CN106560930B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基底，包括发光区域和反射区域；多个感测图案，设置在发光区域和反射区域中，并且包括具有第一反射率的材料；反射图案，设置在反射区域中，包括具有第二反射率的材料，并且与所述多个感测图案叠置。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本发明的示例性实施例涉及有机发光显示(“OLED”)装置以及制造OLED装置的方法。更具体地，示例性实施例涉及一种具有镜子功能和触摸功能的OLED装置以及制造该OLED装置的方法。
背景技术
平板显示(“FPD”)装置由于其相比于阴极射线管(“CRT”)显示装置的质轻和纤薄而被广泛地用作电子装置的显示装置。平板显示装置的典型示例包括液晶显示(“LCD”)装置和有机发光二极管(“OLED”)显示装置。与LCD相比，OLED具有许多诸如更高的亮度和更宽的视角的优势。另外，因为OLED显示装置不需要背光，所以OLED显示装置能够制造得比LCD薄。在OLED显示装置中，电子和空穴通过阴极和阳极注入有机薄层中，然后在有机薄层中复合以产生激子，从而发射预定波长的光。
最近，已经开发出了镜面OLED装置，该OLED装置通过包括反射构件来反射位于该OLED装置前面的物体(或目标)的图像。此外，也已经开发出了具有镜子功能和触摸功能的OLED装置。
发明内容
为了制造具有镜子功能和触摸功能的有机发光显示(“OLED”)装置，通常采用用于形成具有触摸功能的电极层的额外工艺，因此增加了制造成本。
本发明的示例性实施例提供一种具有镜子功能和触摸功能的OLED装置。
本发明的示例性实施例还提供一种制造所述OLED装置的方法。
在根据本发明的OLED装置的示例性实施例中，所述OLED装置包括：基底，包括发光区域和反射区域；多个感测图案，设置在发光区域和反射区域中，并且包括具有第一反射率的材料；反射图案，设置在反射区域中，包括具有第二反射率的材料，并且与所述多个感测图案叠置。
在示例性实施例中，所述OLED装置还可以包括面对基底的对向基底。感测图案可以设置在对向基底的第一表面上，感测图案可以设置在基底和对向基底之间，反射图案可以设置在感测图案上。所述OLED装置还可以包括：绝缘层，设置在感测图案和反射图案之间，并包括粘合材料。
在示例性实施例中，反射图案可以通过导电粘合构件电连接到基底。
在示例性实施例中，所述OLED装置还可以包括设置在基底上的薄膜包封层。感测图案可以设置在薄膜包封层上，反射图案可以设置在感测图案上。所述OLED装置还可以包括：绝缘层，设置在感测图案和反射图案之间，并包括粘合材料。
在示例性实施例中，所述OLED装置还可以包括设置在基底上的第一薄膜包封层。感测图案可以设置在第一薄膜包封层上，反射图案可以设置在感测图案上。所述OLED装置还可以包括设置在感测图案和反射图案之间的第二薄膜包封层。
在示例性实施例中，感测图案可被分类为包括多个感测图案中的预定数量的感测图案的多个感测组。当触摸信号施加到感测图案时，可以检测多个感测组中的施加了触摸信号的感测组，并且可以检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。
在示例性实施例中，当触摸信号施加到感测组时，信号与触摸信号相同的信号可以施加到反射图案。
在示例性实施例中，反射图案可以包括具有与所述多个感测组的一个感测组的面积对应的面积的多个子反射图案。当触摸信号施加到感测组时，信号与触摸信号相同的信号可以被施加到与施加了触摸信号的感测组叠置的子反射图案。
在示例性实施例中，反射图案可以包括具有与所述多个感测图案中的预定数量的感测图案的面积对应的面积的多个子反射图案。子反射图案可以感测宽范围的触摸位置，并且在子反射图案感测触摸位置之后，感测图案可以感测精准的触摸位置。
在示例性实施例中，反射图案可以包括具有与一个感测图案的面积对应的面积的多个子反射图案。一个子反射图案可以电连接到一个感测图案。
在制造OLED装置的方法的示例性实施例中，所述OLED装置包括包含发光区域和反射区域的基底，所述方法包括：在发光区域和反射区域上形成包括具有第一反射率的材料的多个感测图案，在反射区域上形成包括具有第二反射率的材料的反射图案，反射图案与感测图案叠置。
在示例性实施例中，形成感测图案的步骤和形成反射图案的步骤可以包括：在面对基底的对向基底的第一表面上形成感测图案；在感测图案上形成绝缘层；在绝缘层上形成反射图案。可以在基底和对向基底之间设置感测图案和反射图案。
在示例性实施例中，所述方法还可以包括通过导电粘合构件将反射图案电连接到基底。
在示例性实施例中，形成感测图案的步骤与形成反射图案的步骤可以包括：在基底上形成薄膜包封层；在薄膜包封层上形成感测图案；在感测图案上形成绝缘层；在绝缘层上形成反射图案。
在示例性实施例中，形成感测图案的步骤与形成反射图案的步骤可以包括：在基底上形成第一薄膜包封层；在第一薄膜包封层上形成感测图案；在感测图案上形成包括与第一薄膜包封层的材料相同的材料的第二薄膜包封层；在第二薄膜包封层上形成反射图案。
在示例性实施例中，感测图案可被分类为包括所述多个感测图案中的预定数量的感测图案的多个感测组。当触摸信号施加到感测图案时，可以检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。
在示例性实施例中，当触摸信号施加到感测组时，信号与触摸信号相同的信号可以施加到反射图案。
在示例性实施例中，反射图案可以包括具有与一个感测组的面积对应的面积的多个子反射图案。当触摸信号施加到感测组时，信号与触摸信号相同的信号可以被施加到与施加了触摸信号的感测组叠置的子反射图案。
在示例性实施例中，反射图案可以包括具有与所述多个感测图案中的预定数量的感测图案的面积对应的面积的多个子反射图案。子反射图案可以感测宽范围的触摸位置，并且在子反射图案感测触摸位置之后，感测图案可以感测精准的触摸位置。一个子反射图案可以电连接到一个感测图案。
在示例性实施例中，反射图案可以包括具有与一个感测图案的面积对应的面积的多个子反射图案。
根据示例性实施例，OLED装置包括具有镜子功能和触摸功能的反射构件。因此，可以省略用于形成具有触摸功能的电极层的额外工艺。这样，可以减少制造成本。
另外，OLED装置包括设置在反射区域中的第一反射构件以及设置在发光区域和反射区域中的第二反射构件。因此，可以减少在第一反射构件的边缘处发生的漫反射。
另外，OLED装置包括薄膜包封层。因此，可以制造具有镜子功能和触摸功能的柔性OLED装置。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征与优点将变得更清楚，在附图中：
图1是示出根据本发明的有机发光显示(“OLED”)装置的示例性实施例的平面图；
图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图；
图3至图10是示出制造图2的OLED装置的方法的剖视图；
图11是示出图2的反射图案的平面图；
图12是示出图2的感测图案的平面图；
图13是示出图11的反射图案和图12的感测图案的平面图；
图14是示出图2的反射图案的平面图；
图15是示出图2的感测图案的平面图；
图16是示出图14的反射图案和图15的感测图案的平面图；
图17是示出图2的反射图案的平面图；
图18是示出图2的感测图案的平面图；
图19是示出图17的反射图案和图18的感测图案的平面图；
图20是示出图2的反射图案的平面图；
图21是示出图2的感测图案的平面图；
图22是示出图20的反射图案和图21的感测图案的平面图；
图23是示出图2的反射图案的平面图；
图24是示出图2的感测图案的平面图；
图25是示出图23的反射图案和图24的感测图案的平面图；
图26是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的平面图；
图27是沿着图26的线IV-IV'截取的剖视图；
图28至图35是示出制造图27的OLED装置的方法的剖视图；
图36是示出图27的反射图案的平面图；
图37是示出图27的感测图案的平面图；
图38是示出图36的反射图案和图37的感测图案的平面图；
图39是示出图27的反射图案的平面图；
图40是示出图27的感测图案的平面图；
图41是示出图39的反射图案和图40的感测图案的平面图；
图42是示出图27的反射图案的平面图；
图43是示出图27的感测图案的平面图；
图44是示出图42的反射图案和图43的感测图案的平面图；
图45是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的平面图；
图46是沿着图45的线V-V'截取的剖视图；
图47至图54是示出制造图46的OLED装置的方法的剖视图；
图55是示出图46的反射图案的平面图；
图56是示出图46的感测图案的平面图；
图57是示出图55的反射图案和图56的感测图案的平面图；
图58是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的平面图；
图59是沿着图58的线VI-VI'截取的剖视图；
图60至图67是示出制造图59的OLED装置的方法的剖视图；
图68是示出图59的反射图案的平面图；
图69是示出图59的感测图案的平面图；
图70是示出图68的反射图案和图69的感测图案的平面图；
图71是示出图59的反射图案的平面图；
图72是示出图59的感测图案的平面图；
图73是示出图71的反射图案和图72的感测图案的平面图；
图74是示出图59的反射图案的平面图；
图75是示出图59的感测图案的平面图；
图76是示出图74的反射图案和图75的感测图案的平面图；
图77是示出图59的反射图案的平面图；
图78是示出图59的感测图案的平面图；
图79是示出图77的反射图案和图78的感测图案的平面图；
图80是示出图59的反射图案的平面图；
图81是示出图59的感测图案的平面图；
图82是示出图80的反射图案和图81的感测图案的平面图；
图83是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的平面图；
图84是沿着图83的线VII-VII'截取的剖视图；
图85至图92是示出制造图84的OLED装置的方法的剖视图；
图93是示出图84的反射图案的平面图；
图94是示出图84的感测图案的平面图；
图95是示出图93的反射图案和图94的感测图案的平面图；
图96是示出图84的反射图案的平面图；
图97是示出图84的感测图案的平面图；
图98是示出图96的反射图案和图97的感测图案的平面图；
图99是示出图84的反射图案的平面图；
图100是示出图84的感测图案的平面图；
图101是示出图99的反射图案和图100的感测图案的平面图；
图102是示出图84的反射图案的平面图；
图103是示出图84的感测图案的平面图；
图104是示出图102的反射图案和图103的感测图案的平面图；
图105是示出图84的反射图案的平面图；
图106是示出图84的感测图案的平面图；以及
图107是示出图105的反射图案和图106的感测图案的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地解释本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。相反地，提供这些实施例使得本发明将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终表示同样的元件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者在其间可以有中间元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因此，在不脱离在这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
这里使用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，并非意图限制。如在这里所使用的，除非内容另外明确指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“该/所述”意图包括复数形式(包括“至少一个(种)”)。“或”意指“和/或”。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出的项的任意和全部组合。还将理解的是，当术语“包括”和/或其变型或者“包含”和/或其变型在本说明书中使用时，表示存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，可以在这里使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语，以描述如在图中所示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意在包含装置的除了在附图中描绘的方位之外的不同方位。在示例性实施例中，当翻转附图中的一幅中的装置时，描述为在其它元件的“下”侧上的元件将然后被定位为在其它元件的“上”侧上。因此，根据附图的具体取向，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。相似地，当翻转附图中的一幅中的装置时，描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件将然后被定位为“在”其它元件“上方”。示例性术语“在…下方”或“在…之下”可以因此包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。
在这里使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并意味着：考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受的偏差范围之内。例如，“大约”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。
除非另有定义，否则在这里使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里明确地定义，否则术语(诸如在通用的字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域和本发明中的上下文中它们的意思一致的意思，并且将不以理想或过于形式化的含义来解释。
在这里参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预计出现由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，在这里描述的实施例不应被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造引起的形状的偏差。在示例性实施例中，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，其形状不意图示出区域的精确形状，也不意图限制权利要求的范围。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示(“OLED”)装置的平面图。图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图1和图2，根据本发明的示例性实施例的OLED装置可以包括发光区域II和反射区域III。像素60、70和80可以位于发光区域II中，透明窗可以位于反射区域III中。在示例性实施例中，例如，像素60可以是发射红色的像素，像素70可以是发射绿色的像素，像素80可以是发射蓝色的像素。
