TWI781557B - 用於極紫外光光罩的保護膜、自光罩拆卸及安裝保護膜的方法 - Google Patents

用於極紫外光光罩的保護膜、自光罩拆卸及安裝保護膜的方法 Download PDF

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Abstract

在從光罩拆卸保護膜的方法中，將具有保護膜的光罩放置在保護膜固持器上。保護膜藉由多個微結構附接於光罩。在施加拉力以將保護膜與光罩分離之前或不施加拉力的情況下，藉由向多個微結構施加力量或能量來使多個微結構與光罩分離。將保護膜從光罩上卸下。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構由彈性體製成。

Description

用於極紫外光光罩的保護膜、自光罩拆卸及安裝保護膜的方 法
本揭露係有關於一種用於極紫外光光罩的保護膜、自光罩拆卸及安裝保護膜的方法。
在積體電路(IC)設計期間，針對IC處理的不同步驟，產生了IC的許多佈局圖案。佈局圖案包含與要在基板上製造的結構相對應的幾何形狀。佈局圖案可以是光罩上的圖案，其被輻射源投影(例如成像)在基板上的光阻劑層上以形成IC。光刻製程將光罩的圖案轉移到基板的光阻劑層，使得僅將蝕刻、注入或其他步驟應用於基板的預定區域。可以使用極紫外(EUV)輻射源將光罩的圖案轉移到光阻劑層上，以暴露基板的光阻劑層。
在本揭露的一些實施方式中，一種自光罩上拆卸保護膜的方法包含：將帶有保護膜之光罩放置於保護膜固持 器上，保護膜藉由多個微結構附接於光罩；於施加拉力之前或不施加拉力，藉由向微結構施加力量或能量而將微結構自光罩分離，以將保護膜自光罩分離；以及自光罩上卸下保護膜。
在本揭露的一些實施方式中，一種自光罩安裝保護膜的方法包含：將光罩放於光罩固持器上；將保護膜放置於保護膜固持器上，保護膜包含具有開口之框架，且多個微結構設置於框架之底部上；藉由移動保護膜固持器以將微結構附接於光罩，致使微結構抵靠光罩之表面；以及移動保護膜固持器以保留帶有保護膜之光罩於光罩固持器上。
在本揭露的一些實施方式中，一種用於極紫外光光罩的保護膜包含極紫外光透明膜、框架以及多個微結構。框架具有開口。微結構由黏著彈性體製成並設置於框架之底部上。
10:光罩
20:保護膜
22:EUV透射膜
23:電漿羽流
24:框架
25:黏著結構
26:基礎層
27:黏著層
28:微結構
28A,28C,28E:微纖維
28B,28D:微錐
85:液滴捕獲器
100:光罩限位器
101,130:光罩固持器
105:腔室
110:收集器鏡
115:液滴產生器
117:噴嘴
120,121:保護膜固持器
140:磁體
200:暴露元件
205a,205b,205d,205e:光學元件
205c:反射式光罩
206:真空壓力控制器
208:壓力感測器
210:靶材半導體基板
300:激發雷射源
310:雷射產生器
320:雷射引導光學元件
330:聚焦設備
BF:基礎地板
D1:長度
DMP1,DMP2:阻尼器
DP:靶材液滴
ERS:EUV輻射源
LR0:雷射束
LR2:激發雷射束
MF:主地板
PP1,PP2:基座板
PR:光阻劑層
S101,S103,S105,S107,S201,S202,S203,S204:步驟
TL:靶材層
W1,W2,W3,W4:寬度
ZE:激發區域
當結合附圖閱讀時，得以自以下詳細描述最佳地理解本揭露。需強調的是，根據本領域之標準實務，各種特徵並未按比例繪製且僅用於說明目的。事實上，為了論述清楚起見，可任意地增大或減小各種特徵之尺寸。
第1圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的具有雷射產生的電漿(LPP)EUV輻射源的極紫外(EUV)光刻系統的示意圖。
第2圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的EUV光刻暴露工具的示意圖。
第3A圖是根據本揭露的一些實施方式的具有保護膜的反射式光罩的平面圖。第3B圖是根據本揭露的一些實施方式的具有保護膜的反射式光罩的剖面圖。
第4A圖以及第4B圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝結構的各種視圖。
第5A圖、第5B圖、第5C圖以及第5D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第6A圖、第6B圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝以及拆卸操作。第6G圖、第6H圖、第6I圖、第6J圖以及第6K圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第7A圖、第7B圖、第7C圖以及第7D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第8A圖、第8B圖、第8C圖、第8D圖、第8E圖、第8F圖以及第8G圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第9A圖、第9B圖、第9C圖以及第9D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第10A圖、第10B圖、第10C圖、第10D圖、第10E圖以及第10F圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第11A圖、第11B圖、第11C圖以及第11D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第12A圖、第12B圖、第12C圖、第12D圖、第12E圖以及第12F圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第13A圖、第13B圖、第13C圖以及第13D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第14A圖、第14B圖、第14C圖、第14D圖、第14E圖以及第14F圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
第15圖是根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作的流程圖。
第16A圖是表示半導體元件的製造方法的流程圖。第16B圖、第16C圖、第16D圖以及第16E圖繪示了根據本揭露實施方式的製造半導體元件的方法的順序製造操作。
