CN114203879A - 背光模组及背光模组的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种背光模组及背光模组的制备方法，包括第一反射层以及第二反射层，第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且所述第二反射层在所述基板上的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影部分重叠所述开口在所述基板上的正投影位于所述第一反射层在所述基板的正投影中，从而可以增加开口对应区域的反射率，减少开口对应的区域和第二反射层对应的区域的反射率的差异性，从而可以解决因第二反射孔开口而出现的光学品位问题，提高显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种背光模组及背光模组的制备方法。
背景技术
目前，迷你发光二极管背光技术具有局域调光技术，能够通过精细分区，对整体画面进行动态调光，从而实现高态对比度。因此迷你发光二极管背光技术已应用至可穿戴显示设备、电视、车载显示、电竞和笔电显示等场景。具体地，以电视为例，采用迷你发光二极管背光技术的液晶显示装置与采用传统背光技术的液晶显示装置相比，采用迷你发光二极管背光技术的液晶显示装置在动态对比和亮度上表现更佳，且具有轻薄、高画质、低功耗以及节能等优势，很大程度上的提升了液晶显示装置的性能。
但是，在迷你发光二极管背光制程中，通常会在走线上镀一层白油，从而增加光的反射与均匀性。其中，白油在发光二极管灯打件区域开孔，因白油开孔制程有一定的精度，开孔区会有一定的面积没有白油覆盖，从而开孔区和非开孔区具有反射率的差异，导致液晶显示装置出现一定的光学品味问题。
因此，如何减少液晶显示装置在开孔区以及非开孔区反射率的差异是面板厂家需要攻克的难关。
发明内容
本申请实施例提供一种背光模组及背光模组的制备方法，以解决现有技术中液晶显示装置在开孔区和非开孔区具有反射率的差异的技术问题。
本申请实施例提供一种背光模组，其特征在于，包括：
基板；
第一反射层，所述第一反射层设置在所述基板上；
第二反射层，所述第二反射层设置在所述第一反射层上，所述第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且所述第二反射层在所述基板上的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影部分重叠；
发光二极管灯焊盘走线层，所述发光二极管灯焊盘走线层设置在所述第一反射层远离所述基板的一面上，所述发光二极管灯焊盘走线层位于所述开口中；
发光二极管灯，所述发光二极管灯设置在所述发光二极管灯焊盘走线层远离基板的一面上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二反射层在所述基板上的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影的重叠区域的长度不小于150微米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射层的反射率大于或等于所述第二反射层的反射率。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射层的材料包括二元金属合金。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射层为单层金属合金。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射层包括依次层叠设置的第一反射子层以及第二反射子层，所述第一反射子层的材料为二元金属合金或所述第二反射子层的材料为二元金属合金。
相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，所述第一反射层包括依次层叠设置的第三反射子层、第四反射子层以及第五反射子层，所述第四反射子层的材料为二元金属合金。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述背光模组还包括第一保护层，所述第一保护层设置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，且覆盖所述第一反射层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述背光模组还包括金属层和第二保护层，所述金属层和所述第二保护层设置在所述基板与所述第一反射层之间，所述金属层设置在所述基板上，所述第二保护层设置在所述金属层远离所述基板的一面上，且覆盖所述金属层。
相应的，本申请实施例还提供一种背光模组的制备方法，所述制备方法包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成第一反射层以及第二反射层，所述第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且所述第二反射层在所述基板的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影部分重叠；
在所述第一反射层上形成发光二极管灯焊盘走线层，且所述发光二极管灯焊盘走线层位于所述开口中；
在所述发光二极管灯焊盘走线层上形成发光二极管灯。
本申请实施例采用一种背光模组及背光模组的制备方法，包括第一反射层以及第二反射层，第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且所述第二反射层在所述基板的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影部分重叠，从而可以增加开口对应区域的反射率，减少开口对应的区域和第二反射层对应的区域的反射率的差异性，从而可以解决因第二反射孔开口而出现的光学品位问题，提高显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的背光模组的第一结构示意图。
图2为本申请实施例提供的背光模组的反射光路图。
图3为本申请实施例提供的背光模组的第二结构示意图。
图4为本申请实施例提供的背光模组的第三结构示意图。
图5为本申请实施例提供的背光模组的第四结构示意图。
图6为本申请实施例提供的背光模组的第五结构示意图。
