TWI811586B - 含有氟聚醚基之矽烷化合物 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種可用作為表面處理劑之新穎的含有氟聚醚基之矽烷化合物。
上述課題之解決手段為一種式(1a)或式(1b)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物。式中，各符號與說明書的記載具有相同意義。
RF1 α-XA-RSi β (1a)
RSi γ-XA-RF2-XA-RSi γ (1b)
Description
本揭示係有關含有氟聚醚基之矽烷化合物。
已知有某種含氟的矽烷化合物在使用於基材的表面處理時，可提供優異的撥水性、撥油性、防污性等。從含有含氟的矽烷化合物之表面處理劑所得之層(以下亦稱為「表面處理層」)係施用於例如玻璃、塑膠、纖維、建築材料等各式各樣的基材作為所謂的功能性薄膜。
如此之含氟化合物已知有於分子主鏈具有全氟聚醚基且於分子末端或末端部具有與Si原子鍵結的水解性基之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(專利文獻1至2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-218639號公報
[專利文獻2]日本特開2017-082194號公報
可作為如上述之表面處理劑使用的含有氟聚醚基之矽烷化合物，可進一步要求嶄新的結構。
本揭示係提供下述的[1]至[20]。
[1]一種含有氟聚醚基之矽烷化合物，係如式(1a)或式(1b)所示，
RF1 α-XA-RSi β (1a)
RSi γ-XA-RF2-XA-RSi γ (1b)
式中：
RF1在每次出現時分別獨立地為Rf1-RF-Oq-；
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；
Rf1在每次出現時分別獨立地為可被1個以上的氟原子取代之C1-16烷基；
Rf2為可被1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基；
RF在每次出現時分別獨立地為2價氟聚醚基；
p為0或1；
q在每次出現時分別獨立地為0或1；
α為1至9的整數；
β為1至9的整數；
γ分別獨立地為1至9的整數；
XA在每次出現時分別獨立地為具有2個以上醯胺鍵之2至10價有機基；
RSi在每次出現時分別獨立地為與羥基、水解性基、氫原子或1價有機基鍵結之含有Si原子的1價基。
[2]如[1]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下述式所示之基，
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
式中：
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200的整數，且a、b、c、d、e及f的和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
[3]如[1]或[2]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地由下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所示；
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
式中，d為1至200的整數，e為1；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，
c、d、e及f的和為2以上，
標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
-(R6-R7)g- (f3)
式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為由OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12選出之基，或是從該等基獨立選出之2或3種基的組合，
g為2至100的整數；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)
式中，e為1以上200以下的整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下的整數，且a、b、c、d、e及f的和至少為1，而且，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
式中，f為1以上200以下的整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下的整數，且a、b、c、d、e及f的和至少為1，而且，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
[4]如[1]至[3]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，XA在每次出現時分別獨立地為-(X21)s21-[(XN)-(X22)]s11-(XN)-(X21)s22-所示之基；
式中：
XN表示醯胺鍵；
s11為1至3的整數；
X21分別獨立地為2至10價有機基；
X22在每次出現時分別獨立地為2價有機基；
s21分別獨立地為0或1；
s22分別獨立地為0或1。
[5]如[1]至[4]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，XA為2價有機基，且在每次出現時分別獨立地為-(X21)s21-[(XN)-(X22)]s11-(XN)-(X21)s22-所示之基；
式中：
XN表示醯胺鍵；
s11為1至3的整數；
X21分別獨立地為2價有機基；
X22在每次出現時分別獨立地為2價有機基；
s21分別獨立地為0或1；
s22分別獨立地為0或1。
[6]如如[4]或[5]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，X22在每次出現時分別獨立地為-R221-、或-(R221)s31-X31-(R222)s32-；
式中：
R221及R222分別獨立地為C1-10伸烷基，
前述C1-10伸烷基的氫原子可被取代；
X31為-O-、或-NR54-，
R54為氫原子、苯基或C1-6烷基；
s31為0或1；
s32為0或1。
[7]如[1]至[6]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，α、β及γ分別為1。
[8]如[1]至[7]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，RSi在每次出現時分別獨立地由式(S1)、(S2)、(S3)或(S4)所示；
-SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
式中：
R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
n1於每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元中分別獨立地為0至3的整數；
X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基；
R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
t在每次出現時分別獨立地為2以上的整數；
R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；
R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6的伸烷基或碳數1至6的伸烷氧基；
Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；
Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R21在每次出現時分別獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；
R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Z1’在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R21’在每次出現時分別獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；
R22’在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23’在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
p1’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q1’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r1’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Z1”在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R22”在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23”在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
q1”在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r1”在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
k1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
l1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
m1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；
Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R31在每次出現時分別獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；
R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Z2’在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R32’在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33’在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q2’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r2’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
n2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
k2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
l2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
m2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。
[9]如[8]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，n1為3。
[10]如[8]或[9]所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，k1為3，q1為1至3的整數。
[11]如[8]至[10]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，l2為3，n2為1至3的整數。
[12]一種表面處理劑，係含有[1]至[11]中任一項中所記載之式(1a)或式(1b)所示之至少1種氟聚醚化合物。
[13]如[12]所述之表面處理劑，更含有由含氟油、矽酮油及催化劑選出之1種以上的其他成分。
[14]如[12]或[13]所述之表面處理劑，更含有溶劑。
[15]如[12]至[14]中任一項所述之表面處理劑，係作為防污性塗布劑或防水性塗布劑使用。
[16]如[12]至[15]中任一項所述之表面處理劑，係用於真空蒸鍍。
[17]如[12]至[15]中任一項所述之表面處理劑，係用於濕潤被覆處理。
[18]一種顆粒，係含有[12]至[16]中任一項所述之表面處理劑。
[19]一種物品，係含有基材、及由[1]至[11]中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物或[12]至[17]中任一項所述之表面處理劑形成於該基材的表面之層。
[20]如[19]所述之物品，其為光學構件。
根據本揭示，提供一種可作用表面處理劑使用之嶄新的含有氟聚醚基之矽烷化合物。
於本說明書使用時，所謂「1價有機基」係指含有碳的1價基。1價有機基並無特別限定，可為烴基或其衍生物。所謂烴基的衍生物係指於烴基的末
端或分子鏈中具有1個以上的N、O、S、Si、醯胺基、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等之基。此外，只標示為「有機基」時，意指1價有機基。
又，所謂「2價有機基」係指含有碳的2價基。該2價有機基並無特別限定，但可列舉從有機基中進一步使1個氫原子脫離後的2價基。
於本說明書使用時，所謂「烴基」係指含有碳及氫，且從烴中使1個氫原子脫離後的基。該烴基並無特別限定，可列舉可被1個以上的取代基取代之C1-20烴基，例如脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀之任一種，亦可為飽和或不飽和之任一種。又，烴基可含有1個以上的環結構。
於本說明書使用時，「烴基」的取代基並無特別限定，例如可列舉鹵素原子，由可被1個以上的鹵素原子取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員的雜環基、5至10員的不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員的雜芳基選出之1個以上的基。
(含有氟聚醚基之矽烷化合物)
本實施形態的含有氟聚醚基之矽烷化合物係如以下的式(1a)或式(1b)所示。
RF1 α-XA-RSi β (1a)
RSi γ-XA-RF2-XA-RSi γ (1b)
式(1a)中，RF1在每次出現時分別獨立地為Rf1-RF-Oq-。
式(1b)中，RF2為-Rf2 p-RF-Oq-。
上述式中，Rf1在每次出現時分別獨立地為可被1個以上的氟原子取代之C1-16烷基。
上述可被1個以上的氟原子取代之C1-16烷基中之「C1-16烷基」可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈的C1-6烷基，尤其是C1-3烷基，更佳為直鏈的C1-6烷基，尤其是C1-3烷基。
上述Rf1較佳為可被1個以上的氟原子取代之C1-16烷基，更佳為CF2H-C1-15全氟伸烷基，又更佳為C1-16全氟烷基。
上述C1-16全氟烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈的C1-6全氟烷基，尤其是C1-3全氟烷基，更佳為直鏈的C1-6全氟烷基，尤其是C1-3全氟烷基，具體而言為-CF3、-CF2CF3、或-CF2CF2CF3。
上述式中，Rf2為可被1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基。
上述可被1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基中之「C1-6伸烷基」可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈的C1-3伸烷基，更佳為直鏈的C1-3伸烷基。
上述Rf2較佳為可被1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基，更佳為C1-6全氟伸烷基，又更佳為C1-3全氟伸烷基。
上述C1-6全氟伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈的C1-3全氟伸烷基，更佳為直鏈的C1-3全氟烷基，具體而言為-CF2-、-CF2CF2-、或-CF2CF2CF2-。
上述式中，p為0或1。在一態樣中，p為0。在另一態樣中，p為1。
上述式中，q在每次出現時分別獨立地為0或1。在一態樣中，q為0。在另一態樣中，q為1。
上述式(1a)及(1b)中，RF在每次出現時分別獨立地為2價氟聚醚基。
RF較佳為下式所示之氟聚醚基：
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-。
上述式中：
