TWI781923B

TWI781923B - 有機半導體

Info

Publication number: TWI781923B
Application number: TW106108250A
Authority: TW
Inventors: 常勝王; 威廉米契爾; 大衛史拜洛威
Original assignee: 天光材料科技股份有限公司
Priority date: 2016-03-15
Filing date: 2017-03-14
Publication date: 2022-11-01
Also published as: EP3430654B9; EP3430654A1; EP3430654B1; CN109314184A; US20190023836A1; TW201802137A; US11130837B2; CN109314184B; WO2017157504A1

Abstract

本發明係關於包含一或多個1,3-二硫代并[4,5-d]鄰苯二甲醯亞胺(「DTPI」)單元之新穎化合物、其製備方法及其中所使用之離析物或中間物、包含其等之混合物及調配物、該等化合物、混合物及調配物作為有機電子(OE)裝置(尤其係有機光伏打(OPV)裝置或有機光偵測器(OPD))中之有機半導體之用途及包含此等化合物、混合物或調配物之OE、OPV及OPD裝置。

Description

有機半導體

本發明係關於包含一或多個1,3-二硫代并[4,5-d]鄰苯二甲醯亞胺(「DTPI」)單元之新穎化合物、其製備方法及其中所使用之離析物或中間物、包含其等之混合物及調配物，該等化合物、混合物及調配物作為有機電子(OE)裝置(尤其係有機光伏打(OPV)裝置或有機光偵測器(OPD))中之有機半導體之用途及包含此等化合物、混合物或調配物之OE、OPV及OPD裝置。

近年來，已開發有機半導體(OSC)材料以製造更通用、更低成本電子裝置。此類材料可應用於廣泛裝置或設備，包括有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)、有機光偵測器(OPD)、有機光伏打(OPV)電池、感測器、記憶體元件及邏輯電路(僅舉幾例)。該等有機半導體材料通常以薄層形式存在於電子裝置中。有機半導體(OSC)材料主要因其在藉由成本有效溶液處理技術以低溫所製造之有機電子裝置中之有利商業前景而越來越受到關注。一般而言，據信OSC具有勝過其無機對應體之諸多優點，諸如製造輕重量可撓性背板之潛勢、使用基於低成本高速溶液之製造技術製造大面積顯示器之機會、及其光學及電子性質可經由合理化學結構修飾加以微調。先前技術中當前已知之OSC材料之主要缺點係其相對低裝置性能及其中等熱、光及電安定性。在過去二十年，已獲得廣泛新穎π-共軛聚合物，且在OE裝置例如OTFT中已顯示改良之性能諸如高電荷載子遷移率，從而達成或甚至超越非晶型矽之性能。同時，使用低能帶隙π共軛聚合物作為活性電子供體材料所製得之OPV電池之功率轉化效率已超過10%。 OTFT之性能係主要基於半導體材料之電荷載子遷移率及電流開/關比。因此，為用於OTFT中，該OSC應具有在關狀態下之低導電性及高電荷載子遷移率，從而在OTFT中實現高開/關比。另外，該OSC(若為n型)應對氧化具有安定性(亦即，具有高電離化潛勢)，因為氧化性摻雜會導致降低之裝置性能，例如增加之關閉電流及臨限電壓偏移。OSC之其他要求係良好可處理性(尤其對於大規模製造薄膜層及所需圖案)及OSC之高安定性、薄膜均勻性及完整性。在OPV電池中，已發現π-共軛聚合物及有機小分子可作為OSC用於光活性層中，因為其等允許藉由溶液處理技術(例如，旋轉澆鑄、浸漬塗佈或噴墨印刷)來製造裝置。與用於製造無機薄膜裝置之蒸發技術相比，溶液處理可更廉價且更大規模地進行。在含有n型OSC及p型OSC之摻合物(通常為π-共軛聚合物，形成塊體-異質接面(BHJ))之光活性層中，該π-共軛聚合物用作太陽能之主要吸收劑。因此低能帶隙係該聚合物吸收太陽光譜之最大值之基本要求。因此，就用於OPV電池及OPD而言，該OSC應具有低能帶隙，此使得藉由光活性層改良光捕獲且可導致較高功率轉化效率。經由過渡金屬催化之聚縮合作用使π-π-供體-受體(D-A)單體聚合以合成D-A共聚物係達成低能帶隙半導體聚合物以用於OPV及OPD應用之已知策略。亦已發現共軛D-A共聚物證實OTFT中之高電荷載子遷移率。普遍認為交替D-A結構促進較強分子內相互作用，從而導致較小π-π-堆疊距離及因供體與受體單體單元之間之靜電吸引所致之高效分子間電荷轉移。迄今為止，已合成大量共軛π-結構，其可用作單體以用於製備共軛OSC聚合物。然而，電子供體單元在單體庫方面保持壓倒性優勢，主要是因為構築嵌段及前驅物之相對易於合成可及性。相比之下，僅可利用有限數量之電子受體單元或單體。因此，需要藉由添加缺電子π單元以製造可利用之更具前景D-A共聚物來增加電子受體庫。因此，仍需要適用於OE裝置例如OTFT、OPD及OPV電池中且顯示一或多種上述所需性質之OSC化合物。本發明之目的係提供用於OE裝置例如OTFT、OPD及OPV裝置之OSC化合物，其易於合成(尤其藉由適於大規模生產之方法)且尤其顯示良好可處理性、高安定性、在有機溶劑中之良好溶解度、高電荷載子遷移率及低能帶隙。本發明之另一目的係擴展具有電子受體性質的OSC材料庫。熟練者將自以下詳細描述立即明白本發明之其他目的。本發明之發明者已發現一或多種上述目的可藉由提供具有自π延伸之鄰苯二甲醯亞胺衍生之二價單元(例如，如下文所揭示及主張之1,3-二硫代并[4,5-d]鄰苯二甲醯亞胺(「DTPI」)單元)之化合物來達成。 X. Gao等人，Adv. Mater., 2007, 19 (19), 3037及F. Octón等人，Chem. Mater., 2011, 23 (3), 851)揭示二苯并四硫雜富瓦烯(DBTTF)雙醯亞胺。F. Octón等人，J. Org. Chem., 2011, 76 (1), 154揭示具有氟化烷基鏈之四硫雜富瓦烯(TTF)二羧酸二酯。在上述文獻中所揭示之此等化合物之合成路徑中，使用以下中間物

