TWI807657B - 一種釹鐵硼磁體及其製備方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種釹鐵硼磁體及其製備方法。該釹鐵硼磁體包含主相晶粒及其殼層和鄰接所述主相晶粒的富Nd相;所述主相晶粒包含Nd
2Fe
14B;或者,所述主相晶粒包含Nd
2Fe
14B和Pr
2Fe
14B;所述殼層包含(Nd/Dy)
2Fe
14B和/或(Nd/Tb)
2Fe
14B;所述殼層的厚度為0.1~6μm;所述富Nd相中包含R
6Fe
13B相,所述R為Nd、Pr、Dy和Tb中的一種或多種。本發明的方法有效減少了重稀土元素往主相中的擴散量,形成更薄的重稀土殼層,且能進一步優化提升磁體的高溫性能。
Description
本發明係有關一種釹鐵硼磁體及其製備方法。
目前釹鐵硼行業中優化晶界的方法很多,例如通過配方設計中添加單一低熔點元素增加流動性或提高重稀土元素來增加磁晶各向異性場,如雙合金法,該種方法通過添加高比例的Dy或Tb製備得到輔合金,與主合金分別熔煉,之後於氫破階段或氣流磨階段再根據產品性能進行配比。雖然製備得到的釹鐵硼磁體在磁學性能方面相比單合金工藝的磁學性能有所提高,但通過燒結和時效工藝,其Dy\Tb大部分會進入主相,大大降低了重稀土的利用率,造成一定的成本和資源浪費。
專利文獻CN111636035A公開了一種重稀土合金、釹鐵硼永磁材料、原料和製備方法,其通過控制Ti和/或Zr的含量和重稀土元素總量等,使Ti和/或Zr與B結合,從而避免過多的重稀土金屬與B結合,同時,其高熔點化合物為非鐵磁性相,可以在晶界起到釘紮和增加隔磁耦合作用,阻礙反磁化疇的形成,減少重稀土金屬擴散至主相的量,使磁體性能得到提升,但是這個解決方案還存在進一步優化的空間,重稀土中Dy、Tb等擴散進入主相的量依然挺大,並且這些重稀土元素在主相外沿形成的殼層厚度較深。
因此,對於雙合金法還需進一步的改進,能夠有效使得Dy、Tb等較昂貴的重稀土元素在主相周圍形成較薄的殼層,以減少重稀土元素往主相中的擴散程度。
本發明為了解決現有技術中雙合金法重稀土元素會大量擴散進入主相的問題,而提供了一種釹鐵硼磁體及其製備方法。本發明的方法有效減少了重稀土元素往主相中的擴散量,形成更薄的重稀土殼層,且能進一步優化提升磁體的高溫性能。
本發明通過以下技術方案解決上述技術問題。
本發明提供了一種釹鐵硼磁體,其包含主相晶粒及其殼層和鄰接所述主相晶粒的富Nd相;
所述主相晶粒包含Nd
2Fe
14B;或者,所述主相晶粒包含Nd
2Fe
14B和Pr
2Fe
14B;
所述殼層包含(Nd/Dy)
2Fe
14B和/或(Nd/Tb)
2Fe
14B;
所述殼層的厚度為0.1~6μm;
所述富Nd相中包含R
6Fe
13B相,所述R為Nd、Pr、Dy和Tb中的一種或多種。
本發明中,較佳地,所述殼層的厚度為0.1~5μm,進一步更佳地為0.1~4μm。
本發明中,較佳地,所述殼層佔所述釹鐵硼磁體的體積百分比為30%~60%,更佳地為45~56%,例如為45.7%、50.3%、50.78%或52.7%。
本發明中,較佳地,所述富Nd相中還包含ZrB
2和/或TiB
2。
本發明中,較佳地,所述富Nd相中還包含:含Fe、T和B的第一晶界相,其中T為Zr和/或Ti。
本發明中,較佳地,所述富Nd相中還包含:含Nd、Ga、Al、Fe和Dy第二晶界相。
本發明還提供了一種如前所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其步驟包括:
S1.分別製備得到主合金片和輔合金片;
其中,所述主合金片的原料包含:LH
1、RH
1、X
1、Y
1、Fe和B;所述LH
1為Nd或PrNd合金;所述RH
1為Tb、Dy、Ho和Gd中的一種或多種,所述X
1為Ti、Zr和Nb中的一種或多種,所述Y
1為Al、Cu、Ga和Co中的一種或多種;
所述主合金片的原料中,所述LH
1佔所述主合金片的質量百分比為25~27.5%,所述RH
1佔所述主合金片的質量百分比為0~10%,所述X
1佔所述主合金片的質量百分比為0.05~0.6%,所述Y
1佔所述主合金片的質量百分比為0.05~3.5%;所述主合金片中各元素的質量百分比之和為100%;
所述輔合金片的原料包含:RH
2、X
2和Fe;所述RH
2為Tb和/或Dy,所述X
2為Ti、Zr和Nb中的一種或多種;
所述輔合金片的原料中,所述RH
2佔所述輔合金片的質量百分比為10~85%,所述X
2佔所述輔合金片的質量百分比為0~8%;所述輔合金片中各元素的質量百分比之和為100%;
