TWI783141B - 加熱調理器 - Google Patents

Abstract

加熱調理器具備：加熱室，收容被加熱物；輻射加熱部，設置於加熱室的頂板；反射型調理盤，構成為可配置於加熱室內；頂板溫度檢測部，檢測頂板的溫度；控制部，根據頂板的溫度來控制輻射加熱部；及熱反射層，配置於反射型調理盤的上表面，且反射從輻射加熱部所放射的熱。依據本態樣，便能夠將加熱室內的調理盤上之被加熱物有效率地加熱，並能夠使加熱室的庫內溫度迅速地上升至期望的溫度。

Description

加熱調理器

發明領域 本揭示是有關於一種將收容於加熱室中的食品等之被加熱物加熱的加熱調理器，特別是有關於一種將加熱室內的調理盤上之被加熱物藉由設置於頂板的熱源來加熱的加熱調理器。

發明背景 加熱調理器在加熱裝置方面，具備：使用了輻射熱的紅外線加熱器單元、使用了微波的微波加熱單元、使用了水蒸氣的蒸汽加熱單元、及使用了熱風的對流加熱單元。

加熱調理器也有具備如下之加熱裝置的情況，即，具備一種藉由設置於加熱室的頂板之加熱器來將頂板加熱，並藉由被加熱過的頂板來將加熱室的內部間接地加熱之加熱裝置(參照日本專利特開平3-103206號公報、日本專利特開2010-54124號公報)。

發明概要 加熱調理器是構成為可因應於調理內容而選擇適當的加熱裝置，來將加熱室內的被加熱物適當地加熱。為了使用加熱調理器製作可口的料理，又，為了縮短調理時間，使加熱室的庫內溫度在短時間內上升至期望的溫度，並維持在其溫度是重要的。

在一般家庭所使用的加熱調理器中，額定功率會被規定，且輸入功率會被限制。因此，必須將設置於加熱調理器的熱源在額定功率內來設計。

在使用耗電量大的加熱器的情況下，無法將其能力充分地發揮。其結果，難以使加熱室內部在短時間內上升至期望的溫度。在併用耗電量大的加熱器與其他加熱裝置的情況下，有必要將各輸出調整成為在額定功率內。其結果，會有為了使加熱室內的溫度上升至期望的溫度而費時的情況。

本揭示之目的在於提供一種在使用來自加熱室的頂板之輻射熱的構成下，能夠將加熱室內的調理盤上之被加熱物有效率地加熱的加熱調理器。其目的特別是在於提供一種能夠使加熱室的庫內溫度迅速地上升至期望的溫度，且，能夠以較低的耗電量來將庫內溫度維持在期望的溫度的加熱調理器。

本揭示之一態樣的加熱調理器具備：加熱室，收容被加熱物；輻射加熱部，設置於加熱室的頂板；反射型調理盤，構成為可配置於加熱室內；頂板溫度檢測部，檢測頂板的溫度；控制部，根據頂板的溫度來控制輻射加熱部；及熱反射層，配置於反射型調理盤的上表面，且反射從輻射加熱部所放射的熱。

依據本態樣，便能夠使用來自加熱室的頂板之輻射熱，將加熱室內的調理盤上之被加熱物有效率地加熱，並能夠使加熱室的庫內溫度迅速地上升至期望的溫度。

用以實施發明之形態 本揭示的第1態樣之加熱調理器具備：加熱室，收容被加熱物；輻射加熱部，設置於加熱室的頂板；反射型調理盤，構成為可配置於加熱室內；頂板溫度檢測部，檢測頂板的溫度；控制部，根據頂板的溫度來控制輻射加熱部；及熱反射層，配置於反射型調理盤的上表面，且反射從輻射加熱部所放射的熱。

在本揭示的第2態樣之加熱調理器中，除了第1態樣之外，熱反射層更含有鈦或鋁。

在本揭示的第3態樣之加熱調理器中，除了第1態樣之外，頂板更具有朝上方凹陷的曲面形狀。

本揭示的第4態樣之加熱調理器除了第1態樣之外，更具備：微波加熱部，配置於加熱室的下方，且對加熱室內照射微波。在反射型調理盤的下表面，配置有吸收微波而發熱的發熱體。

