TWI816298B - 基板處理裝置及供給閥 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種基板處理裝置及供給閥。供給閥21具備作為開關閥55發揮功能之構成(開關閥室65、閥座71、隔膜73及開關驅動部75)。於開關閥室65連接有將開關閥室65內之氣泡排出之排氣流路103。藉此,即便於開啟及關閉開關閥55時產生氣泡,亦能通過排氣流路103排出開關閥室65內之氣泡。因此,能夠防止因氣泡被供給至基板上等而造成製品缺陷。
Description
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置及設置於該基板處理裝置之供給閥。基板例如可例舉半導體基板、FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。FPD例如可例舉液晶顯示裝置、有機EL(electroluminescence,電致發光)顯示裝置等。
以往,基板處理裝置具備噴嘴、配管及處理液供給源。噴嘴向基板上噴出作為處理液之例如抗蝕液。配管將噴嘴與處理液供給源連結。於配管自上游向下游之噴嘴依序設置有泵、開關閥。藉由保持開關閥處於打開狀態,利用泵通過配管輸送抗蝕液,而自噴嘴噴出抗蝕液(例如參照專利文獻1、2)。
於專利文獻1中,揭示有於緩衝罐與噴嘴之間之配管設置收集罐。藉由對緩衝罐內進行加壓,緩衝罐內之處理液被供給至收集罐。進而,藉由對收集罐內進行加壓,收集罐內之處理液被供給至噴嘴。
於專利文獻2中,揭示有一種對多級積層設置之複數個塗佈模組分配
供給處理液之分配機構。分配機構具備處理液供給源、加壓器件、及與複數個塗佈模組對應之複數個分配單元。複數個分配單元各自具備泵及噴嘴。噴嘴於對應之塗佈模組噴出處理液。泵配置於對應之塗佈模組之側方(斜下)。泵將利用加壓器件自處理液供給源輸送之處理液貯存於內部。
[專利文獻1]
日本專利特開2000-173902號公報
[專利文獻2]
日本專利特開2007-005576號公報
但是,先前之基板處理裝置存在以下問題。開關閥於開啟及關閉時有時會於處理液(例如抗蝕液)中產生氣泡。所產生之氣泡留在開關閥室中並生長至某程度之大小。而且,有生長至某程度之大小之氣泡於開關閥處於打開狀態時被輸送至噴嘴,氣泡與處理液一同自噴嘴被供給至基板上之虞。又,有氣泡成為粒子來源之虞。這些情況可能會造成製品缺陷。
本發明係鑒於此種情況而完成者,其目的在於提供一種能夠去除因開關閥而產生之氣泡之基板處理裝置及供給閥。
本發明為了達到此種目的而採取如下構成。即,本發明之基板處理裝置之特徵在於具備:噴嘴,其對基板噴出處理液;供給閥,其用於對上述噴嘴供給處理液;及噴嘴側配管,其將上述噴嘴與上述供給閥之出口相連;且上述供給閥具備:流路區塊;開關閥室,其形成於上述流路區塊;入口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於入口與上述開關閥室之間供液體流動;出口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於上述開關閥室與上述出口之間供液體流動;開關閥體,其配置於上述開關閥室內;閥座,其設置於上述開關閥室與上述出口側流路之交界,構成為於上述開關閥室內承接上述開關閥體;開關驅動部,其藉由將上述開關閥體壓抵於上述閥座,而停止處理液自上述開關閥室向上述出口側流路之流動,又,藉由使壓抵之上述開關閥體離開上述閥座,而使處理液自上述開關閥室流向上述出口側流路;及排氣流路,其形成於上述流路區塊,與上述開關閥室連接而將上述開關閥室內之氣泡排出。
根據本發明之基板處理裝置,供給閥具備開關閥(開關閥室、閥座、開關閥體及開關驅動部)。於開關閥室連接有將開關閥室內之氣泡排出之排氣流路。藉此,即便於開啟及關閉開關閥時產生氣泡,亦能通過排氣流路排出開關閥室內之氣泡。即,能夠去除因開關閥而產生之氣泡。因此,能夠防止因氣泡被供給至基板上等而造成製品缺陷。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述排氣流路向下方向延伸並連接於上述開關閥室。由於排氣流路向氣泡因浮力而移動之方向延伸,故
而能夠容易地去除開關閥室內之氣泡。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述入口側流路具有向下方向延伸並連接於上述開關閥室之共有流路,上述排氣流路經由上述共有流路而連接於上述開關閥室,將上述開關閥室內之氣泡排出。排氣流路藉由連接於入口側流路之共有流路,而經由共有流路連接於開關閥室。因此,能夠使流路區塊形成得較小。又,由於共有流路向下方向延伸,故而排氣流路及共有流路各自向下方向延伸。因此,能夠更容易地去除開關閥室內之氣泡。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述開關閥室之頂面具有傾斜面,以將氣泡引導至上述排氣流路。傾斜面能夠容易地使氣泡聚集於排氣流路,而不留在開關閥室內。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述供給閥進而具備:第1泵室,其形成於上述流路區塊之上述入口側流路,收容處理液;容積變化構件,其使上述第1泵室內之容積發生變化;及泵驅動部,其驅動上述容積變化構件而進行泵動作。
藉此,供給閥具備泵(第1泵室、容積變化構件及泵驅動部)。泵設置於設置有開關閥之流路區塊。因此,泵與開關閥之距離變短。因此,能夠將因泵與開關閥之間之流路長度而產生之壓力損耗抑制得較小,並且將因泵與開關閥之間之高低差而產生之壓力損耗抑制得較小。又,於基板處理
裝置具備複數個供給閥之情形時,泵與開關閥之距離及高低差必然固定不變。因此,能夠容易於複數個供給閥之間使因流路長度而產生之壓力損耗一致。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述供給閥與上述噴嘴及上述噴嘴側配管一同配置於液體處理單元內。能夠使供給閥之泵(第1泵室、容積變化構件及泵驅動部)更靠近噴嘴。能夠將因供給閥之泵至噴嘴之流路及配管長度而產生之壓力損耗抑制得更小。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為進而具備:複數個液體處理單元,其等沿上下方向配置,各自對基板進行處理;及上游泵,其用於對上述複數個液體處理單元之各者輸送處理液;且上述複數個液體處理單元各自具備上述噴嘴、上述供給閥及上述噴嘴側配管,上述供給閥具備第1壓力感測器,上述第1壓力感測器以與上述第1泵室相接之方式設置,於上述第1泵室內測量處理液之壓力,上述上游泵具備:第2泵室,其收容處理液;及第2壓力感測器,其以與上述第2泵室相接之方式設置,於上述第2泵室內測量處理液之壓力;且上述上游泵於選擇性地對上述複數個液體處理單元中之任一液體處理單元輸送處理液之情形時,與被輸送處理液之上述液體處理單元之上述供給閥之上述泵驅動部協作,以使利用被輸送處理液之上述液體處理單元之上述第1壓力感測器測量出之第1壓力值成為預先設定之壓力值的方式,對利用上述第2壓力感測器測量出之第2壓力值進行調整。
