TWI809458B - 模板、被加工構件及對準方法 - Google Patents

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Abstract

模板包括對準標記。對準標記包括第一主圖案及第一輔助圖案。第一主圖案是第一部分與第二部分按照規定的重覆圖案配置而成。第一輔助圖案於較第一主圖案的端部靠外側的區域中由與重覆圖案相反的圖案構成。

Description

模板、被加工構件及對準方法
[相關申請案的引用] 本申請案以基於2021年03月23日提出申請的在先日本專利申請案第2021-049180號的優先權的利益為基礎，並且要求其利益，所述日本專利申請案的全部內容藉由引用而包含於本申請案中。
本發明的實施方式是有關於一種模板、被加工構件及對準方法。
於半導體裝置的製造步驟中，利用於晶圓等被加工構件上形成微細圖案的壓印法。壓印法中，進行將形成有圖案的模板與被加工構件進行對位的對準處理。於對準處理中，利用分別設置於模板及被加工構件上的對準標記。若對對準標記照射檢查光，則於對準標記的端部有時會產生由散射光引起的雜訊。為了提高對準精度，需要抑制對準標記的端部產生的雜訊所造成的影響。
本發明的實施方式提供一種能夠抑制對準標記的端部的雜訊的模板、被加工構件及對準方法。
根據本發明的一實施方式，提供一種模板。模板包括對準標記。對準標記包括第一主圖案及第一輔助圖案。第一主圖案是第一部分與第二部分按照規定的重覆圖案配置而成。第一輔助圖案於較第一主圖案的端部靠外側的區域中由與重覆圖案相反的圖案構成。 根據本發明的一實施方式，提供一種被加工構件，藉由使用了模板的壓印處理進行加工，所述被加工構件包括用於與所述模板對位的對準標記，所述對準標記包括：第二主圖案，第四部分與第五部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第二輔助圖案，於較所述第二主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成。 根據本發明的一實施方式，提供一種對準方法，包括以使形成有對準標記的模板與形成有對準標記的被加工構件相向的方式進行設置的步驟；自所述模板側照射檢查光的步驟；取得與藉由所述檢查光的照射產生的雲紋相關的雲紋資訊的步驟；以及基於所述雲紋資訊來調整所述模板與所述被加工構件的相對位置的步驟，所述模板的對準標記包括：第一主圖案，第一部分與第二部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第一輔助圖案，於較所述第一主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，所述被加工構件的對準標記包括：第二主圖案，第四部分與第五部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第二輔助圖案，於較所述第二主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成。
根據所述結構，可提供一種能夠抑制對準標記的端部的雜訊的模板、被加工構件及對準方法。
以下，參照圖式來說明本發明的實施方式。再者，本發明並不受實施方式的限定。另外，實施方式中的構成元件包括本領域技術人員能夠容易設想者或實質上相同者。
[第一實施方式] ＜模板＞ 圖1是表示第一實施方式的模板1的結構的一例的俯視圖。圖中，X軸對應於水平面上的左右方向，Y軸對應於水平面上的前後方向，Z軸對應於相對於水平面而言的垂直（上下）方向。
模板1是由使可見光線及紫外線透過的透明材料、例如以石英為主要成分的材料構成的板狀的構件。此處例示的模板1是矩形形狀，例如是一邊的長度為150 mm左右的正方形。
於模板1的中央部，形成有向下方突出的台狀的台面部10。於台面部10的下表面形成有器件圖案區域11及對準區域12。再者，於圖1中例示了於平面視（俯視或仰視）時為圓形形狀的台面部10，但台面部10於平面視時亦可為矩形形狀。於器件圖案區域11中形成有壓印於被加工構件上的圖案（凹部或凸部）。
於對準區域12中，形成有用於進行模板1與被加工構件的對位的對準處理的對準標記。再者，對準區域12亦可形成於器件圖案區域11內。