反射构件可以设置在发光区域II和反射区域III中。反射构件可以包括设置在反射区域III中的第一反射构件以及设置在发光区域II和反射区域III中的第二反射构件。第一反射构件可以具有与第二反射构件不同的反射率。当反射构件仅包括第一反射构件时，在第一反射构件的边缘处会发生漫反射。然而，根据本发明的示例性实施例的OLED装置包括设置在发光区域II和反射区域III中的第二反射构件。因此，可以减少在第一反射构件的边缘处发生的漫反射。
根据本发明的示例性实施例的第一反射构件可以是包括具有预定的反射率的材料的第一反射图案370。另外，根据本发明的示例性实施例的第二反射构件可以是包括具有预定的反射率的材料并被构造为感测触摸位置的感测图案390。反射图案370可以与感测图案390叠置。
感测图案390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。然而，本发明不限于此，反射图案370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。另外，反射图案370和感测图案390均可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。
根据本发明的示例性实施例的OLED 100包括第一基底110、缓冲层115、第一绝缘层150、第二绝缘层190、第三绝缘层270、发光结构、像素限定层310、反射图案370、感测图案390和第二基底350。这里，发光结构包括半导体元件250、下电极290、发光层330和上电极340。半导体元件250包括有源图案(有源层)130、栅电极170、源电极210和漏电极230。开口380限定在反射图案370中。
OLED装置100可以包括多个像素区域。一个像素区域可以包括发光区域II和反射区域III。反射区域III可以基本上围绕发光区域II。半导体元件250、下电极290、发光层330和上电极340的一部分可以设置在发光区域II中。此外，反射图案370可以设置在反射区域III中，感测图案390可以设置在发光区域II和反射区域III中。
显示图像可以在发光区域II中显示。位于OLED装置100前面的物体的图像可以在反射区域III中反射。
发光结构可以设置在第一基底110上。第一基底110可以包括透明材料。在示例性实施例中，第一基底110可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。在可选择的示例性实施例中，第一基底110可以包括柔性透明树脂基底。这里，用于第一基底110的柔性透明树脂基底可以包括聚酰亚胺基底。在示例性实施例中，聚酰亚胺基底可以包括例如第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等中的至少一者。当聚酰亚胺基底纤薄且柔性时，聚酰亚胺基底可以设置在刚性玻璃基底上以帮助支撑发光结构的形成。即，在示例性实施例中，第一基底110可以具有第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在玻璃基底上的结构。这里，在将绝缘层设置在第二聚酰亚胺层上之后，发光结构(例如，半导体元件250、电容器、下电极290、发光层330、上电极340等)可以设置在绝缘层上。
在将发光结构设置在绝缘层上之后，可以去除玻璃基底。因为聚酰亚胺基底纤薄且柔性，所以直接将发光结构设置在聚酰亚胺基底上会是困难的。因此，发光结构被设置在刚性玻璃基底上，然后聚酰亚胺基底可以在去除玻璃基底之后用作第一基底110。因为OLED装置100包括发光区域II和反射区域III，所以第一基底110也可以包括发光区域II和反射区域III。
缓冲层115可以设置在第一基底110上。缓冲层115可以从发光区域II延伸进反射区域III中。缓冲层115可以防止金属原子和/或杂质从第一基底110扩散(例如，排气)。另外，缓冲层115可以在用于形成有源图案130的结晶工艺中控制传热速率，从而获得基本上均匀的有源图案130。此外，缓冲层115可以在第一基底110的表面较不规则时改善第一基底110的表面平整度。根据第一基底110的类型，可以在第一基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。
半导体元件250可以包括有源图案130、栅电极170、源电极210和漏电极230。在示例性实施例中，例如，有源图案130可以设置在第一基底110上。在示例性实施例中，有源图案130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等中的至少一种。
第一绝缘层150可以设置在有源图案130上。第一绝缘层150可以在发光区域II中覆盖有源图案130，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，第一绝缘层150可以设置在整个第一基底110上。在示例性实施例中，第一绝缘层150可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
栅电极170可以设置在第一绝缘层150的其下设置有有源图案130的部分上。在示例性实施例中，栅电极170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
第二绝缘层190可以设置在栅电极170上。第二绝缘层190可以在发光区域II中覆盖栅电极170，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，第二绝缘层190可以设置在整个第一基底110上。在示例性实施例中，第二绝缘层190可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。
源电极210和漏电极230可以设置在第二绝缘层190上。通过去除第一绝缘层150的一部分和第二绝缘层190的一部分，源电极210可以与有源层130的第一侧接触。通过去除第一绝缘层150的第二部分和第二绝缘层190的第二部分，漏电极230可以与有源层130的第二侧接触。在示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
第三绝缘层270可以设置在源电极210和漏电极230上。第三绝缘层270可以在发光区域II中覆盖源电极210和漏电极230，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，第三绝缘层270可以设置在整个第一基底110上。在示例性实施例中，第三绝缘层270可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。
下电极290可以设置在第三绝缘层270上。通过去除第三绝缘层270的一部分，下电极290可以与漏电极230接触。另外，下电极290可以电连接到半导体元件250。在示例性实施例中，下电极290可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
像素限定层310可以设置在第三绝缘层270上，以暴露下电极290的一部分。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在这种情况下，发光层330可以设置在下电极290的被像素限定层310暴露的部分上。
发光层330可以设置在暴露的下电极290上。发光层330可以利用产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料来设置。
上电极340可以设置在像素限定层310和发光层330上。上电极340可以在发光区域II和反射区域III中覆盖像素限定层310和发光层330，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，上电极340可以电连接到第一像素至第三像素。在示例性实施例中，上电极340可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些材料可以单独使用或者以其组合来使用。
感测图案390可以设置在第二基底350上。感测图案390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等。在可选择的示例性实施例中，感测图案390可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。在示例性实施例中，感测图案390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等。
第二基底350和第一基底110可以包括基本上相同的材料。在示例性实施例中，第二基底350可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。在示例性实施例中，第二基底350可以包括透明无机材料或柔性塑料。在示例性实施例中，第二基底350可以包括例如柔性透明树脂基底。在这种情况下，为了增大OLED装置100的柔性，第二基底350可以包括至少一个有机层和至少一个无机层交替堆叠的堆叠结构。
第四绝缘层385设置在感测图案390上。第四绝缘层385可以包括粘合材料。
反射图案370设置在第四绝缘层385上。反射图案370可以设置在反射区域III中。
反射图案370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等。在可选择的示例性实施例中，反射图案370可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。在示例性实施例中，反射图案370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等。
图3至图10是示出制造图2的OLED装置100的方法的剖视图。
参照图3，在第一基底110上设置缓冲层115。然后，在缓冲层115上设置有源图案130和第一绝缘层150。
在示例性实施例中，第一基底110可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。
可以在第一基底110上设置缓冲层115。缓冲层115可以从发光区域II延伸进反射区域III中。缓冲层115可以防止金属原子和/或杂质从第一基底110扩散(例如，排气)。另外，缓冲层115可以在用于形成有源图案130的结晶工艺中控制传热速率，从而获得基本上均匀的有源图案130。此外，缓冲层115可以在第一基底110的表面较不规则时改善第一基底110的表面平整度。根据第一基底110的类型，可以在第一基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。
在示例性实施例中，有源图案130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等中的至少一种。
可以在有源图案130上设置第一绝缘层150。第一绝缘层150可以在发光区域II中覆盖有源图案130，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，可以在整个第一基底110上设置第一绝缘层150。在示例性实施例中，第一绝缘层150可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图4，在其上设置有第一绝缘层150的第一基底110上设置栅电极170和第二绝缘层190。
可以在第一绝缘层150的其下设置有有源图案130的部分上设置栅电极170。在示例性实施例中，栅电极170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
可以在栅电极170上设置第二绝缘层190。第二绝缘层190可以在发光区域II中覆盖栅电极170，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，可以在整个第一基底110上设置第二绝缘层190。在示例性实施例中，第二绝缘层190可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。
参照图5，在其上设置有第二绝缘层190的第一基底110上设置源电极210和漏电极230。
可以在第二绝缘层190上设置源电极210和漏电极230。通过去除第一绝缘层150的一部分和第二绝缘层190的一部分，源电极210可以与有源层130的第一侧接触。通过去除第一绝缘层150的第二部分和第二绝缘层190的第二部分，漏电极230可以与有源层130的第二侧接触。在示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
参照图6，在其上设置有源电极210和漏电极230的第一基底110上设置第三绝缘层270和下电极290。
可以在源电极210和漏电极230上设置第三绝缘层270。第三绝缘层270可以在发光区域II中覆盖源电极210和漏电极230，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，可以在整个第一基底110上设置第三绝缘层270。在示例性实施例中，第三绝缘层270可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。
可以在第三绝缘层270上设置下电极290。通过去除第三绝缘层270的一部分，下电极290可以与漏电极230接触。另外，可以将下电极290电连接到半导体元件250。在示例性实施例中，下电极290可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图7，在其上设置有下电极290的第一基底110上设置像素限定层310、发光层330和上电极340。
可以在第三绝缘层270上设置像素限定层310，以暴露下电极290的一部分。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在这种情况下，可以在下电极290的被像素限定层310暴露的部分上设置发光层330。
可以在暴露的下电极290上设置发光层330。可以利用产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料来设置发光层330。
可以在像素限定层310和发光层330上设置上电极340。上电极340可以在发光区域II和反射区域III中覆盖像素限定层310和发光层330，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。即，可以使上电极340电连接到第一像素至第三像素。在示例性实施例中，上电极340可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。可以单独使用或者以其组合来使用这些材料。
