TWI813063B - 測定方法，測定裝置，及標記 - Google Patents
測定方法，測定裝置，及標記 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI813063B TWI813063B TW110142183A TW110142183A TWI813063B TW I813063 B TWI813063 B TW I813063B TW 110142183 A TW110142183 A TW 110142183A TW 110142183 A TW110142183 A TW 110142183A TW I813063 B TWI813063 B TW I813063B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mark
- arrangement pattern
- moiré
- layer
- bright
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000002372 labelling Methods 0.000 title 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000013441 quality evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Package Frames And Binding Bands (AREA)
Abstract
測定方法，包含標記位置資訊的生成、及第1排列圖樣或第2排列圖樣的至少一方的判定、及第1層與第2層之偏離的演算。標記位置資訊，是於在第1層上形成了第2層之後生成，其示意形成於第1層而包含明部及暗部的第1校準標記與形成於第2層而包含明部及暗部的第2校準標記之相對的位置關係。第1排列圖樣，示意第1校準標記的明部及暗部之排列圖樣。第2排列圖樣，示意第2校準標記的明部及暗部之排列圖樣。第1排列圖樣，基於在和形成有第1校準標記的區域及形成有第2校準標記的區域相異的區域形成之基準標記的拍攝資料而被判定。偏離，基於標記位置資訊、及第1排列圖樣或第2排列圖樣的至少一方而被演算。
Description
本發明之實施形態有關測定方法，測定裝置，及標記。
[關連申請案之引用]
本申請案以依2021年9月16日申請之先行的日本國專利申請案第2021-151220號之優先權利益為基礎，且求取其利益，其內容全體藉由引用而被包含於此。
半導體元件的製造程序中，會利用下述技術，即，利用校準用的標記來測定構成半導體元件的複數個層間的偏離、或奈米壓印中的被加工構件與樣板之偏離。例如有一技術是，在下層與上層的各者，形成明部與暗部以線與間隔狀排列而成之標記，觀察藉由下層的標記與上層的標記之疊合而產生的摩爾紋，藉此測定下層與上層之偏離。
本發明之實施形態，提供一種可高精度地測定半導體元件的製造程序中的複數個層間的偏離之測定方法，測定裝置，及標記。
按照本發明的一個實施形態，提供一種測定方法。測定方法，包含標記位置資訊的生成、及第1排列圖樣或第2排列圖樣的至少一方的判定、及第1層與第2層之偏離的演算。標記位置資訊，是於在第1層上形成了第2層之後生成，其示意形成於第1層而包含明部及暗部的第1校準標記與形成於第2層而包含明部及暗部的第2校準標記之相對的位置關係。第1排列圖樣，示意第1校準標記的明部及暗部之排列圖樣。第2排列圖樣，示意第2校準標記的明部及暗部之排列圖樣。第1排列圖樣，基於在和形成有第1校準標記的區域及形成有第2校準標記的區域相異的區域形成之基準標記的拍攝資料而被判定。偏離，是基於標記位置資訊及第1排列圖樣或第2排列圖樣的至少一方而被演算。
按照上述的構成，能夠提供一種可高精度地測定半導體元件的製造程序中的複數個層間的偏離之測定方法，測定裝置，及標記。
以下，參照圖面說明本發明之實施形態。另，本發明並非藉由實施形態而受限定。此外，實施形態中的構成要素中，包含所屬技術領域者能夠容易設想之物或實質上同等之物。
(第1實施形態)
本實施形態中，說明一種於半導體元件的製造程序中測定構成半導體元件的複數個層間的偏離之技術。
圖1為第1實施形態之半導體元件1的構成的一例模型化示意截面圖。圖中，X軸對應於紙面的左右方向，Y軸對應於和紙面正交的方向，Z軸對應於和X軸及Y軸正交的方向(層積方向)。
圖1示例之半導體元件1，包含基板11、第1層12、及第2層13。在基板11上形成有第1層12，在第1層12上形成有第2層13。基板11、第1層12、及第2層13的具體的構成，應根據半導體元件1的種類而適宜決定，但例如基板11可為矽基板等，第1層12可為供形成具有規定的電路圖樣的配線層之氧化矽膜等，第2層13可為阻劑等。在此情形下，最終是藉由第2層13被剝離而成為半導體元件1。此外，在第2層13上亦可形成1層以上的層。本實施形態中，說明測定第1層12與第2層13之偏離的情形。
圖2為第1實施形態之第1層12及第2層13的構成的一例示意俯視圖。如圖2所示，在第1層12及第2層13的各者的上面，設有複數個擊發(shot)區域20。各擊發區域20，包含元件區域21及鋸口(kerf)區域22。元件區域21，為用來形成規定的電路圖樣、阻劑圖樣等之區域。鋸口區域22，為設於元件區域21的周緣部之框狀的區域。一旦對於元件區域21的處理結束，則在鋸口區域22進行切割，形成各自具有電路圖樣等之複數個晶片。在鋸口區域22，形成用來測定第1層12與第2層13之偏離的標記(後述的第1標記及第2標記)。
圖3為第1實施形態之第1標記M1的構成的一例示意俯視圖。圖4為第1實施形態之第2標記M2的構成的一例示意俯視圖。第1標記M1，形成於第1層12的鋸口區域22。第2標記M2，形成於第2層13的鋸口區域22。
如圖3所示，第1標記M1，包含第1摩爾紋標記Mm1(第1校準標記的一例)及第1基準標記Ms1。第1摩爾紋標記Mm1，為藉由與後述的第2摩爾紋標記Mm2(圖4)之疊合而使摩爾紋產生之標記，包含複數個明部B1及複數個暗部D1。明部B1，為光的反射強度比暗部D1還高的部分。明部B1及暗部D1具體上如何形成應根據半導體元件1的構成而適宜選擇，例如能夠將明部B1以配置有鎢等的金屬的區域來構成，將暗部D1以未配置有金屬(氧化矽膜等露出)的區域來構成。