在本揭示的第5態樣之加熱調理器中，除了第4態樣之外，發熱體更含有鐵氧體(ferrite)。

在本揭示的第6態樣之加熱調理器中，除了第1態樣之外，構成加熱室的側面之壁面更具備：側面熱反射層，可反射從輻射加熱部所放射的熱。

在本揭示的第7態樣之加熱調理器中，除了第6態樣之外，側面熱反射層更含有鈦或鋁。

以下，針對本揭示的實施形態之加熱調理器，參照附圖來進行說明。圖1是顯示本實施形態之加熱調理器的外觀的立體圖。圖2是本實施形態之加熱調理器的已打開門之狀態下的立體圖。

如圖1、圖2所示，本實施形態之加熱調理器具有設置於本體1內的加熱室4、及覆蓋加熱室4的正面開口的門2。在門2的上方端部設置有把手3。加熱室4的內部是藉由門2的關閉而被密閉，且已配置於加熱室4的內部之被加熱物會被加熱。

如圖1所示，門2具有用於設定加熱溫度、調理時間、調理選單等的加熱條件的設定部5。設定部5包含用於顯示加熱條件、加熱狀態的顯示部。

本實施形態之加熱調理器在加熱裝置方面，具有配置於頂板的輻射加熱部8(參照圖10)。頂板10(參照圖3)是藉由輻射加熱部8而被加熱，且加熱室4內的被加熱物是藉由來自頂板10的輻射熱而被加熱。

本實施形態之加熱調理器除了輻射加熱部8以外，還具有微波加熱部、蒸汽加熱部與對流加熱部。

微波加熱部具有設置於加熱室4的下方，且具有指向性的天線。微波加熱部是藉由使該天線旋轉，便可將微波朝加熱室4內的期望之方向放射。蒸汽加熱部具有配置於本體1內的水槽與鍋爐。蒸汽加熱部會將來自水槽的水，藉由配置於鍋爐的蒸汽加熱器加熱而生成水蒸氣，並將其水蒸氣對加熱室4內噴射。對流加熱部具有配置於加熱室4的背面側之背面加熱器。對流加熱部會藉由背面加熱器將從加熱室4所吸引的空氣加熱而生成熱風，並將該熱風對加熱室4內供給來使其循環。

在本實施形態中，當使用者選擇期望的加熱裝置，或，使用者選擇調理內容後，適當的加熱裝置便會被選擇。當使用者在加熱室4內載置被加熱物，關閉門2，使用設定部5設定加熱裝置的種類、調理內容等的加熱條件並按壓開始鍵後，調理動作便開始。

圖3是本實施形態之加熱調理器的已卸除門2之狀態下的正面圖。如圖3所示，在本實施形態之加熱調理器中，反射型調理盤6配置於加熱室4。反射型調理盤6是所謂的烤盤，會在將被加熱物在加熱室內部進行熱烤時被使用。反射型調理盤6的至少頂板側具有熱反射的功能。反射型調理盤6配置於落差4a上，前述落差4a是指設置於加熱室4內的兩側之側面壁的上層、中層、下層的任一落差4a。

圖4到圖7是顯示反射型調理盤6的具體的構成。圖4是從斜上方來看時的反射型調理盤6的立體圖。圖5是反射型調理盤6的上表面側的平面圖。圖6是從斜下方來看時的反射型調理盤6的立體圖。圖7是反射型調理盤6的下表面側的平面圖。

如圖4到圖7所示，反射型調理盤6對應於加熱室4的內部形狀，具有平面視角下大致長方形形狀。反射型調理盤6具有朝外側突出成凸緣狀的外緣部6a、及設置於外緣部6a的內側的凹狀構件。此凹狀構件的上表面是供被加熱物載置的載置面6b。

在載置面6b上，交互地配置有相對於反射型調理盤6的各邊傾斜延伸的堤部與溝部。在本實施形態中，堤部與溝部是以相對於反射型調理盤6的各邊大致45度的角度所配置。溝部是形成為在載置面6b的中央部分最高，且隨著靠近外緣部6a而逐漸變低。藉由此形狀，調理時從被加熱物所滲出的肉汁等之液體，便會被導引至形成於載置面6b的外周之周圍溝。