上游泵與各液體處理單元之高度差使處理液自噴嘴噴出之狀態(噴出壓力、噴出量、噴出流量等)不均勻。因此,各液體處理單元之供給閥具備泵(第1泵室、容積變化構件及泵驅動部等)。藉此,能夠使各液體處理單元中之噴出狀態一致。又,若輸送至各供給閥之泵之處理液之壓力不一致,則各供給閥之泵中之壓力調整之負載增加。於此方面,本發明能夠使輸送至各供給閥之泵之處理液之壓力一致。因此,能夠降低各供給閥之泵中之壓力調整之負載。
又,本發明之供給閥之特徵在於具備:流路區塊;開關閥室,其形成於上述流路區塊;入口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於入口與上述開關閥室之間供液體流動;出口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於上述開關閥室與出口之間供液體流動;開關閥體,其配置於上述開關閥室內;閥座,其設置於上述開關閥室與上述出口側流路之交界,構成為於上述開關閥室內承接上述開關閥體;開關驅動部,其藉由將上述開關閥體壓抵於上述閥座,而停止液體自上述開關閥室向上述出口側流路之流動,又,藉由使壓抵之上述開關閥體離開上述閥座,而使液體自上述開關閥室流向上述出口側流路;及排氣流路,其形成於上述流路區塊,與上述開關閥室連接而將上述開關閥室內之氣泡排出。
本發明之供給閥具備開關閥(開關閥室、閥座、開關閥體及開關驅動部)。於開關閥室連接有將開關閥室內之氣泡排出之排氣流路。藉此,即便於開啟及關閉開關閥時產生氣泡,亦能通過排氣流路排出開關閥室內之氣泡。即,能夠去除因開關閥而產生之氣泡。因此,能夠防止因氣泡被供
給至基板上等而造成製品缺陷。
再者,本說明書亦揭示如下基板處理裝置之發明。
(1)本發明之基板處理裝置之特徵在於具備:複數個液體處理單元,其等沿上下方向配置,各自對基板進行處理;及上游泵,其用於對上述複數個液體處理單元之各者輸送處理液;且上述複數個液體處理單元各自具備:噴嘴,其對基板噴出處理液;供給閥,其用於對上述噴嘴供給處理液;及噴嘴側配管,其將上述噴嘴與上述供給閥之出口相連;且上述供給閥進而具備:第1泵室,其收容處理液;第1壓力感測器,其以與上述第1泵室相接之方式設置,於上述第1泵室內測量處理液之壓力;容積變化構件,其使上述第1泵室內之容積發生變化;及泵驅動部,其驅動上述容積變化構件而進行泵動作;且上述上游泵具備:第2泵室,其收容處理液;及第2壓力感測器,其以與上述第2泵室相接之方式設置,於上述第2泵室內測量處理液之壓力;且上述上游泵於選擇性地對上述複數個液體處理單元中之任一液體處理單元輸送處理液之情形時,與被輸送處理液之上述液體處理單元之上述供給閥之上述泵驅動部協作,以使利用被輸送處理液之上述液體處理單元之上述第1壓力感測器測量出之第1壓力值成為預先設定之壓力值的方式,對利用上述第2壓力感測器測量出之第2壓力值進行調整。
根據上述(1)中記載之發明,具有以下效果。上游泵與各液體處理單元之高度差使處理液自噴嘴噴出之狀態(噴出壓力、噴出量、噴出流量等)
不均勻。因此,各液體處理單元之供給閥具備泵(第1泵室、容積變化構件及泵驅動部等)。藉此,能夠使各液體處理單元中之噴出狀態一致。又,若輸送至各供給閥(各液體處理單元)之泵之處理液之壓力不一致,則各供給閥之泵中之壓力調整之負載增加。於此方面,本發明能夠使輸送至各供給閥之泵之處理液之壓力一致。因此,能夠降低各供給閥之泵中之壓力調整之負載。
根據本發明之基板處理裝置及供給閥,能夠去除因開關閥而產生之氣泡。
1:基板處理裝置
2:裝載區塊
3:處理區塊
5:載具載置台
6:第1基板搬送機構
7:處理單元
8:第2基板搬送機構
9:搬送空間
11A:液體處理單元
11B:液體處理單元
11C:液體處理單元
11D:液體處理單元
12:處理單元
14:保持旋轉部
16:噴嘴
16A:噴嘴
16B:噴嘴
16C:噴嘴
16D:噴嘴
18:噴嘴移動機構
21:供給閥
21A:供給閥
21B:供給閥
21C:供給閥
21D:供給閥
22:噴嘴側配管
22A:噴嘴側配管
22B:噴嘴側配管
22C:噴嘴側配管
22D:噴嘴側配管
23:旋轉夾頭
24:旋轉驅動部
25:輸送配管
25P:輸送配管
25Q:輸送配管
27:處理液瓶
28:氣體供給部
29:收集罐
30:排氣配管
31:上游泵
33:過濾器
35:第2分支部
36:第3分支部
37:輸送支配管
37A:輸送支配管
37B:輸送支配管
37C:輸送支配管
37D:輸送支配管
41:泵室
43:隔膜
44:泵驅動部
45:第1連桿
47:轉換機構
48:電動馬達
48A:輸出軸
50:壓力感測器
51:排氣配管
53A:流量計
53B:流量計
53C:流量計
53D:流量計
55:開關閥
57:泵
59:回吸閥
61:流路區塊
61B:下表面
61L:左側面
61R:右側面
61T:上表面
63:入口構件
64:出口構件
65:開關閥室
65A:頂面(傾斜面)
67:入口側流路
67A:入口
67B:共有流路
69:出口側流路
69A:出口
71:閥座
73:隔膜
73A:厚壁部
73B:薄壁部
75:開關驅動部
76:空間
78:第2連桿
79:轉換機構
80:電動馬達
80A:輸出軸
82:泵室
83:隔膜
85:泵驅動部
86:壓力感測器
88:第3連桿
89:轉換機構
90:電動馬達
90A:輸出軸
92:回吸閥室
93:隔膜
95:回吸驅動部
98:第4連桿
100:轉換機構
101:電動馬達
101A:輸出軸
103:排氣流路
103A:排出口
105:氣泡排出部
107A:回流支配管
107B:回流支配管
107C:回流支配管
107D:回流支配管
109:第1合流部
110:第2合流部
111:第3合流部
112:回流配管
112P:回流配管
112Q:回流配管
114:第4合流部
115:控制器
120:處理液瓶
121:分支部
122:合流部
125:分支部
126:合流部
BARC:塗佈單元
BB:氣泡
C:載具
PA1:收納區域
PA2:配管區域
PS1:基板載置部
PS2:基板載置部
RESIST:塗佈單元
V1:開關閥
V2:開關閥
V3:開關閥
V4:開關閥
V5:開關閥
V6:開關閥
V7:開關閥
V8:開關閥
V9:開關閥
V10:開關閥
V21:開關閥
V22:開關閥
W:基板
圖1之(a)係表示基板處理裝置之概略構成之縱截面圖,(b)係表示基板處理裝置之概略構成之橫截面圖。
圖2係基板處理裝置之配管圖。
圖3係表示上游泵之構成之縱截面圖。
圖4係表示供給閥之構成之縱截面圖。
圖5係將自圖4中之箭頭A-A觀察之流路區塊局部示出之圖。
圖6係用於對開關閥之動作進行說明之圖。
圖7係表示實施例2之供給閥之安裝姿勢之縱截面圖。
圖8係將實施例2之供給閥之一部分放大之縱截面圖。
圖9係表示用於對變化例之基板處理裝置之4個塗佈單元中供形成抗反射膜之2個塗佈單元供給塗佈液的構成之配管圖。
圖10係表示用於對變化例之基板處理裝置之4個塗佈單元中供形成抗蝕膜之2個塗佈單元供給塗佈液的構成之配管圖。
圖11係表示變化例之供給閥之開關閥及排氣流路等之縱截面圖。
