TWI824094B - 被加工物的加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種即使在切割道內存在有反射率不同的素材的情況下，仍然可將高度方向的加工位置均一地形成之被加工物的加工方法。 [解決手段]一種被加工物的加工方法，包含保持步驟、高度位置檢測步驟、改質層形成步驟及分割步驟。高度位置檢測步驟是以下之步驟：在保持步驟之後，一邊使工作夾台與高度位置檢測單元相對地移動一邊對被加工物照射測定用雷射光束，並利用自被加工物之背面反射之反射光來檢測被加工物的高度位置。在高度位置檢測步驟中，是避開切割道內之埋設有柱狀導體電極的區域來照射測定用雷射光束。

Description

被加工物的加工方法
發明領域
本發明是有關於一種被加工物的加工方法，特別是有關於一種將切割道(street)內具備有柱狀導體電極的被加工物沿著分割預定線來分割之被加工物的加工方法。
發明背景
為了將對被加工物的高度方向的加工位置形成得較均一，已知有以下之技術：對被加工物照射測定用雷射光束來檢測被加工物之正面的高度，且依據此檢測出的高度，來對被加工物照射加工用雷射光束而進行加工(參照例如專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2005-193286號公報
發明概要
在專利文獻1所記載的方法中，在區劃被加工物的切割道內存在金屬等的情況下，因為測定用雷射光束在被加 工物的切割道內具有金屬等的區域與沒有金屬等的區域之反射率不同，所以有以下之問題：無法測定設置於切割道內之分割預定線中的正確的被加工物之正面的高度。因此，在專利文獻1所記載的方法中，有如以下之問題：無法進行讓高度方向的加工位置均一之被加工物的加工。
據此，本發明之目的在於提供一種即使在切割道內存在有反射率不同的素材的情況下，仍然可將高度方向之加工位置均一地形成之被加工物的加工方法。
根據本發明，可提供一種被加工物的加工方法，該被加工物的加工方法是沿著分割預定線分割被加工物，該被加工物在藉由設定於正面之複數條切割道所區劃出的各區域中具有器件，且在該切割道內包含從基板之正面側貫通到背面側而形成的柱狀導體電極，該被加工物的加工方法具備以下步驟：保持步驟，以工作夾台保持該被加工物之正面側；高度位置檢測步驟，在該保持步驟之後，一邊使該工作夾台與高度位置檢測單元相對地移動，一邊對該被加工物照射測定用雷射光束，而利用自該被加工物之背面反射之反射光來檢測被加工物的高度位置；改質層形成步驟，依據在該高度位置檢測步驟中所檢測出的高度，來將對該被加工物具有穿透性之波長的加工用雷射光束的聚光點定位在該被加工物的內部，並一邊使該工作夾台與雷射光束照射單元相對地移動一邊沿著該分 割預定線照射該加工用雷射光束而於該被加工物形成改質層；及分割步驟，對在該改質層形成步驟中所形成的改質層賦與外力來分割該被加工物，在該高度位置檢測步驟中，是避開該切割道內之埋設有柱狀導體電極的區域來照射測定用雷射光束。
較佳的是，被加工物的加工方法更具備膠帶貼附步驟，該膠帶貼附步驟是於該被加工物之背面側貼附膠帶，並且隔著該膠帶來照射對該被加工物具有穿透性之波長的加工用雷射光束，而在該被加工物的內部形成改質層。
本申請案之發明的被加工物的加工方法會發揮以下之效果：即使在切割道內存在有反射率不同的素材的情況下，仍然可以將高度方向之加工位置均一地形成。
10、61:工作夾台
11、62:保持面
12:水平方向移動機構
20:位置檢測裝置
21:高度位置檢測單元
22:測定用雷射光束
25、35:拍攝機構
30:改質層形成裝置
31:雷射光束照射單元
32:加工用雷射光束
50:控制單元
60:磨削裝置
63:磨削單元
64:磨削磨石
70:分割裝置
71:框架固定單元
72:擴張單元
100:被加工物
101:基板
102:基板(被加工物)之正面
103:切割道
104:器件
105:分割預定線
106:基板(被加工物)之背面
107:柱狀導體電極
108:器件之正面
110:保護構件
