TWI680574B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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權寧吉
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李德重
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Abstract

提供一種有機發光顯示裝置，其包含：第一像素電極及第二像素電極(PEs)；設置在第一像素電極及第二像素電極上的像素定義層(PDL)，像素定義層包含各別外露第一像素電極及第二像素電極的第一開口及第二開口；各別設置在經由第一開口及第二開口外露的第一像素電極及第二像素電極上之第一中間層及第二中間層(ILs)，各個第一中間層及第二中間層包含發光層；各別設置在第一中間層及第二中間層上的第一對向電極及第二對向電極(OEs)，第一對向電極及第二對向電極具有島狀圖案；各別設置在第一對向電極及第二對向電極上的第一保護層及第二保護層(PLs)，第一保護層及第二保護層具有島狀圖案；以及設置在第一保護層及第二保護層上的連結層，連結層將第一對向電極及第二對向電極彼此電性連接。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2016 年 6 月 16日向韓國智慧財產局提交之韓國專利申請號No.10-2016-0075090之優先權及效益.，其全部內容併入作為參考。
一或多個的示範性實施例關於顯示技術，更具體而言是關於有機發光顯示裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置的訴求為明確的。有機發光顯示裝置不僅具有輕量、外型薄，其也展現如寬視角、快反應速度以及低功耗的優點。在以可接受產量的大量下製造有機發光顯示裝置之成本效益具有挑戰。
傳統上，可經由以各個像素區發出不同顏色光而產生全範圍顏色的有機發光顯示裝置的形成是使用沉積遮罩，以形成用於各像素的有機發光層。隨著解析度增加，使用於形成有機發光層的沉積遮罩的狹縫開口之寬度降低。爾後，減少色散也變成關注。此外，相對高解析度的有機發光顯示裝置的製造包含減少或移除沉積遮罩之陰影效應。為了解決至少部分上面指出的問題，沉積步驟可藉由將基板附加於沉積遮罩來執行。然而，將注意的是，此步驟可能造成至少部分的缺陷(例如，遮罩壓印缺陷或現象)發生。排列分隔物在像素定義層上方可使用以減少或避免此缺陷，但其包含額外製程以及因分隔物的存在而增加有機發光顯示裝置之厚度。
在本背景部分中揭露的上述資訊僅用於增加對發明概念之技術背景的理解，且因此其可包含不構成對於本國所屬技術領域中具有通常知識者而言為習知的先前技術的資訊。
一或多個例示性實施例係針對有機發光顯示裝置以及其製造方法，其可更容易形成發光層以及有機發光二極體之電極，同時保護(或至少降低損壞)有機發光二極體。
其他態樣將在下列詳細說明中闡述，以及部分將從本揭露顯而易見或可藉由發明概念之實施理解。
根據一或多個例示性實施例，有機發光顯示裝置包含：第一像素電極及第二像素電極；像素定義層；第一中間層及第二中間層；第一對向電極及第二對向電極；第一保護層及第二保護層，以及連結層。像素定義層設置在第一像素電極及第二像素電極上方。像素定義層包含各別外露第一像素電極及第二像素電極之第一開口及第二開口。第一中間層及第二中間層分別經由第一開口及第二開口設置在外露的第一像素電極及第二像素電極上。各個第一中間層及第二中間層包含發光層。第一對向電極及第二對向電極各別設置在第一中間層及第二中間層上。第一對向電極及第二對向電極具有島狀圖案。第一保護層及第二保護層各別設置在第一對向電極及第二對向電極上。第一保護層及第二保護層具有島狀圖案。連結層設置在第一保護層及第二保護層上。連結層將第一對向電極及第二對向電極彼此電性連接。
根據一或多個例示性實施例，有機發光顯示裝置的製造方法包含：形成第一像素電極及第二像素電極在基板上；形成像素定義層在第一像素電極及第二像素電極上，像素定義層包含各別外露第一像素電極及第二像素電極之第一開口及第二開口；形成第一感光圖案層在像素定義層上，第一感光圖案層包含外露第一像素電極之第一開口區域；依序形成第一中間層、第一對向電極以及第一保護層在第一像素電極以及第一感光圖案層上，第一中間層包含發光層；以及移除第一感光圖案層。移除第一感光圖案層後，第一中間層、第一對向層以及第一保護層保持在第一像素電極上。
根據一或多個例示性實施例，有機發光二極體(OLED)可經由可透過非晶體保護層避免(或至少減少)損壞OLED之剝離 (lift-off )製程而更容易地形成。然而，例示性實施例不限於其或不限於此。
以上所述之一般描述以及下列詳細描述為例示性與說明性且旨在提供申請專利範圍申請標的之進一步說明。
在接下來的敘述，為了解釋上之目的，描述許多具體細節以提供對各種例示性實施例的完整了解。然而，顯而易見的是，各種例示性實施例可在沒有這些具體細節或以一或多個等效配置的情況下實施。在其他例子，已知的結構和裝置以方塊圖呈現，以避免不必要地模糊各種例示性實施例。
除特別敘明，說明的例示性實施例將理解成提供各種例示性實施例的變化細節之例是性特徵。因此，除特別敘明，各種說明性的特徵、組成、模組、層、薄膜、面板、區域及/或態樣可與其他結合、分離、互換及/或重排列而不背離揭露之例示性實施例。更進一步，在此附圖中，層、薄膜、面板、區域等的尺寸以及相對尺寸可為了清楚以及說明之目的而誇大。當例示性實施例可以不同方式實施時，特定製程順序可以不同於所述順序的方式實施。舉例來說，兩個連續描述的製程可實質上同時執行或以與所述順序相反的順序執行。此外，相同元件符號代表相同元件。
應理解的是當構件或層被指為於另一元件或另一層「上(on)」、「連接(connected to)」或「耦接(coupled to)」另一元件或另一層時，其可直接於另一元件或另一層上或直接連接或耦接至另一元件或另一層，或者可存在中介元件或中介層。然而，當一元件被指為「直接」於另一元件或另一層「上(directly on)」或「直接連接(directly connected to)」或「直接耦接(directly coupled to)」另一元件或另一層時，則無中介元件或層存在。進一步地，X軸、Y軸及Z軸不限於直角坐標系統的三軸，而可以較廣意義解釋。例如，X軸、Y軸及Z軸可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。用於此揭露的目的，「至少一個X、Y、以及Z(at least one of X, Y, and Z)」以及「選自由X、Y及Z所組成的群組之至少其一(at least one selected from the group consisting of X, Y, and Z)」可以解釋為只有X、只有Y、只有Z、或兩個或多個X、Y及Z的任意組合(例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。如本文所使用，「及/或(and/or)」包含一個或多個相關所列舉之項目的任何與所有組合。
雖然用語「第一(first)」、 「第二(second) 」等可為本文使用以描述各種元件、構件、區域、層及/或部分，但這些元件、構件、區域、層、及/或部份不應該被這些用語所限制。這些用語用於分辨一元件、一構件、一區域、一層及/或一部份與另一元件、另一構件、另一區域、另一層及/或另一部份。因此，以下討論的第一元件、第一構件、第一區域、第一層及/或第一部份可稱為第二元件、第二構件、第二區域、第二層及/或第二部份而未脫離本揭露之教示。
空間相關的用語，例如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」以及其他相似用語，可用於本文中以用於說明目的，且因而描述圖式中所繪示之元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了圖式中描繪的方位之外，空間相關的用語旨在包含使用、操作及/或製造設備之不同方位。例如，如將圖式中的設備翻轉，描述在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件將被定向為在其他元件或特徵的「上方(above)」。因此，例示性用語「下方(below)」可同時包含上方與下方的方向。此外，設備可轉向其他方位(例如，旋轉90度或其他方位)，而在此使用的空間相關描述用語應據此作相應的解釋。