参照图8，在第二基底350上设置感测图案390。
可以在第二基底350的第一表面上设置感测图案390。可以在第一基底110和第二基底350之间设置感测图案390。可以在发光区域II和反射区域III中设置感测图案390。
感测图案390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，感测图案390可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，感测图案390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
第二基底350和第一基底110可以包括基本上相同的材料。在示例性实施例中，第二基底350可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等中的至少一种。
参照图9，在其上设置有感测图案390的第二基底350上设置第四绝缘层385。
第四绝缘层385可以防止感测图案390的氧化。第四绝缘层385可以包括粘合材料。第四绝缘层385可以防止反射图案370和感测图案390从第二基底350分离。第四绝缘层385可以使反射图案370和感测图案390之间绝缘。
参照图10，在第四绝缘层385上设置反射图案370。
可以在反射区域III中设置反射图案370。
反射图案370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，反射图案370可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，反射图案370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
图11是示出图2的反射图案的平面图。图12是示出图2的感测图案的平面图。图13是示出图11的反射图案和图12的感测图案的平面图。
参照图2和图11至图13，示出了反射图案370和感测图案390。
反射图案370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案370被设置为一个图案。
感测图案390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案390可以通过连接线395电连接到感测驱动器(未示出)。连接线395可以包括与感测图案390的材料相同的材料。连接线395可以与感测图案390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，连接线395可以包括与感测图案390不同的材料。
感测图案390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
图14是示出图2的反射图案的平面图。图15是示出图2的感测图案的平面图。图16是示出图14的反射图案和图15的感测图案的平面图。
参照图2和图14至图16，示出了反射图案370和感测图案390。
反射图案370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。反射图案370可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。反射图案370可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
反射图案370可以通过第一连接线375电连接到感测驱动器(未示出)。第一连接线375可以包括与反射图案370的材料相同的材料。第一连接线375可以与反射图案370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线375可以包括与反射图案370不同的材料。
感测图案390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案390可以通过第二连接线395电连接到感测驱动器(未示出)。第二连接线395可以包括与感测图案390的材料相同的材料。第二连接线395可以与感测图案390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线395可以包括与感测图案390不同的材料。
感测图案390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，反射图案370的尺寸可以大于感测图案390的尺寸。在示例性实施例中，例如，反射图案370可以具有与四个感测图案390对应的尺寸。然而，本发明不限于此，反射图案370可以具有各种尺寸。
因为反射图案370设置为较大面积，所以反射图案370可以检测宽范围(例如，与反射图案370的面积对应的范围)的触摸位置。因此，反射图案370感测宽范围的触摸位置，并且在反射图案370感测触摸位置之后，感测图案390感测精准的触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
图17是示出图2的反射图案的平面图。图18是示出图2的感测图案的平面图。图19是示出图17的反射图案和图18的感测图案的平面图。
参照图2和图17至图19，示出了反射图案370和感测图案390。
反射图案370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案370被设置为一个图案。
感测图案390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案390可以通过连接线395电连接到感测驱动器600。连接线395可以包括与感测图案390的材料相同的材料。连接线395可以与感测图案390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，连接线395可以包括与感测图案390不同的材料。
感测图案390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器510，B组感测图案电连接到第二组驱动器520。第一组驱动器510和第二组驱动器520电连接到感测驱动器600。
当触摸信号施加到感测图案390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
图20是示出图2的反射图案的平面图。图21是示出图2的感测图案的平面图。图22是示出图20的反射图案和图21的感测图案的平面图。
参照图2和图20至图22，示出了反射图案370和感测图案390。
反射图案370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案370可以通过第一连接线375电连接到感测驱动器600。第一连接线375可以包括与反射图案370的材料相同的材料。第一连接线375可以与反射图案370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线375可以包括与反射图案370不同的材料。
感测图案390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案390可以通过第二连接线395电连接到感测驱动器600。第二连接线395可以包括与感测图案390的材料相同的材料。第二连接线395可以与感测图案390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线395可以包括与感测图案390不同的材料。
感测图案390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器510，B组感测图案电连接到第二组驱动器520。第一组驱动器510和第二组驱动器520电连接到感测驱动器600。
当触摸信号施加到感测图案390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
当触摸信号施加到感测图案390时，会出现感测图案390和反射图案370之间的电位差。因此，出现感测图案390和反射图案370之间的电容，使得触摸灵敏度会由于感测图案390和反射图案370之间的电容而下降。
然而，在示出的示例性实施例中，当触摸信号施加到感测图案390时，信号与触摸信号相同的信号施加到反射图案370。因此，不会出现感测图案390和反射图案370之间的电位差。因此，未出现感测图案390和反射图案370之间的电容，从而可以防止触摸灵敏度的下降。
图23是示出图2的反射图案的平面图。图24是示出图2的感测图案的平面图。图25是示出图23的反射图案和图24的感测图案的平面图。
参照图2和图23至图25，示出了反射图案370和感测图案390。
反射图案370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案370可以通过第一连接线375电连接到感测驱动器600。第一连接线375可以包括与反射图案370的材料相同的材料。第一连接线375可以与反射图案370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线375可以包括与反射图案370不同的材料。
感测图案390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案390可以通过第二连接线395电连接到感测驱动器600。第二连接线395可以包括与感测图案390的材料相同的材料。第二连接线395可以与感测图案390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线395可以包括与感测图案390不同的材料。
感测图案390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，当接触电导体时，感测图案390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器510，B组的感测图案电连接到第二组驱动器520。第一组驱动器510和第二组驱动器520电连接到感测驱动器600。
当触摸信号施加到感测图案390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
在示出的示例性实施例中，反射图案370被设置为与一组感测图案390对应的尺寸。在示例性实施例中，反射图案370可以具有例如与八个感测图案390对应的尺寸。然而，本发明不限于此，反射图案370可以具有各种尺寸。
当触摸信号施加到感测图案390时，会出现感测图案390和反射图案370之间的电位差。因此，出现感测图案390和反射图案370之间的电容，使得触摸灵敏度会由于感测图案390和反射图案370之间的电容而下降。
然而，在示出的示例性实施例中，当触摸信号施加到感测图案390时，信号与触摸信号相同的信号施加到反射图案370。因此，不会出现感测图案390和反射图案370之间的电位差。因此，未出现感测图案390和反射图案370之间的电容，从而可以防止触摸灵敏度的下降。
图26是示出根据本发明的示例性实施例的OLED装置的平面图。图27是沿着图26的线IV-IV'截取的剖视图。
除了导电粘合构件1400之外，根据示出的示例性实施例的OLED装置与图1和图2的OLED装置基本上相同，因此相似的附图标记用于相同的元件并将省略重复的解释。
参照图26和图27，设置在第二基底1350上的反射图案1370电连接到导电粘合构件1400。导电粘合构件1400可以电连接到设置在第一基底1110上的焊盘(未示出)。
导电粘合构件1400可以包括导电材料。反射图案1370可以通过导电粘合构件1400电连接到设置在第一基底1110上的焊盘(未示出)。因此，不需要额外的柔性印刷电路板(“FPCB”)。
感测图案1390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案1390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。然而，本发明不限于此，反射图案1370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。另外，反射图案1370和感测图案1390均可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。
图28至图35是示出制造图27的OLED装置的方法的剖视图。
参照图28，在第一基底1110上设置缓冲层1115。然后，在缓冲层1115上设置有源图案1130和第一绝缘层1150。
在示例性实施例中，第一基底1110可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等中的至少一种。
可以在第一基底1110上设置缓冲层1115。缓冲层1115可以从发光区域II延伸进反射区域III中。缓冲层1115可以防止金属原子和/或杂质从第一基底1110扩散(例如，排气)。另外，缓冲层1115可以在用于形成有源图案1130的结晶工艺中控制传热速率，从而获得基本上均匀的有源图案1130。此外，缓冲层1115可以在第一基底1110的表面较不规则时改善第一基底1110的表面平整度。根据第一基底1110的类型，可以在第一基底1110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。
在示例性实施例中，有源图案1130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等中的至少一种。
可以在有源图案1130上设置第一绝缘层1150。第一绝缘层1150可以在发光区域II中覆盖有源图案1130，并且可以在第一基底1110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底1110上设置第一绝缘层1150。在示例性实施例中，第一绝缘层1150可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图29，在其上设置有第一绝缘层1150的第一基底1110上设置栅电极1170和第二绝缘层1190。
可以在第一绝缘层1150的其下设置有有源图案1130的部分上设置栅电极1170。在示例性实施例中，栅电极1170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
可以在栅电极1170上设置第二绝缘层1190。第二绝缘层1190可以在发光区域II中覆盖栅电极1170，并且可以在第一基底1110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底1110上设置第二绝缘层1190。在示例性实施例中，第二绝缘层1190可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图30，在其上设置有第二绝缘层1190的第一基底1110上设置源电极1210和漏电极1230。
