TW202224780A - 液體供應單元及液體供應方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種液體供應單元。液體供應單元包括一個具有用於儲存液體的內部空間的罐體、一個用於將液體從液體供應源供應到內部空間並在其上安裝有入口閥的入口管、一個用於將液體從罐體供應到噴嘴或將液體重新收集到罐體並在其上安裝有出口閥的出口管、一個用於向內部空間供應氣體並在其上安裝有氣體控制閥的氣體供應管、用於排空內部空間並在其上安裝有排氣閥的排氣管、用於循環儲存在內部空間的液體的循環管以及控制器。控制器能控制液體供應單元，以便在向內部空間供應液體的同時對循環管進行加壓。

Description

液體供應單元及液體供應方法
本發明涉及一種用於供給處理物體用之液體的液體供應單元以及其液體供應方法。
殘留在基板表面的汙染物，如：微粒、有機汙染物及金屬汙染物，對於半導體設備的性能及產量有很大的影響。因此，在半導體製造工序中，去除附著於基板表面上各種汙染物的清洗工序便十分重要。在製造半導體的每一單元的工序前後，都要進行基板的清洗工序。
在通常情況下，基板清洗工序包含：使用化學劑去除殘留在基板上的金屬汙染物、有機汙染物以及微粒的化學處理工序、使用純水去除殘留在基板上的化學劑的漂洗工序以及使用氮氣或是超臨界流體乾燥基板的乾燥工序。
在化學處理工序中，液體供應單元將液體提供給噴嘴。一般情況下，液體供應單元包含用於儲存液體的罐體、用於將液體從罐體中的內部空間提供至噴嘴的供應管、用於在處理基板後將液體回收至罐體內部空間的回收管等。為了防止供液停止，設置有兩個或是多個罐體，在每個罐體中所儲存的液體能藉由與每一罐體相接的排水管排出。
例如，液體供應單元在預定溫度下供給液體至噴嘴。每條管線均配置有一加熱器。根據每個步驟提供高溫液體。通常，溫度感測器設置於加熱器的排放端。基於溫度感測器所測得的液體溫度，液體會被加熱至預定溫度。然而，由於加熱器在不考量液體接觸的表面溫度下，液體的接觸面被加熱以致產生氣泡，這種氣泡在處理基板的後續工序中會有形成顆粒的問題。
本發明提供一種用以防止液體在液體供應單元內沸騰的液體供應單元及液體供給方法。
本發明還提供一種能最小化顆粒生成的液體供應單元及液體供給方法。
本發明的技術標的並不局限於上述標的，其他未被提及的技術標的對於本領域的技術人員來說，能從以下描述中可以知悉。
本發明提供一種用於供應液體的液體供應單元，包括一罐體、一入口管、一出口管、一氣體供應管、一排氣管、一循環管以及一控制器。該罐體具有一內部空間其用於儲存液體。該入口管上安裝有一入口閥，該入口管用以將液體從一液體供應源供應到該內部空間。該出口管上安裝有一出口閥，該出口管用以將液體從該罐體供應至一噴嘴或是將液體回收至該罐體。該氣體供應管上安裝有一氣體控制閥，該氣體供應管用以供應氣體到所述內部空間。該排氣管上安裝有一排氣閥，該排氣管用以排空該內部空間。該循環管用以循環儲存於該內部空間的液體。該控制器能控制該液體供應單元，使得當液體被供應至該內部空間時，該循環管被加壓。
在一實施例中，該控制器進一步能控制該氣體控制閥與該排氣閥，使得當液體被供應至該內部空間時，該內部空間被加壓。
在一實施例中，該控制器能控制該氣體控制閥與該排氣閥，使得當液體供應至該內部空間時，氣體能被供應到該內部空間但該排氣閥被關閉。
在一實施例中，該循環管包含一第一幫浦、一第一加熱器以及一壓力提供件。該第一加熱器用於加熱該循環管內的液體。該壓力提供件設置於該第一加熱器的下游。其中通過該壓力提供件所需的液體壓力高於通過該第一加熱器所需的液體壓力。
在一實施例中，該壓力提供件是一第一調節器，該循環管進一步包含一第一壓力感測器，該第一壓力感測器設置於該第一調節器的上游並能感測該循環管內的液體壓力，當該循環管內的壓力等於或是高於一預定壓力時，該第一調節器打開以允許液體流動。
在一實施例中，該第一加熱器上設置有一第一溫度感測器，該第一溫度感測器用以測量液體接觸表面的溫度，並且該第一加熱器被控制使得該第一溫度感測器所偵測到的液體接觸表面溫度不超過根據預定壓力下的液體沸點。
在一實施例中，當該循環管內的液體壓力等於或高於該預定壓力時，該控制器控制該排氣閥以排空該內部空間。
在一實施例中，該排氣管包含一第二幫浦、一第二加熱器、一第二調節器以及一第二壓力感測器。該第二加熱器用於加熱該出口管內的液體。當該出口管上游的壓力等於或是高於一預定壓力時，該第二調節器能被開啟以允許液體流動。該第二壓力感測器安裝於該第二調節器的上游以測量位於該出口管內的壓力。
在一實施例中，該液體供應單元進一步包含一供應管，該供應管是一是該第二加熱器和該第二調節器之間的該出口管分支，並連接至該噴嘴。
在一實施例中，該第二加熱器上設置有一第二溫度感測器，該第二溫度感測器用以測量該液體接觸表面的溫度，該控制器控制該第二加熱器，使該第二溫度感測器測量的該液體接觸表面溫度不超過該液體在該預定壓力下的沸點。
在一實施例中，該罐體包含一第一罐體以及一第二罐體，該循環管連接該第一罐體與該第二罐體，該控制器能控制使當液體從該第二罐體通過該入口管能被供應到該噴嘴時，該液體通過該入口管被供應到該第一罐體，並且位於該第一罐體的一內部空間的該液體通過該循環管循環。
本發明提供一種液體供應方法包括將一液體供應到一第一罐體或一第二罐體兩者之一的一內部空間，同時對在該第一罐體或該第二罐體兩者之一的另一內部空間中用以循環該液體的一循環管加壓。
在一實施例中，將一氣體供應到該內部空間，並且在將該液體供應到該內部空間的同時不排空該內部空間。
在一實施例中，該循環管包一加熱器以及一壓力提供件。該加熱器用以加熱該循環管內的該液體。該壓力提供件設置於該加熱器的下游。其中通過該壓力提供件所需的液體壓力高於通過該加熱器所需的液體壓力。
在一實施例中，當該循環管內的壓力達到或高於一預定壓力時，該內部空間被排空。
在一實施例中，根據該預定壓力，該加熱器的溫度與該液體表面的接觸溫度不會超過該液體的沸點。
本發明提供一種使用基板處理設備的液體供應方法，其包括通過該噴嘴從該第二罐體的該內部空間供應液體，同時將液體供應到該第一罐體的該內部空間，以及通過該循環管在該第一罐體內循環液體，並在進行液體供應的同時對該循環管加壓。
在一實施例中，當該液體被供應至該第一罐體的該內部空間時，該氣體被供應至該第一罐體的該內部空間，並且該第一罐體的該內部空間不會被排空。
在一實施例中，當該循環管內的該液體的壓力達到預定壓力時，允許液體在循環管內流動。