本實施形態之各明部B1及各暗部D1，具有沿著Y軸(第1方向的一例)延伸之線狀的形狀。複數個明部B1及複數個暗部D1，於具有規定的面積的第1區域Ra1內沿著X軸(第2方向的一例)交互排列。另，第1區域Ra1訂為圖3中被虛線圍繞的區域。
第1基準標記Ms1，為用來判定第1摩爾紋標記Mm1中的明部B1與暗部D1之排列圖樣的標記。此處所謂排列圖樣，為示意在第1區域Ra1內的明部B1與暗部D1之位置關係者。作為排列圖樣，可為事先藉由設計資料等而決定的通常圖樣、或明部B1與暗部D1之位置關係相對於通常圖樣反轉而成之反轉圖樣。圖3所示第1摩爾紋標記Mm1，訂為通常圖樣(有關反轉圖樣後述之)。
第1基準標記Ms1，具有和第1摩爾紋標記Mm1中的明部B1或暗部D1的其中一方相對應之光學特性。此處所謂光學特性，例如可為對於具有規定的波長(例如從可見光區域至近紅外線區域的波長)的檢查光之反射率等。本實施形態之第1基準標記Ms1，具有和明部B1相對應之光學特性(例如和明部B1的反射率之誤差為閾值以下的反射率)，例如可藉由和明部B1同一材料所構成。在第1基準標記Ms1的周圍(本實施形態中為沿X軸方向鄰接的區域)，設有具有和第1基準標記Ms1相異的光學特性之第1留白區域Rbk1。本實施形態之第1留白區域Rbk1，具有和暗部D1相對應之光學特性。另，第1留白區域Rbk1，如圖3所示，可設有複數個(本實施形態中為2個)，亦可僅在和第1基準標記Ms1鄰接的其中一方的區域設有1個。
圖3中，P1示意第1摩爾紋標記Mm1中的明部B1與暗部D1之排列間距，Wb1示意明部B1的X軸方向的寬度，Wd1示意暗部D1的X軸方向的寬度，CL1示意第1區域Ra1的在X軸方向的中心位置。此外，C1示意第1摩爾紋標記Mm1(第1區域Ra1)與第1基準標記Ms1之間的相距距離，Ws1示意第1基準標記Ms1的X軸方向的寬度，Wbk1示意第1留白區域Rbk1的X軸方向的寬度。
第1摩爾紋標記Mm1的排列間距P1，和後述的第2摩爾紋標記Mm2的排列間距P2(圖4)相異，本實施形態中成立P1＜P2之關係。相距距離C1，較佳為20μm以下。如此一來，容易將第1摩爾紋標記Mm1及第1基準標記Ms1納入1個拍攝區域內，能夠使圖像處理的效率提升。第1基準標記Ms1的寬度Ws1，比明部B1的寬度Wb1及暗部D1的寬度Wd1還大，較佳為1.5μm以上。如此一來，當運用可見光線或近紅外線作為檢查光的情形下，能夠正確地測定第1基準標記Ms1的光學特性(例如藉由將檢查光照射至第1基準標記Ms1而產生的反射光的光強度等)。此外，依同樣的觀點，第1留白區域Rbk1的寬度Wbk1，比明部B1的寬度Wb1及暗部D1的寬度Wd1還大，較佳為1.5μm以上。
藉由上述這樣的構成，能夠從第1基準標記Ms1的拍攝資料測定第1基準標記Ms1的光學特性，於第1區域Ra1內將具有和第1基準標記Ms1同等的光學特性的區域判定為第1摩爾紋標記Mm1的明部B1。亦即，能夠基於第1基準標記Ms1的拍攝資料，判定第1摩爾紋標記Mm1中的明部B1與暗部D1之排列圖樣。
如圖4所示，第2標記M2，包含第2摩爾紋標記Mm2(第2校準標記的一例)及第2基準標記Ms2。第2摩爾紋標記Mm2，為藉由與第1摩爾紋標記Mm1(圖3)之疊合而使摩爾紋產生之標記，包含複數個明部B2及複數個暗部D2。明部B2，為光的反射強度比暗部D2還高的部分。明部B2及暗部D2具體上如何形成應根據半導體元件1的構成而適宜選擇，例如能夠將明部B2以構成第2層13的材料(例如阻劑)上形成的狹縫(開口部)來構成，將暗部D1以未形成有狹縫(例如殘留阻劑等)的區域來構成。
本實施形態之各明部B2及各暗部D2，如同第1基準標記Ms1的明部B1及暗部D1般，具有沿著Y軸延伸之線狀的形狀。複數個明部B2及複數個暗部D2，於具有規定的面積的第2區域Ra2內沿著X軸交互排列。另，第2區域Ra2訂為圖4中被虛線圍繞的區域。
第2基準標記Ms2，為用來判定第2摩爾紋標記Mm2中的明部B2與暗部D2之排列圖樣的標記。此處所謂排列圖樣，為示意在第2區域Ra2內的明部B2與暗部D2之位置關係者，包含事先訂定好的通常圖樣、及明部B2與暗部D2之位置關係相對於通常圖樣反轉而成之反轉圖樣。圖4所示第2摩爾紋標記Mm2，訂為和通常圖樣相對應之物。
第2基準標記Ms2，具有和第2摩爾紋標記Mm2中的明部B2或暗部D2的其中一方相對應之光學特性。本實施形態之第2基準標記Ms2，具有和明部B2相對應之光學特性。在第2基準標記Ms2的周圍，設有具有和第2基準標記Ms2相異的光學特性之第2留白區域Rbk2。本實施形態之第2留白區域Rbk2，具有和暗部D2相對應之光學特性。
圖4中，P2示意第2摩爾紋標記Mm2中的明部B2與暗部D2之排列間距，Wb2示意明部B2的X軸方向的寬度，Wd2示意暗部D2的X軸方向的寬度，CL2示意第2區域Ra2的在X軸方向的中心位置。此外，C2示意第2摩爾紋標記Mm2(第2區域Ra2)與第2基準標記Ms2之間的相距距離，Ws2示意第2基準標記Ms2的X軸方向的寬度，Wbk2示意第2留白區域Rbk2的X軸方向的寬度。
第2摩爾紋標記Mm2的排列間距P2，和第1摩爾紋標記Mm1的排列間距P1(圖3)相異，本實施形態中成立P1＜P2之關係。相距距離C2，如同第1標記M1中的相距距離C1般，較佳為20μm以下。第2基準標記Ms2的寬度Ws2及第2留白區域Rbk2的寬度Wbk2，比明部B2的寬度Wb2及暗部D2的寬度Wd2還大，較佳為1.5μm以上。
藉由上述這樣的構成，能夠從第2基準標記Ms2的拍攝資料測定第2基準標記Ms2的光學特性，於第2區域Ra2內將具有和第2基準標記Ms2同等的光學特性的區域判定為第2摩爾紋標記Mm2的明部B2。亦即，能夠基於第2基準標記Ms2的拍攝資料，判定第2摩爾紋標記Mm2中的明部B2與暗部D2之排列圖樣。
圖5為第1實施形態之第1摩爾紋標記Mm1及第2摩爾紋標記Mm2位於常規位置的情形下的摩爾紋的一例示意圖。在形成有第1摩爾紋標記Mm1的第1層12上形成了形成有第2摩爾紋標記Mm2的第2層13之後，若從上面側觀察第1摩爾紋標記Mm1與第2摩爾紋標記Mm2重疊的區域，則會觀察到和明部B1，B2與暗部D1，D2之位置關係相應之摩爾紋。圖5中，示意當第1摩爾紋標記Mm1及第2摩爾紋標記Mm2位於事先訂定好的常規位置的狀態。此處的常規位置，為第1摩爾紋標記Mm1的中心線CL1及第2摩爾紋標記Mm2的中心線CL2一致或它們的偏離量位於閾值以內的狀態。另，常規位置不限定於此。