可以在第二绝缘层1190上设置源电极1210和漏电极1230。通过去除第一绝缘层1150的一部分和第二绝缘层1190的一部分，源电极1210可以与有源层1130的第一侧接触。通过去除第一绝缘层1150的第二部分和第二绝缘层1190的第二部分，漏电极1230可以与有源层1130的第二侧接触。在示例性实施例中，源电极1210和漏电极1230中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图31，在其上设置有源电极1210和漏电极1230的第一基底1110上设置第三绝缘层1270和下电极1290。
可以在源电极1210和漏电极1230上设置第三绝缘层1270。第三绝缘层1270可以在发光区域II中覆盖源电极1210和漏电极1230，并且可以在第一基底1110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底1110上设置第三绝缘层1270。在示例性实施例中，第三绝缘层1270可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
可以在第三绝缘层1270上设置下电极1290。通过去除第三绝缘层1270的一部分，下电极1290可以与漏电极1230接触。另外，下电极1290可以电连接到半导体元件1250。在示例性实施例中，下电极1290可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图32，在其上设置有下电极1290的第一基底1110上设置像素限定层1310、发光层1330和上电极1340。
可以在第三绝缘层1270上设置像素限定层1310，以暴露下电极1290的一部分。像素限定层1310可以包括有机材料或无机材料。在这种情况下，可以在下电极1290的被像素限定层1310暴露的部分上设置发光层1330。
可以在暴露的下电极1290上设置发光层1330。可以利用产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料来设置发光层1330。
可以在像素限定层1310和发光层1330上设置上电极1340。上电极1340可以在发光区域II和反射区域III中覆盖像素限定层1310和发光层1330，并且可以在第一基底1110上沿第一方向延伸。即，上电极1340可以电连接到第一像素至第三像素。在示例性实施例中，上电极1340可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。可以单独使用或者以其组合来使用这些材料。
参照图33，在第二基底1350上设置感测图案1390。
可以在第二基底1350的第一表面上设置感测图案1390。可以在第一基底1110和第二基底1350之间设置感测图案1390。可以在发光区域II和反射区域III中设置感测图案1390。
感测图案1390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案1390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，感测图案1390可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，感测图案1390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
第二基底1350和第一基底1110可以包括基本相同的材料。在示例性实施例中，第二基底1350可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等中的至少一种。
参照图34，在其上设置有感测图案1390的第二基底1350上设置第四绝缘层1385。
第四绝缘层1385可以防止感测图案1390的氧化。第四绝缘层1385可以包括粘合材料。第四绝缘层1385可以防止反射图案1370和感测图案1390从第二基底1350分离。第四绝缘层1385可以使反射图案1370和感测图案1390之间绝缘。
参照图35，在第四绝缘层1385上设置反射图案1370。
可以在反射区域III中设置反射图案1370。
反射图案1370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案1370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，反射图案1370可以包括合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，反射图案1370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
参照图27，反射图案1370利用导电粘合构件1400连接到第一基底1110。
导电粘合构件1400可以包括导电材料。反射图案1370可以通过导电粘合构件1400电连接到设置在第一基底1110上的焊盘(未示出)。因此，不需要额外的FPCB。
图36是示出图27的反射图案的平面图。图37是示出图27的感测图案的平面图。图38是示出图36的反射图案和图37的感测图案的平面图。
参照图27和图36至图38，示出了反射图案1370和感测图案1390。
反射图案1370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案1370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案1370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。反射图案1370可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。反射图案1370可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
反射图案1370可以通过第一连接线1375电连接到感测驱动器(未示出)。第一连接线1375可以包括与反射图案1370的材料相同的材料。第一连接线1375可以与反射图案1370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线1375可以包括与反射图案1370不同的材料。
设置在第二基底1350上的反射图案1370电连接到导电粘合构件1400。导电粘合构件1400可以电连接到设置在第一基底1110上的焊盘(未示出)。
感测图案1390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案1390可以通过第二连接线1395电连接到感测驱动器(未示出)。第二连接线1395可以包括与感测图案1390的材料相同的材料。第二连接线1395可以与感测图案1390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线1395可以包括与感测图案1390不同的材料。
感测图案1390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案1390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案1390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案1390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，反射图案1370的尺寸可以大于感测图案1390的尺寸。在示例性实施例中，例如，反射图案1370可以具有与四个感测图案1390对应的尺寸。然而，本发明不限于此，反射图案1370可以具有各种尺寸。
因为反射图案1370设置为较大面积，所以反射图案1370可以检测宽范围的触摸位置。因此，反射图案1370感测宽范围的触摸位置，并且在反射图案1370感测触摸位置之后，感测图案1390感测精准的触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
图39是示出图27的反射图案的平面图。图40是示出图27的感测图案的平面图。图41是示出图39的反射图案和图40的感测图案的平面图。
参照图27和图39至图41，示出了反射图案1370和感测图案1390。
反射图案1370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案1370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案1370可以通过第一连接线1375电连接到感测驱动器1600。第一连接线1375可以包括与反射图案1370的材料相同的材料。第一连接线1375可以与反射图案1370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线1375可以包括与反射图案1370不同的材料。
设置在第二基底1350上的反射图案1370电连接到导电粘合构件1400。导电粘合构件1400可以电连接到设置在第一基底1110上的焊盘(未示出)。
感测图案1390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案1390可以通过第二连接线1395电连接到感测驱动器1600。第二连接线1395可以包括与感测图案1390的材料相同的材料。第二连接线1395可以与感测图案1390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线1395可以包括与感测图案1390不同的材料。
感测图案1390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案1390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案1390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案1390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案1390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器1510，B组感测图案电连接到第二组驱动器1520。第一组驱动器1510和第二组驱动器1520电连接到感测驱动器1600。
当触摸信号施加到感测图案1390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
当触摸信号施加到感测图案1390时，会出现感测图案1390和反射图案1370之间的电位差。因此，出现感测图案1390和反射图案1370之间的电容，使得触摸灵敏度会由于感测图案1390和反射图案1370之间的电容而下降。
然而，在示出的示例性实施例中，当触摸信号施加到感测图案1390时，信号与触摸信号相同的信号施加到反射图案1370。因此，不会出现感测图案1390和反射图案1370之间的电位差。因此，未出现感测图案1390和反射图案1370之间的电容，从而可以防止触摸灵敏度的下降。
图42是示出图27的反射图案的平面图。图43是示出图27的感测图案的平面图。图44是示出图42的反射图案和图43的感测图案的平面图。
参照图27和图42至图44，示出了反射图案1370和感测图案1390。
反射图案1370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案1370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案1370可以通过第一连接线1375电连接到感测驱动器1600。第一连接线1375可以包括与反射图案1370的材料相同的材料。第一连接线1375可以与反射图案1370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线1375可以包括与反射图案1370不同的材料。
设置在第二基底1350上的反射图案1370电连接到导电粘合构件1400。导电粘合构件1400可以电连接到设置在第一基底1110上的焊盘(未示出)。
感测图案1390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案1390可以通过第二连接线1395电连接到感测驱动器1600。第二连接线1395可以包括与感测图案1390的材料相同的材料。第二连接线1395可以与感测图案1390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线1395可以包括与感测图案1390不同的材料。
感测图案1390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案1390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案1390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案1390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案1390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器1510，B组感测图案电连接到第二组驱动器1520。第一组驱动器1510和第二组驱动器1520电连接到感测驱动器1600。
当触摸信号施加到感测图案1390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
在示例性实施例中，反射图案1370被设置为与一组感测图案1390对应的尺寸。在示例性实施例中，反射图案1370可以具有例如与八个感测图案1390对应的尺寸。然而，本发明不限于此，反射图案1370可以具有各种尺寸。
当触摸信号施加到感测图案1390时，会出现感测图案1390和反射图案1370之间的电位差。因此，出现感测图案1390和反射图案1370之间的电容，使得触摸灵敏度会由于感测图案1390和反射图案1370之间的电容而下降。
然而，在示出的示例性实施例中，当触摸信号施加到感测图案1390时，信号与触摸信号相同的信号施加到反射图案1370。因此，不会出现感测图案1390和反射图案1370之间的电位差。因此，未出现感测图案1390和反射图案1370之间的电容，从而可以防止触摸灵敏度的下降。
图45是示出根据本发明的示例性实施例的OLED装置的平面图。图46是沿着图45的线V-V'截取的剖视图。
除了反射图案2370和接触孔CNT之外，根据示出的示例性实施例的OLED装置与图1和图2的OLED装置基本上相同，因此相似的附图标记用于相同的元件并将省略重复的解释。
参照图45和图46，接触孔CNT设置在第四绝缘层2385中。反射图案2370通过接触孔CNT电连接到感测图案2390。
感测图案2390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案2390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