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200的整數，且a、b、c、d、e及f的和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
a、b、c、d、e及f較佳可分別獨立地為0至100的整數。
a、b、c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。a、b、c、d、e及f的和較佳為200以下，更佳為100以下，又更佳為60以下，例如可為50以下或30以下。
該等重複單元可為直鏈狀或分支鏈狀，但較佳為直鏈狀。例如-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等，但較佳為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等，但較佳為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-之任一者，但較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-
(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-之任一者，但較佳為-(OCF2CF2CF2)-。又，-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-之任一者，但較佳為-(OCF2CF2)-。
在一態樣中，RF在每次出現時分別獨立地由下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所示。
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)[式中，d為1至200的整數，e為1。]
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)[式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，
c、d、e及f的和為2以上，
標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。]
-(R6-R7)g- (f3)[式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為由OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12選出之基，或是由該等基獨立選出之2或3種基的組合，
g為2至100的整數。]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)[式中，e為1以上200以下的整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下的整數，且a、b、c、d、e及f的和至少為1，而且標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)[式中，f為1以上200以下的整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下的整數，且a、b、c、d、e及f的和至少為1，而且標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。]
上述式(f1)中，d較佳為5至200，更佳為10至100，又更佳為15至50，例如為25至35的整數。上述式(f1)中，-(OC3F6)d-較佳為-(OCF2CF2CF2)d-或-(OCF(CF3)CF2)d-所示之基，更佳為-(OCF2CF2CF2)d-所示之基。
上述式(f2)中，e及f分別獨立地較佳為5以上200以下，更佳為10至200的整數。又，c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。在一態樣中，上述式(f2)較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f-所示之基。在另一態樣中，式(f2)可為-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基。
上述式(f3)中，R6較佳為OC2F4。上述(f3)中，R7較佳為由OC2F4、OC3F6及OC4F8選出之基，或是由該等基獨立選出之2或3種基的組合，更佳為由OC3F6及OC4F8選出之基。由OC2F4、OC3F6及OC4F8獨立選出之2或3種基的組合並無特別限定，但例如可列舉-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-、及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。上述式(f3)中，g較佳為3以上，更佳為5以上的整數。上述g較佳為50以下的整數。上述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12可為直鏈或分支鏈之任一
者，較佳為直鏈。在該態樣中，上述式(f3)較佳為-(OC2F4-OC3F6)g-或-(OC2F4-OC4F8)g-。
上述式(f4)中，e較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下的整數。a、b、c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
上述式(f5)中，f較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下的整數。a、b、c、d、e及f的和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
在一態樣中，上述RF為上述式(f1)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f2)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f3)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f4)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f5)所示之基。
在一態樣中，上述RF為-(OC3F6)d-[式中，d為1至200的整數]。
上述RF中，e相對於f的比(以下稱為「e/f比」)為0.1至10，較佳為0.2至5，更佳為0.2至2，又更佳為0.2至1.5。藉由將e/f比設為10以下，該化合物所得之表面處理層的平滑性、摩擦耐久性及耐化學性(例如對於(人體的)汗水的耐久性)得到提升。e/f比越小，表面處理層的平滑性及摩擦耐久性越更加提升。另一方面，藉由將e/f比設為0.1以上，可更加提高化合物的穩定性。e/f比越大，化合物的穩定性越更加提升。在此，f為1以上的整數。
在一態樣中，e/f比之較佳為0.2至0.9，更佳為0.2至0.85，又更佳為0.2至0.8。
在一態樣中，從耐熱性的觀點來看，上述e/f比之較佳為0.9以上，更佳為0.9至1.5。
上述RF1及RF2部分的數量平均分子量並無特別限定，例如為500至30,000，較佳為1,500至30,000，更佳為2,000至10,000。在本說明書中，RF1及RF2的數量平均分子量係設為藉由19F-NMR所測定之值。
在另一態樣中、RF1及RF2部分的數量平均分子量為500至30,000，較佳為1,000至20,000，更佳為2,000至15,000，又更佳為2,000至10,000，例如可為3,000至9,000，又例如可為3,000至8,000。
上述式(1a)中，α為1至9的整數，β為1至9的整數。該等α及β可因應XA的價數而變化。α及β的和與XA的價數相同。例如XA為10價有機基時，α及β的和為10，例如可成為α為9且β為1、α為5且β為5、或α為1且β為9。又，XA為2價有機基時，α及β為1。
上述式(1b)中，γ為1至9的整數。γ可因應XA的價數而變化。亦即，γ為從XA的價數扣除1後的值。
上述式(1a)及(1b)中，XA被視為使主要提供撥水性及表面平滑性等之氟聚醚部(RF1及RF2)及提供與基材的結合能之部(RSi)連結之連結子(linker)。此外，記載為XA的結構係分別於左側與RF1或RF2鍵結，於右側與RSi鍵結。該XA可使式(1a)及(1b)所示之化合物穩定地存在。
XA在每次出現時分別獨立地為具有2個以上的醯胺鍵的2至10價有機基。該醯胺鍵中，與氮原子鍵結之氫原子可被取代。換言之，醯胺鍵係由
-NRNC(=O)-、或-C(=O)NRN-所示，RN例如為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，較佳為氫原子。
本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物藉由具有如此之結構。可有助於形成摩擦耐久性(例如皮膚摩擦耐久性、織布摩擦耐久性、橡皮擦摩擦耐久性、鋼絲絨摩擦耐久性)、耐化學性(例如對溶劑的耐久性、對人工汗液的耐久性、對酸或鹼性的耐久性)、撥水性、撥油性、防污性(例如防止指紋等髒污的附著)、防水性(防止水滲入電子零件等)、防水性(例如防止水滲入電子零件等)、或表面平滑性(或潤滑性，例如指紋等髒污的拭除性、或對於手指為優異的觸感)等為良好的硬化層(例如表面處理層)。咸認此乃因為藉由具有2個以上的醯胺鍵，使含有氟聚醚基之矽烷化合物與基材的親和性變高，而更緊密地形成牢固的結合。
上述XA中之2至10價有機基較佳為2至8價有機基。在一態樣中，該2至10價有機基較佳為2至4價有機基，更佳為2價有機基。在另一態樣中，該2至10價有機基較佳為3至8價有機基，更佳為3至6價有機基。
在一態樣中，XA為2至10價有機基，在每次出現時分別獨立地由下述式(L1)所示：
-(XN)s10-(X2)s12- (L1)。
式(L1)中，XN表示醯胺鍵。在此，醯胺鍵係由-NRNC(=O)-、或-C(=O)NRN-所示。RN例如為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，較佳為氫原子。
式(L1)中，X2在每次出現時分別獨立地為2價以上的有機基。X2的價數可因應上述式(L1)所示之基的價數而變化。例如式(L1)所示之基為2價時，
所有的X2為2價有機基，式(L1)所示之基為3價時，其中1個X2為3價有機基，而其餘的X2為2價有機基。
式(L1)中，s10為2至4的整數，較佳為2或3。在一態樣中，s10為2。
式(L1)中，s12為1至7的整數，可為1至5的整數，亦可為1至3的整數。
其中，式(L1)中，標註下標s10、或r12並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
在一態樣中，XA在每次出現時分別獨立地為式(L2)所示之基：
-(X21)s21-[(XN)-(X22)]s11-(XN)-(X21)s22- (L2)。
式中：
XN表示醯胺鍵；
s11為1至3的整數；
X21分別獨立地為2至10價有機基；
X22在每次出現時分別獨立地為2價有機基；
s21分別獨立地為0或1；
s22分別獨立地為0或1。
上述式(L2)中-(X21)s21-、-(X22)-、及(X21)s22-所示之部分係相當於式(L1)中-(X2)s12-所示之部分。亦即，s21、s11及s22的和相當於s12，X21及X22的結構相當於X2的結構。式(L2)的s11加上1後的值為式(L1)的s10。
式(L2)中，X21分別獨立地為2至10價有機基。
在一態樣中，X21為2價有機基。在本態樣中，X21可與在後述的X22中記載為2價有機基的結構具有相同意義。
在一態樣中，X21在每次出現時分別獨立地為-R211-、或
-(R211)s31-X31-(R212)s32-。
在一態樣中，X21為-R211-。在一態樣中，X21為-(R211)s31-X31-(R212)s32-。
上述R211及R212在每次出現時分別獨立地為C1-10伸烷基，較佳為C1-5伸烷基，更佳為C1-3伸烷基，例如為C1-2伸烷基。該等伸烷基的氫原子可被取代。
該伸烷基的氫原子被取代時，取代基可列舉鹵素原子，由可被1個以上的鹵素原子取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員的雜環基、5至10員的不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員的雜芳基選出之1個以上的基，例如為鹵素原子，較佳為氟原子。
例如、R211及R212分別獨立地可為-CH2-、-CH2CH2-、CH2CF2-、-CF2CH2-、或-CF2CF2-。
在本態樣中，X31在每次出現時分別獨立地為-O-、或-NR54-。在此，R54表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，較佳為氫原子。
在本態樣中，s31在每次出現時分別獨立地為0或1。在一態樣中，s31為0。在一態樣中，s31為1。
在本態樣中，s32在每次出現時分別獨立地為0或1。在一態樣中，s32為0。在一態樣中，s32為1。
在本態樣中，較佳為s31及s32的和為1以上。
在本態樣中，例如s31為1且s32為1，在一態樣中，s31為1且s32為0。在一態樣中，s31為0且s32為1。
在一態樣中，X21可列舉下述的基：
在一態樣中，上述R25為單鍵、C1-20伸烷基、C3-20伸環烷基、C5-20伸芳基、-R57-X58-R59-、-X58-R59-、或-R57-X58-。上述、R57及R59分別獨立地為單鍵、C1-20伸烷基、C3-20伸環烷基、或C5-20伸芳基。上述X58為-O-、-S-、-CO-、-O-CO-或-COO-。
在一態樣中，上述R26及R27分別獨立地為烴、或在烴的一端或主鏈中具有由N、O及S選出之至少一種原子之基，較佳可列舉C1-6伸烷基、-R36-R37-R36-、-R36-CHR38 2-等。在此，R36分別獨立地為單鍵或碳數1至6的伸烷基，較佳為碳數1至6的伸烷基。R37為N、O或S，較佳為N或O。R38為-R45-R46-R45-、-R46-R45-或-R45-R46-。在此，R45分別獨立地為碳數1至6的烷基。R46為N、O或S，較佳為O。
在該態樣中，X21分別獨立地可為3至10價有機基。
式(L2)中，XN表示醯胺鍵。在此，醯胺鍵係由-NRNC(=O)-、或-C(=O)NRN-所示。RN例如為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，較佳為氫原子。
式(L2)中，X22在每次出現時分別獨立地為2價有機基。
在一態樣中，X22例如可列舉下述式所示之2價有機基：
-(R51)p5-(X51)q5-[式中：
R51表示單鍵、-(CH2)s5-或鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基，較佳為-(CH2)s5-，
s5為1至20的整數，較佳為1至6的整數，更佳為1至3的整數，又更佳為1或2，
X51表示-(X52)l5-，
X52在每次出現時分別獨立地表示由-O-、-S-、鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-NR54-及-(CH2)n5-所組成的群組選出之基，但X52不包含醯胺鍵，
R53在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，更佳為甲基，
R54在每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，
m5在每次出現時分別獨立地為1至100的整數，較佳為1至20的整數，
n5在每次出現時分別獨立地為1至20的整數，較佳為1至6的整數，更佳為1至3的整數，
l5為1至10的整數，較佳為1至5的整數，更佳為1至3的整數，
p5為0或1，
q5為0或1，
在此，p5及q5之至少一者為1，標註p5或q5並以括弧括起之各重複單元的存在順序為任意]
在此，X22(典型上為X22的氫原子)可被由氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基選出之1個以上的取代基取代。在一態樣中，X22未被該等基取代。
在較佳的態樣中，上述X22分別獨立地為-(R51)p5-(X51)q5-R52-。
R52表示單鍵、-(CH2)t5-或鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基，較佳為-(CH2)t5-。t5為1至20的整數，較佳為2至6的整數，更佳為2至3的整數。在此，R52(典型上為R52的氫原子)可被由氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基選出之1個以上的取代基取代。在較佳的態樣中，R52未被該等基取代。
X22較佳為-R221-、或
-(R221)s31-X31-(R222)s32-。
R221及R222在每次出現時分別獨立地為C1-10伸烷基，較佳為C1-7伸烷基。該等伸烷基的氫原子可被取代。
該伸烷基的氫原子被取代時，取代基可列舉鹵素原子，或由可被1個以上的鹵素原子取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員的雜環基、5至10員的不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員的雜芳基選出之1個以上的基，例如鹵素原子，較佳為氟原子。例如該伸烷基的氫原子可全部被取代，較佳為該伸烷基的氫原子可全部被氟原子取代。
在一態樣中，R221及R222中之伸烷基的氫原子有至少一部分被取代。
