TWI813175B - 記憶體及其感測放大裝置 - Google Patents

Abstract

一種記憶體及其感測放大裝置被提出。感測放大裝置包括差動放大器、第一預充電路以及控制電壓產生器。差動放大器具有第一輸入端以及第二輸入端以分別接收資料信號以及參考信號。第一預充電路耦接至第一輸入端。第一預充電路基於電源電壓，根據預充電啟動信號以及控制電壓以對第一輸入端執行預充電動作。控制電壓產生器根據電源電壓以產生控制電壓，其中控制電壓與電源電壓正相關。

Description

記憶體及其感測放大裝置

本發明是有關於一種記憶體及其感測放大裝置。

在記憶體的技術領域中，在感測放大裝置的輸入端上，常設置預充電路以在進行記憶胞的讀取動作時，先行針對感測放大裝置的輸入端進行預充電的動作，可加速後續的記憶胞的資料信號的感測動作。

在習知技術中，常使預充電路具有固定的預充電時間。然而，當感測放大裝置所接收的電源電壓發生變化時，在這個固定的預充電時間中，預充電路可能使感測放大裝置的輸入端的電壓被提升的程度不一樣。例如，當電源電壓變高時，感測放大裝置的輸入端的電壓可被預充至一相對高的電壓值；相對的，當電源電壓變低時，感測放大裝置的輸入端的電壓則可被預充至一相對低的電壓值。上述的預充電動作的不穩定狀態，會使的記憶體應用在不同大小的電源電壓的情況下，產生感測資料錯誤的現象，或者造成讀取速度會隨著電源電壓的大小而有所不同。

本發明的感測放大裝置包括差動放大器、第一預充電路以及控制電壓產生器。差動放大器具有第一輸入端以及第二輸入端以分別接收資料信號以及參考信號。第一預充電路耦接至第一輸入端。第一預充電路基於電源電壓，根據預充電啟動信號以及控制電壓以對第一輸入端執行預充電動作。控制電壓產生器根據電源電壓以產生控制電壓，其中控制電壓與該電源電壓正相關。

本發明的記憶體包括至少一記憶胞；以及感測放大裝置。感測放大裝置耦接至記憶胞。感測放大裝置包括差動放大器、第一預充電路以及控制電壓產生器。差動放大器具有第一輸入端以及第二輸入端以分別接收資料信號以及參考信號。第一預充電路耦接至第一輸入端。第一預充電路基於電源電壓，根據預充電啟動信號以及控制電壓以對第一輸入端執行預充電動作。控制電壓產生器根據電源電壓以產生控制電壓，其中控制電壓與該電源電壓正相關。

基於上述，本發明的感測放大裝置透過控制電壓以執行差動放大器的輸入端上的預充電動作。其中，控制電壓與電源電壓正相關，因此，第一預充電路的預充電動作中，電源電壓的變化可以獲得補償，並使預充電動作不受電源電壓的變化影響。因此，記憶體的整體動作可以獨立於電源電壓的變化。

