CN111628113A - 制备电致发光装置的方法 - Google Patents

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Abstract

揭示一种制备电致发光装置的方法，包含以下步骤。提供包括第一子像素区及第二子像素区的衬底。透过阴影遮罩在衬底上形成第一发光层，以覆盖第一子像素区及第二子像素区的至少一部分。在衬底上形成牺牲层，其中牺牲层包括一开孔，其暴露出第一发光层位于第二子像素区上方的一部分。移除第一发光层位于第二子像素区上方的所述部分。形成第二发光层于第一牺牲层上方，并透过牺牲层的开孔而形成于第二子像素区上。同时移除牺牲层以及第二发光层位于牺牲层上方的一部分。

Description

制备电致发光装置的方法
技术领域
[优先权主张与交互参照]
本揭示内容主张2019年2月27日提出的美国临时案No.62/811,279和2020年1月21日提出的美国申请案No.16/748,283的优先权，在此将其全文纳入作为参照。
本揭示内容是关于一种制备电致发光装置的方法；具体来说，是关于制备有机发光装置的方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic light-emitting diodes，OLED)因其在延迟、对比率、响应时间、与黑电平等方面的优点，已广泛运用于显示器中。然而，受限于既有彩色图样化技术，高解析度OLED显示装置的商业化仍非常有限。在制程方面的相关问题包括产率低、制造成本高以及显示品质不佳等。因此，OLED产业正积极寻找解决上述问题的技术方案。
发明内容
一种制备电致发光装置的方法，包括：提供衬底，其包括第一子像素区及第二子像素区，分别用以显示第一色彩的影像以及第二色彩的影像；于衬底上形成第一发光层，以覆盖第一子像素区及第二子像素区的至少一部分；于衬底上形成第一牺牲层，其中第一牺牲层覆盖第一发光层位于第一子像素区上方的一部分，且第一牺牲层包括第一开孔，其暴露出第一发光层位于第二子像素区上方的一部分；移除第一发光层位于第二子像素区上方且透过第一牺牲层的第一开孔而露出的部分；形成第二发光层于第一牺牲层上方并透过第一牺牲层的第一开孔而形成于第二子像素区上方；以及利用剥除制程同时移除第一牺牲层以及第二发光层位于第一牺牲层上方的一部分。
在某些实施方式中，所述衬底还包括第三子像素区，其是用以显示第三色彩的影像。在某些实施方式中，藉由喷墨打印形成第一发光层，且所述第一发光层覆盖第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区。在某些实施方式中，透过共用金属遮罩来形成第一发光层，所述共用金属遮罩具有和第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区对齐的孔洞，第一发光层覆盖第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区，且第一牺牲层还覆盖第三子像素区。
在某些实施方式中，所述方法还包括于衬底上形成第二牺牲层，其中第二牺牲层覆盖第一发光层位于第一子像素区上方的部分，第二牺牲层还覆盖位于第二子像素区上方的第二发光层，且第二牺牲层包括第二开孔，其露出第一发光层位于第三子像素区上方的一部份；移除第一发光层位于第三子像素区上方并透过第二牺牲层的第二开孔露出的部分；于第二牺牲层上方形成第三发光层，并透过第二牺牲层的第二开孔形成于第三子像素区上；以及利用剥除制程同时移除第二牺牲层及位于第二牺牲层上方的第三发光层的一部分。
在某些实施方式中，所述衬底还包括第三子像素区，其是用以显示第三色彩的影像。在某些实施方式中，透过第一精细金属遮罩来形成第一发光层，所述第一精细金属遮罩具有与第一子像素区及第二子像素区之一部分对齐的孔洞，且第一发光层覆盖第一子像素区及第二子像素区的一部分。
在某些实施方式中，上述方法还包括：在形成第一牺牲层前，透过第二精细金属遮罩于衬底上形成第三发光层，以覆盖第三子像素区及第二子像素区的另一部分；以及在形成第一牺牲层后，在移除第一发光层的同时，移除第三发光层位于第二子像素区上方且透过第一牺牲层的第一开孔露出的一部分。
在某些实施方式中，所述方法还包括：在形成第一发光层前，形成第二牺牲层于衬底上，其中第二牺牲层覆盖第一子像素区及第二子像素区，且第二牺牲层包括第二开孔，其暴露出第三子像素区；形成第三发光层于第二牺牲层上方并透过第二牺牲层的第二开孔而形成于第三子像素区上方；以及利用剥除制程同时移除第二牺牲层及第三发光层位于第二牺牲层上方的一部分。
在某些实施方式中，第一牺牲层包括以微影制程图样化的感光层。在某些实施方式中，第一牺牲层还包括介于衬底及感光层间的释放层。在某些实施方式中，第一牺牲层还包括介于感光层及释放层间的阻障层。在某些实施方式中，所述方法还包括利用干式蚀刻制程来图样化阻障层。在某些实施方式中，所述方法还包括利用干式蚀刻制程来图样化释放层。在某些实施方式中，所述方法还包括利用湿式蚀刻制程来图样化释放层。
在某些实施方式中，所述方法还包括：在形成第一发光层前，在衬底上形成像素界定层，以区隔第一子像素区和第二子像素区。在某些实施方式中，所述方法还包括：在形成第一发光层前，在衬底上形成复数个电极。在某些实施方式中，所述方法还包括：在移除第一牺牲层后，在衬底上形成导电层。
一种制备发光装置的方法，包括：提供衬底，其包括用以发出不同色彩的第一像素、第二像素及第三像素；透过第一阴影遮罩于衬底上形成第一发光层，以覆盖第一像素及第三像素的至少一部分；透过第二阴影遮罩于衬底上形成第二发光层，以覆盖第二像素及第三像素的至少一部分；在衬底上形成感光层，其中感光层覆盖第一发光层位于第一像素上方的一部分以及第二发光层位于第二像素上方的一部分，且感光层暴露出第一发光层与第二发光层位于第三像素上方的部分；移除第一发光层与第二发光层透过感光层露出的这些部分；在感光层上方及第三像素上方形成第三发光层；以及同时移除感光层以及第三发光层位于感光层上方的一部分。
一种制备显示面板的方法，包括：透过阴影遮罩于衬底上形成第一发光层，其中衬底包括第一像素、第二像素及第三像素；移除第一发光层位于第二像素上方并透过第一感光层露出的一部分；在第一感光层上方及第二像素上方形成第二发光层，且同时移除第一感光层及第二发光层位于第一感光层上方的一部分；移除第一发光层位于第三像素上方并透过第二感光层露出的一部分；以及在第二感光层上方及第三像素上方形成第三发光层，且同时移除第二感光层与第三发光层位于第二感光层上方的一部分。
附图说明
图1绘示根据某些实施方式的电致发光装置的衬底。
图2为根据本揭示内容某些实施方式的电致发光装置的衬底的上视图。
图3为根据某些实施方式，沿着图2中A-A线段的像素的剖面示意图。
