CN107516665A - 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了有机发光显示装置及制造其的方法，有机发光显示装置包括第一像素电极(PE)和第二像素电极(PE)；像素限定层(PDL)，设置在第一PE和第二PE上，并包括分别暴露第一PE和第二PE的第一开口和第二开口；第一中间层(IL)和第二中间层(IL)，分别设置在经由第一开口和第二开口暴露的第一PE和第二PE上，第一IL和第二IL中的每个包括发射层；第一相对电极(OE)和第二相对电极(OE)，分别设置在第一IL和第二IL上，并具有岛型式样；第一保护层(PL)和第二保护层(PL)，分别设置在第一OE和第二OE上，并具有岛型式样；以及连接层，设置在第一PL和第二PL上，并将第一OE和第二OE彼此电连接。

Description

有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月16日提交的第10-2016-0075090号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请通过引用并入本文，就各方面而言都如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及显示技术，以及更具体地，涉及有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
对于有机发光显示装置的需求是明确的。有机发光显示装置不仅质量轻、轮廓小，而且其还展示出诸如视角宽、响应速度快以及功耗低的优点。以可接受的产量有成本效益地大规模制造有机发光显示装置是具有挑战性的。
通常，能够通过每个像素区发射的不同颜色光来生成全部颜色范围的有机发光显示装置的形成使用沉积掩模来为每个像素形成有机发射层。随着分辨率的提高，用于形成有机发射层的沉积掩模中狭缝开口的宽度减小。为此，降低弥散也开始受到关注。此外，制造相对高分辨率的有机发光显示装置涉及降低或消除沉积掩模的阴影效应。为了解决上述问题中的至少一些，可利用附接至沉积掩模的衬底来执行沉积过程。但是，应注意，这样的过程可能至少部分地导致缺陷(例如，掩模印痕缺陷或现象)的出现。为了减少或防止这样的缺陷，可将分隔件布置在像素限定层之上，但是这涉及附加的过程并且由于分隔件的存在，有机发光显示装置的厚度增加。
该背景部分中公开的上述信息仅用于加强对本发明构思的背景的理解，并且因此，该背景部分可包括不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一个或多个示例性实施方式针对有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法，该方法可使得能够更容易地形成发射层和有机发光二极管的电极，并且还可保护有机发光二极管(或者至少减少对有机发光二极管的损害)。
在随后的具体说明中将阐述附加方面，以及，部分地，这些附加方面通过本公开将显而易见或者可通过实践本发明构思而被习得。
根据一个或多个示例性实施方式，有机发光显示装置包括：第一像素电极和第二像素电极、像素限定层、第一中间层和第二中间层、第一相对电极和第二相对电极、第一保护层和第二保护层以及连接层。像素限定层设置在第一像素电极和第二像素电极上。像素限定层包括分别暴露第一像素电极和第二像素电极的第一开口和第二开口。第一中间层和第二中间层分别设置在经由第一开口和第二开口暴露的第一像素电极和第二像素电极上。第一中间层和第二中间层中的每个包括发射层。第一相对电极和第二相对电极分别设置在第一中间层和第二中间层上。第一相对电极和第二相对电极具有岛型式样。第一保护层和第二保护层分别设置在第一相对电极和第二相对电极上。第一保护层和第二保护层具有岛型式样。连接层设置在第一保护层和第二保护层上。连接层将第一相对电极和第二相对电极彼此电连接。
根据一个或多个示例性实施方式，制造有机发光显示装置的方法包括：在衬底上形成第一像素电极和第二像素电极；在第一像素电极和第二像素电极上形成像素限定层，像素限定层包括分别暴露第一像素电极和第二像素电极的第一开口和第二开口；在像素限定层上形成第一光敏图案层，第一光敏图案层包括暴露第一像素电极的第一开口区；在第一像素电极和第一光敏图案层上形成第一中间层、第一相对电极和第一保护层，其中，第一中间层依次包括发射层；以及移除第一光敏图案层。在移除第一光敏图案层之后，第一中间层、第一相对电极和第一保护层保留在第一像素电极上。
根据一个或多个示例性实施方式，利用非晶保护层、通过可防止(或者至少减少)对OLED损坏的剥离处理，可更容易地形成有机发光二极管(OLED)。但是，示例性实施方式不受此限制或局限于此。
前述总体说明及以下详细说明是示例性和说明性的，且旨在提供对所要求专利保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明构思的原理，其中，附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，且这些附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1是根据一个或多个示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图。
图2A是根据一个或多个示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的等效电路图。
图2B是根据一个或多个示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的等效电路图。
图3是根据一个或多个示例性实施方式的图1中的显示区域的一部分的平面图。
图4是根据一个或多个示例性实施方式的沿图3的剖切线IV-IV截取的有机发光显示装置的剖视图。
图5A是根据一个或多个示例性实施方式的图4的部分IV的更详细视图。
图5B是根据一个或多个示例性实施方式的图4的部分IV的更详细视图。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F、图6G、图6H、图6I、图6J和图6K是根据一个或多个示例性实施方式的在各个制造阶段的有机发光显示装置的剖视图。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F和图7G是根据一个或多个示例性实施方式的在各个制造阶段的有机发光显示装置的剖视图。
图8是根据一个或多个示例性实施方式的有机发光显示装置的剖视图。
图9A、图9B和图9C是根据一个或多个示例性实施方式的在各制造阶段的有机发光显示装置剖视图。
具体实施方式
在以下说明书中，出于解释的目的，阐明了诸多具体细节，以提供对多种示例性实施方式的完全理解。但是，显而易见的是，所述多种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者使用一个或多个等同布置来实施。在其它情况中，为了避免不必要地使各种示例性实施方式不清楚，公知的结构和装置以框图形式示出。