图7为本申请实施例提供的背光模组的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种背光模组及背光模组的制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1以及图2。图1为本申请实施例提供的背光模组的第一结构示意图。图2为本申请实施例提供的背光模组的反射光路图。如图1所示，本申请实施例提供的背光模组10包括基板101、第一反射层102、第二反射层103、发光二极管灯焊盘走线层104以及发光二极管灯105。第一反射层102设置在基板101上。第二反射层103设置在第一反射层102远离基板101的一面上。第二反射层103在基板101上的正投影与第一反射层102在基板101上的正投影部分重叠。第二反射层103上设有多个间隔设置的开口106。发光二极管灯焊盘走线层104设置在第一反射层102远离基板101的一面上，发光二极管灯焊盘走线层104位于开口106中。发光二极管灯105设置在发光二极管灯焊盘走线层104远离基板101的一面上。
其中，第一反射层102的反射率大于或等于第二反射层103的反射率。
其中，背光模组10包括开口区10a以及设置在开口区10a两侧的非开口区10b。其中，开口区10a对应于开口106设置，非开口区10b对应于第二反射层103设置。
需要说明的是，在现有技术中，只设置了与非开口区对应设置的第二反射层，而未设置第一反射层。发光二极管灯发出的光线会向四周散发，其中，发光二极管灯发出至开口区的光线会经基板反射，发光二极管灯发出至非开口区的光线会经第二反射层反射。由于基板的反射率远远小于第二反射层的反射率，因此会导致开口区和非开口区具有反射率的差异，从而导致出现一定的光学品位问题。
如图2所示，发光二极管灯105发出的光线会向四周散发。其中，发光二极管灯105发出至开口区10a的光线会经第一反射层102反射，发光二极管灯105发出至非开口区10b的光线会经第二反射层103反射。而第一反射层102的反射率大于或等于第二反射层103的反射率，从而增加了开口区10a的反射率，减少了开口区10a与非开口区10b的反射率的差异，进而避免光学品位问题的出现，有利于提高显示面板的显示效果。
其中，第二反射层103在基板101上的正投影与第一反射层102在基板101上的正投影的重叠区域的长度L1不小于150微米。
需要说明的是，为了避免经过开口区10a以及非开口10b的交界处的光线无法经第一反射层102或第二反射层103反射，因此，第二反射层103在基板101上的正投影与第一反射层102在基板101上的正投影需要有重叠区域，这样能够保证射向开口区10a以及非开口10b的交界处的光线会经第一反射层102或第二反射层103反射，从而提高显示面板各个区域显示的均匀性。
其中，基板101的材料为玻璃或印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)。
其中，第一反射层102的材料包括二元金属合金。具体地，二元金属合金可以为银合金或铝合金。当二元金属合金为银合金时，二元金属合金的其中一种元素为银(Ag)，二元金属合金的另外一种元素为铜(Cu)、锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)、钪(Sc)、钼(Mo)或铬(Cr)。当二元金属合金为铝合金时，二元金属合金的一种元素为铝(Al)，二元金属合金的另外一种元素为钛(Ti)、钪(Sc)、铬(Cr)、锆(Zr)或钴(Co)。
其中，第二反射层103的材料为白油。
需要说明的是，由于第一反射层102的主要材料为二元金属合金，第二反射层103的材料为白油，因此，第一反射层102的反射率与第二反射层103的反射率差别不大，且可以根据构成第一反射层102的其他材料的不同，以使第一反射层102的反射率大于或等于第二反射层103的反射率。
需要说明的是，第一反射层102可以采用一次湿蚀刻工艺进行图案化，从而可以减少掩膜的数量，有助于降低显示面板制作的成本。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的背光模组的第二结构示意图。如图3所示，图3所示的背光模组10与图1所示的背光模组10的区别在于：本申请提供的背光模组10还包括第一保护层107。第一保护层107设置在第一反射层102和第二反射层103之间。第一保护层107覆盖第一反射层102。
其中，第一保护层107的材料为氮化硅、氧化硅等材料。
需要说明的是，通过设置第一保护层107可以避免在形成沉积发光二极管灯焊盘走线层104以及对发光二极管灯焊盘走线层104进行图案化处理时对第一反射层102造成影响。另外，第一反射层102、第二反射层103以及发光二极管灯焊盘走线层104均为金属层，为了防止他们之间发生短路现象，从而设置了第一保护层107。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的背光模组的第三结构示意图。如图4所示，图4所示的背光模组10与图3所示的背光模组10的区别在于：本申请实施例提供的第一反射层102为双层结构。第一反射层102包括依次层叠设置的第一反射子层1021以及第二反射子层1022。
其中，第一反射子层1021的材料与第二反射子层1022的材料不同。具体地，第一反射子层1021的材料为二元金属合金，第二反射子层1022的材料为金属薄膜、金属合金薄膜或氧化铟锡薄膜；或第一反射子层1021的材料为金属薄膜、金属合金薄膜或氧化铟锡薄膜，第二反射子层1022的材料为二元金属合金。其中，二元金属合金可以为银合金或铝合金。当二元金属合金为银合金时，二元金属合金的其中一种元素为银(Ag)，二元金属合金的另外一种元素为铜(Cu)、锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)、钪(Sc)、钼(Mo)或铬(Cr)。当二元金属合金为铝合金时，二元金属合金的一种元素为铝(Al)，二元金属合金的另外一种元素为钛(Ti)、钪(Sc)、铬(Cr)、锆(Zr)或钴(Co)。
需要说明的是，第一反射层102的材料包括二元金属合金，第二反射层103的材料为白油，因此，第一反射层102的反射率与第二反射层103的反射率差别不大。另外，通过设置材料不同的第一反射子层1021以及第二反射子层1022，可以便于调节第一反射层102的反射率，以使第一反射层102的反射率大于或等于第一反射层101的反射率。
请参阅图5，图5为本申请实施例提供的背光模组的第四结构示意图。如图5所示，图5所示的背光模组10与图3所示的背光模组10的区别在于：本申请实施例提供的第一反射层102为三层结构。第一反射层102包括依次层叠设置的第三反射子层1023、第四反射子层1024以及第五反射子层1025。
其中，第四反射子层1024的材料为二元金属合金。具体地，二元金属合金可以为银合金或铝合金。当二元金属合金为银合金时，二元金属合金的其中一种元素为银(Ag)，二元金属合金的另外一种元素为铜(Cu)、锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)、钪(Sc)、钼(Mo)或铬(Cr)。当二元金属合金为铝合金时，二元金属合金的一种元素为铝(Al)，二元金属合金的另外一种元素为钛(Ti)、钪(Sc)、铬(Cr)、锆(Zr)或钴(Co)。