图4为根据某些实施方式的像素的剖面示意图。
图5A至图5N绘示根据本揭示内容某些实施方式的制造电致发光装置的方法。
图6A至图6G绘示根据本揭示内容某些实施方式的制造电致发光装置的方法。
图7A至7L绘示根据本揭示内容某些实施方式的制造电致发光装置的方法。
具体实施方式
以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述的元件与配置的具体例子是用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在以下详述中，第一特征形成在第二特征上方或第二特征上可包含第一及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包含第一特征与第二特征的间可形成额外特征使得第一及第二特征并未直接接触的实施例。另外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用元件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
另外，在本文中使用空间相对术语(例如「在…下面(beneath)」、「在…下方(below)」、「较低(lower)」、「在…上面(above)」、「上方(upper)」、及与其相似者)以利于描述图中绘示的一元件或特征与另一或多个元件或特征的相对关系。这些空间相对术语旨在涵盖除图中所描绘的方位以外，所述装置于使用中或操作中的其他方位。可将所述设备放置于其他方位(旋转90度或其他方位)，并可相对应地解释此处所用的空间相对描述。
为了成功地使高解析度OLED显示器商业化OLED，需要低成本与高产率的制造方法。阴影遮罩法是一种常用于OLED显示器的彩色图样化方法。可利用预先图样化的阴影遮罩，依序进行红色、绿色及蓝色材料的真空沉积，以进行RGB彩色图样化。此种方式由于制造成本低且不需曝光，因此广为使用。然而，此种方法亦有其缺陷，譬如，由于阴影遮罩变形可能导致图样排列不正确，或是由于使用阴影遮罩本身的限制导致解析度不高。这些限制影响了显示器的开口率、导致产率低下，且会限制显示器解析度。
另一种OLED显示器的彩色图样化方法是微影制程。可透过图样化光罩进行红色、绿色及蓝色材料的剥除制程，以实现RGB彩色图样化。此一技术由于可制得高解析度显示器而广为用。然而，本方法有其固有的限制，譬如，暴露于UV光下会导致OLED降解，且光罩的生产成本高昂导致整体显示器的生产成本偏高。这些缺失使是高解析度OLED显示器商业化的挑战，且会造成显示器品质降低。
此处提出显示面板制造方法的多种实施方式。在本揭示内容中，OLED中的有机发光层是透过包括微影制程与阴影遮罩制程的混合制程来制备。具体而言，本揭示内容的制备方法结合的阴影遮罩制程与微影制程两者的优点。藉由将微影制程和阴影遮罩制程结合，能够大幅降低制造成本。此外，由于在微影制程中进行至少一个彩色图样化制程，因此能够提升显示面板的解析度。更有甚者，由于在阴影遮罩制程中进行至少一彩色图样化制程，可降低有机发光层在微影制程中受到的伤害。因此，能够以更具成本效益的方式来生产高解析度显示面板。
图1绘示根据某些实施方式的电致发光装置的衬底。图2为根据本揭示内容某些实施方式的电致发光装置的衬底的上视图。如图1所示，提供衬底10。电致发光装置可以是一种发光装置。举例来说，电致发光装置可以是有机发光二极管(OLED)。
如图2所示，显示面板的衬底10包括显示区域10D及周边区域10P。衬底10还包括位于显示区域10D中的复数个像素12。可将像素12排列为阵列。每一独立的像素12和其他相邻像素12分离。每一像素12包括一第一子像素12G、一第二子像素12R及一第三子像素12B。在某些实施方式中，子像素亦可称为子像素区或像素。
第一子像素12G、第二子像素12R及第三子像素12B可用以显示不同色彩。具体而言，第一子像素12G、第二子像素12R及第三子像素12B可分别用以发出第一色彩的影像、第二色彩的影像及第三色彩的影像。譬如，第一子像素12G可用以显示绿色、第二子像素12R可用以显示红色，且第三子像素12B可用以显示蓝色。
如图2所示，子像素的排列包括，从左至右，第一子像素12G、第二子像素12R接着是第三子像素12B，但不限于此。亦可根据设计或其他考量改变子像素的排置。譬如，子像素的排置可包括，从左至右，第一子像素12G、第三子像素12B接着是第二子像素12R，如图6B所示。再者，虽然图2绘示的子像素形状是方形，子像素也可采用其他形状。此外，一像素12中的子像素数目可以是，但不限于，三个子像素；可改变子像素数目，且可使用其他适当的子像素来显示不同色彩，如黄色、白色或其他颜色。
衬底10可以是硬式或可挠式衬底。此外，衬底10可以是不透明或透明衬底。衬底10可包括玻璃、石英、半导体材料(如硅、III-V族元素)或其他适当材料。在某些实施方式中，衬底10包括石墨烯。在某些实施方式中，可利用聚合物基质材料形成衬底10。衬底10上可选择性地设有介电层(未绘示)。在某些实施方式中，所述介电层可由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他适当材料制成。
图3为根据某些实施方式，沿着图2中A-A线段的像素的剖面示意图。如图3所示，复数个电极14形成于衬底10上。电极14可包括不透明导电材料或透明导电材料。不透明导电材料的实施例可包括金属，如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、另一种金属、或金属合金。透明导电材料的实施例可包括铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、铝掺杂锌氧化物(aluminum-doped zinc oxide，AZO)及铟掺杂镉氧化物，或其他类似材料。在某些实施方式中，将电极14设计为电致发光装置的阳极。
再次参照图3，数个电极14设置于衬底10上。在某些实施方式中，衬底10包括一驱动电路，譬如薄膜电晶体(thin film transistor，TFT)阵列。可依据所欲的像素排置来设计电极14的图样。电极14可电性连接至衬底10中的驱动电路，以接收用于驱动电致发光装置的驱动信号。
虽然图3中仅绘示单一像素12，所述的制备方法可包括制备复数个像素12。每一子像素包括一电极14。在某些实施方式中，电极14的形成包括形成一导电层、在导电层上方形成一遮罩层、蚀刻导电层未被遮罩层覆盖的多个部分以形成复数个电极14、以及移除遮罩层。