除非另外指出，否则所示示例性实施方式将理解为提供各种示例性实施方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离所公开的示例性实施方式的情况下，各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。另外，在附图中，出于清楚和描述的目的，可能放大层、膜、面板、区等的尺寸和相对尺寸。当可不同地实施示例性实施方式时，可与所述顺序不同地来执行具体过程顺序。例如，两个连续描述的过程可基本上同时执行，或者以与所述顺序相反的顺序来执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为位于另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接位于另一元件或层上、直接连接或直接联接至另一元件或层，或者可存在中间元件或中间层。但是，当元件或层被称为“直接”位于另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。另外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系中的三个轴，而是可以以更宽泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可相互垂直，或者可表示不相互垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选出的至少一个”可解释为：仅X；仅Y；仅Z；或者X、Y和Z中两者或更多的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的，用语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任意和全部组合。
虽然用语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件、部件、区、层和/或区段，但是这些元件、部件、区、层和/或区段不应受这些用语限制。这些用语用于将一个元件、部件、区、层和/或区段与另一元件、部件、区、层和/或区段区分开。因此，在不背离本公开教导的情况下，下文讨论的第一元件、第一部件、第一区、第一层和/或第一区段可被称为第二元件、第二部件、第二区、第二层和/或第二区段。
在本文中可出于描述的目的使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”等的空间相对用语，以及从而，这些空间相对用语可用于描述如附图中所示的一个元件或特征相对于另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。除了附图描绘的定向之外，空间相对用语旨在包括装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将定向成位于其它元件或特征“上方”。因而，示例性用语“在…下方”可包括在…之上和在…之下两种定向。此外，设备可以以其它方式被定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，以及，照此，本文中所使用的空间相对描述语被相应地解释。
本文所使用的术语是出于描述具体实施方式的目的，而不旨在限制。如本文所使用的，除非上下文明确地另外指示，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，用语“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括有(including)”表示所叙述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。
本文参照剖视图来描述各种示例性实施方式，其中，剖视图为理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意性示图。照此，由于例如制造技术和/或公差而引起的与示例的形状偏离是可预期的。因此，本文公开的示例性实施方式不应解释为局限于具体所示区域的形状，而是将包括由于例如制造而引起的形状偏差。例如，例示为矩形的植入区通常将在其边缘处具有圆形或弧形特征和/或植入物浓度梯度，而不是从植入区到非植入区的二元变化。类似地，通过植入形成的隐埋区可能在隐埋区与植入通过其发生的表面之间的区域中导致一些植入。因此，附图中所示的区域在本质上为示意性的，并且其形状不旨在示出装置的区域的实际形状以及不旨在限制。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如常用词典中所定义的那些术语的术语应解释成具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此限定。
图1是根据一个或多个示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图。
参照图1，有机发光显示装置1包括衬底100。衬底100包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA。包括有机发光二极管(OLED)的像素(例如，像素P)可位于衬底100的显示区域DA中。衬底100的外围区域PA是不显示(或产生)图像的区。各种驱动器以及传输待施加至显示区域DA的电信号的布线可位于外围区域PA中。
图2A和图2B是根据一个或多个示例性实施方式的有机发光显示装置的像素的等效电路图。应注意的是，图2A和图2B中的像素P和像素P'是对应的有机发光显示装置的像素的代表。
参照图2A，每个像素P包括连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接至像素电路PC的OLED。像素电路PC包括驱动薄膜晶体管(TFT)T1、开关TFT T2以及存储电容器Cst。开关TFT T2连接至扫描线SL和数据线DL，并响应于经由扫描线SL输入的扫描信号Sn向驱动TFT T1传输经由数据线DL输入的数据信号Dm。存储电容器Cst连接至开关TFT T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关TFT T2传输的电压和供应至驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差值对应的电压。驱动TFT T1连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储电容器Cst中所存储的电压值来控制从驱动电压线PL流过OLED的驱动电流。OLED可利用驱动电流发射具有确定亮度的光。
虽然已经参照图2A描述了像素P包括两个TFT和一个存储电容器Cst的示例性实施方式，但是示例性实施方式不局限于此或受此限制。例如，可结合示例性实施方式使用任意适当数量的TFT和存储电容器。
例如，参照图2B，像素P'可包括像素电路PC'，像素电路PC'可包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6以及第二初始化TFT T7。驱动TFT T1的漏电极可经由第二发射控制TFT T6电连接至OLED。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm并向OLED供应驱动电流。
开关TFT T2的栅电极连接至可作为“当前”扫描线的第一扫描线SLn(“n”是自然数)。开关TFT T2的源电极连接至数据线DL。开关TFT T2的漏电极可连接至驱动TFT T1的源电极以及可经由第一发射控制TFT T5连接至驱动电压线PL。开关TFT T2响应于经由第一扫描线SLn传输的第一扫描信号Sn而导通，并执行将经由数据线DL传输的数据信号Dm传输至驱动TFT T1的源电极的开关操作。
补偿TFT T3的栅电极可连接至第一扫描线SLn。补偿TFT T3的源电极可连接至驱动TFT T1的漏电极，以及可经由第二发射控制TFT T6连接至OLED的像素电极(未示出)，例如，阳极电极。补偿TFT T3的漏电极可连接(例如，同时连接)至存储电容器Cst的电极、第一初始化TFT T4的源电极以及驱动TFT T1的栅电极中的一个。如此，补偿TFT T3响应于经由第一扫描线SLn传输的第一扫描信号Sn而导通，并且通过将驱动TFT T1的栅电极连接至驱动TFT T1的漏电极而二极管连接驱动TFT T1。
第一初始化TFT T4的栅电极可连接至可作为“先前”扫描线的第二扫描线SLn-1。第一初始化TFT T4的漏电极可连接至初始化电压线VL。第一初始化TFT T4的源电极可连接(例如，同时连接)至存储电容器Cst的电极、补偿TFT T3的漏电极和驱动TFT T1的栅电极中的一个。第一初始化TFT T4响应于经由第二扫描线SLn-1传输的第二扫描信号Sn-1而导通，并且可通过向驱动TFT T1的栅电极传输初始化电压VINT来执行将驱动TFT T1的栅电极电压初始化的初始化操作。
