TWI793147B - 加工方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]在加工由難削材料等所形成之被加工物的情況中，要能夠抑制加工磨石的磨耗並且能夠順利地進行加工。 [解決手段]一種加工方法，具備：保持步驟，以具有保持被加工物之保持面的保持台保持被加工物；及加工步驟，在實施保持步驟後，以包含加工磨石之加工機構來加工被加工物，該加工磨石是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成，又，加工步驟中，對被加工物供給加工水，並且從光照射機構對加工磨石的加工面照射既定波長的光。
Description
發明領域 本發明是有關於一種以加工磨石來加工被加工物的加工方法，該加工磨石是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成。
發明背景 半導體晶圓等的板狀被加工物在進行磨削而薄化成既定厚度後，會藉由切割來進行分割而變成個別的元件晶片，進而利用於各種電子設備等。然後，晶圓是由氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)或砷化鎵(GaAs)等的難削材料所形成的情況下，則廣泛利用如下方法：使用以陶瓷結合劑結合磨粒而製成之磨削磨石的磨削方法(例如，參照專利文獻1)、及使用以陶瓷結合劑結合磨粒而製成之切割磨石的切割方法(例如，參照專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-124690號公報 專利文獻2：日本專利特開2013-219215號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，在上述任一種方法中，皆具有磨石的磨耗量遠在需求之上而導致生產成本增加這樣的問題。又，在加工由難削材料所形成之被加工物時，具有磨石的加工能力降低，而使生產性降低這樣的問題。又，利用磨石來加工在加工位置包含金屬之被加工物的情況下，亦具有因金屬的延展性而變得難以加工這樣的問題。
因此，在加工由難削材料等所形成之被加工物的情況下，具有要能夠抑制加工磨石的過度磨耗並且能夠順利地進行穩定加工這樣的課題。 用以解決課題之課題
用以解決上述課題的本發明是一種加工方法，是被加工物的加工方法，具備：保持步驟，以具有保持被加工物之保持面的保持台保持被加工物；及加工步驟，在實施該保持步驟後，以包含加工磨石之加工機構來加工被加工物，該加工磨石是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成，又，該加工步驟中，對被加工物供給加工水，並且從光照射機構對該加工磨石的加工面照射既定波長的光。
用以解決上述課題的本發明是一種加工方法，其中前述加工機構具有具備前述加工磨石之切割刀片，前述加工步驟中，以該切割刀片切割被加工物。
用以解決上述課題的本發明是一種加工方法，其中前述加工機構具有具備前述加工磨石之磨削輪，前述加工步驟中，以該磨削輪磨削被加工物。 發明效果
本發明之被加工物的加工方法具備：保持步驟，以具有保持被加工物之保持面的保持台保持被加工物；及加工步驟，在實施保持步驟後，以包含加工磨石之加工機構來加工被加工物，該加工磨石是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成，又，加工步驟中，對被加工物供給加工水，並且從光照射機構對加工磨石的加工面照射既定波長的光，藉此，例如可以使加工磨石親水化而提升加工水所帶來的冷卻效果，進而抑制加工磨石的過度磨耗，並且使加工屑的排出性提升。此外，藉由加工磨石的親水化等，會有效地對加工磨石的加工區域供給加工水，因此可以防止加工熱所導致的加工品質變差，即使被加工物是由難削材料所形成之晶圓，亦能夠順利地實施穩定加工。
(實施形態1) 圖1所示之磨削裝置1是將保持於保持台30上之被加工物W藉由具備磨削輪74之加工機構7來磨削的裝置。磨削裝置1之基座10上的前方側(-Y方向側)成為裝卸區域A，即對保持台30進行被加工物W之裝卸的區域，基座10上的後方則成為加工區域B，即藉由加工機構7進行被加工物W之磨削的區域。在基座10上的前方側配設有輸入機構12，用以供操作者對磨削裝置1輸入加工條件等。