120:位置檢測線
121:移位距離
130:聚光點
140:改質層
150:擴展片材
160:環狀框架
170:環狀區域
180:間隙
V、VII:區域
X、Y、Z:方向
ST1:保持步驟
ST2:高度位置檢測步驟
ST3:改質層形成步驟
ST4:磨削步驟
ST5:分割步驟
ST10:膠帶貼附步驟
圖1是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法之加工對象的被加工物之一例的立體圖。
圖2是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法之加工對象的被加工物之一例的截面圖。
圖3是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法的流程的流程圖。
圖4是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的高度位置檢測步驟的截面圖。
圖5為將圖4之主要部位放大的放大圖。
圖6是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的改質層形成步驟的截面圖。
圖7是將圖6之主要部位放大的放大圖。
圖8是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的磨削步驟的截面圖。
圖9是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的分割步驟的分割前之狀態的截面圖。
圖10是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的分割步驟的分割後之狀態的截面圖。
圖11是顯示第2實施形態之被加工物的加工方法的流程的流程圖。
圖12是顯示圖11所示之被加工物的加工方法的膠帶貼附步驟的立體圖。
圖13是顯示圖11所示之被加工物的加工方法的高度位置檢測步驟的截面圖。
圖14是顯示圖11所示之被加工物的加工方法的改質層形成步驟的立體圖。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明的實施形態，一邊參照圖式一邊詳細地進行說明。本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而受到限定之發明。又，在以下所記載之構成要件中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可以輕易地設想得到 的或實質上是相同的構成要件。此外，以下所記載之構成是可適當組合的。又，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可以進行各種構成的省略、置換或變更。
[第1實施形態]
依據圖式來說明本發明之第1實施形態的被加工物的加工方法。圖1是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法之加工對象的被加工物之一例的立體圖。圖2是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法之加工對象的被加工物之一例的截面圖。
第1實施形態之被加工物的加工方法是圖1及圖2所示之被加工物100的加工方法。如圖1及圖2所示，被加工物100是以矽、藍寶石、鎵等作為基板101之圓板狀的半導體晶圓或光器件晶圓。被加工物100在藉由設定於基板101之正面102的複數條切割道103而被區劃成格子狀的各區域中具有器件104。被加工物100是沿著於各切割道103順沿而設定之分割預定線105而被分割，並分割成一個個的器件104。在本實施形態中，分割預定線105是設定在切割道103的寬度方向中央。