應當理解，以下揭露內容提供用於實施本揭露之不同特徵的許多不同實施方式或實施例。以下描述部件及排列之特定實施例以簡化本揭露。當然，此些僅為實施例，且並不意欲為限制。舉例來說，在以下敘述中，形成第一特徵在第二特徵上方或之上可以包含第一和第二特徵直接接觸形成的實施方式，並且還可以包含在第一和第二特徵之間形成附加特徵的實施方式，使得第一和第二特徵可以 不直接接觸。另外，本揭露可以在各個實施方式中重複參考數字和/或字母。該重複是出於簡單和清楚的目的，並且其本身並不指示所討論的各種實施方式和/或配置之間的關係。
另外，為了便於描述，可在本文中使用像是「在……下面」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「上部」及其類似術語之空間相對術語，以描述如諸圖中所繪示之一個元件或特徵與另一(另一些)元件或特徵的關係。除了諸圖中所描繪之定向以外，此些空間相對術語意欲涵蓋元件在使用中或操作中之不同定向。元件可以其他方向(旋轉90度或以其他方向)，且可同樣相應地解釋本文中所使用之空間相對描述詞。另外，術語「由……製成」可意謂「包含」或「由……組成」。在本揭露中，術語「A、B和C之一」是指「A、B和/或C」(A，B，C，A和B、A和C、B和C或A、B和/或C)，除非另有說明，否則不表示來自A的一個元素、來自B的一個元素和來自C的一個元素。關於一個實施方式說明的材料、配置、尺寸、結構、條件和操作可以在其他實施方式中採用，並且可以省略一些說明。
保護膜是在框架上方伸展的透明保護膜，框架用黏著劑附接在光罩(也稱為割線片)的一側，以保護光罩免受損壞、灰塵和/或濕氣的侵害。進一步地，當EUV光罩被保護膜覆蓋時，顆粒將沉積在保護膜上而非EUV光罩，因此，當EUV光罩上的圖案被成像在基板上時，不在EUV 光罩的平面上的顆粒不會在基板上產生聚焦影像。可以期望保護膜對光刻製程的輻射源高度透明。在EUV光刻中，保護膜應在EUV波長區域內高度透明，並具有較高的耐久性。
在一些實施方式中，當將保護膜放置(例如，安裝)在EUV光罩的頂部上時，保護膜放置在多個黏著劑螺柱或夾具的頂部上，並且在EUV光罩和保護膜之間創造在約2mm至約5mm之間的距離。因此，在一些實施方式中，藉由EUV光罩與保護膜之間的距離產生一個或多個開口。在一些實施方式中，保護膜被附接到安裝夾具，並且安裝夾具被附接到EUV光罩上方，該EUV光罩具有多個黏著劑螺柱，例如，在EUV光罩的四個角落的四個螺柱。或者，EUV光罩與保護膜之間的距離可以被完全密封，並且EUV光罩與保護膜之間的距離不產生開口。
第1圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的具有雷射產生電漿(LPP)EUV輻射源的EUV光刻系統的示意圖。EUV光刻系統包含用於產生EUV輻射的EUV輻射源ERS(EUV光源)、暴露元件200(像是掃描儀)以及激發雷射源300。如第1圖所示，在一些實施方式中，EUV輻射源ERS以及暴露元件200被安裝在無塵室的主地板MF上，而激發雷射源300被安裝在位於主地板下方的基礎地板BF中。每個EUV輻射源ERS以及暴露元件200分別經由阻尼器DMP1以及DMP2放置在基座板PP1和PP2上方。EUV輻射源ERS以及暴露元件200 藉由耦合機構彼此耦合，耦合機構可以包含聚焦單元。在一些實施方式中，光刻系統包含EUV輻射源ERS以及暴露元件200。
光刻系統是被設計為藉由EUV光(本文中也可交替地稱為EUV輻射)暴露光阻劑層的EUV光刻系統。光阻劑層是對EUV光敏感的材料。EUV光刻系統採用EUV輻射源ERS來產生EUV光，例如具有範圍在約1nm至約50nm之間的波長的EUV光。在一個特定實施例中，EUV輻射源ERS產生具有以約13.5nm為中心的波長的EUV光。在本實施方式中，EUV輻射源ERS利用雷射產生電漿(LPP)的機制來產生EUV輻射。
暴露元件200包含各種反射光學部件，例如凸/凹/平面鏡，包含光罩台的光罩保持機構以及晶圓保持機構，例如基板保持機構。由EUV輻射源ERS產生的EUV輻射被反射光學部件引導到固定在光罩台上的光罩上。在一些實施方式中，光罩台包含用於固定光罩的靜電卡盤(e-chuck)。由於氣體分子吸收EUV光，因此用於EUV光刻圖案化的光刻系統保持在真空或低壓環境中，以避免EUV強度損失。在第2圖中更詳細地描述暴露元件200。在一些實施方式中，EUV光罩被轉移到暴露元件200中。如上所述，暴露元件200被保持在真空環境下，並且EUV光罩被安裝在基板上方，並且光阻劑層設置在基板上。EUV光罩的保護膜安裝在EUV光罩上方。在將具有保護膜的EUV光罩轉移到暴露元件200中之後，藉由安裝夾具(框 架)中的孔，使EUV光罩以及保護膜之間的外殼中之氣壓與暴露元件200的真空環境相等。由EUV輻射源ERS產生的EUV輻射被光學部件引導以將光罩投射在基板的光阻劑層上。在一些實施方式中，於光罩在基板的光阻劑層上暴露之後，將具有保護膜的EUV光罩移出暴露元件200。在將具有保護膜的EUV光罩移出暴露元件200之後。然後，藉由安裝夾具中的孔，EUV光罩和保護膜之間的外殼中的氣壓與暴露元件200外部的氣壓相等。
在本揭露中，術語遮罩(mask)、光罩(photo mask)和割線片(reticle)可交替使用。另外，術語抗蝕劑和光阻劑可交替使用。在一些實施方式中，光罩是反射式光罩。在一些實施方式中，光罩包含具有適當材料的基板，例如低熱膨脹材料或熔融石英。在各種實施例中，該材料包含摻雜有TiO2的SiO2或其他具有低熱膨脹的合適材料。光罩包含沉積在基板上的多個反射層(ML)。ML包含多個膜對，例如鉬-矽(Mo/Si)膜對(例如，一層鉬在每個膜對中的一層矽的上方或下方)。或者，ML可以包含鉬-鈹(Mo/Be)膜對，或其他可配置為高度反射EUV光的合適材料。光罩可以還包含設置在ML上的用於保護的覆蓋層，例如釕(Ru)。光罩還包含沉積在ML上方的吸收層，例如氮化鉭硼(TaBN)層。吸收層被圖案化以定義積體電路(IC)的一層。或者，可以在ML上方沉積另一反射層並且對其進行圖案化以定義積體電路的一層，從而形成EUV相移光罩。第3A圖以及第3B圖說明了上述光罩。
暴露元件200包含投影光學模組，該投影光學模組用於將光罩的圖案成像到半導體基板上，並且其上塗覆的抗蝕劑固定在暴露元件200的基板台上。該投影光學模組通常包含反射光學元件。從光罩引導的EUV輻射(EUV光)攜帶著在光罩上定義的圖案之影像，該影像由投影光學模組收集，從而在抗蝕劑上形成影像。