可选地，在衬底10上形成一第一载子注入层16及一第一载子传输层18。可利用与上文所述形成这些电极14相似的方式来形成第一载子注入层16及第一载子传输层18。可利用相同的图样化制程来形成第一载子注入层16及第一载子传输层18，但本发明不限于此。可利用不同的图样化制程来形成第一载子注入层16及第一载子传输层18。第一载子注入层16可用于空穴注入或电子注入。第一载子传输层18可用于空穴传输或电子传输。
图4为根据某些实施方式的一像素的剖面示意图。如图4所示，在衬底10上可选择性地形成像素界定层(亦称为PDL)20，以分离第一子像素12R、第二子像素12G及第三子像素12B。由电致发光装置的厚度方向观察，像素界定层20使多个电极14彼此分离。在某些实施方式中，像素界定层20部分覆盖电极14并使电极14的一部分开放以供接收发光层。
可形成不同形状的像素界定层20。如图4所示，像素界定层20的剖面可具有弯曲表面。在某些实施方式中，像素界定层20的形状可为梯型。由电致发光装置的厚度方向观察，像素界定层20可排列于一格栅中。可依据所欲的像素排置来设计像素界定层20的图样。在某些实施方式中，像素界定层20包括聚合物材料、感光材料或吸光材料。在某些实施方式中，透过一微影制程来形成像素界定层20。
图5A至图5M绘示根据本揭示内容某些实施方式，用于制备电致发光装置的方法。如图5A所示，提供阴影遮罩30C。在本实施方式中，阴影遮罩30C为一共用金属遮罩，其具有一孔洞32及一本体34。阴影遮罩30C可用以界定显示面板的显示区域10D及周边区域10P。阴影遮罩30C的形状使孔洞32可界定衬底10的显示区域10D，而本体34可界定衬底10的周边区域10P。换言之，孔洞32位于显示区域10D中这些像素12上方。图5A所示的阴影遮罩30C为中空正方边框，但不限于此。阴影遮罩30C可具有其他适当形状。
如图5B所示，利用阴影遮罩30C在衬底10上形成第一发光层40G。在形成第一发光层40G的过程中，阴影遮罩30C的孔洞32与第一子像素12G、第二子像素12R及第三子像素12B对齐。更有甚者，阴影遮罩30C的本体34与衬底10的周边区域10P对齐。第一发光层40G覆盖第一子像素12G及第二子像素12R。在某些实施方式中，第一发光层40G更覆盖第三子像素12B。第一发光层40G可用以显示第一色彩的影像。在某些实施方式中，第一发光层40G可用以显示绿色。
在某些实施方式中，第一发光层40G为有机层。可利用物理蒸气沉积(physicalvapor deposition，PVD)制程来形成第一发光层40G。热源可蒸发有机发光材料，但可使用阴影遮罩30C而精确地控制蒸汽沉积。有机分子在到达衬底10之前会移动透过阴影遮罩30C的孔洞32。PVD制程可包括溅镀(磁控管或离子束)，其运用激化的离子撞击目标后射出(或溅镀出)目标材料，或蒸汽(热电阻及电子束)，其是将固态原料加热至高于其蒸发温度。
如图5C所示，在衬底10上形成第一牺牲层50。第一牺牲层50覆盖第一发光层40G位于第一子像素12G上方的一部分。在某些实施方式中，第一牺牲层50更覆盖第一发光层40G位于第二子像素12R上方的一部分以及第一发光层40G位于第三子像素12B上方的一部分。根据本揭示内容某些实施方式，第一牺牲层50包括一感光层50P。
第一牺牲层50可额外地或可替代地包括位于衬底10上的释放层50S。释放层50S可设于感光层50P及衬底10间。释放层50S可作为一平坦化层以提升第一牺牲层50的平整度或一黏着层以提升感光层50P及像素界定层20间的接合。在另一些实施方式中，第一牺牲层50可还包括一阻障层(未绘示)，位于感光层50P及释放层50S间。阻障层的蚀刻率和感光层50P及释放层50S不同。因此，可进行高选择性的蚀刻，而使得下方材料(释放层50S)不会受损。
如图5D所示，图样化第一牺牲层50以形成第一开孔52，其可暴露出第一发光层40G位于第二子像素12R上方的一部分。具体而言，先以微影制程来图样化感光层50P。将感光层50P加热至预定温度，之后暴露在具有预设波长的辐射中。在曝光之后，在溶液中冲洗感光层50P以进行显影。感光层50P的一部分会被移除，余留的部分实质上覆盖第一发光层40G位于第一子像素12G及第三子像素12B上方的部分。
如图5E所示，接着图样化释放层50S以形成一凹部54。根据本揭示内容某些实施方式，第一牺牲层50的图样化包括图样化释放层50S上方的感光层50P，接着蚀刻释放层50S并未被感光层50P覆盖的部分，以图样化释放层50S。
在某些实施方式中，可利用各向同性蚀刻制程来图样化释放层50S，譬如湿式蚀刻制程。各向同性蚀刻可用来在多个方向中蚀刻释放层50S。故而，蚀刻方向的任何水平成分可因此导致图样化区域的底切(undercutting)。如图5F所示，可形成底切56以进一步将凹部54延伸至释放层50S中，且可出露出更多第一发光层40G朝向像素界定层20最顶端的表面。下文叙述继续参照图5E。
如图5G所示，移除第一发光层40G位于第二子像素12R上方且透过第一牺牲层50的第一开孔52露出的一部分。换言之，在移除第一发光层40G之后，下方层如形成于第二子像素12R上的电极14、第一载子注入层16或第一载子传输层18会露出。因此，第二子像素12R可供接收第二发光层40R，如图5H所示。在某些实施方式中，可利用蚀刻剂(如丙酮或其他适当溶剂)进行湿式蚀刻来移除第一发光层40G。
如图5H所示，第二发光层40R形成于第一牺牲层50上方，并透过第一牺牲层50的第一开孔52形成于第二子像素12R之上。在某些实施方式中(图中未绘示)，第二发光层40R可进一步覆盖第一开孔52的侧壁。形成第二发光层40R的方式可和形成第一发光层40G相同，但不限于此。亦可利用其他制程来形成第二发光层40R。第二发光层40R可用以显示第二色彩的影像。于某些实施方式中，第二发光层40R可用以显示红色。
如图5I所示，利用剥除制程在移除第一牺牲层50的同时，移除第二发光层40R位于第一牺牲层50上方的部分。换言之，连同牺牲层50一起洗除第二发光层40R位于牺牲层50的表面上的部分。因此，第二发光层40R位于第一开孔52中的部分仍然保留。如此一来，可形成第一发光层40G位于第一子像素12G上、第二发光层40R位于第二子像素12R上以及第一发光层40G位于第三子像素12B上的像素结构。
在本说明书中，「同时」一词是指在单一的剥除制程中，移除第一牺牲层50以及第二发光层40R位于第一牺牲层50上方的部分。可在此剥除制程中的不同步骤移除第一牺牲层50以及第二发光层40R位于第一牺牲层50上方的部分，但不限于此。可以同时移除第一牺牲层50以及第二发光层40R位于第一牺牲层50上方的部分。
参照图5J至图5M，可重复类似图5C至图5I的操作，以形成不同颜色的发光层。如图5J所示，在衬底10上形成第二牺牲层60。第二牺牲层60覆盖位于第一子像素12上的第一发光层40G以及位于第二子像素12R上的第二发光层40R。在某些实施方式中，第二牺牲层60更覆盖位于第三子像素12B上的第一发光层40G。第二牺牲层60的组成分可和第一牺牲层50相同。在某些实施方式中，第二牺牲层60的组成分可和第一牺牲层50不同。在本实施方式中，第二牺牲层60包括感光层60P及释放层60S。