其中R係烷基或氟烷基。然而，此等文獻既未揭示亦未提出如下文所述及主張之化合物或其用途。

本發明係關於包含一或多個式I之二價單元之化合物：

其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： X¹ 、X² 係O或S， Y係O、S或CU¹ U² ， U¹ 、U² 係拉電子基團，較佳選自CN、C(=O)R或C(=O)OR，或U¹ 及U² 一起形成具有4至15個環原子之碳環、雜環、芳族或雜芳族環，其係視需要經一或多個基團L取代，較佳經一或多個基團F、Cl、-CN、-C(=O)-R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-O-C(=O)-OR⁰ 、-C(=O)-NHR⁰ 或-C(=O)-NR⁰ R⁰⁰ 取代， R¹ 係H或具有1至30(較佳1至20)個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團係視需要經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-CºC-以O及/或S原子不直接彼此連接之方式置換，且其中一或多個H原子係視需要經F、Cl、Br、I或CN置換，且其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團係視需要經陽離子或陰離子基團或芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、芳氧基或雜芳氧基置換，其中各上述環狀基團具有5至20個環原子，係單環或多環，視需要含有稠合環及係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代， R係具有1至30(較佳1至20)個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團係視需要經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-CºC-以O及/或S原子不直接彼此連接之方式置換，且其中一或多個H原子係視需要經F、Cl、Br、I或CN置換，且其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團係視需要經陽離子或陰離子基團或芳基、雜芳基、芳烷基或雜芳烷基置換，其中各上述環狀基團具有5至20個環原子，係單環或多環，視需要含有稠合環及係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代， L係F、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R⁰ 、OR⁰ 、SR⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-NH₂ 、-NHR⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-SO₃ R⁰ 、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、或視需要經取代之矽基、或具有1至20個C原子之碳基或烴基(其係視需要經取代且視需要包含一或多個雜原子)，較佳F、-CN、R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)-R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-O-C(=O)-OR⁰ 、-C(=O)-NHR⁰ 、-C(=O)-NR⁰ R⁰⁰ ， Y¹ 、Y² 係H、F、Cl或CN， X⁰ 係鹵素，較佳F或Cl， R⁰ 、R⁰⁰ 係H或具有1至20(較佳1至12)個C原子之直鏈或分支鏈，其視需要經氟化，及限制條件為：若X¹ 、X² 及Y係O，則式I單元係經由苯環之1-或4-位置鍵聯至至少一個不同於H之基團(亦即，式I單元不鍵聯至兩個H原子)。本發明另外係關於如上下文所述之化合物，其係共軛聚合物。該共軛聚合物包含一或多個式I單元及一或多個伸芳基或伸雜芳基單元，較佳由其組成，該伸芳基或伸雜芳基單元具有5至20個環原子，係單環或多環，視需要含有稠合環，係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代，及係選自式I或係結構上不同於式I，且其中上述單元不彼此直接連接。本發明另外係關於如上下文所述之化合物，其係小分子或寡聚體。本發明另外係關於式I單元於共軛聚合物中或作為重複單元於共軛聚合物中之用途。本發明另外係關於式I單元於共軛聚合物中或作為具有電子受體性質之重複單元於共軛聚合物中之用途。本發明另外係關於一種共軛聚合物，其包含一或多個含有式I單元之電子受體重複單元及較佳另外包含一或多個具有電子供體性質之重複單元。本發明另外係關於單體，其包含式I單元及視需要包含一或多個額外伸芳基或伸雜芳基單元及另外包含一或多個反應性基團，該(等)反應性基團可經反應以形成如上下文所述之共軛聚合物。本發明另外係關於一種如上下文所述之化合物作為電子受體或n型半導體之用途。本發明另外係關於一種如上下文所述之共軛聚合物作為半導體(較佳作為電子供體或p型半導體)之用途。本發明另外係關於一種如上下文所述之化合物作為電子供體或電子受體組分於半導體材料、調配物、聚合物摻合物、裝置或裝置之組件中之用途。本發明另外係關於一種半導體材料、調配物、聚合物摻合物、裝置或裝置之組件，其包含如上下文所述之化合物作為電子供體組分，且較佳另外包含一或多種具有電子受體性質之化合物。本發明另外係關於一種混合物，其亦可為聚合物摻合物，其包含一或多種如上下文所述之化合物，且另外包含一或多種額外化合物，該等額外化合物選自具有半導體、電荷傳輸、電洞或電子傳輸、電洞或電子阻擋、導電、光導或發光性質中之一或多者之化合物。本發明另外係關於一種混合物，其包含一或多種如上下文所述之化合物，且另外包含一或多種n型有機半導體(較佳選自富勒烯或經取代之富勒烯)。本發明另外係關於一種調配物，其包含一或多種如上下文所述之化合物或混合物，且另外包含一或多種溶劑(較佳選自有機溶劑)。本發明另外係關於一種有機半導體調配物，其包含一或多種如上下文所述之化合物，且另外包含一或多種有機黏結劑或其前驅物(較佳在1,000 Hz及20℃下具有3.3或更低的電容率e)及視需要之一或多種溶劑(較佳選自有機溶劑)。本發明另外係關於一種光學、光電、電子、電致發光或光致發光裝置，或其組件，或包含其之總成，其係使用根據本發明之調配物來製備。本發明另外係關於一種如上下文所述之化合物或混合物作為半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料或於光學、光電、電子、電致發光或光致發光裝置，或於此類裝置之組件或於包含此類裝置或組件之總成中之用途。本發明另外係關於一種半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料，其包含如上下文所述之化合物或混合物。本發明另外係關於一種光學、光電、電子、電致發光或光致發光裝置，或其組件，或包含其之總成，其包含如上下文所述之化合物或混合物，或包含如上下文所述之半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料。該光學、光電、電子、電致發光及光致發光裝置包括但不限於有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)、有機發光電晶體(OLET)、有機光伏打裝置(OPV)、有機光偵測器(OPD)、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池(DSSC)、基於鈣鈦礦之太陽能電池、雷射二極體、肖特基二極體(Schottky diode)、光導體及光偵測器。較佳裝置係OTFT、OPV、OPD及OLED，特定言之塊體異質接面(BHJ)OPV或倒置式BHJ OPV。更佳係如上下文所述之化合物或混合物作為染料於DSSC或基於鈣鈦礦之太陽能電池中之用途。更佳係包含如上下文所述之化合物或混合物之DSSC或基於鈣鈦礦之太陽能電池。上述裝置之組件包括但不限於電荷注入層、電荷傳輸層、中間層、平坦化層、抗靜電薄膜、聚合物電解質膜(PEM)、導電基板及導電圖案。包含該裝置或組件之總成包括但不限於積體電路(IC)、射頻識別(RFID)標籤或安全標記或包含其之安全裝置、平板顯示器或其背光、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶體裝置、感測器裝置、生物感測器及生物晶片。另外，本發明之化合物、混合物及調配物可作為電極材料用於電池及用於偵測並識別DNA序列之組件或裝置中。本發明另外係關於塊體異質接面，其包含包括一或多種根據本發明之化合物及一或多種n型有機半導體(較佳選自富勒烯或經取代之富勒烯)之混合物或自其形成。本發明另外係關於塊體異質接面(BHJ)OPV裝置或倒置式BHJ OPV裝置，其包含該塊體異質接面。術語及定義 如文中所使用，術語「聚合物」應理解為意指具有高相對分子質量之分子，其結構基本上包含實際上或概念上衍生自具有低相對分子質量之分子的多個重複單元(Pure Appl. Chem., 1996, 68, 2291)。術語「寡聚物」應理解為意指具有中間相對分子質量之分子，其結構基本上包含實際上或概念上衍生自具有低相對分子質量之分子的少量複數個單元(Pure Appl. Chem., 1996, 68, 2291)。在本發明所使用之一較佳含義中，聚合物應理解為意指具有＞1個(即亦即，至少2個)重複單元(較佳≥5個重複單元)之化合物，且寡聚物應理解為意指具有＞1且＜10(較佳＜5)個重複單元之化合物。另外，如本文所用，術語「聚合物」應理解為意指包含一或多種不同類型重複單元(分子之最小構成單元)之主鏈(backbone)(亦稱作「主鏈(main chain)」)之分子且包涵習知術語「寡聚物」、「共聚物」、「均聚物」、「無規聚合物」及類似語。此外，應明瞭術語聚合物除聚合物本身外尚包含來自起始劑、觸媒及參與合成該聚合物之其他元素之殘基，其中該等殘基應理解為非共價併入至其中。此外，通常將該等殘餘物及其他成分(但其通常在聚合物後純化過程期間被移除)與聚合物混合或共混雜，以致彼等在該聚合物於容器間或溶劑或分散介質間進行轉移時大致上與該聚合物保持一起。如文中所使用，在表示聚合物或重複單元 (如式I單元或式III或IV或其子式聚合物)之式中，星號(*)應理解為意指表示與該聚合物主鏈中之相鄰單元或末端基團相連的化學鍵聯。在環(例如苯或噻吩環)中，星號(*)應理解為意指與相鄰環稠合之C原子。如文中所使用，術語「重複單元」及「單體單元」係互換使用且應理解為意指組成性重複單元(CRU)，其係最小組成單元且其重複組成規則高分子、規則寡聚物分子、規則嵌段或規則鏈(Pure Appl. Chem., 1996, 68, 2291)。如文中另外使用，術語「單元」應理解為意指可為重複單元本身或可與其他單元一起形成組成性重複單元之結構單元。如文中所使用，「末端基團」應理解為意指終止聚合物主鏈之基團。表述「在主鏈之末端位置」應理解為意指以一側連接至此末端基團且以另一側連接至另一重複單元之二價單元或重複單元。此類末端基團包括封端基團，或經附接至單體形成聚合物主鏈而不參與聚合反應之反應性基團，諸如例如具有如下文定義之R⁵ 或R⁶ 含義之基團。如文中所使用，術語「封端基團」應理解為意指經附接至聚合物主鏈之末端基團或將其替代之基團。該封端基團可藉由封端過程引入至該聚合物中。封端可例如藉由使聚合物主鏈之末端基團與單官能性化合物(「封端劑」)(諸如例如烷基-或芳基鹵化物、烷基-或芳基錫烷或烷基-或芳基硼酸酯)反應來進行。該封端劑可例如在聚合反應後添加。或者，該封端劑可在聚合反應之前或期間原位添加至反應混合物。封端劑之原位添加可用於終止聚合反應且因此控制形成聚合物之分子量。典型封端基團係例如H、苯基及低碳數烷基。如文中所使用，術語「小分子」應理解為意指通常不含可經反應以形成聚合物的反應性基團且設計成以單體形式使用之單體化合物。與其相反，除非另有說明，否則術語「單體」應理解為意指具有一或多個可經反應以形成聚合物之反應性基團之單體化合物。如文中所使用，術語「供體」或「供」及「受體」或「受」分別應理解為意指電子供體或電子受體。「電子供體」應理解為意指將電子貢獻給另一化合物或化合物之另一原子團之化學實體。「電子受體」應理解為意指接受自另一化合物或化合物之另一原子團轉移至其之電子之化學實體。亦參見International Union of Pure and Applied Chemistry, Compendium of Chemical Technology, Gold Book, 2.3.2版，2012年8月19日，第477及480頁。如文中所使用，術語「n型」或「n型半導體」應理解為意指其中導電電子密度係超過遷移電洞密度之外延半導體，術語「p型」或「p型半導體」應理解為意指其中遷移電洞密度係超過導電電子密度之外延半導體(亦參見J. Thewlis, Concise Dictionary of Physics, Pergamon Press, Oxford, 1973)。如文中所使用，術語「離去基團」應理解為意指自視為參與指定反應之分子之殘基或主要部分之原子脫離之原子或基團(其可帶電或不帶電)(亦參見Pure Appl.Chem., 1994, 66, 1134)。如文中所使用，術語「共軛」應理解為意指主要含有具有sp² -雜化(或視需要亦sp-雜化)之C原子且其中此等C原子亦可經雜原子置換之化合物。在最簡單情況下，此係例如具有交替C-C單鍵及雙鍵(或三鍵)之化合物，但亦包含具有芳族單元(諸如例如1,4-伸苯基)之化合物。關於術語「主要」應理解為意指具有天然(自發)生成缺陷或具有由設計所包括之缺陷(其可導致中斷共軛)之化合物仍視為共軛化合物。如文中所使用，除非另有說明，否則分子量係以數量平均分子量M_n 或重量平均分子量Mw提供，其係藉由於洗脫溶劑(例如，四氫呋喃、三氯甲烷(TCM，氯仿)、氯苯或1,2,4-三氯苯)中參照聚苯乙烯標準物之凝膠滲透層析法(GPC)來測定。除非另有說明，否則使用氯苯作為溶劑。聚合度(亦稱作重複單元總數)n應理解為意指以n=M_n /M_U 表示之數量平均聚合度，其中M_n 係數量平均分子量且M_U 係單個重複單元之分子量，參見J. M. G. Cowie, polymers: Chemistry & Physics of Modern Materials, Blackie, Glasgow, 1991。如文中所使用，術語「碳基」應理解為意指包含至少一個碳原子而不含任何非碳原子(諸如例如-CºC-)或視需要組合至少一個非碳原子諸如B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge(例如羰基等)之任何單價或多價有機部分。如文中所使用，術語「烴基」應理解為意指另外包含一或多個H原子且視需要包含一或多個雜原子(諸如例如B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge)之碳基。如文中所使用，術語「雜原子」應理解為意指有機化合物中不為H或C原子之原子，且較佳應理解為意指B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge。包含3或更多個C原子之鏈之碳基或烴基可為直鏈、分支鏈及/或環狀，且可包括螺連接及/或稠合環。較佳碳基及烴基包括烷基、烷氧基、硫烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基及烷氧基羰氧基，其各係視需要經取代且具有1至40(較佳1至25，極佳1至18)個C原子；另外係視需要經取代的具有6至40(較佳6至25)個C原子之芳基或芳氧基；另外係烷基芳氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰氧基及芳氧基羰氧基，其各係視需要經取代且具有6至40(較佳7至40)個C原子，其中所有此等基團視需要含有一或多個較佳選自B、N、O、S、P、Si、Se、As、Te及Ge之雜原子。更佳碳基及烴基包括例如：C₁ -C₄₀ 烷基、C₁ -C₄₀ 氟烷基、C₁ -C₄₀ 烷氧基或氧雜烷基、C₂ -C₄₀ 烯基、C₂ -C₄₀ 炔基、C₃ -C₄₀ 烯丙基、C₄ -C₄₀ 烷二烯基、C₄ -C₄₀ 多烯基、C₂ -C₄₀ 酮基、C₂ -C₄₀ 酯基、C₆ -C₁₈ 芳基、C₆ -C₄₀ 烷芳基、C₆ -C₄₀ 芳烷基、C₄ -C₄₀ 環烷基、C₄ -C₄₀ 環烯基及類似基團。在前述基團中，較佳分別係C₁ -C₂₀ 烷基、C₁ -C₂₀ 氟烷基、C₂ -C₂₀ 烯基、C₂ -C₂₀ 炔基、C₃ -C₂₀ 烯丙基、C₄ -C₂₀ 烷二烯基、C₂ -C₂₀ 酮基、C₂ -C₂₀ 酯基、C₆ -C₁₂ 芳基及C₄ -C₂₀ 多烯基。亦包括係具有碳原子之基團及具有雜原子之基團之組合，諸如例如經矽基(較佳三烷基矽基)取代之炔基(較佳乙炔基)。碳基或烴基可為非環狀基團或環狀基團。在碳基或烴基係非環狀基團之情況下，其可為直鏈或分支鏈。在碳基或烴基係環狀基團之情況下，其可為非芳族碳環或雜環基團或芳基或雜芳基。如上下文提及之非芳族碳環基團係飽和或不飽和且較佳具有4至30個環C原子。如上下文提及之非芳族雜環基團較佳具有4至30個環C原子，其中一或多個C環原子係視需要經雜原子(較佳選自N、O、S、Si及Se)或經-S(O)-或-S(O)₂ -基團置換。該非芳族碳環基團及雜環基團係單-或多環，亦可包含稠合環，較佳包含1、2、3或4個稠合或非稠合環，及視需要經一或多個基團L取代，其中 L係選自F、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-NH₂ 、-NHR⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-SO₃ R⁰ 、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、或視需要經取代之矽基、或具有1至20個C原子之碳基或烴基，其視需要經取代且視需要包含一或多個雜原子，其中X⁰ 係鹵素，較佳F或Cl，且R⁰ 及R⁰⁰ 表示H或具有1至20(較佳1至12)個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化。較佳地，L係選自F、-CN、-R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-O-C(=O)-OR⁰ 、-C(=O)NHR⁰ 及-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 。更佳地，L係選自F或具有1至12個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基、硫烷基、氟烷基、氟烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或具有2至12個C原子之烯基或炔基。較佳非芳族碳環或雜環基團係四氫呋喃、茚滿、吡喃、吡咯啶、哌啶、環戊烷、環己烷、環庚烷、環戊酮、環己酮、二氫呋喃-2-酮、四氫吡喃-2-酮及氧雜環庚烷-2-酮。如上下文提及之芳基較佳具有4至30個環C原子，係單-或多環且亦可包含稠合環，較佳包含1、2、3或4個稠合或非稠合環，及係視需要經一或多個如上定義之基團L取代。如上下文提及之雜芳基較佳具有4至30個環C原子(其中一或多個C環原子係經雜原子(較佳選自N、O、S、Si及Se)置換)，係單-或多環且亦可包含稠合環，較佳包含1、2、3或4個稠合或非稠合環，及視需要經一或多個如上定義之基團L取代。如上下文提及之芳烷基或雜芳烷基較佳表示-(CH₂ )_a -芳基或-(CH₂ )_a -雜芳基，其中a係1至6之整數，較佳為1，及「芳基」及「雜芳基」具有上下文給出之含義。較佳芳烷基係苄基，其視需要經L取代。如文中所使用，「伸芳基」應理解為意指二價芳基，及「伸雜芳基」應理解為意指二價雜芳基，包括如上下文給出之芳基及雜芳基之所有較佳含義。較佳芳基及雜芳基係苯基(此外，其中一或多個CH基團可經N置換)、萘、噻吩、硒吩、噻吩并噻吩、二噻吩并噻吩、茀及噁唑，其等均可為未經取代、經上述L基團單-或多取代。極佳芳基及雜芳基係選自吡咯(較佳N-吡咯)、呋喃、吡啶(較佳2-或3-吡啶)、嘧啶、噠嗪、吡嗪、三唑、四唑、吡唑、咪唑、異噻唑、噻唑、噻二唑、異噁唑、噁唑、噁二唑、噻吩(較佳2-噻吩)、硒吩(較佳2-硒吩)、2,5-二噻吩-2',5'-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩、噻吩并[2,3-b]噻吩、呋喃并[3,2-b]呋喃、呋喃并[2,3-b]呋喃、硒吩并[3,2-b]硒吩、硒吩并[2,3-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]硒吩、噻吩并[3,2-b]呋喃、吲哚、異吲哚、苯并[b]呋喃、苯并[b]噻吩、苯并[1,2-b;4,5-b']二噻吩、苯并[1,2-b;3,4-b']二噻吩、喹啉、2-甲基喹啉、異喹啉、喹噁啉、喹唑啉、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、苯并異噻唑、苯并異噁唑、苯并噁二唑、苯并噁唑、苯并噻二唑、4H-環戊烷并[2,1-b;3,4-b']二噻吩、7H-3,4-二硫雜-7-矽雜-環戊烷并[a]并環戊二烯，其等均可為未經取代、經上述L基團單-或多取代。芳基及雜芳基之其他實例係彼等選自下文所示基團者。烷基或烷氧基(亦即，其中末端CH₂ 基團係經-O-置換)可為直鏈或分支鏈。其較佳為直鏈，具有2、3、4、5、6、7、8、12或16個碳原子，且因此較佳為乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、十二烷基或十六烷基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、十二烷氧基或十六烷氧基、此外為(例如)甲基、壬基、癸基、十一烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。烯基(亦即，其中一或多個CH₂ 基團係經-CH=CH-置換)可為直鏈或分支鏈。其較佳係直鏈，具有2至10個C原子且因此較佳係乙烯基；丙-1-或丙-2-烯基；丁-1-、2-或丁-3-烯基；戊-1-、2-、3-或戊-4-烯基；己-1-、2-、3-、4-或己-5-烯基；庚-1-、2-、3-、4-、5-或庚-6-烯基；辛-1-、2-、3-、4-、5-、6-或辛-7-烯基；壬-1-、2-、3-、4-、5-、6-、7-或壬-8-烯基；癸-1-、2-、3-、4-、5-、6-、7-、8-或癸-9-烯基。尤其佳的烯基係C₂ -C₇ -1E-烯基、C₄ -C₇ -3E-烯基、C₅ -C₇ -4-烯基、C₆ -C₇ -5-烯基及C₇ -6-烯基，特定言之為C₂ -C₇ -1E-烯基、C₄ -C₇ -3E-烯基及C₅ -C₇ -4-烯基。特別佳烯基的實例係乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及類似物。通常以具有至多5個C原子之基團較佳。氧雜烷基(亦即，其中一個CH₂ 基係經-O-置換)較佳為(例如)直鏈2-氧雜丙基(=甲氧基甲基)、2-(=乙氧基甲基)或3-氧雜丁基(=2-甲氧基乙基)、2-、3-、或4-氧雜戊基、2-、3-、4-、或5-氧雜己基、2-、3-、4-、5-、或6-氧雜庚基、2-、3-、4-、5-、6-或7-氧雜辛基、2-、3-、4-、5-、6-、7-或8-氧雜壬基或2-、3-、4-、5-、6-、7-、8-或9-氧雜癸基。在其中一個CH₂ 基團係經-O-置換且一個CH₂ 基團係經-C(O)-置換之烷基中，此等基團較佳係相鄰。因此，此等基團一起形成羰氧基-C(O)-O-或氧羰基-O-C(O)-。較佳地，此基團係直鏈且具有2至6個C原子。因此，其較佳係乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、己醯氧基、乙醯氧基甲基、丙醯氧基甲基、丁醯氧基甲基、戊醯氧基甲基、2-乙醯氧基乙基、2-丙醯氧基乙基、2-丁醯氧基乙基、3-乙醯氧基丙基、3-丙醯氧基丙基、4-乙醯氧基丁基、甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、丁氧羰基、戊氧羰基、甲氧羰基甲基、乙氧羰基甲基、丙氧羰基甲基、丁氧羰基甲基、2-(甲氧羰基)乙基、2-(乙氧羰基)乙基、2-(丙氧羰基)乙基、3-(甲氧羰基)丙基、3-(乙氧羰基)丙基、4-(甲氧羰基)-丁基。其中兩個或更多個CH₂ 基團係經-O-及/或-C(O)O-置換之烷基可為直鏈或分支鏈。其較佳係直鏈且具有3至12個C原子。因此，其較佳係雙-羧基-甲基、2,2-雙-羧基-乙基、3,3-雙-羧基-丙基、4,4-雙-羧基-丁基、5,5-雙-羧基-戊基、6,6-雙-羧基-己基、7,7-雙-羧基-庚基、8,8-雙-羧基-辛基、9,9-雙-羧基-壬基、10,10-雙-羧基-癸基、雙-(甲氧羰基)-甲基、2,2-雙-(甲氧羰基)-乙基、3,3-雙-(甲氧羰基)-丙基、4,4-雙-(甲氧羰基)-丁基、5,5-雙-(甲氧羰基)-戊基、6,6-雙-(甲氧羰基)-己基、7,7-雙-(甲氧羰基)-庚基、8,8-雙-(甲氧羰基)-辛基、雙-(乙氧羰基)-甲基、2,2-雙-(乙氧羰基)-乙基、3,3-雙-(乙氧羰基)-丙基、4,4-雙-(乙氧羰基)-丁基、5,5-雙-(乙氧羰基)-己基。硫烷基(亦即，其中一個CH₂ 基團係經-S-置換)較佳係直鏈硫甲基(-SCH₃ )、1-硫乙基(-SCH₂ CH₃ )、1-硫丙基(=-SCH₂ CH₂ CH₃ )、1- (硫丁基)、1-(硫戊基)、1-(硫己基)、1-(硫庚基)、1-(硫辛基)、1-(硫壬基)、1-(硫癸基)、1-(硫十一烷基)或1-(硫十二烷基)，其中較佳地與sp² 雜化之乙烯基碳原子相鄰之CH₂ 基團係經置換。氟烷基係全氟烷基C_i F2_i+1 ，其中i係1至15之整數，特定言之CF₃ 、C₂ F₅ 、C₃ F₇ 、C₄ F₉ 、C₅ F₁₁ 、C₆ F₁₃ 、C₇ F₁₅ 或C₈ F₁₇ ，極佳為C₆ F₁₃ ，或部分氟化之烷基，較佳具有1至15個C原子，特定言之1,1-二氟烷基，前述均為直鏈或分支鏈。較佳地，「氟烷基」意指部分氟化(亦即，非全氟化)之烷基。烷基、烷氧基、烯基、氧雜烷基、硫烷基、羰基及羰氧基可為非對掌性或對掌性基團。特別佳對掌性基團係例如2-丁基(=1-甲基丙基)、2-甲基丁基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基己基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、2-丙基戊基，特定言之2-甲基丁基、2-甲基丁氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基-戊氧基、2-乙基-己氧基、2-丁基辛氧基、2-己基癸氧基、2-辛基十二烷氧基、1-甲基己氧基、2-辛氧基、2-氧雜-3-甲基丁基、3-氧雜-4-甲基-戊基、4-甲基己基、2-己基、2-辛基、2-壬基、2-癸基、2-十二烷基、6-甲氧基-辛氧基、6-甲基辛氧基、6-甲基辛醯氧基、5-甲基庚氧基-羰基、2-甲基丁醯氧基、3-甲基戊內醯氧基、4-甲基己醯氧基、2-氯-丙醯氧基、2-氯-3-甲基丁醯氧基、2-氯-4-甲基-戊內醯-氧基、2-氯-3-甲基戊內醯氧基、2-甲基-3-氧雜戊基、2-甲基-3-氧雜-己基、1-甲氧基丙基-2-氧基、1-乙氧基丙基-2-氧基、1-丙氧基丙基-2-氧基、1-丁氧基丙基-2-氧基、2-氟辛氧基、2-氟癸氧基、1,1,1-三氟-2-辛氧基、1,1,1-三氟-2-辛基、2-氟甲基辛氧基。極佳係2-乙基己基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、2-己基、2-辛基、2-辛氧基、1,1,1-三氟-2-己基、1,1,1-三氟-2-辛基及1,1,1-三氟-2-辛氧基。較佳非對掌性分支鏈基團係異丙基、異丁基(=甲基丙基)、異戊基(=3-甲基丁基)、第三丁基、異丙氧基、2-甲基-丙氧基及3-甲基丁氧基。在一較佳實施例中，該等烷基係彼此獨立地選自具有1至30個C原子之一級、二級或三級烷基或烷氧基，其中一或多個H原子係視需要經F或視需要經烷基化或烷氧基化且具有4至30個環原子之芳基、芳氧基、雜芳基或芳氧基置換。此類型之極佳基團係選自由下式組成之群：