100:感測放大裝置

110、511、611:差動放大器

120、400、512、6121、6122:預充電路

130、200:控制電壓產生器

210:恆定電流源

310:曲線

410、420:預充子電路

500、600:記憶體

513、613:資料閂鎖器

BL、RBL:位元線

CELL、CELLR:記憶胞

DisC:放電控制信號

DL、RBL:資料線

DO:感測資料

IN1、IN2:輸入端

MPP0、MNN0、MP0~MP5、MP01、MP11、MN2~MN6、MND、MND1、MND2、MPR2~MPR6、MNR0~MNR3:電晶體

PC:預充電啟動信號

PCSb、PCWb:預充電啟動子信號

Sout:輸出信號

VCC:電源電壓

Vpgp:控制電壓

Vra:參考信號

VREF、VSS:參考電壓

Vsa:資料信號

Vthp:導通電壓

Y、Vsen、SET、SETN:信號

圖1繪示本發明一實施例的感測放大裝置的示意圖。

圖2繪示本發明實施例的感測放大裝置中的控制電壓產生器200的實施例的示意圖。

圖3繪示本發明圖2實施例中，控制電壓產生器200的實施例的波形圖。

圖4繪示本發明實施例的感測放大裝置的預充電路的實施例的示意圖。

圖5繪示本發明一實施例的記憶體的示意圖。

圖6繪示本發明另一實施例的記憶體的示意圖。

請參照圖1，圖1繪示本發明一實施例的感測放大裝置的示意圖。感測放大裝置100包括差動放大器110、預充電路120以及控制電壓產生器130。差動放大器110具有輸入端IN1以及IN2。差動放大器110的輸入端IN1耦接至預充電路120，並接收資料信號。差動放大器110的輸入端IN2則接收參考信號Vra。在本實施例中，差動放大器110的輸入端IN1可耦接至一選中記憶胞，其中選中記憶胞被選中以執行一讀取動作。選中記憶胞可用以提供資料信號Vsa至差動放大器110的輸入端IN1。預充電路120則在讀取動作時，在資料信號Vsa被提供至差動放大器110的輸入端 IN1前，針對差動放大器110的輸入端IN1進行一預充電動作。

差動放大器110用以比較輸入端IN1上的資料信號Vsa以及輸入端IN2上的參考信號Vra的大小，並透過放大資料信號Vsa以及參考信號Vra的差值來產生輸出信號Sout。

在本實施例中，預充電路120可基於電源電壓VCC，根據預充電啟動信號PC以及控制電壓Vpgp以對輸入端IN1執行預充電動作。控制電壓Vpgp由控制電壓產生器130所提供。其中，控制電壓產生器130根據電源電壓VCC以產生控制電壓Vpgp。在一實施例中，控制電壓Vpgp與電源電壓VCC正相關。

進一步來說明，控制電壓產生器130可根據電源電壓VCC的電壓值大小來調整控制電壓Vpgp的電壓值。當電源電壓VCC小於或等於一參考值時，控制電壓Vpgp的電壓值可以維持等於接近於0伏特的一低電壓。當電源電壓VCC大於上述的參考值時，控制電壓Vpgp可以正比於電源電壓VCC以線性上升。在本實施例中，當電源電壓VCC大於上述的參考值時，控制電壓Vpgp的變化量與電源電壓VCC的變化量的可以是相等的。

由上述說明可以得知，當電源電壓VCC產生變化時，預充電路120可以根據隨著電源電壓VCC的變化而動態改變的控制電壓Vpgp，來維持對輸入端IN1的預充電能力。如此一來，不論電源電壓VCC產生如何的變化，差動放大器110的輸入端IN1上的預充電動作都是恆定的。差動放大器110的輸入端IN1上的電壓，不會因為電源電壓VCC的變化，而有預充電不足或過預充電 的現象，降低差動放大器110產生錯誤的輸出信號Sout的可能，並可有效維持感測放大裝置100的資料感測速率。

以下請參照圖2，圖2繪示本發明實施例的感測放大裝置中的控制電壓產生器的實施例的示意圖。控制電壓產生器200包括電晶體MPP0以及恆定電流源210。電晶體MPP0的第一端接收電源電壓VCC；電晶體MPP0的控制端接收參考電壓VSS；電晶體MPP0的第二端則耦接至恆定電流源210，並產生控制電壓Vpgp。恆定電流源210耦接在電晶體MPP0的第二端以及參考接地端間，其中，參考接地端用以接收參考電壓VSS。在本實施例中，參考電壓VSS可以為0伏特的接地電壓。

在本實施例中，恆定電流源210由電晶體MNN0所建構。電晶體MNN0的第一端耦接至電晶體MPP0的第二端；電晶體MNN0的控制端接收參考電壓VREF；電晶體MNN0的第二端接收參考電壓VSS。其中，參考電壓VREF可大於參考電壓VSS。在本實施例中，參考電壓VREF例如可以為1.1伏特至1.2伏特。

恆定電流源210用以由電晶體MPP0的第二端汲取固定電流至電晶體MNN0的第二端。在當電源電壓VCC不大於電晶體MPP0的導通電壓(等同於參考值)時，電晶體MPP0不被導通，且電晶體MPP0的第二端上的控制電壓Vpgp可透過恆定電流源210的拉低動作而為一極低的電壓(例如0伏特)。在當電源電壓VCC大於電晶體MPP0的導通電壓時，電晶體MPP0可以被導通。此時電晶體MPP0的第二端上的控制電壓Vpgp與電源電壓VCC 間可以維持具有固定的差值。

在此可同步參照圖2以及圖3，其中圖3繪示本發明圖2實施例中，控制電壓產生器200的實施例的波形圖。其中，在當電源電壓VCC不大於電晶體MPP0的導通電壓Vthp時，控制電壓Vpgp實質上等於0伏特。在當電源電壓VCC大於電晶體MPP0的導通電壓Vthp時，控制電壓Vpgp可隨著電源電壓VCC的上升而線性上升。其中，控制電壓Vpgp與電源電壓VCC的變化關係曲線310的斜率可以等於1。

