TWI786227B - 探測器 - Google Patents
探測器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI786227B TWI786227B TW107140993A TW107140993A TWI786227B TW I786227 B TWI786227 B TW I786227B TW 107140993 A TW107140993 A TW 107140993A TW 107140993 A TW107140993 A TW 107140993A TW I786227 B TWI786227 B TW I786227B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- inspected
- unit
- led
- wafer
- inspection
- Prior art date
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 150
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 101150072109 trr1 gene Proteins 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
- G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/37—Converter circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
- G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
[課題]在依序進行於載置台上的基板配列成矩陣狀的被檢查晶片的探針測試時，減輕向檢查對象的被檢查晶片以外的被檢查晶片的熱負荷。
[解決手段]在載置配列被檢查晶片(100)的載置台(2)的載置面的相反側以各自獨立加熱在每個被檢查晶片(100)設定的區域的方式設置複數LED單元(3)。接著在被檢查晶片(100)的檢查時，於前述複數LED單元(3)內，進行該檢查的被檢查晶片(100)的區域及該區域的周邊區域之中，至少驅動對應進行該檢查的被檢查晶片(100)的區域之區域的LED單元(3)。因此能夠減輕向進行檢查的被檢查晶片(100)以外的被檢查晶片(100)的熱負荷。
Description
本發明係有關於進行配列成矩陣狀的被檢查裝置的電特性的檢查的探測器。
在半導體裝置的製造工程中，例如如專利文獻1所示，在基板即半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)的表面將IC(積體電路)等IC晶片形成矩陣狀後，以維持將IC晶片切離之前的晶圓的狀態，對被檢查晶片施加電壓進行調查電特性的探針測試。
通過探針檢查的IC晶片在進行封裝後，雖對各個封裝進行最終檢查，但封裝成本過高。因此在探針測試中，盡可能地進行高精度檢查，在進行封裝之前的階段，需要盡可能地發現包含不良狀態的IC晶片。近年，在將被檢查晶片曝露於實裝環境的溫度的狀態下，於探針測試中施加實裝時的電壓，進行電特性的檢查。此時形成被檢查晶片的晶圓的溫度控制，雖藉由設於載置台內部的冷媒流路及加熱器進行，但冷媒流路及加熱器難以小型化，會進行載置台的表面全體的溫度調整，將形成於載置台上的晶圓的複數IC晶片溫度調整成一致。
此外，因為近年IC的高速化及微細化進展且集積度提高，動作時的發熱量增大。因此在探針測試中，對被檢查晶片施加實裝時的電壓時，從被檢查晶片產生的熱量也變大。藉此例如在高溫環境下進行探針測試時，若形成於晶圓的IC晶片一律升溫的話，在被檢查晶片的周圍的未進行檢查的IC晶片也會曝露於因加熱器所致的升溫及被檢查晶片的檢查而產生的熱的熱負荷之下，會成為不良狀態的要因。因此在探針測試中，因為對被檢查晶片施加比實裝時的電壓還低的電壓進行檢查，不得不抑制從被檢查晶片產生的熱量，會有在封裝前無法充分發現IC晶片的不良狀態的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]特開平7-297242號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明係在該等事情下完成者，其目的為提供一種技術，在依序進行於載置台上的基板配列成矩陣狀的被檢查晶片的探針測試時，減輕向檢查對象的被檢查晶片以外的被檢查晶片的熱負荷。
[解決問題的手段]
本發明的探測器，係用來藉由測試器依序檢查在基板設成矩陣狀的複數被檢查晶片的電特性的探測器，具備：
載置前述基板的載置台；
依序接觸前述複數被檢查晶片的電極墊片的接觸子；
在前述載置台的載置面的相反側，以將複數被檢查晶片所在複數區域相互獨立加熱的方式設置，分別由1個或複數LED構成的複數LED單元；
在被檢查晶片的檢查時，於前述複數LED單元內，進行該檢查的被檢查晶片的區域及該區域的周邊區域之中，以至少驅動對應進行該檢查的被檢查晶片的區域之區域的LED單元的方式輸出控制信號的控制部。
[發明的效果]
本發明，在當藉由測試器依序檢查配列成矩陣狀的複數被檢查晶片的電特性時，在載置配列被檢查晶片的基板的載置台的載置面的相反側以各自獨立加熱被檢查晶片的方式設置複數LED單元。接著在被檢查晶片的檢查時，於進行檢查的被檢查晶片及該區域的周邊區域之內，至少加熱對應進行該檢查的被檢查晶片的區域。因此能夠減輕向進行檢查的被檢查晶片以外的被檢查晶片的熱負荷。
[第1實施形態]