保持台30例如其外形為圓形，且具備：吸附部300，吸附被加工物W；及框體301，支撐吸附部300。吸附部300是連通於未圖示的吸引源，並在吸附部300的露出面即保持面300a上吸引保持被加工物W。保持台30的保持面300a形成為圓錐面，該圓錐面具備以保持台30的旋轉中心為頂點的極平緩之傾斜。保持台30被罩蓋31從周圍包圍，可以繞著Z軸方向的軸心旋轉，並且可以藉由未圖示的Y軸方向進給機構，在Y軸方向上於裝卸區域A與加工區域B之間往返移動，該Y軸方向進給機構配設於罩蓋31及連結於罩蓋31之伸縮罩31a的下方。
在加工區域B上豎立設置有柱部11，在柱部11的側面配設有磨削進給機構5，該磨削進給機構5會將加工機構7朝Z軸方向作磨削進給。磨削進給機構5是由滾珠螺桿50、一對導軌51、馬達52、升降板53、及托座54所構成，該滾珠螺桿50具有Z軸方向之軸心，該一對導軌51是與滾珠螺桿50平行地配設，該馬達52是連結於滾珠螺桿50的上端且使滾珠螺桿50旋動，該升降板53是將内部的螺帽螺合於滾珠螺桿50且側部滑接於導軌51，該托座54是連結於升降板53且保持加工機構7，當馬達52使滾珠螺桿50旋動時，會伴隨於此而使升降板53被導軌51引導而在Z軸方向上往返移動，以將保持於托座54上的加工機構7朝Z軸方向作磨削進給。
加工機構7具備：旋轉軸70，軸方向為Z軸方向；殼體71，將旋轉軸70支撐成可旋轉；馬達72，將旋轉軸70旋轉驅動；機座73，連結於旋轉軸70的前端；及磨削輪74，可裝卸地裝設於機座73的下表面。
磨削輪74是由環狀的輪基台74b及複數個大致長方體形狀的加工磨石74a所構成，該複數個大致長方體形狀的加工磨石74a環狀地配設於輪基台74b的底面(自由端部)。加工磨石74a是以玻質、陶質的結合劑即陶瓷結合劑結合鑽石磨粒而製成。作為陶瓷結合劑，例如是以二氧化矽(SiO2)為主成分，並且可以加入微量的添加劑以控制熔點。再者，加工磨石74a的形狀可以為形成一體的環狀。
在圖1所示之旋轉軸70的內部，連通於加工水供給機構8而成為加工水之通道的流路70a貫通設置於旋轉軸70的軸方向(Z軸方向)上，經過流路70a之加工水能夠通過機座73而從輪基台74b朝向加工磨石74a噴出。
圖1所示之加工水供給機構8例如具備：加工水源80，儲存有水(例如純水)；配管81，連接於加工水源80並連通於流路70a；及調整閥82，配設於配管81上的任意位置來調整加工水的流量。
如圖1、2所示，磨削裝置1具備有光照射機構9，該光照射機構9例如鄰接於保持台30而配設，對加工磨石74a之加工面(下表面)照射既定波長的光，該加工磨石74a會磨削以保持台30保持之被加工物W。如圖2所示，光照射機構9例如具備有：台部90，具備大致圓弧狀的外形；發光部91，在台部90的上表面配設成有複數個(在圖示的例中為4個)並列；洗淨水供給部92，朝向發光部91供給洗淨水(例如純水)；及罩蓋93，防止髒污附著於發光部91。
埋設在台部90上表面所形成之凹穴的發光部91例如為低壓水銀燈或UVLED，能夠發出既定波長的光，並且能夠藉由未圖示的開關來切換開啟/關閉。發光部91例如能夠發出2種波長的光，較佳為能夠發出80nm以上200nm以下之波長的光與240nm以上280nm以下之波長的光。又，發光部91更佳為能夠發出波長365nm的光。本實施形態中的發光部91為2波長LED或低壓水銀燈，能夠同時發出波長184.9nm的紫外光與波長253.7nm的紫外光。
板狀的罩蓋93例如是由可以使發光部91產生的光穿透的玻璃等透明構件所構成，且是以會覆蓋發光部91的方式被固定於台部90的上表面。例如，台部90是可以藉由未圖示的Z軸方向移動機構作上下移動，在實施磨削加工時，可以將罩蓋93之上表面的高度位置設定於有考量到加工磨石74a之磨削進給位置的預期高度位置。
洗淨水供給部92例如具備：未圖示的洗淨水源，儲存有水(例如純水)；及洗淨水噴嘴920，連通於洗淨水源。洗淨水噴嘴920例如沿著台部90被固定於台部90的側面，且在長邊方向上排列設置有複數個噴射口920a，該噴射口920a可以朝向罩蓋93上表面噴射洗淨水。噴射口920a是以能夠將已噴射之洗淨水在罩蓋93的上表面上清流化的方式來設定形狀、尺寸、及相對於發光部91的角度等。噴射口920a宜如圖2所示地形成為窄幅的狹縫狀，且有複數個排列設置於洗淨水噴嘴920的側面等，但並不限定於此。例如噴射口920a亦可形成為圓孔狀，且有複數個排列設置於洗淨水噴嘴920的側面等。或者，噴射口920a亦可在洗淨水噴嘴920的側面等形成為一條連續延伸的窄幅狹縫狀。
