JP2024518760A - Ｏｌｅｄデバイス用の導電性酸化物オーバーハング構造 - Google Patents

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Abstract

本明細書では、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイに利用できるサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法について説明する。オーバーハング構造はサブピクセル回路に永続的である。オーバーハング構造は導電性酸化物を含む。オーバーハング構造の第１の構成は、ベース部と上部とを含み、上部はベース部上に配置される。第１のサブ構成では、ベース部は、ＴＣＯ材料またはＴＭＯ材料のうちの少なくとも１つの導電性酸化物を含む。第２のサブ構成では、ベース部は、金属合金材料と金属酸化物表面の導電性酸化物とを含む。オーバーハング構造の第２の構成は、ベース部と上部とを含み、ベース部と上部との間に本体部が配置される。本体部は金属合金本体と金属酸化物表面とを含む。【選択図】図１Ａ

Description

本明細書に記載される実施形態は、概してディスプレイに関する。より具体的には、本明細書に記載される実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）ディスプレイなどのディスプレイに利用され得るサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法に関する。
ディスプレイデバイスを含む入力デバイスは、さまざまな電子システムで使用され得る。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、発光エレクトロルミネセンス層が電流に応答して発光する有機化合物の膜である発光ダイオード（ＬＥＤ）である。ＯＬＥＤデバイスは、発せられた光が透明または半透明の下部電極およびパネルが製造された基板を通過する場合、ボトムエミッション型デバイスとして分類される。トップエミッション型デバイスは、ＯＬＥＤデバイスから発せられる光がデバイスの製造後に追加される蓋を通って出るかどうかに基づいて分類される。ＯＬＥＤは、今日多くの電子機器技術においてディスプレイデバイスを作成するために使用されている。今日の電子機器メーカーは、ほんの数年前よりも高い解像度を提供しながら、これらのディスプレイデバイスのサイズを縮小することを推進している。
ＯＬＥＤピクセルのパターニングは現在、パネルサイズ、ピクセル解像度、基板サイズを制限する処理に基づいている。微細な金属マスクを使用するのではなく、フォトリソグラフィを使用してピクセルをパターン化する必要がある。現在、ＯＬＥＤピクセルのパターニングでは、パターニング処理後に有機材料をリフトオフする必要がある。リフトオフが行われると、有機材料により、ＯＬＥＤの性能を損なう粒子の問題が残る。したがって、当技術分野では、インチ当たりのピクセル数を増加させ、ＯＬＥＤの性能を改善するためのサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法が必要とされている。
一実施形態では、デバイスが提供される。デバイスは、基板と、基板上に配置され、デバイスのサブピクセルを規定する隣接するピクセル規定層（ＰＤＬ）構造と、導電性酸化物を含むオーバーハング構造であって、ＰＤＬ構造の上側面上に配置されたオーバーハング構造と、複数のサブピクセルと、を含む。各サブピクセルは、アノードと、アノードの上にアノードと接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、ＯＬＥＤ材料の上に配置されたカソードであって、ＰＤＬ構造の上側面上に配置された導電性酸化物オーバーハング構造が、ＯＬＥＤ材料の一部およびカソードの上に延在する、カソードと、を含む。
別の実施形態では、デバイスが提供される。デバイスは、複数のサブピクセルを含み、複数のサブピクセルの各サブピクセルは、ＰＤＬ構造上に配置されたオーバーハング構造を有する隣接するピクセル規定層（ＰＤＬ）構造によって規定され、各サブピクセルは、アノードと、アノード上に配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードとを有し、オーバーハング構造は導電性酸化物を含む。デバイスは、基板上に蒸発堆積法を使用してＯＬＥＤ材料を堆積させることであって、ＯＬＥＤ材料がアノード上に配置され、アノードと接触し、ＯＬＥＤ材料が導電性酸化物オーバーハング構造の隣接するオーバーハングによって規定されるＯＬＥＤエッジを有する、基板上に蒸発堆積法を使用してＯＬＥＤ材料を堆積させることと、蒸発堆積法を使用してカソードを堆積させることであって、ＰＤＬ構造上に配置されたオーバーハング構造が、ＯＬＥＤ材料の一部およびカソードの上に延在し、オーバーハング構造が導電性酸化物を含む、蒸発堆積法を使用してカソードを堆積させることと、を含む処理によって作られる。
別の実施形態では、方法が提供される。本方法は、隣接するピクセル規定層（ＰＤＬ）構造上にオーバーハング層スタックを配置することを含み、複数のサブピクセルの各サブピクセルは、隣接するＰＤＬ構造によって規定される。オーバーハング層スタックは、少なくともベース層と、ベース層上に配置された上層とを含む。ベース層は、透明導電酸化物（ＴＣＯ）材料、遷移金属酸化物（ＴＭＯ）材料、または金属合金材料のうちの少なくとも１つを含む。本方法は、オーバーハング層スタック上にレジスト層を配置し、レジスト層をパターニングしてレジスト層にピクセル開口部を形成することと、ピクセル開口部によって露出されたオーバーハング層スタックをエッチングして、上層に対応する上部と、ベース層に対応する少なくともベース部とを有するオーバーハング構造を形成することと、カソードがベース部の少なくとも一部と接触するように、蒸発堆積を使用して有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料およびカソードを堆積させることと、を含む。
本開示の上記の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明は、その一部が添付の図面に示されている実施形態を参照することによって得ることができる。ただし、添付の図面は例示的な実施形態のみを示しており、したがってその範囲を限定するものとみなされるべきではなく、他の同様に効果的な実施形態も認め得ることに留意されたい。
