TWI804464B - 非均勻相催化劑製程及鎳催化劑 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於非均勻相催化劑及其製造及使用之方法。在各種實施例中，本發明提供一種製造包括粒子鎳金屬(Ni(0))之一氫化催化劑之方法。該方法包括在包括氧化成分之一氛圍中煅燒第一含鎳(II)粒子以產生第二含鎳(II)粒子。該方法亦包括在一還原氛圍中還原該等第二含鎳(II)粒子，同時在約275℃至約360℃下將該等第二含鎳(II)粒子旋轉或轉動持續足以產生該粒子鎳金屬(Ni(0))之一時間，其中該粒子鎳金屬(Ni(0))係自由流動的。

Description

非均勻相催化劑製程及鎳催化劑
Raney之美國專利1,628,190揭示較高表面積海綿鎳，其在業界中亦已知為海綿鎳催化劑。各種級別之較高表面積海綿鎳催化劑係由Maryland, Columbia之W. R. Grace以商品名「Raney® 」鎳出售。海綿鎳催化劑通常藉由將鎳溶解在熔融鋁中且接著用諸如NaOH之強鹼水溶液將鋁濾取掉來製備。可在製造期間的不同時間點下添加其他金屬以針對特定最終用途調適成品催化劑之催化活性。 在如'190 Raney專利中教示之海綿鎳之情況下，當起始物質係液體鋁且萃取溶劑係氫氧化鈉水溶液時，難以獲得基本上不含鋁及鈉之海綿鎳催化劑。 鎳之還原描述於若干參考文獻中，諸如美國專利第3,793,005號、美國專利第3,656,934號、美國專利第2,000,171號及Rhamdhani等人, Proc. Eur. Metal. Conf. 第899-913頁(2009)。然而，由於雜質、粒子聚結、還原期間採用之高溫及其他因素，此類方法不提供用於製造鎳催化劑之最佳鎳金屬粒子。 細微粉碎鎳粒子亦可為需要的，尤其對於流化床操作。但朝向製造活性鎳處理細微粉碎鎳源材料係一種困難的製程，因為此類精細粒子通常係黏著的。另外，鎳粒子可在低至200℃之溫度下燒結。(P. Compo等人, Powder Technology, 51: 85 - 101 (1987)；B. B. Panigrahi等人, Science of Sintering, 39: 25 - 29 (2007))。在流體化床反應器中生產活性鎳需要其他步驟及謹慎監測以使歸因於粒子之間的吸引之黏著力之此燒結及聚結現象減至最小。此在先前已藉由添加一定量之蒸汽至製程(參見，較早申請之美國專利第20130144079號)及藉由調整其他變數來完成。然而，流體化床/蒸汽處理技術存在若干漸漸損害其效用之限制，諸如在存在蒸汽時可用之低量氫，及歸因於蒸汽之存在而產生的鎳之品質。
本發明描述可藉由還原鎳(II)生產以在高純度下形成相對較高表面積鎳之氫化催化劑。另外揭示的係可實質上不含鋁及鈉中之一或多者之較高表面積鎳金屬。 在各種實施例中，本發明提供一種製造包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑之方法。該方法包括在包括氧化成分之氛圍中煅燒第一含鎳(II)粒子以產生第二含鎳(II)粒子。該方法包括在還原氛圍中還原第二含鎳(II)粒子，同時在約275℃至約360℃下將第二含鎳(II)粒子旋轉或轉動足以產生粒子鎳金屬(Ni(0))之一時間，其中粒子鎳金屬(Ni(0))係自由流動的。 在各種實施例中，本發明提供一種包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑，該粒子鎳金屬藉由一種方法形成，該方法包括在包括氧化成分之氛圍中煅燒第一含鎳(II)粒子以產生第二含鎳(II)粒子。該方法亦包括在還原氛圍中還原第二含鎳(II)粒子，同時在約275℃至約360℃下將第二含鎳(II)粒子旋轉或轉動足以產生粒子鎳金屬(Ni(0))之一時間，其中粒子鎳金屬(Ni(0))係自由流動的。 在各種實施例中，本發明提供一種包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑。非均勻相催化劑包括經氫還原之含鎳(II)粒子。 在各種實施例中，本發明提供一種包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑。非均勻相催化劑之BET比表面積係至少約1 m2 /g。至少10%之非均勻相催化劑之粒子之粒徑(D10)不大於約6 µm。非均勻相催化劑具有小於約1 wt%之鋁含量。 在各種實施例中，本發明提供一種包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑，該非均勻相催化劑包括鎳微晶。非均勻相催化劑之BET比表面積為至少約1 m2 /g。至少10%之鎳微晶之大小(C10)小於約20 nm。鎳微晶之平均微晶大小不大於約100 nm。鎳微晶大小分佈跨距大於約1.0。 在各種實施例中，本發明提供一種非均勻相之方法，該方法包括使起始物質與包括本文中所揭示之粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑之一實施例在足以氫化起始物質之條件下接觸。 在各種實施例中，與其他非均勻相催化劑、其製造方法及其使用方法相比，本發明具有某些優勢，該等優勢中之至少一些係未預期的。所揭示的係包括可在旋轉處理器中製得之鎳金屬(Ni(0))的非均勻相催化劑。催化劑可為在不添加水或蒸汽之情況下製得之自由流動鎳金屬粉末。在各種實施例中，該等方法可利用更高濃度之還原劑，更快速操作及製造具有經改良反應性之鎳金屬，諸如與藉由依賴於流體化床反應器及使用蒸汽之方法生產之彼鎳金屬相比。如本文中所描述之鎳金屬粉末可為自由流動的，此不僅使得操作更容易而且改良材料之反應性。 與諸如海綿鎳催化劑之其他鎳催化劑相比，所揭示非均勻相催化劑並不需要使用較高pH溶液(諸如NaOH或KOH水溶液)對氧化鋁進行萃取。因此，在各種實施例中，本發明之非均勻相催化劑實質上可不具有諸如鋁、鈉、鉀或其組合之雜質。在各種實施例中，與諸如海綿鎳催化劑之其他鎳催化劑相比，本發明之非均勻相催化劑可具有較少雜質，諸如，鋁、鈉、鉀或其組合。在各種實施例中，與在相同條件下所使用之其他非均勻相催化劑(諸如，海綿鎳催化劑)相比，包含所揭示非均勻相催化劑之氫化催化劑可具有更高氫化活性(例如，以較高速率氫化)。在各種實施例中，本發明之非均勻相催化劑可為具有相對較小物理尺寸及較高表面積之緊密控制組合物。 在各種實施例中，與諸如海綿鎳催化劑之其他鎳催化劑相比，本發明之非均勻相催化劑可以較少鎳鋁合金或不使用鎳鋁合金經生產。在各種實施例中，與諸如海綿鎳催化劑之其他鎳催化劑相比，本發明之非均勻相催化劑可以較少苛性萃取或無苛性提取經生產。
如本文中所使用，「聚結(agglomeration/to agglomerate)」意謂粒子彼此黏附。聚結粒子之間的黏著力可使得粒子不能容易地自聚結物分離。在一些情況下，聚結粒子燒結在一起。易碎聚結粒子不燒結在一起且可粉碎以形成可用粒子，例如，當平緩地滾揉或平緩地壓碎易碎聚結物時。 BET表面積或氣體吸收量測技術可用於量測存在於樣本中之粒子之表面積及孔隙率。吸附物氣體之分子在真空室內之控制條件下物理吸附至粒子表面，包括任何孔隙或微晶之表面上。舉例而言，BET比表面積(BET SSA)可藉由在105℃至200℃下於真空中對樣本除氣隔夜之後使用Tristar 3000氮吸附儀器觀測氮吸附來量測。可使用0.05至0.3 P/P0 之分壓範圍進行多點BET量測。吸附等溫線可藉由量測隨引入至腔室中之氣體體積而變化之樣本上方之氣體壓力來獲得。吸附等溫線之線性區域可隨後用於使用BET理論測定形成跨越可用粒子表面積之單層所需的氣體體積，其如藉由以下方程式描述：
Figure 02_image001
其中ν為氣體體積，P為壓力，P0 為飽和壓力，νm 為形成單層所需的氣體體積且c為BET常數。繪製相對壓力φ (=P/P0 )且體積允許自線之梯度及截距測定單層體積。 比率BET SSA/C50提供不依賴於微晶幾何形狀之值。對於一組樣本所獲得之值可與如本文所定義之「鎳活性」相關，且已發現活性與BET SSA/C50之間的合理線性相關性，如本文中所論述。 雷射繞射比表面積(LD SSA)及粒徑分佈(PSD)可藉由Mastersizer 2000粒徑分析儀(例如，來自Malvern Instruments Ltd，使用Hydro 2000MU附件且使用水作為分散劑)量測。具有以微米量測之某一波長之光被較小大小粒子繞射。繞射角將視呈現之大小範圍而定。以下方程式可用於報導比表面積(SSA)：
Figure 02_image003
其中Vi為具有di 之平均級直徑之i級之相對體積，ρ為材料密度，且D[3,2]為表面積加權平均直徑。此計算可在雷射繞射系統軟體內自動進行。LD SSA提供快速估算粒子表面積之方法。在進行此計算中，通常假設粒子實質上為球形、固體球體。 「微晶」係在局部結晶次序之粒子內之區域。每一活性鎳金屬(Ni(0))粒子包含大量微晶。 如本文中所使用，術語「微晶大小」係指可能不規則成形微晶之平均直徑。可量測微晶大小作為微晶(例如)沿微晶主要尺寸之直徑，或作為微晶體積之立方根。可藉由x射線繞射(XRD)分析使用在此項技術中可用的程序及設備來測定微晶大小。「平均微晶大小(average crystallite size或mean crystallite size)」係指一群如上文所定義之微晶大小之平均(average/mean)值。平均微晶大小亦可定義為包含多個微晶之樣本之平均體積之立方根，且假設所有微晶具有相同大小及形狀。對於大小之分佈，平均大小可定義為個別微晶體積之立方根的平均值或個別微晶之體積之平均值的立方根。 術語「C10」為鎳金屬(Ni(0))粒子中之微晶大小之量測值，且係指最少10%之微晶在鎳金屬(Ni(0))粒子中具有之最大直徑(例如，以奈米為單位)。術語「C50」亦係鎳金屬(Ni(0))粒子中之微晶大小之量測值，且係指其中主體樣本中之50% Ni微晶具有小於所陳述值之大小的直徑(大小)。C50值在本文中亦被稱為平均微晶大小(MCS)。術語「C90」亦係鎳金屬(Ni(0))粒子中之微晶大小之量測值，且係指其中主體樣本中之90% 鎳微晶具有小於所陳述值之大小的直徑(大小)。Cx係微晶之大小，對此x%之樣本具有較小大小。可使用X射線繞射(XRD)來量測微晶大小。 如本文中所使用，術語「微晶大小分佈跨距」係指表示如(C90至C10)/C50所定義之微晶大小之散佈的統計值。 如本文中所使用之術語「表面微晶」係指含於粒子內之微晶，但其中微晶之一部分係暴露於圍繞粒子之環境。為計算BET SSA/微晶大小比率，可使用針對球形微晶之方程式BET SSA/4π(C50/2)2 及針對立方體微晶(立方體之截面)之方程式BET SSA/C502 。 如本文中所使用之術語表面微晶「邊緣」係指微晶之並非平坦表面之彼等表面部分。 儘管微晶形狀通常係不規則的，但形狀可通常描述為正球形、立方體、四面體、八面體或平行六面體，諸如，針或板、稜柱或圓柱體。謝樂(Scherrer)分析之大部分應用假設球形微晶形狀。若從另一分析已知平均微晶形狀，則對於謝樂常數K可選擇適當值。可藉由異向性峰加寬來識別異向性峰形狀，若微晶之尺寸係2x * 2y * 200z，則應更加寬(h00)峰及(0k0)峰接著加寬(00l)峰。另外，參見在此網站：clays.org/journal/archive/volume%2047/47-6-742.pdf, 如M.Crosa等人公開(1999), 「Determination of Mean Crystallite Dimensions from X-Ray Diffraction Peak Profiles: A Comparative Analysis of Synthetic Hematites」,Clays and Clay Materials , 47(6), 742-747處之論述及其中所含之參考文獻，該等參考文獻及所引用之參考文獻均以其全文引用之方式併入本文中。每單位質量之微晶之平均數目表述為每公克鎳之微晶之數目形式，且陳述在進行計算中之對於微晶形狀進行的任何假設。 