S2.將所述主合金片和所述輔合金片經氫破碎或微粉碎的混合物進行取向壓製、等靜壓處理和燒結處理,即得所述釹鐵硼材料;
所述主合金片的質量佔所述主合金片和所述輔合金片質量總量的質量百分比為82%以上,且不為100%。
S1中,本領域技術人員知曉,所述主合金片的原料中,所述PrNd合金是指Pr和Nd的合金,較佳地,Pr佔所述PrNd合金的質量百分比為0~34%,且不為0;更佳地為0~7%,且不為0。
S1中,較佳地,所述主合金片的原料中,所述LH
1佔所述主合金片的質量百分比為25~27%,例如為25.2%或26.58%。
S1中,較佳地,所述主合金片的原料中,所述RH
1佔所述主合金片的質量百分比為0~5%,且不為0,更佳地為3~5%,例如為4%、4.2%或4.4%。
S1中,較佳地,所述主合金片的原料中,所述RH
1為Dy和/或Gd。
其中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Dy時,Dy佔所述主合金片的質量百分比為4~5%,例如為4%或4.2%。
其中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Gd時,Gd佔所述主合金片的質量百分比為0~1%,例如為0.4%。
S1中,較佳地,所述主合金片的原料中,所述X
1佔所述主合金片的質量百分比為0.1~0.3%,例如為0.2%。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Zr時,Zr佔所述主合金片的質量百分比為0~0.5%,且不為0,例如為0.1%。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Ti時,Ti佔所述主合金片的質量百分比為0.05~0.3%,例如為0.2%。
S1中,較佳地,所述主合金片的原料中,所述Y
1佔所述主合金片的質量百分比為1.5~3.5%,例如為1.96%、2.09%或3.1%。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Co時,Co佔所述主合金片的質量百分比為1~3%,更佳地為1~2.5%,例如為1.19%或2.2%。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Cu時,Cu佔所述主合金片的質量百分比為0.1~0.5%,更佳地為0.2~0.3%,例如為0.21%或0.3%。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Al時,Al佔所述主合金片的質量百分比為0.05~0.7%,更佳地為0.2~0.45%,例如為0.2%、0.3%或0.43%。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Ga時,Ga佔所述主合金片的質量百分比為0.1~0.4%,更佳地為0.25~0.4%,例如為0.26%。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Cu和Ti時,Cu與Ti的質量比為(1~1.5):1。
S1中,較佳地,當所述主合金片的原料含有Ti、Cu和Al時,Ti、Cu和Al的總量佔所述主合金片的質量百分比為0.05~2%,更佳地為0.3~1.25%,進一步更佳地為0.7~0.9%,例如為0.71%或0.84%。
S1中,較佳地,所述主合金片的原料中,B佔所述主合金片的質量百分比為0.88~1.05%,更佳地為0.95~1%,例如為0.98%。
S1的一優選實施方式中,Nd的含量為26.58%;Dy的含量為4%;Co的含量為1.19%;Cu的含量為0.21%;Al的含量為0.3%;Ga的含量為0.26%;Ti的含量為0.2%;B的含量為1%;Fe的含量為66.26%;百分比是指組分在所述主合金片的原料中的質量百分比。
S1的一優選實施方式中,Nd的含量為26.58%;Dy的含量為4%;Gd的含量為0.4%;Co的含量為2.2%;Cu的含量為0.21%;Al的含量為0.43%;Ga的含量為0.26%;Ti的含量為0.2%;B的含量為1%;Fe的含量為64.72%;百分比是指組分在所述主合金片的原料中的質量百分比。
S1的一優選實施方式中,Nd的含量為25.2%;Dy的含量為4.2%;Co的含量為1.19%;Cu的含量為0.3%;Al的含量為0.2%;Ga的含量為0.4%;Zr的含量為0.1%;Ti的含量為0.2%;B的含量為0.98%;Fe的含量為67.23%;百分比是指組分在所述主合金片的原料中的質量百分比。