載置面6b具有在其中央部分配置成長方形狀且由複數個點所構成的邊界標記9。邊界標記9的內側是快速加熱區域。在快速加熱區域中，藉由後述的輻射加熱部8之特定的加熱器(內加熱器20(參照圖13))，被加熱物便會被集中加熱。若將被加熱物載置於快速加熱區域內的話，便能夠將被加熱物迅速地加熱。邊界標記9只要是能夠輕易地辨識的話，可以設置成凸形狀或凹形狀，亦可被印刷於載置面6b上。

在本實施形態中，當反射型調理盤6被收容於加熱室4內後，載置面6b及外緣部6a便會被水平地配置成會與加熱室4的頂板10相對向。

如上所述，反射型調理盤6具有大致長方形形狀。反射型調理盤6具有設置於外緣部6a之外側的把手6c，前述外緣部6a是指相當於反射型調理盤6之短邊的外緣部6a。把手6c是以耐熱性樹脂所形成。當反射型調理盤6被配置於加熱室4內後，把手6c便會被設置於加熱室4的側面壁之落差4a所支撐。

如圖4、圖5所示，在反射型調理盤6的載置面6b上，設置有熱反射層40，前述熱反射層40是以可有效率地反射來自輻射加熱部8的熱之材料所形成。因此，從輻射加熱部8所放射的熱會直接被照射至反射型調理盤6上的被加熱物，並且會在未載置被加熱物的載置面6b之區域被反射。其結果，頂板10便會藉由來自載置面6b的反射熱而被加熱。

如上所述，頂板10會藉由輻射加熱部8的熱源(加熱器單元11(參照圖11))而直接地被加熱，並且會藉由來自反射型調理盤6的反射熱而間接地被加熱。

熱反射層40是以熱反射性優異的鈦、鋁等之金屬粉末、或混合了該等的金屬粉末所構成。

依據本實施形態，藉由在加熱室4內配置反射型調理盤6，來自反射型調理盤6的反射熱便會成為二次熱源。因此，相比於僅加熱器單元11為熱源的情況，頂板10的溫度將顯著地迅速上升。

圖8是顯示頂板10的溫度上升之一例的圖表。在圖8中，虛線表示已將以往的烤盤配置於加熱室4的情況下之溫度上升曲線。實線表示已將反射型調理盤6配置於加熱室4的情況下之溫度上升曲線。

如圖8所示，若是使用反射型調理盤6的話，相比於使用了以往的烤盤的情況，頂板10的溫度在較短時間內便到達規定溫度。具體而言，頂板10的溫度快了10%以上便到達480℃。

若是使用具有以含有鈦粉末的組成物所形成的熱反射層40之反射型調理盤6的話，相比於使用了以往的烤盤的情況，遠紅外線的反射率飛躍性地(具體而言是2倍以上)提升了。

如圖6、圖7所示，在反射型調理盤6的下表面，形成有吸收從下方所放射的微波而發熱的發熱層50。吸收微波而發熱的材料方面，例如包含含有鐵氧體粉末的組成物，具體而言包含鎳系鐵氧體素材。發熱層50形成於反射型調理盤6的下表面之外緣部6a以外的區域。被微波照射而產生的發熱層50之熱會傳達至反射型調理盤6的基材，再傳達至已載置於反射型調理盤6上的被加熱物。

圖9是顯示以往的烤盤與反射型調理盤6的升溫性能之比較實驗的結果的圖表。在圖9中，虛線表示已將以往的烤盤配置於加熱室4的情況下之升溫性能曲線。實線表示已將反射型調理盤6配置於加熱室4的情況下之升溫性能曲線。

如圖9所示，若是使用反射型調理盤6的話，相比於使用了以往的烤盤的情況，加熱室4的庫內溫度大幅地上升了。具體而言，在經過10分鐘的時間點之加熱室4的庫內溫度變得高出30℃以上。

如以上，在本實施形態中，反射型調理盤6具有：熱反射層40，形成於基材的上表面，且熱反射性優異；及發熱層50，形成於基材的下表面，且吸收微波而發熱。

再者，在反射型調理盤6的下表面，也可以埋設鐵氧體素材等的發熱體。反射型調理盤6的基材只要熱傳導性優異的話，可以是金屬製亦可是陶瓷製。

如上所述，反射型調理盤6的基材是以熱傳導性優異的材料所形成。因此，反射型調理盤6除了吸收微波而發熱之外，也會接收到蒸汽加熱及對流加熱所造成的熱，而能夠將被加熱物有效率地加熱。熱反射層40含有鈦、鋁等的金屬粉末。因此，熱反射層40具有優異的熱傳導性。