以下,參照圖式對本發明之實施例1進行說明。圖1(a)係表示基板處理裝置之概略構成之縱截面圖。圖1(b)係表示基板處理裝置之概略構成之橫截面圖。
<1.基板處理裝置1之構成>
參照圖1(a)及圖1(b)。基板處理裝置1對基板W進行處理。基板處理裝置1具備裝載區塊2及處理區塊3。
裝載區塊2具備複數個(例如2個或4個)載具載置台5、及例如2台第1基板搬送機構6(機器人)。於載具載置台5載置有收容基板W之載具C。2台第1基板搬送機構6能夠於載置在各載具載置台5之載具C與2個基板載置部PS1、PS2之間搬送基板W。再者,2個基板載置部PS1、PS2配置於裝載區塊2與處理區塊3之交界及該交界附近。2個基板載置部PS1、PS2沿上下方向配置。
處理區塊3具備複數個處理單元7及第2基板搬送機構8(機器人)。第2基板搬送機構8配置於X方向上較長之搬送空間9(參照圖1(b))。第2基板搬
送機構8能夠於2個基板載置部PS1、PS2與複數個處理單元7之間搬送基板W。第1基板搬送機構6及第2基板搬送機構8各自具備電動馬達,並由該電動馬達驅動。
如圖1(b)所示,複數個處理單元7以隔著搬送空間9之方式配置。複數個處理單元7分為4個液體處理單元11A、11B、11C、11D及其他處理單元12(例如熱處理單元)。於圖1(b)中,如箭頭RT所示,4個液體處理單元11A~11D配置於搬送空間9之第1側面。又,如箭頭LT所示,其他處理單元12配置於搬送空間9之第2側面。
如圖1(a)所示,4個液體處理單元11A~11D(亦被稱為模組)以層疊之方式沿上下方向配置。液體處理單元11A~11D各自藉由向基板W上供給處理液而對基板W進行處理。液體處理單元11A~11D各自具備2個保持旋轉部14、噴嘴16及噴嘴移動機構18。又,如圖2所示,液體處理單元11A~11D各自具備供給閥21及噴嘴側配管22。噴嘴側配管22將噴嘴16與供給閥21之出口構件64相連。
再者,於區分供給閥21時,與液體處理單元11A~11D對應地稱為供給閥21A、21B、21C、21D。同樣,於區分噴嘴16時,稱為噴嘴16A、16B、16C、16D。於區分噴嘴側配管22時,稱為噴嘴側配管22A、22B、22C、22D。
2個保持旋轉部14各自將基板W以水平姿勢保持,使保持之基板W旋
轉。保持旋轉部14各自具備旋轉夾頭23及旋轉驅動部24。旋轉夾頭23例如藉由自設置於基板W之載置面之抽吸口抽吸空氣來保持基板W之背面。旋轉驅動部24具備電動馬達,使旋轉夾頭23繞著鉛直軸旋轉。噴嘴16對由保持旋轉部14保持之基板W噴出處理液。噴嘴移動機構18具備電動馬達,使噴嘴16移動至任意位置。
參照圖2。圖2係基板處理裝置1之配管圖。再者,為便於圖示,於各液體處理單元11A~11D內示出1個保持旋轉部14。基板處理裝置1具備輸送配管25、處理液瓶27(處理液供給源)、氣體供給部28、收集罐29、上游泵31及過濾器33、分支部34、35、36及4根輸送支配管37A、37B、37C、37D。於不區分4根輸送支配管37A、37B、37C、37D時,將其等稱為輸送支配管37。
輸送配管25之第1端插入至處理液瓶27內。又,輸送配管25之第2端連接於第1分支部34。處理液瓶27收容處理液。處理液例如為光阻液等抗蝕液、抗反射膜形成用之塗佈液、抗蝕覆蓋膜形成用之塗佈液、溶劑(例如稀釋劑)、沖洗液(例如DIW(Deionized Water,去離子水))、顯影液或蝕刻液。
氣體供給部28具備配管及閥,對處理液瓶27內供給氣體。藉此,能夠將收容於處理液瓶27中之處理液送出至輸送配管25。氣體例如為氮氣等惰性氣體。收集罐29設置於輸送配管25。收集罐29構成為能夠積存處理液,並且藉由未圖示之液面感測器而檢測收集罐29之餘量。
又,於收集罐29連接有排氣配管30。於排氣配管30設置有開關閥V21。開關閥V21通常關閉。當開關閥V21處於打開狀態,且下述開關閥V1、V7~V10處於關閉狀態時,使氣體供給部28作動而自處理液瓶27向收集罐29輸送處理液。藉此,包含氣泡之處理液通過排氣配管30被壓出而排出或再利用。
上游泵31選擇性地對4個液體處理單元11A~11D之各者輸送處理液。上游泵31設置於收集罐29與第1分支部34之間之輸送配管25。如圖3所示,上游泵31具備泵室41、隔膜43、泵驅動部44及壓力感測器50。泵驅動部44具備第1連桿45、轉換機構47、電動馬達48,且進行泵動作。
泵室41收容處理液。隔膜43之周緣部固定於泵室41之內側壁。第1連桿45之第1端連結於隔膜43之中央部。又,第1連桿45之第2端經由轉換機構47連結於電動馬達48之輸出軸48A(轉子)。轉換機構47具備2個以上齒輪,將電動馬達48之輸出軸48A之旋轉轉換成第1連桿45之軸向AD1的直線移動。即,電動馬達48使隔膜43之中央部沿著軸向AD1前進及後退。藉此,隔膜43變形,泵室41之容積發生變化。壓力感測器50以與泵室41相接之方式設置。壓力感測器50以與隔膜43對向之方式配置。壓力感測器50於泵室41內測量處理液之壓力。
隔膜43例如使用滾動隔膜。再者,泵室41相當於本發明之第2泵室。壓力感測器50相當於本發明之第2壓力感測器。
參照圖2。過濾器33設置於上游泵31與第1分支部34之間之輸送配管25。過濾器33具備未圖示之過濾器本體。當使處理液通過過濾器本體時,由過濾器本體除去處理液中所含之異物(污物)及氣泡。於過濾器33連接有排氣配管51。於排氣配管51設置有開關閥V22。開關閥V22通常關閉。當開關閥V22及下述開關閥V2處於打開狀態,且下述開關閥V1、V3~V6處於關閉狀態時,使上游泵31作動而自上游泵31向過濾器33輸送處理液,藉此,無法通過過濾器本體之包含氣泡之處理液通過排氣配管51被排出或再利用。
於第1分支部34連接有輸送配管25之第2端。進而,於第1分支部34連接有2根輸送支配管37A、37D之第1端。又,輸送支配管37B經由第2分支部35連接於輸送支配管37D。輸送支配管37C經由第3分支部36連接於輸送支配管37D。藉此,能夠將通過輸送配管25輸送至第1分支部34之處理液輸送至4根輸送支配管37A~37D之各者。而且,4根輸送支配管37A~37D之第2端分別連接於4個液體處理單元11A~11D之4個供給閥21A~21D。例如,輸送支配管37A之第2端連接於最下級之液體處理單元11A之供給閥21A。又,輸送支配管37D之第2端連接於最上級之液體處理單元11D之供給閥21D。
再者,於圖2中,輸送支配管37B經由第2分支部35連接於輸送支配管37D,又,輸送支配管37C經由第3分支部36連接於輸送支配管37D。於此方面,4根輸送支配管37A~37D亦可各自與連接有輸送配管25之第1分
支部34直接連接。
於噴嘴側配管22A設置有流量計53A。同樣,於噴嘴側配管22B設置有流量計53B。於噴嘴側配管22C設置有流量計53C。於噴嘴側配管22D設置有流量計53D。例如,流量計53A對噴嘴側配管22A內之處理液之流量進行測量。同樣,3個流量計53B~53D分別對噴嘴側配管22B~22D內之處理液之流量進行測量。
<1-1.供給閥21(21A、21B、21C、21D)之構成>