本文使用用語之目的為描述具體實施例以及非意指限制其具體實施例。如本文所用，「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」的單數型式亦旨在包含複數型式，除非上下文表示。再者，用語「包括(comprise)」、「包括(comprising)」、「包含(includes)」及/或「包含(including)」使用此說明書，具體指定狀態特徵、整數、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在，但無法排除一或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在或增加。
本文參照圖式描述的各種例示性實施例為示意理想化例示性實施例及/或中間結構之圖式。因此，例如製造技術及/或容許度可預期導致其圖式之形狀的誤差。因此，本文揭露的例示性實施例不應理解限制此具體說明形狀之區域，而是包含，例如製造所導致形狀的誤差。舉例來說，繪示成矩形的佈植區域將通常具有圓弧或彎曲特徵及/或在其邊緣的佈植濃度的梯度而非自佈植區域至非佈植區域的二元變化。同樣地，由佈植所形成的掩埋區域可在掩埋區域與通過其進行佈植的表面之間的區域造成部分佈植。因此，圖式中的區域本質上為示意性且其形狀不旨在描繪裝置的區域的實際形狀且非旨在限制。
除非另外界定，本文使用所有用語(包含技術以及科學用語)意指本領域具有通常知識者瞭解此發明之一部分。用語，如常用的辭典定義，應解釋成具有與相關技術領域之上下文中一致性的意義，且除非在此有明白地定義，否則不應做理想化或過度正式的解釋。
第1圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面視圖。
參照第1圖，有機發光顯示裝置1包含基板100。基板100包含顯示區域DA以及在顯示區域DA外的外圍區PA。包含有機發光二極體(OLED)的像素(例如，像素P)可在基板100之顯示區域DA。 基板100之外圍區PA為不顯示(或產生)影像的區域。傳輸電訊號以施加至顯示區域DA的各種驅動器以及配線可位在外圍區PA。
第2A圖以及第2B圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置之像素之等效電路圖。將注意的是，第2A圖以及第2B圖之像素P以及P’為代表對應有機發光顯示裝置之像素。
參照第2A圖，各個像素P包含連接至掃描線SL以及數據線DL的像素電路PC、以及連接至像素電路PC的OLED。像素電路PC包含驅動薄膜電晶體(TFT)T1、開關TFT T2以及儲存電容器Cst。 開關TFT T2連接至掃描線SL以及數據線DL，以及對應於經由掃描線SL輸入的掃描訊號將數據訊號經由數據線DL傳輸至驅動TFT T1。儲存電容器Cst連接至開關TFT T2以及驅動電壓線PL，以及儲存對應從開關TFT T2傳輸的電壓與供應至驅動電壓線PL的驅動電壓ELVDD之間的差之電壓。 驅動TFT T1連接至驅動電壓線PL以及儲存電容器Cst，以及可控制驅動電流流程從驅動電壓線PL通過OLED回應儲存在儲存電容器Cst之電壓值。OLED可使用驅動電流決定發光亮度。
雖然參照第2A圖描述的例示性實施例中的像素P包含兩個TFTs以及儲存電容器Cst，但例示性實施例不以此為限。舉例來說，任何適當數量之TFTs以及儲存電容器可利用與示例性實施例結合。
舉例來說，參照第2B圖，像素P’可包含像素電路PC’，其可包含驅動TFT T1以及開關TFT T2、補償TFT T3、第一初始化TFT T4、第一發射控制TFT T5、第二發射控制TFT T6以及第二初始化TFT T7。 驅動TFT T1之汲極電極可經由第二發射控制TFT T6電性連接至OLED。驅動TFT T1根據開關TFT T2之開關操作接收數據訊號Dm以及供應驅動電流至OLED。
開關TFT T2之閘極電極連接至第一掃描線SLn(「n」為自然數)，其可為「電流」掃描線。開關TFT T2之源極電極連接至數據線DL。開關TFT T2之汲極電極可連接至驅動TFT T1之源極電極以及藉由第一發射控制TFT T5連接至驅動電壓線PL。 開啟開關TFT T2回應經由第一掃描線SLn傳輸的第一掃描訊號Sn導通，以及執行將經由數據線DL傳輸的數據訊號Dm傳輸至驅動TFT T1之源極電極之開關操作。
補償TFT T3之閘極電極可連接至第一掃描線SLn。補償TFT T3之源極電極可連接至驅動TFT T1之汲極電極以及經由第二發射控制TFT T6連接至OLED之像素電極(圖中未顯示)，例如陽極電極。 補償TFT T3之汲極電極可連接(例如，同時連接)至儲存電容器Cst的電極、第一初始化TFT T4之源極電極以及驅動TFT T1之閘極電極中的一電極。在此方式，補償TFT T3回應經由第一掃描線SLn傳輸的第一掃描訊號Sn導通以及藉由將驅動TFT T1之閘極電極連接至驅動TFT T1之汲極電極來二極體連接(diode-connects)驅動TFT T1。
第一初始化TFT T4之閘極電極可連接至第二掃描線SLn-1，其可為「先前(previous)」掃描線。第一初始化TFT T4之汲極電極可連接至初始化電壓線VL。第一初始化TFT T4之源極電極可連接(例如，同時連接)至儲存電容器Cst的電極、補償TFT T3之汲極電極以及驅動TFT T1之閘極電極中的一電極。第一初始化TFT T4回應經由第二掃描線SLn-1傳輸的第二掃描訊號Sn-1導通，以及可藉由將初始化電壓VINT傳輸至驅動TFT T1之閘極電極來初始化驅動TFT T1之閘極電極之電壓之初始化操作。
第一發射控制TFT T5之閘極電極可連接至發射控制線EL，以及藉此配置成接收發射控制訊號En。第一發射控制TFT T5之源極電極可連接至驅動電壓線PL。第一發射控制TFT T5之汲極電極可連接至驅動TFT T1之源極電極以及開關TFT T2之汲極電極。
第二發射控制TFT T6之閘極電極可連接至發射控制線EL。第二發射控制TFT T6之源極電極可連接至驅動TFT T1之汲極電極以及補償TFT T3之源極電極。第二發射控制TFT T6之汲極電極可電性連接至OLED之像素電極。第一發射控制TFT T5以及第二發射控制TFT T6回應經由發射控制線EL傳輸的發射控制訊號En導通(例如，同時導通)。在此方式，驅動電壓ELVDD傳輸至OLED以及驅動電流流經OLED。
第二初始化TFT T7之閘極電極可連接至第三掃描線SLn+1，例如，「下一個(next)」掃描線。第二初始化TFT T7之源極電極可連接至OLED之像素電極。第二初始化TFT T7之汲極電極可連接至初始化電壓線VL以及第一初始化TFT T4之汲極電極。第二初始化TFT T7回應經由第三掃描線SLn+1傳輸的第三掃描訊號Sn+1導通，以及可初始化OLED之像素電極。
儲存電容器Cst之另一電極可連接至驅動電壓線PL。儲存電容器Cst之電極中的其一可連接(例如，同時連接)至驅動TFT T1的閘極電極、補償TFT T3之汲極電極以及第一初始化TFT T4之源極電極。
OLED之對向電極，如共同電極，連接至傳送共用電源電壓ELVSS的線。OLED從驅動TFT T1接收驅動電流並發光。
然而，將注意的是，第2A圖以及第2B圖之像素電路PC以及PC’不限於所示TFT以及儲存電容器之數量。在此方式，有機發光顯示裝置之像素電路設計可進行各種改變，藉此可包含任何適當數量之TFT及/或儲存電容器。
第3圖為根據一或多個例示性實施例之第1圖之顯示區域之部分平面視圖。第4圖為根據一或多個例示性實施例之沿著第3圖之截面線IV-IV所截取之有機發光顯示裝置之剖面側視圖。第5A圖以及第5B圖為根據一或多個例示性實施例之第4圖之IV部分之更詳細視圖。
參照第3圖及第4圖，顯示區域DA包含配置成發出不同顏色之光的像素。在下文中，為了便於說明，不同顏色之像素稱為第一像素P1、第二像素P2以及第三像素P3。在一或多個例示性實施例，第一像素P1可發射紅光，第二像素P2可發射綠光以及第三像素P3可發射藍光。 雖然三個像素顯示在顯示區域DA，但例示性實施例不以此為限。舉例來說，除了上述第一像素P1至第三像素P3之外，可進一步包含發射白光的第四像素(圖中未顯示)。第一像素P1至第三像素P3各別包含像素電路PC以及電性連接至像素電路PC的第一OLED 201至第三OLED 203。