第一发射控制TFT T5的栅电极可连接至发射控制线EL，并从而配置成接收发射控制信号En。第一发射控制TFT T5的源电极可连接至驱动电压线PL。第一发射控制TFT T5的漏电极可连接至驱动TFT T1的源电极和开关TFT T2的漏电极。
第二发射控制TFT T6的栅电极可连接至发射控制线EL。第二发射控制TFT T6的源电极可连接至驱动TFT T1的漏电极和补偿TFT T3的源电极。第二发射控制TFT T6的漏电极可电连接至OLED的像素电极。第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6响应于经由发射控制线EL传输的发射控制信号En而导通(例如，同时导通)。如此，驱动电压ELVDD传输至OLED且驱动电流流过OLED。
第二初始化TFT T7的栅电极可连接至第三扫描线SLn+1，例如，“下一”扫描线。第二初始化TFT T7的源电极可连接至OLED的像素电极。第二初始化TFT T7的漏电极可连接至初始化电压线VL和第一初始化TFT T4的漏电极。第二初始化TFT T7响应于经由第三扫描线SLn+1传输的第三扫描信号Sn+1而导通，并且可初始化OLED的像素电极。
存储电容器Cst的另一电极可连接至驱动电压线PL。存储电容器Cst的电极中的一个可连接(例如，同时连接)至驱动TFT T1的栅电极、补偿TFT T3的漏电极以及第一初始化TFT T4的源电极。
OLED的相对电极，例如公共电极，连接至传输公共电源电压ELVSS的线。OLED接收来自驱动TFT T1的驱动电流并且发光。
但是，应注意的是，图2A和图2B中的像素电路PC和像素电路PC'不局限于所示TFT和存储电容器的数量。如此，可对有机发光显示装置的像素的电路设计进行各种改变，并因此，电路设计可包括任意适当数量的TFT和/或存储电容器。
图3是根据一个或多个示例性实施方式的图1中的显示区域的一部分的平面图。图4是根据一个或多个示例性实施方式的沿图3中的剖切线IV-IV截取的有机发光显示装置的剖视图。图5A和图5B是根据一个或多个示例性实施方式的图4中的部分IV的更详细视图。
参照图3和图4，显示区域DA包括配置成发射不同颜色光的像素P1、像素P2和像素P3。在下文中，为了便于描述，不同颜色的像素称为第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。在一个或多个示例性实施方式中，第一像素P1可发射红光，第二像素P2可发射绿光，以及第三像素P3可发射蓝光。虽然显示区域DA中示出三个像素P1至P3，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。例如，除上述的第一像素P1至第三像素P3之外，还可包括发射白光的第四像素(未示出)。第一像素P1至第三像素P3分别包括像素电路PC以及电连接至像素电路PC的第一OLED 201至第三OLED 203。
如图5A中所示，像素电路PC可包括驱动TFT T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。驱动TFT T1包括驱动半导体层A1和驱动栅电极G1，其中，驱动半导体层A1包括驱动源区S1和驱动漏区D1。开关TFT T2包括开关半导体层A2和开关栅电极G2，其中，开关半导体层A2包括开关源区S2和开关漏区D2。存储电容器Cst包括第一存储板CE1和第二存储板CE2。缓冲层101位于衬底100与驱动半导体层A1和开关半导体层A2之间。栅绝缘层103位于驱动半导体层A1和开关半导体层A2与驱动栅电极G1和开关栅电极G2之间。介电层105位于第一存储板CE1和第二存储板CE2之间。层间绝缘层107位于介电层105与绝缘层109之间。绝缘层109位于第一像素电极211下方，例如，位于层间绝缘层107与第一像素电极211之间。缓冲层101和栅绝缘层103每个可为包括诸如SiNx和/或SiOx的无机材料的单层或多层，介电层105和层间绝缘层107可以是包括诸如SiOx、SiNx和/或Al2O3的无机材料的单层或多层，以及绝缘层109可包括有机材料，诸如通用聚合物，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于亚克力的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物和/或它们的混合物，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。
如图5A中所示，第一存储板CE1和驱动栅电极G1位于相同的层中，且存储电容器Cst可与驱动TFT T1重叠。即，驱动栅电极G1也可用作第一存储板CE1。参照图5B，存储电容器Cst可不与驱动TFT T1重叠。虽然图5A和图5B示出了第一像素P1的像素电路PC，但是其它像素的像素电路PC可具有相同(或相似)的结构，以及，如此，为了避免使本文中描述的示例性实施方式不清楚，已经省略了重复的说明。
返回参照图4，像素电路PC分别经由绝缘层109中限定的接触孔连接至第一OLED201至第三OLED 203的第一像素电极211至第三像素电极213。
第一OLED 201包括第一像素电极211、第一中间层221和第一相对电极231。第一像素电极211、第一中间层221和第一相对电极231中的每个具有岛型式样。第一中间层221可包括红色发射层221b，并且还可包括位于红色发射层221b的上方或下方的第一功能层221a和第二功能层221c。第一功能层221a可包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，以及第二功能层221c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一中间层221可选择性地包括第一功能层221a和/或第二功能层221c。
第二OLED 202包括第二像素电极212、第二中间层222和第二相对电极232。第二像素电极212、第二中间层222和第二相对电极232中的每个具有岛型式样。第二中间层222可包括绿色发射层222b，并且还可包括位于绿色发射层222b的上方或下方的第一功能层222a和第二功能层222c。第一功能层222a可包括HIL和/或HTL，以及第二功能层222c可包括ETL和/或EIL。第二中间层222可选择性地包括第一功能层222a和/或第二功能层222c。
第三OLED 203包括第三像素电极213、第三中间层223和第三相对电极233。第三像素电极213、第三中间层223和第三相对电极233中的每个具有岛型式样。第三中间层223可包括蓝色发射层223b，并且还可包括位于蓝色发射层223b的上方或下方的第一功能层223a和第二功能层223c。第一功能层223a可包括HIL和/或HTL，以及第二功能层223c可包括ETL和/或EIL。第三中间层223可选择性地包括第一功能层223a和/或第二功能层223c。
第一像素电极211至第三像素电极213可以是反射电极或者透光电极。当第一像素电极211至第三像素电极213是反射电极时，其可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射层。还应设想到，第一像素电极211至第三像素电极213可包括反射层以及位于反射层的上方和/或下方的透明导电氧化物(TCO)层。当第一像素电极211至第三像素电极213是透光电极时，其可包括一个或多个TCO层。还应设想到，第一像素电极211至第三像素电极213可以是包括Ag或Ag合金的金属薄膜，或者可以是包括位于金属薄膜上方的TCO层的层。例如，第一像素电极211至第三像素电极213可包括按顺序具有约的厚度的三层ITO/Ag/ITO，示例性实施方式不限于此或受此限制。