圖2是表示第一實施方式的模板1的對準區域12的結構的一例的局部放大俯視圖。於對準區域12中，形成有第一對準標記22及第二對準標記23。
第一對準標記22是用於檢測模板1與被加工構件於X軸方向上的位置偏移的標記，包括第一LS圖案22A（第一主圖案）及第一LS輔助圖案22B（第一輔助圖案）。
第一LS圖案22A是反射檢查光的多個線狀的反射膜與使檢查光透過的線狀的透過區域以相對於Y軸平行的方式交替配置而成的圖案、即相對於Y軸平行的線與空間狀的圖案。反射膜例如包括鉻等光反射性材料作為主要成分。
第一LS輔助圖案22B是形成於第一LS圖案22A的Y軸上的端部、且起到抑制於該端部附近產生的雜訊的作用的圖案。
第二對準標記23是用於檢測模板1與被加工構件於Y軸方向上的位置偏移的標記，包括第二LS圖案23A（第一主圖案）及第二LS輔助圖案23B（第一輔助圖案）。
第二LS圖案23A是反射檢查光的多個線狀的反射膜與使檢查光透過的線狀的透過區域以相對於X軸平行的方式交替配置而成的圖案、即相對於X軸平行的線與空間狀的圖案。
第二LS輔助圖案23B是形成於第二LS圖案23A的X軸上的端部、且起到抑制於該端部附近產生的雜訊的作用的圖案。
＜被加工構件＞ 圖3是表示第一實施方式的晶圓51的結構的一例的俯視圖。晶圓51是藉由使用了模板1的壓印處理進行加工的被加工構件的一例。晶圓51可包括例如包含矽等的基板、形成於基板上的基底圖案、形成於基底圖案上的被加工層等。被加工層例如可為絕緣膜、金屬膜（導電膜）、半導體膜等。
如圖3所示，於本實施方式的晶圓51的上表面（被加工面）上形成有多個器件區域61及多個對準區域62。
器件區域61是形成規定的器件結構（例如，三維NAND等）的區域。於器件區域61中，於形成規定的層（保護層、抗蝕層等）後，利用模板1進行壓印。於多個器件區域61中的各個中形成規定的器件結構後，切割各器件區域61以進行單片化，藉此製造半導體裝置。
於對準區域62中，形成有用於進行晶圓51與模板1的對位的對準處理的對準標記。再者，對準區域62亦可形成於器件區域61內。
圖4是表示第一實施方式的晶圓51的對準區域62的結構的一例的局部放大俯視圖。於對準區域62中形成有對準標記71。
形成於晶圓51上的對準標記71包括棋盤格圖案71A（第二主圖案）及棋盤格輔助圖案71B（第二輔助圖案）。棋盤格圖案71A是反射檢查光的多個矩形形狀的反射膜與使檢查光透過的多個矩形形狀的透射區域配置成棋盤格花紋狀的圖案。棋盤格輔助圖案71B是配置於棋盤格圖案71A的Y軸及X軸上的端部、且起到抑制於該端部附近產生的雜訊的作用的圖案。
＜對準裝置＞ 圖5是表示第一實施方式的對準裝置200的結構的一例的圖。對準裝置200是進行晶圓51與模板1的對位的裝置，包括顯微鏡201、照明202、模板保持部203、晶圓保持部204及位移機構205。
晶圓保持部204保持晶圓51。模板保持部203於晶圓51的上方保持模板1。位移機構205使晶圓保持部204及模板保持部203中的至少一者位移，使晶圓51與模板1的相對位置變化。照明202配置於模板保持部203的上方，朝向模板1的對準區域12照射檢查光。檢查光例如是具有可見光區域（360 nm左右～830 nm左右）的波長的光。四個照明202中的兩個沿X軸配置，剩餘兩個沿Y軸配置。顯微鏡201配置於模板保持部203的上方，能夠觀察自照明202照射的檢查光被對準區域12、對準區域62反射的反射光的影像（暗視野像）。基於由顯微鏡201所得的觀察結果，可取得與藉由模板1的對準標記22、對準標記23與晶圓51的對準標記71的重疊而產生的雲紋相關的資訊。
藉由點亮照明202，自照明202射出的檢查光的一部分穿過模板1內，到達形成於對準區域12的第一對準標記22或第二對準標記23並進行繞射。繞射光中除0次光以外的繞射光的任一者入射至顯微鏡201。另外，檢查光的另一部分透過模板1，到達形成晶圓51的對準區域62上的對準標記71並進行繞射。所述繞射光中除0次光以外的繞射光的任一者入射至顯微鏡201。藉此，顯微鏡201可取得包括藉由各對準標記22、23、71的重疊而產生的雲紋的影像的暗視野像。位移機構205基於該暗視野像（與雲紋相關的資訊）進行晶圓51與模板1的對位。