在平面图中，反射图案2370被设置为与感测图案2390相似的尺寸。反射图案2370通过接触孔CNT电连接到感测图案2390。因此，自电容型触摸屏面板的感测电极可以具有低电阻。
图47至图54是示出制造图46的OLED装置的方法的剖视图。
参照图47，在第一基底2110上设置缓冲层2115。然后，在缓冲层2115上设置有源图案2130和第一绝缘层2150。
在示例性实施例中，第一基底2110可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等中的至少一种。
可以在第一基底2110上设置缓冲层2115。缓冲层2115可以从发光区域II延伸进反射区域III中。缓冲层2115可以防止金属原子和/或杂质从第一基底2110扩散(例如，排气)。另外，缓冲层2115可以在用于形成有源图案2130的结晶工艺中控制传热速率，从而获得基本均匀的有源图案2130。此外，缓冲层2115可以在第一基底2110的表面较不规则时改善第一基底2110的表面平整度。根据第一基底2110的类型，可以在第一基底2110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。
在示例性实施例中，有源图案2130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等中的至少一种。
可以在有源图案2130上设置第一绝缘层2150。第一绝缘层2150可以在发光区域II中覆盖有源图案2130，并且可以在第一基底2110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底2110上设置第一绝缘层2150。在示例性实施例中，第一绝缘层2150可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图48，在其上设置有第一绝缘层2150的第一基底2110上设置栅电极2170和第二绝缘层2190。
可以在第一绝缘层2150的其下设置有有源图案2130的部分上设置栅电极2170。在示例性实施例中，栅电极2170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
可以在栅电极2170上设置第二绝缘层2190。第二绝缘层2190可以在发光区域II中覆盖栅电极2170，并且可以在第一基底2110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底2110上设置第二绝缘层2190。在示例性实施例中，第二绝缘层2190可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图49，在其上设置有第二绝缘层2190的第一基底2110上设置源电极2210和漏电极2230。
可以在第二绝缘层2190上设置源电极2210和漏电极2230。通过去除第一绝缘层2150的一部分和第二绝缘层2190的一部分，源电极2210可以与有源层2130的第一侧接触。通过去除第一绝缘层2150的第二部分和第二绝缘层2190的第二部分，漏电极2230可以与有源层2130的第二侧接触。在示例性实施例中，源电极2210和漏电极2230中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图50，在其上设置有源电极2210和漏电极2230的第一基底2110上设置第三绝缘层2270和下电极2290。
可以在源电极2210和漏电极2230上设置第三绝缘层2270。第三绝缘层2270可以在发光区域II中覆盖源电极2210和漏电极2230，并且可以在第一基底2110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底2110上设置第三绝缘层2270。在示例性实施例中，第三绝缘层2270可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
可以在第三绝缘层2270上设置下电极2290。通过去除第三绝缘层2270的一部分，下电极2290可以与漏电极2230接触。另外，下电极2290可以电连接到半导体元件2250。在示例性实施例中，下电极2290可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图51，在其上设置有下电极2290的第一基底2110上设置像素限定层2310、发光层2330和上电极2340。
可以在第三绝缘层2270上设置像素限定层2310，以暴露下电极2290的一部分。像素限定层2310可以包括有机材料或无机材料。在这种情况下，可以在下电极2290的被像素限定层2310暴露的部分上设置发光层2330。
可以在暴露的下电极2290上设置发光层2330。可以利用产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料来设置发光层2330。
可以在像素限定层2310和发光层2330上设置上电极2340。上电极2340可以在发光区域II和反射区域III中覆盖像素限定层2310和发光层2330，并且可以在第一基底2110上沿第一方向延伸。即，可以使上电极2340电连接到第一像素至第三像素。在示例性实施例中，上电极2340可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。可以单独使用或者以其组合来使用这些材料。
参照图52，在第二基底2350上设置感测图案2390。
可以在第二基底2350的第一表面上设置感测图案2390。可以在第一基底2110和第二基底2350之间设置感测图案2390。可以在发光区域II和反射区域III中设置感测图案2390。
感测图案2390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案2390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，感测图案2390可以包括合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，感测图案2390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
第二基底2350和第一基底2110可以包括基本相同的材料。在示例性实施例中，第二基底2350可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等中的至少一种。
参照图53，在其上设置有感测图案2390的第二基底2350上设置第四绝缘层2385。然后，将第四绝缘层2385图案化以限定接触孔CNT。
第四绝缘层2385可以防止感测图案2390的氧化。第四绝缘层2385可以包括粘合材料。第四绝缘层2385可以防止反射图案2370和感测图案2390从第二基底2350分离。第四绝缘层2385可以使反射图案2370和感测图案2390之间绝缘。
参照图54，在其中限定了接触孔CNT的第四绝缘层2385上设置反射图案2370。
可以在反射区域III中设置反射图案2370。反射图案2370通过接触孔CNT电连接到感测图案2390。因此，自电容型触摸屏面板的感测电极可以具有低电阻。
反射图案2370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案2370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，反射图案2370可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，反射图案2370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
图55是示出图46的反射图案的平面图。图56是示出图46的感测图案的平面图。图57是示出图55的反射图案和图56的感测图案的平面图。
参照图46和图55至图57，示出了反射图案2370和感测图案2390。
反射图案2370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案2370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案2370被设置为一个图案。在平面图中，反射图案2370被设置为与感测图案2390相似的尺寸。
感测图案2390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案2390可以通过连接线2395电连接到感测驱动器(未示出)。连接线2395可以包括与感测图案2390的材料相同的材料。连接线2395可以与感测图案2390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，连接线2395可以包括与感测图案2390不同的材料。
感测图案2390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案2390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案2390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案2390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在平面图中，反射图案2370被设置为与感测图案2390相似的尺寸。反射图案2370通过接触孔CNT电连接到感测图案2390。因此，自电容型触摸屏面板的感测电极可以具有低电阻。
图58是示出根据本发明的示例性实施例的OLED装置的平面图。图59是沿着图58的线VI-VI'截取的剖视图。
除了反射图案3370、薄膜包封层3410、第四绝缘层3420和感测图案3390之外，根据示出的示例性实施例的OLED装置与图1和图2的OLED装置基本上相同，因此相似的附图标记用于相同的元件并将省略重复的解释。
参照图58和图59，薄膜包封层3410设置在上电极3340上。薄膜包封层3410可以通过堆叠(例如，顺序地堆叠)第一无机层、有机层和第二无机层来设置。
在示例性实施例中，有机层可以包括聚合物，并且还可以是包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种的单层或多层(例如，堆叠的层)。在示例性实施例中，有机层也可以包括聚丙烯酸酯，例如，有机层可以包括包含二丙烯酸酯单体或三丙烯酸酯单体的聚合单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。单体组合物还可以包括诸如热塑性聚烯烃(“TPO”)的合适的光引发剂，但不限于此。
第一无机层和第二无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠的层。在示例性实施例中，第一无机层和第二无机层可以包括氮化硅(例如，SiNx)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，SiO2)和氧化钛(例如，TiO2)中的至少一种。在这种情况下，第二无机层可以防止或减少潮气渗入到发光结构中。
感测图案3390设置在薄膜包封层3410上。感测图案3390可以设置在发光区域II和反射区域III中。
感测图案3390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案3390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，感测图案3390可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，感测图案3390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
第四绝缘层3420设置在感测图案3390上。第四绝缘层3420可以包括粘合材料。
反射图案3370设置在第四绝缘层3420上。反射图案3370可以设置在反射区域III中。
反射图案3370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案3370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，反射图案3370可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，反射图案3370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
感测图案3390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案3390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。然而，本发明不限于此，反射图案3370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。另外，反射图案3370和感测图案3390均可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。
图60至图67是示出制造图59的OLED装置的方法的剖视图。
参照图60，在第一基底3110上设置缓冲层3115。然后，在缓冲层3115上设置有源图案3130和第一绝缘层3150。
在示例性实施例中，第一基底3110可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等中的至少一种。
可以在第一基底3110上设置缓冲层3115。缓冲层3115可以从发光区域II延伸进反射区域III中。缓冲层3115可以防止金属原子和/或杂质从第一基底3110扩散(例如，排气)。另外，缓冲层3115可以在用于形成有源图案3130的结晶工艺中控制传热速率，从而获得基本均匀的有源图案3130。此外，缓冲层3115可以在第一基底3110的表面较不规则时改善第一基底3110的表面平整度。根据第一基底3110的类型，可以在第一基底3110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。
在示例性实施例中，有源图案3130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等中的至少一种。
可以在有源图案3130上设置第一绝缘层3150。第一绝缘层3150可以在发光区域II中覆盖有源图案3130，并且可以在第一基底3110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底3110上设置第一绝缘层3150。在示例性实施例中，第一绝缘层3150可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图61，在其上设置有第一绝缘层3150的第一基底3110上设置栅电极3170和第二绝缘层3190。
