CN113196516A - 有机发光显示设备和用于制造有机发光显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个实施例提供了一种用于制造有机发光显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在基底上形成像素电极和覆盖像素电极的端部的像素限定层；在像素电极和像素限定层上方连续地形成剥离层和光致抗蚀剂；通过使剥离层和光致抗蚀剂图案化来形成用于暴露像素限定层的一部分和像素电极的上表面的开口；在开口和光致抗蚀剂上方连续地形成包括发光层的中间层和对电极；形成钝化层以完全地覆盖对电极的端部和上表面；以及去除在开口的外部剩余的剥离层和光致抗蚀剂。

Description

有机发光显示设备和用于制造有机发光显示设备的方法
技术领域
本公开涉及一种有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法，更具体地，涉及一种有机发光显示设备和经由简化的工艺制造该有机发光显示设备以具有减少的缺陷数量的方法。
背景技术
有机发光显示设备包括包含空穴注入电极、电子注入电极和位于其间的有机发射层的有机发光元件。有机发光显示设备是一种其中当激子从激发态落到基态时发射光的自发光显示设备，激子是在当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中彼此结合时产生的。
虽然精细金属掩模(FMM)可以用作用于在基底上沉积有机发射层的技术，但是由于金属掩模的阴影效应，在制造高分辨率的有机发光显示设备中存在限制。因此，需要替代的沉积技术。
发明内容
技术问题
提供了一种有机发光显示设备和经由简化的工艺制造有机发光显示设备以具有减少的缺陷数量的方法。然而，这样的技术问题是示例，公开不限于此。
技术方案
根据本公开的方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括以下步骤：在基底上形成像素电极和像素限定层，像素限定层覆盖像素电极的边缘；在像素电极和像素限定层上顺序地形成剥离层和光致抗蚀剂；使剥离层和光致抗蚀剂图案化以形成暴露像素电极的顶表面和像素限定层的一部分的开口；在开口中且在光致抗蚀剂上顺序地形成中间层和对电极，中间层包括发射层；形成钝化层以完全地覆盖对电极的顶表面和端部；以及去除在开口外部剩余的剥离层和光致抗蚀剂。
可以通过光刻工艺使光致抗蚀剂图案化。
剥离层可以包括含氟聚合物。
可以通过使用包括氟的第一溶剂蚀刻剥离层来形成开口。
可以通过第一沉积工艺形成中间层，可以通过第二沉积工艺形成对电极，并且可以通过可以使台阶覆盖比针对中间层和对电极的台阶覆盖大的第三沉积工艺形成钝化层。
第一沉积工艺可以使用物理气相沉积工艺。
第二沉积工艺可以使用物理气相沉积工艺。
第三沉积工艺可以使用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。
可以在同一室中执行第一沉积工艺至第三沉积工艺。
在第三沉积工艺之后，可以在与在其中执行第三沉积工艺的室相同的室内执行干蚀刻。
可以通过干蚀刻暴露像素限定层的顶表面。
该方法还可以包括以下步骤：在像素限定层上形成辅助电极，其中，对电极可以被形成为接触辅助电极。
在形成钝化层的步骤之后，可以在与在其中形成钝化层的室相同的室中执行干蚀刻，并且可以通过干蚀刻暴露辅助电极的顶表面。
可以通过使用包括氟的第二溶剂去除剩余的剥离层。
可以在大气中执行去除剥离层的步骤。
根据本公开的方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括以下步骤：在在基底上形成第一像素电极和第二像素电极且形成覆盖第一像素电极和第二像素电极的端部的像素限定层之后，执行包括以下操作(a1)至(a5)的第一单元操作：(a1)在第一像素电极和第二像素电极以及像素限定层上顺序地形成第一剥离层和第一光致抗蚀剂；(a2)使第一剥离层和第一光致抗蚀剂图案化以形成暴露第一像素电极的顶表面和像素限定层的一部分的第一开口；(a3)在第一开口中且在第一光致抗蚀剂上顺序地形成第一中间层和第一对电极，第一中间层包括第一发射层；(a4)形成第一钝化层以覆盖第一对电极的顶表面和端部；以及(a5)去除在第一开口外部剩余的第一剥离层和第一光致抗蚀剂；以及在第一单元操作之后，执行包括以下操作(b1)至(b5)的第二单元操作：(b1)在第一钝化层、第二像素电极和像素限定层上顺序地形成第二剥离层和第二光致抗蚀剂；(b2)使第二剥离层和第二光致抗蚀剂图案化以形成暴露第二像素电极的顶表面和像素限定层的一部分的第二开口；(b3)在第二开口中且在第二光致抗蚀剂上顺序地形成第二中间层和第二对电极，第二中间层包括第二发射层；(b4)形成第二钝化层以完全地覆盖第二对电极的顶表面和端部；以及(b5)去除在第二开口外部剩余的第二剥离层和第二光致抗蚀剂。
从第一发射层发射的颜色可以与从第二发射层发射的颜色不同。
可以在第一室中形成第一中间层、第一对电极和第一钝化层。
该方法可以包括以下步骤：在形成第一钝化层的步骤之后，在第一室中执行干蚀刻。
该方法可以包括以下步骤：在与第一室不同的第二室中形成第二中间层、第二对电极和第二钝化层。
该方法可以包括以下步骤：在形成第二钝化层之后，在第二室中执行干蚀刻。
中间层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
该方法还可以包括以下步骤：形成顺序地布置在第一钝化层和第二钝化层上且包括至少一个有机层和至少一个无机层的封装构件。
根据本公开的方面，一种有机发光显示设备包括：第一像素电极和第二像素电极，在基底上彼此分开；像素限定层，覆盖第一像素电极和第二像素电极的端部；第一中间层和第二中间层，分别包括在第一像素电极和第二像素电极上布置为岛的第一发射层和第二发射层；第一对电极和第二对电极，分别以岛图案布置在第一中间层和第二中间层上；第一钝化层和第二钝化层，分别以岛图案布置在第一对电极和第二对电极上且完全地覆盖第一对电极和第二对电极；以及封装构件，覆盖第一钝化层和第二钝化层。
第一钝化层和第二钝化层可以均包括氮化物类材料。