接著請參照圖4，圖4繪示本發明實施例的感測放大裝置的預充電路的實施例的示意圖。預充電路400包括預充子電路410與420。預充子電路410包括電晶體MP0與MP01。預充子電路420則包括電晶體MP1與MP11。在本實施例中，電晶體MP0的第一端接收電源電壓VCC；電晶體MP0的第二端耦接至電晶體MP01的第一端；電晶體MP0的控制端接收預充電啟動子信號PCSb。電晶體MP01的控制端收控制電壓Vpgp；電晶體MP01的第二端耦接至差動放大器的輸入端IN1。

電晶體MP1的第一端接收電源電壓VCC；電晶體MP1的第二端耦接至電晶體MP11的第一端；電晶體MP1的控制端接收預充電啟動子信號PCWb。電晶體MP11的控制端收控制電壓Vpgp；電晶體MP11的第二端耦接至差動放大器的輸入端IN1。

在本實施例中，預充子電路410與預充子電路420可分別提供不同的驅動能力來拉升輸入端IN1至電源電壓VCC以執行 預充電動作。其中，預充子電路410提供的驅動能力可以大於預充子電路420所提供的驅動能力。

在預充子電路410執行預充電動作時，電晶體MP0可以根據預充電啟動子信號PCSb而被導通。不論電源電壓VCC產生怎樣的變化，在當電源電壓VCC大於參考值時，基於控制電壓Vpgp隨著電源電壓VCC的變化而改變，電源電壓VCC與控制電壓Vpgp間的差值可以維持維恆定。因此，預充子電路410可以提供的驅動能力是固定的。

相似的，在預充子電路420執行預充電動作時，電晶體MP1可以根據預充電啟動子信號PCWb而被導通。不論電源電壓VCC產生怎樣的變化，在當電源電壓VCC大於參考值時，基於控制電壓Vpgp隨著電源電壓VCC的變化而改變，電源電壓VCC與控制電壓Vpgp間的差值可以維持維恆定。因此，預充子電路420可以提供的驅動能力同樣是固定的。

附帶一提的，本實施例中，預充子電路410、420可以同時執行預充電動作，或也可以分時執行預充電動作，沒有固定的限制。另外，當電源電壓VCC低於上述的參考值時，本發明實施例的感測放大裝置是不動作的。

以下請參照圖5，圖5繪示本發明一實施例的記憶體的示意圖。記憶體500包括一個或多個記憶胞CELL以及感測放大裝置510。感測放大裝置510包括差動放大器511、預充電路512以及資料閂鎖器513。記憶胞CELL可以為選中記憶胞，其位元線 BL透過電晶體MN2所建構的開關以耦接至資料線DL，再透過電晶體MN3所建構的開關以耦接至差動放大器511的輸入端IN1。當電晶體MN2、電晶體MN3分別根據信號Y以及Vsen被導通時，記憶胞CELL透過位元線BL以及資料線DL以提供資料信號Vsa至差動放大器511的輸入端IN1。記憶胞CELL受控於字元線信號WL。

此外，預充電路512包括電晶體MP0、MP1、MP01以及MP11。電晶體MP0、MP01構成預充子電路，電晶體MP1、MP11構成另一預充子電路。電晶體MP0、MP01分別受控於預充電啟動子信號PCSb以及控制電壓Vpgp，電晶體MP1、MP11則分別受控於預充電啟動子信號PCWb以及控制電壓Vpgp，並基於電源電壓VCC以對輸入端IN1執行預充電動作。

關於預充電路512的動作細節，與圖4實施例中的預充電路400相同，在此不多贅述。與預充電路400相同，預充電路512可獨立於電源電壓VCC的變化，以根據固定的驅動能力來針對輸入端IN1執行預充電動作。如此一來，可以維持預充電動作中，輸入端IN1上的電壓被提升的電壓值。

此外，電晶體MND的一端耦接至輸入端IN1，電晶體MND的另一端耦接收參考電壓VSS。電晶體MND根據放電控制信號DisC而導通來使輸入端IN1進行放電動作。

差動放大器511包括電晶體MP3、MP2、MN4、MPR2以及MNR3。電晶體MN4以及MNR3形成差動輸入對，而電晶體 MP2、MPR2耦接成一主動負載，電晶體MP3可以形成一電流源。