第一相对电极231至第三相对电极233可以是反射电极或透光电极。第一相对电极231至第三相对电极233可以是包括Ag、Mg、Al、镱(Yb)、钙(Ca)、锂(Li)和金中的至少一个的金属薄膜或金属厚膜。例如，第一相对电极231至第三相对电极233可以是包括Ag、Mg、Al、Yb、Ca、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al和Au中的至少一种的单层或多层。在一个或多个示例性实施方式中，第一相对电极231至第三相对电极233可包括包含Ag和Mg的金属薄膜，并且Ag含量可大于Mg含量。
包括上述材料的第一相对电极231至第三相对电极233可通过使材料的厚度相对薄而形成为透光电极，或者可通过使材料的厚度相对厚而形成为反射电极。例如，第一相对电极231至第三相对电极233可通过将包括Ag和Mg的金属形成为约至的厚度而用作透光电极，或者可通过将包括Ag和Mg的金属形成为约50nm或更大的厚度而用作反射电极，示例性实施方式不限于此或受此限制。
第一中间层221至第三中间层223和第一相对电极231至第三相对电极233可通过剥离处理来制造。例如，可对第一像素P1至第三像素P3中的每个单独执行剥离处理，并且光刻胶可用于剥离处理(多个剥离处理)。当光刻胶中所包含的材料(例如，诸如，用于光刻胶的显影剂中所包括的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)或氢氧化四甲铵(TMAH))渗入OLED中时，该材料可能损坏OLED或使OLED劣化。为了防止或至少减少这样的材料的渗入，第一OLED201至第三OLED203的上方设置有第一保护层241至第三保护层243，且该第一保护层241至第三保护层243分别覆盖第一OLED 201至第三OLED 203。
根据一个或多个示例性实施方式，第一保护层241至第三保护层243可包括非晶导电材料。非晶导电材料可包括非晶氧化物。非晶氧化物可包括非晶导电氧化物，例如，非晶透明导电氧化物(非晶TCO)和透明非晶氧化物半导体(TAOS)。
非晶TCO例如可包括非晶铟锡氧化物(ITO)、非晶铟锡氮氧化物(ITON)、非晶铟锌氧化物(IZO)、非晶铟锌氮氧化物(IZON)、非晶铟锌锡氧化物(IZTO)、非晶铝锌氧化物(AZO)等。TAOS可包括包含In、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。例如，TAOS可包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等。
第一保护层241至第三保护层243可以是包括上述非晶材料的单层或多层。例如，第一保护层241至第三保护层243可具有约的最小厚度。例如，通过考虑上述保护和导电性，第一保护层241至第三保护层243可具有约至的厚度。如果第一保护层241至第三保护层243可具有小于约的最小厚度的厚度，则在剥离处理(多个剥离处理)期间第一OLED 201至第三OLED 203可能被损坏。
根据一个或多个示例性实施方式，第一保护层241至第三保护层243分别与第一像素P1至第三像素P3对应、具有岛型式样、以及彼此间隔开。第一保护层241至第三保护层243中的每个在水平方向(例如，x轴方向)上延伸，并且具有大于设置在其下方的第一相对电极231至第三相对电极233的宽度的宽度。第一保护层241至第三保护层243中每个的端部可超过第一相对电极231至第三相对电极233的端部直接接触像素限定层180。
连接层250可与第一保护层241至第三保护层243整体地形成并且覆盖第一保护层241至第三保护层243。连接层250电连接第一相对电极231至第三相对电极233，其中，第一相对电极231至第三相对电极233中的每个具有岛型式样。如上文所述，当第一保护层241至第三保护层243包括导电材料时，连接层250可通过接触第一保护层241至第三保护层243来电连接第一相对电极231至第三相对电极233。
在一个或多个示例性实施方式中，连接层250包括导电材料。例如，当第一像素电极211至第三像素电极213是反射电极并且第一相对电极231至第三相对电极233是透光电极(例如，顶部发射型OLED)时，连接层250可包括TCO。如另一示例，当第一像素电极211至第三像素电极213是透光电极并且第一相对电极231至第三相对电极233是反射电极(例如，底部发射型OLED)时，连接层250可使用任何合适的材料，例如，TCO和/或金属。
封装层260位于连接层250上方(例如，位于连接层250上)。封装层260可包括至少一个有机层261和至少一个无机层263。有机层261可包括基于聚合物的材料，例如，PMMA、聚碳酸酯(PC)、PS、基于亚克力的树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。无机层263可包括AlN、Al2O3、TiN、TiO2、SiON、SiNx和SiOx。虽然图4示出了有机层261布置在下方而无机层263布置在上方，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。例如，有机层261和无机层263的位置是可改变的，并且堆叠顺序、层的数量等可不同地改变。包括第一保护层241至第三保护层243的有机发光显示装置的制造过程将结合图6A至图6K来更详细地描述。
图6A至图6K是根据一个或多个示例性实施方式的在各制造阶段的有机发光显示装置的剖视图。
参照图6A，在衬底100的上方形成像素电路PC以及分别电连接至像素电路PC的第一像素电极211至第三像素电极213。形成包括分别暴露第一像素电极211至第三像素电极213的开口OP的像素限定层180。
衬底100可包括多种材料，例如，玻璃材料或者包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等的塑料材料。与包括玻璃材料的衬底100相比，当衬底100包括塑料材料时可提高衬底100的柔性。为了防止(或减少)杂质的渗入，可在衬底100的上方设置缓冲层(未示出)。缓冲层可包括SiOx和/或SiNx。
当在衬底100上方形成像素电路PC之后，通过图案化覆盖像素电路PC的绝缘层109来形成接触孔。通过形成导电材料层(未示出)然后图案化导电材料层来形成第一像素电极211至第三像素电极213。导电材料层可包括包含Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层或者包括位于反射层上方或下方的TCO层。还应设想到，导电材料层可包括包含Ag或Ag合金的薄膜，或者包括位于该薄膜上方的TCO层。根据导电材料层，第一像素电极211至第三像素电极213可以是反射电极或透光电极，且其具体配置先前已参照图4进行了描述。
在形成第一像素电极211至第三像素电极213之后，通过形成有机绝缘层(未示出)然后图案化有机绝缘层来形成像素限定层180。像素限定层180包括分别暴露第一像素电极211至第三像素电极213的开口OP。虽然示例性实施方式已经描述了由有机绝缘层形成像素限定层180，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。例如，像素限定层180可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料，或者可包括无机绝缘材料。为此，像素限定层180可具有上述材料中的一种或多种的单层或多层结构。
参照图6B，在像素限定层180上方形成第一掩模图案300。第一掩模图案300包括第一光敏图案层320。第一掩模图案300还可包括位于第一光敏图案层320与像素限定层180之间的第一辅助层310。根据一个或多个示例性实施方式，可如下所述地形成第一掩模图案300。
在包括像素限定层180的衬底100上方形成非光敏有机层(未示出)，并且在该非光敏有机层上方形成光刻胶层(未示出)。非光敏有机层例如可包括基于氟的材料，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。光刻胶层可包括正性光敏材料。