実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路の概略上面断面図である。 実施形態によるオーバーハング構造の概略断面図である。 実施形態によるオーバーハング構造の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法のフロー図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。 実施形態によるサブピクセル回路を形成するための方法中の基板の一部の概略断面図である。
理解を容易にするために、可能であれば、各図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が使用されている。一実施形態で開示された要素は、特に言及することなく他の実施形態でも有益に利用できることが企図される。
本明細書に記載される実施形態は、概してディスプレイに関する。より具体的には、本明細書に記載される実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのディスプレイに利用され得るサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法に関する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、ディスプレイはボトムエミッション（ＢＥ）型またはトップエミッション（ＴＥ）型のＯＬＥＤディスプレイである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態では、ディスプレイはパッシブマトリクス（ＰＭ）またはアクティブマトリクス（ＡＭ）ＯＬＥＤディスプレイである。
本明細書で説明される実施形態の第１の例示的な実施形態は、ドット型アーキテクチャを有するサブピクセル回路を含む。本明細書で説明される実施形態の第２の例示的な実施形態は、ライン型アーキテクチャを有するサブピクセル回路を含む。本明細書で説明される実施形態の第３の例示的な実施形態は、それぞれのサブピクセルの封入層上に配置されたプラグを備えたドット型アーキテクチャを有するサブピクセル回路を含む。本明細書で説明される実施形態の第４の例示的な実施形態は、それぞれのサブピクセルの封入層上に配置されたプラグを備えたライン型アーキテクチャを有するサブピクセル回路を含む。
本明細書で説明されるサブピクセル回路の各実施形態は、複数のサブピクセルを含み、各サブピクセルは、サブピクセル回路に永続的な隣接するオーバーハング構造によって規定される。オーバーハング構造には導電性酸化物が含まれている。これらの図は、各サブピクセルが隣接するオーバーハング構造によって規定された２つのサブピクセルを示しているが、本明細書で説明される実施形態のサブピクセル回路は、２つ以上のサブピクセルなどの複数のサブピクセルを含む。各サブピクセルには、通電時に白、赤、緑、青、またはその他の色の光を発するように構成されたＯＬＥＤ材料が含まれている。例えば、第１のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電時に赤色の光を発し、第２のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電時に緑色の光を発し、第３のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電時に青色の光を発する。
オーバーハング構造はサブピクセル回路に永続的である。オーバーハング構造には導電性酸化物が含まれている。オーバーハング構造の第１の構成は、ベース部と上部とを含み、上部はベース部上に配置される。第１のサブ構成では、ベース部は、透明導電酸化物（ＴＣＯ）材料または遷移金属酸化物（ＴＭＯ）材料のうちの少なくとも１つの導電性酸化物を含む。ＴＣＯ材料には、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、またはそれらの組み合わせのうちの１つまたは複数が含まれるが、これらに限定されない。ＴＭＯ材料には遷移金属が含まれている。遷移金属は、その原子が部分的にファイルされたｄサブシェルを持つか、または不完全なｄサブシェルを持つカチオンを生成する可能性のある元素である。遷移金属の例には、ルテニウム（Ｒｕ）、バナジウム（Ｖ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはそれらの組み合わせの酸化物のうちの１つまたは複数が含まれるが、これらに限定されない。第２のサブ構成では、ベース部は、金属合金材料と金属酸化物表面の導電性酸化物とを含む。金属合金材料には、銅（Ｃｕ）、Ｔｉ、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、またはそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。金属酸化物表面には、金属合金材料の１つまたは複数の酸化物が含まれている。
オーバーハング構造の第２の構成は、ベース部と上部とを含み、本体部がベース部と上部との間に配置される。ベース部は、ＴＣＯ材料またはＴＭＯ材料のうちの少なくとも１つの導電性酸化物を含む。本体部は金属合金本体と金属酸化物表面とを含む。金属合金本体は金属合金材料を含む。上部は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない金属材料を含む。
ディスプレイのサブピクセル回路の各サブピクセルを規定する隣接するオーバーハング構造は、蒸発堆積を使用してサブピクセル回路を形成し、サブピクセル回路が形成された後もオーバーハング構造が所定の位置に残るようにする。蒸発堆積は、ＯＬＥＤ材料（正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、および電子輸送層（ＥＴＬ）を含む）およびカソードの堆積に利用できる。封入層、プラグ、およびグローバル封入層のうちの１つまたは複数は、蒸発堆積によって配置され得る。オーバーハング構造は、ＯＬＥＤ材料の一部およびサブピクセルのカソードの上に延在する。オーバーハング構造は、ＯＬＥＤ材料がオーバーハング構造に接触せず、カソードがオーバーハング構造のベース部の側壁の少なくとも一部に接触するように、ＯＬＥＤ材料とカソードのそれぞれに対して堆積角度を規定する、つまり、蒸発堆積中に影効果を提供する。
それぞれのサブピクセルの封入層は、封入層とともにカソードの上に配置される。封入層は、ローカル封入層であってもよく、またはローカル封入層に対応してもよい。封入層は、隣接するオーバーハング構造のそれぞれの少なくとも一部の下に延在してもよい。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態では、封入層は、隣接するオーバーハング構造のそれぞれの側壁に沿ってさらに延在してもよい。封入層は、オーバーハング構造の上部の上側面の上に配置されてもよい。グローバル封入層は、封入層上に配置されてもよい。第３および第４の例示的な実施形態のプラグは、封入層とグローバル封入層との間に配置されてもよい。一例では、グローバル封入層は、カソードおよびオーバーハング構造に対して共形である。別の例では、グローバル封入層がカソードおよびオーバーハング構造に対して非共形である。グローバル封入層は、インクジェットサブ層とグローバル封入サブ層とを含んでもよい。
