JP6533869B2 - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(発明1)
In、Ga、Zn、Oを含むIGZOスパッタリングターゲットであって、
原子比で
0.30≦In/(In+Ga+Zn)≦0.36、
0.30≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.36、
0.30≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.36、
であるIGZOスパッタリングターゲットであり、
相対密度が96%以上であり、
スパッタリングターゲット表面における結晶粒の平均粒径が30.0μm以下であり、かつ
スパッタリングターゲット表面における粒径の差異が20%以下(1.0≦Dmax/Dmin≦1.2)であること
を特徴とするIGZOスパッタリングターゲット。
(発明2)
発明1に記載のIGZOスパッタリングターゲットであって、
抗折強度が40〜100MPaであり、
かつ抗折強度の差異が20%以下(1.0≦Smax/Smin≦1.2)であることを特徴とするIGZOスパッタリングターゲット。
(発明3)
IGZOスパッタリングターゲットの製造方法であって、前記方法は、
発明1又は2に記載の元素の組成を有する成形体を1300〜1500℃で5〜24時間焼結する工程と、
焼結体を研削する工程と、
を含み、
前記焼結する工程は、成形体を800℃〜1000℃で0.5〜3時間保持することを含み、
前記焼結後の焼結体の反り量が2.0mm以下であり、
前記研削する工程は、反りが解消した後、更に0.5mm以上追加研削することを含む、
IGZOスパッタリングターゲットの製造方法。
(1)形状
本発明の一実施形態において、スパッタリングターゲットの形状は平板である。更なる一実施形態において、スパッタリングターゲットの形状は矩形の平板である。
本発明の一実施形態において、スパッタリングターゲットは、In、Ga、Zn及びOを含むIGZOスパッタリングターゲットである。
0.30≦In/(In+Ga+Zn)≦0.36
0.30≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.36
0.30≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.36
0.32≦In/(In+Ga+Zn)≦0.34
0.32≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.34
0.32≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.34
なお、スパッタリングターゲット材を構成する元素の種類及び含有量の特定は、蛍光X線分析(XRF)等により可能である。また、In、Ga、Zn以外の元素については、発光分光分析(ICP)により、特定することも可能である。
本発明の一実施形態において、IGZOスパッタリングターゲットは、ホモロガス結晶構造を有する。ここで、ホモロガス構造とは、In、Ga及びZnを含む酸化物の場合、InGaO3(ZnO)m(mは1〜20の自然数)の組成式で表される六方晶ベースの層状構造を指す。本発明の更なる一実施形態において、IGZOスパッタリングターゲットは、InGaZnO4(InGaO3(ZnO)m、m=1)で表されるホモロガス構造を主に有する。例えば、IGZOスパッタリングターゲットは、ホモロガス結晶構造を、80%以上、より好ましくは85%以上の割合で有する。
・X線回折装置:株式会社リガク製の全自動水平型多目的X線回折装置 SmartLab(X線源:Cu線);
・ゴニオメータ:Ultima IV
・管電圧:40kV、
・管電流:30mA、
・スキャンスピード:5°/min、
・ステップ:0.02°
本発明の一実施形態において、IGZOスパッタリングターゲットの結晶粒径は、30.0μm以下であり、より好ましくは、25.0μm以下である。これらの範囲だと、パーティクルやクラック等を適切に抑制することができる。下限値については、特に限定されないが、典型的には、5.0μm以上、又は7.0μm以上であってもよい。
本発明の一実施形態において、IGZOスパッタリングターゲットの相対密度は96%以上であり、好ましくは、96.3%以上である。96%以上であると、アーキングの発生が更に抑制される。上限値については、特に規定されないが、典型的には、100%以下、99%以下、98%以下、又は97%以下であってもよい。