在形成光刻胶层之后，通过暴露并显影光刻胶层的与第一像素P1对应的部分区域，来形成具有第一开口区OR1的第一光敏图案层320。接着，通过刻蚀经由第一开口区OR1暴露的非光敏有机层来形成第一辅助开口区AOR1。通过刻蚀，第一辅助层310的第一辅助开口区AOR1大于第一开口区OR1。
参照图6C，在包括第一掩模图案300的衬底100上方按顺序形成第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241。第一中间层221可包括例如红色发射层221b，以及包括位于红色发射层221b上方和/或下方的第一功能层221a和第二功能层221c。
第一中间层221和第一相对电极231可通过热蒸发方法来形成。用于形成第一中间层221和第一相对电极231的沉积材料可在与衬底100垂直的方向上以及在相对于衬底100倾斜的方向上朝衬底100移动。这样，第一中间层221的端部和第一相对电极231的端部可延伸至第一光敏图案层320下方的空间而不接触第一辅助层310。由于沉积材料在倾斜的方向上沉积，所以第一中间层221和第一相对电极231的端部可具有正向锥缩形状。第一中间层221和第一相对电极231的材料先前已经参照图4进行了描述，并且，如此，为了避免使示例性实施方式不清楚，已经省略了重复的说明。
第一保护层241包括非晶材料。例如，第一保护层241至第三保护层243可包括非晶氧化物，例如，非晶导电氧化物。非晶导电氧化物可包括TCO、TAOS等。对于第一保护层241已经参照图4提供了多种示例性实施方式，并且，如此，为了避免使示例性实施方式不清楚，已经省略了重复的说明。
例如，可通过溅射方法形成第一保护层241。用于形成第一保护层241的材料可在与衬底100垂直的方向上以及在相对于衬底100倾斜的方向上朝衬底100移动。这样，第一保护层241的端部可延伸至第一光敏图案层320下方的空间而不接触第一辅助层310。如图6D中所示，第一保护层241可具有大于第一相对电极231的宽度We1的宽度Wp1。这样，第一保护层241可完全覆盖第一相对电极231。第一保护层241的端部可直接接触像素限定层180并且具有正向锥缩形状。
继续参照图6D，通过剥离处理移除第一掩模图案300。在一个或多个示例性实施方式中，当第一辅助层310包括基于氟的材料时，可使用基于氟的溶剂移除第一辅助层310。当移除第一辅助层310时，第一辅助层310上方的第一光敏图案层320、以及堆叠在该第一光敏图案层320上方的第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241与第一辅助层310一起被移除。另外，岛型图案化的第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241被保留在第一像素P1中。
根据一个或多个示例性实施方式，在剥离处理期间，第一保护层241可保护第一OLED 201。例如，第一保护层241可防止(或减少)包括在移除第一辅助层310的溶剂中的材料渗入第一相对电极231以及第一相对电极231下方的第一中间层221中。在第一掩模图案300的剥离处理期间，第一保护层241也可用于保护第一相对电极231和第一中间层221不被损坏。
参照图6E，在第一保护层241和像素限定层180的上方形成第二掩模图案400。第二掩模图案400包括第二光敏图案层420。第二掩模图案400还可包括位于第二光敏图案层420与像素限定层180之间的第二辅助层410。第二掩模图案400可通过与形成第一掩模图案300的方法相同的方法来形成。
例如，在包括第一OLED 201和第一保护层241的衬底100上方形成非光敏有机层(未示出)。在非光敏有机层上形成光刻胶层(未示出)。在一个或多个示例性实施方式中，例如，非光敏有机层可包括基于氟的材料。光刻胶层可包括正性光敏材料。在形成光刻胶层之后，通过暴露并显影光刻胶层的与第二像素P2对应的部分区域来形成具有第二开口区OR2的第二光敏图案层420。接着，通过刻蚀经由非光敏有机层中的第二开口区OR2暴露的第二辅助层410来形成具有第二辅助开口区AOR2的第二辅助层410，其中第二辅助开口区AOR2大于第二开口区OR2。
参照图6F，在包括第二掩模图案400的衬底100上方按顺序形成第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242。第二中间层222和第二相对电极232可通过热蒸发方法来形成，而非晶的第二保护层242可通过溅射方法来形成。由于第二中间层222和第二相对电极232的材料以及非晶的第二保护层242的材料与参照图4所描述的那些材料相同，所以为了避免使示例性实施方式不清楚，已经省略了重复的说明。
第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242的沉积材料可在与衬底100垂直的方向上以及在相对于衬底100倾斜的方向上朝衬底100运动。这样，第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242的端部延伸至第二光敏图案层420下方的空间而不接触第二辅助层410。如图6G所示，非晶的第二保护层242可具有大于第二相对电极232的宽度We2的宽度Wp2。如此，非晶的第二保护层242可完全覆盖第二相对电极232。非晶的第二保护层242的端部可直接接触像素限定层180，同时具有正向锥缩形状。
参照图6G，通过剥离处理移除第二掩模图案400。在一个或多个示例性实施方式中，当第二辅助层410包括基于氟的材料时，可使用基于氟的溶剂移除第二辅助层410。当移除第二辅助层410时，第二辅助层410上方的第二光敏图案层420、以及堆叠在该第二光敏图案层420上方的第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242与第二辅助层410一起被移除。另外，岛型图案化的第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242保持为第二像素P2的一部分。
在参照图6E至图6G所描述的过程期间，第一保护层241可保护第一OLED 201。例如，第一保护层241可防止材料(例如，第一OLED201上方的第二掩模图案400中所包括的PGMEA或者在显影第二掩模图案400时使用的TMAH)渗入第一OLED 201中。另外，在剥离处理期间，第一保护层241和第二保护层242可保护第一OLED 201和第二OLED 202。例如，第一保护层241和第二保护层242可防止(或减少)包括在移除第二辅助层410的溶剂中的材料渗入第一OLED 201和第二OLED 202中。这样，第一保护层241和第二保护层242可防止(或减轻)第一OLED 201和第二OLED 202被另一材料破坏。
参照图6H，在第一保护层241和第二保护层242以及像素限定层180上方形成包括第三光敏图案层520的第三掩模图案500。第三掩模图案500还可包括位于第三光敏图案层520与像素限定层180之间的第三辅助层510。第三掩模图案500可通过与形成第一掩模图案300和第二掩模图案400的方法相同的方法来形成。
例如，在衬底100上方形成非光敏有机层(未示出)，在该非光敏有机层上方形成光刻胶层(未示出)，然后通过暴露并显影光刻胶层的与第三像素P3对应的部分区域来形成具有第三开口区OR3的第三光敏图案层520。另外，通过刻蚀经由第三开口区OR3暴露的非光敏有机层来形成具有第三辅助开口区AOR3的第三辅助层510，其中，第三辅助开口区AOR3大于第三开口区OR3。在一个或多个示例性实施方式中，非光敏有机层例如可包括基于氟的材料。光刻胶层可包括正性光敏材料。
参照图6I，在包括第三掩模图案500的衬底100上方顺序地形成第三中间层223、第三相对电极233和第三保护层243。第三中间层223和第三相对电极233可通过热蒸发方法来形成，以及非晶的第三保护层243可通过溅射方法来形成。由于第三中间层223和第三相对电极233的材料以及非晶的第三保护层243的材料与参照图4所描述的材料相同，所以为了避免使示例性实施方式不清楚，省略了重复的说明。