図１Ａおよび図１Ｂは、サブピクセル回路１００の概略断面図である。図１Ａのサブピクセル回路１００は、オーバーハング構造１１０の第１の構成１０１Ａを含む。オーバーハング構造１１０は導電性酸化物を含む。オーバーハング構造１１０の第１の構成１０１Ａは、ベース部１１０Ａおよび上部１１０Ｂを含み、上部１１０Ｂはベース部１１０Ａ上に配置される。図１Ｂのサブピクセル回路１００は、オーバーハング構造の第２の構成１０１Ｂを含む。オーバーハング構造１１０の第２の構成１０１Ｂは、ベース部１１０Ａおよび上部１１０Ｂを含み、ベース部と上部との間に本体部１１０Ｃが配置される。
サブピクセル回路１００は基板１０２を含む。金属層１０４は、基板１０２上にパターン形成することができ、基板１０２上に配置された隣接するピクセル規定層（ＰＤＬ）構造１２６によって規定される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、金属層１０４は基板１０２上に事前にパターン化されている。例えば、基板１０２は、予めパターン化された酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）ガラス基板である。金属層１０４は、それぞれのサブピクセルのアノードを動作させるように構成される。金属層１０４には、クロム、チタン、金、銀、銅、アルミニウム、ＩＴＯ、またはそれらの組み合わせ、または他の適切な導電性材料が含まれるが、これらに限定されない。
ＰＤＬ構造１２６は基板１０２上に配置される。ＰＤＬ構造１２６は、有機材料、その上に無機コーティングが配置された有機材料、または無機材料のうちの１つを含む。ＰＤＬ構造１２６の有機材料には、ポリイミドが含まれるが、これに限定されない。ＰＤＬ構造１２６の無機材料には、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、またはそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。隣接するＰＤＬ構造１２６は、それぞれのサブピクセルを規定し、サブピクセル回路１００のそれぞれのサブピクセルのアノード（すなわち、金属層１０４）を露出させる。
サブピクセル回路１００は、少なくとも第１のサブピクセル１０８ａと第２のサブピクセル１０８ｂとを含む複数のサブピクセル１０６を有する。図は第１のサブピクセル１０８ａと第２のサブピクセル１０８ｂを示しているが、本明細書で説明される実施形態のサブピクセル回路１００は、第３および第４のサブピクセルなど、２つ以上のサブピクセル１０６を含んでいてもよい。各サブピクセル１０６は、通電時に白、赤、緑、青、または他の色の光を発するように構成されたＯＬＥＤ材料１１２を有する。例えば、第１のサブピクセル１０８ａのＯＬＥＤ材料１１２は、通電時に赤色の光を発し、第２のサブピクセル１０８ｂのＯＬＥＤ材料は、通電時に緑色の光を発し、第３のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電時に青色の光を発し、第４のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電時に他の色の光を発する。
オーバーハング構造１１０は、各ＰＤＬ構造１２６の上側面１０３上に配置される。オーバーハング構造１１０はサブピクセル回路に永続的である。したがって、ＯＬＥＤの性能を損なう、リフトオフがなされたオーバーハング構造からの有機材料が取り残されることはない。リフト－オフ手順の必要性がなくなることでスループットも向上する。オーバーハング構造１１０は、サブピクセル回路１００の各サブピクセル１０６をさらに規定する。オーバーハング構造１１０は、少なくとも（例えば、第１の構成１０１Ａ）ＰＤＬ構造１２６のそれぞれの上側面１０３上に配置されたベース部１１０Ａと、ベース部１１０Ａの上に配置された上部１１０Ｂとを含む。上部１１０Ｂの少なくとも下側面１０７は、ベース部１１０Ａの上面１０５より幅が広く、オーバーハング１０９を形成している。オーバーハング構造１１０の第２の構成１０１Ｂの本体部１１０Ｃは、ベース部１１０Ａの上面１０５以下の幅を有する底面１１７を含み、上面１１９は、上部１１０Ｂの下側面１０７よりも狭い幅を有する。
オーバーハング１０９を形成するベース部１１０Ａの上面１０５よりも大きい上部１１０Ｂの下側面１０７により、上部１１０Ｂがベース部１１０Ａの影となることが可能になる。オーバーハング１０９の影により、ＯＬＥＤ材料１１２およびカソード１１４のそれぞれが蒸発堆積される。図２Ａおよび図２Ｂの対応する説明でさらに説明するように、オーバーハング構造１１０の影効果は、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θＯＬＥＤ（図２Ａおよび図２Ｂに示す）およびカソード１１４のカソード角度θｃａｔｈｏｄｅ（図２Ａおよび図２Ｂに示す）を規定する。ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θＯＬＥＤおよびカソード１１４のカソード角度θｃａｔｈｏｄｅは、ＯＬＥＤ材料１１２およびカソード１１４の蒸発堆積から生じ得る。
図１Ａに示すように、オーバーハング構造１１０の第１の構成１０１Ａの第１のサブ構成１２５Ａでは、ベース部１１０Ａは、ＴＣＯ材料またはＴＭＯ材料のうちの少なくとも１つの導電性酸化物を含む。ＴＣＯ材料は、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＴＯ、またはそれらの組み合わせのうちの１つまたは複数を含むが、これらに限定されない。ＴＭＯ材料は遷移金属を含む。遷移金属は、その原子が部分的にファイルされたｄサブシェルを持つか、または不完全なｄサブシェルを持つカチオンを生成する可能性のある元素である。ＴＭＯ材料の例としては、Ｒｕ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｏ、またはそれらの組み合わせの酸化物のうちの１つまたは複数が挙げられるが、これらに限定されない。図２Ｂに示すように、オーバーハング構造１１０の第１の構成１０１Ａの第２のサブ構成１２５Ｂでは、ベース部１１０Ａは、金属合金材料および金属酸化物表面１３０の導電性酸化物を含む。金属合金材料は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｓｎ、またはそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。金属酸化物表面１３０は、金属合金材料の１つまたは複数の酸化物を含む。オーバーハング構造１１０の第２の構成１０１Ｂ、本体部１１０Ｃは、金属酸化物表面１３０を有する金属合金本体１２８を含む。金属合金本体１２８は、金属合金材料を含む。上部１１０Ｂは、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない金属材料を含む。