S1的一優選實施方式中,PrNd合金的含量為26.58%;Dy的含量為4%;Co的含量為1.19%;Cu的含量為0.21%;Al的含量為0.3%;Ga的含量為0.26%;Ti的含量為0.2%;B的含量為1%;Fe的含量為66.26%;百分比是指組分在所述主合金片的原料中的質量百分比;PrNd合金中Pr與Nd的質量比為25:75。
S1中,較佳地,所述主合金片由所述主合金片的原料經熔煉、鑄造後製得,熔煉、鑄造的操作和條件可為本領域常規。
其中,較佳地,所述主合金片的製備方法中,所述主合金片的原料的熔煉溫度為1500~1550℃。
其中,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的澆鑄的溫度較佳地為1400~1450℃。
其中,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的轉速較佳地為35~55rmp/min。
其中,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的進水溫度較佳地為30℃以下。
其中,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的出水溫度較佳地為55℃以下。
S1中,較佳地,所述輔合金片的原料中,所述RH
2佔所述輔合金片的質量百分比為35~85%,更佳地為40~60%,例如為55%。
S1中,較佳地,當所述輔合金片的原料含有Dy時,Dy佔所述輔合金片的質量百分比為40~75%,例如為55%。
S1中,較佳地,當所述輔合金片的原料含有Zr時,Zr佔所述輔合金片的質量百分比為0~8%,例如為7.3%。
S1中,較佳地,所述輔合金片的原料還包含Nd,Nd佔所述輔合金片的質量百分比為0~15%。
S1中,較佳地,所述輔合金片的原料還包含B,B佔所述輔合金片的質量百分比為0~1.5%,較佳地為0~0.9%,例如為0.4%。
S1的一優選實施方式中,所述輔合金片中,Dy的含量為55%;Zr的含量為7.3%;Fe的含量為37.7%;百分比是指組分在所述輔合金的原料中的質量百分比。
S1的一優選實施方式中,所述輔合金片中,Nd的含量為15%;Dy的含量為40%;B的含量為0.4%;Fe的含量為44.6%;百分比是指組分在所述輔合金的原料中的質量百分比。
S1中,較佳地,所述輔合金片由所述輔合金片的原料經熔煉、鑄造後製得,熔煉、鑄造的操作和條件可為本領域常規。
其中,較佳地,所述輔合金片的製備方法中,所述輔合金片的原料的熔煉溫度為1500~1550℃。
其中,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的澆鑄的溫度較佳地為1500~1550℃。
其中,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的轉速較佳地為35~55rmp/min。
其中,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的進水溫度較佳地為30℃以下。
其中,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的出水溫度較佳地為55℃以下。
S2中,較佳地,所述主合金片的質量佔所述主合金片和所述輔合金片質量總量的質量百分比為90%以上,且不為100%,更佳地為94~95%。
S2中,較佳地,將所述主合金片和所述輔合金片的混合物經氫破碎、微粉碎、取向壓製、等靜壓處理和燒結處理,即得所述釹鐵硼材料;
或者,將所述主合金片和所述輔合金片分別進行氫破碎和微粉碎,將所述主合金片和所述輔合金片經微粉碎後的細粉進行混合,再將混合後的細粉經取向壓製、等靜壓處理和燒結處理,即得所述釹鐵硼材料。
S2中,所述氫破碎、所述微粉碎、所述取向壓製、所述等靜壓處理和所述燒結處理的操作和條件可為本領域常規。
其中,所述氫破碎的脫氫溫度較佳地為540~560℃。
其中,較佳地,所述氫破碎的過程直至壓降<0.04MPa不小於10min時結束。
其中,較佳地,所述微粉碎較佳地為氣流磨。
較佳地,所述氣流磨的補氧量為0~70ppm。
其中,較佳地,所述微粉碎得到的細粉的粒徑分佈於3.5~4.5μm之間。
其中,較佳地,所述取向壓製的充磁電流控制在950A~970A,例如為960A。
