TWI788317B - 半導體裝置封裝 - Google Patents

Abstract

一種半導體裝置封裝包含一封裝基板、一半導體組件、一熱散播器及一導熱結構。該封裝基板具有一表面。該半導體組件安置於該封裝基板之該表面上方。該熱散播器安置於該封裝基板之該表面及該半導體組件上方。該導熱結構在該半導體組件與該熱散播器之間。該導熱結構包含一第一聚合層，及安置於該第一聚合層中之複數個第一填充物。該等第一填充物中之每一者由該第一聚合層側向地環繞，且該等第一填充物中之每一者之兩端部自該第一聚合層之相對表面曝露且分別與該半導體組件及該熱散播器接觸。

Description

半導體裝置封裝

本發明係關於一種半導體裝置封裝，且更具體而言係關於一種具有在豎直方向上之熱導率高於在側向方向上之熱導率之導熱結構的半導體裝置封裝。

半導體領域已見證一些半導體裝置封裝中之多種電子組件之整合密度之增長。此增加之整合密度常常對應於半導體裝置封裝中之所增加的功率密度。由於半導體裝置封裝之功率密度增長，因此在一些實施中熱耗散可能變得合乎需要。因此，在一些實施中提供具有經改良熱導率之半導體裝置封裝可為適用的。

在一些實施例中，一種半導體裝置封裝包含封裝基板、半導體組件、熱散播器及導熱結構。該封裝基板具有表面。該半導體組件安置於該封裝基板之該表面上方。該熱散播器安置於該封裝基板之該表面及該半導體組件上方。該導熱結構安置於該半導體組件與該熱散播器之間。該導熱結構包含第一聚合層及複數個第一填充物。該第一填充物中之每一者具有兩端部且由該第一聚合層側向地環繞。該第一填充物中之每一者的該兩個端部自該第一聚合層之相對表面曝露且分別與該半導體組件及該熱散播器接觸。 在一些實施例中，一種半導體裝置封裝包含封裝基板、半導體組件、熱散播器及導熱結構。該封裝基板具有表面。該半導體組件安置於該封裝基板之該表面上方。該熱散播器安置於該封裝基板之該表面及該半導體組件上方。該導熱結構安置於該半導體組件與該熱散播器之間。該導熱結構之在基本上垂直於該封裝基板之該表面之豎直方向上的熱導率大於該導熱結構之在基本上平行於該封裝基板之該表面之側向方向上的熱導率。 在一些實施例中，一種半導體裝置封裝包含封裝基板、半導體組件、熱散播器及導熱結構。該封裝基板具有表面。該半導體組件安置於該封裝基板之該表面上方。該熱散播器安置於該封裝基板之該表面及該半導體組件上方。該導熱結構在中心區中具有第一厚度，且在邊緣區中具有第二厚度，且該第一厚度小於該第二厚度。