在本揭露的各種實施方式中，半導體基板是半導體晶圓，像是將被圖案化的矽晶圓或其他類型的晶圓。在本揭露的實施方式中，半導體基板塗覆有對EUV光敏感的光阻劑層。包含上述的各種部件被整合在一起並且可操作以執行光刻暴露製程。光刻系統可以進一步包含其他模組，或者與其他模組整合(或耦合)。
如第1圖所示，EUV輻射源ERS包含由腔室105包圍的液滴產生器115以及LPP收集器鏡110。液滴產生器115產生多個靶材液滴DP，其經由噴嘴117被供應到腔室105中。在一些實施方式中，靶材液滴DP是錫(Sn)、鋰(Li)或錫鋰合金。在一些實施方式中，靶材液滴DP各自具有在約10微米(μm)至約100μm的範圍內的直徑。舉例來說，在一個實施方式中，靶材液滴DP是錫液滴，每個錫液滴的直徑為約10μm、約25μm、約50μm或在這些值之間的任何直徑。在一些實施方式中，靶材液滴DP經由噴嘴117以從約每秒50個液滴(即，約50Hz的噴射頻率)至每秒約50,000個液滴(即，約約50kHz的噴射頻率)。舉例來說，在一個實施方式中， 以約50Hz、約100Hz、約500Hz、約1kHz、約10kHz、約25kHz、約50kHz或任何在這些頻率之間的噴射頻率供應靶材液滴DP。在各種實施方式中，靶材液滴DP經由噴嘴117以從約每秒10米(m/s)至約100m/s的範圍內的速度噴射到激發區域ZE(例如，靶材液滴位置)中。舉例來說，在一個實施方式中，靶材液滴DP具有約10m/s、約25m/s、約50m/s、約75m/s、約100m/s的速度，或在這些值之間的任何速度。
由激發雷射源300產生的激發雷射束LR2是脈衝束。激發雷射束LR2的雷射脈衝由激發雷射源300產生。激發雷射源300可以包含雷射產生器310、雷射引導光學元件320以及聚焦設備330。在一些實施方式中，雷射產生器310包含二氧化碳(CO2)或摻釹釔鋁石榴石(Nd：YAG)雷射源，其波長在電磁光譜的紅外光區域內。舉例來說，在一個實施方式中，雷射源(雷射產生器)310具有9.4μm或10.6μm的波長。由激發雷射源300產生的雷射束LR0由雷射引導光學元件320引導，並由聚焦設備330聚焦到被導入到EUV輻射源ERS中的激發雷射束LR2中。在一些實施方式中，除了CO2和Nd：YAG雷射器外，激發雷射束LR2還由氣體雷射產生，包含準分子氣體放電雷射、氦氖雷射、氮氣雷射、橫向激發大氣(TEA)雷射、氬離子雷射、銅蒸氣雷射、KrF雷射或ArF雷射；或固態雷射器，包含Nd：玻璃雷射器，摻釔玻璃或陶瓷雷射或紅寶石雷射。在一些實施方式中，激發雷射源300也 產生非電離雷射束，並且聚焦設備330也聚焦非電離雷射束。
在一些實施方式中，激發雷射束LR2包含預熱雷射脈衝以及主雷射脈衝。在這樣的實施方式中，預熱雷射脈衝(在本文中可交替地稱為“預脈衝”)用於加熱(或預熱)給定的靶材液滴以產生具有多個較小液滴的低密度靶材羽流，隨後與來自不使用預熱雷射脈衝的脈衝相比，被來自主雷射脈衝(主脈衝)加熱(或重新加熱)的脈衝產生的EUV光發射增加。
在各個實施方式中，預熱雷射脈衝的光斑尺寸為約100μm或更小，主雷射脈衝的光斑尺寸在約150μm至約300μm的範圍內。在一些實施方式中，預熱雷射以及主雷射脈衝的脈衝持續時間在約10ns至約50ns的範圍內，並且脈衝頻率在約1kHz至約100kHz的範圍內。在各種實施方式中，預熱雷射以及主雷射的平均功率在從約1千瓦(kW)至約50kW的範圍內。在一個實施方式中，激發雷射束LR2的脈衝頻率與靶材液滴DP的噴射頻率匹配。
激發雷射束LR2被引導經由窗口(或透鏡)進入激發區域ZE。窗口採用對雷射束實質上透明的合適材料。雷射脈衝的產生與靶材液滴DP經由噴嘴117的噴射同步。隨著靶材液滴移動通過激發區域，預脈衝加熱靶材液滴並將其轉變為低密度靶材羽流。控制預脈衝和主脈衝之間的延遲，以允許靶材羽流形成並擴展到最佳大小和幾何形狀。 在各個實施方式中，預脈衝和主脈衝具有相同的脈衝持續時間和峰值功率。當主脈衝加熱靶材羽流時，會產生高溫電漿。電漿發射由收集器鏡110收集的EUV輻射。收集器鏡110(EUV收集器鏡)進一步反射並聚焦EUV輻射，以用於經由暴露元件200執行的光刻暴露製程。不與雷射脈衝相互作用的液滴DP被液滴捕獲器85捕獲。
一種使來自激發雷射的脈衝(預脈衝和主脈衝中的一個或兩者)的產生與靶材液滴到達激發區域中同步的一種方法是在給定位置檢測靶材液滴的路徑，並將其用作觸發激發脈衝(或預脈衝)的訊號。在這種方法中，舉例來說，如果靶材液滴的通過時間用來表示，則產生(和檢測到)EUV輻射的時間以t o 表示，產生(和檢測到)EUV輻射的時間以t rad 表示，並且檢測到目標液滴通過的位置與激發區域的中心之間的距離為d，靶材液滴的速度v dp 計算為v dp =d/(t rad -t o )…公式(1)。因為期望液滴產生器115以固定的速度可重複地供應液滴，所以一旦計算了v dp ，在檢測到靶材液滴已經通過給定位置之後，以d/v dp 的時間延遲觸發激發脈衝，以確保當靶材液滴到達激發區域的中心時，激發脈衝同時到達。在一些實施方式中，因為靶材液滴的通過被用來觸發預脈衝，所以主脈衝在預脈衝之後的固定延遲之後被觸發。在一些實施方式中，如果需要，藉由週期性地測量t rad 來週期性地重新計算靶材液滴速度v dp 的值，並且使與靶材液滴到達的脈衝的產生重新同步。
第2圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的EUV光刻(EUVL)暴露工具的示意圖。第2圖的EUVL暴露工具包含：暴露元件200，該暴露元件200繪示了用EUV光的圖案化光束對光阻劑塗覆的基板以及靶材半導體基板210的暴露。暴露元件200是積體電路光刻工具，像是步進器、掃描器、步進及掃描系統、直接寫入系統、使用接觸和/或接近光罩的元件等，其具有一個或多個光學元件205a、205b用於例如以EUV光束照射圖案化光學元件，像是EUV光罩(例如，反射式光罩205c)，以產生圖案化的光束，以及一個或多個縮小投影光學元件205d、205e以投射圖案化的光束到靶材半導體基板210上。機械組件(未繪示)用於在靶材半導體基板210以及圖案化光學元件(例如，反射式光罩205c)之間產生受控的相對運動。進一步如第2圖所示的EUVL暴露工具還包含在激發區域ZE具有電漿羽流23的EUV輻射源ERS，該電漿羽流在腔室105中發射EUV光，該EUV光被收集器鏡110收集並反射到暴露元件200中以照射靶材半導體基板210。在一些實施方式中，暴露元件200內部的壓力由暴露元件200內部的壓力感測器208感測，並且由耦合至暴露元件200的真空壓力控制器206控制。