第5A圖所示，像素電路PC可包含驅動TFT T1、開關TFT T2以及儲存電容器Cst。驅動TFT T1包含驅動半導體層A1，其包含驅動源極區S1、驅動汲極區D1以及驅動閘極電極G1。開關TFT T2包含開關半導體層A2，其包含開關源極區S2以及開關汲極區D2以及開關閘極電極G2。儲存電容器Cst包含第一儲存板CE1及第二儲存板CE2。緩衝層101在基板100與驅動半導體層A1以及開關半導體層A2之間。 閘極絕緣層103在驅動半導體層A1及開關半導體層A2與驅動閘極電極G1以及開關閘極電極G2之間。介電層105在第一儲存板CE1與第二儲存板CE2之間。層間絕緣層107在介電層105與絕緣層109之間。絕緣層109位在第一像素電極211下，例如在層間絕緣層107與第一像素電極211之間。緩衝層101與閘極絕緣層103可各為單層或多層，其包含無機材料，如SiNx 及/或SiOx ，介電層105與層間絕緣層107可為單層或多層，其包含無機材料，如SiOx 、SiNx 及/或Al2 O3 ，且絕緣層109可包含有機材料，如通用聚合物，例如 ，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate(PMMA))或聚苯乙烯(polystyrene(PS))，具有酚系基團(phenol-based group) 之聚合物衍生物、丙烯醯系(acryl-based)聚合物、亞醯胺系(imide-based)聚合物、芳基醚系(aryl ether-based)聚合物、醯胺系(amide-based)聚合物、氟系(fluorine-based)聚合物、對二甲苯系(p-xylene-based)聚合物、乙烯醇系(vinyl alcohol-based)聚合物及/或其混合， 但例示性實施例不以此為限。
第5A圖所示，第一儲存板CE1與驅動閘極電極G1在相同層且儲存電容器Cst可重疊驅動TFT T1。也就是說，驅動閘極電極G1也可作為第一儲存板CE1。 參照第5B圖，儲存電容器Cst可不重疊驅動TFT T1。雖然第5A圖與第5B圖說明第一像素P1之像素電路PC，但其他像素之像素電路PC可具有相同(或相似)結構，因此將省略重複說明以避免模糊本文描述之例示性實施例。
返回第4圖，像素電路PC各別經由定義在絕緣層109中的接觸孔連接至第一OLED 201至第三OLED 203之第一像素電極211至第三像素電極213。
第一OLED 201包含第一像素電極211、第一中間層221與第一對向電極231。各個第一像素電極211、第一中間層221與第一對向電極231具有島狀圖案。第一中間層221可包含紅色發光層221b，與可進一步包含在紅色發光層221b上或下的在第一功能層221a及第二功能層221c。第一功能層221a可包含電洞注入層(HIL)及/或電洞傳輸層(HTL)，且第二功能層221c可包含電子傳輸層(ETL)及/或電子注入層(EIL)。第一中間層221可選擇性包含第一功能層221a及/或第二功能層221c。
第二OLED 202包含第二像素電極212、第二中間層222與第二對向電極232。各個第二像素電極212、第二中間層222與第二對向電極232具有島狀圖案。第二中間層222可包含綠色發光層222b，且可進一步包含在綠色發光層222b上或下的第一功能層222a及第二功能層222c。第一功能層222a可包含HIL及/或HTL，且第二功能層222c可包含ETL及/或EIL。第二中間層222可選擇性包含第一功能層222a及/或第二功能層222c。
第三OLED 203包含第三像素電極213、第三中間層223與第三對向電極233。各個第三像素電極213、第三中間層223與第三對向電極233具有島狀圖案。第三中間層223可包含藍色發光層223b，且可進一步包含在藍色發光層223b上或下的第一功能層223a及第二功能層223c。第一功能層223a可包含HIL及/或HTL，且第二功能層223c可包含ETL及/或EIL。第三中間層223可選擇性包含第一功能層223a及/或第二功能層223c。
第一像素電極211至第三像素電極213可為反射電極或光學透明電極(optically clear electrodes)。當第一像素電極211至第三像素電極213為反射電極，其可包含含有銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物的反射層。其亦考慮，第一像素電極211至第三像素電極213可包含反射層以及在反射層上及/或下的透明導電氧化物(TCO)層。當第一像素電極211至第三像素電極213為光學透明電極時，其可包含一或多個TCO層。其亦考慮，第一像素電極211至第三像素電極213可為包含銀或銀合金的金屬薄膜，或可為包含位在金屬薄膜上的TCO層的層。舉例來說，第一像素電極211至第三像素電極213可包含依序具有約70Å/850Å/50Å的厚度的ITO/Ag/ITO之三層，例示性實施例不以此為限。
第一對向電極231至第三對向電極233可反射電極或光學透明電極。第一對向電極231至第三對向電極233可為金屬薄膜或金屬厚膜，其包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鐿(Yb)、鈣(Ca)、鋰(Li)與金(Au)的至少其一。舉例來說，第一對向電極231至第三對向電極233可為單層或多層，其包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鐿(Yb)、鈣(Ca)、鋰氟化物(LiF)/Ca、LiF/Al、鋁(Al)與金(Au)的至少其一。在一或多個例示性實施例，第一對向電極231至第三對向電極233可包含金屬薄膜包含銀(Ag)與鎂(Mg)，且銀(Ag)含量可大於鎂(Mg)含量。
包含以上材料的第一對向電極231至第三對向電極233可形成為藉由製造相對薄的材料厚度之光學透明電極、或形成為藉由製造相對厚的材料厚度之反射電極。舉例來說，第一對向電極231至第三對向電極233可藉由將包含Ag與Mg的金屬形成為約10至15Å之厚度而使用作為光學透明電極，或藉由將包含Ag與Mg的金屬形成為約50nm或以上之厚度而使用作為反射電極，例示性實施例不以此為限。
第一中間層221至第三中間層223與第一對向電極231至第三對向電極233可經由剝離製程製造。舉例來說，剝離製程可對於各第一像素P1至第三像素P3各自執行，且光阻劑可用於一或多個剝離製程。 當材料包含於光阻劑，舉例來說，丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate(PGMEA))或四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide(TMAH))包含於用於滲透至OLED的光阻劑之顯影劑，該材料可損壞或退化OLED。為了預防或至少減少材料之滲透，第一保護層241至第三保護層243提供於第一OLED 201至第三OLED 203上，且各別覆蓋第一OLED 201至第三OLED 203。
根據一或多個例示性實施例，第一保護層241至第三保護層243可包含非晶體導電材料。非晶體導電材料可包含非晶體氧化物。非晶體氧化物可包含非晶體導電氧化物，如非晶體透明導電氧化物(非晶體TCO)與透明非晶體氧化半導體(TAOS)。
舉例來說，非晶體TCO可包含非晶體銦錫氧化物(ITO)、非晶體銦錫氧氮化物(ITON)、非晶體銦鋅氧化物(IZO)、非晶體銦鋅氧氮化物(IZON)、非晶體銦鋅錫氧化物(IZTO)、非晶體鋁鋅氧化物(AZO)等。TAOS可包含含有In、鎵(Ga)、錫(Sn)、鋯(Zr)、釩(V)、鉿(Hf)、鎘(Cd)鍺(Ge)與鋅(Zn)的至少其一的氧化物。 舉例來說，TAOS可包含銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)等。
第一保護層241至第三保護層243可為包含上述非晶體材料的單層或多層。舉例來說，第一保護層241至第三保護層243可具有約10Å的最小厚度。舉例來說，第一保護層241至第三保護層243藉由考慮上述保護性與導電性而可具有約100至300Å的厚度。若第一保護層241至第三保護層243的厚度可能具有小約10Å之最小厚度時，在一或多個剝離製程期間可能損壞第一OLED 201至第三OLED 203可損壞。