＜對準方法＞ 圖6是表示第一實施方式的對準方法的一例的流程圖。首先，將晶圓51設置於晶圓保持部204上，將模板1設置於模板保持部203上（S101）。其後，執行粗略對準處理，以使晶圓51與模板1配置於大致適當的位置（S102）。粗略對準處理的具體方法並無特別限定，只要適宜利用公知的技術來實現即可。粗略對準處理可利用所述般的對準標記22、對準標記23、對準標記71進行，亦可利用專門設置的適宜的標記進行。
其後，藉由顯微鏡201觀察（拍攝）藉由自模板1的上表面側朝向對準區域12照射檢查光而出現的雲紋（S103），基於該雲紋的狀態檢測晶圓51與模板1的位置偏移（S104）。位移機構205調整晶圓51與模板1的相對位置，以消除所檢測出的位置偏移（S105）。
於執行所述般的對準方法時，藉由第一LS輔助圖案22B、第二LS輔助圖案23B及棋盤格輔助圖案71B，抑制於第一LS圖案22A、第二LS圖案23A及棋盤格圖案71A的端部產生的雜訊。藉此，可高精度地檢測位置偏移，從而可高精度地執行晶圓51與模板1的對位。
＜LS輔助圖案的構成例＞ 圖7是表示第一實施方式的第一LS圖案22A及第一LS輔助圖案22B的結構的一例的局部放大俯視圖。如圖7所示，構成第一對準標記22（參照圖2）的主要部分的第一LS圖案22A構成為多個線狀的反射膜31（第一部分的一例）以相對於Y軸平行的方式配置。多個反射膜31於X軸方向上以等間隔的間距排列。於多個反射膜31之間形成檢查光透過的多個線狀的透過區域S（第二部分的一例）。第一LS圖案22A以包括反射膜31及透過區域S的第一週期（亦稱為重覆圖案或結構週期）於X軸方向上排列。
第一LS輔助圖案22B於較第一LS圖案22A的端部E靠外側的區域中，由與第一LS圖案22A的重覆圖案相反的圖案構成。本實施方式的第一LS輔助圖案22B構成為多個輔助膜41（第三部分）配置於多個反轉區域R1中的各個。與反射膜31同樣地，輔助膜41由反射檢查光的材料構成，可由與反射膜31相同的材料構成，亦可由與反射膜31不同的材料構成。多個輔助膜41於X軸方向上以等間隔的間距排列。第一LS輔助圖案22B以包括輔助膜41及鄰接的輔助膜41之間的區域的第二週期（結構週期）於X軸方向上排列。第二週期可為與第一週期相同的間距。反轉區域R1是較第一LS圖案22A的端部E靠外側的區域且為於第一LS圖案22A的重覆圖案（線與空間圖案）中成為透過區域S的區域，於本實施方式中是將透過區域S延長至較第一LS圖案22A的端部E靠外側的區域。配置於反轉區域R1的輔助膜41起到抑制於端部E附近產生的散射光所引起的雜訊的作用。
圖8是表示第一實施方式的第二LS圖案23A及第二LS輔助圖案23B的結構的一例的局部放大俯視圖。第二LS圖案23A及第二LS輔助圖案23B與使以上所述的第一LS圖案22A及第一LS輔助圖案22B於XY平面上旋轉90°而得的結構相同。
以下，對第一LS輔助圖案22B的結構及作用效果進行說明。圖9是表示第一實施方式的第一LS輔助圖案22B的輔助膜41的結構的一例的局部放大俯視圖。於圖9中，例示了包括反射膜31與透過區域S的重覆的線與空間圖案中的一個循環C的量的結構。
如圖9所示，於將輔助膜41於X軸方向（端部E的延長方向或偏移的檢查方向）上的寬度設為W2，將反射膜31於X軸方向上的寬度設為W1時，W2＜W1的關係成立。另外，較佳為0＜W2＜W1/2的關係成立。
圖10是表示第一實施方式的第一LS輔助圖案22B的輔助膜41所帶來的作用效果的一例的概念圖。當向具有所述般的結構的第一對準標記22照射檢查光時，如圖10所示，於構成第一LS圖案22A的反射膜31的端部E產生雜訊N1+。另外，於構成第一LS輔助圖案22B的輔助膜41的一端部（反射膜31側的端部）產生雜訊N2-，於輔助膜41的另一端部（與反射膜31側的端部為相反側的端部）產生雜訊N2+。
此時，根據巴比內的原理，輔助膜41的一端部的雜訊N2-的相位相對於反射膜31的雜訊N1+的相位反轉180°。藉此，反射膜31的雜訊N1+與輔助膜41的一端部的雜訊N2-相互衰減。另外，輔助膜41的另一端部的雜訊N2+的強度變得較反射膜31的雜訊N1+的強度小。藉此，可減弱於端部E附近產生的雜訊的強度。
再者，雖於以上所述中對第一對準標記22的第一LS輔助圖案22B的結構及作用效果進行了說明，但第二對準標記23的第二LS輔助圖案23B亦同樣。