如上所述，由於氣體分子吸收EUV光，因此用於EUV光刻圖案化的光刻系統(例如，暴露元件200)保持在真空環境中以避免EUV強度損失。在將具有保護膜的EUV光罩轉移到暴露元件200中之後，藉由安裝夾具(框 架)中的孔，使EUV光罩與保護膜之間的外殼中的氣壓與暴露元件200的真空環境相等，從而在EUV光罩和保護膜之間的外殼中產生真空。在一些實施方式中，於光罩在基板的光阻劑層上暴露之後，具有保護膜的EUV光罩以及EUV光罩結構被轉移到暴露元件200之外。具有保護膜的EUV光罩從暴露元件200轉移出來後，藉由安裝夾具中的孔，EUV光罩和保護膜之間的外殼中的真空，與暴露元件200外部的大氣壓相等，因此，在EUV光罩與保護膜之間的外殼中產生大氣壓。
第3A圖是根據本揭露的一些實施方式的具有保護膜的反射EUV光罩的平面圖，第3B圖是根據本揭露的一些實施方式的具有保護膜的反射EUV光罩的剖面圖。
如第3A圖以及第3B圖所示，反射EUV光罩10被保護膜20覆蓋。EUV光罩10包含基板、沉積在基板上的反射多層(ML)、導電背側塗層、設置在反射ML上的覆蓋層以及在覆蓋層上的吸收層。在一些實施方式中，基板30的材料包含摻雜有TiO2的SiO2或其他具有低熱膨脹的合適材料。在一些實施方式中，基板包含熔融石英並且具有在約6mm至約7mm之間的厚度。在一些實施方式中，ML包含多個膜對，像是鉬-矽(Mo/Si)膜對(例如，一層鉬在每個膜對中的一層矽的上方或下方)。在一些實施方式中，ML具有40至50對的鉬層以及矽層，並且每個鉬層具有3nm的厚度，並且每個矽層具有4nm的厚度。因此，在一些實施方式中，ML的厚度在280nm 至350nm之間。或者，ML可以包含鉬-鈹(Mo/Be)膜對，或配置以高度反射EUV光的其他合適的材料。覆蓋層可以包含釕(Ru)並且可以設置在ML上以用於保護並且可以具有2.5nm的厚度。在一些實施方式中，覆蓋層可以包含Ru或矽(Si)，並且可以設置在ML上以用於保護並且可以具有4nm的厚度。在一些實施方式中，包含氮化鉭硼(TaBN)層的吸收層沉積在ML和覆蓋層上方。在一些實施方式中，吸收層以圖案特徵被圖案化以定義用於積體電路(IC)的層的佈局圖案。在一些實施方式中，背側塗層包含氮化鉻(CrN)或硼化鉭(TaB)並且具有20nm至100nm的厚度。在一些實施方式中，另一反射層可以沉積在ML上方並且被圖案化以定義積體電路的層，從而形成EUV相移EUV光罩。在一些實施方式中，吸收層45包含TaBO、TaBN、TaNO以及TaN中的一種或其組合，並且具有在50nm至70nm之間的厚度。
在一些實施方式中，保護膜20包含EUV透射膜22，該EUV透射膜22包含例如半導體材料(像是Si、SiC或SiGe的多層)；金屬合金，像是矽化物(WSi、NiSi、TiSi、CoSi、MoSi、ZrSi、NiZrSi等)；介電材料，像是氮化矽；金屬材料，像是Mo、Zr、Nb、B、Ti或Ru，或其他合適的材料。在一些實施方式中，保護膜20包含具有開口的框架24。藉由將框架24經由黏著劑或膠黏結構(黏著結構)25附接到EUV光罩10，將保護膜20 安裝在EUV光罩10上。
通常藉由施加壓力以將保護膜20壓靠EUV光罩10以將保護膜20安裝到EUV光罩10上，尤其是對壓敏黏著劑材料施加。通常藉由施加拉力以克服黏著材料的膠黏或黏著力來從EUV光罩10上拆卸保護膜20。在安裝和拆卸操作中，期望不要在EUV光罩上留下黏著劑材料的任何殘留物。此外，期望減少施加力和/或拉力以減少安裝和/或拆卸操作時間並避免保護膜和/或EUV光罩破裂。在下面的實施方式中說明了將保護膜組件安裝到EUV光罩上以及從EUV光罩上拆卸保護膜的結構和過程，其可以改善保護膜的安裝和/或拆卸操作。
第4A圖以及第4B圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝結構的各種視圖。
在一些實施方式中，黏著結構25包含多個微結構28。微結構28是短管、纖維、突起、柱、圓柱、楔形和/或圓錐形。多個微結構28彼此規則地或隨機地間隔排列。在一些實施方式中，每個微結構28的平均直徑在約0.5μm至約500μm的範圍內，並且在其他實施方式中在約2μm至約200μm的範圍內。在一些實施方式中，相鄰的微結構28之間的間隔在約1μm至約10,000μm的範圍內，並且在其他實施方式中在約10μm至約1000μm的範圍內。在一些實施方式中，每單位面積的微結構28的數量在約1個/mm2至約10,000個/mm2的範圍內，並且在其他實施方式中，在10個/mm2至約1000個/mm2 的範圍內。在一些實施方式中，要附接到光罩10的微結構的端部的面積越小，微結構的數量就越大。在一些實施方式中，面積A乘以數量N(AN)為約0.01至約10。當AN太大時，黏著力會超過所需的閾值，並且可能難以從光罩上去除保護膜。當AN太小時，黏著力可能不足。
在一些實施方式中，附接到EUV光罩10的微結構28的長度在約1μm至約20,000μm的範圍內，而在其他實施方式中，在約10μm至約1000μm的範圍內。在一些實施方式中，以及在其他實施方式中，長度在約40μm至約500μm的範圍內。當長度太小時，在EUV掃描器中達到壓力平衡狀態可能需要更長的時間。當長度太大時，保護膜的保護效果可能會降低。在一些實施方式中，在附接到EUV光罩10之前，微結構28的長度D1比長度D1長約10-40%。當微結構太薄和/或太少時，黏著強度會太低，並且保護膜可能無法穩定地固定在EUV光罩上。當微結構太厚和/或太多時，黏著強度太大，並且保護膜的安裝和/或拆卸操作可能很困難(需要更大的力)。當微結構太短時，在安裝和/或拆卸操作中的力公差太小，而當微結構太長時，保護膜可能無法穩定地安裝在EUV光罩上。在一些實施方式中，藉由凡德瓦力將微結構附接或固定至光罩10的表面。
在一些實施方式中，如第4A圖所示，多個微結構28從由與微結構相同或不同的材料製成的基礎層26突伸。在一些實施方式中，如第4B圖所示，由與基礎層26和/ 或微結構28不同的材料製成的黏著層27設置在黏著結構25以及框架24之間。
在一些實施方式中，多個微結構28由彈性體製成，例如聚二甲基矽氧烷(PDMS)、聚氨酯(PU)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯(PP)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)或碳氟化合物(例如，聚四氟乙烯)；形狀記憶聚合物；磁性彈性體；奈米碳管(CNT)或其他合適的材料。
第5A圖、第5B圖、第5C圖以及第5D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。第6A圖、第6B圖、第6C圖、第6D圖、第6E圖以及第6F圖也繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