其中,較佳地,所述取向壓製獲得的壓坯的壓坯密度為3.7~4.3g/cm
3,例如為4.1g/cm
3。
其中,較佳地,所述燒結處理的溫度為1025~1150℃,例如為1070~1080℃。
其中,較佳地,所述燒結處理的時間為4~10小時,例如為8小時。
其中,較佳地,所述燒結處理後進行時效處理。
較佳地,所述時效處理為一級時效和/或二級時效。所述一級時效的溫度較佳地為850~940℃,所述一級時效的時間較佳地為2~5小時。所述二級時效的溫度較佳地為420~640℃,所述二級時效的時間較佳地為2~5小時。
在符合本領域常識的基礎上,上述各優選條件,可任意組合,即得本發明各較佳實例。
本發明所用試劑和原料均市售可得。
本發明的積極進步效果在於:
本發明中,通過對於主合金片、輔合金片的原料的改進,配合各工藝條件,有效減少了重稀土元素往主相中的擴散量,形成更薄的重稀土殼層,且能進一步優化提升磁體的高溫性能。避免了傳統雙合金法中重稀土元素在主相和晶界中呈彌散分佈,使得重稀土過多浪費。
本發明一優選方式中,可將燒結後的樣品直接進行二級時效處理,其高溫性能不僅優於燒結後的樣品,也優於燒結後直接進行一級時效處理的樣品,還優於燒結後進行一級時效和二級時效的樣品。工藝上亮點在於後續有可能直接取消一級時效或二級時效工序,節約工序,大大降低工藝成本。
下面通過實施例的方式進一步說明本發明,但並不因此將本發明限制在所述的實施例範圍之中。下列實施例中未註明具體條件的實驗方法,按照常規方法和條件,或按照商品說明書選擇。
實施例1
(1)按照如表1所示的配方,將主合金片和輔合金片的原料經過熔煉、鑄造後分別製備得到主合金片和輔合金片;
其中,主合金片的熔煉溫度為1500~1550℃,鑄造的澆鑄溫度為1400~1450℃,鑄造的銅輥的轉速為35~55rmp/min,鑄造的銅輥的進水溫度≦30℃,鑄造的銅輥的出水溫度≦55℃,得到主合金片。
輔合金片的熔煉溫度為1500~1550℃,鑄造的澆鑄溫度為1500~1550℃,鑄造的銅輥的轉速為35~55rmp/min,鑄造的銅輥的進水溫度≦30℃,鑄造的銅輥的出水溫度≦55℃,得到輔合金片。
(2)氫破碎過程:將步驟(1)中的主合金片和輔合金片的混合物,在550℃下進行3小時的氫破碎處理,即得粗粉碎粉末。
(3)微粉碎處理:在氣流磨中對步驟(2)中的粗粉碎的粉末在補氧量為0~70ppm的氣氛下進行微粉碎,即得到平均粒徑為D50=3.5~4.5μm的微粉碎粉末。
(4)取向壓製過程:充磁電流控制在960A,壓製密度為4.1g/cm³。
(5)等靜壓過程。
(6)燒結過程:將步驟(5)獲得的樣品進行燒結,燒結溫度為1070~1080℃,保溫8小時。
表1 實施例1~7的原料配方
其中,“/”表示不含該組分;PrNd為質量比為25:75的PrNd合金。
實施例2
按照如表1所示的配方,步驟(1)~(6)同實施例1。將步驟(6)獲得的樣品進行一級時效,一級時效的條件為在900℃下熱處理3小時。
實施例3
按照如表1所示的配方,步驟(1)~(6)同實施例1。將步驟(6)獲得的樣品進行二級時效,二級時效的條件為在600℃下熱處理3小時。
並且,如圖1所示,對於不同的二級時效溫度進行驗證實驗,發現二級溫度由540℃~640℃變化過程中,樣品在180℃下的H
cj仍處於較為穩定的性能狀態,說明樣品對二級時效溫度敏感性較低,有利於穩定批量生產,能夠避免溫度對其性能的干擾。
實施例4
按照如表1所示的配方,步驟(1)~(6)同實施例1。將步驟(6)獲得的樣品進行一級時效和二級時效。一級時效的條件為在900℃下熱處理3小時;二級時效的條件為在600℃下熱處理3小時。
實施例5
按照如表1所示的配方,步驟(1)~(6)同實施例1。
實施例6
按照如表1所示的配方,步驟(1)~(6)同實施例1。
實施例7
按照如表1所示的配方,步驟(1)~(6)同實施例1。
對比例1
(1)按照如表2所示的配方,將主合金片的原料經過熔煉、鑄造後製備得到主合金片;
其中,主合金片的熔煉溫度為1500~1550℃,鑄造的澆鑄溫度為1400~1450℃,鑄造的銅輥的轉速為50rmp/min,鑄造的銅輥的進水溫度≦30℃,鑄造的銅輥的出水溫度≦55℃,得到主合金片。
(2)氫破碎過程:室溫下,將步驟(1)中的主合金片在550℃下進行3小時的氫破碎處理,即得粗粉碎粉末。
(3)微粉碎處理:在氣流磨中對步驟(2)中的粗粉碎的粉末在補氧量為0~70ppm的氣氛下進行微粉碎,即得到平均粒徑為D50=3.5~4.5μm的微粉碎粉末。
(4)取向壓製過程:充磁電流控制在960A,壓製密度為4.1g/cm³。