有益效果
根据实施例，因为通过剥离工艺而不是使用精细金属掩模来形成包括发射层的中间层，所以可以防止精细金属掩模的不对准问题且可以降低制造成本。
另外，根据实施例，通过具有优异的台阶覆盖的气相沉积法形成钝化层，因此完全地覆盖对电极。因此，可以减少发光元件的缺陷。
另外，根据实施例，在沉积室中干蚀刻钝化层的一部分，因此，防止对电极暴露于大气。因此，可以减少发光元件的缺陷。
本公开的范围不受上述效果限制。
附图说明
图1是根据实施例的有机发光显示设备1的剖视图。
图2是图1的一部分的平面图。
图3是示出了根据实施例的制造有机发光显示设备1的方法的工艺图。
图4是示出了根据实施例的在有机发光显示设备1的基底100上形成第一像素电极至第三像素电极101、102和103和像素限定层110的操作的剖视图。
图5a至图5f是示出了根据实施例的用于有机发光显示设备1的第一单元工艺的剖视图。
图6a至图6f是示出了根据实施例的用于有机发光显示设备1的第二单元工艺的剖视图。
图7a至图7f是示出了根据实施例的用于有机发光显示设备1的第三单元工艺的剖视图。
图8是图5d的区域VIII的放大剖视图。
图9是图5e的区域IX的放大剖视图。
图10是根据另一实施例的有机发光显示设备的剖视图。
图11是示出了根据另一实施例的在有机发光显示设备2的基底100上形成第一像素电极至第三像素电极101、102和103、辅助电极120和像素限定层110的操作的剖视图。
图12a至图12f是示出了根据另一实施例的用于有机发光显示设备2的第一单元工艺的剖视图。
具体实施方式
提供了一种制造有机发光显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在基底上形成像素电极和像素限定层，像素限定层覆盖像素电极的边缘；在像素电极和像素限定层上顺序地形成剥离层和光致抗蚀剂；通过使剥离层和光致抗蚀剂图案化来形成暴露像素电极的顶表面和像素限定层的一部分的开口；在开口中且在光致抗蚀剂上顺序地形成中间层和对电极，中间层包括发射层；形成钝化层以完全地覆盖对电极的顶表面和端部；以及去除在开口外部剩余的剥离层和光致抗蚀剂。
公开的模式
由于本公开允许各种改变和众多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中描述特定实施例。将参照下面参照附图详细描述的实施例来阐明公开的效果和特征以及用于实现它们的方法。然而，公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实现。
在下文中，将参照附图描述实施例，其中，同样的附图标记始终指同样的元件，并且省略其重复描述。
虽然像“第一”和“第二”这样的术语可以用于描述各种组件，但是这样的组件不必限于以上术语。以上术语用于将一个组件与另一组件区分开。
除非上下文另外明确指出，否则在此所使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
将理解的是，如在此所使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除添加一个或更多个其它特征或组件。
还将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，所述层、区域或组件可以直接或间接地在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大或缩小附图中的元件的尺寸。例如，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此公开不限于此。
当可以不同地实施实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以“直接连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接连接”到所述另一层、区域或组件，并且其它的层、区域或组件插置其间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电连接”到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以“直接电连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接电连接”到所述另一层、区域或组件，并且其它的层、区域或组件插置其间。
图1是根据实施例的有机发光显示设备1的剖视图，图2是图1的一部分的平面图。
参照图1和图2，在根据本实施例的有机发光显示设备1中，多个像素电极在基底100上彼此分开，多个像素电极包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103。
像素限定层110覆盖多个第一像素电极至第三像素电极101、102和103的端部、限定发射区域并防止电场集中到每个像素电极的端部。
第一中间层至第三中间层301、302和303分别布置在第一像素电极至第三像素电极101、102和103上，第一中间层至第三中间层301、302和303分别包括第一发射层至第三发射层(未示出)。第一对电极至第三对电极401、402和403分别布置在第一中间层至第三中间层301、302和303上。
第一像素电极至第三像素电极101、102和103、第一中间层至第三中间层301、302和303以及第一对电极至第三对电极401、402和403均具有岛型图案。岛型图案可以是其中预定的区域以与在预定的区域附近的另一区域区分开的岛状图案化的图案。
第一像素电极至第三像素电极101、102和103以及第一中间层至第三中间层301、302和303可以均通过物理气相沉积(PVD)来沉积。
均具有岛型图案的第一钝化层至第三钝化层501、502和503分别布置在第一对电极至第三对电极401、402和403上。
