TWI816536B - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents

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李娟和
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Abstract

本發明係提供一種有機發光顯示設備，其包含：基板，在該基板上的第一第一電極；在第一第一電極上的第一有機功能層，第一有機功能層包含第一發光層；在第一有機功能層上的第一第二電極；在基板上的第二第一電極，第二第一電極與第一第一電極分開；在第二第一電極上的第二有機功能層，第二有機功能層包含第二發光層；在第二有機功能層上的第二第二電極；以及在第一有機功能層與第二有機功能層之間的自組裝層，自組裝層含有氟。

Description

有機發光顯示設備及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案為台灣專利申請案第107108337號之分割案，並主張韓國專利申請號第10-2017-0030982號之優先權效益，其專利名稱為「有機發光顯示設備及其製造方法(Organic Light-Emitting Display Apparatus and Method of Manufacturing the Same)」，於2017年03月13日向韓國智慧財產局提出，其全部內容透過引用併入本文。
一或多個實施例有關於一種有機發光顯示設備及一種製造該有機發光顯示設備的方法。
有機發光顯示設備係為自發光顯示設備(self-emitting display apparatus)，其包含電洞注入電極、電子注入電極與形成在電洞注入電極以及電子注入電極之間的有機發光層；並且當從電洞注入電極注入的電洞以及從電子注入電極注入的電子在有機發光層內結合時發光。有機發光顯示設備具有例如低功率消耗、高亮度以及快速回應的優點，並且因此以作為下一個世代的顯示設備而受到關注。
本發明的實施例針對一種有機發光顯示設備，其包含：基板，在基板上的第一第一電極；在第一第一電極上的第一有機功能層，第一有機功能層包含第一發光層；在第一有機功能層上的第一第二電極；在基板上的第二第一電極，第二第一電極與第一第一電極分開；在第二第一電極上的第二有機功能層，第二有機功能層包含第二發光層；在第二有機功能層上的第二第二電極；以及在第一有機功能層與第二有機功能層之間的自組裝層，自組裝層含有氟。
從第一發光層發射的光的顏色可不同於從第二發光層發射的光的顏色。
第一有機功能層以及第二有機功能層之中的每一個可進一步包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少其一。
有機發光顯示設備可進一步包含像素定義層，其包含絕緣層，像素定義層覆蓋第一第一電極的邊緣以及第二第一電極的邊緣。
第一有機功能層的邊緣部分以及第二有機功能層的邊緣部分可在像素定義層的傾斜表面上。
自組裝層(self-assembled layer)可在像素定義層上，並且可圍繞第一有機功能層以及第二有機功能層。
自組裝層可藉由預定間隙與第一有機功能層以及第二有機功能層的端部分開。
自組裝層可在像素定義層下面，並且可圍繞第一第一電極以及第二第一電極的周緣。
自組裝層可與第一第一電極以及第二第一電極的端部重疊。
自組裝層可包含氟碳基團(-CF3)。
第一第一電極以及第二第一電極可包含導電氧化物。
第一第一電極以及第二第一電極可包含氧化銦錫(indium tin oxide)、氧化銦鋅(indium zinc oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化銦(indium oxide)、氧化銦鎵(indium gallium oxide)以及氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide)中的至少其一。
有機發光顯示設備可進一步包含在第一第二電極以及第二第二電極上整體地形成的共用電極。
本發明的實施例亦針對一種製造有機發光顯示設備的方法，其包含：在基板上形成第一第一電極以及第二第一電極，以使彼此分開；在第一第一電極以及第二第一電極上形成包含氟的自組裝層；在自組裝層上依序地形成第一剝離層(lift-off layer)以及第一光阻；在對應於第一第一電極的區域移除第一剝離層的一部分以及第一光阻的一部分而使自組裝層保留；藉由執行第一電漿熱處理來移除在第一第一電極上的自組裝層的一部分；在第一第一電極上依序地形成第一有機功能層以及第一第二電極，其中第一有機功能層包含第一發光層，與剝離第一剝離層的剩餘部分。
第一剝離層可具有20 wt%至60 wt%的氟含量。
第一有機功能層以及第一第二電極可藉由沉積製程來形成。
移除第一光阻的該部分可包含執行光蝕刻(photolithography)製程。
第一剝離層可藉由使用含有氟的第一溶劑來蝕刻以及移除。
自組裝層可藉由氣相沈積法來形成。
自組裝層可包含可水解的反應性基團以及含有氟的官能基團。
此方法可進一步包含：在剝離第一剝離層的剩餘部分之後依序地形成第二剝離層以及第二光阻；移除在對應於第二第一電極的區域的第二剝離層的一部分以及第二光阻的一部分而使自組裝層保留；藉由執行第二電漿熱處理來移除在第二第一電極上的自組裝層的部分；在第二第一電極上依序地形成第二有機功能層以及第二第二電極，其中第二有機功能層包含第二發光層，以及剝離第二剝離層的剩餘部分。
此方法可進一步包含：在第一第一電極以及第二第一電極之間形成包含絕緣層的像素定義層。
自組裝層可形成在像素定義層上面。
自組裝層可形成在像素定義層下面。
此方法可進一步包含在第一第二電極以及第二第二電極上以整體的方式形成共用電極。
本發明的實施例亦針對一種製造有機發光顯示設備的方法，其包含：在一基板上形成第一第一電極以及第二第一電極，以使彼此分開；在第一第一電極以及第二第一電極上形成第一自組裝層；在第一自組裝層上形成第一光阻；在對應於第一第一電極的區域移除第一光阻的一部分而使第一自組裝層保留；藉由執行第一電漿熱處理來移除在第一第一電極上的第一自組裝層的一部分；在第一第一電極上依序地形成第一有機功能層以及第一第二電極。第一有機功能層包含第一發光層，以及剝離第一光阻的剩餘部分及第一自組裝層的剩餘部分。
以下，參照附圖，例示性實施例現在將更完整地被描述，然而它們可以不同的形式被實施而不應被解釋成限制在本文中陳述的實施例。更準確地說，提供實施例以致於本發明將為徹底以及完整，且對本發明所屬技術領域中具有通常知識者完整地傳達例示性實施方式。
在圖式中，層以及區域的尺寸為了說明的清楚可誇大描述。亦將理解的是，當層或元件被形容為在另一層或基板「上(on)」時，其可直接地在另一層或基板的上面或可存在一個或多個中間層。進一步，將理解的是，當一層被形容為在另一層「下(under)」時，其可直接地在另一層的下面或者可存在一個或多個中間層。從這個意義上來說，除非另有提供，層或元件在另一層或元件下之描述可闡釋為表示該層或元件較其他的層或元件更靠近基板。再者，亦將理解的是，當層被稱在兩層「之間(between)」時，其可為在兩層之間的唯一層或者可存在一個或多個中間層。全文中相似的元件符號係指相似的元件。
第1圖係繪示根據實施例的有機發光顯示設備1的剖面圖，以及第2圖係繪示根據實施例的有機發光顯示設備1的部分的平面圖。
參照第1圖以及第2圖，在有機發光顯示設備1中，包含第一陽極101、第二陽極102以及第三陽極103的複數個陽極可以互相分開的關係位於基板100上。