以下揭示提供用於實施所提供之主題的不同特徵之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置的具體實例來闡釋本發明之某些態樣。當然，此等僅為實例且並不意欲為限制性。舉例而言，在以下描述中，第一特徵在第二特上方或上之形成可包含第一特徵與第二特徵直接接觸地形成或安置的實施例，並且亦可包含額外特徵可形成或安置於第一特徵與第二特徵之間以使得第一特徵及第二特徵可不直接接觸之實施例。另外，本發明可在各種實例中重複參考標號及/或字母。此重複係出於簡單性及清晰性之目的，且其本身並不指示所論述之各種實施例及/或組態之間的關係。 除非另外說明，否則諸如「上方」、「下方」、「上」、「左」、「右」、「下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」、「側面」、「高於」、「低於」、「上部」、「在……上」、「在……下」等之空間描述係相對於圖中所示之定向來指示的。應理解，本文中所使用之空間描述僅係出於說明之目的，且本文中所描述之結構的實際實施可以任何定向或方式在空間上配置，其限制條件為本發明之實施例的優點係不因此配置而有偏差。 以下描述包含對一些半導體裝置封裝及其製造方法之描述。在一些實施例中，半導體裝置封裝包含具有聚合層及經豎直對準之填充物的導熱結構。經豎直對準之填充物有助於使導熱結構之在豎直方向上的熱導率大於在側向方向上的熱導率。此可實現在作業期間由半導體組件產生之熱經由短熱路徑而經快速及/或有效地傳遞至熱散播器，如下文所論述。該聚合層可有助於改良導熱結構與半導體組件之間的接觸。在一些實施例中，導熱結構在中心區中具有第一厚度，且在邊緣區中具有第二厚度，該第一厚度小於該第二厚度。 圖1為根據本發明之第一態樣的半導體裝置封裝1的一些實施例之橫截面視圖。如圖1中所展示，半導體裝置封裝1包含封裝基板10、一或多個半導體組件20、晶粒附接層24、熱散播器30及導熱結構40。封裝基板10具有表面101 (例如，上部表面)。在一些實施例中，封裝基板10可包含半導體基板、內插器或其他合適基板(例如，包含整合於其中之電路、一或多個導電層及/或導電結構之基板)。在一或多個實施例中，表面101經組態以收納半導體組件20。封裝基板10具有與表面101相對之另一表面102 (例如，下部表面)，且表面102可經組態以提供在半導體組件20外部之電氣連接。舉例而言，表面102可曝露其上可形成或安置焊球或其他連接器的導電襯墊。半導體組件20安置於封裝基板10之表面101上方。在一些實施例中，半導體組件20可藉由嵌入於封裝基板10中之電路、導電層或導電結構電連接至表面102，從而可實現將半導體裝置封裝1電連接至諸如電路板之另一電子裝置。在一些實施例中，半導體組件20包含一或多個半導體晶粒或其類似者。半導體組件20可經由諸如晶粒附接層24 (例如晶粒附接膜及/或黏著劑，例如導電黏著劑)安置於封裝基板10上。熱散播器30安置於封裝基板10之表面101及半導體組件20上方。在一些實施例中，熱散播器30之材料可包含但不限於金屬、金屬合金或具有高熱導率之另一材料。在一些實施例中，導熱結構40插入於半導體組件20與熱散播器30之間且與半導體組件20及熱散播器30接觸，且可將在作業期間由半導體組件20產生之熱傳遞至熱散播器30。在一些實施例中，導熱結構40之區域(例如，導熱結構40之頂部表面的區域或導熱結構40之覆蓋區之區域)等於或大於半導體組件20之區域(例如，半導體組件20之頂部表面的區域或半導體組件20之覆蓋區的區域)的約90%，例如，半導體組件20之區域的至少約92%、半導體組件20之區域的至少約94%、半導體組件20之區域的至少約96%、半導體組件之區域的至少約98%、半導體組件20之區域的約100%或在半導體組件20之區域的約90%至半導體組件20之區域的約100%的範圍內的任何值。此可有助於改良熱耗散效率。 在一些實施例中，半導體組件20具有主動表面20A，該主動表面20A具有輸入/輸出(I/O)端子，例如接合襯墊或其他導電結構，其經組態成將半導體組件20電連接至封裝基板10。在一些實施例中，半導體組件20之主動表面20A可面對熱散播器30。在一些實施例中，半導體裝置封裝1可進一步包含將主動表面20A電連接至封裝基板10之電線22，諸如接合線。 熱散播器30可基本上環繞或覆蓋半導體組件20、電線22及導熱結構40。在一些實施例中，熱散播器30可包含彼此連接之第一部分301及第二部分302。第一部分301可基本上安置在導熱結構40之上部表面401上且與該上部表面401接觸。在一些實施例中，第一部分301可橫越導熱結構40之上部表面401側向地延伸，且在側向方向上可寬於導熱結構40。第二部分302連接至第一部分301，且可自第一部分301朝向封裝基板10延伸。