第一钝化层至第三钝化层501、502和503可以包括可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)沉积的材料，化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)具有比通过物理气相沉积的台阶覆盖优异的台阶覆盖。在实施例中，第一钝化层至第三钝化层501、502和503可以包括氮化物类材料。
第一钝化层至第三钝化层501、502和503可以均通过完全地覆盖第一中间层至第三中间层301、302和303以及第一对电极至第三对电极401、402和403来防止第一中间层至第三中间层301、302和303以及第一对电极至第三对电极401、402和403在工艺期间劣化。作为示例，第一钝化层至第三钝化层501、502和503的面积可以比第一中间层至第三中间层301、302和303以及第一对电极至第三对电极401、402和403的面积大。
封装构件700可以布置在第一钝化层至第三钝化层501、502和503上。封装构件700可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。图1示出了其中第一无机层701、有机层702和第二无机层703顺序地堆叠的结构。
有机层702可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯的聚合物类材料。
第一无机层701和第二无机层703可以包括氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化钛(TiN)、氧化钛(TiO2)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
封装构件700防止湿气透过，并且因此可以与第一钝化层至第三钝化层501、502和503合作防止对易受湿气影响的有机发光元件的损坏。
布置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的第一中间层至第三中间层301、302和303的第一发射层至第三发射层(未示出)可以发射具有不同的颜色的光。第一子像素P1可以发射红光，第二子像素P2可以发射绿光，第三子像素P3可以发射蓝光。虽然本实施例示出了布置有三个子像素的情况，但是实施例不限于此。
在下文中，参照图3至图9详细描述根据本实施例的制造有机发光显示设备1的方法和通过该制造方法制造的有机发光显示设备1。
图3是示出了根据实施例的制造有机发光显示设备1的方法的工艺图，图4是示出了根据实施例的在有机发光显示设备1的基底100上形成第一像素电极至第三像素电极101、102和103以及像素限定层110的操作的剖视图，
图5a至图5f是根据实施例的有机发光显示设备1的第一单元工艺的剖视图，图6a至图6f是根据实施例的有机发光显示设备1的第二单元工艺的剖视图，图7a至图7f是根据实施例的有机发光显示设备1的第三单元工艺的剖视图，图8是图5d的区域VIII的放大剖视图，图9是图5e的区域IX的放大剖视图。
参照图3，根据实施例的制造有机发光显示设备1的方法包括以下步骤：在基底上形成像素电极和像素限定层，像素限定层覆盖像素电极的端部(S10)；在像素电极和像素限定层上顺序形成剥离层和光致抗蚀剂(S20)；通过使剥离层和光致抗蚀剂图案化来形成暴露像素电极的顶表面和像素限定层的一部分的开口(S30)；在开口中且在光致抗蚀剂上顺序地形成中间层和对电极，中间层包括发射层(S40)；形成钝化层以完全地覆盖对电极的顶表面和端部(S50)；以及去除在开口外部剩余的剥离层和光致抗蚀剂(S60)。这里，参照图4至图9描述制造方法。
参照图4，在基底100上形成多个像素电极，多个像素电极包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103。
可以通过使用各种材料形成基底100。作为示例，基底100可以包括玻璃或塑料。塑料可以包括诸如聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺或聚醚砜的具有优异的耐热性和耐久性的材料。
虽然图4中未示出，但是可以在基底100上形成平坦表面，并且还可以形成用于阻挡杂质元素的渗透的缓冲层(未示出)。作为示例，缓冲层(未示出)可以包括氮化硅和/或氧化硅，并且包括单个层或多个层。
可以通过形成导电材料层(未示出)然后使其以岛型图案化来形成第一像素电极至第三像素电极101、102和103。
导电材料层可以包括反射层以及位于反射层上或下面的透明导电氧化物层(TCO)，反射层包括Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物。可选地，导电材料层可以包括包含Ag或Al合金的薄层，或者包括形成在薄层上的透明导电氧化物层。取决于导电材料层，第一像素电极至第三像素电极101、102、103可以是反射电极或透光电极。
通过在其上已经形成有第一像素电极至第三像素电极101、102和103的基底100之上形成绝缘层(未示出)并对绝缘层进行图案化来形成像素限定层110。像素限定层110覆盖第一像素电极至第三像素电极101、102、103的端部。像素限定层110可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
在实施例中，像素限定层110可以包括有机绝缘层，有机绝缘层包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。
虽然在图4中未示出，但是第一像素电极至第三像素电极101、102和103可以分别电连接到布置在基底100与第一像素电极至第三像素电极101、102和103之间的第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管(未示出)。
参照图5a，在图4的结构上顺序地形成第一剥离层LOL1和第一光致抗蚀剂PR1。