術語「D10」係鎳金屬(Ni(0))粒子中之粒徑之量測值，且係指最少10%之鎳金屬(Ni(0))粒子具有之最大直徑(例如，以微米為單位)。 「Ni粒子」係離散粒子或聚結粒子，通常可見於掃描電子顯微照片中。 如本文中所使用，術語「粒徑」係指可能不規則成形粒子之平均直徑。可藉由用來自Malvern Instruments Ltd之Mastersizer 2000粒度分析儀使用Hydro 2000MU附件及使用水作為分散劑之量測來測定此類粒徑，如在此項技術中眾所周知的。「平均粒徑(average particle size或mean particle size)」係指對於一群如上文所定義之粒徑之平均(average/mean)值。對於低於100微米至200微米之大小，可使用雷射繞射技術來量測平均粒徑。 「實質上球形」係指實質上圍繞中心點對稱之粒子或微晶。舉例而言，儘管實質上球形粒子或微晶之自中心點至表面之距離(半徑)可變化，但此變化並非如此大或如此可預測以使得實質上球形粒子或微晶之形狀將更準確地定義為另一幾何形狀(例如，替代球體定義為立方體)。在一些實施例中，實質上球形粒子或微晶可具有變化在約高至約25%、或高至約20%、或高至約15%、或高至約10%、或高至約5%之半徑。在一些實施例中，實質上球形粒子或微晶在某種程度上可為球形。舉例而言，實質上球形粒子或微晶可為半球形、或為球體之四分之一。可將實質上球形微晶與粒子或另一微晶融合使得實質上球形微晶係來自粒子或其他微晶之部分地、實質上球形投影。因此，與粒子或另一微晶融合之部分實質上球形微晶可為球體之約25%至約95%，或在球體之25%與95%之間的任何百分比。 謝樂方法(使用半高全寬，FWHM，方法)給出平均四次冪根與厚度之平均方根值之比率。斯托克(Stokes)及威爾遜(Wilson)方法(使用積分寬度)測定垂直於反射平面量測之微晶之厚度的體積平均值。差異方法給出微晶總體積與其在平行於反射平面之平面上之投影之總面積的比率。 除非另外特定陳述(例如，作為體積%)，展示為%或ppm (百萬分之一)之所有值均意欲為按重量計。換言之，(除非另外指定，否則)數值百分比或數值百萬分之一為按該總組合物之重量計的數值百分比或數值百萬分之一。第一含鎳 ( II ) 粒子及第二含鎳 ( II ) 粒子。 可自其製備包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑之合適的第二含鎳(II)粒子包括(例如)選自以下中之任一者之彼等：鹼性碳酸鎳、氧化鎳、碳酸鎳、碳酸氫鎳、草酸鎳、甲酸鎳、方酸鎳、氫氧化鎳及其組合。其他第二鎳(II)粒子包括硝酸鎳、氰酸鎳及硫酸鎳。許多含鎳(II)粒子潛在地適用。 第二含鎳(II)粒子可藉由還原劑(例如，氫氣)在適中溫度下直接還原成粒子鎳金屬(Ni(0))。此類直接方法被稱為一步法。替代地，第一含鎳(II)粒子可首先經受煅燒(此移除諸如二氧化碳及水之揮發性組分)以形成第二含鎳(II)粒子(其接著可在含有還原劑(例如，氫氣)之氛圍內在適中溫度下被還原)。 首先經受煅燒之第一含鎳(II)粒子可包括鹼性碳酸鎳、氧化鎳、碳酸鎳、碳酸氫鎳、草酸鎳、甲酸鎳、方酸鎳、氫氧化鎳、硝酸鎳、氰酸鎳、硫酸鎳及其組合。第一含鎳(II)粒子之煅燒可產生第二含鎳(II)粒子。當在還原之前進行煅燒時，方法被稱作兩步法。 在煅燒步驟中釋放二氧化碳之鎳(II)粒子適用作用於製造鎳金屬之第一含鎳(II)粒子。包括大量鹼性碳酸鎳、氫氧化鎳、碳酸鎳及/或氧化鎳之第一含鎳(II)粒子尤其適用。如本文中所使用，鹼性碳酸鎳包括無機化合物，諸如鎳及碳酸鹽。舉例而言，鹼性碳酸鎳可為Ni4 CO3 (OH)6 ·4H2 O或其可包括更簡單的碳酸鹽，諸如NiCO3 及其水合物(例如，NiCO3 ·4H2 O、NiCO3 ·6H2 O及其類似者)。鹼性碳酸鎳可藉由以下化學式來描述： [Niz (CO3 )x (OH)y ] · n(H2 O)， 其中x = z - y / 2；y = 2 z - 2 x；z = 1至100；且n = 0至400。 因此，鹼性碳酸鎳(BNC)可用作經處理以產生鎳金屬之第二含鎳(II)粒子或可包括於其中。 鹼性碳酸鎳為可商購的。不同來源之鎳(II)粒子可具有不同組成。舉例而言，鹼性碳酸鎳可獲自MetChem Corporation (此材料之美國經銷商)。根據供應商，MetChem鹼性碳酸鎳係藉由自包括鎳、氨、碳酸銨及水之水溶液沈澱鹼性碳酸鎳來產生。鎳來自包括鎳之礦石。因此，MetChem鹼性碳酸鎳可包括至少一個選自由以下各者組成之群的元素：鋁、鈣、鈷、銅、鐵、鎂、錳、鈉、硫及鋅。MetChem鹼性碳酸鎳之一種樣本具有表1中示出的化學分析。 表1. 對MetChem鹼性碳酸鎳粉末之分析。
Figure 106113393-A0304-0001
 不同來源之含鎳(II)粒子可具有如上表1中所說明之不同污染物。舉例而言，含鎳(II)粒子可具有小於10 wt%雜質，7 wt%、5 wt%、4 wt%、3 wt%、2 wt%、1 wt%、0.7 wt%、0.6 wt%、0.5 wt%、0.4 wt%、0.3 wt%、0.2 wt%、0.1 wt%、0.07 wt%、0.05 wt%、0.03 wt%或小於0.01 wt%雜質。 舉例而言，本文中所描述之方法中採用之第一含鎳(II)粒子或第二含鎳(II)粒子可具有小於100 ppm鈷、小於100 ppm銅、小於100 ppm鐵、小於100 ppm鋅、小於100 ppm鎂、小於100 ppm鈣及小於100 ppm鈉。在一些情況下，本文中所描述之方法中採用之第一含鎳(II)粒子或第二含鎳(II)粒子具有小於75 ppm鈷、小於30 ppm銅、小於75 ppm鐵、小於30 ppm鋅、小於75 ppm鎂、小於750 ppm鈣及小於75 ppm鈉。 不同商業來源或批次之含鎳(II)材料亦可包括不同量之水及/或二氧化碳。一些類型之含鎳(II)材料在煅燒期間比其他材料更易於釋放二氧化碳。若殘餘二氧化碳殘留在含鎳(II)粒子中，則還原步驟可能不產生最佳含鎳(II)粒子產物或最佳鎳金屬(Ni(0))產物。一般而言，在還原期間釋放大量二氧化碳之含鎳(II)材料產生反應不佳之鎳金屬。因此，煅燒在足以釋放二氧化碳之溫度下進行，且進行煅燒直至不再自鎳(II)粒子釋放二氧化碳。在還原後，鎳金屬(Ni(0))產物具有改良之反應性。 鹼性碳酸鎳為含鎳(II)粒子之適用來源。然而，可能需要製造鹼性碳酸鎳而非自商業來源獲得其以避免雜質及處理中之不一致。鹼性碳酸鎳之組成可藉由使用選擇之反應物及製造條件製造鹼性碳酸鎳來控制。 合適的鹼性碳酸鎳可藉由自包括鎳(II)、碳酸根陰離子及水之水溶液沈澱鹼性碳酸鎳(II)產生。舉例而言，鹼性碳酸鎳可藉由自至少一種選自由以下各者組成之群的水溶液沈澱其產生：(1)包括鎳(II)、氨、碳酸銨及水之水溶液；(2)包括鎳(II)、碳酸根陰離子及水之水溶液；及(3)包括鎳(II)、碳酸氫根陰離子及水之水溶液。 鹼性碳酸鎳組合物可藉由在沈澱反應器中添加沈澱劑溶液至鎳溶液以形成反應混合物；及自反應混合物沈澱鎳組合物製得，其中鎳溶液包括鎳(II)離子及水。沈澱劑溶液可選自由以下各者組成之群：(a)碳酸氫根離子及水，(b)碳酸根離子及水及(c)其混合物。在添加沈澱劑溶液之後的反應混合物中之碳酸氫根離子與鎳離子之莫耳比可在0.1:1至2:1範圍內。碳酸氫鹽及碳酸鹽之摻合物亦可用於沈澱劑溶液。製備及使用鹼性碳酸鎳之其他資訊可在2010年12月15日申請且公開為WO/2011/075496之PCT/US2010/060388及亦在2010年12月15日申請且公開為WO/2011/075494之PCT/US2010/060381中獲得，兩個專利皆明確以其全文引用的方式併入本文中。具有可預測及實質上均勻煅燒及還原特性之高純度鹼性碳酸鎳可因此產生。 煅燒及還原可在相同反應器中進行。先前，認為反應器應對於煅燒及還原提供實質上均勻條件以使得溫度在整個反應器中實質上均勻，氛圍(例如，還原劑)分散在整個反應器中且鎳(II)粒子均勻地暴露於該氛圍。然而，此類均勻性未必為所需的。平緩地翻轉鎳(II)粒子使得粒子床之表面上之粒子與新鮮還原劑接觸而粒子床體內之粒子稍後與還原劑接觸可出人意料地提供改良之產物。此類平緩混合避免在整個粒子床中之放熱還原之熱點，其使粒子燒結最小化。諸如旋轉處理器之平緩混合反應器提供此類條件。鎳(II)粒子之煅燒及還原可在同一平緩混合反應器中進行。基於產生自由流動鎳金屬(Ni(0))粒子之目標，此類平緩混合反應器中之還原可比諸如流體化床反應器之其他反應器中之還原更有效。因此，本文中所描述之方法有利地在平緩混合反應器(例如旋轉處理器)中進行。 在圖1中說明用於形成鎳金屬(Ni(0))粉末之方法之一實施例。氣相(例如，包括氧化成分之氛圍或還原氛圍)可以逆流方式在鎳固相(例如，第一含鎳(II)粒子或第二含鎳(II)粒子)上方流動或流經其。此類逆流流動模式意謂兩個或多於兩個反應相沿彼此相對之方向行進。在其他實施例中，兩個相之間的接觸可以並流流動模式出現。並流流動模式意謂兩個或多於兩個反應相沿彼此相同之方向行進。接觸之其他流動模式可包括(但不限於)噴射流、交叉流、上流、下流、層流、擾流、薄膜流、分散流、循環流及其組合。 可將第一含鎳(II)粒子饋入或置放於旋轉反應器內，該旋轉反應器旋轉粒子以在流經處理器之氛圍下與鎳(II)接觸。對於煅燒，流經處理器之氛圍可為含有視情況在惰性載氣中之一或多種氧化成分之氣體。舉例而言，煅燒氛圍可包括在諸如氮氣、氬氣、氦氣或其組合之載體中之空氣、氧氣、臭氧或其組合。空氣為廉價且有效之煅燒氛圍。煅燒第一含鎳(II)粒子產生具有已移除揮發性組分之第二含鎳(II)粒子。第二含鎳(II)粒子隨後可還原成鎳金屬(Ni(0))。在還原期間，氛圍含有還原劑，諸如氫氣、甲烷、高碳烴、氨、合成氣體(H2 /CO)或其混合物。 在一個實施例中，煅燒排出氣體可藉由諸如旋風器分離、冷凝乾燥、膜分離、吸收洗滌(例如，對於CO2 )之常用工業操作來處理，且循環回按需要添加新鮮補充氣體之製程中。在另一實施例中，在煅燒製程期間以化學方式釋放之水可自排出廢氣冷凝、收集且再用於非製程應用，而在惰性載體中之含有大部分氧化成分之乾燥氣體(例如，含O2 之N2 )可循環回製程中。 在一些實施例中，所需品質之氣體進料可獲自其他方法，諸如化學反應、石化精煉、燃燒、洗滌、生物精煉、燃料電池操作、水電解、氣體分離或其組合。在其他實施例中，所需品質之氣體進料可藉由工業氣體製造商來供應。硫之添加。 形成包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑之方法可包括添加硫(例如，硫源)至第一含鎳(II)粒子、第二含鎳(II)粒子或其組合。可在製造含鎳(II)金屬粒子期間將硫源添加至含鎳(II)粒子，可將該硫源添加至含鎳(II)粒子自身。 在用硫源處理期間，含鎳(II)粒子或其起始物質可呈溶液、懸浮液或粒子形式。舉例而言，在液體介質內或在氣流內，鎳可呈粒子形式。在許多液體溶劑中鎳金屬(Ni(0))之溶解度通常非常低，但其可懸浮於液體或氣體中。替代地，可僅將固體第一含鎳(II)粒子或第二含鎳(II)粒子與硫源混合。 可將硫源與含鎳(II)粒子或其起始物質組合或混合持續不同時間。舉例而言，可將含鎳(II)粒子或其起始物質及硫源混合在一起約1分鐘至約72小時、或約1分鐘至24小時、或約1分鐘至12小時、或約1分鐘至4小時、或約1分鐘至2小時、或約1分鐘至1小時。當將硫源添加至含鎳(II)粒子或其起始物質(其經受涉及混合之其他製程，諸如，煅燒、還原或甚至催化劑錯合物形成)時，最初可能需要極小混合。 在含鎳(II)粒子或其起始物質之處理期間，可將含硫源混合物維持在約4℃至約450℃下。可能需要極小額外加熱或培育或不需要額外加熱或培育以用硫源處理含鎳(II)粒子或起始物質，因為形成鎳金屬(Ni(0))中之各個步驟提供用於硫處理之足夠的加熱及混合。因此，可將硫源添加至涉及製備含鎳(II)粒子或鎳金屬(Ni(0))粒子之基本上任何便利步驟。 合適的硫源之實例係選自由以下各者組成之群之彼等物質：元素硫、含硫氣體、含硫鹽、含硫離子及其組合。