JP7345284B2 - 載置台、検査装置および温度校正方法 - Google Patents

載置台、検査装置および温度校正方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7345284B2
JP7345284B2 JP2019105507A JP2019105507A JP7345284B2 JP 7345284 B2 JP7345284 B2 JP 7345284B2 JP 2019105507 A JP2019105507 A JP 2019105507A JP 2019105507 A JP2019105507 A JP 2019105507A JP 7345284 B2 JP7345284 B2 JP 7345284B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
mounting table
temperature sensor
probe card
chuck top
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019105507A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020198414A (ja
Inventor
禎人 山▲崎▼
純 望月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019105507A priority Critical patent/JP7345284B2/ja
Priority to PCT/JP2020/020432 priority patent/WO2020246279A1/ja
Priority to KR1020217038147A priority patent/KR102716552B1/ko
Priority to CN202080038993.5A priority patent/CN113874693A/zh
Priority to US17/616,101 priority patent/US20220316953A1/en
Publication of JP2020198414A publication Critical patent/JP2020198414A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7345284B2 publication Critical patent/JP7345284B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/02Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
    • G01K1/026Means for indicating or recording specially adapted for thermometers arrangements for monitoring a plurality of temperatures, e.g. by multiplexing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/02Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00Testing or calibrating of thermometers
    • G01K15/005Calibration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Description

本開示は、載置台、検査装置および温度校正方法に関する。
多数の半導体デバイスが形成されたウエハの検査を行うための検査装置の一例としてプローバが挙げられる。プローバは、複数の柱状接触端子であるコンタクトプローブを有するプローブカードを備える。プローバでは、プローブカードへウエハを当接させることにより、各コンタクトプローブを半導体デバイスにおける電極パッドや半田バンプと接触させる。プローバでは、さらに、各コンタクトプローブから各電極パッドや各半田バンプに接続された半導体デバイスの電気回路へ電気を流すことによって該電気回路の導通状態等を検査する。
特開2012-231040号公報
本開示は、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる載置台、検査装置および温度校正方法を提供する。
本開示の一態様による載置台は、被検査基板を載置する載置台であって、複数の温度センサと、電極パッドとを有する。複数の温度センサは、載置台の複数箇所の温度をそれぞれ計測する。電極パッドは、温度センサに各々接続され、載置面に設けられる。
本開示によれば、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。
図1は、本開示の第1実施形態におけるウエハ検査装置の一例を示す図である。 図2は、図1における線II-IIに沿う断面図である。 図3は、本開示の第1実施形態におけるチャックトップの構成の一例を示す図である。 図4は、図3における線III-IIIに沿う断面図である。 図5は、第1実施形態における搬送ステージおよびテスターの構成の一例を示す図である。 図6は、搬送ステージの構成の詳細な一例を示す図である。 図7は、第1実施形態における温度校正方法の一例を示すフローチャートである。
以下に、開示する載置台、検査装置および温度校正方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