被加工物100於切割道103內的分割預定線105上具備從基板101之正面102側貫通到背面106側而形成的柱狀導體電極107。柱狀導體電極107的素材為金屬材料，而具有與基板101的素材之光反射率不同的光反射率。柱狀導體電極107之素材的光反射率在本實施形態中雖然比基板101之素材的光反射率更大，但本發明並不限 定於此，亦可比基板101之素材的光反射率更小。
在第1實施形態中，被加工物100是採用以下之形態作為較理想的形態：基板101為具有750μm左右之厚度的矽晶圓，且各切割道103具有80μm左右的線寬，器件104具有10mm左右×5mm左右的大小，用於配設貫通於基板101而形成之柱狀導體電極107的貫通孔具有20μm左右之通孔(Via)孔徑。再者，被加工物100的基板101的材質只要是構成柱狀導體電極107的金屬材料以外即可，並無特別限制，也可以將例如以陶瓷、樹脂、構成柱狀導體電極107之金屬材料以外的金屬等材料所形成之任意的形狀的基板101使用作為被加工物100。對於被加工物100的基板101的形狀、構造、大小等並無限制。又，對於器件104的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等也無限制。又，對構成柱狀導體電極107之金屬材料的種類、柱狀導體電極107的數量、形狀、構造、大小、配置等也未限制。此外，亦可設成以下構成：於被加工物100之基板101之正面102使用作為構成功能層之層間絕緣膜之也稱為Low-k膜的低介電常數絕緣體被膜，並將低介電常數絕緣體被膜與形成電路之導電體膜交互地積層來形成器件104。
圖3是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法的流程的流程圖。如圖3所示，第1實施形態之被加工物的加工方法包含保持步驟ST1、高度位置檢測步驟ST2、改質層形成步驟ST3、磨削步驟ST4及分割步驟ST5。
(保持步驟)
保持步驟ST1是以後述的工作夾台10(參照圖4)保持被加工物100之正面102側之步驟。
在保持步驟ST1中，首先是藉由將保護構件110(參照圖4)配設於被加工物100之正面102側，以保護被加工物100之正面102側，並形成為可隔著保護構件110以工作夾台10保持被加工物100之正面102側之狀態。在保持步驟ST1中，作為保護構件110，可使用可貼附在被加工物100之器件104之正面108側的黏著膠帶、或覆蓋被加工物100之正面102側的樹脂成形材料等。
在保持步驟ST1中，接著是使配設有保護構件110之被加工物100之正面102側保持在工作夾台10，其中前述工作夾台10具備在高度位置檢測步驟ST2中使用之位置檢測裝置20(參照圖4)。在保持步驟ST1中，是例如將被加工物100的保護構件110側朝向工作夾台10的保持面11來載置，且藉由以連接於工作夾台10的保持面11之未圖示的吸引源來進行吸引，而以工作夾台10的保持面11進行吸引保持。
(高度位置檢測步驟)
圖4是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的高度位置檢測步驟的截面圖。圖5是將圖4之主要部位放大的放大圖。圖5是將圖4之區域V放大的放大圖。如圖4及圖5所示，高度位置檢測步驟ST2是在保持步驟ST1之後，一邊使工作夾台10與高度位置檢測單元21相對地移動一邊對被加 工物100照射測定用雷射光束22，並利用自被加工物100之背面106反射之反射光來檢測被加工物100的高度位置之步驟。在高度位置檢測步驟ST2中，是避開切割道103內之埋設有柱狀導體電極107的區域來照射測定用雷射光束22。
如圖4所示，在高度位置檢測步驟ST2中使用的位置檢測裝置20具備以保持面11保持被加工物100的工作夾台10、高度位置檢測單元21、拍攝機構25、及控制各部分的控制單元50。工作夾台10具備有水平方向移動機構12，並藉由水平方向移動機構12而在X軸方向及Y軸方向上移動自如地設置。高度位置檢測單元21具備例如未圖示之測定用雷射光源、預定的光學系統及受光元件。又，高度位置檢測單元21是藉由圖未示之鉛直方向移動機構而在鉛直方向即Z軸方向上移動自如地設置，且可以藉由鉛直方向移動機構來調整測定用雷射光束22之聚光點的高度位置。