根據一或多個例示性實施例，第一保護層241至第三保護層243各別對應於第一像素P1至第三像素P3，其具有島狀圖案，並彼此分隔。各個第一保護層241至第三保護層243延伸在水平方向(例如 ，Ｘ軸方向)且具有大於設置在其下方的第一對向電極231至第三對向電極233之寬度。各個第一保護層241至第三保護層243之末端可超出第一對向電極231至第三對向電極233之末端而直接接觸像素定義層180。
連結層250為一體成形且覆蓋第一保護層241至第三保護層243。連結層250電性連接第一對向電極231至第三對向電極233，其各個具有島狀圖案。如前所述，當第一保護層241至第三保護層243包含導電材料，連結層250可藉由接觸第一保護層241至第三保護層243而電性連接第一對向電極231至第三對向電極233。
在一或多個例示性實施例，連結層250包含導電材料。舉例來說，當第一像素電極211至第三像素電極213為反射電極且第一對向電極231至第三對向電極233為光學透明電極(例如，頂部發射型OLED)，連結層250可包含TCO。 作為另一範例，當第一像素電極211至第三像素電極213為光學透明電極且第一對向電極231至第三對向電極233為反射電極(例如，底部發光型態OLED)，可利用用於連結層250的任何適當材料，如TCO及/或金屬。
包覆層260可在連結層250上方(例如，之上)。包覆層260可包含至少一個有機層261與至少一個無機層263。有機層261可包含聚合物系材料，如PMMA、聚碳酸酯(PC)、PS、丙烯醯系樹酯、環氧系樹酯、聚醯亞胺與聚乙烯。 無機層263可包含AlN、Al2 O3 、TiN、TiO2 、SiON、SiNx 與SiOx 。雖然第4圖繪示有機層261排列於下方且無機層263排列於上方，例示性實施例不以此為限。舉例來說，有機層261與無機層263之位置為可改變的，且堆疊順序、層之數量等可進行各種改變。包含第一保護層241至第三保護層243的有機發光顯示裝置之製造製程將參照第6A圖至第6K圖而更詳細地描述。
第6A圖至第6K圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置在製造的各種階段之之剖面側視圖。
參照第6A圖，像素電路PC與電性連接至像素電路PC的第一像素電極211至第三像素電極213各別形成於基板100上。包含各別外露第一像素電極211至第三像素電極213的開口OP的像素定義層180形成。
基板100可包含各種材料，如玻璃材料或塑膠材料，其包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)等。當基板100包含塑膠材料，與包含玻璃材料的基板100相比，可改善基板100之可撓性。 為了預防(或減少)雜質之滲透，緩衝層(圖中未顯示)可提供在基板100上方。緩衝層可包含SiOx 及/或SiNx 。
在像素電路PC形成在基板100上方後，接觸孔藉由圖案化覆蓋像素電路PC的絕緣層109所形成。第一像素電極211至第三像素電極213藉由形成導電材料層(圖中未顯示)以及接著圖案化導電材料層所形成。 導電材料層可包含含有鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物的反射層，或在反射層上方或下方的TCO層。其亦考慮，導電材料層可包含含有銀(Ag)、銀(Ag)合金的薄膜，或包含在薄膜上方的TCO層。依據導電材料層，第一像素電極211至第三像素電極213可為反射電極或光學透明電極，以及先前已參照第4圖描述其具體配置。
在形成第一像素電極211至第三像素電極213後，像素定義層180藉由形成有機絕緣層(圖中未顯示)以及接著圖案化有機絕緣層所形成。像素定義層180包含各別外露第一像素電極211至第三像素電極213的開口OP。雖然例示性實施例已描述定義有機絕緣層的像素定義層180，但例示性實施例不以此為限。舉例來說，像素定義層180可包含有機絕緣材料以及無機物絕緣材料，或無機物絕緣材質。 因此，像素定義層180可具有一或多個上述材料的單一層或多層結構。
參照第6B圖，第一遮罩圖案300形成於像素定義層180上方。第一遮罩圖案300包含第一感光圖案層320。第一遮罩圖案300可進一步包含在第一感光圖案層320與像素定義層180之間之第一輔助層310。 根據一或多個例示性實施例，第一遮罩圖案300可如下方所描述地形成。
非感光有機層(圖中未顯示)形成在包含像素定義層180的基板100上方，且光阻層(圖中未顯示)形成於其上。非感光有機層可包含例如氟系材料，但例示性實施例不以此為限。光阻層可包含正型感光材料。
在形成光阻層後，具有第一開口區域OR1的第一感光圖案層320是藉由外露及擴展(developing)對應於第一像素P1之光阻層之部分區域形成。接著，第一輔助開口區域AOR1是藉由蝕刻經由第一開口區域OR1外露的非感光有機層形成。第一輔助層310之第一輔助開口區域AOR1經由蝕刻而大於第一開口區域OR1。
參照第6C圖，第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241為依序形成在包含第一遮罩圖案300的基板100上方。第一中間層221可包含，舉例來說，紅色發光層221b以及包含在發光層221b上方及/或下方的第一功能層221a及第二功能層221c。
第一中間層221以及第一對向電極231可藉由熱汽化方法(thermal evaporation method)形成。用於形成第一中間層221以及第一對向電極231的沉積材料可以垂直於基板100的方向及相對於基板100的斜向朝向基板100移動。 在此方式，第一中間層221之末端以及第一對向電極231之末端可延伸至第一感光圖案層320下方的空間而不接觸第一輔助層310。因為沉積材料為在斜向上沉積，第一中間層221以及第一對向電極231之末端可具有正錐形(forward tapered shape)。第一中間層221以及第一對向電極231之材料先前已參照第4圖描述，以及因此重複的描述已省略以避免模糊例示性實施例。
第一保護層241包含非晶體材料。舉例來說，第一保護層241至第三保護層243可包含非晶體氧化物，如非晶體導電氧化物。非晶體導電氧化物可包含TCO、TAOS等。已參照第4圖對於第一保護層241提供各種例示性實施例且因此重複的描述已省略以避免模糊例示性實施例。
第一保護層241可藉由例如濺鍍方法形成。用於形成第一保護層241的材料可以垂直於基板100的方向及相對於基板100的斜向朝向基板100移動。在此方式，第一保護層241之末端可延伸至第一感光圖案層320下方的空間而不接觸第一輔助層310。 第6D圖所示，第一保護層241可具有大於第一對向電極231的寬度We1之寬度Wp1。因此，第一保護層241可完全地覆蓋第一對向電極231。第一保護層241之末端可直接接觸像素定義層180以及具有正錐形。
接續參考第6D圖，經由剝離製程移除第一遮罩圖案300。在一或多個例示性實施例，當第一輔助層310包含氟系材料，第一輔助層310可使用氟系溶劑移除。當移除第一輔助層310時，第一輔助層310上方之第一感光圖案層320，以及堆疊在第一感光圖案層320上方的第一中間層221、第一對向電極231以及之第一保護層241與第一輔助層310一起被移除。此外，島狀圖案的第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241保留在第一像素P1。
根據一或多個例示性實施例，第一保護層241可在剝離製程期間保護第一OLED 201。舉例來說，第一保護層241可避免或(或減少)包含在移除第一輔助層310的溶劑中的材料滲透進入第一對向電極231以及在第一對向電極231下方的第一中間層221。第一保護層241亦可助於保護第一對向電極231以及第一中間層22 1免於在第一遮罩圖案300之剝離製程期間損壞。
參照第6E圖，第二遮罩圖案400形成在第一保護層241以及像素定義層180上方。第二遮罩圖案400包含第二感光圖案層420。第二遮罩圖案400可進一步包含在第二感光圖案層420與像素定義層180之間之第二輔助層410。 第二遮罩圖案400可藉由如第一遮罩圖案300之形成方法的相同方法形成。