在一實施例中，在該循環管提供一加熱器，並且根據該預定壓力，該加熱器的接觸表面溫度和該液體的溫度不超過的該液體沸點。
根據本發明，可以防止液體於液體供應單元內沸騰。
根據本發明，產生的顆粒能被最小化。
本發明的效果不限於上述效果，未被提及的效果將由本領域中具有通常知識者從本說明書和隨附圖式中清楚地瞭解。
本發明可以進行各種修改並具有各種形式，並且將在圖式中示出且詳細描述其具體實施例。 然而，根據本發明的實施例並不旨在限制具體公開的形式，且應當理解為本發明包含在本發明的精神和技術範圍中的所有轉換、相同和取代的概念。 在本發明的描述中，當相關已知技術的詳細描述可能使本發明構思的本質不清楚時，可以省略其詳細描述。
本文所使用的術語僅出於描述特定實施例的目的，而非旨在限定本發明。如本文所使用的單數形式的術語“一個”和“該/所述”還包含複數形式，除非上下文清楚指出並非如此。還應當理解的是，本文所使用的術語“包含”、“包括”是指存在所述的特徵、整體、步驟、操作、元件、和/或元件，但是不排除存在或附加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、元件、和/或以上的組合。如本文所使用的術語“和/或”包括所列出的相關項目中的任意一個或多個、或者它們的所有組合。此外，術語“示例性”旨在指代示例或說明。
應當理解，雖然術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可用於描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件 、區域、層和/或部分不應受這些術語的限制。 這些術語僅用於將一個元素、組件、區域、層或部分與另一個區域、層或部分區分開來。 因此，在不背離本發明的教示情況下，下面討論的第一元件、組件、區域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區域、層或部分。
圖1是本發明的基板處理設施1的示意性平面圖。參考圖1，基板處理設施1具有轉位模組10和處理模組20。轉位模組10具有裝載埠120和傳送框架140。裝載埠120、傳送框架140和處理模組20按順序對齊。在下文中，裝載埠120、傳送框架140和處理模組20對齊的方向被稱為第一方向12。此外，當俯視時，垂直於第一方向12的方向被稱為第二方向14，並且垂直於包括第一方向12和第二方向14所處平面的方向被稱為第三方向16。
其中容納基板W的載體130置於裝載埠120上。可以具有多個裝載埠120並沿著第二方向14順序排列。圖1說明提供四個裝載埠120。然而，根據例如處理模組20的處理效率和佔有面積等條件可以增加或減少裝載埠120的數量。用以提供支撐基板W邊緣的狹槽(未示出)是形成於載體130。在第三方向16上設置有多個狹槽，且位於載體130上的基板W沿著第三方向16彼此相互堆疊，前開式晶圓傳送盒(FOUP)可用作載體130。
處理模組20具有一緩衝單元220、傳送腔室240和處理腔室260。傳送腔室240被設置成其縱長方向平行於第一方向12。處理腔室260沿著第二方向14被設分別置在傳送腔室240的一側和另一側。位在傳送腔室240的一側的處理腔室260以及位在傳送腔室240的另一側的處理腔室260相對於傳送腔室240對稱設置。部分的處理腔室260沿著傳送腔室240的縱長方向設置。此外，部分的處理腔室260是彼此堆疊設置。
也就是說，處理腔室260可以以A×B陣列(A和B分別為1或更大的自然數) 在傳送腔室240的一側設置。在此，“A”是沿著第一方向12依序設置的處理腔室260數量，且“B”是沿著第三方向16依序設置的處理腔室260數量。在傳送腔室240的一側設置有四個或六個處理腔室260的情況下，處理腔室260可佈置成2×2或3×2陣列。處理腔室260的數量可增加或減少。與以上描述不同的是，處理腔室260可僅設置在傳送腔室240的一側。另外，與以上描述不同的是，在傳送腔室240的一側或另一側上以單層設置處理腔室260。
緩衝單元220設置在傳送框架140與傳送腔室240之間。緩衝單元220提供了一停留空間，在基板W被傳送於傳送腔室240與傳送框架140之前用以停留基板W。緩衝單元220上設置有能放置基板W的狹槽(未示出)。多個狹槽(未示出)沿著第三方向16彼此間隔開。在緩衝單元20中，面向傳送框架140的一側與面向傳送腔室240的一側分別打開。
傳送框架140在置於裝載埠120上的載體130與緩衝單元220之間傳送基板W。在傳送框架140中設置有轉位軌道142和轉位機械手臂144。轉位軌道142設置成其縱長方向是平行於第二方向14。轉位機械手臂144安裝在轉位軌道142上且沿著轉位軌道142在第二方向14上直線移動。
轉位機械手臂144具有一基座144a、一主體144b和一轉位臂144c。基座144a設置成可沿著轉位軌道142移動。主體144b與基座144a聯接。主體144b可沿著第三方向16在基座144a上移動。此外，主體144b可在基座144a上旋轉。轉位臂144c與主體144b聯接並且可相對於主體144b向前和向後移動。多個轉位臂144c能個別地操作。轉位臂144c沿著第三方向16彼此相互間隔堆疊。部分轉位臂144c可用於將基板W從處理模組20傳送至載體130，而其他的轉位臂144c可用於將基板W從載體130傳送至處理模組20。這樣可以防止在轉位臂144搬入和取出基板W的過程中，處理前的基板W附著到處理後的基板W而產生顆粒。
傳送腔室240在緩衝單元220與處理腔室260之間以及在多個處理腔室260之間傳送基板W。在傳送腔室240中設置有一導軌242和一主要機械手臂244。導軌242被設置成其縱向方向平行於第一方向12。主要機械手臂244被設置在導軌242上且沿著第一方向12在導軌242上直線移動。主要機械手臂244具有基座244a、主體244b和主臂244c。基座244a被安裝成可沿著導軌242移動。主體244b能與基座244a聯接。主體244b可沿著第三方向16在基座244a上移動。此外，主體244b可在基座244a上旋轉。主臂244c能與主體244b組合並可相對於主體244b向前和向後移動。多個主臂244c能個別地操作。多個主臂244c沿著第三方向16彼此相互間隔地堆疊。用於將基板W從緩衝單元220傳送到處理腔室260的主臂244c與用於將基板W從處理腔室260傳送到緩衝單元220的主臂244c並不相同。