(5)等靜壓過程。
(6)燒結過程:將步驟(5)獲得的樣品採用惰性氣體氣氛燒結,燒結溫度為1025~1150℃保溫8小時。
(7)將步驟(6)獲得的樣品進行一級時效和二級時效。一級時效的條件為在900℃下熱處理3小時;二級時效的條件為在600℃下熱處理3小時。
對比例2
按照如表2所示的配方,輔合金片的熔煉溫度為1380~1420℃,鑄造的澆鑄溫度:1340~1360℃,銅輥轉速26.8~27.2rmp/min;鑄造的銅輥的進水溫度≦30℃,鑄造的銅輥的出水溫度≦55℃。
燒結過程的燒結溫度為1060~1070℃。一級時效的條件為895~905℃下熱處理3小時;二級時效的條件為485~495℃下熱處理3小時。
其餘工藝參數均與對比例1相同。
對比例3
按照如表2所示的配方,步驟(1)~(7)同對比例2。
表2 對比例1~3的原料配方
其中,“/”表示不含該組分;PrNd為質量比為25:75的PrNd合金。
效果實施例
磁性能測試:釹鐵硼磁體使用中國計量院的PFM14.CN成型型超高矯頑力永磁測量儀進行磁性能檢測。各實施例和對比例測得的結果如表3~5所示。
表3實施例3、5~7和對比例1~3的微觀結構參數和磁學性能比較
由表3可見,本發明能夠有效減少重稀土元素往主相中的擴散量,使得重稀土元素在主相周圍形成較薄的殼層,且獲得的釹鐵硼磁體高溫性能優異。
實施例7中由於Pr元素的添加,在常溫下能夠有助於提升矯頑力,但在高溫環境中,熱穩定性會不如輕稀土元素中僅加入Nd元素的樣品。
表4 20℃下對比例1~3和實施例1~4的磁學性能比較
表5 180℃下對比例1~3和實施例1~4的磁學性能比較
通過表4~5數據對比,發現本發明相比於傳統工藝(例如對比例3~5),能夠在節約質量百分比為0.9~1.5%重稀土元素的情況下,直接進行二級時效工藝,其常溫性能相近,且高溫180℃下的H
cj和β(H
cj)明顯優於傳統工藝,具有優異的高溫特性。
如圖2和表6所示,為實施例3的EPMA圖和重稀土殼層的厚度結果。
表6 實施例3的重稀土殼層厚度
雖然以上描述了本發明的具體實施方式,但是本領域的技術人員應當理解,這僅是舉例說明,本發明的保護範圍是由所附發明申請專利範圍限定的。本領域的技術人員在不背離本發明的原理和實質的前提下,可以對這些實施方式做出多種變更或修改,但這些變更和修改均落入本發明的保護範圍。
無
圖1為實施例3中樣品在經過不同二級時效溫度處理後於180℃下H
cj性能變化。
圖2為實施例3的EPMA圖。
Claims (11)
- 一種釹鐵硼磁體,其特徵在於,其包含主相晶粒及其殼層和鄰接所述主相晶粒的富Nd相;所述主相晶粒包含Nd2Fe14B;或者,所述主相晶粒包含Nd2Fe14B和Pr2Fe14B;所述殼層包含(Nd/Dy)2Fe14B和/或(Nd/Tb)2Fe14B;所述殼層的厚度為0.1~6μm;所述富Nd相中包含R6Fe13B相,所述R為Nd、Pr、Dy和Tb中的一種或多種。
- 如請求項1所述的釹鐵硼磁體,其特徵在於,所述殼層的厚度為0.1~5μm;和/或,所述殼層佔所述釹鐵硼磁體的體積百分比為30%~60%;和/或,所述富Nd相中還包含ZrB2和/或TiB2;和/或,所述富Nd相中還包含:含Fe、T和B的第一晶界相,其中T為Zr和/或Ti;和/或,所述富Nd相中還包含:含Nd、Ga、Al、Fe和Dy第二晶界相。
- 一種如請求項1或2所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,其步驟包括:S1.分別製備得到主合金片和輔合金片;其中,所述主合金片的原料包含:LH1、RH1、X1、Y1、Fe和B;所述LH1為Nd或PrNd合金;所述RH1為Tb、Dy、Ho和Gd中的一種或多種,所 述X1為Ti、Zr和Nb中的一種或多種,所述Y1為Al、Cu、Ga和Co中的一種或多種;所述主合金片的原料中,所述LH1佔所述主合金片的質量百分比為25~27.5%,所述RH1佔所述主合金片的質量百分比為0~10%,所述X1佔所述主合金片的質量百分比為0.05~0.6%,所述Y1佔所述主合金片的質量百分比為0.05~3.5%;所述主合金片中各元素的質量百分比之和為100%;所述輔合金片的原料包含:RH2、X2和Fe;所述RH2為Tb和/或Dy,所述X2為Ti、Zr和Nb中的一種或多種;所述輔合金片的原料中,所述RH2佔所述輔合金片的質量百分比為35~85%,所述X2佔所述輔合金片的質量百分比為0~8%;所述輔合金片中各元素的質量百分比之和為100%;S2.將所述主合金片和所述輔合金片經氫破碎或微粉碎的混合物進行取向壓製、等靜壓處理和燒結處理,即得所述釹鐵硼材料;所述主合金片的質量佔所述主合金片和所述輔合金片質量總量的質量百分比為82%以上,且不為100%。