其中「ALK」表示視需要經氟化之(較佳直鏈)具有1至20(較佳1至12)個C原子(在三級基團之情況下，極佳1至9個C原子)之烷基或烷氧基，且虛線表示連接至此等基團所附接之環的鍵。在此等基團中，以彼等其中所有ALK子基係相同者尤其佳。如文中所使用，若芳(氧)基或雜芳(氧)基係「經烷基化或經烷氧基化」，此意指其係經一或多個烷基或烷氧基取代，該等烷基或烷氧基具有1至20個C原子且為直鏈或分支鏈且其中一或多個H原子係視需要經F原子取代。在上下文中，Y¹ 及Y² 彼此獨立地係H、F、Cl或CN。如文中所使用，-CO-、-C(=O)-及-C(O)-應理解為意指羰基，亦即具有結構

之基團。如文中所使用，C=CR¹ R² 應理解為意指具有結構

之基團。如文中所使用，「鹵素」包括F、Cl、Br或I，較佳為F、Cl或Br。表示環或鏈上之取代基之鹵素原子較佳係F或Cl，極佳為F。表示單體中之反應性基團之鹵素原子較佳係Br或I。

本發明化合物包含與在2-位置攜帶拉電子取代基之1,3-二硫醇環(DTPI)稠合之鄰苯二甲醯亞胺部分之結構特徵。本發明化合物係易於合成且顯示有利性質。其等顯示用於裝置製造方法之良好可加工性、在有機溶劑中之高溶解度，且係尤其適於使用溶液處理法進行大規模生產。衍生自本發明單體及電子供體單體之共聚物顯示低能帶隙、高電荷載子遷移率、在BHJ太陽能電池中之高外部量子效率、當與(例如)富勒烯一起用於p/n型摻合物中時之良好形態、高氧化安定性、在電子裝置中之長壽命，且係用於有機電子OE裝置(尤其係具有高功率轉化效率之OTFT及OPV裝置)之有前景材料。本發明之化合物亦適用作p型半導體以用於製備適用於BHJ光伏打裝置的p型及n型半導體之摻合物。另外，本發明化合物顯示以下有利性質： i)額外溶解度可藉由包含助溶基團R¹ 、U¹ 及/或U² 而引入化合物中。尤其地，醯亞胺N-原子上之助溶烷基鏈R¹ 促進單元之合成及純化，且另外促進微調所得聚合物之溶液可處理性。 ii)與例如苯并噻二唑單元相比，1,3-二硫醇環中之S-原子能夠實現更強鏈間相互作用。 iii)藉由與適當共聚單體共聚合額外微調電子能(HOMO/LUMO能階)可提供用於OPV應用之有吸引力候選材料。 iv)該等DTPI單元具有平面結構，其等能夠實現固體狀態下之強π-π堆疊，從而導致較高電荷載子遷移率形式下之改良之電荷傳輸性質。 v)使用DTPI單元與供電子單元一起，可產生供體-受體聚合物，其視需要具有間隔子單元諸如噻吩、二噻吩或噻吩并噻吩以保持主鏈扁平。預期此類聚合物具有高Voc。極佳地，式I單元中之R¹ 及R表示烷基、烷氧基或硫雜烷基，其等均為直鏈或分支鏈，具有1至25(較佳1至18)個C原子，及係視需要經氟化。若R¹ 或R表示芳(氧)基或雜芳(氧)基，其較佳選自苯基、吡咯、呋喃、吡啶、噻唑、噻吩、噻吩并[3,2-b]噻吩或噻吩并[2,3-b]噻吩，其各係未經取代或經F或烷基、烷氧基或硫烷基取代，該烷基、烷氧基或硫烷基各具有1至20個C原子且係視需要經氟化。在本發明之另一較佳實施例中，R¹ 及/或R表示具有1至20個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 或CH₃ 基團係經陽離子或陰離子基團取代。該陽離子基團係較佳選自由以下組成之群：鏻、鋶、銨、脲鎓、硫脲鎓、胍鎓或雜環陽離子諸如咪唑鎓、吡錠、吡咯錠、三唑鎓、嗎啉鎓或哌啶鎓陽離子。較佳陽離子基團係選自由以下組成之群：四烷基銨、四烷基鏻、N-烷基吡錠、N,N-二烷基吡咯錠、1,3-二烷基咪唑鎓，其中「烷基」較佳表示具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基。更佳陽離子基團係選自由下式組成之群：

其中R^1' 、R^2' 、R^3' 及R^4' 彼此獨立地表示H、具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基或非芳族碳環-或雜環基團或芳基或雜芳基，各上述基團具有3至20(較佳5至15)個環原子，為單-或多環，及視需要經一或多個如下文定義之相同或不同取代基L取代，或表示連接至代表性基團R^1-4 之鍵。在上述式之上述陽離子基團中，基團R^1' 、R^2' 、R^3' 及R^4' (若其等置換CH₃ 基團)中之任一者可表示連接至基團R¹ 之鍵，或兩個相鄰基團R^1' 、R^2' 、R^3' 及R^4' (若其等置換CH₂ 基團)可表示連接至代表性基團R^1-4 之鍵。陰離子基團係較佳選自由以下組成之群：硼酸根、醯亞胺、磷酸根、磺酸根、硫酸根、琥珀酸根、環烷酸根或羧酸根，極佳選自磷酸根、磺酸根或羧酸根。根據本發明之化合物包括小分子、單體、寡聚物及聚合物。本發明之一較佳實施例係關於一種共軛聚合物，其包含(較佳由以下組成)一或多個如上下文所定義之式I單元且另外包含一或多個伸芳基或伸雜芳基單元，該(等)伸芳基或伸雜芳基單元具有5至20個環原子，為單環或多環，視需要含有稠合環，未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代，及選自式I或結構上不同於式I，且其中所有上述單元係彼此直接連接。本發明之另一較佳實施例係關於一種共軛聚合物，其包含(較佳由以下組成)一或多個式II1或II2之重複單元及視需要之一或多個式II3之重複單元：

其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： U係如上下文所定義之式I單元， Ar^1-4 係伸芳基或伸雜芳基，其具有5至20個環原子，為單環或多環，視需要含有稠合環，未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代，及不同於式I， a、b、c、d係0或1，其中在式II3中，a+b+c+d≥1。較佳式II1或II2單元係彼等其中a+b+c+d≥1者。較佳地，該共軛聚合物包含一或多個其中a+b+c+d≥1之式II1或II2之重複單元。更佳地，該共軛聚合物包含一或多個其中b=1且a=c=d=0之式II1之重複單元及一或多個其中a=b=1且c=d=0之式II3之重複單元。更佳地，該共軛聚合物包含兩個或更多個不同的其中b=1且a=c=d=0之式II1之重複單元。更佳地，該共軛聚合物由其中a=b=c=d=0之式II1之重複單元組成(單元U之均聚物)。更佳地，Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之至少一者係如式II1中所定義且具有電子供體性質之伸芳基或伸雜芳基。極佳係選自下式之重複單元。

其中R¹ 係如上下文所定義，X在每次出現時相同或不同地具有如上下文所給出之X¹ 之含義中之一者，Y係如上下文所定義，t係1、2、3或4，較佳1或2，及R² 、R³ 及R⁴ 彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有針對L所給出之含義中之一者。在式R1至R11中，X較佳係O或S，極佳O。在式R1至R11中，Y較佳係O、S或

或

，其中R係如上文所定義。更佳地，根據本發明之共軛聚合物係選自式III：

其中 A係如上下文所定義之式I、II1、II2或R1至R11單元， B係如上下文所定義之式I、II1、II2、II3或R1至R11單元，其不同於A， x係＞0且≤1， y係≥0且＜1， x+y係1，且 n係≥5的整數。更佳地，根據本發明之共軛聚合物係選自下式

其中 X¹ 、X² 、Y及R¹ 具有式I之含義或上下文給出之較佳含義中之一者， X^1a 具有針對X¹ 給出之含義中之一者， X^2a 具有針對X¹ 給出之含義中之一者， Y^a 具有針對Y給出之含義中之一者， R^1a 具有針對R¹ 給出之含義中之一者， Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 、a、b、c及d具有式II1之含義或上下文給出之較佳含義中之一者， x、y及n具有式III之含義或上下文給出之較佳含義中之一者，較佳地，Ar³ 係選自如上下文所述之具有電子供體性質之伸芳基或伸雜芳基單元，且在式III3及III5中，X¹ 、X² 、Y及R¹ 中之較佳至少一者係分別不同於其對應基團X^1a 、X^2a 、Y^a 及R^1a 。在式III及III1至III5之聚合物中，x及y分別表示重複單元A及B之莫耳分率，及n表示重複單元A及B之聚合度或總數。此等式包括A及B之嵌段共聚物、無規或統計共聚物及交替共聚物及A之均聚物(針對當x＞0且y=0時之情況)。在式III及III1至III5之聚合物中，x較佳係0.1至0.9，極佳0.3至0.7。在式III及III1至III5之聚合物中，y較佳係0.1至0.9，極佳0.3至0.7。在根據本發明之聚合物中，重複單元之總數n較佳係2至10,000。該重複單元之總數n較佳係≥5，極佳≥10，最佳≥50且較佳≤500，極佳≤1,000，最佳≤2,000，其包括前述n之下限及上限之任何組合。本發明聚合物包括均聚物及共聚物如統計或無規共聚物、交替共聚物及嵌段共聚物及其組合。更佳地，根據本發明之共軛聚合物係選自式IV： R⁵ -鏈-R⁶ IV 其中「鏈」表示選自式III、III1至III5及P1至P32之聚合物鏈，及R⁵ 及R⁶ 彼此獨立地具有如上文所定義之R¹ 或L之含義中之一者或彼此獨立地表示H、F、Br、Cl、I、-CH₂ Cl、-CHO、-CR'=CR"₂ 、-SiR'R"R"'、-SiR'X'X"、-SiR'R"X'、-SnR'R"R"'、-BR'R"、-B(OR')(OR")、-B(OH)₂ 、-O-SO₂ -R'、-C≡CH、-C≡C-SiR'₃ 、-ZnX'或封端基團，X'及X"表示鹵素，R'、R"及R'"彼此獨立地具有式I中所給出之R⁰ 之含義中之一者，且較佳表示具有1至12個C原子之烷基，且R'、R"及R'"中之兩者亦可與其連接之各自雜原子一起形成具有2至20個C原子之環矽基、環錫烷基、環硼烷或環硼酸基。較佳封端基團R⁵ 及R⁶ 係H、C_1-40 烷基或視需要經取代之C_6-12 芳基或C_2-10 雜芳基，極佳H或苯基。本發明之一更佳實施例係關於一種式V1或V2單體：

其中U、Ar^1-4 、a、b、c及d具有式II1之含義或如上下文所述之較佳含義中之一者，且R⁷ 及R⁸ 係彼此獨立地選自由以下組成之群：H(其較佳係活化之C-H鍵)、Cl、Br、I、O-甲苯磺酸基、O-三氟甲磺酸基、O-甲磺酸基、O-九氟丁磺酸基、-SiMe₃ 、-SiMe₂ F、-SiMeF₂ 、-O-SO₂ Z¹ 、-B(OZ² )₂ 、-CZ³ =C(Z³ )₂ 、-C≡CH、-C≡CSi(Z¹ )₃ 、-ZnX⁰ 、Mg-X⁰ 及-Sn(Z⁴ )₃ ，其中X⁰ 係鹵素，較佳Cl、Br或I，Z^1-4 係選自由各視需要經取代之烷基及芳基(較佳C_1-10 烷基及C_6-12 芳基)組成之群，及兩個基團Z² 亦可與B-及O-原子一起形成具有2至20個C原子之環硼酸基，且其中R⁷ 及R⁸ 中之至少一者係不同於H，且較佳R¹ 及R² 中之兩者係不同於H。極佳係式V1及V2及其子式之單體，其中a+b+c+d≥1。更佳係式V1及其子式之單體，其中a+b+c+d=0。更佳係選自下式之單體： R⁷ -Ar¹ -U-Ar² -R⁸ V1a R⁷ -U-R⁸ V1b R⁷ -Ar¹ -U-R⁸ V1c R⁷ -U-Ar² -R⁸ V1d 其中U、Ar¹ 、Ar² 、R⁷ 及R⁸ 係如式V1中所定義。更佳係式V3之單體： R⁷ -U^* -R⁸ V3 其中U^* 係選自如上文所定義之式R1至R11之單元且R⁷ 及R⁸ 係如式V1中所定義。極佳係式V1、V2及V3及其子式之單體，其中R⁷ 及R⁸ 係選自Br、B(OZ² )₂ 、Mg-X⁰ 及Sn(Z⁴ )₃ 。本發明之一更佳實施例係關於一種式VI小分子或寡聚物：

其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： Ar^1-8 具有式II1中針對Ar¹ 所給出之含義中之一者或上下文中所給出之其較佳含義中之一者，或如上下文所定義之式I單元或-CY¹ =CY² -， Y¹ 、Y² 係H、F、Cl或CN， R^1t ^、 ^2t 係H、F、Cl、Br、-CN、-CF₃ 、R^* 、-CF₂ -R^* 、-O-R^* 、-S-R^* 、-SO₂ -R^* 、-SO₃ -R^* 、-C(=O)-R^* 、-C(=S)-R^* 、-C(=O)-CF₂ -R^* 、-C(=O)-OR^* 、-C(=S)-OR^* 、-O-C(=O)-R^* 、-O-C(=S)-R^* 、-C(=O)-SR^* 、-S-C(=O)-R^* 、-C(=O)NR^* R^** 、-NR^* -C(=O)-R^* 、-NHR^* 、-NR^* R^** 、-CR^* =CR^* R^** 、-C≡C-R^* 、-C≡C-SiR^* R^** R^*** 、-SiR^* R^** R^*** 、-CH=C(CN)-C(=O)-OR^* 、-CH=C(CO-OR^* )₂ 、-CH=C(CO-NR^* R^** )₂ 、CH=C(CN)(Ar⁹ )、