如图5K所示，在第二牺牲层60中形成第二开孔62，以暴露出第一发光层40G位于第三子像素12B上方的一部分。参照图5L，移除第一发光层40G位于第三子像素12B上方并透过第二牺牲层60的第二开孔62露出的部分。如图5M所示，第三发光层40B形成于第二牺牲层60上方，并透过第二牺牲层60的第二开孔62形成于第三子像素12B上。利用剥除制程在移除第二牺牲层60时，同时移除第三发光层40B位于第二牺牲层60上方的一部分。第三发光层40B可用以显示第三色彩的影。在某些实施方式中，第三发光层40B可用以显示蓝色。
透过第一牺牲层50及第二牺牲层60能够部分界定出第一子像素12G及第一发光层40G的边界。第一牺牲层50不仅界定出第二子像素12R及第二发光层40R的边界，也界定了第一子像素12G及第一发光层40G的边界。此外，第二牺牲层60不仅界定出第三子像素12B及第三发光层40B的边界，也界定了第一子像素12G及第一发光层40G的边界。因此，可省略用以界定第一子像素12G或第一发光层40G的边界的额外微影制程。因此，有机发光层(即，第一发光层40G、第二发光层40R及第三发光层40B)受微影制程造成的伤害较少。再者，可大幅降低本制备方法的制造成本，且可得到高解析度的显示面板。
图5N绘示根据某些实施方式，制备电致发光装置的中间阶段。如图5N所示，可得到第一发光层40G位于第一子像素12G上、第二发光层40R位于第二子像素12R上以及第三发光层40B位于第三子像素12B上的像素结构。在某些实施方式中，形成多个发光层的顺序包括形成第一发光层40G，之后形成第二发光层40R，以及最后形成第三发光层40B，但不限于以上顺序。本揭示内容中形成多个发光层的顺序是经设计以便先形成较多稳定的发光层，其后形成较不稳定的一或多发光层，但不限于以上顺序。亦可采用其他形成发光层的适当顺序。
如图5N所示，电致发光装置还包括衬底10上的第二载子传输层15、第二载子注入层17及导电层19。形成第二载子传输层15及第二载子注入层17的方式可和上文所述形成第一载子注入层16及第一载子传输层18的方式类似。第二载子注入层17可用于电子注入或空穴注入。第二载子传输层15可用于电子传输或空穴传输。
形成于衬底10上的导电层19可包括透明导电材料或不透明导电材料。在某些实施方式中，电致发光装置可以是上发光式OLED、下发光式OLED或能够由上方与下方发光的透明OLED。举例来说，当电致发光装置为上发光式OLED时，导电层19包括可用于发光的透明或透射导电材料，且电极14包括不透明导电材料。当电致发光装置为下发光式OLED时，导电层19包括不透明导电材料，且电极14包括透明或透射导电材料。当电致发光装置为一透明发光OLED，导电层19及电极14两者都包括透明或透反射导电材料。导电层19可包括与电极14类似的导电材料。
在某些实施方式中，导电层19经设计可作为电致发光装置的阴极。导电层19可用以连接至衬底10中的驱动电路，以接受用于驱动电致发光装置的驱动信号。
如图5N所示，可形成导电层19使其连续衬接像素界定层20的表面，但不限于此。可将导电层19分为数个区段，其中每一区段与一电极14垂直对齐。可分别将」第二载子传输层15及第二载子注入层17分为数个区段，但本发明不限于此。可形成第二载子传输层15及第二载子注入层17使其连续衬接像素界定层20的表面。相似地，可基于上文叙述针对每一子像素来配置每一层，或使其与其他子像素共用，且图中所示的实施方式不应视为对本发明的限制。
本揭示内容的实施方式对于电致发光装置的制备方法带来许多优点，然这不应视为对本发明的限制。本揭示内容提供一种混合式的形成方法，用以在显示面板的电致发光装置中形成多个有机发光层(即，第一发光层40G、第二发光层40R及第三发光层40B)。本方法采用一道阴影遮罩制程以于衬底10上形成第一发光层40G。本方法亦采用了两道微影制程，第一道用以进行选择性蚀刻以暴露出像素的一部分，而另一道用以精确地形成第二发光层40R及第三发光层40B。本方法使得电致发光装置的形成制程具备选择性形成与选择性蚀刻的特性，以克服阴影遮罩制程的限制。
本揭示内容的方法结合了阴影遮罩制程以及微影制程两者的优点。由于在微影制程中运用阴影遮罩制程，有机发光层受到微影制程造成的损害较小。再者，可以大幅降低制备方法的成本。更有甚者，由于将阴影遮罩制程和微影制程结合，能够得到较高的解析度。因此，能够以具备成本效益的方式得到高解析度显示面板。
可利用其他替代性或实施方式而不致于悖离本揭示内容的精神与范围。图6A至图6G绘示根据本揭示内容某些实施方式，制备电致发光装置的方法。如图6A所示，提供第一阴影遮罩30F。在本实施方式中，第一阴影遮罩30F为精细金属遮罩，其具有复数个孔洞36及本体38。可将孔洞36排置为阵列，类似像素12的阵列。每一独立的孔洞36和其他相邻孔洞36互相分离。第一阴影遮罩30F的形状使孔洞36位于衬底10的显示区域10D上方的部分，而本体38可覆盖衬底10的显示区域10D的其他部分。换言之，孔洞36位于显示区域10D中这些像素12上方。图6A所示的第一阴影遮罩30F为中空正方边框，但不限于此。第一阴影遮罩30F可具有其他适当形状。
如图6B所示，透过第一阴影遮罩30F，在衬底上形成第一发光层40G。在形成第一发光层40G的过程中，第一阴影遮罩30F的孔洞36和第一子像素12G对齐并和第三子像素12B的一部分对齐。更有甚者，第一阴影遮罩30F的本体38和第三子像素12B的另一部份对齐并和及第二子像素12R对齐。第一发光层40G覆盖第一子像素12G及第三子像素12B的一部分。
如图6C所示，透过第二阴影遮罩30F'在衬底上形成第二发光层40R。在形成第二发光层40R的过程中，第二阴影遮罩30F'的孔洞和第二子像素12R对齐并和第三子像素12B的一部分对齐。第二阴影遮罩30F'的设计可和第一阴影遮罩30F相同。譬如，第二阴影遮罩30F'可以是一精细金属遮罩，其具有复数个孔洞36及一本体38，其结构与图6A所示的第一阴影遮罩30F相似。于某些实施方式中，第二阴影遮罩30F'可具有其他设计，且可和第一阴影遮罩30F不同。
在某些实施方式中，第二阴影遮罩30F'可以是第一阴影遮罩30F，且可藉由将第一阴影遮罩30F位移到和第一位置不同的第二位置，而于衬底上形成第二发光层40R。具体而言，在形成第一发光层40G的过程中，将第一阴影遮罩30F放置在一位置，以使得第一阴影遮罩30F的孔洞36对齐第一子像素12G以及第三子像素12B的一部分。接着，在形成第二发光层40R的过程中，将第一阴影遮罩30F移动到另一个位置，而使得第一阴影遮罩30F的孔洞36对齐第二子像素12R以及第三子像素12B的一部分。