以下，針對使用圖1所示之磨削裝置1實施本發明之加工方法時的加工方法之各步驟及磨削裝置1之運作來逐步說明。 圖1所示之外形為圓形板狀之被加工物W例如是由難削材料的SiC所形成的半導體晶圓，在圖1中朝向下側的被加工物W之正面Wa上，於藉由分割預定線所劃分的格子狀區域形成有多個元件，並貼附有保護正面Wa的保護膠帶T。被加工物W之背面Wb成為被磨削輪74磨削的被磨削面。再者，被加工物W的形狀及種類並無特別限定，可以根據與磨削輪74的關係來適當變更，亦包含由GaAS或GaN等所形成的晶圓，或是由金屬所形成的晶圓或金屬電極有部分露出於晶圓背面的晶圓。
(1)保持步驟 首先，在裝卸區域A內，被加工物W以背面Wb成為上側的方式載置於保持台30的保持面300a上。然後，將由未圖示的吸引源所產生的吸引力傳達至保持面300a，藉此讓保持台30在保持面300a上吸引保持被加工物W。被加工物W成為緊貼著平緩之圓錐面即保持面300a而被吸引保持的狀態。
(2)加工步驟 藉由未圖示的Y軸方向進給機構將保持台30往+Y方向移動到加工機構7之下方，並進行磨削輪74與保持於保持台30之被加工物W的對位。對位例如是以下述方式進行：使磨削輪74的旋轉中心相對於被加工物W的旋轉中心朝+Y方向僅偏移既定距離，而使加工磨石74a的旋轉軌跡通過被加工物W的旋轉中心。又，調整保持台30的傾斜以使平緩之圓錐面即保持面300a相對於加工磨石74a之下表面即加工面成為平行，藉此使被加工物W的背面Wb相對於加工磨石74a的加工面成為平行。
進行磨削輪74與被加工物W的對位後，伴隨於藉由馬達72將旋轉軸70旋轉驅動，如圖3所示，磨削輪74從+Z方向側來觀看會是繞著逆時針方向旋轉。又，藉由磨削進給機構5將加工機構7朝-Z方向進給，加工機構7所具備之磨削輪74逐漸往-Z方向下降，使加工磨石74a抵接於被加工物W的背面Wb，藉此進行磨削加工。此外，磨削中，伴隨於保持台30從+Z方向側來觀看會是繞著逆時針方向旋轉，被加工物W也會跟著旋轉，因此加工磨石74a會進行被加工物W的背面Wb的整個面的磨削加工。
在磨削加工中，加工水供給機構8對旋轉軸70中的流路70a供給加工水。如圖3所示，供給至流路70a的加工水會通過在機座73的內部於機座73的圓周方向上隔著恆定的間隔所形成的流路73b，再從輪基台74b的噴射口74d朝向加工磨石74a噴射。
被加工物W在保持台30的平緩之圓錐面即保持面300a上緊貼著保持面300a而被吸引保持，因此在圖4(A)以兩點鏈線表示的磨削輪74之旋轉軌跡中的區域E(以下為加工區域E)中，加工磨石74a會抵接於被加工物W並進行磨削。
鄰接於保持台30而配設的光照射機構9例如在磨削輪74與保持台30的對位已完成的狀態下，會在磨削輪74即將進入以保持台30保持之被加工物W之前，亦即在加工磨石74a即將進入加工區域E之前，如圖4(A)所示地配置在保持台30及磨削輪74的旋轉軌跡上。
伴隨於磨削加工的開始，如圖4(B)所示，發光部91成為開啟狀態，發光部91會朝向+Z方向照射例如波長184.9nm的紫外光與波長253.7nm的紫外光。所照射的光會穿透罩蓋93而照射至即將進入加工區域E之前的加工磨石74a之下表面。
藉由對即將進入加工區域E之前的加工磨石74a之下表面照射波長184.9nm的紫外光，存在於加工磨石74a之下表面與發光部91之間的空氣中之氧分子會吸收紫外光，而生成基態的氧原子。所生成之氧原子會與周圍的氧分子鍵結而生成臭氧。又，波長184.9nm的紫外光會將附著於加工磨石74a之加工面的磨削屑所造成的有機污染等的分子間鍵結及原子間鍵結切斷而成為激發狀態，藉此分解有機污染。此外，產生之臭氧會吸收波長253.7nm的紫外光，藉此生成激發狀態的活性氧。由於活性氧或臭氧具有高氧化力，因此會與在加工磨石74a之加工面所產生之碳或氫等鍵結，而在加工磨石74a之加工面形成羥基、醛基、及羧基等極性大的親水基。其結果，加工磨石74a會親水化，加工水在加工磨石74a之加工面上將不易變成水滴，且加工水將容易在加工磨石74a之整個加工面展開成水膜狀。
已進行親水化的加工磨石74a會伴隨著大量的加工水進入加工區域E內，並磨削被加工物W的背面Wb。會有更多加工水進入被加工物W之背面Wb與加工磨石74a之加工面的接觸部位，藉此能夠抑制發生在接觸部位的摩擦熱之產生。