如圖2所示,供給閥21A與噴嘴16A及噴嘴側配管22A一同配置於液體處理單元11A內之處理空間。又,供給閥21B與噴嘴16B及噴嘴側配管22B一同配置於液體處理單元11B內之處理空間。供給閥21C、21D亦同樣如此。再者,如圖1(b)所示,供給閥21配置於2個保持旋轉部14之中間。
參照圖4、圖5。圖4係表示供給閥21之構成之縱截面圖。圖5係將自圖4中之箭頭A-A觀察時之流路區塊61局部示出之圖。供給閥21用於對噴嘴16供給處理液。供給閥21具備開關閥55(分配閥)、泵57及回吸閥59。供給閥21具備流路區塊61、入口構件63及出口構件64。處理液自管狀之入口構件63流入至供給閥21之內部。供給閥21之內部之處理液自管狀之出口構件64流出。
流路區塊61由開關閥55、泵57及回吸閥59共有。流路區塊61例如由PFA(全氟烷氧基烷烴:perfluoroalkoxyalkane)等具有熱塑性及熔融流動
性之氟樹脂或其他樹脂形成。流路區塊61亦可由PTFE(聚四氟乙烯:polytetrafluoroethylene)等氟樹脂形成。
流路區塊61具備上表面61T、下表面61B、左側面61L及右側面61R。於流路區塊61形成開關閥室65、入口側流路67及出口側流路69。
於入口側流路67之第1端以在左側面61L開口之方式形成入口67A。入口側流路67之第2端與開關閥室65連接。即,入口側流路67構成為供處理液(液體)於入口67A與開關閥室65之間流動。入口構件63以與入口側流路67連通之方式安裝於流路區塊61之入口67A。
出口側流路69之第1端與開關閥室65連接。於出口側流路69之第2端以在右側面61R開口之方式形成出口69A。即,出口側流路69構成為供處理液於開關閥室65與出口69A之間流動。出口構件64以與出口側流路69連通之方式安裝於流路區塊61之出口69A。
供給閥21進而具備閥座71、隔膜73(開關閥體)及開關驅動部75。閥座71形成於流路區塊61。閥座71設置於開關閥室65與出口側流路69之交界(包含該交界附近)。閥座71係以於開關閥室65內承接開關閥體即隔膜73之方式構成。
隔膜73配置於開關閥室65內。隔膜73具備厚壁部73A及薄壁部73B。厚壁部73A係被壓抵於閥座71之部分。於厚壁部73A之外緣部形成薄壁部
73B。薄壁部73B之外緣部固定於開關閥室65之內側壁。隔膜73將開關閥室65及圖4所示之空間76區隔開。隔膜73構成為不使開關閥室65內之處理液洩漏至空間76。
開關驅動部75構成為,藉由將隔膜73壓抵於閥座71來停止處理液自開關閥室65向出口側流路69之流動,又,藉由使壓抵之隔膜73離開閥座71,而使處理液自開關閥室65流向出口側流路69。開關驅動部75具備第2連桿78、轉換機構79及電動馬達80。第2連桿78之第1端與隔膜73之厚壁部73A連結。又,第2連桿78之第2端經由轉換機構79連結於電動馬達80之輸出軸80A(轉子)。轉換機構79具備2個以上齒輪,將電動馬達80之輸出軸80A之旋轉,轉換成第2連桿78之軸向AD2的直線移動。即,電動馬達80使隔膜73之厚壁部73A沿著軸向AD2前進及後退。藉此,將厚壁部73A壓抵於閥座71,又,厚壁部73A離開閥座71。
開關閥室65以於流路區塊61之下表面61B開口之方式形成。隔膜73及開關驅動部75係以堵住開關閥室65之開口之方式安裝於流路區塊61。
供給閥21於開關閥55之上游具備泵57。泵57具備泵室82、隔膜83(容積變化構件)、泵驅動部85及壓力感測器86。泵室82收容處理液。泵室82形成於流路區塊61之入口側流路67。即,泵室82以介存於入口側流路67之方式形成。隔膜83使泵室82之容積發生變化。隔膜83之周緣部固定於泵室82之內側壁。隔膜83例如使用滾動隔膜。
再者,泵室82相當於本發明之第1泵室。壓力感測器86相當於本發明之第1壓力感測器。
泵驅動部85驅動隔膜83而進行泵動作。泵驅動部85具備第3連桿88、轉換機構89及電動馬達90。第3連桿88之第1端連結於隔膜83之中央部。第3連桿88之第2端經由轉換機構89連結於電動馬達90之輸出軸90A(轉子)。轉換機構89具備2個以上齒輪,將電動馬達90之輸出軸90A之旋轉轉換成第3連桿88之軸向AD3的直線移動。因此,隔膜83之中央部沿著軸向AD3前進及後退。藉此,隔膜83變形,泵室82內之容積發生變化。壓力感測器86以與泵室82相接之方式設置。壓力感測器86以與隔膜83對向之方式配置。壓力感測器86於泵室82內測量處理液之壓力。
又,供給閥21於開關閥55之下游具備回吸閥59。回吸閥59具備回吸閥室92、隔膜93及回吸驅動部95。回吸閥室92形成於流路區塊61之出口側流路69。即,回吸閥室92以介存於出口側流路69之方式形成。隔膜93之周緣部固定於回吸閥室92之內側壁。
回吸驅動部95具備第4連桿98、轉換機構100及電動馬達101。第4連桿98之第1端連結於隔膜93之中央部。又,第4連桿98之第2端經由轉換機構100連結於電動馬達101之輸出軸101A(轉子)。轉換機構100具備2個以上齒輪,將電動馬達101之輸出軸101A之旋轉轉換成第4連桿98之軸向AD4的直線移動。因此,隔膜93之中央部沿著軸向AD4前進及後退。藉此,回吸閥室92之容積發生變化。
又,如圖4所示,供給閥21具備排氣流路103及氣泡排出構件105。排氣流路103連接於開關閥室65,用於排出開關閥室65內之氣泡。排氣流路103形成於流路區塊61。於排氣流路103之第1端形成有在流路區塊61之上表面61T開口之排出口103A。管狀之氣泡排出構件105以與排氣流路103連通之方式安裝於流路區塊61之排出口103A。排氣流路103之第2端連接於入口側流路67(下述共有流路67B)。即,排氣流路103向下方向延伸並經由入口側流路67(下述共有流路67B)連接於開關閥室65。更具體地進行說明。
入口側流路67於自入口構件63沿水平方向延伸後,於開關閥室65之上方向下方向變換方向而連接於開關閥室65。將入口側流路67中之排氣流路103與開關閥室65之間之部分稱為共有流路67B。共有流路67B向下方向延伸並連接於開關閥室65。進而,排氣流路103向下方向延伸並連接於共有流路67B。於圖4中,入口側流路67形成為L字狀。因此,入口側流路67與排氣流路103形成T字狀之流路。藉此,排氣流路103經由共有流路67B連接於開關閥室65,將開關閥室65內之氣泡排出。藉由此種構成,共有流路67B及排氣流路103自開關閥室65向上方向呈直線狀延伸,因此,能夠順利地排出開關閥室65內之氣泡。再者,於圖4中,出口側流路69亦形成為L字狀。
參照圖2。對基板處理裝置1之其餘構成進行說明。基板處理裝置1具備4根回流支配管107A、107B、107C、107D、第1合流部109、第2合流
部110、第3合流部111、回流配管112及第4合流部114。
4根回流支配管107A~107D之第1端分別連接於4個供給閥21A~21D。例如,於最下級之液體處理單元11A之供給閥21A之氣泡排出構件105連接有回流支配管107A。同樣,於3個供給閥21B~21D之3個氣泡排出構件105分別連接有回流支配管107B~107D。