在一態樣中，R221及R222中之伸烷基的氫原子未被取代。
X31在每次出現時分別獨立地為-O-、或-NR54-。在此，R54表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，較佳為氫原子。
s31在每次出現時分別獨立地為0或1。在一態樣中，s31為0。在一態樣中，s31為1。
s32在每次出現時分別獨立地為0或1。在一態樣中，s32為0。在一態樣中，s32為1。
較佳為s31及s32的和為1以上。
在一態樣中，s31為1且s32為1。在一態樣中，s31為1且s32為0。在一態樣中，s31為0且s32為1。
在一態樣中，X22係由-R221-所示。
在一態樣中，X22係由-(R221)s31-X31-(R222)s32-所示。
式(L2)中，s21分別獨立地為0或1。在一態樣中，s21為1。在一態樣中，s21為0。
式(L2)中，s22分別獨立地為0或1。在一態樣中，s22為1。在一態樣中，s22為0。
在一態樣中，s21為1，s22為1。
在一態樣中，s21為1，s22為0。
在一態樣中，s21為0，s22為1。
在一態樣中，s21為0，s22為0。
在一態樣中，s11為1至3的整數，較佳為1或2。在一態樣中，s11為1。在一態樣中，s11為2。
在一態樣中，X22係由-R221-所示，s11為2或3，較佳為2。亦即，在本態樣中，存在有複數個-R221-。換言之，在本態樣中，存在複數個-XN-X22-所示之基。在本態樣中，-R221-可為氫原子的一部分被取代之伸烷基；亦可為氫原子的一部分被取代之伸烷基、及未取代的伸烷基；也可只為未取代的伸烷基。例如s11為2，存在有2個-R221-時，2個-R221-可均為氫原子的一部分被取代之伸烷
基；亦可為其中一個為氫原子的一部分被取代之伸烷基，另一個為未取代的伸烷基；也可為兩者均為未取代的伸烷基。
在一態樣中，XA為2價有機基，在每次出現時分別獨立地為-(X21)s21-[(XN)-(X22)]s11-(XN)-(X21)s22-所示之基。
式中：
XN表示醯胺鍵；
s11為1至3的整數；
s21分別獨立地為0或1；
s22分別獨立地為0或1；
X21及X22在每次出現時分別獨立地為2價有機基，具體而言，可為作為X21或X22上述的2價有機基。
在本態樣中，較佳為X21、或X22在每次出現時分別獨立地由
-(R51)p5-(X51)q5-R52-所示，
更佳為由-R221-、或
-(R221)s31-X31-(R222)s32-所示。
R51、X51、R52、p5、q5、R221、R222、X31、s31及s32分別與上述為相同意義。
在一態樣中，例如可以是-(X21)s21-為單鍵且-(X21)s22-為-R221-，或-(X21)s21-為-(R221)s31-X31-且-(X21)s22-為-R221-。
為式(L2)所示時，XA例如可為下述所示之基：-XN-X22-XN-X21-、-X21-XN-X22-XN-X21-、-XN-X22-XN-X22-XN-X21-、
-X21-XN-X22-XN-X22-XN-X21-、-XN-X22-XN-X22-XN-X22-XN-X21-、或-X21-XN-X22-XN-X22-XN-X22-XN-X21-。
XA的具體結構並無特別限定，但例如可列舉下述的基。以下中，n31在每次出現時獨立地為1至3的整數，n32為1至10的整數(較佳為1至7的整數)。-CONH-NHCO-(CH2)n31-、-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-CONH-(CH2)n32-O-CONH-(CH2)n31-、-CONH-(CH2)n32-NHCO-O-(CH2)n31-、-CONH-(CH2)n32-NH-CONH-(CH2)n31-、-(CH2)n31-CONH-NHCO-(CH2)n31-、-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-(CH2)n31-O-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-(CH2)n31-O-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-(CH2)n31-O-CONH-(CH2)n32-NHCONH-(CH2)n31-、-(CH2)n31-NH-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-(CH2)n31-NH-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-O-CONH-(CH2)n31-、-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-O-(CH2)n31-、
-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NH-CONH-(CH2)n31-、-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CF2)n32-CONH-(CH2)n31-、-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CF2)n32-CONH-(CH2)n31--CF2CF2-CONH-NHCO-(CH2)n31-、-CF2CF2-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-CF2CF2-CONH-(CH2)n32-O-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-CONH-(CH2)n32-NHCO-O-(CH2)n31-、-CF2CF2-CONH-(CH2)n32-NH-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-CONH-NHCO-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-O-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-O-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-NH-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-NH-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-O-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-O-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NH-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-CONH-(CH2)n31-NHCO-(CF2)n32-CONH-(CH2)n31-、-CF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CF2)n32-CONH-(CH2)n31--OCF2CF2-CONH-NHCO-(CH2)n31-、
-OCF2CF2-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-OCF2CF2-CONH-(CH2)n32-O-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-CONH-(CH2)n32-NHCO-O-(CH2)n31-、-OCF2CF2-CONH-(CH2)n32-NH-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-CONH-NHCO-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-O-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-O-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-NH-CONH-(CH2)n32-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-NH-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-O-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-O-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NH-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-CONH-(CH2)n31-NHCO-(CF2)n32-CONH-(CH2)n31-、-OCF2CF2-(CH2)n31-CONH-(CH2)n32-NHCO-(CF2)n32-CONH-(CH2)n31-
在一態樣中，α為1，β為2至5，XA為3至6價有機基。
在一態樣中，γ為2至5，XA為3至6價有機基。
在一態樣中，α為1，β為2，XA為3價有機基。
在一態樣中，γ為2，XA為3價有機基。
在一態樣中，α為1，β為1，XA為2價有機基。
RSi在每次出現時分別獨立地為羥基、水解性基、含有與氫原子或1價有機基鍵結的Si原子之1價基。
在此，所謂「水解性基」係指可經水解反應之基，亦即會因水解反應而從化合物的主骨架脫離之基。水解性基之例可列舉-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代的C1-4烷基)等。
RSi較佳係在每次出現時分別獨立地為式(S1)、(S2)、(S3)或(S4)所示之基。
-SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R11較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R11較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。Rh可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rh為甲基，在另一態樣中，Rh為乙基。
R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
R12中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
n1於每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元中分別獨立地為0至3的整數。
但是，RSi為式(S1)或(S2)所示之基時，式(1a)及式(1b)的末端的RSi部分(以下亦只稱為式(1a)及式(1b)的「末端部分」)中，至少存在1個屬於n1為1至3(SiR11 n1R12 3-n1)之單元。亦即，該末端部分中，所有的n1不同時為0。換言之，式(1a)及式(1b)的末端部分中，至少存在1個與羥基或水解性基鍵結之Si原子。
n1於每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基。該2價有機基較佳為-R28-(O)x-R29-。式中，R28及R29在每次出現時分別獨立地為單鍵或C1-20伸烷基，x為0或1。該C1-20伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該C1-20伸烷基較佳為C1-10伸烷基，更佳為C1-6伸烷基，又更佳為C1-3伸烷基。
在一態樣中，X11在每次出現時分別獨立地為-C1-6伸烷基-O-C1-6伸烷基-或-O-C1-6伸烷基-。
在較佳的態樣中，X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或直鏈的C1-6伸烷基，較佳為單鍵或直鏈的C1-3伸烷基，更佳為單鍵或直鏈的C1-2伸烷基，又更佳為直鏈的C1-2伸烷基。
R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基較佳為C1-20烷基。該C1-20烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。
在較佳的態樣中，R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或直鏈的C1-6烷基，較佳為氫原子或直鏈的C1-3烷基，更佳為氫原子或甲基。
t在每次出現時分別獨立地為2以上的整數。
在較佳的態樣中，t在每次出現時分別獨立地為2至10的整數，較佳為2至6的整數。
R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1。該鹵素原子較佳為碘原子、氯原子或氟原子，更佳為氟原子。在較佳的態樣中，R14為氫原子。
R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6的伸烷基或碳數1至6的伸烷基氧基。
在一態樣中，R15在每次出現時分別獨立地為氧原子、碳數1至6的伸烷基或碳數1至6的伸烷基氧基。
在較佳的態樣中，R15為單鍵。
在一態樣中，式(S1)為下述式(S1-a)。
R11、R12、R13、X11、及n1與上述式(S1)的記載為相同意義；
t1及t2在每次出現時分別獨立地為1以上的整數。]
在較佳的態樣中，式(S1)為下述式(S1-b)。
Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1。
Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。以下記載為Z1之結構係以右側與(SiR21 p1R22 q1R23 r1)鍵結。
在較佳的態樣中，Z1為2價有機基。
在較佳的態樣中，Z1不包含和與Z1鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵者。亦即，式(S3)中，(Si-Z1-Si)不包含矽氧烷鍵。
上述Z1較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6的整數，例如1至6的整數，z2為0至6的整數，例如1至6的整數)或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6的整數，例如1至6的整數，z4為0至6的整數，例如1至6的整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基例如可被由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基選出之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳的態樣中，Z1為C1-6伸烷基或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4-。Z1為該基時，光耐性尤其是紫外線耐性可變更高。
在其他較佳的態樣中，上述Z1為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z1可為-CH2CH2CH2-。在另一態樣中，Z1可為-CH2CH2-。
R21在每次出現時分別獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’。
上述Z1’在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。此外，以下記載為Z1’之結構係以右側與(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)鍵結。
在較佳的態樣中，Z1’為2價有機基。
在較佳的態樣中，Z1’不包含和與Z1’鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵者。亦即，式(S3)中，(Si-Z1’-Si)不包含矽氧烷鍵。
上述Z1’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1’-O-(CH2)z2’-(式中，z1’為0至6的整數，例如1至6的整數，z2’為0至6的整數，例如1至6的整數)或-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-(式中，z3’為0至6的整數，例如1至6的整數，z4’為0至6的整數，例如1至6的整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基例如可被由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基選出之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳的態樣中，Z1’為C1-6伸烷基或-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4’-。Z1’為該基時，光耐性尤其是紫外線耐性可變更高。
在其他較佳的態樣中，上述Z1’為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z1’可為-CH2CH2CH2-。在另一態樣中，Z1’可為-CH2CH2-。