如圖5所示，在磨削加工中，洗淨水供給部92朝向罩蓋93的上表面供給洗淨水。亦即，從未圖示的洗淨水源往洗淨水噴嘴920供給洗淨水，該洗淨水從噴射口920a朝向噴嘴外部噴出，而如描繪拋物線般地到達罩蓋93上。然後，洗淨水的水流一邊被適度整流化一邊將附著於罩蓋93上的磨削屑等的污染去除，藉此維持在磨削中，發光部91所產生之光會適當地照射到加工磨石74a之加工面的狀態。
本發明之被加工物的加工方法具備：保持步驟，以具有保持被加工物W之保持面300a的保持台30保持被加工物W；及加工步驟，在實施保持步驟後，以包含加工磨石74a之加工機構7來磨削加工被加工物W，該加工磨石74a是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成，又，加工步驟中，對被加工物W供給加工水，並且從光照射機構9對加工磨石74a的加工面照射既定波長的光，藉此，會使更多加工水進入被加工物W之背面Wb與加工磨石74a之加工面的接觸部位，而能夠抑制發生在接觸部位的摩擦熱之產生，進而抑制加工磨石74a的磨耗(超過會促進適當自銳(self-sharpening)之磨耗的異常磨耗)。又，可以藉由加工水高效率地將在被加工物W之背面Wb與加工磨石74a之加工面的接觸部位所產生的磨削屑排除。此外，藉由加工磨石74a的親水化等，會有效地對加工磨石74a磨削被加工物W的加工區域E供給加工水，因此可以防止因加工熱的上升導致發生晶圓燒焦等的加工品質變差，即使被加工物W是由難削材料所形成之晶圓，亦能夠順利地實施穩定磨削。
本發明之發明人為了驗證本發明之加工方法的加工步驟中對加工磨石之加工面照射波長365nm之光的效果，而進行了下述實驗1。在實驗1中，採用厚度10mm的鈉玻璃板作為圓形板狀之被加工物W。又，磨削輪74的加工磨石74a是採用以陶瓷結合劑結合粒徑♯1000之鑽石磨粒而製成的磨石。
在實驗1中，實施保持步驟後，用以下所示之加工條件實施加工步驟。 磨削輪74的旋轉數(rpm) ：2000rpm 保持台30的旋轉數(rpm) ：300rpm 磨削輪74的磨削進給速度(下降速度) ：0.5μm/秒 實驗1中，在加工步驟中，使用LED燈作為圖2所示之光照射機構9的發光部91，對磨削輪74之加工磨石74a的下表面照射波長365nm的紫外光並且將被加工物W磨削50μm，接著，停止從發光部91對加工磨石74a的下表面照射紫外光並且將被加工物W磨削50μm，重複連續地實施這種伴隨照射紫外光的磨削與不伴隨照射紫外光的磨削。加工水對加工磨石74a的供給等，則是與上述加工步驟相同地進行。
圖6所示之描點圖P1是將實驗1所得到之測量值描點而成的圖，在描點圖P1中，横軸表示將被加工物W每磨削50μm時的磨削輪74之加工磨石74a的消耗量(μm)，縱軸表示磨削輪74將被加工物W磨削50μm之期間所承受的最大加工載重(N)。一邊照射紫外光一邊進行磨削的情況下所測量出的加工磨石74a的消耗量值與磨削輪74所承受的最大加工載重值在描點圖P1中是以圓點來表示，且是藉由以虛線表示之圖形G1來表示其推移，而能夠容易掌握其推移。又，未照射紫外光而進行磨削的情況下所測量出的加工磨石74a的消耗量值與磨削輪74所承受的最大加工載重值在描點圖P1中是以三角點來表示，且是藉由以單點鏈線表示之圖形G2來表示其推移，而能夠容易掌握其推移。
正如從描點圖P1中可以讀出，在一邊對磨削輪74之加工磨石74a的下表面照射波長365nm的紫外光一邊進行被加工物W之磨削加工的情況下，相較於未照射紫外光的情況，可將加工磨石74a的消耗量及磨削輪74在磨削時所承受的載重壓低。若能夠將磨削輪74所承受的加工載重像這樣壓低，則可以減少圖1所示之磨削進給機構5的馬達52所承受的負載，或是防止因加工負載而在滾珠螺桿50中發生反衝(backlash)。再者，將磨削輪74所承受之加工載重對照相同載重而進行比較的情況下，一邊對磨削輪74之加工磨石74a的下表面照射波長365nm的紫外光一邊磨削的情況相較於未照射紫外光的情況，可以將加工磨石74a的消耗量壓低約20%。
(實施形態2) 圖7所示之切割裝置2是相對於保持在保持台20之保持面200a的被加工物W，使加工機構21所具備之切割刀片210旋轉並進行切入以實施切割加工的裝置。