第一发光层40G可用以显示第一色彩的影像。在某些实施方式中，第一发光层40G可用以显示绿色。第二发光层40R可用以显示第二色彩的影响。在某些实施方式中，第二发光层40R可用以显示红色。第一发光层40G及第二发光层40R可以是有机层。在某些实施方式中，可透过上文所述的物理蒸气沉积(PVD)制程来形成第一发光层40G及第二发光层40R。
图6D绘示根据某些实施方式，制备电致发光装置的中间阶段。如图6D所示，形成的像素结构为第一发光层40G覆盖第一子像素12G并覆盖第三子像素12B的一部分，且第二发光层40R覆盖第二子像素12R上方及第三子像素12B另一部份。
如图6E所示，在衬底10上形成牺牲层70。牺牲层70覆盖第一发光层40G在第一子像素12G上方以及在第三子像素12B之一部分上方的部分。在某些实施方式中，牺牲层70更覆盖第二发光层40R在第二子像素12R上方以及在第三子像素12B的另一部分上方的部分。牺牲层70的组成分可和上文所述的第一牺牲层50相同。举例来说，牺牲层70可包括一感光层70P及一释放层70S。此外，感光层70P及释放层70S的材料与功能分别和感光层50P及释放层50S相同。
参照图6F，可进行与图5C至图5E相似的操作，在牺牲层70中形成开孔72。如图6F所示，图样化牺牲层70，以形成开孔72并使第一发光层40G及第二发光层40R位于第三子像素12B上方的这些部分露出。在某些实施方式中，利用微影制程图样化感光层70P，接着图样化释放层70S。在某些实施方式中，利用各向同性蚀刻制程(譬如湿式蚀刻制程)图样化释放层70S。如图5F所示，可形成底切。
再次参照图6F，可进行与图5G类似的操作来移除第三子像素12B上的发光层。如图6F所示，移除第一发光层40G及第二发光层40R位于第三子像素12B上方且透过牺牲层70的开孔72而露出的这些部分。换言之，在移除第一发光层40G及第二发光层40R的这些部分后，形成于第三子像素12B上的下方层(如电极14、第一载子注入层16及第一载子传输层18)会露出。因此，第三子像素12B可用于接收第三发光层40B，如图6G所示。
参照图6G，可进行与图5H相似的操作来形成第三发光层40B。如图6G所示，透过牺牲层70的开孔72，在牺牲层70上方且在第三子像素12B之上形成第三发光层40B。在某些实施方式中(图中未绘示)，第三发光层40B可更覆盖开孔72的侧壁。第三发光层40B可用以显示第三色彩的影像。在某些实施方式中，第三发光层40B可用以显示蓝色。
透过牺牲层70能够部分界定出第一子像素12G及第一发光层40G的边界。牺牲层70不仅界定出第三子像素12B及第三发光层40B的边界，也同时界定了第一子像素12G及第一发光层40R的边界、以及第二子像素12R及第二发光层40R的边界。因此，可省略用以界定第一子像素12G、第一发光层40G、第二子像素12R或第二发光层40R的边界的额外微影制程。因此，有机发光层(即，第一发光层40G、第二发光层40R及第三发光层40B)受微影制程造成的伤害较少。再者，可大幅降低本制备方法的制造成本，且可得到高解析度的显示面板。
如图6A至图6G所示，本揭示内容提供一种混合式的形成方法，用以在电致发光装置中形成多个有机发光层。本方法采用两道阴影遮罩制程以于衬底10上形成第一发光层40G及第二发光层40R。本方法亦采用一道微影制程，包括进行选择性蚀刻以暴露出第三子像素12B，且还包括在第三子像素12B上精确地形成第三发光层40B。本方法使得电致发光装置的形成制程具备选择性形成与选择性蚀刻的特性，以克服阴影遮罩制程的限制。
本实施方式的方法结合了阴影遮罩制程以及微影制程两者的优点。再者，由于使用了两道阴影遮罩制程，至少省略了两道微影制程。因此能够大幅减低有机发光层在微影制程中的曝光情形。此外，可以大幅降低制备方法的成本。因此，能够以具备成本效益的方式得到高解析度显示面板。
可采用其他替代性或实施方式而不致于悖离本揭示内容的精神与范围。继续参照图3，图7A至图7L绘示根据本揭示内容某些实施方式，制备电致发光装置的方法。与上述实施方式不同的是，在本实施方式提出的电致发光装置中，不含像素界定层20。如图7A所示，在衬底10上形成第一牺牲层80。第一牺牲层80覆盖第一子像素12G、第二子像素12R及第三子像素12B。第一牺牲层80的组成分可和上述第一牺牲层50相同。举例来说，第一牺牲层80可包括一感光层80P及一释放层80S。此外，感光层80P及释放层80S的材料与功能分别和感光层50P及释放层50S相同。
第一牺牲层80可额外地或可替代地包括一阻障层80M，介于感光层80P及释放层80S间。阻障层80M的蚀刻率可和感光层80P及释放层80S不同。因此，可以进行高选择性蚀刻，且可使得下方材料(释放层80S)不会受损。在某些实施方式中，阻障层80M可以是硬式遮罩，包括金属、金属合金或其他适当材料。
如图7B至图7D所示，可利用参照图5D至图5E所述操作相似的方式来图样化第一牺牲层80。根据本揭示内容某些实施方式，可利用非各向同性蚀刻制程(譬如干式蚀刻制程)来图样化阻障层80M。非各向同性蚀刻仅会移除与表面垂直的单一方向中的材料。因此，能够精确地转移感光层80P的图样，而不会对图样化区域产生底切。亦可透过非各向同性蚀刻制程来图样化释放层80S，且可将感光层80P的图样精确地转移到释放层80S。或者是，可利用各向同性蚀刻制程(譬如湿式蚀刻制程)来图样化释放层80S，并可形成底切，类似图5F所示的底切。
如图7E所示，可透过与图5H相似的操作来形成第一发光层40G。第一发光层40G形成于第一牺牲层80上方，并透过第一牺牲层80的第一开孔82形成于第一子像素12G上。在某些实施方式中(图中未绘示)，第一发光层40G可更覆盖第一开孔82的侧壁。如图7F所示，可进行与图5I类似的操作，以移除第一牺牲层80。在某些实施方式中，利用一剥除制程在移除第一牺牲层80的同时，移除第一发光层40G位于第一牺牲层80上方的一部分。
如图7G所示，可进行与图6b类似的操作，以形成第二发光层40R。如图7G所示，透过一阴影遮罩31于衬底10上形成第二发光层40R。阴影遮罩31可和上文所述的第一阴影遮罩30F相同。在形成第二发光层40R的过程中，阴影遮罩31的孔洞33和第二子像素12R对齐并和第三子像素12B的一部分对齐。更有甚者，阴影遮罩31本体35和第三子像素12B的另一部份及第一子像素12G对齐。如此一来，第二发光层40R覆盖第二子像素12R并覆盖第三子像素12B的一部分。
图7H绘示根据某些实施方式制备电致发光装置的中间阶段。如图7H所示，所形成的像素结构为第一发光层40G位于第一子像素12G上，且第二发光层40R位于第二子像素12R上并位于第三子像素12B的一部分上。