硫源之額外實例包括選自由以下各者組成之群的彼等物質：硫化氫、硫酸鎳、亞硫鎳、硫化鎳、次硫酸鎳、硫代硫酸鎳、三氧化硫、二氧化硫、一氧化硫、二氯化二硫、二氯化硫、四氯化硫、五氟化硫氯、十氟化二硫、六氟化硫、四氟化硫、三氟化硫及其組合。硫源可為95 wt%至99.9 wt%、或99.99 wt%、或99.999 wt%或更高，不含矽、鈉、鉀、鈣、鎂、磷、鋁、銅、鎢、汞、鐵及其組合。硫源可為元素硫。 元素硫可以多種形式存在，包括固體元素硫、氣體硫、聚合硫、硫之聚合鏈混合物、環硫和其組合。亦存在大量硫的同素異形體。自然界中所發現之最常見形式為黃色斜方晶α-硫，其含有八個硫原子(S8 )的摺疊環(puckered ring)。另外，硫之其他固體形式含有6、7、9至15、18及20個原子之硫環。亦存在含硫氣體，諸如S2 、S3 、S4 及S5 。亦可(例如)在高壓下形成類金屬硫形式。任何及所有此等硫形式均係適用於本文所描述之方法之硫源。 可將硫源添加至第一含鎳(II)粒子或第二含鎳(II)粒子或其起始物質，使得在煅燒時，第一含鎳(II)粒子或第二含鎳(II)粒子係約0.001 wt%至約10 wt%硫，以鎳計，或約0.01 wt%至約3 wt%，或10 wt%或更低，或小於、等於或大於約9 wt%，8 wt%、7 wt%、6 wt%、5 wt%、4 wt%、3 wt%、2.5 wt%、2 wt%、1.5 wt%、1.4 wt%、1.3 wt%、1.2 wt%、1.1 wt%、1 wt%、0.9 wt%、0.8 wt%、0.7 wt%、0.6 wt%、0.5 wt%、0.4 wt%、0.3 wt%、0.2 wt%、0.1 wt%、0.01 wt%，或約0.001 wt%或更低。還原。 第二含鎳(II)粒子之還原涉及添加電子至鎳及降低鎳(II)之氧化態。在足以將至少一部分之第二含鎳(II)粒子還原成粒子鎳金屬之條件下進行還原，該等條件可包括高溫、一定量之還原劑(reductant/reducing agent)及足以實質上還原含鎳(II)粒子以形成粒子鎳金屬(Ni(0))粉末之時間。鎳金屬(Ni(0))產物為包括呈自由流動粉末形式之鎳金屬(Ni(0))之粒子固體材料。 還原劑可用於此類還原。還原劑可為可將鎳(II)還原成鎳金屬(Ni(0))之任何氣態或粒子物質。還原劑之實例包括(例如)氫氣、氨、碳或含碳化合物(諸如，煤或焦碳、甲烷、高碳烴)及其組合。氛圍可含有足以將含鎳(II)粒子中之至少一部分鎳還原成粒子鎳金屬(Ni(0))之量的還原劑。在一些實施例中，還原劑不包括含碳物質。 氫氣為方便且廉價的還原劑，其作為還原劑通常為高效的。此外，當將氫氣用作還原劑時，來自還原製程之排出氣體可含有大量可再循環回還原製程中或再循環至氣體燃燒器以用於加熱煅燒及/或還原容器之氫氣(例如，20體積%至70體積%)。 載氣可與還原劑混合。舉例而言，載氣可為無氧氣體，諸如惰性氣體或氮氣。可用之惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣或氙氣。去氧空氣為實質上無氧氣體之另一實例。氮氣為方便且相當廉價的載氣。 還原劑在反應器之氛圍中之百分比可為約0.1體積%至100體積%，5體積%至85體積%、50體積%至85體積%、55體積%至80體積%、60體積%至75體積%、65體積%至75體積%或約70體積%。還原氣體之有效氛圍之一個實例包括約70體積%氫氣及約30體積%氮氣。 一些先前可用的煅燒及/或還原方法已將蒸汽添加至用於分批或流體化床系統中之還原劑以防止鎳粒子在此類製程期間之聚結。然而，可用於流體化床系統中之氫氣還原劑之濃度必須小於約20% (體積/體積)氫氣，否則即使在添加蒸汽時亦將出現聚結。 然而，藉由本文所描述之方法之還原無需此類添加蒸汽或水。當採用本文所描述之方法時，亦無需將水或蒸汽添加至用於還原之氣態氛圍。當待還原之第二鎳(II)粒子包括氧化鎳時，氫還原製程產生一些蒸汽(或水蒸氣)，因為隨著還原進行，氫氣與包含於氧化鎳中之氧以化學方式組合以產生水蒸氣。然而，在流體化床環境中之鎳還原製程期間產生之蒸汽之量不足以防止聚結。取而代之，流體化床環境中之鎳(II)還原必須補充有至少10%或20%外部添加至還原氣體中之蒸汽以防止粒子聚結。相比之下，在本發明之實施例中，容易藉由平緩混合(例如，在旋轉床中)來還原氧化鎳以在不添加任何水或蒸汽至還原劑之情況下產生自由流動產物。 當藉由平緩混合(例如，在旋轉處理器中)來還原鎳(II)粒子時，所添加之蒸汽並非所需的，且並非合乎需要的。自廣泛實驗室及氣體流化固體床測試，本發明人已鑑別鎳粒子之燒結藉由當粒子暴露於還原條件時流體化床系統中之粒子之間的較高碰撞率加劇。鎳粒子可在低至200℃之溫度下開始軟化(P. Compo等人, Powder Technology, 51: 85 - 101 (1987)；B. B. Panigrahi等人, Science of Sintering, 39: 25 - 29 (2007))。存在於流體化床系統中之固有擾流導致粒子之間更頻繁且更大的衝擊力。此類更高衝擊力及更頻繁粒子碰撞導致粒子之間的更大能量交換，其轉而導致粒子聚結之更大傾向。此類聚結可出現於低至300℃之溫度下。聚結傾向藉由放熱還原製程進一步增加。如先前申請案美國專利第20130144079號所描述，添加蒸汽有助於使流體化床製程中之聚結最小化。蒸汽之存在亦可使平衡偏離還原，因為水為還原製程之產物，且當存在更多水時，還原反應平衡可偏離還原。因此，儘管還原流體化床對於還原提供均勻熱環境，但必須藉由添加蒸汽至製程使較大聚結傾向平衡。 儘管以10%或更高之體積/體積百分比使用蒸汽可減少此類聚結，但在蒸汽存在下還原之鎳粒子之催化氫化活性可比在無蒸汽之情況下還原鎳粒子時低。此可歸因於鎳表面之燒結，藉此降低量測為BET表面積之其比表面積(m2 /g)。 流體化床反應器可導致鎳粒子之聚結，(例如)因為粒子在加熱至可出現一些粒子軟化之點時經歷重複高衝擊碰撞。此類製程導致至少一些粒子之燒結(聚結)。一些其他類型之反應器可導致聚結之相同問題，諸如顯著地相對壓縮鎳粒子之系統(諸如螺旋鑽系統)可導致粒子聚結。 當粒子之間的碰撞衝擊速度及壓縮力最小化時，可產生自由流動的經還原鎳產物。存在可用於避免鎳粒子聚結之若干類型的處理器。實例包括在接近常壓(最小化壓縮力)下操作之旋轉型反應器、多膛爐反應器及管式填料反應器。亦可採用採用粒子高度分散於氣相中以使粒子之間的相互作用最小化之噴霧乾燥器型設備之系統。 使用旋轉反應器用於還原存在優勢。至多100體積%氫氣可用於旋轉處理器中，其在必須添加蒸汽之反應器中(例如，流體化床反應器中)係不可能的。旋轉處理器中之處理步驟簡單且比其他反應器中之處理步驟更容易控制。進行旋轉處理器中之處理所需的消耗品亦顯著低於(例如)流體化床反應器中之處理所需的消耗品。流體化床反應器方法中使用之大部分消耗品用於保持該床流化。在流體化床系統中處理不同原料需要評估其個別流體化特徵，此可為成本高、耗時且未必易於可調式的。相比而言，在旋轉單元中，不存在處理不同供應商原料之問題且因此為穩固許多之技術。旋轉反應器中之還原為快速、能量高效的且產生改良之產物。 在本文中所描述之實例中，精細第二含鎳(II)粒子(例如，氧化鎳粒子)在還原氣體之並流或逆流流動之情況下在旋轉窯爐反應器內部平緩地滾動。還原發生在隨著窯爐旋轉而不斷地更新之粒子之暴露表面處。還原氣體必須經由固體粒子層擴散，因此反應速率受氫氣擴散速率限制。因此，粒子在放熱還原製程期間不經壓縮或經受高衝擊力，且存在較少熱點。聚結之發生率經最小化。 本申請人已發現當鎳粒子在還原期間不經受高衝擊碰撞或壓縮時，因此不需要額外蒸汽。諸如旋轉處理器之處理器在不使用水蒸氣或蒸汽之情況下防止還原鎳產物之聚結及凝集，藉此促進產物自反應容器之移除。當不將蒸汽添加至旋轉處理器時，鎳金屬產物之反應性經改良，(例如)因為蒸汽之存在降低鎳金屬(Ni(0))粒子之粒子表面積。使用此類設備可改良鎳金屬(Ni(0))粒子之催化氫化活性。 煅燒步驟可在還原之前進行以移除第一鎳(II)粒子中之殘餘水。亦在還原之前，含有含鎳(II)粒子(例如，第一含鎳(II)粒子及/或第二含鎳(II)粒子)之反應器可藉由實質上無氧氣體來沖洗以自裝置及含鎳(II)粒子移除分子氧及其他非所需氣體(例如，二氧化碳及任何殘餘水蒸氣)。接著，可將還原劑(reductant/reducing agent) (例如，氫氣)引入至反應器之氛圍中，使得還原劑與實質上無氧之載體的混合物流經反應器。 在製程期間之氣流速率與用於還原之反應器設備之大小及/或類型有關且選擇適當速率在熟習此項技術者之知識內。舉例而言，在較小反應器中，在還原期間之氣流速率可為約0.1至10 L/min、或約1至8 L/min、或約2至7 L/min、或約3至6 L/min。在較大反應器中，氣流速率為約5至80 L/min、或約10至70 L/min、或約15至60 L/min、或約20至50 L/min、或約25至40 L/min、或約25至35 L/min。氣流速率可視需要來調整或其可藉由用於還原之設備類型確定。 在還原步驟期間之反應器壓力並非關鍵的。還原可在約0.1大氣壓至20大氣壓、或約0.5大氣壓至10大氣壓、或約0.5大氣壓至2大氣壓之壓力下進行。還原可在約一個大氣壓下便利地進行。 還原步驟可在150℃與800℃之間，(例如，在175℃與600℃之間，在200℃與500℃之間，在225℃與425℃之間，在250℃與375℃之間，在260℃與370℃之間，或在270℃與365℃之間，或在275℃與360℃之間，或在280℃與355℃之間，或在285℃與360℃之間，或在290℃與360℃之間，或在300℃與350℃之間)的溫度下進行。在一些實施例中，可用之溫度範圍包括表示處於250℃與375℃之間的溫度範圍內之任何數值範圍。此等範圍下端之溫度(例如，250℃)可能需要較長還原時間。在高溫(例如，375℃或更高)下還原可(在一些環境或條件下)產生聚結鎳及/或具有較低氫化活性之鎳粉末。 還原時間可隨固體輸送量、起始進料品質、壓力、溫度、氣固接觸效率及流動速率及還原氣體之濃度變化。當採用化學計量過量之還原劑時，還原可通常進行約0.5小時至約3小時，或約0.75小時至約2.25小時，或約0.9小時至約2.1小時，或約1小時至約2小時。舉例而言，當採用300℃與350℃之間的溫度時，還原可進行1小時至2小時，假定化學計量過量之還原劑(例如，氫氣)穿過反應器以將含鎳(II)粒子轉化成鎳金屬粉末。 當將氫氣用作還原劑時，將氫氣引入至反應容器可引起含鎳粒子之床(例如)約10℃至約50℃之溫度提高，該溫度提高視氫氣濃度而定。熟習此項技術者可易於調適旋轉反應器容器中之條件以適應溫度、還原劑濃度及其類似者之變化。 還原劑可經由入口閥持續添加至還原容器且經由出口閥離開。替代地，大量過量之還原劑可與含鎳(II)粒子一起密封於還原反應器內部。大體而言，可將還原劑持續添加至反應器使得新鮮還原劑對於鎳粒子持續可用。 還原諸如氧化鎳之第二含鎳(II)粒子所需要之氫氣之化學計算量理論上為1:1莫耳比。用於還原之還原劑之量可超過此化學計算量，在某種程度上因為所採用之還原系統之接觸效率可變化。舉例而言，當氫氣用作旋轉窯爐反應器中之還原劑時，窯爐內部之較大未佔用空間體積為氫氣中之一些繞過鎳粒子床提供機會。繞過鎳粒子之氣體之量取決於多種因素，該等因素包括還原容器之內部體積及形狀、旋轉或混合速率、固體進料速率及材料負擔體積。因此，在實踐中，所需的氫氣之量比氧化鎳大於1:1莫耳比。舉例而言，採用之H2 /NiO莫耳比可大於2:1。可採用之H2 /NiO莫耳比之實例包括在約1.9與2.5之間，或約2.0至約2.4之間的比率。歸因於在還原製程期間氣體與粒子之間的低效接觸，儘管已引入理論上足夠之氫氣，但低於1.9或在1與2之間的H2 /NiO之莫耳比可產生還原不足之材料。熟習此項技術者可藉由改變窯爐之內部尺寸、調節還原劑氣流速率或增加氧化鎳之駐留時間容易地提高此效率。 在還原之後，氫氣流動可終止。旋轉反應器可藉由實質上無氧氣體來沖洗以移除殘餘氫氣。還原之鎳可排放至無氧容器，諸如手提包。手提包可用無氧氣體吹掃及/或具有允許藉由所選擇之氣體吹掃或抽空手提包內之氣態氛圍之配件。