可以在第一绝缘层3150的其下设置有有源图案3130的部分上设置栅电极3170。在示例性实施例中，栅电极3170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
可以在栅电极3170上设置第二绝缘层3190。第二绝缘层3190可以在发光区域II中覆盖栅电极3170，并且可以在第一基底3110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底3110上设置第二绝缘层3190。在示例性实施例中，第二绝缘层3190可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图62，在其上设置有第二绝缘层3190的第一基底3110上设置源电极3210和漏电极3230。
可以在第二绝缘层3190上设置源电极3210和漏电极3230。通过去除第一绝缘层3150的一部分和第二绝缘层3190的一部分，源电极3210可以与有源层3130的第一侧接触。通过去除第一绝缘层3150的第二部分和第二绝缘层3190的第二部分，漏电极3230可以与有源层3130的第二侧接触。在示例性实施例中，源电极3210和漏电极3230中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图63，在其上设置有源电极3210和漏电极3230的第一基底3110上设置第三绝缘层3270和下电极3290。
可以在源电极3210和漏电极3230上设置第三绝缘层3270。第三绝缘层3270可以在发光区域II中覆盖源电极3210和漏电极3230，并且可以在第一基底3110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底3110上设置第三绝缘层3270。在示例性实施例中，第三绝缘层3270可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
可以在第三绝缘层3270上设置下电极3290。通过去除第三绝缘层3270的一部分，下电极3290可以与漏电极3230接触。另外，可以将下电极3290电连接到半导体元件3250。在示例性实施例中，下电极3290可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图64，在其上设置有下电极3290的第一基底3110上设置像素限定层3310、发光层3330和上电极3340。
可以在第三绝缘层3270上设置像素限定层3310，以暴露下电极3290的一部分。像素限定层3310可以包括有机材料或无机材料。在这种情况下，可以在下电极3290的被像素限定层3310暴露的部分上设置发光层3330。
可以在暴露的下电极3290上设置发光层3330。可以利用产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料来设置发光层3330。
可以在像素限定层3310和发光层3330上设置上电极3340。上电极3340可以在发光区域II和反射区域III中覆盖像素限定层3310和发光层3330，并且可以在第一基底3110上沿第一方向延伸。即，可以使上电极3340电连接到第一像素至第三像素。在示例性实施例中，上电极3340可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。可以单独使用或者以其组合来使用这些材料。
参照图65，在其上设置有上电极3340的第一基底3110上设置薄膜包封层3410。
可以通过堆叠(例如，顺序地堆叠)第一无机层、有机层和第二无机层来设置薄膜包封层3410。
在示例性实施例中，有机层可以包括聚合物，并且还可以是包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种的单层或多层(例如，堆叠的层)。在示例性实施例中，有机层也可以包括聚丙烯酸酯，例如，有机层可以包括包含二丙烯酸酯单体或三丙烯酸酯单体的聚合单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。单体组合物还可以包括诸如TPO的合适的光引发剂，但不限于此。
第一无机层和第二无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠的层。在示例性实施例中，第一无机层和第二无机层可以包括例如氮化硅(例如，SiNx)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，SiO2)和氧化钛(例如，TiO2)中的至少一种。在这种情况下，第二无机层可以防止或减少潮气渗入到发光结构中。
参照图66，在其上设置有薄膜包封层3410的第一基底3110上设置感测图案3390。
可以在发光区域II和反射区域III中设置感测图案3390。
感测图案3390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案3390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，感测图案3390可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，感测图案3390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
参照图67，在其上设置有感测图案3390的第一基底3110上设置第四绝缘层3420。
在感测图案3390上设置第四绝缘层3420。第四绝缘层3420可以防止感测图案3390的氧化。第四绝缘层3420可以包括粘合材料。第四绝缘层3420可以使反射图案3370和感测图案3390之间绝缘。
参照图59，在其上设置了第四绝缘层3420的第一基底3110上设置反射图案3370。
可以在反射区域III中设置反射图案3370。
反射图案3370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案3370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，反射图案3370可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，反射图案3370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
图68是示出图59的反射图案的平面图。图69是示出图59的感测图案的平面图。图70是示出图68的反射图案和图69的感测图案的平面图。
参照图59和图68至图70，示出了反射图案3370和感测图案3390。
反射图案3370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案3370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案3370被设置为一个图案。
感测图案3390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案3390可以通过连接线3395电连接到感测驱动器(未示出)。连接线3395可以包括与感测图案3390的材料相同的材料。连接线3395可以与感测图案3390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，连接线3395可以包括与感测图案3390不同的材料。
感测图案3390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案3390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案3390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案3390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
图71是示出图59的反射图案的平面图。图72是示出图59的感测图案的平面图。图73是示出图71的反射图案和图72的感测图案的平面图。
参照图59和图71至图73，示出了反射图案3370和感测图案3390。
反射图案3370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案3370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案3370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。反射图案3370可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。反射图案3370可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
反射图案3370可以通过第一连接线3375电连接到感测驱动器(未示出)。第一连接线3375可以包括与反射图案3370的材料相同的材料。第一连接线3375可以与反射图案3370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线3375可以包括与反射图案3370不同的材料。
感测图案3390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案3390可以通过第二连接线3395电连接到感测驱动器(未示出)。第二连接线3395可以包括与感测图案3390的材料相同的材料。第二连接线3395可以与感测图案3390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线3395可以包括与感测图案3390不同的材料。
感测图案3390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案3390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案3390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案3390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，反射图案3370的尺寸可以大于感测图案3390的尺寸。在示例性实施例中，反射图案3370可以具有与四个感测图案3390对应的尺寸。然而，本发明不限于此，反射图案3370可以具有各种尺寸。
因为反射图案3370设置为较大面积，所以反射图案3370可以检测宽范围的触摸位置。因此，反射图案3370感测宽范围的触摸位置，并且在反射图案3370感测触摸位置之后，感测图案3390感测精准的触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
图74是示出图59的反射图案的平面图。图75是示出图59的感测图案的平面图。图76是示出图74的反射图案和图75的感测图案的平面图。
参照图59和图74至图76，示出了反射图案3370和感测图案3390。
反射图案3370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案1370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案2370被设置为一个图案。
感测图案3390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案3390可以通过连接线3395电连接到感测驱动器3600。连接线3395可以包括与感测图案3390的材料相同的材料。连接线3395可以与感测图案3390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，连接线3395可以包括与感测图案3390不同的材料。
感测图案3390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案3390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案3390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案3390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案3390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器3510，B组感测图案电连接到第二组驱动器3520。第一组驱动器3510和第二组驱动器3520电连接到感测驱动器3600。
当触摸信号施加到感测图案3390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
图77是示出图59的反射图案的平面图。图78是示出图59的感测图案的平面图。图79是示出图77的反射图案和图78的感测图案的平面图。
参照图59和图77至图79，示出了反射图案3370和感测图案3390。
反射图案3370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案1370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案3370可以通过第一连接线3375电连接到感测驱动器3600。第一连接线3375可以包括与反射图案3370的材料相同的材料。第一连接线3375可以与反射图案3370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线3375可以包括与反射图案3370不同的材料。
感测图案3390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案3390可以通过第二连接线3395电连接到感测驱动器3600。第二连接线3395可以包括与感测图案3390的材料相同的材料。第二连接线3395可以与感测图案3390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线3395可以包括与感测图案3390不同的材料。
感测图案3390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案3390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案3390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案3390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案3390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器3510，B组感测图案电连接到第二组驱动器3520。第一组驱动器3510和第二组驱动器3520电连接到感测驱动器3600。