如图7I至图7L所示，可进行与图5C至图5H类似的操作，来形成第三发光层40B。如图7I所示，在衬底10上形成第二牺牲层90。牺牲层90覆盖位于第一子像素12G上的第一发光层40G，并覆盖位于第二子像素12R上且位于第三子像素12B的一部分上的第二发光层40R。第二牺牲层90的组成分可上述第一牺牲层80相同。举例来说，第二牺牲层90可选择性地可包括一感光层90P及一释放层90S。此外，感光层90P及释放层90S的材料与功能分别和感光层80P及释放层80S相同。
可进行与图5C至图5E类似的操作，以在第二牺牲层90中形成开孔92。如图7J所示，将第二牺牲层90图样化，以形成开孔92，进而使第二发光层40R位于第三子像素12B上的一部分露出。更有甚者，可进行与图5G所示相似的操作，以移除第二发光层40R位于第三子像素12B上的部分。如图7K所示，移除第二发光层40R透过第二牺牲层90的开孔92露出的部分。
同样参照图7K，在移除第二发光层40R的上述部分后，形成于第三子像素12B上的下方层(如电极14、第一载子注入层16及第一载子传输层18)会露出。因此，第三子像素12B可用于接收第三发光层40B，如图7L所示。可进行与图5H所示相似的操作，以形成第三发光层40B。如图7L所示，第三发光层40B形成于第二牺牲层90上方，并透过第二牺牲层90的开孔92形成于第三子像素12B上。在某些实施方式中(图中未绘示)，第三发光层40B可进一步覆盖开孔92的侧壁。
透过第二牺牲层90能够部分界定出第二子像素12R及第二发光层40R的边界。第二牺牲层90不仅界定出第三子像素12B及第三发光层40B的边界，也界定了第二子像素12R及第二发光层40R的边界。因此，可省略用以界定第二子像素12R或第二发光层40R的边界的额外微影制程。因此，有机发光层(即，第一发光层40G、第二发光层40R及第三发光层40B)受微影制程造成的伤害较少。再者，可大幅降低本制备方法的制造成本，且可得到高解析度的显示面板。
如图7A至图7L所示，本揭示内容提供另一种混合式的形成方法，用以在电致发光装置中形成多个有机发光层。本方法采用两道不连续的微影制程，先在衬底10上形成第一发光层40G及第三发光层40B，之后再利用一道阴影遮罩制程以形成第二发光层40R。因此，本方法使得电致发光装置的形成制程具备选择性形成与选择性蚀刻的特性，以克服阴影遮罩制程的限制。
可运用其他替代性或实施方式而不致于悖离本揭示内容的精神与范围。在某些实施方式中，可透过喷墨打印形成第一发光层40G。第一发光层40G可覆盖第一子像素区12G、第二子像素区12R及第三子像素区12B。再者，在形成第一发光层40G之后，可利用与图5C至5N所示类似的制程来形成第二发光层40R及第三发光层40B。
本实施方式提供一种混合式的形成方法，用以在显示面板的电致发光装置中形成多个有机发光层(即，第一发光层40G、第二发光层40R及第三发光层40B)。本方法运用一喷墨打印制程，以在衬底10上形成第一发光层40G。本方法亦采用了两道微影制程，第一道用以进行选择性蚀刻以暴露出像素的一部分，而另一道用以精确地形成第二发光层40R及第三发光层40B。藉由结合微影制程法与喷墨打印法，能够降低制备制程的成本。
本揭示内容的实施方式对电致发光装置的制造方法提供了显著的改进，然这不应视为对本揭示内容的限制。本揭示内容提供了一种混合式的方法，可用以制造显示面板的电致发光装置。所述方法包括至少进行阴影遮罩制程以在衬底上方形成第一发光层。所述方法还包括一或多道微影制程，包括执行选择性蚀刻以暴露像素的一部分，然后精确地形成第二发光层。所述方法藉由选择性形成和选择性蚀刻克服了阴影遮罩制程的制程限制。此外，对发光层的损坏更少，并且制造成本也可望降低。因此，能够以符合成本效益的方式来制备高解析度的电致发光装置。
上文的叙述简要地提出了本发明某些实施例的特征，而使得本发明所属技术领域具有通常知识者能够更全面地理解本揭露的多种态样。本发明所属技术领域具有通常知识者当可明了，其可轻易地利用本揭露作为基础，来设计或更动其他制程与结构，以实现与此处所述的实施方式相同的目的和/或达到相同的优点。本发明所属技术领域具有通常知识者应当明白，这些均等的实施方式仍属于本揭露的精神与范围，且其可进行各种变更、替代与更动，而不会悖离本揭露的精神与范围。
符号说明:
10:衬底
10D:显示区域
10P:周边区域
12:像素
12G:第一子像素
12R:第二子像素
12B:第三子像素
14:电极
15:第二载子传输层
16:第一载子注入层
17:第二载子注入层
18:第一载子传输层
19:导电层
20:像素界定层
30C、30F、30F’:阴影遮罩
32、36:孔洞
34、38:本体
40G:第一发光层
40R:第二发光层
40B:第三发光层
50、60、70、80、90:牺牲层
50P、60P、70P、80P、90P:感光层
50S、60S、70S、80S、90S:释放层
52、62、72、82、92:开孔
54:凹部
56:底切
80M:阻障层

Claims (19)

1.一种制备电致发光装置的方法，其特征在于，包含：
提供衬底，其包括第一子像素区及第二子像素区，分别用以显示第一色彩的影像以及第二色彩的影像；
形成第一发光层于所述衬底上，以覆盖所述第一子像素区及所述第二子像素区的至少一部分；
形成第一牺牲层于所述衬底上，其中所述第一牺牲层覆盖所述第一发光层位于所述第一子像素区上方的一部分，且所述第一牺牲层包括第一开孔，其暴露出所述第一发光层位于所述第二子像素区上方的一部分；
移除所述第一发光层位于所述第二子像素区上方且透过所述第一牺牲层的所述第一开孔而露出的所述部分；
形成第二发光层于所述第一牺牲层上方并透过所述第一牺牲层的所述第一开孔而形成于所述第二子像素区上方；以及
利用剥除制程同时移除所述第一牺牲层以及所述第二发光层位于所述第一牺牲层上方的一部分。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底还包括第三子像素区用以显示第三色彩的影像。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一发光层是藉由喷墨打印所形成，且所述第一发光层覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区及所述第三子像素区。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一发光层是透过共用金属遮罩所形成，其中所述共用金属遮罩具有与所述第一子像素区、所述第二子像素区及所述第三子像素区对齐的孔洞，所述第一发光层覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区及所述第三子像素区，且所述第一牺牲层还覆盖所述第三子像素区。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含：