包含第一至第三發光層的第一至第三有機功能層141、142以及143可分別設置在第一至第三陽極101、102以及103上。包含導電材料的第一至第三輔助陰極181、182以及183可分別設置在第一至第三有機功能層141、142以及143上。整體地形成的共用電極，即陰極180可設置在第一至第三輔助陰極181、182以及183的上面。(第一輔助陰極181、第二輔助陰極182以及第三輔助陰極183亦可被稱為第一第二電極、第二第二電極以及第三第二電極，第一陽極101、第二陽極102以及第三陽極103亦可被稱為第一第一電極、第二第一電極以及第三第一電極，以使不受限於其極性。舉例而言，在一些實施方式中，電極101、102以及103可為陰極並且電極180、181、182以及183可為陽極。)
包含絕緣材料的像素定義層110可覆蓋第一至第三陽極101、102以及103的端部。像素定義層110可使第一至第三陽極101、102以及103中的每一個的端部免於電場集中(electric field concentration)。第一至第三有機功能層141、142以及143的邊緣部分可位於像素定義層110的傾斜表面上。
自組裝單層150可設置在像素定義層110上。自組裝單層150可圍繞第一至第三有機功能層141、142以及143。自組裝單層150可藉由預定距離D1與第一至第三有機功能層141、142以及143的端部分開。
自組裝單層150可包含含有氟的官能基團以及可水解的反應性基團。
含有氟的官能基團可包含氟碳基團(-CF3)。可水解的反應性基團可包含矽氧化合物(silicone compound)。舉例而言，自組裝單層150可包含FOTS (1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯矽烷，1H,1H,2H,2H-perfluorooctyltrichlorosilane)、FDTS (十七氟化-1，1，2，2-四氫癸基三氯矽烷) (heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl)trichlorosilane)、FOMMS (CF 3(CF 2) 5(CH 2) 2Si(CH 3) 2Cl)、FOMDS (CF 3(CF 2) 5(CH 2) 2Si(CH 3)C l2)、FOTES (CF 3(CF 2) 5(CH 2) 2Si(OC 2H 5) 3)或其類似物。
自組裝單層可包含含有甲基(-CH)的疏水官能基團。舉例而言，自組裝單層可包含十八烷基三氯矽烷(octadecyltrichlorosilane)，OTS)、二氯二甲基矽烷(dichlorodimethylsilane，DDMS)或其類似物。
含有氟的官能基團可設置在相較於可水解的反應性基團離第一至第三陽極101、102以及103的表面與像素定義層110較遠的距離。自組裝單層150的含有氟的官能基團相對於含有氟的第一剝離層121可具有小的差異的表面能(參見第5A圖)，詳如後述。因此，第一剝離層121可在自組裝單層150上均勻地形成而改善圖樣形成的精確度。再者，使用於自組裝單層的用語「單層(monolayer)」不限於意旨包含單分子的自組裝單層。本文中，用語「自組裝層(self-assembled layer)」可被用來當作具有如同用語「自組裝單層(self-assembled monolayer)」之相同意義以替代用語「自組裝單層(self-assembled monolayer)」。
參照第3圖至第7F圖，更詳細地描述製造有機發光顯示設備1的方法以及藉由上述的方法所製造的有機發光顯示設備1。
第3圖係繪示用來說明在有機發光顯示設備1的基板100上形成第一至第三陽極101、102以及103的剖面圖。第4圖係繪示用來說明在有機發光顯示設備1中形成像素定義層110的剖面圖。第5A圖至第5F圖係繪示用來說明形成有機發光顯示設備1的第一單元製程的剖面圖。第6A圖至第6F圖係繪示用來說明形成有機發光顯示設備1的第二單元製程的剖面圖。第7A圖至第7F圖係繪示用來說明形成有機發光顯示設備1的第三單元製程的剖面圖。
參照第3圖，包含第一陽極101、第二陽極102以及第三陽極103的複數個陽極可在基板100上形成。
基板100可包含適合的材料。舉例而言，基板100可包含玻璃或塑膠。塑膠的實例可包含具有優良的耐熱性以及優良的耐久性的材料，例如：聚醯亞胺(polyimide)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate)、聚芳酯(polyarylate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)以及聚醚碸(polyethersulfone)。
用來平整基板100的上表面以及避免雜質的侵入的緩衝層可進一步形成在基板100上。舉例而言，緩衝層可為包含氮化矽（silicon nitride）、二氧化矽（ silicon oxide）和/或其類似物的單層或複數層。
第一至第三陽極101、102以及103可為電洞注入電極以及可包含具有高功函數(high work function)的材料。第一至第三陽極101、102以及103可各自包含透明的導電氧化物成分。舉例而言，第一至第三陽極101、102以及103可包含選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵以及氧化鋁鋅中的至少一個。第一至第三陽極101、102以及103可各自為單層或可為包含例如：銀（Ag）、鋁（Al）、鎂（Mg）、鋰（Li）、鈣（Ca）的金屬和/或其合金的複數層。
第一至第三陽極101、102以及103可分別電連接設置在基板100與第一至第三陽極101、102以及103之間的第一至第三薄膜電晶體。
參照第4圖，圍繞第一陽極101、第二陽極102以及第三陽極103的邊緣之像素定義層110可形成在基板100上。
第一至第三陽極101、102以及103的端部可為尖銳(sharp)的。因此，當在第一至第三輔助陰極181、182以及183形成之後對其施加電流，電場有可能集中在第一至第三陽極101、102以及103的端部上，而因此在操作期間可能發生電短路。然而，如在第1圖以及第4圖所繪示的，當第一至第三陽極101、102以及103的端部被像素定義層110所覆蓋時，可避免電場在第一至第三陽極101、102以及103的端部集中。
像素定義層110可為有機絕緣層，舉例而言，其包含常用的聚合物例如：聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))(PMMA) 或聚苯乙烯(polystyrene)(PS)、具有酚基、丙烯酸類聚合物(acryl-based polymer)、醯亞胺類聚合物(imide-based polymer)、芳醚類聚合物(arylether-based polymer)、醯胺類聚合物(amide-based polymer)氟化類聚合物( fluorine-based polymer)、對二甲苯類聚合物(p-xylene-based polymer)、乙烯醇類聚合物(vinyl alcohol-based polymer)或其摻合物的聚合物衍生物。
參照第5A圖，自組裝單層150、第一剝離層121以及第一光阻131依序地在其上形成有第一至第三陽極101、102以及103的基板100上形成。
自組裝單層150可藉由使用塗佈方法、印刷方法、沉積方法或其類似方法來形成。如上所述，自組裝單層150可包含含有氟的官能基團以及可水解的反應性基團。舉例而言，如上所述。自組裝單層150可包含FOTS (1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯矽烷)、FDTS ((十七氟-1，1，2，2-四氫癸基)三氯矽烷) (heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl)trichlorosilane)、FOMMS (CF 3(CF 2) 5(CH 2) 2Si(CH 3) 2Cl)、FOMDS (CF 3(CF 2) 5(CH 2) 2Si(CH 3)C l2)、FOTES (CF 3(CF 2) 5(CH 2) 2Si(OC 2H 5) 3)或其類似物。