設置在處理腔室260 中的基板處理設備 300能對基板 W 執行清潔處理。設置在每個處理腔室260 中的基板處理設備 300 可以根據所要進行的清潔處理而具有不同的結構。 可選地，在每一處理腔室260中的基板處理設備300可以具有相同的結構。可選地，處理腔室260被分成多個組別，並且屬於同一組別的處理腔室260中的基板處理設備300可以具有相同的結構，並且屬於不同組別的處理室260中的基板處理設備300可以具有不同的結構。
例如，當處理腔室260被區分成兩個組別時，位於第一組別中的處理腔室260可以設置於傳送腔室240的一側，位於第二組別中的處理腔室260可以設置於傳送腔室240的另一側。可選地，位於第一組別中的處理腔室260可以分別設置在傳送腔室240下層的一側和另一側上，並且位於第二組別中的處理腔室260可以分別設置在傳送腔室240的上層，即是在第一組別的處理腔室260之上。 位於第一組別中的處理腔室260和位於第二組別中的處理腔室260可以分別根據所使用的化學劑的類型或所使用的清潔方法的類型來分類。
於下文中，將描述使用處理液以清潔基板W的基板處理設備300的示例。圖2是基板處理設備300示例的截面圖。 請參考圖2，基板處理設備300包括一外殼320、一支撐單元340、一升降單元360、一噴嘴單元380和一液體供應單元4100。
外殼320提供一個能執行基板處理工序的空間，並且其頂部是敞開的。外殼320具有一內部回收容器322、一中間回收容器324和一外部回收容器326。每一種回收容器(內部回收容器322、中間回收容器324和外部回收容器326)會回收基板處理工序中使用過的不同處理液。內部回收容器322設置成圓環形狀並圍繞支撐單元340，中間回收容器324設置為圓環形狀並圍繞內部回收容器322，並且外部回收容器326設置為圓環形狀並圍繞中間回收容器324。內部回收容器322的內部空間322a、位於內部回收容器322和中間回收容器324之間的空間324a以及位於中間回收容器324和外部回收容器326之間的空間326a被分別用作處理液流入內部回收容器322、中間回收容器324和外部回收容器326的入口。回收管322b、324b和326b分別連接到各自的回收容器(內部回收容器322、中間回收容器324和外部回收容器326)並由其各自的回收容器底部向下延伸。每個回收管322b、324b和326b分別排放從每個回收容器(內部回收容器322、中間回收容器324和外部回收容器326)引入的處理液。排放出的處理液可以通過外部處理液再生系統（未示出）重新使用。
支撐單元340設置在外殼320中。在處理期間，支撐單元340支撐基板W並旋轉基板W。支撐單元340具有一主體342、一個支撐銷344、一卡盤銷346和一支撐軸348。當從上方觀察時，主體342具有通常以圓形設置的頂面。可由馬達349旋轉的支撐軸348被固定地聯接到主體342的底表面。多個支撐銷344被提供。設置在主體342的頂表面邊緣上的支撐銷344彼此間隔一預定距離並從主體342向上突出。支撐銷344被佈置成通過其組合整體形成環形形狀。支撐銷344支撐基板W的底面邊緣，使得基板W與主體342的頂面間隔開預定的距離。提供多個卡盤銷346。卡盤銷346設置成比支撐銷344更遠離主體342的中心。卡盤銷346從主體342向上突出。當支撐單元340旋轉時，卡盤銷346支撐基板W的一側以防止基板W偏離預定的位置。卡盤銷346可沿主體342的徑向在備用位置和支撐位置之間線性移動。備用位置相比支撐位置是更遠離主體342的中心位置。當基板被裝載或卸載於支撐單元340上時，卡盤銷346位於備用位置，並且當對基板執行處理時，卡盤銷346位於支撐位置。在支撐位置，卡盤銷346係與基板的側面接觸。
升降單元360在上/下方向上線性移動外殼320。當外殼320上下移動時，外殼320相對於支撐單元340的高度是變化的。升降單元360包括一支架362、可移動軸364和致動器366。支架362固定地安裝至外殼320的外壁。可移動軸364固定地聯接至支架362並通過致動器366上下移動。當基板W放置在支撐單元340上或從支撐單元340被移開時，降低外殼320使得支撐單元340突出至外殼320的上方。此外，當執行工序時，根據分配到基板上的處理液類型來調節外殼320的高度，使得處理液能被引入預定的回收容器中。例如，用第一處理液處理基板W時，基板W位於與內部回收容器322的內部空間322a對應的高度處。另外，在第二處理液與第三處理液處理基板W期間，基板W可以位於分別對應於內部回收容器322和中間回收容器324之間的空間324a的高度。與上述描述不同，升降單元360可以上下地移動支撐單元340，而不是移動外殼320。
在基板處理工序期間，噴嘴單元380向基板W供應處理液。噴嘴單元380具有噴嘴支撐件382、噴嘴384、支撐軸386和驅動器388。支撐軸386設置成其長度方向在第三方向16上，並且驅動器388聯接到支撐軸 386 的底部端。驅動器 388 旋轉並提升支撐軸 386。噴嘴支撐件 382 與和驅動器 388相連的支撐軸 386 的另一端垂直聯接。噴嘴 384 安裝在噴嘴支撐件382的一端的底面。噴嘴384被驅動器388移動到處理位置和備用位置。處理位置是噴嘴384垂直設置在外殼320上方的位置，備用位置是噴嘴384離開外殼320垂直上方的位置。
提供一個或多個噴嘴單元380。當提供多個噴嘴單元380時，可以藉由不同的噴嘴單元380提供化學劑、沖洗液或有機溶劑。在一實施例中，該化學劑可以是酸性溶液，例如氫氟酸、硫酸、硝酸、磷酸等，或含有氫氧化鉀、氫氧化鈉、銨等的鹼性溶液。沖洗液可以是純水，有機溶劑可以是異丙醇蒸氣和惰性氣體的混合物或是異丙醇。
液體供應單元4100將液體供應到噴嘴單元380。圖3是本發明的液體供應單元4100的示圖。參考圖3，液體供應單元4100包括液體供應源4110、第一罐體4120、第二罐體4130、入口管（第一入口管4136和第二入口管4135）、氣體供應管（第一氣體供應管4129和第二氣體供應管4139）、排氣管（第一排氣管4112和一第二排氣管4114）、出口管線4150 、排水管（第一排水管4181、第二排水管4182）、循環線4160和供應管4190。
液體供應源4110儲存用以處理用的液體以及將液體供應至第一罐體4120或第二罐體4130。在一實施例中，液體可以是異丙醇。可選地，液體可以提供不同類型的化學劑、有機溶劑或類似物。