第一剥离层LOL1可以包括非光敏有机材料。第一剥离层LOL1可以包括含氟聚合物。可以通过使用包括约20wt％至约60wt％的氟含量的聚合物来形成包括在第一剥离层LOL1中的含氟聚合物。作为示例，含氟聚合物可以包括有聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、有四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物以及有氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物中的至少一种。可以通过诸如涂覆、印刷和沉积的方法形成第一剥离层LOL1。
在第一剥离层LOL1上形成第一光致抗蚀剂PR1。通过包括透光部M11和阻光部M12的第一光掩模M1使第一光致抗蚀剂PR1的与第一像素电极101对应的部分曝光。
参照图5b，使第一光致抗蚀剂PR1显影。第一光致抗蚀剂PR1可以是正性光致抗蚀剂和负性光致抗蚀剂中的一种。在本实施例中，将作为正性光致抗蚀剂的第一光致抗蚀剂PR1描述为示例。显影的第一光致抗蚀剂PR1包括与第一像素电极101对应的第一开口C1。
参照图5c，通过使用图5b的图案化的第一光致抗蚀剂PR1作为蚀刻掩模来蚀刻第一剥离层LOL1。
在第一剥离层LOL1包括含氟聚合物的情况下，将可以蚀刻含氟聚合物的溶剂用作蚀刻液。第一溶剂可以包括氢氟醚。氢氟醚由于其与其它材料的低相互作用而作为电化学稳定的材料，并且由于其低全球变暖系数和低毒性而作为环境稳定的材料。
在蚀刻工艺期间蚀刻第一剥离层LOL1的同时，在第一光致抗蚀剂PR1的第一开口C1下面形成第一底切轮廓UC1，并且通过包括氟的第一溶剂形成暴露第一像素电极101的顶表面和像素限定层110的一部分的第二开口C2。形成第一底切轮廓UC1，并且因此，可以在第一像素电极101上确保较宽的沉积空间。
参照图5d，在图5c的结构上形成第一中间层301、第一对电极401和第一钝化层501，第一中间层301包括第一发射层(未示出)。
通过真空沉积形成第一中间层301、第一对电极401和第一钝化层501。在第一室CH1中布置沉积源(未示出)，并且通过调整沉积入射角来执行沉积，使得从沉积源(未示出)发射的材料朝向基底100入射。
除了第一发射层(未示出)之外，第一中间层301还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
第一对电极401可以是透光电极或反射电极。在实施例中，第一对电极401可以是包括Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li和Au中的至少一种的金属薄膜或金属厚层。第一对电极401覆盖第一中间层301，并且因此可以用作保护易受湿气和氧影响的第一中间层301的保护层。
在布置在第二开口C2中的第一像素电极101的顶表面和像素限定层110的端部的一部分上沉积第一中间层301和第一对电极401，并且也在第一光致抗蚀剂PR1上堆叠第一中间层301和第一对电极401。
可以通过物理气相沉积(PVD)沉积第一中间层301和第一对电极401。在实施例中，可以通过溅射、热蒸发、电子束蒸发、激光分子束外延和脉冲激光沉积中的一种在第一室CH1中沉积第一中间层301。通过调节第一室CH1中的沉积入射角、室压力、温度、反应气体等，形成第一对电极401以覆盖第一中间层301。
形成第一钝化层501以完全地覆盖第一对电极401的顶表面和端部。可以通过化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺来沉积第一钝化层501，化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺具有与物理气相沉积的台阶覆盖相比优异的台阶覆盖。在实施例中，可以通过热CVD、等离子体CVD、金属-有机化学气相沉积(MOCVD)和氢化物气相外延(HVPE)中的一种来沉积第一钝化层501。
作为CVD或ALD的结果，第一钝化层501也堆叠在第一光致抗蚀剂PR1上。另外，在形成有第一底切轮廓UC1的区域中，也在第一光致抗蚀剂PR1的底表面、像素限定层110的顶表面和第一剥离层LOL1的侧表面上沉积第一钝化层501。
参照作为图5d的区域VIII的放大图的图8，在其中已经形成有第一底切轮廓UC1的区域周围，沉积在第一光致抗蚀剂PR1的底表面、像素限定层110的顶表面和第一剥离层LOL1的侧表面上的第一钝化层501的厚度D2比沉积在第一对电极401的顶表面上的第一钝化层501的厚度D1和沉积在第一剥离层LOL1的顶表面上的第一钝化层501的厚度D3薄。
参照图5e，对图5d的结构执行干蚀刻工艺。作为干蚀刻工艺的结果，在其中已经形成有第一底切轮廓UC1的区域周围，第一钝化层501被蚀刻并去除。
参照作为图5e的区域IX的放大图的图9，示出了第一钝化层501的厚度减小。当与图8相比时，沉积在第一对电极401的顶表面上的第一钝化层501的厚度D1'和沉积在第一剥离层LOL1的顶表面上的第一钝化层501的厚度D3'减小。在其中已经形成有第一底切轮廓UC1的区域周围，当与执行干蚀刻工艺之前的厚度相比时，减小并完全地去除沉积在第一光致抗蚀剂PR1的底表面、像素限定层110的顶表面和第一剥离层LOL1的侧表面上的第一钝化层501的厚度D2'。
参照图5f，对图5e的结构执行剥离工艺。在第一室CH1外部执行剥离工艺。在实施例中，可以在室温下在大气中执行剥离工艺。
在第一剥离层LOL1包括含氟聚合物的情况下，可以通过使用包括氟的第二溶剂去除第一剥离层LOL1。因为在形成包括第一发射层(未示出)的第一中间层301之后执行剥离工艺，所以优选的是将具有与第一中间层301的低反应性的材料用作第二溶剂。与第一溶剂类似，第二溶剂可以包括氢氟醚。
作为剥离的结果，布置在第一像素电极101上的第一中间层301、第一对电极401和第一钝化层501留下作为图案。
在本实施例中，因为通过具有大台阶覆盖的沉积法形成第一钝化层501，所以第一钝化层501完全地覆盖第一对电极401，并且因此保护在作为湿法工艺的剥离工艺期间可能会损坏的第一对电极401和第一中间层301。
作为执行具有大台阶覆盖的沉积工艺的结果，在其中已经形成有第一底切轮廓UC1的区域(例如，第一剥离层LOL1的底表面与像素限定层110的顶表面交会的区域A1)周围沉积的第一钝化层501可能会是剥离工艺的障碍。
然而，在本实施例中，可以执行作为各向同性蚀刻法的干蚀刻以去除相关的区域A1中的第一钝化层501，然后可以执行剥离工艺。