第一剝離層121可包含氟化聚合物(fluoropolymer)。包含在第一剝離層121中的氟化聚合物可包含具有約20 wt%至約60 wt%的氟含量的聚合物。舉例而言，包含在第一剝離層121中的氟化聚合物可包含聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)、聚氯三氟乙烯(polychlorotrifluoroethylene)、聚二氯二氟乙烯(polydichlorodifluoroethylene)、氯三氟乙烯(chlorotrifluoroethylene)以及二氯氟乙烯(dichlorofluoroethylene)的共聚物、四氟乙烯(tetrafluoroethylene)以及全氟烷基乙烯基醚(perfluoroalkylvinylether)的共聚物、氯三氟乙烯(chlorotrifluoroethylene)以及全氟烷基乙烯基醚(perfluoroalkylvinylether)的共聚物、四氟乙烯(tetrafluoroethylene)以及全氟烷基乙烯基醚(perfluoroalkylvinylether)、氯三氟乙烯(chlorotrifluoroethylene)與全氟烷基乙烯基醚(perfluoroalkylvinylether) 的共聚物之中至少一個。
第一剝離層121可藉由使用塗佈方法、印刷方法、沉積方法或其類似方法來形成。當藉由使用塗佈方法或印刷方法來形成第一剝離層121時，可依需要來進行固化以及聚合作用，並且然後可執行形成第一光阻131的製程。
第21圖係繪示當自組裝單層150形成在第一陽極101上時可操作自組裝單層150的機制。
舉例而言，當包含FOTS的自組裝單層150沉積在包含氧化銦錫的第一陽極101上時，自組裝單層150之包含矽的可水解的反應性基團可造成水解以及跟第一陽極101的表面的羥基(-OH)之縮和反應。自組裝單層150可共價鍵結(covalently bonded)至第一陽極101的表面。此共價鍵結可增加在自組裝單層150的表面以及第一陽極101的表面之間的黏著力。
當包含氟化聚合物的第一剝離層121形成在自組裝單層150上時，緊密地接觸第一剝離層121之自組裝單層150的含氟官能基團相對於第一剝離層121可具有小的差異的表面能。因此，第一剝離層121可均勻地形成在自組裝單層150上。
第一光阻131可形成在第一剝離層121上。如在第5A圖所繪示的，位於對應於第一陽極101的第一光阻131可經由包含光線L所穿過的區域M11以及區域M12的第一光罩M1來曝光。
參照第5B圖，第一光阻131可被顯影(develope)。第一光阻131可為正光阻(positive photoresist)或負光阻(negative photoresist)。在本實施例中，假設第一光阻131為正光阻。在經顯影的第一光阻131中，對應於第一陽極101的第一部分131-1可被移除，並且除了第一部分131-1之外的第二部分131-2可被保留。
參照第5C圖，第一剝離層121可藉由使用第一光阻131的第一部分131-1的圖樣當作蝕刻遮罩來被蝕刻。
第一剝離層121可包含氟化聚合物。因此，蝕刻氟化聚合物的溶劑可用來當作蝕刻劑。
包含氟的第一溶劑可用來當作蝕刻劑。第一溶劑可包含氫氟醚(hydrofluoroether)，前述之氫氟醚由於與其他物質具有低交互作用而為電化學安定材料，且其具有低全球暖化潛值以及低毒性而為環境安定之材料。
在對應於第一部分131-1，即在第一陽極101的上面的位置所形成的第一剝離層121的部分在蝕刻製程中可被蝕刻。第一剝離層121可藉由包含氟的第一溶劑來被蝕刻，以形成在第一光阻131的第一部分131-1的邊界表面的下面之第一底切輪廓(undercut profile) UC1。
當蝕刻第一剝離層121時，自組裝單層150可良好地結合於第一陽極101的上表面。舉例而言，如上所述，水解以及縮合反應可在包含在自組裝單層150中之包含矽的反應性基團以及第一陽極101的表面之間發生。由於在自組裝單層150以及第一陽極101之間的共價鍵結，可增加其黏著強度。
再者，水解以及縮合反應可在包含在自組裝單層150中之包含矽的反應性基團以及像素定義層110的表面材料之間發生，而因此可增加在自組裝單層150的表面以及像素定義層110的表面之間的黏著強度。當蝕刻第一剝離層121時，自組裝單層150可良好地結合於像素定義層110的上表面。
參照第5D圖，在第一陽極101上的自組裝單層150的一部分可藉由在第5C圖所繪示的結構上執行第一電漿熱處理PT1來被移除。
第21圖所繪示之在第一陽極101以及自組裝單層150之間的Si-O鍵結可藉由第一電漿熱處理PT1被乾淨地斷開。從這個意義上來說，如果第一剝離層121在第一陽極101的形成之後，沒有形成自組裝單層150的話，將直接地形成在第一陽極101上且在後續製程被移除，第一剝離層121的殘留物將殘留在第一陽極101上，並且造成汙染。然而，在本實施例中，自組裝單層150可形成在第一陽極101以及第一剝離層121之間用來避免第一剝離層121的殘留物保留在第一陽極101上，因而避免有機發光顯示設備的劣化。
參照第5E圖，包含第一發光層的第一有機功能層141以及第一輔助陰極181可依序地形成在第5D圖所繪示的結構上。
第一有機功能層141可進一步包含選自電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一個。
第一有機功能層141可藉由真空沉積法來形成。在沉積製程中，第一剝離層121以及第一光阻131可作為遮罩用途。第一有機功能層141的一部分可形成在對應於第一部分131-1的位置，即是說，第一陽極101的上面，並且第一有機功能層141的其他部分可形成在第一光阻131的第二部分131-2之上。
如同第一有機功能層141，第一輔助陰極181亦可藉由使用真空沉積法來形成。在沉積製程中，第一剝離層121以及第一光阻131可作為遮罩用途。第一輔助陰極181的一部分可形成用來覆蓋在第一陽極101的上面之第一有機功能層141的上表面，並且第一輔助陰極181的其他部分可形成在第一光阻131的第二部分131-2而不是第一部分131-1的上面之第一有機功能層141的上面。
第一輔助陰極181可包含與陰極180相同的材料，前述之陰極180為共用電極，詳如後述。在一些實施方式中，第一輔助陰極181可包含不同於陰極180的材料。第一輔助陰極181可作為屏障用來保護第一有機功能層141遠離使用於後續的剝離製程的溶劑。
參照第5F圖，剝離製程可在第5E圖所繪示的結構上執行。
第一剝離層121可包含氟化聚合物。因此，包含氟之第二溶劑可使用在剝離製程。可形成第一有機功能層141，然後可執行剝離製程。因此，第二溶劑可包含對第一有機功能層141具有低反應性的物質。如同第一溶劑，第二溶劑可包含氫氟醚。
當形成在第一光阻131的第二部分131-2(參見第5E圖)的下面之第一剝離層121被剝離時，形成在第一光阻131的第二部分131-2的上面之第一有機功能層141以及第一輔助陰極181的部分可被移除。形成在第一陽極101的上方之第一有機功能層141以及第一輔助陰極181的部分可以作為圖樣而被保留。
形成在像素定義層110的上面之自組裝單層150將不被移除。如上所述，由於在包含在自組裝單層150中之包含矽的反應性基團以及像素定義層110的表面材料之間的水解以及縮合反應，自組裝單層150的表面以及像素定義層110的表面之間的黏著強度為高的。因此，當第一剝離層121被剝離時，自組裝單層150可良好地結合在像素定義層110的上表面。