圖5中「明」及「暗」示意摩爾紋的明部及暗部。如圖5所示，兩摩爾紋標記Mm1，Mm2的明部B1，B2密集之部分成為摩爾紋的明部，兩摩爾紋標記Mm1，Mm2的暗部D1，D2密集之部分成為摩爾紋的暗部。基於這樣的摩爾紋的明部及暗部的位置便能測定第1層12與第2層13之偏離。
圖6為第1實施形態之第1摩爾紋標記Mm1及第2摩爾紋標記Mm2非位於常規位置的情形下的摩爾紋的一例示意圖。圖6中，示例第2摩爾紋標記Mm2的中心線CL2相對於常規位置(中心線CL1的位置)朝圖中右方向偏離了距離ΔD的狀態。像這樣若兩摩爾紋標記Mm1，Mm2的相對的位置關係發生偏離，則由圖5及圖6的「明」及「暗」的位置之比較可知，摩爾紋的明部及暗部的位置會變化。基於這樣的摩爾紋的變化便能測定第1層12與第2層13之偏離。
另，上述中，示意當第1摩爾紋標記Mm1及第2摩爾紋標記Mm2位於常規位置的情形下摩爾紋的暗部位於中央的例子(圖5)，但摩爾紋的排列不限定於此。例如，當第1摩爾紋標記Mm1及第2摩爾紋標記Mm2位於常規位置的情形下摩爾紋的明部位於中央亦可。此外，上述中，示意第1摩爾紋標記Mm1及第2摩爾紋標記Mm2以一定的間距的線與間隔狀形成的例子，但只要是反覆圖樣則不限定為一定的間距。此外，第1摩爾紋標記Mm1及第2摩爾紋標記Mm2的圖樣，不限定於線與間隔狀，例如亦可為西洋棋盤格狀等。
此處，說明明部B1，B2與暗部D1，D2之排列圖樣的反轉。第1摩爾紋標記Mm1中的明部B1與暗部D1之排列圖樣，或第2摩爾紋標記Mm2的明部B2與暗部D2之排列圖樣，於對各層12，13之加工時(例如藉由光微影形成圖樣時等)有反轉的可能性。
圖7為第1實施形態之通常圖樣即第1摩爾紋標記Mm1與反轉圖樣即第1摩爾紋標記Mm1’之比較示意圖。如圖7所示，對應於反轉圖樣的第1摩爾紋標記Mm1’的第1區域Ra1內的明部B1與暗部D1之位置關係，相對於對應於通常圖樣的第1摩爾紋標記Mm1的第1區域Ra1內的明部B1與暗部D1之位置關係為反轉。本實施形態之第1摩爾紋標記，具有通常圖樣(Mm1)或反轉圖樣(Mm1’)。
圖8為第1實施形態之反轉圖樣即第1摩爾紋標記Mm1’及第2摩爾紋標記Mm2非位於常規位置的情形下的摩爾紋的一例示意圖。此處，說明第1摩爾紋標記Mm1’具有反轉圖樣之情形。圖8如同圖6所示狀況般，示例第2摩爾紋標記Mm2從常規位置朝圖中右側偏離了距離ΔD，且發生第1摩爾紋標記Mm1’的明部B1與暗部D1之排列圖樣相對於圖6所示第1摩爾紋標記Mm1的排列圖樣(通常圖樣)反轉之情形下的摩爾紋。由圖6及圖8的比較可知，即使偏離量(距離ΔD)同一，若明部B1與暗部D1之排列圖樣反轉，則摩爾紋的明部及暗部的位置會變化。這樣的現象，當第2摩爾紋標記Mm2中的明部B2與暗部D2之排列圖樣有反轉的情形下亦同樣可能發生。
本實施形態之測定方法，包含用來除去上述這樣的第1摩爾紋標記Mm1或第2摩爾紋標記Mm2的明部B1，B2與暗部D1，D2之反轉所造成的影響之處理。
圖9為第1實施形態之測定方法中的處理的一例示意流程圖。本實施形態之測定方法，係用來測定構成半導體元件1的一部分的第1層12與第2層13之偏離的方法，包含檢測第1標記M1及第2標記M2的位置之標記位置檢測工程(S101)。標記位置檢測工程，例如可於第2層13的形成後或形成中，基於從俯視拍攝第2層13而得到的拍攝資料來進行。當於第2層13的形成後執行標記位置檢測工程的情形下，在第2層13當中和第1標記M1的位置相對應的部分形成開口部，以便能夠拍攝形成於第1層12的第1標記M1。
其後，針對第1摩爾紋標記Mm1或第2摩爾紋標記Mm2的至少一方執行判定排列圖樣之明暗判定工程(S102)。此時，第1摩爾紋標記Mm1的排列圖樣(為通常圖樣或反轉圖樣)是基於第1基準標記Ms1的拍攝資料而被判定，第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣是基於第2基準標記Ms2的拍攝資料而被判定。第1摩爾紋標記Mm1的排列圖樣，例如可基於第1基準標記Ms1的光學特性(反射光的光強度等)，辨明第1區域Ra1內的哪個部分隸屬明部B1，藉此判定。針對第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣亦同樣地，例如可基於第2基準標記Ms2的光學特性，辨明第2區域Ra2內的哪個部分隸屬明部B2，藉此判定。
其後，執行測定由於第1摩爾紋標記Mm1與第2摩爾紋標記Mm2之疊合而產生的摩爾紋之摩爾紋測定工程(S103)(標記測定工程的一例)。摩爾紋測定工程，例如可於第2層13的形成後基於從俯視拍攝第2層13而得到的拍攝資料來進行。此時，基於明暗判定工程所做的判定結果(排列圖樣資訊)，來修正摩爾紋的測定結果，以便除去第1摩爾紋標記Mm1或/及第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣之反轉所造成的影響。
其後，基於摩爾紋測定工程的測定結果(摩爾紋資訊)，執行演算第1層12(第1摩爾紋標記Mm1)與第2層13(第2摩爾紋標記Mm2)之偏離量(距離ΔD)之偏離量演算工程(S104)。摩爾紋資訊，為示意第1摩爾紋標記Mm1與第2摩爾紋標記Mm2之相對的位置關係之標記位置資訊的一例。此時，如上述般會基於摩爾紋測定工程中第1摩爾紋標記Mm1或/及第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣而修正摩爾紋資訊，因此此處演算的偏離量，排列圖樣的反轉的影響會被除去。
圖10為第1實施形態之摩爾紋測定處理的一例示意流程圖。一旦上述摩爾紋測定工程(S103)開始，則取得藉由明暗判定工程(S102)而生成的排列圖樣資訊(S201)，生成有關由於第1摩爾紋標記Mm1與第2摩爾紋標記Mm2之疊合而產生的摩爾紋之摩爾紋資訊(S202)。此處的排列圖樣資訊中，包含示意第1摩爾紋標記Mm1的排列圖樣(第1排列圖樣)之資訊、及示意第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣(第2排列圖樣)之資訊。摩爾紋資訊中，包含示意由於第1摩爾紋標記Mm1與第2摩爾紋標記Mm2之疊合而產生的摩爾紋的明部及暗部的位置之資訊(例如相對於事先訂定好的位置之摩爾紋的偏離量等)。