在本實施形態中，反射型調理盤6是藉由加熱室4的側面壁之落差4a所支撐。然而，反射型調理盤6也可以從頂板10懸吊。反射型調理盤6也可以具有朝下方突出的腳，而載置於加熱室4的底面。

在本實施形態中，具有指向性的天線(未圖示)配置於加熱室4的底面之大致中央的正下方，且會進行旋轉，以對加熱室4內的期望之方向放射微波。除此之外，本實施形態的天線更能夠放射圓形極化波。依據本實施形態的天線，便能夠對加熱室4內均一地放射微波。

加熱室4的底面是以來自天線的微波會透過的材料所構成。加熱室4的其他壁面(側面壁、背面壁、頂板)是以鋼鐵、不鏽鋼(SUS)、或鍍鋁鋼板所構成。各壁面上也可以形成氟樹脂、矽樹脂等的具有非黏著性之被膜層。藉此，便能夠防止調理時飛散了的油脂成分、調理殘渣等的汙垢附著之情況。即便汙垢附著，也能夠輕易地拭除汙垢。

也可以在加熱室4的各壁面上，形成具備自潔功能的被覆層，前述自潔功能是會將由於調理時的加熱而在調理時飛散了的油脂成分加以分解並自動清掃之功能。為了使被覆層具備自潔功能，可以對被膜層混合促進氧化分解作用的氧化錳系之觸媒種類等，或是對被膜層添加對於低溫下的氧化分解作用會發揮顯著效果的白金或在中高溫域下的活性很高的鈀等。也可以對被膜層添加具有吸附作用的鈰等。

如上所述，從輻射加熱部8所放射的熱會被照射至已載置於反射型調理盤6上的被加熱物，並且會藉由熱反射層40而被反射。頂板10會藉由輻射加熱部8而直接地被加熱，並藉由來自反射型調理盤6的反射熱而間接地被加熱，來將已載置於反射型調理盤6上的被加熱物加熱。在反射型調理盤6的下表面，發熱層50會吸收微波而發熱，來將反射型調理盤6加熱。如此一來，便能夠將已載置於反射型調理盤6上的被加熱物從上方及下方來加熱。

在本實施形態中，在反射型調理盤6的載置面6b上形成有熱反射層40。然而，也可以在構成加熱室4的側面之壁面(側面壁、背面壁、正面壁(門2的背面))的至少任一面上形成側面熱反射層。此側面熱反射層是以與形成於反射型調理盤6上的熱反射層40相同的材料同樣地被形成。

藉由如此被形成的側面熱反射層，從輻射加熱部8所放射的熱便會被照射至反射型調理盤6上的被加熱物，並且藉由反射型調理盤6與加熱室4的側面而被反射。其結果，變得可以更有效率地加熱。

圖10是本實施形態之加熱調理器的已卸除外殼之狀態下的立體圖。如圖3、圖10所示，在加熱室4的頂板10上設置有輻射加熱部8。庫內溫度檢測部18設置於加熱室4的右後方，會檢測加熱室4的庫內溫度。庫內溫度檢測部18是以例如紅外線感測器、熱敏電阻所構成。後述的控制部7(參照圖14)是根據藉由庫內溫度檢測部18所檢測到的庫內溫度等，來控制加熱動作。

圖11是輻射加熱部8的分解立體圖。如圖11所示，輻射加熱部8從下依序具備頂板10、加熱器單元11、第1隔熱板12、及壓板13。第1隔熱板12會阻隔從加熱器單元11朝上方傳達的熱。壓板13會將加熱器單元11隔著第1隔熱板12壓抵於頂板10。

在壓板13上設置有絕緣片14及第2隔熱板15。絕緣片14會將加熱器單元11的端子部24等電性絕緣。第2隔熱板15會阻隔輻射加熱部8的熱傳達至本體1的外殼。輻射加熱部8的各零件在維護時可輕易更換。

圖12A是加熱室4的頂板10的平面圖。圖12B是沿圖12A所示的12B-12B線之頂板10的截面圖。圖12C是沿圖12A所示的12C-12C線之頂板10的截面圖。

