TWI823987B

TWI823987B - 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

Info

Publication number: TWI823987B
Application number: TW108129471A
Authority: TW
Inventors: 瀬尾健仁; 平野智之; 岩澤裕太; 板垣友祐
Original assignee: 日商東京應化工業股份有限公司
Priority date: 2018-09-07
Filing date: 2019-08-19
Publication date: 2023-12-01
Also published as: JP7274839B2; KR102653604B1; US20200081345A1; TW202022490A; KR20200028847A; JP2020042110A; US11029600B2

Abstract

一種阻劑組成物，其含有：具有超過30莫耳%的式(a0-1)所表示的構成單位的樹脂成分，與式(b1)所表示的酸產生劑。式中，R⁰¹ 為氫原子、烷基或鹵化烷基，Va⁰¹ 為伸烷基，Ra⁰¹ 為酸解離性基；R^b01 為環狀的烴基，L^b01 為-O-C(=O)-或-C(=O)-O-，Y^b01 為2價的連結基或單鍵，V^b01 為氟化伸烷基，R^b02 為氟原子或氫原子，但是V^b01 與R^b02 所具有的合計的氟原子數為2或3，M^m+ 為表示m價的有機陽離子。

Description

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法

本發明為關於阻劑組成物及阻劑圖型形成方法。本申請案為以2018年9月7日於日本國提出專利申請的特願2018-168205號為基礎來主張優先權，並將該內容援用於本說明中。

微影技術中進行著例如下述之步驟：於基板上形成由阻劑材料所形成的阻劑膜、對於該阻劑膜進行選擇性曝光、施予顯影處理，藉此來對前述阻劑膜形成指定形狀的阻劑圖型。將阻劑膜的曝光部變化為可溶解於顯影液之特性的阻劑材料稱為正型，將阻劑膜的曝光部變化為不溶解於顯影液之特性的阻劑材料稱為負型。近年來，於半導體元件或液晶顯示元件的製造中，隨著微影技術的進步，而急速地邁入圖型的微細化。作為微細化的手法，一般為使曝光光源短波長化(高能量化)之方式來進行。具體而言，以往為使用以g線、i線為代表的紫外線，但現在已開始使用KrF準分子雷射或ArF準分子雷射進行半導體元件之量產。又，對於較該等的準分子雷射為更短波長(高能量)的EUV(極紫外線)或EB(電子線)、X線等，亦已開始進行研究。

對於阻劑材料要求著下述般的微影特性：對該等的曝光光源具有感度、可重現微細尺寸的圖型的解析性等。作為可滿足如此般要求的阻劑材料，以往為使用一化學增幅型阻劑組成物，其含有經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成分，與經由曝光而產生酸的酸產生劑成分。例如，若上述顯影液為鹼顯影液(鹼顯影製程)時，作為正型的化學增幅型阻劑組成物，一般為使用含有經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性的樹脂成分(基底樹脂)，與酸產生劑成分者。使用該阻劑組成物所形成的阻劑膜，於阻劑圖型形成之際，進行的選擇性曝光時，於曝光部中，酸產生劑成分會產生酸，並經由該酸之作用而增大基底樹脂的極性，使阻劑膜的曝光部對鹼顯影液成為可溶。因此，藉由進行鹼顯影，阻劑膜的未曝光部會以圖型殘留，而形成正型圖型。另一方面，若將如此般的化學增幅型阻劑組成物使用於含有有機溶劑的顯影液(有機系顯影液)的溶劑顯影製程時，當基底樹脂的極性增大時，相對地對有機系顯影液之溶解性會降低，使得阻劑膜的未曝光部經由有機系顯影液而被溶解、去除，使阻劑膜的曝光部以圖型方式殘留，而形成負型的阻劑圖型。依此方式形成的負型阻劑圖型之溶劑顯影製程，亦有稱為負型顯影製程之情形。

化學增幅型阻劑組成物中所使用的基底樹脂，一般而言，就提高微影特性等目的，而具有複數的構成單位。例如若為經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性的樹脂成分之情形時，則使用包含酸分解性基的構成單位，該酸分解性基為經由酸產生劑等所產生的酸之作用而會分解並增大極性的基；其他，亦可併用含有含內酯的環式基之構成單位、含有羥基等的極性基之構成單位等。

又，於阻劑圖型之形成中，經由曝光而由酸產生劑成分產生的酸之作用，對於微影特性為產生極大影響的要素之一。作為化學增幅型阻劑組成物中所使用的酸產生劑，目前為止已有各式各樣成分的提案。已知有例如錪鹽或鋶鹽等的鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑、重氮甲烷系酸產生劑、硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺磺酸酯系酸產生劑、二碸系酸產生劑等。作為鎓鹽系酸產生劑，主要為使用陽離子部具有三苯基鋶等的鎓離子者。鎓鹽系酸產生劑的陰離子部，一般而言為使用烷基磺酸離子或該烷基的氫原子中的一部份或全部被氟原子所取代的氟化烷基磺酸離子。又，於阻劑圖型之形成中，為試圖提高微影特性，作為鎓鹽系酸產生劑的陰離子部，亦提案了一種鎓鹽系酸產生劑，其具有具備含芳香族環的特定構造的陰離子(參考例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第5149236號公報

[發明所欲解決之課題]

隨著微影技術的更進一步的進步、阻劑圖型的微細化的進展，對於阻劑組成物越來越要求著減低粗糙度等的微影特性的提高、或可形成良好形狀的阻劑圖型。例如線路與空間(line and space)圖型，則對於圖型斷面的矩形性為強力要求。然而，如上述般的以往的含有鎓鹽系酸產生劑的阻劑組成物，雖然可試圖減低粗糙度，但有難以控制圖型斷面的矩形性之情形。

本發明為鑑於上述情事所提出之發明，以提供可提高微影特性、可形成更良好形狀的阻劑圖型的阻劑組成物及阻劑圖型形成方法為目的。 [解決課題之手段]

為了解決上述課題，本發明為採用以下的構成。即，本發明的第1個態樣為一種阻劑組成物，其為經由曝光而產生酸，且，經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵為含有：經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的樹脂成分(A1)，及經由曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)，前述樹脂成分(A1)具有下述一般式(a0-1)所表示的構成單位(a0)，該構成單位(a0)的含有比例，相對於構成該樹脂成分(A1)的全構成單位的合計(100莫耳%)為超過30莫耳%，前述酸產生劑成分(B)含有下述一般式(b1)所表示的酸產生劑(B1)。

[式(a0-1)中，R⁰¹ 為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Va⁰¹ 為碳數1~10的伸烷基，Ra⁰¹ 為酸解離性基；式(b1)中，R^b01 為可具有取代基的碳數3~20的環狀的烴基，L^b01 為-O-C(=O)-或-C(=O)-O-，Y^b01 為2價的連結基或單鍵，V^b01 為碳數1~9的氟化伸烷基，R^b02 為氟原子或氫原子，但是V^b01 與R^b02 所具有的合計的氟原子數為2或3，m為1以上的整數，且M^m+ 為表示m價的有機陽離子]。

本發明的第2個態樣為一種阻劑圖型形成方法，其特徵為具有下述步驟(i)~步驟(iii)，步驟(i)：使用前述第1個態樣的阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜；步驟(ii)：將前述阻劑膜曝光；步驟(iii)：將前述曝光後的阻劑膜顯影而形成阻劑圖型。 [發明的效果]

藉由本發明的阻劑組成物及阻劑圖型形成方法，可提高微影特性、可形成更良好形狀的阻劑圖型。

[實施發明之最佳形態]

本說明書及本申請專利範圍中，所謂的「脂肪族」係對芳香族為相對的概念，而定義為不具芳香族性之基、化合物等之意。「烷基」，於無特別限定下，為包含直鏈狀、支鏈狀及環狀的1價的飽合烴基者。烷氧基中的烷基亦為相同之內容。「伸烷基」，於無特別限定下，為包含直鏈狀、支鏈狀及環狀的2價的飽合烴基者。「鹵化烷基」為烷基的氫原子中的一部份或全部被鹵素原子所取代之基，作為該鹵素原子，可列舉如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。「氟化烷基」或「氟化伸烷基」，係指烷基或伸烷基的氫原子中的一部份或全部被氟原子所取代之基之意。「構成單位」係指構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)的單體單位(monomer unit)之意。記載為「亦可具有取代基」或「可具有取代基」之情形，係包含氫原子(-H)被1價之基所取代之情形，與伸甲基(-CH₂ -)被2價之基所取代之情形等二者。「曝光」為包含放射線照射的全部概念。

所謂的「基材成分」，指具有膜形成能的有機化合物，較佳為使用分子量500以上的有機化合物。藉由該有機化合物的分子量為500以上時，可提高膜形成能力，此外，亦容易形成奈米等級的阻劑圖型。作為基材成分使用的有機化合物，可區分為非聚合物與聚合物。作為非聚合物，通常為使用分子量500以上、未滿4000者。以下，稱為「低分子化合物」之情形，係指分子量500以上、未滿4000的非聚合物。作為聚合物，通常為使用分子量1000以上者。以下，稱為「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」之情形，係指分子量為1000以上的聚合物之意。作為聚合物之分子量，係使用GPC(凝膠滲透色層分析)測得之聚苯乙烯換算的質量平均分子量。

所謂的「丙烯酸酯所衍生的構成單位」，係指丙烯酸酯的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意。「丙烯酸酯」為丙烯酸(CH₂ =CH-COOH)的羧基末端的氫原子被有機基所取代的化合物。丙烯酸酯中，鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代。取代該鍵結於α位的碳原子的氫原子的取代基(R^α ⁰ )，係氫原子以外的原子或基，可列舉如：碳數1~5的烷基、碳數1~5的鹵化烷基等。又，亦包含取代基(R^α ⁰ )被包含酯鍵結的取代基所取代的依康酸二酯，或取代基(R^α ⁰ )被羥基烷基或該羥基被修飾之基所取代的α羥基丙烯酸酯。尚，所謂的丙烯酸酯的α位的碳原子，於無特別限定下，係指丙烯酸的羰基所鍵結的碳原子之意。以下，亦有將鍵結於α位的碳原子的氫原子被取代基所取代而成的丙烯酸酯稱為α取代丙烯酸酯之情形。又，亦有將丙烯酸酯與α取代丙烯酸酯統稱為「(α取代)丙烯酸酯」之情形。

所謂的「丙烯醯胺所衍生的構成單位」，係指丙烯醯胺的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意。丙烯醯胺中，鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代，或丙烯醯胺的胺基中的氫原子的一者或二者可被取代基所取代亦可。尚，所謂的丙烯醯胺的α位的碳原子，於無特別限定下，係指丙烯醯胺的羰基所鍵結的碳原子之意。作為取代丙烯醯胺中鍵結於α位的碳原子的氫原子的取代基，例如與前述α取代丙烯酸酯中被列舉作為α位的取代基者(取代基(R^α ⁰ ))為相同之內容。

所謂的「羥基苯乙烯所衍生的構成單位」，係指羥基苯乙烯的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意。所謂的「羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」，係指羥基苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意。所謂的「羥基苯乙烯衍生物」為包含羥基苯乙烯的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他的取代基所取代者，以及該等的衍生物之概念。作為該等的衍生物，可列舉如：α位的氫原子可被取代基所取代的羥基苯乙烯中的羥基的氫原子被有機基所取代者；α位的氫原子可被取代基所取代的羥基苯乙烯中的苯環上鍵結羥基以外的取代基者等。尚，α位(α位的碳原子)，於無特別限定下，係指苯環所鍵結的碳原子之意。作為取代羥基苯乙烯的α位的氫原子的取代基，例如與前述α取代丙烯酸酯中被列舉作為α位的取代基者為相同之內容。

所謂的「乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物所衍生的構成單位」，係指乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意。所謂的「乙烯基苯甲酸衍生物」為包含乙烯基苯甲酸的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他的取代基所取代者，以及該等的衍生物之概念。作為該等的衍生物，可列舉如：α位的氫原子可被取代基所取代的乙烯基苯甲酸中的羧基的氫原子被有機基所取代者；α位的氫原子可被取代基所取代的乙烯基苯甲酸的苯環上鍵結羥基及羧基以外的取代基者。尚，所謂的α位(α位的碳原子)，於無特別限定下，係指苯環所鍵結的碳原子之意。

所謂的「苯乙烯衍生物」為包含苯乙烯的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的其他的取代基所取代者，以及該等的衍生物之概念。作為該等的衍生物，可列舉如：α位的氫原子可被取代基所取代的羥基苯乙烯中的苯環上鍵結取代基者等。尚，所謂的α位(α位的碳原子)，於無特別限定下，係指苯環所鍵結的碳原子之意。所謂的「苯乙烯所衍生的構成單位」、「苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」，係指苯乙烯或苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意。

作為上述α位的取代基的烷基，以直鏈狀或支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可列舉碳數1~5的烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基)等。又，作為α位的取代基的鹵化烷基，具體而言可列舉上述「作為α位的取代基的烷基」的氫原子中的一部份或全部被鹵素原子所取代之基。作為該鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為較佳。又，作為α位的取代基的羥基烷基，具體而言可列舉上述「作為α位的取代基的烷基」的氫原子中的一部份或全部被羥基所取代之基。該羥基烷基中，羥基之數，較佳為1~5，最佳為1。

本說明書及本申請專利範圍中，依化學式所表示的結構的差異而存在非對稱碳，亦可能存在鏡像異構物(enantiomer)或對掌異構物(diastereomer)者，該情形時，則以一個化學式代表該等異構物來表示。該等的異構物可單獨使用亦可、以混合物方式使用亦可。

(阻劑組成物) 本實施形態的阻劑組成物為經由曝光而產生酸，且，經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的阻劑組成物。該阻劑組成物含有：經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成分(A)(以下亦稱為「(A)成分」)，與經由曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)(以下亦稱為「(B)成分」)。

使用本實施形態的阻劑組成物來形成阻劑膜，對於該阻劑膜進行選擇性曝光時，於該阻劑膜的曝光部會產生酸，經由該酸之作用而使(A)成分對顯影液的溶解性產生變化，另一方面，該阻劑膜的未曝光部中，(A)成分對顯影液的溶解性則未產生變化，因而在該阻劑膜的曝光部與未曝光部之間產生對顯影液的溶解性的差異。因此，使該阻劑膜顯影時，該阻劑組成物為正型之情形，阻劑膜曝光部將被溶解去除而形成正型的阻劑圖型，該阻劑組成物為負型之情形，阻劑膜未曝光部將被溶解去除而形成負型的阻劑圖型。

本說明書中，將阻劑膜曝光部被溶解去除而形成正型阻劑圖型的阻劑組成物稱為正型阻劑組成物；將阻劑膜未曝光部被溶解去除而形成負型阻劑圖型的阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。本實施形態的阻劑組成物可為正型阻劑組成物，亦可為負型阻劑組成物。又，本實施形態的阻劑組成物，可作為於阻劑圖型形成時的顯影處理為使用鹼顯影液的鹼顯影製程用亦可、該顯影處理中使用包含有機溶劑的顯影液(有機系顯影液)的溶劑顯影製程用亦可。亦即，本實施形態的阻劑組成物在鹼顯影製程中為形成正型阻劑圖型的「鹼顯影製程用正型阻劑組成物」，在溶劑顯影製程中為形成負型阻劑圖型的「溶劑顯影製程用負型阻劑組成物」。

＜(A)成分＞ (A)成分為經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成分。本發明中所謂的「基材成分」，係指具有膜形成能力的有機化合物，較佳為使用分子量為500以上的有機化合物。藉由該有機化合物的分子量為500以上時，可提高膜形成能力，此外，亦容易形成奈米等級的阻劑圖型。作為基材成分使用的有機化合物，可大致區分為非聚合物與聚合物。作為非聚合物，通常為使用分子量為500以上、未滿4000者。以下，稱為「低分子化合物」時，係指分子量為500以上、未滿4000的非聚合物之意。作為聚合物，通常為使用分子量為1000以上者。以下，稱為「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」時，係指分子量為1000以上的聚合物之意。作為聚合物之分子量係使用GPC(凝膠滲透色層分析)的聚苯乙烯換算之重量平均分子量。

本實施形態的阻劑組成物中的(A)成分含有經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的樹脂成分(A1)(以下亦稱為「(A1)成分」)。作為(A)成分，至少為使用(A1)成分，亦可與該(A1)成分共同併用其他的高分子化合物及低分子化合物的至少一者。

≪(A1)成分≫ (A1)成分具有後述的一般式(a0-1)所表示的構成單位(a0)。除了構成單位(a0)以外，因應所需地，該(A1)成分亦可具有其他的構成單位。

本實施形態的阻劑組成物中，由於構成單位(a0)含有酸解離性基(Ra⁰¹ )，藉由使用該(A1)成分，於曝光前後樹脂成分的極性會產生變化，故不僅是鹼顯影製程，於溶劑顯影製程之中，在阻劑膜的曝光部與未曝光部之間亦可得到良好的顯影對比。

使用鹼顯影製程之情形時，該(A1)成分，於曝光前對鹼顯影液為難溶性，經由曝光而由(B)成分產生酸時，經由該酸之作用而使極性增大，進而增大對鹼顯影液之溶解性。因此，於阻劑圖型之形成中，對於將該阻劑組成物塗布於支撐體上而得到的阻劑膜進行選擇性曝光時，阻劑膜之曝光部由對鹼顯影液為難溶性轉變為可溶性的，另一方面，因阻劑膜之未曝光部仍為鹼難溶性而未有變化，故藉由進行鹼顯影時，可形成正型阻劑圖型。另一方面，使用於溶劑顯影製程之情形時，該(A1)成分，於曝光前對有機系顯影液為具有高度溶解性，經由曝光而由(B)成分產生酸時，經由該酸之作用而使極性增高，而降低對有機系顯影液之溶解性。因此，於阻劑圖型之形成中，對於將該阻劑組成物塗布於支撐體上而得到的阻劑膜進行選擇性曝光時，阻劑膜之曝光部由對有機系顯影液為可溶性轉變為難溶性，另一方面，因阻劑膜之未曝光部仍為可溶性而未有變化，故使用有機系顯影液進行顯影時，可形成負型阻劑圖型。