上述R21’在每次出現時分別獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”。
上述Z1”在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。此外，以下記載為Z1”之結構係以右側與(SiR22” q1”R23” r1”)鍵結。
在較佳的態樣中，Z1”為2價有機基。
在較佳的態樣中，Z1”不包含和與Z1”鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵者。亦即，式(S3)中，(Si-Z1”-Si)不包含矽氧烷鍵。
上述Z1”較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1”-O-(CH2)z2”-(式中，z1”為0至6的整數，例如1至6的整數，z2”為0至6的整數，例如1至6的整數)或-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-(式中，z3”為0至6的整數，例如1至6的整數，z4”為0至6的整數，例如1至6的整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，但較佳為直鏈。該等基例如可被由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基選出之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳的態樣中，Z1”為C1-6伸烷基或-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4”-。Z1”為該基時，光耐性尤其是紫外線耐性可變更高。
在其他較佳的態樣中，上述Z1”為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z1”可為-CH2CH2CH2-。在另一態樣中，Z1”可為-CH2CH2-。
上述R22”在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。Rh可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rh為甲基，在另一態樣中，Rh為乙基。
上述R23”在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
上述R23”中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述q1”在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r1”在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。此外，q1”與r1”的合計在(SiR22” q1”R23” r1”)單元中為3。
上述q1”於每個(SiR22” q1”R23” r1”)單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R22’在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R22’較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R22’較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。Rh可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rh為甲基，在另一態樣中，Rh為乙基。
上述R23’在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
於R23’中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，q1’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，r1’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。此外，p1’、q1’與r1’的合計在(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中為3。
在一態樣中，p1’為0。
在一態樣中，p1’於每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中可分別獨立地為1至3的整數，2至3的整數或3。在較佳的態樣中，p1’為3。
在一態樣中，q1’於每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
在一態樣中，p1’為0，q1’於每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，又更佳為3。
上述R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R22較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R22較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。Rh可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rh為甲基，在另一態樣中，Rh為乙基。
上述R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
於R23中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。此外，p1、q1與r1的合計在(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中為3。
在一態樣中，p1為0。
在一態樣中，p1於每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中可分別獨立地為1至3的整數，2至3的整數或3。在較佳的態樣中，p1為3。
在一態樣中，q1於每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
在一態樣中，p1為0，q1於每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，又更佳為3。
上述式中，Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。Rh可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rh為甲基，在另一態樣中、Rh為乙基。
上述式中，Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
上述Rc1中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述k1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，l1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，m1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。此外，k1、l1與m1的合計在(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中為3。
在一態樣中，k1於每個(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。在較佳的態樣中，k1為3。
上述式(1a)及(1b)中，RSi為式(S3)所示之基時，較佳係在式(1a)及式(1b)的末端部分中，至少存在2個與羥基或水解性基鍵結的Si原子。
在較佳的態樣中，式(S3)所示之基具有-Z1-SiR22 q1R23 r1(式中，q1為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3，r1為0至2的整數。)、-Z1’-SiR22’ q1’R23’ r1’(式中，q1’為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3，r1’為0至2的整數。)、或-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”(式中，q1”為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3，r1”為0至2的整數。)之任一者。此外，在此q1與r1的合計於每個Z1-SiR22 q1R23 r1單元中為3；q1’與r1’的合計於每個-Z1’-SiR22’ q1’R23’ r1’單元中為3；q1”與r1”的合計於每個-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”單元中為3。
在較佳的態樣中，式(S3)中，R21’存在時，在至少1個R21’(較佳為所有的R21’)中，q1”為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳的態樣中，式(S3)中，R21存在時，在至少1個R21(較佳為所有的R21)中，p1’為0，q1’為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳的態樣中，式(S3)中，Ra1存在時，至少1個Ra1(較佳為所有的Ra1)中，p1為0，q1為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳的態樣中，式(S3)中，k1為2或3，較佳為3，p1為0，q1為2或3，較佳為3。
Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2。
Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。此外，以下記載為Z2之結構係以右側與(CR31 p2R32 q2R33 r2)鍵結。
在較佳的態樣中，Z2為2價有機基。
上述Z2較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5-O-(CH2)z6-(式中，z5為0至6的整數，例如1至6的整數，z6為0至6的整數，例如1至6的整數)或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-(式中，z7為0至6的整數，例如1至6的整數，z8為0至6的整數，例如1至6的整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基例如可被由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基選出之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳的態樣中，Z2為C1-6伸烷基或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8-。Z2為該基時，光耐性尤其是紫外線耐性可變更高。
在其他較佳的態樣中，上述Z2為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z2可為-CH2CH2CH2-。在另一態樣中，Z2可為-CH2CH2-。
R31在每次出現時分別獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’。
Z2’在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。此外，以下記載為Z2’之結構係以右側與(CR32’ q2’R33’ r2’)鍵結。
上述Z2’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5’-O-(CH2)z6’-(式中，z5’為0至6的整數，例如1至6的整數，z6’為0至6的整數，例如1至6的整數)或-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-(式中，z7’為0至6的整數，例如1至6的整數，z8’為0至6的整數，例如1至6的整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基例如可被由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基選出之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳的態樣中，Z2’為C1-6伸烷基或-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8’-。Z2’為該基時，光耐性尤其是紫外線耐性可變更高。
在其他較佳的態樣中，上述Z2’為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z2’可為-CH2CH2CH2-。在另一態樣中，Z2’可為-CH2CH2-。
上述R32’在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。
上述Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。此外，以下記載為Z3之結構係以右側與(SiR34 n2R35 3-n2)鍵結。
在一態樣中，Z3為氧原子。
在一態樣中，Z3為2價有機基。
上述Z3較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6的整數，例如1至6的整數，z6”為0至6的整數，例如1至6的整數)或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6的整數，例如1至6的整數，z8”為0至6的整數，例如1至6的整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基例如可被由氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基選出之1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳的態樣中，Z3為C1-6伸烷基或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8”-。Z3為該基時，光耐性尤其是紫外線耐性可變更高。
在其他較佳的態樣中，上述Z3為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z3可為-CH2CH2CH2-。在另一態樣中，Z3可為-CH2CH2-。
上述R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R34較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R34較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。Rh可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異
丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，較佳為烷基，尤其是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rh為甲基，在另一態樣中，Rh為乙基。
上述R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
上述R35中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n2於每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元中分別獨立地為0至3的整數。但是，RSi為式(S4)所示之基時，於式(1a)及式(1b)的末端部分中，至少存在1個屬於n2為1至3之(SiR34 n2R35 3-n2)單元。亦即，於該末端部分中，所有的n2不同時為0。換言之，於式(1a)及式(1b)的末端部分中，至少存在1個與羥基或水解性基鍵結的Si原子。
n2於每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R33’在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
上述R33’中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
在一態樣中，R33’為羥基。
在另一態樣中，R33’為1價有機基時，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述q2’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r2’在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。此外，q2’與r2’的合計於(CR32’ q2’R33’ r2’)單元中為3。