在執行第一單元製程之後，形成可發射不同於第一有機功能層141所發射光的顏色的光之第二有機功能層142之第二單元製程可在第二陽極102所設置之區域的上面執行。現在將參照第6A至第6F圖來描述第二單元製程。
參照第6A圖，第二剝離層122以及第二光阻132可依序地形成在第5F圖所繪示的結構上。
第二剝離層122可包含氟化聚合物(fluoropolymer)。第二剝離層122可包含跟第一剝離層121相同的材料並且可藉由使用塗佈方法、印刷方法或沉積方法來形成。
第二光阻132可形成在第二剝離層122之上。第二光阻132可經由包含光線L穿過的區域M21以及區域M22的第二光罩M2來被曝光，區域M21設置於對應於第二陽極102的位置。
參照第6B圖，第二光阻132可被顯影。在第二光阻132中，對應於第二陽極102的第一部分132-1可被移除，並且第一部分132-1之外的第二部分132-2可被保留。
參照第6C圖，第二剝離層122可藉由使用第二光阻132的第一部分132-1的圖樣當作蝕刻遮罩來被蝕刻。
第二剝離層122可包含氟化聚合物(fluoropolymer)。因此，蝕刻氟化聚合物(fluoropolymer)的溶劑可用來當作蝕刻劑。舉例而言，包含氟的第一溶劑可用來當作蝕刻劑。第一溶劑可包含氫氟醚(hydrofluoroether)。
形成在對應於第一部分132-1的位置，即是說，在第二陽極102的上面之第二剝離層122的一部分可在蝕刻製程中被蝕刻。第二剝離層122可藉由包含氟的第一溶劑來蝕刻以形成在第二光阻132的第一部分132-1的邊界表面的下面之第二底切輪廓UC2。
當第二剝離層122被蝕刻時，自組裝單層150可良好地結合在第二陽極102的上表面。再者，當第二剝離層122被蝕刻時，自組裝單層150可良好地結合在像素定義層110的上表面。
參照第6D圖，在第二陽極102上面的自組裝單層150的一部分可藉由在第6C圖所繪示的結構上執行第二電漿熱處理PT2來移除。
在第二陽極102以及自組裝單層150之間的Si-O鍵結可藉由第二電漿熱處理PT2被乾淨地斷開。因此，第二剝離層122的殘留物可不殘留在第二陽極102的上面。
參照第6E圖，包含第二發光層的第二有機功能層142以及第二輔助陰極182可依序地形成在第6D圖所繪示的結構上。
第二有機功能層142可進一步包含選自電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一個。
第二有機功能層142可藉由使用真空沉積法來形成。在該沉積方法中，第二剝離層122以及第二光阻132可作為遮罩用途。第二有機功能層142的一部分可形成在對應於第一部分132-1的位置，即是說，在第二陽極102的上面，並且第二有機功能層142的其他部分可形成在第二光阻132的第二部分132-2的上面。
如同第二有機功能層142，第二輔助陰極182可藉由使用真空沉積法來形成。在該沉積方法中，第二剝離層122以及第二光阻132可作為遮罩用途。第二輔助陰極182的一部分可形成用來覆蓋在第二陽極102的上面之第二有機功能層142的上表面，並且第二輔助陰極182的其他部分可形成在第二光阻132的第二部分132-2的上面之第二有機功能層142的上面。
第二輔助陰極182可包含相同於以下描述的作為共用電極之陰極180的材料。在一些實施方式中，第二輔助陰極182可包含不同於陰極180的材料。第二輔助陰極182可作為屏障用來保護第二有機功能層142遠離使用於後續的剝離製程的溶劑 。
參照第6F圖，剝離製程可在第6E圖所繪示的結構上執行。
第二剝離層122可包含氟化聚合物。因此，包含氟之第二溶劑可使用在剝離製程。可形成第二有機功能層142，然後可執行剝離製程。因此，第二溶劑可包含對第二有機功能層142具有低反應性的物質。如同第一溶劑，第二溶劑可包含氫氟醚。
當形成在第二光阻132的第二部分132-2(參見第6E圖)的下面之第二剝離層122被剝離時，形成在第二光阻132的第二部分132-2的上面之第二有機功能層142以及第二輔助陰極182的部分可被移除。形成在第二陽極102的上方之第二有機功能層142以及第二輔助陰極182的部分可以圖樣來保留。
如上所述。在自組裝單層150以及像素定義層110之間的黏著強度可為足夠的，以至於當第二剝離層122被剝離時形成在像素定義層110上面的自組裝單層150不會被剝離。
在執行第二單元製程之後，形成可發射不同於第一有機功能層141以及第二有機功能層142所發射光的顏色的光之第三有機功能層143的第三單元製程可在第三陽極103設置的區域的上面執行。第三單元製程現在將參照第7A至第7F圖來描述。
參照第7A圖，第三剝離層123以及第三光阻133可依序地形成在第6F圖所繪示的結構上。
第三剝離層123可包含氟化聚合物。第三剝離層123可包含相同於第一以及第二剝離層121以及122之材料並且可藉由使用塗佈方法、印刷方法或沉積方法來形成。
第三光阻133可形成在第三剝離層123的上面。在對應於第三陽極103的位置之第三光阻133可經由包含光線L穿過的區域M31以及區域M32的第三光罩M3來曝光。
參照第7B圖，第三光阻133可被顯影。在第三光阻133中，對應於第三陽極103的第一部分133-1可被移除，並且除了第一部分133-1之外的第二部分133-2可被保留。
參照第7C圖，第三剝離層123可藉由使用第三光阻133的第一部分133-1的圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻。
第三剝離層123可包含氟化聚合物。因此，蝕刻氟化聚合物的溶劑可用來當作蝕刻劑。舉例而言，包含氟的第一溶劑可用來當作蝕刻劑。第一溶劑可包含氫氟醚。
形成在對應於第一部分133-1的位置，即是說，在第三陽極103的上面，之第三剝離層123的部分可在蝕刻製程中被蝕刻。第三剝離層123可藉由包含氟的第一溶劑來被蝕刻以形成在第三光阻133的第一部分133-1的邊界表面的下面之第三底切輪廓UC3。
當第三剝離層123被蝕刻時，自組裝單層150可良好地結合在第三陽極103的上表面。再者，當第三剝離層123被蝕刻時，自組裝單層150可良好地結合在像素定義層110的上表面。
參照第7D圖，在第三陽極103上面的自組裝單層150的一部分可藉由在第7C圖所繪示的結構上執行第三電漿熱處理PT3來移除。
在第三陽極103以及自組裝單層150之間的Si-O鍵結可藉由第三電漿熱處理PT3被乾淨地斷開。因此，第三剝離層123的殘留物可不殘留在第三陽極103的上面。
參照第7E圖，包含第三發光層的第三有機功能層143以及第三輔助陰極183可依序地形成在第7D圖所繪示的結構上。
第三有機功能層143可進一步包含選自電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一個。
第三有機功能層143可藉由使用真空沉積法來形成。在該沉積方法中，第三剝離層123以及第三光阻133可作為遮罩用途。第三有機功能層143的一部分可形成在對應於第一部分133-1的位置，即是說，在第三陽極103的上面，並且第三有機功能層143的其他部分可形成在第三光阻133的第二部分133-2的上面。
如同第三有機功能層143，第三輔助陰極183可藉由使用真空沉積法來形成。在該沉積方法中，第三剝離層123以及第三光阻133可作為遮罩用途。第三輔助陰極183的一部分可形成用來覆蓋在第三陽極103的上面之第三有機功能層143的上表面，並且第三輔助陰極183的其他部分可形成在第三光阻133的第二部分133-2的上面之第三有機功能層143的上面。