- 如請求項3所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,S1中,所述主合金片的原料中,Pr佔所述PrNd合金的質量百分比為0~34%,且不為0;和/或,S1中,所述主合金片的原料中,所述LH1佔所述主合金片的質量百分比為25~27%;和/或,S1中,所述主合金片的原料中,所述RH1佔所述主合金片的質量百分比為0~5%,且不為0; 和/或,S1中,所述主合金片的原料中,所述RH1為Dy和/或Gd;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Dy時,Dy佔所述主合金片的質量百分比為4~5%;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Gd時,Gd佔所述主合金片的質量百分比為0~1%;和/或,S1中,所述主合金片的原料中,所述X1佔所述主合金片的質量百分比為0.1~0.3%;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Zr時,Zr佔所述主合金片的質量百分比為0~0.5%,且不為0;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Ti時,Ti佔所述主合金片的質量百分比為0.05~0.3%;和/或,S1中,所述主合金片的原料中,所述Y1佔所述主合金片的質量百分比為1.5~3.5%;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Co時,Co佔所述主合金片的質量百分比為1~3%;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Cu時,Cu佔所述主合金片的質量百分比為0.1~0.5%;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Al時,Al佔所述主合金片的質量百分比為0.05~0.7%;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Ga時,Ga佔所述主合金片的質量百分比為0.1~0.4%; 和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Cu和Ti時,Cu與Ti的質量比為(1~1.5):1;和/或,S1中,當所述主合金片的原料含有Ti、Cu和Al時,Ti、Cu和Al的總量佔所述主合金片的質量百分比為0.05~2%;和/或,S1中,所述主合金片的原料中,B佔所述主合金片的質量百分比為0.88~1.05%。
- 如請求項4所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,所述主合金片中,Nd的含量為26.58%;Dy的含量為4%;Co的含量為1.19%;Cu的含量為0.21%;Al的含量為0.3%;Ga的含量為0.26%;Ti的含量為0.2%;B的含量為1%;Fe的含量為66.26%;百分比是指組分在所述主合金片的原料中的質量百分比;或者,所述主合金片中,Nd的含量為26.58%;Dy的含量為4%;Gd的含量為0.4%;Co的含量為2.2%;Cu的含量為0.21%;Al的含量為0.43%;Ga的含量為0.26%;Ti的含量為0.2%;B的含量為1%;Fe的含量為64.72%;百分比是指組分在所述主合金片的原料中的質量百分比;或者,所述主合金片中,Nd的含量為25.2%;Dy的含量為4.2%;Co的含量為1.19%;Cu的含量為0.3%;Al的含量為0.2%;Ga的含量為0.4%;Zr的含量為0.1%;Ti的含量為0.2%;B的含量為0.98%;Fe的含量為67.23%;百分比是指組分在所述主合金片的原料中的質量百分比;或者,所述主合金片中,PrNd合金的含量為26.58%;Dy的含量為4%;Co的含量為1.19%;Cu的含量為0.21%;Al的含量為0.3%;Ga的含量為0.26%;Ti的含量為0.2%;B的含量為1%;Fe的含量為66.26%;百分比是指 組分在所述主合金片的原料中的質量百分比;PrNd合金中Pr與Nd的質量比為25:75。