第一罐體4120和第二罐體4130具有基本相同的結構。第一罐體4120和第二罐體4130儲存液體。當液體從第一罐體4120與第二罐體4130其中之一供應給要處理的物體5000時，在另一個罐體中進行液體交換。在一實施例中，待處理的物體5000是在多個處理腔室中處理的基板。舉例來說，任一個待處理的物體5000即是圖2中所示的基板W。在一個實施例中，一個感應器（未顯示）是被安裝在第一罐體4120和第二罐體4130內。該感應器（未示出）檢測儲存在每個罐體內部空間中的液體殘餘量。
第一罐體4120和第二罐體4130可以儲存從單一液體供應源4110供應的一種液體。可選地，從單一液體供應源4110供應的第一液體和第二液體可以混合並儲存在第一罐體4120和第二罐體4130中。
入口管可以分別具有第一入口管4136和第二入口管4135。 第一入口管4136連接液體供應源4110與第一罐體4120。第一入口管4136處裝設有一第一入口閥4122，以控制液體是否從液體供應源4110供應到第一罐體4120以及控制供應流量。第二入口管4135連接液體供應源4110與第二罐體4130。第二入口管4135處裝設有一第二入口閥4132，以控制液體是否從液體供應源4110供應到第二入口管4135以及控制供應流量。
氣體供應管將氣體供應到第一罐體4120和第二罐體4130中。在一實施例中，氣體供應管分別包括第一氣體供應管4129和第二氣體供應管4139。第一氣體供應管4129將氣體供應到第一罐體4120，第二氣體供應管4139將氣體供應到第二罐體4130。在第一氣體供應管4129處安裝了一個第一氣體控制閥4128。第一氣體控制閥4128控制是否向第一罐體4120供應氣體以及控制供應量。第二氣體控制閥4138安裝在第二氣體供應管4139。第二氣體控制閥4138控制是否向第二罐體4130供應氣體以及控制供應量。氣體可以防止儲存在每個罐體（第一罐體4120和第二罐體4130）中的液體晃動或揮發。在一實施例中，氣體為惰性氣體。例如，氣體是一種氮氣N 2。
排氣管分別排空第一罐體4120和第二罐體4130的內部空間。在一實施例中，排氣管分別包括一第一排氣管4112和一第二排氣管4114。第一排氣管4112排空第一罐體4120的內部空間。第二排氣管4114排空第二罐體4130的內部空間。在第一排氣管4112處安裝了一第一排氣閥4113。第一排氣閥4113控制第一罐體4120的內部空間是否被排空以及控制排氣流速。第二排氣閥4116被安裝在第二排氣管4114處。第二排氣閥4116控制第二罐體4130的內部空間是否被排空以及控制排氣流量。
出口管4150將第一罐體4120和第二罐體4130連接到供應管4190。此外，出口管4150將從每一個第一罐體4120和第二罐體4130中排出的液體重新收集到每一個第一罐體4120和第二罐體4130中。以下，能把從每一個第一罐體4120和第二罐體4130中排出的液體重新收集到第一罐體4120和第二罐體4130的一部分出口管4150將被稱為回收管4170。
供應管4190將液體供應給要處理的物體5000。出口管4150包含一第一出口管4151和一第二出口管4152。第一出口管4151連結第一罐體4120與供應管4190。在第一出口管4151處安裝一第一出口閥4126，以控制從第一罐體4120供應到供應管4190的液體流速。第二出口管4152連接第二罐體4130與供應管4190。在第二出口管線4152處安裝了一第二出口閥4136，以控制液體是否從第二罐體4130供應到供應管4190及其供應流量。
排水管包含第一排水管4181以及第二排水管4182。第一排水管4181排放第一罐體4120。第一排水閥4185安裝於第一排水管4181，以控制液體是否從第一罐體4120 排出以及控制排放量。第二排水管4182排放第二罐體4130。第二排水閥4187安裝於第二排水管4182，以控制液體是否從第二罐體4130 排出以及控制排放量。
當在出口管4150的液體壓力等於或是大於預定的壓力，回收管4170不會將從每一第一罐體4120與第二罐體4130回收回的液體供應至供應管4190。回收管4170將液體從供應管4190回收到每一個第一罐體4120或第二罐體4130中的內部空間。回收管4170具有第一回收管4171和第二回收管4172。第一回收管4171將液體回收到第一罐體4120。在第一回收管4171處安裝了一第一回收閥4123，以控制從供應管4190回收到第一罐體4120的液體是否被回收以及回收量。第二回收管4172將液體回收到第二罐體4130。在第二回收管管4172處安裝了第二回收閥4133，以控制從供應管4190回收到第二罐體4130的液體是否被回收以及回收量。
在一實施例中，出口管4150設置有第二幫浦4177、第二加熱器4175、第二壓力感測器41701和壓力提供件4173。在一個實施例中，第二幫浦4177、第二加熱器4175、第二壓力感測器41701和壓力提供件4173相對於每個罐體（第一罐體4120和第二罐體4130）從上游到下游依序安裝。在一實施例中，第二幫浦4177通過控制每分鐘的衝程來控制液體的供應流速。第二加熱器4175加熱經出口管道4150的液體。第二壓力感測器41701測量出口管道4150中液體的壓力。
壓力提供件4173設置在第二加熱器4175的下游，所提供的液體壓力夠高以通過壓力提供件4173。例如，壓力提供件4173是對液體流經管道中的液體流動產生阻力的構件。在一實施例中，壓力提供件4173可以被設置為背壓調節器和或過濾器中。可選地，壓力提供件4173可以被設置為具有小於形成於出口管4150管道直徑的管道。因此，需要有高壓來通過壓力提供件4173。以此為例，一個反向壓力調節器(第二調節器)將被描述為壓力提供件4173。壓力提供件4173可被提供為需要高壓以穿過壓力提供件4173的另一構件。
第二調節器基於第二壓力感測器41701測量到的壓力控制出口管4150中的液體壓力。在一實施例中，第二調節器是背壓調節器。例如，第二調節器可以與閥門的操作方式相同，當上游的壓力超過預定的壓力時打開，以便使液體流動。因此，第二調節器上游的壓力不超過預定的壓力。第二溫度感測器41751安裝於第二加熱器4175處。第二溫度感測器41751可以測量第二加熱器4175的溫度。第二溫度感測器41751可以測量第二加熱器4175和循環管中的和液體接觸（液體接觸）的接觸面溫度。在這種情況下，接觸面可以是第二加熱器4175的表面。例如，第二溫度感測器41751可以安裝於第二加熱器4175的表面。在一實施例中，供應管4190與第二壓力感測器41701和第二調節器4173之間的出口管4150的一部分相連。因此，液體可以流向供應管4190而不流向回收管4170，直到流經出口線4150的液體壓力達到預定的壓力。