舉例來說，非感光有機層(圖中未顯示)形成在包含第一OLED 201以及第一保護層241的基板100上方。光阻層(圖中未顯示)為形成在非感光有機層上方。在一或多個例示性實施例，非感光有機層可包含例如氟系材料。光阻層可包含正型感光材料。在形成光阻層後，具有第二開口區域OR2的第二感光圖案層420是藉由外露以及擴展對應於第二像素P2的光阻層之部分區域所形成。接著，具有大於第二開口區域OR2的第二輔助開口區域AOR2的第二輔助層410是藉由蝕刻經由在非感光有機層的第二開口區域OR2所外露的第二輔助層410形成。
參照第6F圖，第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242為依序形成在包含第二遮罩圖案400的基板100上方。第二中間層222以及第二對向電極232可藉由熱汽化方法形成，以及非晶體第二保護層242可藉由濺鍍方法形成。因為第二中間層222以及第二對向電極232的材料以及非晶體第二保護層242之材料與參照第4圖所描述的相同，因而重複的描述已省略以避免模糊例示性實施例。
第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242之沉積材料可以垂直於基板100的方向及相對於基板100的斜向朝向基板100移動。在此方式，第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242之末端可延伸至第二感光圖案層420下方的空間而不接觸第二輔助層410。 在第6G圖所示，非晶體第二保護層242可具有大於第二對向電極232之寬度We2的寬度Wp2。因此，非晶體第二保護層242可完全地覆蓋第二對向電極232。非晶體第二保護層242之末端可直接接觸像素定義層180，並且具有正錐形。
參照第6G圖，第二遮罩圖案400經由剝離製程移除。在一或多個例示性實施例，當第二輔助層410包含氟系材料，第二輔助層410可使用氟系溶劑移除。當移除第二輔助層410時，第二輔助層410上方之第二感光圖案層420，以及堆疊在第二感光圖案層420上方之第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242與第二輔助層410一起被移除。 此外，島狀圖案的第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242保持作為第二像素P2之部分。
參照第6E圖至第6G圖之描述，第一保護層241可在製程期間保護第一OLED 201。舉例來說，第一保護層241可避免材料，如包含在第一OLED 201上方之第二遮罩圖案400的PGMEA或使用於擴展第二遮罩圖案400時的TMAH滲透進入第一OLED 201。此外，第一保護層241及第二保護層242可在剝離製程期間保護第一OLED 201及第二OLED 202。舉例來說，第一保護層241及第二保護層242可避免(或減少)包含於移除第二輔助層410的溶劑之材料滲透進入第一OLED 201及第二OLED 202。因此，第一保護層241及第二保護層242可避免(或減少)因另一材料損壞第一OLED 201及第二OLED 202
參照第6H圖，包含第三感光圖案層520的第三遮罩圖案500形成在第一保護層241及第二保護層242以及像素定義層180上方。第三遮罩圖案500可進一步包含在第三感光圖案層520與像素定義層180之間的第三輔助層510。 第三遮罩圖案500可藉由如第一遮罩圖案300及第二遮罩圖案400之形成方法的相同方法所形成。
舉例來說，非感光有機層(圖中未顯示)形成在基板100上方，光阻層(圖中未顯示)形成在其上方，以及接著具有第三開口區域OR3的第三感光圖案層520藉由外露以及擴展第三感光圖案層520所形成。此外，具有大於第三開口區域OR3之第三輔助開口區域AOR3的第三輔助層510是藉由蝕刻經由第三開口區域OR3所外露的非感光有機層所形成。在一或多個例示性實施例，非敏感有機層可包含例如氟系材料。光阻層可包含正型感光材料。
參照第6I圖，第三中間層223、第三對向電極233以及第三保護層243為依序形成在包含第三遮罩圖案500之基板100上方。第三中間層223以及第三對向電極233可藉由熱汽化方法形成，以及非晶體第三保護層243可藉由濺鍍方法形成。因為第三中間層223以及第三對向電極233之材料，以及非晶體第三保護層243之材料與參照第4圖描述之材料相同，因此重複的描述已省略以避免模糊例示性實施例。
第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243之沉積材料可以垂直於基板100的方向及相對於基板100的斜向朝向基板100移動。在此方式，第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243之末端可延伸至第三感光圖案層520下方的空間而不接觸第三輔助層510。在第6J圖所示，非晶體第三保護層243可具有大於第三對向電極233之寬度We3的寬度Wp3。因此，非晶體第三保護層243可完全地覆蓋第三對向電極233。非晶體第三保護層243之末端可直接接觸像素定義層180，並且具有正錐形。
接續參考第6J圖，第三遮罩圖案500經由剝離製程移除。在一或多個例示性實施例，當第三輔助層510包含氟系材料時，第三輔助層510可使用氟系溶劑移除。當移除第三輔助層510時，在第三輔助層510上方之第三感光圖案層520，以及堆疊在第三感光圖案層520上方之第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243也被移除。 在此方式，島狀圖案的第三中間層223、第三對向電極233以及第三保護層243保持作為第三像素P3之部分。
參照第6H圖至第6J圖之描述，第一保護層241及第二保護層242可在製程期間保護第一OLED 201及第二OLED 202。舉例來說，第一保護層241及第二保護層242可避免(或減少)材料，如包含在第一OLED 201及第二OLED 202上的第三遮罩圖案500之PGMEA或使用於擴展第三遮罩圖案500時的TMAH滲透進入第一OLED 201及第二OLED 202。 此外，第一保護層241至第三保護層243可在剝離製程期間保護第一OLED 201至第三OLED 203。舉例來說，第一保護層241至第三保護層243可避免(或減少)包含於移除第三輔助層510的溶劑的材料滲透進入第一OLED 201至第三OLED 203。其亦考慮，第一保護層241至第三保護層243避免(或減少)因材料對第一OLED 201至第三OLED 203的損壞。
參照第6K圖，連結層250形成在包含第一保護層241至第三保護層243的基板100上方。連結層250為在基板100之整個(或實質上整個)表面上方一體形成。在此方式，連結層250覆蓋所有的第一像素P1至第三像素P3。連結層250包含導電材料。使用於連結層250的材料與參照第4圖描述的材料相同，以及因此重複的描述已省略以避免模糊例示性實施例。
根據一或多個例示性實施例，包覆層260可形成在連結層250上方。包覆層260可包含至少一個有機層261以及至少一個無機層263。有機層261包含聚合物系材料。 在一或多個例示性實施例，有機層261可藉由沉積液態(或蒸汽)單體所形成且接著使用熱能或光，如紫外線固化包含單體之沉積材料。無機層263可包含SiON、SiNx 以及SiOx 等。無機層263可藉由電漿輔助式化學氣相沉積法(PECVD)所形成。
雖然例示性實施例已描述有機層261為排列於下方以及無機層263為排列於上方，但例示性實施例不以此為限。舉例來說，有機層261以及無機層263之位置為可改變的，以及堆疊順序、層之數量等可進行各種改變。更進一步，雖然已參照第6A圖至第6K圖之描述的例示性實施例為包含各別包含第一輔助層310至第三輔助層510的第一遮罩圖案300至第三遮罩圖案500，但例示性實施例不以此為限。
第7A圖至第7G圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置在製造的各種階段之剖面側視圖。將注意的是，根據第6A圖至第6K圖描述的製造製程與第7A圖至第7G圖之製造製程相似，但與第一遮罩圖案300至第三遮罩圖案500包含第一感光圖案層320至第三感光圖案層420以及第一輔助層310至第三輔助層510之第6A圖至第6K圖之製造製程不同的是，第7A圖至第7G圖之製造製程僅包含第一感光圖案層至第三感光圖案層3201、4201以及5201。因此，重複的描述將根本地省略以避免模糊例示性實施例。