在一些實施方式中，微結構是如第5A圖所示的多個微纖維28A。在一些實施方式中，多個微纖維28A的平均直徑在約0.5μm至約500μm的範圍內，並且在其他實施方式中在約2μm至約200μm的範圍內。如第5B圖所示，為了將保護膜20安裝到EUV光罩10上，將微纖維28A壓在EUV光罩10的表面上，使得多個纖維的端部附著在光罩10的表面上。在一些實施方式中，按壓力(壓力)在約0.01N/cm2至約1.0N/cm2的範圍內。如果按壓力小於該範圍，則保護膜可能無法固定到EUV光罩，而如果按壓力大於該範圍，則纖維可能會彎曲並且可能無法固定至EUV光罩。為了從EUV光罩10上拆卸保 護膜20，在將保護膜20從EUV光罩拉出之前或不拉出保護膜，將保護膜壓靠在EUV光罩上(或者將光罩10壓在保護膜上，或者兩者皆然)。如第5C圖以及第5D圖所示，藉由將保護膜20壓靠在光罩10上以減小保護膜20和光罩10之間的距離，使多個纖維彎曲，使得纖維的端部從光罩10的表面脫離。一旦藉由彎曲使多個纖維28A的端部脫離，就可以以最小的拉力容易地將保護膜20從光罩10上拆下。如上所述，在拆卸操作中在施加拉力之前或不施加拉力以將保護膜20與光罩10分離的過程中施加了按壓力。
第6A圖至第6C圖以及第6D圖至第6F圖還分別繪示了根據本揭露的一些實施方式的如第5A圖至第5D圖的保護膜安裝和拆卸操作的更多細節。
在安裝操作中，如第6A圖所示，在保護膜安裝設備中，保護膜20由保護膜固持器120支撐，EUV光罩10由光罩固持器130支撐。在一些實施方式中，EUV光罩10朝下放置在光罩固持器130上，並且保護膜由朝上的保護膜固持器120保持。然後，如第6B圖所示，保護膜固持器向光罩10向上移動並且進一步向光罩限位器100移動，使得光罩10抵靠光罩固持器。如第5B圖所示，在保護膜固持器120的移動過程中以及由於其移動，微纖維28A的端部被附接到光罩10。然後，如第6C圖中所示，保護膜固持器120向下移動，使得具有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
在拆卸操作中，如第6D圖所示，將具有保護膜20的光罩10放置在光罩固持器130上。然後，如第6E圖所示，保護膜固持器120朝向具有保護膜20的光罩10向上移動，並進一步朝向光罩限位器100移動，使得光罩10抵靠光罩限位器。如第5C圖所示，保護膜固持器120下壓保護膜20，從而使多個纖維彎曲。然後，如第6F圖所示，保護膜固持器120向下移動，使得不具有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
在其他實施方式中，如第6G圖至第6K圖所示，保護膜固持器121支撐保護膜的側面。第6G圖至第6K圖繪示了拆卸操作。第6H圖以及第6J圖是平面圖。在一些實施方式中，如第6G圖所示，光罩固持器101保持具有保護膜20的光罩10。保護膜固持器121的叉被附接到保護膜20的側面。然後，如第6I圖以及第6J圖所示，保護膜固持器121移動保護膜20以抵靠光罩10，以從光罩10的表面釋放微纖維。然後，如第6K圖所示，保護膜固持器121向下移動以拆卸保護膜20。在一些實施方式中，並非或除了保護膜固持器的垂直移動之外，而是光罩固持器垂直移動(即，彼此相對移動)。
第7A圖、第7B圖、第7C圖以及第7D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
在一些實施方式中，如第7A圖所示，微結構是多個微錐28B，其具有設置在基礎層26上的底部和頂部。在一些實施方式中，圓錐體頂部的寬度(或直徑)W1在約 0.5μm至約500μm的範圍內，或者在其他實施方式中在約2μm至約200μm的範圍內。在一些實施方式中，圓錐在平面圖中具有圓形或橢圓形的底部，而在其他實施方式中，圓錐在平面圖中具有矩形或正方形的底部。在一些實施方式中，頂部寬度W1與底部寬度W2之間的比值(W2/W1)在約1(即，圓柱狀)至約100的範圍內，並且在其他實施方式中在約5至約20的範圍內。
在一些實施方式中，微錐28B由形狀記憶彈性體製成，其藉由向變形的形狀施加熱能而返回原始形狀。如第7B圖所示，為了將保護膜20安裝到EUV光罩10上，將微錐28B壓在EUV光罩10的表面上，以使錐的頂部變形以具有足夠的接觸面積並附接到表面上。然後，以高於閾值溫度Tg的溫度將熱能施加到微錐。在一些實施方式中，取決於材料，Tg在約50℃至約110℃的範圍內。為了從EUV光罩10上拆卸保護膜20，在將保護膜20從EUV光罩10拉出之前或不拉出保護膜，以高於閾值溫度Tg的溫度加熱錐體。如第7C圖以及第7D圖所示，藉由加熱圓錐體，多個圓錐體返回其原始形狀以減小接觸面積，因此圓錐體的端部(頂部)從光罩10的表面脫離。一旦藉由加熱使圓錐體28B的端部脫離，保護膜20就能夠以最小的拉力容易地從光罩10卸下。如上所述，在拆卸操作之前或不施加拉力以將保護膜20與光罩10分離之前，在拆卸操作中施加熱。在一些實施方式中，從設置在保護膜固持器或保護膜中的加熱器施加熱能，並且在其他實施方式 中，光罩固持器，將能量束(例如，紅外光束)施加到保護膜或光罩上，或直接施加到微錐上。在其他實施方式中，光罩周圍的空氣被加熱或被加熱的氣體被施加到光罩以及保護膜。
第8A圖至第8D圖以及第8E圖至第8G圖還分別繪示了根據本揭露的一些實施方式之第7A圖至第7D圖的保護膜安裝和拆卸操作的更多細節。
在安裝操作中，如第8A圖所示，將安裝在安裝箱中的組件安裝到主機上。在保護膜安裝元件中，保護膜20由保護膜固持器120支撐，EUV光罩10由保護膜安裝設備中的光罩固持器130支撐。在一些實施方式中，EUV光罩10被放置在面向下的光罩固持器130上，並且保護膜被保護膜固持器120面向上地保持。然後，如第8B圖所示，保護膜固持器向上朝著光罩10並且進一步朝著光罩限位器100移動，使得光罩10鄰抵靠光罩限位器。如第7B圖所示，在保護膜固持器120的移動期間和移動之後，微錐28B的端部附接到光罩10。然後，如第8B圖所示，在一些實施方式中，在高於閾值溫度Tg的溫度下將熱能從保護膜固持器120施加到微錐28B。在其他實施方式中，從光罩限位器100施加熱能。然後，如第8C圖所示，在使錐體變形並附接到光罩的同時，將錐體的溫度降低(冷卻)到閾值溫度Tg以下(例如，25℃)。然後，如第8B圖所示，保護膜固持器120向下移動，從而將具有保護膜20的光罩10放置在光罩固持器130上。