q2’於每個(CR32’ q2’R33’ r2’)單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。該-Z3-SiR34 n2R35 3-n2與上述R32’中之記載為相同意義。
上述R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
上述R33中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
在一態樣中，R33為羥基。
在另一態樣中，有關R33係1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。此外，p2、q2及r2的合計在(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中為3。
在一態樣中，p2為0。
在一態樣中，p2於每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中可分別獨立地為1至3的整數，2至3的整數或3。在較佳的態樣中，p2’為3。
在一態樣中，q2於每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
在一態樣中，p2為0，q2於每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，又更佳為3。
上述Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。該-Z3-SiR34 n2R35 3-n2與上述R32’中之記載為相同意義。
上述Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為上述水解性基以外之1價有機基。
上述Rf1中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
在一態樣中，Rf1為羥基。
在另一態樣中，Rf1係1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述k2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，l2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，m2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。此外，k2、l2及m2的合計在(CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2)單元中為3。
在一態樣中，RSi為式(S4)所示之基時，於式(1a)及式(1b)的各末端部分中，屬於n2為1至3(較佳為2或3，更佳為3)之(SiR34 n2R35 3-n2)單元存在2個以上，例如2至27個，較佳為2至9個，更佳為2至6個，又更佳為2至3個，特佳為3個。
在較佳的態樣中，式(S4)中，R32’存在時，於至少1個R32’(較佳為所有的R32’)中，n2為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳的態樣中，式(S4)中，R32存在時，於至少1個R32(較佳為所有的R32)中，n2為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳的態樣中，式(S4)中，Re1存在時，至少1個Ra1(較佳為所有的Ra1)中，n2為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳的態樣中，式(S4)中，k2為0，l2為2或3，較佳為3，n2為2或3，較佳為3。
在一態樣中，RSi為式(S2)、(S3)或(S4)所示之基。該等化合物可形成具有高表面平滑性的表面處理層。
在一態樣中，RSi為式(S1)、(S3)或(S4)所示之基。該等化合物由於一側的末端具有複數個水解性基，故可形成牢固密著於基材且具有高摩擦耐久性的表面處理層。
在一態樣中，RSi為式(S3)或(S4)所示之基。該等化合物由於一側的末端可具有從一個Si原子或C原子分支之複數個水解性基，故可形成具有更高的摩擦耐久性的表面處理層。
在一態樣中，RSi為式(S1)所示之基。
在一態樣中，RSi為式(S2)所示之基。
在一態樣中，RSi為式(S3)所示之基。
在一態樣中，RSi為式(S4)所示之基。
(組成物)
以下，說明本揭示之組成物(例如表面處理劑)。
本揭示之組成物(例如表面處理劑)係含有式(1a)或式(1b)所示之至少1種含有氟聚醚基之矽烷化合物。
在一態樣中，本揭示之組成物(例如表面處理劑)可含有式(1a)及式(1b)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物。
在一態樣中，相對於本揭示之組成物(例如表面處理劑)所含之式(1a)及式(1b)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物，式(1a)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物的比(莫耳比)的下限值較佳可為0.001，更佳為0.002，又更佳為0.005，又進一步更佳為0.01，特佳為0.02，尤其是0.05。相對於式(1a)及式(1b)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物，式(1b)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物的比(莫耳比)的上限值較佳可為0.35，更佳為0.30，又更佳為0.20，又進一步更佳為0.15或0.10。相對於式(1a)及式(1b)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物，式(1b)所示之含有氟聚醚基之矽烷化合物的比(莫耳比)較佳為0.001以上0.30以下，更佳為0.001以上0.20以下，又更佳為0.002以上0.20以下，又進一步更佳為0.005以上0.20以下，特佳為0.01以上0.20以下，例如0.02以上0.20以下(具體而言為0.15以下)或0.05以上0.20以下(具體而言為0.15以下)。藉由含量為上述範圍，本揭示之組成物可有助於形成摩擦耐久性良好的硬化層。
本揭示之組成物(例如表面處理劑)可對基材賦予撥水性、撥油性、防污性、表面平滑性、摩擦耐久性，並無特別限定，但可適合用作為防污性塗布劑或防水性塗布劑。
本揭示之組成物(例如表面處理劑)可更含有溶劑、可視為含氟油之(非反應性的)氟聚醚化合物(較佳為全氟(聚)醚化合物(以下統稱為「含氟油」))、可視為矽酮油之(非反應性的)矽酮化合物(以下稱為「矽酮油」)、催化劑、界面活性劑、聚合抑制劑、敏化劑等。
上述溶劑例如可列舉：己烷、環己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、礦物油精等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶劑石油腦等芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丙酯、乙
酸異丁酯、乙酸賽珞蘇、丙二醇甲基醚乙酸酯、乙酸卡必醇、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、2-羥基丁酸乙酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯等酯類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、2-己酮、環己酮、甲基胺基酮、2-庚酮等酮類；乙基賽珞蘇、甲基賽珞蘇、甲基賽珞蘇乙酸酯、乙基賽珞蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丁基醚乙酸酯、二丙二醇二甲基醚、乙二醇單烷基醚等二醇醚類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第三丁醇、第二丁醇、3-庚醇、辛醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、第三戊醇等醇類；乙二醇、丙二醇等二醇類；四氫呋喃、四氫吡喃、二噁烷等環狀醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；甲基賽珞蘇、賽珞蘇、異丙基賽珞蘇、丁基賽珞蘇、二乙二醇單甲基醚等醚醇類；二乙二醇單乙基醚乙酸酯；1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,2-二氯-1,1,2,2-四氟乙烷、二甲基亞碸、1,1-二氯-1,2,2,3,3-五氟丙烷(HCFC225)、ZEORORAH、HFE7100、HFE7200、HFE7300等含氟溶劑等。或者，可列舉該等2種以上的混合溶劑等。
含氟油並無特別限定，例如可列舉下述通式(3)所示之化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-Rf6．．．(3)
式中，Rf5表示可被1個以上的氟原子取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16的全氟烷基)，Rf6表示可被1個以上的氟原子取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6更佳係分別獨立地為C1-3全氟烷基。
a’、b’、c’及d’分別表示構成聚合物的主骨架之全氟(聚)醚的4種重複單元數，彼此獨立地為0以上300以下的整數，且a’、b’、c’及d’的和至少為1，較佳為1至300，更佳為20至300。標註下標a’、b’、c’或d’並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。該等重複單元之中，-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及(OCF2CF(C2F5))-之任一者，但較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及(OCF2CF(CF3))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及(OCF(CF3))-之任一者，但較佳為-(OCF2CF2)-。
上述通式(3)所示之全氟(聚)醚化合物之例可列舉下述通式(3a)及(3b)之任一者所示之化合物(可為1種或2種以上的混合物)。
Rf5-(OCF2CF2CF2)b”-Rf6．．．(3a)
Rf5-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”-(OCF2)d”-Rf6．．．(3b)
該等式中，Rf5及Rf6如上所述；式(3a)中，b”為1以上100以下的整數；式(3b)中，a”及b”分別獨立地為0以上30以下的整數，c”及d”分別獨立地為1以上300以下的整數。標註下標a”、b”、c”、d”並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
又，從其他觀點來看，含氟油可為通式Rf3-F(式中，Rf3為C5-16全氟烷基)所示之化合物。又，亦可為三氟氯乙烯低聚物。
上述含氟油可具有500至10,000的平均分子量。含氟油的分子量可使用GPC進行測定。
相對於本揭示之組成物(例如表面處理劑)，可含有例如0至50質量%(較佳為0至30質量%，更佳為0至5質量%)之含氟油。在一態樣中，本揭示之組成物實質上不含有含氟油。所謂實質上不含有含氟油係指完全不含有含氟油，或可含有極微量的含氟油之情形。
含氟油有助於提升由本揭示之組成物(例如表面處理劑)所形成之層的表面平滑性。
上述矽酮油例如可使用矽氧烷鍵為2,000以下的直鏈狀或環狀的矽酮油。直鏈狀的矽酮油可為所謂的純矽酮油(straight silicone oil)及改性矽酮油。純矽酮油可列舉二甲基矽酮油、甲基苯矽酮油、甲基氫矽酮油。改性矽酮油可列舉將純矽酮油以烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改性後者。環狀的矽酮油例如環狀二甲基矽氧烷油等。
本揭示之組成物(例如表面處理劑)中，相對於上述本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物的合計100質量份(2種以上時為該等的合計，以下亦同)，可含有例如為0至300質量份(較佳為50至200質量份)之該矽酮油。
矽酮油有助於提升由本揭示之組成物(例如表面處理劑)所形成之層的表面平滑性。
上述催化劑可列舉酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙基胺、二乙基胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
催化劑係促進本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物的水解及脫水縮合，並促進由本揭示之組成物(例如表面處理劑)所形成之層的形成。
其他成分除了上述以外，例如亦可列舉四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。
本揭示之組成物可用作為進行基材的表面處理之表面處理劑。
本揭示之表面處理劑可含浸於將多孔質物質例如多孔質的陶瓷材料、金屬纖維例如鋼絲絨固定成綿狀者中，而形成顆粒。該顆粒例如可使用於真空蒸鍍。
(物品)
以下說明本揭示之物品。
本揭示之物品係包含基材、及由本揭示之含有氟聚醚基之矽烷化合物或包含含有氟聚醚基之矽烷化合物的表面處理劑(以下將該等代表性地簡稱為「本揭示之表面處理劑」)形成於該基材表面之層(表面處理層)。
本揭示中可使用的基材例如可由玻璃、樹脂(可為天然或合成樹脂，例如一般的塑膠材料，亦可為板狀、膜、其他的形態)、金屬、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等建築構件等任意適當的材料構成。
例如欲製造的物品為光學構件時，構成基材的表面之材料可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。又，欲製造的物品為光學構件時，可於基材的表面(最外層)形成某種層(或膜)例如硬塗層或抗反射層等。於抗反射層可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。可使用於抗反射層的無機物之例可列舉SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。該等無機物可單獨使用或組合該等2種以上(例如
作為混合物)使用。為多層抗反射層時，於其最外層較佳係使用SiO2及/或SiO。欲製造的物品為觸控面板用的光學玻璃元件時，可於基材(玻璃)的表面一部分具有透明電極例如使用氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅等的薄膜。又，基材可因應其具體的規格等具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光膜、相位差膜及液晶顯示模組等。
基材的形狀並無特別限定。又，欲形成由本揭示之表面處理劑所形成之層的基材之表面區域若為基材表面的至少一部分即可，可因應欲製造的物品之用途及具體的規格等適當決定。
該基材的至少表面部分可由原本具有羥基的材料所構成。該材料可列舉玻璃，且可列舉於表面形成自然氧化膜或熱氧化膜的金屬(尤其是卑金屬)、陶瓷、半導體等。或者，如樹脂等般即使具有羥基亦不充分或原本不具有羥基時，藉由對基材施予某種前處理，可於基材的表面導入羥基或使其增加。該前處理之例可列舉電漿處理(例如電暈放電)、或離子束照射。電漿處理亦可適合利用作為於基材表面導入或增加羥基並清潔基材表面(去除異物等)時。又，該前處理之其他例可列舉：使具有碳-碳不飽和鍵基的界面吸附劑藉由LB法(朗謬-布洛傑法)或化學吸附法等預先以單分子膜的形態形成於基材表面，然後在包含氧或氮等的環境下使不飽和鍵開裂之方法。
或者，該基材的至少表面部分可由含有具有1個以上的其他反應性基例如Si-H基之矽酮化合物或烷氧矽烷的材料所構成。
其次，於該基材的表面形成上述本揭示之表面處理劑之層，並對該層視需要進行後處理，藉此由本揭示之表面處理劑形成層。
本揭示之表面處理劑的層形成可藉由將上述的表面處理劑應用於基材的表面以使其被覆該表面而實施。被覆方法並無特別限定。例如可使用濕潤被覆法及乾燥被覆法。
濕潤被覆法之例可列舉浸漬塗布、旋轉塗布、液流塗布、噴霧塗布、滾輪塗布、凹版塗布及類似的方法。
乾燥被覆法之例可列舉蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺鍍、CVD及類似的方法。蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)的具體例可列舉電阻加熱、電子束、利用微波等的高頻加熱、離子束及類似的方法。CVD方法的具體例可列舉電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似的方法。
此外，亦可藉由常壓電漿法進行被覆。