在一些實施例中，第二部分302相對於封裝基板10之表面101在傾斜方向上延伸且可連接至封裝基板10 (例如，可在將第一部分301與封裝基板10的表面101連接的基本上筆直的傾斜線上延伸)。在一些實施例中，熱散播器30之第二部分302可黏著於表面101且與表面101接觸(例如，直接接觸)。在一些替代性實施例中，熱散播器30之第二部分302可藉由黏著層(圖中未繪示)連接至表面101。 在一些實施例中，半導體裝置封裝1可進一步包含囊封物32，該囊封物32至少部分地囊封半導體組件20、導熱結構40、熱散播器30及電線22。在一些實施例中，囊封物32可曝露熱散播器30的上部表面30A。在一些實施例中，囊封物32之材料可包含模製原料，諸如環氧樹脂或其類似者。囊封物32之熱導率係數低於導熱結構40之熱導率係數。在一些實施例中，囊封物32之熱導率係數在約0.7瓦每米每開爾文(W/mK)至約6 W/mK的範圍內。 導熱結構40在基本上垂直於封裝基板10之表面101的豎直方向Z上之熱導率大於導熱結構40在一個或兩個側向方向X、Y上的熱導率，該側向方向X、Y基本上平行於封裝基板10的表面101 (例如封裝基板10的表面101可基本上在於X及Y方向上延伸的平面中)。因此，在作業期間由半導體組件20產生的熱可藉由導熱結構40在豎直方向上朝向熱散播器30快速地及/或有效地傳遞，因此改良熱耗散效率。導熱結構40可提供短熱路徑，如下文所論述。在一些實施例中，導熱結構40經組態以具有高熱導率係數且經組態以黏著於半導體組件20及熱散播器30。在一些實施例中，導熱結構40之厚度可基本上大於約200微米。作為實例，導熱結構40之厚度可在約200微米至約700微米之範圍內；在約200微米至約600微米之範圍內；在約300微米至約600微米之範圍內；在約300微米至約500微米之範圍內；或在其他適合之範圍內。在一些實施例中，導熱結構40之熱導率係數可在約40 W/mK至約90 W/mK之範圍內。在一些實施例中，導熱結構40在不使用諸如晶粒附接材料及模製原料之媒介材料的情況下與半導體組件20及熱散播器30直接接觸，該中介材料可具有比導熱結構40之熱導率係數低的熱導率係數。此可有助於使半導體組件20與熱散播器30之間的熱路徑中之平均熱導率係數高，且因此增強半導體封裝裝置1的熱導率效率。 圖2A為根據本發明之一些實施例之呈初始狀態之導熱結構40的一些實施例之橫截面視圖。如圖1A及圖2A中所展示，導熱結構40可包含第一聚合層42及在第一聚合層42中以基本上豎直的方式對準之第一填充物44。在一些實施例中，第一聚合層42之材料可包含但不限於矽酮樹脂或其類似者。在一些實施例中，第一聚合層42之材料可光學敏感及/或熱敏感，且可光學固化及/或熱固化。在一些實施例中，第一聚合層42可在形成熱散播器30之前固化。在一些實施例中，第一填充物44之材料可包含但不限於石墨、石墨烯、碳纖維、氮化硼或其類似者。在一些實施例中，第一填充物44中之每一者由第一聚合層42側向地環繞或覆蓋，使得第一填充物44由第一聚合層42基本上保持豎直對準。第一填充物44中之每一者的端部44A及端部44B (例如相對豎直端部)自第一聚合層42曝露。經豎直對準之第一填充物44可具有高熱導率係數，且可提供在豎直方向Z上的熱傳遞通道。與未豎直對準之填充物(例如隨機散佈的填充物)相比，經豎直對準之第一填充物44有助於使導熱結構40在豎直方向Z上的熱導率基本上大於在側向方向X、Y上的熱導率，且因此在作業期間由半導體組件20產生之熱可經由短熱路徑(例如，沿著經豎直對準的第一填充物44的直接路徑)快速地及/或有效地傳遞至熱散播器30。第一聚合層42可為軟且有彈性的材料，從而可有助於改良導熱結構40與半導體組件20之間的接觸且可有助於避免分層。導熱結構40之材料可化學地穩定，且因此可避免導熱結構40與半導體組件20之間的化學交叉污染。 圖2B為根據本發明之一些實施例之呈變形狀態的導熱結構40之一些實施例之橫截面視圖。在一些實施例中，導熱結構40適於其中施加外力(諸如由模套或其類似者)以將導熱結構40夾持至半導體組件20的實施。在一些此等實施例中，可忽略晶粒附接層(例如晶粒附接膜)。在一些實施中，壓縮導熱結構40且藉由外力將其連接至熱散播器30及半導體組件20。藉由忽略可具有低熱導率係數的晶粒附接膜，導熱結構40可增強半導體裝置封裝1之熱耗散效率。在一些實施例中，導熱結構40可在熱散播器30形成之前固化。如圖2B中所展示，在壓縮導熱結構40之後，導熱結構40的第一填充物44仍可基本上豎直地對準(例如，儘管與完美豎直對準有一定偏離)且可提供在基本上豎直方向Z上的熱傳遞通道。在一些實施例中，在此變形之後的導熱結構40之厚度可縮減在初始厚度之約10%至約40%之範圍內的量(例如，縮減約10%、約20%、約30%、或約40%)。