其後，判定第1排列圖樣是否為反轉圖樣(S203)。當第1排列圖樣為反轉圖樣的情形下(S203：Yes)，進一步判定第2排列圖樣是否為反轉圖樣(S204)。當第2排列圖樣為反轉圖樣的情形下(S204：Yes)，修正摩爾紋資訊以便除去當第1排列圖樣及第2排列圖樣雙方為反轉圖樣的情形下之影響(S205)。步驟S204中，當第2排列圖樣非反轉圖樣的情形下(S204：No)，修正摩爾紋資訊以便除去當僅第1排列圖樣為反轉圖樣的情形下之影響(S206)。
步驟S203中，當第1排列圖樣非反轉圖樣的情形下(S203：No)，判定第2排列圖樣是否為反轉圖樣(S207)。步驟S207中，當第2排列圖樣為反轉圖樣的情形下(S207：Yes)，修正摩爾紋資訊以便除去當僅第2排列圖樣為反轉圖樣的情形下之影響(S208)。步驟S207中，當第2排列圖樣非反轉圖樣的情形下(S207：No)，認定第1排列圖樣及第2排列圖樣皆為通常圖樣，而不修正摩爾紋資訊(S209)。
按照上述這樣的測定方法，即使第1摩爾紋標記Mm1或第2摩爾紋標記Mm2的至少一方反轉的情形下，仍可正確地測定第1層12與第2層13之偏離。
圖11為第1實施形態之測定裝置101的構成的一例示意方塊圖。本實施形態之測定裝置101，係藉由執行上述這樣的測定方法，而測定構成半導體元件的複數個層間的偏離，生成示意該測定結果的偏離資訊之裝置。
測定裝置101，具備拍攝裝置111及資訊處理裝置112。拍攝裝置111，例如可利用從俯視拍攝包含作為測定對象的第1層12及第2層13的半導體元件1之數位相機、對第1基準標記Ms1或第2基準標記Ms2照射具有規定的波長的檢查光之照明機構等而構成。資訊處理裝置112，例如為具備CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)、ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)、輔助記憶裝置、使用者介面、通訊介面等而構成之電腦，遵照ROM或輔助記憶裝置中記憶的程式而執行用來實現上述測定方法之各種演算處理。
資訊處理裝置112，具有摩爾紋測定部121(標記測定部的一例)、明暗判定部122、及演算部123。摩爾紋測定部121，基於藉由拍攝裝置111而取得的第1摩爾紋標記Mm1與第2摩爾紋標記Mm2重疊的區域的拍攝資料而生成摩爾紋資訊。明暗判定部122，基於藉由拍攝裝置111而取得的第1基準標記Ms1的拍攝資料而判定第1摩爾紋標記Mm1的排列圖樣，基於藉由拍攝裝置111而取得的第2基準標記Ms2的拍攝資料而判定第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣。演算部123，基於摩爾紋測定部121所做的測定結果(摩爾紋資訊)與明暗判定部122所做的判定結果(排列圖樣資訊)，演算第1層12與第2層13之偏離量。此時，演算部123以除去第1摩爾紋標記Mm1的排列圖樣或/及第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣之反轉所造成的影響之方式演算偏離量。像這樣演算出的包含偏離量之偏離資訊，可使用於各式各樣的用途。偏離資訊，例如可利用於評估製造出的半導體元件1的品質之品質評估裝置、於半導體元件1的製造程序中調整基板11的位置之校準裝置等中。
以下參照圖面說明其他的實施形態，但針對和第1實施形態同一或同樣之處標註同一符號而可能省略其說明。
(第2實施形態)
圖12為第2實施形態之測定方法中的處理的一例示意流程圖。第1實施形態之測定方法(圖9)中，明暗測定工程是於摩爾紋測定工程的執行前執行，但本實施形態之測定方法中，明暗測定工程是於摩爾紋測定工程的執行後執行。
本實施形態之測定方法，亦如同第1實施形態之測定方法般，首先執行檢測第1標記M1及第2標記M2的位置之標記位置檢測工程(S301)。其後，執行測定由於第1摩爾紋標記Mm1與第2摩爾紋標記Mm2之疊合而產生的摩爾紋之摩爾紋測定工程(S302)。
其後，針對第1摩爾紋標記Mm1或第2摩爾紋標記Mm2的至少一方執行判定排列圖樣之明暗判定工程(S303)。此時，如同第1實施形態般，第1摩爾紋標記Mm1的排列圖樣是基於第1基準標記Ms1的拍攝資料而被判定，第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣是基於第2基準標記Ms2的拍攝資料而被判定。
其後，基於摩爾紋測定工程的測定結果(摩爾紋資訊)及明暗判定工程的判定結果(排列圖樣資訊)，執行演算第1層12(第1摩爾紋標記Mm1)與第2層13(第2摩爾紋標記Mm2)之偏離量(距離ΔD)之偏離量演算工程(S304)。此時，基於排列圖樣資訊來演算偏離量，以便除去第1摩爾紋標記Mm1或/及第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣之反轉的影響。
圖13為第2實施形態之摩爾紋測定處理的一例示意流程圖。一旦上述偏離量演算工程(S304)開始，則取得藉由明暗判定工程(S303)而生成的排列圖樣資訊(S401)。然後，基於藉由摩爾紋測定工程(S302)而生成的摩爾紋資訊而演算偏離量(S402)。
其後，判定第1排列圖樣是否為反轉圖樣(S403)。當第1排列圖樣為反轉圖樣的情形下(S403：Yes)，進一步判定第2排列圖樣是否為反轉圖樣(S404)。當第2排列圖樣為反轉圖樣的情形下(S404：Yes)，修正偏離量以便除去當第1排列圖樣及第2排列圖樣雙方為反轉圖樣的情形下之影響(S405)。步驟S404中，當第2排列圖樣非反轉圖樣的情形下(S404：No)，修正偏離量以便除去當僅第1排列圖樣為反轉圖樣的情形下之影響(S406)。
步驟S403中，當第1排列圖樣非反轉圖樣的情形下(S403：No)，判定第2排列圖樣是否為反轉圖樣(S407)。步驟S407中，當第2排列圖樣為反轉圖樣的情形下(S407：Yes)，修正偏離量以便除去當僅第2排列圖樣為反轉圖樣的情形下之影響(S408)。步驟S407中，當第2排列圖樣非反轉圖樣的情形下(S407：No)，認定第1排列圖樣及第2排列圖樣皆為通常圖樣，而不修正摩爾紋資訊(S409)。
如上述般，即使於摩爾紋測定工程的執行後執行明暗判定工程，仍能除去第1摩爾紋標記Mm1或/及第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣之反轉所造成的影響，而高精度地測定第1層12與第2層13之偏離。