Ar⁹ ^、 ¹⁰ 係芳基或雜芳基，各具有4至30個環原子，視需要包含稠合環及未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， R*、R**、R***係具有1至20個C原子之烷基，其係直鏈、分支鏈或環狀，且係未經取代，或經一或多個F或Cl原子或CN基團取代，或經全氟化，且其中一或多個C原子係視需要經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-NR⁰ R⁰⁰ -, -CHR⁰ =CR⁰⁰ -或-CºC-置換使得O-及/或S-原子不彼此直接連接， R⁰ 、R⁰⁰ 係H或具有1至20(較佳1至12)個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化， a至h係0或1，較佳為a至h中之至少一者為1， m係1、2或3， L具有上下文給出之含義中之一者， r係0、1、2、3或4，限制條件為若a+b+c+d+e+f+g+h=0且X¹ 、X² 及Y係O，則R^1t 及R^2t 中之至少一者係不同於H。尤其佳係式VI1小分子： R^1t -U*-R^2t VI1 其中U^* 係選自如上文所定義之式R1至R11之單元，且R^1t 及R^2t 具有如式VI中所給出之含義，且較佳表示H、F、R*或OR*。更佳係式II1、II2、III、III1至III5、IV、V1、V2、V1a至V1d、VI及其子式之重複單元、單體、寡聚物、聚合物及小分子，其中Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示選自由下式組成之群之伸芳基或伸雜芳基(其較佳具有電子供體性質)：

其中R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 、R¹⁵ 、R¹⁶ 、R¹⁷ 及R¹⁸ 彼此獨立地表示H或具有如上下文所定義之L之含義中之一者。較佳供體單元係選自式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141及D146，其中較佳地R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 中之至少一者係不同於H。更佳係式II1、II2、III、III1至III5、IV、V1、V2、V1a至V1d、VI及其子式之重複單元、單體、寡聚物、聚合物及小分子，其中Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示選自由下式組成之群之伸芳基或伸雜芳基(其較佳具有電子受體性質)：

其中R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 、R¹⁵ 及R¹⁶ 彼此獨立地表示H或具有如上下文所定義之L之含義中之一者。較佳受體單元係選自式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A74、A88、A92或A98，其中較佳地R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 中之至少一者係不同於H。更佳係式II1、II2、III、III1至III5、IV、V1、V2、V1a至V1d、VI及其子式之重複單元、單體、寡聚物、聚合物及小分子，其中Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示選自由下式組成之群之伸芳基或伸雜芳基：

其中R¹¹ 及R¹² 彼此獨立地表示H或具有如上下文所定義之L之含義中之一者。極佳係選自式Sp1、Sp6、Sp13之單元，其中較佳地R¹¹ 及R¹² 中之一者係H或R¹¹ 及R¹² 兩者均為H。更佳係式II1、II2、III、III1至III5、IV、V1、V2、V1a至V1d及其子式之重複單元、單體及聚合物，其中 a) Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示選自由式D1至D45組成之群(極佳由式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141及D146組成之群)之伸芳基或伸雜芳基(較佳具有電子供體性質)，及/或 b) Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示選自由式A1至A98組成之群(極佳由式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A74、A88、A92及A98組成之群)之伸芳基或伸雜芳基(較佳具有電子受體性質)，及 c) Ar¹ 、Ar² 、Ar³ 及Ar⁴ 中之一或多者表示選自由式Sp1至Sp15組成之群(極佳由式Sp1、Sp6及Sp13組成之群)之伸芳基或伸雜芳基。更佳係式III3及III5之聚合物，其中Ar¹ 及Ar² 具有相同含義且係選自式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141及D146，且R¹ 及R² 表示R或-OR，且R³ 及R⁴ 表示C(=O)-R或C(=O)-OR，其中R係如上文所定義。更佳係式VI之寡聚物及小分子，其中Ar^1-10 係選自以下群組： a)由式D1至D145組成之群，極佳由式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141及D146組成之群， b) 由式A1至A98組成之群，極佳由式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A74、A88、A92或A98組成之群， c) 由式Sp1至Sp15組成之群，極佳由式Sp1、Sp6及Sp13組成之群。極佳係選自下式之共軛聚合物：

其中R¹ 、x、y及n係如上下文所定義，0＜z＜1，x+y+z=1，X在每次出現時相同或不同地具有如上下文給出的X¹ 之含義中之一者，Y係如上下文所定義，t係1、2、3或4，較佳1或2，且R² 、R³ 及R⁴ 彼此獨立地且在每次出現時相同地或不同地具有針對L所給出之含義中之一者。在式P1至P32中，X較佳係O或S，極佳O。在式P1至P32中，Y較佳係O、S、

或

，其中R係如上文所定義。更佳之式I、II1、II2、III、III1至III5、IV、V1、V2、V1a至V1d、VI、R1至R11、P1至P32及其子式之單元、單體、寡聚物、聚合物及小分子係選自以下實施例，包括其任何組合： - X¹ 及X² 表示O， - X¹ 及X² 表示S， - X¹ 及X² 中之一者表示O且另一者表示S， - Y係O， - Y係S， - Y係CU¹ U² ， - X¹ 、X² 及Y不同時為O， - 若X¹ 及X² 係O，則Y係S或CU¹ U² ， - 在式I單元中，與苯環之1-及4-位置連接之基團中之至少一者係不同於H， - 在式I單元中，與苯環之1-及4-位置連接之兩個基團係不同於H， - R¹ 係選自烷基、烷氧基或硫雜烷基，其等均為直鏈或分支鏈，具有1至25(較佳1至18)個C原子，且視需要經氟化， - R¹ 係選自-C(=O)-Rⁿ 、-C(=O)-ORⁿ 、-C(=O)-NHRⁿ 及-C(=O)-NRⁿ R^m ，其中R^m 及Rⁿ 彼此獨立地係具有1至25(較佳1至18)個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化， - R¹ 係具有4至20個環原子之環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團係視需要經O、S、NR⁰ 、C(=O)、(C=S)、CY¹ =CY² 或CR⁰ =CR⁰⁰ 置換，且其係未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R¹ 係選自由芳基、雜芳基、芳氧基、雜芳氧基、芳烷基及雜芳烷基組成之群，其各具有4至20個環原子且視需要含有稠合環且係未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R係具有1至25(較佳1至18)個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化， - R係具有4至20個環原子之環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團係視需要經O、S、NR⁰ 、C(=O)、(C=S)、CY¹ =CY² 或CR⁰ =CR⁰⁰ 置換，且其係未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - R係芳基、雜芳基、芳烷基或雜芳烷基，其各具有4至20個環原子，視需要含有稠合環，及係未經取代或經一或多個如式I中所定義之基團L取代， - U¹ 及U² 表示CN， - U¹ 及U² 表示C(=O)R或C(=O)OR，其中R具有上下文給出之含義中之一者，且較佳係具有1至25(較佳1至18)個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化， - L係選自烷基、烷氧基或硫雜烷基，其等均為直鏈或分支鏈，具有1至25(較佳1至18)個C原子，及係視需要經氟化， - L係選自-C(=O)-Rⁿ 、-C(=O)-ORⁿ 、-C(=O)-NHRⁿ 及-C(=O)-NRⁿ R^m ，其中R^m 及Rⁿ 彼此獨立地係具有1至25(較佳1至18)個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化， - L係鹵素，較佳F或Cl， - L係CN、F或Cl， - R⁷ 及R⁸ 係不同於H， - R⁷ 及R⁸ 表示Br、B(OZ² )₂ 或Sn(Z⁴ )₃ ，其中Z² 及Z⁴ 係如式V1中所定義。根據本發明之聚合物可例如藉由於芳基-芳基偶合反應中使一或多種式V1、V2、V3或V1a至V1d單體與彼此或與一或多種下式單體共聚合來製備， R⁷ -Ar¹ -R⁸ MI R⁷ -Ar² -R⁸ MII R⁷ -Ar³ -R⁸ MIII R⁷ -Ar⁴ -R⁸ MIV 其中Ar^1-4 、R⁷ 及R⁸ 具有式II2及V1中所給出之含義或上下文所給出之較佳含義中之一者。根據本發明之聚合物可根據或類似於熟習此項技術者已知且描述於文獻中之方法來合成。其他製法可參考實例。例如，該聚合物可適宜地藉由芳基-芳基偶合反應(例如，山本(Yamamoto)偶合、C-H活化偶合、鈴木(Suzuki)偶合、斯蒂爾(Stille)偶合、索諾格席拉(Sonogashira)偶合、赫克(Heck)偶合或布赫瓦爾德(Buchwald)偶合)製得。以鈴木偶合、斯蒂爾偶合及山本偶合尤其佳。經聚合以形成聚合物之重複單元之單體可根據熟習此項技術者已知的方法來製備。較佳地，該聚合物係自選自如上文所述之式V1、V2、V3、V1a至d及MI至MIV之單體來製備。本發明之另一態樣係一種藉由於聚合反應(較佳芳基-芳基偶合反應)中使一或多種選自式V1、V2、V3、V1a至d之相同或不同單體與彼此及/或與一或多種共單體(較佳選自式MI至MIV)偶合以製備聚合物之方法。上下文中所述之方法中所使用之較佳芳基-芳基偶合及聚合方法係山本偶合、熊田(Kumada)偶合、根岸(Negishi)偶合、鈴木偶合、斯蒂爾偶合、索諾格席拉偶合、赫克偶合、C-H活化偶合、烏爾曼(Ullmann)偶合或布赫瓦爾德偶合。以鈴木偶合、根岸偶合、斯蒂爾偶合及山本偶合尤其佳。鈴木偶合係描述例如於WO 00/53656 A1中。根岸偶合係描述例如於J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1977, 683-684中。山本偶合係描述例如於T. Yamamoto等人，Prog. Polym. Sci., 1993, 17, 1153-1205或WO 2004/022626 A1中。斯蒂爾偶合係描述例如於Z. Bao等人，J. Am. Chem. Soc., 1995, 117, 12426-12435中。C-H活化係描述例如於M. Leclerc等人，Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 2068-2071中。例如，當使用山本偶合時，較佳使用具有兩個反應性鹵化物基團之單體。當使用鈴木偶合時，較佳使用具有兩個反應性硼酸或硼酸酯基或兩個反應性鹵化物基團之單體。當使用斯蒂爾偶合時，較佳使用具有兩個反應性錫烷基團或兩個反應性鹵化物基團之單體。當使用根岸偶合時，較佳使用具有兩個反應性有機鋅基團或兩個反應性鹵化物基團之單體。當藉由C-H活化聚合合成直鏈聚合物時，較佳使用上述單體，其中至少一個反應性基團係活化之氫鍵。較佳觸媒(尤其用於鈴木、根岸或斯蒂爾偶合)係選自Pd(0)錯合物或Pd(II)鹽。較佳的Pd(0)錯合物係彼等具有至少一個膦配體者(例如Pd(Ph₃ P)₄ )。另一較佳的膦配體係參(鄰甲苯基)膦，即Pd(o-Tol₃ P)₄ 。較佳的Pd(II)鹽包括乙酸鈀(亦即，Pd(OAc)₂ )或反式-二(μ-乙酸基)-雙[鄰-(二-鄰甲苯基膦基)苄基]二鈀(II)。或者，Pd(0)錯合物可藉由將Pd(0)二亞苄基丙酮錯合物(例如參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)、雙(二亞苄基丙酮)鈀(0))或Pd(II)鹽例如乙酸鈀與膦配體(例如三苯基膦、參(鄰甲苯基)膦、參(鄰甲氧基苯基)膦、參(第三丁基)膦或2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯)混合來原位製備。鈴木聚合係在鹼(例如，碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、氫氧化鋰、磷酸鉀)或有機鹼(例如，碳酸四乙基銨或氫氧化四乙基銨)之存在下進行。山本聚合使用Ni(0)錯合物，例如雙(1,5-環辛二烯基)鎳(0)。鈴木、斯蒂爾或C-H活化偶合聚合可用於製備均聚物以及統計、交替及嵌段無規共聚物。統計、無規嵌段共聚物或嵌段共聚物可例如自上述單體製備，其中反應性基團中之一者係鹵素及另一反應性基團係C-H活化鍵、硼酸、硼酸衍生基團或及烷基錫烷。統計、交替及嵌段共聚物之合成法係詳細描述於(例如)WO 03/048225 A2或WO 2005/014688 A2中。可使用式-O-SO₂ Z¹ 之離去基團(其中Z¹ 係如上所定義)代替上述鹵素。該等離去基團之特定實例係甲苯磺酸根、甲磺酸根及三氟甲磺酸根。較佳之聚合條件導致交替聚合物，其等特別佳用於OTFT應用，而統計嵌段共聚物係經製備較佳用於OPV及OPD應用。較佳之聚縮合係鈴木偶合、斯蒂爾偶合、索諾格席拉偶合、赫克偶合或布赫瓦爾德偶合、根岸偶合或C-H活化偶合，其中第一組反應性基團係由-Cl、-Br、-I、O-甲苯磺酸根、O-三氟甲磺酸根、O-甲磺酸根及O-九氟丁磺酸根組成及第二組反應性基團係由-H、-SiR₂ F、-SiRF₂ 、-B(OR)₂ 、-CR=CHR’、-C≡CH、 -ZnX、-MgX及-Sn(R)₃ 組成。若使用山本偶合反應以製備聚合物，則反應性單體末端均獨立地由-Cl、-Br、-I、O-甲苯磺酸根、O-三氟甲磺酸根、O-甲磺酸根及O-九氟丁磺酸根組成。用於製備根據本發明之化合物之適宜且較佳之方法係說明於下文反應圖中，其中R、R'、R¹ 、R² 及Ar¹ 係如上文所定義。未顯示之化合物(例如其中在式I單元中，X係S，或Y係O、S或CU¹ U² )可以其類似方法來製備。 DTPI單元可例如藉由使3,6-二芳基-4,5-二氯鄰苯二甲醯亞胺與對應二硫醇鹽反應以形成[4,5-d]稠合二硫醇環來合成，如反應圖1中示例性說明。該3,6-二芳基-4,5-二氯鄰苯二甲醯亞胺可自3,6-溴-4,5-二氯鄰苯二甲醯亞胺與芳基硼酸、芳基硼酸酯或芳基錫烷之交叉偶合來製備。反應圖 1

共軛聚合物及共聚物(包括交替共聚物及統計嵌段共聚物)可藉由上述方法來製備。特定言之，共軛聚合物可藉由與二溴對應體之Pd催化型直接芳基化聚合(M. Wakioka等人，Macromol., 2015, 48, 8382)或Pd催化型聚縮合方法諸如山本反應(山本等人，Bull., Chem. Soc. Jpn., 1978, 51(7), 2091；山本等人，Macromolecules, 1992, 25(4), 1214)、鈴木-宮浦(Miyaura)反應(宮浦等人，Chem.Rev., 1995, 95, 2457)及斯蒂爾反應(Bao等人，J. Am., Chem., Soc., 1995, 117(50), 12426)使用末端溴化之衍生物來製造。一些較佳聚合反應係示例性說明於反應圖2中。反應圖 2

反應圖2中所示之新穎聚合物係本發明之另一標的。基於DTPI核之寡聚物及小分子之合成法係示例性說明於反應圖3中。或者，此等化合物可經由如反應圖4中所示之收斂合成策略來獲得。其中Y及R¹ 係如式I中所定義，X₁ = Br且X₂ = SnR'₃ 或B(OR')₂ 或X₁ = SnR'₃ 且X₂ = Br或X₁ = B(OR')₂ 且X₂ = Br，Ar_1-8 對應於式VI中所定義之Ar^1-8 ，且Ar₅ -Ar₆ -Ar₇ -Ar₈ -R² _end 係與Ar₄ -Ar₃ -Ar₂ -Ar₁ -R¹ _end 相同，且R¹ _end 及R² _end 對應於式VI中之R^1t 及R^2t 。反應圖 3