ＯＬＥＤ材料１１２は、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、およびＥＴＬのうちの１つまたは複数を含み得る。ＯＬＥＤ材料１１２は金属層１０４上に配置される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、ＯＬＥＤ材料１１２は、金属層１０４上およびＰＤＬ構造１２６の一部の上に配置される。カソード１１４は、各サブピクセル１０６内のＰＤＬ構造１２６のＯＬＥＤ材料１１２の上に配置される。カソード１１４は、ベース部１１０Ａの側壁１１１の一部に配置される。カソード１１４は、金属などの導電性材料を含む。例えば、カソード１１４には、クロム、Ｔｉ、Ａｌ、ＩＴＯ、またはそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されない。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、図１Ｂに示すいくつかの実施形態では、ＯＬＥＤ材料１１２またはカソード１１４のうちの少なくとも１つが、オーバーハング構造１１０の上部１１０Ｂの上側面１１５上に配置される。
ＴＣＯ材料またはＴＭＯ材料のうちの少なくとも１つを含むベース部１１０Ａは、ベース部１１０Ａが酸素含有プラズマに曝露され、導電性を維持することを可能にする。オーバーハング構造１１０を酸素含有プラズマに曝露すること、すなわちオーバーハング構造１１０を酸化することにより、ＯＬＥＤ材料１１２の堆積前にサブピクセル回路１００上に残る可能性のある表面単層などの有機不純物が除去される。ＴＣＯ材料、ＴＭＯ材料、またはベース部１１０Ａの金属酸化物表面１３０を有する金属合金材料により、オーバーハング構造１１０が導電性を維持できるようになる。導電性ベース部１１０Ａは、カソード１１４への永久的な接続を保証する。
各サブピクセル１０６は封入層１１６を含む。封入層１１６は、ローカル封入層であってもよいし、ローカル封入層に対応してもよい。それぞれのサブピクセルの封入層１１６は、カソード１１４（およびＯＬＥＤ材料１１２）の上に配置され、封入層１１６は、各オーバーハング構造１１０の少なくとも一部の下に延在する。図１Ｂに示すように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、封入層１１６は、オーバーハング構造１１０のそれぞれの側壁に沿って延在する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる図１Ｂに示す他の実施形態では、封入層１１６は側壁に沿って延在し、各オーバーハング構造１１０の上部１１０Ｂの上側面１１５の上またはその上に配置される。封入層１１６はカソード１１４の上に配置される。封入層１１６は、シリコン含有材料などの非導電性無機材料を含む。シリコン含有材料は、Ｓｉ３Ｎ４含有材料を含んでもよい。
１つまたは複数のキャッピング層を含む実施形態では、キャッピング層はカソード１１４と封入層１１６との間に配置される。例えば、図１Ａに示すように、第１のキャッピング層１２１および第２のキャッピング層１２３は、カソード１１４と封入層１１６との間に配置される。図１Ａは、１つまたは複数のキャッピング層を有するサブピクセル回路１００を示しているが、本明細書で説明される各実施形態は、カソード１１４と封入層１１６との間に配置された１つまたは複数のキャッピング層を含み得る。第１のキャッピング層１２１は有機物質を含んでいてもよい。第２のキャッピング層１２３は、フッ化リチウムなどの無機材料を含んでもよい。第１のキャッピング層１２１および第２のキャッピング層１２３は、蒸発堆積法により堆積されてもよい。
グローバル封入層１２０は、封入層１１６上に配置され得る。第３および第４の例示的な実施形態のプラグ１２２（第２のサブピクセル１０８ｂによって示される）は、封入層１１６とグローバル封入層１２０との間に配置され得る。一例では、図１Ａに示すように、グローバル封入層はカソード１１４およびオーバーハング構造１１０に対して共形である。別の例では、図１Ｂに示すように、グローバル封入層１２０は、カソード１１４およびオーバーハング構造１１０に対して非共形である。グローバル封入層は、インクジェットサブ層１１８ａおよびグローバル封入サブ層１１８ｂを含んでいてもよい。インクジェットサブ層１１８ａは、アクリル材料を含んでもよい。
第３および第４の例示的な実施形態（図１Ａおよび図１Ｂの第２のサブピクセルによって示される）は、封入層１１６上に配置されたプラグ１２２を含む。各プラグ１２２は、サブピクセル回路１００のそれぞれのサブピクセル１０６内に配置される。プラグ１２２は、オーバーハング構造１１０の上部１１０Ｂの上側面１１５の上に配置され得る。プラグ１２２は、フォトレジスト、カラーフィルタ、または感光性モノマーを含むが、これらに限定されない。プラグ１２２は、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ透過率と一致する、または実質的に一致するプラグ透過率を有する。プラグ１２２はそれぞれ同じ材料であってもよく、ＯＬＥＤ透過率と一致してもよい。プラグ１２２は、複数のサブピクセル１０６のそれぞれのサブピクセルのＯＬＥＤ透過率に一致する異なる材料であってもよい。レジスト透過率とＯＬＥＤ透過率が一致または実質的に一致することにより、ＯＬＥＤ材料１１２からの放射光を遮断することなく、プラグ１２２がサブピクセル１０６上に留まることが可能になる。プラグ１２２は所定の位置に留まることができるため、サブピクセル回路１００から取り外すためにリフトオフ手順を必要としない。プラグ１２２が残るため、その後の動作で形成されたサブピクセル１０６上に配置される追加のパターンレジスト材料は必要ない。プラグ１２２上のリフト－オフ手順の必要性およびサブピクセル回路１００上の追加のパターンレジスト材料の必要性を排除することにより、スループットが向上する。
図１Ｃは、ドット型アーキテクチャ１０１Ｃを有するサブピクセル回路１００の概略上面断面図である。ドット型アーキテクチャ１０１Ｃは、サブピクセル回路１００の第１または第３の例示的な実施形態に対応することができる。図１Ｄは、ライン型アーキテクチャ１０１Ｄを有するサブピクセル回路１００の概略断面図である。ライン型アーキテクチャ１０１Ｄは、サブピクセル回路１００の第２または第４の例示的な実施形態に対応することができる。図１Ｃおよび図１Ｄのそれぞれの上面断面図は、図１Ａおよび図１Ｂの断面線１’－１’に沿って切り取ったものである。