回流支配管107B之第2端經由第1合流部109連接於回流支配管107A。同樣,回流支配管107C之第2端經由第2合流部110連接於回流支配管107A。而且,2根回流支配管107A、107D之第2端連接於第3合流部111。於第3合流部111,進而連接有回流配管112之第1端。又,回流配管112之第2端經由第4合流部114連接於輸送配管25。第4合流部114配置於處理液瓶27與收集罐29之間。又,於將供給閥21A作為上游,將第4合流部114作為下游時,自上游側起依序配置第1合流部109、第2合流部110、第3合流部111及第4合流部114。藉由此種構成,能夠使處理液或氣泡自供給閥21向收集罐29之上游返回。
再者,分支部34、35、36及合流部109、110、111各自例如由T字管構成。第4合流部114由三向閥構成。又,4根回流支配管107A~107D亦可各自與連接有回流配管112之第3合流部111直接連接。
又,如圖2所示,基板處理裝置1具備10個開關閥V1~V10。開關閥V1~V10及上述開關閥V21、V22例如由氣體、螺線管或電動馬達等驅
動。
開關閥V1設置於收集罐29與上游泵31之間之輸送配管25。開關閥V2設置於上游泵31與過濾器33之間之輸送配管25。開關閥V3設置於第1分支部34與供給閥21A之間之輸送支配管37A。開關閥V4設置於第2分支部35與供給閥21B之間之輸送支配管37B。開關閥V5設置於第3分支部36與供給閥21C之間之輸送支配管37C。開關閥V6設置於第3分支部36與供給閥21D之間之輸送支配管37D。
開關閥V7設置於供給閥21A與第1合流部109之間之回流支配管107A。開關閥V8設置於供給閥21B與第1合流部109之間之回流支配管107B。開關閥V9設置於供給閥21C與第2合流部110之間之回流支配管107C。開關閥V10設置於供給閥21D與第3合流部111之間之回流支配管107D。
上游泵31根據4個開關閥V3~V6之開關狀態而選擇性地對4個供給閥21A~21D中之任一個送出處理液。具體地進行說明。供給閥21A與上游泵31及開關閥V1、V2、V3、V7、V22協作進行液體輸送動作。供給閥21B與上游泵31及開關閥V1、V2、V4、V8、V22協作進行液體輸送動作。供給閥21C與上游泵31及開關閥V1、V2、V5、V9、V22協作進行液體輸送動作。供給閥21D與上游泵31及開關閥V1、V2、V6、V10、V22協作進行液體輸送動作。
再者,於自噴嘴16噴出處理液之情形時,不與上游泵31協作,而僅利用供給閥21之泵57送出處理液。
又,上游泵31於選擇性地對4個液體處理單元11A~11D中之任一個、例如液體處理單元11D輸送處理液之情形時,與被輸送處理液之液體處理單元11D之供給閥21D之泵驅動部85(即泵57)協作,以使利用被輸送處理液之液體處理單元11D之壓力感測器86測量出之第1壓力值P1成為預先設定之正壓力值PP的方式,對利用上游泵31之壓力感測器50測量出之第2壓力值P2進行調整。預先設定之正壓力值PP於4個供給閥21A~21D中使用相同之值。該壓力調整係與使開關閥V2、V6處於打開狀態而向液體處理單元11D輸送處理液同時地進行。該壓力調整係與管理第1壓力值P1與第2壓力值P2之差壓值DP同時地進行。
此處,預先設定之正壓力值PP例如假設為5kPa。利用壓力感測器86(參照圖4)測量出之第1壓力值P1例如假設為5kPa,由高低差決定之理論上之差壓值DP(第2壓力值P2-第1壓力值P1)例如假設為9kPa。於此情形時,上游泵31以第2壓力值P2成為14kPa之方式進行加壓。差壓值DP係由上游泵31與供給閥21A~21D之各者之高低差來決定之值。因此,供給閥21之位置越高,則差壓值DP越大。例如,於第2壓力值P2為14kPa,但第1壓力值P1例如低至4kPa之情形時,以使利用泵57之壓力感測器86測量出之第1壓力值P1成為5kPa之方式,例如上游泵31對利用上游泵31之壓力感測器50測量出之第2壓力值P2進行調整。即,藉由提高隔膜43及第1連桿45之前進速度,而對處理液進一步加壓。上游泵31將進一步加壓之
處理液送出至泵57。再者,藉由降低隔膜43及第1連桿45之前進速度而對處理液進行減壓。
再者,第2壓力值P2可利用被輸送處理液之液體處理單元11D之泵57進行調整,亦可利用上游泵31及被輸送處理液之液體處理單元11D之泵57這兩者進行調整。於此情形時,當上游泵31送出處理液時,泵57藉由降低隔膜83及第3連桿88之後退速度而對處理液進行加壓。又,泵57藉由提高隔膜83及第3連桿88之後退速度而對處理液進行減壓。
於圖1(a)中,在4個液體處理單元11A~11D之下方設置有收納區域PA1。於收納區域PA1內配置有較供給閥21A~21D更上游之構成。例如於收納區域PA1內配置有如圖2所示之輸送配管25、處理液瓶27、收集罐29、上游泵31、過濾器33、3個分支部34~36、及6個開關閥V1~V6等。又,於圖1(a)中,在4個液體處理單元11A~11D之側方設置有配管區域PA2。於配管區域PA2內例如配置有4根輸送支配管37A~37D(一部分)、4根回流支配管107A~107D(一部分)等。
基板處理裝置1具備圖1(b)所示之控制器115、及未圖示之記憶部(例如記憶體)。控制器115具備1個或複數個中央運算處理裝置(CPU)。控制器115對基板處理裝置1之各構成(例如保持旋轉部14、供給閥21、氣體供給部28、上游泵31、及開關閥V1~V10、V21~V22)進行控制。於記憶部記憶有基板處理裝置1之動作所需之電腦程式。
<2.基板處理裝置1之動作>
對基板處理裝置1之動作進行說明。基板W利用4個液體處理單元11A~11D中之例如最上級之液體處理單元11D進行液體處理。首先,將基板W搬送至液體處理單元11D之保持旋轉部14上。
於圖1(a)、圖1(b)中,載具C被搬送至載具載置台5。第1基板搬送機構6自載置於載具載置台5之載具C中取出基板W,將取出之基板W搬送至2個基板載置部PS1、PS2中之一者。於該說明中,取出之基板W係搬送至配置於上級之基板載置部PS2。
第2基板搬送機構8自基板載置部PS2接收基板W,並將接收到之基板W搬送至任意處理單元7(11A~11B、12)。基板W例如於利用其他處理單元12進行熱處理或冷卻處理之後,被搬送至最上級之液體處理單元11D。又,基板W載置於液體處理單元11D之2個保持旋轉部14中之一者之旋轉夾頭23上。保持旋轉部14保持所載置之基板W。
接下來,參照圖2、圖4、圖6對利用上游泵31及供給閥21D等進行之液體輸送動作加以說明。圖6係用於對開關閥V1~V10、V22及供給閥21之開關閥55之動作進行說明之圖。再者,於圖6中,在與4個開關閥V3~V6相關之項目「V3/V4/V5/V6」中,「打開」表示4個開關閥V3~V6中之任一個選擇性地成為打開狀態。又,「關閉」表示4個開關閥V3~V6全部成為關閉狀態。這於與4個開關閥V7~V10相關之項目「V7/V8/V9/V10」及與4個供給閥21A~21D之4個開關閥55相關之項目
「55」中亦相同。
[步驟S01]上游泵31之抽吸工序
