TWI815291B - 濺射靶及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明，提供一種濺射時能夠抑制與基板微粒增加相關的結瘤的産生量的濺射靶及其製造方法。本發明的陶瓷系濺射靶，在濺射面中，在通過電子顯微鏡進行斷面組織觀察的情况下，如以下定義的微裂紋的量爲50μm/mm以下，對所述濺射面進行剝離測試之後，根據電子顯微鏡的斷面組織觀察確認的剝離粒子的面積比例爲1.0%以下。 微裂紋的量＝微裂紋的産生頻率×微裂紋的平均深度。

Description

濺射靶及其製造方法
本發明，涉及一種濺射靶及其製造方法。
作爲半導體設備的薄膜形成方法之一，存在濺射的方法。作爲濺射中所使用的濺射靶（以下，也簡稱爲“靶”。），已知陶瓷製成的靶。陶瓷製造的靶材，例如是將使包含金屬氧化物等陶瓷成分的粉末或者粒子成型並進行燒結得到的燒結體，通過切削或研磨等機械加工成規定的大小，由此得到。
近年，朝向奈米領域的微細化不斷發展，在濺射中對基板微粒的管理也日益嚴格。因此，長年以來實施的方法需要重新修改，需要制定與濺射中的基板微粒减少相關的對策。
已知，濺射靶材的加工精度，會影響在基板表面形成的薄膜（濺射膜）的品質。因此，一直在研究在陶瓷製造的濺射靶材的加工方面，提高薄膜的品質的對策。
在ITO、IZO等的陶瓷系濺射靶表面上，存在對靶機械加工時産生的加工損傷層，存在0.1～數十μm程度的微小的裂紋（以下，也稱作“微裂紋”。）。如果表面存在大量這樣的微裂紋，那麽微裂紋周圍的靶强度會局部地變脆弱，在靶的濺射時靶表面的粒子容易剝落，成爲微粒産生的原因，進而成爲結瘤産生的原因。可認爲特別是在靶的加工面露出於表面的靶的使用初期，容易發生上述異常。
在專利文獻1（國際公開第2016/027540號）中，公開了一種作爲平板狀的陶瓷的靶材，其中，供濺射的濺射面的表面粗糙度Ra爲0.5μm以上且1.5μm以下，在所述濺射面上形成的裂紋的最大深度爲15μm以下。並且公開了，若Ra小於0.5μm，則濺射中在靶材中産生的結瘤不會停留在靶材上而是以微粒的形式附著於濺射膜，濺射膜的品質容易變差。另外，還公開了，若裂紋的最大深度超過15μm，則濺射中容易産生結瘤，並且，還可能影響靶材的機械的强度。
在專利文獻2（日本特開第2004－204356號公報）中，公開了一種ITO濺射靶，其特徵在於，通過對ITO濺射靶燒結體的濺射面進行多重震盪超聲波清洗而得到的可被濺射的表面上，100μm×100μm的區域中存在的平均直徑0.2μm以上的附著粒子的數量爲400個以下。在專利文獻2中，基於ITO濺射靶通常是通過使用車床等對燒結體進行磨削加工而得到的，推測附著於靶表面的ITO的磨削粉末是結瘤産生的原因之一，通過超聲波清洗除去ITO磨削粉末，或者通過將粘合膠帶剝離來除去ITO磨削粉末，進一步潔淨化靶表面，從而提供一種在濺射的成膜中結瘤的産生减少，且難以産生異常放電和微粒的透明導電膜形成用ITO濺射靶。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：國際公開第2016/027540號
專利文獻2：日本特開2004－204356號公報
發明要解决的技術問題
在專利文獻1中，取代對陶瓷燒結體進行平面磨削，而是切斷陶瓷燒結體並將該切斷面用作濺射面，以抑制微裂紋的産生。另一方面，關於在對陶瓷燒結體進行平面磨削的情况下抑制微裂紋的研究，仍然不充分。另外，在將切斷面用作濺射面的情况下，不適合製造大面積的靶，靶的用途自然而然受到限制。
在專利文獻2中，通過除去磨削粉末，得到了抑制異常放電和微粒的産生的效果，但是不同於磨削粉末，還會産生由微裂紋引起的微粒，故而需要有其他的方法。在專利文獻2中，關於抑制微裂紋的産生的研究，仍然不充分。
本發明，鑒於這樣的情况而提出，其要解决的技術問題在於，提供一種在濺射時能夠抑制與基板微粒增加相關的結瘤的産生量的濺射靶及其製造方法。
解决技術問題的方法
本發明人經過深入研究，結果發現，濺射靶的濺射面的微裂紋的量（考慮微裂紋的數量以及深度兩方面的指標），與關係到基板微粒增加的結瘤的産生有密切的關係。並且得知，通過適當地控制濺射靶的濺射面的微裂紋的量，和/或適當地控制濺射靶的濺射面的附著物的剝離量，能夠顯著地减少使用初期的微細結瘤的産生。於此，本發明如下進行確定：
（1）
一種陶瓷系濺射靶，其中，在濺射面中，在通過電子顯微鏡進行斷面組織觀察的情况下，如以下定義的微裂紋的量爲50μm/mm以下：
對所述濺射面按照以下的條件進行剝離測試而確認的剝離粒子的面積比例爲1.0%以下。
微裂紋的量：
爲了評價在靶的機械加工面（＝最終産品的濺射面）的表層産生的加工損傷（微裂紋），選用以機械加工面爲表面時的側面（垂直於靶的機械加工面的斷面）作爲觀察面，通過使用砂紙的粗研磨、使用以膠狀的SiO 2、Al 2O 3等作爲介質的液狀的研磨劑的拋光研磨，對觀察面進行鏡面研磨。沿著濺射面使用日本電子製造的FE－SEM（JSM－6700F）對該鏡面研磨面的面表層附近進行觀察，對裂紋的起點存在於濺射面、且深度（＝與濺射面相距的最大垂直距離）爲0.1μm以上的微裂紋進行計測，重複操作直到觀察了20個微裂紋爲止，將從第1個微裂紋開始到第20個微裂紋爲止的合計長度L除以20個，從而換算成濺射面側的上端部分的每1mm的長度內的微裂紋數量。將其用作所述微裂紋的産生頻率。另外，基於使用電子顯微鏡觀察到的像和比例（scale），對所述微裂紋1個1個地計算與濺射面相距的鉛直方向深度，對於所述20個的所述微裂紋，取深度的計算值的平均D（＝［D1＋D2＋D3＋・・・＋D20］÷20），用作所述微裂紋的平均深度。將所述微裂紋的産生頻率和所述微裂紋的平均深度之積，定義爲所述微裂紋的量（參照圖6）。
剝離測試的條件：