ドット型アーキテクチャ１０１Ｃは、複数のピクセル開口部１２４Ａを含む。ピクセル開口部１２４Ａのそれぞれは、ドット型アーキテクチャ１０１Ｃのサブピクセル１０６のそれぞれを規定するオーバーハング構造１１０によって囲まれている。ライン型アーキテクチャ１０１Ｄは、複数のピクセル開口部１２４Ｂを含む。ピクセル開口部１２４Ｂのそれぞれは、ライン型アーキテクチャ１０１Ｄのサブピクセル１０６のそれぞれを規定するオーバーハング構造１１０に隣接している。オーバーハング構造１１０は導電性酸化物を含む。
図２Ａおよび図２Ｂは、図１Ａおよび図１Ｂのサブピクセル回路１００のオーバーハング構造１１０の概略断面図である。図２Ａのオーバーハング構造１１０は、第１の構成１０１Ａの第２のサブ構成１２５Ｂを含む。第２のサブ構成１２５Ａのオーバーハング構造１１０のベース部１１０Ａは、金属合金材料および金属酸化物表面１３０の導電性酸化物を含む。カソード１１４は金属酸化物表面１３０と接触する。図２Ｂのオーバーハング構造１１０は、第２の構成１０１Ｂを含む。図２Ｂに示すように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、本体部１１０Ｃは、第１の金属合金層２０７、第２の金属合金層２０９、および第３の金属合金層２１１などの２つ以上の金属合金層を含む。第１の金属合金層２０７、第２の金属合金層２０９、および第３の金属合金層２１１のそれぞれは、限定されないが、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｓｎ、またはそれらの組み合わせを含む金属合金材料を含む。実施形態では、第１の金属合金層と第３の金属合金層２１１とは同じ金属合金材料であってもよい。一例では、第１の金属合金層および第３の金属合金層２１１はＭｏを含み、第２の金属合金層２０９はＴｉを含む。
上部１１０Ｂは、下側エッジ２０６およびオーバーハングベクトル２０８を含む。下側エッジ２０６は、オーバーハング構造１１０がＯＬＥＤ材料１１２の一部およびカソード１１４の上に延在するように、ベース部１１０Ａの側壁１１１を越えて延在する。オーバーハング１０９の影により、ＯＬＥＤ材料１１２およびカソード１１４のそれぞれ、およびいくつかの実施形態では、第１のキャッピング層１２１および／または第２のキャッピング層１２３が蒸発堆積される。各オーバーハング構造１１０は、オーバーハング幅２０３とオーバーハング深さ２０５によって規定されるオーバーハング１０９を含む。オーバーハング幅２０３は、ベース部１１０Ａの側壁１１１からオーバーハング構造１１０の上部１１０Ｂの下側エッジ２０６、すなわち外エッジまでである。オーバーハング深さ２０５は、ＰＤＬ１２６から下側エッジ２０６までである。
オーバーハングベクトル２０８は、下側エッジ２０６およびＰＤＬ構造１２６によって規定される。ＯＬＥＤ材料１１２は、アノード上およびＰＤＬ構造１２６の影部分２１０上に配置される。ＯＬＥＤ材料１１２は、ＯＬＥＤベクトル２１２とオーバーハングベクトル２０８との間にＯＬＥＤ角度θＯＬＥＤを形成する。ＯＬＥＤベクトル２１２は、上部１１０Ｂの下に延在するＯＬＥＤエッジ２１４によって規定される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、ＯＬＥＤ材料１１２のＨＩＬ２０４が含まれる。ＨＩＬ２０４を含む実施形態では、ＯＬＥＤ材料１１２は、ＨＴＬ、ＥＭＬ、およびＥＴＬを含む。ＨＩＬ２０４は、ＨＩＬベクトル２１６とオーバーハングベクトル２０８との間にＨＩＬ角度θＨＩＬを形成する。ＨＩＬベクトル２１６は、上部１１０Ｂの下に延在するＨＩＬエッジ２１８によって規定される。
カソード１１４は、ＯＬＥＤ材料１１２上およびＰＤＬ構造１２６の影部分２１０の上に配置される。カソード１１４は、ベース部１１０Ａの側壁１１１の一部に配置されている。カソード１１４は、カソードベクトル２２４とオーバーハングベクトル２０８との間にカソード角θｃａｔｈｏｄｅを形成する。カソードベクトル２２４は、少なくとも上部１１０Ｂの下に延在するカソードエッジ２２６によって規定される。封入層１１６はカソード１１４（およびＯＬＥＤ材料１１２）の上に配置され、封入層１１６は少なくとも上部１１０Ｂの下に延在する。
ＯＬＥＤ材料１１２の蒸発堆積中、上部１１０Ｂの下側エッジ２０６は、ＯＬＥＤエッジ２１４の位置を規定する。例えば、ＯＬＥＤ材料１１２は、ＯＬＥＤベクトル２１２に対応するＯＬＥＤ最大角度で蒸発され、下側エッジ２０６により、ＯＬＥＤ材料１１２がＯＬＥＤエッジ２１４を越えて堆積されないことが保証される。ＨＩＬ２０４を備えた実施形態では、上部１１０Ｂの下側エッジ２０６がＨＩＬエッジ２１８の位置を規定する。例えば、ＨＩＬ２０４は、ＨＩＬベクトル２１６に対応するＨＩＬ最大角度で蒸発され、下側エッジ２０６により、ＨＩＬ２０４がＨＩＬエッジ２１８を越えて堆積されないことが保証される。カソード１１４の蒸発堆積中に、上部１１０Ｂの下側エッジ２０６がカソードエッジ２２６の位置を規定する。例えば、カソード１１４は、カソードベクトル２２４に対応するカソード最大角度で蒸発され、下側エッジ２０６により、カソード１１４がカソードエッジ２２６を越えて堆積されないことが保証される。ＯＬＥＤ角度θＯＬＥＤはカソード角度θｃａｔｈｏｄｅより小さい。ＨＩＬ角度θＨＩＬはＯＬＥＤ角度θＯＬＥＤより小さい。
図３は、サブピクセル回路１００を形成するための方法３００のフロー図である。図４Ａ～図４Ｈは、本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路１００を形成するための方法３００中の基板１０２の部分４００の概略断面図である。図４Ａ、図４Ｃ、図４Ｅ、および図４Ｇは、第１の構成１０１Ａのオーバーハング構造１１０を有するサブピクセル回路１００を形成するための方法３００の実施形態を示す。図４Ｂ、図４Ｄ、図４Ｆ、および図４Ｈは、第２の構成１０１Ｂのオーバーハング構造１１０を有するサブピクセル回路１００を形成するための方法３００の実施形態を示す。方法３００は、第１、第２、第３、または第４の例示的な実施形態のうちの１つのサブピクセル回路１００を製造するために利用され得る。部分４００は、サブピクセル回路１００の第１のサブピクセル１０８ａなどのサブピクセル１０６に対応する。