・關於構成單位(a0)：構成單位(a0)為下述一般式(a0-1)所表示的構成單位。該構成單位(a0)中，式(a0-1)中的側鏈末端基(Ra⁰¹ )為酸解離性基，該酸解離性基為保護式(a0-1)中的羰基氧基[-C(=O)-O-]的氧基(-O-)側。在此的「酸解離性基」為具有經由酸之作用而能夠使該酸解離性基與該酸解離性基所鄰接的氧原子(O)之間的鍵結開裂的酸解離性。於經由酸之作用而該酸解離性基解離之際，則會產生較該酸解離性基為更高極性的極性基，而使極性增大。其結果，(A1)成分整體的極性會增大。藉由極性的增大，相對地，對顯影液的溶解性會產生變化，於顯影液為鹼顯影液之情形時，會使溶解性增大，於顯影液為有機系顯影液之情形時，會使溶解性減少。

[式(a0-1)中，R⁰¹ 為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Va⁰¹ 為碳數1~10的伸烷基，Ra⁰¹ 為酸解離性基]。

前述式(a0-1)中，R⁰¹ 為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。 R⁰¹ 中的碳數1~5的烷基，以碳數1~5的直鏈狀或支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5的鹵化烷基為前述碳數1~5的烷基的氫原子中的一部份或全部被鹵素原子所取代之基。作為該鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為較佳。作為R⁰¹ ，以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為較佳，就工業上的取得容易性而言，以氫原子、甲基為更佳，以甲基為特佳。

前述式(a0-1)中，Va⁰¹ 為碳數1~10的伸烷基。Va⁰¹ 中的伸烷基可為鏈狀，亦可為環狀。鏈狀的伸烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。

該直鏈狀的伸烷基，碳數為1~10，較佳為碳數1~6，又較佳為碳數1~4，更佳為碳數1~3，特佳為碳數1(伸甲基)。作為直鏈狀的伸烷基，具體而言可列舉如伸甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、伸三甲基[-(CH₂ )₃ -]、伸四甲基[-(CH₂ )₄ -]、伸五甲基[-(CH₂ )₅ -]等。

該支鏈狀的伸烷基，碳數為2~10，較佳為碳數3~6，又較佳為碳數3或4，更佳為碳數3。作為支鏈狀的伸烷基，具體而言可列舉如：-CH(CH₃ )-、 -CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等的烷基伸甲基； -CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、 -CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等的烷基伸乙基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等的烷基伸三甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等的烷基伸四甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。

該環狀的伸烷基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式的伸烷基，以由單環鏈烷中去除2個氫原子而得之基為佳。作為該單環鏈烷，以碳數3~6者為較佳，具體而言可列舉如環戊烷、環己烷等。作為多環式的伸烷基，以由多環鏈烷中去除2個氫原子而得之基為佳，作為該多環鏈烷，以碳數7~10者為較佳，具體而言可列舉如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷等。

上述之中，Va⁰¹ 較佳為鏈狀的伸烷基，又較佳為直鏈狀的伸烷基。

前述式(a0-1)中，Ra⁰¹ 為酸解離性基。作為Ra⁰¹ 中的酸解離性基，可列舉如至今為止被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的基底樹脂的酸解離性基者。被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的基底樹脂的酸解離性基者之方面，可列舉如以下所說明的「縮醛型酸解離性基」、「三級烷基酯型酸解離性基」。

縮醛型酸解離性基：作為Ra⁰¹ 中的縮醛型酸解離性基，可列舉如下述一般式(a1-r-1)所表示的酸解離性基(以下有稱為「縮醛型酸解離性基」之情形)。

[式中，Ra’¹ 、Ra’² 為氫原子或烷基，Ra’³ 為烴基，且Ra’³ 可與Ra’¹ 、Ra’² 之任一者鍵結而形成環]。

式(a1-r-1)中，以Ra’¹ 及Ra’² 之中之至少一者為氫原子為較佳，以二者為氫原子為又較佳。若Ra’¹ 或Ra’² 為烷基之情形，作為該烷基，可列舉如與上述α取代丙烯酸酯的說明中，被列舉作為可鍵結於α位的碳原子的取代基的烷基為相同之內容，以碳數1~5的烷基為較佳。具體而言較佳可列舉直鏈狀或支鏈狀的烷基。更具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，以甲基或乙基為又較佳，以甲基為特佳。

式(a1-r-1)中，作為Ra’³ 的烴基，可列舉如直鏈狀或支鏈狀的烷基、或環狀的烴基。該直鏈狀的烷基，以碳數1~5為較佳，以碳數1~4為又較佳，以碳數1或2為更佳。具體而言可列舉如甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該等之中，以甲基、乙基或n-丁基為較佳，以甲基或乙基為又較佳。

該支鏈狀的烷基，以碳數3~10為較佳，以碳數3~5為又較佳。具體而言可列舉如異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基為較佳。

若Ra’³ 為環狀的烴基之情形，該烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基，又，可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式基的脂肪族烴基，以由單環鏈烷中去除1個氫原子而得之基為較佳。作為該單環鏈烷，以碳數3~6者為較佳，具體而言可列舉如環戊烷、環己烷等。作為多環式基的脂肪族烴基，以由多環鏈烷中去除1個氫原子而得之基為較佳，作為該多環鏈烷，以碳數7~12者為較佳，具體而言可列舉如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

若Ra’³ 的環狀的烴基為芳香族烴基之情形，該芳香族烴基為具有至少1個芳香環之烴基。該芳香環，只要為具有4n+2個的π電子的環狀共軛系即可，並未有特別之限定，可為單環式、亦可為多環式。芳香環的碳數較佳為5~30，又較佳為碳數5~20，更佳為碳數6~15，特佳為碳數6~12。作為芳香環，具體而言可列舉如：苯、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子中的一部份被雜原子所取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言可列舉如吡啶環、噻吩環等。作為Ra’³ 中的芳香族烴基，具體而言可列舉如：由前述芳香族烴環或芳香族雜環中去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)；由含有2個以上的芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)中去除1個氫原子而得之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環中的1個氫原子被伸烷基所取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等的芳基烷基等)等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環的伸烷基的碳數，較佳為1~4，又較佳為碳數1~2，特佳為碳數1。

Ra’³ 中的環狀的烴基亦可具有取代基。作為該取代基，可列舉如-R^P1 、-R^P2 -O-R^P1 、-R^P2 -CO-R^P1 、 -R^P2 -CO-OR^P1 、-R^P2 -O-CO-R^P1 、-R^P2 -OH、-R^P2 -CN或-R^P2 -COOH(以下亦將該等的取代基總稱為「Ra⁰⁵ 」)等。於此，R^P1 為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基、碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30的1價的芳香族烴基。又，R^P2 為單鍵、碳數1~10的2價的鏈狀飽和烴基、碳數3~20的2價的脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30的2價的芳香族烴基。但是R^P1 及R^P2 的鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有的氫原子中的一部份或全部可被氟原子所取代。上述脂肪族環狀飽和烴基，可具有單獨1種的上述取代基1個以上，亦可具有複數種的上述取代基1個以上。作為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基，可列舉如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等。作為碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基，可列舉如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十二基等的單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二基、金剛烷基等的多環式脂肪族飽和烴基。作為碳數6~30的1價的芳香族烴基，可列舉如由苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等的芳香族烴環中去除1個氫原子而得之基。

若Ra’³ 與Ra’¹ 、Ra’² 之任一者鍵結而形成環之情形，作為該環式基，以4~7員環為較佳，以4~6員環為又較佳。作為該環式基之具體例，可列舉如四氫吡喃基、四氫呋喃基等。

三級烷基酯型酸解離性基：作為Ra⁰¹ 中的三級烷基酯型酸解離性基，可列舉如下述一般式(a1-r-2)所表示的酸解離性基。尚，下述式(a1-r-2)所表示的酸解離性基之中，將由烷基所構成者，以下，於簡便上亦稱為「三級烷基酯型酸解離性基」。

[式中，Ra’⁴ ~Ra’⁶ 各自為烴基，且Ra’⁵ 、Ra’⁶ 可互相鍵結形成環]。

作為Ra’⁴ 的烴基，可列舉如直鏈狀或支鏈狀的烷基、鏈狀或環狀的烯基、或環狀的烴基。 Ra’⁴ 中的直鏈狀或支鏈狀的烷基、環狀的烴基(單環式基的脂肪族烴基、多環式基的脂肪族烴基、芳香族烴基)，可列舉如與前述Ra’³ 為相同之內容。 Ra’⁴ 中的鏈狀或環狀的烯基，較佳為碳數2~10的烯基。作為Ra’⁵ 、Ra’⁶ 的烴基，可列舉如與前述Ra’³ 為相同之內容。

作為Ra⁰¹ 中的三級烷基酯型酸解離性基的較佳者，具體而言可列舉如下述一般式(a1-r2-1)所表示的基、下述一般式(a1-r2-2)所表示的基、下述一般式(a1-r2-3)所表示的基、下述一般式(a1-r2-4)所表示的基。

[式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ 為表示一部份可被鹵素原子或含雜原子之基所取代的直鏈狀或支鏈狀的碳數1~12的烷基，Ra’¹¹ 為表示與Ra’¹⁰ 所鍵結的碳原子共同形成脂肪族環式基之基。式(a1-r2-2)中，Ya為碳原子，Xa為與Ya共同形成環狀的烴基之基，該環狀的烴基所具有的氫原子中的一部份或全部可被取代，Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 各自獨立為氫原子、碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基或碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基，該鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有的氫原子中的一部份或全部可被取代，Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中的2個以上可互相鍵結形成環狀構造。式(a1-r2-3)中，Yaa為碳原子，Xaa為與Yaa共同形成脂肪族環式基之基，Ra⁰⁴ 為可具有取代基的芳香族烴基。式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ 各自獨立為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基或氫原子，該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子中的一部份或全部可被取代，Ra’¹⁴ 為可具有取代基的烴基，或與Ra’¹³ 鍵結而形成可具有雜原子的縮合環，但是＊為表示鍵結鍵(以下亦同)]。

上述的式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ 為一部份可被鹵素原子或含雜原子之基所取代的直鏈狀或支鏈狀的碳數1~12的烷基。

作為Ra’¹⁰ 中的直鏈狀的烷基，碳數為1~12，以碳數1~10為較佳，以碳數1~5為特佳。具體而言可列舉如甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該等之中，較佳為甲基、乙基或n-丁基，又較佳為甲基或乙基。作為Ra’¹⁰ 中的支鏈狀的烷基，較佳為碳數3~10，特佳為碳數3~6。具體而言可列舉如異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、1,1-二甲基丁基、1,1-二甲基戊基、2,2-二甲基丁基等，該等之中又以異丙基、tert-丁基為較佳。

Ra’¹⁰ 中的烷基，一部份可被鹵素原子或含雜原子之基所取代。例如，構成烷基的氫原子的一部份可被鹵素原子或含雜原子之基所取代。又，構成烷基的碳原子(伸甲基等)的一部份可被含雜原子之基所取代。於此，作為所謂的鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作為雜原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子。作為含雜原子之基，可列舉如氧原子 (-O-)、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、 -C(=O)-NH-、-NH-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-等。

式(a1-r2-1)中，Ra’¹¹ (與Ra’¹⁰ 所鍵結的碳原子共同形成脂肪族環式基)較佳為上述的式(a1-r-1)中作為Ra’³ 的單環式基或多環式基的脂肪族烴基所列舉之基(由單環鏈烷中去除1個氫原子而得之基、由多環鏈烷中去除1個氫原子而得之基)。又，在此的脂肪族環式基，可為不飽和脂肪族環式基，可列舉如由單環鏈烯中去除1個氫原子而得之基、由多環鏈烯中去除1個氫原子而得之基。 Ra’¹¹ 中的脂肪族環式基可具有取代基，可列舉如上述的Ra’³ 中的環狀的烴基可具有的取代基(Ra⁰⁵ )、將伸甲基 (-CH₂ -)中的2個氫原子予以取代而得之2價之基(亞甲基(=CH₂ )、亞乙基等)。該2價之基較佳為鍵結於式(a1-r2-1)中的三級碳原子的α位。

式(a1-r2-2)中，作為Xa與Ya共同形成的環狀的烴基，可列舉如前述式(a1-r-1)中的Ra’³ 中作為單環式基或多環式基的脂肪族烴基所列舉之基。 Xa與Ya共同形成的環狀的烴基亦可具有取代基。作為該取代基，可列舉如與上述Ra’³ 中的環狀的烴基可具有的取代基為相同之內容。式(a1-r2-2)中，作為Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中的碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基，可列舉如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等。作為Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中的碳數3~20的1價的脂肪族環狀飽和烴基，可列舉如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十二基等的單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二基、金剛烷基等的多環式脂肪族飽和烴基等。其中，就衍生構成單位(a0)的單體化合物的合成容易性之觀點而言，Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 較佳為氫原子、碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基，其中，以氫原子、甲基、乙基為又較佳，以氫原子為特佳。

作為上述Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 所表示的鏈狀飽和烴基、或脂肪族環狀飽和烴基所具有的取代基，可列舉如與上述的Ra⁰⁵ 為相同之基。

作為藉由Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中的2個以上互相鍵結而形成環狀構造所生成的含有碳-碳雙鍵之基，可列舉如環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、亞環戊基乙烯基(cyclopentylidene ethenyl)、亞環己基乙烯基(cyclohexylidene ethenyl)等。該等之中，就衍生構成單位(a0)的單體化合物的合成容易性之觀點而言，以環戊烯基、環己烯基、亞環戊基乙烯基為較佳。

式(a1-r2-3)中，Xaa與Yaa共同形成的脂肪族環式基，以式(a1-r-1)中的作為Ra’³ 的單環式基或多環式基的脂肪族烴基所列舉之基為較佳。式(a1-r2-3)中，作為Ra⁰⁴ 中的芳香族烴基，可列舉如由碳數5~30的芳香族烴環中去除1個以上氫原子而得之基。其中，Ra⁰⁴ 係以由碳數6~15的芳香族烴環中去除1個以上氫原子而得之基為較佳，以由苯、萘、蒽或菲中去除1個以上氫原子而得之基為又較佳，以由苯、萘或蒽中去除1個以上氫原子而得之基為更佳，以由苯或萘中去除1個以上氫原子而得之基為特佳，以由苯中去除1個以上氫原子而得之基為最佳。

作為式(a1-r2-3)中的Ra⁰⁴ 可具有的取代基，可列舉如甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷基氧基羰基等。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ 各自獨立為碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基或氫原子。作為Ra’¹² 及Ra’¹³ 中的碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基，可列舉如與上述的Ra⁰¹ ~Ra⁰³ 中的碳數1~10的1價的鏈狀飽和烴基為相同之內容。該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子中的一部份或全部可被取代。 Ra’¹² 及Ra’¹³ ，之中以氫原子、碳數1~5的烷基為較佳，以碳數1~5的烷基為又較佳，以甲基、乙基為更佳，以甲基為特佳。若上述Ra’¹² 及Ra’¹³ 所表示的鏈狀飽和烴基被取代時，作為該取代基，可列舉如與上述的Ra⁰⁵ 為相同之基。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹⁴ 為亦可具有取代基的烴基。作為Ra’¹⁴ 中的烴基，可列舉如直鏈狀或支鏈狀的烷基、或環狀的烴基。

Ra’¹⁴ 中的直鏈狀的烷基，較佳碳數1~5，又較佳為1~4，更佳為1或2。具體而言可列舉如甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該等之中，以甲基、乙基或n-丁基為較佳，以甲基或乙基為又較佳。

Ra’¹⁴ 中的支鏈狀的烷基，較佳碳數為3~10，又較佳為3~5。具體而言可列舉如異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基為較佳。

若Ra’¹⁴ 為環狀的烴基之情形，該烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基，又，可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式基的脂肪族烴基，以由單環鏈烷中去除1個氫原子而得之基為較佳。作為該單環鏈烷，以碳數3~6者為較佳，具體而言可列舉如環戊烷、環己烷等。作為多環式基的脂肪族烴基，以由多環鏈烷中去除1個氫原子而得之基為較佳，作為該多環鏈烷，以碳數7~12者為較佳，具體而言可列舉如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Ra’¹⁴ 中的芳香族烴基，可列舉如與Ra⁰⁴ 中的芳香族烴基為相同之內容。其中，Ra’¹⁴ 係以由碳數6~15的芳香族烴環中去除1個以上氫原子而得之基為較佳，以由苯、萘、蒽或菲中去除1個以上氫原子而得之基為又較佳，以由苯、萘或蒽中去除1個以上氫原子而得之基為更佳，以由萘或蒽中去除1個以上氫原子而得之基為特佳，以由萘中去除1個以上氫原子而得之基為最佳。作為Ra’¹⁴ 可具有的取代基，可列舉如與Ra⁰⁴ 可具有的取代基為相同之內容。

若式(a1-r2-4)中的Ra’¹⁴ 為萘基之情形，鍵結於前述式(a1-r2-4)中的三級碳原子的位置，可以是萘基的1號位或2號位中的任意位置。若式(a1-r2-4)中的Ra’¹⁴ 為蒽基之情形，鍵結於前述式(a1-r2-4)中的三級碳原子的位置，可以是蒽基的1號位、2號位或9號位中的任意位置。

或是，式(a1-r2-4)中的Ra’¹⁴ 為與Ra’¹³ 鍵結，而形成可具有雜原子的縮合環亦可。作為Ra’¹⁴ 與Ra’¹³ 鍵結而形成的縮合環的環構造，可列舉如脂環式烴與芳香族烴的縮合環。該縮合環亦可具有雜原子。作為雜原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。 Ra’¹⁴ 與Ra’¹³ 鍵結而形成的縮合環中，脂環式烴部分的環構造可為單環，亦可為多環，亦可具有雜原子。Ra’¹⁴ 與Ra’¹³ 鍵結而形成的縮合環中，芳香族烴部分的環構造可為單環，亦可為多環，亦可具有雜原子。