在靶的濺射面上粘貼雙面碳膠帶，用拇指對粘貼的部分摩擦2秒左右，使靶表面的剝離粒子附著於碳膠帶（粘貼的面積爲100mm 2以上）。對於膠帶的上述粘貼面，在靶的同一平面內將上述操作進行3次（將同一的膠帶，在平面內的不同的任意3個位置粘貼並剝下）。以該膠帶（100 mm 2以上）的粘貼於靶的表面爲觀察面使用電子顯微鏡進行觀察並拍攝照片，使用圖像處理軟件計算觀察面上的附著粒子的面積比例。將使用上述方法對同一個碳膠帶試料進行觀察的3個視野的平均值，用作剝離測試得到的剝離粒子的面積比例。
（2）
如（1）所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述微裂紋的量爲40μm/mm以下。
（3）
如（1）所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述微裂紋的量爲30μm/mm以下。
（4）
如（1）～（3）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述剝離粒子的面積比例爲0.5%以下。
（5）
如（1）～（3）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述剝離粒子的面積比例爲0.3%以下。
（6）
如（1）～（5）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射面的表面粗糙度Ra爲0.05～0.50μm。
（7）
如（1）～（6）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，包含In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg、Ta、Sm和Si中的1種以上。
（8）
如（1）～（7）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是Zn的含有量以ZnO換算計爲1～15質量%的IZO。
（9）
如（1）～（7）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是Sn的含有量以SnO 2換算計爲1～15質量%的ITO。
（10）
如（1）～（7）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是In的含有量以In 2O 3換算計爲10～60質量%，Ga的含有量以Ga 2O 3換算計爲10～60質量%，Zn的含有量以ZnO換算計爲10～60質量%的IGZO。
（11）
如（1）～（7）中任一項所述的陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是Al的含有量以Al 2O 3換算計爲0.1～5質量%的AZO。
（12）
一種陶瓷系濺射靶的製造方法，包括：
準備陶瓷燒結體的步驟，
對所述陶瓷燒結體，使用編號＃300以上且＃1000以下的海綿研磨材料進行平面磨削的步驟，和
對上述平面磨削後的陶瓷燒結體，使用振動工具進行精加工，從而形成濺射面的步驟。
（13）
如（12）所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，
在所述精加工後的所述濺射面中，在通過電子顯微鏡進行斷面組織觀察的情况下，如以下定義的微裂紋的量爲50μm/mm以下，
對所述濺射面進行剝離測試之後，根據電子顯微鏡的斷面組織觀察而確認的剝離粒子的面積比例爲1.0%以下。
微裂紋的量＝微裂紋的産生頻率×微裂紋的平均深度
（14）
如（13）所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述微裂紋的量爲40μm/mm以下。
（15）
如（13）所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述微裂紋的量爲30μm/mm以下。
（16）
如（13）～（15）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述剝離粒子的面積比例爲0.5%以下。
（17）
如（13）～（15）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述剝離粒子的面積比例爲0.3%以下。
（18）
如（12）～（17）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述精加工後的所述濺射面的表面粗糙度Ra爲0.05～0.50μm。
（19）
如（12）～（18）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，含有In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg、Ta、Sm和Si中的1種以上。
（20）
如（12）～（19）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是Zn的含有量以ZnO換算計爲1～15質量%的IZO。
（21）
如（12）～（19）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是Sn的含有量以SnO 2換算計爲1～15質量%的ITO。
（22）
如（12）～（19）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是In的含有量以In 2O 3換算計爲10～60質量%，Ga的含有量以Ga 2O 3換算計爲10～60質量%，且Zn的含有量以ZnO換算計爲10～60質量%的IGZO。
（23）
如（12）～（19）中任一項所述的陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是Al的含有量以Al 2O 3換算計爲0.1～5質量%的AZO。
發明的效果
根據本發明，能夠提供一種在濺射時能夠减少與基板微粒增多相關的微細結瘤的産生量的濺射靶及其製造方法。