動作３０１では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、オーバーハング層スタック４０２が基板１０２上に配置される。第１の構成１０１Ａの実施形態では、図４Ａに示すように、オーバーハング層スタック４０２は、ベース部１１０Ａに対応するベース層４０２Ａと、上部１１０Ｂに対応する上層４０２Ｂとを含む。第２の構成１０１Ｂの実施形態では、図４Ｂに示すように、オーバーハング層スタック４０２は、ベース層４０２Ａ、本体部１１０Ｃに対応する本体層４０２Ｃ、および上層４０２Ｂを含む。ベース層４０２Ａは、ＰＤＬ構造１２６および金属層１０４の上に配置される。ベース層４０２Ａは、第１のサブ構成１２５ＡのＴＣＯ材料またはＴＭＯ材料、または第２のサブ構成１２５Ｂの金属合金材料のうちの少なくとも１つを含む。本体層４０２Ｃは、金属合金材料を含む。上層４０２Ｂは金属材料を含む。
動作３０２では、図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、レジスト４０４が配置され、パターン化される。レジスト４０４は上層４０２Ｂ上に配置される。レジスト４０４はポジ型レジストまたはネガ型レジストである。レジスト４０４の化学組成は、レジストがポジ型レジストであるかネガ型レジストであるかを決定する。レジスト４０４は、サブピクセル１０６のドット型アーキテクチャ１０１Ｃのピクセル開口部１２４Ａまたはライン型アーキテクチャ１０１Ｄのピクセル開口部１２４Ｂのうちの１つを形成するようにパターン化される。パターニングは、フォトリソグラフィ、デジタルリソグラフィ処理、またはレーザーアブレーション処理のいずれかである。
動作３０３では、図４Ｅおよび図４Ｆに示すように、オーバーハング層スタック４０２の一部がエッチングされる。ピクセル開口部１２４Ａ、１２４Ｂによって露出された上層４０２Ｂおよびベース層４０２Ａ（および第２の構成１０１Ｂの本体層４０２Ｃ）の部分は、エッチング処理によって除去される。動作３０３は、サブピクセル１０６のオーバーハング構造１１０を形成する。第１の構成１０１Ａのオーバーハング構造１１０を形成するためのエッチング処理は、上層のエッチング化学物質とベース層のエッチング化学物質を利用する。第２の構成１０１Ｂのオーバーハング構造１１０を形成するためのエッチング処理は、上層のエッチング化学物質、本体層のエッチング化学物質、およびベース層のエッチング化学物質を利用する。上層のエッチング化学物質は乾式エッチング化学物質を含む。本体層のエッチング化学物質とベース層は湿式エッチング化学物質を含む。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、本体層のエッチング化学物質とベース層は同じ湿式エッチング化学物質を含む。湿式エッチングの化学物質は、硫酸、硝酸、酢酸、またはそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。
第１の構成１０１Ａの実施形態では、オーバーハング構造１１０のベース部１１０Ａおよび上部１１０Ｂを形成するために、上層のエッチング化学物質、例えば乾式エッチング化学物質、およびベース層のエッチング化学物質は、上層４０２Ｂおよびベース層４０２Ａの組成に基づいて選択される。上層４０２Ｂおよびベース層４０２Ａの材料間のエッチング選択性と、上層４０２Ｂおよびベース層４０２Ａの露出部分を除去するためのエッチング処理とにより、オーバーハング１０９を形成するために、ベース部１１０Ａの上面１０５よりも広い上部１１０Ｂの下側面１０７が提供される。
第２の構成１０１Ｂの実施形態では、オーバーハング構造１１０のベース部１１０Ａ、本体部１１０Ｃ、および上部１１０Ｂを形成するために、上層エッチング化学物質、例えば乾式エッチング化学物質、ならびに本体層エッチング化学物質およびベース層エッチング化学物質は、上層４０２Ｂ、本体層４０２Ｃ、およびベース層４０２Ａの組成に基づいて選択される。上層４０２Ｂ、本体層４０２Ｃ、およびベース層４０２Ａの材料間のエッチング選択性、ならびに上層４０２Ｂおよびベース層４０２Ａの露出部分を除去するためのエッチング処理により、オーバーハング１０９を形成するために、ベース部１１０Ａの上面１０５よりも広い上部１１０Ｂの下側面１０７が提供される。湿式エッチング化学物質により、本体層４０２Ｃの部分がベース層４０２Ａよりも速くエッチングされる。オーバーハング１０９の影により、ＯＬＥＤ材料１１２およびカソード１１４が蒸発堆積される。動作３０３の後、レジスト４０４が除去される。
ベース層４０２ＡのＴＣＯ材料および／またはＴＭＯ材料により、ＴＣＯ材料および／またはＴＭＯ材料が本体層４０２Ｃの金属合金材料よりも低い速度でエッチングされるため、本体層４０２Ｃおよびベース層４０２Ａを同時にエッチングすることが可能になる。ベース層４０２Ａはまた、上層４０２Ｂ、およびいくつかの実施形態では、本体層４０２Ｃがエッチングされるとき、上層のエッチング化学物質および本体層のエッチング化学物質が使用された後にベース層４０２Ａの薄層が残る可能性があるため、金属層１０４をエッチング液への曝露から保護する。ベース層のエッチング化学物質を使用して、ベース層４０２Ａから残っている薄い保護層をエッチングすることができる。少なくとも、ベース層４０２ＡのＴＣＯ材料および／またはＴＭＯ材料、上層４０２Ｂの金属材料（いくつかの実施形態では、本体層４０２Ｃの金属合金材料）、およびエッチング処理の化学物質の選択により、均一なオーバーハング深さ２０５を有するオーバーハング構造１１０の形成が提供される。サブピクセル回路１００のオーバーハング構造１１０は、約０．５μｍ（マイクロメートル）～約１μｍのオーバーハング幅２０３を含む。オーバーハング構造１１０の各オーバーハング幅２０３は、互いの約１５パーセント以内である。
動作３０４では、オーバーハング構造１１０が酸化される。オーバーハング構造１１０は、Ｏ２プラズマなどの酸素含有プラズマに曝露されることによって酸化される。第１の構成１０１Ａの第２のサブ構成１２５Ｂでは、図２Ａおよび図４Ｇに示すように、ベース部１１０Ａを酸素含有プラズマに曝露することにより、金属合金材料上に金属酸化物表面１３０が形成される。第２の構成１０１Ｂの実施形態では、図１Ｂ、図２Ｂ、および図４Ｈに示すように、本体部１１０Ｃを酸素含有プラズマに曝露することにより、動作３０３で形成された金属合金本体１２８上に金属酸化物表面１３０が形成される。オーバーハング構造１１０を酸素含有プラズマに曝露すること、すなわちオーバーハング構造１１０を酸化することにより、ＯＬＥＤ材料１１２の堆積前にサブピクセル回路１００上に残る可能性のある表面単層などの有機不純物が除去される。