另外，於以上所述中，例示了「第一部分」及「第三部分」是反射檢查光的部分（反射膜31及輔助膜41），「第二部分」是使檢查光透過的部分（透過區域S）的情況。但是，實施方式並不限定於此，亦可為「第一部分」及「第三部分」是使檢查光透過的部分，「第二部分」是反射檢查光的部分。
＜棋盤格輔助圖案的構成例＞ 圖11是表示第一實施方式的棋盤格圖案71A及棋盤格輔助圖案71B的結構的一例的局部放大俯視圖。如圖11所示，構成於形成於晶圓51（參照圖3）的對準標記71的主要部分的棋盤格圖案71A構成為多個矩形形狀的反射膜81（第四部分的一例）配置成棋盤格花紋狀。於多個反射膜81之間形成檢查光透過的多個透過區域S（第五部分的一例）。棋盤格圖案71A以包括反射膜81及透過區域S的第一週期（亦稱為重覆圖案或結構週期）於X軸方向及Y軸方向上配置。
棋盤格輔助圖案71B於較棋盤格圖案71A的端部E靠外側的區域中，由與棋盤格圖案71A的重覆圖案相反的圖案構成。本實施方式的棋盤格輔助圖案71B構成為多個輔助膜91（第六部分的一例）配置於多個反轉區域R2中的各個。與反射膜81同樣地，輔助膜91由反射檢查光的材料構成，可由與反射膜81相同的材料構成，亦可由與反射膜81不同的材料構成。反轉區域R2是較棋盤格圖案71A的端部E靠外側的區域且為棋盤格圖案71A的重覆圖案（棋盤格花紋圖案）中成為透過區域S的區域，於本實施方式中是將配置有反射膜81的區域延長至較端部E靠外側的區域。配置於反轉區域R2的輔助膜91起到抑制於端部E附近產生的散射光所引起的雜訊的作用。棋盤格輔助圖案71B以包括輔助膜91及鄰接的輔助膜91之間的區域的第二週期（結構週期）於X軸方向上排列。X軸方向上的第二週期可為與第一週期相同的間距。
如上所述，根據本實施方式，利用藉由於本來應配置透過區域S的反轉區域R1、反轉區域R2配置輔助膜41、輔助膜91而構成的輔助圖案22B、輔助圖案23B、輔助圖案71B，可抑制於對準標記22、對準標記23、對準標記71的端部E附近產生的雜訊。藉此，可提高對準的精度。
以下，參照圖式對其他實施方式進行說明，但對與第一實施方式相同或同樣的部位標註相同的符號並省略其說明。
[第二實施方式] 圖12是表示第二實施方式的第一LS圖案22A及第一LS輔助圖案102B的結構的一例的局部放大俯視圖。本實施方式的第一LS輔助圖案102B構成為於一個反轉區域R1配置多個（本例中為兩個）輔助膜41A、41B。
輔助膜41A具有與第一實施方式的輔助膜41相同的結構。輔助膜41B配置於自輔助膜41A沿著Y軸方向離開規定距離的位置。另外，輔助膜41B的平面視的面積較輔助膜41A小。輔助膜41B起到抑制於輔助膜41A的與反射膜31側的端部為相反側的端部產生的散射光所引起的雜訊的作用。
藉由所述結構，較第一實施方式更能夠抑制於端部E附近產生的雜訊。
[第三實施方式] 圖13是表示第三實施方式的第一LS圖案22A及第一LS輔助圖案112B的結構的一例的局部放大俯視圖。本實施方式的第一LS輔助圖案112B構成為於各反轉區域R1配置輔助膜41C，所述輔助膜41C越遠離反射膜31，X軸方向（偏移的檢查方向）的寬度（圖9中的W2）越變小。
藉由所述結構，可抑制輔助膜41C的與反射膜31側的端部為相反側的端部產生散射光，較第一實施方式更能夠抑制於端部E附近產生的雜訊。
[第四實施方式] 圖14是表示第四實施方式的第一LS圖案22A及第一LS輔助圖案122B的結構的一例的局部放大俯視圖。本實施方式的第一LS輔助圖案122B構成為於各反轉區域R1配置三個輔助膜41D、41E、41F。
輔助膜41D越遠離反射膜31，X軸方向（偏移的檢查方向）的寬度（圖9中的W2）越變小。輔助膜41E配置於自輔助膜41D沿著Y軸方向離開規定距離的位置。輔助膜41F配置於自輔助膜41E沿著Y軸方向離開規定距離的位置。輔助膜41E、輔助膜41F的平面視的面積較輔助膜41D小。
藉由所述結構，亦可抑制於輔助膜41D的與反射膜31側的端部為相反側的端部產生散射光，較第一實施方式更能夠抑制於端部E附近產生的雜訊。
[第五實施方式] 圖15是表示第五實施方式的第一LS圖案22A及第一LS輔助圖案132B的結構的一例的局部放大俯視圖。本實施方式的第一LS輔助圖案132B構成為於各反轉區域R1配置輔助膜41G，且於各反轉區域R1之間的區域配置輔助膜41H。