近年、ウエハの検査効率を向上するために、複数のプローブカードを備え、搬送ステージによって一のプローブカードへウエハを搬送中に他のプローブカードでウエハの半導体デバイスを検査可能なウエハ検査装置が開発されている。このウエハ検査装置では、各プローブカードへ各ウエハを接触させる際、厚板部材であるチャックトップにウエハを載置し、プローブカードおよびチャックトップの間の空間を真空引きすることによってチャックトップとともにウエハをプローブカードへ当接させる。ここで、ウエハをプローブカードへ当接させる際、チャックトップはステージに載置され、ステージがチャックトップをプローブカードへ向けて移動させる。その後、チャックトップはプローブカードへ向けて吸着され、ステージと分離する。
ところで、近年、ウエハの検査を行う際の検査条件が複雑化し、特に、高温環境下や低温環境下での検査が数多く行われるようになっている。この場合、チャックトップ(載置台)の温度を、検査を行う温度に調節することが求められる。チャックトップの温度の調節は、チャックトップに設けられた温度制御用の温度センサで計測された温度に基づいて行われる。温度制御用の温度センサは、例えば、一月から半年ごとに校正(較正)が行われる。温度制御用の温度センサの校正は、例えば、大気開放状態において、チャックトップに校正用の文鎮型の温度センサ(熱電対型)を配置して人手で計測することで校正することが考えられる。ところが、大気開放状態では、真空吸着状態と異なり、チャックトップから大気に熱が逃げてしまい、真空吸着状態と温度分布が異なってしまう場合がある。また、温度制御用の温度センサの校正は、例えば、測温抵抗体を設けた校正用ウエハを用いて校正することが提案されている。ところが、校正用ウエハの測温抵抗体の抵抗値等を計測する場合、配線の抵抗値を考慮する等、計測が煩雑になる場合がある。このため、真空吸着状態で容易に制御用温度センサの校正を行うことができる載置台が期待されている。
[第1実施形態]
[ウエハ検査装置10の構成]
図1は、本開示の第1実施形態におけるウエハ検査装置の一例を示す図である。また、図2は、図1における線II-IIに沿う断面図である。図1および図2に示すウエハ検査装置10は、検査室11を備える。検査室11は、ウエハWの各半導体デバイスの電気的特性検査を行う検査領域12と、検査室11に対するウエハWの搬出入を行う搬出入領域13と、検査領域12および搬出入領域13の間に設けられた搬送領域14とを有する。
検査領域12には複数のウエハ検査用インターフェースとしてのテスター15が配置され、各テスター15に対応した検査空間12aが複数設けられている。具体的には、検査領域12は水平に配列された複数のテスターからなるテスター列の3層構造を有し、テスター列の各々に対応して1つのテスター側カメラ16が配置される。各テスター側カメラ16は、対応するテスター列に沿って水平に移動し、テスター列を構成する各テスター15の前に位置して後述する搬送ステージ18が搬送するウエハW等の位置や後述するチャックトップ29の傾斜の程度を確認する。
搬出入領域13は、複数の収容空間17に区画される。各収容空間17には、ポート17a、アライナー17b、ローダ17cおよびコントローラ17dが配置される。ポート17aは、複数のウエハを収容する容器であるFOUPを受け入れる。アライナー17bは、ウエハの位置合わせを行う。ローダ17cでは、後述するプローブカード19が搬入され且つ搬出される。コントローラ17dは、ウエハ検査装置10の各構成要素の動作を制御する。
搬送領域14には、該搬送領域14だけでなく検査領域12や搬出入領域13へも移動自在な搬送ステージ18が配置される。搬送ステージ18は、各ステージ列に対応して1つずつ設けられ、搬出入領域13のポート17aからウエハWを受け取って各検査空間12aへ搬送し、また、半導体デバイスの電気的特性の検査が終了したウエハWを各検査空間12aからポート17aへ搬送する。
このウエハ検査装置10では、各テスター15が搬送されたウエハWの各半導体デバイスの電気的特性の検査を行う。このとき、ウエハ検査装置10では、搬送ステージ18が一の検査空間12aへ向けてウエハWを搬送している間に、他の検査空間12aは他のウエハWの各半導体デバイスの電気的特性を行うことができるので、ウエハの検査効率を向上することができる。
ここで、図3および図4を用いて、載置台であるチャックトップ29について説明する。図3は、本開示の第1実施形態におけるチャックトップの構成の一例を示す図である。また、図4は、図3における線III-IIIに沿う断面図である。図3および図4に示すように、チャックトップ29は、載置面側の内部に複数の温度センサ70と、制御用温度センサ71とを有する。また、チャックトップ29は、後述するプローブカード19のコンタクトプローブ25と接触する複数の電極パッド72を載置面に有する。
温度センサ70は、例えば、チャックトップ29の載置面において、200mm~300mmのウエハをカバーする範囲に複数設けられる。温度センサ70の個数は、図3の例では25個であるが、載置面の温度分布を面として把握できる数であれば、25個未満でもよいし、25個以上であってもよい。温度センサ70の個数は、例えば、17個~1000個の範囲の任意の数とすることができる。温度センサ70は、例えば、デジタル温度センサを用いることができる。デジタル温度センサを用いることにより、配線抵抗やノイズ等の影響を極力抑えることができる。温度センサ70は、例えば、-55℃~+150℃の範囲で±0.3℃(最大値)の精度を有する。温度センサ70は、ICやSMBusといったインターフェースを有し、温度データを出力する。なお、図3および図4では、説明のために温度センサ70の大きさを実際より大きく記載している。温度センサ70の実際の大きさは、例えば、2mm角で厚さ0.8mm程度や、1.5mm×0.95mmで厚さ0.5mm程度である。