雖說明關於第1實施形態的探測器，但首先說明關於形成被檢查晶片的晶圓W。晶圓W構成例如直徑300mm的圓板狀。在晶圓W的表面比周緣部5mm的截斷線還內側的區域，如圖1所示，劃分成鋪滿例如30mm角的正方形的區域D的格子狀，在各區域D，形成在表面構成IC等的矩形IC晶片100。在各IC晶片100，形成用來對構成IC晶片100的元件供應電流的電極墊片101，在探測器中，對該電極墊片101施加實裝時的電壓，檢查電特性。又，IC晶片100中的一部分的電極墊片101a，連接有例如二極體等用於溫度測定的溫度測定用元件102，在後述測定被檢查晶片100的溫度時，使用連接至溫度測定用的元件102的電極墊片101a。此外，在以下說明書中，不區別被檢查對象的IC晶片與非檢查對象的IC晶片而示出被檢查晶片100。
接著說明關於探測器的全體構成。如圖2所示，探測器具備構成裝置本體的框體1。在該框體1的底部的基台11上，從下段側依序設置：沿著向Y方向(與圖2交叉的方向)延伸的Y軌道211移動自如的Y載台21、及在沿著向X方向(朝向圖2的左右方向)延伸的X軌道221移動自如的X載台22。
例如在Y載台21及X載台22併設有未圖示的滾珠螺槓機構，藉由使用組合編碼器的馬達來調節滾珠螺槓的旋轉量，能夠將Y載台21的Y方向的停止位置、及X載台22的X方向的停止位置調整成正確。
在X載台22之上設有支持於以伸縮自如構成的伸縮軸231，且在Z方向(上下方向)以升降自如構成的Z移動部23。再來在該Z移動部23的上面側，設有在Z移動部23上繞Z軸旋轉自如(在θ方向移動自如)而構成的載置台2。上述Y載台21、X載台22、支持於伸縮軸231的Z移動部23，構成本實施形態的移動機構，能夠使載置台2在X、Y、Z、θ的各方向移動。
將藉由Y載台21、X載台22、Z移動部23而讓載置台2(載置於載置面的晶圓W)移動的區域稱為移動區域，在該移動區域的上方設有探針卡13。探針卡13裝卸自如地安裝至框體1的天板12。
探針卡13作為PCB(Printed circuit board)構成，在其上面側形成電極群。又，在配置於天板12上方的測試器14與探針卡13之間，介設有用來取得測試器14側的端子與既述的電極群之間的電導通的介面41。
介面41以對應探針卡13的電極群的配置位置的方式，作為配置多數電極部即彈簧針411的彈簧針單元構成，介面41例如固定於測試器14側。
又，測試器14具備：將通過探針卡13取得的表示被檢查晶片的電特性的電信號作為檢查資料記憶的資料記憶部、及基於檢查資料判定被檢查晶片100的電缺陷的有無的判定部(都未圖示)。於探針卡13的下面側，設置相對於上面側的電極群各自電連接的探針，即多數的探針針131。
接著說明有關載置台2。如圖3所示，載置台2，其所有晶圓W的載置區域的區域D被畫分成格子狀，分割成11列(列C1～C11)、11行(行R1～R11)的97個30mm角的矩形的區域D。在之後的說明書中，就各區域D，附加圖3中的各區域D的編號進行說明。
載置台2在各區域D個別設置LED單元3，如圖4所示，從載置晶圓W之面的相反側，朝向載置於載置面的晶圓W的下面照射光。LED單元3例如排列複數LED光源31而構成，以能夠對配置於對應的區域D的晶圓W的下面的該區域D的全域照射光的方式構成。此外LED單元3也可以以一個LED光源31構成。
在載置台2上的LED單元3之群的上方設有冷卻單元32，冷卻單元32例如由幾乎不使LED的光衰減而透過的石英等構件構成，在內部形成在所有區域D共通的冷媒流路33。在冷媒流路33連接具備由泵、流量調整部、熱電元件等構成的冷卻機構的冷媒流通機構34，藉由使例如水及熱傳導液(註冊商標)等的冷媒以預定的流量在冷媒流路33流通，而能夠將載置於載置面的晶圓W冷卻。
在冷卻單元32的上方，隔介著O型環36，設置構成載置面的載置板35。載置板35如圖3所示比晶圓W還大，例如構成直徑310mm的圓板狀，以例如石英等的使LED光透過的材質構成。
又，探測器具備用來控制探測器的動作的控制部9。如圖5所示，控制部9具備：控制LED單元3的點亮的LED控制部91、控制載置台2的移動、及將探針針抵壓至被檢查晶片100並執行檢查的動作等的主控制部90，從主控制部90向LED控制部91發送表示例如進行檢查的被檢查晶片100的載置區域的資訊。
接著說明關於用來使各區域D的LED單元3個別點亮的電路。如圖6所示，控制電路具備：包含例如以縱橫配列的LED單元3二極體矩陣電路5、對二極體矩陣電路5供應電力的電力供應部7、在二極體矩陣電路5中的用來選擇點亮LED單元3的列(column)控制部74、行(row)控制部75。又圖6中的73為將用來控制電力供應部7、列控制部74及行控制部75的控制信號輸出的由晶片CPU構成的資料處理部(控制器)。在該例中，資料處理部73、列控制部74、行控制部75及二極體矩陣電路5中的驅動電路的部位相當於LED控制部91。
如圖6所示，電力供應部7具備：交流電源71、改善向負載側供應的高頻電力的功率的功率改善電路721、從交流電力得到直流電力的整流平滑電路722、進行直流電力的電壓調整的降壓截波電路723。
交流電源71例如使用商用交流電源，供應50/60Hz、200V的交流電力。例如從與公知的交錯電流連續模式的功率改善電路721組合設置的整流平滑電路722，輸出例如400V的直流電力。
降壓截波電路723，將從整流平滑電路722供應的直流電流，調整成具有例如10V～400V的範圍的電壓的直流電力。功率改善電路721內的主動濾波器的能率控制、降壓截波電路723的PMW控制係藉由資料處理部73來控制。
接著說明關於二極體矩陣電路5。設於基板的被檢查晶片100，在11行、11列的矩陣狀的配列區域之中，設於各個四角部位以階梯狀欠缺的配列區域。各LED單元3因為將各被檢查晶片100獨立加熱，對應被檢查晶片100的配列而設置，對應被檢查晶片100的配列，在11行、11列的矩陣狀的配列區域之中，設於各個四角部位一樣欠缺的配列區域。