反應圖 4

或者，基於DTPI之非對稱性小分子可經由如反應圖5中所示之收斂合成策略來獲得，其中個別基團係如反應圖3及4中所定義。反應圖 5

包含多個DTPI單元之非對稱性化合物經由收斂合成策略之合成法係顯示於反應圖6中，其中個別基團係如反應圖3中所定義，且1＜n≤3。反應圖 6

如反應圖7中所示，在已製備DTPI核化合物後，其他取代可添加至DTPI核之R^1,2 _end 取代，其中個別基團係如反應圖6中所定義。反應圖 7

製備如上下文所述之化合物、單體或聚合物之新穎方法及其中所用之新穎單體及中間物係本發明之另一態樣。根據本發明之聚合物亦可例如與單體化合物一起或與其他具有電荷傳輸、半導體、導電、光導及/或發光半導體性質之聚合物一起或例如與具有電洞阻擋、電子阻擋性質之聚合物一起用於混合物或聚合物摻合物中用作OLED裝置、OPV裝置或基於鈣鈦礦之太陽能電池中之中間層、電荷阻擋層、電荷傳輸層。因此，本發明之另一態樣係關於一種聚合物摻合物，其包含一或多種根據本發明之聚合物及一或多種具有一或多種上述性質之其他聚合物。此等摻合物可藉由描述於先前技術中且為熟習此項技術者已知之習知方法來製備。一般而言，使該等聚合物彼此混合或溶解於適宜溶劑中並組合溶液。本發明之另一態樣係關於一種調配物，其包含一或多種如上下文所述之聚合物、聚合物摻合物或混合物及一或多種有機溶劑。較佳的溶劑係脂族烴、氯化烴、芳族烴、酮、醚及其混合物。可使用之其他溶劑包括1,2,4-三甲基苯、1,2,3,4-四甲基苯、戊基苯、均三甲苯、異丙苯、異丙基甲苯、環己基苯、二乙基苯、四氫化萘、十氫化萘、2,6-二甲基吡啶、2-氟-間二甲苯、3-氟-鄰二甲苯、2-氯三氟甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟-甲基苯甲醚、2-甲基苯甲醚、苯乙醚、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、2-氟苄腈、4-氟藜蘆醚、2,6-二甲基苯甲醚、3-氟苄腈、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、苄腈、3,5-二甲基-苯甲醚、N,N-二甲基苯胺、苯甲酸乙酯、1-氟-3,5-二甲氧基-苯、1-甲基萘、N-甲基吡咯啶酮、3-氟三氟甲苯、三氟甲苯、二噁烷、三氟甲氧基苯、4-氟三氟甲苯、3-氟吡啶、甲苯、2-氟-甲苯、2-氟三氟甲苯、3-氟甲苯、4-異丙基聯苯、苯醚、吡啶、4-氟甲苯、2,5-二氟甲苯、1-氯-2,4-二氟苯、2-氟吡啶、3-氯氟苯、3-氯氟-苯、1-氯-2,5-二氟苯、4-氯氟苯、氯苯、鄰二氯苯、2-氯氟苯、對二甲苯、間二甲苯、鄰二甲苯或鄰位-、間位-及對位異構體之混合物。通常以具有相對低極性之溶劑較佳。就噴墨印刷而言，以具有高沸點溫度之溶劑及溶劑混合物較佳。就旋轉塗佈而言，以烷基化苯(如，二甲苯及甲苯)較佳。尤其佳之溶劑之實例包括但不限於二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷、氯苯、鄰二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、1,8-二碘辛烷、1-氯萘、1,8-辛烷-二硫醇、苯甲醚、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、二甲苯鄰位-、間位-及對位異構體之混合物、1,2,4-三甲基苯、均三甲苯、環己烷、1-甲基萘、2-甲基萘、1,2-二甲基萘、四氫化萘、十氫化萘、茚滿、1-甲基-4-(1-甲基乙烯基)-環己烯(d -檸檬酸)、6,6-二甲基-2-亞甲基二環[3.1.1]庚烷(β-蒎烯)、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、硝基苯、苯甲醛、四氫呋喃、1,4-二噁烷、1,3-二噁烷、嗎啉、丙酮、甲基己基酮、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸及/或其混合物。該等聚合物在溶液中之濃度較佳係0.1至10重量%，更佳0.5至5重量%。視需要地，該溶液亦可包含一或多種黏結劑以調節流變性(如(例如)WO 2005/055248 A1中所述)。在適當混合及老化後，溶液係評估為以下類別中之一者：完全溶液、邊界溶液或不溶。繪出等高線以概述區分可溶性與不溶性之溶解度參數-氫鍵結合限值。位於溶解度區域內之「完全」溶劑可選自文獻值諸如公開於「Crowley, J.D.、Teague, G.S.Jr及 Lowe, J.W.Jr., Journal of Paint Technology, 1966, 38 (496), 296 」中者。亦可使用溶劑摻合物且其可如「Solvents, W.H.Ellis, Federation of Societies for Coatings Technology, 第9至10頁, 1986」中所述來確定。該步驟可形成將溶解本發明之兩種聚合物之「非」溶劑摻合物，然而希望摻合物中具有至少一種真實溶劑。亦可在如上下文所述之裝置中之圖案化OSC層中使用根據本發明之聚合物。就在現代微電子學中之應用而言，通常希望產生微小結構或圖案以降低成本(更多裝置/單位面積)及功率消耗。包含根據本發明之聚合物之薄層的圖案化可(例如)藉由光刻術、電子束微影術或雷射圖案化來進行。就在電子或光電裝置中用作薄層而言，本發明之聚合物、聚合物摻合物或調配物可以任何適宜方法沈積。裝置之液體塗佈比真空沈積技術更理想。以溶液沈積方法尤其佳。本發明調配物允許使用諸多液體塗佈技術。較佳的沈積技術包括(但不限於)浸塗、旋塗、噴墨印刷、噴嘴印刷、凸版印刷、絲網印刷、凹板印刷、刮塗、輥筒印刷、反轉輥印刷、平板微影印刷、乾平板微影印刷、柔性印刷、輪轉印刷、噴塗、幕塗、刷塗、狹縫式染料塗佈或移動印刷。當需要製備高解析層及裝置時，以噴墨印刷特別佳，本發明之選定調配物可藉由噴墨印刷或微分配法塗佈至預製造裝置基板。較佳地，可使用工業壓電式印刷頭(例如(但不限於)彼等由Aprion、Hitachi-Koki、InkJet Technology、On Target Technology、Picojet、Spectra、Trident、Xaar提供者)將有機半導體層塗佈至基板上。另外，可使用半工業印刷頭(例如，彼等由Brother、Epson、Konica、Seiko Instruments Toshiba TEC製造者)或單噴嘴微分配器(例如，彼等由Microdrop及Microfab製造者)。為藉由噴墨印刷或微分配法塗佈，應首先將該等聚合物溶解於適宜溶劑中。溶劑必須滿足上述要求且必須對所選印刷頭不具有任何有害影響。此外，溶劑應具有＞100℃(較佳＞140℃及更佳＞150℃)之沸點，以避免因印刷頭內部之溶液變乾所引起的操作性問題。除上述溶劑外，適宜的溶劑包括經取代及未經取代的二甲苯衍生物、二-C_1-2 烷基甲醯胺、經取代及未經取代的苯甲醚及其他酚-醚衍生物、經取代的雜環(例如，經取代的吡啶、吡嗪、嘧啶、吡咯啶酮)、經取代及未經取代的N,N-二C_1-2 -烷基苯胺及其他氟化或氯化芳族化合物。用於藉由噴墨印刷來沈積根據本發明之聚合物之較佳溶劑包括具有經一或多個取代基取代的苯環之苯衍生物，其中該一或多個取代基中之碳原子總數係至少3個。例如，該苯衍生物可經丙基或三個甲基取代(在各例中總共具有至少3個碳原子)。該溶劑允許形成包含該溶劑及該化合物或該聚合物的噴墨流體，其減少或防止噴射期間之噴射流堵塞及組分分離。該(等)溶劑可包括彼等選自下列實例者：十二烷基苯、1-甲基-4-第三丁苯、萜品醇、薴烯、異荰、萜品油烯、異丙基甲苯、二乙基苯。該溶劑可為溶劑混合物(即係兩種或更多種溶劑之組合，各溶劑較佳具有＞100℃(更佳＞140℃)之沸點)。該(等)溶劑亦增強沈積層中之薄膜形成並減少該層中的缺陷。該噴墨流體(即溶劑、黏結劑及半導體化合物之混合物)較佳在20℃下具有1至100 mPa.s(更佳1至50 mPa.s及最佳1至30 mPa.s)之黏度。根據本發明之聚合物、聚合物摻合物、混合物及調配物可另外包含一或多種選自(例如)以下物質之其他組分或添加劑：表面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、黏合劑、流動改良劑、消泡劑、脫氣劑、反應性或非反應性稀釋劑、輔助劑、著色劑、染料或顏料、敏化劑、安定劑、奈米顆粒或抑制劑。根據本發明之聚合物、聚合物摻合物及混合物可在光學、光電、電子、電致發光或光致發光組件或裝置中用作電荷傳輸、半導體、導電、光導或發光材料。在此等裝置中，本發明之聚合物、聚合物摻合物或混合物通常係塗佈成薄層或薄膜。因此，本發明亦提供該等聚合物、聚合物摻合物、混合物或層在電子裝置中之用途。該調配物可在各種裝置及設備中用作高遷移率半導體材料。該調配物可以(例如)半導體層或薄膜形式使用。因此，在另一態樣中，本發明提供一種用於電子裝置中的半導體層，該層包含根據本發明之聚合物、混合物或聚合物摻合物。該層或薄膜可為小於約30微米。就各種電子裝置應用而言，該厚度可為小於約1微米。該層可藉由前述溶液塗佈或印刷技術中之任一者而沈積於(例如)電子裝置之部分上。本發明另外提供一種包含根據本發明之聚合物、聚合物摻合物、混合物或有機半導體層之電子裝置。尤其佳的裝置係OTFT、TFT、IC、邏輯電路、電容器、RFID標籤、OLED、OLET、OPED、OPV、OPD、太陽能電池、雷射二極體、光導體、光偵測器、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶裝置、感應器裝置、電荷注入層、肖特基二極體、平坦化層、抗靜電薄膜、導電基板及導電圖案。尤其佳的電子裝置係OTFT、OLED、OPV及OPD裝置(特定言之係塊體異質接面(BHJ)OPV裝置)。例如，在OTFT中，位於汲電極與源電極之間的主動式半導體通道可包含本發明層。關於另一實例，在OLED裝置中，電荷(電洞或電子)注入或傳輸層可包含本發明層。就用於OPV及OPD裝置中而言，根據本發明之聚合物較佳以調配物之形式使用，該調配物包含或含有(更佳基本上由以下組成、極佳僅由以下組成)一或多種p型(電子供體)半導體及一或多種n型(電子受體)半導體。該p型半導體係由至少一種根據本發明之聚合物構成。該n型半導體可為無機材料(諸如氧化鋅(ZnO_x )、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鈦(TiO_x )、氧化鉬(MoO_x )、氧化鎳(NiO_x )或哂化鎘 (CdSe))或有機材料，諸如石墨烯或富勒烯、共軛聚合物或經取代之富勒烯，例如，如例如於Science 1995, 270, 1789中所揭示且具有下文所示之結構之(6,6)-苯基-丁酸甲酯衍生型甲橋C₆₀ 富勒烯(亦稱為「PCBM-C60」或「C60PCBM」)，或與例如C₇₀ 富勒烯基團結構類似的化合物或有機聚合物(參見例如Coakley, K. M.及McGehee, M. D. Chem. Mater. 2004, 16, 4533)。

較佳地，根據本發明之聚合物係經n型半導體(諸如富勒烯或式XII經取代之富勒烯)摻雜以形成OPV或OPD裝置中之活性層，其中，

C_n 表示由n個碳原子組成之富勒烯，視需要內部陷留一或多個原子，加成物¹ 係以任何連接性附接至富勒烯C_n 之一級加成物，加成物² 係以任何連接性附接至富勒烯C_n 之二級加成物或二級加成物之組合， k係≥1之整數，且 l係0、≥1之整數或＞0之非整數。在式XII及其子式中，k較佳表示1、2、3或4，極佳1或2。式XII及其子式中之富勒烯C_n 可由任何數量n個碳原子之組成。較佳地，在式XII及其子式中，組成富勒烯C_n 之碳原子數量n係60、70、76、78、82、84、90、94或96，極佳60或70。式XII及其子式中之富勒烯C_n 係較佳選自基於碳之富勒烯、內嵌富勒烯或其混合物，極佳選自基於碳之富勒烯。適宜且較佳之基於碳之富勒烯包括但不限於(C_60-Ih )[5,6]富勒烯、(C_70-D5h )[5,6]富勒烯、(C_76-D2* )[5,6]富勒烯、(C_84-D2* )[5,6]富勒烯、(_C84-D2d )[5,6]富勒烯或上述基於碳之富勒烯之兩者或更多者之混合物。該等內嵌富勒烯較佳係金屬富勒烯。適宜且較佳之金屬富勒烯包括但不限於La@C₆₀ 、La@C₈₂ 、Y@C₈₂ 、Sc₃ N@C₈₀ 、Y₃ N@C₈₀ 、Sc₃ C₂ @C₈₀ 上述金屬富勒烯之兩者或更多者之混合物。較佳地，富勒烯C_n 係在[6,6]及/或[5,6]鍵處經取代，較佳在至少一個[6,6]鍵上經取代。一級及二級加成物(式XII及其子式中之名為「加成物」)係較佳選自下式

其中C_n 係如式XII中所定義， Ar^S1 、Ar^S2 彼此獨立地表示具有5至20個(較佳5至15個)環原子之伸芳基或伸雜芳基，其係單環或多環且其視需要經一或多個相同或不同之具有如上下文中所定義之L之含義中之一者之取代基取代，且 R^S1 、R^S2 、R^S3 、R^S4 、R^S5 及R^S6 彼此獨立地表示H、CN或具有如上下文中所定義之L之含義中之一者。較佳之式XII化合物係選自以下子式：