制御用温度センサ71は、ウエハ検査装置10で検査対象のウエハWを検査する場合に、チャックトップ29の温度を制御するための温度センサである。制御用温度センサ71は、例えば白金測温抵抗体を用いた温度センサである。ウエハ検査装置10は、制御用温度センサ71の抵抗値を計測し、計測した抵抗値に基づいて、チャックトップ29の温度を算出することで温度を計測する。
電極パッド72は、各温度センサ70に対する電源供給および通信用の電極パッドである。電極パッド72は、スルーホール73で温度センサ70の対応する端子と電気的に接続される。つまり、電極パッド72は、載置面における温度センサ70の端子であり、温度センサ70で計測された温度の信号(温度データ)は、プローブカード19を介して、テスター15が読み取り可能である。
次に、図5および図6を用いて、搬送ステージおよびテスターの構成について説明する。図5は、第1実施形態における搬送ステージおよびテスターの構成の一例を示す図である。つまり、図5は、搬送ステージ18がチャックトップ29をテスター15のプローブカード19へ当接させた状態を示し、主に検査空間12aの構成を断面図で示す。なお、図5の説明ではウエハWを載置しない状態で説明する。
図5において、テスター15は、装置フレーム(図示しない)に固定されるポゴフレーム20上に設置される。ポゴフレーム20の下部には、プローブカード19が装着される。フランジ22は、プローブカード19を囲むように配置される。
プローブカード19は、円板状の本体24と、本体24の上面のほぼ一面に配置される多数の電極(図示しない)と、本体24の下面から図中下方へ向けて突出するように配置される多数のコンタクトプローブ25(接触端子)とを有する。各電極は、対応する各コンタクトプローブ25と接続される。各コンタクトプローブ25は、プローブカード19へチャックトップ29が当接した際、チャックトップ29の載置面に形成された電極パッド72と接触する。なお、チャックトップ29にウエハWを載置した場合、各コンタクトプローブ25は、ウエハWに形成された各半導体デバイスの電極パッドや半田バンプと接触する。
ポゴフレーム20は、略平板状の本体26と、該本体26の中央部近辺に穿設された複数の貫通穴であるポゴブロック挿嵌穴27とを有し、各ポゴブロック挿嵌穴27には多数のポゴピンが配列されて形成されるポゴブロック28が挿嵌される。ポゴブロック28は、テスター15が有する検査回路(図示しない)に接続されるとともに、ポゴフレーム20へ装着されたプローブカード19における本体24の上面の多数の電極へ接触する。ポゴブロック28は、該電極に接続されるプローブカード19の各コンタクトプローブ25と電気的に接続され、複数の温度センサ70から出力される温度データの信号を、各コンタクトプローブ25を介して検査回路へ向けて流す。なお、チャックトップ29にウエハWを載置した場合、ポゴブロック28は、プローブカード19の各コンタクトプローブ25へ電気信号を流すとともに、ウエハWの各半導体デバイスの電気回路から各コンタクトプローブ25を介して流れてきた電気信号を検査回路へ向けて流す。
フランジ22は、上部フランジ22aと下部フランジ22bとを有する。また、フランジ22は、上部フランジ22aと下部フランジ22bとの間に、円筒状のベローズ23を有する。上部フランジ22aは、ポゴフレーム20に係合され、パッキン等を用いて封止されている。下部フランジ22bは、ポゴフレーム20に対して上下方向に関して移動自在である。
下部フランジ22bは、チャックトップ29が当接するまでは、自重によって下部フランジ22bの下面がプローブカード19の各コンタクトプローブ25の先端よりも下方に位置するように下方へ移動する。ベローズ23は、金属製の蛇腹構造体であり、上下方向に伸縮自在に構成される。ベローズ23の下端および上端は、それぞれ下部フランジ22bの上面および上部フランジ22aの下面に密着する。
ポゴフレーム20およびテスター15のベース21の間の空間がシール部材30で封止され、該空間が真空引きされることによってベース21がポゴフレーム20に装着される。ポゴフレーム20およびプローブカード19の間の空間も、シール部材31で封止され、該空間が真空引きされることによってプローブカード19がポゴフレーム20に装着される。
搬送ステージ18は、厚板部材のチャックトップ29およびアライナー32を有する。チャックトップ29は、アライナー32に載置され、チャックトップ29の上面には、検査時にウエハWが載置される。チャックトップ29は、アライナー32に真空吸着され、ウエハWはチャックトップ29に真空吸着される。したがって、搬送ステージ18が移動する際、ウエハWが搬送ステージ18に対して相対的に移動するのを防止することができる。なお、チャックトップ29やウエハWの保持方法は、真空吸着に限られず、チャックトップ29やウエハWのアライナー32に対する相対的な移動を防止できる方法であればよく、例えば、電磁吸着やクランプによる保持であってもよい。なお、チャックトップ29の上面の周縁部には段差29aが形成され、該段差29aにはシール部材33が配置される。