循環管4160用以循環儲存在第一罐體4120和第二罐體4130內部空間中的液體。循環管4160具有第一管線4161、第二管線4162、第三管線4163、第四管線4164和共用管線4165。
共用管線4165將第一管線4161、第二管線4162、第三管線4163和第四管線4164連接在一起。流經共用管線4165的液體通過第一管線4161被引入第一罐體4120，或通過第二管線4162被引入第二罐體4130。同樣，儲存在第一罐體4120內部空間的液體通過第一管線4161、共用管線4165和第三管線4163進行循環。第二罐體4130的液體通過第二管線4162、共用管線4165和第四管線4164進行循環。
在共用管線4165中，安裝有第一幫浦4167、第一加熱器4174、第一壓力感測器41651和第一調節器4166。在一個實施例中，第一幫浦4167、第一加熱器4174、第一壓力感測器41651和第一調節器4166相對於每個罐體（第一罐體4120和第二罐體4130）從上游到下游依序安裝。
在一個實施例中，第一幫浦4167控制每分鐘的衝程以調節液體的供應流量。第一加熱器4174加熱流經循環管4160的液體。第一壓力感測器41651測量流經共用管線4165的液體壓力。
第一調節器4166被設置在第一加熱器4174的下游，這樣要通過第一調節器4166的液體壓力高於要通過第一加熱器4174的液體壓力。例如，第一調節器4166是對液體流經管道中的液體流動產生阻力的構件。在一實施例中，第一調節器4166可以被設置為背壓調節器或過濾器中。可選地，第一調節器4166可以被設置為具有小於形成共用管線4165管道直徑的管道。因此，為了通過第一調節器4166，液體的壓力必須增加。在這種情況下，一個反向壓力調節器（壓力提供件）將被描述為第一調節器4166。第一調節器4166可以作為另一個需要高壓通過第一調節器4166的部件。第一調節器基於第一壓力感測器41651測得的壓力來控制共用管道4165中的液體壓力。例如，第一調節器4166可以與閥門的操作方式相同，當上游的壓力超過預定的壓力時，閥門就會打開，從而使液體流動。因此，第一調節器4166上游的壓力不超過預定壓力。第一溫度感測器41741安裝於第一加熱器4174。第一溫度感測器41741可以測量第一加熱器4174的溫度。第一溫度感測器41741可以測量第一加熱器4174和循環管道4160中的和液體相互接觸的接觸面溫度。在這種情況下，接觸面可以是第一加熱器4174的表面。例如，第一溫度感測器41741可以安裝在第一加熱器4174的表面上。
第一管線4161連接到第一罐體4120的頂面。通過第一幫浦4167和第一加熱器4174的液體藉由第一管線4161被引入第一罐體4120。在第一管線4161安裝一第一閥門4124，以控制液體是否從共用管線4165流入第一罐體4120及其流入的流速。第二管線4162與第二罐體4130的頂面相連。通過第一幫浦4167和第一加熱器4174以及第一幫浦4167的液體經由第二管線4162流入第二罐4130。在第二管線4162安裝第二閥門4134，以控制從共用管線4165流入第二罐體4130的液體是否被引入以及其流入流量。第三管線4163與第一罐體4120的底面相連。第一罐體4120的液體通過第三管線4163排出。在第三管線4163安裝第三閥門4125，以控制是否從第一罐體4120向第一加熱器4174供應液體以及供應流速。第四管線4164與第二罐體4130的底面相連。儲存在第二罐體4130內部空間的液體通過第四管線4164排出。在第四管線4164安裝第四閥門4135，以控制是否從第二罐體4130向第一加熱器4174供應液體以及其供應流量。
下面，將參照圖4至圖12描述本發明的液體供應方法。控制器控制液體供應單元4100以執行本發明的液體供應方法。圖4為流程圖，說明根據本發明一實施例的液體供應方法。圖5至圖6和圖8至圖9依次顯示了根據本發明一個實施例的液體供應方法，圖7是顯示根據異丙醇的壓力顯示沸點的圖表。
參照圖4，首先，將液體供應到第一罐體4120或第二罐體4130的內部空間。在一實施例中，將儲存在第二罐體4130內部空間的液體供應給噴嘴單元380的同時，儲存在第一罐體4120內部空間的液體通過循環管4160進行循環，將液體補充到第一罐體4120的內部空間。同樣地，當儲存在第一罐體4120內部空間的液體被供應至噴嘴單元380時，儲存在第二罐體4130內部空間的液體可以通過循環管4160循環，將液體補充到第二罐體4130的內部空間。以下，為一將液體補充到第一罐體4120內部空間的例子。
如圖5所示，液體從液體供應源4110通過第一入口管4136供應到第一罐體4120的內部空間。當液體開始供應時，氮氣會從第一氣體供應管4129供應到第一罐體4120的內部空間，如圖6所示。在一實施例中，當氮氣被供應到第一罐體4120的內部空間時，該內部空間會被加壓。例如，供應到第一罐體4120內部空間的氣體壓力可能會高於通過第一排氣管4112排出的氣體壓力。在一實施例中，第一排氣閥4113可以在向內部空間供應氣體時關閉。參照圖7，可以看出，隨著異丙醇的壓力增加，沸點也會隨之增加。在本發明中，通過對內部空間加壓，液體供應單元4100中的液體沸點增加。因此，有著防止液體在相對低溫度下沸騰的優點。
在向第一罐體4120的內部空間補充液體的同時，儲存在第一罐體4120中的液體通過循環管4160循環，如圖8所示。在液體循環的同時，第一壓力感測器41651連續測量流經共用管線4165的液體壓力。壓力提供件4166在此基礎上調整循環管4160中的壓力。例如，內部空間通過氣體供應管引入的氣體持續加壓，直到由第一壓力感測器41651測量的壓力達到預定壓力。當由第一壓力感測器41651測量的液體壓力達到預定壓力時，液體流經第一調節器4175。因此，為了使液體在循環管4160中持續循環，循環管4160中的壓力必須達到預定壓力，為此，罐體的內部空間被持續加壓。當循環管4160中的壓力達到預定的壓力時，第一調節器4175上游的壓力就保持在預定壓力。為此，如圖8所示，第一排氣閥4113被打開。通過打開第一排氣閥4113，流經循環管4160的液體的壓力被維持在預定壓力。