高度位置檢測單元21是藉由測定用雷射光源，而透過預定的光學系統，如圖4及圖5所示地照射對被加工物100具有反射性之波長的測定用雷射光束22。高度位置檢測單元21是藉由預定的光學系統，而將測定用雷射光束22的光斑直徑調整到10μm以上且50μm以下左右。高度位置檢測單元21是藉由受光元件來檢測自被加工物100之背面106反射之反射光。高度位置檢測單元21是藉由控制單元50，而依據自照射測定用雷射光束22起到檢測到 反射光為止的時間來檢測被加工物100之背面106的高度位置。
拍攝機構25是對保持於工作夾台10之被加工物100之正面102側進行拍攝的機構。拍攝機構25雖然可為例如紅外線相機，但本發明並非限定於此，也可以使用其他的拍攝機器。拍攝機構25是相對於保持在工作夾台10之被加工物100，藉由未圖示之鉛直方向移動機構而與高度位置檢測單元21一體地在Z軸方向上移動自如地設置。拍攝機構25可得到用於完成校準的被加工物100之正面102側的圖像，並將所得到的圖像輸出至控制單元50，其中前述校準是進行保持於工作夾台10之被加工物100與高度位置檢測單元21之對位。於拍攝機構25所獲得之被加工物100之正面102的圖像中，包含有被加工物100中的柱狀導體電極107的埋設位置資訊。
控制單元50是控制在本實施形態之被加工物的加工方法中使用的各裝置的各部分，並使各裝置實施有關於本實施形態之被加工物的加工方法的動作之單元。再者，控制單元50包含電腦系統(computer system)。控制單元50具有運算處理裝置、儲存裝置及輸入輸出介面裝置，前述運算處理裝置具有如CPU(中央處理單元，central processing unit)的微處理器，前述儲存裝置具有如ROM(唯讀記憶體，read only memory)或RAM(隨機存取記憶體，random access memory)之記憶體。控制單元50的運算處理裝置是依照儲存於儲存裝置的電腦程式來實施 運算處理，並透過輸入輸出介面裝置來將用於控制各裝置的控制訊號輸出至各裝置的上述之構成要件。又，控制單元50是與未圖示之顯示機構、及輸入機構相連接，前述顯示機構是藉由顯示有關於本實施形態之被加工物的加工方法的動作之狀態或圖像等的液晶顯示裝置等所構成，前述輸入機構是供操作人員登錄有關於本實施形態之被加工物的加工方法的動作之資訊等之時使用。輸入機構是藉由設置於顯示機構的觸控面板、鍵盤等之中的至少一種所構成。
在高度位置檢測步驟ST2中，具體而言，首先是控制單元50藉由拍攝機構25拍攝被加工物100來完成校準，而取得包含於被加工物100的圖像之被加工物100中的柱狀導體電極107的埋設位置資訊，其中前述校準是進行保持於工作夾台10的被加工物100與高度位置檢測單元21的對位。
在高度位置檢測步驟ST2中，接著是控制單元50依據透過拍攝機構25所取得的被加工物100中的柱狀導體電極107的埋設位置資訊，而按每條分割預定線105如圖4及圖5所示地設定已避開切割道103內之柱狀導體電極107的埋設區域之位置檢測線120。
再者，在高度位置檢測步驟ST2中，在本實施形態中，是在與分割預定線105的延伸方向正交的面內方向上避開柱狀導體電極107的埋設區域，而沿著分割預定線105的延伸方向設定位置檢測線120。在圖4所示的例子中，是在沿著於X軸方向上延伸的分割預定線105檢測高 度位置的情況下，朝Y軸方向避開柱狀導體電極107的埋設區域而沿著X軸方向設定位置檢測線120。又，在高度位置檢測步驟ST2中，在本實施形態中，是將避開柱狀導體電極107的埋設區域之移位距離121，決定為比柱狀導體電極107的通孔(Via)孔徑與測定用雷射光束22的光斑直徑之和更大且小於分割預定線105的線寬的一半之預定的距離。再者，Y軸方向的移位距離121並非限定於此態樣，可以採用不使測定用雷射光束22受到由柱狀導體電極107所造成之反射的影響，而可正確地測定被加工物100之背面106的高度位置之任意的距離。