在切割裝置2之基台2A上，配設有使保持台20在切割進給方向(X軸方向)上往返移動的切割進給機構22。切割進給機構22是由滾珠螺桿220、一對導軌221、馬達222、及可動板223所構成，該滾珠螺桿220具有X軸方向之軸心，該一對導軌221是與滾珠螺桿220平行地配設，該馬達222使滾珠螺桿220旋動，該可動板223是將內部的螺帽螺合於滾珠螺桿220且底部滑接於導軌221。然後，當馬達222使滾珠螺桿220旋動時，會伴隨於此而使可動板223被導軌221引導而在X軸方向上移動，且配設於可動板223上的保持台20也會在X軸方向上移動。
配設於可動板223上的保持台20例如其外形為圓形，且具備：吸附部200，由多孔質構件所構成，且吸附被加工物W；及框體201，支撐吸附部200。吸附部200是連通於未圖示的吸引源，並在吸附部200的露出面即保持面200a上吸引保持被加工物W。保持台20可以藉由配設於保持台20之底面側的旋轉機構202來進行旋轉。在圖示的例中，在保持台20的周圍以均等的間隔配設有4個固定夾具204。
從基台2A上的中央到後方側(+Y方向側)，配設有使加工機構21在Y軸方向上往返移動的分度進給機構23。分度進給機構23是由滾珠螺桿230、一對導軌231、馬達232、及可動部233所構成，該滾珠螺桿230具有Y軸方向之軸心，該一對導軌231是與滾珠螺桿230平行地配設，該馬達232使滾珠螺桿230旋動，該可動部233是將內部的螺帽螺合於滾珠螺桿230且底部滑接於導軌231。然後，當馬達232使滾珠螺桿230旋動時，會伴隨於此而使可動部233被導軌231引導而在Y軸方向上移動，且加工機構21會伴隨於可動部233的移動而在Y軸方向上移動。
可動部233上一體化地豎立設置有柱部234，在柱部234之-X方向側的側面，配設有使加工機構21在Z軸方向上進行上下移動的切入進給機構24。切入進給機構24是由滾珠螺桿240、一對導軌241、馬達242、及支撐構件243所構成，該滾珠螺桿240具有Z軸方向之軸心，該一對導軌241是與滾珠螺桿240平行地配設，該馬達242使滾珠螺桿240旋動，該支撐構件243是將內部的螺帽螺合於滾珠螺桿240且側部滑接於導軌241。然後，當馬達242使滾珠螺桿240旋動時，會伴隨於此而使支撐構件243被導軌241引導而在Z軸方向上移動，以將支撐構件243所支撐的加工機構21朝Z軸方向作切入進給。
加工機構21具備有：主軸211，軸向是相對於保持台20的移動方向(X軸方向)在水平方向上正交的方向(Y軸方向)；殼體212，將主軸211支撐成可旋轉；未圖示的馬達，容置於殼體212內部並將主軸211旋轉驅動；及切割刀片210，裝設於主軸211之-Y方向側的前端部，又，伴隨於馬達將主軸211旋轉驅動，切割刀片210也會跟著高速旋轉。
在殼體212的側面配設有校準機構25，用以拍攝被加工物W以檢測使切割刀片210切入的位置。校準機構25具備有拍攝被加工物W之被切割面的校準用相機250，根據由校準用相機250所取得的圖像，可以藉由型樣匹配(pattern matching)等的圖像處理來檢測被加工物W上應切割的分割預定線S。
圖8所示之切割刀片210是例如中央具備裝設孔且外形為環狀的墊圈型刀片，其整體成為加工磨石。例如，切割刀片210是以玻質、陶質的結合劑即陶瓷結合劑結合鑽石磨粒而製成，作為陶瓷結合劑，是使用例如以二氧化矽(SiO2)為主成分，並且混入有微量長石等的結合劑。切割刀片210被裝卸凸緣218與未圖示的機座凸緣從Y軸方向兩側夾住，且藉由用固定螺帽217緊固而裝設於主軸211。再者，切割刀片210也可以是將加工磨石配備成會在由鋁等所構成之基台上朝向徑向外側突出的輪殼型(hub type)切割刀片。
如圖7、8所示，加工機構21例如具備有覆蓋切割刀片210的刀片蓋219。刀片蓋219在其大致中央部具備有容置切割刀片210的開口，且藉由裝設於殼體212，就可以將切割刀片210定位於開口上，並從上方覆蓋切割刀片210。
在刀片蓋219的-X方向側端緊固有支撐塊213，該支撐塊213能夠藉由調整螺絲213a在Z軸方向上移動。在支撐塊213固定有一對加工水噴嘴214。加工水會從供給管213b通過支撐塊213而被供給至一對加工水噴嘴214。一對加工水噴嘴214是構成為會從切割刀片210的側面兩側夾住切割刀片210之下部，且互相平行地朝向+X方向側延伸。在一對加工水噴嘴214之前端側的與切割刀片210相對的位置上，在X軸方向上排列設置有複數條狹縫，且藉由複數條狹縫從側方噴射加工水，以進行切割刀片210與被加工物W之接觸部位的冷卻。又，在支撐塊213的下端，配設有將所噴射之加工水導向-X方向側的一對飛沫蓋213c。