以下，對本發明的實施方式進行說明，但是本發明不限於以下的實施方式，應當理解的是，在不脫離本發明的趣旨的範圍內，基於本領域技術人員的通常的知識，能夠適當地進行設計的變更、改良等。
（1．濺射靶）
在本實施方式中，濺射靶的形狀沒有特別限定，只要具有濺射面即可，可以是平板狀、圓筒狀等任意的形狀。優選是平板狀。濺射面是指，作爲産品進行濺射時應當被濺射的面。
在濺射靶爲平板狀的情况下，通常具有對濺射靶進行擔載的背板。作爲背板，能夠適當地選擇並使用以往使用的背板。例如，能夠適用不銹鋼、鈦、鈦合金、銅等，但不限於此。背板，通常通過接合材料與濺射靶進行接合，作爲接合材料，能夠適當地選擇並使用以往使用的材料。例如，可列舉銦金屬等，但不限於此。
本實施方式的濺射靶，只要是由陶瓷燒結體形成即可，其組成沒有特別限定。
構成濺射靶的陶瓷燒結體的組成沒有特別限定，例如，能夠列舉含有In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn､Mg、Ta、Sm和Si中的至少1種的氧化物等。具體地，能夠列舉：Sn的含有量以SnO 2換算計爲1～15質量%的ITO（In 2O 3－SnO 2）；Zn的含有量以ZnO換算計爲1～15質量%的IZO（In 2O 3－ZnO）；In的含有量以In 2O 3換算計爲10～60質量%，Ga的含有量以Ga 2O 3換算計爲10～60質量%，Zn的含有量以ZnO換算計爲10～60質量%的IGZO（In 2O 3－Ga 2O 3－ZnO）；和Al的含有量以Al 2O 3換算計爲0.1～5質量%的AZO（Al 2O 3－ZnO）等，但不限於此。
需要說明的是，陶瓷燒結體，通常，在燒結後進行平面磨削等加工。詳細內容在下文描述，在本發明的一方面，在進行平面磨削之後，還使用振動工具進行精加工。在本說明書中，將精加工前的産品稱作陶瓷燒結體，將精加工後的産品稱作濺射靶。
本發明的陶瓷系濺射靶，在濺射面上，使用電子顯微鏡進行斷面組織觀察的情况下，如以下所定義的微裂紋的量爲50μm/mm以下。
微裂紋的量＝微裂紋産生頻率×微裂紋的平均深度
微裂紋的産生頻率，使用該斷面組織觀察中的濺射面側的上端部分的每1mm的長度內的微裂紋的條數表示。具體地，爲了評價在靶的機械加工面（＝最終的産品的濺射面）的表層産生的加工損傷（微裂紋），選用以機械加工面爲表面時的側面（垂直於靶的機械加工面的斷面）作爲觀察面，通過使用砂紙的粗研磨、使用以膠狀的SiO 2和Al 2O 3等作爲介質的液狀的研磨劑的拋光研磨，對觀察面進行鏡面研磨。沿著濺射面使用日本電子製造FE－SEM（JSM－6700F）觀察該鏡面研磨面的面表層附近，對裂縫的起點存在於濺射面、且深度（＝與濺射面相距的最大垂直距離）爲0.1μm以上的微裂紋進行計測，重複操作直到觀察了20個微裂紋爲止，將從第1個微裂紋開始到第20個微裂紋爲止的合計長度L除以20個，由此換算成濺射面側的上端部分的每1mm的長度內的微裂紋數量。將其用作所述微裂紋的産生頻率。另外，基於使用電子顯微鏡觀察到的像和比例（scale），對於所述微裂紋1個1個地計算與該濺射面相距的鉛直方向上的深度，對於所述20個所述微裂紋，取深度的計算值的平均D（＝［D1＋D2＋D3＋・・・＋D20］÷20），用作所述微裂紋的平均深度。將所述微裂紋的産生頻率和所述微裂紋的平均深度之積，定義爲述微裂紋的量（參照圖6）。
通過减少濺射靶表面的微裂紋量，能夠抑制濺射時（特別是初期）的微粒和結瘤的産生，能夠穩定地進行濺射。基於該觀點，在濺射面上，微裂紋的量優選爲45μm/mm以下，更優選爲40μm/mm以下，還更優選爲35μm/mm以下，進一步優選爲30μm/mm以下，還進一步優選爲25μm/mm以下，更進一步優選爲20μm/mm以下。
濺射靶表面的微裂紋的量，沒有特別設定下限。在濺射面上，在進行斷面組織觀察的情况下，微裂紋的量可以是0μm/mm。但是，如果極端地减小微裂紋的量，則雖然效果可達到極限但是成本和工作量會增多，因此微裂紋的量，根據實際的需要，例如可以是1μm/mm以上，也可以是5μm/mm以上，還可以是10μm/mm以上，又可以是15μm/mm以上。
另外，如上述那樣計測的各微裂紋的深度的最大值，優選爲4μm以下。通過不僅僅抑制微裂紋的量，還抑制微裂紋的最大深度，能夠進一步减少濺射中的結瘤的産生。基於該觀點，微裂紋的最大深度，優選小於4μm，更優選爲3.8μm以下，還更優選爲3.5μm以下，進一步優選爲3.0μm以下，更進一步優選爲2.8μm以下，還更進一步優選爲2.5μm以下。
另外，本發明的陶瓷系濺射靶，在一實施方式中，在對濺射面進行以下的條件的剝離測試後的膠帶附著面使用電子顯微鏡進行觀察時，剝離粒子的面積比例爲1.0%以下。
在靶的濺射面上粘貼雙面碳膠帶，用拇指對粘貼的部分摩擦2秒左右，使靶表面的剝離粒子附著於碳膠帶（粘貼的面積爲100 mm 2以上）。對於膠帶的上述粘貼面，在靶的同一平面內將上述操作進行3次（將同一個膠帶，在平面內的不同的任意3個位置粘貼並剝下）。以該膠帶（100 mm 2以上）的粘貼於靶的表面爲觀察面使用電子顯微鏡進行觀察並拍攝照片，使用圖像處理軟件計算觀察面上的附著粒子的面積比例。將使用上述方法對同一個碳膠帶試料進行觀察的3個視野的平均值，用作剝離測試得到的剝離粒子的面積比例。
在本發明中，作爲上述雙面碳膠帶使用日新EM株式會社製造的SEM用碳膠帶（産品No.732），並將使用日本電子製造的FE－SEM（JSM－6700F）拍攝的100倍下的反射電子組成像通過圖像處理軟件ImageJ進行2值化，作爲剝離粒子的面積比例評價用的照片。將使用上述方法對同一個碳膠帶試料進行觀察的3個視野的平均值，用作剝離測試得到的剝離粒子的面積比例。
通過降低濺射靶表面的附著物的剝離量，能夠抑制濺射時（尤其是初期）的微粒和結瘤的産生，能夠穩定地進行濺射。基於該觀點，使用電子顯微鏡來觀察對濺射面進行剝離測試後的膠帶附著面時，剝離粒子的面積比例優選爲0.9%以下，更優選爲0.8%以下，還更優選爲0.7%以下，又更優選爲0.6%以下，再更優選爲優選爲0.5%以下，進一步優選爲0.4%以下，更進一步優選爲0.3%以下，還更進一步優選爲0.2%以下，再更進一步優選爲0.1%以下。