在高度位置檢測步驟ST2中，位置檢測線120雖然在本實施形態中，是使分割預定線105之整體朝Y軸方向平行移動了相當於移位距離121之切割道103內的直線，但在本發明中並非限定於此，亦可採用例如折線，前述折線是僅在分割預定線105與柱狀導體電極107的埋設區域相碰的部分使其平行移動相當於移位距離121而成之線。
在高度位置檢測步驟ST2中，接著，控制單元50藉由水平方向移動機構12使工作夾台10與高度位置檢測單元21，沿著按每條分割預定線105而設定之位置檢測線120在水平方向上相對地移動。在圖4所示的例子中，是沿著在X軸方向上延伸的位置檢測線120，使工作夾台10與高度位置檢測單元21在X軸方向上相對地移動。在高度位置檢測步驟ST2中，是與此相對移動並行而讓控制單 元50藉由高度位置檢測單元21對保持在工作夾台10的被加工物100照射測定用雷射光束22，並利用自被加工物100之背面106反射的反射光來檢測被加工物100之背面106的高度位置。在高度位置檢測步驟ST2中，是像這樣使控制單元50沿著按每條分割預定線105而設定之位置檢測線120，來檢測被加工物100之背面106的高度位置。
在高度位置檢測步驟ST2中，然後是使控制單元50實行以下之處理：將沿著按每條分割預定線105而設定之位置檢測線120所檢測出的被加工物100之背面106的高度位置，視為沿著分割預定線105所檢測出的被加工物100之背面106的高度位置，藉此取得沿著分割預定線105之被加工物100之背面106的高度位置之資訊。
(改質層形成步驟)
圖6是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的改質層形成步驟的截面圖。圖7是將圖6之主要部位放大的放大圖。圖7為將圖6之區域VII放大的放大圖。如圖6及圖7所示，改質層形成步驟ST3是依據在高度位置檢測步驟ST2中所檢測出的高度來將對被加工物100具有穿透性之波長的加工用雷射光束32的聚光點130定位在被加工物100的內部，且一邊使工作夾台10與雷射光束照射單元31相對地移動一邊沿著分割預定線105照射加工用雷射光束32而於被加工物100形成改質層140(參照圖8)之步驟。
如圖6所示，在改質層形成步驟ST3中使用的改質層形成裝置30具備以保持面11保持被加工物100之工 作夾台10、雷射光束照射單元31、拍攝機構35、及控制各部分的控制單元50。因為工作夾台10及控制單元50在本實施形態中是與位置檢測裝置20共通，所以附上相同符號而省略說明。雷射光束照射單元31具備例如未圖示之加工用雷射光源、及預定的光學系統。又，雷射光束照射單元31是藉由未圖示之鉛直方向移動機構而在鉛直方向即Z軸方向上移動自如地設置，且可以藉由鉛直方向移動機構來調整加工用雷射光束32的聚光點130的高度位置。
雷射光束照射單元31是藉由加工用雷射光源，並透過預定的光學系統，而如圖6及圖7所示，照射對被加工物100具有穿透性之波長的加工用雷射光束32。雷射光束照射單元31是藉由預定之光學系統，而使加工用雷射光束32聚光於聚光點130，且將加工用雷射光束32的光斑直徑調整為10μm以上且50μm以下左右。在本實施形態中，雷射光束照射單元31是受到控制單元50所控制，並作為加工用雷射光束32而射出重複頻率為60kHz左右，且平均輸出為0.8W以上且1.2W以下左右之脈衝雷射光束。
拍攝機構35是拍攝保持於工作夾台10之被加工物100的機構。拍攝機構35是相對於保持於工作夾台10之被加工物100，藉由未圖示之鉛直方向移動機構與雷射光束照射單元31一體地在Z軸方向上移動自如地設置。拍攝機構35可得到用於完成校準的被加工物100的圖像，並將所得到的圖像輸出至控制單元50，其中前述校準是進行保持於工作夾台10之被加工物100與雷射光束照射單元 31之對位。於拍攝機構35所獲得之被加工物100的圖像中，包含有被加工物100中的柱狀導體電極107的埋設位置資訊。