(第3實施形態)
圖14為第3實施形態之半導體元件1的製造程序的一例模型化示意圖。本實施形態之半導體元件1，是利用壓印法而製造。本實施形態之半導體元件1的製造程序中，包含令樣板52的擊發區域55接觸形成於基板11上的被加工構件51的上面，藉此在被加工構件51的上面形成規定的圖樣之工程。樣板52由透光性的材料所構成。
本實施形態中，說明一種測定被加工構件51與樣板52之間的偏離的技術。在被加工構件51與樣板52之各者，形成有用來測定兩者的偏離之標記(後述的第1標記及第2標記)。
圖15為第3實施形態之第1標記M1的構成的一例示意俯視圖。圖16為第3實施形態之第2標記M2的構成的一例示意俯視圖。第1標記M1形成於被加工構件51的上面，例如形成於樣板52的擊發區域55接觸的區域以外的區域。第2標記M2形成於樣板52的下面，例如形成於擊發區域55以外的區域。
如圖15所示，本實施形態之第1標記M1，包含具有和第1實施形態同樣的機能之第1摩爾紋標記Mm1及第1基準標記Ms1。第1摩爾紋標記Mm1，為藉由與後述的第2摩爾紋標記Mm2(圖16)之疊合而使摩爾紋產生之標記，包含複數個明部B1及複數個暗部D1。明部B1及暗部D1具體上如何形成應根據半導體元件1的構成而適宜選擇，例如能夠將明部B1以配置有鎢等的金屬的區域來構成，將暗部D1以未配置有金屬(氧化矽膜等露出)的區域來構成。本實施形態之第1基準標記Ms1，具有和第1摩爾紋標記Mm1的明部B1相對應之光學特性，藉由和明部B1同一材料所構成。第1基準標記Ms1，亦可被利用於預備地調整被加工構件51與樣板52之位置之粗校準。
如圖16所示，本實施形態之第2標記M2，包含具有和第2實施形態同樣的機能之第2摩爾紋標記Mm2及第2基準標記Ms2。第2摩爾紋標記Mm2，為藉由與第1摩爾紋標記Mm1(圖15)之疊合而使摩爾紋產生之標記，包含複數個明部B2及複數個暗部D2。明部B2及暗部D2具體上如何形成應根據樣板52的構成而適宜選擇，例如能夠將明部B2以配置有鎢等的金屬的區域來構成，將暗部D1以未配置有金屬(由石英等所成)的區域來構成。本實施形態之第2基準標記Ms2，具有和第2摩爾紋標記Mm2的明部B2相對應之光學特性，藉由和明部B2同一材料所構成。第2基準標記Ms2，亦可被利用於預備地調整被加工構件51與樣板52之位置之粗校準。
如上述般，藉由在被加工構件51形成第1標記M1，在樣板52形成第2標記M2，而如同第1實施形態般執行測定方法，便能除去第1摩爾紋標記Mm1或/及第2摩爾紋標記Mm2的排列圖樣之反轉所造成的影響，而高精度地測定被加工構件51與樣板52之偏離。
(第4實施形態)
圖17為第4實施形態之測定方法中運用的第1標記M1及第2標記M2的構成的一例示意圖。本實施形態如同第1實施形態般，係有關一種測定半導體元件1的第1層12與第2層13之偏離的技術，但和第1實施形態不同之處在於不利用摩爾紋。
本實施形態之形成於第1層12(例如鋸口區域22)的第1標記M1，如圖17的左上部分所示，包含第1校準標記Mi1、及第1基準標記Ms1。第1校準標記Mi1，係沿著Y方向延伸之複數個明部B1及複數個暗部D1以規定的間距沿著X軸方向交互排列而構成。第1基準標記Ms1，具有和明部B1相對應之光學特性。藉由這樣的構成，如同第1實施形態般，能夠基於第1基準標記Ms1的拍攝資料而判定第1校準標記Mi1中的明部B1與暗部D1之排列圖樣。
本實施形態之形成於第2層13(例如鋸口區域22)的第2標記M2，如圖17的右上部分所示，包含第2校準標記Mi2、及第2基準標記Ms2。第2校準標記Mi2，係沿著Y軸延伸之明部B2及暗部D2以和第1校準標記Mi1的間距相同的間距沿著X軸方向交互排列而構成。第2基準標記Ms2，具有和明部B2相對應之光學特性。藉由這樣的構成，如同第1實施形態般，能夠基於第2基準標記Ms2的拍攝資料而判定第2校準標記Mi2中的明部B2與暗部D2之排列圖樣。此外，在第2標記M2設有第1開口部71、及第2開口部72。第1開口部71，形成於當在第1層12上形成了第2層13時會和第1校準標記Mi1的形成位置相對應之區域。第2開口部72，形成於當在第1層12上形成了第2層13時會和第1基準標記Ms1的形成位置相對應之區域。藉由這樣的構成，在第1層12上形成了第2層13後，能夠從第2層13的上面觀測第1校準標記Mi1及第1基準標記Ms1。
在圖17的下部，示例第1層12及第2層13沒有偏離地被層積的狀態。此時，第1校準標記Mi1的明部B1及暗部D1、與第2校準標記Mi2的明部B2及暗部D2會沿著Y軸直線狀地排列。第2層13形成後，基於拍攝資料等來分析第1校準標記Mi1與第2校準標記Mi2之位置關係是否成為這樣的狀態，藉此便能測定第1層12與第2層13之偏離。然後，如同第1實施形態般，能夠基於第1基準標記Ms1的拍攝資料而判定第1校準標記Mi1的排列圖樣，基於第2基準標記Ms2的拍攝資料而判定第2校準標記Mi2的排列圖樣。如此一來，即使不利用摩爾紋的情形下，仍能除去明部與暗部之排列圖樣之反轉所造成的影響，而高精度地測定複數個層間的偏離。
另，第4實施形態的構成，亦能適用於如第3實施形態般被加工構件51與樣板52之偏離的測定。
令電腦執行藉由上述的實施形態說明的各種處理或機能之程式，是以可安裝的形式或可執行的形式的檔案被記錄於CD-ROM、軟碟(FD)、CD-R、DVD(Digital Versatile Disk)等的電腦可讀取的記錄媒體而被提供。此外，亦可將該程式構成為存放於連接至網際網路等的網路之電腦上，經由網路使其下載來提供。此外，亦可將程式構成為經由網際網路等的網路來提供或發佈。此外，亦可將程式構成為事先編入ROM等來提供。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明之範圍。該些新穎的實施形態，可以其他各式各樣的形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，可進行種種省略、置換、或變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明之範圍或要旨中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
1:半導體元件
11:基板
12:第1層
13:第2層
20:擊發區域
21:元件區域
22:鋸口區域