使用濕潤被覆法時，本揭示之表面處理劑可在經溶劑稀釋後應用於基材表面。從本揭示之表面處理劑的穩定性及溶劑的揮發性之觀點來看，較佳可使用下列的溶劑：碳數5至12的全氟脂肪族烴(例如全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；聚氟芳香族烴(例如雙(三氟甲基)苯)；聚氟脂肪族烴(例如C6F13CH2CH3(例如旭硝子股份有限公司製的Asahiklin(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如日本Zeon股份有限公司製的Zeorora(註冊商標)H)；氫氟醚(HFE)(例如全氟丙基甲基醚(C3F7OCH3)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7000)、全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7100)、全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7200)、全氟己基甲基醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7300)等烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或分支狀)、或CF3CH2OCF2CHF2(例如旭硝子股份有限公司製的Asahiklin
(註冊商標)AE-3000))等。該等溶劑可單獨使用或作為2種以上的混合物使用。其中，較佳為氫氟醚，特佳為全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)及/或全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)。
使用乾燥被覆法時，本揭示之表面處理劑可直接施予乾燥被覆法，亦可經上述溶劑稀釋後施予乾燥被覆法。
表面處理劑的層形成較佳係以在層中使本揭示之表面處理劑與用以水解及脫水縮合的催化劑一起存在的方式實施。若簡化而藉由濕潤被覆法進行時，將本揭示之表面處理劑以溶劑稀釋後，在剛要應用於基材表面之前，可於本揭示之表面處理劑的稀釋液添加催化劑。藉由乾燥被覆法進行時，可將已添加催化劑的本揭示之表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或者，可使用使鐵或銅等金屬多孔體含浸已添加催化劑的本揭示之表面處理劑而得之顆粒狀物質進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
催化劑可使用任意適當的酸或鹼。酸催化劑例如可使用乙酸、甲酸、三氟乙酸等。又，鹼催化劑例如可使用氨、有機胺類等。
依如上述之方式，於基材的表面形成源自本揭示之表面處理劑的層，而製造本揭示之物品。藉此所得之上述層具有高表面平滑性與高摩擦耐久性兩者。又，上述層不只可具有高摩擦耐久性，此外視所使用的表面處理劑的組成而定，亦可具有撥水性、撥油性、防污性(例如防止指紋等髒污的附著)、防水性(防止水滲入電子零件等)、表面平滑性(或潤滑性，例如指紋等髒污的擦拭性、或對手指優異的觸感)等，可適合利用作為機能性薄膜。
亦即，本揭示亦進一步與最外層具有源自本揭示之表面處理劑的層之光學材料有關。
光學材料除了如後述所列示之有關顯示器等的光學材料以外，亦可適當列舉各式各樣的光學材料：例如陰極線管(CRT；例如電腦螢幕)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、電場發射顯示器(FED；Field Emission Display)等顯示器或該等顯示器的保護板，或於該等的表面施予抗反射膜處理者。
具有藉由本揭示所得之層的物品並無特別限定，可為光學構件。光學構件之例可列舉下列者：眼鏡等透鏡；PDP、LCD等顯示器的前表面保護板、抗反射板、偏光板、抗眩光板；行動電話、行動資訊終端等裝置的觸控面板片；藍光(Blu-ray(註冊商標))碟片、DVD碟片、CD-R、MO等光碟的碟片面；光纖；鐘錶的顯示面等。
又，具有藉由本揭示所得之層的物品可為醫療裝置或醫療材料。
此外，具有藉由本揭示所得之層的物品可為汽車的內外裝，例如前照燈殼、側鏡、側車窗、內裝裝飾膜、中控台、儀表板、相機透鏡蓋等。
上述層的厚度並無特別限定。在光學構件的情況，從光學性能、表面平滑性、摩擦耐久性及防污性的觀點來看，上述層的厚度宜為1至50nm、1至30nm，較佳為1至15nm的範圍。
以上雖然說明了實施形態，但在不脫離申請專利範圍的主旨及範圍的情況下，能理解形態或細節之可能的各樣變更。
(實施例)
以下用實施例說明本揭示，但本揭示並不限定於以下的實施例。此外，本實施例中，以下所示之化學式均表示平均組成。又，構成聚醚基的重複單元(OCF2)及(OCF2CF2)的存在順序為任意。以下，「Me」表示CH3，「Boc」
表示第三丁氧基羰基，「BOP」表示苯并三唑-1-基氧基-三(二甲基胺基)鏻鹽，「mXHF」表示間二甲苯六氟化物。
(合成例1)
(合成例1-1)
將2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺1.5g溶解於二氯甲烷20mL後，添加N,N-二異丙基乙基胺(DIEA)3.3mL、化合物1a 1.75g、BOP 4.82g，在室溫攪拌一夜。以碳酸氫鈉水溶液進行洗淨後，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮。將殘渣以矽膠管柱層析儀進行精製，得到2.93g的化合物2a。
化合物2a
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.45(s,9H),2.00-2.05(m,6H),3.17(d,2H),3.74(d,2H),5.05-5.15(m,6H),5.75-5.90(m,3H),6.36(br s,1H).
(合成例1-2)
將合成例1-1所得之1g的化合物2a溶解於二氯甲烷10mL後，浸漬於冰浴中並添加三氟乙酸(TFA)3.5mL予以攪拌2小時。添加氫氧化鈉水溶液，除去水相後，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮乾固。以矽膠管柱層析儀進行精製，得到0.69g的化合物3a。
化合物3a
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.46(br s,2H),2.00-2.08(m,6H),3.18(d,2H),3.30-3.60(m,2H),5.05-5.15(m,6H),5.75-5.90(m,3H),7.50(br s,1H).
(合成例1-3)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=25)2.4g中添加合成例1-2所得之化合物3a 0.267g及mXHF 2mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以丙酮10mL進行洗淨並濃縮乾固，藉此得到2.435g的化合物4a。
化合物4a
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.30-2.45(m,6H),3.61(d,2H),4.36(d,2H),5.38-5.45(m,6H),6.10-6.26(m,3H),6.30-6.34(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.1,-85.6,-86.5,-87.2,-125.2,-131.3,-132.4.
(合成例1-4)
將合成例1-3所得之化合物4a 1.33g溶解於mXHF 1mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷2.61μl、三氯矽烷0.252ml、Karstedt催化劑31.6μl，在60℃攪拌3小時。進行濃縮乾固後，於殘渣滴入mXHF 1mL、原甲酸三甲酯0.92mL、及甲醇
51μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後，進行濃縮乾固，藉此得到1.09g的化合物5a(n=25)。
化合物5a
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.65(m,6H),1.77-1.90(m,6H),3.62(d,2H),3.85-4.10(m,27H),4.37(d,2H),6.75-6.78(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.2,-85.5,-86.6,-124.4,-131.4,-132.4.
(合成例2)
(合成例2-1)
將2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺1.5g溶解於二氯甲烷20mL後，添加N,N-二異丙基乙基胺3.32mL、化合物1b 1.75g、BOP 4.82g，在室溫攪拌一夜。以碳酸氫鈉水溶液進行洗淨後，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮。將殘渣以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到2.81g的化合物2b。
化合物2b
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.42(s,9H),2.00-2.05(m,6H),2.30-2.40(m,2H),3.17-3.20(m,2H),3.35-3.40(m,2H),5.05-5.15(m,7H),5.65(br s,1H),5.80-5.90(m,3H).
(合成例2-2)
將合成例2-1所得之化合物2b 1.09g溶解於二氯甲烷3mL後，浸漬於冰浴中，添加三氟乙酸3.0mL攪拌4小時。添加氫氧化鈉水溶液，將水相除去後，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮。將殘渣以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到0.597g的化合物3b。
化合物3b
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.41(br s,2H),1.95-2.08(m,6H),2.30(t,2H),3.00(t,2H),3.15-3.20(m,2H),5.05-5.15(m,6H),5.75-5.90(m,3H),7.42(br s,1H).
(合成例2-3)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=25)2.12g中添加合成例2-2所得之化合物3b 0.25g及mXHF 2mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以丙酮進行洗淨後進行濃縮乾固後，藉此得到2.23g的化合物4b。
化合物4b
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.30-2.50(m,8H),3.17-3.20(m,2H),3.55-3.65(m,2H),5.38-5.50(m,6H),6.10-6.28(m,3H),6.30-6.40(br s,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.1,-85.6,-86.5,-87.2,-125.2,-131.3,-132.4.
(合成例2-4)
將合成例2-3所得之化合物4b 1.52g溶解於mXHF 1mL後，在室溫下添加三乙醯氧基甲基矽烷2.98μl、三氯矽烷0.479ml、Karstedt催化劑36.1μl，在60℃攪拌3小時。進行濃縮乾固後，於其殘渣滴入mXHF 1mL、原甲酸三甲酯1.10mL、及甲醇58μl滴，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後進行濃縮乾固，藉此得到1.29g的化合物5b(n=25)。
化合物5b
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.65(m,6H),1.77-1.90(m,6H),2.30-2.40(m,2H),3.17-3.20(m,2H),3.62(d,2H),3.85-4.10(m,27H),6.75-6.78(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.2,-85.5,-86.6,-124.4,-131.4,-132.4.
(合成例3)
(合成例3-1)
將2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺1.79g溶解於二氯甲烷20mL後，添加N,N-二異丙基乙基胺3.68mL、化合物1c 2.0g、BOP 5.22g，在室溫攪拌一夜。濃縮乾固後，以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到3.45g的化合物2c。
化合物2c
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.42(s,9H),1.75-1.80(m,2H),2.00-2.05(m,6H),2.15-2.20(m,2H),3.15-3.20(m,4H),4.74(br s,1H),5.05-5.15(m,6H),5.80-5.90(m,3H),6.33(br s,1H).
(合成例3-2)
將合成例3-1所得之化合物2c 1.07g溶解於二氯甲烷3mL後，浸漬於冰浴中，添加三氟乙酸4.0mL進行攪拌4小時。添加氫氧化鈉溶液，將水相除去後，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮。將殘渣以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到0.62g的化合物3c。
化合物3c
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.21(br s,2H),1.70-1.78(m,2H),1.95-2.05(m,6H),2.20-2.30(m,2H),2.65-2.80(m,2H),3.15-3.25(m,2H),5.05-5.30(m,6H),5.75-5.90(m,4H).
(合成例3-3)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=25)2.2g中添加合成例3-2所得之化合物3c 0.28g及mXHF 3mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以丙酮進行洗淨並濃縮乾固，藉此得到2.32g的化合物4c。
化合物4c
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.25-2.28(m,6H),2.36-2.80(m,6H),3.50-3.60(m,2H),3.75-3.85(m,2H),5.39-5.45(m,6H),6.05-6.10(m,1H),6.13-6.30(m,3H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.1,-85.6,-86.5,-87.2,-125.2,-131.3,-132.4.
(合成例3-4)
將合成例3-3所得之化合物4c 1.10g溶解於mXHF 1mL後，在室溫下添加三乙醯氧基甲基矽烷2.16μl、三氯矽烷0.347ml、Karstedt催化劑36.1μl，在60℃攪拌3小時。進行濃縮乾固後，滴入mXHF 1mL、原甲酸三甲酯0.76mL、及甲醇42μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後，將濾液進行濃縮乾固，藉此得到0.922g的化合物5c(n=25)。
化合物5c
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.65(m,6H),1.77-1.90(m,6H),2.30-2.40(m,2H),2.76-2.78(m,2H),3.53-3.55(m,2H),3.84-3.86(m,2H),3.85-4.10(m,27H),6.75-6.78(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.2,-85.5,-86.6,-124.4,-131.4,-132.4.
(合成例3-5)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=50)4.4g中添加合成例3-2所得之化合物3c 0.28g及mXHF 3mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷20mL，以丙酮進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥後進行濃縮乾固，藉此得到4.6g的化合物4c’。
化合物4c’
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.25-2.28(m,6H),2.36-2.80(m,6H),3.50-3.60(m,2H),3.75-3.85(m,2H),5.39-5.45(m,6H),6.05-6.10(m,1H),6.13-6.30(m,3H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.1,-85.6,-86.5,-87.2,-125.2,-131.3,-132.4.