差動放大器511的另一輸入端IN2接收參考信號Vra。差動放大器511用以放大參考信號Vra以及資料信號Vsa間的差以產生輸出信號Sout。

在本實施例中，感測放大裝置510更包括資料閂鎖器513。資料閂鎖器513包括電晶體MP4、MP5、MN5、MN6以及反向器IV1、IV2。電晶體MP4、MP5、MN5以及MN6依序串接於電源電壓VCC以及參考電壓VSS間。電晶體MP4受控於信號SETN，電晶體MP5以及電晶體MN5共同受控於輸入信號Sout，電晶體MN6受控於信號SET。其中，信號SET以及SETN反向。

當電晶體MP4、MN6被導通時，資料閂鎖器513可透過電晶體MP5以及電晶體MN5，以將輸出信號Sout傳送至由反向器IV1、IV2所組成的閂鎖器，並獲得感測資料DO。

基於預充電路512可獨立於電源電壓VCC的變動，提供固定的預充電驅動能力以對差動放大器的輸入端IN1執行預充電動作。如此一來，記憶胞CELL可以提供正確的資料信號Vsa至輸入端IN1上，即便在電源電壓VCC產生變動的條件下，記憶體500亦可提供正確的感測資料DO，並有效維持感測放大裝置510的資料感測速率。

值得一提的，關於本實施例中，差動放大器511以及資料閂鎖器513的電路架構，皆僅是說明用的範例。在本發明其他實施例中，本領域具通常知識者所熟知的差動放大電路以及資料 閂鎖電路均可應用於本發明，沒有特定的限制。

此外，本發明實施例的記憶胞CELL可以為快閃記憶胞，或其他任意形式的記憶胞，沒有固定的限制。

以下請參照圖6，圖6繪示本發明另一實施例的記憶體的示意圖。記憶體600包括一個或多個記憶胞CELL、感測放大裝置610以及參考記憶胞CELLR。感測放大裝置610包括差動放大器611、預充電路6121、資料閂鎖器613以及預充電路6122。記憶胞CELL的位元線BL透過電晶體MN2所建構的開關以耦接至資料線DL，再透過電晶體MN3所建構的開關以耦接至差動放大器611的輸入端IN1。當電晶體MN2、電晶體MN3分別根據信號Y以及Vsen被導通時，記憶胞CELL透過位元線BL以及資料線DL以提供資料信號Vsa至差動放大器611的輸入端IN1。

參考記憶胞CELLR的位元線RBL則透過電晶體MNR0所建構的開關以耦接至參考資料線RDL，再透過電晶體MNR1所建構的開關以耦接至差動放大器611的輸入端IN2。當電晶體MNR0、電晶體MNR1分別根據電源電壓VCC以及信號Vsen被導通時，參考記憶胞CELLR透過位元線RBL以及參考資料線RDL以提供參考信號Vra至差動放大器611的輸入端IN2。

本實施例中，感測放大裝置610中的差動放大器611、預充電路6121以及資料閂鎖器613與圖5實施例的差動放大器511、預充電路512以及資料閂鎖器513分別具有相同的電路架構以及具有相同電路操作，在此不多贅述。與前述實施例不相同的，感 測放大裝置610另包括耦接至差動放大器611的輸入端IN2的預充電路6122。其中，預充電路6122包括電晶體MPR3、MPR4、MPR5以及MPR6。電晶體MPR3、MNR4構成預充子電路，電晶體MPR5、MPR6構成另一預充子電路。電晶體MPR3、MPR4分別受控於預充電啟動子信號PCWb以及控制電壓Vpgp，電晶體MPR5、MPR6則分別受控於預充電啟動子信號PCSb以及控制電壓Vpgp，並基於電源電壓VCC以對輸入端IN2執行預充電動作。

在針對記憶胞CELL進行資料讀取動作時，預充電路6122可先針對輸入端IN2進行預充電動作。關於預充電路6122的動作細節，與圖4實施例中的預充電路400相同，在此不多贅述。與預充電路400相同，預充電路6122可獨立於電源電壓VCC的變化，以根據固定的驅動能力來針對輸入端IN2執行預充電動作。如此一來，可以維持預充電動作中，輸入端IN2上的電壓被提升的電壓值。