作為實例，當導熱結構40的初始厚度約500微米時，在變形之後的導熱結構40的厚度可為約400微米。另外，在壓縮導熱結構40之後，導熱結構40與半導體組件20之間的接觸可改良。在一些實施例中，導熱結構40之壓縮可增加導熱結構40之厚度偏差的容差，且可改良導熱結構40之厚度均一性。作為實例，若變形比率(諸如拉伸比率或延伸比率)係20%且導熱結構40的初始厚度係120微米，則導熱結構40的厚度偏差容差係24微米(120微米的20%)。相似地，若變形比率為20%且導熱結構40的初始厚度係500微米，則導熱結構40的厚度偏差容差為100微米(500微米的20%)。 本發明提供之半導體裝置封裝不限於上文所描述之實施例，且可包含其他不同實施例，諸如下文所描述的實施例。為簡化描述且出於本發明之實施例中之每一者之間的合宜比較起見，以下實施例中之每一者中之相同或相似組件標記有同樣編號且不會過多地描述。 圖3A為根據本發明之第二態樣之半導體裝置封裝2之一些實施例的橫截面視圖，且圖3B為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝2的部分俯視圖。如圖3A及圖3B中所展示，不同於圖1之半導體裝置封裝1，半導體組件20之主動表面20A面對封裝基板10。在一些實施例中，半導體裝置封裝2可進一步包含將主動表面20A電連接至封裝基板10的導電結構26。作為實例，導電結構26可包含但不限於導電凸塊、導電球或其類似者。在一些實施例中，半導體裝置封裝2可進一步包含環繞導電結構26且安置於半導體組件20與封裝基板10之間的底部填充層28。在一些實施例中，熱散播器30之第二部分302藉由黏著層12連接至表面101。在一些實施例中，導熱結構40可具有側向邊緣40E，且半導體裝置封裝2可進一步包含環繞導熱結構40之邊緣40E的至少一個黏著結構50。黏著結構50可進一步連接至半導體組件20及熱散播器30。在一些實施例中，黏著結構50可經組態以將熱散播器30的第一部分301接合至半導體組件20。在一些實施例中，黏著層12及黏著結構50可包含相同材料，且可同時形成。在一些實施例中，黏著結構50可經組態以幫助設置導熱結構40的位置(例如，導熱結構40可由黏著結構50環繞，如圖3A中所展示)。在一些實施例中，黏著結構50圍繞半導體組件20的周邊定位，且黏著結構50的寬度可縮減，從而可有助於避免對導熱結構40的熱耗散的不利影響。在一些實施例中，黏著結構50的寬度(例如，沿著X方向)等於或小於半導體組件20的寬度的約10% (例如，等於或小於半導體組件20的寬度的約8%，等於或小於半導體組件20的寬度的約6%，等於或小於半導體組件20的寬度的約4%，或等於或小於半導體組件20的寬度的約2%)。在一些實施例中，導熱結構40之區域(例如，導熱結構40的頂部表面的區域或導熱結構40的覆蓋區的區域)等於或大於半導體組件20的區域的約90% (例如，等於或大於半導體組件20的區域的約92%，等於或大於半導體組件20的區域的約94%，等於或大於半導體組件20的區域的約96%，或等於或大於半導體組件20的區域的約98%)。在一些實施例中，可忽略囊封物。 圖4為根據本發明之一些實施例之黏著結構50之橫截面視圖。如圖4中所展示，黏著結構50可包含第二聚合層52及安置於第二聚合層52中之第二填充物54。在一些實施例中，第二填充物54在第二聚合層52中隨機地分佈。在一些實施例中，黏著結構50之第二聚合層52及導熱結構40之第一聚合層42可包含相同材料及相同催化劑以幫助避免歸因於材料差異的不利影響。在一些實施例中，黏著結構50之第二填充物54及導熱結構40之第一填充物44可包含不同材料。舉例而言，第一填充物44之材料可包含但不限於石墨、石墨烯、碳纖維、氮化硼或其類似者，而第二填充物54之材料可包含但不限於氧化矽、氧化鋁、銀或其類似者。在一些實施例中，第二聚合層52之材料可為光學敏感及/或熱敏感的，且可被光學固化及/或熱固化。 圖5A為根據本發明之第三態樣之半導體裝置封裝3之一些實施例的橫截面視圖，且圖5B為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝3的部分俯視圖。如圖5A及圖5B中所展示，不同於圖3A的半導體裝置封裝2，半導體裝置封裝3包含扇出裝置封裝。在一些實施例中，半導體組件20可包含兩個或多於兩個半導體晶粒201。在一些實施例中，每一半導體晶粒201可具有邊緣201E (例如，外部側向邊緣)，且囊封物32安置於導熱結構40與封裝基板10之間且環繞或覆蓋半導體晶粒201中之每一者的每一邊緣201E。在一些實施例中，半導體裝置封裝3可進一步包含基板70，且半導體晶粒201安置於基板70上方。 