另外，在其中已经执行沉积的第一室CH1中执行干蚀刻工艺的情况下，可以防止由于第一室CH1外部的大气和湿气对有机发光显示设备1的损坏。虽然图5d、图5e、图8和图9示出了在同一第一室CH1中执行沉积和干蚀刻的情况，但是实施例不限于此。可以在与第一室CH1不同的后续室(未示出)中执行干蚀刻。
在下文中，描述第二单元工艺。可以省略与第一单元工艺的描述相同的描述。
参照图6a，在图5f的结构上顺序地形成第二剥离层LOL2和第二光致抗蚀剂PR2。
第二剥离层LOL2可以包括与第一剥离层LOL1的材料相同的材料。可以通过诸如涂覆、印刷、沉积等方法形成第二剥离层LOL2。
在第二剥离层LOL2上形成第二光致抗蚀剂PR2。通过包括透光部M21和阻光部M22的第二光掩模M2使第二光致抗蚀剂PR2的与第二像素电极102对应的部分曝光。
参照图6b，使第二光致抗蚀剂PR2显影。显影的第二光致抗蚀剂PR2包括与第二像素电极102对应的第三开口C3。
参照图6c，通过使用图6b的图案化的第二光致抗蚀剂PR2作为蚀刻掩模来蚀刻第二剥离层LOL2。
在第二剥离层LOL2包括含氟聚合物的情况下，将可以蚀刻含氟聚合物的溶剂用作蚀刻液。第一溶剂可以包括氢氟醚。
在蚀刻工艺期间蚀刻第二剥离层LOL2的同时，在第二光致抗蚀剂PR2的第三开口C3下面形成第二底切轮廓UC2，并且通过包括氟的第一溶剂形成暴露第二像素电极102的顶表面和像素限定层110的一部分的第四开口C4。形成第二底切轮廓UC2，并且因此，可以在第二像素电极102上确保较宽的沉积空间。
参照图6d，在图6c的结构上形成第二中间层302、第二对电极402和第二钝化层502，第二中间层302包括第二发射层(未示出)。
通过真空沉积形成第二中间层302、第二对电极402和第二钝化层502。在第二室CH2中布置沉积源(未示出)，并且通过调整沉积入射角来执行沉积，使得从沉积源(未示出)发射的材料朝向基底100入射。
除了第二发射层(未示出)之外，第二中间层302还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
第二对电极402可以是透光电极或反射电极。第二对电极402覆盖第二中间层302，并且因此可以用作保护易受湿气和氧影响的第二中间层302的保护层。
形成第二钝化层502以完全地覆盖第二对电极402的顶表面和端部。
与第一单元工艺类似，可以通过PVD工艺沉积第二中间层302和第二对电极402，并且可以通过与PVD工艺相比具有优异的台阶覆盖的CVD工艺或ALD工艺沉积第二钝化层502。
作为沉积的结果，第二中间层302、第二对电极402和第二钝化层502沉积在布置在第四开口C4中的第二像素电极102的顶表面和像素限定层110的端部的一部分上，并且也堆叠在第二光致抗蚀剂PR2上。
在已经形成有第二底切轮廓UC2的区域中，在第二光致抗蚀剂PR2的底表面、像素限定层110的顶表面和第二剥离层LOL2的侧表面上沉积第二钝化层502。
参照图6e，对图6d的结构执行干蚀刻工艺。作为干蚀刻工艺的结果，在其中已经形成有第二底切轮廓UC2的区域周围，第二钝化层502被蚀刻并去除。
参照图6f，对图6e的结构执行剥离工艺。在第二室CH2外部执行剥离工艺。在实施例中，可以在室温下在大气中执行剥离工艺。
在第二剥离层LOL2包括含氟聚合物的情况下，可以通过使用包括氟的第二溶剂去除第二剥离层LOL2。因为在形成包括第二发射层(未示出)的第二中间层302之后执行剥离工艺，所以优选的是将具有与第二中间层302的低反应性的材料用作第二溶剂。与第一溶剂类似，第二溶剂可以包括氢氟醚。
作为剥离的结果，布置在第二像素电极102上的第二中间层302、第二对电极402和第二钝化层502留下作为图案。
虽然图6d和图6e示出了在同一第二室CH2中执行沉积和干蚀刻的情况，但是实施例不限于此。可以在与第二室CH2不同的后续室(未示出)中执行干蚀刻。
在下文中，描述第三单元工艺。可以省略与第一单元工艺和第二单元工艺的描述相同的描述。
参照图7a，在图6f的结构上顺序地形成第三剥离层LOL3和第三光致抗蚀剂PR3。
第三剥离层LOL3可以包括与第一剥离层LOL1和第二剥离层LOL2的材料相同的材料。可以通过诸如涂覆、印刷、沉积等方法形成第三剥离层LOL3。
在第三剥离层LOL3上形成第三光致抗蚀剂PR3。通过包括透光部M31和阻光部M32的第三光掩模M3使第三光致抗蚀剂PR3的与第三像素电极103对应的部分曝光。
参照图7b，使第三光致抗蚀剂PR3显影。显影的第三光致抗蚀剂PR3包括与第三像素电极103对应的第五开口C5。
参照图7c，通过使用图7b的图案化的第三光致抗蚀剂PR3作为蚀刻掩模来蚀刻第三剥离层LOL3。
在第三剥离层LOL3包括含氟聚合物的情况下，将可以蚀刻含氟聚合物的溶剂用作蚀刻液。第一溶剂可以包括氢氟醚。
在蚀刻工艺期间蚀刻第三剥离层LOL3的同时，在第三光致抗蚀剂PR3的第五开口C5下面形成第三底切轮廓UC3，并且通过包括氟的第一溶剂形成暴露第三像素电极103的顶表面和像素限定层110的一部分的第六开口C6。形成第三底切轮廓UC3，并且因此，可以在第三像素电极103上确保较宽的沉积空间。
参照图7d，在图7c的结构上形成第三中间层303、第三对电极403和第三钝化层503，第三中间层303包括第三发射层(未示出)。
通过真空沉积形成第三中间层303、第三对电极403和第三钝化层503。在第三室CH3中布置沉积源(未示出)，并且通过调整沉积入射角来执行沉积，使得从沉积源(未示出)发射的材料朝向基底100入射。
除了第三发射层(未示出)之外，第三中间层303还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
第三对电极403可以是透光电极或反射电极。第三对电极403覆盖第三中间层303，并且因此可以用作保护易受湿气和氧影响的第三中间层303的保护层。
形成第三钝化层503以完全地覆盖第三对电极403的顶表面和端部。
与第一单元工艺和第二单元工艺类似，可以通过PVD工艺沉积第三中间层303和第三对电极403，并且可以通过与PVD工艺相比具有优异的台阶覆盖的CVD工艺或ALD工艺沉积第三钝化层503。