將前述式(a1-r2-1)所表示的基之具體例舉例於下述。＊為表示與式中的氧基(-O-)的鍵結鍵。

將前述式(a1-r2-2)所表示的基之具體例舉例於下述。＊為表示與式中的氧基(-O-)的鍵結鍵。

將前述式(a1-r2-3)所表示的基之具體例舉例於下述。＊為表示與式中的氧基(-O-)的鍵結鍵。

將前述式(a1-r2-4)所表示的基之具體例舉例於下述。＊為表示與式中的氧基(-O-)的鍵結鍵。

上述之中，Ra⁰¹ 較佳為三級烷基酯型酸解離性基，又較佳為上述的一般式(a1-r2-1)所表示的基、一般式(a1-r2-4)所表示的基，更佳為一般式(a1-r2-1)所表示的基。

以下為表示前述式(a0-1)所表示的構成單位(a0)之具體例。以下的各式中，R^α 為表示氫原子、甲基或三氟甲基。

上述示例之中，構成單位(a0)較佳為選自由化學式(a0-1-1)~(a0-1-9)的各自所表示的構成單位所形成的群中之至少1種，該等之中，又較佳為選自由化學式(a0-1-1)、化學式(a0-1-2)、化學式(a0-1-5)、化學式(a0-1-6)及化學式(a0-1-7)的各自所表示的構成單位所形成的群中之至少1種。

(A1)成分所具有的構成單位(a0)可為1種，亦可為2種以上。 (A1)成分中的構成單位(a0)的比例，相對於構成(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)為超過30莫耳%，較佳為超過30莫耳%且60莫耳%以下，又較佳為30.5莫耳%以上55莫耳%以下，更佳為31莫耳%以上50莫耳%以下。構成單位(a0)的比例，只要是超過前述範圍的下限值時，則可容易地得到阻劑圖型之同時，可更提高解析性、減低粗糙度等的微影特性。另一方面，只要是前述的較佳範圍的上限值以下時，則可容易地與其他的構成單位取得平衡。

・關於其他的構成單位：該(A1)成分，除了構成單位(a0)以外，因應所需地亦可具有其他的構成單位。作為其他的構成單位，可列舉如：包含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位(a1)(但是不包括前述的構成單位(a0))；包含含內酯的環式基、含-SO₂ -的環式基或含碳酸酯的環式基的構成單位(a2)；包含含極性基的脂肪族烴基的構成單位(a3)(但是不包括相當於構成單位(a0)、構成單位(a1)或構成單位(a2)者)；包含酸非解離性的脂肪族環式基的構成單位(a4)；一般式(a10-1)所表示的構成單位(a10)；苯乙烯或其衍生物所衍生的構成單位等。

・・關於構成單位(a1)： (A1)成分，除了構成單位(a0)以外，可進而具有包含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位(a1)(但是不包括相當於構成單位(a0)者)。

構成單位(a1)中的「酸分解性基」係具有經由酸之作用而使該酸分解性基構造中的至少一部份的鍵結可產生開裂的酸分解性的基。作為經由酸之作用而增大極性的酸分解性基，可列舉如經酸之作用而分解並產生極性基的基。作為極性基，可舉例如羧基、羥基、胺基、磺酸基 (-SO₃ H)等。該等之中，以構造中含有-OH的極性基(以下有稱為「含有OH的極性基」之情形)為較佳，以羧基或羥基為又較佳，以羧基為特佳。作為酸分解性基，更具體而言可舉例前述極性基被酸解離性基所保護的基(例如含有OH的極性基的氫原子被酸解離性基所保護的基)。於此，所謂的「酸解離性基」係指(i)具有經由酸之作用而使該酸解離性基與該酸解離性基所鄰接的原子之間的鍵結可產生開裂的酸解離性的基、或(ii)經由酸之作用而使一部份的鍵結產生開裂後，進而藉由產生脫碳酸反應而使該酸解離性基與該酸解離性基所鄰接的原子之間的鍵結可產生開裂的基，等兩者之意。構成酸分解性基的酸解離性基，必須是極性較該酸解離性基因解離而生成的極性基為更低的基，據此，經由酸之作用而使該酸解離性基解離時，將會產生極性較該酸解離性基為更高的極性基，而增大極性。其結果，(A1)成分整體的極性將增大。藉由極性之增大，相對地若對於顯影液之溶解性產生變化、且顯影液為鹼顯影液之情形時，溶解性將會增大，若顯影液為有機系顯影液之情形時，則溶解性將會降低。

作為構成單位(a1)中的酸解離性基，可列舉如至今為止被提案作為化學增幅型阻劑用的基底樹脂的酸解離性基者。被提案作為化學增幅型阻劑用的基底樹脂的酸解離性基者，具體而言可各自舉例上述的「縮醛型酸解離性基」、上述的「三級烷基酯型酸解離性基」及「三級烷基氧基羰基酸解離性基」。

・三級烷基氧基羰基酸解離性基：作為保護前述極性基中的羥基的酸解離性基，可列舉如下述一般式(a1-r-3)所表示的酸解離性基(以下於簡便上亦稱為「三級烷基氧基羰基酸解離性基」)。

[式中，Ra’⁷ ~Ra’⁹ 各自為烷基]。

式(a1-r-3)中，Ra’⁷ ~Ra’⁹ 各自較佳為碳數1~5的烷基，又較佳為碳數1~3的烷基。又，各烷基的合計的碳數較佳為3~7，又較佳為碳數3~5，更佳為碳數3~4。

作為構成單位(a1)，可列舉如：由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位(但是不包括構成單位(a0))；由丙烯醯胺所衍生的構成單位、由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位的羥基中的氫原子之至少一部份被經由包含前述酸分解性基的取代基所保護的構成單位；由乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物所衍生的構成單位的 -C(=O)-OH中的氫原子之至少一部份被經由包含前述酸分解性基的取代基所保護的構成單位等。

作為構成單位(a1)，上述之中，以由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位為較佳。作為該構成單位(a1)的較佳具體例，可列舉如下述一般式(a1-1)或(a1-2)所表示的構成單位(但是不包括相當於構成單位(a0)者)。

[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Va¹ 為可具有醚鍵結的2價的烴基，n_a1 為0~2，Ra¹ 為上述式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示的酸解離性基，Wa¹ 為n_a2 +1價的烴基，n_a2 為1~3，Ra² 為上述式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示的酸解離性基]。

前述式(a1-1)中，R的碳數1~5的烷基，以碳數1~5的直鏈狀或支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5的鹵化烷基為前述碳數1~5的烷基的氫原子中的一部份或全部被鹵素原子所取代之基。作為該鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為較佳。作為R，以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為較佳，就工業上的取得容易性而言，以氫原子或甲基為最佳。

前述式(a1-1)中，Va¹ 為可具有醚鍵結的2價的烴基。Va¹ 中的2價的烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

作為Va¹ 中的2價的烴基的脂肪族烴基可為飽和、亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。作為該脂肪族烴基，更具體而言可列舉如直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基、或構造中包含環的脂肪族烴基等。

前述直鏈狀的脂肪族烴基，以碳數為1~10為較佳，又較佳為1~6，更佳為1~4，最佳為1~3。作為直鏈狀的脂肪族烴基，較佳為直鏈狀的伸烷基，具體而言可列舉如伸甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、伸三甲基[-(CH₂ )₃ -]、伸四甲基[-(CH₂ )₄ -]、伸五甲基 [-(CH₂ )₅ -]等。前述支鏈狀的脂肪族烴基，以碳數為2~10為較佳，又較佳為3~6，更佳為3或4，最佳為3。作為支鏈狀的脂肪族烴基，較佳為支鏈狀的伸烷基，具體而言可列舉如：-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -等的烷基伸甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、 -CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等的烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等的烷基伸三甲基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等的烷基伸四甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。

作為前述構造中包含環的脂肪族烴基，可列舉如：脂環式烴基(由脂肪族烴環中去除2個氫原子而得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的末端而得之基、脂環式烴基介隔於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的途中而得之基等。作為前述直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，可列舉如與前述直鏈狀的脂肪族烴基或前述支鏈狀的脂肪族烴基為相同之內容。前述脂環式烴基，較佳碳數為3~20，以3~12為又較佳。前述脂環式烴基可為多環式，亦可為單環式。作為單環式的脂環式烴基，以由單環鏈烷中去除2個氫原子而得之基為較佳。作為該單環鏈烷，以碳數3~6者為較佳，具體而言可舉例環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴基，以由多環鏈烷中去除2個氫原子而得之基為較佳，作為該多環鏈烷，以碳數7~12者為較佳，具體而言可舉例金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Va¹ 中的2價的烴基的芳香族烴基為具有芳香環的烴基。該芳香族烴基，以碳數為3~30為較佳，以5~30為又較佳，以5~20為更佳，以6~15為特佳，以6~10為最佳。但是該碳數不包含取代基中的碳數。作為芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言可列舉如：苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子中的一部份被雜原子所取代芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可舉例氧原子、硫原子、氮原子等。作為該芳香族烴基，具體而言可舉例如：由前述芳香族烴環中去除2個氫原子而得之基(伸芳基)；由前述芳香族烴環中去除1個氫原子而得之基(芳基)之氫原子的1個被伸烷基所取代之基(例如由苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等的芳基烷基的芳基中進而去除1個氫原子而得之基)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)的碳數係以1~4為較佳，以1~2為又較佳，以1為特佳。

前述式(a1-2)中，Wa¹ 中的n_a2 +1價的烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。該脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基之意，且可為飽和、亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。作為前述脂肪族烴基，可列舉如：直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基、構造中包含環的脂肪族烴基、或組合直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基與構造中包含環的脂肪族烴基而得之基。前述n_a2 +1價係以2~4價為較佳，以2或3價為又較佳。

於以下表示前述式(a1-1)所表示的構成單位之具體例。以下的各式中，R^α 為表示氫原子、甲基或三氟甲基。

於以下表示前述式(a1-2)所表示的構成單位之具體例。

上述示例之中，構成單位(a1)較佳為上述一般式(a1-1)所表示的構成單位，其中以下述一般式(a1-11)所表示的構成單位為又較佳。

[式(a1-11)中，R¹¹ 為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ra¹¹ 為酸解離性基]。

前述式(a1-11)中，R¹¹ 為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，係與上述式(a1-1)中的R為相同地，以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基較佳，就工業上的取得的容易性而言，以氫原子或甲基最佳。

前述式(a1-11)中，Ra¹¹ 為酸解離性基，可列舉如至今為止被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的基底樹脂的酸解離性基者。作為Ra¹¹ ，係與上述式(a0-1)中的Ra⁰¹ (酸解離性基)為相同地，可列舉如「縮醛型酸解離性基」、「三級烷基酯型酸解離性基」。該等之中，以三級烷基酯型酸解離性基為較佳，以上述的一般式(a1-r2-1)所表示的基、一般式(a1-r2-4)所表示的基為又較佳。其中，就可更容易得到減低粗糙度的效果，此外，亦可容易提高矩形性之點而言，更佳為一般式(a1-r2-1)所表示的基。

(A1)成分所具有的構成單位(a1)可為1種，亦可為2種以上。若(A1)成分具有構成單位(a1)時，(A1)成分中的構成單位(a1)的比例，相對於構成(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)較佳為1~30莫耳%，又較佳為2~27.5莫耳%，更佳為5~20莫耳%，特佳為5~15莫耳%。藉由將構成單位(a1)的比例設定為下限值以上，可容易地得到阻劑圖型，並亦可提高感度、解析性、減低粗糙度等的微影特性。又，藉由設定為上限值以下，可取得與其他的構成單位的平衡。

・・關於構成單位(a2)： (A1)成分，除了構成單位(a0)以外，可進而具有包含含內酯的環式基、含-SO₂ -的環式基或含碳酸酯的環式基的構成單位(a2)。構成單位(a2)的含內酯的環式基、含-SO₂ -的環式基或含碳酸酯的環式基，若將(A1)成分使用於阻劑膜之形成時，就提高阻劑膜對基板的密著性而言為有效者。又，藉由具有構成單位(a2)，於鹼顯影製程中，顯影時阻劑膜對於鹼顯影液之溶解性將提高。

所謂的「含內酯的環式基」為表示其環骨架中含有包含-O-C(=O)-的環(內酯環)的環式基。將內酯環作為第一個環而進行計數，將僅具有內酯環之情形稱為單環式基，將進而具有其他的環構造之情形且無論其構造如何係稱為多環式基。含內酯的環式基可為單環式基，亦可為多環式基。作為構成單位(a2)中的含內酯的環式基，並無特別限定而可使用任意者。具體而言可列舉如下述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的基。

[式中，Ra’²¹ 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO₂ -的環式基；A”為可包含氧原子(-O-)或硫原子(-S-)的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子；n’為0~2的整數，m’為0或1]。

前述式(a2-r-1)~(a2-r-7)中，作為Ra’²¹ 中的烷基，較佳為碳數1~6的烷基。該烷基，以直鏈狀或支鏈狀為較佳。具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。該等之中，以甲基或乙基為較佳，以甲基為特佳。作為Ra’²¹ 中的烷氧基，較佳為碳數1~6的烷氧基。該烷氧基，以直鏈狀或支鏈狀為較佳。具體而言可列舉如前述Ra’²¹ 中作為烷基而列舉的烷基與氧原子(-O-)連結而得之基。作為Ra’²¹ 中的鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。作為Ra’²¹ 中的鹵化烷基，可列舉如前述Ra’²¹ 中的烷基的氫原子中的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基。作為該鹵化烷基，以氟化烷基為較佳，以全氟烷基為特佳。

Ra’²¹ 中的-COOR”、-OC(=O)R”之中，R”係均為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含有-SO₂ -的環式基。作為R”中的烷基，可任意為直鏈狀、支鏈狀或環狀，碳數較佳為1~15。若R”為直鏈狀或支鏈狀的烷基時，以碳數1~10為較佳，以碳數1~5為更佳，以甲基或乙基為特佳。若R”為環狀的烷基時，以碳數3~15為較佳，以碳數4~12為又較佳，以碳數5~10為更佳。具體而言可示例如：由可被氟原子或氟化烷基所取代、或未被取代的單環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基；由雙環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等的多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基等。更具體而言可舉例：由環戊烷、環己烷等的單環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基；由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基等。作為R”中的含內酯的環式基，可列舉如與前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的基為相同之內容。作為R”中的含碳酸酯的環式基，係與後述的含碳酸酯的環式基為相同地，具體而言可列舉如一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)的各自所表示的基。作為R”中的含-SO₂ -的環式基，係與後述的含-SO₂ -的環式基為相同地，具體而言可列舉如一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的基。作為Ra’²¹ 中的羥基烷基，以碳數為1~6為較佳，具體而言可列舉如前述Ra’²¹ 中的烷基的氫原子的至少1個被羥基所取代而得之基。

前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中，作為A”中的碳數1~5的伸烷基，較佳為直鏈狀或支鏈狀的伸烷基，可列舉如伸甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。若該伸烷基包含氧原子或硫原子時，作為該具體例，可列舉如於前述伸烷基的末端或碳原子間介隔著-O-或-S-而得之基，可列舉如-O-CH₂ -、-CH₂ -O-CH₂ -、-S-CH₂ -、 -CH₂ -S-CH₂ -等。作為A”，較佳為碳數1~5的伸烷基或 -O-，又較佳為碳數1~5的伸烷基，最佳為伸甲基。

於下述列舉一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的基之具體例。

所謂的「含-SO₂ -的環式基」為表示其環骨架中含有包含-SO₂ -的環的環式基，具體而言-SO₂ -中的硫原子(S)係形成環式基的環骨架的一部份的環式基。將該環骨架中包含-SO₂ -的環作為第一個環而進行計數，將僅具有該環之情形稱為單環式基，將進而具有其他的環構造之情形且無論其構造如何係稱為多環式基。含-SO₂ -的環式基可為單環式基，亦可為多環式基。含-SO₂ -的環式基係特別是以該環骨架中包含-O-SO₂ -的環式基為較佳，即，含有-O-SO₂ -中的-O-S-為形成環骨架的一部份的磺內酯(sultone)環的環式基。作為含-SO₂ -的環式基，更具體而言可列舉如下述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的基。

[式中，Ra’⁵¹ 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基，R”為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO₂ -的環式基，A”為可包含氧原子或硫原子的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2的整數]。

前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-2)中，A”係與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中的A”為相同。作為Ra’⁵¹ 中的烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可各自列舉如與前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中對於Ra’²¹ 的說明所舉例者為相同之內容。

於下述列舉一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的基之具體例。式中的「Ac」為表示乙醯基。

所謂的「含碳酸酯的環式基」為表示其環骨架中含有包含-O-C(=O)-O-的環(碳酸酯環)的環式基。將碳酸酯環作為第一個環而進行計數，將僅具有碳酸酯環之情形稱為單環式基，將進而具有其他的環構造之情形且無論其構造如何係稱為多環式基。含碳酸酯的環式基可為單環式基，亦可為多環式基。作為含有碳酸酯環的環式基，並無特別限定而可使用任意者。具體而言可列舉如下述一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)的各自所表示的基。

[式中，Ra’^x31 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基，R”為氫原子、烷基、含內酯的環式基、含碳酸酯的環式基、或含-SO₂ -的環式基，A”為可包含氧原子或硫原子的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，p’為0~3的整數，q’為0或1]。

前述一般式(ax3-r-2)~(ax3-r-3)中，A”係與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中的A”為相同。作為Ra’³¹ 中的烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，可各自列舉如與前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中對於Ra’²¹ 的說明所舉例者為相同之內容。

於下述列舉一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)的各自所表示的基之具體例。

作為構成單位(a2)，其中，以由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位為較佳。作為該構成單位(a2)的較佳具體例，可列舉如下述一般式(a2-1)所表示的構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ya²¹ 為單鍵或2價的連結基，La²¹ 為-O-、-COO-、 -CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’為表示氫原子或甲基，但是若La²¹ 為-O-時，Ya²¹ 不為-CO-，Ra²¹ 為含內酯的環式基、含-SO₂ -的環式基或含碳酸酯的環式基]。

前述式(a2-1)中，R為與前述相同。作為R，以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為較佳，就工業上的取得容易性而言，以氫原子或甲基為特佳。

前述式(a2-1)中，作為Ya²¹ 的2價的連結基並無特別限定，可舉例如亦可具有取代基的2價的烴基、包含雜原子的2價的連結基等來作為適合者。

作為Ya²¹ 中的2價的烴基，可列舉如與上述式(a1-1)中對於Va¹ 中的2價的烴基的說明所舉例之基為相同之內容。作為Ya²¹ 中的2價的烴基可具有的取代基，可列舉如碳數1~5的烷基、烷氧基、鹵素原子、碳數1~5的鹵化烷基、羥基、羰基等。

作為Ya²¹ 中的包含雜原子的2價的連結基的較佳者，可列舉如-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可被烷基、醯基等的取代基所取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹ -、 -[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -所表示的基[式中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基的2價的烴基，O為氧原子，m”為0~3的整數]。若前述包含雜原子的2價的連結基為-C(=O)-NH-、 -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，該H可被烷基、醯基等的取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)係以碳數為1~10為較佳，以1~8為更佳，以1~5為特佳。一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基的2價的烴基。作為該2價的烴基，可列舉如與作為前述2價的連結基的說明所舉例者(亦可具有取代基的2價的烴基)為相同之內容。作為Y²¹ ，以直鏈狀的脂肪族烴基為較佳，以直鏈狀的伸烷基為又較佳，以碳數1~5的直鏈狀的伸烷基為更佳，以伸甲基或伸乙基為特佳。作為Y²² ，以直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基為較佳，以伸甲基、伸乙基或烷基伸甲基為又較佳。該烷基伸甲基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳，以碳數1~3的直鏈狀的烷基為又較佳，以甲基為最佳。式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所表示的基中，m”為0~3的整數，以0~2的整數為較佳，以0或1為又較佳，以1為特佳。意即，作為式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所表示的基，以式 -Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -所表示的基為特佳。其中，以式 -(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -所表示的基為較佳。該式中，a’為1~10的整數，以1~8的整數為較佳，以1~5的整數為又較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’為1~10的整數，以1~8的整數為較佳，以1~5的整數為又較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。

作為Ya²¹ ，以單鍵、酯鍵結[-C(=O)-O-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或支鏈狀的伸烷基、或該等的組合為較佳。

前述式(a2-1)中，La²¹ 為-O-、-COO-、 -CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-。 R’為表示氫原子或甲基。但是若La²¹ 為-O-時，Ya²¹ 不為-CO-。

前述式(a2-1)中，Ra²¹ 為含內酯的環式基、含-SO₂ -的環式基或含碳酸酯的環式基。作為Ra²¹ 中的含內酯的環式基、含-SO₂ -的環式基、含碳酸酯的環式基，可各自列舉如上述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的基、一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的基、一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)的各自所表示的基來作為適合者。其中，Ra²¹ 較佳為含內酯的環式基或含-SO₂ -的環式基，以前述一般式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)或(a5-r-1)的各自所表示的基為又較佳。具體而言，以前述化學式(r-lc-1-1)~(r-lc-1-7)、(r-lc-2-1)~(r-lc-2-19)、(r-lc-6-1)、(r-sl-1-1)、(r-sl-1-18)的各自所表示的任一種的基為又較佳。該等之中，Ra²¹ 更佳為含內酯的環式基，以前述化學式(r-lc-2-1)~(r-lc-2-19)的各自所表示的任一種的基為特佳。

(A1)成分所具有的構成單位(a2)可為1種，亦可為2種以上。若(A1)成分具有構成單位(a2)時，構成單位(a2)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)較佳為5~70莫耳%，又較佳為10~65莫耳%，更佳為20~60莫耳%，特佳為30~55莫耳%。若構成單位(a2)的比例為前述的較佳範圍的下限值以上時，可充分得到藉由含有構成單位(a2)所帶來的效果，另一方面，若為前述的較佳範圍的上限值以下時，可與其他的構成單位取得平衡，而各種的微影特性及圖型形狀將為良好。

・・關於構成單位(a3)： (A1)成分，除了構成單位(a0)以外，可進而具有包含含極性基的脂肪族烴基的構成單位(a3)(但是不包括相當於上述的構成單位(a0)、構成單位(a1)、構成單位(a2)之任一者)。 (A1)成分係藉由具有構成單位(a3)，而提高了(A)成分之親水性，有助於解析性之提高。

作為極性基，可列舉如羥基、氰基、羧基、烷基的氫原子的一部份被氟原子所取代的羥基烷基等，特別是以羥基為較佳。作為脂肪族烴基，可列舉如碳數1~10的直鏈狀或支鏈狀的烴基(較佳為伸烷基)、或環狀的脂肪族烴基(環式基)。作為該環式基可為單環式基，亦可為多環式基，例如可由ArF準分子雷射用阻劑組成物用的樹脂中被多數提案者之基中適當選擇來使用。作為該環式基，以多環式基為較佳，碳數係以7~30為又較佳。其中，以由包含脂肪族多環式基的丙烯酸酯所衍生的構成單位為又較佳，且該脂肪族多環式基係含有羥基、氰基、羧基、或烷基的氫原子的一部份被氟原子所取代的羥基烷基。作為該多環式基，可示例由雙環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等中去除2個以上的氫原子而得之基等。具體而言可舉例由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的多環鏈烷中去除2個以上的氫原子而得之基等。該等的多環式基之中，以由金剛烷中去除2個以上的氫原子而得之基、由降莰烷中去除2個以上的氫原子而得之基、由四環十二烷中去除2個以上的氫原子而得之基，就工業上而言為較佳。

作為構成單位(a3)，只要是包含含極性基的脂肪族烴基即可，並無特別限定可使用任意者。作為構成單位(a3)係以由鍵結於α位的碳原子的氫原子可被取代基所取代的丙烯酸酯所衍生的構成單位，且包含含極性基的脂肪族烴基的構成單位為較佳。作為構成單位(a3)，若含極性基的脂肪族烴基中的烴基為碳數1~10的直鏈狀或支鏈狀的烴基時，較佳為由丙烯酸的羥基乙基酯所衍生的構成單位，若該烴基為多環式基時，較佳可舉例下述式(a3-1)所表示的構成單位、式(a3-2)所表示的構成單位、式(a3-3)所表示的構成單位。

[式中，R為與前述相同，j為1~3的整數，k為1~3的整數，t’為1~3的整數，l為1~5的整數，s為1~3的整數]。

式(a3-1)中，j較佳為1或2，更佳為1。若j為2時，羥基以鍵結於金剛烷基的第3位與第5位者為較佳。若j為1時，羥基以鍵結於金剛烷基的第3位者為較佳。 J係以1為較佳，特別是羥基以鍵結於金剛烷基的第3位者為較佳。

式(a3-2)中，k較佳為1。氰基係以鍵結於降莰基的第5位或第6位為較佳。

式(a3-3)中，t’較佳為1。l較佳為1。s較佳為1。該等係以在丙烯酸的羧基的末端鍵結2-降莰基或3-降莰基為較佳。氟化烷基醇係以鍵結於降莰基的第5位或第6位為較佳。

(A1)成分所具有的構成單位(a3)可為1種，亦可為2種以上。若(A1)成分具有構成單位(a3)時，構成單位(a3)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)較佳為1~50莫耳%，又較佳為3~40莫耳%，更佳為5~30莫耳%，特佳為10~30莫耳%。藉由將構成單位(a3)的比例設定為下限值以上，可更提高在阻劑圖型形成中的解析性。另一方面，藉由設定為較佳的上限值以下，可容易取得與其他的構成單位的平衡。

・・關於構成單位(a4)： (A1)成分，除了構成單位(a0)以外，可進而具有包含酸非解離性的脂肪族環式基的構成單位(a4)。 (A1)成分係藉由具有構成單位(a4)，而提高了所形成的阻劑圖型的乾蝕刻耐性。又，(A)成分的疏水性為提高。疏水性的提高，特別是於溶劑顯影製程時，將有助於解析性、阻劑圖型形狀等的提高。構成單位(a4)中的「酸非解離性環式基」，在經由曝光而於該阻劑組成物中產生酸之際(例如由經由曝光而產生酸的構成單位或(B)成分來產生酸之際)，即使受到該酸之作用也不會引起解離，而以原狀殘留於該構成單位中的環式基。

作為構成單位(a4)，例如，以由包含酸非解離性的脂肪族環式基的丙烯酸酯所衍生的構成單位等為較佳。該環式基，可使用ArF準分子雷射用、KrF準分子雷射用(較佳為ArF準分子雷射用)等的阻劑組成物的樹脂成分所使用的以往周知的多數成分。該環式基，就工業上易取得等之點而言，特別是由三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基、異莰基、降莰基所選出之至少1種為較佳。該等的多環式基可具有碳數1~5的直鏈狀或支鏈狀的烷基來作為取代基。作為構成單位(a4)，具體而言可示例如下述一般式(a4-1)~(a4-7)的各自所表示的構成單位。

[式中，R^α 與前述為相同之內容]。

(A1)成分所具有的構成單位(a4)可為1種，亦可為2種以上。若(A1)成分具有構成單位(a4)時，構成單位(a4)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)較佳為1~40莫耳%，又較佳為5~20莫耳%。藉由將構成單位(a4)的比例設定為較佳的下限值以上，可充分得到藉由含有構成單位(a4)所帶來的效果，另一方面，藉由設定為較佳的上限值以下，可容易取得與其他的構成單位的平衡。

・・關於構成單位(a10)：構成單位(a10)為下述一般式(a10-1)所表示的構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ya^x1 為單鍵或2價的連結基，Wa^x1 為(n_ax1 +1)價的芳香族烴基，n_ax1 為1以上的整數]。

前述式(a10-1)中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。 R中的碳數1~5的烷基，以碳數1~5的直鏈狀或支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。 R中的碳數1~5的鹵化烷基為前述碳數1~5的烷基的氫原子中的一部份或全部被鹵素原子所取代之基。作為該鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為較佳。作為R，以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為較佳，就工業上的取得容易性而言，以氫原子、甲基或三氟甲基為又較佳，以氫原子或甲基為更佳，以甲基為特佳。

前述式(a10-1)中，Ya^x1 為單鍵或2價的連結基。前述的化學式中，作為Ya^x1 中的2價的連結基並無特別限定，可列舉如可具有取代基的2價的烴基、包含雜原子的2價的連結基等來作為適合者。

・可具有取代基的2價的烴基：若Ya^x1 為可具有取代基的2價的烴基之情形，該烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。

・・Ya^x1 中的脂肪族烴基脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基之意。該脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。作為前述脂肪族烴基，可列舉如直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基、或構造中包含環的脂肪族烴基等。

・・・直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基該直鏈狀的脂肪族烴基，較佳碳數為1~10，又較佳為碳數1~6，更佳為碳數1~4，最佳為碳數1~3。作為直鏈狀的脂肪族烴基，以直鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可列舉如伸甲基[-CH₂ -]、伸乙基 [-(CH₂ )₂ -]、伸三甲基[-(CH₂ )₃ -]、伸四甲基[-(CH₂ )₄ -]、伸五甲基[-(CH₂ )₅ -]等。該支鏈狀的脂肪族烴基，較佳碳數為2~10，又較佳為碳數3~6，更佳為碳數3或4，最佳為碳數3。作為支鏈狀的脂肪族烴基，以支鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可列舉如-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -等的烷基伸甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、 -CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等的烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等的烷基伸三甲基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等的烷基伸四甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。

前述直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基為亦可具有取代基，不具有取代基亦可。作為該取代基，可列舉如氟原子、被氟原子所取代的碳數1~5的氟化烷基、羰基等。

・・・構造中包含環的脂肪族烴基作為該構造中包含環的脂肪族烴基，可列舉如環構造中可含有包含雜原子的取代基的環狀的脂肪族烴基(由脂肪族烴環中去除2個氫原子而得之基)、前述環狀的脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的末端而得之基、前述環狀的脂肪族烴基介隔於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的途中而得之基等。作為前述直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，可列舉如與前述為相同之內容。環狀的脂肪族烴基，較佳碳數為3~20，以碳數3~12為又較佳。環狀的脂肪族烴基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式的脂環式烴基，以由單環鏈烷中去除2個氫原子而得之基為較佳。作為該單環鏈烷，較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉如環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴基，以由多環鏈烷中去除2個氫原子而得之基為較佳，作為該多環鏈烷，較佳為碳數7~12者，具體而言可列舉如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀的脂肪族烴基為亦可具有取代基，不具有取代基亦可。作為該取代基，可列舉如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。作為前述取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為較佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為又較佳。作為前述取代基的烷氧基方面，以碳數1~5的烷氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為又較佳，以甲氧基、乙氧基為更佳。作為前述取代基的鹵素原子方面，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。作為前述取代基的鹵化烷基方面，可列舉如前述烷基的氫原子中的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基。環狀的脂肪族烴基，構成該環構造的碳原子的一部份可被包含雜原子的取代基所取代。作為該包含雜原子的取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-為較佳。

・・Ya^x1 中的芳香族烴基該芳香族烴基為具有至少1個芳香環之烴基。該芳香環，只要為具有4n+2個的π電子的環狀共軛系即可，並未有特別之限定，可為單環式、亦可為多環式。芳香環的碳數較佳為5~30，又較佳為碳數5~20，更佳為碳數6~15，特佳為碳數6~12。但是將該碳數設定為不包含取代基中的碳數。作為芳香環，具體而言可列舉如：苯、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子中的一部份被雜原子所取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言可列舉如吡啶環、噻吩環等。作為芳香族烴基，具體而言可列舉如：由前述芳香族烴環或芳香族雜環中去除2個氫原子而得之基(伸芳基或雜伸芳基)；由含有2個以上的芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)中去除2個氫原子而得之基；由前述芳香族烴環或芳香族雜環中去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)中的1個氫原子被伸烷基所取代之基(例如由苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等的芳基烷基中的芳基中再去除1個氫原子而得之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基的伸烷基的碳數，以1~4為較佳，以碳數1~2為又較佳，以碳數1為特佳。

前述芳香族烴基，該芳香族烴基所具有的氫原子可被取代基所取代。例如鍵結於該芳香族烴基中的芳香環的氫原子可被取代基所取代。作為該取代基，可列舉如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。作為前述取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為較佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為又較佳。作為前述取代基的烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基方面，可列舉如作為可取代前述環狀的脂肪族烴基所具有的氫原子的取代基所例示之基。

・包含雜原子的2價的連結基：若Ya^x1 為包含雜原子的2價的連結基之情形，作為該連結基的較佳者，可列舉如-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可被烷基、醯基等的取代基所取代)、-S-、 -S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、 -Y²¹ -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、 -Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -所表示的基[式中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基的2價的烴基，O為氧原子，m”為0~3的整數]等。若前述包含雜原子的2價的連結基為-C(=O)-NH-、 -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-之情形，該H可被烷基、醯基等的取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)係以碳數為1~10為較佳，以1~8為更佳，以1~5為特佳。一般式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、 -C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 各自獨立為亦可具有取代基的2價的烴基。作為該2價的烴基，可列舉如與作為前述Ya^x1 中的2價的連結基的說明所舉例者(亦可具有取代基的2價的烴基)為相同之內容。作為Y²¹ ，以直鏈狀的脂肪族烴基為較佳，以直鏈狀的伸烷基為又較佳，以碳數1~5的直鏈狀的伸烷基為更佳，以伸甲基或伸乙基為特佳。作為Y²² ，以直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基為較佳，以伸甲基、伸乙基或烷基伸甲基為又較佳。該烷基伸甲基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳，以碳數1~3的直鏈狀的烷基為又較佳，以甲基為最佳。式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所表示的基中，m”為0~3的整數，以0~2的整數為較佳，以0或1為又較佳，以1為特佳。意即，作為式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -所表示的基，以式 -Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -所表示的基為特佳。其中，以式 -(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -所表示的基為較佳。該式中，a’為1~10的整數，以1~8的整數為較佳，以1~5的整數為又較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’為1~10的整數，以1~8的整數為較佳，以1~5的整數為又較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。

上述之中，作為Ya^x1 ，以單鍵、酯鍵結 [-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵結(-O-)、直鏈狀或支鏈狀的伸烷基、或該等的組合為較佳，以單鍵、酯鍵結 [-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]為又較佳。

前述式(a10-1)中，Wa^x1 為(n_ax1 +1)價的芳香族烴基。作為Wa^x1 中的芳香族烴基，可列舉如由芳香環中去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基。在此的芳香環，只要為具有4n+2個的π電子的環狀共軛系即可，並未有特別之限定，可為單環式、亦可為多環式。芳香環的碳數，以5~30為較佳，以碳數5~20為又較佳，以碳數6~15為更佳，以碳數6~12為特佳。作為該芳香環，具體而言可列舉如：苯、萘、蒽、菲等的芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子中的一部份被雜原子所取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言可列舉如吡啶環、噻吩環等。又，作為Wa^x1 中的芳香族烴基，亦可列舉由含有2個以上的芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)中去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基。上述之中，作為Wa^x1 ，以由苯、萘、蒽或聯苯中去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基為較佳，以由苯或萘中去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基為又較佳，以由苯中去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基為更佳。

前述式(a10-1)中，n_ax1 為1以上的整數，以1~10的整數為較佳，以1~5的整數為又較佳，以1、2或3為更佳，以1或2為特佳。

以下為表示前述式(a10-1)所表示的構成單位(a10)之具體例。以下的各式中，R^α 為表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所具有的構成單位(a10)可為1種，亦可為2種以上。若(A1)成分具有構成單位(a10)時，(A1)成分中的構成單位(a10)的比例，相對於構成(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)較佳為5~50莫耳%，又較佳為5~40莫耳%，更佳為10~30莫耳%。藉由將構成單位(a10)的比例設定為下限值以上，可更容易提高感度。另一方面，藉由設定為上限值以下，可容易取得與其他的構成單位的平衡。