圖6為根據本發明之第四態樣之半導體裝置封裝4之一些實施例的橫截面視圖。如圖6中所展示，不同於圖3A的半導體裝置封裝2，半導體裝置封裝4的熱散播器30安置於導熱結構40上方且基本上平行於封裝基板10延伸。在一些實施例中，熱散播器30具有基本上板形的結構。在一些實施例中，囊封物32安置於熱散播器30與封裝基板10之間，且側向地環繞半導體組件20、導熱結構40及底部填充層28。 圖7為根據本發明之第五態樣之半導體裝置封裝5的一些實施例的橫截面視圖。如圖7中所展示，不同於圖5A的半導體裝置封裝3，半導體裝置封裝5具有基本上彎折或彎曲(例如弓形)形狀。在一些實施例中，半導體裝置封裝5的中心部分可相對於本文中所描述的其他實施例向上彎折(例如可具有凹面形狀)。在一些實施例中，導熱結構40在中心區40A中具有第一厚度t1，且導熱結構40在邊緣區40B中具有第二厚度t2，且第一厚度t1小於第二厚度t2；例如t1可為t2的約98%或更小、約95%或更小，或約90%或更小。在一些實施例中，導熱結構40在夾持熱散播器30之前固化，而黏著結構50在夾持熱散播器30之後固化，從而可提供導熱結構40的凹面形狀。 在本發明之一些實施例中，半導體裝置封裝包含導熱結構，該導熱結構具有聚合層及經豎直對準之填充物。經豎直對準的填充物有助於使導熱結構在豎直方向上的熱導率大於導熱結構在側向方向上的熱導率，且因此在作業期間由半導體組件產生的熱可經由短熱路徑傳遞至熱散播器。該聚合層可有助於改良導熱結構與半導體組件之間的接觸。導熱結構的材料化學地穩定，且因此可有助於避免導熱結構與半導體組件之間的化學交叉污染，且降低分層風險。 如本文中所使用，除非上下文另外明確規定，否則單數術語「一(a/an)」及「該」可包含複數個指示物。 如本文中所使用，術語「導電(conductive/electrically conductive)」及「導電性」指代輸送電流之能力。導電材料通常指示展現對於電流流動的極少或零對抗之彼等材料。導電性之一個量度為西門子/米(S/m)。通常，導電材料為具有大於約10⁴ S/m (例如至少10⁵ S/m或至少10⁶ S/m)之導電性的一種材料。材料之導電性有時可隨溫度而變化。除非另外規定，否則材料的導電性係在室溫下量測。 如本文中所使用，術語「大致」、「基本上」、「實質」及「約」用以描述及說明小的變化。當與事件或情形結合使用時，該術語可指代其中事件或情形精確發生的例子以及其中事件或情形極近似地發生的例子。舉例而言，當結合數值使用時，術語可指小於或等於該數值的±10%的變化範圍，諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%。舉例而言，若兩個數值之間的差小於或等於該值的平均值的±10%，諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%，則可認為該兩個數值「基本上」相同或相等。舉例而言，「基本上」平行可指相對於0°的小於或等於±10°的角度變化範圍，諸如小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°、或小於或等於±0.05°。舉例而言，「基本上」垂直可指相對於90°的小於或等於±10°的角度變化範圍，諸如小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°，或小於或等於±0.05°。 另外，有時在本文中按範圍格式呈現量、比率及其他數值。應理解，此等範圍格式係為便利及簡潔而使用，且應靈活地理解為不僅包含明確地指定為範圍限制的數值，申請專利範圍且亦包含涵蓋於該範圍內的所有個別數值或子範圍，如同明確地指定每一數值及子範圍一般。 儘管已參考本發明之特定實施例描述並說明本發明，但這些描述及說明並不限制本發明。一般熟悉此項技術者應理解，在不脫離如由所附申請專利範疇界定的本發明之真實精神及範疇的情況下，可作出各種改變且可替代等效物。該說明可能未必按比例繪製。由於製造製程及容差，本發明中之藝術再現與實際設備之間可存在區別。可存在並未特定說明的本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性的而非限制性的。可進行修改，以使特定情形、材料、物質組成、方法或製程適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此等修改皆既定在此所附權利要求書之範疇內。雖然本文中所揭示之方法已參考按特定次序執行之特定操作加以描述，但應理解，可在不脫離本發明之教示之情況下組合、細分或重新排序這些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則作業的次序及分組不係對本發明之限制。