51:被加工構件
52:樣板
55:擊發區域
71:第1開口部
72:第2開口部
101:測定裝置
111:拍攝裝置
112:資訊處理裝置
121:摩爾紋測定部(標記測定部)
122:明暗判定部
123:演算部
B1, B2:明部
D1, D2:暗部
M1:第1標記
M2:第2標記
Mi1:第1校準標記
Mi2:第2校準標記
Mm1:第1摩爾紋標記
Mm2:第2摩爾紋標記
Mm1’:第1摩爾紋標記(反轉圖樣)
Mm2’:第2摩爾紋標記(反轉圖樣)
Ms1:第1基準標記
Ms2:第2基準標記
P1:(第1摩爾紋標記Mm1的)排列間距
P2:(第2摩爾紋標記Mm2的)排列間距
Ra1:第1區域
Ra2:第2區域
Rbk1:第1留白區域
Rbk2:第2留白區域
[圖1]第1實施形態之半導體元件的構成的一例模型化示意截面圖。
[圖2]第1實施形態之第1層及第2層的構成的一例示意俯視圖。
[圖3]第1實施形態之第1標記的構成的一例示意俯視圖。
[圖4]第1實施形態之第2標記的構成的一例示意俯視圖。
[圖5]第1實施形態之第1摩爾紋標記及第2摩爾紋標記位於常規位置的情形下的摩爾紋的一例示意圖。
[圖6]第1實施形態之第1摩爾紋標記及第2摩爾紋標記非位於常規位置的情形下的摩爾紋的一例示意圖。
[圖7]第1實施形態之通常圖樣即第1摩爾紋標記與反轉圖樣即第1摩爾紋標記之比較示意圖。
[圖8]第1實施形態之反轉圖樣即第1摩爾紋標記及第2摩爾紋標記非位於常規位置的情形下的摩爾紋的一例示意圖。
[圖9]第1實施形態之測定方法中的處理的一例示意流程圖。
[圖10]第1實施形態之摩爾紋測定處理的一例示意流程圖。
[圖11]第1實施形態之測定裝置的構成的一例示意方塊圖。
[圖12]第2實施形態之測定方法中的處理的一例示意流程圖。
[圖13]第2實施形態之摩爾紋測定處理的一例示意流程圖。
[圖14]第3實施形態之半導體元件的製造程序的一例模型化示意圖。
[圖15]第3實施形態之第1標記的構成的一例示意俯視圖。
[圖16]第3實施形態之第2標記的構成的一例示意俯視圖。
[圖17]第4實施形態之測定方法中運用的第1標記及第2標記的構成的一例示意圖。
12:第1層
22:鋸口區域
B1:明部
D1:暗部
M1:第1標記
Ms1:第1基準標記
P1:(第1摩爾紋標記Mm1的)排列間距
Ra1:第1區域
Rbk1:第1留白區域
Claims (18)
- 一種測定方法，係在第1層上形成了第2層後，生成標記位置資訊，該標記位置資訊示意形成於前述第1層而包含明部及暗部的第1校準標記與形成於前述第2層而包含明部及暗部的第2校準標記之相對的位置關係，基於形成於和形成有前述第1校準標記的區域及形成有前述第2校準標記的區域相異的區域之基準標記的拍攝資料，而判定示意前述第1校準標記的明部及暗部之排列圖樣的第1排列圖樣或示意前述第2校準標記的明部及暗部之排列圖樣的第2排列圖樣的至少一方，基於前述標記位置資訊及前述第1排列圖樣或前述第2排列圖樣的至少一方，演算前述第1層與前述第2層之偏離。
- 如請求項1記載之測定方法，其中，前述基準標記，包含前述第1層中形成於和前述第1校準標記相距規定距離的位置之第1基準標記。
- 如請求項2記載之測定方法，其中，前述規定距離為20μm以下。
- 如請求項2或3記載之測定方法，其中，前述第1校準標記，係沿著第1方向延伸之複數個明部及複數個暗部沿著相對於前述第1方向交叉的第2方向交互排列而構成，前述第1基準標記的前述第2方向的寬度，比前述第1 校準標記的明部的前述第2方向的寬度及前述第1校準標記的暗部的前述第2方向的寬度還大。
- 如請求項4記載之測定方法，其中，前述第1基準標記的前述第2方向的寬度為1.5μm以上。
- 如請求項5記載之測定方法，其中，在前述第1基準標記的周圍設有具有和前述第1基準標記相異的光學特性之留白區域，前述留白區域的前述第2方向的寬度為1.5μm以上。
- 如請求項2或3記載之測定方法，其中，前述第1基準標記，具有和前述第1校準標記的明部或暗部的其中一方相對應之光學特性。
- 如請求項1至3中任一項記載之測定方法，其中，前述第1排列圖樣或前述第2排列圖樣的至少一方的判定，是於前述標記位置資訊的生成前執行。
- 如請求項1至3中任一項記載之測定方法，其中，前述第1排列圖樣或前述第2排列圖樣的至少一方的判定，是於前述標記位置資訊的生成後執行。
- 如請求項1至3中任一項記載之測定方法，其中，前述標記位置資訊，是基於藉由對前述第1校準標記與前述第2校準標記於層積方向重疊的區域照射光而產生 的摩爾紋而生成。
- 一種測定方法，係當令被加工構件與藉由接觸前述被加工構件而將規定的圖樣轉印至前述被加工構件之樣板接觸時，生成標記位置資訊，該標記位置資訊示意形成於前述被加工構件而包含明部及暗部的第1校準標記與形成於前述樣板而包含明部及暗部的第2校準標記之相對的位置關係，基於形成於和形成有前述第1校準標記的區域及形成有前述第2校準標記的區域相異的區域之基準標記的拍攝資料，而判定示意前述第1校準標記的明部及暗部之排列圖樣的第1排列圖樣或示意前述第2校準標記的明部及暗部之排列圖樣的第2排列圖樣的至少一方，基於前述標記位置資訊及前述第1排列圖樣或前述第2排列圖樣的至少一方，演算前述被加工構件與前述樣板之偏離。
- 一種測定裝置，具備：標記測定部，在第1層上形成了第2層後，生成標記位置資訊，該標記位置資訊示意形成於前述第1層而包含明部及暗部的第1校準標記與形成於前述第2層而包含明部及暗部的第2校準標記之相對的位置關係；明暗判定部，基於形成於和形成有前述第1校準標記的區域及形成有前述第2校準標記的區域相異的區域之基準標記的拍攝資料，而判定示意前述第1校準標記的明部及暗部之排列圖樣的第1排列圖樣或示意前述第2校準標記 的明部及暗部之排列圖樣的第2排列圖樣的至少一方；及演算部，基於前述標記位置資訊及前述第1排列圖樣或前述第2排列圖樣的至少一方，演算前述第1層與前述第2層之偏離。
- 一種測定裝置，具備：標記測定部，當令被加工構件與藉由接觸前述被加工構件而將規定的圖樣轉印至前述被加工構件之樣板接觸時，生成標記位置資訊，該標記位置資訊示意形成於前述被加工構件而包含明部及暗部的第1校準標記與形成於前述樣板而包含明部及暗部的第2校準標記之相對的位置關係；明暗判定部，基於形成於和形成有前述第1校準標記的區域及形成有前述第2校準標記的區域相異的區域之基準標記的拍攝資料，而判定示意前述第1校準標記的明部及暗部之排列圖樣的第1排列圖樣或示意前述第2校準標記的明部及暗部之排列圖樣的第2排列圖樣的至少一方；及演算部，基於前述標記位置資訊及前述第1排列圖樣或前述第2排列圖樣的至少一方，演算前述被加工構件與前述樣板之偏離。