第三輔助陰極183可包含相同於以下描述的作為共用電極之陰極180的材料。在一些實施方式中，第三輔助陰極183可包含不同於陰極180的材料。第三輔助陰極183可作為屏障用來保護第三有機功能層143遠離使用於後續的剝離製程的溶劑 。
參照第7F圖，剝離製程可在第7E圖所繪示的結構上執行。
第三剝離層123可包含氟化聚合物。因此，包含氟之第二溶劑可使用在剝離製程。可形成第三有機功能層143，然後可執行剝離製程。因此，第二溶劑可包含對第三有機功能層143具有低反應性的物質。如同第一溶劑，第二溶劑可包含氫氟醚。
當形成在第三光阻133的第二部分133-2(參見第7E圖)的下面之第三剝離層123被剝離時，形成在第三光阻133的第二部分133-2的上面之第三有機功能層143以及第三輔助陰極183的部分可被移除，並且形成在第三陽極103的上方之第三有機功能層143以及第三輔助陰極183的部分可以圖樣來保留。
如上所述。在自組裝單層150以及像素定義層110之間的黏著強度可為足夠的，以至於當第三剝離層123被剝離時形成在像素定義層110上面的自組裝單層150不被剝離。
第一、第二以及第三有機功能層141、142以及143可發射不同的顏色的光。當從第一至第三有機功能層141、142以及143發射的不同的顏色的光混合時，可形成白光。舉例而言，第一、第二以及第三有機功能層141、142以及143可分別發射紅光、綠光以及藍光。舉例而言，第一至第三有機功能層141、142以及143可為組成有機發光顯示設備1的單元像素(unit pixel)之子像素(sub-pixels)的元件。
第1圖所繪示之有機發光顯示設備1可代表一個單元像素。實施例亦可應用在包含相同於第1圖所繪示的單元像素的複數個單元像素之有機發光顯示設備。舉例而言，複數個發射第一顏色的第一有機功能層141可藉由使用第一單元製程來同時地形成為第一子像素。複數個發射第二顏色的第二有機功能層142可藉由使用第二單元製程來同時地形成為第二子像素。複數個發射第三顏色的第三有機功能層143可藉由使用第三單元製程來同時地形成為第三子像素。經由第一至第三單元製程，可以達成全彩。
在本實施例中，當自組裝單層在陽極以及剝離層之間形成時，在沒有剝離層直接地形成在陽極上面時，自組裝單層可避免剝離層的殘留的薄膜殘留在該陽極上，而因此可避免有機發光顯示設備1的劣化。
以下，參照第18A至第20E圖來描述根據比較實施例的製造有機發光顯示設備4的方法。
第18A圖至第18E圖係繪示依據比較實施例的用來說明形成有機發光顯示設備4的第一單元製程的剖面圖。第19A圖至第19E圖係繪示依據比較實施例的用來說明形成有機發光顯示設備4的第二單元製程的剖面圖。第20A圖至第20E圖係繪示依據比較實施例的用來說明形成有機發光顯示設備4的第三單元製程的剖面圖。
參照第18A圖，包含氟化聚合物的第一剝離層121形成在基板100的上面，第一至第三陽極101至103以及覆蓋第一至第三陽極101至103的端部之像素定義層110形成在前述之基板100上，並且第一光阻131形成在第一剝離層121的上面。在對應於第一陽極101的位置之第一光阻131經由包含光線L穿過的區域M11以及區域M12的第一光罩M1來曝光。
參照第18B圖，第一光罩131被圖樣化。經曝光的以及顯影的第一光罩131在對應於第一陽極101的第一部分131-1的位置被移除，並且第一部分131-1之外的第二部分131-2被保留。
參照第18C圖，第一剝離層121藉由使用第18B圖的第一光阻131的圖樣作為蝕刻遮罩，以及使用包含氟的第一溶劑(未圖示)來蝕刻。在蝕刻製程中，形成在對應於第一部分131-1，即在第一陽極101的上面的位置之第一剝離層121的一部分被蝕刻。第一剝離層121被蝕刻以形成在第一光阻131的第一部分131-1的邊界表面的下面之第一底切輪廓UC1。當在執行蝕刻製程之後的第一剝離層121被剝離時，第一剝離層121的不良的殘留物可能殘留在第一陽極101的上面。
參照第18D圖，第一有機功能層141以及第一輔助陰極181依序地形成在第18C圖所繪示的結構上。
參照第18E圖，執行第一剝離製程以使第一剝離層121的殘留的部分可完整地被移除，其結果為第一有機功能層141以及第一輔助陰極181以圖樣來保留在第一陽極101的上面。
在第一單元製程完成後，第二單元製程在設置有第二陽極102的區域上進行。
參照第19A圖，第二剝離層122以及第二光阻132依序地形成在第18E圖所繪示的結構上。
參照第19B圖，第二光罩132被圖樣化。經曝光的以及顯影的第二光罩132在對應於第二陽極102的第一部分132-1的位置被移除，並且除了第一部分132-1之外的第二部分132-2被保留。
參照第19C圖，第二剝離層122藉由使用第19B圖的第二光阻132的圖樣作為蝕刻遮罩，以及使用包含氟的第一溶劑(未圖示)來蝕刻。在蝕刻製程中，形成在對應於第一部分132-1，即在第二陽極102的上面的位置之第二剝離層122的一部分被蝕刻。第二剝離層122被蝕刻以形成在第二光阻132的第一部分132-1的邊界表面的下面之第二底切輪廓UC2。當在執行蝕刻製程之後的第二剝離層122被剝離時，第二剝離層122的不良的殘留物可能殘留在第二陽極102的上面。
參照第19D圖，第二有機功能層142以及第二輔助陰極182依序地形成在第19C圖的結構上。
參照第19E圖，執行第二剝離製程以使第二剝離層122的殘留的部分可完整地被移除，其結果為第二有機功能層142以及第二輔助陰極182以圖樣來保留在第二陽極102的上面。
在第二單元製程完成後，第三單元製程在第三陽極103所設置的區域上執行。
參照第20A圖，第三剝離層123以及第三光阻133依序地形成在第19E圖的結構上。
參照第20B圖，第三光罩133被圖樣化。經曝光的以及顯影的第三光罩133在對應於第三陽極103的第一部分133-1的位置被移除，並且除了第一部分133-1之外的第二部分133-2被保留。
參照第20C圖，第三剝離層123藉由使用第20B圖的第三光阻133的圖樣作為蝕刻遮罩，以及使用包含氟的第一溶劑(未圖示)來蝕刻。在蝕刻製程中，形成在對應於第一部分133-1，即在第三陽極103的上面的位置之第三剝離層123的一部分被蝕刻。第三剝離層123被蝕刻以形成在第三光阻133的第一部分133-1的邊界表面的下面之第三底切輪廓UC3。當在執行蝕刻製程之後的第三剝離層123被剝離時，第三剝離層123的不良的殘留物可能殘留在第三陽極103的上面。
參照第20D圖，第三有機功能層143以及第三輔助陰極183依序地形成在第20C圖的結構上。
參照第20E圖，執行第三剝離製程以使第三剝離層123的殘留的部分可完整地被移除，其結果為第三有機功能層143以及第三輔助陰極183以圖樣來保留在第三陽極103的上面。
即是說，根據比較實施例，當剝離層直接地形成在陽極的上面然後被圖樣化時，可能無法避免剝離層的殘留的薄膜殘留在陽極上面。
以下，參照第8圖至第14F圖，其揭露根據實施例的有機發光顯示設備2以及製造有機發光顯示設備2的方法。
第8圖係繪示實施例的有機發光顯示設備2的剖面圖，以及第9圖係繪示實施例的有機發光顯示設備2的部份的平面圖。
參照第8圖以及第9圖，包含在第一基板100上面的互相分開的第一陽極101、第二陽極102以及第三陽極103之複數個陽極可被提供。包含第一至第三發光層的第一至第三有機功能層141、142以及143可分別設置在第一至第三陽極101、102以及103的上面。包含導電材料的第一至第三輔助陰極181、182以及183可分別設置在第一至第三有機功能層141、142以及143的上面。整體地形成的共用電極，即陰極180可設置在第一至第三輔助陰極181、182以及183的上面。