当触摸信号施加到感测图案3390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
当触摸信号施加到感测图案3390时，会出现感测图案3390和反射图案3370之间的电位差。因此，出现感测图案3390和反射图案3370之间的电容，使得触摸灵敏度会由于感测图案3390和反射图案3370之间的电容而下降。
然而，在示出的示例性实施例中，当触摸信号施加到感测图案3390时，信号与触摸信号相同的信号施加到反射图案3370。因此，不会出现感测图案3390和反射图案3370之间的电位差。因此，未出现感测图案3390和反射图案3370之间的电容，从而可以防止触摸灵敏度的下降。
图83是示出根据本发明的示例性实施例的OLED装置的平面图。图84是沿着图83的线VII-VII'截取的剖视图。
除了反射图案4370、第一薄膜包封层4410、第二薄膜包封层4420和感测图案4390之外，根据示出的示例性实施例的OLED装置与图1和图2的OLED装置基本上相同，因此相似的附图标记用于相同的元件并将省略重复的解释。
参照图83和图84，薄膜包封层设置在上电极4340上。薄膜包封层可以通过堆叠(例如，顺序堆叠)第一无机层、有机层和第二无机层来提供。
在示例性实施例中，有机层可以包括聚合物，并且还可以是包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种的单层或多层(例如，堆叠的层)。在示例性实施例中，有机层也可以包括聚丙烯酸酯，例如，有机层可以包括包含二丙烯酸酯单体或三丙烯酸酯单体的聚合单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。单体组合物还可以包括诸如TPO的合适的光引发剂，但不限于此。
第一无机层和第二无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠的层。在示例性实施例中，第一无机层和第二无机层可以包括例如氮化硅(例如，SiNx)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，SiO2)和氧化钛(例如，TiO2)中的至少一种。在这种情况下，第二无机层可以防止或减少潮气渗入到发光结构中。
在示出的示例性实施例中，薄膜包封层可以包括第一薄膜包封层4410和第二薄膜包封层4420。在示例性实施例中，第一薄膜包封层4410可以具有第一无机层和有机层。第二薄膜包封层4420可以具有第二无机层，但不限于此。
感测图案4390设置在第一薄膜包封层4410上。感测图案4390可以设置在发光区域II和反射区域III中。
感测图案4390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案4390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，感测图案4390可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，感测图案4390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
第二薄膜包封层4420设置在感测图案4390上。反射图案4370设置在第二薄膜包封层4420上。反射图案4370可以设置在反射区域III中。
反射图案4370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案4370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，反射图案4370可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，反射图案4370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
感测图案4390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案4390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。然而，本发明不限于此，反射图案4370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。另外，反射图案4370和感测图案4390均可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。
图85至图92是示出制造图84的OLED装置的方法的剖视图。
参照图85，在第一基底4110上设置缓冲层4115。然后，在缓冲层4115上设置有源图案4130和第一绝缘层4150。
在示例性实施例中，第一基底4110可以包括例如石英、人造石英、氟化钙、掺氟石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等中的至少一种。
可以在第一基底4110上设置缓冲层4115。缓冲层4115可以从发光区域II延伸进反射区域III中。缓冲层4115可以防止金属原子和/或杂质从第一基底4110扩散(例如，排气)。另外，缓冲层4115可以在用于形成有源图案4130的结晶工艺中控制传热速率，从而获得基本均匀的有源图案4130。此外，缓冲层4115可以在第一基底4110的表面较不规则时改善第一基底4110的表面平整度。根据第一基底4110的类型，可以在第一基底4110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。
在示例性实施例中，有源图案4130可以包括例如氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等中的至少一种。
可以在有源图案4130上设置第一绝缘层4150。第一绝缘层4150可以在发光区域II中覆盖有源图案4130，并且可以在第一基底4110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底4110上设置第一绝缘层4150。在示例性实施例中，第一绝缘层4150可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图86，在其上设置有第一绝缘层4150的第一基底4110上设置栅电极4170和第二绝缘层4190。
可以在第一绝缘层4150的其下设置有有源图案4130的部分上设置栅电极4170。在示例性实施例中，栅电极4170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
可以在栅电极4170上设置第二绝缘层4190。第二绝缘层4190可以在发光区域II中覆盖栅电极4170，并且可以在第一基底4110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底4110上设置第二绝缘层4190。在示例性实施例中，第二绝缘层4190可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
参照图87，在其上设置有第二绝缘层4190的第一基底4110上设置源电极4210和漏电极4230。
可以在第二绝缘层4190上设置源电极4210和漏电极4230。通过去除第一绝缘层4150的一部分和第二绝缘层4190的一部分，源电极4210可以与有源层4130的第一侧接触。通过去除第一绝缘层4150的第二部分和第二绝缘层4190的第二部分，漏电极4230可以与有源层4130的第二侧接触。在示例性实施例中，源电极4210和漏电极4230中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图88，在其上设置有源电极4210和漏电极4230的第一基底4110上设置第三绝缘层4270和下电极4290。
可以在源电极4210和漏电极4230上设置第三绝缘层4270。第三绝缘层4270可以在发光区域II中覆盖源电极4210和漏电极4230，并且可以在第一基底4110上沿着第一方向延伸。即，可以在整个第一基底4110上设置第三绝缘层4270。在示例性实施例中，第三绝缘层4270可以包括例如硅化合物、金属氧化物等中的至少一种。
可以在第三绝缘层4270上设置下电极4290。通过去除第三绝缘层4270的一部分，下电极4290可以与漏电极4230接触。另外，下电极4290可以电连接到半导体元件4250。在示例性实施例中，下电极4290可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。
参照图89，在其上设置有下电极4290的第一基底4110上设置像素限定层4310、发光层4330和上电极4340。
可以在第三绝缘层4270上设置像素限定层4310，以暴露下电极4290的一部分。像素限定层4310可以包括有机材料或无机材料。在这种情况下，可以在下电极4290的被像素限定层4310暴露的部分上设置发光层4330。
可以在暴露的下电极4290上设置发光层4330。可以利用产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料来设置发光层4330。
可以在像素限定层4310和发光层4330上设置上电极4340。上电极4340可以在发光区域II和反射区域III中覆盖像素限定层4310和发光层4330，并且可以在第一基底4110上沿第一方向延伸。即，可以使上电极4340电连接到第一像素至第三像素。在示例性实施例中，上电极4340可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的至少一种。可以单独使用或者以其组合来使用这些材料。
参照图90，在其上设置有上电极4340的第一基底4110上设置第一薄膜包封层4410。
在示出的示例性实施例中，薄膜包封层可以包括第一薄膜包封层4410和第二薄膜包封层4420。可以通过堆叠(例如，顺序堆叠)第一无机层、有机层和第二无机层来提供薄膜包封层。
在示例性实施例中，有机层可以包括聚合物，并且还可以是包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种的单层或多层(例如，堆叠的层)。在示例性实施例中，有机层也可以包括聚丙烯酸酯，例如，有机层可以包括包含二丙烯酸酯单体或三丙烯酸酯单体的聚合单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。单体组合物还可以包括诸如TPO的合适的光引发剂，但不限于此。
第一无机层和第二无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠的层。在示例性实施例中，第一无机层和第二无机层可以包括例如氮化硅(例如，SiNx)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，SiO2)和氧化钛(例如，TiO2)中的至少一种。在这种情况下，第二无机层可以防止或减少潮气渗入到发光结构中。
第一薄膜包封层4410可以具有第一无机层。然而，本发明不限于此，第一薄膜包封层4410可以具有第一无机层和有机层。
参照图91，在其上设置有第一薄膜包封层4410的第一基底4110上设置感测图案4390。
可以在发光区域II和反射区域III中设置感测图案4390。
感测图案4390可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，感测图案4390可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，感测图案4390可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，感测图案4390可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
参照图92，在其上设置有感测图案4390的第一基底4110上设置第二薄膜包封层4420。
第二薄膜包封层4420可以具有第二无机层。然而，本发明不限于此，第二薄膜包封层4420可以具有有机层和第二无机层。
根据示出的示例性实施例的薄膜包封层包括第一薄膜包封层4410和第二薄膜包封层4420。另外，在第一薄膜包封层4410和第二薄膜包封层4420之间设置感测图案4390。即，在薄膜包封层中设置感测图案4390。
参照图84，在其上设置有第二薄膜包封层4420的第一基底4110上设置反射图案4370。
可以在反射区域III中设置反射图案4370。
反射图案4370可以包括具有预定的反射率的材料。在示例性实施例中，反射图案4370可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，反射图案4370可以包括例如合金、金属氮化物、导电金属氧化物等中的至少一种。在示例性实施例中，反射图案4370可以包括例如含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、氮化铬(CrNx)、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)等中的至少一种。
图93是示出图84的反射图案的平面图。图94是示出图84的感测图案的平面图。图95是示出图93的反射图案和图94的感测图案的平面图。
参照图84和图93至图95，示出了反射图案4370和感测图案4390。
反射图案4370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案4370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案4370被设置为一个图案。
感测图案4390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案4390可以通过连接线4395电连接到感测驱动器(未示出)。连接线4395可以包括与感测图案4390的材料相同的材料。连接线4395可以与感测图案4390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，连接线4395可以包括与感测图案4390不同的材料。
感测图案4390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案4390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案4390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案4390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
图96是示出图84的反射图案的平面图。图97是示出图84的感测图案的平面图。图98是示出图96的反射图案和图97的感测图案的平面图。
参照图84和图96至图98，示出了反射图案4370和感测图案4390。