參照第7A圖，如上參照第6A圖所述，像素電路PC以及電性連接至像素電路PC的第一像素電極211至第三像素電極213形成在基板100上方，以及包含各別外露第一像素電極211至第三像素電極213的開口OP的像素定義層180形成。之後，第一感光圖案層3201形成在像素定義層180上方。第一感光圖案層3201包含外露第一像素電極211之第一開口區域OR1。第一感光圖案層3201可包含負型感光材料。第一感光圖案層3201可藉由下文更詳細描述的製程形成。
在包含負型感光材料之光阻層(圖中未顯示)形成於包含像素定義層180的基板100上方，具有第一開口區域OR1之第一感光圖案層3201藉由外露以及擴展光阻層之部分區域所形成。在一或多個例示性實施例，第一感光圖案層3201可藉由在外露光阻層時調整光之前進方向而具有倒椎狀(reverse tapered shape)。
參照第7B圖，第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241依序形成在包含第一感光圖案層3201，其為遮罩圖案的基板100上方。第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241與參照第4圖以及第6C圖所述之相同 。因為第一感光圖案層3201具有倒椎狀，在第一像素電極211上方之第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241與第一感光圖案層3201上方之第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241分隔。
參照第7C圖，為遮罩圖案的第一感光圖案層3201經由剝離製程移除。當移除第一感光圖案層3201時，於第一感光圖案層3201上方的第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241一起被移除。 此外，島狀圖案的第一中間層221、第一對向電極231以及第一保護層241保持在對應至第一像素P1的區域。第一保護層241可在剝離期間保護第一OLED 201。舉例來說，第一保護層241可避免包含在移除第一感光圖案層3201的溶劑的材料滲透進入第一OLED 201或損壞第一OLED 201。
接著，第二感光圖案層4201形成在第一保護層241以及像素定義層180上方。第二感光圖案層4201包含外露第二像素電極212之第二開口區域OR2。第二感光圖案層4201可包含負型感光材料。第二感光圖案層4201可藉由如第一感光圖案層3201的形成方法相同的方法形成且可具有倒椎狀。第一保護層241可避免(或至少減少)包含在第二感光圖案層4201的材料滲透進入第一OLED 201或損壞第一OLED 201。
參照第7D圖，第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242依序形成在包含第二感光圖案層4201，其為遮罩圖案的基板100上方。第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242的材料、其形成方法、第一保護層241之寬度等與如上參照第4圖以及第6F圖所述的相同，以及因此重複的描述已省略以避免模糊例示性實施例。因為第二感光圖案層4201具有倒椎狀，因而第二像素電極212上方的第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242與第二感光圖案層4201上方的第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242分隔。
參照第7E圖，為遮罩圖案的第二感光圖案層4201經由剝離製程移除。當移除第二感光圖案層4201時，第二感光圖案層4201上方的第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242一起被移除。此外，島狀圖案的第二中間層222、第二對向電極232以及非晶體第二保護層242保持在對應至第二像素P2的區域。第一保護層241及第二保護層242可在剝離製程期間保護第一OLED 201及第二OLED 202。舉例來說，第一保護層241及第二保護層242可避免(或至少減少)包含在移除第二感光圖案層4201的溶劑之材料滲透進入第一OLED 201及第二OLED 202或損壞第一OLED 201及第二OLED 202。
接著，第三感光圖案層5201形成在第一保護層241及第二保護層242以及像素定義層180上方。第三感光圖案層5201包含外露第三像素電極213之第三開口區域OR3。第三感光圖案層5201可包含負型感光材料，其為遮罩圖案。 第三感光圖案層5201可藉由如第一感光圖案層3201及第二感光圖案層4201的形成方法相同的方法形成，以及可具有倒椎狀。第一保護層241及第二保護層242可避免(或至少減少)包含在第三感光圖案層5201的材料滲透進入第一OLED 201及第二OLED 202或損壞第一OLED 201及第二OLED 202。
參照第7F圖，第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243依序形成在包含第三感光圖案層5201，其為遮罩圖案的基板100上方。第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243之材料、其形成方法、第一保護層241之寬度等等與如上參照第4圖以及第6I圖所述的相同。因為第三感光圖案層5201具有倒椎狀，第三像素電極213上方的第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243與第三感光圖案層5201上方的第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243分隔。
參照第7G圖，為遮罩圖案的第三感光圖案層5201經由剝離製程移除。當移除第三感光圖案層5201時，第三感光圖案層5201上方的第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243一起被移除。此外，島狀圖案的第三中間層223、第三對向電極233以及非晶體第三保護層243保持在對應於第三像素P3的區域。第一保護層241至第三保護層243可在剝離製程期間保護第一OLED 201至第三OLED 203。舉例來說，第一保護層241至第三保護層243可避免(或至少減少)包含在移除第三感光圖案層5201的溶劑之材料滲透進入第一OLED 201至第三OLED 203或損壞第一OLED 201至第三OLED 203。隨後，形成連結層250以及包覆層260。包覆層260可包含至少一個有機層261以及至少一個無機層263，如參照第4圖描述。
第8圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置之剖面側視圖。第8圖之有機發光顯示裝置為相同(或至少近似於)如第4圖之有機發光顯示裝置中的第一像素電極211至第三像素電極213、第一中間層221至第三中間層223、第一對向電極231至第三對向電極233、連結層250以及包覆層260之架構。在此方式，相對於第一保護層2410至第三保護層2430不同的第8圖之有機發光顯示裝置與參照第4圖描述的有機發光顯示裝置之第一保護層241至第三保護層243不同。因此，重複的描述將根本地省略以避免模糊例示性實施例，且將主要描述第一保護層2410至第三保護層2430。
參照第8圖，第一保護層2410至第三保護層2430各別覆蓋第一對向電極231至第三對向電極233以及可具有大於第一對向電極231至第三對向電極233之寬度的寬度。在此方式，第一保護層2410至第三保護層2430之末端可直接超出第一對向電極231至第三對向電極233而接觸像素定義層180。
第一保護層2410至第三保護層2430可包含非晶體材料。舉例來說，第一保護層2410至第三保護層2430可包含非晶體絕緣無機材料。舉例來說，第一保護層2410至第三保護層2430可包含如SiOx 、AlOx 、 HfO2 、ZnO2 、 Ta2 O5 、 TiO2 的氧化物、如SiON的氮氧化物以及如SiNx 的氮化物之至少其一。 亦將注意的是，第一保護層2410至第三保護層2430可包含含有上述非晶體材料的單層或多層結構。在一或多個例示性實施例，第一保護層2410至第三保護層2430可具有約10Å的最小厚度。 舉例來說，各個第一保護層2410至第三保護層2430可藉由考慮例如上述PGMEA及TMAH的材料以及如H2 O以及O2 的材料而可具有約100Å至300Å的厚度。若第一保護層2410至第三保護層2430可能具有小於約10Å的最小厚度的厚度時，第一OLED 201至第三OLED 203可能在一或多個剝離製程期間損壞。