含鎳金屬(Ni(0))產物儲存於真空或實質上無氧氣體中。舉例而言，藉由還原步驟產生之鎳金屬可儲存在惰性氛圍(諸如，氮氣或氬氣氛圍)下直至使用。 可藉由使用熟習此項技術者已知之方法之金屬分析測定產生之鎳金屬之量及其純度。類似地，可藉由使用熟習此項技術者已知之方法的金屬分析測定用於本中文所描述之方法中之含鎳組合物或粒子中的任一者中之鎳之量。 產生鎳製劑之鎳金屬(Ni(0))產物可具有小於10 wt%雜質、或小於7%雜質、或小於5%雜質、或小於4%雜質、或小於3%雜質或小於2%雜質。大體而言，較小百分比之雜質為所需的，諸如小於1%雜質、或小於0.7%雜質、或小於0.6%雜質、或小於0.5%雜質、或小於0.4%雜質、或小於0.3%雜質、或小於0.2%雜質、或小於0.1%雜質、或小於0.07%雜質、或小於0.05%雜質、或小於0.03%雜質、或小於0.01%雜質、或小於0.005 wt%雜質。雜質之實例可包括鋁、鈉、鉀或其任何組合。 可再循環來自還原製程之還原劑。舉例而言，可藉由通常可用的工業實踐，諸如旋風器分離、冷凝乾燥、膜分離及吸收洗滌來處理還原排出廢氣。接著，可將排出氣體之組分循環回製程中，例如藉由添加新鮮還原劑及/或載氣。在一些含鎳(II)材料之還原期間，可釋放水。通常，還原排出氣體之含水量僅為體積之幾個百分比。可自還原排出廢氣冷凝此類化學釋放水製程。水及其他排出氣體組分可經收集且再用於非製程應用，而含有還原劑及任何殘餘載氣(例如，含H2 之N2 )之乾燥氣體可循環回製程中。 在一些情況下，更經濟的為將排出氣體或其組分用作加熱煅燒或還原容器之燃料。舉例而言，外部燃燒天然氣加熱之旋轉窯爐可經調適以燃燒除天然氣以外之來自排出氣體之氫氣。雖然來自還原製程之排出氣體中之氫氣亦可用於還原如上文所描述之鎳(II)粒子，但當採用高度純、乾燥氫氣(例如，與一些純乾燥載氣)時還原製程通常更有效。若可藉由使用排出氣體中之氫氣作為外部氣體燃燒之燃燒器中之能量來源來回收進入排出氣體中的一些氫氣成本，則可避免再循環迴路中之投入。若將電能用於加熱窯爐，則純化蒸汽之排出氣體且再循環其餘部分可為可行的選項。煅燒。 煅燒可用於自第一含鎳(II)粒子移除揮發性組分以形成第二含鎳(II)粒子。在煅燒之後進行還原。 儘管第一含鎳(II)粒子可在一個步驟中還原成鎳金屬(Ni(0))，但其可適用於在還原之前煅燒含鎳組合物。如本文中所使用，「煅燒(calcine/calcining/calcination)」為應用於含鎳(II)組合物以便引起揮發性餾份之熱分解、相變或移除之熱處理方法。可使用任何可用的煅燒程序或裝置，在適當氣體環境(諸如，空氣或氮氣)存在下，或在其他合適之介質中，或甚至在不存在諸如部分或完全真空之氣體環境之情況下來進行煅燒。 大體而言，使用足以煅燒含鎳粒子之條件進行此類煅燒步驟。可在足以實質上移除揮發性材料之條件下進行煅燒。此類揮發性材料包括二氧化碳、硝酸鹽、硝酸、甲酸鹽、甲酸、氰酸鹽、氰化氫、硫酸鹽、硫酸、水及其類似物。舉例而言，二氧化碳或二氧化碳及水可為移除之主要揮發性材料，尤其當含鎳(II)組合物為鹼性碳酸鎳時。在一些實施例中，可在足以將第一含鎳(II)粒子實質上轉化成氧化鎳(II) (NiO)之條件下進行煅燒。 可在任何合適的反應器中進行煅燒，諸如流化床反應器、固定床反應器、膨脹固定床、旋轉窯爐、旋轉盤及熟習此項技術者已知之其他此類設備。可在旋轉處理器中便利地進行含鎳(II)粒子之煅燒，其可產生高度反應性且自由流動之鎳金屬(Ni(0))製劑。此外，可依照本文中所描述之方法在與用於煅燒之相同旋轉處理器中還原產生之含鎳(II)粒子。 旋轉處理器內之條件經調適以煅燒含鎳粒子。大體而言，可在不與含鎳鹽或化合物反應以形成非所需含鎳材料之任何氣體或氛圍中進行煅燒。氣體或氛圍可含有氧氣。用於煅燒步驟之合適之方便的氣體包括空氣及氮氣；其他者可包括氬氣及氦氣。因此在許多煅燒程序期間便利地使用空氣。因此，足以煅燒含鎳材料之條件包括使第一含鎳(II)粒子與含有氧氣之氛圍(例如，空氣)接觸。 適用於煅燒第一含鎳(II)粒子之溫度包括在約250℃至600℃範圍內之溫度。低於250℃，煅燒可能不完全，使得第一含鎳(II)粒子不完全經轉化成第二含鎳(II)粒子。取而代之，部分煅燒材料可含有可降低最終鎳產物之活性之揮發性材料。高於600℃，可在一些條件下出現第一含鎳(II)粒子之過度皺縮或燒結，必然地降低鎳粉末產物之反應性。 最佳煅燒時間隨溫度反向變化：當使用低溫(例如，250℃)時，煅燒可進行較長時段(例如，高至18小時至20小時)。然而，當在約300℃至600℃之溫度下進行煅燒時，較短時段對於煅燒係有效的，例如，約10分鐘至約6小時、或約10分鐘至4小時。煅燒步驟之時間可在600℃下之數十秒至250℃下之多個小時範圍內變化。大體而言，當使用約350℃至500℃之溫度時，煅燒第一含鎳(II)組合物在約30分鐘至2小時內完成。尤其合乎需要的煅燒溫度為約400℃至約500℃。在450℃與500℃之間的溫度下，煅燒實質上在約1至2小時內完成。 可藉由觀測諸如二氧化碳之揮發性組分自含鎳(II)組合物之釋放及/或藉由觀測組合物內之含鎳(II)鹽及化合物至氧化鎳(及/或氫氧化鎳)之轉化來監測及偵測有效煅燒。因此，煅燒可繼續直至不再於自煅燒室出射之流出氣體中偵測到揮發性材料(例如，二氧化碳及/或水)。在一些情況下，煅燒可在不再於自煅燒室出射之流出氣體中偵測到揮發性材料之後繼續5至60分鐘。舉例而言，煅燒可在不再於自煅燒室出射之流出氣體中偵測到揮發性材料之後繼續5至30分鐘、或5至20分鐘或5至15分鐘。 在完成煅燒之後，含氧氣體之流動終止且可藉由非含氧氣體或惰性氣體來沖洗裝置。氮氣適用於此目的，但亦可使用其他非含氧氣體或惰性氣體(例如，稀有氣體，諸如氬氣或氖氣)。非含氧氣體或惰性氣體之流動持續直至自裝置之反應器床實質上移除氧氣。接著，可進行煅燒產物中之鎳之還原。 旋轉反應器可用於進行含鎳(II)粒子煅燒及還原成鎳金屬(Ni(0))粉末之步驟。可採用任何可用的旋轉反應器。使用包括粒子鎳金屬 ( Ni ( 0 )) 之 非均勻相催化劑之氫化。 在各種實施例中，本發明提供一種使用包括本文中所描述之粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑作為氫化催化劑之方法。舉例而言，該非均勻相催化劑可用作對於諸如Raney® 鎳之海綿鎳催化劑之較高純度較高表面積可替代物。 在各種實施例中，本發明提供一種氫化方法。該方法包括在足以氫化該起始物質之條件下使起始物質與包括本文所描述之粒子鎳金屬(Ni(0))之氫化催化劑之實施例接觸。起始物質之氫化可包括將不飽和化合物氫化、用胺將羰基化合物還原性烷基化、將酯或醚氫解、將烴醇脫氫、脫鹵、脫硫或其組合中之至少一者。起始物質之氫化可包括以下各者中之至少一者：將硝基還原成胺基(例如，將諸如二硝基甲苯之硝基芳基化合物轉化成諸如甲苯二胺之胺基芳基化合物)、將腈還原成胺(例如，將硬脂腈轉化成十八胺，或將己二腈轉化成己二胺)、將醛還原成醇(例如，將右旋糖轉化成山梨醇)、將烯烴還原成烷烴(例如，將環丁烯碸轉化成環丁碸)、將炔烴還原成烷烴(例如，將1,4-丁炔二醇轉化成1,4-丁二醇)，及將芳族化合物還原成脂族化合物(例如，將苯轉化成環己烷或將酚轉化成環己醇)。鎳金屬 ( Ni ( 0 )) 之其他特性 此章節中描述之特性可為包括本文中所描述之鎳金屬(Ni(0))之氫化催化劑之任何實施例之鎳金屬(Ni(0))的特性。 標題為「Metal-Ligand Catalyst Formation」之美國專利公開案第2013/0143730號及標題為「Nickel Form for Preparation of Catalytic Nickel-Ligand Complexes」之美國專利公開案第2013/0144082號在此以其全文引用之方式併入。 在各種實施例中，本發明提供一種包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑。非均勻相催化劑之比表面積可為約2 m2 /g至約200 m2 /g之BET。至少10%之非均勻相催化劑之粒子之粒徑(D10)可為不大於約6 µm。非均勻相催化劑可具有小於約1 wt%之鋁含量及小於約1 wt%之鈉含量。 在各種實施例中，本發明提供一種包括粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑，該非均勻相催化劑包括鎳微晶。非均勻相催化劑之BET比表面積係至少約1 m2 /g。至少10%之鎳微晶之大小(C10)小於約20 nm。鎳微晶之平均微晶大小不大於約100 nm。鎳微晶大小分佈跨距大於約1.0。 鎳金屬(Ni(0))及包括如本文中所描述產生其之非均勻相催化劑為在暴露於氧(例如，空氣)後即為高度反應性及發火性的自由流動粉末。鎳金屬(Ni(0))粒子之平均表面積、孔隙率及表面積分佈與用作非均勻相催化劑之材料之能力有關。 如本文中所使用，如與鎳金屬(Ni(0))粒子有關之「自由流動」意謂製劑含有如此小使得製劑為實質上粉末之鎳之粒子。舉例而言，合乎需要的鎳金屬(Ni(0))粒子包括平均大小不大於約150 nm、不大於約100 nm、不大於70 nm或不大於50 nm之鎳粒子。儘管可在本文中所描述之方法期間形成一些聚結物，但鎳金屬(Ni(0))粒子仍可為自由流動的，只要實質上所有聚結物係易碎的且易於破裂為小粉末狀粒子即可。舉例而言，具有聚結物之鎳金屬(Ni(0))粒子可在振盪或攪動製劑後即變為自由流動鎳金屬(Ni(0))粒子。 本文中所描述之方法幾乎將所有第一含鎳(II)粒子或第二含鎳(II)粒子轉化成自由流動粒子鎳金屬產物。舉例而言，如本文中所描述產生之粒子鎳金屬產物中之不自由流動鎳金屬之量通常小於7 wt%，或小於6%，或小於5%，或小於4%，或小於3.9%，或小於3.8%，或小於3.7%，或小於3.6%，或小於3.5%。其他方法，諸如涉及在流體化床中使用蒸汽之彼等方法可較不有效及/或較不可靠，通常產生在最終產物中具有至少7 wt%或至少8 wt%不自由流動之鎳產物。可再現地產生較少廢物之方法為所需的，因為其成本較低、更有效且減少對於廢物處置之需要。 大體而言，具有較高BET SSA (m2 /g)值之鎳金屬(Ni(0))粒子比具有較低BET SSA (m2 /g)值之鎳金屬(Ni(0))粒子活性更高(用作氫化催化劑)。粒子鎳金屬產物之BET SSA (m2 /g)值可為至少2 m2 /g、或至少4 m2 /g或至少5 m2 /g。當與在不存在任何添加蒸汽下產生之鎳相比時，在給定溫度下在所添加 蒸汽存在下產生之鎳通常產生更低BET SSA (m2 /g)且含有更高量之未經轉化之含鎳(II)粒子。最終鎳產物中之未經轉化之含鎳(II)粒子係廢產物，該廢產物係一種成本損失。因此，在不存在額外蒸汽下本文中所描述之方法尤其適用，因為此等方法可有效地及可再生產地產生具有量測為以下各者之BET-SSA之比表面積之粒子鎳金屬產物：至少約2 m2 /g、至少約4 m2 /g或約5 m2 /g至約200 m2 /g、約10 m2 /g至約50 m2 /g、或小於或等於約2 m2 /g，或小於等於或大於約3 m2 /g，4 m2 /g、5 m2 /g、6 m2 /g、7 m2 /g、8 m2 /g、9 m2 /g、10 m2 /g、11 m2 /g、12 m2 /g、14 m2 /g、16 m2 /g、18 m2 /g、20 m2 /g、25 m2 /g、30 m2 /g、35 m2 /g、40 m2 /g、45 m2 /g、50 m2 /g、55 m2 /g、60 m2 /g、70 m2 /g、80 m2 /g、90 m2 /g、100 m2 /g、120 m2 /g、140 m2 /g、160 m2 /g、180 m2 /g或約200 m2 /g或更高。相比之下，(例如，在蒸汽存在下)產生鎳金屬粉末之方法較低效、較不可靠，且歸因於較低BET SSA(m2 /g)值(例如，小於9 m2 /g或小於8 m2 /g)產生通常具有較低氫化活性之產物。 亦可藉由雷射繞射比表面積技術來量測鎳金屬粒子製劑之表面積。