二極體矩陣電路5由以此方式配列的LED單元3及驅動各LED單元3的驅動電路(驅動器)構成。在圖7所示的二極體矩陣電路5中，在電路圖的作圖的方便上，雖在矩陣狀的配列區域中關於上述欠缺的配列部位也記載成LED單元3，但實際上在該區域未設置LED單元。
驅動電路具備：設於各行(row)的行用開關部即電晶體及設於各列(column)的列用開關部即電晶體。
在各行的電晶體對應第1行、第2行、...第n行分配符號TrR1、TrR2…TrRn，在各列的電晶體對應第1列、第2列、...第n列分配符號TrC1、TrC2…TrCn。以下，在個別的電晶體的說明中，雖記載電晶體末尾的符號(數值)，但在總括的電晶體的說明中，在電晶體的末尾不附加符號，而記載成TrR或TrC。
各行的LED單元3的陰極側連接至對應的電晶體TrR的集極且各電晶體TrR的射極接地。各電晶體TrR的基底藉由行控制部75供應驅動電壓，成為開啟的各電晶體TrR藉由行控制部75選擇。
各列的LED單元的陽極側連接至對應電晶體TrC的集極且各電晶體TrC的射極連接至電力供應部7。各電晶體TrC的基底藉由列控制部74供應驅動電壓，成為開啟的各電晶體TrC藉由列控制部74選擇。
在設於圖6所示的資料處理部73的記憶體(圖未示)，將進行檢查的被檢查晶片100(區域)的編號、與對應用來驅動應驅動(點亮)的LED單元3的電晶體TrR、TrC的數位代碼建立對應而記憶。接著，資料處理部73從主控制部90指定成為檢查對象的被檢查晶片100的編號後，將對應被檢查晶片100的既述的數位代碼從記憶體讀出並輸出至行控制部75及列控制部74。藉此從行控制部75及列控制部74對電晶體TrR、TrC分別輸出選擇信號(驅動信號)，驅動對至前述被檢查晶片100的LED單元3。
又，探測器具備用來測定被檢查晶片100的溫度的溫度檢出部。例如如圖8所示，探針針131之內，電連接至接觸與被檢查晶片100中的溫度測定用元件102連接的電極墊片101a的2條探針針131的中間連接單元即彈簧針411，各自設有繼電器81。各繼電器81，以將電極墊片101a的電位切接至測試器14側、與溫度檢出部8側而傳達的方式構成，例如進行被檢查晶片100的電特性的檢查時，以預定的時序將各電極墊片101a的電位傳達至溫度檢出部8。
此時二極體等溫度測定用的元件102，各因應施加至各電極墊片101的預定電壓產生電位差，但該電位差會因溫度而不同。因此，能夠基於對應溫度測定用的元件102的各電極的電極墊片101a間的電位差測定溫度測定用的元件102的溫度。又，溫度測定用的元件102的溫度因為成為略同於被檢查晶片100的溫度，該電位差可以說是對應被檢查晶片100的溫度的值。接著在探測器中，基於在溫度檢出部8檢出的溫度進行回饋，進行降壓截波電路723的PMW控制。藉此調整電力供應部7的輸出，控制LED單元3的發光強度。
圖9表示依據檢出的溫度進行回饋，進行降壓截波電路723的PMW控制，控制電力供應部7的輸出的控制電路。在上述的溫度檢出部8中，以流通一定電流的方式校正定電流源，此時的二極體電壓相當於溫度。將該電壓例如藉由電壓感測器取得。相當於該溫度資訊值的電壓值，在通過濾波器82之後，在加算部85求出與相當於設定溫度的設定電流值間的偏差分。接著偏差分被輸入至PID控制部83，依照該偏差分進行PID控制，因應輸出的操作量通過負載比設定部84，調整降壓截波電路723中的截波動作的負載比。藉此從降壓截波電路723，調整輸入至二極體矩陣電路5的電壓，調整藉由二極體矩陣電路5選擇的區域D中的LED單元3的發光強度，並調整對應的區域D的加熱溫度。濾波器82、加算部85、PID控制部83及負載比設定部84，例如設於資料控制部73。
又，如圖5所示的主控制部90具備由程式、記憶體、CPU構成的資料處理部等，在程式中組入從控制部90對探針裝置的各部發送控制信號，用來進行晶圓W的檢查動作的步驟群。該程式，儲存於電腦記憶媒體、例如可撓性磁碟、光碟、MO(磁光碟)等圖未示的記憶部並安裝至控制部91。
接著說明關於上述探測器的作用。首先藉由圖未示的外部搬送臂將晶圓W搬入框體1內，載置於載置台2上。此時形成晶圓W中的各被檢查晶片100的各區域D，以位於載置台2側的各區域D的方式被載置。
然後，使載置台2上升，使探針針131接觸位於晶圓W上的例如區域D49之上的被檢查晶片100的電極墊片101。此時在載置台2中，於冷媒流路33流通冷媒。再來從電力供應部7對二極體矩陣電路5供應對應溫度設定值的驅動電力，同時從主控制部90將被檢查晶片100的被載置的區域的位置資訊發送至資料處理部73，從資料處理部73對列控制部74及行控制部75輸出用來點亮在最初對應成為檢查對象的被檢查晶片的位置LED單元3的控制信號。
例如使區域D49中的LED單元3首先點亮後，如圖10所示從列控制部74將1V的電壓例如以10毫米秒間施加至電晶體TrC6，並同時從行控制部75向電晶體TrR6將1V的電壓以例如10毫米秒間施加。藉此，電晶體TrC6及電晶體TrR6成為開啟，點亮對應列C6、行R6的區域D49的LED單元3。
LED單元3的驅動電流，因為如同既述通過資料處理部73進行PWM控制，而控制電壓，點亮對應區域D49的LED單元3，加熱區域D49使其成為設定溫度，例如85℃。此時在區域D49以外的區域D，藉由冷媒成為冷卻的狀態。
又，在加熱區域D49的位置的被檢查晶片的期間，例如從測試器14通過中間環41、探針卡13及探針針131向區域D49的位置的被檢查晶片100供應電信號，進行電特性的檢查。此時雖對區域D49的位置的被檢查晶片100施加實裝時的電壓而發熱，但基於由溫度檢出部8檢出的溫度進行回饋控制，調整從電力供應部7供應的驅動電力，包含區域D49的溫度發熱造成的熱負荷，控制成成為例如85℃。