剝離測試後的剝離粒子的面積比例的下限，沒有特別設定。對濺射面進行剝離測試後，用電子顯微鏡觀察膠帶附著面時，剝離粒子的面積比例可以是0%。但是，若極端地减小剝離粒子的面積比例，則雖然效果可以達到極限但是成分和工作量會增多，因此剝離測試後的剝離粒子的面積比例，根據實際的需要，例如可以是0.001%以上，也可以是0.01%以上，還可以是0.05%以上，更可以是0.1%以上，又可以是0.15%以上，可以是0.20%以上。
本發明的陶瓷系濺射靶在一實施方式中，濺射面的表面粗糙度Ra優選爲0.05～0.50μm。如果濺射面的表面粗糙度Ra在0.50μm以下，那麽能夠充分地提高靶的濺射面的物理强度，能夠减少濺射中的表面粒子的剝離。基於該觀點，濺射面的表面粗糙度Ra，優選小於0.50μm，更優選爲0.40μm以下，還更優選爲0.30μm以下，進一步優選爲0.20μm以下，更進一步優選爲0.10μm以下。
另一方面，如果在濺射靶的濺射面上存在未被侵蝕的部分（非侵蝕部分），那麽期望在濺射中已經附著在非侵蝕部分的膜或粉不會剝離或分散。基於該觀點，考慮到濺射靶的濺射面與膜或粉的密著性，可認爲過於平滑的狀態是不優選的。實際上已經確認，如果Ra小於0.05μm，那麽已附著於非侵蝕部分的膜或者粉容易剝離、飛散，並影響基板微粒數。因此，濺射靶的濺射面的表面粗糙度Ra，優選爲0.05μm以上，更優選爲0.07μm以上，還更優選爲0.10μm以上，進一步優選爲0.12μm以上，更進一步優選爲0.15μm以上。
需要說明的是，表面粗糙度Ra是指，JIS B0601：2013的“算數平均粗糙度Ra”。測量使用觸針式的表面粗糙度計來進行。
（2．濺射靶的製造方法）
接著，以IZO或ITO濺射靶爲例，對本發明的濺射靶的製造方法進行說明。圖1是示出本發明的一實施方式的濺射靶的製造方法的工藝流程。
首先，準備構成燒結體的原材料。在本實施方式中，準備氧化銦的粉末和氧化鋅的粉末（在ITO的情况下，準備氧化錫的粉末）（S301、S302）。這些原料的純度，通常爲2N（99質量%）以上，優選爲3N（99.9質量%）以上，更優選爲4N（99.99質量%）以上。若純度低於2N則燒結體120中含有較多的雜質，會産生無法得到所需的物性（例如，形成的薄膜的透過率降低，電阻值增大，伴隨電弧産生微粒）的問題。
接著，粉碎並混合這些原材料（S303）。原材料的粉末的粉碎混合處理，可以通過利用氧化鋯、氧化鋁、尼龍樹脂等的球或珠子（所謂的介質）的乾式法進行；也可以通過使用所述球或珠的介質攪拌式磨機、無介質的容器旋轉式磨機、機械攪拌式磨機、氣流式磨機等的濕式法進行。於此，通常與乾式法相比濕式法的粉碎以及混合能力更好，因此優選使用濕式法進行混合。
原材料的組成沒有特別限制，優選根據目標燒結體的組成比進行適當調節。
接著，對原材料的粉末的漿料進行乾燥、造粒（S303）。此時，可以使用快速乾燥造粒對漿料進行快速乾燥。快速乾燥造粒，可以使用噴霧乾燥機並調節熱風的溫度和風量來進行。
接著，將上述的混合以及造粒得到的混合物（在設置了預燒結的情况下，是已經預燒結的混合物）填充到所需的形狀的模具中，進行加壓成型形成平板形狀的成型體（S304）。通過該步驟，成型爲與目標燒結體相適配的形狀。在成型處理中，對成型壓力進行控制，能夠形成具有54.5%以上且58.0%以下的相對密度的成型體。通過使得成型體的相對密度在上述的範圍內，能夠使通過之後的燒結得到的燒結體的相對密度在99.7%以上且99.9%以下。也可以在得到成型體之後，進一步通過冷等靜壓加壓（CIP）進行成型。
接下來，對通過成型步驟得到的平板形狀的成型體進行燒結（S305）。燒結使用電爐。燒結條件能夠根據燒結體的組成進行適當選擇。例如如果是含有10質量%的SnO 2的ITO，那麽能夠在氧氣氣氛中，在1400℃以上且1600℃以下的溫度下放置10小時以上且30小時以下進行燒結。在燒結溫度低於下限的情况下，燒結體的相對密度會降低。另一方面，若超過1600℃則對電爐和爐材的損傷較大而需要頻繁地維護，因此工作效率顯著降低。另外，若燒結時間短於下限，則燒結體120的相對密度會降低。
接著，進行機械加工，以形成燒結體的濺射面（S306）。通常，濺射靶的表面機械加工，使用平面磨削機且利用磨石的磨削是合適的。根據本發明人的研究，通過减緩該磨削磨石的進給速度或减小切入量，能夠抑制對靶的加工損傷，能夠减少上述微裂紋。但是，在使用該磨石的加工條件變更的情况下，對策仍不充分，有較多的表面微裂紋殘留，因此看到了在靶的濺射時産生較多的初期微粒的現象。
具體地，如圖2所示，由於在使用磨石的機械加工的情况下，平面磨削機（磨石）進行旋轉（曲綫的箭頭）並且以挖空靶表層的方式進行磨削，因此可認爲在沒有展性延性的陶瓷系濺射靶的加工中，在加工時容易産生新的微裂紋。
因此，在本發明的一實施方式中，在進行機械加工時，在使用通常的磨石的機械磨削步驟之後，通過不使用磨石而使用海綿研磨材料對最終的靶表面進行磨削來進行加工損傷低的加工，以减少靶表面的微裂紋的深度和産生頻率。另外，在磨削加工後使用下文所述的振動工具，一邊在靶表面施加微小的振動一邊進行精加工，能夠除去附著於機械加工後的靶表面的、容易剝離的微小的粒子。作爲安裝在振動工具上的研磨材料，可以使用相同的海綿研磨材料。
具體地，研磨所使用的海綿研磨材料的編號在＃300以上且＃1000以下。優選地，通過在第一階段使用＃300～＃600的較粗的海綿研磨材料進行研磨，在第二階段通過＃600～＃1000的較細的海綿研磨材料進行精細研磨，能夠在减少加工的工作量的同時得到發明的效果。由此，能夠减少濺射面的微裂紋的深度和産生頻率，進而能夠减少微裂紋的量。另外，能夠减小剝離測試得到的靶表面的剝離粒子的面積比例。
即，本發明的一實施方式，提供一種陶瓷系濺射靶的製造方法，該方法包括：