動作３０５では、図４Ｇおよび図４Ｈに示すように、ＯＬＥＤ材料１１２、カソード１１４、および封入層１１６が堆積される。オーバーハング１０９の影により、ＯＬＥＤ材料１１２およびカソード１１４のそれぞれが蒸発堆積される。図２Ａおよび図２Ｂの対応する説明でさらに説明するように、オーバーハング構造１１０の影効果は、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θＯＬＥＤおよび（カソード１１４の）カソード角度θｃａｔｈｏｄｅを規定する。ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θＯＬＥＤおよびカソード１１４のカソード角度θｃａｔｈｏｄｅは、ＯＬＥＤ材料１１２およびカソード１１４の蒸発堆積から生じる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、第１のキャッピング層１２１および第２のキャッピング層１２３などの１つまたは複数のキャッピング層が、カソード１１４と封入層１１６との間に配置される。動作３０６で、グローバル封入層１２０が配置される。いくつかの実施形態では、図４Ｇに示すように、プラグ１２２は、封入層１１６とグローバル封入層１２０との間に配置される。グローバル封入層１２０は、インクジェットサブ層１１８ａおよびグローバル封入サブ層１１８ｂを含んでいてもよい。
要約すると、本明細書で説明されるのは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのディスプレイに利用され得るサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法に関する。ディスプレイのサブピクセル回路の各サブピクセルを規定する隣接するオーバーハング構造は、蒸発堆積を使用してサブピクセル回路を形成し、サブピクセル回路が形成された後もオーバーハング構造が所定の位置に残るようにする。蒸発堆積は、ＯＬＥＤ材料とカソードの堆積に利用され得る。オーバーハング構造は堆積角度を規定する、つまり、蒸発堆積中に影効果を提供する。ＴＣＯ材料、ＴＭＯ材料、または金属酸化物表面を有する金属合金材料のうちの少なくとも１つを含むベース部により、ベース部が酸素含有プラズマに曝露され、導電性を維持することが可能になる。オーバーハング構造を酸素含有プラズマに曝露すること、すなわちオーバーハング構造を酸化することにより、ＯＬＥＤ材料の堆積前にサブピクセル回路１００上に残る可能性のある表面単層などの有機不純物が除去される。ＴＣＯ材料、ＴＭＯ材料、または金属酸化物表面を有する金属合金材料により、オーバーハング構造が導電性を維持し、ベース部とカソードが永久的に接続されることが保証される。
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のさらなる実施形態は、その基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (30)

  1. デバイスであって、
    基板と、
    前記基板上に配置された隣接するピクセル規定層（ＰＤＬ）構造と、
    前記ＰＤＬ構造の上側面上に配置されたオーバーハング構造と、
    複数のサブピクセルであって、各サブピクセルが、互いに隣接する第１のオーバーハング構造および第２のオーバーハング構造によって規定され、各サブピクセルが、
    前記第１のオーバーハング構造および前記第２のオーバーハング構造であって、
    前記ＰＤＬ構造のうちのＰＤＬ構造の前記上側面上に配置されたベース部であって、第１の組成の第１の金属を含む、ベース部と、
    前記ベース部上に配置された本体部であって、前記第１の組成とは異なる第２の組成の第２の金属を含み、前記本体部の底面が前記ベース部の上面以下の幅を有する、本体部と、
    前記本体部上に配置され、前記第１の組成および前記第２の組成とは異なる第３の組成の第３の金属を含む上部であって、前記第１のオーバーハング構造の前記上部の第１の延長部が前記ベース部および前記本体部の第１の側壁を越えて横方向に延在し、前記第２のオーバーハング構造の前記上部の第２の延長部が、前記ベース部および前記本体部の第２の側壁を越えて横方向に延在する、上部と、
    を有する、前記第１のオーバーハング構造および前記第２のオーバーハング構造と、
    アノードと、
    前記アノードの上に、前記アノードと接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
    前記ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードであって、前記カソードが、前記第１のオーバーハング構造の前記上部の前記第１の延長部および前記第２のオーバーハング構造の前記上部の前記第２の延長部の下に延在し、前記カソードが、前記第１のオーバーハング構造の前記ベース部の少なくとも第１の側壁と接触する、カソードと、
    を含む、複数のサブピクセルと、
    を備える、デバイス。
  2. 前記第１の組成が、
    遷移金属、
    遷移金属酸化物（ＴＭＯ）材料、または
    透明導電酸化物（ＴＣＯ）材料、
    のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記遷移金属が、ルテニウム（Ｒｕ）、バナジウム（Ｖ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはそれらの組み合わせを含み、
    前記ＴＭＯ材料が前記遷移金属の１つまたは複数の酸化物を含み、
    前記ＴＣＯ材料が、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、またはそれらの組み合わせのうちの１つまたは複数を含む、
    請求項２に記載のデバイス。
  4. 前記第２の組成が金属合金材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
  5. 前記金属合金材料が、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、またはそれらの組み合わせを含む、請求項４に記載のデバイス。
  6. 前記本体部が金属酸化物表面をさらに含む、請求項４に記載のデバイス。
  7. 前記金属酸化物表面が、前記金属合金材料の１つまたは複数の酸化物を含む、請求項６に記載のデバイス。
  8. 前記第３の組成が金属材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
  9. 前記金属材料が、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはそれらの組み合わせを含む、請求項８に記載のデバイス。
  10. 前記オーバーハング構造の隣接するオーバーハングが、
    前記ベース部の側壁から前記上部の下面までのオーバーハング幅と、
    前記ＰＤＬ構造から前記上部の前記下面までのオーバーハングの深さと、
    によって規定される、請求項１に記載のデバイス。
  11. 前記オーバーハング構造の各々の前記オーバーハング幅が約０．５μｍ（マイクロメートル）から約１μｍであり、互いの１５パーセント以内である、請求項１０に記載のデバイス。