由上述的說明可以得知，本實施例中的記憶體600，在執行記憶胞CELL的讀取動作時，差動放大器611的兩輸入端IN1、IN2上的電壓，在預充電動作中，可透過預充電路6121、6122以獨立於電源電壓VCC的變化，被預充至固定的電壓值。如此一來，在預充電動作後，記憶胞CELL可提供正確的資料信號Vsa至輸入端IN1，參考記憶胞CELLR也可提供正確的參考信號Vra至輸入端IN2。據此，感測放大裝置610可即時且正確的感測出記憶胞CELL的紀錄資料，獲得正確的感測資料DO。

附帶一提的，電晶體MND1、MND2分別耦接至輸入端IN1以及IN2與參考電壓VSS間，並用以根據放電控制信號DisC而導通來使輸入端IN1、IN2進行放電動作。

綜上所述，本發明的感測放大裝置中的控制電壓產生器用以提供與電源電壓的變化正相關的控制電壓，並使預充電路根據電源電壓以及控制電壓所具有的固定差值，來針對差動放大器的輸入端進行獨立與電源電壓的預充電動作。如此一來，在電源電壓發生變動的情況下，預充電路可維持預充電動作中，提升的差動放大器的輸入端上的電壓的電壓值。如此一來，選中記憶胞可以正確的提供資料信號至差動放大器的輸入端，並使感測放大裝置即時且正確的獲得到感測資料。

100:感測放大裝置

110:差動放大器

120:預充電路

130:控制電壓產生器

IN1、IN2:輸入端

PC:預充電啟動信號

Sout:輸出信號

VCC:電源電壓

Vpgp:控制電壓

Vra:參考信號

Vsa:資料信號

VSS、VREF:參考電壓

Claims (19)