準備陶瓷燒結體的步驟；
對於所述陶瓷燒結體，使用編號＃300以上＃1000以下的海綿研磨材料進行平面磨削的步驟；以及
對於上述平面磨削後的陶瓷燒結體，使用振動工具進行精加工，從而形成濺射面的步驟。
另外，基於减小濺射面的微裂紋的深度和産生頻率的觀點，爲了形成最終的加工面所使用的海綿研磨材料的編號的下限優選爲＃600以上，更優選爲＃700以上，還更優選爲＃800以上。關於研磨所使用的海綿研磨材料的編號的上限，在＃1000以下就能夠得到所需的效果，根據需要，可以在＃950以下，也可以在＃900以下，還可以在＃850以下。在本說明書中，編號是指JIS R6001－2：2017中規定的粒度。
圖3示出了在本發明的一部分的實施方式中，使用海綿研磨材料進行平面磨削加工的手法。圖3的上方是，在平面磨削（平磨）的情况下，使用由海綿研磨材料構成的研磨砂輪。磨削時，以研磨砂輪的旋轉軸大致平行於陶瓷燒結體的應當加工的表面（對應於濺射面的表面）的方式，將研磨砂輪置於陶瓷燒結體的上方。在研磨砂輪旋轉的狀態下，當海綿研磨材料與陶瓷燒結體的應當加工的表面進行接觸時，海綿研磨材料的刷子變形，對陶瓷燒結體的表面施加壓力，因此該表面被磨削。海綿研磨材料的刷子的變形量，與研磨砂輪的切入量相對應。在圖示的實施方式中，安裝於研磨砂輪的海綿研磨材料與陶瓷燒結體的應當加工的表面實際上進行接觸的面積，是50mm（與海綿研磨材料的寬度相同）×約60mm。無需贅言，能夠配合磨石的編號和磨粒集中度，對研磨砂輪的轉速、進給速度等加工條件進行優化。
在圖3的下方，示出了使用安裝了海綿研磨材料的拋光機進行的平面磨削。在研磨時，以拋光機的旋轉軸大致垂直於陶瓷燒結體的應當加工的表面（對應於濺射面的表面）的方式，將拋光機置於陶瓷燒結體的上方。在拋光機進行旋轉的狀態下當海綿研磨材料與陶瓷燒結體的應當加工的表面接觸時，會對陶瓷燒結體的表面施加壓力，因此該表面被磨削。在圖示的實施方式中，安裝於拋光機的海綿研磨材料，是從上方看直徑爲300mm的圓盤狀，在平面磨削時，該圓盤狀的海綿研磨材料的整體與陶瓷燒結體的應當加工的表面進行接觸。無需贅言，能夠配合磨石的編號和磨粒集中度，對拋光機的轉速、進給速度等加工條件進行優化。
精加工所使用的振動工具，是指能夠在安裝了海綿研磨材料的狀態下産生微小的振動的裝置。通過海綿研磨材料對陶瓷燒結體施加微小的振動，能夠剝離在磨削加工後的靶表面上附著的微小的附著物。這些微小的附著物，會成爲濺射時（尤其是初期）的微粒和結瘤産生原因，因此優選通過精加工將其除去。需要說明的是，安裝研磨材料的振動工具的製造商和型號，振動的振動次數和轉速，有無吸塵功能等，無需限制於上文所述，能夠使用任意的振動工具。但是，基於工作效率的觀點，特別優選雙動砂光機這一種類的振動工具。
構成濺射靶的陶瓷燒結體的組成沒有特別限定，例如，能夠列舉含有In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg、Ta、Sm和Si中的至少1種的氧化物等。具體地，能夠示例：Zn的含有量以ZnO換算計爲1～15質量%的IZO（In 2O 3－ZnO），Sn的含有量以SnO 2換算計爲1～15質量%的ITO（In 2O 3－SnO 2），In的含有量以In 2O 3換算計爲10～60質量%，Ga的含有量以Ga 2O 3換算計爲10～60質量%，Zn的含有量以ZnO換算計爲10～60質量%的IGZO（In 2O 3－Ga 2O 3－ZnO），和Al的含有量以Al 2O 3換算計爲0.1～5質量%的AZO（Al 2O 3－ZnO）等，但不限於此。
另外，製造的濺射靶的其他的物性與上文所述相同。
〔實施例〕
以下，基於實施例以及比較例進行說明。需要說明的是，本實施例僅僅是一例，不受該例子的任何限制。即，本發明僅僅通過請求項的範圍進行限制，包括除了本發明所包含的實施例以外的各種變形。
（比較例1）
＜平面磨削處理＞
準備ZnO含有量爲10.7質量%組成的IZO板狀陶瓷燒結體。對於該陶瓷燒結體的一個面，使用株式會社岡本工作機械製作所製造的平面磨削裝置，使用編號＃80的磨石，在磨石轉速1800rpm、切入量50μm/pass、無火花4pass（道次）的條件下，進行粗磨處理。接著使用同一裝置和編號＃400的磨石，在磨石轉速1250rpm、切入量10μm/pass、無火花6pass的條件下實施精磨處理。
（比較例2）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例1相同的組成的陶瓷燒結體，在與比較例1相同的條件下進行平面磨削處理。
＜精加工＞
接著，對於平面磨削處理後的表面，在埼玉精機株式會社製造的振動工具（軌道式磨光機U－62）上，安裝編號＃800的海綿研磨材料（3M製造的Scotch-Brite 7448DOT），在研磨時間150min/m 2的條件下，進行精加工。需要說明的是，安裝研磨材料的振動工具的製造商和型號、振動的振動次數和轉速、有無吸塵功能等不限於上述，能夠使用任意的振動工具。
（比較例3）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例1相同的組成的陶瓷燒結體，除了將磨石的編號變更爲＃800以外，在與比較例1相同的條件下進行粗磨處理。
（參考例1）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例1相同的組成的陶瓷燒結體。首先，作爲預處理，實施使用＃400磨石的平面磨削處理；然後，在埼玉精機株式會社製造的振動工具（軌道式磨光機U－62）上安裝編號＃500的海綿研磨材料，以使得靶的厚度與原本的厚度相比减小15μm以上的方式進行磨削；接著，作爲精加工，將編號＃800的海綿研磨材料安裝在同一振動工具上，以靶的厚度與使用＃500的海綿研磨材料磨削後再减小2μm以上的方式進行磨削。研磨時間的條件選用1000min/ m 2。爲了除去＃400的機械加工導致的加工損傷，使用振動工具的研磨加工需要相當長的時間。