在刀片蓋219的+X方向側端緊固有加工水區塊215，該加工水區塊215能夠藉由調整螺絲215a在Y軸方向上滑行移動。如圖8所示，在加工水區塊215配設有從切割刀片210的外周方向對切割刀片210噴射加工水的加工水噴嘴216。加工水噴嘴216的上端連通有供給管215b，加工水噴嘴216的下端即加工水噴射口216a朝向切割刀片210的前端面(加工面)開口。藉由加工水噴嘴216從外周方向朝切割刀片210噴射加工水，藉此將加工水捲入旋轉之切割刀片210，並連同在切割刀片210與被加工物W的接觸部位所產生之切割屑一起朝-X方向側被推出，藉此進行接觸部位的清洗及冷卻。
切割裝置2具備有光照射機構4，該光照射機構4會對切割刀片210的加工面(刀片的前端面)照射既定波長的光。光照射機構4例如具備有：發光部40，由例如低壓水銀燈或UVLED所構成；及電源41，切換發光部40的開啟/關閉。
發光部40例如是以會從徑向外側面向切割刀片210之加工面的方式配設於加工水區塊215上，且位於比加工水噴嘴216的加工水噴射口216a更高的位置。發光部40能夠發出2種波長的光，較佳為能夠發出80nm以上200nm以下之波長的光與240nm以上280nm以下之波長的光。又，發光部40更佳為能夠發出波長365nm的光。本實施形態中的發光部40為2波長LED或低壓水銀燈，能夠同時發出波長184.9nm的紫外光與波長253.7nm的紫外光。
以下，針對使用圖7所示之切割裝置2實施本發明之加工方法時的加工方法之各步驟及切割裝置2之運作來逐步說明。 圖1所示之外形為圓形板狀之被加工物W例如是由難削材料的SiC所形成的半導體晶圓，在圖7中朝向上側的被加工物W之正面Wa上，於藉由分割預定線S所劃分的格子狀區域形成有多個元件D。在被加工物W之背面Wb貼附有直徑大於被加工物W的切割膠帶T1。於切割膠帶T1的黏著面的外周區域貼附有具備圓形之開口的環狀框架F，並且被加工物W是透過切割膠帶T1而被環狀框架F所支撐，而成為可進行透過環狀框架F來執行之操作處理的狀態。再者，被加工物W的形狀及種類並無特別限定，可以根據與切割刀片210的關係來適當變更，亦包含由GaAS或GaN等所形成的晶圓，或是由金屬所形成的晶圓或金屬電極有部分露出於晶圓背面的晶圓。
(1)保持步驟 被加工物W是將切割膠帶T1側朝下而載置於保持台20的保持面200a上。然後，將由未圖示的吸引源所產生的吸引力傳達至保持面200a，藉此成為藉由保持台20吸引保持被加工物W的狀態。又，藉由各固定夾具204固定環狀框架F。
(2)加工步驟 藉由切割進給機構22將保持於保持台20之被加工物W往-X方向進給，並藉由校準機構25來檢測應使切割刀片210切入之分割預定線S在Y軸方向的坐標位置。又，藉由分度進給機構23將加工機構21往Y軸方向驅動，以進行應切割之分割預定線S與切割刀片210在Y軸方向上的對位。
切入進給機構24使加工機構21往-Z方向下降，如圖9所示，將加工機構21定位於例如，切割刀片210會切過被加工物W的背面Wb而到達切割膠帶T1的既定高度位置。又，伴隨於未圖示之馬達將主軸211旋轉驅動，切割刀片210例如從-Y方向側來觀看會是繞著順時針方向高速旋轉。
藉由將保持被加工物W的保持台20以既定的切割進給速度進一步朝-X方向進給，高速旋轉之切割刀片210就會切入被加工物W，並沿著分割預定線S將被加工物W切斷。又，在切割加工中，藉由加工水噴嘴214從切割刀片210的側方對切割刀片210與被加工物W的接觸部位進行加工水的噴射，以進行接觸部位的冷卻及清洗。
伴隨於切割加工的開始，藉由電源41使發光部40成為開啟狀態，發光部40會從切割刀片210的外周方向朝旋轉之切割刀片210的加工面照射例如波長184.9nm的紫外光與波長253.7nm的紫外光。
此外，藉由加工水噴嘴216從切割刀片210的外周方向朝切割刀片210的加工面噴射加工水，藉此將加工水捲入照射過光的旋轉之切割刀片210的加工面，並連同在切割刀片210與被加工物W的接觸部位所產生之加工屑等一起朝-X方向側被推出，藉此進行接觸部位的冷卻及清洗。