於圖2中,使開關閥V1處於打開狀態(ON狀態),又,使開關閥V2~V10、V22及4個供給閥21A~21D之開關閥55處於關閉狀態(OFF狀態)。於該狀態下,上游泵31使上游泵31之隔膜43及第1連桿45向遠離壓力感測器50之方向後退。藉此,泵室41之容量增大,處理液被抽吸至上游泵31之泵室41內。
[步驟S02]利用過濾器33進行之過濾工序
使抽吸至上游泵31之泵室41內之處理液通過輸送配管25及過濾器33輸送至供給閥21D之泵57之泵室82。於處理液自上游泵31被輸送至供給閥21D之泵57時,處理液中之異物及氣泡被過濾器33去除。
具體地進行說明。首先,使開關閥V1~V10、V22及4個供給閥21A~21D之開關閥55處於關閉狀態。於該狀態下,以使利用壓力感測器50測量出之第2壓力值P2成為預先設定之噴出壓力之方式,上游泵31使泵室41之容積發生變化。
然後,使開關閥V2、V6處於打開狀態,又,使開關閥V1、V3~V5、V7~V10、V22及供給閥21A~21D之開關閥55處於關閉狀態。於該狀態下,上游泵31使隔膜43及第1連桿45向靠近壓力感測器50之方向前進。藉此,上游泵31之泵室41之容積減小,自泵室41向過濾器33送出處
理液。與該上游泵31之動作同時,液體處理單元11D之供給閥21D之泵57使隔膜83及第3連桿88向遠離壓力感測器86之方向後退。藉此,泵57之泵室82之容積增大,處理液被抽吸至供給閥21D之泵57之泵室82內。
此處,上游泵31於選擇性地對4個液體處理單元11A~11D中之任一個、例如液體處理單元11D輸送處理液之情形時,與被輸送處理液之液體處理單元11D之供給閥21D之泵驅動部85(泵57)協作,以使利用被輸送處理液之液體處理單元11D之壓力感測器86(參照圖4)測量出之第1壓力值P1成為預先設定之正壓力值PP的方式,對利用上游泵31之壓力感測器50測量出之第2壓力值P2進行調整。
[步驟S03]泵57之排氣工序
使開關閥V10處於打開狀態,使開關閥V1~V9、V22及供給閥21A~21D之開關閥55處於關閉狀態。於該狀態下,供給閥21D之泵57使隔膜83及第3連桿88向靠近壓力感測器86之方向少許前進。該移動量被預先設定。藉此,於圖4中,泵室82之容積稍微減小,泵室82內之處理液不向開關閥室65側,而向排氣流路103及氣泡排出構件105側送出。再者,自泵室82內送出之處理液依序流向入口側流路67、排氣流路103、氣泡排出構件105及回流支配管107D。
此處,於開關閥55之開關閥室65,經由共有流路67B(入口側流路67)連接有排氣流路103。開關閥室65內之氣泡能夠移動至排氣流路103。移動至排氣流路103之氣泡進而藉由由泵57所致之處理液之流動,而被輸送
至氣泡排出構件105或回流支配管107D。又,於該工序中,亦能將於泵57中或者於較泵57更上游產生之氣泡輸送至回流支配管107D等。
再者,輸送至回流支配管107D之氣泡及處理液依序返回至第3合流部111、回流配管112、第4合流部114。返回至第4合流部114之處理液被輸送至處理液瓶27。藉此,能夠有效利用成本較高之處理液而不將其廢棄。
[步驟S04]利用泵57進行之噴出工序
首先,使開關閥V1~V10、V22及4個供給閥21A~21D之開關閥55處於關閉狀態。於該狀態下,以使利用供給閥21D之壓力感測器86測量出之第1壓力值P1成為預先設定之噴出壓力的方式,供給閥21D之泵57使泵室82之容積發生變化。
然後,使供給閥21D之開關閥55處於打開狀態,使開關閥V1~V10、V22及3個供給閥21A~21C之開關閥55處於關閉狀態。於該狀態下,供給閥21D之泵57使隔膜83及第3連桿88前進。藉此,泵室82之容積與隔膜83及第3連桿88之移動量對應地減小。因此,供給閥21D之泵室82內之處理液被輸送至開關閥室65及出口側流路69側,自噴嘴16噴出處理液。再者,泵室82內之處理液通過入口側流路67及出口側流路69依序輸送至開關閥室65、回吸閥室92、出口構件64。輸送至出口構件64之處理液依序被輸送至噴嘴側配管22D、噴嘴16D(參照圖2)。
又,於自泵室82送出處理液之期間,以使利用供給閥21D之壓力感測器86測量出之第1壓力值P1維持預先設定之噴出壓力的方式,供給閥21D之泵57提高或降低隔膜83及第3連桿88之前進速度。
於噴出處理液之期間,保持旋轉部14可使所保持之基板W旋轉,亦可使其靜止不旋轉。當自噴嘴16D噴出預先設定之量之處理液時,關閉供給閥21D之開關閥55,並且停止供給閥21D之泵57之隔膜83及第3連桿88之移動。
又,於使隔膜73離開閥座71而使供給閥21D之開關閥55處於打開狀態之情形時(即,於自噴嘴16D噴出處理液之情形時),供給閥21D之回吸閥59藉由使隔膜93及第4連桿98前進,而減小回吸閥室92之容積。又,於將隔膜73壓抵於閥座71而使供給閥21D之開關閥55處於關閉狀態之情形時(即,於停止自噴嘴16D噴出處理液之情形時),供給閥21D之回吸閥59藉由使隔膜93及第4連桿98後退,而增大回吸閥室92之容積。當容積增大時,噴嘴16D內之處理液被向供給閥21D側吸入,能夠防止處理液之液滴自噴嘴16A滴落。
再者,亦可同時進行抽吸工序與噴出工序。於此情形時,例如依序重複進行抽吸與噴出工序(步驟S01+S04)、過濾工序(步驟S02)、沖洗(步驟S03)。
又,假設於步驟S02中,例如將5ml(毫升)之處理液輸送至泵57之泵
室82,於步驟S04之噴出工序之後,泵室82中殘留例如1ml之處理液。於此情形時,亦可如圖6所示之步驟S21進行動作,使剩餘之處理液向第4合流部114側返回。
具體而言,使開關閥V10處於打開狀態,使開關閥V1~V9、V22及供給閥21A~21D之開關閥55處於關閉狀態。於該狀態下,供給閥21D之泵57使隔膜83及第3連桿88向靠近壓力感測器86之方向前進。藉此,剩餘之處理液通過回流配管112向第4合流部114側返回。藉由使處理液流動,能夠防止處理液(例如抗蝕液)凝固而產生異物。於此情形時,按照步驟S01、步驟S02、步驟S03、步驟S04、步驟S21之順序進行動作。再者,步驟S01亦可與步驟S04或步驟S21並行地進行。
再者,上游泵31於將處理液輸送至供給閥21D之後,可再次向供給閥21D輸送處理液,亦可選擇性地對其他3個供給閥21A~21C中之任一個(例如供給閥21A)輸送處理液。
於對基板W噴出處理液進行處理之後,保持旋轉部14於將基板W之旋轉停止之狀態下解除對基板W之保持。第2基板搬送機構8接收液體處理單元11D之保持旋轉部14上之基板W。第2基板搬送機構8於將接收到之基板W依需送至其他處理單元12之後,將基板W搬送至基板載置部PS2。第1基板搬送機構6接收被搬送至基板載置部PS2之基板W,將接收到之基板W返回至載置於載具載置台5之載具C。
根據本實施例,供給閥21具備開關閥55(開關閥室65、閥座71、隔膜73及開關驅動部75)。於開關閥室65連接有將開關閥室65內之氣泡排出之排氣流路103。藉此,即便於開啟及關閉開關閥55時產生氣泡,亦能通過排氣流路103排出開關閥室65內之氣泡。即,能夠去除因開關閥55而產生之氣泡。因此,能夠防止因氣泡被供給至基板W上等而造成製品缺陷。
又,排氣流路103向下方向延伸並連接於開關閥室65。由於排氣流路103向氣泡因浮力而移動之方向延伸,故而能夠容易地去除開關閥室65內之氣泡。