（比較例4）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例1相同的組成的陶瓷燒結體，使用安裝了編號＃320的圓盤狀海綿研磨材料（φ300mm）的三和DAIYA工販株式會社製造・型號SDK－P1000NC的濕式研磨裝置（拋光機）進行平面處理。磨削條件是，拋光機轉速120rpm，對加工面的面壓（按壓的壓力）設定爲0.58g/ mm 2，磨削時間爲約300min/ m 2。接著，將圓盤狀海綿研磨材料變更爲編號＃800的材料，在同樣的條件下進行平面處理。
（實施例1）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例1相同的組成的陶瓷燒結體，在與比較例4相同的條件下，進行平面磨削處理。
＜精加工＞
在埼玉精機株式會社製造的振動工具（軌道式磨光機U－62）上，安裝編號＃800的海綿研磨材料（3M製造的Scotch-Brite 7448DOT），在研磨時間150min/m 2的條件下，進行精加工。
（比較例5）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例1相同的組成的陶瓷燒結體，使用由編號＃320的海綿研磨材料構成的柳瀨株式會社製造的Unilon flap wheel（研磨砂輪）進行平面處理。磨削條件是，輪轉速設爲10000rpm，切入量（＝將設置靶時的高度記做0時的、研磨砂輪與靶重叠的厚度）設爲6mm。接著，將構成研磨砂輪的海綿研磨材料的編號變更爲＃800，在同樣的條件下進行平面處理。
（實施例2）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例1同樣的組成的陶瓷燒結體，在與比較例5同樣的條件下，進行平面磨削處理。
＜精加工＞
接下來，對於平面磨削處理後的表面，在埼玉精機株式會社製造的振動工具（軌道式磨光機U－62）上安裝編號＃800的海綿研磨材料（3M製造的Scotch-Brite 7448DOT），在研磨時間爲150min/ m 2的條件下，進行精加工。
（比較例6）
＜平面磨削處理＞
準備SnO 2含有量爲10質量%組成的ITO板狀陶瓷燒結體。對於該陶瓷燒結體的一個面，使用株式會社岡本工作機械製作所製造的平面磨削裝置，並使用編號＃80的磨石，在磨石轉速1800rpm、切入量50μm/pass、無火花4pass的條件下，進行粗磨處理。接著使用同一裝置和編號＃400的磨石，在磨石轉速1250rpm、切入量10μm/pass、無火花6pass的條件下實施精磨處理。
（比較例7）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例6同樣的組成的陶瓷燒結體，使用安裝了編號＃320的圓盤狀海綿研磨材料（φ300mm）的三和DAIYA共販株式會社製造・型號SDK－P1000NC濕式研磨裝置（拋光機）進行平面處理。磨削條件是，拋光機轉速120rpm，對加工面的面壓（按壓的壓力）設爲0.58g/ mm 2，磨削時間爲約300min/ m 2。接合，將圓盤狀海綿研磨材料變更爲編號＃800的材料，在同樣的條件下進行平面處理。
（實施例3）
＜平面磨削處理＞
準備與比較例6同樣的組成的陶瓷燒結體，在與比較例7同樣的條件下進行平面磨削處理。
＜精加工＞
接著，對於平面磨削處理後的表面，在埼玉精機株式會社製造的振動工具（軌道式磨光機U－62）上安裝編號＃800的海綿研磨材料（3M製造的Scotch-Brite 7448DOT），在研磨時間爲150min/ m 2的條件下，進行精加工。
各比較例以及實施例的加工條件整理在表1中。
表1
　 材料 加工條件
平面磨削處理 精加工
比較例1 IZO #400編號的磨石 -
比較例2 IZO #400編號的磨石 振動工具 (#800編號的海綿研磨材料, 150 min/m 2)
比較例3 IZO #800編號的磨石 -
參考例1 IZO #400編號的磨石 振動工具 (#500 & #800編號的海綿研磨材料, 1000 min/m 2)
比較例4 IZO 拋光機加工 (#320 & #800編號的海綿研磨材料, 300 min/m 2) -
實施例1 IZO 振動工具 (#800編號的海綿研磨材料, 150 min/m 2)
比較例5 IZO flap wheel (#800編號的海綿研磨材料) -
實施例2 IZO 振動工具 (#800編號的海綿研磨材料, 150 min/m 2)
比較例6 ITO #400編號的磨石 -
比較例7 ITO 拋光機加工 (#320 & #800編號的海綿研磨材料, 300 min/m 2) -
實施例3 ITO 振動工具 (#800編號的海綿研磨材料, 150 min/m 2)
（使用表面粗糙度計的表面粗糙度Ra的測量）
將施加了上述加工的各實施例以及各比較例的IZO或ITO濺射靶進行5分鐘超聲波清洗之後，使用株式會社三豐製造的觸針式的表面粗糙度計（SurftestSJ－301），按照下述的表2的條件，側向靶表面的5個位置的Ra，算出其平均值。需要說明的是，上述5個位置，是四角附近的4個位置，和中央的1個位置。
表2
管理項目 設定
評價長度（mm） 4
測量速度（mm/s） 0.5
測量力（mN） ≤4
測量次數（次/1個位置） 5
觸針的頂端曲率半徑（μm） 5
測量方向 與研磨時的方向平行
（斷面微裂紋個數評價）