如圖12A~圖12C所示，頂板10具有平面視角下大致長方形形狀。頂板10的外周緣以外之部分具有像是與加熱室4相對向的面呈凹陷的曲面形狀。在此曲面部分上，緊貼地配置有加熱器單元11。加熱器單元11具有對應於此曲面部分的形狀之長方形形狀。藉由此構成，頂板10的幾乎整體會作為加熱區域10a而發揮功能。

如圖12A所示，頂板10的加熱區域10a是將複數個正六角形形狀的區域無縫隙地鋪滿所構成。以下，將此區域稱為蜂巢區域。這些的蜂巢區域的邊界是形成為朝向加熱室突出。各蜂巢區域具有相同的形狀與面積。頂板10是藉由壓製加工所形成。

頂板10的加熱區域10a在加熱器單元11被開啟後會膨脹，在加熱器單元11被關閉後會收縮。又，加熱器單元11並不限定於一定要將加熱區域10a的整面均一地加熱。因此，加熱區域10a的膨脹及收縮所產生的力之大小，有可能隨著加熱區域10a的場所而不同。假設，在頂板10被局部加熱而不均一地變形了的情況下，頂板10與加熱器單元11之間會形成大的縫隙，加熱器單元11的熱將變得難以傳達至頂板10。

依據本實施形態，膨脹或收縮所產生的力會藉由設置於頂板10的正六角形形狀之蜂巢區域而被分散並吸收。其結果，便能夠將頂板10與加熱器單元11之間的間距保持一定。

在本實施形態中，頂板10具有其中央部分朝上方凹陷之圓頂型的曲面形狀。因此，被放射至構成加熱室4的側面之壁面的熱會降低，從加熱區域10a所放射的熱會有效地被照射至反射型調理盤。

依據本實施形態，加熱區域10a的局部變形便會被防止。在頂板10被加熱後，加熱區域10a會維持著其形狀，整體地朝上方膨脹。藉由此構成，加熱器單元11緊貼於加熱區域10a的狀態便會被維持。

在本實施形態中，加熱區域10a是以複數個正六角形形狀的區域所構成。然而，構成加熱區域10a的複數個區域只要具有能夠將膨脹或收縮所產生的局部力分散並吸收之形狀的話，各區域的形狀就不限定於正六角形。加熱區域10a也可以由例如以三角、四角等多角形形狀的區域、曲線所構成之複數個區域來構成。

頂板10具有形成於其兩面，且由例如矽樹脂等所構成的黑色的膜體。藉由此膜體，便能夠有效率地吸收來自加熱器單元11的熱。

圖13是加熱器單元11的分解立體圖。如圖13所示，加熱器單元11的熱源即加熱器25包含內加熱器20及外加熱器21。內加熱器20及外加熱器21是在同一平面上配置成外加熱器21會包圍內加熱器20。內加熱器20及外加熱器21是個別地被控制。

內加熱器20的輸出能夠在300W到900W的範圍內無段地變化。外加熱器21具有700W的單一輸出。

如圖13所示，加熱器單元11是透過將加熱器25藉由2片雲母的板材(上側絕緣材22與下側絕緣材23)來包夾所形成。上側絕緣材22及下側絕緣材23具備：與內加熱器20相對向的內加熱器區域11a、及與外加熱器21相對向的外加熱器區域11b。內加熱器區域11a與外加熱器區域11b之間形成有細隙。此細隙是防止在內加熱器區域11a與外加熱器區域11b之間直接傳達熱。

如圖11所示，輻射加熱部8具有配置成會覆蓋加熱器單元11的第1隔熱板12。第1隔熱板12是例如藉由玻璃棉所形成，並阻隔從加熱器單元11朝上方的熱。第1隔熱板12具有至少能夠覆蓋加熱區域10a的整面之形狀。第1隔熱板12具有均一的厚度，且至少在厚度方向上具有彈性。

如圖11所示，在輻射加熱部8中，壓板13具有曲面區域13a，前述曲面區域13a具有與加熱區域10a同樣的曲面。壓板13會隔著第1隔熱板12將加熱器單元11壓抵於加熱區域10a。壓板13會使加熱器單元11的整面無縫隙地緊貼於頂板10的加熱區域10a。