其中，第三反射子层1023的材料为金属薄膜、金属合金薄膜或氧化铟锡薄膜，第五反射子层1025的材料为金属薄膜、金属合金薄膜或氧化铟锡薄膜。第三反射子层1023的材料与第五反射子层1025的材料可以相同，第三反射子层1023的材料与第五反射子层1025的材料也可以不同。
需要说明的是，第四反射子层1024的材料为二元金属合金，第二反射层103的材料为白油，因此，第一反射层102的反射率与第二反射层103的反射率差别不大。
需要说明的是，其一，第三反射子层1023以及第五反射子层1025均由金属薄膜、金属合金薄膜或氧化铟锡薄膜构成，因此，通过设置第三反射子层1023以及第五反射子层1025可以便于调节第一反射层102的反射率，以使第一反射层102的反射率大于或等于第一反射层101的反射率。其二，通过在第四反射子层1024两侧设置由金属薄膜、金属合金薄膜或氧化铟锡薄膜构成的第三反射子层1023以及第五反射子层1025，可以避免其他制程影响第四反射子层1024，从而有助于保证第一反射层102的反射率大于或等于第一反射层101的反射率。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的背光模组的第五结构示意图。如图6所示，图6所示的背光模组10与图5所示的背光模组10的区别在于：背光模组10还包括金属层108和第二保护层109。金属层108和第二保护层109设置在基板101与第一反射层102之间。金属层108设置在基板101上。第二保护层1090设置在金属层108远离基板101的一面上，且覆盖金属层108。
其中，第二保护层109的材料为氮化硅、氧化硅等材料。
需要说明的是，背光模组10通常还需要设置开关器件，而开关器件需要设置金属层108用于导电。因此，为了避免金属层108和第一反射层102之间发生短路现象，在金属层108和第一反射层102之间设置了第二保护层109。
在本申请实施例提供的背光模组中，包括第一反射层以及第二反射层，第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且第二反射层在基板上的正投影与第一反射层在基板上的正投影部分重叠中，从而可以增加开口对应区域的反射率，减少开口对应的区域和第二反射层对应的区域的反射率的差异性，从而可以解决因第二反射孔开口而出现的光学品位问题，提高显示面板的显示效果。
相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法。请参阅图7，图7为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。如图7所示，本申请实施例提供的阵列基板的制备方法包括：
步骤201、提供一基板。
步骤202、在基板上依次形成第一反射层以及第二反射层，第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且第二反射层在基板上的正投影与第一反射层在基板上的正投影部分重叠。
步骤203、在第一反射层上形成发光二极管灯焊盘走线层，且发光二极管灯焊盘走线层位于开口中。
步骤204、在发光二极管灯焊盘走线层上形成发光二极管灯。
其中，上述实施例已经对背光模组进行了详细描述，因此，本申请实施例中，对背光模组不做过多赘述。
在本申请实施例提供的背光模组的制备方法中，包括第一反射层以及第二反射层，第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且第二反射层在基板上的正投影与第一反射层在基板上的正投影部分重叠，从而可以增加开口对应区域的反射率，减少开口对应的区域和第二反射层对应的区域的反射率的差异性，从而可以解决因第二反射孔开口而出现的光学品位问题，提高显示面板的显示效果。
以上对本申请实施例所提供的一种背光模组及背光模组的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种背光模组，其特征在于，包括：
基板；
第一反射层，所述第一反射层设置在所述基板上；
第二反射层，所述第二反射层设置在所述第一反射层远离所述基板的一面上，所述第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且所述第二反射层在所述基板上的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影部分重叠；
发光二极管灯焊盘走线层，所述发光二极管灯焊盘走线层设置在所述第一反射层远离所述基板的一面上，所述发光二极管灯焊盘走线层位于所述开口中；
发光二极管灯，所述发光二极管灯设置在所述发光二极管灯焊盘走线层远离基板的一面上。
2.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述第二反射层在所述基板上的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影的重叠区域的长度不小于150微米。
3.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述第一反射层的反射率大于或等于所述第二反射层的反射率。
4.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述第一反射层的材料包括二元金属合金。
5.根据权利要求4所述的背光模组，其特征在于，所述第一反射层为单层金属合金。
6.根据权利要求4所述的背光模组，其特征在于，所述第一反射层包括依次层叠设置的第一反射子层以及第二反射子层，所述第一反射子层的材料为二元金属合金或所述第二反射子层的材料为二元金属合金。
7.根据权利要求4所述的背光模组，其特征在于，所述第一反射层包括依次层叠设置的第三反射子层、第四反射子层以及第五反射子层，所述第四反射子层的材料为二元金属合金。
8.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述背光模组还包括第一保护层，所述第一保护层设置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，且覆盖所述第一反射层。
9.根据权利要求8所述的背光模组，其特征在于，所述背光模组还包括金属层和第二保护层，所述金属层和所述第二保护层设置在所述基板与所述第一反射层之间，所述金属层设置在所述基板上，所述第二保护层设置在所述金属层远离所述基板的一面上，且覆盖所述金属层。
10.一种背光模组的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成第一反射层以及第二反射层，所述第二反射层上设有多个间隔设置的开口，且所述第二反射层在所述基板的正投影与所述第一反射层在所述基板上的正投影部分重叠；
在所述第一反射层上形成发光二极管灯焊盘走线层，且所述发光二极管灯焊盘走线层位于所述开口中；