1‧‧‧半導體裝置封裝2‧‧‧半導體裝置封裝3‧‧‧半導體裝置封裝4‧‧‧半導體裝置封裝5‧‧‧半導體裝置封裝10‧‧‧封裝基板12‧‧‧黏著層20‧‧‧半導體組件20A‧‧‧主動表面22‧‧‧電線24‧‧‧晶粒附接層26‧‧‧導電結構28‧‧‧底部填充層30‧‧‧熱散播器30A‧‧‧上部表面30A32‧‧‧囊封物40‧‧‧導熱結構40A‧‧‧中心區40B‧‧‧邊緣區42‧‧‧第一聚合層44‧‧‧第一填充物44A‧‧‧端部44B‧‧‧端部40E‧‧‧側向邊緣50‧‧‧黏著結構52‧‧‧第二聚合層54‧‧‧第二填充物70‧‧‧基板101‧‧‧表面102‧‧‧表面201‧‧‧半導體晶粒201E‧‧‧邊緣301‧‧‧第一部分302‧‧‧第二部分401‧‧‧上部表面

當結合附圖閱讀時，自以下具體實施方式最好地理解本發明之一些實施例之態樣。應注意，各種結構可能未按比例繪製,且各種結構之尺寸可出於論述清楚起見任意增大或減小。 圖1為根據本發明之第一態樣之半導體裝置封裝之一些實施例之橫截面視圖； 圖2A為根據本發明之一些實施例之呈初始狀態之導熱結構的一些實施例之橫截面視圖； 圖2B為根據本發明之一些實施例之呈變形狀態之導熱結構的橫截面視圖； 圖3A為根據本發明之第二態樣的半導體裝置封裝之一些實施例的橫截面視圖； 圖3B為根據本發明之第二態樣之半導體裝置封裝之一些實施例的部分俯視圖； 圖4為根據本發明之一些實施例之黏著結構的橫截面視圖； 圖5A為根據本發明之第三態樣之半導體裝置封裝之一些實施例的橫截面視圖； 圖5B為根據本發明之第三態樣的半導體裝置封裝之一些實施例的部分俯視圖； 圖6為根據本發明之第四態樣之半導體裝置封裝之一些實施例的橫截面視圖；且 圖7為根據本發明之第五態樣之半導體裝置封裝之一些實施例的橫截面視圖。