在拆卸操作中，如第8E圖所示，將具有保護膜20的光罩10放置在光罩固持器130上。然後，如第8F圖所示，在一些實施方式中，在高於閾值溫度Tg的溫度下將熱能從保護膜固持器120施加到微錐28B。在其他實施方式中，從光罩限位器100施加熱能。如第7C圖所示，熱能使錐體的形狀恢復到原始形狀，從而使錐體與光罩10的表面分離。然後，如第8G圖所示，保護膜固持器120向下移動，使得沒有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
第9A圖、第9B圖、第9C圖以及第9D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
在一些實施方式中，如第9A圖所示，微結構是由磁性彈性體(磁流變彈性體(MRE))製成的多個微纖維28C。磁性彈性體包含具有嵌入的微米或奈米尺寸鐵磁顆粒的聚合物基質(基礎聚合物)。在一些實施方式中，如第9A圖所示，微結構具有纖維形狀，並且每個微纖維28C的平均直徑在約0.5μm至約500μm的範圍內，並且在其他實施方式中在約2μm至約200μm的範圍內。如第9B圖所示，為了將保護膜20安裝到EUV光罩10上，將微纖維28C壓靠在EUV光罩10的表面上，使得纖維的端部附接在光罩10的表面上。在一些實施方式中，按壓力(壓力)在約0.01N/cm2至約1.0N/cm2的範圍內。如果按壓力小於該範圍，則保護膜可能無法固定到EUV光罩，而如果按壓力大於該範圍，則纖維可能會彎曲 並且可能無法固定至EUV光罩。為了從EUV光罩10上拆卸保護膜20，如第9C圖所示，對微纖維28C施加磁場以使其彎曲。如第9C圖以及第9D圖所示，使微纖維28C彎曲以使纖維的端部與光罩10的表面脫離。一旦藉由彎曲使微纖維28C的端部脫離，就可以以最小的拉力容易地從光罩10上拆卸保護膜20。如上所述，在拆卸操作之前或沒有施加拉力的情況下，在拆卸操作中施加了磁力以使保護膜20與光罩10分離。
第10A圖至第10C圖以及第10D圖至第10F圖還分別繪示了根據本揭露的一些實施方式的如第9A圖至第9D圖的保護膜安裝和拆卸操作的更多細節。
在安裝操作中，如第10A圖所示，保護膜20由保護膜固持器120支撐，並且EUV光罩10由在保護膜安裝設備中的光罩固持器130支撐。在一些實施方式中，EUV光罩10放置在面向下的光罩固持器130上，並且保護膜由面向上的保護膜固持器120保持。然後，如第10B圖所示，保護膜固持器朝著光罩10向上移動並且進一步朝著光罩限位器100移動，使得光罩10抵靠光罩限位器。如第9B圖所示，在保護膜固持器120的移動期間和移動之後，微纖維28C的端部附接到光罩10。然後，在第10C圖中，保護膜固持器120向下移動，使得具有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
在拆卸操作中，如第10D圖所示，將具有保護膜20的光罩10放置在光罩固持器130上。然後，如第10E 圖所示，保護膜固持器120朝向具有保護膜20的光罩10向上移動，並且磁體140(永磁體或電磁體)放置在光罩10上。如第9C圖所示，藉由來自磁體140的磁力，多個微纖維28C彎曲並從光罩10脫離。然後，如第10F圖中，保護膜固持器120向下移動，使得沒有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
第11A圖、第11B圖、第11C圖以及第11D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
在一些實施方式中，如第11A圖所示，微結構是多個微錐28D，其具有設置在基礎層26上的頂部和底部。在一些實施方式中，錐體的頂部的寬度(或直徑)W3在約0.5μm至約500μm的範圍內，或者在其他實施方式中在約2μm至約200μm的範圍內。在一些實施方式中，圓錐在平面圖中具有圓形或橢圓形的底部，而在其他實施方式中，圓錐在平面圖中具有矩形或正方形的底部。在一些實施方式中，頂部寬度W3與底部寬度W4之間的比值(W4/W3)在約1(即，圓柱狀)至約100的範圍內，並且在其他實施方式中在約5至約20的範圍內。
在一些實施方式中，微錐28D由光反應彈性體製成，其藉由施加光來改變其形狀。在一些實施方式中，光反應彈性體是液晶彈性體。
如第11B圖所示，為了將保護膜20安裝到EUV光罩10上，將微錐28D的底部壓靠在EUV光罩10的表 面，使得微錐28D的底部附接在光罩10的表面上。為了從EUV光罩10拆卸保護膜20，在將保護膜20從EUV光罩拉出之前或不拉出保護膜，將具有目標波長的光(例如，紫外光、可見光或紅外光)施加到微錐28D。如第11C圖以及第11D圖所示，藉由用光照射錐體，多個微錐28D變形以減小接觸面積，並且因此錐體的端部(底部)從光罩10的表面分離。一旦微錐28D的端部被拆下時，可以以最小的拉力容易地從光罩10上卸下保護膜20。如上所述，在拆卸操作之前或沒有施加拉力的情況下，在拆卸操作中施加光以使保護膜20與光罩10分離。
第12A圖至第12C圖以及第12D圖至第12F圖還分別繪示了根據本揭露的一些實施方式的如第11A圖至第11D圖所示的保護膜安裝和拆卸操作的更多細節。
在安裝操作中，如第12A圖所示，保護膜20由保護膜固持器120支撐，EUV光罩10由在保護膜安裝設備中的光罩固持器130支撐。在一些實施方式中，EUV光罩10放置在面向下的光罩固持器130上，並且保護膜由面向上的保護膜固持器120保持。然後，如第12B圖所示，保護膜固持器朝向光罩10向上移動並且進一步向光罩限位器100移動，使得光罩10抵靠光罩限位器。如第11B圖所示，在保護膜固持器120的移動期間以及移動之後，微錐28D的端部被附接到光罩10。然後，如第12C圖所示，保護膜固持器120向下移動，使得具有保護膜20的光罩10放置在光罩固持器130上。
在拆卸操作中，如第12D圖所示，將具有保護膜20的光罩10放置在光罩固持器130上。然後，如第12E圖所示，光被施加到光罩10的上方或下方的微錐28。如第11C圖所示，光改變了錐體的形狀，從而使錐體從光罩10的表面分離。如第12F圖所示，保護膜固持器120向下移動，使得不具有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
第13A圖、第13B圖、第13C圖以及第13D圖繪示了根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作。