如圖11所示，壓板13具備以例如熱敏電阻所構成的頂板溫度檢測部19。頂板溫度檢測部19配置於內加熱器20(參照圖13)的附近，會高精度地檢測藉由內加熱器20直接地被加熱的加熱區域10a之溫度。以下，將藉由頂板溫度檢測部19所檢測到的溫度稱為頂板溫度。

如後述，在使用輸出較大的內加熱器20使加熱室4的溫度急遽地上升至期望的溫度之快速加熱動作中，藉由頂板溫度檢測部19所檢測到的頂板溫度是有效的。

在以往的加熱調理器中，為了將庫內溫度調整至期望的溫度，在庫內溫度到達期望的溫度前會暫時關閉加熱器，之後，重複加熱器的開啟及關閉。在這種加熱器的控制中，要迅速、高精度地調整庫內溫度是困難的。

在本實施形態中，控制部7是根據以設定部5所設定的加熱條件、藉由庫內溫度檢測部18所檢測到的庫內溫度、及藉由頂板溫度檢測部19所檢測到的頂板溫度，來控制加熱動作。特別是，由於頂板溫度檢測部19會高精度地檢測頂板溫度，因此控制部7會根據頂板溫度來實施快速加熱動作。

圖14是有關於本實施形態之加熱調理器中的加熱裝置之控制的方塊圖。如圖14所示，本實施形態的加熱調理器具有：輻射加熱部8中的內加熱器20及外加熱器21、蒸汽加熱部中的蒸汽加熱器26、對流加熱部中的背面加熱器27、及微波加熱部中的磁控管28。對流加熱部具有風扇馬達29來作為送風源。

如圖14所示，在內加熱器20、外加熱器21、蒸汽加熱器26、背面加熱器27、及風扇馬達29，個別地連接有開關元件。藉由開啟或關閉開關元件，這些熱源便會被開啟或關閉。

微波加熱部中的磁控管28是藉由反相器電路32所驅動。內加熱器20連接於作為開關元件的雙向三極體(triac)30。雙向三極體30能夠無段地使對內加熱器20供給的電流變化。藉此，便能夠無段地使內加熱器20的輸出變化。

外加熱器21連接於作為開關元件的繼電器31。藉由開啟或關閉繼電器31，外加熱器21便會被開啟或關閉。也可以與內加熱器20同樣，使用雙向三極體來無段地控制外加熱器21的輸出。

對於加熱調理器來說額定功率是已預先被決定，且不可使用其額定功率以上的電力。在本實施形態的加熱調理器中，控制部7會將複數個加熱裝置進行控制如下，以使整體的耗電量始終成為額定功率以內。

在輻射加熱部8中，內加熱器20的最大輸出是900W，外加熱器21的輸出始終是700W。因此，內加熱器20及外加熱器21的總計輸出之最大值超越一般家庭中的額定功率(1500W＝15A(額定電流)×100V)。

在僅使用輻射加熱部8的情況下，例如將內加熱器20的輸出設定成700W，並開啟外加熱器21，藉此，加熱器單元11會以總計1400W的輸出從上方來將被加熱物加熱。

在使用輻射加熱部8與微波加熱部的情況下，會將輻射加熱部8與微波加熱部進行控制如下。關於加熱器單元11，例如將內加熱器20的輸出設定成900W，並關閉外加熱器21。加熱器單元11會以總計900W的輸出從上方來將被加熱物加熱。

關於微波加熱部，例如將磁控管28的輸出設定成450W。微波加熱部會藉由對反射型調理盤6照射微波來使反射型調理盤6發熱，而從下方來將被加熱物加熱。

此時，反射型調理盤6會反射從藉由內加熱器20所加熱過的頂板10所放射之熱。頂板10會藉由反射熱而被加熱。因此，即便關閉外加熱器21，頂板10也會藉由反射熱而被加熱。

因此，在僅使用輻射加熱部8的情況下，藉由反射型調理盤6，便能夠在額定功率內有效率地將被加熱物加熱。在使用輻射加熱部8及微波加熱部的情況下，能夠將已載置於反射型調理盤6上的被加熱物，從上方及下方有效率地加熱。

如上所述，在本實施形態中，藉由使用反射型調理盤6，便能夠以較小的加熱器輸出來使加熱室4的庫內溫度迅速地上升。如此一來，本實施形態的加熱調理器便具有從節能的觀點來看會很優異的特徵。