當液體被補充到第一罐體4120的內部空間時，第一加熱器4174的溫度是被控制的。在一實施例中，第一加熱器4174的輸出是根據第一溫度感測器41741測量的溫度來加以控制的。第一加熱器4174的輸出被調整，使得流經循環管4160的異丙醇不會沸騰。例如，根據第一壓力感測器41651測得的壓力，第一加熱器4174的輸出被調整為小於或等於異丙醇的沸點。在一實施例中，由於循環管4160中的壓力被調整為預定的壓力，使得第一加熱器4174的輸出被調整為基於預定壓力等於或低於異丙醇的沸點。在一實施例中，第一溫度感測器41741被設置為測量第一加熱器4174與流經共用管線4165的液體之間的接觸表面溫度，例如，接觸流經共用管線4165液體的第一加熱器4174的表面。在一實施例中，第一溫度感測器41741可以測量第一加熱器4174的表面溫度。因此，有一個優點是防止液體在與流經第一加熱器4174液體接觸的第一加熱器4174的表面沸騰。也就是說，本發明具有防止液體在第一加熱器4174和液體之間的接觸面上沸騰以及根據在第一加熱器4174的上游或下游測得的溫度調整第一加熱器4174輸出的優點。
當通過上述過程完成第一罐體4120內部的液體補充時，如圖9所示，液體通過第一罐體4120被供應給噴嘴單元380。在這種情況下，液體被補充到第二罐4130的內部空間，儲存在第二罐體4130內部空間的液體通過循環管4160進行循環。在將液體補充到第二罐體4130的內部空間時，也適用上述的液體供應方法。
圖10為一流程圖，說明根據本發明的另一實施例的液體供應方法。參照圖10，在供應液體的同時，可以調整管線中的壓力以及加熱器和液體相互接觸的表面溫度。在一實施例中，加熱器和液體相互接觸的表面可以是加熱器的表面。調整管線內壓力的方法和控制加熱器表面溫度的方法與上述相同。在一實施例中，當液體通過出口管4150供應給噴嘴單元380時，如圖11所示，出口管4150中的壓力被第二壓力感測器41701持續測量。如圖12所示，當由第二壓力感測器41701測量的液體壓力達到預定壓力時，液體流經第二調節器4173。因此，為了使液體供應到回收管，出口管4150的壓力必須達到預定壓力，為了達到目的，內部空間會被持續加壓。當液體通過出口管4150供應給噴嘴單元380時，第二加熱器4175的溫度被調整。在一實施例中，第二加熱器4175的輸出是根據第二溫度感測器41751測量的溫度來調整的。第二加熱器4175的輸出被調整為使流經出口管4150的異丙醇不沸騰。例如，根據第二壓力感測器41701測量的壓力，將第二加熱器4175的輸出調整為小於或等於異丙醇的沸點。在一實施例中，由於出口管4150的壓力被調整為預定壓力，基於預定壓力第二加熱器4175的輸出被調整為低於異丙醇的沸點。在一實施例中，第二溫度感測器41751被設置為測量第二加熱器4175與流經出口管4150的液體之間的接觸表面溫度，例如，第二加熱器4175與流經出口管4150的液體接觸的表面。在一實施例中，第二溫度感測器41751可以測量第二加熱器4175的表面溫度。因此，有一個優點，即防止流經第二加熱器4175和出口管4150的液體在接觸面上沸騰。
本發明概念的效果不限於上述效果，未提及的效果可由本發明所屬技術領域技術人員從說明書和附圖中清楚了解。
儘管已經說明和描述了本發明的優選實施例，但本發明並不限於上述的具體實施例，並且注意到本發明所屬技術領域技術人員可以在不背離說明書中所要求的本發明本質情況下，不同程度地實施本發明，並且不應脫離本發明的技術精神或前景來單獨解釋這些修改。
1:基板處理設施 10:裝載模組 120:裝載埠 130:載體 140:傳送框架 142:轉位軌道 144:轉位機械手臂 144a:基座 144b:主體 144c:轉位臂 20:處理模組 220:緩衝單元 240:傳送腔室 242:導軌 244:主要機械手臂 244a:基座 244b:主體 244c:主臂 260:處理腔室 300:基板處理設備 320:外殼 322:內部回收容器 322a:內部空間 322b:回收管 324:中間回收容器 324a:空間 324b:回收管 326:外部回收容器 326a:空間 326b:回收管 340:支撐單元 342:主體 344:支撐銷 346:卡盤銷 348:支撐軸 349:馬達 360:升降單元 362:支架 364:可移動軸 366:致動器 380:噴嘴單元 382:噴嘴支撐件 384:噴嘴 386:支撐軸 388:驅動器 4100:液體供應單元 4110:液體供應源 4136:第一入口管 4120:第一罐體 4122:第一入口閥 4130:第二罐體 4132:第二入口閥 4316:第一入口管 4315:第二入口管 4129:第一氣體供應管 4128:第一氣體控制閥 4139:第二氣體供應管 4139:第二氣體控制閥 4112:第一排氣管 4113:第一排氣閥 4114:第二排氣管 4116:第二排氣閥 4150:出口管 4151: 第一出口管 4126:第一出口閥 4152: 第二出口管 4136:第二出口閥 4177:第二幫浦 4175:第二加熱器 41751:第二溫度感測器 41701:第二壓力感測器 4173:壓力提供件 4170:回收管 4171:第一回收管 4123:第一回收閥 4172:第二回收管 4133:第二回收閥 4181:第一排水管 4185:第一排水閥 4182:第二排水管 4187:第二排水閥 4160:循環管 4161:第一管線 4124:第一閥門 4162:第二管線 4134:第二閥門 4163:第三管線 4125:第三閥門 4164:第四管線 4135:第四閥門 4165:共用管線 4167:第一幫浦 4174:第一加熱器 41741:第一溫度感測器 41651:第一壓力感測器 4166:第一調節器 4190:供應管 5000:物體 12:第一方向 14:第二方向 16:第三方向 W:基板 N 2:氮氣
通過參考以下圖式的以下描述，上述和其他目的和特徵將變得顯而易見，其中除非另有說明，否則相同的附圖標記在各個附圖中指代表相同的部分，其中：
圖1是根據本發明實施方式的設置有基板處理設備的基板處理設施的前視示意圖。
圖2是圖1中設置在基板處理設備的處理腔室的實施例的截面圖。
圖3為本發明的液體供應單元的示意圖。
圖4為根據本發明實施例的液體供給方法的流程圖。
圖5至圖9為根據本發明實施例順序示出使用液體供應單元的液體供給方法的示圖。
圖10為根據本發明另一實施例的液體供給方法的流程圖。
圖11至圖12為根據本發明另一實施例順序示出液體供給方法的示圖。
4100:液體供應單元
4110:液體供應源