其中C_n 、k及l係如式XII中所定義，且 R^S1 、R^S2 、R^S3 、R^S4 、R^S5 及R^S6 彼此獨立地表示H或具有如上下文中所定義之L之含義中之一者。亦較佳地，根據本發明之聚合物係與其他類型之n型半導體(諸如石墨烯、金屬氧化物(如例如ZnO_x 、TiO_x 、ZTO、MoO_x 、NiO_x )、量子點(如例如CdSe或CdS)或共軛聚合物(如例如如例如WO2013142841中所述之聚萘二醯亞胺或聚苝二醯亞胺))摻合以形成OPV或OPD裝置中之活性層。該裝置較佳另外包含位於活性層之一側上之透明或半透明基板上之第一透明或半透明電極及位於該活性層之另一側上之第二金屬或半透明電極。較佳地，根據本發明之活性層係另外經額外有機及無機化合物摻雜以增強裝置性質。例如，金屬顆粒諸如Au或Ag奈米顆粒或Au或Ag奈米棱柱，以增強因近場效應(亦即，電漿子效應)之光捕獲，如例如Adv. Mater. 2013, 25 (17), 2385–2396及Adv. Ener. Mater. 2014, 4, 1400206中所述；分子摻雜劑諸如2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基喹諾二甲烷，以增強光導電性，如例如Adv. Mater. 2013, 25 (48), 7038–7044中所述；或安定劑，其由UV吸收劑及/或抗自由基劑及/或抗氧化劑組成，諸如2-羥基二苯甲酮、2-羥基苯基苯并三唑、草酸苯胺化物、羥基苯基三嗪、部花青素、受阻酚、N-芳基-硫嗎啉、N-芳基-硫嗎啉-1-氧化物、N-芳基-硫嗎啉-1,1-二氧化物、N-芳基-噻唑啶、N-芳基-噻唑啶-1-氧化物、N-芳基-噻唑啶-1,1-二氧化物及1,4-二氮雜二環[2.2.2]辛烷，如例如WO2012095796 A1及WO2013021971 A1中所述。該裝置較佳可另外包含UV至可見光轉化層(諸如描述於例如J. Mater. Chem.2011, 21, 12331中者)或NIR至可見或IR至NIR光轉化層(諸如描述於例如J. Appl. Phys.2013, 113, 124509中者)。更佳地，該OPV或OPD裝置在活性層與第一或第二電極之間包含一或多個額外緩衝層用作電洞傳輸層及/或電子阻擋層，其包含諸如以下之材料：金屬氧化物(諸如例如ZTO、MoO_x 、NiO_x )、經摻雜之共軛聚合物(諸如例如PEDOT:PSS及聚吡咯-聚苯乙烯磺酸酯(PPy:PSS))、共軛聚合物(諸如例如聚三芳基胺(PTAA))、有機化合物(諸如例如經取代之三芳基胺衍生物諸如N,N'-二苯基-N,N'-雙(1-萘基)(1,1'-聯苯)-4,4'二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD))、基於石墨烯之材料(諸如例如石墨烯氧化物及石墨烯量子點)，或或者作為電洞阻擋層及/或電子傳輸層，其包含諸如以下之材料：金屬氧化物(諸如例如ZnO_x 、TiO_x 、AZO(摻雜鋁之氧化鋅))、鹽(諸如例如LiF、NaF、CsF)、共軛聚合物電解質(諸如例如聚[3-(6-三甲基銨己基)噻吩]、聚(9,9-雙(2-乙基己基)-茀]-嵌段-聚[3-(6-三甲基銨己基)噻吩]或聚[(9,9-雙(3'-(N,N-二甲基胺基)丙基)-2,7-茀)-交替-2,7-(9,9–二辛基茀)])、聚合物(諸如例如聚(伸乙基亞胺)或交聯型含N化合物衍生物)或有機化合物(諸如例如參(8-喹啉根基)-鋁(III) (Alq₃ )、啡啉衍生物或基於C₆₀ 或C₇₀ 之富勒烯諸如例如如Adv. Energy Mater.2012, 2, 82–86中所述)。在根據本發明之聚合物與富勒烯或改質富勒烯之摻合物或混合物中，聚合物:富勒烯之比例較佳係5:1至1:5重量比，更佳2:1至1:3重量比，最佳1:1至1:2重量比。亦可包括5至95重量%之聚合物黏結劑。黏結劑之實例包括聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。為在BHJ OPV裝置中形成薄層，本發明之聚合物、聚合物摻合物或混合物可藉由任何適宜方法沈積。裝置之液體塗佈比真空沈積技術更理想。以溶液沈積方法尤其佳。本發明調配物允許使用諸多液體塗佈技術。較佳的沈積技術包括(但不限於)浸塗、旋塗、噴墨印刷、噴嘴印刷、凸版印刷、絲網印刷、凹板印刷、刮塗、輥筒印刷、反轉輥印刷、平板微影印刷、乾平板微影印刷、柔性印刷、輪轉印刷、噴塗、幕塗、刷塗、狹縫式染料塗佈或移動印刷。就製造OPV裝置及模組而言，以可與可撓性基板相容之區域印刷法(例如狹縫式染料塗佈、噴塗及類似方法)較佳。較佳製備含有根據本發明之聚合物與富勒烯或改質富勒烯(諸如PCBM)之摻合物或混合物之適宜溶液或調配物。在製備該調配物時，較佳選擇適宜的溶劑以確保兩種組分(p型及n型)充分溶解並考慮到由所選印刷方法所引入的邊界條件(例如，流變性)。就此目的而言，通常使用有機溶劑。典型溶劑可為芳族溶劑、鹵化溶劑或氯化溶劑(包括氯化芳族溶劑)。實例包括(但不限於)二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷、氯苯、鄰二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、1,8-二碘辛烷、1-氯萘、1,8-辛烷-二硫醇、苯甲醚、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、二甲苯鄰位-、間位-及對位異構體之混合物、1,2,4-三甲基苯、均三甲苯、環己烷、1-甲基萘、2-甲基萘、1,2-二甲基萘、四氫化萘、十氫化萘、茚滿、1-甲基-4-(1-甲基乙烯基)-環己烯(d -檸檬酸)、6,6-二甲基-2-亞甲基二環[3.1.1]庚烷(β-蒎烯)、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、硝基苯、苯甲醛、四氫呋喃、1,4-二噁烷、1,3-二噁烷、嗎啉、丙酮、甲基己基酮、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸及/或其混合物。該OPV裝置可為(例如)文獻中已知的任何類型(參見，例如Waldauf等人, Appl. Phys. Lett., 2006, 89, 233517)。根據本發明之第一較佳OPV裝置包含以下各層(順序自底部至頂部)： - 視需要之基板； - 高功函數電極，其較佳包含金屬氧化物(如，例如ITO及FTO)並作為陽極； - 視需要之導電聚合物層或電洞傳輸層，其較佳包含有機聚合物或聚合物摻合物，例如PEDOT:PSS((聚(3,4-伸乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸酯))、經取代之三芳基胺衍生物例如TBD(N,N'-二苯基-N-N'-雙(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺)或NBD(N,N'-二苯基-N-N'-雙(1-萘基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺)； - 形成BHJ之層，亦稱為「活性層」，其包含至少一種p型及至少一種n型有機半導體，且可以(例如)p型/n型雙層或以不同的p型及n型層或以p型及n型半導體之摻合物形式存在； - 視需要之具有電子傳輸性質之層，其例如包含LiF、TiO_x 、ZnO_x 、PFN、聚(伸乙基亞胺)或交聯型含氮化合物衍生物或啡啉衍生物； - 低功函數電極，其較佳包含金屬(如(例如)鋁)並作為陰極；其中該等電極中之至少一者(較佳係陽極)對可見光及/或NIR光係透明，且其中該至少一種p型半導體係根據本發明之聚合物。根據本發明之第二較佳OPV裝置係倒置式OPV裝置且包含以下各層(順序自底部至頂部)： - 視需要之基板； - 高功函數金屬或金屬氧化物電極，其包含(例如)ITO及FTO並作為陰極； -具有電洞阻擋性質之層，其較佳包含金屬氧化物(諸如TiO_x 或ZnO_x )或包含有機化合物，諸如聚合物如聚(伸乙基亞胺)或交聯型含N化合物衍生物或啡啉衍生物； - 形成BHJ之活性層，其包含至少一種p型及至少一種n型有機半導體且位於電極間，該活性層可以(例如)p型/n型雙層或以不同的p型及n型層或以p型及n型半導體之摻合物形式存在； - 視需要之導電聚合物層或電洞傳輸層，其較佳包含有機聚合物或聚合物摻合物，例如PEDOT:PSS或經取代之三芳基胺衍生物例如TBD或NBD； - 包含高功函數金屬(如(例如)銀)且作為陽極之電極；其中該等電極中之至少一者(較佳係陰極)對可見光及/或NIR光係透明，且其中至少一種p型半導體係根據本發明之聚合物。在本發明OPV裝置中，該等p型及n型半導體材料較佳係選自上述材料(如聚合物/富勒烯體系或聚合物/聚合物體系)。當於基板上沈積該活性層時，其形成以奈米級水準相分離的BHJ。有關奈米級相分離之論述參見Dennler等人，Proceedings of the IEEE, 2005, 93 (8), 1429或Hoppe等人，Adv. Func. Mater, 2004, 14(10)，第1005頁。然後，可能需要進行視需要之退火步驟以使摻合物形態及因此OPV裝置性能最優化。使裝置性能最優化之另一方法係製備用於製造OPV(BHJ)裝置的調配物，其可包括高沸點添加劑以促進以正確方式相分離。已使用1,8-辛二硫醇、1,8-二碘辛烷、硝基苯、1-氯萘、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸及其他添加劑，以獲得高效太陽能電池。實例係揭示於J. Peet等人，Nat. Mater., 2007, 6, 497或Fréchet等人，J. Am. Chem. Soc., 2010, 132, 7595-7597中。本發明之聚合物、聚合物摻合物、混合物及層亦適合在OTFT中用作半導體通道。因此，本發明亦提供一種OTFT，其包含閘電極、絕緣(或閘極絕緣體)層、源電極、汲電極及連接該源電極與汲電極之有機半導體通道，其中該有機半導體通道包含根據本發明之聚合物、聚合物摻合物、混合物或有機半導體層。OTFT之其他特徵係熟習此項技術者所熟知。其中OSC材料係作為薄膜配置於閘極介電質與汲電極及源電極之間之OTFT係大體上已知，且係描述於(例如)US 5,892,244、US 5,998,804、US 6,723,394及先前技術部分中所引用的參考文獻中。由於各種優點(如，利用根據本發明之化合物之溶解度性質及因此大面積可加工性之低成本生產)，此等FET之較佳應用係(例如)積體電路、TFT顯示器及安全應用。該OFET裝置中之閘電極、源電極及汲電極及絕緣及半導體層可以任何順序配置，限制條件為該源電極及汲電極係經該絕緣層與該閘電極分開，該閘電極及該半導體層皆與該絕緣層接觸，且該源電極及該汲電極皆與該半導體層接觸。根據本發明之OTFT裝置較佳包含： - 源電極； - 汲電極； - 閘電極； - 半導體層； - 一或多個閘極絕緣體層； - 視需要之基板，其中該半導體層較佳包含根據本發明之聚合物、聚合物摻合物或混合物。該OTFT裝置可為頂部閘極裝置或底部閘極裝置。OTFT裝置之適宜結構及製造方法係熟習此項技術者已知且係描述於文獻資料(例如US 2007/0102696 A1)中。該閘極絕緣體層較佳包含氟聚合物，如(例如)市售Cytop 809M®或Cytop 107M® (購自Asahi Glass)。較佳地，該閘極絕緣體層係藉由(例如)旋塗、刮塗、環棒式塗佈、噴塗或浸塗或其他已知方法自包含絕緣材料及一或多種具有一或多個氟原子之溶劑(氟溶劑)(較佳係全氟溶劑)之調配物來沈積。適宜的全氟溶劑係(例如)FC75® (購自Acros，目錄號12380)。其他適宜的氟聚合物及氟溶劑係先前技術中已知，如(例如)全氟聚合物Teflon AF® 1600或2400 (購自DuPont)或Fluoropel® (購自Cytonix)或全氟溶劑FC 43® (Acros，12377號)。尤其佳係具有1.0至5.0(極佳1.8至4.0)之低電容率(或介電常數)之有機介電材料(「低k材料」)，如(例如)US 2007/0102696 A1或US 7,095,044所描述。在安全應用中，具有根據本發明之半導體材料之OTFT及其他裝置(如，電晶體或二極體)可用於RFID標籤或安全標記，以鑑別及防止仿冒有價證件(如，鈔票、信用卡或ID卡、國家ID證件、許可證或任何具有貨幣價值之產品(如，郵票、門票、股票、支票等)。或者，根據本發明之聚合物、聚合物摻合物及混合物材料可用於OLED中，例如作為平板顯示器應用中之主動顯示材料或作為平板顯示器(如(例如)液晶顯示器)之背光。已知一般OLED使用多層結構。發射層通常係夾在一或多個電子傳輸及/或電洞傳輸層之間。藉由施加電壓，電子及電洞作為載子向該發射層移動，其等在該層中之再結合導致激發包含在該發射層中之生光團單元且因此使其發光。根據本發明之聚合物、聚合物摻合物及混合物可用於緩衝層、電子或電洞傳輸層、電子或電洞阻擋層及發射層(對應於其電及/或光性質)中之一或多者。另外，若根據本發明之化合物、材料及薄膜自身顯示電致發光性質或包含電致發光基團或化合物，則在發射層中使用其等係尤其有利。適用於OLED之單體、寡聚物及聚合物化合物或材料之選擇、特徵分析及加工一般係熟習此項技術者已知，參見(例如)Müller等人, Synth. Metals, 2000, 111-112, 31-34；Alcala, J. Appl. Phys., 2000, 88, 7124-7128及其中所引用的文獻資料。根據另一用途，根據本發明之聚合物、聚合物摻合物及混合物(尤其係彼等顯示光致發光性質者)可用作(例如)顯示器裝置中之光源材料(如EP 0 889 350 A1或C. Weder等人, Science, 1998, 279, 835-837中所述)。本發明之另一態樣係關於根據本發明之聚合物之氧化及還原形式。失去或獲得電子導致形成具有高導電性的高度離域化離子形式。此可在曝露於一般摻雜劑時發生。適宜的摻雜劑及摻雜方法係熟習此項技術者自(例如)EP 0 528 662、US 5,198,153或WO 96/21659已知。摻雜方法通常意味著於氧化還原反應中使用氧化劑或還原劑處理半導體材料，以在該材料中形成離域離子中心，其中對應的抗衡離子係衍生自所使用的摻雜劑。適宜的摻雜方法包括(例如)於大氣壓或減壓下曝露於摻雜蒸氣、於含有摻雜劑之溶液中進行電化學摻雜、使摻雜劑與待熱擴散之半導體材料接觸、及將摻雜劑離子移植至該半導體材料中。當使用電子作為載子時，適宜的摻雜劑係(例如)鹵素(例如，I₂ 、Cl₂ 、Br₂ 、ICl、ICl₃ 、IBr及IF)；路易士(Lewis)酸(例如，PF₅ 、AsF₅ 、SbF₅ 、BF₃ 、BCl₃ 、SbCl₅ 、BBr₃ 及SO₃ )；質子酸、有機酸或胺基酸(例如，HF、HCl、HNO₃ 、H₂ SO₄ 、HClO₄ 、FSO₃ H及ClSO₃ H)；過渡金屬化合物(例如，FeCl₃ 、FeOCl、Fe(ClO₄ )₃ 、Fe(4-CH₃ C₆ H₄ SO₃ )₃ 、TiCl₄ 、ZrCl₄ 、HfCl₄ 、NbF₅ 、NbCl₅ 、TaCl₅ 、MoF₅ 、MoCl₅ 、WF₅ 、WCl₆ 、UF₆ 及LnCl₃ (其中Ln係鑭系元素))；陰離子(例如，Cl^- 、Br^- 、I^- 、I₃ ^- 、HSO₄ ^- 、SO4₂ ^- 、NO₃ ^- 、ClO₄ ^- 、BF₄ ^- 、PF₆ ^- 、AsF₆ ^- 、SbF₆ ^- 、FeCl₄ ^- 、Fe(CN)₆ ^3- )及各種磺酸之陰離子(例如芳基-SO₃ ^- )。當使用電洞作為載子時，摻雜劑實例係陽離子(例如，H⁺ 、Li⁺ 、Na⁺ 、K⁺ 、Rb⁺ 及Cs⁺ )；鹼金屬(例如，Li、Na、K、Rb及Cs)；鹼土金屬(例如，Ca、Sr及Ba)；O₂ ；XeOF₄ ；(NO₂ ⁺ )(SbF₆ ^- )；(NO2⁺ )(SbCl₆ ^- )；(NO₂ ⁺ )(BF₄ ^- )；AgClO₄ ；H₂ IrCl₆ ；La(NO₃ )₃ ∙6H₂ O；FSO₂ OOSO₂ F；Eu；乙醯膽鹼；R₄ N⁺ (R係烷基)；R₄ P⁺ (R係烷基)；R₆ As⁺ (R係烷基)及R₃ S⁺ (R係烷基)。本發明之聚合物之導電形式可在包括(但不限於)下列之應用中用作有機「金屬」：OLED應用中之電荷注入層及ITO平坦化層；平板顯示器及觸控螢幕用薄膜；電子應用(例如，印刷電路板及電容器)中之抗靜電薄膜、印刷導電基板、圖案或通道。根據本發明之聚合物、聚合物摻合物及混合物亦可適用於有機電漿子發射二極體(OPED)，如(例如)Koller等人, Nat. Photonics, 2008, 2, 684中所述。根據另一用途，根據本發明之聚合物可單獨或與其他材料一起用於LCD或OLED裝置中或在其中作為對準層，如(例如)US 2003/0021913中所述。使用根據本發明之電荷傳輸聚合物可提高該對準層之導電率。當用於LCD中時，此提高之導電率可減少在可轉換LCD單元中之不良殘餘dc作用並抑制影像殘留或在(例如)鐵電LCD中減少因轉換鐵電LC之自發極化電荷而產生的殘留電荷。當用於包含提供於對準層上的發光材料之OLED裝置中時，此提高之導電率可增強該發光材料之電致發光。具有液晶原或液晶性質之根據本發明之聚合物可形成上述定向型各向異性薄膜，其尤其可用作對準層以誘導或增強該各向異性薄膜上所提供的液晶介質之對準。根據本發明之聚合物亦可與可光異構化化合物及/或發色團組合，以用於光對準層中或用作光對準層(如US 2003/0021913 A1中所述)。根據另一用途，根據本發明之聚合物、聚合物摻合物及混合物(尤其係其水溶性衍生物(例如，含有極性或離子性側基)或離子摻雜形式)可用作用於檢測及識別DNA序列之化學感應器或材料。該等用途係描述例如於L. Chen、D. W. McBranch、H. Wang、R. Helgeson、F. Wudl及D. G. Whitten,Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A., 1999 ,96 , 12287；D. Wang、X. Gong、P. S. Heeger、F. Rininsland、G. C. Bazan及A. J. Heeger,Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A., 2002 ,99 , 49；N. DiCesare、M. R. Pinot、K. S. Schanze及J. R. Lakowicz,Langmuir ,2002 ,18 , 7785；D. T. McQuade、A. E. Pullen、T. M. Swager,Chem. Rev., 2000 ,100 , 2537中。如文中所使用，除非本文另有明確指示，否則文中術語之複數形式應被理解為包括單數形式，且反之亦然。在本說明書之整體描述及申請專利範圍中，字詞「包含」及「含有」及該等字詞之變型(例如，「包括」)意指「包括但不限於」，且無意(且不)排除其他組分。應明瞭，可對本發明之前述實施例作出改變，但其仍落於本發明之範圍內。除非另有說明，否則本說明書中所揭示的各特徵可由用於相同、等效或類似目的之其他特徵代替。因此，除非另作敘述，否則所揭示之各特徵僅為一系列等效或類似特徵之一實例。揭示於本說明書中之所有特徵可以任何組合方式組合，僅除了其中之特徵及/或步驟中至少一些具相互排他性之組合外。特定言之，本發明之較佳特徵可應用於本發明之所有態樣且可以任何組合方式使用。同樣地，非必需組合中所述的特徵可單獨(以非組合形式)使用。在上下文中，除非另有說明，否則百分比係重量百分比且溫度係以攝氏度(℃)表示。介電常數ε(「電容率」)之值係指於20℃及1,000 Hz下獲得的值。現將參考以下實例更詳細地描述本發明，該等實例僅係說明性且不限制本發明之範圍。實例 1 3,6- 二溴 -4,5- 二氯鄰苯二甲酸酐 (1.1)