1‧‧‧半導體裝置封裝

10‧‧‧封裝基板

20‧‧‧半導體組件

20A‧‧‧主動表面

22‧‧‧電線

24‧‧‧晶粒附接層

30‧‧‧熱散播器

30A‧‧‧上部表面

32‧‧‧囊封物

40‧‧‧導熱結構

101‧‧‧表面

102‧‧‧表面

301‧‧‧第一部分

302‧‧‧第二部分

401‧‧‧上部表面

Claims (12)

1. 一種半導體裝置封裝，其包括：封裝基板，其具有一表面；半導體組件，其安置於該封裝基板之該表面上方；熱散播器，其安置於該封裝基板之該表面及該半導體組件上方，其中該熱散播器包含第一部分及第二部分，該第二部分自該第一部分朝向該封裝基板延伸；囊封物，其環繞該熱散播器之該第二部分；導熱結構，其安置於該半導體組件與該熱散播器之間，其中該導熱結構包括：第一聚合層；及複數個第一填充物，其各自具有兩個端部且安置於該第一聚合層中，其中該第一填充物中之每一者由該第一聚合層側向地環繞，且該第一填充物中之每一者之該兩個端部自該第一聚合層的相對表面曝露且分別與該半導體組件及該熱散播器接觸；及至少一個黏著結構，其安置於該半導體組件的上表面與該熱散播器之間，其中該黏著結構環繞該導熱結構之邊緣並連接至該半導體組件及該熱散播器。
2. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該第一填充物在基本上垂直於該封裝基板之該表面的豎直方向上對準。
3. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該導熱結構之在基本上垂直於該封裝基板的該表面之豎直方向上的熱導率大於該導熱結構之在基本上平行於該封裝基板的該表面的側向方向上的熱導率。
4. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該第一填充物之熱導率大於該第一聚合層之熱導率。
5. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該黏著結構包括第二聚合層及安置於該第二聚合層中之複數個第二填充物。
6. 如請求項5之半導體裝置封裝，其中該導熱結構之該第一聚合層及該黏著結構之該第二聚合層包括相同材料，且該導熱結構之該第一填充物及該黏著結構之該第二填充物包括不同材料。
7. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該黏著結構之寬度等於或小於該半導體組件之寬度的約10%。
8. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該第二部分相對於該封裝基板之該表面傾斜延伸。
9. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該導熱結構之熱導率自約40W/mK至約90W/mK。
10. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該半導體組件具有面對該封裝基板的主動表面，且該半導體裝置封裝包括：複數個導電結構，其將該主動表面電連接至該封裝基板；及底部填充層，其環繞該導電結構且安置於該半導體組件與該封裝基板之間。
11. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該囊封物環繞該導熱結構並安置於該半導體組件的上表面與該熱散播器之間。
12. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該半導體組件包括各自具有邊緣之兩個或多於兩個半導體晶粒，且該囊封物安置於該導熱結構與該封裝基板之間且環繞該半導體晶粒的該邊緣。

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