4136:第一入口管
4120:第一罐體
4122:第一入口閥
4130:第二罐體
4132:第二入口閥
4129:第一氣體供應管
4128:第一氣體控制閥
4139:第二氣體供應管
4138:第二氣體控制閥
4112:第一排氣管
4113:第一排氣閥
4114:第二排氣管
4116:第二排氣閥
4150:出口管
4151:第一出口管
4126:第一出口閥
4152:第二出口管
4136:第二出口閥
4177:第二幫浦
4175:第二加熱器
41751:第二溫度感測器
41701:第二壓力感測器
4166:壓力提供件
4170:回收管
4171:第一回收管
4123:第一回收閥
4172:第二回收管
4133:第二回收閥
4181:第一排水管
4185:第一排水閥
4182:第二排水管
4187:第二排水閥
4160:循環管
4161:第一管線
4124:第一閥門
4162:第二管線
4134:第二閥門
4163:第三管線
4125:第三閥門
4164:第四管線
4135:第四閥門
4165:共用管線
4174:第一加熱器
41741:第一溫度感測器
41651:第一壓力感測器
4190:供應管
5000:物體

Claims (20)

  1. 一種用於供應液體的液體供應單元，其包括： 罐體，前述罐體具有用於儲存液體的內部空間； 入口管，前述入口管用以將液體從液體供應源供應到前述內部空間且具有安裝在其上的入口閥； 出口管，前述出口管用以將液體從前述罐體供應至噴嘴或是用以將液體回收至前述罐體，且前述出口管具有安裝在其上的出口閥； 氣體供應管，前述氣體供應管用以供應氣體到前述內部空間且具有安裝在其上的氣體控制閥； 排氣管，前述排氣管用以排空前述內部空間且具有安裝在其上的排氣閥； 循環管，前述循環管用以循環儲存於前述內部空間的液體；以及 控制器； 其中，前述控制器經組態以控制液體供應單元，使得當液體被供應至前述內部空間時，前述循環管被加壓。
  2. 如請求項1所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述控制器進一步經組態以控制前述氣體控制閥與前述排氣閥，使得當液體被供應至前述內部空間時，前述內部空間被加壓。
  3. 如請求項2所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述控制器經組態以控制前述氣體控制閥與前述排氣閥，使得當液體被供應至前述內部空間時，氣體被供應到前述內部空間但前述排氣閥被關閉。
  4. 如請求項1所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述循環管包含： 第一幫浦； 第一加熱器，前述第一加熱器用於加熱前述循環管內的液體；以及 壓力提供件，前述壓力提供件設置於前述第一加熱器的下游； 其中，通過前述壓力提供件所需的液體壓力高於通過前述第一加熱器所需的液體壓力。
  5. 如請求項4所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述壓力提供件是第一調節器，前述循環管進一步包含第一壓力感測器，前述第一壓力感測器設置於前述第一調節器的上游並感測前述循環管內的液體壓力，當前述循環管內的液體壓力變成等於或是高於預定壓力時，前述第一調節器打開以允許液體流動。
  6. 如請求項5所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述第一加熱器上設置有第一溫度感測器，前述第一溫度感測器用以測量液體接觸表面處的溫度，並且前述第一加熱器被控制成使得前述第一溫度感測器所測量到的前述液體接觸表面的溫度不超過根據前述預定壓力下的液體沸點。
  7. 如請求項5所述的用於供應液體的液體供應單元，其中當前述循環管內的液體壓力等於或高於前述預定壓力時，前述控制器控制前述排氣閥以排空前述內部空間。
  8. 如請求項1所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述排氣管包含： 第二幫浦； 第二加熱器，前述第二加熱器用於加熱前述出口管內的液體； 第二調節器，當前述出口管上游的壓力等於或是高於預定壓力時，前述第二調節器經組態以被開啟以允許液體流動；以及 第二壓力感測器，前述第二壓力感測器安裝於前述第二調節器的上游，用以測量前述出口管內的液體壓力。
  9. 如請求項8所述的用於供應液體的液體供應單元，進一步包含供應管，前述供應管在前述第二加熱器和前述第二調節器之間分支，並連接至前述噴嘴。
  10. 如請求項8所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述第二加熱器上設置有第二溫度感測器，前述第二溫度感測器用以測量前述液體接觸表面處的溫度，且 前述控制器控制前述第二加熱器，使前述第二溫度感測器測量的前述液體接觸表面的溫度不超過根據前述預定壓力下液體的沸點。
  11. 如請求項1至10中任一項所述的用於供應液體的液體供應單元，其中前述罐體包含第一罐體以及第二罐體，前述循環管連接至前述第一罐體與前述第二罐體，前述控制器經組態以控制使當液體從前述第二罐體通過前述入口管被供應到前述噴嘴的同時，前述液體通過前述入口管被供應到前述第一罐體，並且前述第一罐體的內部空間的液體通過前述循環管循環。
  12. 一種液體供應方法，其包括以下步驟： 將液體供應到第一罐體及第二罐體中之一者的內部空間，同時對在前述第一罐體及前述第二罐體中之另一者的另一內部空間中用以循環液體的循環管加壓。
  13. 如請求項12所述的液體供應方法，其中將氣體供應到前述內部空間，並且在將液體供應到前述內部空間的同時不排空前述內部空間。
  14. 如請求項12所述的液體供應方法，其中前述循環管包含： 加熱器，前述加熱器用以加熱前述循環管內的液體；以及 壓力提供件，前述壓力提供件設置於前述加熱器的下游； 其中，通過前述壓力提供件所需的液體壓力高於通過前述加熱器所需的液體壓力。
  15. 如請求項14所述的液體供應方法，其中當前述循環管內的壓力達到或變成高於預定壓力時，前述內部空間被排空。
  16. 如請求項15所述的液體供應方法，其中前述加熱器的溫度與液體接觸表面的溫度不會超過根據前述預定壓力之液體的沸點。