・・關於由苯乙烯或其衍生物所衍生的構成單位(構成單位(st))：所謂的「苯乙烯」為包含苯乙烯及苯乙烯的α位的氫原子被烷基、鹵化烷基等的取代基所取代者之概念。作為在此的取代基的烷基，可列舉如碳數1~5的烷基，作為該取代基的鹵化烷基，可列舉如碳數1~5的鹵化烷基。作為「苯乙烯衍生物」，可列舉如α位的氫原子可被取代基所取代的苯乙烯中的苯環上鍵結有取代基而成者。尚，所謂的α位(α位的碳原子)，於無特別限定下，係指苯環所鍵結的碳原子之意。所謂的「苯乙烯所衍生的構成單位」、「苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」，係指苯乙烯或苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵經開裂而構成的構成單位之意。 (A1)成分所具有的構成單位(st)可為1種，亦可為2種以上。若(A1)成分具有構成單位(st)時，構成單位(st)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)較佳為1~30莫耳%，又較佳為3~20莫耳%。

本實施形態的阻劑組成物中，(A1)成分的樹脂成分包含具有構成單位(a0)的高分子化合物，可單獨使用該高分子化合物的1種，併用2種以上亦可。作為具有構成單位(a0)的高分子化合物，較佳可各自列舉例如：包含具有構成單位(a0)、構成單位(a2)與因應所需的其他的構成單位的共聚物而得之高分子化合物；包含具有構成單位(a0)、構成單位(a1)與因應所需的其他的構成單位而得之高分子化合物。作為該共聚物，可列舉如由構成單位(a0)與構成單位(a2)的重複構造所形成的共聚物、由構成單位(a0)、構成單位(a2)與構成單位(a1)的重複構造所形成的共聚物為合適。

若(A1)成分具有構成單位(a0)與構成單位(a1)之情形，就可更容易得到本發明的效果而言，以組合一般式(a0-1)所表示的構成單位與一般式(a1-11)所表示的構成單位為又較佳。進而，就可提高微影特性、可容易形成更良好形狀的阻劑圖型而言，較佳為下述之情形：前述一般式(a0-1)中的Ra⁰¹ 及前述一般式(a1-11)中的Ra¹¹ 皆為由具有鍵結於式中的氧原子(-O-)的三級碳原子的環式脂肪族烴基所形成的酸解離性基。

於(A1)成分中，作為包含酸解離性基的構成單位，前述構成單位(a0)的比例較佳為50莫耳%以上，亦可為100莫耳%。又，作為包含酸解離性基的構成單位，若併用前述構成單位(a0)及前述構成單位(a1)時，就可更容易得到本發明的效果而言，前述構成單位(a0)與前述構成單位(a1)的合計100莫耳%中，前述構成單位(a0)所佔的比例較佳為50莫耳%以上，又較佳為50~95莫耳%，特佳為60~90莫耳%。

≪(A2)成分≫ 本實施形態的阻劑組成物，作為(A)成分，亦可併用不相當於前述(A1)成分的經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的基材成分(以下稱為「(A2)成分」)。作為(A2)成分並未有特別之限定，可由以往以來作為化學增幅型阻劑組成物用基材成分而周知的多數成分中任意選擇使用。 (A2)成分可單獨使用高分子化合物或低分子化合物的1種，組合2種以上亦可。

(A)成分中的(A1)成分的比例，相對於(A)成分的總質量較佳為50質量%以上，又較佳為75質量%以上，更佳為90質量%以上，亦可為100質量%。藉由使該(A1)成分的比例成為前述較佳範圍的下限值以上時，可容易形成高感度化、或解析性、減低粗糙度等的各種的微影特性為優異的阻劑圖型。

本實施形態的阻劑組成物中，(A)成分的含量，可因應於所欲形成的阻劑膜厚等來作適當調整即可。

＜(B)成分＞ (B)成分為經由曝光而產生酸的酸產生劑成分。

≪(B1)成分≫ 本實施形態的阻劑組成物中，(B)成分包含下述一般式(b1)所表示的酸產生劑(B1)(以下亦稱為「(B1)成分」)。

[式(b1)中，R^b01 為可具有取代基的碳數3~20的環狀的烴基，L^b01 為-O-C(=O)-或-C(=O)-O-，Y^b01 為2價的連結基或單鍵，V^b01 為碳數1~9的氟化伸烷基，R^b02 為氟原子或氫原子，但是V^b01 與R^b02 所具有的合計的氟原子數為2或3，m為1以上的整數，M^m+ 為表示m價的有機陽離子]。

前述式(b1)中，R^b01 為可具有取代基的碳數3~20的環狀的烴基。 R^b01 中的環狀的烴基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基之意。又，脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。

R^b01 中的芳香族烴基為具有芳香環的烴基。該芳香族烴基的碳數，以3~20為較佳，以碳數5~20為又較佳，以碳數6~15為特佳，以碳數6~10為最佳。但是該碳數不包含取代基中的碳數。作為R^b01 中的芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言可列舉如苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯、或構成該等的芳香環的碳原子的一部份被雜原子所取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。作為R^b01 中的芳香族烴基，具體而言可列舉如：由前述芳香環中去除1個氫原子而得之基(芳基：例如苯基、萘基等)、前述芳香環的1個氫原子被伸烷基所取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等的芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)的碳數，較佳為1~4，又較佳為碳數1~2，特佳為碳數1。

R^b01 中的環狀的脂肪族烴基，可列舉如構造中包含環的脂肪族烴基。作為該構造中包含環的脂肪族烴基，可列舉如：脂環式烴基(由脂肪族烴環中去除1個氫原子而得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的末端而得之基、脂環式烴基介隔於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的途中而得之基等。前述脂環式烴基係碳數為3~20，以碳數3~12為較佳。前述脂環式烴基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式的脂環式烴基，以由單環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基為較佳。作為該單環鏈烷，以碳數3~6者為較佳，具體而言可列舉如環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴基，以由多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基為較佳，作為該多環鏈烷，以碳數7~20者為較佳。其中，作為該多環鏈烷，又較佳為：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的具有交聯環系的多環式骨架的多環鏈烷；具有膽固醇骨架的環式基等的具有縮合環系的多環式骨架的多環鏈烷。

其中，作為R^b01 中的環狀的脂肪族烴基，以由單環鏈烷或多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基為較佳，以由多環鏈烷中去除1個氫原子而得之基為又較佳，以金剛烷基、降莰基為特佳，以金剛烷基為最佳。

可鍵結於脂環式烴基的直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基，較佳碳數為1~10，以碳數1~6為又較佳，以碳數1~4為更佳，以碳數1~3為特佳。作為直鏈狀的脂肪族烴基，以直鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可列舉如伸甲基[-CH₂ -]、伸乙基 [-(CH₂ )₂ -]、伸三甲基[-(CH₂ )₃ -]、伸四甲基[-(CH₂ )₄ -]、伸五甲基[-(CH₂ )₅ -]等。作為支鏈狀的脂肪族烴基，以支鏈狀的伸烷基為較佳，具體而言可列舉如-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -等的烷基伸甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、 -CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、 -C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等的烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、 -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等的烷基伸三甲基； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等的烷基伸四甲基等的烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀的烷基為較佳。

又，R^b01 中的環狀的烴基，可如雜環等般地包含雜原子。具體而言可列舉如前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的含內酯的環式基、前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的含-SO₂ -的環式基、其他的下述的化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)的各自所表示的雜環式基。

上述之中，就可更容易地得到本發明的效果而言，R^b01 較佳為環狀的脂肪族烴基，以由多環鏈烷中去除1個氫原子而得之基為又較佳。

作為R^b01 的環式基中的取代基，可列舉如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。作為取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為較佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。作為取代基的烷氧基方面，以碳數1~5的烷氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為又較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。作為取代基的鹵素原子方面，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。作為取代基的鹵化烷基方面，可列舉如碳數1~5的烷基，例如，甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等的氫原子中的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基。作為取代基的羰基，係將構成環狀的烴基的伸甲基 (-CH₂ -)予以取代之基。

前述式(b1)中，L^b01 為-O-C(=O)-或-C(=O)-O-。

前述式(b1)中，Y^b01 為2價的連結基或單鍵。作為Y^b01 中的2價的連結基，可列舉如氧原子(醚鍵結：-O-)、伸烷基或該等的組合等。作為在此的伸烷基，以碳數1~30的伸烷基為較佳，以碳數1~10的伸烷基為又較佳，以碳數1~5的伸烷基為更佳。前述的組合，意即，氧原子(醚鍵結：-O-)與伸烷基的組合，進而亦可連結磺醯基(-SO₂ -)。上述之中，Y^b01 較佳為伸烷基、單鍵。

前述式(b1)中，V^b01 為碳數1~9的氟化伸烷基。作為V^b01 中的氟化伸烷基，碳數為1~9，以碳數1~4為較佳。前述式(b1)中，R^b02 為氟原子或氫原子。但是V^b01 與R^b02 所具有的合計的氟原子數為2或3。

將(B1)成分中的陰離子部之具體例舉例於下述。尚，(B1)成分中的陰離子部並不限定於該等的具體例。

前述式(b1)中，M^m+ 為表示m價的有機陽離子。作為M^m+ 中的有機陽離子，以鎓陽離子為較佳，以鋶陽離子、錪陽離子為又較佳。m為1以上的整數。

作為較佳的陽離子部((M^m+ )_1/m )，可列舉如下述的一般式(ca-1)~(ca-5)的各自所表示的有機陽離子。

[式中，R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 、及R²¹¹ ~R²¹² 各自獨立表示亦可具有取代基的芳基、烷基或烯基，R²⁰¹ ~R²⁰³ 、R²⁰⁶ ~R²⁰⁷ 、R²¹¹ ~R²¹² 係可相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環，R²⁰⁸ ~R²⁰⁹ 各自獨立表示氫原子或碳數1~5的烷基，R²¹⁰ 為亦可具有取代基的芳基、亦可具有取代基的烷基、亦可具有取代基的烯基、或亦可具有取代基的含-SO₂ -的環式基，L²⁰¹ 表示-C(=O)-或-C(=O)-O-，Y²⁰¹ 各自獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基，x為1或2，W²⁰¹ 為表示(x+1)價的連結基]。

作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 、及R²¹¹ ~R²¹² 中的芳基，可列舉如碳數6~20的未取代的芳基，以苯基、萘基為較佳。作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 、及R²¹¹ ~R²¹² 中的烷基為鏈狀或環狀的烷基，且較佳為碳數1~30者。作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 、及R²¹¹ ~R²¹² 中的烯基，較佳碳數為2~10。作為R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 、及R²¹⁰ ~R²¹² 可具有的取代基，可列舉如烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、下述式(ca-r-1)~(ca-r-7)的各自所表示的基。

[式中，R’²⁰¹ 各自獨立為氫原子、亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基]。

前述的式(ca-r-1)~(ca-r-7)中，R’²⁰¹ 為氫原子、亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基。

亦可具有取代基的環式基：該環式基較佳為環狀的烴基，該環狀的烴基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基之意。又，脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常係以飽和為較佳。

R’²⁰¹ 中的芳香族烴基為具有芳香環的烴基。該芳香族烴基的碳數，以3~30為較佳，以碳數5~30為又較佳，以碳數5~20為更佳，以碳數6~15為特佳，以碳數6~10為最佳。但是該碳數不包含取代基中的碳數。作為R’²⁰¹ 中的芳香族烴基所具有的芳香環，具體而言可列舉如苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯、或構成該等的芳香環的碳原子的一部份被雜原子所取代之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中的雜原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。作為R’²⁰¹ 中的芳香族烴基，具體而言可列舉如：由前述芳香環中去除1個氫原子而得之基(芳基：例如苯基、萘基等)、前述芳香環的1個氫原子被伸烷基所取代之基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等的芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)的碳數，以1~4為較佳，以碳數1~2為又較佳，以碳數1為特佳。

R’²⁰¹ 中的環狀的脂肪族烴基，可列舉如構造中包含環的脂肪族烴基。作為該構造中包含環的脂肪族烴基，可列舉如：脂環式烴基(由脂肪族烴環中去除1個氫原子而得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的末端而得之基、脂環式烴基介隔於直鏈狀或支鏈狀的脂肪族烴基的途中而得之基等。前述脂環式烴基，較佳碳數為3~20，以3~12為又較佳。前述脂環式烴基可為多環式基，亦可為單環式基。作為單環式的脂環式烴基，以由單環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基為較佳。作為該單環鏈烷，以碳數3~6者為較佳，具體而言可列舉如環戊烷、環己烷等。作為多環式的脂環式烴基，以由多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基為較佳，作為該多環鏈烷，以碳數7~30者為較佳。其中，作為該多環鏈烷，又較佳為：金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的具有交聯環系的多環式骨架的多環鏈烷；具有膽固醇骨架的環式基等的具有縮合環系的多環式骨架的多環鏈烷。

其中，作為R’²⁰¹ 中的環狀的脂肪族烴基，以由單環鏈烷或多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基為較佳，以由多環鏈烷中去除1個氫原子而得之基為又較佳，以金剛烷基、降莰基為特佳，以金剛烷基為最佳。

又，R’²⁰¹ 中的環狀的烴基，可如雜環等般地包含雜原子。具體而言可列舉如前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的含內酯的環式基、前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的含-SO₂ -的環式基、其他的上述的化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)的各自所表示的雜環式基。

作為R’²⁰¹ 的環式基中的取代基，可列舉如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。作為取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為較佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。作為取代基的烷氧基方面，以碳數1~5的烷氧基為較佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為又較佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。作為取代基的鹵素原子方面，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。作為取代基的鹵化烷基方面，可列舉如碳數1~5的烷基，例如，甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等的氫原子中的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基。作為取代基的羰基，係將構成環狀的烴基的伸甲基 (-CH₂ -)予以取代之基。

亦可具有取代基的鏈狀的烷基：作為R’²⁰¹ 的鏈狀的烷基，可任意為直鏈狀或支鏈狀。作為直鏈狀的烷基，較佳碳數為1~20，以碳數1~15為又較佳，以碳數1~10為最佳。具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、異十三基、十四基、十五基、十六基、異十六基、十七基、十八基、十九基、二十基、二十一基、二十二基等。作為支鏈狀的烷基，較佳碳數為3~20，以碳數3~15為又較佳，以碳數3~10為最佳。具體而言可列舉如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

亦可具有取代基的鏈狀的烯基：作為R’²⁰¹ 的鏈狀的烯基，可任意為直鏈狀或支鏈狀，較佳碳數為2~10，以碳數2~5為又較佳，以碳數2~4為更佳，以碳數3為特佳。作為直鏈狀的烯基，可列舉如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。作為支鏈狀的烯基，可列舉如1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。作為鏈狀的烯基，上述之中，以直鏈狀的烯基為較佳，以乙烯基、丙烯基為又較佳，以乙烯基為特佳。

作為R’²⁰¹ 的鏈狀的烷基或烯基中的取代基，可列舉如烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R’²⁰¹ 中的環式基等。

R’²⁰¹ 的亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，除了上述以外，作為亦可具有取代基的環式基或亦可具有取代基的鏈狀的烷基，亦可列舉與上述的式(a1-r-2)所表示的酸解離性基為相同之內容。

其中，R’²⁰¹ 較佳為亦可具有取代基的環式基，又較佳為亦可具有取代基的環狀的烴基。更具體而言較佳例如為：由苯基、萘基、多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基；前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的含內酯的環式基；前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的含-SO₂ -的環式基等。

若R²⁰¹ ~R²⁰³ 、R²⁰⁶ ~R²⁰⁷ 、R²¹¹ ~R²¹² 為相互鍵結並與式中的硫原子共同形成環時，亦可介隔著硫原子、氧原子、氮原子等的雜原子、或羰基、-SO-、-SO₂ -、 -SO₃ -、-COO-、-CONH-或-N(R_N )-(該R_N 為碳數1~5的烷基)等的官能基來進行鍵結。作為所形成的環係其環骨架中包含式中的硫原子的1個環為包含硫原子，以3~10員環為較佳，以5~7員環為特佳。作為所形成的環之具體例，可舉例如噻吩環、噻唑環、苯并噻吩環、噻蒽環、苯并噻吩環、二苯并噻吩環、9H-硫環、噻吨酮環、噻蒽環、啡噻環、四氫噻吩鎓環、四氫硫代吡喃環等。

R²⁰⁸ ~R²⁰⁹ 各自獨立表示氫原子或碳數1~5的烷基，以氫原子或碳數1~3的烷基為較佳，若為烷基時，可相互鍵結來形成環。

R²¹⁰ 為亦可具有取代基的芳基、亦可具有取代基的烷基、亦可具有取代基的烯基、或亦可具有取代基的含-SO₂ -的環式基。作為R²¹⁰ 中的芳基，可列舉如碳數6~20的未取代的芳基，以苯基、萘基為較佳。作為R²¹⁰ 中的烷基為鏈狀或環狀的烷基，且較佳為碳數1~30者。作為R²¹⁰ 中的烯基，較佳碳數為2~10。作為R²¹⁰ 中的亦可具有取代基的含-SO₂ -的環式基，可列舉如與前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)的各自所表示的含 -SO₂ -的環式基為相同之內容，之中，以「含-SO₂ -的多環式基」為較佳，以一般式(a5-r-1)所表示的基為又較佳。

前述的式(ca-4)、式(ca-5)中，Y²⁰¹ 各自獨立表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。 Y²⁰¹ 中的伸芳基，可列舉如由前述的R’²⁰¹ 中作為芳香族烴基所示例的芳基中去除1個氫原子而得之基。 Y²⁰¹ 中的伸烷基、伸烯基，可列舉如由前述的R’²⁰¹ 中作為鏈狀的烷基、鏈狀的烯基所示例之基中去除1個氫原子而得之基。