  12. 前記カソード上に配置された封入層をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
  13. 前記封入層が、
    前記第１の側壁において前記ベース部の前記第１の組成の前記第１の金属と接触するように、
    前記第１の延長部および前記第２の延長部の下側表面において前記上部の前記第３の組成の前記第３の金属と接触するように、および
    前記第１のオーバーハング構造の前記第１の延長部の前記上部の上面、および前記第２のオーバーハング構造の前記第２の延長部の前記上部の上面の少なくとも第１の部分の上に、
    延在している、請求項１２に記載のデバイス。
  14. 前記封入層が、前記第１のオーバーハング構造および前記第２のオーバーハング構造の前記本体部と接触するように延在している、請求項１３に記載のデバイス。
  15. 各サブピクセルが、前記封入層上に配置されたプラグをさらに備え、前記プラグが、前記ＯＬＥＤ材料のＯＬＥＤ透過率と一致する、または実質的に一致するプラグ透過率を有する、請求項１２に記載のデバイス。
  16. 前記第１のオーバーハング構造、前記第２のオーバーハング構造、および前記封入層の上に配置されたグローバル封入層をさらに備える、請求項１２に記載のデバイス。
  17. 前記デバイスが、ドット型アーキテクチャまたはライン型アーキテクチャを含む、請求項１に記載のデバイス。
  18. 前記基板が、予めパターン化された酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）ガラス基板である、請求項１に記載のデバイス。
  19. デバイスであって、
    基板と、
    前記基板上に配置された隣接するピクセル規定層（ＰＤＬ）構造と、
    前記ＰＤＬ構造の上側面上に配置されたオーバーハング構造と、
    複数のサブピクセルであって、各サブピクセルが、互いに隣接する第１のオーバーハング構造および第２のオーバーハング構造によって規定され、各サブピクセルが、
    前記第１のオーバーハング構造および前記第２のオーバーハング構造であって、
    前記ＰＤＬ構造のうちのＰＤＬ構造の前記上側面上に配置されたベース部であって、第１の組成の第１の金属を含む、ベース部と、
    前記ベース部の上に配置された上部であって、前記上部が、前記第１の組成とは異なる第２の組成の第２の金属を含み、前記第１のオーバーハング構造の前記上部の第１の延長部が、前記ベース部を越えて横方向に延在しており、前記第２のオーバーハング構造の前記上部の第２の延長部が、前記ベース部を越えて横方向に延在している、上部と、
    を有する、前記第１のオーバーハング構造および前記第２のオーバーハング構造と、
    アノードと、
    前記アノードの上に、前記アノードと接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
    前記ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードであって、前記カソードが、前記第１のオーバーハング構造の前記上部の前記第１の延長部および前記第２のオーバーハング構造の前記上部の前記第２の延長部の下に延在し、前記カソードが、前記第１のオーバーハング構造の前記ベース部の少なくとも第１の側壁と接触する、カソードと、
    を含む、複数のサブピクセルと、
    を備える、デバイス。
  20. 前記第１の組成が、
    遷移金属酸化物（ＴＭＯ）材料と、
    透明導電酸化物（ＴＣＯ）と、
    のうちの少なくとも１つを含む、請求項１９に記載のデバイス。
  21. 前記第１の組成を有する前記ベース部が、
    金属合金材料を含む金属合金本体
    を含む、請求項１９に記載のデバイス。
  22. 前記金属合金材料が、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２１に記載のデバイス。
  23. 金属酸化物表面が前記金属合金本体上に配置されている、請求項２２に記載のデバイス。
  24. 前記第２の組成が金属材料を含む、請求項１９に記載のデバイス。
  25. 前記金属材料が、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２４に記載のデバイス。
  26. デバイスであって、
    基板と、
    前記基板上に配置され、前記デバイスのサブピクセルを規定する隣接するピクセル規定層（ＰＤＬ）構造と、
    導電性酸化物を含むオーバーハング構造であって、前記ＰＤＬ構造の上側面上に配置された、オーバーハング構造と、
    複数のサブピクセルであって、各サブピクセルが、
    アノードと、
    前記アノードの上に、前記アノードと接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
    前記ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードであって、前記ＰＤＬ構造の前記上側面上に配置された前記オーバーハング構造が、前記ＯＬＥＤ材料の一部および前記カソードの上に延在する、カソードと、
    を含む、複数のサブピクセルと、
    を備える、デバイス。
  27. 前記オーバーハング構造の各々が、
    前記ＰＤＬ構造上に配置されたベース部であって、
    透明導電酸化物（ＴＣＯ）材料、
    遷移金属酸化物（ＴＭＯ）材料、または
    金属合金材料を含む金属合金本体と、前記金属合金材料のうちの１つまたは複数の酸化物を含む金属酸化物表面と、
    のうちの少なくとも１つを含む、ベース部と、
    前記ベース部の上に配置され、金属材料を含む、上部と、
    を含む、請求項２６に記載のデバイス。
  28. 前記ベース部と前記上部との間に配置された本体部をさらに備え、前記本体部が、前記金属合金本体と前記金属酸化物表面とを有する、請求項２７に記載のデバイス。
  29. 前記金属合金材料が、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２２に記載のデバイス。
  30. 前記ＴＣＯ材料が、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、またはそれらの組み合わせのうちの１つまた複数を含み、
    前記ＴＭＯ材料が遷移金属の酸化物を含み、
    前記金属材料が、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはそれらの組み合わせを含む、
    請求項２７に記載のデバイス。
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