又,入口側流路67具有向下方向延伸並連接於開關閥室65之共有流路67B。而且,排氣流路103經由共有流路67B連接於開關閥室65,將開關閥室65內之氣泡排出。排氣流路103藉由連接於入口側流路67之共有流路67B,而經由共有流路67B連接於開關閥室65。因此,能夠使流路區塊61形成得較小。又,由於共有流路67B向下方向延伸,故而排氣流路103及共有流路67B均向下方向延伸。因此,能夠更容易地去除開關閥室65內之氣泡。
又,供給閥21具備泵57(泵室82、隔膜83及泵驅動部85)。泵57設置於設置有開關閥55之流路區塊61。因此,泵57與開關閥55之距離變短。因此,能夠將因泵57與開關閥55之間之流路長度而產生之壓力損耗抑制得較小,並且將因泵57與開關閥55之間之高低差而產生之壓力損耗抑制得較小。又,於基板處理裝置1具備複數個供給閥21之情形時,泵57與開
關閥55之距離及高低差必然固定不變。因此,能夠於複數個供給閥21之間使因流路長度而產生之壓力損耗一致。
又,例如供給閥21A與噴嘴16A及噴嘴側配管22A一同配置於液體處理單元11A內之處理空間。能夠使供給閥21A之泵57(泵室82、隔膜83及泵驅動部85)更靠近噴嘴16A。能夠將因自供給閥21A之泵57至噴嘴16A為止之流路及配管長度而產生之壓力損耗抑制得更小。又,供給閥21A之電動馬達90可使用例如轉矩較上游泵31之電動馬達48小之電動馬達。其他3個供給閥21B~21D亦同樣如此。
接下來,參照圖式對本發明之實施例2進行說明。再者,省略與實施例1重複之說明。
於實施例1之圖4、圖5中,開關閥室65之頂面65A水平。頂面65A係於圖5中由點狀陰影所表示之部分。於此方面,於實施例2中,開關閥室65之頂面65A具有傾斜面65A以將氣泡引導至排氣流路103。傾斜面65A能夠容易地使氣泡聚集於排氣流路103,而不留在開關閥室65內。
圖7係表示實施例2之供給閥21之安裝姿勢之圖。於圖7及下述圖8中,由符號Z所表示之箭頭表示鉛直方向。圖7所示之實施例2之供給閥21係使圖4所示之供給閥21傾斜之情況。即,圖7所示之供給閥21係以傾斜姿勢安裝於液體處理單元11A~11D內。
對朝何處傾斜進行說明。共有流路67B與開關閥室65之連接部分於開關閥室65內配置於入口構件63側。因此,供給閥21以出口構件64較入口構件63低之方式配置。藉此,頂面65A之大致整個面傾斜,因此,開關閥室65內之氣泡容易被引導至共有流路67B及排氣流路103。
再者,需要頂面65A傾斜,加上排氣流路103及共有流路67B自開關閥室65向上方向(包含斜上方向)延伸。此係為了便於自氣泡排出構件105排出開關閥室65之氣泡。
圖8係將實施例2之變化例之供給閥21之一部分放大的縱截面圖。圖8所示之頂面65A係相對於水平之上表面61T及下表面61B傾斜。即,頂面65A之大致整個面為傾斜面65A。由圖5之點狀陰影所表示之頂面65A以包圍閥座71之方式形成為圓環狀。因此,圖8所示之氣泡BB一面通過閥座71之周圍一面沿著頂面(傾斜面)65A被引導。藉此,開關閥室65內之氣泡BB易被引導至共有流路67B及排氣流路103。再者,於圖7、圖8中,頂面(傾斜面)65A亦可為曲面。
本發明不限於上述實施方式,可如下所述地變化實施。
(1)於上述各實施例中,如圖1(a)、圖2所示,基板處理裝置1具備4級(4層)液體處理單元11A~11D。於此方面,基板處理裝置1亦可具備1級或2級以上液體處理單元。再者,2級以上液體處理單元沿上下方向配置。
(2)於上述各實施例及各變化例中,基板處理裝置1構成為自1個處理液瓶27向4個液體處理單元11A~11D輸送處理液。關於此點,基板處理裝置1亦可構成為自複數個(例如2個)處理液瓶27向1個或複數個液體處理單元輸送處理液。如圖9、圖10所示,例如,基板處理裝置1具備2個塗佈單元RESIST及2個塗佈單元BARC。4個塗佈單元RESIST、BARC(液體處理單元11A~11D)以層疊之方式沿上下方向配置。
圖9係表示用於對2個塗佈單元BARC供給塗佈液之構成之配管圖。2個塗佈單元BARC各自於基板W上形成抗反射膜。於處理液瓶120中收容用於形成抗反射膜之塗佈液。輸送配管25P之第1端插入至處理液瓶120內。輸送配管25P之第2端連接於分支部121。又,於分支部121連接有2根輸送支配管37A、37C。
又,回流支配管107A、107C之2個第1端,係分別連接於供給閥21A、21C之2個氣泡排出構件105。回流支配管107A、107C之2個第2端係連接於合流部122。於合流部122連接有回流配管112P。再者,於圖9中,與塗佈單元BARC相關之構成係如符號25P般,於數字上帶有「P」。帶有「P」之例如輸送配管25P之功能,係與圖2所示之輸送配管25的功能相同。
圖10係表示用於對2個塗佈單元RESIST供給塗佈液之構成之配管圖。2個塗佈單元RESIST係各自於基板W之抗反射膜上形成抗蝕膜者。於
處理液瓶124中收容抗蝕液(塗佈液)。輸送配管25Q之第1端係插入至處理液瓶124內。輸送配管25Q之第2端係連接於分支部125。又,於分支部125連接有2根輸送支配管37B、37D。
又,回流支配管107B、107D之2個第1端分別連接於供給閥21B、21D之2個氣泡排出構件105。回流支配管107B、107D之2個第2端連接於合流部126。於合流部126連接有回流配管112Q。再者,於圖10中,與塗佈單元RESIST相關之構成如符號25Q,於數字上帶有「Q」。帶有「Q」之例如輸送配管25Q之功能與圖2所示之輸送配管25的功能相同。又,例如輸送配管25Q與圖9所示之輸送配管25P分開設置。
(3)於上述各實施例及各變化例中,圖4所示之排氣流路103向鉛直下方向延伸並連接於共有流路67B,又,共有流路67B向鉛直下方向延伸並連接於開關閥室65。於此方面,亦可為排氣流路103向斜下方向延伸並連接於共有流路67B,又,共有流路67B向斜下方向延伸並連接於開關閥室65。再者,於本說明書中,下方向包含斜下方向,上方向包含斜上方向。
又,排氣流路103及共有流路67B自開關閥室65呈直線狀延伸。於此方面,排氣流路103及共有流路67B亦可自開關閥室65呈包含圓弧狀之曲線狀延伸。
(4)於上述各實施例及各變化例中,圖4所示之供給閥21之開關閥55及泵57設置於1個流路區塊61。於此方面,開關閥55及泵57亦可視需要分
別設置於2個流路區塊。於此情形時,2個流路區塊利用中空圓筒狀(管狀)之中間配管連接。而且,處理液自設置有泵57之第1流路區塊通過該中間配管被輸送至設置有開關閥55之第2流路區塊。再者,圖4所示之流路區塊61不構成為2個流路區塊61利用中間配管相連。
又,開關閥55與回吸閥59亦可分別設置於2個流路區塊。於此情形時亦相同,2個流路區塊利用中空圓筒狀(管狀)之中間配管連接。又,開關閥55、泵57、回吸閥59亦可分別設置於3個流路區塊。