再者，位置檢測裝置20的高度位置檢測單元21、及改質層形成裝置30的雷射光束照射單元31，在本實施形態中雖然是各自不同的單元，但本發明並非受限於此，亦可採用具備測定用雷射光源與加工用雷射光源之雙方而一體化的雷射照射單元來取代這些單元。又，在採用具備測定用雷射光源與加工用雷射光源之雙方而形成一體化的雷射照射單元的情況下，是將位置檢測裝置20的拍攝機構25與改質層形成裝置30的拍攝機構35設為共通的拍攝機構。
在改質層形成步驟ST3中，具體而言，首先是控制單元50藉由拍攝機構35拍攝被加工物100來完成校準，其中前述校準是進行保持於工作夾台10的被加工物100與雷射光束照射單元31的對位。
在改質層形成步驟ST3中，接著，控制單元50是按每條分割預定線105，根據在高度位置檢測步驟ST2中所檢測出的被加工物100之背面106的高度位置的資訊，一邊藉由未圖示之鉛直方向移動機構將加工用雷射光束32的聚光點130維持在被加工物100之內部的預定深度的狀態，一邊藉由水平方向移動機構12使脈衝狀的加工用雷射光束32的照射位置沿著分割預定線105在X軸方向上移動。
在改質層形成步驟ST3中，然後，控制單元50針對被加工物100的全部的分割預定線105，在本實施形態中，是將加工用雷射光束32的聚光點130定位在被加工物100的內部的第1預定深度、第2預定深度及第3預定深度，來照射合計3次的加工用雷射光束32，藉此形成改質層140。再者，改質層形成步驟ST3中的加工用雷射光束32的照射次數，並非限定於上述之態樣的3次，而是可以因應於被加工物100的厚度及加工用雷射光束32的照射條件等來適當變更。
在改質層形成步驟ST3中，並不是沿著在高度位置檢測步驟ST2中所設定的位置檢測線120，而是沿著分割預定線105來橫切分割預定線105上之形成有柱狀導體電極107的區域，而形成改質層140。
(磨削步驟)
圖8是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的磨削步驟的截面圖。如圖8所示，磨削步驟ST4是藉由磨削被加工物100之背面106，來將被加工物100之背面106側之未形成有改質層140的部分去除之步驟。再者，在本實施形態中，因為是採用SDBG(隱形切割後研磨，Stealth Dicing Before Grinding)製程，所以磨削步驟ST4是在改質層形成步驟ST3中形成改質層140之後，且在分割步驟ST5中分割被加工物100之前實行。
如圖8所示，在磨削步驟ST4中使用的磨削裝置60具備以保持面62吸引保持被加工物100的工作夾台 61、裝設有磨削磨石64的磨削單元63、以及控制各部分之未圖示的控制單元。
在磨削步驟ST4中，具體來說，磨削裝置60首先是以工作夾台61的保持面62隔著保護構件110吸引保持形成有改質層140之被加工物100之正面102側。在磨削步驟ST4中，是使磨削裝置60接著如圖8所示，藉由磨削單元63旋轉磨削磨石64並且一邊將工作夾台61繞著軸心旋轉一邊供給磨削水，並且使磨削磨石64以預定的進給速度接近於工作夾台61，藉此以磨削磨石64磨削被加工物100之背面106。在此，在磨削步驟ST4中，首先是使用具有比精磨削用的磨石更大的磨粒之粗磨削用的磨石來作為磨削磨石64進行粗磨削，接著，使用精磨削用的磨石作為磨削磨石64來進行精磨削。
(分割步驟)
圖9是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的分割步驟的分割前的狀態的截面圖。圖10是顯示圖3所示之被加工物的加工方法的分割步驟的分割後的狀態的截面圖。如圖9及圖10所示，分割步驟ST5是對在改質層形成步驟ST3中所形成之改質層140賦與外力來分割被加工物100之步驟。
如圖9及圖10所示，在分割步驟ST5中使用的分割裝置70是以下之裝置：將貼附於被加工物100之背面106的擴展片材150擴張，而將形成有改質層140的被加工物100沿著分割預定線105來分割成一個個的器件104。 再者，擴展片材150是具有伸縮性的片材，且具備以合成樹脂所構成的基材層、及積層於基材層且貼附在被加工物100之背面106及環狀框架160的黏著層。如圖9及圖10所示，分割裝置70具備將環狀框架160之貼附有擴展片材150的外周部分固定的框架固定單元71、擴張擴展片材150的片材擴張單元72、及控制各部分之未圖示的控制單元。