第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243的沉积材料可在与衬底100垂直的方向上以及在相对于衬底100倾斜的方向上朝衬底100运动。这样，第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243的端部可延伸至第三光敏图案层520下方的空间而不接触第三辅助层510。如图6J中所示，非晶第三保护层243可具有大于第三相对电极233的宽度We3的宽度Wp3。如此，非晶第三保护层243可完全覆盖第三相对电极233。非晶第三保护层243的端部可直接接触像素限定层180，同时具有正向锥缩形状。
继续参照图6J，通过剥离处理移除第三掩模图案500。在一个或多个示例性实施方式中，当第三辅助层510包括基于氟的材料时，可使用基于氟的溶剂移除第三辅助层510。当移除第三辅助层510时，第三辅助层510上方的第三光敏图案层520、以及堆叠在第三光敏图案层520上方的第三中间层223、第三相对电极233和第三保护层243也被移除。这样，岛型图案化的第三中间层223、第三相对电极233和第三保护层243保持为第三像素P3的一部分。
在参照图6H至图6J所描述的过程期间，第一保护层241和第二保护层242可保护第一OLED 201和第二OLED 202。例如，第一保护层241和第二保护层242可防止(或减少)材料(例如，第一OLED 201和第二OLED 202上方的第三掩模图案500中所包括的PGMEA或者在显影第三掩模图案500时所使用的TMAH)渗入第一OLED 201和第二OLED 202中。另外，在剥离处理期间，第一保护层241至第三保护层243可保护第一OLED 201至第三OLED 203。例如，第一保护层241至第三保护层243可防止(或减少)包括在移除第三辅助层510的溶剂中的材料渗入第一OLED 201至第三OLED 203中。还应设想到，第一保护层241至第三保护层243可防止(或减少)材料损坏第一OLED 201至第三OLED 203。
参照图6K，在包括第一保护层241至第三保护层243的衬底100上方形成连接层250。连接层250整体地形成于衬底100的整个(或基本上整个)表面上方。这样，连接层250覆盖第一像素P1至第三像素P3中的全部。连接层250包括导电材料。用于连接层250的材料与参照图4所描述的材料相同，并且，如此，为了避免使示例性实施方式不清楚，已经省略了重复的说明。
根据一个或多个示例性实施方式，可在连接层250上方形成封装层260。封装层260可包括至少一个有机层261和至少一个无机层263。有机层261可包括基于聚合物的材料。在一个或多个示例性实施方式中，可通过沉积液体(或蒸气)单体然后利用热或诸如紫外线的光固化包括该单体的沉积材料来形成有机层261。无机层263可包括SiON、SiNx、SiOx等。无机层263可通过等离子增强化学汽相沉积(PECVD)来形成。
虽然示例性实施方式已经描述为有机层261布置在下方并且无机层263布置在上方，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。例如，有机层261和无机层263的位置是可改变的，以及堆叠顺序、层的数量等可不同地改变。另外，虽然已经参照图6A至图6K将示例性实施方式描述为包括分别具有第一辅助层310至第三辅助层510的第一掩模图案300至第三掩模图案500，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。
图7A至图7G是根据一个或多个示例性实施方式的在各制造阶段的有机发光显示装置的剖视图。应注意的是，结合图6A至图6K描述的制造过程与图7A至图7G的制造过程相似，但是与图6A至图6K的、其中第一掩模图案300至第三掩模图案500包括第一光敏图案层320至第三光敏图案层520以及第一辅助层310至第三辅助层510的制造过程不同，图7A至7G的制造过程仅包括第一至第三光敏图案层3201、4201和5201。因此，为了避免使示例性实施方式不清楚，首先省略重复的说明。
参照图7A，如上文参照图6A所描述的，在衬底100上方形成像素电路PC以及电连接至像素电路PC的第一像素电极211至第三像素电极213，以及形成包括分别暴露第一像素电极211至第三像素电极213的开口OP的像素限定层180。之后，在像素限定层180上方形成第一光敏图案层3201。第一光敏图案层3201包括暴露第一像素电极211的第一开口区OR1。第一光敏图案层3201可包括负性光敏材料。第一光敏图案层3201可通过下文更详细描述的过程来形成。
当在包括像素限定层180的衬底100上方形成包括负性光敏材料的光刻胶层(未示出)之后，通过暴露并显影光刻胶层的部分区域来形成具有第一开口区OR1的第一光敏图案层3201。在一个或多个示例性实施方式中，在暴露光刻胶层时，通过调整光的前进方向，可使第一光敏图案层3201具有反向锥缩形状。
参照图7B，在包括作为掩模图案的第一光敏图案层3201的衬底100上方顺序地形成第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241。第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241与参照图4和图6C所描述的那些相同。由于第一光敏图案层3201具有反向锥缩形状，第一像素电极211上方的第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241与第一光敏图案层3201上方的第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241间隔开。
参照图7C，通过剥离处理移除作为掩模图案的第一光敏图案层3201。当移除第一光敏图案层3201时，第一光敏图案层3201上方的第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241被一起移除。另外，岛型图案化的第一中间层221、第一相对电极231和第一保护层241保留在与第一像素P1对应的区域中。在剥离期间，第一保护层241可保护第一OLED201。例如，第一保护层241可防止包括在移除第一光敏图案层3201的溶剂中的材料渗入第一OLED 201中或损坏第一OLED 201。
接着，在第一保护层241和像素限定层180上方形成第二光敏图案层4201。第二光敏图案层4201包括暴露第二像素电极212的第二开口区OR2。第二光敏图案层4201可包括负性光敏材料。第二光敏图案层4201可通过与形成第一光敏图案层3201的方法相同的方法来形成，并且可具有反向锥缩形状。第一保护层241可防止(或至少减少)包括在第二光敏图案层4201中的材料渗入第一OLED 201中或损坏第一OLED 201。
参照图7D，在包括作为掩模图案的第二光敏图案层4201的衬底100上方顺序地形成第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242。第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242的材料，第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242的形成方法，第一保护层241的宽度等与先前参照图4和图6F所描述的那些相同，并且，如此，为了避免使示例性实施方式不清楚，已经省略了重复的说明。由于第二光敏图案层4201具有反向锥缩形状，所以第二像素电极212上方的第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242与第二光敏图案层4201上方的第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242间隔开。