將4,5-二氯鄰苯二甲酸酐(11.43 g，51.60 mmol)添加至經攪拌發煙硫酸(100 cm³ )中並將混合物加熱至80℃並攪拌30分鐘以提供澄清溶液。在加熱及攪拌條件下分小份添加二溴異氰脲酸(16.78 g，56.74 mmol)並在添加後在80℃下攪拌混合物20小時以產生橙色懸浮液。使該懸浮液冷卻至23℃，然後傾倒至碎冰(約1 kg)上。藉由過濾收集固體並用水清洗三次，然後用甲醇清洗兩次。使固體於水(600 cm³ )中煮沸，然後冷卻，抽吸過濾，用水清洗，然後空氣乾燥。重複煮沸、過濾及清洗過程三次及固體最後用甲醇清洗並乾燥以產生呈白色固體之3,6-二溴-4,5-二氯鄰苯二甲醯亞胺(1.1) (16.14 g，83%)。¹³ C NMR (101 MHz, DMSO-d₆ ) δ 165.70, 135.70, 135.11, 119.97, 39.50。MS (EI) m/z 374。3,6- 二溴 -4,5- 二氯 -N- 十六烷基鄰苯二甲醯亞胺 (1.2)

在圓底燒瓶中裝入4,7-二溴-5,6-二氯鄰苯二甲酸酐(1.1) (3.70 g，9.87 mmol)、十六烷基胺(2.62 g，10.86 mmol)及丙酸(40 cm³ )。將混合物在140℃(外部)下攪拌3小時並隨後冷卻至23℃，此時發生沉澱。添加乙醇(50 cm³ )並藉由過濾收集固體，用乙醇清洗，隨後用甲醇清洗以產生呈白色結晶固體之3,6-二溴-4,5-二氯-N-十六烷基鄰苯二甲醯亞胺(1.2) (5.10 g，86%)。MS (EI) m/z 597。¹ H NMR (400 MHz, CDCl₃ ) δ 3.69 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 1.66 (m, J = 7.2 Hz, 2H), 1.31 (s, 6H), 1.24 (s, 20H), 0.87 (t, J = 6.8 Hz, 3H) 。¹³ C NMR (101 MHz, CDCl₃ ) δ 163.79, 141.44, 129.95, 119.22, 39.11, 31.92, 29.68, 29.67, 29.64, 29.60, 29.54, 29.41, 29.35, 29.09, 28.20, 26.78, 22.68, 14.11。4,5- 二氯 -3,6- 雙 ( 噻吩并 [3,2-b] 噻吩 -2- 基 )-N- 十六烷基鄰苯二甲醯亞胺 (1.3)

藉由氮氣鼓泡使2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼㖦-2-基)噻吩并[3,2-b]噻吩(1.757 g，6.600 mmol)、3,6-二溴-4,5-二氯-N-十六烷基鄰苯二甲醯亞胺(1.2) (1.80 g，3.00 mmol)及碳酸鈉2M水溶液(6.6 cm³ ，13.20 mmol)與甲苯(40 cm³ )及THF (10.0 cm³ )之混合物除氣20分鐘。一份式添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(0) (55 mg，0.060 mmol)及三鄰甲苯基膦(73 mg，0.24 mmol)之混合物且用氮氣使該混合物再除氣10分鐘。將該混合物在回流下加熱16小時。使該混合物冷卻至23℃且藉由於真空中旋轉蒸發移除溶劑。用甲醇濕磨殘餘物，隨後抽吸過濾且用甲醇、水及甲醇清洗固體。藉由管柱層析法(1:1 v/v二氯甲烷-石油醚(40-60))純化粗產物以提供呈亮黃色微結晶固體之4,5-二氯-3,6-雙(噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-N-十六烷基鄰苯二甲醯亞胺(1.3) (1.01 g，47%)。¹ HNMR (400 MHz, DCM-d₂ ) δ 7.50 (d, J = 5.3 Hz, 2H), 7.36 (dd, J = 5.3, 0.7 Hz, 2H), 7.32 (d, J = 0.7 Hz, 2H), 3.51 (q, J = 8.0 Hz, 2H), 1.53 (s, 2H), 1.34 – 1.13 (m, 26H), 0.86 (t, J = 8.0 Hz, 3H)。¹³ C NMR (101 MHz, CD₂ Cl₂ ) δ 165.32, 141.22, 141.05, 139.11, 134.70, 133.31, 130.00, 128.59, 122.01, 119.82, 38.84, 32.27, 30.03, 30.00, 29.96, 29.89, 29.77, 29.70, 29.43, 28.52, 27.15, 23.04, 14.24。3,6- 雙 (5- 溴噻吩并 [3,2-b] 噻吩 -2- 基 )-4,5- 二氯 -N- 十六烷基鄰苯二甲醯亞胺 (1.4)

將N-溴琥珀醯亞胺(3.57 g，19.88 mmol)以一份式添加至4,5-二氯-3,6-雙(噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-N-十六烷基鄰苯二甲醯亞胺(1.3) (4.75 g，6.63 mmol)於無水四氫呋喃(130 cm³ )中之溶液中。將溶液在回流下加熱4小時。再添加N-溴琥珀醯亞胺(1.2 g)並在回流下再加熱混合物2小時。使該混合物於真空中濃縮至乾且將殘餘物於乙醇(100 cm³ )中濕磨。藉由過濾收集固體，用乙醇清洗2次及用丙酮清洗3次，接著自環己烷重結晶以提供呈綠黃色固體之3,6-雙(5-溴噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-4,5-二氯-N-十六烷基鄰苯二甲醯亞胺(1.4) (4.81 g，83%)。¹ H NMR (400 MHz, CD₂ Cl₂ ) δ 7.38 (s, 2H), 7.23 (s, 2H), 3.50 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 1.52 (m, 2H), 1.34 – 1.14 (m, 26H), 0.87 (t, J = 7.0 Hz, 3H)。¹³ C NMR (101 MHz, CD₂ Cl₂ ) 165.27, 141.08, 140.09, 139.30, 134.21, 132.97, 130.06, 122.66, 121.73, 114.98, 38.93, 32.33, 30.09, 30.06, 30.02, 29.94, 29.82, 29.76, 29.47, 28.57, 27.20, 23.10, 14.30。3,6- 雙 (5- 溴噻吩并 [3,2-b] 噻吩 -2- 基 )-N- 十六烷基 (2- 二氰基亞甲基 -1,3- 二硫代并 [4,5-d] 鄰苯二甲醯亞胺 (1)

在50℃下，將二(鈉巰基)亞甲基丙二腈(0.838 g，4.50 mmol)以一份式添加至3,6-雙(5-溴噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-4,5-二氯-N-十六烷基鄰苯二甲醯亞胺(1.4) (2.62 g，3.00 mmol)於無水N,N-二甲基醯亞胺 (80 cm³ )中之溶液中。在50℃下，將溶液攪拌8小時且於真空中移除溶劑。用甲醇濕磨殘餘物且藉由抽吸過濾收集固體。藉由管柱層析法(3:1二氯甲烷-環己烷)純化固體，接著自氯仿-辛烷重結晶以提供呈黃色固體之3,6-雙(5-溴噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-N-十六烷基(2-二氰基亞甲基-1,3-二硫代并[4,5-d])鄰苯二甲醯亞胺 (1) (1.95 g，68%)。¹ H NMR (400 MHz, CDCl₃ ) δ 7.41 (s, 2H), 7.36 (s, 2H), 3.59 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 1.59 (m, 2H), 1.36 – 1.15 (m, 26H), 0.88 (t, J = 7.0 Hz, 3H)。¹³ C NMR (101 MHz, CDCl₃ ) δ 175.85, 164.77, 144.38, 140.41, 139.33, 132.67, 129.41, 127.79, 122.08, 121.89, 116.74, 111.92, 67.74, 38.81, 31.91, 29.68, 29.66, 29.63, 29.58, 29.50, 29.40, 29.34, 29.04, 28.24, 26.84, 22.68, 14.12。實例 2 3,6- 雙 (5- 溴噻吩并 [3,2-b] 噻吩 -2- 基 )-N- 十六烷基 (2- 側硫基 -1,3- 二硫代并 [4,5-d] 鄰苯二甲醯亞胺 (2)

將二硫化碳(0.5 cm³ ，8.27 mmol)以一份式添加至無水硫化鈉(0.351 g，4.50 mmol)於無水N,N-二甲基甲醯胺(50 cm³ )中之懸浮液中。在23℃下攪拌混合物2小時且添加3,6-雙(5-溴噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-4,5-二氯-N-十六烷基鄰苯二甲醯亞胺(1.4) (2.62 g，3.00 mmol)。在50℃下攪拌混合物2小時並在100℃下攪拌1小時。於攪拌下添加甲醇(50 cm³ )且混合物冷卻至23℃。藉由抽吸過濾收集固體，用甲醇清洗，自氯仿-乙醇重結晶，隨後通過矽石塞(氯仿)。最終自氯仿-環己烷重結晶固體以提供呈橙色固體之3,6-雙(5-溴噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-N-十六烷基(2-側硫基-1,3-二硫代并[4,5-d])鄰苯二甲醯亞胺(1.92 g，70%)。¹ H NMR (400 MHz, CDCl₃ ) δ 7.38 (s, 2H), 7.33 (s, 2H), 3.58 (t, J = 7.4 Hz, 2H), 1.60 (m, 2H), 1.23 (m, 26 H), 0.87 (t, J = 7.4 Hz, 3H)。¹³ C NMR (101 MHz, CDCl₃ ) δ 208.54, 165.42, 149.46, 140.09, 139.12, 133.62, 128.50, 126.00, 122.08, 121.57, 116.00, 38.65, 31.92, 29.68, 29.67, 29.64, 29.59, 29.52, 29.42, 29.35, 29.07, 28.28, 26.90, 26.87, 22.69, 14.13。實例 3- 聚合物 1(P1)

在燒瓶中裝入3,6-雙(5-溴噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-N-十六烷基(2-二氰基亞甲基-1,3-二硫代并[4,5-d])鄰苯二甲醯亞胺(1) (TT2-DCMDT-PI)(236.0 mg，0.250 mmol)、2,8-雙(三甲基錫烷基)-[6,6,12,12-肆(4-十六烷基苯基)-6,12-二氫二噻吩并[2,3-d:2',3'-d']-s-茚并[1,2-b:5,6-b']二噻吩(IDTT-二錫) (476.6 mg，0.250 mmol)、無水甲苯(5.0 cm³ )及無水N,N-二甲基甲醯胺(1.0 cm³ )。藉由氮氣鼓泡使混合物除氣30分鐘並添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(0) (7.0 mg，0.010 mmol)及三鄰甲苯基膦(12.2 mg，0.040 mmol)。使混合物再除氣15分鐘，隨後在120℃及氮氣下強力攪拌5分鐘。添加碘苯(0.20 cm³ ，1.8 mmol)及甲苯(5 cm³ )並在120℃下再攪拌混合物60分鐘。使溶液沉澱至經攪拌丙酮(100 cm³ )中並在20℃下攪拌混合物30分鐘。藉由抽吸過濾收集固體，用丙酮清洗，隨後依序用丙酮、石油醚(40-60)、石油醚(80-100)索格利特(Soxhlet)萃取且最終溶解於氯仿中。使氯仿溶液濃縮並沉澱至丙酮中。藉由抽吸過濾收集固體以提供呈深紅色固體之聚合物1 (0.52 g，88%)。GPC (氯苯, 50℃)：Mn = 94,000 Kg/mol，Mw = 352,000 kg/mol，PDI = 3.73。實例 4- 聚合物 2(P2)

在25 cm³ 圓底燒瓶中裝入9,10-二辛基-2,7-伸菲基-雙(1,3,2-二氧雜硼㖦) (122.3 mg，0.225 mmol)、3,6-雙(5-溴噻吩并[3,2-b]噻吩-2-基)-N-十六烷基(2-二氰基亞甲基-1,3-二硫代并[4,5-d])鄰苯二甲醯亞胺(1) (TT2-DCMDT-PI)(212.9 mg，0.225 mmol)及單水合磷酸鉀(208 mg，0.902 mmol)。向此混合物添加1,4-二噁烷 (2 cm³ )及水(HPLC級，2 cm³ )。藉由氮氣鼓泡使稠的黃色懸浮除氣40分鐘。同時，使自參(二亞苄基丙酮)二鈀(0) (2.6 mg，0.003 mmol)製得之觸媒及三鄰甲苯基膦(5.5 mg，0.018 mmol)於1,4-二噁烷 (0.4 cm³ )中之原液除氣及隨後通過注射器添加。使混合物再除氣10分鐘。使燒瓶下降至預熱油浴中並在120℃下強力攪拌20小時以產生紅色懸浮液。使該懸浮液簡短冷卻，隨後沉澱至甲醇(50 cm³ )中。藉由抽吸過濾收集紅色固體，依序用甲醇、水、丙酮清洗及最終空氣乾燥(0.26 g，97%)。聚合物P2固體極不可溶於大多數有機溶劑中。自氯苯之可溶性部分提供分子量M_n = 28,600 kg/mol及M_w = 32,500 kg/mol。PDI = 1.14。用途實例 A 場效電晶體製造及量測：一般步驟 於具有真空蒸發之Au源電極-汲電極的玻璃基板上製造頂閘極薄膜有機場效電晶體(OFET)。將該有機半導體之7 mg/cm³ 二氯苯溶液旋塗至頂部(視需要於100℃、150℃或200℃下進行1至5分鐘之薄膜退火)，接著旋塗氟聚合物介電材料(Lisicon®D139，購自Merck, Germany)。最後，沈積真空蒸發之Au閘極電極。於環境空氣氣氛下，使用電腦控制型Agilent 4155C半導體參數分析儀進行該等電晶體裝置之電特徵分析。計算該化合物在飽和態況中的電荷載子遷移率(μ_sat )。使用方程式(1)計算飽和態況(V_d ＞(V_g -V₀ ))的場效遷移率：