搬送ステージ18は、移動自在であるため、検査空間12aのプローブカード19の下方へ移動してチャックトップ29に載置されたウエハWをプローブカード19へ対向させることができるとともに、テスター15へ向けて移動させることができる。なお、チャックトップ29の温度校正時には、ウエハWは載置せず、チャックトップ29をプローブカード19に対向させる。空間Sは、チャックトップ29が下部フランジ22bへ当接し、チャックトップ29またはウエハWがプローブカード19へ当接した際に形成される空間である。つまり、空間Sは、チャックトップ29、フランジ22、ポゴフレーム20およびプローブカード19が囲む空間であり、ベローズ23およびシール部材33によって封止される。空間Sでは、該空間Sが真空ライン26aを介して真空引きされることによってチャックトップ29がプローブカード19側に保持される。空間Sでは、チャックトップ29、または、チャックトップ29に載置されるウエハWがプローブカード19へ当接する。このとき、チャックトップ29の電極パッド72と、プローブカード19の各コンタクトプローブ25とが当接する。または、ウエハWの各半導体デバイスにおける各電極パッドや各半田バンプと、プローブカード19の各コンタクトプローブ25とが当接する。なお、ウエハ検査装置10では、搬送ステージ18の移動はコントローラ17dによって制御され、該コントローラ17dは搬送ステージ18の位置や移動量を把握する。
アライナー32は、プローブカード19に対するチャックトップ29の相対的な位置と傾斜を調整する。ウエハ検査装置10では、各検査空間12aのチャックトップ29は、ヒータや冷媒通路等の温調機構(いずれも図示しない)を内蔵し、高温環境下や低温環境下での検査を実現する。このため、アライナー32は、高温環境下や低温環境下での検査において、チャックトップ29に内蔵するヒータからの放熱や冷媒通路への吸熱による、プローブカード19やチャックトップ29の変形に伴う位置と傾斜を調整する。なお、温度範囲としては、例えば、130℃~-40℃の範囲が挙げられる。
図6は、搬送ステージの構成の詳細な一例を示す図である。なお、図6では、理解を容易にするためにアライナー32の内部が透視された状態で描画されている。また、チャックトップ29はアライナー32から離間された状態で描画され、図中における左右方向がX方向とされ、上下方向がZ方向とされ、奥行き方向がY方向とされ、Z方向の軸回りの回転方向がθ方向とされる。
図6に示すように、アライナー32は、板状部材のXベース34と、Xガイド35と、Xブロック36と、Yベース37と、Yガイド38と、Yブロック39と、Zベース40とを有する。Xガイド35は、Xベース34上においてX方向に延伸するレール状のガイドである。Xブロック36は、Xガイド35と係合してX方向に移動可能な複数のブロックである。Yベース37は、各Xブロック36によって支持される板状部材である。Yガイド38は、Yベース37上においてY方向に延伸するレール状のガイドである。Yブロック39は、Yガイド38と係合してY方向に移動可能な複数のブロックである。Zベース40は、各Yブロック39によって支持される板状部材である。Yベース37は、各Xブロック36がX方向に移動することによって、Xベース34に対してX方向に移動可能である。また、Zベース40は、各Yブロック39がY方向に移動することによって、Yベース37やXベース34に対してY方向に移動可能である。
また、Zベース40の中心には、Zブロック穴41が形成され、該Zブロック穴41には断面H形状のZブロック42が遊合される。Zブロック42は、内部にフランジ状部43を有し、フランジ状部43はZ方向に延伸するボールねじ44と螺合する。ボールねじ44は、Z軸モータ45から駆動ベルト46を介して伝達される回転力によって軸回りに回転し、回転するボールねじ44と螺合するフランジ状部43はZ方向に移動する。その結果、Zブロック42が図示しないガイドに沿ってZ方向に移動する。フランジ状部43の上面には、複数のアクチュエータ47が配置され、各アクチュエータ47はローラリング48を介して略円板状のチャックベース49を支持する。ローラリング48は、図示しないθ方向の駆動機構を有し、チャックベース49をθ方向へ回転可能に支持する。配置されるアクチュエータ47の数は、2つ以上であればよく、例えば、3つのアクチュエータ47が配置されてもよく、または、2つのアクチュエータ47と1つの高さ固定支持部(図示しない)が配置されてもよい。チャックベース49は、図示しない構造によってθ方向に回転する。チャックベース49は、上面の中心部分からなるチャックトップ吸着面52を有し、チャックトップ29のボトムプレート53はチャックトップ吸着面52に真空吸着される。これにより、チャックトップ29がアライナー32へ載置されて装着される。また、チャックベース49は、上面の周縁部に配置される複数のハイトセンサ54と、上端が半球状の位置決めピン55とを有する。一方、チャックトップ29は、下面において各ハイトセンサ54と対向する位置に配置される複数の検出用プレート56と、各位置決めピン55と対向する位置に配置される複数の位置決めブロック57とを有する。
各ハイトセンサ54は、チャックトップ29がアライナー32へ載置される際、チャックトップ29およびチャックベース49(アライナー32)の相対的な位置関係であるチャックベース49の上面からチャックトップ29の下面までの距離を測定する。具体的には、ハイトセンサ54は、ハイトセンサ54の各々から対応する各検出用プレート56の各々までの距離(以下、「チャックトップ高さ」という。)を測定する。測定された各チャックトップ高さは、コントローラ17dのメモリ等に記憶される。チャックトップ高さは、ハイトセンサ54毎に測定される。ここで、チャックトップ29がアライナー32へ載置される際、チャックトップ吸着面52の傾斜等の要因により、必ずしも、チャックトップ29およびチャックベース49は完全に平行とならない場合がある。つまり、チャックトップ29がチャックベース49に対して多少傾斜することがあるため、例えば、或るハイトセンサ54が測定したチャックトップ高さは500μmであっても、他の或るハイトセンサ54が測定したチャックトップ高さが550μmとなる場合もある。ウエハ検査装置10では、各ハイトセンサ54が測定したチャックトップ高さを各ハイトセンサ54に対応付けて記憶する。