藉由對即將從加工水噴嘴216被噴射加工水之前的切割刀片210之加工面照射波長184.9nm的紫外光，存在於切割刀片210之前端面與發光部40之間的空氣中之氧分子會吸收紫外光，而生成基態的氧原子。所生成之氧原子會與周圍的氧分子鍵結而生成臭氧。又，波長184.9nm的紫外光會將附著於切割刀片210之加工面的切割屑所造成的有機污染等的分子間鍵結及原子間鍵結切斷而成為激發狀態，藉此分解有機污染。此外，產生之臭氧會吸收波長253.7nm的紫外光，藉此生成激發狀態的活性氧。由於所生成之活性氧或臭氧具有高氧化力，因此會與在切割刀片210之加工面所產生之碳或氫等鍵結，而在切割刀片210之加工面形成羥基、醛基、及羧基等極性大的親水基。其結果，切割刀片210會親水化，加工水在切割刀片210之加工面上將不易變成水滴，且加工水將容易在切割刀片210之加工面展開成水膜狀。
已進行親水化的切割刀片210會伴隨著從加工水噴嘴216噴射出的大量加工水切入被加工物W的背面Wb。會有更多加工水進入被加工物W之背面Wb與切割刀片210之加工面的接觸部位，藉此能夠抑制發生在接觸部位的摩擦熱之產生。
當被加工物W朝-X方向行進到切割刀片210切割完分割預定線S的X軸方向之既定位置時，會使被加工物W往-X方向的切割進給暫時停止，且使切割刀片210從被加工物W分開，並將保持台20朝+X方向進給而回到原來的位置。並且，將切割刀片210在Y軸方向上按相鄰的分割預定線S的間隔逐一分度進給並且依序進行同樣的切割，藉此切割同方向的所有的分割預定線S。此外，當使保持台20旋轉90度之後進行同樣的切割時，全部的分割預定線S就會縱橫地全部都被全切(full cut)。
本發明之被加工物的加工方法具備：保持步驟，以具有保持被加工物W之保持面200a的保持台20保持被加工物W；及加工步驟，在實施保持步驟後，以包含加工磨石，亦即切割刀片210的加工機構21來加工被加工物W，該加工磨石是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成，又，加工步驟中，對被加工物W供給加工水，並且從光照射機構4對切割刀片210的加工面照射既定波長的光，藉此，因切割刀片210的親水化等，會使更多加工水進入被加工物W之背面Wb與切割刀片210之加工面的接觸部位，而能夠抑制發生在接觸部位的摩擦熱之產生，進而抑制切割刀片210的過度磨耗，又，能夠防止因加工熱的上升導致發生晶圓燒焦等的加工品質變差，即使被加工物W是由難削材料所形成之晶圓，亦能夠順利地進行切割。此外，可以藉由加工水高效率地將在被加工物W之背面Wb與切割刀片210之加工面的接觸部位所產生的切割屑排除。
1‧‧‧磨削裝置10‧‧‧基座11‧‧‧柱部12‧‧‧輸入機構2‧‧‧切割裝置2A‧‧‧基台20‧‧‧保持台200‧‧‧吸附部200a‧‧‧保持面201‧‧‧框體202‧‧‧旋轉機構204‧‧‧固定夾具21‧‧‧加工機構210‧‧‧切割刀片211‧‧‧主軸212‧‧‧殼體213‧‧‧支撐塊213a‧‧‧調整螺絲213b‧‧‧供給管213c‧‧‧飛沫蓋214‧‧‧加工水噴嘴215‧‧‧加工水區塊215a‧‧‧調整螺絲215b‧‧‧供給管216‧‧‧加工水噴嘴216a‧‧‧加工水噴射口217‧‧‧固定螺帽218‧‧‧裝卸凸緣219‧‧‧刀片蓋22‧‧‧切割進給機構220‧‧‧滾珠螺桿221‧‧‧導軌222‧‧‧馬達223‧‧‧可動板23‧‧‧分度進給機構230‧‧‧滾珠螺桿231‧‧‧導軌232‧‧‧馬達233‧‧‧可動部234‧‧‧柱部24‧‧‧切入進給機構240‧‧‧滾珠螺桿241‧‧‧導軌242‧‧‧馬達243‧‧‧支撐構件25‧‧‧校準機構250‧‧‧校準用相機30‧‧‧保持台300‧‧‧吸附部300a‧‧‧保持面301‧‧‧框體31‧‧‧罩蓋31a‧‧‧伸縮罩4‧‧‧光照射機構40‧‧‧發光部41‧‧‧電源5‧‧‧磨削進給機構50‧‧‧滾珠螺桿51‧‧‧導軌52‧‧‧馬達53‧‧‧升降板54‧‧‧托座7‧‧‧加工機構70‧‧‧旋轉軸70a‧‧‧流路71‧‧‧殼體72‧‧‧馬達73‧‧‧機座73b‧‧‧流路74‧‧‧磨削輪74a‧‧‧加工磨石74b‧‧‧輪基台74d‧‧‧噴射口8‧‧‧加工水供給機構80‧‧‧加工水源81‧‧‧配管82‧‧‧調整閥9‧‧‧光照射機構90‧‧‧台部91‧‧‧發光部92‧‧‧洗淨水供給部920‧‧‧洗淨水噴嘴920a‧‧‧噴射口93‧‧‧罩蓋A‧‧‧裝卸區域B‧‧‧磨削區域D‧‧‧元件E‧‧‧加工區域F‧‧‧環狀框架G1‧‧‧圖形G2‧‧‧圖形P1‧‧‧描點圖S‧‧‧分割預定線T‧‧‧保護膠帶T1‧‧‧切割膠帶W‧‧‧被加工物Wa‧‧‧被加工物之正面Wb‧‧‧被加工物之背面X、Z‧‧‧軸方向+X、-X、+Y、-Y、+Z、-Z‧‧‧方向