形成第二牺牲层于所述衬底上，其中所述第二牺牲层覆盖所述第一发光层位于所述第一子像素区上方的所述部分，所述第二牺牲层还覆盖位于所述第二子像素区上方的所述第二发光层，且所述第二牺牲层包括第二开孔，其暴露出所述第一发光层位于所述第三子像素区上方的一部分；
移除所述第一发光层位于所述第三子像素区上方并透过所述第二牺牲层的所述第二开孔露出的所述部分；
形成第三发光层于所述第二牺牲层上方并透过所述第二牺牲层的所述第二开孔形成于所述第三子像素区上；以及
利用剥除制程同时移除所述第二牺牲层及位于所述第二牺牲层上方的所述第三发光层的一部分。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一发光层是透过一第一精细金属遮罩所形成，其中所述第一精细金属遮罩具有与所述第一子像素区及所述第二子像素区的一部分对齐的一孔洞，且所述第一发光层覆盖所述第一子像素区及所述第二子像素区的一部分。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包含：
于形成所述第一牺牲层前，透过第二精细金属遮罩形成第三发光层于所述衬底上，以覆盖所述第三子像素区及所述第二子像素区的另一部分；以及
于形成所述第一牺牲层后，在移除所述第一发光层的同时，移除所述第三发光层位于所述第二子像素区上方且透过所述第一牺牲层的所述第一开孔露出的一部分。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包含：
于形成所述第一发光层前，形成第二牺牲层于所述衬底上，其中所述第二牺牲层覆盖所述第一子像素区及所述第二子像素区，且所述第二牺牲层包括第二开孔，其暴露出所述第三子像素区；
形成第三发光层于所述第二牺牲层上方并透过所述第二牺牲层的所述第二开孔而形成于所述第三子像素区上方；以及
利用剥除制程同时移除所述第二牺牲层及所述第三发光层位于所述第二牺牲层上方的一部分。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层包含感光层，其是经过微影制程图样化。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层还包含释放层，介于所述衬底与所述感光层间。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层还包含阻障层，介于所述感光层与所述释放层间。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包含利用干式蚀刻制程图样化所述阻障层。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包含利用干式蚀刻制程图样化所述释放层。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包含利用湿式蚀刻制程图样化所述释放层。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含于形成所述第一发光层前，形成像素界定层于所述衬底上，以区隔所述第一子像素区和所述第二子像素区。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含于形成所述第一发光层前，形成复数个电极于所述衬底上。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含于移除所述第一牺牲层后，形成导电层于所述衬底上。
18.一种制备发光装置的方法，其特征在于，包含：
提供衬底，其包括第一像素、第二像素及第三像素，用以发出不同色彩；
透过第一阴影遮罩形成第一发光层于所述衬底上，以覆盖所述第一像素及所述第三像素的至少一部分；
透过第二阴影遮罩形成第二发光层于所述衬底上，以覆盖所述第二像素及所述第三像素的至少一部分；
形成感光层于所述衬底上，其中所述感光层覆盖所述第一发光层位于所述第一像素上方的一部分以及所述第二发光层位于所述第二像素上方的一部分，且所述感光层暴露出所述第一发光层与所述第二发光层位于所述第三像素上方的部分；
移除所述第一发光层与所述第二发光层透过所述感光层露出的所述这些部分；
形成第三发光层于所述感光层上方及所述第三像素上方；以及
同时移除所述感光层及所述第三发光层位于所述感光层上方的一部分。
19.一种制造显示面板的方法，其特征在于，包含：
透过阴影遮罩形成第一发光层于衬底上，其中所述衬底包括第一像素、第二像素及第三像素；
移除所述第一发光层位于所述第二像素上方并透过第一感光层露出的一部分；
形成第二发光层于所述第一感光层上方及所述第二像素上方，且同时移除所述第一感光层及所述第二发光层位于所述第一感光层上方的一部分；
移除所述第一发光层位于所述第三像素上方并透过第二感光层露出的一部分；以及
形成第三发光层于所述第二感光层上方及所述第三像素上方，且同时移除所述第二感光层与所述第三发光层位于所述第二感光层上方的一部分。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018117699A1 (de) * 2018-07-23 2020-01-23 Océ Holding Bv Verfahren und Vorrichtung zum beidseitigen Bedrucken eines Aufzeichnungsträgers
US11398600B2 (en) * 2020-02-10 2022-07-26 Int Tech Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent device
JP2023540317A (ja) * 2020-09-04 2023-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 無機ピクセル封入バリアを有するｏｌｅｄパネルを製造する方法
WO2022137013A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器、及び表示装置の作製方法
KR20230131471A (ko) * 2021-01-14 2023-09-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법