各位置決めブロック57の下端は、円錐状に成形され、対応する位置決めピン55の半球状の上端と係合する。ウエハ検査装置10では、各位置決めブロック57が対応する各位置決めピン55に係合することにより、チャックベース49(アライナー32)に対するチャックトップ29の位置を規定する。
さらに、アライナー32は、プローブカード19やポゴフレーム20の傾斜の程度を確認するための上方確認カメラ62を有する。上方確認カメラ62は、Zブロック42に取り付けられる。また、アライナー32では、各アクチュエータ47がチャックベース49をリフトするが、各アクチュエータ47のリフト量は個別に調整可能である。すなわち、アライナー32は、各アクチュエータ47のリフト量を異ならせることにより、チャックベース49の傾斜、ひいてはチャックトップ29の傾斜を調整することができる。
[温度校正方法]
次に、第1実施形態における温度校正方法について説明する。図7は、第1実施形態における温度校正方法の一例を示すフローチャートである。
ウエハ検査装置10は、温度校正(キャリブレーション)を行う検査空間12aに対して、搬送ステージ18を用いてローダ17cからプローブカード19を搬送する。ウエハ検査装置10は、プローブカード19を搬送ステージ18からポゴフレーム20に真空吸着させる(ステップS1)。
次に、ウエハ検査装置10は、温度校正を行う検査空間12aに対して、搬送ステージ18を用いて、チャックトップ29を搬送する。ウエハ検査装置10は、搬送ステージ18を用いて、チャックトップ29をプローブカード19の下部へ搬送する。ウエハ検査装置10は、チャックトップ29を上昇させ、チャックトップ29の電極パッド72をプローブカード19のコンタクトプローブ25と当接させる。また、ウエハ検査装置10は、チャックトップ29をプローブカード19側に真空吸着させる(ステップS2)。
ウエハ検査装置10は、搬送ステージ18を検査空間12aから退避させ、チャックトップ29の図示しない温調機構(チラー)を制御して、チャックトップ29を温度校正の基準となる第1の温度に制御する(ステップS3)。ウエハ検査装置10は、例えば、第1の温度が-40℃であるときに、-45℃の冷媒とチャックトップ29内のヒータとを制御して-40℃を維持するように制御する。
テスター15は、チャックトップ29の各温度センサ70の配置場所で計測された温度データを取得する(ステップS4)。テスター15は、取得した温度データに基づいて、制御用温度センサ71のオフセット量を算出する。すなわち、テスター15は、チャックトップ29の表面温度と、制御用温度センサ71との相関を測定する。テスター15は、例えば、ウエハ検査装置10におけるチャックトップ29の設定温度が第1の温度であるときに、各温度センサ70で計測された温度に基づく載置面の温度分布の平均値と、第1の温度との差分をオフセット量として算出する。テスター15は、算出したオフセット量に基づいて、制御用温度センサ71を校正する(ステップS5)。ウエハ検査装置10は、温度校正が終了すると、検査対象のウエハWの検査に移行する。
このように、第1実施形態では、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。また、第1実施形態では、マルチヘッドのウエハ検査装置10において、他のヘッド(テスター15)を停止せずに、載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。つまり、第1実施形態では、ウエハ検査装置10のダウンタイムを短縮することができる。また、第1実施形態では、通常アライメントで温度校正を実施できるので、チャックトップ29に冶具を設置するために検査室11のカバーを開けることに伴う露点回復待ちを行わなくてもよい。
[第2実施形態]
第1実施形態では、ウエハ検査装置10のテスター15を用いて、チャックトップ29の制御用温度センサ71を校正したが、テスター15に代えて試験用の冶具を用いて制御用温度センサ71を校正してもよい。当該冶具は、テスター15と同様に、温度センサ70で計測された温度データに基づいて、例えば、制御用温度センサ71のオフセット量を算出する。冶具は、算出したオフセット量に基づいて、制御用温度センサ71を校正する。なお、この冶具は、検査空間12aをウエハ検査装置10が設置されている外部雰囲気に曝すことなく、コンタクトプローブ25を介して電気信号を送受信できるように、ポゴフレーム20などに接続される。このように、第2実施形態では、テスター15を用いずに、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。つまり、第2実施形態では、例えば、テスター15の点検や整備と、チャックトップ29の制御用温度センサ71の校正を同時に行うことができる。
以上、第1実施形態によれば、載置台(チャックトップ29)は、被検査基板(ウエハW)を載置する載置台であって、複数の温度センサ70と、電極パッド72とを有する。複数の温度センサ70は、載置台の複数箇所の温度をそれぞれ計測する。電極パッド72は、温度センサ70に各々接続され、載置面に設けられる。その結果、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。
また、第1実施形態によれば、温度センサ70は、載置台(チャックトップ29)の内部に配置され、電極パッド72と電気的に接続されている。その結果、プローブカード19を介して、載置台の各部の温度データを取得することができる。