從施加了上述加工的各實施例以及各比較例的IZO或ITO濺射靶中，切出20mm×10mm的尺寸的樣品，進行5分鐘超聲波清洗之後，使用JEOL公司製造的電子顯微鏡JSM－6700F對與濺射面垂直的斷面進行組織觀察，確認濺射面側的上端部分的每1mm的長度內的微裂紋個數（參照圖4）。進行微裂紋的判定的基準是：對裂紋的起點存在於機械加工面（磨削麵），且與機械加工面相距的深度爲0.1μm以上的微裂紋進行計測。另外，起點沒有在機械加工面的內部的裂縫不算作微裂紋，另外，在1個微裂紋有多個相連的分支的情况下，也按照1個微裂紋進行計算。需要說明的是，即使在觀察視野內沒有觀察到其起點在機械加工面上，但是能夠確認在觀察視野以外的場所其起點存在於機械加工面的裂紋，算入微裂紋。使用該方法，沿著濺射面進行計測，直到確認了合計20個的裂縫爲止。觀察倍率可以自由地設定，但是通常微裂紋小到0.1～20μm的程度，故而通常選用5000倍～10000倍左右的倍率，也可以根據發現的微裂紋的大小變更倍率。這裏觀察倍率選用10,000倍。
（斷面微裂紋深度評價）
對於在上述斷面微裂紋個數評價中作爲微裂紋算入的微裂紋，使用前述的方法，使用通過電子顯微鏡觀察到的像和比例（scale）對微裂紋1個1個地計算與該濺射面相距的鉛直方向深度，對於20個的微裂紋的深度的計算值取平均，作爲斷面微裂紋的深度。在各個例子中，還記錄了20個的微裂紋的深度的最大值。
（剝離測試）
在靶的濺射面上粘貼雙面碳膠帶，用拇指將粘貼的部分摩擦2秒左右，從而使得靶表面的剝離粒子附著於碳膠帶（粘貼的面積設爲100 mm 2以上）。對於膠帶的上述粘貼面，在靶的同一平面內將上述操作進行3次（將同一膠帶，粘貼在平面內的不同的任意3個位置並剝離）。將該膠帶（100 mm 2以上）的粘貼於靶的表面作爲觀察面使用電子顯微鏡進行觀察並拍攝照片，使用圖像處理軟件計算觀察面上的附著粒子的面積比例。將使用上述方法對同一碳膠帶試料進行觀察得到的3個視野的平均值，用作通過剝離測試得到的剝離粒子的面積比例。
（初期濺射評價）
使用施加了上述加工的各實施例以及各比較例的IZO和ITO濺射靶，直到靶壽命爲0.8kWhr爲止進行濺射之後，進行以下的濺射試驗。成膜條件爲，功率2.0kW、壓力0.67Pa、氣體流量145sccm、膜厚55nm、氣氛Ar100%。並且，在整個濺射壽命中，計測每單位面積的在基板（晶片）上産生的微粒的産生數量，按照以下的基準進行評價。
〇：到壽命初期（～5kWhr）爲止的每單位面積的微粒産生數量的最大值小於10個/cm 2
△：到壽命初期（～5kWhr）爲止的每單位面積的微粒産生數量的最大值爲10個/ cm 2以上且小於25個/ cm 2
×：到壽命初期（～5kWhr）爲止的每單位面積的微粒産生數量的最大值爲25個/ cm 2以上
另外，對於比較例1、2和參考例1、實施例1，在圖5中示出在整個濺射壽命中産生的微粒數量。
在表3中示出上述濺射試驗中的微粒産生數量的評價結果。根據表3可知，關於基板微粒的産生數量，與比較例相比較實施例明顯减少。
表3
條件 材料 表面粗糙度 Ra (μm) 微裂紋評價 剝離測試的剝離率(%) 初期濺射評價
産生頻率 (個/mm) 深度 (μm) 最大深度 (μm) 微裂紋數量 (産生頻率×深度)
比較例1 IZO 0.35 31.7 3.8 15.2 121 1.95 ×
比較例2 IZO 0.25 29.6 2.5 6.0 75 0.29 △
比較例3 IZO 0.18 30.9 3.0 6.3 93 2.18 ×
參考例1 IZO 0.10 21.9 0.8 1.7 18 0.14 〇
比較例4 IZO 0.11 12.6 1.6 3.5 28 2.47 △
實施例1 IZO 0.10 9.5 1.7 2.5 16 0.22 〇
比較例5 IZO 0.17 22.6 1.7 3.0 39 2.93 ×
實施例2 IZO 0.10 14.4 1.7 2.3 24 0.19 〇
比較例6 ITO 0.32 19.1 10.6 15.5 203 11.40 ×
比較例7 ITO 0.14 13.9 6.6 11.8 73 0.12 △
實施例3 ITO 0.11 7.8 3.5 5.8 30 0.03 〇
（考察）
在比較例1中，僅僅通過使用了編號＃400的磨石的平面磨削機進行平面磨削，加工面（濺射面）的微裂紋量大於50μm/mm，剝離測試得到的剝離率不是良好。其結果是，初期濺射評價結果爲不良。
在比較例2中，由於使用振動工具對平面磨削機的加工面進行精加工，因而剝離率改善，但是微裂紋量的改善不充分，在濺射試驗中發現了中等程度的微粒産生。
在比較例3中，儘管通過將磨石的編號變更爲＃800而實現了加工損傷减少，但加工面（濺射面）的微裂紋量仍然無法充分地降低，微裂紋量還是大於50μm/mm，剝離測試得到的剝離率也不是良好。其結果是，初期濺射評價結果爲不良。
分析參考例1，在預處理中使用＃400的海綿研磨材料，在精加工中使用＃500和＃800的海綿研磨材料進行合計17μm以上的磨削，其結果是，能夠减少微裂紋量以及减小剝離測試得到的剝離量，能夠得到濺射時微粒較少的靶，但是上述步驟需要耗費大致1000min/ m 2的大量時間，因此存在難以適用於量産的缺點。
分析比較例4，可確認通過拋光機加工能夠减少微裂紋量，但僅此這樣是不充分的，不進行精加工則很難改善剝離測試得到的剝離率。
分析比較例5，能夠確認雖然同樣爲編號＃800，但是不使用磨石而使用海綿研磨材料能夠减少微裂紋量，但僅此這樣是不充分的，不進行精加工則難以改善剝離測試得到的剝離率。其結果是，初期濺射評價結果爲不良。
分析實施例1和2，能夠確認通過使用編號＃800的海綿研磨材料能夠减少微裂紋量，並且通過使用振動工具進行精加工能夠减少剝離測試得到的剝離量，得到了濺射時微粒較少的靶。
分析比較例6、7，實施例3可知，即使將濺射靶材從IZO變更爲ITO，也能得到同等的差異、效果。
以上所述僅為本發明較佳可行實施例而已，舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所爲之等效變化，理應包含在本發明之專利範圍內。
［本發明］ S301,S302,S303,S304,S305,S306,S307,S308,S309:步驟
圖1示出了本發明的一實施方式中的濺射靶的製造方法的工藝流程。 圖2是示出通過使用磨石的平面磨削機進行加工時，靶表面上産生微裂紋的原因的圖。 圖3是示出本發明的一部分的實施方式中的、使用海綿研磨材料進行平面磨削加工的手法的圖。 圖4是示出微裂紋的觀察方法的圖。 圖5是示出在整個濺射壽命中産生的微粒數量的圖。 圖6是示出微裂紋的平均深度的計算方法的圖。