在一或多個例示性實施例，第一保護層2410至第三保護層2430可包含用於在連結層250與第一對向電極231至第三對向電極233之間電性連結的第一接觸孔至第三接觸孔2410H、2420H以及2430H。
第9A圖至第9C圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置在各種階段製造之剖面側視圖。
參照第9A圖，第一OLED 201至第三OLED 203以及覆蓋第一OLED 201至第三OLED 203的第一保護層2410至第三保護層2430各別形成在基板100之第一像素P1至第三像素P3。 形成第一OLED 201至第三OLED 203以及覆蓋第一OLED 201至第三OLED 203的第一保護層2410至第三保護層2430之製程與參照第6A圖至第6J圖描述之方法，或參照第7A圖第7F圖描述之方法實質上相同，其中僅為經由如PECVD的製程形成第一保護層2410至第三保護層2430之差異。
參照第9B圖，外露第一對向電極231至第三對向電極233之部分的第一接觸孔至第三接觸孔2410H、2420H以及2430H藉由蝕刻第一保護層2410至第三保護層2430之部分區域形成。參照第9C圖，連結層250形成於覆蓋所有的第一像素P1至第三像素P3，以及包含至少一個有機層261以及至少一個無機層263的包覆層260形成在連結層250上方。根據一或多個例示性實施例，第一保護層2410至第三保護層2430可避免(或至少減少)包含於遮罩圖案之材料或用於移除遮罩圖案之材料等在經由剝離製程製造的有機發光顯示裝置之製造製程期間滲透進入藉由第一OLED 201至第三OLED 203或損壞第一OLED 201至第三OLED 203。
參照第8圖至第9C圖，雖然已描述在第一對向電極231至第三對向電極233經由定義在第一保護層2410至第三保護層2430的接觸孔連接至連結層250的情況下，第一保護層2410至第三保護層2430具有絕緣，但例示性實施例不以此為限。舉例來說，如上參照第4圖所述，即使第一保護層241至第三保護層243具有導電性，用於在第一對向電極231至第三對向電極233與連結層250之間直接接觸之接觸孔可形成在第一保護層241至第三保護層243。
根據一或多個例示性實施例，上述第一保護層至第三保護層241、242、243、2410、2420以及2430可作為包覆層，其藉由調整第一保護層至第三保護層241、242、243、2410、2420以及2430的厚度而與包覆層260一起保護(或至少減少相關的有害影響)第一OLED 201至第三OLED 203避免濕氣、氧氣等，以使其濕氣傳輸速率WVTR為約10-1 g/cm2 /日。
在一或多個例示性實施例，因為具有上述結構的有機發光顯示裝置不以包含如INVAR的材料的沉積遮罩緊密附加至基板的方式形成，而可避免因沉積遮罩的截斷(chopping)或壓印現象。此外，用於支撐沉積遮罩的獨立間隔物不需形成在像素定義層上方，以及像素定義層之高度不需形成為高達約2.5-3.5µm。也就是說，因為像素定義層可形成為約100nm或以下，因而具有上述結構的有機發光顯示裝置在製程及製造成本方面獲得改善。
根據一或多個例示性實施例，因為圖樣化是經由剝離製程在逐個像素(pixel-by-pixel)的基礎上執行，因而中間層之距離可在逐個像素的基礎上形成不同。在此方式，中間層之距離可藉由考慮光學共振距離而設計。
雖然本文已描述特定例示性實施例以及實施方式，其他實施例及修改將從此描述顯而易見。因此，本發明概念不限於此實施例，而是本發明申請專利範圍的廣義範圍以及各種明顯修改以及等效配置。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
103‧‧‧閘極絕緣層
105‧‧‧介電層
107‧‧‧層間絕緣層
109‧‧‧絕緣層
180‧‧‧像素定義層
201‧‧‧第一OLED
202‧‧‧第二OLED
203‧‧‧第三OLED
211‧‧‧第一像素電極
212‧‧‧第二像素電極
213‧‧‧第三像素電極
221‧‧‧第一中間層
221a、222a、223a‧‧‧第一功能層
221b‧‧‧紅色發光層
221c、222c、223c‧‧‧第二功能層
222‧‧‧第二中間層
222b‧‧‧綠色發光層
223‧‧‧第三中間層
223b‧‧‧藍色發光層
231‧‧‧第一對向電極
232‧‧‧第二對向電極
233‧‧‧第三對向電極
241、2410‧‧‧第一保護層
242、2420‧‧‧第二保護層
243、2430‧‧‧第三保護層
2410H、2420H、2430H‧‧‧接觸孔
250‧‧‧連結層
260‧‧‧包覆層
261‧‧‧有機層
263‧‧‧無機層
300‧‧‧第一遮罩圖案
400‧‧‧第二遮罩圖案
500‧‧‧第三遮罩圖案
310‧‧‧第一輔助層
410‧‧‧第二輔助層
510‧‧‧第三輔助層
320、3201‧‧‧第一感光圖案層
420、4201‧‧‧第二感光圖案層
520、5201‧‧‧第三感光圖案層
A1‧‧‧驅動半導體層
A2‧‧‧開關半導體層
AOR1‧‧‧第一輔助開口區域
AOR2‧‧‧第二輔助開口區域
AOR3‧‧‧第三輔助開口區域
CE1‧‧‧第一儲存板
CE2‧‧‧第二儲存板
Cst‧‧‧儲存電容器
D1‧‧‧驅動汲極區
D2‧‧‧開關汲極區
DA‧‧‧顯示區域
Dm‧‧‧數據訊號
DL‧‧‧數據線
En‧‧‧發射控制訊號
EL‧‧‧發射控制線
ELVDD‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共用電源電壓
G1‧‧‧驅動閘極電極
G2‧‧‧開關閘極電極
PA‧‧‧外圍區
P、P’‧‧‧像素
P1‧‧‧第一像素
P2‧‧‧第二像素
P3‧‧‧第三像素
PL‧‧‧驅動電壓線
PC、PC’‧‧‧像素電路
S1‧‧‧驅動源極區
S2‧‧‧開關源極區
Sn‧‧‧第一掃描訊號
Sn-1‧‧‧第二掃描訊號
Sn+1‧‧‧第三掃描訊號
SL‧‧‧掃描線
SLn‧‧‧第一掃描線
SLn-1‧‧‧第二掃描線
SLn+1‧‧‧第三掃描線
T1‧‧‧驅動TFT
T2‧‧‧開關TFT
T3‧‧‧補償TFT
T4‧‧‧第一初始化TFT
T5‧‧‧第一發射控制TFT
T6‧‧‧第二發射控制TFT
T7‧‧‧第二初始化TFT
VL‧‧‧初始化電壓線
VINT‧‧‧初始化電壓
OR1‧‧‧第一開口區域
OR2‧‧‧第二開口區域
OR3‧‧‧第三開口區域
OP‧‧‧開口
We1、We2、We3、Wp1、Wp2、Wp3‧‧‧寬度
所包含之附圖是提供本發明概念作進一步的理解且一併構成此說明書與本發明概念之例示性實施例之說明的一部分，並且一同用於解釋本發明之原理。
第1圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面視圖。
第2A圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置之像素之等效電路圖。
第2B圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置之像素之等效電路圖。
第3圖為根據一或多個例示性實施例之第1圖的顯示區域之部分之平面視圖。
第4圖為根據一或多個例示性實施例之沿著第3圖之截面線IV-IV所截取之有機發光顯示裝置之剖面側視圖。
第5A圖為根據一或多個例示性實施例之第4圖之IV部分之更詳細視圖。
第5B圖為根據一或多個例示性實施例之第4圖之IV部分之更詳細視圖。
第6A圖、第6B圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖、第6F圖、第6G圖、第6H圖、第6I圖、第6J圖以及第6K圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置在製造的各種階段之剖面側視圖。