圖1是顯示磨削裝置之一例的立體圖。 圖2是顯示磨削機構、保持台及光照射機構的位置關係之一例的立體圖。 圖3是顯示將保持於保持台之被加工物以磨削磨石來磨削的狀態的端視圖。 圖4(A)是將磨削加工中的磨削輪的旋轉軌跡、由加工磨石所形成之被加工物的加工區域、光照射機構的位置關係從上方來觀看時的說明圖。圖4(B)是將加工面剛照射過光的加工磨石切入被加工物的狀態從側方來觀看時的說明圖。 圖5是局部顯示在磨削加工中對發光部上的罩蓋供給洗淨水的狀態的端視圖。 圖6是顯示實施實驗1所得到的磨削時對加工磨石之加工面照射波長365nm之紫外光的效果的描點圖。 圖7是顯示切割裝置之一例的立體圖。 圖8是顯示保持有被加工物之保持台及切割機構的截面圖。 圖9是顯示將保持於保持台之被加工物以切割機構來切割的狀態的截面圖。
30‧‧‧保持台
74‧‧‧磨削輪
74a‧‧‧加工磨石
74b‧‧‧輪基台
9‧‧‧光照射機構
90‧‧‧台部
91‧‧‧發光部
92‧‧‧洗淨水供給部
920‧‧‧洗淨水噴嘴
93‧‧‧罩蓋
E‧‧‧加工區域
T‧‧‧保護膠帶
W‧‧‧被加工物
Wb‧‧‧被加工物之背面
X、Z‧‧‧軸方向
+X、-X、+Y、-Y、+Z、-Z‧‧‧方向
Claims (2)
- 一種加工方法，是被加工物的加工方法，具備：保持步驟，以具有保持被加工物之保持面的保持台保持前述被加工物；及加工步驟，在實施該保持步驟後，以包含加工磨石之加工機構來加工前述被加工物，該加工磨石是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成，又，該加工步驟中，藉由加工水噴嘴對前述被加工物供給加工水，並且從光照射機構的發光部對該加工磨石的加工面照射既定波長的光，前述加工機構具有：具備前述加工磨石之切割刀片、及配設有前述加工水噴嘴的加工水區塊，前述發光部配設於前述加工水區塊，前述加工步驟中，以該切割刀片切割前述被加工物，並從前述光照射機構對即將被供給前述加工水之前的前述切割刀片之前述加工面照射前述既定波長的光。
- 一種加工方法，是被加工物的加工方法，具備：保持步驟，以具有保持被加工物之保持面的保持台保持前述被加工物；及加工步驟，在實施該保持步驟後，以包含加工磨石之加工機構來加工前述被加工物，該加工磨石是以陶瓷結合劑結合磨粒而製成， 又，該加工步驟中，對前述被加工物供給加工水，並且從光照射機構對該加工磨石的加工面照射既定波長的光，前述加工機構具有具備前述加工磨石之磨削輪，前述加工步驟中，以該磨削輪磨削前述被加工物，前述光照射機構配置在前述磨削輪的旋轉軌跡上之前述磨削輪即將進入以前述保持台保持之前述被加工物之前的位置。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3594199B2 (ja) * | 1997-09-08 | 2004-11-24 | 独立行政法人理化学研究所 | 光ドレッシング方法とこの方法による加工装置と砥石 |
| JP2013123792A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び研削装置 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3594199B2 (ja) * | 1997-09-08 | 2004-11-24 | 独立行政法人理化学研究所 | 光ドレッシング方法とこの方法による加工装置と砥石 |
| JP5424188B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2014-02-26 | 株式会社クリスタル光学 | レジノイド砥石の研削性調整方法 |
| JP2013123792A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び研削装置 |
| WO2014034921A1 (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-06 | 国立大学法人 熊本大学 | 加工方法及び加工装置 |
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