反射图案4370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案4370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案4370可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。反射图案4370可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。反射图案4370可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
反射图案4370可以通过第一连接线4375电连接到感测驱动器(未示出)。第一连接线4375可以包括与反射图案4370的材料相同的材料。第一连接线4375可以与反射图案4370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线4375可以包括与反射图案4370不同的材料。
感测图案4390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案4390可以通过第二连接线4395电连接到感测驱动器(未示出)。第二连接线4395可以包括与感测图案4390的材料相同的材料。第二连接线4395可以与感测图案4390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线4395可以包括与感测图案4390不同的材料。
感测图案4390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案4390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案4390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案4390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，反射图案4370的尺寸可以大于感测图案4390的尺寸。在示例性实施例中，例如，反射图案4370可以具有与四个感测图案4390对应的尺寸。然而，本发明不限于此，反射图案4370可以具有各种尺寸。
因为反射图案4370设置为较大面积，所以反射图案4370可以检测宽范围的触摸位置。因此，反射图案4370感测宽范围的触摸位置，并且在反射图案4370感测触摸位置之后，感测图案4390感测精准的触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
图99是示出图84的反射图案的平面图。图100是示出图84的感测图案的平面图。图101是示出图99的反射图案和图100的感测图案的平面图。
参照图84和图99至图101，示出了反射图案4370和感测图案4390。
反射图案4370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案4370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案4370被设置为一个图案。
感测图案4390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案4390可以通过连接线4395电连接到感测驱动器4600。连接线4395可以包括与感测图案4390的材料相同的材料。连接线4395可以与感测图案4390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，连接线4395可以包括与感测图案4390不同的材料。
感测图案4390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案4390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案4390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案4390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案4390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器4510，B组感测图案电连接到第二组驱动器4520。第一组驱动器4510和第二组驱动器4520电连接到感测驱动器4600。
当触摸信号施加到感测图案4390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
图102是示出图84的反射图案的平面图。图103是示出图84的感测图案的平面图。图104是示出图102的反射图案和图103的感测图案的平面图。
参照图84和图102至图104，示出了反射图案4370和感测图案4390。
反射图案4370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案4370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案4370可以通过第一连接线4375电连接到感测驱动器4600。第一连接线4375可以包括与反射图案4370的材料相同的材料。第一连接线4375可以与反射图案4370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线4375可以包括与反射图案4370不同的材料。
感测图案4390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案4390可以通过第二连接线4395电连接到感测驱动器4600。第二连接线4395可以包括与感测图案4390的材料相同的材料。第二连接线4395可以与感测图案4390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线4395可以包括与感测图案4390不同的材料。
感测图案4390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案4390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案4390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案4390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案4390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器4510，B组感测图案电连接到第二组驱动器4520。第一组驱动器4510和第二组驱动器4520电连接到感测驱动器4600。
当触摸信号施加到感测图案4390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
当触摸信号施加到感测图案4390时，会出现感测图案4390和反射图案4370之间的电位差。因此，出现感测图案4390和反射图案4370之间的电容，使得触摸灵敏度会由于感测图案4390和反射图案4370之间的电容而下降。
然而，在示出的示例性实施例中，当触摸信号施加到感测图案4390时，信号与触摸信号相同的信号施加到反射图案4370。因此，不会出现感测图案4390和反射图案4370之间的电位差。因此，未出现感测图案4390和反射图案4370之间的电容，从而可以防止触摸灵敏度的下降。
图105是示出图84的反射图案的平面图。图106是示出图84的感测图案的平面图。图107是示出图105的反射图案和图106的感测图案的平面图。
参照图84和图105至图107，示出了反射图案4370和感测图案4390。
反射图案4370仅设置在反射区域III中。因此，反射图案4370未设置在设置了像素60、70和80的区域中。反射图案4370可以通过第一连接线4375电连接到感测驱动器4600。第一连接线4375可以包括与反射图案4370的材料相同的材料。第一连接线4375可以与反射图案4370设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第一连接线4375可以包括与反射图案4370不同的材料。
感测图案4390设置在发光区域II和反射区域III中。感测图案4390可以通过第二连接线4395电连接到感测驱动器4600。第二连接线4395可以包括与感测图案4390的材料相同的材料。第二连接线4395可以与感测图案4390设置在同一层上。然而，本发明不限于此，第二连接线4395可以包括与感测图案4390不同的材料。
感测图案4390可以用作自电容型触摸屏面板的感测电极。在示例性实施例中，例如，当接触电导体时，感测图案4390的围绕触摸位置的电容被改变。因此，触摸面板传感器(未示出)可以基于与电容的改变对应的电容感测信号来判定触摸位置。
感测图案4390可以具有与预定数量的单位像素Px对应的尺寸。感测图案4390可以根据显示装置的尺寸具有适当的尺寸。
在示出的示例性实施例中，感测图案4390被分类为包括预定数量的感测图案的多个感测组。在示例性实施例中，例如，A组感测图案电连接到第一组驱动器4510，B组感测图案电连接到第二组驱动器4520。第一组驱动器4510和第二组驱动器4520电连接到感测驱动器4600。
当触摸信号施加到感测图案4390时，检测施加了触摸信号的感测组，并检测在施加了触摸信号的感测组中的精准触摸位置。因此，可以执行触摸屏面板的高速驱动。
在示例性实施例中，反射图案4370被设置为与一组感测图案4390对应的尺寸。在示例性实施例中，反射图案4370可以具有例如与八个感测图案4390对应的尺寸。然而，本发明不限于此，反射图案4370可以具有各种尺寸。
当触摸信号施加到感测图案4390时，会出现感测图案4390和反射图案4370之间的电位差。因此，出现感测图案4390和反射图案4370之间的电容，使得触摸灵敏度会由于感测图案4390和反射图案4370之间的电容而下降。
然而，在示出的示例性实施例中，当触摸信号施加到感测图案4390时，信号与触摸信号相同的信号施加到反射图案4370。因此，不会出现感测图案4390和反射图案4370之间的电位差。因此，未出现感测图案4390和反射图案4370之间的电容，从而可以防止触摸灵敏度的下降。
根据示例性实施例，OLED装置包括具有镜子功能和触摸功能的反射构件。因此，可以省略用于形成具有触摸功能的电极层的额外工艺。这样，可以减少制造成本。
另外，OLED装置包括设置在反射区域中的第一反射构件以及设置在发光区域和反射区域中的第二反射构件。因此，可以减少在第一反射构件的边缘处发生的漫反射。
另外，OLED装置包括薄膜包封层。因此，可以制造具有镜子功能和触摸功能的柔性OLED装置。
上述内容是对本发明的举例说明，而不应被解释成对本发明的限制。虽然已经描述了本发明的一些示例性实施例，但是本领域技术人员将容易地认识到，在实质上不脱离本发明的新颖的教导和优点的情况下，可对示例性实施例做出许多改变。因此，所有这样的改变意图被包括在如权利要求书中限定的本发明的范围内。在权利要求中，装置加功能的项意在覆盖在这里被描述为执行所述功能的结构，并且不仅覆盖结构等同物，而且覆盖等同的结构。因此，将理解的是，前面的叙述是对本发明的举例说明而不被解释为限于公开的特定示例性实施例，对公开的示例性实施例的修改以及其它示例性实施例意图包括在权利要求的范围内。本发明由权利要求和包括在其中的权利要求的等同物所限定。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底，包括发光区域和反射区域；
多个感测图案，设置在与所述发光区域和所述反射区域对应的区域中，并且包括具有第一反射率的材料；以及
反射图案，设置在与所述反射区域对应的区域中，包括具有第二反射率的材料，并且与所述多个感测图案叠置，
其中，所述多个感测图案减少在所述反射图案的边缘处发生的漫反射以与所述反射图案共同实现镜子功能和触摸功能。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
多条连接线，连接到所述多个感测图案；
感测驱动器，连接到所述多条连接线；以及
对向基底，面对所述基底，
其中，所述多个感测图案设置在所述对向基底的第一表面上，所述多个感测图案设置在所述基底和所述对向基底之间，所述反射图案设置在所述多个感测图案上，
所述有机发光显示装置还包括：
绝缘层，设置在所述多个感测图案和所述反射图案之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述反射图案通过导电粘合构件电连接到所述基底。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
多条连接线，连接到所述多个感测图案；
感测驱动器，连接到所述多条连接线；以及
薄膜包封层，设置在所述基底上，
其中，所述多个感测图案设置在所述薄膜包封层上，所述反射图案设置在所述多个感测图案上，
所述有机发光显示装置还包括：
绝缘层，设置在所述多个感测图案和所述反射图案之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
多条连接线，连接到所述多个感测图案；
感测驱动器，连接到所述多条连接线；以及
第一薄膜包封层，设置在所述基底上，
其中，所述多个感测图案设置在所述第一薄膜包封层上，所述反射图案设置在所述多个感测图案上，
所述有机发光显示装置还包括：
第二薄膜包封层，设置在所述多个感测图案和所述反射图案之间。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述多个感测图案被分类为包括所述多个感测图案中的预定数量的感测图案的多个感测组，
当触摸信号施加到所述多个感测图案时，检测所述多个感测组中的施加了所述触摸信号的感测组，并且检测在施加了所述触摸信号的所述感测组中的精准触摸位置。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，当所述触摸信号施加到所述感测组时，信号与所述触摸信号相同的信号施加到所述反射图案。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述反射图案包括具有与所述多个感测组中的一个感测组的面积对应的面积的多个子反射图案，
当所述触摸信号施加到所述感测组时，信号与所述触摸信号相同的信号被施加到所述多个子反射图案中的与施加了所述触摸信号的所述感测组叠置的子反射图案。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述反射图案包括具有与所述多个感测图案中的预定数量的感测图案的面积对应的面积的多个子反射图案，
其中，所述多个子反射图案中的子反射图案感测宽范围的触摸位置，并且在所述子反射图案感测所述触摸位置之后，所述感测图案感测精准的触摸位置。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述反射图案包括具有与一个感测图案的面积对应的面积的多个子反射图案，
其中，所述多个子反射图案的一个子反射图案电连接到一个感测图案。
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