第7A圖、第7B圖、第7C圖、第7D圖、第7E圖、第7F圖以及第7G圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置在製造的各種階段之剖面側視圖。
第8圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置之剖面側視圖。
第9A圖、第9B圖以及第9C圖為根據一或多個例示性實施例之有機發光顯示裝置在製造的各種階段之剖面側視圖。

Claims (30)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含： 一第一像素電極及一第二像素電極； 一像素定義層，係設置在該第一像素電極及該第二像素電極上，該像素定義層包含各別外露該第一像素電極及該第二像素電極的第一開口及第二開口，； 一第一中間層及一第二中間層，係各別設置在經由該第一開口及該第二開口外露的該第一像素電極及該第二像素電極上，各該第一中間層及該第二中間層包含一發光層； 一第一對向電極及一第二對向電極，係各別設置在該第一中間層及該第二中間層上，該第一對向電極及該第二對向電極具有一島狀圖案； 一第一保護層及一第二保護層，係各別設置在該第一對向電極及該第二對向電極上，該第一保護層及該第二保護層具有一島狀圖案；以及 一連結層，係設置在該第一保護層及第二保護層上，該連結層將該第一對向電極及該第二對向電極彼此電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中：該第一保護層比該第一對向電極還寬；以及該第二保護層比該第二對向電極還寬。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一保護層之一端部以及該第二保護層之一端部接觸該像素定義層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一保護層及該第二保護層包含一非晶體材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一保護層及該第二保護層包含一非晶體導電氧化物。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一保護層及該第二保護層包含一非晶體透明導電氧化物以及一透明非晶體氧化半導體中的至少其一。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一保護層及該第二保護層包含一非晶體絕緣無機材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一保護層及該第二保護層包含一氧化物、一氮氧化物以及一氮化物中的至少其一。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該連結層經由該第一保護層及該第二保護層之複數個接觸孔電性連接至該第一對向電極及該第二對向電極。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一對向電極及該第二對向電極包含一金屬層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一對向電極及該第二對向電極包含Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li、Au以及LiF中的至少其一。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其更包含：設置在該連結層上的一包覆層，該包覆層包含至少一有機層以及至少一無機層，其中該連結層設置在該包覆層與該像素定義層之間。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一中間層及該第二中間層中的至少其一更包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層以及一電子注入層中的至少其一。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該連結層係一體形成以及覆蓋該第一保護層及該第二保護層。
  15. 一種有機發光顯示裝置之製造方法，該方法包含： 形成一第一像素電極及一第二像素電極在一基板上； 形成一像素定義層在該第一像素電極及該第二像素電極上，該像素定義層包含各別外露該第一像素電極及該第二像素電極的第一開口及第二開口； 形成一第一感光圖案層在該像素定義層上，該第一感光圖案層包含外露該第一像素電極的一第一開口區域； 依序形成一第一中間層、一第一對向電極以及一第一保護層在該第一像素電極以及該第一感光圖案層上，該第一中間層包含一發光層；以及 移除該第一感光圖案層， 其中，在移除該第一感光圖案層後，該第一中間層、該第一對向電極以及該第一保護層保持在該第一像素電極上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一中間層更包含一電洞注入層、一電洞傳輸層，一電子傳輸層以及一電子注入層中的至少其一。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一保護層比該第一對向電極還寬。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一保護層之一端部接觸該像素定義層。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一對向電極包含一金屬層。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一對向電極包含Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li、Au以及LiF中的至少其一。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一保護層包含一非晶體材料。
  22. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一保護層包含一非晶體導電氧化物。
  23. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一保護層包含一非晶體透明導電氧化物以及一透明非晶體氧化半導體中的至少其一。
  24. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一保護層包含一非晶體絕緣無機材料。
  25. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第一保護層包含一氧化物、一氮氧化物以及一氮化物中的至少其一。
  26. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其更包含： 形成一第一輔助層在該第一感光圖案層與該像素定義層之間；以及 該第一輔助層包含對應於該第一開口區域的一開口區域。
  27. 申請專利範圍第26項所述之方法，其中該第一輔助層中之該開口區域大於該第一感光圖案層中之該第一開口區域。
  28. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其更包含： 形成一第二感光圖案層在該第一保護層以及該像素定義層上，該第二感光圖案層包含外露該第二像素電極的一第二開口區域；依序形成一第二中間層、一第二對向電極以及一第二保護層在該第二像素電極以及該第二感光圖案層上，該第二中間層包含一發光層；以及 移除該第二感光圖案層， 其中，在移除該第二感光圖案層後，該第二中間層、該第二對向電極以及該第二保護層保持在該第二像素電極上。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其更包含： 形成穿過該第一保護層及該第二保護層的一通孔；以及 形成一連結層在該第一保護層及該第二保護層上。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該連結層為一體形成以及覆蓋該第一保護層及該第二保護層。
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