輔助膜41G越遠離反射膜31，X軸方向（偏移的檢查方向）的寬度（圖9中的W2）越變小。輔助膜41H配置於自輔助膜41G於XY平面上離開規定距離的位置。輔助膜41H的平面視的面積較輔助膜41G小。輔助膜41H於Y軸方向上位於與反射膜31相同的位置，成為相對於輔助膜41G而相反的圖案。
藉由所述結構，亦可藉由輔助膜41H進一步抑制輔助膜41G的與反射膜31側的端部為相反側的端部產生散射光，較第一實施方式更能夠抑制於端部E附近產生的雜訊。
[第六實施方式] 圖16是表示第六實施方式的第一LS圖案152A及第一LS輔助圖案152B的結構的一例的局部放大俯視圖。本實施方式的第一LS圖案152A的反射膜31包括與Y軸平行的多個（本例中為3根）線狀的膜155。另外，本實施方式的第一LS輔助圖案152B的輔助膜41I包括與Y軸平行的多個（本例中為3根）線狀的膜156。再者，構成該輔助膜41I的多個膜156的各個亦可為所述第二實施方式～第五實施方式（圖12～圖15）所示般的結構。
藉由所述結構，亦可藉由配置於反轉區域R1的輔助膜41I的作用，抑制於端部E附近產生的雜訊。
[第七實施方式] 圖17是表示第七實施方式的模板1的對準區域12的結構的一例的局部放大俯視圖。圖18是表示第七實施方式的晶圓51的對準區域62的結構的一例的局部放大俯視圖。
如圖17所示，於本實施方式的模板1的對準區域12中，形成有包括棋盤格圖案71A及棋盤格輔助圖案71B的對準標記71。另外，如圖18所示，於本實施方式的晶圓51的對準區域62中，形成有包括第一LS圖案22A及第一LS輔助圖案22B的第一對準標記22、以及包括第二LS圖案23A及第二LS輔助圖案23B的第二對準標記23。
於第一實施方式中，例示了於模板1的對準區域12形成線與間隙狀的對準標記22、對準標記23，於晶圓51的對準區域62形成棋盤格花紋狀的對準標記71的結構。但是，亦可如本實施方式般，於模板1的對準區域12形成棋盤格花紋狀的對準標記71，於晶圓51的對準區域62形成線與空間狀的對準標記22、對準標記23。
以上，對本發明的若干實施方式進行了說明，但該些實施方式作為例子而提示，並非意圖限定發明的範圍。該些新穎的實施方式能夠以其他各種方式實施，於不脫離發明的主旨的範圍內，可進行各種省略、置換、或變更。該些實施方式或其變形包括於發明的範圍或主旨中，並且包括於申請專利範圍所記載的發明及其均等的範圍中。
1:模板 10:台面部 11:器件圖案區域 12:對準區域 22:第一對準標記（對準標記） 22A:第一LS圖案（第一主圖案） 22B:第一LS輔助圖案（第一輔助圖案）（輔助圖案） 23:第二對準標記（對準標記） 23A:第二LS圖案（第一主圖案） 23B:第二LS輔助圖案（第一輔助圖案）（輔助圖案） 31:反射膜 41:輔助膜 41A:輔助膜 41B:輔助膜 41C:輔助膜 41D:輔助膜 41E:輔助膜 41F:輔助膜 41G:輔助膜 41H:輔助膜 41I:輔助膜 51:晶圓 61:器件區域 62:對準區域 71:對準標記 71A:棋盤格圖案（第二主圖案） 71B:棋盤格輔助圖案（第二輔助圖案）（輔助圖案） 81:反射膜 91:輔助膜 102B:第一LS輔助圖案 112B:第一LS輔助圖案 122B:第一LS輔助圖案 132B:第一LS輔助圖案 152A:第一LS圖案 152B:第一LS輔助圖案 155:膜 156:膜 200:對準裝置 201:顯微鏡 202:照明 203:模板保持部 204:晶圓保持部 205:位移機構 S101～S105:步驟 R1、R2:反轉區域 S:透過區域 E:端部 W1:寬度 W2:寬度 C:循環 N1+、N2+、N2-:雜訊 X、Y、Z:軸
圖1是表示第一實施方式的模板的結構的一例的俯視圖。 圖2是表示第一實施方式的模板的對準標記區域的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖3是表示第一實施方式的晶圓的結構的一例的俯視圖。 圖4是表示第一實施方式的晶圓的對準區域的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖5是表示第一實施方式的對準裝置的結構的一例的圖。 