框架固定單元71是藉由將平面形狀形成為大致圓形，並涵蓋全周而將環狀框架160從外周側夾持來固定環狀框架160。框架固定單元71形成有平面形狀為大致圓形的開口。
片材擴張單元72是形成為平面形狀大致與框架固定單元71同軸的圓形，且相對於框架固定單元71設置在徑向的內側。片材擴張單元72是藉由相對於框架固定單元71沿著於鉛直方向上順沿的軸心朝向上方相對地移動，而將擴展片材150之形成在環狀框架160的內周即內緣與被加工物100的外周即外緣之間的環狀區域170朝與被加工物100之背面106正交的方向推壓來擴張擴展片材150，並藉由擴展片材150的擴張來對改質層140賦與外力，並從分割起點即改質層140讓被加工物100斷裂。
在分割步驟ST5中，首先是將已於外周部分貼附有環狀框架160之擴展片材150貼附於被加工物100之背面106。在分割步驟ST5中，然後是藉由從被加工物100之正面102去除保護構件110，而形成為可實行分割處理的狀態，前述分割處理是使用分割裝置70將被加工物100沿 著分割預定線105分割成一個個的器件104之處理。
在分割步驟ST5中，接著是如圖9所示，分割裝置70藉由框架固定單元71夾持並固定已和被加工物100之背面106一起貼附於擴展片材150的環狀框架160。在分割步驟ST5中，之後是如圖10所示，分割裝置70使片材擴張單元72相對於框架固定單元71沿著於鉛直方向上順沿的軸心來朝向上方相對地移動。藉此，將環狀區域170朝與被加工物100之背面106正交的方向推壓而擴張擴展片材150，並藉由擴展片材150的擴張來對改質層140賦與外力，而將被加工物100以改質層140作為分割起點來沿著分割預定線105分割成一個個的器件104，並在各器件104之間形成間隙180。
第1實施形態之被加工物的加工方法是如以上所述，在高度位置檢測步驟ST2中，沿著已避開切割道103內之埋設有柱狀導體電極107的區域的位置檢測線120照射測定用雷射光束22來檢測被加工物100之背面106側的高度位置，並將此高度位置的檢測結果視為沿著分割預定線105之被加工物100之背面106側的高度位置，且在改質層形成步驟ST3中，依據沿著此分割預定線105的被加工物100之背面106側的高度位置，來沿著分割預定線105在被加工物100形成改質層140。因此，第1實施形態之被加工物的加工方法，即便在切割道103內存在有反射率不同的素材即柱狀導體電極107的情況下，也可以將由反射率不同的素材所造成的影響降低或去除，來檢測被加工物 100之背面106側的高度位置。藉此，第1實施形態之被加工物的加工方法可以依據高度位置的檢測結果，將例示於改質層140之形成深度的高度方向之加工位置均一地形成。又，第1實施形態之被加工物的加工方法，由於在分割步驟ST5中，以形成深度為均一的改質層140作為分割起點來將被加工物100分割成各器件104，因此能夠大幅地減低在各器件104產生破裂或缺損的可能性。
[第2實施形態]
依據圖式來說明本發明之第2實施形態的被加工物的加工方法。在第2實施形態的說明中，對和第1實施形態相同的部分是附加相同符號而省略說明。
圖11是顯示第2實施形態之被加工物的加工方法的流程的流程圖。如圖11所示，第2實施形態之被加工物的加工方法具備膠帶貼附步驟ST10，伴隨於此，除了以下情形以外，與第1實施形態相同：變更高度位置檢測步驟ST2、改質層形成步驟ST3及分割步驟ST5，且省略磨削步驟ST4。
圖12是顯示圖11所示之被加工物的加工方法之膠帶貼附步驟的立體圖。膠帶貼附步驟ST10是在保持步驟ST1之前，如圖12所示地將膠帶貼附於被加工物100之背面106側之步驟。在膠帶貼附步驟ST10中，在本實施形態中，是在被加工物100之背面106貼附已於外周部分貼附有環狀框架160之擴展片材150。