1‧‧‧本體 2‧‧‧門 3‧‧‧把手 4‧‧‧加熱室 4a‧‧‧落差 5‧‧‧設定部 6‧‧‧反射型調理盤 6a‧‧‧外緣部 6b‧‧‧載置面 6c‧‧‧把手 7‧‧‧控制部 8‧‧‧輻射加熱部 9‧‧‧邊界標記 10‧‧‧頂板 10a‧‧‧加熱區域 11‧‧‧加熱器單元 11a‧‧‧內加熱器區域 11b‧‧‧外加熱器區域 12‧‧‧第1隔熱板 13‧‧‧壓板 13a‧‧‧曲面區域 14‧‧‧絕緣片 15‧‧‧第2隔熱板 18‧‧‧庫內溫度檢測部 19‧‧‧頂板溫度檢測部 20‧‧‧內加熱器 21‧‧‧外加熱器 22‧‧‧上側絕緣材 23‧‧‧下側絕緣材 24‧‧‧端子部 25‧‧‧加熱器 26‧‧‧蒸汽加熱器 27‧‧‧背面加熱器 28‧‧‧磁控管 29‧‧‧風扇馬達 30‧‧‧雙向三極體 31‧‧‧繼電器 32‧‧‧反相器電路 40‧‧‧熱反射層 50‧‧‧發熱層

圖1是顯示本揭示的實施形態之加熱調理器的外觀的立體圖。

圖2是本實施形態之加熱調理器的已打開門之狀態下的立體圖。

圖3是本實施形態之加熱調理器的已卸除門之狀態下的正面圖。

圖4是從斜上方來看時的反射型調理盤的立體圖。

圖5是反射型調理盤的上表面側的平面圖。

圖6是從斜下方來看時的反射型調理盤的立體圖。

圖7是反射型調理盤的下表面側的平面圖。

圖8是顯示頂板的溫度上升之一例的圖表。

圖9是顯示以往的烤盤與本實施形態之反射型調理盤的升溫性能之比較實驗的結果的圖表。

圖10是本實施形態之加熱調理器的已卸除外殼之狀態下的立體圖。

圖11是輻射加熱部的分解立體圖。

圖12A是加熱室的頂板的平面圖。

圖12B是沿圖12A所示的12B-12B線之頂板的截面圖。

圖12C是沿圖12A所示的12C-12C線之頂板的截面圖。

圖13是加熱器單元的分解立體圖。

圖14是有關於本實施形態之加熱調理器中的加熱裝置之控制的方塊圖。

1‧‧‧本體

4‧‧‧加熱室

4a‧‧‧落差

6‧‧‧反射型調理盤

8‧‧‧輻射加熱部

10‧‧‧頂板

18‧‧‧庫內溫度檢測部

Claims (6)

1. 一種加熱調理器，具備：加熱室，構成為可收容被加熱物；輻射加熱部，設置於前述加熱室的頂板；反射型調理盤，構成為可配置於前述加熱室內；頂板溫度檢測部，構成為可檢測前述頂板的溫度；控制部，構成為可根據前述頂板的溫度來控制前述輻射加熱部；及熱反射層，構成為可配置於前述反射型調理盤的上表面，且可反射從前述輻射加熱部所放射的熱，前述頂板具有朝上方凹陷的曲面形狀，前述輻射加熱部具備配置於前述頂板之上表面側的內加熱器、及以包圍前述內加熱器的方式配置於前述頂板的上表面側的外加熱器，前述反射型調理盤在前述上表面具有顯示快速加熱區域的邊界標記，前述邊界標記的內側對應到前述內加熱器之正下方的位置。
2. 如請求項1之加熱調理器，其中前述熱反射層含有鈦或鋁。
3. 如請求項1之加熱調理器，其更具備：微波加熱部，構成為可配置於前述加熱室的下方，且可對前述加熱室內照射微波，又，在前述反射型調理盤的下表面，配置有構成為可吸收微波而發熱的發熱體。
4. 如請求項3之加熱調理器，其中前述發熱體含有鐵氧體。
5. 如請求項1之加熱調理器，其中構成前述加熱室的側面之壁面具備：側面熱反射層，構成為可反射從前述輻射加熱部所放 射的熱。
6. 如請求項5之加熱調理器，其中前述側面熱反射層含有鈦或鋁。

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