圖6是表示第一實施方式的第一LS圖案及第一LS輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖7是表示第一實施方式的第二LS圖案及第二LS輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖8是表示第一實施方式的第一LS輔助圖案的輔助膜的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖9是表示第一實施方式的第一LS輔助圖案的輔助膜所帶來的作用效果的一例的概念圖。 圖10是表示第一實施方式的棋盤格圖案及棋盤格輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖11是表示第二實施方式的第一LS圖案及第一LS輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖12是表示第三實施方式的第一LS圖案及第一LS輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖13是表示第四實施方式的第一LS圖案及第一LS輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖14是表示第五實施方式的第一LS圖案及第一LS輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖15是表示第六實施方式的第一LS圖案及第一LS輔助圖案的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖16是表示第七實施方式的模板的對準區域的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖17是表示第七實施方式的晶圓的對準區域的結構的一例的局部放大俯視圖。 圖18是表示第七實施方式的晶圓的對準區域的結構的一例的局部放大俯視圖。
22:第一對準標記(對準標記)
22A:第一LS圖案(第一主圖案)
22B:第一LS輔助圖案(第一輔助圖案)(輔助圖案)
31:反射膜
41:輔助膜
S:透過區域
R1:反轉區域
E:端部
X、Y、Z:軸

Claims (20)

  1. 一種模板，包括對準標記，所述對準標記包括：第一主圖案，第一部分與第二部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第一輔助圖案，於較所述第一主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，其中所述第一部分是反射檢查光的部分，所述第二部分是使所述檢查光透過的部分，所述第一輔助圖案是於較所述端部靠外側的區域且為所述重覆圖案中成為所述第二部分的反轉區域配置反射所述檢查光的第三部分而成。
  2. 如請求項1所述的模板，其中，於將所述第三部分的所述端部的延長方向的寬度設為W2，將所述第一部分的所述端部的延長方向的寬度設為W1時，W2<W1的關係成立。
  3. 如請求項2所述的模板，其中，W2<W1/2的關係成立。
  4. 如請求項2或請求項3所述的模板，其中，所述W2越遠離所述第一部分越變小。
  5. 如請求項1所述的模板，其中，於一個所述反轉區域配置有多個所述第三部分。
  6. 如請求項1所述的模板，其中，一個所述第一部分包括多個線狀的膜，一個所述第三部分包括多個線狀的膜。
  7. 一種模板，包括對準標記，所述對準標記包括：第一主圖案，第一部分與第二部分按照規定的重覆圖案配置而成； 以及第一輔助圖案，於較所述第一主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，其中所述第一部分是反射檢查光的部分，所述第二部分是使所述檢查光透過的部分。
  8. 如請求項1或請求項7所述的模板，其中，所述重覆圖案是線與空間。
  9. 如請求項1或請求項7所述的模板，其中，所述重覆圖案為棋盤格花紋。
  10. 一種被加工構件，藉由使用了模板的壓印處理進行加工，所述被加工構件包括用於與所述模板對位的對準標記，所述對準標記包括：第二主圖案，第四部分與第五部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第二輔助圖案，於較所述第二主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，其中所述第四部分是反射檢查光的部分，所述第五部分是使所述檢查光透過的部分，所述第二輔助圖案是於較所述端部靠外側的區域且為所述重覆圖案中成為所述五部分的反轉區域配置反射所述檢查光的第六部分而成。