前述的式(ca-4)、式(ca-5)中，x為1或2。 W²⁰¹ 為(x+1)價，即，2價或3價的連結基。作為W²⁰¹ 中的2價的連結基，以亦可具有取代基的2價的烴基為較佳，可示例如與上述的一般式(a2-1)中的Ya²¹ 為相同的亦可具有取代基的2價的烴基。W²⁰¹ 中的2價的連結基可任意為直鏈狀、支鏈狀或環狀，以環狀為較佳。其中，以伸芳基的兩端組合2個羰基而得之基為較佳。作為伸芳基，可列舉如伸苯基、伸萘基等，以伸苯基為特佳。作為W²⁰¹ 中的3價的連結基，可列舉如：由前述W²⁰¹ 中的2價的連結基中除去1個氫原子而得之基、前述2價的連結基進而鍵結前述2價的連結基而得之基等。作為W²⁰¹ 中的3價的連結基，以伸芳基鍵結2個羰基而得之基為較佳。

作為前述式(ca-1)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如下述式(ca-1-1)~(ca-1-127)的各自所表示的陽離子。

[式中，g1、g2、g3為表示重複數，g1為1~5的整數，g2為0~20的整數，g3為0~20的整數]。

[式中，R”²⁰¹ 為氫原子或取代基，且作為該取代基係與作為前述R²⁰¹ ~R²⁰⁷ 、及R²¹⁰ ~R²¹² 可具有的取代基所列舉者為相同]。

作為前述式(ca-2)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)錪陽離子等。

作為前述式(ca-3)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如下述式(ca-3-1)~(ca-3-6)的各自所表示的陽離子。

作為前述式(ca-4)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如下述式(ca-4-1)~(ca-4-2)的各自所表示的陽離子。

又，作為前述式(ca-5)所表示的陽離子，亦較佳為下述一般式(ca-5-1)~(ca-5-3)的各自所表示的陽離子。

上述之中，陽離子部[(M^m+ )_1/m ]較佳為一般式(ca-1)所表示的陽離子，又較佳為式(ca-1-1)~(ca-1-127)的各自所表示的陽離子。

本實施形態的阻劑組成物中，可單獨使用1種的(B1)成分，併用2種以上亦可。本實施形態的阻劑組成物中，相對於(A)成分100質量份，(B1)成分的含量較佳為2~20質量份，又較佳為5~15質量份，更佳為5~10質量份。若(B1)成分的含量為前述較佳範圍的下限值以上時，在阻劑圖型形成中將可更提高LWR(線寬度粗糙度)之減低、尺寸均勻性、形狀等的微影特性。另一方面，若為較佳上限值以下時，將阻劑組成物的各成分溶解於有機溶劑之際，可容易得到均勻的溶液，並可更提高作為阻劑組成物的保存穩定性。

≪(B2)成分≫ 在不損及本發明效果的範圍內，本實施形態的阻劑組成物亦可含有(B1)成分以外的酸產生劑成分(以下稱為「(B2)成分」)。作為(B2)成分並未有特別之限定，可使用至今為止被提案作為化學增幅型阻劑組成物用的酸產生劑者。作為如此般的酸產生劑，可列舉如：錪鹽或鋶鹽等的鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑；雙烷基或雙芳基磺醯基重氮甲烷類、聚(雙磺醯基)重氮甲烷類等的重氮甲烷系酸產生劑；硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺磺酸酯系酸產生劑、二碸系酸產生劑等多種的酸產生劑。

作為鎓鹽系酸產生劑，可列舉如下述的一般式(b-1)所表示的化合物(以下亦稱為「(b-1)成分」)、一般式(b-2)所表示的化合物(以下亦稱為「(b-2)成分」)或一般式(b-3)所表示的化合物(以下亦稱為「(b-3)成分」)。尚，將(b-1)成分設定為不包含相當於上述的(B1)成分的化合物。

[式中，R¹⁰¹ 、R¹⁰⁴ ~R¹⁰⁸ 各自獨立為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 可相互鍵結而形成環。R¹⁰² 為氟原子或碳數1~5的氟化烷基，Y¹⁰¹ 為單鍵或包含氧原子的2價的連結基，V¹⁰¹ ~V¹⁰³ 各自獨立為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基，L¹⁰¹ ~L¹⁰² 各自獨立為單鍵或氧原子，L¹⁰³ ~L¹⁰⁵ 各自獨立為單鍵、-CO-或-SO₂ -，m為1以上的整數，M’^m+ 為m價的鎓陽離子]。

{陰離子部} ・(b-1)成分的陰離子部式(b-1)中，R¹⁰¹ 為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基。關於該R¹⁰¹ 之說明，係與前述的式(ca-r-1)~(ca-r-7)中對於R’²⁰¹ 中的亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基所說明者為相同。

前述式(b-1)中，Y¹⁰¹ 為單鍵或包含氧原子的2價的連結基。若Y¹⁰¹ 為包含氧原子的2價的連結基之情形，該Y¹⁰¹ 亦可含有氧原子以外的原子。作為氧原子以外的原子，可列舉如碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。作為該包含氧原子的2價的連結基，可列舉如下述一般式(y-al-1)~(y-al-7)的各自所表示的連結基。

[式中，V’¹⁰¹ 為單鍵或碳數1~5的伸烷基，V’¹⁰² 為碳數1~30的2價的飽和烴基]。

V’¹⁰² 中的2價的飽和烴基，以碳數1~30的伸烷基為較佳，以碳數1~10的伸烷基為又較佳，以碳數1~5的伸烷基為更佳。

作為V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中的伸烷基可為直鏈狀的伸烷基，亦可為支鏈狀的伸烷基，以直鏈狀的伸烷基為較佳。作為V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中的伸烷基，具體而言可列舉如：伸甲基[-CH₂ -]；-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等的烷基伸甲基；伸乙基[-CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ -、 -CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -等的烷基伸乙基；伸三甲基(n-伸丙基)[-CH₂ CH₂ CH₂ -]； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等的烷基伸三甲基；伸四甲基[-CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]； -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等的烷基伸四甲基；伸五甲基[-CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]等。又，V’¹⁰¹ 或V’¹⁰² 中的前述伸烷基中的一部份的伸甲基，可被碳數5~10的2價的脂肪族環式基所取代。該脂肪族環式基，以由前述式(b-1)中的R¹⁰¹ 中的環狀的脂肪族烴基(單環式的脂環式烴基、多環式的脂環式烴基)中去除1個氫原子而得之2價之基為較佳，以伸環己基、1,5-伸金剛烷基或2,6-伸金剛烷基為又較佳。

作為Y¹⁰¹ ，以包含酯鍵結的2價的連結基、或包含醚鍵結的2價的連結基為較佳，以上述一般式(y-al-1)~(y-al-5)的各自所表示的連結基為又較佳。

前述式(b-1)中，V¹⁰¹ 為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。V¹⁰¹ 中的伸烷基、氟化伸烷基，以碳數1~4為較佳。作為V¹⁰¹ 中的氟化伸烷基，可列舉如V¹⁰¹ 中的伸烷基的氫原子中的一部份或全部被氟原子所取代之基。其中，V¹⁰¹ 較佳為單鍵、或碳數1~4的氟化伸烷基。

前述式(b-1)中，R¹⁰² 為氟原子或碳數1~5的氟化烷基。R¹⁰² 較佳為氟原子或碳數1~5的全氟烷基，又較佳為氟原子。

作為(b-1)成分的陰離子部之具體例，例如若Y¹⁰¹ 為單鍵時，可列舉如三氟甲烷磺酸酯陰離子或全氟丁烷磺酸酯陰離子等的氟化烷基磺酸酯陰離子。

・(b-2)成分的陰離子部式(b-2)中，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 各自獨立為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，各自可列舉如與前述R’²⁰¹ 為相同之內容。但是R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 可相互鍵結而形成環。 R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 較佳為亦可具有取代基的鏈狀的烷基，又較佳為直鏈狀或支鏈狀的烷基、或直鏈狀或支鏈狀的氟化烷基。該鏈狀的烷基的碳數較佳為1~10，又較佳為碳數1~7，更佳為碳數1~3。R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 的鏈狀的烷基的碳數，於上述碳數的範圍內時，就對於阻劑用溶劑的溶解性亦為良好等的理由，故以越小越佳。又，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 的鏈狀的烷基中，被氟原子所取代的氫原子的數量越多，酸的強度將變得越強，又對於200nm以下的高能量光或電子線的透明性為提高，而為較佳。前述鏈狀的烷基中的氟原子的比例(即，氟化率)係較佳為70~100%，更佳為90~100%，最佳為全部的氫原子被氟原子所取代的全氟烷基。式(b-2)中，V¹⁰² 、V¹⁰³ 各自獨立為單鍵、伸烷基、或氟化伸烷基，各自可列舉如與式(b-1)中的V¹⁰¹ 為相同之內容。式(b-2)中，L¹⁰¹ 、L¹⁰² 各自獨立為單鍵或氧原子。

・(b-3)成分的陰離子部式(b-3)中，R¹⁰⁶ ~R¹⁰⁸ 各自獨立為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，各自可列舉如與前述R’²⁰¹ 為相同之內容。 L¹⁰³ ~L¹⁰⁵ 各自獨立為單鍵、-CO-或-SO₂ -。

{陽離子部} 式(b-1)、(b-2)及(b-3)中，m為1以上的整數，M’^m+ 為m價的鎓陽離子，可適合列舉如鋶陽離子、錪陽離子，並可列舉如上述的一般式(ca-1)~(ca-5)的各自所表示的有機陽離子。

作為上述式(ca-1)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如上述式(ca-1-1)~(ca-1-127)的各自所表示的陽離子。

作為上述式(ca-2)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)錪陽離子等。

作為上述式(ca-3)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如上述式(ca-3-1)~(ca-3-6)的各自所表示的陽離子。

作為上述式(ca-4)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如上述式(ca-4-1)~(ca-4-2)的各自所表示的陽離子。

作為上述式(ca-5)所表示的適合的陽離子，具體而言可列舉如上述式(ca-5-1)~(ca-5-3)的各自所表示的陽離子。

上述之中，陽離子部[(M’^m+ )_1/m ]較佳為一般式(ca-1)所表示的陽離子，又較佳為式(ca-1-1)~(ca-1-127)的各自所表示的陽離子。

本實施形態的阻劑組成物中，可單獨使用1種的(B2)成分，併用2種以上亦可。若阻劑組成物含有(B2)成分時，阻劑組成物中的(B2)成分的含量，相對於(A)成分100質量份，較佳為50質量份以下，又較佳為1~40質量份，更佳為5~30質量份。藉由將(B2)成分的含量設定為上述範圍，可充分地進行圖型形成。又，將阻劑組成物的各成分溶解於有機溶劑之際，可容易得到均勻的溶液，且由於作為阻劑組成物的保存穩定性為良好，而為較佳。

＜任意成分＞本實施形態的阻劑組成物可進而含有上述的(A)成分及(B)成分以外的成分(任意成分)。作為該任意成分，可列舉如以下所表示的(D)成分、(E)成分、(F)成分、(S)成分等。

≪(D)成分：酸擴散控制劑成分≫ 除了(A)成分及(B)成分以外，本實施形態的阻劑組成物可進而含有酸擴散控制劑成分(以下稱為「(D)成分」)。(D)成分係作用為在阻劑組成物中捕集經由曝光而產生的酸的抑制劑(酸擴散控制劑)。作為(D)成分，可列舉如：經由曝光而分解並喪失酸擴散控制性的光崩壞性鹼(D1)(以下稱為「(D1)成分」)、不相當於該(D1)成分的含氮有機化合物(D2)(以下稱為「(D2)成分」)等。

・關於(D1)成分藉由含有(D1)成分來製成阻劑組成物，於形成阻劑圖型之際，可使阻劑膜的曝光部與非曝光部的對比更提高。作為(D1)成分，只要是經由曝光而分解並喪失酸擴散控制性者即可，並未有特別之限定，以選自由下述一般式(d1-1)所表示的化合物(以下稱為「(d1-1)成分」)、下述一般式(d1-2)所表示的化合物(以下稱為「(d1-2)成分」)及下述一般式(d1-3)所表示的化合物(以下稱為「(d1-3)成分」)所形成的群中之1種以上的化合物為較佳。 (d1-1)~(d1-3)成分係由於在阻劑膜的曝光部中分解並喪失酸擴散控制性(鹼性)，故不發揮作為抑制劑(quencher)之作用，而在阻劑膜的未曝光部中發揮作為抑制劑之作用。

[式中，Rd¹ ~Rd⁴ 為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，但是於式(d1-2)中的Rd² 中，與S原子鄰接的碳原子係設定為不鍵結氟原子，Yd¹ 為單鍵或2價的連結基，m為1以上的整數，M^m+ 各自獨立為m價的有機陽離子]。

{(d1-1)成分} ・・陰離子部式(d1-1)中，Rd¹ 為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，各自可列舉如與前述R’²⁰¹ 為相同之內容。該等之中，作為Rd¹ 較佳為亦可具有取代基的芳香族烴基、亦可具有取代基的脂肪族環式基、或亦可具有取代基的鏈狀的烷基。作為該等基可具有的取代基，可列舉如羥基、側氧基、烷基、芳基、氟原子、氟化烷基、上述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)的各自所表示的含內酯的環式基、醚鍵結、酯鍵結、或該等的組合。若包含醚鍵結或酯鍵結來作為取代基時，可介隔著伸烷基，作為該情形時的取代基，較佳為上述式(y-al-1)~(y-al-5)的各自所表示的連結基。作為前述芳香族烴基，可適合列舉苯基、萘基、包含雙環辛烷骨架的多環構造(由雙環辛烷骨架與其以外的環構造所形成的多環構造)。作為前述脂肪族環式基，以由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的多環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之基為又較佳。作為前述鏈狀的烷基，較佳碳數為1~10，具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等的直鏈狀的烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等的支鏈狀的烷基。

前述鏈狀的烷基的取代基為氟原子或具有氟化烷基的氟化烷基時，氟化烷基的碳數，以1~11為較佳，以1~8為又較佳，以1~4為更佳。該氟化烷基亦可含有氟原子以外的原子。作為氟原子以外的原子，可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。作為Rd¹ ，以構成直鏈狀的烷基的一部份或全部的氫原子被氟原子所取代的氟化烷基為較佳，以構成直鏈狀的烷基的全部氫原子被氟原子所取代的氟化烷基(直鏈狀的全氟烷基)為特佳。

以下為表示(d1-1)成分的陰離子部的較佳具體例。

・・陽離子部式(d1-1)中，M^m+ 為m價的有機陽離子。作為M^m+ 的有機陽離子，可適合列舉與前述一般式(ca-1)~(ca-5)的各自所表示的陽離子為相同之內容，以前述一般式(ca-1)所表示的陽離子為又較佳，以前述式(ca-1-1)~(ca-1-127)的各自所表示的陽離子為更佳。可單獨使用1種的(d1-1)成分，組合2種以上來使用亦可。

{(d1-2)成分} ・・陰離子部式(d1-2)中，Rd² 為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，可列舉如與前述R’²⁰¹ 為相同之內容。但是於Rd² 中，與S原子鄰接的碳原子係設定為不鍵結氟原子(未被氟取代)者。藉此，可使(d1-2)成分的陰離子形成適度的弱酸陰離子，而可提高作為(D)成分的抑制能力。作為Rd² 較佳為亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的脂肪族環式基。作為鏈狀的烷基，以碳數1~10為較佳，以3~10為又較佳。作為脂肪族環式基，以由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等中去除1個以上的氫原子而得之基(亦可具有取代基)；由樟腦等中去除1個以上的氫原子而得之基為又較佳。 Rd² 的烴基為亦可具有取代基，作為該取代基，可列舉如與前述式(d1-1)的Rd¹ 中的烴基(芳香族烴基、脂肪族環式基、鏈狀的烷基)可具有的取代基為相同之內容。

以下為表示(d1-2)成分的陰離子部的較佳具體例。

・・陽離子部式(d1-2)中，M^m+ 為m價的有機陽離子，係與前述式(d1-1)中的M^m+ 為相同。可單獨使用1種的(d1-2)成分，組合2種以上來使用亦可。

{(d1-3)成分} ・・陰離子部式(d1-3)中，Rd³ 為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，可列舉如與前述R’²⁰¹ 為相同之內容，以包含氟原子的環式基、鏈狀的烷基、或鏈狀的烯基為較佳。其中，較佳為氟化烷基，又較佳為與前述Rd¹ 的氟化烷基為相同之內容。

式(d1-3)中，Rd⁴ 為亦可具有取代基的環式基、亦可具有取代基的鏈狀的烷基、或亦可具有取代基的鏈狀的烯基，可列舉如與前述R’²⁰¹ 為相同之內容。其中，較佳為亦可具有取代基的烷基、烷氧基、烯基、環式基。 Rd⁴ 中的烷基，以碳數1~5的直鏈狀或支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。Rd⁴ 的烷基的氫原子的一部份可被羥基、氰基等所取代。 Rd⁴ 中的烷氧基，以碳數1~5的烷氧基為較佳，作為碳數1~5的烷氧基，具體而言可列舉如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基。其中，以甲氧基、乙氧基為較佳。

Rd⁴ 中的烯基，可列舉如與前述R’²⁰¹ 中的烯基為相同之內容，以乙烯基、丙烯基(烯丙基)、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基為較佳。該等基可進而具有作為取代基的碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。

Rd⁴ 中的環式基，可列舉如與前述R’²⁰¹ 中的環式基為相同之內容，較佳為：由環戊烷、環己烷、金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等的環鏈烷中去除1個以上的氫原子而得之脂環式基、或、苯基、萘基等的芳香族基。若Rd⁴ 為脂環式基時，因阻劑組成物將可良好地溶解至有機溶劑中，故微影特性將為良好。又，若Rd⁴ 為芳香族基時，於使用EUV等作為曝光光源之微影中，該阻劑組成物的光吸收效率為優異，故感度或微影特性將為良好。