1. 一種感測放大裝置，包括： 一差動放大器，具有一第一輸入端以及一第二輸入端以分別接收一資料信號以及一參考信號； 一第一預充電路，耦接至該第一輸入端，基於一電源電壓，根據一預充電啟動信號以及一控制電壓以對該第一輸入端執行預充電動作；以及 一控制電壓產生器，根據該電源電壓以產生該控制電壓，其中該控制電壓與該電源電壓正相關。
2. 如請求項1所述的感測放大裝置，其中在該電源電壓大於一參考值時，該控制電壓產生器使該控制電壓與該電源電壓成正比。
3. 如請求項1所述的感測放大裝置，其中該控制電壓產生器包括： 一第一電晶體，具有第一端接收該電源電壓，該第一電晶體的第二端產生該控制電壓，該第一電晶體的控制端接收一第一參考電壓，該第一電晶體的導通電壓值等於該參考值；以及 一恆定電流源，耦接在該第一電晶體的第二端與一參考接地端間，其中該參考接地端接收該第一參考電壓。
4. 如請求項3所述的感測放大裝置，其中該恆定電流源為一第二電晶體，其中該第二電晶體的第一端耦接至該第一電晶體的第二端，該第二電晶體的第二端耦接該參考接地端，該第二電晶體的控制端接收一第二參考電壓， 其中該第二參考電壓大於該第一參考電壓。
5. 如請求項1所述的感測放大裝置，其中該第一預充電路包括： 一第一預充子電路，耦接至該第一輸入端，根據一第一預充電啟動子信號以及該控制電壓以基於一第一驅動能力以拉升該第一輸入端至該電源電壓；以及 一第二預充子電路，耦接至該第一輸入端，根據一第二預充電啟動子信號以及該控制電壓以基於一第二驅動能力以拉升該第一輸入端至該電源電壓， 其中該第一驅動能力大於該第二驅動能力。
6. 如請求項5所述的感測放大裝置，其中該第一子預充電路包括： 一第一電晶體，具有第一端以接收該電源電壓，該第一電晶體的控制端接收該第一預充電啟動子信號；以及 一第二電晶體，具有第一端以耦接至該第一電晶體的第二端，該第二電晶體的控制端接收該控制電壓，該第二電晶體的第二端耦接至該第一輸入端， 其中該第二電晶體的第一端與控制端間的電壓差獨立於該電源電壓。
7. 如請求項6所述的感測放大裝置，其中該第二子預充電路包括： 一第三電晶體，具有第一端以接收該電源電壓，該第三電晶體的控制端接收該第二預充電啟動子信號；以及 一第四電晶體，具有第一端以耦接至該第三電晶體的第二端，該第四電晶體的控制端接收該控制電壓，該第四電晶體的第二端耦接至該第一輸入端， 其中該第四電晶體的第一端與控制端間的電壓差獨立於該電源電壓。
8. 如請求項1所述的感測放大裝置，更包括： 一第二預充電路，耦接至該第二輸入端，基於該電源電壓，根據該預充電啟動信號以及該控制電壓以對該第二輸入端執行預充電動作， 其中該第二輸入端用以耦接至一參考記憶胞，該參考記憶胞用以提供該參考信號。
9. 如請求項1所述的感測放大裝置，其中該第一輸入端用以耦接至一選中記憶胞，該選中記憶胞的位元線提供該資料信號。
10. 如請求項1所述的感測放大裝置，更包括： 一資料閂鎖器，耦接至該差動放大器的輸出端，閂鎖該差動放大器的輸出端上的輸出信號以產生一感測資料。
11. 一種記憶體，包括： 至少一記憶胞；以及 一感測放大裝置，耦接該至少一記憶胞，該感測放大裝置包括： 一差動放大器，具有一第一輸入端以及一第二輸入端，其中該第一輸入端耦接至該至少一記憶胞以接收一資料信號，該第二輸入端接收一參考信號； 一第一預充電路，耦接至該第一輸入端，基於一電源電壓，根據一預充電啟動信號以及一控制電壓以對該第一輸入端執行預充電動作；以及 一控制電壓產生器，根據該電源電壓的以產生該控制電壓，其中該控制電壓與該電源電壓正相關。
12. 如請求項11所述的記憶體，其中在該電源電壓大於一參考值時，該控制電壓產生器使該控制電壓與該電源電壓成正比。
13. 如請求項11所述的記憶體，其中該控制電壓產生器包括： 一第一電晶體，具有第一端接收該電源電壓，該第一電晶體的第二端產生該控制電壓，該第一電晶體的控制端接收一第一參考電壓，該第一電晶體的導通電壓值等於該參考值；以及 一恆定電流源，耦接在該第一電晶體的第二端與一參考接地端間，其中該參考接地端接收該第一參考電壓。
14. 如請求項13所述的記憶體，其中該恆定電流源為一第二電晶體，其中該第二電晶體的第一端耦接至該第一電晶體的第二端，該第二電晶體的第二端耦接該參考接地端，該第二電晶體的控制端接收一第二參考電壓， 其中該第二參考電壓大於該第一參考電壓。
15. 如請求項11所述的記憶體，其中該第一預充電路包括： 一第一預充子電路，耦接至該第一輸入端，根據一第一預充電啟動子信號以及該控制電壓以基於一第一驅動能力以拉升該第一輸入端至該電源電壓；以及 一第二預充子電路，耦接至該第一輸入端，根據一第二預充電啟動子信號以及該控制電壓以基於一第二驅動能力以拉升該第一輸入端至該電源電壓， 其中該第一驅動能力大於該第二驅動能力。
16. 如請求項15所述的記憶體，其中該第一子預充電路包括： 一第一電晶體，具有第一端以接收該電源電壓，該第一電晶體的控制端接收該第一預充電啟動子信號；以及 一第二電晶體，具有第一端以耦接至該第一電晶體的第二端，該第二電晶體的控制端接收該控制電壓，該第二電晶體的第二端耦接至該第一輸入端， 其中該第二電晶體的第一端與控制端間的電壓差獨立於該電源電壓。
17. 如請求項16所述的記憶體，其中該第二子預充電路包括： 一第三電晶體，具有第一端以接收該電源電壓，該第三電晶體的控制端接收該第二預充電啟動子信號；以及 一第四電晶體，具有第一端以耦接至該第三電晶體的第二端，該第四電晶體的控制端接收該控制電壓，該第四電晶體的第二端耦接至該第一輸入端， 其中該第四電晶體的第一端與控制端間的電壓差獨立於該電源電壓。
18. 如請求項11所述的記憶體，更包括： 一參考記憶胞，耦接至該第二輸入端，該參考記憶胞用以提供該參考信號， 該感測放大裝置，更包括 一第二預充電路，耦接至該第二輸入端，基於該電源電壓，根據該預充電啟動信號以及該控制電壓以對該第二輸入端執行預充電動作。
19. 如請求項11所述的記憶體，其中該感測放大裝置更包括： 資料閂鎖器，耦接至該差動放大器的輸出端，閂鎖該差動放大器的輸出端上的輸出信號以產生一感測資料。

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