  11. 如請求項10所述的被加工構件，其中，於將所述第六部分的所述端部的延長方向的寬度設為W2，將所述第四部分的所述端部的延長方向的寬度設為W1時，W2<W1的關係成立。
  12. 如請求項11所述的被加工構件，其中，W2<W1/2的關係成立。
  13. 如請求項11或請求項12所述的被加工構件，其中，所述W2越遠離所述第四部分越變小。
  14. 如請求項10所述的被加工構件，其中，於一個所述反轉區域配置有多個所述第六部分。
  15. 如請求項10所述的被加工構件，其中，一個所述第四部分包括多個線狀的膜，一個所述第六部分包括多個線狀的膜。
  16. 一種被加工構件，藉由使用了模板的壓印處理進行加工，所述被加工構件包括用於與所述模板對位的對準標記，所述對準標記包括：第二主圖案，第四部分與第五部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第二輔助圖案，於較所述第二主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，其中所述第四部分是反射檢查光的部分，所述第五部分是使所述檢查光透過的部分。
  17. 如請求項10或請求項16所述的被加工構件，其中，所述重覆圖案為線與空間。
  18. 如請求項10或請求項16所述的被加工構件，其中，所述重覆圖案為棋盤格花紋。
  19. 一種對準方法，包括以使形成有對準標記的模板與形成有對準標記的被加工構件相向的方式進行設置的步驟；自所述模板側照射檢查光的步驟；取得與藉由所述檢查光的照射產生的雲紋相關的雲紋資訊的步驟；以及基於所述雲紋資訊來調整 所述模板與所述被加工構件的相對位置的步驟，所述模板的對準標記包括：第一主圖案，第一部分與第二部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第一輔助圖案，於較所述第一主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，所述被加工構件的對準標記包括：第二主圖案，第四部分與第五部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第二輔助圖案，於較所述第二主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，其中所述第一部分是反射檢查光的部分，所述第二部分是使所述檢查光透過的部分，所述第一輔助圖案是於較所述端部靠外側的區域且為所述重覆圖案中成為所述第二部分的反轉區域配置反射所述檢查光的第三部分而成，所述第四部分是反射檢查光的部分，所述第五部分是使所述檢查光透過的部分，所述第二輔助圖案是於較所述端部靠外側的區域且為所述重覆圖案中成為所述五部分的反轉區域配置反射所述檢查光的第六部分而成。
  20. 一種對準方法，包括以使形成有對準標記的模板與形成有對準標記的被加工構件相向的方式進行設置的步驟；自所述模板側照射檢查光的步驟；取得與藉由所述檢查光的照射產生的雲紋相關的雲紋資訊的步驟；以及基於所述雲紋資訊來調整所述模板與所述被加工構件的相對位置的步驟，所述模板的對準標記包括：第一主圖案，第一部分與第二部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第一輔助圖案，於較所述第一主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，所述被加工構 件的對準標記包括：第二主圖案，第四部分與第五部分按照規定的重覆圖案配置而成；以及第二輔助圖案，於較所述第二主圖案的端部靠外側的區域中由與所述重覆圖案相反的圖案構成，其中所述第一部分是反射檢查光的部分，所述第二部分是使所述檢查光透過的部分，所述第四部分是反射檢查光的部分，所述第五部分是使所述檢查光透過的部分。
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