式(d1-3)中，Yd¹ 為單鍵或2價的連結基。作為Yd¹ 中的2價的連結基並無特別限定，可列舉如亦可具有取代基的2價的烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)、包含雜原子的2價的連結基等。該等係可各自舉例與上述式(a2-1)中的對於Ya²¹ 中的2價的連結基所說明、列舉的亦可具有取代基的2價的烴基、包含雜原子的2價的連結基為相同之內容。作為Yd¹ 係以羰基、酯鍵結、醯胺鍵結、伸烷基或該等的組合為較佳。作為伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀的伸烷基為又較佳，以伸甲基或伸乙基為更佳。

以下為表示(d1-3)成分的陰離子部的較佳具體例。

・・陽離子部式(d1-3)中，M^m+ 為m價的有機陽離子，係與前述式(d1-1)中的M^m+ 為相同。可單獨使用1種的(d1-3)成分，組合2種以上來使用亦可。

(D1)成分係可僅使用上述(d1-1)~(d1-3)成分之任1種、或亦可組合2種以上來使用。若阻劑組成物含有(D1)成分時，阻劑組成物中的(D1)成分的含量，相對於(A)成分100質量份，較佳為0.5~20質量份，又較佳為1~15質量份，更佳為5~10質量份。若(D1)成分的含量為較佳的下限值以上時，特別是可容易得到良好的微影特性及阻劑圖型形狀。另一方面，若為上限值以下時，可良好地維持感度、且產率亦為優異。

(D1)成分的製造方法：前述的(d1-1)成分、(d1-2)成分的製造方法並未有特別之限定，可藉由周知的方法來製造。又，(d1-3)成分的製造方法並未有特別之限定，例如，可與US2012-0149916號公報中記載之方法相同地進行來製造。

・關於(D2)成分作為酸擴散控制劑成分，可含有不相當於上述的(D1)成分的含氮有機化合物成分(以下稱為「(D2)成分」)。作為(D2)成分，只要是具有作為酸擴散控制劑之作用，且不相當於(D1)成分者即可，並未有特別之限定，可從周知者來任意地使用。其中，以脂肪族胺為較佳，之中，特別是以第2級脂肪族胺或第3級脂肪族胺為又較佳。所謂的脂肪族胺，指具有1個以上的脂肪族基的胺，該脂肪族基係以碳數為1~12為較佳。作為脂肪族胺，可列舉如將氨NH₃ 的氫原子的至少1個以碳數12以下的烷基或羥基烷基來進行取代而成的胺(烷基胺或烷基醇胺)或環式胺。作為烷基胺及烷基醇胺之具體例，可列舉如n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、n-癸基胺等的單烷基胺；二乙基胺、二-n-丙基胺、二-n-庚基胺、二-n-辛基胺、二環己基胺等的二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三-n-丁基胺、三-n-戊基胺、三-n-己基胺、三-n-庚基胺、三-n-辛基胺、三-n-壬基胺、三-n-癸基胺、三-n-十二基胺等的三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等的烷基醇胺。該等之中，以碳數5~10的三烷基胺為更佳，以三-n-戊基胺或三-n-辛基胺為特佳。

作為環式胺，可舉例如包含氮原子來作為雜原子的雜環化合物。作為該雜環化合物，可為單環式者(脂肪族單環式胺)，亦可為多環式者(脂肪族多環式胺)。作為脂肪族單環式胺，具體而言可舉例哌啶、哌嗪等。作為脂肪族多環式胺係以碳數為6~10者為較佳，具體而言可舉例1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、六亞甲基四胺、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等。

作為其他的脂肪族胺，可舉例參(2-甲氧基甲氧基乙基)胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基}胺、參{2-(1-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基丙氧基)乙基}胺、參[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，以三乙醇胺三乙酸酯為較佳。

又，作為(D2)成分，可使用芳香族胺。作為芳香族胺，可舉例4-二甲胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或該等的衍生物、三苄基胺、2,6-二異丙基苯胺、N-tert-丁氧基羰基吡咯啶等。

可單獨使用1種的(D2)成分，組合2種以上來使用亦可。若阻劑組成物含有(D2)成分時，阻劑組成物中的(D2)成分，相對於(A)成分100質量份，通常係以0.01~5質量份的範圍來使用。藉由設定為上述範圍，而可提高阻劑圖型形狀、存放之經時穩定性等。

≪(E)成分：選自由有機羧酸以及磷的含氧酸及其衍生物所形成的群中之至少1種的化合物≫ 本實施形態的阻劑組成物中，為達到防止感度劣化、或提高阻劑圖型形狀、存放之經時穩定性等之目的下，作為任意成分，可使含有選自由有機羧酸以及磷的含氧酸及其衍生物所形成的群中之至少1種的化合物(E)(以下稱為「(E)成分」)。作為有機羧酸，以例如乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、苯甲酸、水楊酸等為適合。作為磷的含氧酸，可舉例磷酸、膦酸(phosphonic acid)、次膦酸(phosphinic acid)等，該等之中特別是以膦酸為較佳。作為磷的含氧酸的衍生物，可舉例如將上述含氧酸的氫原子以烴基進行取代而成的酯等，作為前述烴基，可舉例碳數1~5的烷基、碳數6~15的芳基等。作為磷酸的衍生物，可舉例磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯基酯等的磷酸酯等。作為膦酸的衍生物，可舉例膦酸二甲酯、膦酸-二-n-丁酯、膦酸苯基酯、膦酸二苯基酯、膦酸二苄酯等的膦酸酯等。作為次膦酸的衍生物，可舉例次膦酸酯或次膦酸苯基酯等。本實施形態的阻劑組成物中，可單獨使用1種的(E)成分，併用2種以上來使用亦可。若阻劑組成物含有(E)成分時，(E)成分的含量，相對於(A)成分100質量份，通常係以0.01~5質量份的範圍來使用。

≪(F)成分：氟添加劑成分≫ 本實施形態的阻劑組成物中，為了賦予阻劑膜撥水性，可含有氟添加劑成分(以下，亦稱為「(F)成分」)。作為(F)成分，可使用例如日本特開2010-002870號公報、日本特開2010-032994號公報、日本特開2010-277043號公報、日本特開2011-13569號公報、日本特開2011-128226號公報記載的含氟高分子化合物。

作為(F)成分，更具體而言，可列舉如具有下述式(f1-1)所表示的構成單位(f1)的聚合物。作為前述聚合物，較佳為：僅由下述式(f1-1)所表示的構成單位(f1)所形成的聚合物(均聚物)；該構成單位(f1)與前述構成單位(a1)的共聚物；該構成單位(f1)與丙烯酸或甲基丙烯酸所衍生的構成單位與前述構成單位(a1)的共聚物。於此，作為與該構成單位(f1)共聚合的前述構成單位(a1)，以由1-乙基-1-環辛基(甲基)丙烯酸酯所衍生的構成單位、由1-甲基-1-金剛烷基(甲基)丙烯酸酯所衍生的構成單位為較佳。

又，作為(F)成分，更具體而言可列舉如具有下述式(f1-2)所表示的構成單位(f2)的聚合物。作為前述聚合物，較佳為：僅由下述式(f1-2)所表示的構成單位(f2)所形成的聚合物(均聚物)；該構成單位(f2)與前述構成單位(a4)的共聚物。於此，作為與該構成單位(f2)共聚合的前述構成單位(a4)，以上述一般式(a4-1)~(a4-7)的各自所表示的任一構成單位為較佳，以一般式(a4-2)所表示的構成單位為又較佳。

[式中，R係與前述為相同之內容，Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 各自獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 可為相同或相異皆可，nf¹ 為0~5的整數，Rf¹⁰¹ 為包含氟原子的有機基，Rf¹¹ ~Rf¹² 各自獨立為氫原子、碳數1~4的烷基或碳數1~4的氟化烷基，Rf¹³ 為氟原子或碳數1~4的氟化烷基，Rf¹⁴ 為碳數1~4的直鏈狀或支鏈狀的烷基、或碳數1~4的直鏈狀的氟化烷基]。

式(f1-1)中，鍵結於α位的碳原子的R，係與前述為相同之內容。作為R，以氫原子或甲基為較佳。式(f1-1)中，作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 的鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 的碳數1~5的烷基，可列舉如與上述R的碳數1~5的烷基為相同之內容，以甲基或乙基為較佳。作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 的碳數1~5的鹵化烷基，具體而言可列舉如碳數1~5的烷基的氫原子中之一部份或全部被鹵素原子所取代之基。作為該鹵素原子，可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。其中，作為Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ ，以氫原子、氟原子、或碳數1~5的烷基為佳，以氫原子、氟原子、甲基、或乙基為較佳。式(f1-1)中，nf¹ 為1~5的整數，以1~3的整數為較佳，以1或2為又較佳。

式(f1-1)中，Rf¹⁰¹ 為包含氟原子的有機基，以包含氟原子的烴基為較佳。作為包含氟原子的烴基，可任意為直鏈狀、支鏈狀或環狀，碳數較佳為1~20，以碳數1~15為又較佳，以碳數1~10為特佳。又，包含氟原子的烴基中，以該烴基中25%以上的氫原子被氟化者為較佳，以50%以上被氟化者為又較佳，以60%以上被氟化者，以其可提高浸潤曝光時的阻劑膜的疏水性，而為特佳。其中，作為Rf¹⁰¹ 係以碳數1~6的氟化烴基為較佳，以三氟甲基、-CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CF₂ -CF₃ 、-CH(CF₃ )₂ 、-CH₂ -CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CH₂ -CF₂ -CF₂ -CF₂ -CF₃ 為特佳。

式(f1-2)中，鍵結於α位的碳原子的R，係與前述為相同之內容。作為R，以氫原子或甲基為較佳。前述式(f1-2)中，Rf¹¹ ~Rf¹² 各自獨立為氫原子、碳數1~4的烷基或碳數1~4的氟化烷基。 Rf¹¹ ~Rf¹² 中的碳數1~4的烷基，可任意為直鏈狀、支鏈狀或環狀，以直鏈狀或支鏈狀的烷基為較佳，具體而言可列舉甲基、乙基來作為適合者，以乙基為特佳。 Rf¹¹ ~Rf¹² 中的碳數1~4的氟化烷基，係碳數1~4的烷基中的氫原子中的一部份或全部被氟原子所取代之基。該氟化烷基中，未被氟原子取代的狀態的烷基，可任意為直鏈狀、支鏈狀或環狀，可列舉如與上述「Rf¹¹ ~Rf¹² 中的碳數1~4的烷基」為相同之內容。上述之中，Rf¹¹ ~Rf¹² 係以氫原子或碳數1~4的烷基為較佳，以Rf¹¹ ~Rf¹² 中之一者為氫原子，且另一者為碳數1~4的烷基為特佳。

前述式(f1-2)中，Rf¹³ 為氟原子或碳數1~4的氟化烷基。 Rf¹³ 中的碳數1~4的氟化烷基，可列舉如與上述「Rf¹¹ ~Rf¹² 中的碳數1~4的氟化烷基」為相同之內容，以碳數1~3為較佳，以碳數1~2為又較佳。 Rf¹³ 的氟化烷基中，相對於該氟化烷基中所含的氟原子與氫原子之合計數，氟原子數之比例(氟化率(%))，以30~100%為較佳，以50~100%為又較佳。該氟化率越高時，可提高阻劑膜的疏水性。

前述式(f1-2)中，Rf¹⁴ 為碳數1~4的直鏈狀或支鏈狀的烷基、或碳數1~4的直鏈狀的氟化烷基，以碳數1~4的直鏈狀的烷基、碳數1~4的直鏈狀的氟化烷基為較佳。作為Rf¹⁴ 中的烷基，具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基，其中，以甲基、乙基為較佳，以甲基為最佳。作為Rf¹⁴ 中的氟化烷基，具體而言可列舉如-CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CF₂ -CF₃ 、-CH₂ -CF₂ -CF₂ -CF₃ 來作為適合者，其中，以-CH₂ -CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CF₃ 為特佳。

(F)成分的質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透色層分析之聚苯乙烯換算基準)，以1000~50000為較佳，以5000~40000為又較佳，以10000~30000為最佳。於該範圍的上限值以下時，作為阻劑使用時，對阻劑用溶劑具有充份的溶解性，於該範圍的下限值以上時，可使耐乾蝕刻性或阻劑圖型斷面形狀成為良好。 (F)成分的分散度(Mw/Mn)，以1.0~5.0為較佳，以1.0~3.0為又較佳，以1.0~2.5為最佳。

本實施形態的阻劑組成物中，可單獨使用1種的(F)成分，併用2種以上來使用亦可。若阻劑組成物含有(F)成分時，(F)成分的含量，相對於(A)成分100質量份，通常係以0.5~10質量份的比例來使用。

≪(S)成分：有機溶劑成分≫ 本實施形態的阻劑組成物，可將阻劑材料溶解於有機溶劑成分(以下稱為「(S)成分」)來進行製造。作為(S)成分，只要是可溶解所使用的各成分，並形成均勻的溶液者即可，其可由以往作為化學增幅型阻劑組成物的溶劑之周知成分中，適當地選擇任意成分來使用。作為(S)成分，可列舉如：γ-丁內酯等的內酯類；丙酮、甲基乙酮、環己酮、甲基-n-戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等的具有酯鍵結的化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵結的化合物之單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等的單烷醚或單苯醚等的具有醚鍵結的化合物等的多元醇類之衍生物[該些之中，又以丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)為佳]；二噁烷等的環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄醚、甲苯酚基甲醚、二苯醚、二苄醚、苯乙醚、丁基苯醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、三甲苯等的芳香族系有機溶劑、二甲基亞碸(DMSO)等。本實施形態的阻劑組成物中，可單獨使用1種的(S)成分，以2種以上之混合溶劑方式使用亦可。其中，以PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL、環己酮為較佳。又，PGMEA與極性溶劑混合而得之混合溶劑亦佳。該調配比(質量比)，可於考慮PGMEA與極性溶劑之相溶性等之後，作適當之決定即可，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2之範圍內為佳。更具體而言，例如，調配作為極性溶劑的EL或環己酮時，PGMEA：EL或環己酮之質量比，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2。又，調配作為極性溶劑的PGME時，PGMEA：PGME之質量比，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2，更佳為3：7~7：3。此外，亦可使用PGMEA與PGME與環己酮之混合溶劑。又，作為(S)成分，除此以外，由PGMEA及EL中所選出之至少1種、與γ-丁內酯而得之混合溶劑亦佳。此情形中，混合比例依前者與後者之質量比為基準時，較佳為70：30~95：5。 (S)成分的使用量，並未有特別之限定，其可依可塗布於基板等的濃度，因應於塗布膜厚度作適當之設定。一般而言，為使阻劑組成物的固形分濃度成為1~20質量%，較佳為2~15質量%之範圍內，來使用(S)成分。

本實施形態的阻劑組成物中，可依期望進而適當添加含有具混和性的添加劑，例如：用以改良阻劑膜之性能而加成的樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、穩定劑、著色劑、抗光暈劑、染料等。

以上所說明的本實施形態的阻劑組成物，其含有具有一般式(a0-1)所表示的構成單位(a0)的樹脂成分(A1)。藉由將(A1)成分中的構成單位(a0)設定為超過30莫耳%，經由酸之作用而可使樹脂的極性更為增加，並可提高顯影溶解性，故可提高在藉由曝光時而光難以到達的基板界面附近的解析性。進一步，藉由與具有具備特定構造的陰離子部的酸產生劑組合，阻劑膜的曝光部與未曝光部的溶解性對比亦為提高。因此，藉由本實施形態的阻劑組成物，可試圖使粗糙度減低化，而可形成底部拖尾為經改善且矩形性高的更良好形狀的微細阻劑圖型。

(阻劑圖型形成方法) 本實施形態的阻劑圖型形成方法，具有下述步驟(i)~步驟(iii)，步驟(i)：使用上述的阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜；步驟(ii)：將前述阻劑膜曝光；步驟(iii)：將前述曝光後的阻劑膜顯影而形成阻劑圖型。作為該阻劑圖型形成方法之一實施形態，可舉例如採下述般之方式來進行的阻劑圖型形成方法。

步驟(i)：首先，將上述實施形態的阻劑組成物使用旋轉器等塗布於支撐體上，例如以80~150℃的溫度條件下施予40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘來進行烘烤(預烘烤/Post Apply Bake(PAB))處理，從而形成阻劑膜。步驟(ii)：接下來，對於該阻劑膜使用例如ArF曝光裝置、電子線描繪裝置、EUV曝光裝置等的曝光裝置，介隔著形成有指定的圖型的遮罩(遮罩圖型)來進行曝光或不介隔著遮罩圖型而經由電子線的直接照射之描繪等來進行選擇性曝光後，例如以80~150℃的溫度條件下施予40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘來進行烘烤(曝光後烘烤/post exposure bake(PEB))處理。步驟(iii)：接下來，將前述阻劑膜進行顯影處理。若顯影處理為鹼顯影製程之情形時，則使用鹼顯影液來進行，若為溶劑顯影製程之情形時，則使用含有有機溶劑的顯影液(有機系顯影液)來進行。

顯影處理後，較佳為進行淋洗處理。若為鹼顯影製程之情形時，淋洗處理係以使用純水的水淋洗為較佳；若為溶劑顯影製程之情形時，淋洗處理則以使用含有有機溶劑的淋洗液為較佳。溶劑顯影製程之情形時，於前述顯影處理或淋洗處理之後，亦可進行藉由超臨界流體來除去附著於圖型上的顯影液或淋洗液之處理。顯影處理後或淋洗處理後再進行乾燥。又，視情形於上述顯影處理後亦可進行烘烤處理(後烘烤)。如此般之方式可形成阻劑圖型。