作为沉积的结果，第三中间层303、第三对电极403和第三钝化层503沉积在布置在第六开口C6中的第三像素电极103的顶表面和像素限定层110的端部的一部分上，并且也布置在第三光致抗蚀剂PR3上。
在已经形成有第三底切轮廓UC3的区域中，在第三光致抗蚀剂PR3的底表面、像素限定层110的顶表面和第三剥离层LOL3的侧表面上沉积第三钝化层503。
参照图7e，对图7d的结构执行干蚀刻工艺。作为干蚀刻工艺的结果，在其中已经形成有第三底切轮廓UC3的区域周围，第三钝化层503被蚀刻并去除。
参照图7f，对图7e的结构执行剥离工艺。在第三室CH3外部执行剥离工艺。在实施例中，可以在室温下在大气中执行剥离工艺。
在第三剥离层LOL3包括含氟聚合物的情况下，可以通过使用包括氟的第三溶剂去除第三剥离层LOL3。因为在形成包括第三发射层(未示出)的第三中间层303之后执行剥离工艺，所以优选的是将具有与第三中间层303的低反应性的材料用作第三溶剂。与第一溶剂类似，第三溶剂可以包括氢氟醚。
作为剥离的结果，布置在第三像素电极103上的第三中间层303、第三对电极403和第三钝化层503留下作为图案。
虽然图7d和图7e示出了在同一第三室CH3中执行沉积和干蚀刻的情况，但是实施例不限于此。可以在与第三室CH3不同的后续室(未示出)中执行干蚀刻。
可以在第一钝化层至第三钝化层501、502和503上布置封装构件700。封装构件700可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。图1示出了其中第一无机层701、有机层702和第二无机层703顺序地堆叠的结构。
在执行第一单元工艺至第三单元工艺之后，布置覆盖第一钝化层至第三钝化层501、502和503的顶表面中的全部的封装构件700(见图1)。
封装构件700防止湿气透过，并且因此可以与第一钝化层至第三钝化层501、502和503合作防止对易受湿气影响的有机发光元件的损坏。
如上所述，在本实施例中，因为通过具有大台阶覆盖的沉积法形成第一钝化层至第三钝化层501、502和503，所以第一钝化层至第三钝化层501、502和503完全地覆盖第一对电极至第三对电极401、402和403，从而保护在作为湿法工艺的剥离工艺期间可能会损坏的第一对电极至第三对电极401、402和403以及第一中间层至第三中间层301、302和303。
在下文中，参照图10至图12f描述根据另一实施例的有机发光显示设备2及其制造方法。
图10是根据另一实施例的有机发光显示设备2的剖视图，图11是示出了根据另一实施例的在有机发光显示设备2的基底100上形成第一像素电极至第三像素电极101、102和103、辅助电极120以及像素限定层110的操作的剖视图，图12a至图12f是根据另一实施例的有机发光显示设备2的第一单元工艺的剖视图。
参照图10，在根据另一实施例的有机发光显示设备2中，多个像素电极在基底100上彼此分开，多个像素电极包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103。像素限定层110覆盖多个第一像素电极至第三像素电极101、102和103的端部、防止电场集中到每个像素电极的端部并限定发射区域。
与前一实施例不同，在本实施例中，辅助电极120布置在像素限定层110上，辅助电极120与第一像素电极至第三像素电极101、102和103分开。
包括第一发射层至第三发射层(未示出)的第一中间层至第三中间层301、302和303分别布置在第一像素电极至第三像素电极101、102和103上。第一对电极至第三对电极401、402和403分别布置在第一中间层至第三中间层301、302和303上。
第一像素电极至第三像素电极101、102和103、第一中间层至第三中间层301、302和303以及第一对电极至第三对电极401、402和403可以均具有岛型图案。
在本实施例中，第一对电极至第三对电极401、402和403可以分别在像素限定层110上延伸以接触辅助电极120。
虽然附图中未示出，但是辅助电极120电连接到共电力电压，并且将共电力电压施加到均接触辅助电极120的第一对电极至第三对电极401、402和403。当驱动电流从驱动薄膜晶体管(未示出)传输到第一像素电极至第三像素电极101、102和103且共电力电压通过辅助电极120施加到第一对电极至第三对电极401、402和403时，第一发射层至第三发射层(未示出)发射光。
第一钝化层至第三钝化层501、502和503布置在第一对电极至第三对电极401、402和403上。
第一钝化层501完全地覆盖第一对电极401且在辅助电极120上延伸，因此，第一钝化层501的端部接触辅助电极120的顶表面。第二钝化层502完全地覆盖第二对电极402且在辅助电极120上延伸，因此，第二钝化层502的端部接触辅助电极120的顶表面。第三钝化层503完全地覆盖第三对电极403且在辅助电极120上延伸，因此，第三钝化层503的端部接触辅助电极120的顶表面。
第一钝化层至第三钝化层501、502和503分别且完全地覆盖第一中间层至第三中间层301、302和303以及第一对电极至第三对电极401、402和403，从而防止在图案化工艺期间对有机发光元件的损坏。
与前一实施例类似，在本实施例中，第一像素电极至第三像素电极101、102和103以岛状彼此分开。第一中间层至第三中间层301、302和303可以以岛状布置在第一像素电极至第三像素电极101、102和103上。另外，与前一实施例类似，覆盖第一对电极至第三对电极401、402和403的第一钝化层至第三钝化层501、502和503可以以岛状布置。
布置覆盖第一钝化层至第三钝化层501、502和503和辅助电极120的顶表面中的全部的封装构件700。
封装构件700可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。图10示出了其中第一无机层701、有机层702和第二无机层703顺序地堆叠的结构。
主要描述本实施例的工艺与前一实施例的工艺之间的差异。