圖13是顯示圖11所示之被加工物的加工方 法的高度位置檢測步驟的截面圖。如圖13所示，第2實施形態的高度位置檢測步驟ST2除了下述情形以外，與第1實施形態相同：將對擴展片材150具有穿透性之波長的測定用雷射光束22隔著擴展片材150來照射於被加工物100之背面106，而隔著擴展片材150來檢測被加工物100之背面106的高度。
圖14是顯示圖11所示之被加工物的加工方法之改質層形成步驟的立體圖。第2實施形態之改質層形成步驟ST3，是如圖14所示，隔著擴展片材150照射對被加工物100具有穿透性之波長的加工用雷射光束32，而在被加工物100的內部形成改質層140，除此之外與第1實施形態相同。
第2實施形態之分割步驟ST5因為在膠帶貼附步驟ST10中已貼附有擴展片材150，所以成為僅實行由和第1實施形態同樣的分割裝置70所進行的分割處理。
由於第2實施形態之被加工物的加工方法具有如以上之構成，因此可發揮與第1實施形態之被加工物的加工方法同樣的作用效果。又，第2實施形態之被加工物的加工方法更包含膠帶貼附步驟ST10，前述膠帶貼附步驟ST10是將膠帶貼附在被加工物100之背面106側，並隔著膠帶照射對被加工物100具有穿透性之波長的加工用雷射光束32，而在被加工物100的內部形成改質層140。因此，第2實施形態之被加工物的加工方法，可以進一步在以膠帶保護被加工物100之背面106側的狀態下，在不受到 膠帶的厚度之偏差等的影響的情形下，檢測被加工物100之背面106側的高度位置，而可以將已例示在改質層140之形成深度方向的高度方向之加工位置均一地形成。
再者，本發明並不限定於上述實施形態。亦即，在不脫離本發明的主旨的範圍內可以進行各種變形來實施。例如，在第1實施形態及第2實施形態中，雖然是於高度位置檢測步驟ST2中使用之位置檢測裝置20、與於改質層形成步驟ST3中使用之改質層形成裝置30上使用共通之工作夾台10，而於磨削步驟ST4中使用之磨削裝置60使用了與工作夾台10不同的工作夾台61，但本發明並非受限於此，亦可在全部的裝置中使用各自不同的工作夾台，亦可在全部的裝置中使用共通之工作夾台。但是，可因應於工作夾台的使用形態，來適當變更保持步驟ST1之形態，前述保持步驟ST1是以工作夾台保持被加工物100之正面102側之步驟。
10:工作夾台
11:保持面
21:高度位置檢測單元
22:測定用雷射光束
101:基板
102:被加工物之正面
103:切割道
104:器件
105:分割預定線
106:被加工物之背面
107:柱狀導體電極
108:器件之正面
110:保護構件
120:位置檢測線
121:移位距離
V:區域
X、Y、Z:方向

Claims (2)

  1. 一種被加工物的加工方法，是沿著分割預定線分割被加工物，該被加工物在藉由設定於正面之複數條切割道所區劃出的各區域中具有器件，且在該切割道內包含從基板之正面側貫通到背面側而形成的柱狀導體電極，該被加工物的加工方法具備以下步驟：保持步驟，以工作夾台保持該被加工物之正面側；高度位置檢測步驟，在該保持步驟之後，一邊使該工作夾台與高度位置檢測單元相對地移動，一邊對該被加工物照射測定用雷射光束，而利用自該被加工物之背面反射之反射光來檢測被加工物的高度位置；改質層形成步驟，依據在該高度位置檢測步驟中所檢測出的高度，來將對該被加工物具有穿透性之波長的加工用雷射光束的聚光點定位在該被加工物的內部，並一邊使該工作夾台與雷射光束照射單元相對地移動，一邊沿著該分割預定線照射該加工用雷射光束而於該被加工物形成改質層；及分割步驟，對在該改質層形成步驟中所形成的改質層賦與外力來分割該被加工物，在該高度位置檢測步驟中，是避開該切割道內之埋設有柱狀導體電極的區域來照射測定用雷射光束。
  2. 如請求項1之被加工物的加工方法，其更具備膠帶貼附步驟，該膠帶貼附步驟是於該被加工物之背面側貼附膠帶，並且隔著該膠帶來照射對該被加工物具有 穿透性之波長的該加工用雷射光束，而在該被加工物的內部形成該改質層。
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