作為支撐體並無特別限定，可使用以往周知者，可舉例如電子零件用的基板、或於此者形成有指定的配線圖型者等。更具體而言，可舉例矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等的金屬製的基板、或玻璃基板等。作為配線圖型的材料，可使用例如銅、鋁、鎳、金等。又，作為支撐體，於如上述般的基板上設置有無機系及/或有機系的膜者亦可。作為無機系的膜，可舉例無機抗反射膜(無機BARC)。作為有機系的膜，可舉例有機抗反射膜(有機BARC)、或多層阻劑法中的下層有機膜等的有機膜。於此，所謂的多層阻劑法，係指於基板上設置至少一層的有機膜(下層有機膜)、與至少一層的阻劑膜(上層阻劑膜)，將於上層阻劑膜所形成的阻劑圖型作為遮罩並進行對下層有機膜之圖型化之方法、且可以形成高長寛比的圖型。即，依據多層阻劑法，因下層有機膜而可確保所需要的厚度，故可使阻劑膜薄膜化，而將可形成高長寛比的微細圖型。多層阻劑法中，基本上分為：形成上層阻劑膜、與下層有機膜的二層構造之方法(2層阻劑法)；於上層阻劑膜與下層有機膜之間設置一層以上的中間層(金屬薄膜等)的三層以上的多層構造之方法(3層阻劑法)。

曝光所使用的波長並無特別限定，可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F₂ 準分子雷射、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等的放射線來進行。前述阻劑組成物係作為KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性為高，作為ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性為更高。

於前述步驟(ii)中，阻劑膜之曝光方法，可為在空氣或氮等的惰性氣體中進行的一般曝光(乾式曝光)，亦可為浸潤式曝光(Liquid Immersion Lithography)。本實施形態的阻劑圖型形成方法，在將前述阻劑膜進行浸潤式曝光時為特別有用之方法。

浸潤式曝光係預先將阻劑膜與曝光裝置之最下面位置的透鏡之間，以填滿具有較空氣的折射率為大折射率的溶媒(浸潤介質)，並在該狀態下來進行曝光(浸潤曝光)之曝光方法。作為浸潤介質，以具有較空氣的折射率為大、且較所曝光的阻劑膜的折射率為小折射率的溶媒為較佳。作為該溶媒的折射率，只要是於前述範圍內時並無特別限制。作為具有較空氣的折射率為大、且較前述阻劑膜的折射率為小折射率的溶媒，可舉例如水、氟系惰性液體、矽系溶劑、烴系溶劑等。作為氟系惰性液體的具體例，可舉例C₃ HCl₂ F₅ 、C₄ F₉ OCH₃ 、C₄ F₉ OC₂ H₅ 、C₅ H₃ F₇ 等的將氟系化合物作為主成分的液體等，以沸點為70~180℃者為較佳，以80~160℃者為又較佳。若氟系惰性液體具有上述範圍之沸點時，於曝光結束後，因可以簡便的方法來進行浸潤中所使用的介質之去除，故為較佳。作為氟系惰性液體，特別是以烷基的氫原子全部被氟原子所取代的全氟烷基化合物為較佳。作為全氟烷基化合物，具體而言可舉例全氟烷基醚化合物、全氟烷基胺化合物。進而，具體而言作為前述全氟烷基醚化合物，可舉例全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，作為前述全氟烷基胺化合物，可舉例全氟三丁胺(沸點174℃)。作為浸潤介質，從成本、安全性、環境問題、廣泛使用性等的觀點而言，以水為較佳使用。

作為鹼顯影製程中顯影處理所使用的鹼顯影液，可舉例如0.1~10質量%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液。作為溶劑顯影製程中顯影處理所使用的有機系顯影液所含有的有機溶劑，只要是能溶解(A)成分(曝光前的(A)成分)者即可，可從周知的有機溶劑之中來做適當選擇。具體而言，可舉例酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等的極性溶劑、烴系溶劑等。酮系溶劑為構造中包含C-C(=O)-C的有機溶劑。酯系溶劑為構造中包含C-C(=O)-O-C的有機溶劑。醇系溶劑為構造中包含醇性羥基的有機溶劑。「醇性羥基」係指鍵結於脂肪族烴基的碳原子的羥基之意。腈系溶劑為構造中包含腈基的有機溶劑。醯胺系溶劑為構造中包含醯胺基的有機溶劑。醚系溶劑為構造中包含C-O-C的有機溶劑。有機溶劑之中，亦可存在構造中包含複數種具有上述各溶劑特徵的官能基的有機溶劑，但此情形時係設定為相當於包含該有機溶劑所具有的官能基的任意的溶劑種類。例如二乙二醇單甲醚，於上述分類中，則設定為相當於醇系溶劑、醚系溶劑之任意者。烴系溶劑係由可被鹵化的烴所成、且不具有鹵素原子以外的取代基的烴溶劑。作為鹵素原子，可舉例氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為較佳。作為有機系顯影液所含有的有機溶劑，上述中，以極性溶劑為較佳，以酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等為較佳。

作為酮系溶劑，可舉例如1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、二丙酮基醇、乙醯基甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛酮、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、甲基戊基酮(2-庚酮)等。該等之中，作為酮系溶劑係以甲基戊基酮(2-庚酮)為較佳。

作為酯系溶劑，可舉例如乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。該等之中，作為酯系溶劑係以乙酸丁酯為較佳。

作為腈系溶劑，可舉例如乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。

有機系顯影液中因應所需可調配周知的添加劑。作為該添加劑可舉例如界面活性劑。作為界面活性劑並無特別限定，可使用例如離子性或非離子性的氟系及/或矽系界面活性劑等。作為界面活性劑，以非離子性的界面活性劑為較佳，以非離子性的氟系界面活性劑、或非離子性的矽系界面活性劑為又較佳。若調配界面活性劑時，相對於有機系顯影液的全量，該調配量通常為0.001~5質量%，以0.005~2質量%為較佳，以0.01~0.5質量%為又較佳。

顯影處理係可使用周知的顯影方法來予以實施，可舉例如：將支撐體於顯影液中浸潤一定時間之方法(浸漬法)；將顯影液藉由表面張力在支撐體表面堆起後靜止一定時間之方法(混拌法)；將顯影液噴霧至支撐體表面之方法(噴霧法)；在以一定速度下旋轉的支撐體上，一邊以一定速度掃描顯影液噴出噴嘴，一邊連續噴出顯影液之方法(動態點膠法)等。

作為溶劑顯影製程的顯影處理後的淋洗處理中使用的淋洗液所含有的有機溶劑，例如，在作為前述有機系顯影液中使用的有機溶劑所舉例的有機溶劑之中，可適當選擇不易溶解阻劑圖型的有機溶劑來使用。通常可使用選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑之至少1種類的溶劑。該等之中，以選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑之至少1種類為較佳，以選自醇系溶劑及酯系溶劑之至少1種類為又較佳，以醇系溶劑為特佳。淋洗液中使用的醇系溶劑，以碳數6~8的一元醇為較佳，該一元醇係可任意為直鏈狀、分支鏈狀或環狀。具體而言可舉例1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苄醇等。該等之中，以1-己醇、2-庚醇、2-己醇為較佳，以1-己醇、2-己醇為又較佳。該等的有機溶劑係可單獨使用任何1種、或亦可併用2種以上。又，亦可與上述以外的有機溶劑或水混合來使用。但，若考慮顯影特性時，相對於淋洗液的全量，淋洗液中的水的調配量係以30質量%以下為較佳，以10質量%以下為又較佳，以5質量%以下為更佳，以3質量%以下為特佳。淋洗液中因應所需可調配周知的添加劑。作為該添加劑，可舉例如界面活性劑。界面活性劑係可舉例與前述為相同內容，以非離子性的界面活性劑為較佳，以非離子性的氟系界面活性劑、或非離子性的矽系界面活性劑為又較佳。若調配界面活性劑時，相對於淋洗液的全量，該調配量通常為0.001~5質量%，以0.005~2質量%為較佳，以0.01~0.5質量%為又較佳。

使用淋洗液的淋洗處理(洗淨處理)，可藉由周知的淋洗方法來實施。作為該淋洗處理之方法，可舉例如：在一定速度下旋轉的支撐體上，連續噴出淋洗液之方法(旋轉塗布法)；將支撐體於淋洗液中浸潤一定時間之方法(浸漬法)；將淋洗液噴霧至支撐體表面之方法(噴霧法)等。

於以上所說明的本實施形態的阻劑圖型形成方法中，由於使用上述的第1個態樣的阻劑組成物，故能形成數十nm的微細的圖型、並提高微影特性(粗糙度減低化等)，而可形成圖型斷面的矩形性為高、且更為良好形狀的阻劑圖型。 [實施例]

以下，藉由實施例來更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等例所限定。

＜樹脂成分的合成例1＞在裝備有溫度計、迴流管及氮導入管的三頸燒瓶中加入37.19g的甲基乙基酮(MEK)，加熱至78℃。在氮環境下、花費4小時，對此滴入146.44g的MEK中溶解有23.81g(105.24mmol)的單體(a01)、25.00g(101.11mmol)的單體(a21)與作為聚合起始劑的偶氮雙異丁酸二甲酯(V-601)6.414g(27.86mmol)而得之溶液。滴入結束後，將反應液以1小時加熱並攪拌，之後，將反應液冷卻至室溫。將得到的反應聚合液滴入至正庚烷(Hep)與乙酸乙酯(AcOEt)的混合溶劑(AcOEt為20質量%以上)中，來進行使聚合物析出之操作，將沉澱的白色粉體使用大量的Hep與AcOEt的混合溶劑(AcOEt為20質量%以上)進行洗淨並乾燥，而得到目的物的高分子化合物(A1-1)38.85g(收率79.28%)。

對於此高分子化合物(A1-1)，藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為6600，分子量分散度(Mw/Mn)為1.72。又，藉由碳13核磁共振頻譜(600MHz_¹³ C-NMR)所求得的共聚合組成比(高分子化合物中的各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。

＜樹脂成分的合成例2~9＞以指定的莫耳比使用表1所表示的各單體，藉由與上述合成例1相同地來進行自由基聚合，而各自得到高分子化合物(A1-2)~(A1-6)、(A2-1)~(A2-3)。對於所得到的各高分子化合物，將藉由¹³ C-NMR所求得的該高分子化合物的共聚合組成比(高分子化合物中的各構成單位的比例(莫耳比))、藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量(Mw)及分子量分散度(Mw/Mn)合併記載於表1中。又，將構成單位(a0)與構成單位(a1)的合計100莫耳%中構成單位(a0)所佔的比例，以「(a0)/(a0)+(a1)(莫耳%)」來合併記載於表1中。

以下為表示藉由上述的合成例而得到的高分子化合物(A1-1)~(A1-6)、(A2-1)~(A2-3)。

＜阻劑組成物的調製＞ (實施例1~7、比較例1~4) 將表2所表示的各成分混合、溶解，來各自調製成各例的阻劑組成物(固形分濃度3.0質量%)。

表2中，各簡稱係各自具有以下之意思。[ ]內的數值為調配量(質量份)。 (A)-1~(A)-6：上述的高分子化合物(A1-1)~(A1-6)。 (A)-7~(A)-9：上述的高分子化合物(A2-1)~(A2-3)。 (B)-1~(B)-3：由下述的化學式(B-1)、(B-2)、(B-3)的各自所表示的化合物所形成的酸產生劑。

(D)-1：由下述的化學式(D-1)所表示的化合物所形成的酸擴散控制劑。 (F)-1：下述化學式(F-1)所表示的含氟高分子化合物(均聚物)。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量(Mw)為24000，分子量分散度(Mw/Mn)為1.38。 (S)-1：丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單甲基醚(質量比70/30)的混合溶劑。

＜阻劑圖型的形成＞使用旋轉器，將有機系抗反射膜組成物「ARC95」(商品名，Brewer Science公司製)塗布至12吋的矽晶圓上，在加熱板上以205℃燒成60秒鐘來使其乾燥，藉此形成膜厚90nm的有機系抗反射膜。使用旋轉器，各自將各例的阻劑組成物(實施例1~7、比較例1~4)塗布至上述有機系抗反射膜上，在加熱板上以溫度100℃進行60秒鐘的預烘烤(PAB)處理，使其乾燥後藉此來形成膜厚90nm的阻劑膜。接下來，使用浸潤式曝光裝置1900i(ASML公司製；NA1.2，Dipole X35，σ0.85/0.60，Y-pol.)並介隔著遮罩圖型，對於前述阻劑膜選擇性照射ArF準分子雷射(193nm)。接下來，以100℃進行60秒鐘的曝光後加熱(PEB)處理。接下來，以23℃，使用2.38質量%氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液(商品名「NMD-3」，東京應化工業(股)製)來進行10秒鐘的鹼顯影。其結果，形成線路寬64nm/間距(pitch)112nm的線路與空間的阻劑圖型(LS圖型)。

[最佳曝光量(Eop)的評估] 藉由前述的阻劑圖型的形成方法，來求得可形成目標尺寸的LS圖型的最佳曝光量Eop(mJ/cm² )。將此以「Eop(mJ/cm² )」來表示於表3中。

[LWR(線寬度粗糙度)的評估] 對於上述＜阻劑圖型的形成＞所形成的LS圖型，求出標示LWR的尺度的3σ。將此者以「LWR(nm)」來表示於表3中。「3σ」係藉由掃描式電子顯微鏡(加速電壓300V、商品名：S-9380、Hitachi High-Technologies公司製)，測定在線路的長邊方向之400處的線路位置，從其測定結果求出標準偏差(σ)的3倍值(3σ)(單位：nm)來予以表示。該3σ的值越小，則線路側壁的粗糙度越小，意味著可得到更均勻寬度的LS圖型之意。

[LS圖型形狀的評估] 將上述＜阻劑圖型的形成＞所形成的LS圖型的斷面形狀，藉由以SEM(掃描式電子顯微鏡，加速電壓8kV、商品名：SU-8000、Hitachi High-Technologies公司製)進行觀察，來評估LS圖型形狀。 LS圖型形狀的評估，係將LS圖型的線路與基底基板的界面中，線路側壁和矽基板所夾之角度(底部拖尾角度)作為指標，依據下述基準來進行評估。將該結果以「形狀」來表示於表3中。評估基準 ◎：底部拖尾角度為超過83°且90°以下。〇：底部拖尾角度為超過80°且83°以下。 ×：底部拖尾角度為80°以下。

由表3之結果可確認得知，應用本發明的使用實施例1~7的阻劑組成物所形成的阻劑圖型，粗糙度為減低、且底部拖尾為經改善的矩形性高的良好形狀。

Claims

一種阻劑組成物，其為經由曝光而產生酸，且，經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的阻劑組成物，其特徵為含有：經由酸之作用而對顯影液的溶解性產生變化的樹脂成分(A1)，及經由曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)，前述樹脂成分(A1)具有下述一般式(a0-1)所表示的構成單位(a0)，該構成單位(a0)的含有比例，相對於構成該樹脂成分(A1)的全構成單位的合計(100莫耳%)為超過30莫耳%，前述樹脂成分(A1)進而具有包含經由酸之作用而增大極性的酸分解性基的構成單位(a1)(但是不包括前述的構成單位(a0))，前述構成單位(a1)含有下述一般式(a1-11)所表示的構成單位，前述酸產生劑成分(B)含有下述一般式(b1)所表示的酸產生劑(B1)，
[式(a0-1)中，R⁰¹為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Va⁰¹為碳數1~10的鏈狀的伸烷基，Ra⁰¹為下述一般式(a1-r2-1)所表示的三級烷基酯型酸解離性基，式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰為表示一部份可被鹵素原子或含雜原子之基所取代的直鏈狀或支鏈狀的碳數1~12的烷基，Ra’¹¹為表示與Ra’¹⁰所鍵結的碳原子共同形成脂肪族環式基之基，＊為表示鍵結於式中的氧原子(-O-)的鍵結鍵；式(b1)中，R^b01為可具有取代基的碳數3~20的環狀的烴基，L^b01為-O-C(=O)-或-C(=O)-O-，Y^b01為2價的連結基或單鍵，V^b01為碳數1~9的氟化伸烷基，R^b02為氟原子或氫原子，但是V^b01與R^b02所具有的合計的氟原子數為2或3，m為1以上的整數，且M^m+為表示m價的鋶陽離子或錪陽離子]，
[式(a1-11)中，R¹¹為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ra¹¹為上述一般式(a1-r2-1)所表示的三級烷基酯型酸解離性基]。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述構成單位(a0)與前述構成單位(a1)的合計100莫耳%中，前述構成單位(a0)所佔的比例為50莫耳%以上。
如請求項1或2之阻劑組成物，其中，前述構成單位(a0)的含有比例，相對於構成前述樹脂成分(A1)的全構成單位的合計(100莫耳%)為超過30莫耳%且60莫耳%以下。
如請求項3之阻劑組成物，其中，前述構成單位(a1)的含有比例，相對於構成前述樹脂成分(A1)的全構成單位的合計(100莫耳%)為1莫耳%以上30莫耳%以下。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述一般式(b1)中，Y^b01為碳數1~5的伸烷基或單鍵，V^b01為碳數1~4的氟化伸烷基，M^m+為鋶陽離子。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述樹脂成分(A1)進而具有下述一般式(a2-1)所表示的構成單位，
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Ya²¹為單鍵或2價的連結基，La²¹為-O-、-COO-、-CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’為表示氫原子或甲基，但是若La²¹為-O-時，Ya²¹不為-CO-，Ra²¹為下述一般式(a2-r-2)所表示的基]，
[式中，一者的Ra’²¹為氰基，另一者的Ra’²¹為氫原子；A”為可包含氧原子(-O-)或硫原子(-S-)的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子]。
如請求項1之阻劑組成物，其中，前述酸產生劑(B1)的含量，相對於前述樹脂成分(A1)100質量份為5~20質量份。
一種阻劑圖型形成方法，其特徵為具有下述步驟(i)~步驟(iii)，步驟(i)：使用請求項1之阻劑組成物於支撐體上形成阻劑膜；步驟(ii)：將前述阻劑膜曝光；步驟(iii)：將前述曝光後的阻劑膜顯影而形成阻劑圖型。
如請求項8之阻劑圖型形成方法，其中，在前述步驟(ii)中，將前述阻劑膜進行浸潤式曝光。