S301,S302,S303,S304,S305,S306,S307,S308,S309:步驟

Claims (23)

  1. 一種陶瓷系濺射靶，其中，在濺射面中，在通過電子顯微鏡進行斷面組織觀察的情况下，如以下定義的微裂紋的量為50μm/mm以下：微裂紋的量=微裂紋的產生頻率×微裂紋的平均深度；對所述濺射面進行剝離測試之後，根據電子顯微鏡的斷面組織觀察而確認的剝離粒子的面積比例為1.0%以下。
  2. 如請求項1所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述微裂紋的量為40μm/mm以下。
  3. 如請求項1所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述微裂紋的量為30μm/mm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述剝離粒子的面積比例為0.5%以下。
  5. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述剝離粒子的面積比例為0.3%以下。
  6. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射面的表面粗糙度Ra為0.05~0.50μm。
  7. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，包含In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg、Ta、Sm和Si中的1種以上。
  8. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是Zn的含有量以ZnO換算計為1~15質量%的IZO。
  9. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是Sn的含有量以SnO2換算計為1~15質量%的ITO。
  10. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是In的含有量以In2O3換算計為10~60質量%，Ga的含有量以Ga2O3換算計為10~60質量%，且Zn的含有量以ZnO換算計為10~60質量%的IGZO。
  11. 如請求項1至3中任一項所述之陶瓷系濺射靶，其中，所述濺射靶是Al的含有量Al2O3換算計為0.1~5質量%的AZO。
  12. 一種陶瓷系濺射靶的製造方法，包括：準備陶瓷燒結體的步驟，對所述陶瓷燒結體，使用編號# 300以上且# 1000以下的海綿研磨材料進行平面磨削的步驟，和對上述平面磨削後的陶瓷燒結體，使用振動工具進行精加工，從而形成濺射面的步驟。
  13. 如請求項12所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，在所述精加工後的所述濺射面中，在通過電子顯微鏡進行斷面組織觀察的情况下，如以下定義的微裂紋的量為50μm/mm以下：微裂紋的量=微裂紋的產生頻率×微裂紋的平均深度，對所述濺射面進行剝離測試之後，根據電子顯微鏡的斷面組織觀察而確認的剝離粒子的面積比例為1.0%以下。
  14. 如請求項13所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述微裂紋的量為40μm/mm以下。
  15. 如請求項13所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述微裂紋的量為30μm/mm以下。
  16. 如請求項13至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述剝離粒子的面積比例為0.5%以下。
  17. 如請求項13至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述剝離粒子的面積比例為0.3%以下。
  18. 如請求項12至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述精加工後的所述濺射面的表面粗糙度Ra為0.05~0.50μm。
  19. 如請求項12至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，含有In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg、Ta、Sm和Si中的1種以上。
  20. 如請求項12至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是Zn的含有量以ZnO換算計為1~15質量%的IZO。
  21. 如請求項12至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是Sn的含有量以SnO2換算計為1~15質量%的ITO。
  22. 如請求項12至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是In的含有量以In2O3換算計為10~60質量%，Ga的含有量以Ga2O3換算計為10~60質量%，且Zn的含有量以ZnO換算計為10~60質量%的IGZO。
  23. 如請求項12至15中任一項所述之陶瓷系濺射靶的製造方法，其中，所述陶瓷系濺射靶，是Al的含有量以Al2O3換算計為0.1~5質量%的AZO。
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