WO2022167883A1 (ja) * 2021-02-03 2022-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US20240164175A1 (en) * 2021-04-22 2024-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and method for manufacturing display apparatus
JPWO2022238796A1 (zh) * 2021-05-10 2022-11-17
CN117296089A (zh) * 2021-05-27 2023-12-26 株式会社半导体能源研究所 显示装置及显示装置的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170194396A1 (en) * 2016-01-05 2017-07-06 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
CN107516665A (zh) * 2016-06-16 2017-12-26 三星显示有限公司 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法
CN108573996A (zh) * 2017-03-13 2018-09-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
CN108574056A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN108922988A (zh) * 2018-06-21 2018-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器的制作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100993426B1 (ko) 2008-11-10 2010-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US8493390B2 (en) 2010-12-08 2013-07-23 Sony Computer Entertainment America, Inc. Adaptive displays using gaze tracking
CN103314464B (zh) 2011-01-19 2016-05-25 夏普株式会社 被成膜基板、有机el显示装置和蒸镀方法
JP5995477B2 (ja) * 2011-04-27 2016-09-21 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR102060366B1 (ko) 2013-04-17 2019-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광층 형성장치 및 그것을 이용한 유기 발광층의 제조 방법
CN103413819B (zh) 2013-07-22 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法
KR102360093B1 (ko) * 2015-07-22 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US10534173B2 (en) 2015-08-03 2020-01-14 Facebook Technologies, Llc Display with a tunable mask for augmented reality
CN106816461A (zh) 2017-03-05 2017-06-09 成都爱可信科技有限公司 一种amoled显示器件及其制造方法
CN108807457B (zh) * 2017-04-27 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板以及制作方法、oled器件及其制作方法、显示装置
EP3410347A1 (en) * 2017-05-22 2018-12-05 HTC Corporation Eye tracking method, electronic device, and non-transitory computer readable storage medium
CN108630734B (zh) * 2018-05-11 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制备方法以及显示面板和显示装置
CN108493228B (zh) * 2018-05-23 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
US10707451B2 (en) * 2018-07-26 2020-07-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED substrate and method for manufacturing same
CN109065761B (zh) 2018-07-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled基板及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170194396A1 (en) * 2016-01-05 2017-07-06 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
CN107516665A (zh) * 2016-06-16 2017-12-26 三星显示有限公司 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法
CN108574056A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN108573996A (zh) * 2017-03-13 2018-09-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
CN108922988A (zh) * 2018-06-21 2018-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器的制作方法

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