又在區域D49以外的區域D也受到因被檢查晶片100的發熱所致的熱負荷，但因為該等區域D未點亮LED單元3，溫度未上升，再來因冷媒而冷卻，故快速地被冷卻。接著，載置於區域D49以外的區域D的被檢查晶片100，不會受到相當於區域D49的溫度的熱負荷。
接著，利用移動機構使載置台2(晶圓W)相對於探針卡13依序移動，接著使探針針131移動至進行檢查的被檢查晶片100，例如區域D50的位置的被檢查晶片100的上方，使探針針131接觸區域D50的位置的被檢查晶片100的電極墊片101。
此時如圖11所示，從列控制部74及行控制部75對電晶體TrR7、TrC6分別施加驅動電流，即選擇電晶體TrR7、TrC6，點亮對應區域D50的LED單元3，將區域D50加熱至設定溫度。另一方面對應區域D49的LED單元3熄滅，區域D49藉由冷媒冷卻。接著在加熱區域D50的期間，例如從測試器14通過探針針131向區域D50的位置的被檢查晶片100供應電信號，進行電特性的檢查。
藉此，對在晶圓W上多數形成的各被檢查晶片100的電極墊片101將同樣的動作重複依序進行檢查，同時將照射光至LED單元3依序取代，將成為檢查對象的被檢查晶片100依序進行溫度控制。
根據上述的實施形態，在當藉由測試器14依序檢查配列成矩陣狀的複數被檢查晶片100的電特性時，在載置配列被檢查晶片100的載置台2的載置面的相反側以各自獨立加熱在每個被檢查晶片100設定的區域D的方式設置複數LED單元3。接著在被檢查晶片100的檢查時，加熱對應進行檢查的被檢查晶片100的區域D。因此能夠減輕向進行檢查的被檢查晶片100以外的被檢查晶片100的熱負荷。
又在當使各LED單元3個別點亮時，構成圖6所示的那種二極體矩陣電路5，藉由以列單位及行單位分別選擇電晶體，來選擇點亮的LED單元3。因此，因為不需要在各LED單元3設置用來使該LED單元3點亮的驅動電路等個別的電路，能夠使電路小型化，並能使裝置小型化。
又，當同時進行複數被檢查晶片100的檢查時，分別載置被檢查晶片100的區域D、及該區域D的周邊區域D之中，以至少驅動對應進行該檢查的被檢查晶片100的區域D的區域的LED單元3的方式控制即可。
又，說明關於設於載置台2的LED單元3之群的其他例。例如將如圖12所示的正六角形狀的區域D配置成蜂巢狀的構成也可以。將這種正六角形狀的區域D配置成蜂巢狀的構成的情形也包含矩陣狀。此例的情形中，將圖12中的C1～C5所示的箭頭的方向設為列、將R1～R5所示的箭頭的方向設為行即可。
又，本發明將例如進行切取出(切割)的被檢查晶片100，在例如玻璃基板等基板配置成矩陣狀，適用於進行檢查的探測器也可以。
[第2實施形態]
又，載置被檢查晶片100的區域D的溫度，因為該區域周圍的區域D的溫度，會有形成溫度梯度的情形。因此，不只是加熱載置檢查對象的被檢查晶片100的部分的LED單元3，藉由加熱以包圍該區域D周圍的方式配置的區域D來將載置被檢查晶片100的區域D的周圍也加熱也可以。再來，對檢查對象的被檢查晶片100施加實裝時的電壓時，將載置檢查對象的被檢查晶片100的區域D的溫度、與其周圍的區域D的溫度調整成相同也可以。
對被檢查晶片100施加實裝時的電壓時，雖加熱被檢查晶片100，但此時載置被檢查晶片100的區域最會受到被檢查晶片100的發熱的影響而受到熱負荷，隨著與被檢查晶片100的距離(從該區域D的中心部起算的離間距離)熱負荷變小。接著例如被檢查晶片100位於區域D49時，區域D49與相鄰於行及列方向的區域D38、區域D48、區域D50及區域D60，僅次於區域D49受到大的熱負荷。再來區域D37、區域D39、區域D59及區域D61，相較於區域D38、區域D48、區域D50及區域D60，從區域D49起算的距離較遠。因此在區域D37、區域D39、區域D59及區域D61中因被檢查晶片100的發熱而受到的熱負荷，相較於區域D38、區域D48、區域D50及區域D60較佳。
接著，當藉由LED單元3加熱載置被檢查晶片100的區域D及包圍其周圍的區域D時，將區域D49的加熱溫度設定成低，接著將區域D38、區域D48、區域D50及區域D60的加熱溫度設定成低。再來藉由將區域D37、區域D39、區域D59及區域D61設定成最高的設定溫度，能夠得到該等9個的區域D的溫度。
作為調整各區域的溫度的手法，有使LED單元3開啟、關閉而調整負載比的手法。該手法，藉由在將相對於被檢查晶片100的一次測定所需的時間為充分短的時間的單位設為T1後，在時間T1的時間帶調整驅動LED單元3的時間的比例(LED單元的驅動率)來進行。被檢查晶片100的一次測定所需的時間，指的是將被檢查晶片100分別以1個1個檢查時或者將複數被檢查晶片100同時檢查時的檢查時間。
圖13為當區域40的被檢查晶片為檢查對象時，將該區域D40及包圍該區域40的周邊區域D37～39、48～50、59～61所分別對應的LED單元3的開啟/關閉的狀態與用來驅動該LED單元3的電晶體TrC5～TrC7及TrR5～TrR7的開啟/關閉的狀態建立對應而記載的時序圖。作為前述LED單元3的驅動率，例如能夠就區域D49作為30％、就區域D48、D38、D50、D60作為50％、就區域D37、D39、D59、D61作為60％設定。
此時，就電晶體TrR5、TrR6、TrR7而言，從t0到t3之間，分別以連續的時間T1的時間帶依序設為開啟，就電晶體TrC5、TrC6、TrC7而言，在每單位時間T1，以應設為開啟的區域的LED單元3的驅動率所對應的時間的比例設為開啟。例如就區域D37的LED單元37而言，在單位時間T1的時間帶中將電晶體TrR5維持開啟，同時將電晶體TrC5以65％的比例設為開啟。此外，前述比例的數值僅為一例，並非拘束本發明的數值者。
各電晶體TrR、TrC的開啟、關閉的組合，藉由從資料處理部73發送至行控制部75及列控制部74的數位信號代碼資料來決定。因此各電晶體TrR、TrC的開啟、關閉的組合，藉由例如以成為圖13規定的時序圖那樣將代碼資料的時序資料寫入資料處理部73的記憶體內，能夠達成上述的手法。
又，示出第2實施形態中表示各電晶體的開啟/關閉的切換的時序圖的其他例。如圖14所示在該例中，在單位時間T2的時間帶中將電晶體TrR5及TrR7設為開啟時，以電晶體TrC5、TrC6、TrC7應設為開啟的區域的LED單元3的驅動率所對應的時間的比例設為開啟。之後在將電晶體TrR6設為開啟時，以電晶體TrC5、TrC6、TrC7應設為開啟的區域的LED單元3的驅動率所對應的時間的比例設為開啟。在該種情形中也一樣能夠形成與圖13所示之例一樣的溫度分佈。
在該例中，交互重複進行：行R5的3個區域D與行R7的3個區域D中的LED單元3點亮的工程、行R6中的3個區域D中的LED單元點亮的工程在該例中，在區域D37及區域D39、區域D48及區域D50、區域D59及區域D61中，能夠分別同時從LED單元3照射光。接著因為能夠同時將多個區域D的溫度提升，有能夠縮短到達目標溫度為止的時間的效果。
又，也可以交互執行：在3個電晶體TrR單位之間依序驅動LED單元3的模式、及在3個電晶體TrC單位之間依序驅動LED單元3的模式。
例如如圖15的時序圖所示，從時刻t0到t3，與圖13所示的時序圖之例同樣執行。接著從時刻t4到t7，將電晶體TrC5設為開啟，同時將電晶體TrR5、6、7設為開啟。再來從時刻t5將電晶體TrC6設為開啟，同時將電晶體TrR5、6、7設為開啟，接著從時刻t6將電晶體TrC7設為開啟，同時將電晶體TrR5、6、7設為開啟。
藉由這樣構成，從時刻t0到t3為止依電晶體TrR5的3區域D的LED單元3、電晶體TrR6的3區域D的LED單元3、電晶體TrR7的3區域D的LED單元3的順序點亮，從時刻t4到t7，以電晶體TrC5的3區域D的LED單元3、電晶體TrC6的3區域D的LED單元3、電晶體TrC7的3區域D的LED單元3的順序點亮。
以這樣構成時，也能夠將各區域D的LED單元3在各預定時間點亮，因為能夠將各區域D加熱至各預定溫度，能得到同樣的效果。
又，在第2實施形態中，雖說明關於加熱9個區域D之例，但例如，也可以適用於加熱4行×4列以上的區域D的情形。
又，在上述的實施形態中，驅動對應包含區域D49的9個區域D的LED單元3，該9個區域D以外的其他區域D的LED單元3設為關閉。不過，本發明在以對進行檢查中的被檢查晶片的檢查不會有影響的程度的低發光量驅動其他區域D的LED單元3的情形，也包含於本發明的技術範圍中，其等的實施也是申請專利範圍的文義侵害。
又，本發明將載置面分割成以複數區域D構成的幾個畫分Z，在各畫分Z構成二極體矩陣電路5，同時在各畫分Z藉由LED控制部91進行控制也可以。例如，如圖16所示將圖3所示的載置台2的區域D分割成縱橫9個區間Z1～Z9。再來，如圖17所示，在各區間Z1～Z9，構成配置在該區間Z1～Z9於行及列方向排列的格子狀的複數區域D所對應的二極體矩陣電路5，構成將各二極體矩陣電路5分別驅動的LED控制部91A～I。又，在各區間Z1～Z9分別設置對應該區間Z1～Z9的降壓截波電路723A～723I。如同既述，雖資料處理部73、列控制部74、行控制部75及二極體矩陣電路5中的驅動電路的部位相當於LED控制部91A～I，但在圖17中，方便上以包含LED單元3的二極體矩陣電路5來表示。
藉由如此構成，在各區間Z1～Z9能夠將二極體矩陣電路5的驅動電力藉由各別設置的降壓截波電路723A～I來調整，能夠在各區間Z1～Z9調整輸出。藉由這樣的構成，例如即便在將晶圓W全面加熱時，也能夠在區間Z1～Z9調整輸出值而調整加熱溫度。
又，因為在各區間Z1～Z9設置二極體矩陣電路5、LED控制部91A～91I，能夠將在各區間Z1～Z9分配的區域D，於每個區間Z1～Z9獨立控制。
2‧‧‧載置台
3‧‧‧LED單元
5‧‧‧二極體矩陣電路
7‧‧‧電力供應部
8‧‧‧溫度檢出部
9‧‧‧控制部
32‧‧‧冷卻單元
73‧‧‧資料處理部
74‧‧‧列控制部
75‧‧‧行控制部
100‧‧‧被檢查晶片(IC晶片)
101‧‧‧電極墊片
W‧‧‧晶圓
[圖1]表示形成於晶圓的成為檢查對象的IC晶片的平面圖。
[圖2]第1實施形態的探測器的縱剖側面圖。
[圖3]用於前述探測器的載置台的平面圖。
[圖4]前述載置台的表面部的緃剖面圖。
[圖5]表示探測器的控制部的構成圖。
[圖6]表示用來使LED單元個別點亮的電路的電路圖。
[圖7]表示二極體矩陣電路的電路圖。
[圖8]表示溫度檢出部的概略構成圖。
[圖9]表示溫度控制電路的說明圖。
[圖10]表示第1實施形態的作用的說明圖。
[圖11]表示第1實施形態的作用的說明圖。
[圖12]表示前述載置台的其他之例的平面圖。
[圖13]表示在第2實施形態中各電晶體的開啟/關閉的切換的時序圖。
[圖14]表示在各電晶體的開啟/關閉的切換的其他之例的時序圖。
[圖15]表示在各電晶體的開啟/關閉的切換的又其他之例的時序圖。
[圖16]本發明的實施形態的其他之例的載置台的平面圖。
[圖17]表示用來使LED單元個別點亮的電路的電路圖。
2‧‧‧載置台
3‧‧‧LED單元
31‧‧‧LED光源
32‧‧‧冷卻單元
33‧‧‧冷媒流路
34‧‧‧冷媒流通機構
35‧‧‧載置板
36‧‧‧O型環
100‧‧‧被檢查晶片(IC晶片)
101‧‧‧電極墊片
D‧‧‧區域
W‧‧‧晶圓
Claims (8)
- 一種探測器，係用來藉由測試器依序檢查在基板設成矩陣狀的複數被檢查晶片的電特性的探測器，具備：載置前述基板的載置台；依序接觸前述複數被檢查晶片的電極墊片的接觸子；在前述載置台的載置面的相反側，以將複數被檢查晶片所在複數區域相互獨立加熱的方式設置，分別由1個或複數LED構成的複數LED單元；在被檢查晶片的檢查時，於前述複數LED單元內，進行該檢查的被檢查晶片的區域及該區域的周邊區域之中，以至少驅動對應進行該檢查的被檢查晶片的區域之區域的LED單元的方式輸出控制信號的控制部；將在被檢查晶片的檢查時設為開啟的LED單元，以LED單元的行單位及列單位的至少一者的單位來群體化；前述控制部，在被群體化的LED單元的單位之間以時間分割驅動的方式輸出控制信號。
- 如請求項1所記載的探測器，其中，藉由前述複數LED單元構成二極體矩陣電路。
- 如請求項1或2所記載的探測器，其中，前述控制部在驅動對應進行前述檢查的被檢查晶片的區域及該區域的周邊區域的LED單元的同時，以將對應前述周邊區域的LED 單元的發光強度，設為比對應進行前述檢查的被檢查晶片的區域的LED單元的發光強度還大的方式輸出控制信號。
- 如請求項1所記載的探測器，其中，前述控制部，在被檢查晶片的檢查時，以切換前述行單位及列單位的同時驅動LED單元的方式輸出控制信號。
- 如請求項1所記載的探測器，其中，前述控制部就在被檢查晶片的檢查時設為開啟的LED單元、及鄰接該LED單元並包圍該LED單元的LED單元群而言，以在行單位之間依序驅動LED單元、或在列單位之間依序驅動LED單元的方式輸出控制信號。
- 如請求項1所記載的探測器，其中，前述控制部就在被檢查晶片的檢查時設為開啟的LED單元、及鄰接該LED單元並圍住該LED單元的LED單元群而言，以交互進行驅動包含檢查對象即被檢查晶片的行單位的模式、及同時驅動該行單位的兩側的行單位的模式的方式、或交互進行驅動包含檢查對象即被檢查晶片的列單位的模式、及同時驅動該列單位的兩側的列單位的模式的方式輸出控制信號。
- 如請求項4所記載的探測器，其中，前述控制部就在被檢查晶片的檢查時設為開啟的LED單元、及鄰接該LED 單元並圍住該LED單元的LED單元群而言，以交互進行在行單位之間依序驅動LED單元的模式、及在列單位之間依序驅動LED單元的模式的方式輸出控制信號。
- 一種探測器，係用來藉由測試器依序檢查在基板設成矩陣狀的複數被檢查晶片的電特性的探測器，具備：載置前述基板的載置台；依序接觸前述複數被檢查晶片的電極墊片的接觸子；在前述載置台的載置面的相反側，以將複數被檢查晶片所在複數區域相互獨立加熱的方式設置，分別由1個或複數LED構成的複數LED單元；在被檢查晶片的檢查時，於前述複數LED單元內，進行該檢查的被檢查晶片的區域及該區域的周邊區域之中，以至少驅動對應進行該檢查的被檢查晶片的區域之區域的LED單元的方式輸出控制信號的控制部；前述控制部在驅動對應進行前述檢查的被檢查晶片的區域及該區域的周邊區域的LED單元的同時，以將對應前述周邊區域的LED單元的發光強度，設為比對應進行前述檢查的被檢查晶片的區域的LED單元的發光強度還大的方式輸出控制信號。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017232009A JP7078838B2 (ja) | 2017-12-01 | 2017-12-01 | プローバ |
| JP2017-232009 | 2017-12-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201935023A TW201935023A (zh) | 2019-09-01 |
| TWI786227B true TWI786227B (zh) | 2022-12-11 |
Family
ID=66664645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107140993A TWI786227B (zh) | 2017-12-01 | 2018-11-19 | 探測器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11125813B2 (zh) |
| JP (1) | JP7078838B2 (zh) |
| KR (1) | KR102363777B1 (zh) |
| CN (1) | CN111373518B (zh) |
| TW (1) | TWI786227B (zh) |
| WO (1) | WO2019107079A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018147959A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システム、ならびに検査システムの故障解析・予知方法 |
| EP3978556A4 (en) | 2019-05-31 | 2023-09-20 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | PACKAGING FILM, PACKAGING AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATED FILM |
| JP7266481B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2023-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 |
| US11378619B2 (en) * | 2019-12-18 | 2022-07-05 | Formfactor, Inc. | Double-sided probe systems with thermal control systems and related methods |
| JP7449799B2 (ja) | 2020-07-09 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度調整方法及び検査装置 |
| JP7455015B2 (ja) | 2020-07-14 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
| TW202217328A (zh) | 2020-07-16 | 2022-05-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 檢查裝置及檢查裝置之控制方法 |
| JP2022030909A (ja) | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置の制御方法及び検査装置 |
| JP7449814B2 (ja) | 2020-08-12 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
| JP7479266B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置の制御方法、及び、検査装置 |
| JP2022090538A (ja) | 2020-12-07 | 2022-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置の制御方法及び検査装置 |
| JP2022092972A (ja) | 2020-12-11 | 2022-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及びｌｅｄの制御方法 |
| WO2023170737A1 (ja) * | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 株式会社アドバンテスト | 温度制御装置、試験装置、温度制御方法、および温度制御プログラム |
| US12000885B1 (en) * | 2023-12-20 | 2024-06-04 | Aem Singapore Pte. Ltd. | Multiplexed thermal control wafer and coldplate |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004140296A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法 |
| TW200628818A (en) * | 2005-01-10 | 2006-08-16 | Erich Reitinger | Method and apparatus for testing semiconductor wafers by means of a temperature-regulated chuck device |
| TW200912344A (en) * | 2007-06-29 | 2009-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Inspecting method, and storage medium recording program for method |
| JP2015056624A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3156192B2 (ja) | 1994-04-19 | 2001-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ方法及びその装置 |
| JP4253189B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2009-04-08 | 周司 宮崎 | 半導体評価装置のユーザインターフェース |
| KR100615086B1 (ko) * | 2004-05-04 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 칩 검사장치 및 이를 이용한 검사방법 |
| JP2008066646A (ja) | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Nec Electronics Corp | アニール装置、アニール方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7741837B2 (en) * | 2007-05-15 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus |
| WO2013031390A1 (ja) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2013137224A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Sharp Corp | マルチチッププローバ、そのコンタクト位置補正方法、制御プログラムおよび可読記録媒体 |
| US20140238958A1 (en) | 2013-02-28 | 2014-08-28 | Ultratech, Inc. | Systems and methods for material processing using light-emitting diodes |
| JP2017188238A (ja) | 2016-04-04 | 2017-10-12 | 住友電気工業株式会社 | マトリックスヒータ |
-
2017
- 2017-12-01 JP JP2017232009A patent/JP7078838B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-05 KR KR1020207017615A patent/KR102363777B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-05 CN CN201880075345.XA patent/CN111373518B/zh active Active
- 2018-11-05 US US16/767,226 patent/US11125813B2/en active Active
- 2018-11-05 WO PCT/JP2018/041002 patent/WO2019107079A1/ja active Application Filing
- 2018-11-19 TW TW107140993A patent/TWI786227B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004140296A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法 |
| TW200628818A (en) * | 2005-01-10 | 2006-08-16 | Erich Reitinger | Method and apparatus for testing semiconductor wafers by means of a temperature-regulated chuck device |
| TW200912344A (en) * | 2007-06-29 | 2009-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Inspecting method, and storage medium recording program for method |
| JP2015056624A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板温調装置およびそれを用いた基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200089714A (ko) | 2020-07-27 |
| JP7078838B2 (ja) | 2022-06-01 |
| JP2019102645A (ja) | 2019-06-24 |
| CN111373518A (zh) | 2020-07-03 |
| CN111373518B (zh) | 2023-10-27 |
| US20210033666A1 (en) | 2021-02-04 |
| KR102363777B1 (ko) | 2022-02-15 |
| US11125813B2 (en) | 2021-09-21 |
| WO2019107079A1 (ja) | 2019-06-06 |
| TW201935023A (zh) | 2019-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI786227B (zh) | 探測器 | |
| EP3550313B1 (en) | Electronic device inspecting apparatus | |
| TW201942993A (zh) | 檢查裝置 | |
| KR101743046B1 (ko) | 가열냉각 시험방법 및 가열냉각 시험장치 | |
| US20210102991A1 (en) | Placement stand and electronic device inspecting apparatus | |
| US11927539B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
| US11557494B2 (en) | Substrate support and inspection apparatus | |
| KR20220018920A (ko) | 검사 장치 제어 방법 및 검사 장치 | |
| EP3940402B1 (en) | Inspection apparatus | |
| EP3940403B1 (en) | Inspection apparatus and control method for inspection apparatus | |
| JP7449814B2 (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
| KR102626167B1 (ko) | 검사 장치 제어 방법 및 검사 장치 | |
| EP3882644B1 (en) | Substrate support, test device, and method of adjusting temperature of substrate support | |
| US20220128624A1 (en) | Placement table, testing device, and testing method | |
| JP2007129091A (ja) | プローバ | |
| JP2022092972A (ja) | 加熱装置及びｌｅｄの制御方法 | |
| JP2022094068A (ja) | プロービング装置 | |
| JP2023046600A (ja) | 基板載置機構、検査装置、および検査方法 |