(合成例3-6)
將合成例3-5所得之化合物4c’2.20g溶解於mXHF 2mL後，在室溫下添加三乙醯氧基甲基矽烷2.16μl、三氯矽烷0.347ml、Karstedt催化劑36.1μl，在60℃攪拌3小時。進行濃縮乾固後，於其殘渣滴入mXHF 1mL、原甲酸三甲酯0.76mL、及甲醇42μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後，將濾液進行濃縮乾固，藉此得到1.82g的化合物5c’(n=50)。
化合物5c’
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.65(m,6H),1.77-1.90(m,6H),2.30-2.40(m,2H),2.76-2.78(m,2H),3.53-3.55(m,2H),3.84-3.86(m,2H),3.85-4.10(m,27H),6.75-6.78(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.2,-85.5,-86.6,-124.4,-131.4,-132.4.
(合成例4)
(合成例4-1)
將BOP 5.33g溶解於二氯甲烷20mL，添加化合物1d 2.57g及三乙基胺1.75mL，並添加2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺2.12ml，在室溫攪拌一夜。進行濃縮乾固後，以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到3.52g的化合物2d。
化合物2d
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.20-1.25(m,4H),1.40-1.44(m,11H),2.00-2.05(m,6H),2.15-2.20(m,4H),3.00-3.20(m,4H),4.50(br s,1H),5.05-5.15(m,6H),5.56(br s,1H),5.75-5.90(m,3H).
(合成例4-2)
將合成例4-1所得之化合物2d 1.40g溶解於二氯甲烷8mL，並浸漬於冰浴中，添加三氟乙酸8.0mL攪拌4小時。進行濃縮乾固，並以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到1.04g的化合物3d。
化合物3d
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.30-1.50(m,6H),1.55-1.65(m,2H),2.00-2.10(m,6H),2.10-2.20(m,2H),2.60-2.70(m,2H),3.15-3.20(m,2H),5.05-5.15(m,6H),5.51(br s,1H),5.80-5.90(m,3H).
(合成例4-3)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=25)2.36g中添加合成例4-2所得之化合物3d 0.345g及mXHF 3mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以丙酮進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮乾固後，藉此得到2.47g的化合物4d。
化合物4d
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：1.60-1.80(m,4H),1.90-1.95(m,2H),2.00-2.10(m,2H),2.35-2.39(m,6H),2.50-2.57(m,6H),3.50-3.61(m,2H),3.72-3.75(m,2H),5.30-5.45(m,6H),5.90-5.95(m,1H),6.15-6.35(m,3H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.1,-85.6,-86.5,-87.2,-125.2,-131.3,-132.4.
(合成例4-4)
將合成例4-3所得之化合物4d 1.63g溶解於mXHF 1mL後，在室溫下添加三乙醯氧基甲基矽烷3.20μl、三氯矽烷0.514ml、Karstedt催化劑38.7μl，在60℃攪拌3小時。進行濃縮乾固後，於其殘渣滴入mXHF 1mL、原甲酸三甲酯1.1mL及甲醇62μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後，將濾液進行濃縮乾固，藉此得到1.42g的化合物5d(n=25)。
化合物5d
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.88(m,14H),1.91-1.95(m,2H),2.00-2.10(m,2H),2.50-2.57(m,6H),3.50-3.61(m,2H),3.72-3.75(m,2H),3.85-4.10(m,27H),5.90-5.95(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.2,-85.5,-86.6,-124.4,-131.4,-132.4.
(合成例5-1)
於CF3(OCF2)m(OCF2CF2)nOCF2CO2Me(m=40,n=24)4.07g中添加合成例1-2所得之化合物3a 0.245g及mXHF 3mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷20mL，以丙酮進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮乾固，藉此得到3.75g的化合物6a。
化合物6a
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.30-2.45(m,6H),3.61(d,2H),4.36(d,2H),5.38-5.45(m,6H),6.10-6.26(m,3H),6.30-6.34(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(合成例5-2)
將合成例5-1所得之化合物6a 3.75g溶解於mXHF 3mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷7.35μl、三氯矽烷1.18ml、Karstedt催化劑89.1μl，在60℃攪拌3小
時。進行濃縮乾固後，於其殘渣滴入mXHF 3mL、原甲酸三甲酯2.6mL、及甲醇140μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後，將濾液進行濃縮乾固，藉此得到3.54g的化合物7a(m=40,n=24)。
化合物7a
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.65(m,6H),1.77-1.90(m,6H),3.62(d,2H),3.85-4.10(m,27H),4.37(d,2H),6.75-6.78(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(合成例6-1)
於CF3(OCF2)m(OCF2CF2)nOCF2CO2Me(m=40,n=24)2.0g中添加合成例3-2所得之化合物3c 0.147g及mXHF 2mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷20mL，以丙酮進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥後進行濃縮乾固，藉此得到1.68g的化合物6c。
化合物6c
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.25-2.28(m,6H),2.36-2.80(m,6H),3.50-3.60(m,2H),3.75-3.85(m,2H),5.39-5.45(m,6H),6.05-6.10(m,1H),6.13-6.30(m,3H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(合成例6-2)
將合成例6-1所得之化合物6c 1.68g溶解於mXHF 1mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷2.82μl、三氯矽烷0.454ml、Karstedt催化劑34.2μl，在60℃攪拌3小時。進行濃縮乾固後，於其殘渣滴入mXHF 1mL、原甲酸三甲酯0.99mL、及甲醇55μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後，將濾液濃縮乾固，藉此得到1.64g的化合物7c(m=40,n=24)。
化合物7c
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.65(m,6H),1.77-1.90(m,6H),2.30-2.40(m,2H),2.76-2.78(m,2H),3.53-3.55(m,2H),3.84-3.86(m,2H),3.85-4.10(m,27H),6.75-6.78(m,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(合成例7-1)
於CF3(OCF2)m(OCF2CF2)nOCF2CO2Me(m=40,n=24)3.50g中添加合成例4-2所得之化合物3d 0.277g及mXHF 3mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷20mL，
以丙酮進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮乾固，藉此得到3.37g的化合物6d。
化合物6d
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：1.60-1.80(m,4H),1.90-1.95(m,2H),2.00-2.10(m,2H),2.35-2.39(m,6H),2.50-2.57(m,6H),3.50-3.61(m,2H),3.72-3.75(m,2H),5.30-5.45(m,6H),5.90-5.95(m,1H),6.15-6.35(m,3H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(合成例7-2)
將合成例7-1所得之化合物6d 3.37g溶解於mXHF 3mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷5.66μl、三氯矽烷0.911ml、Karstedt催化劑68.7μl，在60℃攪拌3小時。進行濃縮乾固後，於其殘渣滴入mXHF 3mL、原甲酸三甲酯2.00mL、及甲醇110μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後，將濾液進行濃縮乾固，藉此得到2.77g的化合物7d(m=40,n=24)。
化合物7d
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.05(m,6H),1.55-1.88(m,14H),1.91-1.95(m,2H),2.00-2.10(m,2H),2.50-2.57(m,6H),3.50-3.61(m,2H),3.72-3.75(m,2H),3.85-4.10(m,27H),5.90-5.95(m,1H)；
19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(合成例8)
(合成例8-1)
將化合物8a 5g溶解於二氯甲烷10mL後，浸漬於冰浴中，並滴入2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺4.55g後，在室溫攪拌一夜。濃縮乾固後，以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到4.46g的化合物9a。
化合物9a
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：2.00-2.20(m,6H),3.20-3.31(m,2H),3.94(s,3H),5.05-5.20(m,6H),5.80-5.70(m,3H),6.61(br s,0.5H),6.84(br s,0.5H).
(合成例8-2)
將合成例8-1所得之化合物9a 1.54g溶解於四氫呋喃(THF)6mL後，滴入N-Boc-乙二胺1.73mL，在室溫攪拌3天。進行濃縮乾固後，以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到2.1g的化合物10a。
化合物10a
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.43(s,9H),2.00-2.16(m,6H),3.22(d,2H),3.25-3.50(m,4H),5.00-5.18(m,6H),5.80-5.90(m,3H),6.87(br s,1H),7.50(br s,1H)；
19F NMR(CDCl3,400MHz)δ：-119.56,-119.64,-120.08,-120.11.
(合成例8-3)
將合成例8-2所得之化合物10a 1.1g溶解於二氯甲烷10mL後，浸漬於冰浴中，添加三氟乙酸10mL進行攪拌5小時。進行濃縮乾固後，以矽膠管柱進行精製，藉此得到0.87g的化合物11a。
化合物11a
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：2.01-2.07(m,6H),2.85-2.90(m,2H),3.24-3.28(m,2H),3.36-3.40(m,2H),5.09-5.18(m,6H),5.80-5.89(m,3H),6.85(br s,1H),7.12(br s,1H)；19F NMR(CDCl3,400MHz)δ：-119.33,-119.55.
(合成例8-4)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=25)1.7g中添加合成例8-3所得之化合物11a 0.37g及mXHF 2mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以氯仿進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥並濃縮乾固，藉此得到1.61g的化合物12a。
化合物12a
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.36-2.51(m,6H),3.18(s,2H),3.36-3.40(m,4H),5.41-5.45(m,6H),6.13-6,20(m,3H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.14,-85.60,-86.60,-87.00,-87.21,-87.34,-123.22,-123.40,-124.90,-124.96,-125.78,-131.36,-131.50,-132.41.
(合成例8-5)
將合成例8-4所得之化合物12a 1.12g溶解於mXHF 3mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷3μl、三氯矽烷0.252ml、Karstedt催化劑34μl，並攪拌4小時。進行濃縮乾固後，滴入mXHF 3mL、原甲酸三甲酯0.95mL、及甲醇60μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後進行濃縮乾固，藉此得到1.2g的化合物13a。
化合物13a
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.95-1.08(m,6H),1.55-1.67(m,6H),1.77-1.95(m,6H),3.36-3.40(m,4H),3.63(s,2H),3.85-4.13(m,27H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.01,-84.25,-84.50,-86.00,-86.61,-87.12,-122.67,-124.79,-125.50,-131.20,-131.73,-132.41.
(合成例9)
(合成例9-1)
將化合物8b 6g溶解於二氯甲烷10mL後，浸漬於冰浴中，滴入2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺2.85g後，在室溫攪拌一夜。濃縮乾固後，以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到2.43g的化合物9b。
化合物9b
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：2.00-2.10(m,6H),3.23-3.33(m,2H),3.97(s,3H),5.04-5.20(m,6H),5.70-5.95(m,3H),6.58(br s,1H).