鎳金屬(Ni(0))粒子之雷射繞射比表面積可為至少約0.4 m2 /g。另外，至少10%之鎳金屬(Ni(0))粒子之直徑(D10)可為不大於約4 µm。鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積比D10之比率可為3 m2 /g/µm至5 m2 /g/µm或約0.5 × 106 m/g至約5 × 106 m/g。 包括微晶之鎳金屬(Ni(0))粒子之表面特性可為：BET比表面積比雷射繞射比表面積之比率約為15至約25、或約20至約30。鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積/C50比率可為不小於0.07 × 109 m/g。鎳金屬(Ni(0))粒子之BET SSA/C50比率可為至少約0.1 × 109 m /g或至少約0.4 × 109 m /g。鎳金屬(Ni(0))粒子之LD SSA/C50比率可為至少約4.3 × 106 或至少約107 。 鎳金屬(Ni(0))粒子可具有平均每公克至少約1015 個表面微晶每公克鎳，較佳為至少約5 × 1015 個表面微晶每公克鎳，更佳地至少約1016 個表面微晶每公克鎳，甚至更佳地至少約5 × 1016 個表面微晶每公克鎳且更佳地至少約1017 個表面微晶每公克鎳。鎳金屬(Ni(0))粒子可具有小於或等於大小C10之平均至少約1016 個表面微晶每公克鎳。 藉由「表面微晶」意謂在鎳金屬(Ni(0))粒子上或在其內之鎳微晶，其中微晶之至少一個側或邊緣暴露於環境。儘管不希望受限於理論，但存在之具有至少約1015 至1017 個表面微晶之鎳金屬(Ni(0))粒子之適合性與許多微晶邊緣(其被認為為比平坦微晶面反應性更高)之粒子表面上之呈現有關。微晶邊緣之更高氫化反應性可與在使溶液中之起始物質接近於鎳金屬(Ni(0))粒子之表面之相互作用中之立體因素、電子因素或兩者有關。 合乎需要的鎳金屬(Ni(0))粒子之鎳微晶之平均大小可為不大於約70 nm (例如，而非100 nm)，如藉由經溫度程式化之X射線繞射(TP-XRD)所測定；或較佳地鎳微晶之平均微晶大小為不大於約50 nm (而非100 nm或70 nm)；或更佳地鎳微晶之平均微晶大小為不大於約30 nm (而非100 nm、70 nm或50 nm)。大體而言，尤其當與其他合乎需要的物理特性組合時，具有較小鎳微晶之鎳金屬(Ni(0))粒子為較佳的。至少10%之鎳微晶之大小(C10)可小於約10 nm。鎳微晶之平均微晶大小可不大於約20至25 nm。 咸信至少部分地自形成粒子之鎳金屬微晶特性產生較高程度之鎳金屬(Ni(0))之氫化活性。本發明之鎳金屬(Ni(0))粒子可由微晶、在較大無序粒子內之局部結晶次序之區域組成，其中平均微晶大小(直徑)可不大於約20 nm至25 nm。更佳地，鎳金屬(Ni(0))粒子可包括直徑在0.1 nm至10 nm範圍內之鎳微晶大小。 鎳金屬(Ni(0))粒子平均可具有至少約大小C10或更低之5 × 1016 個表面微晶(例如，而非1016 個表面微晶)每公克鎳。鎳金屬(Ni(0))粒子平均可具有至少約大小C10或更低之1017 個表面微晶(例如，而非1016 或5 × 1016 個表面微晶)每公克鎳。鎳金屬(Ni(0))粒子平均可具有至少約2 × 1015 個表面微晶每公克鎳、或約1015 個表面微晶每公克鎳。可針對立方體微晶或針對實質上球形微晶計算表面微晶每公克鎳。平均每公克非均勻相催化劑如針對立方體微晶計算可具有至少約2 × 1015 個表面微晶每公克鎳，或如針對實質上球形微晶計算之至少約1015 個表面微晶每公克鎳或兩者。 另外，鎳微晶大小分佈跨距可大於1.5。通常量測微晶大小作為(例如)沿主要尺寸之微晶直徑。 鎳金屬(Ni(0))粒子可具有之其他物理特性包括其中至少10%之粒子之直徑(D10)不大於約6 µm或較佳地不大於約4 µm之彼等物理特性。由微晶組成之鎳粒子之表面特性可使得鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積比D10之比率為約0.3 × 106 m/g至約10.0× 106 m/g、或約0.5 × 106 m/g至約5 × 106 m/g。 鎳金屬(Ni(0))粒子可實質上為無水(例如)粉末或粒子形式。鎳金屬(Ni(0))粒子可懸浮、溶解或部分地溶解於溶劑中。溶劑通常為非水性溶劑。溶劑可為有機溶劑。舉例而言，鎳金屬(Ni(0))粒子之溶劑可為具有一或多個雙鍵之分支鏈或未分支鏈C2 -C20 烴。鎳金屬(Ni(0))粒子之溶劑可為有機腈液體，諸如，經至少一個腈(CN)基取代之分支鏈或未分支鏈C2 -C20 烷基或伸烷基。溶劑之實例包括戊烯腈，諸如，2-戊烯腈、3-戊烯腈、4-戊烯腈、2-甲基-3-丁烯腈及2-甲基-2-丁烯腈。 鎳金屬(Ni(0))粒子可實質上為呈無水形式之純鎳金屬或懸浮或溶解於溶劑中。舉例而言，鎳金屬(Ni(0))粒子可經分離不具有、或實質上不含相關聯離子(例如，不具有陰離子)或金屬(例如，不具有鋁、銅、鎢、鋅及/或鐵)。鎳金屬(Ni(0))粒子可實質上不含諸如含碳、含矽及/或含氮部分及/或化合物之雜質。鎳金屬(Ni(0))粒子可實質上不含諸如鈉、鈣、鎂、鉀、鋁或其組合之雜質。舉例而言，鎳金屬(Ni(0))粒子可具有小於10%雜質、或小於7 wt%雜質(以鎳計)，視情況不包括作為雜質之硫，或小於5%雜質、或小於4%雜質、或小於3%雜質、或小於2%雜質、或小於1%雜質、或小於0.7%雜質、或小於0.6%雜質、或小於0.5%雜質、或小於0.4%雜質、或小於0.3%雜質、或小於0.2%雜質、或小於0.1%雜質、或小於0.07%雜質、或小於0.05%雜質、或小於0.03%雜質、或小於0.01 wt%雜質、或小於0.001 wt%雜質，其中該等雜質可包括任何合適的雜質，諸如，鈉、鉀、鋁或其組合。除其硫含量以外，鎳金屬(Ni(0))粒子可為95%至99.9%純度或98%至99.99%純度。 鎳金屬粒子可具有任何合適的硫含量(其中硫可呈任何合適之形式)，諸如，約0.001 wt%至約10 wt% (以鎳計)，約0.01 wt%至約3 wt%、或約0.01 wt%至約3 wt%、或10 wt%或更低、或小於等於或大於約9 wt%，8 wt%、7 wt%、6 wt%、5 wt%、4 wt%、3 wt%、2.5 wt%、2 wt%、1.5 wt%、1.4 wt%、1.3 wt%、1.2 wt%、1.1 wt%、1 wt%、0.9 wt%、0.8 wt%、0.7 wt%、0.6 wt%、0.5 wt%、0.4 wt%、0.3 wt%、0.2 wt%、0.1 wt%、0.01 wt%或約0.001 wt%或更低。 以下實例表明本發明及其供使用之能力。若干細節及特徵能夠在不背離本發明之範疇及精神的情況下在各種明顯方面進行修改。因此，該等實例被視為本質上說明性的及非限制性的。 提出實例以提供如何執行該等方法及使用本文所揭示及所主張之組合物及化合物的完整揭示內容以及描述給一般熟習此項技術者。已進行確保關於數字(例如，量、溫度等)之準確度的工作，但應考慮一些誤差及偏差。實例 實例 1 . 鹼性碳酸鎳之煅燒。 此實例說明使用空氣或氮氣以供煅燒獲自商業來源A之鹼性碳酸鎳。 鹼性碳酸鎳在分批旋轉處理器中在450℃下以3 L/min之純氣體(空氣或氮氣)之氣流速率經受煅燒。當在空氣中進行煅燒(BK1)時，鹼性碳酸鎳在出口處之二氧化碳(CO2 )濃度變為零之後經受煅燒15分鐘。 當在氮氣中進行煅燒(BK2)時，鹼性碳酸鎳在CO2 濃度變為零之後經受煅燒兩小時。 當採用氮氣時，經煅燒鹼性碳酸鎳產物具有獨特的棕色，而煅燒之空氣為黑色。氮氣煅燒產物之黃色至棕色顏色在室溫下不隨暴露於空氣而變化。 在第二實驗中，使用旋轉處理器在450℃下在3 L/min之氮氣流動速率下使鹼性碳酸鎳在氮氣中經受煅燒，直至出口中之二氧化碳(CO2 )濃度達到零(BK3)。產物顏色為棕色。接著，在450℃下將空氣添加至旋轉處理器。接著，產物顏色隨時間推移而自棕色變為黑色。 第三實驗，使用旋轉處理器在450℃下在6 L/min之氮氣流動速率下使鹼性碳酸鎳在空氣中經受煅燒，其在出口氣體中之二氧化碳(CO2 )濃度達到零之後持續以下時段：對於一批持續15分鐘，且對於單獨的第二批持續30分鐘。兩批之產物皆為NiO，其為黑色且為自由流動的。 由在所指示條件下煅燒之鹼性碳酸鎳形成之氧化鎳之特性展示於表2中。 表2：在各種條件下由BNC產生之氧化鎳之特性。
Figure 106113393-A0304-0002
 此等實驗展示，在空氣中在約450℃下煅燒鹼性碳酸鎳直至流出物中不再偵測到二氧化碳及水為一種用於產生可還原成鎳金屬之NiO產物之經濟且有效的方法。 鹼性碳酸鎳轉化為氧化鎳之轉化率隨煅燒溫度略微變化。表3展示如藉由重量耗損偵測之轉化為氧化鎳之BNC%。 表3：BNC至NiO之轉化百分比。
Figure 106113393-A0304-0003
 如表3中所展示，高於至少400℃之煅燒溫度通常改良BNC至氧化鎳之轉化率。實例 2 ：在蒸汽之情況下氫氣中之 NiO 之還原。 此實例描述進一步探究在蒸汽存在下在旋轉處理器內藉由氫氣還原NiO之實驗。藉由煅燒來自商業來源A或商業來源B之鹼性碳酸鎳來產生用於此等實驗之NiO。在分批旋轉床中實現兩個相(亦即，固相與氣相)之間的接觸。系統以半分批模式操作，其中饋入至窯爐之設定量之原料持續暴露於流動反應氣體。 在第一實驗(BK4)中，藉由煅燒來自商業來源A之BNC來產生氧化鎳(250 g)。在旋轉處理器中在350℃下在10%氫氣及30%蒸汽(其中其餘部分為氮氣)之氛圍中還原氧化鎳。逐漸添加蒸汽(每1至2分鐘約0.25 L增量)。氣態氛圍經過旋轉處理器之流動速率為3至6 L/min。旋轉處理器之轉速為1至2 rpm。一旦引入氫氣，旋轉處理器中之材料之顏色自黑色變為黃色，接著在1至2分鐘內變為棕色，通常開始於首先經氫氣接觸之區域。床中之所有材料在15至30分鐘內均變為棕色，但隨著反應進行，材料最終變為黑色。氫氣消耗大致為入口值之50%。 在接近反應器末端之壁上觀測到積聚，但大部分還原材料係自由流動的。產物通常為多礫石的，其中礫石直徑為約0.25吋或更小。一些礫石較大(大小為約3/8至1/2吋)。礫石為易碎的且藉由一些振盪而破裂以形成疏鬆粉末。當一部分最終產物經移除且暴露於空氣時，其在空氣中自發地點火(亦即，為發火性的)，但僅在某一延遲之後。 類似地進行一系列實驗以評估氧化鎳在蒸汽存在下藉由氫氣之還原。藉由在450℃下在空氣中煅燒來自商業來源A或商業來源B之鹼性碳酸鎳來產生氧化鎳。在還原氧化鎳期間，蒸汽濃度在10%至50% (v/v)之間變化，而氫氣含量在10%至70% v/v之間變化。 表4展示與聚結相關或不具有其之條件。 表4.在氫氣及蒸汽存在下藉由氫氣由氧化鎳(NiO)產生之鎳金屬Ni(0)之特性。氮氣以氛圍之其餘部分的形式存在。
Figure 106113393-A0304-0004
 實例 3 ：在無蒸汽之情況下在旋轉處理器中之鎳還原。 此實例展示氧化鎳(NiO)在不使用蒸汽之氛圍中在旋轉處理器中更有效地被還原。 在第一實驗(BK8)中，獲自商業來源A之氧化鎳在不添加蒸汽或水之情況下在70%氫氣及30%氮氣之氛圍中在350℃下在旋轉處理器內被還原。旋轉反應器中之材料起初係自由流動的，但接著似乎略微黏著。材料沿反應器之壁積聚直至其旋轉至反應器頂部，此時材料在其自身重量下落下。最終，材料隨時間推移變得較不黏著且開始自由滾動。 此第一實驗之還原在1.25小時內完成。最終產物係自由流動的，且儘管存在一些礫石，但大部分之大小低於0.25吋。起初，較小礫石(約2至3 mm)似乎不易碎，然而，在將樣本轉移至氣密式容器之後，礫石不存在。因此產生之Ni(0)金屬樣本極具發火性。 在第二實驗(BK9)中，來自商業來源A之氧化鎳在無蒸汽之情況下在70%氫氣(v/v)及30%氮氣(v/v)之氛圍中在300℃下在旋轉處理器內被還原。還原經約2小時完成。鎳金屬產物係自由流動的且為完全粉末狀的。儘管存在一些礫石，但其為易碎的。因此產生之鎳具發火性。實例 4 ：藉由 添加硫產生之鎳金屬。 實例說明鎳金屬(Ni(0))易於由含有硫之含鎳(II)粒子產生。 在第一實驗(BK10)中，將來自商業來源B之鹼性碳酸鎳(300 g)與按最終預期鎳計之1 wt%硫混合，且在空氣(在6 L/min下流動)中在450℃下經受煅燒。使反應器冷卻且使用氮氣吹掃反應室之空氣。煅燒材料為粉末狀且可流動的。 接著，煅燒材料在70% H2 /N2 作為還原劑之氛圍(在6 L/min下流動)下且在1 rpm之轉速下在旋轉處理器中在350 ℃下被還原。在還原期間，材料起初變為污濁黃色，但隨著反應進行，粉末狀材料開始自灰色變為黑色。在還原之後，可見一些黃色薄片。如此產生之鎳金屬係可流動的。 在另一實驗(BK11)中，含有1%硫之來自商業來源C之NiO在70% H2 及30% N2 作為還原劑之氛圍(在6 L/min下流動)中且在1 rpm之轉速下在旋轉處理器中在350℃下被還原。如此產生之鎳金屬產物係可流動的且展現發火性。 用於形成鎳產物之條件展示於表5中。