- 如請求項3所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,S1中,所述輔合金片的原料中,所述RH2佔所述輔合金片的質量百分比為40~60%;和/或,S1中,當所述輔合金片的原料含有Dy時,Dy佔所述輔合金片的質量百分比為40~75%;和/或,S1中,當所述輔合金片的原料含有Zr時,Zr佔所述輔合金片的質量百分比為0~8%;和/或,S1中,所述輔合金片的原料還包含Nd,Nd佔所述輔合金片的質量百分比為0~15%;和/或,S1中,所述輔合金片的原料還包含B,B佔所述輔合金片的質量百分比為0~1.5%。
- 如請求項6所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,所述輔合金片中,Dy的含量為55%;Zr的含量為7.3%;Fe的含量為37.7%;百分比是指組分在所述輔合金的原料中的質量百分比;或者,所述輔合金片中,Nd的含量為15%;Dy的含量為40%;B的含量為0.4%;Fe的含量為44.6%;百分比是指組分在所述輔合金的原料中的質量百分比。
- 如請求項3所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,S1中,所述主合金片由所述主合金片的原料經熔煉、鑄造後製得;或者,所述輔合金片由所述輔合金片的原料經熔煉、鑄造後製得; 和/或,所述主合金片的製備方法中,所述主合金片的原料的熔煉溫度為1500~1550℃;和/或,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的澆鑄的溫度為1400~1450℃;和/或,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的轉速為35~55rmp/min;和/或,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的進水溫度為30℃以下;和/或,所述主合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的出水溫度為55℃以下;和/或,所述輔合金片的製備方法中,所述輔合金片的原料的熔煉溫度為1500~1550℃;和/或,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的澆鑄的溫度為1500~1550℃;和/或,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的轉速為35~55rmp/min;和/或,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的進水溫度為30℃以下;和/或,所述輔合金片的製備方法中,所述鑄造的銅輥的出水溫度為55℃以下。
- 如請求項3所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,所述主合金片的質量佔所述主合金片和所述輔合金片質量總量的質量百分比為90%以上,且不為100%;和/或,S2中,將所述主合金片和所述輔合金片的混合物經氫破碎、微粉碎、取向壓製、等靜壓處理和燒結處理,即得所述釹鐵硼材料;或者,將所述主合金片和所述輔合金片分別進行氫破碎和微粉碎,將所述主合金片和所述輔合金片經微粉碎後的細粉進行混合,再將混合後的細粉經取向壓製、等靜壓處理和燒結處理,即得所述釹鐵硼材料。
- 如請求項9所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,所述氫破碎的脫氫溫度為540~560℃;和/或,所述氫破碎的過程直至壓降<0.04MPa不小於10min時結束;和/或,所述微粉碎為氣流磨;和/或,所述微粉碎得到的細粉的粒徑分佈於3.5~4.5μm之間;和/或,所述取向壓製的充磁電流控制在950A~970A;和/或,所述取向壓製獲得的壓坯的壓坯密度為3.7~4.3g/cm3;和/或,所述燒結處理的溫度為1025~1150℃;和/或,所述燒結處理的時間為4~10小時;和/或,所述燒結處理後進行時效處理。
- 如請求項10所述的釹鐵硼磁體的製備方法,其特徵在於,所述時效處理為一級時效和/或二級時效;和/或,所述一級時效的溫度為850~940℃,所述一級時效的時間為2~5小時; 和/或,所述二級時效的溫度為420~640℃,所述二級時效的時間為2~5小時。
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