在所述发光二极管灯焊盘走线层上形成发光二极管灯。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114935853A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-08-23 | 苏州华星光电技术有限公司 | 背光模组及其制备方法和显示装置 |
| WO2024000638A1 (zh) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 苏州华星光电技术有限公司 | 发光基板及显示装置 |
| WO2024026903A1 (zh) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光板、制备方法以及显示面板 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104456292A (zh) * | 2014-09-11 | 2015-03-25 | 友达光电股份有限公司 | 具防漏光设计的背光模块及其制造方法 |
| US20150187858A1 (en) * | 2013-12-31 | 2015-07-02 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Oled display panel and method of manufacturing the same and display apparatus |
| CN111738192A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
| CN112241088A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-01-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管灯板、背光模组及其制备方法 |
| CN112698528A (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及显示装置 |
| CN112782889A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-05-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光模组及其制作方法、液晶显示装置 |
| WO2021164583A1 (zh) * | 2020-02-17 | 2021-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板及其制备方法、显示装置 |
| CN113359344A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置 |
| CN113687736A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-23 | 华玻视讯(珠海)科技有限公司 | 一种边框区的反射率可调的显示器的制作方法 |
-
2021
- 2021-12-10 CN CN202111509844.5A patent/CN114203879A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150187858A1 (en) * | 2013-12-31 | 2015-07-02 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Oled display panel and method of manufacturing the same and display apparatus |
| CN104456292A (zh) * | 2014-09-11 | 2015-03-25 | 友达光电股份有限公司 | 具防漏光设计的背光模块及其制造方法 |
| CN112698528A (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及显示装置 |
| WO2021164583A1 (zh) * | 2020-02-17 | 2021-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板及其制备方法、显示装置 |
| CN111738192A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
| CN112241088A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-01-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管灯板、背光模组及其制备方法 |
| CN112782889A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-05-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光模组及其制作方法、液晶显示装置 |
| CN113359344A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板以及液晶显示装置 |
| CN113687736A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-23 | 华玻视讯(珠海)科技有限公司 | 一种边框区的反射率可调的显示器的制作方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114935853A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-08-23 | 苏州华星光电技术有限公司 | 背光模组及其制备方法和显示装置 |
| CN114935853B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-12-29 | 苏州华星光电技术有限公司 | 背光模组及其制备方法和显示装置 |
| WO2024000638A1 (zh) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 苏州华星光电技术有限公司 | 发光基板及显示装置 |
| WO2024026903A1 (zh) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光板、制备方法以及显示面板 |
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