(合成例9-2)
將合成例9-1所得之化合物9b 2.92g溶解於THF 12mL後，滴入N-Boc-乙二胺4mL，在50℃攪拌一夜。進行濃縮乾固後，以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到2.74g的化合物10b。
化合物10b
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：1.43(s,9H),2.00-2.16(m,6H),3.27(d,2H),3.30-3.50(m,4H),5.00(br s,1H),5.10-5.20(m,6H),5.75-5.90(m,3H),6.81(br s,1H),7.69(br s,1H).
(合成例9-3)
將合成例9-2所得之化合物10b 1.2g溶解於二氯甲烷5mL後，浸漬於冰浴中，並添加三氟乙酸5mL進行攪拌5小時。進行濃縮乾固後，以矽膠管柱層析儀進行精製，藉此得到0.853g的化合物11b。
化合物11b
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ：2.00-2.10(m,6H),2.80-2.92(m,2H),3.20-3.30(m,2H),3.40-3.50(m,2H),5.00-5.18(m,6H),5.75-5.90(m,3H),6.82(br s,1H).
(合成例9-4)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=25)2.0g中添加合成例8-3所得之化合物11b 0.429g及mXHF 2mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以氯仿進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥後進行濃縮乾固，藉此得到2.2g的化合物12b。
化合物12b
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.39-2.48(m,6H),3.70(d,2H),3.80-4.00(m,4H),5.40-5.52(m,6H),6.13-6.26(m,3H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.13,-84.17,-85.60,-86.60,-87.29,-87.33,-87.36,-121.82,-122.50,-125.11,-125.15,-129.46,-131.35,-131.40,-132.41.
(合成例9-5)
將合成例9-4所得之化合物12b 1.25g溶解於mXHF 1.5mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷3μl、三氯矽烷0.252ml、Karstedt催化劑34μl，並攪拌4小時。進行濃縮乾固後，滴入mXHF 1.5mL、原甲酸三甲酯0.95mL、及甲醇60μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後進行濃縮乾固，藉此得到1.1g的化合物13b。
化合物13b
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.90-1.10(m,6H),1.60-1.70(m,6H),1.75-1.95(m,6H),3.68(d,2H),3.90-4.10(m,31H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.13,-84.27,-85.10,-85.76,-86.78,-87.36,-120.78,-121.86,-124.90,-128.85,-131.35,-131.50,-132.40.
(比較例1)
(比較例1-1)
於CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)nOCF2CF2CO2Me(n=25)3.0g中添加2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺0.207g及mXHF 2mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以丙酮進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥後進行濃縮乾固，藉此得到2.89g的化合物14。
化合物14
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.39(d,6H),3.66(d,2H),5.42-5.46(m,6H),6.15-6.25(m,3H),7.02(brs,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.2,-85.5,-86.6,-125.4,-131.4,-132.4.
(比較例1-2)
將比較例1-1所得之化合物14 2.89g溶解於mXHF 1.5mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷5.67μl、三氯矽烷0.911ml、Karstedt催化劑68.7μl，並攪拌4小時。進行濃縮乾固後，滴入mXHF 1.5mL、原甲酸三甲酯2.0mL、及甲醇110μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後進行濃縮乾固，藉此得到2.50g的化合物15。
化合物15
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.96-1.02(m,6H),1.58-1.67(m,6H),1.82-1.86(m,6H)3.61(d,2H),3.90-4.05(m,27H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-84.2,-85.5,-86.6,-124.4,-131.4,-132.4.
(比較例2)
(比較例2-1)
於CF3(OCF2)m(OCF2CF2)nOCF2CO2Me(m=40,n=24)2.0g中添加2,2-二烯丙基-4-戊烯基胺0.158g及mXHF 2mL，在室溫攪拌一夜。添加全氟己烷10mL，以丙酮進行洗淨，使用無水硫酸鈉進行乾燥後進行濃縮乾固，藉此得到1.91g的化合物16。
化合物16
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：2.39(d,6H),3.66(d,2H),5.42-5.46(m,6H),6.15-6.25(m,3H),7.02(brs,1H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(比較例2-2)
將比較例2-1所得之化合物16 1.91g溶解於mXHF 1.5mL後，添加三乙醯氧基甲基矽烷3.21μl、三氯矽烷0.516ml、Karstedt催化劑38.9μl，並攪拌4小時。進行濃縮乾固後，滴入mXHF 1.5mL、原甲酸三甲酯1.1mL、及甲醇62μl，在60℃攪拌3小時。將該溶液過濾後進行濃縮乾固，藉此得到1.77g的化合物17。
化合物17
1H NMR(mXHF,400MHz)δ：0.96-1.02(m,6H),1.58-1.67(m,6H),1.82-1.86(m,6H)3.61(d,2H),3.90-4.05(m,27H)；19F NMR(mXHF,400MHz)δ：-131.7,-127.9,-127.4,-117.7,-92.6,-91.0,-87.4,-87.3,-85.8,-85.6,-83.2,-81.6,-79.9,-74.5,-59.9,-58.2,-57.4,-55.6,-54.0.
(表面處理劑的調製)
將合成例1-4、4-4、5-2、7-2、及比較例1、2所得之含有氟聚醚基之矽烷化合物(5a、5d、7a、7d、15、17)分別以固形物濃度成為0.1質量%的方式溶解於氫氟醚(3M日本股份有限公司製，Novec HFE-7200)，而調製表面處理劑。
(表面處理層的形成)
將表面處理劑使用旋轉塗布器塗布於化學強化玻璃(Corning公司製，「Gorilla」玻璃，厚度0.7mm)上。
旋轉塗布的條件為以300轉/分鐘進行3秒、以2000轉/分鐘進行30秒。
將塗布後的玻璃在大氣下於恆溫槽內在150℃加熱30分鐘，形成表面處理層。
(表面處理層的特性評價)
以下述方式評價所得之表面處理層的特性。
<靜態接觸角>
(初期評價)
首先，表面處理層形成後，在其表面尚未與任何物品接觸的狀態下測定水的靜態接觸角，以作為初期評價。
<橡皮擦耐磨性試驗>
將形成有表面處理層的玻璃水平放置，使用摩擦測試機(新東科學公司製)將已依下述條件施加荷重的橡皮擦在表面處理層的表面來回移動。來回次數(摩擦次數)每間隔2500次測定水的接觸角。試驗持續直到水的接觸角成為未達100°為止。試驗環境條件為25℃、濕度40%RH。
橡皮擦：Raber Eraser(Minoan公司製)
接地面積：6mm
移動距離(單趟)：30mm
移動速度：3,600mm/分鐘
荷重：1kg/6mm
將結果呈示於下表。下述表中「-」表示未進行測定。
[表1]
(產業上之可利用性)
本揭示之表面處理劑可適合利用在各式各樣的基材尤其是要求穿透性的光學構件表面形成表面處理層。
Claims (14)
- 一種含有氟聚醚基之矽烷化合物，係如式(1a)或式(1b)所示，RF1 α-XA-RSi β (1a) RSi γ-XA-RF2-XA-RSi γ (1b)式中：RF1在每次出現時分別獨立地為Rf1-RF-Oq-；RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；Rf1在每次出現時分別獨立地為可被1個以上的氟原子取代之C1-16烷基；Rf2為可被1個以上的氟原子取代之C1-6伸烷基；RF在每次出現時分別獨立地為2價氟聚醚基；p為0或1；q在每次出現時分別獨立地為0或1；α為1至9的整數；β為1至9的整數；γ分別獨立地為1至9的整數；XA在每次出現時分別獨立地為-(X21)s21-[(XN)-(X22)]s11-(XN)-(X21)s22-所示之基；XN表示醯胺鍵；X21分別獨立地為-R211-、或-(R211)s31-X31-(R212)s32-；R211及R212在每次出現時分別獨立地為C1-10伸烷基，該等伸烷基的氫原子可被取代； s31為0或1；s32為0或1；X31為-O-、或-NR54-；R54為氫原子、苯基或C1-6烷基；X22在每次出現時分別獨立地為-(R51)p5-(X51)q5-，X22的氫原子可被由氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基選出之1個以上的取代基取代；R51表示單鍵、-(CH2)s5-或鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；s5為1至20的整數；X51表示-(X52)l5-；X52在每次出現時分別獨立地表示由-O-、-S-、鄰伸苯基、間伸苯基、對伸苯基、-C(O)O-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-NR54-及-(CH2)n5-所組成的群組選出之基，但X52不包含醯胺鍵；R53在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；R54在每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基；m5在每次出現時分別獨立地為1至100的整數；n5在每次出現時分別獨立地為1至20的整數；l5為1至10的整數；p5為0或1；q5為0或1；在此，p5及q5之至少一者為1，標註p5或q5並以括弧括起之各重複單元的存在順序為任意；s11為1至3的整數； s21分別獨立地為0或1；s22分別獨立地為0或1；RSi在每次出現時分別獨立地為式(S1)、(S3)或(S4)所示之基；
- 如請求項1所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下述式所示之基，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-式中：a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200的整數，且a、b、c、d、e及f的和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
- 如請求項1或2所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地由下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所示；-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)式中，d為1至200的整數，e為1；-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，c、d、e及f的和為2以上，標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；-(R6-R7)g- (f3)式中，R6為OCF2或OC2F4， R7為由OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12選出之基，或是從該等基獨立選出之2或3種基的組合，g為2至100的整數；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)式中，e為1以上200以下的整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下的整數，且a、b、c、d、e及f的和至少為1，而且，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)式中，f為1以上200以下的整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下的整數，且a、b、c、d、e及f的和至少為1，而且，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
- 如請求項1或2所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，α、β及γ分別為1。
- 如請求項1或2所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，n1為3。
- 如請求項1或2所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物，其中，k1為3。
- 一種表面處理劑，係含有請求項1至6中任一項中所記載之式(1a)或式(1b)所示之至少1種含有氟聚醚基之矽烷化合物。
- 如請求項7所述之表面處理劑，更含有由含氟油、矽酮油及催化劑選出之1種以上的其他成分。
- 如請求項7或8所述之表面處理劑，更含有溶劑。
- 如請求項7或8所述之表面處理劑，係作為防污性塗布劑或防水性塗布劑使用。
- 如請求項7或8所述之表面處理劑，係用於真空蒸鍍。
- 如請求項7或8所述之表面處理劑，係用於濕潤被覆處理。
- 一種顆粒，係含有請求項7至11中任一項所述之表面處理劑。
- 一種光學構件，係含有基材、及由請求項1至6中任一項所述之含有氟聚醚基之矽烷化合物或請求項7至12中任一項所述之表面處理劑形成於該基材的表面之層。
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