在一些實施方式中，如第13A圖所示，微結構是多個微纖維28E或微錐。在一些實施方式中，如第13A圖所示，微結構具有纖維形狀，並且每個微纖維28C的平均直徑在約0.5μm至約500μm的範圍內，並且在其他實施方式中在約2μm至約200μm的範圍內。如第13B圖所示，為了將保護膜20安裝到EUV光罩10上，將微纖維28C壓靠在EUV光罩10的表面，使得纖維的端部附接在光罩10的表面上。在一些實施方式中，按壓力(壓力)在約0.01N/cm2至約1.0N/cm2的範圍內。如果按壓力小於該範圍，則保護膜可能無法固定到EUV光罩，而如果按壓力大於該範圍，則纖維可能會彎曲並且可能無法固定至EUV光罩。如第13C圖所示，為了從EUV光罩10上拆卸保護膜20，對微纖維28C施加超音波。如第13C圖以及第13D圖所示，藉由超音波引起的振動， 微纖維28E從光罩10的表面分離。一旦藉由彎曲使微纖維28E的端部脫離，就可以以最小的拉力容易地將保護膜20從光罩10上卸下。如上所述，在施加拉力之前或不施加拉力以將保護膜20與光罩10分離，在拆卸操作中施加超音波。在一些實施方式中，施加無線電波(例如，微波)以從光罩10分離微結構。
第14A圖至第14C圖以及第14D圖至第14F圖還分別繪示了根據本揭露的一些實施方式的如第13A圖至第13D圖所示的保護膜安裝和拆卸操作的更多細節。
在安裝操作中，如第14A圖所示，保護膜20由在保護膜安裝設備中的保護膜固持器120支撐，EUV光罩10由光罩固持器130支撐。在一些實施方式中，EUV光罩10放置在面向下的光罩固持器130上，並且保護膜由面向上的保護膜固持器120保持。然後，如第14B圖所示，保護膜固持器朝向光罩10向上移動並且進一步向光罩限位器100移動，使得光罩10抵靠光罩限位器。如第13B圖所示，在保護膜固持器120的移動期間以及移動之後，微纖維28C的端部被附接到光罩10。如第14C圖所示，保護膜固持器120向下移動，使得具有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
在拆卸操作中，如第14D圖所示，將具有保護膜20的光罩10放置在光罩固持器130上。然後，如第14E圖所示，保護膜固持器120朝向具有保護膜20的光罩10向上移動，並且將超音波施加到微纖維。如第13C圖所示， 藉由超音波引起的振動，多個微纖維28E從光罩10脫離。如第14F圖所示，保護膜固持器120向下移動，使得沒有保護膜20的光罩10被放置在光罩固持器130上。
第15圖是根據本揭露的一些實施方式的保護膜安裝和拆卸操作的流程圖。在步驟S101，將保護膜安裝在EUV光罩上。在步驟S103中，使用EUV光刻設備(例如，掃描儀)將具有保護膜的EUV光罩以在半導體晶圓上製造圖案。然後，在步驟S105，從光罩上卸下保護膜。在步驟S107，對光罩和保護膜進行清潔和/或檢查操作。然後，在一些實施方式中，將光罩儲存在光罩倉儲中和/或將新的保護膜附接到光罩。
第16A圖繪示了半導體元件的製造方法的流程圖。第16B圖、第16C圖、第16D圖以及第16E圖繪示了根據本揭露實施方式的製造半導體元件的方法的順序製造操作。
第16A圖繪示了半導體元件的製造方法的流程圖。第16B圖、第16C圖、第16D圖以及第16E圖繪示了根據本揭露實施方式的製造半導體元件的方法的順序製造操作。提供將被圖案化的一種半導體基板或其他合適的基板，以在其上形成積體電路。在一些實施方式中，半導體基板包含矽。或者或除此之外，半導體基板包含鍺、鍺化矽或其他合適的半導體材料，例如III-V族半導體材料。在第16A圖的步驟S201，形成圖案化的靶材層TL在半導體基板上方。在某些實施方式中，靶材層TL是半導體 基板。在一些實施方式中，靶材層TL包含導電層，例如金屬層或多晶矽層；以及導電層；介電層，例如氧化矽、氮化矽、SiON、SiOC、SiOCN、SiCN、氧化鉿或氧化鋁；或半導體層，例如磊晶形成的半導體層。在一些實施方式中，靶材層TL形成在像是隔離結構、電晶體或佈線的底層結構上方。在第16A圖的步驟S202，如第16B圖所示，形成光阻劑層PR在靶材層TL上方。在隨後的光刻暴露製程中，光阻劑層PR對來自暴露源的輻射敏感。在本實施方式中，光阻劑層PR對在光刻暴露製程中使用的EUV光敏感。可以藉由旋塗或其他合適的技術在靶材層TL上方形成光阻劑層PR。可以進一步烘烤塗覆的光阻劑層PR以去除光阻劑層PR中的溶劑。在第16A圖的步驟S203，如第16B圖所示，使用具有保護膜的EUV反射式光罩對光阻劑層PR進行圖案化。光阻劑層PR的圖案化包含藉由使用EUV光罩的EUV暴露系統執行光刻暴露製程。在暴露製程中，將在EUV光罩上定義的積體電路(IC)設計圖案成像到光阻劑層PR上，以在其上形成潛像。光阻劑層PR的圖案化還包含顯影暴露的光阻劑層PR以形成具有一個或多個開口的圖案化光阻劑層PR。在光阻劑層PR是正性光阻劑層PR的一個實施方式中，在顯影過程中去除光阻劑層PR的暴露部分。光阻劑層PR的圖案化可以進一步包含其他製程步驟，例如在不同階段的各種烘烤步驟。例如，可以在光刻暴露過程之後並且在顯影過程之前實施暴露後烘烤(PEB)過程。
在第16A圖的步驟S204中，如第16D圖所示，利用圖案化的光阻劑層PR作為蝕刻光罩來圖案化靶材層TL。在一些實施方式中，圖案化靶材層TL包含使用圖案化的光阻劑層PR作為蝕刻光罩對靶材層TL施加蝕刻製程。在圖案化的光阻劑層PR的開口內暴露的蝕刻靶材層TL的部分同時保護其餘部分不受蝕刻。此外，如第16E圖所示，可以藉由濕式剝離或電漿灰化去除圖案化的光阻劑層PR。
如上所述，保護膜的框架包含多個微結構。當將微結構附接到光罩時，微結構與光罩的表面之間的總接觸面積為框架的底表面的總面積的約20%至約60%。因此，在保護膜框架與光罩之間形成有多個空氣通路，這些空氣通路抑制了在壓力改變設備中使用時保護膜或光罩的破裂。此外，在前述實施方式中，在從光罩拆卸保護膜時，施加拉力以外的力以從光罩拆卸保護膜，需要施加沒有力量或最小的拉力從光罩上去除保護膜，這也可以抑制保護膜或光罩的破裂。另外，在去除保護膜之後，實質上沒有黏著劑材料的殘留物殘留在光罩上，因此在拆卸保護膜之後可以不需要額外的清潔製程。此外，卸下的保護膜可以重複使用。此外，需要定期對光罩進行缺陷檢查，並且可以使用非EUV光源檢查器進行光罩檢查，在檢查之前卸下保護膜時，不殘留膠水殘留物和顆粒，然後對保護膜進行檢查，檢查之後再裝回去。此檢查過程不需要昂貴的EUV光源檢查器來檢查帶有EUV保護膜的光罩。