Figure 106113393-A0305-02-0039-1
如表5中所展示，金屬產物由含有約1%硫(按鎳含量計)之鹼性碳酸鎳起始物質產生。
實例5.由甲酸鎳產生之鎳金屬。
在此實驗(BK13)中，甲酸鎳在1rpm之轉速下在旋轉處理器中在氮氣(在6L/min下流動)中在300℃下經受煅燒。產物為黑色且完全自由流動的。鎳金屬具有約3.9%惰性材料。
實例6：在不同條件下產生之鎳金屬之特性。
在具有及不具有蒸汽之情況下在旋轉處理器中還原之各批鎳(II)粒子之聚結/流動特性之比較展示於表6中。
Figure 106113393-A0305-02-0039-2
Figure 106113393-A0305-02-0040-3
大體而言，對於在上文所描述之條件下採用之旋轉裝置，當在低於375℃之溫度(例如，約300℃到350℃)下進行還原時，觀測到較少聚結。引入蒸汽並不減少旋轉處理器中之聚結。
大於95%氧化鎳在本文描述之還原製程期間轉化為鎳金屬，如藉由重量耗損及下文所描述之惰性含量分析偵測。
當未添加蒸汽時，可在還原期間在還原劑氣體中採用較高比例之氫氣，此意謂還原製程較快地進行。舉例而言，在無蒸汽之情況下之還原在約1至2小時內進行，但當添加蒸汽時，還原製程花費4至5小時。 大體而言，儘管約375℃或略微較高之還原溫度可產生產物，但產物比當採用約360℃或更低之溫度時變得更傾向於聚結。使用高於375℃之溫度通常與更多聚結相關，此可使得產物不可用。 在不添加蒸汽之情況下使用氫氣作為還原劑係一種對於鎳(II) 還原之較高效、浪費較少之製程。 下文表7展示在還原期間額外處理蒸汽對BET表面積及最終所得鎳內之未轉化鎳氧化物之影響。額外蒸汽超過還原製程中歸因於化學反應產生之蒸汽。吾人可觀測到，在較高蒸汽濃度之情況下傾向於較小表面積。較高蒸汽濃度亦導致氧化鎳至鎳之低效轉化率，此藉由含有大部分未轉化氧化鎳之不溶鎳含量指示。由於蒸汽之此類添加對吾人之最終鎳產物之品質有害且現有製程(旋轉窯爐)對於還原氧化鎳為鎳而言比流體化床具有獨特優勢，因為前者不需要任何額外蒸汽來產生自由流動鎳產物。 表7.蒸汽對所量測表面積(BET)及不溶鎳含量之影響。
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 如表7中所指示，當存在蒸汽時，鎳金屬產物具有較低BET SSA (m2 /g)值。舉例而言，當在還原期間不存在蒸汽時，產生BET SSA (m2 /g)值為至少10 m2 /g之粒子鎳產物。然而，當將蒸汽添加至還原製程時，鎳產物之BET SSA (m2 /g)值小於9 m2 /g。實例 7. 6 吋流體化床操作 ( 比較例 ) 將約8磅來自商業來源A之鹼性碳酸鎳饋入至6吋直徑流體化床反應器。將氣相以向上流動模式分散於粒子床中。BNC在400℃下流體化之100%空氣中煅燒約1小時。此後接著在含10% H2 之N2 之還原氣體存在下在400℃下還原約2小時。還原之鎳產物為聚結的。實例 8. 在添加蒸汽之情況下的 6 吋流體化床操作 ( 比較例 ) 將約8磅來自商業來源A之BNC饋入至實例7中所描述之6吋直徑流體化床反應器。BNC在400℃下流體化之100%空氣中煅燒約1小時。此後接著在含有10% H2 / 10%蒸汽/餘下N2 之還原氣體中在400℃下還原約2小時。還原之鎳產物不聚結且替代地具有粉末狀及自由流動稠度。實例 9. 在添加蒸汽之情況下的 6 吋流體化床操作 ( 比較例 ) 將約8磅來自商業來源A之BNC饋入至實例7中所描述之6吋直徑流體化床反應器。BNC在含20%蒸汽之N2 中且在400℃下煅燒。在含有20% H2 / 20%蒸汽/餘下N2 之還原氣體之情況下在325℃下進行還原。最終產物大部分為自由流動的但具有大塊/聚結物。此實例相比於實例8展示在還原製程期間限制氫氣濃度之影響。添加蒸汽並不消除大塊及聚結物。實例 10 ： 在不添加蒸汽之情況下的 7 吋直徑旋轉單元操作。 在具有變速旋轉馬達及可調節斜面之連續7吋直徑、水平旋轉窯爐處理器中進行處理。單元裝備有進料罐、閉鎖式料斗、可變進料螺旋進料器及具有個別區熱電偶之四區溫度控制器。使用質量流量控制器來定量氣體進料。排出氣體離開旋轉單元且穿過熱旋風器以自氣體蒸汽分離夾帶之固體細粒。旋風器分離之氣體蒸汽使用水冷熱交換器來冷卻且在後燃器中經熱破壞。紅外氣體偵測器[IR分析器208]量測CO2 含量且熱導率偵測器(TCD)量測後燃器之前的氣體之H2 含量。兩個相(亦即，固相與氣相)之間的接觸以逆流流動模式來完成，其中兩個相在對置方向上(亦即，氣相在固相之出口附近進入旋轉單元)。 來自商業來源A之鹼性碳酸鎳在連續7吋直徑、水平旋轉單元中在450℃下煅燒。BNC之進料速率為7.5 kg/h且氣流速率為30 L/min。針對製程中產生之CO2 而持續監測排出氣體，其以自每單位時間煅燒之BNC之給定質量預期之含量存在。針對馬弗爐(muffle furnace)中之任何後續重量耗損而評估煅燒最終產物(氧化鎳)，以測定轉化程度。使該製程之轉化率維持在高於95%。 後續氧化鎳產物經饋回至7吋旋轉窯爐(在獨立操作中)且在70% H2 /N2 之情況下在1.5至3 rpm之轉速及0.026 ft/ft之典型斜面下經還原。將氫氣逆流進料至氧化鎳進料。在此組態下，在反應器中觀測到大量鎳及氧化鎳積聚。在運行期間，產物排出為不穩定且不佳的。在運行結束時，反應器內部存在約40磅鎳-氧化鎳。積聚在壁上實際上導致熱傳遞問題。積聚所佔據之體積為窯爐體積之約30%且為不可管理的。終止製程且清洗旋轉窯。 藉由置放足夠的升降機(該等升降機寬度為約0.25吋且高度為約0.75吋且以平行條帶形式，但沿窯爐之內部長度以略微「螺旋拔塞(cork-screw)」方式焊接)，窯爐中之材料更有效地移動。升降機之「螺旋拔塞」曲線係如此使得每一升降機在窯爐一端處之水平位置與該升降機在窯爐另一端之水平位置成大致15°。因此，條帶在窯爐之前端處在6點鐘位置處開始且在後端處在約5點鐘位置處結束，在沿窯爐旋轉方向上於窯爐之約6 ft長度上方有輕微曲線。升降機提供向前動量給粉末。 當向窯爐提供涉及在爐膛每一側上之窯爐外部使用一組振打機構之機械攪動時，粒子運動經顯著改良。窯爐之旋轉引起振打物在窯爐前端及後端依序以約10至12秒之規則頻率敲動反應器容器。窯爐中之材料有效地移動穿過窯爐且窯爐中之量減少至約3至5磅，佔據反應器體積之約5%至10%。產物排出速率為穩定且一致的。排出氣體H2 濃度亦變得更均勻。實例 11. 在不添加蒸汽之情況下的 7 吋直徑旋轉單元操作。 來自商業來源A之BNC如實例10中所描述在連續7吋旋轉單元中在450℃下煅燒。 接著，在後續還原操作中在同一連續旋轉單元中還原所得氧化鎳。還原溫度為310℃至340℃。還原氣體組成為60%至70% H2 /N2 ，通常在70%。製程中不引入額外蒸汽。粒子之駐留時間在40分鐘至125分鐘之間變化，通常約75分鐘。固體進料速率在1.0 kg/h至5 kg/h之間變化，通常在1.5 kg/h。將氫氣/NiO莫耳進料速率維持在值1至3之間，通常在2.4。氣體駐留時間在1分鐘至5分鐘之間變化，通常在1.4分鐘。旋轉窯rpm在0.5至5之間變化，3 rpm之值使粒子與氣體足夠混合。將氣流逆流引入至粒子流。此逆流組態對於阻止產物攜載粉塵通常係較佳的，但吾人可設想使用氣體及粒子兩者之並流流動以達成相同目的。自保持最高氫氣濃度且在其入口處可見最低氧化鎳濃度之觀點，亦需要逆流流動。此使得對於高溫之需要降至最低且降低歸因於氧化鎳藉由氫氣放熱還原之熱點的可能性。 監測排出氣體之氫氣濃度且發現得到基於氧化物之質量進料速率之預期含量內的氫氣含量(約43%)。達成氧化鎳至經還原鎳之大於95%之轉化率。實現穩定產物排出速率。最終產物具有約4%或更低之較低惰性含量。實例 12. 在不添加蒸汽之情況下的 7 吋直徑旋轉單元操作。 使用與實例10中所描述相同之條件及旋轉單元煅燒來自商業來源A之BNC。藉由40% H2 /N2 進行還原。氫氣比NiO之進料比率為1.4，其超過化學計量要求約40%。然而，排出氣體中氫氣之量並未達到預期值，指示並非所有氧化鎳均得以轉化。產生自反應器之產物並非發火性的。NiO至Ni(0)之轉化率僅約57%，指示最終產物之不完全還原。排出氣體中之氫氣濃度為約20%而非預期之約11%。此指示，儘管相對於氧化鎳進料氣體中氫氣之量比所需的理論化學計算量大40%，但一定百分比之氣體明顯繞過系統中之材料而不接觸固體且實際上導致氧化鎳不完全轉化。 進行此實例持續設定駐留時間。可增加設定駐留時間以容納進料中之較低濃度之氫氣，且增加NiO至Ni(0)之轉化率。替代地，可使用較高百分比之氫氣以減少處理時間且改良氧化鎳至鎳之轉化率百分比。實例 13. 在不添加蒸汽之情況下的 7 吋直徑旋轉單元操作。 在與實例10中所描述相同之條件及旋轉單元中進行來自商業來源A之BNC之煅燒及還原。藉由60% H2 /N2 進行還原，產生2.1之H2 /NiO進料比率。H2 之排出氣體組成在33%至34%之預期範圍內。最終產物具有較低惰性含量。實例 14. 在不添加蒸汽之情況下的 7 吋直徑旋轉單元操作。 在與實例10中所展示相同之條件下進行來自商業來源A之BNC之煅燒。藉由70% H2 /N2 在325℃之平均溫度下進行還原。氧化鎳之進料速率自1.5 kg/h增加至2 kg/h，藉此將進料材料駐留時間自75分鐘減少至56分鐘。H2 /NiO之莫耳進料比率為1.82。排出氣體中之H2 濃度接近於良好還原預期之含量，其為約33%至34%。氧化鎳至鎳之轉化率約為90%至95%。氧化鎳之較高進料速率指示56分鐘之駐留時間不足以將較高百分比之氧化鎳轉化為鎳。 表8概述用於在旋轉窯爐中還原氧化鎳之條件。此等資料指示，在約56至75分鐘之駐留時間內在高於1.4之H2 /NiO莫耳比下有效地進行氧化鎳之還原。 表8：用於旋轉窯爐中之還原之H2 /NiO比率。H2 進料速率為恆定的，且NiO進料速率為經調整的。