参照图7E，通过剥离处理移除作为掩模图案的第二光敏图案层4201。当移除第二光敏图案层4201时，第二光敏图案层4201上方的第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242被一起移除。另外，岛型图案化的第二中间层222、第二相对电极232和非晶的第二保护层242保留在与第二像素P2对应的区域中。在剥离处理期间，第一保护层241和第二保护层242可保护第一OLED 201和第二OLED 202。例如，第一保护层241和第二保护层242可防止(或至少减少)包括在移除第二光敏图案层4201的溶剂中的材料渗入第一OLED201和第二OLED 202中或者损坏第一OLED 201和第二OLED 202。
接着，在第一保护层241和第二保护层242以及像素限定层180上方形成第三光敏图案层5201。第三光敏图案层5201包括暴露第三像素电极213的第三开口区OR3。第三光敏图案层5201可包括作为掩模图案的负性光敏材料。第三光敏图案层5201可通过与形成第一光敏图案层3201和第二光敏图案层4201的方法相同的方法来形成，并且可具有反向锥缩形状。第一保护层241和第二保护层242可防止(或至少减少)包括在第三光敏图案层5201中的材料渗入第一OLED 201和第二OLED 202中或者损坏第一OLED 201和第二OLED 202。
参照图7F，在包括作为掩模图案的第三光敏图案层5201的衬底100上方顺序地形成第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243。第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243的材料，第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243的形成方法，第一保护层241的宽度等与先前参照图4和图6I所描述的那些相同。由于第三光敏图案层5201具有反向锥缩形状，所以第三像素电极213上方的第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243与第三光敏图案层5201上方的第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243间隔开。
参照图7G，通过剥离处理移除作为掩模图案的第三光敏图案层5201。当移除第三光敏图案层5201时，第三光敏图案层5201上方的第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243被一起移除。另外，岛型图案化的第三中间层223、第三相对电极233和非晶的第三保护层243保留在与第三像素P3对应的区域中。在剥离处理期间，第一保护层241至第三保护层243可保护第一OLED 201至第三OLED 203。例如，第一保护层241至第三保护层243可防止(或至少减少)包括在移除第三光敏图案层5201的溶剂中的材料渗入第一OLED201至第三OLED 203中或损坏第一OLED 201至第三OLED 203。之后，形成连接层250和封装层260。如参照图4所描述的，封装层260可包括至少一个有机层261和至少一个无机层263。
图8是根据一个或多个示例性实施方式的有机发光显示装置的剖视图。就有机发光显示装置的第一像素电极211至第三像素电极213、第一中间层221至第三中间层223、第一相对电极231至第三相对电极233、连接层250和封装层260的结构而言，图8的有机发光显示装置与图4的有机发光显示装置相同(或至少相似)。这样，图8的有机发光显示装置的第一保护层2410至第三保护层2430与参照图4所描述的有机发光显示装置的第一保护层241至第三保护层243不同。因此，为了避免使示例性实施方式不清楚，首先省略重复的说明且主要描述第一保护层2410至第三保护层2430。
参照图8，第一保护层2410至第三保护层2430分别覆盖第一相对电极231至第三相对电极233，并且可具有大于第一相对电极231至第三相对电极233的宽度的宽度。这样，第一保护层2410至第三保护层2430的端部可超过第一相对电极231至第三相对电极233直接接触像素限定层180。
第一保护层2410至第三保护层2430可包括非晶材料。例如，第一保护层2410至第三保护层2430可包括非晶绝缘无机材料。例如，第一保护层2410至第三保护层2430可包括诸如SiOx、AlOx、HfO2、ZnO2、Ta2O5、TiO2的氧化物、诸如SiON的氮氧化物和诸如SiNx的氮化物中的至少一种。还应注意，第一保护层2410至第三保护层2430可包括包含上述非晶材料的单层或多层结构。在一个或多个示例性实施方式中，第一保护层2410至第三保护层2430可具有约的最小厚度。例如，通过考虑诸如上述PGMEA和TMAH的材料以及诸如H2O和O2的材料，第一保护层2410至第三保护层2430中的每个可具有约至约的厚度。如果第一保护层2410至第三保护层2430可具有小于约的最小厚度的厚度，则在剥离处理(多个剥离处理)期间第一OLED 201至第三OLED 203可能被损坏。
在一个或多个示例性实施方式中，第一保护层2410至第三保护层2430可包括用于连接层250与第一相对电极231至第三相对电极233之间电连接的第一至第三接触孔2410H、2420H和2430H。
图9A至图9C是根据一个或多个示例性实施方式的在各制造阶段的有机发光显示装置的剖视图。
参照图9A，在衬底100的第一像素P1至第三像素P3中分别形成第一OLED 201至第三OLED 203以及覆盖第一OLED 201至第三OLED 203的第一保护层2410至第三保护层2430。形成第一OLED 201至第三OLED 203以及覆盖第一OLED 201至第三OLED 203的第一保护层2410至第三保护层2430的过程与参照图6A至图6J所描述的方法或者参照图7A至图7F所描述的方法基本上相同，其差别仅在于，通过诸如PECVD的过程来形成第一保护层2410至第三保护层2430。
参照图9B，通过刻蚀第一保护层2410至第三保护层2430的部分区域来形成暴露第一相对电极231至第三相对电极233的一部分的第一至第三接触孔2410H、2420H和2430H。参照图9C，连接层250形成为覆盖第一像素P1至第三像素P3中的全部，并且在连接层250上方形成包括至少一个有机层261和至少一个无机层263的封装层260。根据一个或多个示例性实施方式，在通过剥离处理制造的有机发光显示装置的制造过程期间，第一保护层2410至第三保护层2430可防止(或至少减少)包括掩模图案中的材料或者用于移除掩模图案的材料等渗入第一OLED 201至第三OLED 203中或损坏第一OLED 201至第三OLED 203。
参照图8至图9C，虽然已经描述了在第一保护层2410至第三保护层2430具有绝缘性的情况下第一相对电极231至第三相对电极233经由第一保护层2410至第三保护层2430中限定的接触孔连接至连接层250，但是示例性实施方式不限于此或受此限制。例如，如上文参照图4所描述的，即使当第一保护层241至第三保护层243具有导电性时，也可在第一保护层241至第三保护层243中形成用于第一相对电极231至第三相对电极233与连接层250之间的直接接触的接触孔。
根据一个或多个示例性实施方式，通过调节第一至第三保护层241、242、243、2410、2420和2430的厚度，上述第一至第三保护层241、242、243、2410、2420和2430可与封装层260一起用作保护第一OLED 201至第三OLED 203免受湿气、氧气等影响(或至少降低与湿气、氧气等相关的不利效应)的封装层，从而使其湿气传输率WVTR为约10-1g/cm2/日。