参照图11，形成包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的多个像素电极，形成覆盖第一像素电极至第三像素电极101、102和103的端部的像素限定层110，并且在像素限定层110上形成辅助电极210。可以通过光刻工艺执行第一像素电极至第三像素电极101、102和103、像素限定层110和辅助电极120的图案化。
参照图12a，在图11的结构上顺序地形成第一剥离层LOL1和第一光致抗蚀剂PR1。
可以通过诸如涂覆、印刷和沉积的方法形成第一剥离层LOL1。
在第一剥离层LOL1上形成第一光致抗蚀剂PR1。通过包括透光部M11和阻光部M12的第一光掩模M1使第一光致抗蚀剂PR1的与第一像素电极101对应的部分曝光。
参照图12b，使第一光致抗蚀剂PR1显影。显影的第一光致抗蚀剂PR1包括与第一像素电极101对应的第一开口C1。
参照图12c，通过使用图12b的图案化的第一光致抗蚀剂PR1作为蚀刻掩模来蚀刻第一剥离层LOL1。
在第一剥离层LOL1包括含氟聚合物的情况下，将可以蚀刻含氟聚合物的溶剂用作蚀刻液。第一溶剂可以包括氢氟醚。
在蚀刻工艺期间蚀刻第一剥离层LOL1的同时，在第一光致抗蚀剂PR1的第一开口C1下面形成第一底切轮廓UC1，并且通过包括氟的第一溶剂形成暴露第一像素电极101的顶表面、辅助电极120的一部分和像素限定层110的一部分的第二开口C2。形成第一底切轮廓UC1，并且因此，可以在第一像素电极101上确保较宽的沉积空间。
参照图12d，在图12c的结构上形成第一中间层301、第一对电极401和第一钝化层501，第一中间层301包括第一发射层(未示出)。第一中间层301还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
通过真空沉积形成第一中间层301、第一对电极401和第一钝化层501。在第一室CH1中布置沉积源(未示出)，并且通过调整沉积入射角来执行沉积，使得从沉积源(未示出)发射的沉积材料朝向基底100入射。
在第一像素电极101的顶表面和像素限定层110的一部分上堆叠第一中间层301。
堆叠第一对电极401以接触第一中间层301、像素限定层110和辅助电极120的顶表面。
堆叠第一钝化层501以接触第一对电极401和辅助电极120的顶表面。
与前一实施例类似，可以通过PVD工艺沉积第一中间层301和第一对电极401，并且可以通过与PVD工艺相比具有优异的台阶覆盖的CVD工艺或ALD工艺沉积第一钝化层501。
作为沉积的结果，第一中间层301、第一对电极401和第一钝化层501沉积在布置在第二开口C2中的第一像素电极101的顶表面上，并且也堆叠在第一光致抗蚀剂PR1上。
在已经形成有第一底切轮廓UC1的区域中，在第一光致抗蚀剂PR1的底表面、辅助电极120的顶表面和第二剥离层LOL2的侧表面上沉积第一钝化层501。
参照图12e，对图12d的结构执行干蚀刻工艺。作为干蚀刻工艺的结果，在其中已经形成有第一底切轮廓UC1的区域周围，第一钝化层501被蚀刻并去除。
参照图12f，对图12e的结构执行剥离工艺。在第一室CH1外部执行剥离工艺。在实施例中，可以在室温下在大气中执行剥离工艺。
作为剥离的结果，第一中间层301布置在第一像素电极101上。覆盖第一中间层的第一对电极401接触布置在像素限定层110上的辅助电极120。留下覆盖第一对电极401和辅助电极120的一部分的第一钝化层501。
虽然图12d和图12e示出了在同一第一室CH1中执行沉积和干蚀刻的情况，但是实施例不限于此。可以在与第一室CH1不同的后续室(未示出)中执行干蚀刻。
与前一实施例相比，第一对电极401连接到辅助电极120，并且因此减小了共电极的电阻。
在本实施例中，与前一实施例类似，可以通过经由第二单元工艺和第三单元工艺也在第二像素电极102和第三像素电极103上形成中间层、对电极和钝化层来制造全色有机发光显示设备。由于重复与前一实施例类似的工艺，因此省略其描述。
如上所述，在根据本实施例的有机发光显示设备2中，因为通过具有大台阶覆盖的沉积法形成钝化层，所以钝化层完全地覆盖对电极，并且因此在剥离工艺期间保护中间层和对电极。在同一室中执行干蚀刻，因此，可以防止由于室外部的大气和湿气引起的损坏。另外，形成辅助电极，因此，可以防止共电极的电压降。
虽然已经参照附图中所示的实施例描述了本公开，但是这仅作为描述性意义提供，本领域普通技术人员将理解的是，可以从其进行形式和细节上的各种改变。因此，本公开的范围应由权利要求确定。

Claims (25)

1.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成像素电极和像素限定层，所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘；
在所述像素电极和所述像素限定层上顺序地形成剥离层和光致抗蚀剂；
使所述剥离层和所述光致抗蚀剂图案化以形成暴露所述像素电极的顶表面和所述像素限定层的一部分的开口；
在所述开口中且在所述光致抗蚀剂上顺序地形成中间层和对电极，所述中间层包括发射层；
形成钝化层以完全地覆盖所述对电极的顶表面和端部；以及
去除在所述开口外部剩余的所述剥离层和所述光致抗蚀剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述光致抗蚀剂图案化的步骤包括光刻工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述剥离层包括含氟聚合物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过使用包括氟的第一溶剂蚀刻所述剥离层来形成所述开口。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述中间层的步骤包括第一沉积工艺，
形成所述对电极的步骤包括第二沉积工艺，并且