在根據實施例的有機發光顯示設備2中，自組裝單層150可圍繞第一至第三陽極101、102以及103並且像素定義層110可形成在自組裝單層150的上面。舉例而言，自組裝單層150的部分可在像素定義層的下面。在本實施例中，自組裝單層150可藉由預定距離D2來重疊第一至第三陽極101、102以及103的端部。以下，可省略與上述的第1圖所繪示的實施例相同之本實施例的描述。
參照第10圖，包含第一陽極101、第二陽極102以及第三陽極103的複數個陽極可形成在基板100的上面，並且自組裝單層150可形成在複數個陽極的上方。
參照第11圖，像素定義層110可形成以圍繞第一陽極101、第二陽極102以及第三陽極103的邊緣。在本案例中，像素定義層110的端部可重疊於自組裝單層150的端部。自組裝單層150可包含含有氟的官能基團以及可水解的反應性基團。
參照第12A圖，第一剝離層121以及第一光阻131可依序地形成在第11圖所繪示的結構上。
第一剝離層121可包含氟化聚合物以及可藉由使用塗佈方法、印刷方法或沉積方法來形成。第一光阻131可形成在第一剝離層121的上面。在對應於第一陽極101的位置之第一光阻131可經由包含光線L穿過的區域M11以及區域M12的第一光罩M1來曝光。
緊密地接觸第一剝離層121之自組裝單層150的含有氟的官能基團相對於第一剝離層121可具有小的差異的表面能，而因此第一剝離層121可均勻地形成在自組裝單層150的上面。
參照第12B圖，第一光阻131可被顯影。在經顯影的第一光阻131中，對應於第一陽極101的第一部分131-1可被移除，並且第一部分131-1之外的第二部分131-2可被保留。
參照第12C圖，第一剝離層121可藉由使用第一光阻131的第一部分131-1之圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻。在蝕刻製程中，形成在對應於第一部分131-1，即在第一陽極101的上面的位置之第一剝離層121的一部分可被蝕刻。第一剝離層121可藉由包含氟的第一溶劑來蝕刻以形成在第一光阻131的第一部分131-1的邊界表面的下面之第一底切輪廓UC1。
當第一剝離層121被蝕刻時，自組裝單層150可良好地結合在第一陽極101的上表面。
參照第12D圖，在第一陽極101的上面的自組裝單層150的一部分可藉由在第12C圖所繪示的結構上執行第一電漿熱處理PT1移除。
如第21圖中所繪示，在第一陽極101以及自組裝單層150之間的Si-O鍵結可藉由第一電漿熱處理PT1被乾淨地斷開。
參照第12E圖，包含第一發光層的第一有機功能層141以及第一輔助陰極181可依序地形成在第12D圖所繪示的結構上。第一有機功能層141的一部分可形成在對應於第一部分131-1的位置，即是說，在第一陽極101的上面，並且第一有機功能層141的其他部分可形成在第一光阻131的第二部分131-2之上的位置。第一輔助陰極181的一部分可形成用來覆蓋在第一陽極101的上面之第一有機功能層141的上表面，並且第一輔助陰極181的其他部分可形成在第一光阻131的第二部分131-2而不是第一部分131-1的上面的第一有機功能層141的上面。
參照第12F圖，剝離製程可在第12E圖所繪示的結構上執行。當形成在第一光阻131的第二部分131-2(參見第12E圖)的下面之第一剝離層121被剝離時，形成在第一光阻131的第二部分131-2的上方之第一有機功能層141以及第一輔助陰極181的部分可被移除，並且形成在第一陽極101的上方之第一有機功能層141以及第一輔助陰極181的部分可以圖樣來保留。
在執行第一單元製程之後，形成發射不同於第一有機功能層141所發射光的顏色的光之第二有機功能層142的第二單元製程可在第二陽極102設置的區域的上面來執行。現在將參照第13A圖至第13F圖來描述第二單元製程。
參照第13A圖，第二剝離層122以及第二光阻132可依序地形成在第12F圖所繪示的結構上。在對應於第二陽極102的位置之第二光阻132可經由包含光線L穿過的區域M21以及區域M22的第二光罩M2來曝光。
緊密地接觸第二剝離層122之自組裝單層150的含有氟的官能基團相對於第一剝離層122可具有小的差異的表面能，因此第二剝離層122可均勻地形成在自組裝單層150的上面。
參照第13B圖，第二光阻132可被顯影。在第二光阻132中，對應於第二陽極102的第一部分132-1可被移除，並且第一部分132-1之外的第二部分132-2可被保留。
參照第13C圖，第二剝離層122可藉由使用第二光阻132的第一部分132-1之圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻。在蝕刻製程中，形成在對應於第一部分132-1，即在第二陽極102的上面的位置之第二剝離層122的一部分可被蝕刻。第二剝離層122可藉由包含氟的第一溶劑來蝕刻以形成在第二光阻132的第一部分132-1的邊界表面的下面之第二底切輪廓UC2。當第二剝離層122被蝕刻時，自組裝單層150可良好地結合在第二陽極102的上表面。
參照第13D圖，在第二陽極102上面的自組裝單層150的一部分可藉由在第13C圖所繪示的結構上執行第二電漿熱處理PT2來移除。在第二陽極102以及自組裝單層150之間的Si-O鍵結可藉由第二電漿熱處理被乾淨地斷開。
參照第13E圖，包含第二發光層的第二有機功能層142以及第二輔助陰極182可依序地形成在第13D圖所繪示的結構上。第二有機功能層142的一部分可形成在對應於第一部分132-1，即在第二陽極102的上面之位置，並且第二有機功能層142的其他部分可形成在第二光阻132的第二部分132-2的上面。第二輔助電極182的一部分可形成用來覆蓋在第二陽極102的上面之第二有機功能層142的上表面，並且第二輔助陰極182的其他部分可形成在第二光阻132的第二部分132-2而不是第一部分132-1的上面的第二有機功能層142的上面。
參照第13F圖，剝離製程可在第13E圖所繪示的結構上執行。當形成在第二光阻132的第二部分132-2的下面之第二剝離層122被剝離時，形成在第二光阻132的第二部分132-2的上方之第二有機功能層142以及第二輔助陰極182的部分可被移除，並且形成在第二陽極102的上方之第二有機功能層142以及第二輔助陰極182的部分可以圖樣來保留。
在執行第二單元製程之後，形成發射不同於第一以及第二有機功能層141以及142所發射光的顏色的光之第三有機功能層143的第三單元製程可在第三陽極103設置的區域的上面來執行。現在將參照第14A圖至第14F圖來描述第三單元製程。
參照第14A圖，第三剝離層123以及第三光阻133可依序地形成在第13F圖所繪示的結構上。在對應於第三陽極103的位置之第三光阻133可經由包含光線L穿過的區域M31以及區域M32的第三光罩M3來曝光。
緊密地接觸第三剝離層123之自組裝單層150的含有氟的官能基團相對於第三剝離層123可具有的小差異的表面能，因此第三剝離層123可均勻地形成在自組裝單層150的上面。
參照第14B圖，第三光阻133可被顯影。在第三光阻133中，對應於第三陽極103的第一部分133-1可被移除，並且第一部分133-1之外的第二部分133-2可被保留。
參照第14C圖，第三剝離層123可藉由使用第三光阻133的第一部分133-1之圖樣作為蝕刻遮罩來蝕刻。在蝕刻製程中，形成在對應於第一部分133-1，即在第三陽極103的上面的位置之第三剝離層123的一部分可被蝕刻。第三剝離層123可藉由包含氟的第一溶劑來被蝕刻以形成在第三光阻133的第一部分133-1的邊界表面的下面之第三底切輪廓UC3。當第三剝離層123被蝕刻時，自組裝單層150可良好地結合在第三陽極103的上表面。
參照第14D圖，在第三陽極103上面的自組裝單層150的一部分可藉由在第14C圖所繪示的結構上執行第三電漿熱處理PT3來移除。在第三陽極103以及自組裝單層150之間的Si-O鍵結可藉由第三電漿熱處理被乾淨地斷開。