また、第1実施形態によれば、電極パッド72は、プローブカード19のプローブと接触可能に設けられる。また、温度センサ70で計測された温度の信号は、プローブカード19を介して読み取り可能である。その結果、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。
また、第1実施形態によれば、載置台(チャックトップ29)は、さらに、載置台の温度を制御する制御用温度センサ71を有する。制御用温度センサ71は、複数の温度センサ70でそれぞれ計測された温度に基づいて校正される。その結果、ウエハ検査装置10のダウンタイムを短縮することができる。
また、第1実施形態によれば、載置台(チャックトップ29)は、プローブカード19を支持するポゴフレーム20に真空吸着される。また、複数の温度センサ70による計測は、載置台とプローブカード19との間の空間が真空引きされた状態で行われる。その結果、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。
また、第1実施形態によれば、検査装置(ウエハ検査装置10)は、被検査基板(ウエハW)を検査する検査装置であって、被検査基板を載置する載置台(チャックトップ29)を有する。載置台は、複数の温度センサ70と、電極パッド72とを有する。複数の温度センサ70は、載置台の複数箇所の温度をそれぞれ計測する。電極パッド72は、温度センサ70に各々接続され、載置面に設けられる。その結果、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。
また、第1実施形態によれば、被検査基板を載置する載置台(チャックトップ29)の温度校正方法は、載置台を、載置台と接触させるプローブが形成されたプローブカード19側に真空吸着する。また、温度校正方法は、載置台に設けられた、載置台の複数箇所の温度をそれぞれ計測する複数の温度センサ70を用いて、複数箇所の温度を計測する。また、温度校正方法は、載置台の温度を制御する制御用温度センサ71を、計測した複数箇所の温度に基づいて校正する。その結果、真空吸着状態で容易に載置台の制御用温度センサの校正を行うことができる。
今回開示された各実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の各実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。
10 ウエハ検査装置
15 テスター
18 搬送ステージ
19 プローブカード
20 ポゴフレーム
25 コンタクトプローブ
29 チャックトップ
32 アライナー
70 温度センサ
71 制御用温度センサ
72 電極パッド
73 スルーホール
W ウエハ

Claims (5)

  1. 被検査基板を載置する載置台であって、
    前記載置台の複数箇所の温度をそれぞれ計測する複数の温度センサと、
    前記温度センサに各々接続され、載置面に設けられた電極パッドと、
    前記載置台の温度を制御する制御用の温度センサと、を有し、
    前記電極パッドは、プローブカードのプローブと接触可能に設けられ、
    前記複数の温度センサでそれぞれ計測された温度の信号は、前記プローブカードを介して読み取り可能であり、
    前記制御用の温度センサは、前記複数の温度センサでそれぞれ計測された温度に基づいて校正される、
    置台。
  2. 前記複数の温度センサは、前記載置台の内部に配置され、それぞれ前記電極パッドと電気的に接続されている、
    請求項1に記載の載置台。
  3. 前記載置台は、プローブカードを支持するポゴフレームに真空吸着され、
    前記複数の温度センサによる計測は、前記載置台と前記プローブカードとの間の空間が真空引きされた状態で行われる、
    請求項1または2に記載の載置台。
  4. 被検査基板を検査する検査装置であって、
    前記被検査基板を載置する載置台を有し、
    前記載置台は、
    前記載置台の複数箇所の温度をそれぞれ計測する複数の温度センサと、
    前記温度センサに各々接続され、載置面に設けられた電極パッドと、
    前記載置台の温度を制御する制御用の温度センサと、を有し、
    前記電極パッドは、プローブカードのプローブと接触可能に設けられ、
    前記複数の温度センサでそれぞれ計測された温度の信号は、前記プローブカードを介して読み取り可能であり、
    前記制御用の温度センサは、前記複数の温度センサでそれぞれ計測された温度に基づいて校正される、
    査装置。
  5. 被検査基板を載置する載置台の温度校正方法であって、
    前記載置台を、前記載置台と接触させるプローブが形成されたプローブカード側に真空吸着することと、
    前記載置台に設けられた、前記載置台の複数箇所の温度をそれぞれ計測する複数の温度センサを用いて、前記複数箇所の温度を計測し、前記温度センサで計測された温度の信号を、前記温度センサに各々接続され、載置面に前記プローブと接触可能に設けられた電極パッド、および、前記プローブカードを介して読み取ることと、
    前記載置台の温度を制御する制御用の温度センサを、計測した前記複数箇所の温度に基づいて校正することと、
    を有する温度校正方法。
JP2019105507A 2019-06-05 2019-06-05 載置台、検査装置および温度校正方法 Active JP7345284B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019105507A JP7345284B2 (ja) 2019-06-05 2019-06-05 載置台、検査装置および温度校正方法