  17. 一種使用如請求項11所述的液體供應單元的液體供應方法，其包括以下步驟： 通過前述噴嘴從前述第二罐體的前述內部空間供應液體，同時將液體供應到前述第一罐體的前述內部空間；以及 通過前述循環管在前述第一罐體內循環液體，並在進行液體供應的同時對前述循環管加壓。
  18. 如請求項17所述的液體供應方法，其中當液體被供應至前述第一罐體的前述內部空間時，前述氣體被供應至前述第一罐體的前述內部空間，並且前述第一罐體的前述內部空間不會被排空。
  19. 如請求項17所述的液體供應方法，其中當前述循環管內的前述液體壓力達到前述預定壓力時，允許液體在前述循環管內流動。
  20. 如請求項19所述的液體供應方法，其中在前述循環管處提供加熱器，並且前述加熱器和液體的接觸表面溫度不超過根據前述預定壓力之液體的沸點。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102622445B1 (ko) * 2020-04-24 2024-01-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 액 공급 방법
TWI822339B (zh) * 2022-09-19 2023-11-11 英業達股份有限公司 液位控制設備

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3615954B2 (ja) * 1999-01-29 2005-02-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置用の槽内液面検出装置
KR20110057679A (ko) * 2009-11-24 2011-06-01 세메스 주식회사 아이피에이 공급 장치
JP5439579B2 (ja) * 2012-02-27 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5951384B2 (ja) * 2012-07-20 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 温度制御システムへの温調流体供給方法及び記憶媒体
CN105339183B (zh) * 2013-03-15 2018-11-09 东京毅力科创Fsi公司 用于提供加热的蚀刻溶液的系统
US20140290698A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Semes Co., Ltd. Chemical supplying unit, substrate treatment apparatus, and method of treating substrate using the substrate treatment appparatus
KR101491055B1 (ko) 2013-03-29 2015-02-11 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR102152909B1 (ko) * 2013-12-31 2020-09-07 세메스 주식회사 기판처리방법
JP6385714B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
KR102343633B1 (ko) * 2014-12-30 2021-12-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102357358B1 (ko) * 2014-12-30 2022-02-04 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
KR102343635B1 (ko) * 2014-12-30 2021-12-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6246749B2 (ja) 2015-01-28 2017-12-13 東京エレクトロン株式会社 ウエットエッチング方法、基板液処理装置および記憶媒体
KR101681190B1 (ko) * 2015-05-15 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 방법
JP6501663B2 (ja) * 2015-07-23 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101910041B1 (ko) * 2016-04-29 2018-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180059650A (ko) * 2016-11-25 2018-06-05 삼성전자주식회사 세정 조성물, 세정 장치, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP6817860B2 (ja) * 2017-03-21 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102158232B1 (ko) 2017-06-30 2020-09-21 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6983008B2 (ja) * 2017-08-28 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP7040849B2 (ja) * 2017-09-15 2022-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法
KR20190089801A (ko) 2019-07-19 2019-07-31 세메스 주식회사 세정액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 세정액 공급 방법
KR102319966B1 (ko) * 2019-12-31 2021-11-02 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법

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