在一个或多个示例性实施方式中，由于没有利用紧密附接至衬底的包括诸如INVAR的材料的沉积掩模来形成具有上述结构的有机发光显示装置，所以可避免因沉积掩模而导致的断续现象或印痕现象。另外，无需在像素限定层的上方形成用于支撑沉积掩模的单独的分隔件，并且像素限定层的高度无需形成为高为约2.5μm至3.5μm。即，由于像素限定层可形成为约100nm或更少，所以具有上述结构的有机发光显示装置在处理和制造成本上得到改善。
根据一个或多个示例性实施方式，由于通过剥离处理逐像素执行图案化，所以中间层的距离可形成为逐像素不同。这样，可通过考虑光学行进距离来设计中间层的距离。
虽然本文中已经描述了某些示例性实施方式和实施例，但是通过该说明书，其它实施方式和修改将显而易见。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是限于所附权利要求以及各种明显修改和等同布置的更宽泛的范围。

Claims (30)

1.一种有机发光显示装置，包括：
第一像素电极和第二像素电极；
像素限定层，设置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上，所述像素限定层包括分别暴露所述第一像素电极和所述第二像素电极的第一开口和第二开口；
第一中间层和第二中间层，分别设置在经由所述第一开口和所述第二开口暴露的所述第一像素电极和所述第二像素电极上，所述第一中间层和所述第二中间层中的每个包括发射层；
第一相对电极和第二相对电极，分别设置在所述第一中间层和所述第二中间层上，所述第一相对电极和所述第二相对电极具有岛型式样；
第一保护层和第二保护层，分别设置在所述第一相对电极和所述第二相对电极上，所述第一保护层和所述第二保护层具有岛型式样；以及
连接层，设置在所述第一保护层和所述第二保护层上，所述连接层将所述第一相对电极和所述第二相对电极彼此电连接。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中：
所述第一保护层比所述第一相对电极宽；以及
所述第二保护层比所述第二相对电极宽。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述第一保护层的端部和所述第二保护层的端部与所述像素限定层接触。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层包括非晶材料。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述第一保护层和所述第二保护层包括非晶导电氧化物。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层包括非晶透明导电氧化物和透明非晶氧化物半导体中的至少一种。
7.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层包括非晶绝缘无机材料。
8.如权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述第一保护层和所述第二保护层包括氧化物、氮氧化物和氮化物中的至少一种。
9.如权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述连接层经由所述第一保护层和所述第二保护层中的接触孔电连接至所述第一相对电极和所述第二相对电极。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一相对电极和所述第二相对电极包括金属层。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一相对电极和所述第二相对电极包括Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li、Au和LiF中的至少一种。
12.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
封装层，设置在所述连接层上，所述封装层包括至少一个有机层和至少一个无机层，
其中，所述连接层设置在所述封装层与所述像素限定层之间。
13.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的至少一个还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述连接层整体地形成并且覆盖所述第一保护层和所述第二保护层。
15.制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第一像素电极和第二像素电极；
在所述第一像素电极和所述第二像素电极上形成像素限定层，所述像素限定层包括分别暴露所述第一像素电极和所述第二像素电极的第一开口和第二开口；
在所述像素限定层上形成第一光敏图案层，所述第一光敏图案层包括暴露所述第一像素电极的第一开口区；
在所述第一像素电极和所述第一光敏图案层上依次形成第一中间层、第一相对电极和第一保护层，其中，所述第一中间层包括发射层；以及
移除所述第一光敏图案层，
其中，在移除所述第一光敏图案层之后，将所述第一中间层、所述第一相对电极和所述第一保护层保留在所述第一像素电极上。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一中间层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
17.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一保护层比所述第一相对电极宽。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述第一保护层的端部接触所述像素限定层。
19.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一相对电极包括金属层。
20.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一相对电极包括Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li、Au和LiF中的至少一种。
21.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一保护层包括非晶材料。
22.如权利要求21所述的方法，其中，所述第一保护层包括非晶导电氧化物。
23.如权利要求22所述的方法，其中，所述第一保护层包括非晶透明导电氧化物和透明非晶氧化物半导体中的至少一种。
24.如权利要求23所述的方法，其中，所述第一保护层包括非晶绝缘无机材料。
25.如权利要求24所述的方法，其中，所述第一保护层包括氧化物、氮氧化物和氮化物中的至少一种。
26.如权利要求15所述的方法，其中：
形成所述第一光敏图案层包括形成第一辅助层；
所述第一辅助层设置在所述第一光敏图案层和所述像素限定层之间；以及
所述第一辅助层包括与所述第一开口区对应的开口区。
27.如权利要求26所述的方法，其中，所述第一辅助层中的所述开口区大于所述第一光敏图案层中的所述第一开口区。
28.如权利要求15所述的方法，还包括：
在所述第一保护层和所述像素限定层上形成第二光敏图案层，所述第二光敏图案层包括暴露所述第二像素电极的第二开口区；
在所述第二像素电极和所述第二光敏图案层上依次形成第二中间层、第二相对电极和第二保护层，其中，所述第二中间层包括发射层；以及
移除所述第二光敏图案层，
其中，在移除所述第二光敏图案层之后，将所述第二中间层、所述第二相对电极和所述第二保护层保留在所述第二像素电极上。
29.如权利要求28所述的方法，还包括：
形成穿过所述第一保护层和所述第二保护层的通孔；以及
在所述第一保护层和所述第二保护层上形成连接层。
30.如权利要求29所述的方法，其中，所述连接层整体地形成并且覆盖所述第一保护层和所述第二保护层。
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