其中W係通道寬度，L係通道長度，C_i 係絕緣層之電容，V_g 係閘極電壓，V₀ 係接通電壓及μ_sat 係飽和態況中的電荷載子遷移率。在源極-汲極電流開始時測定接通電壓(V₀ )。聚合物1之μ_sat 顯示為5 x 10^-4 cm² /Vs及I_on /I_off 為10⁴ 。

Claims

一種化合物，其包含一或多個式I之二價伸雜芳基單元：
其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義：X¹、X²係O或S，Y係O、S或CU¹U²，U¹、U²係選自CN、C(=O)R或C(=O)OR，或U¹及U²一起形成具有4至15個環原子之非芳族碳環或芳族環，其係視需要經一或多個基團L取代，R¹係H或具有1至30個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂基團係視需要經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰-、-SiR⁰R⁰⁰-、-CF₂-、-CR⁰=CR⁰⁰-、-CY¹=CY²-或-C≡C-以O及/或S原子不直接彼此連接之方式置換，且其中一或多個H原子係視需要經F、Cl、Br、I或CN置換，且其中一或多個CH₂或CH₃基團係視需要經陽離子或陰離子基團或芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、芳氧基或雜芳氧基置換，其中各上述環狀基團具有5至20個環原子，係單環或多環，視需要含有稠合環及係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代，R係具有1至30個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂基團係視需要經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰-、-SiR⁰R⁰⁰-、-CF₂-、-CR⁰=CR⁰⁰-、-CY¹=CY²-或-C≡C-以O及/或S原子不直接彼此連接之方式置換，且其中一或多個H原子係視需要經F、Cl、Br、I或CN置換，且其中一或多個CH₂或CH₃基團係視需要經陽離子或陰離子基團或芳基、雜芳基、芳烷基或雜芳烷基置換，其中各上述環狀基團具有5至20個環原子，係單環或多環，視需要含有稠合環及係未經取代或經一或多個相同或不同基團L取代，L係F、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、R⁰、OR⁰、SR⁰、-C(=O)X⁰、-C(=O)R⁰、-C(=O)-OR⁰、-O-C(=O)-R⁰、-NH₂、-NHR⁰、-NR⁰R⁰⁰、-C(=O)NHR⁰、-C(=O)NR⁰R⁰⁰、-SO₃R⁰、-SO₂R⁰、-OH、-NO₂、-CF₃、-SF₅、或視需要經取代之矽基、或具有1至20個C原子之碳基或烴基，其係視需要經取代且視需要包含一或多個雜原子，Y¹、Y²係H、F、Cl或CN，X⁰係鹵素，R⁰、R⁰⁰係H或具有1至20個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化，限制條件為：若X¹、X²及Y係O，則該式I單元係經由該苯環之1-或4-位置鍵聯至至少一個不同於H或-CN之基團。
如請求項1之化合物，其中R¹及R表示烷基、烷氧基或硫雜烷基，其等均為直鏈或分支鏈，具有1至25個C原子，及係視需要經氟化。
如請求項1之化合物，其係共軛聚合物，其包含一或多個選自如請求項1或2中所定義之式I單元及另外包含一或多個伸芳基或伸雜芳基單元，該伸芳基或伸雜芳基單元具有5至20個環原子，係單環或多環，視需要含有稠合環，係未經取代或經一或多個相同或不同的如請求項1中所定義之基團L取代，及係選自式I或係結構上不同於式I，且其中所有上述單元不彼此直接連接。
如請求項3之化合物，其係共軛聚合物，其包含一或多個式II1或II2之重複單元及視需要之一或多個式II3之重複單元：-(Ar¹)_a-U-(Ar²)_b-(Ar³)_c-(Ar⁴)_d- II1 -(Ar¹)_a-(Ar²)_b-U-(Ar³)_c-(Ar⁴)_d- II2 -(Ar¹)_a-(Ar²)_b-(Ar³)_c-(Ar⁴)_d- II3 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義：U係如請求項1至3中任一項所定義之式I單元，Ar^1-4係伸芳基或伸雜芳基，其具有5至20個環原子，為單環或多環，視需要含有稠合環，係未經取代或經一或多個相同或不同的如請求項1中所定義之基團L取代，及不同於式I，a、b、c、d係0或1，其中在式II3中，a+b+c+d
1。
如請求項4之化合物，其包含一或多個選自下式之重複單元：

其中R¹係如請求項1或2中所定義，X在每次出現時相同或不同地具有如請求項1所給出之X¹之含義中之一者，Y係如請求項1所定義，t係1、2、3或4，且R²、R³及R⁴彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有如請求項1中給出之L之含義中之一者。
如請求項1之化合物，其係式III之共軛聚合物：
其中A係如請求項1至5中任一項所定義之式I、II1、II2或R¹至R¹¹單元， B係如請求項1至5中任一項所定義之式I、II1、II2、II3或R¹至R¹¹單元，其不同於A，x係>0且
1，y係
0且<1，x+y係1，且n係
5的整數。
如請求項6之化合物，其係選自下式之共軛聚合物：

其中X¹、X²、Y及R¹具有如請求項1中所給出之含義，X^1a具有針對X¹所給出之含義中之一者，X^2a具有針對X¹所給出之含義中之一者，Y^a具有針對Y所給出之含義中之一者，R^1a具有針對R¹所給出之含義中之一者，Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴、a、b、c及d具有如請求項4中所給出之含義， x、y及n具有如請求項6中所給出之含義，且在式III3及III5中，X¹、X²、Y及R¹中之至少一者係分別不同於其對應基團X^1a、X^2a、Y^a及R^1a。
如請求項4之化合物，其中Ar¹、Ar²、Ar³及Ar⁴中之一或多者表示選自由下式組成之群之伸芳基或伸雜芳基：

其中R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴彼此獨立地表示H或具有如請求項1中所定義之L之含義中之一者。
如請求項4之化合物，其中Ar¹、Ar²、Ar³及Ar⁴中之一或多者表示選自由下式組成之群之伸芳基或伸雜芳基：
其中R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴彼此獨立地表示H或具有如請求項1中所定義之L之含義中之一者。
如請求項4之化合物，其中Ar¹、Ar²、Ar³及Ar⁴中之一或多者表示選自由下式組成之群之伸芳基或伸雜芳基：

其中R¹¹及R¹²彼此獨立地表示H或具有如請求項1中所定義之L之含義中之一者。
如請求項1之化合物，其係選自下式之共軛聚合物：

其中R¹係如請求項1或2中所定義，X在每次出現時相同或不同地具有如請求項1所給出的X¹之含義中之一者，Y係如請求項1中所定義，t係1、2、3或4，n係如請求項6中所定義，且R²、R³及R⁴彼此獨立地且在每次出現時相同地或不同地具有針對L所給出之含義中之一者。
如請求項1之化合物，其係式IV之共軛聚合物：R⁵-鏈-R⁶ IV其中「鏈」表示選自如請求項6、7及11中所定義之式III、III1至III8及P1至P32之聚合物鏈，且R⁵及R⁶彼此獨立地具有如請求項1或2中所定義之R¹或L之含義中之一者或彼此獨立地表示H、F、Br、Cl、I、-CH₂Cl、-CHO、-CR'=CR"2、-SiR'R"R'''、-SiR'X'X"、-SiR'R"X'、-SnR'R"R'''、-BR'R"、-B(OR')(OR")、-B(OH)₂、-O-SO₂-R'、-C≡CH、-C≡C-SiR'₃、-ZnX'或封端基團，X'及X"表示鹵素，R'、R"及R'''彼此獨立地具有請求項1所給出之R⁰之含義中之一者，且R'、R"及R'''中之兩者亦可與其連接之各自雜原子一起形成具有2至20個C原子之環矽基、環錫烷基、環硼烷或環硼酸基。
如請求項1或2之化合物，其係式V1或V2單體：R⁷-(Ar¹)_a-U-(Ar²)_b-(Ar³)_c-(Ar⁴)_d-R⁸ V1 R⁷-(Ar¹)_a-(Ar²)_b-U-(Ar³)_c-(Ar⁴)_d-R⁸ V2其中U、Ar^1-4、a、b、c及d具有如請求項4、5、8、9或10中所給出之含義，且R⁷及R⁸係彼此獨立地選自由以下組成之群：H、Cl、Br、I、O-甲苯磺酸基、O-三氟甲磺酸基、O-甲磺酸基、O-九氟丁磺酸基、-SiMe₃、-SiMe₂F、-SiMeF₂、-O-SO₂Z¹、-B(OZ²)₂、-CZ³=C(Z³)₂、-C≡CH、-C≡CSi(Z¹)₃、-ZnX⁰、Mg-X⁰及-Sn(Z⁴)₃，其中X⁰係鹵素，Z^1-4係選自由各視需要經取代之C_1-10烷基及C_6-12芳基組成之群，且兩個基團Z²亦可與B-及O-原子一起形成具有2至20個C原子之環硼酸基，且其中R⁷及R⁸中之至少一者係不同於H。
如請求項13之化合物，其係選自下式：R⁷-Ar¹-U-Ar²-R⁸ V1a R⁷-U-R⁸ V1b R⁷-Ar¹-U-R⁸ V1c R⁷-U-Ar²-R⁸ V1d其中U、Ar¹、Ar²、R⁷及R⁸係如請求項13中所定義。
如請求項13之化合物，其係選自式V3：R⁷-U*-R⁸ V3其中U*係選自如請求項5中所定義之式R¹至R¹¹之單元，且R⁷及R⁸係如請求項13中所定義。
如請求項4之化合物，其中a)Ar¹、Ar²、Ar³及Ar⁴中之一或多者表示選自由如請求項8中所定義之式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140、D141及D146組成之群之伸芳基或伸雜芳基，及/或b)Ar¹、Ar²、Ar³及Ar⁴中之一或多者表示選自由如請求項9中所定義之式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A74、A88、A92及A98組成之群之伸芳基或伸雜芳基，及c)Ar¹、Ar²、Ar³及Ar⁴中之一或多者表示選自由如請求項10中所定義之式Sp1、Sp6及Sp13組成之群之伸芳基或伸雜芳基。
如請求項1或2之化合物，其係選自式VI：
其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義：Ar1-8具有請求項4、8、9或10中針對Ar1所給出之含義中之一者或如請求項1中所定義之式I單元或-CY¹=CY²-，Y¹、Y²係H、F、Cl或CN，R^1t、2t係H、F、Cl、Br、-CN、-CF₃、R^*、-CF₂-R^*、-O-R^*、-S-R^*、-SO₂-R^*、-SO₃-R^*、-C(=O)-R^*、-C(=S)-R^*、-C(=O)-CF₂-R^*、-C(=O)-OR^*、-C(=S)-OR^*、-O-C(=O)-R^*、-O-C(=S)-R*^*、-C(=O)-SR*、-S-C(=O)-R^*、-C(=O)NR^*R^**、-NR^*-C(=O)-R^*、-NHR*、-NR^*R^**、-CR^*=CR^*R^**、-C≡C-R^*、-C≡C-SiR^*R^**R^***、-SiR^*R^**R^***、-CH=C(CN)-C(=O)-OR*、-CH=C(CO-OR^*)₂、-CH=C(CO-NR^*R^**)₂、CH=C(CN)(Ar⁹)、

Ar^9、10係芳基或雜芳基，各具有4至30個環原子，視需要包含稠合環及係未經取代或經一或多個如請求項1中所定義之基團L取代，R^*、R^**、R^***係具有1至20個C原子之烷基，其係直鏈、分支鏈或環狀，且係未經取代，或經一或多個F或Cl原子或CN基團取代，或經全氟化，且其中一或多個C原子係視需要經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-SiR⁰R⁰⁰-、-NR⁰R⁰⁰-、-CHR⁰=CR⁰⁰-或-C≡C-置換使得O-及/或S-原子不彼此直接連接，R⁰、R⁰⁰係H或具有1至20個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視需要經氟化，a至h係0或1，較佳為a至h中之至少一者為1，m係1、2或3，L具有請求項1中給出之含義中之一者，r係0、1、2、3或4，限制條件為若a+b+c+d+e+f+g+h=0且X¹、X²及Y係O，則R^1t及R^2t中之至少一者係不同於H。
如請求項17之化合物，其中Ar^1-10係選自以下群組：a)由如請求項8中所定義之式D1、D7、D10、D11、D19、D22、D29、D30、D35、D36、D44、D55、D84、D87、D88、D89、D93、D106、D111、D140及D141組成之群，及/或b)由如請求項9中所定義之式A1、A6、A7、A15、A16、A20、A74、A88、A92及A98組成之群，c)由如請求項10中所定義之式Sp1、Sp6及Sp10組成之群。
如請求項17或18之化合物，其係選自式VI1：R^1t-U^*-R^2t VI1其中U^*係選自如請求項5中所定義之式R¹至R¹¹之單元，且R^1t及R^2t具有如請求項17中所給出之含義。
一種混合物，其包含一或多種如請求項1至19中任一項之化合物及一或多種額外化合物，該等額外化合物具有半導體、電荷傳輸、電洞或電子傳輸、電洞或電子阻擋、導電、光導或發光性質中之一或多者。
一種混合物，其包含一或多種如請求項1至19中任一項之化合物及一或多種n型有機半導體。
如請求項21之混合物，其中該等n型有機半導體係選自富勒烯或經取代之富勒烯。
一種調配物，其包含一或多種如請求項1至22中任一項之化合物或混合物，且另外包含一或多種選自有機溶劑之溶劑。
一種光電、電子、電致發光、光致發光裝置或其組件或包含其之總成，其係使用如請求項23之調配物來製備。
一種如請求項1至22中任一項之化合物或混合物作為半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料或於光學、光電、電子、電致發光、光致發光裝置或於此類裝置之組件或於包含此類裝置或組件之總成中之用途。
一種電荷傳輸、導電、光導或發光材料，其包含如請求項1至22中任一項之化合物或混合物。
一種光電、電子、電致發光、光致發光裝置或其組件或包含其之總成，其包含如請求項1至22中任一項之化合物或混合物，或包含如請求項26之半導體、電荷傳輸、導電、光導或發光材料。
如請求項27之光學、光電、電子、電致發光、光致發光裝置或其組件或包含其之總成，其光學、光電、電子、電致發光或光致發光裝置係選自有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)、有機發光電晶體(OLET)、有機光伏打裝置(OPV)、有機光偵測器(OPD)、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池(DSSC)、基於鈣鈦礦之太陽能電池、雷射二極體、肖特基二極體(Schottky diode)、光導體及光偵測器。
如請求項27之光電、電子、電致發光、光致發光裝置或其組件或包含其之總成，其組件係選自電荷注入層、電荷傳輸層、中間層、平坦化層、抗靜電薄膜、聚合物電解質膜(PEM)、導電基板及導電圖案。
如請求項27之光電、電子、電致發光、光致發光裝置或其組件或包含其之總成，其總成係選自積體電路(IC)、射頻識別(RFID)標籤或安全標記或包含其之安全裝置、平板顯示器或其背光、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶體裝置、感測器裝置、生物感測器及生物晶片。
一種塊體異質接面，其包含如請求項20至22中任一項之混合物或自其形成。
一種塊體異質接面(BHJ)OPV裝置，其包含如請求項31之塊體異質接面。
一種製備如請求項1至12中任一項之共軛聚合物之方法，其係藉由於芳基-芳基偶合反應中使一或多種選自如請求項13、14、15及16之單體與彼此及/或與一或多種式MI至MIV單體偶合：R⁷-Ar¹-R⁸ MI R⁷-Ar²-R⁸ MII R⁷-Ar³-R⁸ MIII R⁷-Ar⁴-R⁸ MIV 其中Ar^1-4、R⁷及R⁸具有如請求項13中所給出之含義。