- 一種校準用的標記，係形成於構成半導體元件的層之校準用的標記，具備：第1區域，包含複數個明部及複數個暗部；及基準標記，形成於和前述第1區域相異的區域，具有和前述明部或前述暗部的其中一方相對應之光學特性。
- 如請求項14記載之校準用的標記，其中，前述第1區域與前述基準標記之間的距離為20μm以下。
- 如請求項14或請求項15記載之校準用的標記，其中，前述複數個明部及前述複數個暗部沿著第1方向延伸，沿著相對於前述第1方向交叉的第2方向交互排列，前述基準標記的前述第2方向的寬度，比前述明部的前述第2方向的寬度及前述暗部的前述第2方向的寬度還大。
- 如請求項16記載之校準用的標記，其中，前述基準標記的前述第2方向的寬度為1.5μm以上。
- 如請求項17記載之校準用的標記，其中，在前述基準標記的周圍設有具有和前述基準標記相異的光學特性之留白區域，前述留白區域的前述第2方向的寬度為1.5μm以上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021151220A JP2023043534A (ja) | 2021-09-16 | 2021-09-16 | 測定方法、測定装置、及びマーク |
| JP2021-151220 | 2021-09-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202314223A TW202314223A (zh) | 2023-04-01 |
| TWI813063B true TWI813063B (zh) | 2023-08-21 |
Family
ID=85479328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110142183A TWI813063B (zh) | 2021-09-16 | 2021-11-12 | 測定方法，測定裝置，及標記 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230081143A1 (zh) |
| JP (1) | JP2023043534A (zh) |
| CN (1) | CN115826369A (zh) |
| TW (1) | TWI813063B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104180768A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 英斯派克有限公司 | 三维轮廓取得装置、图案检测装置及三维轮廓取得方法 |
| CN110636277A (zh) * | 2018-06-21 | 2019-12-31 | 佳能株式会社 | 检测设备、检测方法和摄像设备 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3634558B2 (ja) * | 1996-06-13 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3335126B2 (ja) * | 1998-07-06 | 2002-10-15 | キヤノン株式会社 | 面位置検出装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 |
| US7523111B2 (en) * | 2002-12-02 | 2009-04-21 | Silverbrook Research Pty Ltd | Labelling of secret information |
| US7349105B2 (en) * | 2004-09-01 | 2008-03-25 | Intel Corporation | Method and apparatus for measuring alignment of layers in photolithographic processes |
| JP2007214352A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Elpida Memory Inc | 重ね合わせ測定マーク及びそのパターン形成方法 |
| US7528941B2 (en) * | 2006-06-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technolgies Corporation | Order selected overlay metrology |
| US7916295B2 (en) * | 2008-09-03 | 2011-03-29 | Macronix International Co., Ltd. | Alignment mark and method of getting position reference for wafer |
| US8842294B2 (en) * | 2011-06-21 | 2014-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, imprint apparatus, and position detection method |
| JP6120678B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-04-26 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及びデバイス製造方法 |
| JP6285666B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2018-02-28 | キヤノン株式会社 | 検出装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法及び検出方法 |