PCT/JP2020/020432 WO2020246279A1 (ja) 2019-06-05 2020-05-23 載置台、検査装置および温度校正方法
KR1020217038147A KR102716552B1 (ko) 2019-06-05 2020-05-23 탑재대, 검사 장치 및 온도 교정 방법
CN202080038993.5A CN113874693A (zh) 2019-06-05 2020-05-23 载置台、检查装置和温度校正方法
US17/616,101 US20220316953A1 (en) 2019-06-05 2020-05-23 Mounting table, test apparatus, and temperature calibration method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019105507A JP7345284B2 (ja) 2019-06-05 2019-06-05 載置台、検査装置および温度校正方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020198414A JP2020198414A (ja) 2020-12-10
JP7345284B2 true JP7345284B2 (ja) 2023-09-15

Family

ID=73648167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019105507A Active JP7345284B2 (ja) 2019-06-05 2019-06-05 載置台、検査装置および温度校正方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220316953A1 (ja)
JP (1) JP7345284B2 (ja)
KR (1) KR102716552B1 (ja)
CN (1) CN113874693A (ja)
WO (1) WO2020246279A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022130964A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び温度制御方法
CN113555293B (zh) * 2021-07-21 2023-06-27 中国电子科技集团公司第三十八研究所 硅基片式收发组件温度应力场测试方法
JP2023051506A (ja) * 2021-09-30 2023-04-11 東京エレクトロン株式会社 温度校正システム、検査装置および温度校正方法
CN115406561A (zh) * 2022-09-28 2022-11-29 北京智芯微电子科技有限公司 测温芯片的测温校准方法、装置、电子设备、介质及芯片

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001210683A (ja) 2000-01-25 2001-08-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバのチャック機構
JP2006053075A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Komatsu Ltd 温度測定装置および温度測定用基板
JP2012231040A (ja) 2011-04-27 2012-11-22 Tokyo Electron Ltd 温度校正装置及び温度校正方法
JP2013104667A (ja) 2011-11-10 2013-05-30 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の検査装置及び検査方法
JP2017198523A (ja) 2016-04-27 2017-11-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、温度センサ及び電源電圧モニタ
JP2018100838A (ja) 2016-12-19 2018-06-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体装置
JP2018117095A (ja) 2017-01-20 2018-07-26 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ針の接触方法
JP2019021845A (ja) 2017-07-20 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板検査装置
JP2020106454A (ja) 2018-12-28 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 温度測定部材、検査装置及び温度測定方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0264424A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Fujitsu Ltd 真空成膜室内における基板温度の測定方法
JP2000340620A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Nikon Corp プローブ装置
JP6425027B2 (ja) * 2015-03-24 2018-11-21 株式会社東京精密 プローバ及びウエハチャック温度測定方法