參照第14E圖，包含第三發光層的第三有機功能層143以及第三輔助陰極183可依序地形成在第14D圖所繪示的結構上。第三有機功能層143的一部分可形成在對應於第一部分133-1，即在第三陽極103的上面之位置，並且第三有機功能層143的其他部分可形成在第三光阻133的第二部分133-2的上面。第三輔助電極183的一部分可形成用來覆蓋在第三陽極103的上面之第三有機功能層143的上表面，並且第三輔助陰極183的其他部分可形成在第三光阻133的第二部分133-2而不是第一部分133-1的上面的第三有機功能層143的上面。
參照第14F圖，剝離製程可在第14E圖所繪示的結構上執行。當形成在第三光阻133的第二部分133-2的下面之第三剝離層123被剝離時，形成在第三光阻133的第二部分133-2的上方之第三有機功能層143以及第三輔助陰極183的部分可被移除，並且形成在第三陽極103的上方之第三有機功能層143以及第三輔助陰極183的部分可以圖樣來保留。
以下，根據實施例，將參照第15A圖至第17E圖簡短地描述用來製造有機發光顯示設備3的方法。
本實施例不同於之前的實施例之處在於：自組裝單層被使用來當作剝離層，沒有獨立地使用剝離層以及自組裝單層。
第15A圖至第15E圖係繪示依據實施例的用來說明有機發光顯示設備3的第一單元製程的剖面圖。
參照第15A圖，第一至第三陽極101、102以及103可形成在基板100的上面，並且定義為複數個像素的像素定義層110可形成用來覆蓋第一至第三陽極101、102以及103的端部。在像素定義層110形成之後，可形成第一自組裝單層151。第一光阻131可形成在第一自組裝單層151的上面。
第一自組裝單層151可包含可水解的反應性基團以及含有氟的官能基團。如上所述，在本實施例中，第一光阻131可形成在第一自組裝單層151的上面。第一光阻131可以但非必要的包含氟化聚合物。因此，如上述之實施例，本實施例的第一自組裝單層151非必要地包含含有氟的官能基團。舉例而言，第一自組裝單層151可進一步包含十八烷基三氯矽烷(octadecyltrichlorosilane) (OTS)、二氯二甲基矽烷(dichlorodimethylsilane) (DDMS)、四乙氧基矽烷( tetraethoxysilane) (TEOS)或其類似物。
在對應於第一陽極101的位置之第一光阻131可經由包含光線L穿過的區域M11以及區域M12之第一光罩M1來曝光。緊密地接觸第一光阻131的第一自組裝單層151的含有氟的官能基團可使用相對於包含在第一光阻131中的光敏感性材料具有小的差異的表面能之材料。
參照第15B圖，第一光阻131可被顯影。在經顯影的第一光阻131中，對應於第一陽極101的第一部分131-1可被移除，並且除了第一部分131-1之外的第二部分131-2可被保留。
參照第15C圖，在第一陽極101的上面之第一自組裝單層151的部分可藉由在第15B所說明的結構上執行第一電漿熱處理PT1來移除。在第一陽極101以及第一自組裝單層151之間的Si-O鍵結可藉由第一電漿熱處理PT1被乾淨地斷開。
參照第15D圖，包含第一發光層的第一有機功能層141以及第一輔助陰極181可依序地形成在第15C圖所繪示的結構上。第一有機功能層141的一部分可形成在對應於第一部分131-1，即在第一陽極101的上面的位置，第一有機功能層141的其他部分可形成在第一光阻131的第二部分131-2的上面。第一輔助陰極181的一部分可形成用來覆蓋在第一陽極101的上面的第一有機功能層141的上表面，並且第一輔助陰極181的其他部分可形成在第一光阻131的第二部分131-2而不是第一部分131-1的上面的第一有機功能層141的上面。
參照第15E圖，剝離製程可在第15D圖所示的結構上執行。當第一光阻131被剝離時，形成在第一光阻131的第二部分131-2的上方的第一有機功能層141以及第一輔助陰極181的部分可被移除，形成在第一陽極101的上方的第一有機功能層141以及第一輔助陰極181的部分可被保留。設置在像素定義層110以及第一光阻131之間的第一自組裝單層151亦可被移除。
第16A圖至第16E圖係繪示依據實施例的用來說明形成有機發光顯示設備3的第二單元製程的剖面圖。
參照第16A圖，第二自組裝單層152以及第二光阻132可依序地形成在第15E圖所繪示的結構上。在對應於第二陽極102的位置之第二光阻132可經由包含光線L穿過的區域M21以及區域M22的第二光罩M2來曝光。緊密地接觸第二光阻132的第二自組裝單層152的官能基團可使用相對於包含在第二光阻132中的光敏感性材料具有小的差異的表面能的材料。
參照第16B圖，第二光阻132可被顯影。在經顯影的第二光阻132中，對應於第二陽極102的第一部分132-1可被移除，並且除了第一部分132-1之外的第二部分132-2可被保留。
參照第16C圖，在第二陽極102的上面的第二自組裝單層152的部分可藉由在第16B所說明的結構上執行第二電漿熱處理PT2來移除。在第二陽極102以及第二自組裝單層152之間的Si-O鍵結可藉由第二電漿熱處理PT2被乾淨地斷開。
參照第16D圖，包含第二發光層的第二有機功能層142以及第二輔助陰極182可依序地形成在第16C圖所繪示的結構上。第二有機功能層142的一部分可形成在對應於第一部分132-1，即是說，在第二陽極102的上面之位置，並且第二有機功能層142的其他部分可形成在第二光阻132的第二部分132-2的上面。第二輔助陰極182的一部分可形成用來覆蓋在第二陽極102的上面的第二有機功能層142的上表面，並且第二輔助陰極182的其他部分可形成在第二光阻132的第二部分132-2而不是第一部分132-1的上面的第二有機功能層142的上面。
參照第16E圖，剝離製程可在第16D圖所繪示的結構上執行。當第二光阻132被剝離時，形成在第二光阻132的第二部分132-2的上方之第二有機功能層142以及第二輔助陰極182的部分可被移除，並且形成在第二陽極102的上方之第二有機功能層142以及第二輔助陰極182的部分可以圖樣來保留。設置在像素定義層110以及第二光阻132之間的第二自組裝單層152亦可被移除。
第17A圖至第17E圖係繪示依據實施例的用來說明形成有機發光顯示設備3的第三單元製程的剖面圖。
除了第三自組裝單層153被形成以及最終被移除之外，第三單元製程相似於第16A圖至第16E圖所描述的第二單元製程，因此將不重複第三單元製程的詳細描述。
雖然圖式未示出，但上述之有機發光顯示設備可進一步包含用來密封有機發光層的密封構件(sealing member)。密封構件可包含玻璃基板、金屬箔(metal foil)、其中混合有無機層以及有機層的薄膜封裝層或其類似物。
藉由總結以及評論，實施例提供一種有機發光顯示設備，期增加解析度，並減少了缺陷以及其價格。實施例進一步提供製造有機發光顯示設備的方法。
根據如上述之一或多個實施例，在沒有使用精密金屬遮罩(fine metal mask) (FMM)之下來形成發光層。因此，可形成高解析度的顯示面板。
自組裝單層可形成在陽極以及剝離層之間。因此，自組裝單層可避免剝離層的殘留物殘留在陽極的上面。因此，可改善根據實施例的有機發光顯示設備的品質。
於本文中已揭露例示性施實例，雖然採用了明確的用語，但其僅以一般和描述的意義來被使用，而不是為了限制的目的。在一些例子中，對本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言在本案申請時為顯而易知的，除非另有明確指示，有關具體施實例描述的特徵、特性和/或元件可被單一使用或與其他具體施實例描述的特徵、特性和/或元件結合。因此，將可被本發明所屬技術領域中具有通常知識者所理解的是，在不背離下列的申請專利範圍所闡述的精神以及範圍下，可進行各種在形式和細節上的改變。