| WO2017144265A1 (en) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Beam homogenizer, illumination system and metrology system |
| TWI742148B (zh) * | 2017-08-28 | 2021-10-11 | 聯華電子股份有限公司 | 對準標記及其測量方法 |
| JP2020154063A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | アライメントマーク、インプリント方法、半導体装置の製造方法、及び位置合わせ装置 |
| US11994808B2 (en) * | 2019-09-27 | 2024-05-28 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, metrology systems, phased array illumination sources and methods thereof |
| JP2022147419A (ja) * | 2021-03-23 | 2022-10-06 | キオクシア株式会社 | テンプレート、被加工部材、及びアライメント方法 |
-
2021
- 2021-09-16 JP JP2021151220A patent/JP2023043534A/ja active Pending
- 2021-11-12 TW TW110142183A patent/TWI813063B/zh active
- 2021-12-07 CN CN202111516720.XA patent/CN115826369A/zh active Pending
- 2021-12-09 US US17/547,046 patent/US20230081143A1/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104180768A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 英斯派克有限公司 | 三维轮廓取得装置、图案检测装置及三维轮廓取得方法 |
| CN110636277A (zh) * | 2018-06-21 | 2019-12-31 | 佳能株式会社 | 检测设备、检测方法和摄像设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115826369A (zh) | 2023-03-21 |
| US20230081143A1 (en) | 2023-03-16 |
| TW202314223A (zh) | 2023-04-01 |
| JP2023043534A (ja) | 2023-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6778275B2 (en) | Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations | |
| KR102238466B1 (ko) | 스택 차이의 결정 및 스택 차이를 사용한 정정 기술 | |
| US7463367B2 (en) | Estimating overlay error and optical aberrations | |
| TWI595311B (zh) | 用於檢驗光微影光罩之方法、檢驗系統及電腦可讀媒體 | |
| TWI671835B (zh) | 圖案化結構中之量測用度量衡測試結構設計及量測方法 | |
| JP2754609B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2008503897A (ja) | 位置合わせ処理プロセスの改良された統合を提供する細長い構造物 | |
| JP2011101004A (ja) | ウエハ検査方法およびシステム | |
| TWI389286B (zh) | 對準標記佈局和對準標記結構 | |
| KR20120101197A (ko) | 포토 마스크의 제조 방법 | |
| CN113161277A (zh) | 晶片叠对标记、叠对测量系统及相关方法 | |
| TWI813063B (zh) | 測定方法，測定裝置，及標記 | |
| JP2009270988A (ja) | 重ね合わせずれ量算出方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3615430B2 (ja) | 認識マーク | |
| TWI809458B (zh) | 模板、被加工構件及對準方法 | |
| JPH06302492A (ja) | 露光条件検定パターンおよび露光原版ならびにそれらを用いた露光方法 | |
| JP4774917B2 (ja) | マスクパターンの検査装置及び検査方法 | |
| US20160062227A1 (en) | Mask monitor mark and method for marking the mark | |
| JP2008311571A (ja) | アライメント方法、アライメントマーク認識装置およびアライメント検査ファイルの作成方法と検査装置 | |
| JP5217527B2 (ja) | 電子デバイス | |
| US7387965B2 (en) | Reference pattern for creating a defect recognition level, method of fabricating the same and method of inspecting defects using the same | |
| JP2004170947A (ja) | 露光マスク、フォーカス測定方法、露光装置管理方法及び電子デバイスの製造方法 | |
| JPH11317340A (ja) | 重ね合わせ精度測定用マーク及びそれを用いた測定方法 | |
| JP5550978B2 (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2003107671A (ja) | 位相シフトマスクにおける欠陥仕様の決定方法 |