(5)於上述各實施例及各變化例中,如圖4所示,排氣流路103經由入口側流路67之共有流路67B連接於開關閥室65。於此方面,如圖11所示,排氣流路103亦可不經由入口側流路67(共有流路67B)而直接連接於開關閥室65。於此情形時,圖11之開關閥室65大於圖4之開關閥室65。因此,流路區塊61、即供給閥21變大。又,於使處理液通過排氣流路103返回至第4合流部114側時,處理液依序輸送至入口側流路67、開關閥室65、排氣流路103。
又,當與入口側流路67分開地將排氣流路103設置於圖5之箭頭VNT所指之位置時,可能會於箭頭WD所示之方向上不得不使流路區塊61形成得較厚。於此情形時亦相同,流路區塊61、即供給閥21變大。
21:供給閥
22:噴嘴側配管
37:輸送支配管
55:開關閥
57:泵
59:回吸閥
61:流路區塊
61B:下表面
61L:左側面
61R:右側面
61T:上表面
63:入口構件
64:出口構件
65:開關閥室
67:入口側流路
67A:入口
67B:共有流路
69:出口側流路
69A:出口
71:閥座
73:隔膜
73A:厚壁部
73B:薄壁部
75:開關驅動部
76:空間
78:第2連桿
79:轉換機構
80:電動馬達
80A:輸出軸
82:泵室
83:隔膜
85:泵驅動部
86:壓力感測器
88:第3連桿
89:轉換機構
90:電動馬達
90A:輸出軸
92:回吸閥室
93:隔膜
95:回吸驅動部
98:第4連桿
100:轉換機構
101:電動馬達
101A:輸出軸
103:排氣流路
103A:排出口
105:氣泡排出部
Claims (8)
- 一種基板處理裝置,其特徵在於包含:噴嘴,其對基板噴出處理液;供給閥,其用於對上述噴嘴供給處理液;及噴嘴側配管,其將上述噴嘴與上述供給閥之出口相連;且上述供給閥包含:流路區塊;開關閥室,其形成於上述流路區塊;入口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於入口與上述開關閥室之間供液體流動;出口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於上述開關閥室與上述出口之間供液體流動;開關閥體,其配置於上述開關閥室內;閥座,其設置於上述開關閥室與上述出口側流路之交界,構成為於上述開關閥室內承接上述開關閥體;開關驅動部,其藉由將上述開關閥體壓抵於上述閥座,來停止處理液自上述開關閥室向上述出口側流路之流動,又,藉由使壓抵之上述開關閥體離開上述閥座,而使處理液自上述開關閥室流向上述出口側流路;及排氣流路,其形成於上述流路區塊,與上述開關閥室連接而將上述開關閥室內之氣泡排出。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述排氣流路係向下方向延伸並連接於上述開關閥室。
- 如請求項2之基板處理裝置,其中上述入口側流路具有向下方向延伸並連接於上述開關閥室之共有流路,上述排氣流路經由上述共有流路而連接於上述開關閥室,將上述開關閥室內之氣泡排出。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中上述開關閥室之頂面具有傾斜面,以將氣泡引導至上述排氣流路。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中上述供給閥進而包含:第1泵室,其形成於上述流路區塊之上述入口側流路,收容處理液;容積變化構件,其使上述第1泵室內之容積發生變化;及泵驅動部,其驅動上述容積變化構件來進行泵動作。
- 如請求項5之基板處理裝置,其中上述供給閥與上述噴嘴及上述噴嘴側配管一同配置於液體處理單元內。
- 如請求項5之基板處理裝置,其進而包含:複數個液體處理單元,其等沿上下方向配置,各自對基板進行處 理;及上游泵,其用於對上述複數個液體處理單元之各者輸送處理液;且上述複數個液體處理單元係各自包含上述噴嘴、上述供給閥及上述噴嘴側配管,上述供給閥包含第1壓力感測器,上述第1壓力感測器以與上述第1泵室相接之方式設置,於上述第1泵室內測量處理液之壓力,上述上游泵包含:第2泵室,其收容處理液;及第2壓力感測器,其以與上述第2泵室相接之方式設置,於上述第2泵室內測量處理液之壓力;且上述上游泵於選擇性地對上述複數個液體處理單元中之任一液體處理單元輸送處理液之情形時,與被輸送處理液之上述液體處理單元之上述供給閥之上述泵驅動部協作,以使利用被輸送處理液之上述液體處理單元之上述第1壓力感測器所測量出之第1壓力值成為預先設定之壓力值的方式,對利用上述第2壓力感測器測量出之第2壓力值進行調整。
- 一種供給閥,其特徵在於包含:流路區塊;開關閥室,其形成於上述流路區塊;入口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於入口與上述開關閥室之間供液體流動;出口側流路,其形成於上述流路區塊,構成為於上述開關閥室與出口之間供液體流動; 開關閥體,其配置於上述開關閥室內;閥座,其設置於上述開關閥室與上述出口側流路之交界,構成為於上述開關閥室內承接上述開關閥體;開關驅動部,其藉由將上述開關閥體壓抵於上述閥座,來停止液體自上述開關閥室向上述出口側流路之流動,又,藉由使壓抵之上述開關閥體離開上述閥座,而使液體自上述開關閥室流向上述出口側流路;及排氣流路,其形成於上述流路區塊,與上述開關閥室連接而將上述開關閥室內之氣泡排出。
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---|---|---|---|---|
US5814151A (en) * | 1996-03-19 | 1998-09-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for spraying photoresist |
US6113695A (en) * | 1997-07-23 | 2000-09-05 | Tokyo Electron Limited | Coating unit |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4553256B2 (ja) | 2005-06-24 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及びその制御方法 |
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2021
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5814151A (en) * | 1996-03-19 | 1998-09-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for spraying photoresist |
US6113695A (en) * | 1997-07-23 | 2000-09-05 | Tokyo Electron Limited | Coating unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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