第二上表面接觸的一第一接觸部，以剖視觀之，該第一接觸部的長度大於該最窄部的長度。
- 如請求項1所述的電性連接結構，其中該導電材包括與該第一上表面接觸的一第二接觸部，其中該第二接觸部的長度大於該最窄部的長度。
- 如請求項1所述的電性連接結構，其中該導電材包括與該第一上表面接觸的一第二接觸部，其中該第二接觸部的長度大於該第一接觸部的長度，且該第一接觸部的長度大於該最窄部的長度。
- 如請求項2所述的電性連接結構，其中該第一導電墊包括一側表面，該側表面鄰近該穿孔，該導電材接觸該側表面與該第二接觸部。
- 如請求項4所述的電性連接結構，其中該導電材與該穿孔之間具有一空氣間隙。
- 如請求項1所述的電性連接結構，其中該穿孔包括至少一穿孔寬部，且該導電材填滿該至少一穿孔寬部。
- 如請求項1所述的電性連接結構，更包括： 一中間層，設置於該第一基板與該第二基板之間，且覆蓋該第二導電墊，其中該穿孔穿過該第一基板與部分該中間層而暴露出部分該第二上表面。
- 如請求項1所述的電性連接結構，其中該穿孔的孔徑從該第一基板往該第二上表面的方向先逐漸變小再逐漸變大。
- 如請求項1所述的電性連接結構，其中該穿孔的孔徑從該第一基板往該第二上表面的方向逐漸變大。
- 如請求項1所述的電性連接結構，其中該穿孔包括階梯式穿孔。
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