JP2019042886A - 加工方法 - Google Patents
加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019042886A JP2019042886A JP2017170156A JP2017170156A JP2019042886A JP 2019042886 A JP2019042886 A JP 2019042886A JP 2017170156 A JP2017170156 A JP 2017170156A JP 2017170156 A JP2017170156 A JP 2017170156A JP 2019042886 A JP2019042886 A JP 2019042886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- workpiece
- holding
- water
- grindstone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 98
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
図1に示す研削装置1は、保持テーブル30上に保持された被加工物Wを研削ホイール74を備える加工手段7によって研削する装置である。研削装置1のベース10上の前方側(−Y方向側)は、保持テーブル30に対して被加工物Wの着脱が行われる領域である着脱領域Aとなっており、ベース10上の後方は、加工手段7により被加工物Wの研削が行われる領域である加工領域Bとなっている。ベース10上の前方側には、オペレータが研削装置1に対して加工条件等を入力するための入力手段12が配設されている。
図1に示す外形が円形板状の被加工物Wは、例えば、難削材のSiCで形成される半導体ウエーハであり、図1において下側を向いている被加工物Wの表面Waには、分割予定ラインによって区画された格子状の領域に多数のデバイスが形成されており、表面Waを保護する保護テープTが貼着されている。被加工物Wの裏面Wbは研削ホイール74で研削される被研削面となる。なお、被加工物Wの形状及び種類は特に限定されるものではなく、研削ホイール74との関係で適宜変更可能であり、GaASまたはGaN等で形成されるウエーハや、金属で形成されたウエーハまたは金属電極が部分的にウエーハの裏面に露出したウエーハも含まれる。
まず、着脱領域A内において、被加工物Wが、裏面Wbが上側になるように保持テーブル30の保持面300a上に載置される。そして、図示しない吸引源により生み出される吸引力が保持面300aに伝達されることにより、保持テーブル30が保持面300a上で被加工物Wを吸引保持する。被加工物Wは、緩やかな円錐面である保持面300aにならって吸引保持された状態になる。
保持テーブル30が、図示しないY軸方向送り手段によって加工手段7の下まで+Y方向へ移動して、研削ホイール74と保持テーブル30に保持された被加工物Wとの位置合わせがなされる。位置合わせは、例えば、研削ホイール74の回転中心が被加工物Wの回転中心に対して所定の距離だけ+Y方向にずれ、加工砥石74aの回転軌跡が被加工物Wの回転中心を通るように行われる。また、緩やかな円錐面である保持面300aが、加工砥石74aの下面である加工面に対して平行になるように保持テーブル30の傾きが調整されることで、被加工物Wの裏面Wbが加工砥石74aの加工面に対して平行になる。
研削ホイール74の回転数(rpm) :2000rpm
保持テーブル30の回転数(rpm) :300rpm
研削ホイール74の研削送り速度(下降速度) :0.5μm/秒
実験1では、加工ステップにおいて、図2に示す光照射手段9の発光部91としてLEDライトを用いて、波長365nmの紫外光を研削ホイール74の加工砥石74aの下面に照射しつつ被加工物Wを50μm研削し、次いで、発光部91からの加工砥石74aの下面に対する紫外光の照射を停止しつつ被加工物Wを50μm研削し、このような紫外光の照射を伴う研削と紫外光の照射を伴わない研削とを繰り返し連続的に実施した。加工水の加工砥石74aの供給等は、先述した加工ステップと同様に行った。
図7に示す切削装置2は、保持テーブル20の保持面200aに保持された被加工物Wに対して、加工手段21が備える切削ブレード210を回転させ切り込ませて切削加工を施す装置である。
図1に示す外形が円形板状の被加工物Wは、例えば、難削材のSiCで形成される半導体ウエーハであり、図7においては上側を向いている被加工物Wの表面Waには、分割予定ラインSによって区画された格子状の領域に多数のデバイスDが形成されている。被加工物Wの裏面Wbには、被加工物Wよりも大径のダイシングテープT1が貼着されている。ダイシングテープT1の粘着面の外周領域には円形の開口を備える環状フレームFが貼着されており、被加工物Wは、ダイシングテープT1を介して環状フレームFによって支持され、環状フレームFを介したハンドリングが可能な状態になっている。なお、被加工物Wの形状及び種類は特に限定されるものではなく、切削ブレード210との関係で適宜変更可能であり、GaASまたはGaN等で形成されるウエーハや、金属で形成されたウエーハまたは金属電極が部分的にウエーハの裏面に露出したウエーハも含まれる。
被加工物Wが、ダイシングテープT1側を下にして保持テーブル20の保持面200a上に載置される。そして、図示しない吸引源により生み出される吸引力が保持面200aに伝達されることにより、被加工物Wが保持テーブル20によって吸引保持された状態になる。また、各固定クランプ204によって環状フレームFが固定される。
切削送り手段22によって、保持テーブル20に保持された被加工物Wが−X方向に送られ、切削ブレード210を切り込ませるべき分割予定ラインSのY軸方向の座標位置が、アライメント手段25により検出される。また、加工手段21が割り出し送り手段23によってY軸方向に駆動され、切削すべき分割予定ラインSと切削ブレード210とのY軸方向における位置合わせが行われる。
30:保持テーブル 300:吸着部 300a:保持面 301:枠体
31:カバー 31a:蛇腹カバー
5:研削送り手段 50:ボールネジ 51:ガイドレール 52:モータ 53:昇降板 54:ホルダ
7:加工手段 70:回転軸 70a:流路 71:ハウジング 72:モータ 73:マウント 74:研削ホイール 74a:加工砥石 74b:ホイール基台
8:加工水供給手段 80:加工水源 81:配管 82:調整バルブ
9:光照射手段 90:台部 91:発光部 92:洗浄水供給部 920:洗浄水ノズル 920a:噴射口 93:カバー
W:被加工物 Wa:被加工物の表面 Wb:被加工物の裏面 T:保護テープ
A:着脱領域 B:研削領域
P1:プロット図
2:切削装置 2A:基台