本発明の一実施形態において、IGZOスパッタリングターゲットの抗折強度は、40〜100MPaであり、より好ましくは、70〜100MPaである。抗折強度は、上記結晶粒径と同様に、材料を9分割して、測定する。より具体的には、9つの区画(縦3等分×横3等分)の中心部分を、後述する試料サイズになるように切り出す。そして、9区画それぞれから切り出した試料から測定した抗折強度の値を、それぞれS1〜S9と定義する。そして、S1〜S9の平均値を、IGZOスパッタリングターゲットの抗折強度とする。
(抗折強度の測定条件)
試験方法 :3点曲げ試験
支点間距離:30mm
試料サイズ:3×4×40mm
ヘッド速度:0.5mm/min
(1)粉末
In、Ga、Znをそれぞれ含む粉末を用いることができる。より具体的には、In化合物の粉末、Ga化合物の粉末、Zn化合物の粉末を用いることができる。或いはこれらの元素の組み合わせを含む粉末を用いてもよい。In化合物の粉末の例としては、酸化インジウム、水酸化インジウム等が挙げられる。Ga化合物の粉末の例としては、酸化ガリウム、硝酸ガリウム等が挙げられる。Zn化合物の粉末の例としては、酸化亜鉛、水酸化亜鉛等が挙げられる。配合量については、上述したIn、Ga、Znの原子比を実現できる量であればよい。
次に、これらの原料粉末を粉砕し混合する。原料粉末の粉砕混合処理は、乾式法又は湿式法を使用することができる。乾式法には、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた乾式法が挙げられる。一方、湿式法には、上記のボールやビーズを用いたメディア撹拌型ミルが挙げられる。更に、湿式法には、メディアレスの容器回転式、機械撹拌式、気流式の湿式法が挙げられる。ここで、一般的に湿式法は乾式法に比べて粉砕及び混合能力に優れている。従って、湿式法を用いて混合を行うことが好ましい。
次に、混合粉末を金型に充填し、面圧400〜1000kgf/cm2、1〜3分保持の条件で一軸プレスして、成形体を得る。面圧400kgf/cm2未満であると十分な密度の成形体を得ることができない。また、1000kgf/cm2超の面圧は生産上特に必要とされない。即ち、過度な面圧を加えても成形体の密度はある一定の値以上は向上しにくくなる。また、1000kgf/cm2超の面圧を行うと、一軸プレスでは原理的に成形体内に密度分布が生じやすく、焼結時の変形や割れの原因となる。
上記成形体は、適切な焼結温度で焼結して焼結体を得ることができる。焼結温度まで昇温させる前に、一旦特定条件の範囲内で保持させることが好ましい。IGZOの焼結体は、温度に依存して様々な相が増加及び減少する。例えば、I2O3及びZnGa2O4などの相は、昇温して800℃以上になると減少する傾向にある。一方で、InGaZnO4の相は、昇温して1000℃を超えると急激に成長を開始する傾向にある。そこで、800℃〜1000℃の温度範囲で一気に昇温させずに保持することで、反りの原因となる現象(即ち、焼結体内部におけるIGZO相の成長度合いに差異が生じる現象)を抑制することできる。そして、IGZO相の成長度合いの差異が抑制された状態で焼結を行うことができる。こうした理由から、800℃以上1000℃以下(好ましくは、850℃〜1000℃、更に好ましくは、880℃〜920℃)とするのが好ましい。処理時間については、0.5時間以上が好ましく、更に好ましくは、1時間以上である。上限時間については、3時間以下であることが好ましい。この理由は、3時間よりも長くなると、IGZO相の成長が焼結体全体で進行してしまい、焼結体中のポアが抜けにくくなり、相対密度の低下やターゲットの抗折強度の低下等に繋がるからである。
焼結体が得られた後、平坦な形に加工する目的で、且つ変質層を除去する目的で、研削を行う。研削は、両方の面から行い、平板のターゲット材を得ることができる。従って、少なくとも平坦な形が得られるまで研削することが必要である。例えば、反り量が2.0mm以上であれば、少なくとも2.0mm以上研削することが必要である。より好ましくは、反りが解消するまで研削した後、更に、+0.5mm以上追加研削することができる(即ち平面からの研削量を0.5mm以上、より好ましくは0.8mm以上)。これにより、研削後のターゲット材表面における結晶粒径の差異を小さくすることができる。また、これにより、反りが解消するまで研削したときに表面の一部に残存する変質層を除去することができる。なお、「反りが解消」した状態とは、反り量が0mmである場合のみならず、反り量が0.1mm以下である状態を指す。研削量の上限値については、歩留まり低下するという理由から、上述した「反りが解消するまで」の研削量と「追加研削」量とを合わせた最大表面研削量が3.0mm以下であることが好ましい。研削量の下限値については、典型的な反り量が0.5mm以上であること、及び好ましい追加研削量が0.5mm以上であるという理由から、上述した「反りが解消するまで」の研削量と「追加研削」量とを合わせた最大表面研削量が1.0mm以上であることが好ましい。
本発明の一実施形態において、IGZOスパッタリングターゲットを用いて、通常行われるスパッタ法(例:DCスパッタ法等)で成膜することができる。本発明の一実施形態において、IGZOスパッタリングターゲットは、反りが少ないため、平坦な状態に加工するまでの研削量が従来よりも少ない。従って、材料ロスを軽減することができる。また、反りが少ないため、スパッタ面の均一性が確保できる。従って、アーキングを抑制することができる。また、材料全体としての強度が一定以上であり、且つ強度の差異も少ないため、割れやクラックが発生しにくい。
以下の条件で試験を実施した。
蛍光X線分析(XRF)分析によるIn、Ga、Znの元素分析を行った。
上記「1. ターゲット材の特性」の「(4)粒径」の項で説明した方法で評価した。
上記「1. ターゲット材の特性」の「(6)抗折強度」の項で説明した方法で評価した。
簡易反り測定機(測定部:キーエンス製 LK-085)を用い、焼結後(機械加工前)の焼結体において高さ(Z座標)が1番高いところと、1番低いところとの高さの差異を「反り量」とした。
上記「1. ターゲット材の特性」の「(5)相対密度」の項で説明した方法で評価した。
得られた焼結体を用いて、以下の条件でDCスパッタリングを行った。
スパッタガス:Ar:100%
スパッタガス圧:0.5Pa
投入電力:500W
投入電力量:20kWh
基板温度:室温
In2O3粉、Ga2O3粉、ZnO粉からなる基本材料(母材)を、各金属元素の比率In:Ga:Znが、おおよそ1:1:1となるように(具体的には、表1に記載の原子比になるように)湿式で混合・微粉砕した後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、原料粉を得た。これを金型に投入して、800kgf/cm2の圧力を1分間にわたって作用させて成形体を得た。この成形体を電気炉内で表1の条件に従って加熱し(300〜900℃の間は、5℃/minの速度で昇温、900℃以降は、0.5℃/minの速度で昇温)、焼結体を得た(比較例5以外は、厚さ10mm)。その後、表1の条件に従って、#80〜#400の砥石を用いた平面研削機で研削してスパッタリングターゲットを作製した。(ターゲット表面仕上げは#400)
Claims (3)
- In、Ga、Zn、Oを含むIGZOスパッタリングターゲットであって、
原子比で
0.30≦In/(In+Ga+Zn)≦0.36、
0.30≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.36、
0.30≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.36、
であるIGZOスパッタリングターゲットであり、
相対密度が96%以上であり、
スパッタリングターゲット表面における結晶粒の平均粒径が30.0μm以下であり、かつ
スパッタリングターゲット表面における粒径の差異が20%以下(1.0≦Dmax/Dmin≦1.2)であること
を特徴とするIGZOスパッタリングターゲット。 - 請求項1に記載のIGZOスパッタリングターゲットであって、
抗折強度が40〜100MPaであり、
かつ抗折強度の差異が20%以下(1.0≦Smax/Smin≦1.2)であることを特徴とするIGZOスパッタリングターゲット。 - IGZOスパッタリングターゲットの製造方法であって、前記方法は、
請求項1又は2に記載の元素の組成を有する成形体を800〜1000℃で0.5〜3時間保持する工程と、
前記保持した後に、前記成形体を1300〜1500℃で5〜24時間焼結する工程と、
焼結体を研削する工程と、
を含み、
前記焼結後の焼結体の反り量が2.0mm以下であり、
前記研削する工程は、反りが解消した後、更に0.5mm以上追加研削することを含む、
IGZOスパッタリングターゲットの製造方法。
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