JP6652361B2 (ja) * 2015-09-30 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置及びウエハ検査方法
JP7078838B2 (ja) * 2017-12-01 2022-06-01 東京エレクトロン株式会社 プローバ
US10732046B2 (en) * 2018-09-10 2020-08-04 Asm Ip Holding Bv System and method for thermally calibrating semiconductor process chambers
CN109443600A (zh) * 2018-12-18 2019-03-08 中国电子科技集团公司第十三研究所 在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001210683A (ja) 2000-01-25 2001-08-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバのチャック機構
JP2006053075A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Komatsu Ltd 温度測定装置および温度測定用基板
JP2012231040A (ja) 2011-04-27 2012-11-22 Tokyo Electron Ltd 温度校正装置及び温度校正方法
JP2013104667A (ja) 2011-11-10 2013-05-30 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の検査装置及び検査方法
JP2017198523A (ja) 2016-04-27 2017-11-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、温度センサ及び電源電圧モニタ
JP2018100838A (ja) 2016-12-19 2018-06-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体装置
JP2018117095A (ja) 2017-01-20 2018-07-26 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ針の接触方法
JP2019021845A (ja) 2017-07-20 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板検査装置
JP2020106454A (ja) 2018-12-28 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 温度測定部材、検査装置及び温度測定方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220005507A (ko) 2022-01-13
JP2020198414A (ja) 2020-12-10
US20220316953A1 (en) 2022-10-06
KR102716552B1 (ko) 2024-10-11
WO2020246279A1 (ja) 2020-12-10
CN113874693A (zh) 2021-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7345284B2 (ja) 載置台、検査装置および温度校正方法
JP7503735B2 (ja) プローバ
US10557868B2 (en) Wafer inspection device and wafer inspection method
JP6515007B2 (ja) ウエハ検査方法及びウエハ検査装置
KR100342016B1 (ko) 반도체 웨이퍼 유지 장치 및 반도체 웨이퍼 수납실
JP7257880B2 (ja) 試験用ウエハおよび試験方法
US11293814B2 (en) Temperature measurement member, inspection apparatus, and temperature measurement method
JP2024096822A (ja) プローバ及びプローブ検査方法
US11933839B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP2021005686A (ja) プローバおよびプローブカードのプリヒート方法
KR20180013316A (ko) 반도체 소자 테스트 장치 및 방법
JP7530018B2 (ja) プローバ及びプローブ検査方法
JP7048884B2 (ja) プローバ及びプローブ検査方法
JP7045631B2 (ja) プローバ及びプローブ検査方法
JP2024043947A (ja) 測温用基板の校正方法、基板測温システム及び測温用基板
JP2022183460A (ja) プローバ
KR20080113825A (ko) 프로브 스테이션

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230808

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230905

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7345284

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150