根據本揭露的一些實施方式，在一種從光罩拆卸保護膜的方法中，將具有保護膜的光罩放置在保護膜固持器上。保護膜藉由多個微結構附接於光罩。在施加拉力以將保護膜與光罩分離之前或不施加拉力，藉由向多個微結構施加力量或能量來將多個微結構與光罩分離。將保護膜從光罩上卸下。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構由彈性體製成。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構是多個微纖維。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，施加力量或能量包含施加推力以減小光罩以及保護膜之間的距離。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，微纖維由磁性彈性體製成，並且施加力量或能量包含施加磁場。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，施加力量或能量包含施加超音波。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，所述多個微結構由形狀記憶彈性體製成，多個微結構是多個微錐，每個微錐的頂部和底部均設置在保護膜的表面上，施加力量或能量包含施加熱能。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構由光反應彈性體製成，所述多個微結構是多個微錐，每個微錐具有設置在保護膜的表面上的頂部和底部。施加力量或能量包含施加光。
根據本揭露的另一方面，在一種從光罩安裝保護膜的方法中，將光罩放置在光罩固持器上，保護膜放置在保護膜固持器上。保護膜包含具有開口的框架，並且多個微結構設置在框架的底部上。藉由移動保護膜固持器，從而 將多個微結構附接在光罩，從而使多個微結構抵靠光罩的表面。移動保護膜固持器以保留具有保護膜的光罩在光罩固持器上。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構是由彈性體製成的多個微纖維，並且在附接多個微結構時，多個微纖維的多個端部附接至光罩的表面。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，彈性體是磁性彈性體。在前述實施方式和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構是由形狀記憶彈性體製成的多個微錐，並且在附接多個微結構時，將多個微錐的多個頂部附接至光罩的表面，並將熱能施加到附接的多個微錐。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構是由彈性體製成的多個微錐，並且在附接多個微結構時，將多個微纖維的端部附接至光罩的表面。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，熱能從設置在保護膜固持器中的加熱器施加。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，附接多個微結構包含從光罩固持器卸下光罩，並將光罩壓在光罩限位器上。
根據本揭露的另一方面，一種用於極紫外(EUV)光罩的保護膜包含EUV透明膜、具有開口的框架以及由黏著彈性體製成並設置在框架的底部。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構是平均直徑在0.5μm至500μm的範圍內的多個纖維。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構由形狀記憶彈性體製成。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構由 磁性彈性體製成。在前述和以下實施方式中的一個或多個中，多個微結構由光反應彈性體製成。
前述概述了幾個實施方式或實施例的特徵，使得本領域具有通常知識者可以更好地理解本揭露的各方面。本領域具有通常知識者應當理解，他們可以容易地將本揭露內容用作設計或修改其他製程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式或實施例相同的目的和/或實現相同的優點。本領域具有通常知識者還應該認識到，這樣的等效構造不脫離本揭露的精神和範圍，並且在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，它們可以進行各種改變、替換和變更。
S101,S103,S105,S107:步驟

Claims (10)

  1. 一種自一光罩拆卸一保護膜的方法，包含：將帶有該保護膜之該光罩放置於一保護膜固持器上，其中該保護膜藉由複數個微結構附接於該光罩；於施加一拉力之前或不施加該拉力，藉由向該些微結構施加力量或能量而將該些微結構自該光罩分離，以將該保護膜自該光罩分離；以及自該光罩上卸下該保護膜。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該些微結構由一彈性體製成。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該些微結構是複數個微纖維。
  4. 如請求項2所述之方法，其中該施加力量或能量包含施加一推力以減小該光罩以及該保護膜之間之一距離。
  5. 一種自一光罩安裝一保護膜的方法，包含：將該光罩放於一光罩固持器上；將該保護膜放置於一保護膜固持器上，其中該保護膜包含具有一開口之一框架，且複數個微結構設置於該框架之一底部上； 藉由移動該保護膜固持器以將該些微結構附接於該光罩，致使該些微結構抵靠該光罩之一表面；以及移動該保護膜固持器以保留帶有該保護膜之該光罩於該光罩固持器上。
  6. 如請求項5所述之方法，其中：該些微結構是由一彈性體製成之複數個微纖維；以及於該附接該些微結構時，該些微纖維之複數個端部附接至該光罩之該表面。
  7. 如請求項5所述之方法，其中：該些微結構是由一形狀記憶彈性體製成之複數個微錐；以及於該附接該些微結構時，將該些微錐之複數個頂部附接至該光罩之該表面，並且熱能施加至所附接之該些微錐。
  8. 如請求項5所述之方法，其中：該些微結構是由一彈性體製成之複數個微錐；以及於該附接該些微結構時，該些微錐之複數個底部附接至該光罩之該表面。
  9. 一種用於一極紫外光光罩的保護膜，該保護膜包含：一極紫外光透明膜； 一框架，具有一開口；以及複數個微結構，由一黏著彈性體製成並設置於該框架之一底部上，其中該些微結構包含：一形狀記憶彈性體；一磁性彈性體；一光反應彈性體；或者複數個纖維，該些纖維之一平均直徑在0.5μm至500μm之範圍內。
  10. 如請求項9所述之保護膜，其中該些微結構之每單位面積的數量在1個/mm2至10,000個/mm2之範圍內。
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