20:保持テーブル 200:吸着部 200a:保持面 201:枠体 202:回転手段 204:固定クランプ
21:加工手段 210:切削ブレード 211:スピンドル 212:ハウジング 218:着脱フランジ 217:固定ナット
219:ブレードカバー 213:支持ブロック 213a:調整ネジ 213b:供給ホース 213c:飛沫カバー 214:加工水ノズル 215:加工水ブロック 215a:調整ネジ 216:加工水ノズル 216a:加工水噴射口
25:アライメント手段 250:アライメント用カメラ
22:切削送り手段 220:ボールネジ 221:ガイドレール 222:モータ 223:可動板
23:割り出し送り手段 230:ボールネジ 231:ガイドレール 232:モータ
233:可動部 234:コラム
24:切り込み送り手段 240:ボールネジ 241:ガイドレール 242:モータ 243:支持部材
4:光照射手段 40:発光部 41:電源
W:被加工物 Wa:被加工物の表面 Wb:被加工物の裏面 S:分割予定ライン D:デバイス T1:ダイシングテープ F:環状フレーム
Claims (3)
- 被加工物の加工方法であって、
被加工物を保持する保持面を有した保持テーブルで被加工物を保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、砥粒をビトリファイドで結合した加工砥石を含む加工手段で被加工物を加工する加工ステップと、を備え、
該加工ステップでは、被加工物に加工水を供給するとともに、所定波長の光を光照射手段から該加工砥石の加工面に照射する加工方法。 - 前記加工手段は、前記加工砥石を備える切削ブレードを有し、
前記加工ステップでは、該切削ブレードで被加工物を切削する請求項1に記載の加工方法。 - 前記加工手段は、前記加工砥石を備える研削ホイールを有し、
前記加工ステップでは、該研削ホイールで被加工物を研削する請求項1に記載の加工方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017170156A JP7127972B2 (ja) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | 加工方法 |
TW107126613A TWI793147B (zh) | 2017-09-05 | 2018-08-01 | 加工方法 |
CN201810992953.9A CN109427574B (zh) | 2017-09-05 | 2018-08-29 | 加工方法 |
KR1020180102844A KR102574673B1 (ko) | 2017-09-05 | 2018-08-30 | 가공 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017170156A JP7127972B2 (ja) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | 加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019042886A true JP2019042886A (ja) | 2019-03-22 |
JP7127972B2 JP7127972B2 (ja) | 2022-08-30 |
Family
ID=65514596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017170156A Active JP7127972B2 (ja) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | 加工方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7127972B2 (ja) |
KR (1) | KR102574673B1 (ja) |
CN (1) | CN109427574B (ja) |
TW (1) | TWI793147B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117464110A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-01-30 | 成都鼎易精密模具有限公司 | 一种圆弧异型零件加工夹具及加工方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111843675B (zh) * | 2020-07-15 | 2021-09-07 | 郑州龙华机电工程有限公司 | 一种电力设备在线监测系统 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003334762A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-25 | Isel Co Ltd | 砥石ならびに該砥石を用いた研削加工法および研削盤 |
JP2006100539A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 加工装置及び加工方法 |
JP2009018368A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
JP2009297884A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法並びに研削装置及び研削方法 |
JP2013123792A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び研削装置 |
JP2013219215A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウエーハの加工方法 |
WO2014034921A1 (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-06 | 国立大学法人 熊本大学 | 加工方法及び加工装置 |
JP2015199173A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2015231653A (ja) * | 2014-06-10 | 2015-12-24 | 株式会社ディスコ | 砥石 |
JP2016162915A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | 研削ホイール及び研削装置並びにウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0943399A1 (en) * | 1997-09-08 | 1999-09-22 | The Institute Of Physical & Chemical Research | Optical dressing method, machining device based on this method, grindstone and polishing cloth |