1,2,3,4:有機發光顯示設備 100:基板 101:第一陽極 102:第二陽極 103:第三陽極 110:像素定義層 121:第一剝離層 122:第二剝離層 123:第三剝離層 131:第一光阻 131-1:第一光阻的第一部分 131-2:第一光阻的第二部分 132:第二光阻 132-1:第二光阻的第一部分 132-2:第二光阻的第二部分 133:第三光阻 133-1:第三光阻的第一部分 133-2:第三光阻的第二部分 141:第一有機功能層 142:第二有機功能層 143:第三有機功能層 150:自組裝單層 151:第一自組裝單層 152:第二自組裝單層 153:第三自組裝單層 180:陽極 181:第一輔助陰極 182:第二輔助陰極 183:第三輔助陰極 UC1:第一底切輪廓 UC2:第二底切輪廓 UC3:第三底切輪廓 D1:預定距離 D2:預定距離 L:光線 M1:第一光罩 M11:第一光罩中包含光穿過的區域 M12:第一光罩中不包含光穿過的區域 M2:第二光罩 M21:第二光罩中包含光穿過的區域 M22:第二光罩中不包含光穿過的區域 M3:第三光罩 M31:第三光罩中包含光穿過的區域 M32:第三光罩中不包含光穿過的區域 PT1:第一電漿熱處理 PT2:第二電漿熱處理 PT3:第三電漿熱處理
對於發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，藉由參照附圖詳細地描述例示性實施例，特徵將變得顯而易見。
第1圖係繪示根據本發明實施例的有機發光顯示設備的剖面圖；
第2圖係繪示在第1圖中根據本發明實施例的有機發光顯示設備的部分的平面圖；
第3圖係繪示用來說明根據第1圖中的實施例的在有機發光顯示設備的基板上形成複數個陽極的剖面圖。
第4圖係繪示用來說明根據第1圖中的實施例的在有機發光顯示設備中形成像素定義層的剖面圖；
第5A圖至第5F圖係繪示用來說明根據第1圖中的實施例的形成有機發光顯示設備的第一單元製程的階段的剖面圖；
第6A圖至第6F圖係繪示用來說明根據第1圖中的實施例的形成有機發光顯示設備的第二單元製程的階段的剖面圖；
第7A圖至第7F圖係繪示用來說明根據第1圖中的實施例的形成有機發光顯示設備的第三單元製程的階段的剖面圖；
第8圖係繪示實施例的有機發光顯示設備的剖面圖；
第9圖係繪示用來說明根據第8圖中的實施例的有機發光顯示設備的部分的平面圖；
第10圖係繪示用來說明根據第8圖中的實施例的在有機發光顯示設備的基板上形成複數個陽極以及自組裝單層的操作的剖面圖；
第11圖係繪示用來說明根據第8圖中的實施例的在有機發光顯示設備中形成像素定義層的剖面圖；
第12A圖至第12F圖係繪示用來說明根據第8圖中的實施例的形成有機發光顯示設備的第一單元製程的階段的剖面圖；
第13A圖至第13F圖係繪示用來說明根據第8圖中的實施例的形成有機發光顯示設備的第二單元製程的階段的剖面圖；
第14A圖至第14F圖係繪示用來說明根據第8圖中的實施例的形成有機發光顯示設備的第三單元製程的階段的剖面圖；
第15A圖至第15E圖係繪示根據實施例以說明形成有機發光顯示設備的第一單元製程的剖面圖；
第16A圖至第16E圖係繪示用來說明在第15A圖至第15E圖根據實施例的第一單元製程之後的形成有機發光顯示設備的第二單元製程的剖面圖；
第17A圖至第17E圖係繪示用來說明在第16A圖至第16E圖根據實施例的第二單元製程之後的形成有機發光顯示設備的第三單元製程的剖面圖；
第18A圖至第18E圖係繪示用來說明依據比較實施例的形成有機發光顯示設備的第一單元製程的剖面圖；
第19A圖至第19E圖係繪示用來說明依據比較實施例的形成有機發光顯示設備的第二單元製程的剖面圖；
第20A圖至第20E圖係繪示用來說明依據比較實施例的形成有機發光顯示設備的第三單元製程的剖面圖；以及
第21圖係繪示用來說明自組裝單層的操作機制的圖。
1:有機發光顯示設備
100:基板
101:第一陽極
102:第二陽極
103:第三陽極
110:像素定義層
141:第一有機功能層
142:第二有機功能層
143:第三有機功能層
150:自組裝單層
180:陽極
181:第一輔助陰極
182:第二輔助陰極
183:第三輔助陰極

Claims (10)

  1. 一種製造有機發光顯示設備的方法，該方法包括：形成彼此分開的一第一第一電極以及一第二第一電極在一基板上；在該第一第一電極以及該第二第一電極之間形成包含一絕緣層的一像素定義層，該像素定義層覆蓋第一第一電極的邊緣以及第二第一電極的邊緣；在該像素定義層上設置包含氟的一自組裝層；依序地設置一第一剝離層以及一第一光阻在該自組裝層上；移除在對應於該第一第一電極的區域的該第一剝離層的部分以及該第一光阻的部分，且使該自組裝層保留；藉由執行第一電漿熱處理來移除在該第一第一電極上的該自組裝層的部分；以及依序地形成一第一有機功能層以及一第一第二電極在該第一第一電極上，其中該第一有機功能層包含一第一發光層，以及剝離該第一剝離層的剩餘部分，其中該自組裝層與該第一有機功能層間隔開，以暴露該像素定義層的一表面的一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一剝離層具有20wt%至60wt%的氟含量。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一有機功能層以及該第一第二電極係藉由沉積製程來形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中移除該第一光阻的 部分包含執行光蝕刻製程。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一剝離層藉由使用含有氟的一第一溶劑來蝕刻以及移除。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該自組裝層藉由氣相沈積法來形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該自組裝層包含可水解的反應性基團以及含有氟的官能基團。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其進一步包括：在剝離該第一剝離層的剩餘部分之後依序地形成一第二剝離層以及一第二光阻；移除在對應於該第二第一電極的區域的該第二剝離層的部分以及該第二光阻的部分，且使該自組裝層保留；藉由執行一第二電漿熱處理來移除在該第二第一電極上的該自組裝層的部分；以及在該第二第一電極上依序地形成一第二有機功能層以及一第二第二電極，其中該第二有機功能層包含一第二發光層，以及剝離該第二剝離層的剩餘部分。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其進一步包括在該第一第二電極以及該第二第二電極上以整體的方式形成一共用電極。
  10. 一種製造有機發光顯示設備的方法，該方法包括：形成彼此分開的一第一第一電極以及一第二第一電極在一基板上； 在該第一第一電極以及該第二第一電極之間形成包含一絕緣層的一像素定義層，該像素定義層覆蓋第一第一電極的邊緣以及第二第一電極的邊緣；在該像素定義層上設置一第一自組裝層；形成一第一光阻在該第一自組裝層上；移除在對應於該第一第一電極的區域的該第一光阻的部分，而使該第一自組裝層保留；藉由執行一第一電漿熱處理來移除在該第一第一電極上的該第一自組裝層的部分；在該第一第一電極上面依序地形成一第一有機功能層以及一第一第二電極，其中該第一有機功能層包含一第一發光層，以及剝離該第一光阻的剩餘部分及該第一自組裝層的剩餘部分，其中該第一自組裝層與該第一有機功能層間隔開，以暴露該像素定義層的一表面的一部分。
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