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 實例 15. 在無蒸汽之情況下的 7 吋直徑旋轉單元操作。 在與實例1中所描述相同之條件下進行來自商業來源A之BNC之煅燒。在350℃至375℃之溫度下進行還原，該等溫度高於前述實驗中之一些所使用之溫度。氧化鎳之進料速率為1.5 kg/h且H2 /NiO莫耳比為2.4。材料之駐留時間為75分鐘。在還原製程期間形成材料之小塊，其可在產物收集罐內部聽到掉落。維持該溫度約6小時至8小時且繼續觀測到大塊或聚結物形成，儘管其並非不斷地產生。如目視評定，此等大塊為整個床之約2%至5%。 將溫度降低回至300℃至350℃導致此等塊之消失。產物回收穩定且良好。最終產物呈現較低惰性含量。就此而論，最終產物之品質不受較高溫度影響。實例 16 ： 在不添加蒸汽之情況下在 2 - ft 直徑旋轉單元中之還原鎳之商業生產。 此實例說明使用獲自商業來源之鹼性碳酸鎳之還原鎳之規模擴大生產。生產以兩個步驟進行；i)在空氣或氮氣存在下煅燒鹼性碳酸鎳，及ii)還原來自i)之經煅燒鎳II產物以產生還原鎳(Ni(0))粒子。 使用工業規模水平粒子處理器(或窯爐)，其可藉由略微傾斜之水平軸提供低rpm旋轉。具有約8 ft之加熱區之2-ft內徑(ID.) × 10-ft長旋轉窯爐裝備有進料斗、機械或氣動進料器(諸如，螺旋式輸送機)、氣體進料口(用於空氣、N2 、諸如氫氣之還原氣體)、溫度及壓力指示器、氣密式產物排出部分、用以移除產物之輸送機系統及用以移除廢氣之排出氣體口。單元亦可裝備有用於在分批或連續操作期間藉由控制/安全聯鎖來加熱、冷卻、引入氮氣(作為惰性氣體)之輔助系統。系統配備有移除殘留粒子之旋風分離器及用於排出氣體處理之後洗滌器。窯爐可為電燃式或燃氣的。煅燒步驟： 將原料(鹼性碳酸鎳)進料至進料斗且以300磅/小時至400磅/小時速率輸送至旋轉窯中。窯爐中之固體存料量係如此使得鎳進料達到不超過當筒體水平時豎直量測之直徑之1/4。使粒子之駐留時間維持在30分鐘至60分鐘範圍內。針對溫度均勻性使用外部熱量及藉由進料12 ft3 /min至25 ft3 /min之氣流(空氣或氮氣)而將窯爐維持在400℃至500℃的內部溫度。當粒子向旋轉窯爐筒下翻轉時，該等粒子經受煅燒條件。針對二氧化碳[CO2 ]持續監測排出氣體。當排出氣體CO2 濃度降至零且停留於該處時，流動粒子經完全煅燒。經煅燒粒子在旋轉窯爐出口處經收集且恰當地儲存於正常乾燥儲存條件下。還原步驟： 使用進料螺旋系統，或藉由料斗及星形閥進料器或任何合適之連續進料機構將煅燒步驟中產生之煅燒材料(氧化鎳)進料至旋轉單元。氧化鎳進料可與氣流並流或逆流運行。以下實例採用材料之逆流流動。 使粒子駐留時間維持在60分鐘至120分鐘範圍內。使用外部熱量及藉由進料15 ft3 /min至25 ft3 /min之氣流(60%至70% (v/v)氫氣/氮氣之混合物)將窯爐維持在300℃至350℃內部溫度。不添加水或蒸汽至窯爐。在材料向機筒下翻轉且內部分散於連續氣相中時藉由還原氣體進行還原。在還原步驟結束時，在氮氣氛圍下自窯爐移除自由流動、粉末狀還原鎳。 將還原鎳轉移至氣密式容器中以供恰當儲存。如此產生之還原Ni(0)金屬樣本極具發火性且在實驗室測試中展示高反應性。實例 17 ( 比較例 ). 二腈在海綿類型鎳催化劑上之氫化。 在氮氣覆蓋下，將60公克之含Raney®品牌鎳海綿金屬催化劑之稀釋水溶液NaOH添加至兩公升高壓釜。用兩個高壓釜體積之蒸餾水及兩個高壓釜體積之乾燥己二腈沖洗催化劑。高壓釜在底部裝備有氣體分佈器及在頂部裝備有壓力控制通風口。乾燥氮氣循環經過分佈器，且逐漸添加氫氣以使壓力至35磅/平方吋，設定在壓力控制通風口處。溫度逐漸增加至約150℃，此時切斷饋入之氫氣且在氮氣覆蓋下排出高壓釜。針對己二腈至二胺之轉化及針對所需己二胺乙二胺之選擇性對樣本進行抽取及分析。實例 18 . 二腈在實例 16 之鎳粒子上之氫化。 用60公克之實例16中產生之鎳金屬重複實例17，除將連續攪拌槽反應器(「CSTR」)用於具有100%回收之反應容器以外。實例 19 . 二腈在實例 16 之鎳粒子上之氫化。 用60公克之實例16中產生之鎳金屬重複實例18。在氫氣壓力增加至35磅/平方吋之後，回收自100%減少至20%。在水準控制上將構成混合物饋入至CSTR。在操作兩個(2)小時之後，關閉CSTR。分析持續抽取產物用於轉化為二胺之轉化及轉化為所需HMD產物之選擇性。實例 20 . 1 , 3 - 丁二烯在 實例 16 之鎳粒子上之流體床氫化。 藉由將乾燥氮氣流經在中試規模流化床反應器(具有約100 L之總反應器體積)之底部的氣體分配器來在鼓泡床範圍中流體化實例16之催化劑。將壓力控制在20磅/平方吋下。將饋入1,3-丁二烯添加至反應器之底部，且逐漸添加氫氣。氫化反應係高度放熱的，因此調節氫氣饋入速率以在約300℃下控制反應溫度。鎳催化劑、反應物及產物朝上流經反應器至氣旋分離器之兩個平台，該等平台將鎳催化劑返回至在流體床內之中間水準排出口，同時允許產物混合物在頂部被回收。實例 21 . 在 實例 16 之鎳粒子上之脫硫。 用較高硫柴油原料重複實例20。實例 22 . 酯在實例 16 之鎳粒子上之氫解。 用乙酸乙酯(其轉化為乙醇)重複實例20。實例 23 . 醚在實例 16 之鎳粒子上之氫解。 用二苯醚(其轉化為酚)重複實例20。實例 24 . 在 實例 16 之鎳粒子上之脫鹵。 用苄基氯化物(其轉化為甲苯)重複實例20。實例 25 . 在實例 16 之鎳粒子上之醛至山梨醇之轉化。 用右旋糖(其轉化為山梨醇)重複實例20。實例 26 . 在實例 16 之鎳粒子上之乙炔至丁二醇之轉化。 用乙炔(其轉化為丁二醇)重複實例20。實例 27 . 在實例 16 之鎳粒子上之己二腈至己二胺之轉化。 用己二腈(其轉化為己二胺)重複實例20。實例 28 . 鎳粒子之製造。 將自Metals and Materials Processing (MMP), NC取得之市售氧化鎳(其具有以鎳計之0.2 wt%之起始硫濃度)在350℃下還原為鎳。評估如此產生之鎳以用於4.0 m2 /g之BET表面積。添加可變量之元素硫至氧化鎳以在如上文所提及之相同條件下得到以鎳計之0.2 wt%至0.8 wt%之硫組成。在0.81%硫含量下，表面積增加至約9.2 m2 /g。圖2說明鎳表面積對以鎳wt%計之硫含量。實例 29 . 鎳粒子之製造。 首先煅燒自Metchem, NC取得之Queensland鹼性鎳碳酸酯以產生氧化鎳。煅燒在400℃下在填充床反應器中進行。所產生之氧化鎳具有以鎳計之0.05 wt%之硫濃度。添加大量元素硫至所產生之氧化鎳高至以鎳計之1 wt%，且在300℃至350℃下經還原以製造具有摻雜硫之鎳。原料氧化鎳具有以鎳計之0.05 wt%之硫濃度。圖3說明相對於以鎳wt%計之硫含量之鎳表面積。實例 30 . 鎳粒子之製造。 市售BNC取自Umicore，其具有按鎳重量計之約800 ppm至1000 ppm之二氧化矽及約800 ppm之硫。在400℃下煅燒BNC以產生氧化鎳。氧化鎳摻雜有變化濃度之硫且在350℃或400℃下經還原。添加硫之效果展示於圖4中。在無硫添加之情況下之較高表面積歸因於二氧化矽之存在。400℃之較高還原溫度導致聚結且引起整體較低表面積。參考案 。 美國專利第3,793,005號揭示一種將可熱分解之氧化物及化合物還原為鎳及鈷之氧化物的方法。用以形成靜態下之球粒之淺床之耐火內襯膛爐用於'005專利方法中。藉由輻射及對流將床加熱至約750℃與1,100℃之間的溫度。'005專利亦揭示在氧化鎳團塊內併入還原劑。 美國專利第3,656,934浩係關於含鎳紅土礦在旋轉窯爐中以較高生產速率還原以達成包含於礦中之鎳之選擇性還原，其中礦經預加熱至至少約1,000℉ (538℃)。 Rhamdhani等人, Proceedings of EMC, 第899-913頁(2009)，揭示在還原鹼性鎳碳酸酯(BNC)及NiO期間影響最終產物之現象如下：(1)化學改變，亦即，分解反應、還原反應及氧化反應；(2)NiO及Ni再結晶及晶粒生長；(3)NiO及Ni燒結及緻密化；及(4)NiO粒子及Ni粒子之聚結。Rhamdhani等人中所描述之BNC及NiO還原製程之一些缺點為：(i)添加鋸屑以在還原製程期間在床中提供足夠孔隙率；(ii)在900℃之平均溫度下在含有裂化氨之氛圍(75% H2 及25% N2 )下進行還原；及(iii)還原產物經壓碎、與硬脂酸摻合，且壓製之壓坯經受另一燒結操作以產生＞99% Ni。 美國專利第2,000,171號描述一種多膛爐型反應器，其中藉由在400℃至550℃下使用水氣混合物在還原環境下加熱材料來進行鎳礦石之還原。該專利揭示，還原鎳礦之難處在於形成燒結材料餅，該難處藉由在500℃至700℃之高溫下添加還原氣體來緩解。額外實施例。 提供以下例示性實施例，其編號不應解釋為指定重要性程度： 實施例1提供一種製造包含粒子鎳金屬(Ni(0))之氫化催化劑之方法，該方法包含： 在包含氧化成分之氛圍中煅燒第一含鎳(II)粒子以產生第二含鎳(II)粒子；及 在還原氛圍中還原該等第二含鎳(II)粒子，同時在約275℃至約360℃下將該等第二含鎳(II)粒子旋轉或轉動足以產生該粒子鎳金屬(Ni(0))之一時間，其中該粒子鎳金屬(Ni(0))係自由流動的。 實施例2提供實施例1之方法，其中水與蒸汽皆不添加至還原氛圍。 實施例3提供如實施例1至2中任一者之方法，其中該等第二含鎳(II)粒子實質上不含水。 實施例4提供如實施例1至3中任一者之方法，其中該等第二含鎳(II)粒子包含鹼性碳酸鎳、氧化鎳、碳酸鎳、碳酸氫鎳、草酸鎳、甲酸鎳、方酸鎳、氫氧化鎳、硝酸鎳、氰酸鎳、硫酸鎳及其組合。 實施例5提供如實施例1至4中任一者之方法，其中煅燒包含在包含氧化成分之氛圍中在約350℃至約600℃之溫度下將該等第一含鎳(II)粒子加熱足以自該等第一含鎳(II)粒子移除揮發性組分之一時間。 實施例6提供實施例5之方法，其中足以自該等第一含鎳(II)粒子移除揮發性組分之時間約為10分鐘至六小時。 實施例7提供如實施例1至6中任一者之方法，其中該等第二含鎳(II)粒子不以足夠力碰撞以在還原期間聚結。 實施例8提供如實施例1至7中任一者之方法，其中該等第二含鎳(II)粒子不以足夠力壓縮以在該還原期間聚結。 實施例9提供如實施例1至8中任一者之方法，其中旋轉或轉動包含滾動、攪拌、落下、混合、振動或其組合。 實施例10提供如實施例1至9中任一者之方法，其中還原係在旋轉窯爐處理器中進行。 實施例11提供如實施例1至10中任一者之方法，其進一步包含在至少一個位置中敲動反應容器。 實施例12提供如實施例1至11中任一者之方法，其中還原氛圍含有作為還原劑之氫氣(H2 )及視情況存在之作為該氛圍之其餘部分之載氣。 實施例13提供如實施例1至12中任一者之方法，其中還原氛圍約為1 mol%至約100 mol%氫氣。 實施例14提供如實施例1至13中任一者之方法，其中在還原期間採用在約1.0與2.5約之間的H2 /Ni莫耳比。 實施例15提供如實施例1至14中任一者之方法，其中在還原期間採用大於約2之H2 /Ni莫耳比。 實施例16提供如實施例1至15中任一者之方法，其中足以在還原期間產生該自由流動粒子鎳金屬(Ni(0))產物之時間約為0.5小時至約3小時。 實施例17提供實施例16之方法，其中第一含鎳(II)組合物係藉由將溶解於水中之鎳(II)離子與碳酸根離子、碳酸氫根離子或碳酸根離子及碳酸氫根離子之組合接觸來製備。 實施例18提供如實施例1至17中任一者之方法，其中粒子鎳(Ni(0))產物之BET SSA (m2 /g)值為至少約8 m2 /g。 實施例19提供如實施例1至18中任一者之方法，其中該等含鎳(II)粒子實質上不含鋁、鉀及鈉。 實施例20提供如實施例1至19中任一者之方法，其進一步包含添加硫至該等第一含鎳(II)粒子、該等第二含鎳(II)粒子或其組合。 實施例21提供實施例20之方法，其中該所添加硫為元素硫。 實施例22提供如實施例1至21中任一者之方法，其中以鎳計，在煅燒時該等第一含鎳(II)粒子係約0.001 wt%至約10 wt%硫。 實施例23提供如實施例1至22中任一者之方法，其中以鎳計，在該煅燒時該等第一含鎳(II)粒子係約0.01 wt%至約3 wt%硫。 實施例24提供如實施例1至23中任一者之方法，其中以鎳計，在該還原時該等第二含鎳(II)粒子係約0.001 wt%至約10 wt%硫。 實施例25提供如實施例1至24中任一者之方法，其中以鎳計，在該還原時該等第二含鎳(II)粒子係約0.01 wt%至約3 wt%硫。 實施例26提供一種氫化催化劑，其包含藉由如實施例1至25中任一者之方法形成之粒子鎳金屬(Ni(0))。 實施例27提供一種氫化之方法，其包含： 將起始物質與包含藉由如實施例1至26中任一者之方法形成之粒子鎳金屬(Ni(0))之氫化催化劑在足以氫化該起始物質之條件下接觸。 實施例28提供實施例27之方法，其中該起始物質之該氫化包含將不飽和化合物氫化、用胺將羰基化合物還原性烷基化、將酯或醚氫解、將烴或醇脫氫、脫鹵、脫硫或其組合中之至少一者。 實施例29提供如實施例27至28中任一者之方法，其中該起始物質之該氫化包含將硝基還原成胺基、將腈還原成胺、將醛還原成醇、將烯烴還原成烷烴、將炔烴還原成烷烴及將芳族化合物還原成脂族化合物中之至少一者。 實施例30提供一種非均勻相催化劑，其包含藉由包含以下之方法形成之粒子鎳金屬(Ni(0))： 在包含氧化成分之氛圍中煅燒第一含鎳(II)粒子以產生第二含鎳(II)粒子；及 在還原氛圍中還原該等第二含鎳(II)粒子，同時在約275℃至約360℃下將該等第二含鎳(II)粒子旋轉或轉動足以產生粒子鎳金屬(Ni(0))之一時間，其中該粒子鎳金屬(Ni(0))係自由流動的。 實施例31提供一種包含粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑，該非均勻相催化劑包含： 經氫氣還原之含鎳(II)粒子。 實施例32提供一種包含粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑，該非均勻相催化劑之BET比表面積為約2 m2 /g至約200 m2 /g，至少10%之該非均勻相催化劑之粒子的粒徑(D10)不大於約6 µm，該非均勻相催化劑具有小於約1 wt%之鋁含量及小於約1 wt%之鈉含量。 實施例33提供一種包含粒子鎳金屬(Ni(0))之非均勻相催化劑，該非均勻相催化劑包含鎳微晶，其中： 該非均勻相催化劑之BET比表面積為至少約1 m2 /g； 至少10%之該等鎳微晶之大小(C10)小於約20 nm； 該等鎳微晶之平均微晶大小不大於約100 nm；且 鎳微晶大小分佈跨距大於約1.0。 實施例34提供實施例33之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積/C50比率不小於0.07 × 109 m/g。 實施例35提供如實施例33至34中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET SSA/C50比率為至少約0.1 × 109 m/g。 實施例36提供如實施例33至35中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子平均具有至少約1015 個表面微晶每公克鎳。 實施例37提供如實施例33至36中任一者之非均勻相催化劑，其中至少10%之該等鎳金屬(Ni(0))粒子之大小(D10)不大於約6 µm。 實施例38提供如實施例33至37中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之雷射繞射比表面積為至少約0.4 m2 /g。 實施例39提供如實施例33至38中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積比D10之比率為約0.3 × 106 m/g至約10.0 × 106 m/g。 實施例40提供如實施例33至39中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子具有平均小於或等於大小C10之至少約1016 個表面微晶每公克鎳。 實施例41提供如實施例33至40中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積為至少約2 m2 /g。 實施例42提供如實施例33至41中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積為約5 m2 /g至約200 m2 /g。 實施例43提供如實施例33至42中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積為約10 m2 /g至約50 m2 /g。 實施例44提供如實施例33至43中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳微晶之平均微晶大小不大於約70 nm。 實施例45提供如實施例33至44中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳微晶之平均微晶大小不大於約50 nm。 實施例46提供如實施例33至45中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳微晶之平均微晶大小不大於約30 nm。 實施例47提供如實施例33至46中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET SSA/C50比率為至少約0.4 × 109 m/g。 實施例48提供如實施例33至47中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之LD SSA/C50比率為至少約4.3 × 106 。 實施例49提供如實施例33至48中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之LD SSA/C50比率為至少約107 。 實施例50提供如實施例33至49中任一者之非均勻相催化劑，其中至少10%之該等鎳微晶之大小(C10)小於約10 nm。 實施例51提供如實施例33至50中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳微晶之平均微晶大小不大於約20 nm至25 nm。 實施例52提供如實施例33至51中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳微晶具有大於1.5之鎳微晶大小分佈跨距。 實施例53提供如實施例33至52中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子平均具有至少約2 × 1015 個表面微晶每公克鎳。 實施例54提供實施例53之非均勻相催化劑，其中該等表面微晶每公克鎳係針對實質上立方體微晶而計算。 實施例55提供如實施例53至54中任一者之氫化催化劑，其中該等表面微晶每公克鎳係針對實質上球形微晶而計算。 實施例56提供如實施例33至55中任一者之非均勻相催化劑，其中平均每公克該等鎳金屬(Ni(0))粒子具有如針對立方體微晶而計算之至少約2 × 1015 個表面微晶每公克鎳，或如針對實質上球形微晶而計算之至少約1015 個表面微晶每公克鎳，或兩者。 實施例57提供如實施例33至56中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積比雷射繞射比表面積之比率在20與30之間。 實施例58提供如實施例33至57中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子之BET比表面積比D10之比率為3 m2 /g/µm至5 m2 /g/µm或約0.5 × 106 m/g至約5 × 106 m/g。 實施例59提供如實施例33至58中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子具有平均至少約1016 或更低之個表面微晶大小C10每公克鎳。 實施例60提供如實施例33至59中任一者之非均勻相催化劑，其中該等鎳金屬(Ni(0))粒子具有平均至少約1017 或更低之個表面微晶大小C10每公克鎳。 實施例61提供如實施例33至60中任一者之非均勻相催化劑，其中該非均勻相催化劑實質上為零價的鎳。 實施例62提供如實施例33至61中任一者之非均勻相催化劑，其中以鎳計，該等鎳金屬(Ni(0))粒子具有約0.001 wt%至約0.001 wt%至約10 wt%之硫含量。 實施例63提供如實施例33至62中任一者之非均勻相催化劑，其中以鎳計，該等含鎳(II)粒子為約0.01 wt%至約3 wt%硫。 實施例64提供如實施例33至63中任一者之非均勻相催化劑，其中以鎳計，該等含鎳(II)粒子具有約0.01 wt%至約3 wt%硫之硫含量。 實施例65提供一種氫化之方法，其包含： 將起始物質與包含如實施例31至33之鎳金屬(Ni(0))之氫化催化劑在足以氫化該起始物質之條件下接觸。 實施例66提供實施例1至65之任一者或任何組合之方法或氫化催化劑，其視情況經組態使得引述之所有要素或選項均可用於使用或自其選擇。
藉助於實例但非限制的，圖式大體說明各種實施例。 圖1說明根據各種實施例之一種用於形成Ni(0)粉末之方法。 圖2說明根據各種實施例之鎳表面積對比硫含量。 圖3說明根據各種實施例之鎳表面積對比以鎳wt%計之硫含量。 圖4說明根據各種實施例之鎳表面積對比硫含量。

Claims (20)

  1. 一種氫化之方法，其包含：將起始物質與包含粒子鎳金屬(Ni(0))之氫化催化劑接觸以氫化該起始物質，其中該氫化催化劑含有小於1wt%鋁，其中該粒子鎳金屬為95wt%至99.99wt%鎳金屬(Ni(0))；其中該起始物質之氫化包含氫化不飽和化合物、將羰基化合物還原性烷基化成胺、氫解酯或醚、將烴或醇脫氫、脫鹵、脫硫、將硝基還原成胺基、將腈還原成胺、將醛還原成醇、將烯烴還原成烷烴、將炔烴還原成烷烴、將芳族化合物還原成脂族化合物、或其組合。
  2. 如請求項1之方法，其中該起始物質之該氫化包含氫化不飽和化合物、將羰基化合物還原性烷基化成胺、氫解酯或醚、將烴或醇脫氫、脫鹵、脫硫，或其組合。
  3. 如請求項1之方法，其中該起始物質之該氫化包含將硝基還原成胺基、將腈還原成胺、將醛還原成醇、將烯烴還原成烷烴、將炔烴還原成烷烴及將芳族化合物還原成脂族化合物中之至少一者。
  4. 如請求項1之方法，其中該氫化催化劑之BET比表面積係約2m2/g至約200m2/g，至少10%之該氫化催化劑之該等粒子之粒徑(D10)不大於約6μm，且該氫化催化劑之鈉含量小於約1wt%。
  5. 如請求項1之方法，其中該氫化催化劑包含鎳微晶，其中：該氫化催化劑之BET比表面積係至少約1m2/g；至少10%之該等鎳微晶之大小(C10)小於約20nm；該等鎳微晶之平均微晶大小不大於約100nm；且該鎳微晶大小分佈跨距大於約1.0。
  6. 如請求項5之方法，其中該等鎳微晶之平均微晶大小不大於20nm至25nm。
  7. 如請求項1之方法，其中該粒子鎳金屬(Ni(0))之BET SSA係2m2/g至200m2/g。
  8. 如請求項1之方法，其中至少10%之該粒子鎳金屬(Ni(0))之粒子的粒徑(D10)不大於約6μm。
  9. 如請求項1之方法，其中該氫化催化劑具有小於1wt%之鈉含量。
  10. 如請求項1之方法，其中該氫化催化劑係自由流動的。
  11. 如請求項1之方法，其中該粒子鎳金屬(Ni(0))具有0.001wt%至5wt%之硫含量。
  12. 如請求項1之方法，其中該氫化催化劑係使用包含以下之方法製造： 在包含氧化成分之氛圍中煅燒第一含鎳(II)粒子以產生第二含鎳(II)粒子；及在還原氛圍中還原該等第二含鎳(II)粒子，同時在約275℃至約360℃下將該等第二含鎳(II)粒子旋轉或轉動持續足以產生該粒子鎳金屬(Ni(0))之時間，其中該粒子鎳金屬(Ni(0))係自由流動的。
  13. 如請求項12之方法，其中水與蒸汽均不添加至該還原氛圍中。
  14. 如請求項12之方法，其中在該還原期間採用在1.0與2.5之間的H2/Ni莫耳比。
  15. 如請求項12之方法，其中在該還原期間採用大於約2之H2/Ni莫耳比。
  16. 如請求項12之方法，其進一步包含添加硫至該等第一含鎳(II)粒子、該等第二含鎳(II)粒子或其組合中。
  17. 如請求項16之方法，其中該添加之硫為元素硫。
  18. 如請求項12之方法，其中在該煅燒時該等第一含鎳(II)粒子含有以鎳計之約0.001wt%至約5wt%硫，且/或其中在該還原時該等第二含鎳(II)粒子含有以鎳計之約0.001wt%至約5wt%硫。
  19. 如請求項12之方法，其中該還原係在旋轉窯處理器中執行。
  20. 如請求項16之方法，其中該粒子鎳金屬為98wt%至99.99wt%鎳金屬(Ni(0))。
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