JP5424188B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2014-02-26 | 株式会社クリスタル光学 | レジノイド砥石の研削性調整方法 |
JP2014124690A (ja) | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法および研削装置 |
JP6289886B2 (ja) | 2013-12-03 | 2018-03-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの切削方法 |
JP2017024093A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | Towa株式会社 | 切断装置及び切断方法 |
JP2017056522A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社ディスコ | 研削ホイール及び研削方法 |
-
2017
- 2017-09-05 JP JP2017170156A patent/JP7127972B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-01 TW TW107126613A patent/TWI793147B/zh active
- 2018-08-29 CN CN201810992953.9A patent/CN109427574B/zh active Active
- 2018-08-30 KR KR1020180102844A patent/KR102574673B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003334762A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-25 | Isel Co Ltd | 砥石ならびに該砥石を用いた研削加工法および研削盤 |
JP2006100539A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 加工装置及び加工方法 |
JP2009018368A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
JP2009297884A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法並びに研削装置及び研削方法 |
JP2013123792A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び研削装置 |
JP2013219215A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウエーハの加工方法 |
WO2014034921A1 (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-06 | 国立大学法人 熊本大学 | 加工方法及び加工装置 |
JP2015199173A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2015231653A (ja) * | 2014-06-10 | 2015-12-24 | 株式会社ディスコ | 砥石 |
JP2016162915A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | 研削ホイール及び研削装置並びにウエーハの加工方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117464110A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-01-30 | 成都鼎易精密模具有限公司 | 一种圆弧异型零件加工夹具及加工方法 |
CN117464110B (zh) * | 2023-12-28 | 2024-03-15 | 成都鼎易精密模具有限公司 | 一种圆弧异型零件加工夹具及加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201912310A (zh) | 2019-04-01 |
KR102574673B1 (ko) | 2023-09-04 |
JP7127972B2 (ja) | 2022-08-30 |
TWI793147B (zh) | 2023-02-21 |
CN109427574B (zh) | 2024-03-15 |
CN109427574A (zh) | 2019-03-05 |
KR20190026590A (ko) | 2019-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6912284B2 (ja) | 研削装置 | |
TWI710427B (zh) | 磨削輪及被加工物的磨削方法 | |
KR102343531B1 (ko) | 연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법 | |
KR102555557B1 (ko) | 연삭 장치 | |
TWI795428B (zh) | 磨削裝置 | |
US20230027338A1 (en) | Processing apparatus | |
JP7127972B2 (ja) | 加工方法 | |
JP5947605B2 (ja) | ノズル調整治具 | |
JP2009018368A (ja) | 加工装置 | |
JP6008548B2 (ja) | ノズル調整治具 | |
CN111599739A (zh) | 卡盘工作台 | |
CN116141108A (zh) | 缓进给磨削装置 | |
JP2019110165A (ja) | 切削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220701 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220818 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7127972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |