CN111373518B - 探针装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供探针装置，对以矩阵状排列于载置台上的基片上的被检查芯片依次进行探针测试时，减轻对作为检查对象的被检查芯片以外的被检查芯片的热负载。在与排列被检查芯片(100)的载置台(2)的载置面相反一侧，以能够对被检查芯片(100)的每一者设定的区域各自独立地进行加热的方式设置有多个LED单元(3)。而且，在检查被检查芯片(100)时，驱动上述多个LED单元(3)内、与要进行该检查的被检查芯片(100)的区域和该区域的周边区域之中至少进行该检查的被检查芯片(100)的区域对应的区域的LED单元(3)。因此，能够减轻对进行检查的被检查芯片(100)以外的被检查芯片(100)的热负载。

Description

探针装置
技术领域
本发明涉及一种进行排列成矩阵状的被检查器件的电特性的检查的探针装置。
背景技术
在半导体装置的制造工艺中，例如如专利文献1所示，在作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片”)的表面以矩阵状形成IC(集成电路)等的IC芯片。之后，在IC芯片被截断前的晶片的状态下，进行对被检查芯片施加电压来检查电特性的探针测试。
通过了探针检查的IC芯片在被封装之后，对各个封装进行最终的检查，但是，封装的成本变大。因此，要求在探针测试(probe test)中，进行尽可能高精度的检查，在进行封装之前的阶段，尽可能发现存在不良状况的IC芯片。近年来，在将被检查芯片暴露于安装环境的温度下的状态中，在探针测试中施加安装时的电压，进行电特性的检查。此时，关于形成有被检查芯片的晶片的温度控制，是通过设置于载置台的内部的冷媒流路和/或加热器来进行的，不过冷媒流路和/或加热器的小型化比较困难，进行载置台的表面整体的温度调节，对形成在载置台上的晶片的多个IC芯片一起进行温度调节。
但是，近年来，IC向高速化和微小化发展而集成度变高，因此工作时的发热量增大。因此，在探针测试中，在对被检查芯片施加安装时的电压时，从被检查芯片产生的热量也变大。由此，例如，在进行高温环境中的探针测试时，被检查芯片的周围的不进行检查的IC芯片也暴露在由加热器引起的升温和被检查芯片的检查而产生的热的热负载下，可能存在不良状况的因素。所以，在探针测试中，不得不通过对被检查芯片施加比安装时的电压低的电压进行检查，来抑制从被检查芯片产生的热量，存在在封装前无法充分发现IC芯片的不良状况的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-297242号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种对以矩阵状排列于载置台的基片上的被检查芯片依次进行探针测试时，减轻对作为检查对象的被检查芯片以外的被检查芯片的热负载的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的探针装置是用于用测试器依次检查以矩阵状设置于基片上的多个被检查芯片的电特性的探针装置，
上述探针装置包括：
载置上述基片的载置台；
与上述多个被检查芯片的电极焊盘依次接触的接触头；
在上述载置台的与载置面相反一侧，以能够对多个被检查芯片各自所处的多个区域彼此独立地进行加热的方式，设置有各自由一个或者多个LED构成的多个LED单元；以及
控制部，其在检查被检查芯片时输出控制信号来驱动LED单元，所述LED单元是上述多个LED单元内、与要进行该检查的被检查芯片的区域和该区域的周边区域中至少进行该检查的被检查芯片的区域对应的区域的LED单元。
发明效果
本发明以在用测试器依次检查排列成矩阵状的多个被检查芯片的电特性时，在载置排列有被检查芯片的基片的载置台的与载置面相反一侧能够各自独立地加热被检查芯片的方式，设置有多个LED单元。而且，在检查被检查芯片时，加热进行检查的被检查芯片和与该区域的周边区域内的至少进行该检查的被检查芯片对应的区域。因此，能够减轻对进行检查的被检查芯片以外的被检查芯片的热负载。
附图说明
图1是表示形成于晶片的作为检查对象的IC芯片的俯视图。
图2是第1实施方式的探针装置的纵截侧视图。
图3是上述探针装置所使用的载置台的俯视图。
图4是上述载置台的表面部的纵截面图。
图5是表示探针装置的控制部的构成图。
图6是表示用于单独地点亮LED单元的电路的电路图。
图7是表示二极管矩阵电路的电路图。
图8是表示温度检测部的概略构成图。
图9是表示温度控制电路的说明图。
图10是表示第1实施方式的作用的说明图。
图11是表示第1实施方式的作用的说明图。
图12是表示上述载置台的另一例的俯视图。
图13是表示第2实施方式中各晶体管的导通/截止的切换的时序时序图。
图14是表示各晶体管的导通/截止的切换的另一例的时序图。
图15是表示各晶体管的导通/截止的切换的又一例的时序图。
图16本发明的实施方式的另一例的载置台的俯视图。
图17是表示用于单独地点亮LED单元的电路的电路图。
具体实施方式
[第1实施方式]
对第1实施方式的探针装置进行说明，首先，对形成有被检查芯片的晶片W进行说明。晶片W例如构成为直径为300mm的圆板状。晶片W的表面的比周缘部5mm的切割线靠内侧的区域，如图1所示，例如被划分为铺设有30mm见方的正方形的区域D的格子状，在各区域D形成有矩形的IC芯片100，IC芯片100在表面形成有IC等。在各IC芯片100形成有用于对构成IC芯片100的元件供给电流的电极焊盘(electrode pad)101，在探针装置中，对该电极焊盘101施加安装时的电压来检查电特性。另外，IC芯片100中的一部分电极焊盘101a与例如二极管等用于温度测量的温度测量用的元件102连接。而且，在测量后述的被检查芯片100的温度时，能够使用与温度测量用的元件102连接的电极焊盘101a。此外，在下面的说明书中，不区分作为被检查对象的IC芯片和并非检查对象的IC芯片并而将其表示为被检查芯片100。
下面，对探针装置的整体结构进行说明。如图2所示，探针装置包括构成装置主体的壳体1。该壳体1的底部的基台11上设置有Y载置台21，该Y载置台21构成为沿在Y方向(与图2交叉的方向)上延伸的Y导轨211可移动。并且，在Y载置台21上设置有X载置台22，该X载置台22构成沿在X方向(朝向图2时的左右方向)上延伸的X导轨221可移动。
例如，在Y载置台21、X载置台22都设有未图示的滚珠丝杆机构，能够使用组合有编码器的电机来调节滚珠丝杆的旋转量。利用该构成，能够正确地调整Y载置台21的Y方向的停止位置和X载置台22的X方向的停止位置。
在X载置台22上支承有构成为可伸缩的伸缩轴231，设置有构成为在Z方向(上下方向)可升降的Z移动部23。并且，在该Z移动部23的上表面侧设置有构成为在Z移动部23上绕Z轴可旋转(能够在θ方向上移动)的载置台2。上述的Y载置台21、X载置台22、伸缩轴231所支承的Z移动部23构成本实施方式的移动机构，能够使载置台2在X、Y、Z、θ的各方向上移动。
若将通过Y载置台21、X载置台22、Z移动部23而载置台2(载置于载置面的晶片W)移动的区域称为移动区域，则在该移动区域的上方设置有探针卡13。探针卡13可拆装地安装于壳体1的顶板12。
探针卡13构成为PCB(Printed circuit board：印刷电路板)，在其上表面侧形成有电极组。另外，在配置于顶板12的上方的测试器14与探针卡13之间，设置有用于实现测试器14侧的端子与已述的电极组之间的电导通的接口41。
接口41构成为以与探针卡13的电极组的配置位置对应的方式配置有多个作为电极部的弹性销411的弹性销单元，接口41固定于例如测试器14侧。
另外，测试器14包括：将借助探针卡13获得的表示被检查芯片的电特性的电信号作为检查数据存储的数据存储部；基于检查数据来判断被检查芯片100是否存在电学上的缺陷的判断部(均未图示)。在探针卡13的下表面侧，设置有作为与上表面侧的电极组各自电连接的探针的多个探针131。
下面，对载置台2进行说明。如图3所示，载置台2中，遍及载置晶片W的区域的区域D被划分为格子状，分割成11列(列C1～C11)、11行(行R1～R11)的97个的30mm见方的矩形的区域D。在下面的说明书中，对各区域D标注图3中的标注于各区域D的编号来进行说明。
如图4所示，载置台2在各区域D单独设置有LED单元3，上述LED单元3从与载置晶片W的面相反一侧向载置于载置面的晶片W的下表面照射光。LED单元3例如将多个LED光源31并排地构成，构成为能够对载置于对应的区域D的晶片W的下表面的该区域D的整个区域照射光。此外，LED单元3也可以由一个LED光源31构成。
在载置台2中的LED单元3的组的上方设置有冷却单元32。冷却单元32例如由使LED的光几乎不衰减地透射的石英等的部件构成，在内部形成有所有的区域D共用的冷媒流路33。冷媒流路33与冷媒流通机构34连接，该冷媒流通机构34具有泵、流量调节部、由珀尔帖元件等构成的冷却机构。而且，冷媒流路33构成为通过使例如水或Galden(注册商标)等的冷媒以规定的流量流通，能够冷却载置于载置面的晶片W。
冷却单元32的上方夹着O形环36设置有构成载置面的载置板35。载置板35如图3所示构成为比晶片W大的例如直径310mm的圆板状，由例如石英等使LED光透射的材质构成。
另外，探针装置包括用于控制探针装置的动作的控制部9。如图5所示，控制部9包括：控制LED单元3的点亮的LED控制部91；以及主控制部90，其控制载置台2的移动和将探针按压到被检查芯片100执行检查的动作等。由此，从主控制部90对LED控制部91发送例如表示载置有进行检查的被检查芯片100的区域的信息。
下面，对用于单独地点亮各区域D的LED单元3的电路进行说明。如图6所示，该控制电路包括：二极管矩阵电路5，其包含例如横竖地排列的LED单元3；和对二极管矩阵电路5供给电功率的电功率供给部7。还包括二极管矩阵电路5中的用于选择要点亮的LED单元3的列(column)控制部74和行(row)控制部75。另外，图6中的73是单芯片CPU构成的数据处理部(控制器)，其输出用于控制电功率供给部7、列控制部74和行控制部75的控制信号。在该例中，数据处理部73、列控制部74、行控制部75和二极管矩阵电路5中的驱动电路的部位相当于LED控制部91。
如图6所示，电功率供给部7包括：交流电源71；改善供给到负载侧的高频电功率的功率因数的功率因数改善电路721；从交流电功率获得直流电功率的整流平滑电路722；和进行直流电功率的电压调节的降压斩波电路723。
交流电源71例如使用商用交流电源，供给50/60Hz、200V的交流电功率。例如从与公知的交错电流连续模式方式的功率改善电路721组合而设置的整流平滑电路722，输出例如400V的直流电功率。
降压斩波电路723将从整流平滑电路722供给的直流电流调节为具有例如10V～400V的范围的电压的直流电功率。功率改善电路721内的有源滤波器的占空控制、降压斩波电路723的PMW控制，由数据处理部73控制。
下面，对二极管矩阵电路5进行说明。设置于基片的被检查芯片100设置在11行、11列的矩阵状的排列区域之中、四角部位以如台阶状缺失的各个排列区域。各LED单元3与被检查芯片100的排列对应地设置成11行、11列的矩阵状。此外，各LED单元3也以11行、11列的矩阵状的排列区域之中、四角部位同样地缺失的方式设置。
二极管矩阵电路5由如上述那样排列的LED单元3和驱动各LED单元3的驱动电路(驱动器)构成。在图7所示的二极管矩阵电路5中，为了方便制作电路图，在矩阵状的排列区域中上述的缺失的排列部位也记载了LED单元3，但是，实际上在该区域不设置LED单元。
驱动电路包括作为在各行(row)的每一者设置的行用开关部的晶体管和作为在各列(column)的每一者设置的列用开关部的晶体管。
各行的晶体管与第1行、第2行、……第n行分别对应地被分配了标号TrR1、TrR2……TrRn，各列的晶体管与第1列、第2列、……第n列分别对应地分配了标号TrC1、TrC2……TrCn。以下，在单个的晶体管的说明中，记载晶体管的末尾的标号(数值)，但是在总体的晶体管的说明中，在晶体管的末尾不添加标号，而记为TrR或TrC。
各行的LED单元3的负极侧与对应的晶体管TrR的集电极连接，各晶体管TrR的发射极接地。各晶体管TrR的基极能够由行控制部75供给驱动电压，由行控制部75选择要导通的各晶体管TrR。
各列的LED单元的正极侧与对应的晶体管TrC的集电极连接，各晶体管TrC的发射极与电功率供给部7连接。各晶体管TrC的基极能够由列控制部74供给驱动电压，由列控制部74选择要导通的各晶体管TrC。
在图6所示的数据处理部73设置有未图示的存储器。在该存储器中，将进行检查的被检查芯片100(区域)的编号和与用于驱动要驱动(点亮)的LED单元3的晶体管TrR、TrC对应的数字编码(digital code)相关联地存储在其中。所以，数据处理部73在由主控制部90指定作为检查对象的被检查芯片100的编号时，将与该被检查芯片100对应的已述的数字编码从存储器中读出并输出到行控制部75和列控制部74。由此，从行控制部75和列控制部74分别对晶体管TrR、TrC输出选择信号(驱动信号)，驱动与上述被检查芯片100对应的LED单元3。
另外，探针装置包括用于测量被检查芯片100的温度的温度检测部。例如如图8所示，在与探针131内接触电极焊盘101a的2个探针131电连接的作为中间连接单元的弹性销411中，分别设置有继电器81，该电极焊盘101a与被检查芯片100中的温度测量用的元件102连接。各继电器81构成为能够将电极焊盘101a的电位切换地传递到测试器14侧与温度检测部8侧之间。由此，例如在检查被检查芯片100的电特性时，在规定的时刻将各电极焊盘101a的电位传递至温度检测部8。
此时，二极管等温度测量用的元件102根据施加到各电极焊盘101的规定的电压产生电位差，但是该电位差根据温度而不同。因此，能够基于温度测量用的元102件的与各电极对应的电极焊盘101a间的电位差来测量温度测量用的元件102的温度。另外，温度测量用的元件102的温度大致成为被检查芯片100的温度，因此，该电位差可以说是与被检查芯片100的温度对应的值。于是，在探针装置中，基于由温度检测部8检测出的温度进行反馈，进行降压斩波电路723的PMW控制。由此，调节电功率供给部7的输出，控制LED单元3的发光强度。
图9表示按照检测出的温度进行反馈，进行降压斩波电路723的PMW控制，来控制电功率供给部7的输出的控制电路。在上述的温度检测部8中，校正恒流源使得流过一定的连续电流，此时的二极管电压相当于温度。例如用电压传感器获取该电压。相当于该温度信息值的电压值在通过滤波器82后，由加法部85求取其与相当于设定温度的设定电流值的偏差。然后，将偏差输入PID控制部83，依照该偏差进行PID控制，根据输出的操作量借助占空比设定部84来调节降压斩波电路723中的斩波动作的占空比。由此，能够调节从降压斩波电路723向二极管矩阵电路5输入的电压，能够调节由二极管矩阵电路5选择的区域D中的LED单元3的发光强度，能够调节对应的区域D的加热温度。滤波器82、加法部85、PID控制部83和占空比设定部84例如设置在数据控制部73。
另外，图5所示的主控制部90包括由程序、存储器、CPU构成的数据处理部等，在程序中编入有步骤组，该步骤组用于从控制部90对探针装置的各部发送控制信号，进行晶片W的检查动作。该程序保存在计算机存储介质例如软盘、光盘、MO(磁光盘)等未图示的存储部中，并被安装到控制部91。
下面，对上述的探针装置的作用进行说明。首先，利用未图示的外部的输送臂将晶片W送入壳体1内，并载置在载置台2上。此时，以晶片W中的形成有各被检查芯片100的各区域D对应地位于载置台2侧的各区域D的方式载置。
然后，使载置台2上升，使探针131接触位于晶片W上的例如区域D49之上的被检查芯片100的电极焊盘101。此时，在载置台2中，冷媒在冷媒流路33中流通。然后，从电功率供给部7对二极管矩阵电路5供给与温度设定值对应的驱动电功率。并且，从主控制部90将载置有被检查芯片100的区域的位置信息发送到数据处理部73。然后，从数据处理部73对列控制部74和行控制部75输出控制信号，该控制信号用于点亮位于与最初成为检查对象的被检查芯片对应的位置的LED单元3。
例如，首先点亮区域D49中的LED单元3时，如图10所示，从列控制部74对晶体管TrC6施加例如10毫秒的1V的电压。并且，同时从行控制部75对晶体管TrR6施加例如10毫秒的1V的电压。由此，晶体管TrC6和晶体管TrR6成为导通的，与列C6、行R6对应的区域D49的LED单元3被点亮。
LED单元3的驱动电流通过如上述那样由数据处理部73进行的PWM控制，能够控制电压，因此，与区域D49对应的LED单元3点亮，区域D49被加热至设定温度例如85℃。此时，在区域D49以外的区域D中，成为已被冷媒冷却的状态。
另外，在对区域D49的位置的被检查芯片进行加热的期间，例如从测试器14经中间环41、探针卡13和探针131对区域D49的位置的被检查芯片100供给电信号，进行电特性的检查。此时，对区域D49的位置的被检查芯片100施加安装时的电压而发热。此时，基于由温度检测部8检测的温度进行反馈控制，调节从电功率供给部7供给的驱动电功率，区域D49的温度也包括因发热导致的热负载，被控制为例如85℃。
另外，区域D49以外的区域D被施加因被检查芯片100的发热导致的热负载，但是对于上述区域D而言，由于LED单元3没有点亮，因此温度不上升，而且由冷媒进行了冷却，所以能够被快速地冷却。于是，载置于区域D49以外的区域D的被检查芯片100不被施加相当于区域D49的温度的热负载。
接着，使用移动机构使载置台2(晶片W)相对于探针卡13依次移动，然后使探针131移动到要进行检查的被检查芯片100例如区域D50的位置的被检查芯片100的上方。然后，使探针131接触区域D50的位置的被检查芯片100的电极焊盘101。
此时，如图11所示，从列控制部74和行控制部75对晶体管TrR7、TrC6分别施加驱动电流，即选择晶体管TrR7、TrC6，与区域D50对应的LED单元3点亮。由此，区域D50被加热至设定温度。另一方面，与区域D49对应的LED单元3熄灭，区域D49被冷媒冷却。而且，在对区域D50进行加热的期间，从测试器14通过探针131对区域D50的位置的被检查芯片100供给电信号，进行电特性的检查。
如上所述，对在晶片W上形成有多个的各被检查芯片100的电极焊盘101反复进行相同的动作来依次进行检查，并且依次代替照射光的LED单元3，对成为检查对象的被检查芯片100依次进行温度控制。
依照上述的实施方式，在检查排列成矩阵状的多个被检查芯片100时，在载置台2的与被检查芯片100的载置面相反一侧，以对设定于每一个被检查芯片100的区域D各自独立地进行加热的方式设置有LED单元3。于是，在检查被检查芯片100时，能够仅加热与进行检查的被检查芯片100对应的区域D。因此，能够减轻对进行检查的被检查芯片100以外的被检查芯片100的热负载。
另外，在单独地点亮各LED单元3时，构成图6所示的二极管矩阵电路5，按列单位和行单位分别选择晶体管，而能够选择要点亮的LED单元3。因此，不需要对各LED单元3的每一者设置用于使该LED单元3点亮的驱动电路等的单独的电路，因此能够使电路小型化，能够使装置小型化。
另外，也可以为，在同时进行多个被检查芯片100的检查的情况下，进行控制来驱动LED单元3，上述LED单元3是与各自载置有被检查芯片100的区域D和该区域D的周边的区域D之中至少进行该检查的被检查芯片100的区域D对应的区域的LED单元3。
另外，对设置于载置台2的LED单元3的组的另一例进行说明。例如，也可以为如图12那样将正六边形状的区域D配置成蜂窝状的构成。在这样的将正六角形状的区域D配置成蜂窝状的构成的情况下，也包含矩阵状的LED单元3的组。在该例子的情况下，将图12中的C1～C5所示的箭头的方向作为列，将R1～R5所示的箭头的方向作为行即可。
另外，本发明也可以应用于例如将进行了切断(dicing)的被检查芯片100以矩阵状配置在例如玻璃基片等基片来进行检查的探针装置。
[第2实施方式]
另外，载置有被检查芯片100的区域D的温度有时因该区域的周围的区域D的温度而形成温度梯度。因此，不仅对载置有作为检查对象的被检查芯片100的部位进行加热的LED单元3，也可以通过对包围该区域D的周围的方式配置的区域D进行加热来对载置有被检查芯片100的区域D的周围进行加热。并且，在对作为检查对象的被检查芯片100施加安装时的电压时，进行调节以使得载置有作为检查对象的被检查芯片100的区域D的温度与其周围的区域D的温度一致。
在对被检查芯片100施加安装时的电压时，载置有被检查芯片100的区域最受到被检查芯片100的发热的影响而被施加热负载，根据从被检查芯片100起的距离(从该区域D的中心部起的离开距离)而热负载变小。因此，例如在被检查芯片100位于区域D49的情况下，与区域D49在行和列方向上相邻的区域D38、区域D48、区域D50和区域D60，被施加仅小于区域D49的较大的热负载。此外，区域D37、区域D39、区域D59和区域D61，与区域D38、区域D48、区域D50和区域D60相比从区域D49起的距离较远。因此，在区域D37、区域D39、区域D59和区域D61中因被检查芯片100的发热而受到的热负载，比区域D38、区域D48、区域D50和区域D60小。
所以，在加热载置有被检查芯片100的区域D和包围其周围的区域D时，将区域D49的加热温度设定得较低，并将区域D38、区域D48、区域D50和区域D60的加热温设定得次低。并且，通过将区域D37、区域D39、区域D59和区域D61设定为最高的设定温度，能够使上述9个区域D的温度一致。
作为调节各区域的温度的方法，能够举出使LED单元3导通、截止来调节占空比的方法。该方法通过以下方式进行：在将相对于测量一次被检查芯片100所需的时间足够短的时间的单位设为T1时，调节在时间T1的时段中LED单元3被驱动的时间的比例(LED单元的驱动率)。测量一次被检查芯片100所需的时间是在逐一检查被检查芯片100的情况下或者对多个被检查芯片100同时进行检查的情况下其检查时间。
图13是在区域40的被检查芯片为检查对象的情况下，将该区域D40和包围该区域40的周边的区域D37～39、48～50、59～61各自对应的LED单元3的导通/截止的状态与用于驱动该LED单元3的晶体管TrC5～TrC7和TrR5～TrR7的导通/截止的状态相关联地记载的时序图。作为上述LED单元3的驱动率，例如能够设定为区域D49为30％，区域D48、D38，D50、D60为50％，区域D37、D39、D59、D61为60％。
在该情况下，对于晶体管TrR5、TrR6、TrR7，在t0至t3之间，逐个以连续的时间T1的时段依次被导通。另外，对于晶体管TrC5、TrC6、TrC7，在每个单位时间T1中，以与应导通的区域的LED单元3的驱动率对应的时间的比例导通。例如对于区域D37的LED单元37，在单位时间T1的时段中保持使晶体管TrR5导通的状态并且使晶体管TrC5以65％的比例导通。此外，上述比例的数值为表示一个例子，并不限定本发明中的数值。
各晶体管TrR、TrC的导通、截止的组合，由从数据处理部73发送到行控制部75和列控制部74的数字信号即编码数据(code data)决定。因此，以各晶体管TrR、TrC的导通、截止的组合成为例如图13中规定的时序图的方式将编码数据的时序数据写入数据处理部73的存储器内，由此能够实现上述的方法。
另外，给出第2实施方式中的表示各晶体管的导通/截止的时序图的另一例。如图14所示，在该例子中，在单位时间T2的时段中，使晶体管TrR5和TrR7导通时，使晶体管TrC5、TrC6、TrC7以与应导通的区域的LED单元3的驱动率对应的时间的比例导通。然后，在使晶体管TrR6导通时，使晶体管TrC5、TrC6、TrC7以与应导通的区域的LED单元3的驱动率对应的时间的比例导通。在这样的情况下，也能够形成与图13所示的例子相同的温度分布。
在该例子中，能够交替地反复进行：行R5的3个区域D和行R7的3个区域D中的LED单元3点亮的步骤；以及R6中的3个区域D的LED单元点亮的步骤。在该例子中，在区域D37和区域D39、区域D48和区域D50、区域D59和区域D61中，能够各自同时从LED单元3照射光。因此，能够同时提高多个区域D的温度，所以具有能够缩短到达目标温度为止的时间的效果。
另外，也可以交替执行：在3个晶体管TrR单位之间依次驱动LED单元3的模式；和在3个晶体管TrC单位之间依次驱动LED单元3的模式。
例如如图15的时序图所示，从时刻t0至t3的期间，以与图13所示的时序图的例子同样的方式执行。接着，从时刻t4至t7的期间，使晶体管TrC5导通，并且使晶体管TrR5、6、7导通。然后，从时刻t5开始使晶体管TrC6导通，并且使晶体管TrR5、6、7导通，接着从时刻t6开始使晶体管TrC7导通，并且使晶体管TrR5、6、7导通。
通过如上述那样构成，从时刻t0至t3为止晶体管TrR5的3个区域D的LED单元3、晶体管TrR6的3个区域D的LED单元3、晶体管TrR7的3个区域D的LED单元3的依次点亮。然后，从时刻t4至t7的期间，晶体管TrC5的3个区域D的LED单元3、晶体管TrC6的3个区域D的LED单元3、晶体管TrC7的3个区域D的LED单元3依次点亮。
在如上述那样构成的情况下，能够使各区域D的LED单元3各自点亮规定的时间，能够将各区域D各自加热至规定的温度，因此能够获得同样的效果。
另外，在第2实施方式中，对加热9个区域D的例子进行了说明，但是，例如也可以应用于加热4行×4列以上的区域D的情况。
另外，在上述的实施方式中，驱动与包含区域D49的9个区域D对应的LED单元3，使该9个区域D以外的其他区域D的LED单元3截止。但是，关于本发明，以不对正在检查的被检查芯片的检查产生影响的程度的较低的发光量驱动其他区域D的LED单元3的情况，也包含于本发明的技术的范围，这样方式的实施侵犯权利要求的范围的语言。
另外，本发明中，也可以为将载置面分为由多个区域D构成的若干分区Z，在各分区Z的每一者构成二极管矩阵电路5，并且对各分区Z的每一者用LED控制部91进行控制。例如如图16所示，将图3所示的载置台2的区域D分为纵横的9个分区Z1～Z9。并且，如图17所示，在各分区Z1～Z9的每一者，构成与该分区Z1～Z9中在行和列方向上并排地配置成格子状的多个区域D对应的二极管矩阵电路5，构成分别驱动各二极管矩阵电路5的LED控制部91A～I。另外，在各分区Z1～Z9的每一者分别设置与该分区Z1～Z9对应的降压斩波电路723A～723I。如上所述，数据处理部73、列控制部74、行控制部75和二极管矩阵电路5中的驱动电路的部位相当于LED控制部91A～I，但是，在图17中，为了方便而用包含LED单元3的二极管矩阵电路5表示。
通过如上述那样构成，对各分区Z1～Z9的每一者能够通过分别设置有二极管矩阵电路5的驱动电功率的降压斩波电路723A～I进行调节，能够对各分区Z1～Z9的每一者调节输出。通过这样的构成，例如在对晶片W整个面进行加热时，也能够对分区Z1～Z9的每一者调节输出值来调节加热温度。
另外，在各分区Z1～Z9的每一者设置有二极管矩阵电路5和LED控制部91A～91I，因此能够对各分区Z1～Z9的每一者独立地控制配置于各分区Z1～Z9的区域D。
附图标记说明
2 载置台
3 LED单元
5 二极管矩阵电路
7 电功率供给部
8 温度检测部
9 控制部
32 冷却单元
73 数据处理部
74 列控制部
75 行控制部
100 被检查芯片(IC芯片)
101 电极焊盘
W 晶片。

Claims (7)

1.一种探针装置，其用于用测试器依次检查以矩阵状设置于基片的多个被检查芯片的电特性，所述探针装置的特征在于，包括：
载置所述基片的载置台；
与所述多个被检查芯片的电极焊盘依次接触的接触头；
在所述载置台的与载置面相反一侧，以能够对多个被检查芯片各自所处的多个区域彼此独立地进行加热的方式，设置有各自由一个或者多个LED构成的多个LED单元；以及
控制部，其在检查被检查芯片时输出控制信号，来驱动与进行所述检查的被检查芯片的区域和该区域的周边区域对应的LED单元，并且使与所述周边区域对应的LED单元的发光强度比与进行所述检查的被检查芯片的区域对应的LED单元的发光强度大。
2.如权利要求1所述的探针装置，其特征在于：
由所述多个LED单元构成二极管矩阵电路。
3.一种探针装置，其用于用测试器依次检查以矩阵状设置于基片的多个被检查芯片的电特性，所述探针装置的特征在于，包括：
载置所述基片的载置台；
与所述多个被检查芯片的电极焊盘依次接触的接触头；
在所述载置台的与载置面相反一侧，以能够对多个被检查芯片各自所处的多个区域彼此独立地进行加热的方式，设置有各自由一个或者多个LED构成的多个LED单元；以及
控制部，其在检查被检查芯片时输出控制信号来驱动LED单元，所述LED单元是所述多个LED单元内、与进行该检查的被检查芯片的区域和该区域的周边区域中至少进行该检查的被检查芯片的区域对应的区域的LED单元，
将检查被检查芯片时将其导通的LED单元按LED单元的行单位和列单位的至少一者来形成组，
所述控制部输出控制信号来在已形成组的LED单元的单位之间分时进行驱动。
4.如权利要求3所述的探针装置，其特征在于：
所述控制部在检查被检查芯片时输出控制信号来一边调换所述行单位和列单位一边驱动LED单元。
5.如权利要求3所述的探针装置，其特征在于：
所述控制部输出控制信号，来对检查被检查芯片时将其导通的LED单元和与该LED单元相邻且包围该LED单元的LED单元组，在行单位之间依次驱动LED单元或者在列单位之间依次驱动LED单元。
6.如权利要求3所述的探针装置，其特征在于：
所述控制部输出控制信号，来对检查被检查芯片时将其导通的LED单元和与该LED单元相邻且包围该LED单元的LED单元组，交替进行驱动包含作为检查对象的被检查芯片的行单位的模式和同时驱动该行单位的两侧的行单位的模式，或者，交替进行驱动包含作为检查对象的被检查芯片的列单位的模式和同时驱动该列单位的两侧的列单位的模式。
7.如权利要求4所述的探针装置，其特征在于：
所述控制部输出控制信号，来对检查被检查芯片时将其导通的LED单元和与该LED单元相邻且包围该LED单元的LED单元组，交替进行在行单位之间依次驱动LED单元的模式和在列单位之间依次驱动LED单元的模式。
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