形成所述钝化层的步骤包括第三沉积工艺，以使针对所述钝化层的台阶覆盖比针对所述中间层和所述对电极的台阶覆盖大。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一沉积工艺包括物理气相沉积工艺。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二沉积工艺包括物理气相沉积工艺。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三沉积工艺包括化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，在同一室中执行所述第一沉积工艺至所述第三沉积工艺。
10.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第三沉积工艺之后，在与在其中执行所述第三沉积工艺的室相同的室或与在其中执行所述第三沉积工艺的室不同的室内执行干蚀刻。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过所述干蚀刻暴露所述像素限定层的顶表面。
12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在所述像素限定层上形成辅助电极，
其中，所述对电极被形成为接触所述辅助电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述钝化层的步骤之后，在与在其中形成所述钝化层的室相同的室或与在其中形成所述钝化层的室不同的室中执行干蚀刻，并且
通过所述干蚀刻暴露所述辅助电极的顶表面。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用包括氟的第二溶剂去除剩余的所述剥离层。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，在室中真空沉积所述中间层、所述对电极和所述钝化层，并且
在所述室外部在大气中执行去除所述剥离层的步骤。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在去除所述剥离层的湿法工艺中暴露所述钝化层，而所述钝化层完全地覆盖所述对电极的顶表面和端部。
17.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
在在基底上形成第一像素电极和第二像素电极且形成覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的端部的像素限定层之后，执行包括以下操作(a1)至(a5)的第一单元操作：(a1)在所述第一像素电极和所述第二像素电极以及所述像素限定层上顺序地形成第一剥离层和第一光致抗蚀剂；(a2)使所述第一剥离层和所述第一光致抗蚀剂图案化以形成暴露所述第一像素电极的顶表面和所述像素限定层的一部分的第一开口；(a3)在所述第一开口中且在所述第一光致抗蚀剂上顺序地形成第一中间层和第一对电极，所述第一中间层包括第一发射层；(a4)形成第一钝化层以覆盖所述第一对电极的顶表面和端部；以及(a5)去除在所述第一开口外部剩余的所述第一剥离层和所述第一光致抗蚀剂；以及
在所述第一单元操作之后，执行包括以下操作(b1)至(b5)的第二单元操作：(b1)在所述第一钝化层、所述第二像素电极和所述像素限定层上顺序地形成第二剥离层和第二光致抗蚀剂；(b2)使所述第二剥离层和所述第二光致抗蚀剂图案化以形成暴露所述第二像素电极的顶表面和所述像素限定层的一部分的第二开口；(b3)在所述第二开口中且在所述第二光致抗蚀剂上顺序地形成第二中间层和第二对电极，所述第二中间层包括第二发射层；(b4)形成第二钝化层以完全地覆盖所述第二对电极的顶表面和端部；以及(b5)去除在所述第二开口外部剩余的所述第二剥离层和所述第二光致抗蚀剂。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，从所述第一发射层发射的颜色与从所述第二发射层发射的颜色不同。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，在第一室中形成所述第一中间层、所述第一对电极和所述第一钝化层。
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述第一钝化层的步骤之后，在所述第一室中执行干蚀刻。
21.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述第一钝化层的步骤之后，在与所述第一室不同的后续室中执行干蚀刻。
22.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一中间层和所述第二中间层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
23.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
形成顺序地布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层上且包括至少一个有机层和至少一个无机层的封装构件。
24.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
第一像素电极和第二像素电极，在基底上彼此分开；
像素限定层，覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的端部；
第一中间层和第二中间层，分别包括在所述第一像素电极和所述第二像素电极上布置为岛的第一发射层和第二发射层；
第一对电极和第二对电极，分别以岛图案布置在所述第一中间层和所述第二中间层上；
第一钝化层和第二钝化层，分别以岛图案布置在所述第一对电极和所述第二对电极上且完全地覆盖所述第一对电极和所述第二对电极；以及
封装构件，覆盖所述第一钝化层和所述第二钝化层。
25.根据权利要求24所述的设备，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层均包括氮化物类材料。
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