TWI779254B - 薄膜電晶體的製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種薄膜電晶體，於基板上依序配置有閘極電極、閘極絕緣層、氧化物半導體層、源極電極及汲極電極，所述薄膜電晶體的特徵在於，所述氧化物半導體層自所述基板側起依序具備第一半導體層與第二半導體層，所述第一半導體層與所述第二半導體層包括含有相互相同的構成元素的氧化物半導體膜，且構成所述第二半導體層的氧化物半導體膜的結晶性較構成所述第一半導體層的所述氧化物半導體膜的結晶性高。
Description
本發明是有關於一種具有氧化物半導體膜的薄膜電晶體及其製造方法。
近年來，正在積極進行將In-Ga-Zn-O系(IGZO)等的氧化物半導體膜用於通道層的薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)的開發。作為將氧化物半導體膜用於通道層的薄膜電晶體的製造方法，例如於專利文獻1中，揭示有如下方法：於藉由濺鍍等在閘極絕緣層上形成氧化物半導體膜之後，於氧化物半導體膜上形成金屬膜，並對所述金屬膜進行蝕刻，藉此形成源極電極及汲極電極。
[專利文獻1]日本專利特開2008-166716號公報
但是，於專利文獻1所揭示的製造方法中，於形成源極電極及汲極電極時，為了保護氧化物半導體膜不受蝕刻液等的影響，需要於氧化物半導體膜上另外形成作為蝕刻阻擋層發揮功能的SiO2
等的絕緣膜。作為通道層發揮功能的氧化物半導體膜與作為蝕刻阻擋層發揮功能的絕緣膜的組成不同，因此需要更換濺鍍靶材或者變更成膜室，步驟數增加而無法高生產率地製造薄膜電晶體。
本發明是鑒於此種問題而完成者，其主要課題是高生產率地製造具有氧化物半導體膜的薄膜電晶體。
本發明者等人為了解決所述課題進行了努力研究，結果發現，即使是包含相同的構成元素的氧化物半導體膜，根據其結晶性的高度（即結晶程度），對蝕刻的耐性（亦稱為耐蝕刻性）亦不同。進一步努力研究的結果發現，所述結晶性的高度越高，表現出越優異的耐蝕刻性，作為通道層的氧化物半導體膜於製造過程中亦能夠作為蝕刻阻擋層發揮功能，從而完成了本發明。
即，本發明的薄膜電晶體是於基板上依序配置有閘極電極、閘極絕緣層、氧化物半導體層、源極電極及汲極電極的薄膜電晶體，所述薄膜電晶體的特徵在於，所述氧化物半導體層自所述基板側起依序具備第一半導體層與第二半導體層，所述第一半導體層與所述第二半導體層包括含有相互相同的構成元素的氧化物半導體膜，構成所述第二半導體層的氧化物半導體膜的結晶性高於構成所述第一半導體層的所述氧化物半導體膜的結晶性。
若為此種結構，則由於構成作為通道層發揮功能的第二半導體層的氧化物半導體膜的結晶性較構成第一半導體層的氧化物半導體膜的結晶性高，因此於藉由蝕刻形成源極/汲極電極時，第二半導體層能夠作為蝕刻阻擋層發揮功能而保護第一半導體層。因此，無需為了另外設置例如包含SiO2
等的絕緣膜作為蝕刻阻擋層而藉由化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）、濺鍍等進行成膜。
而且，由於第一半導體層與第二半導體層包括含有相互相同的構成元素的氧化物半導體膜，因此於藉由濺鍍形成第一半導體層與第二半導體層的情況下，能夠使用相同的靶材藉由變更濺鍍條件而繼續成膜，因此無需更換靶材或者變更成膜室，從而能夠高生產率地製造薄膜電晶體。
較佳為所述第一半導體層包含非晶質的所述氧化物半導體膜，所述第二半導體層包含結晶質的所述氧化物半導體膜。
若為此種構成，則與第一半導體層的耐蝕刻性相比，能夠使第二半導體層的耐蝕刻性更優異，從而能夠進一步提高第二半導體層的作為蝕刻阻擋層的功能。
作為所述氧化物半導體層的具體形態，可列舉如下氧化物半導體層：所述第一半導體層及所述第二半導體層均包括含有In的氧化物半導體膜，於藉由利用Cu-Kα射線的θ-2θ法對所述第二半導體層進行的X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬較在對所述第一半導體層進行的所述X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬更小。
為了提高第二半導體層的結晶性，從而使耐蝕刻性進一步提高，於藉由利用Cu-Kα射線的θ-2θ法對所述第二半導體層進行的X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬較佳為4.5°以下，更佳為3.0°以下，進而佳為2.5°以下。
較佳為構成所述第二半導體層的所述氧化物半導體膜的耐蝕刻性優於構成所述源極電極及所述汲極電極的材料的耐蝕刻性。
若為此種構成，則能夠使第二半導體層的作為蝕刻阻擋層的功能更顯著。
另外，本發明的薄膜電晶體的製造方法是於基板上依序配置有閘極電極、閘極絕緣層、氧化物半導體層、源極電極以及汲極電極的薄膜電晶體的製造方法，其包括：半導體層形成步驟，使用電漿對靶材進行濺鍍，於所述閘極絕緣層上自所述基板側起依序形成包含結晶性相互不同的氧化物半導體膜的第一半導體層與第二半導體層；以及源極/汲極電極形成步驟，將所述第二半導體層作為蝕刻阻擋層進行蝕刻，於所述氧化物半導體層上形成所述源極電極及所述汲極電極。
若為此種薄膜電晶體的製造方法，可得到與所述薄膜電晶體同樣的作用效果。
根據如此構成的本發明，能夠高生產率地製造具有氧化物半導體層的薄膜電晶體。
以下，將說明本發明的一實施方式的薄膜電晶體及其製造方法。
＜1.薄膜電晶體＞
本實施方式的薄膜電晶體1為所謂的底部閘極型的薄膜電晶體。具體而言，如圖1所示，具有基板2、閘極電極3、閘極絕緣層4、氧化物半導體層5、源極電極6及汲極電極7，且自基板2側依序配置（形成）。再者，本實施方式的薄膜電晶體1是所謂的蝕刻阻擋型的薄膜電晶體，如後所述，作為通道層發揮功能的氧化物半導體層5的一部分於製造過程中作為蝕刻阻擋層發揮功能。以下，對各部分進行詳細敘述。
基板2包含可透光的材料，例如可包含聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET）、聚萘二甲酸乙二酯（Polyethylene Naphthalate，PEN）、聚醚碸（Polyether Sulfone，PES）、丙烯酸、聚醯亞胺等的塑膠（合成樹脂）或玻璃等。
於基板2的表面設置有閘極電極3。閘極電極3包含具有高導電性的材料，例如可包含選自Si、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Pt、Au、Ag等中的一種以上的金屬。另外，亦可包含Al-Nd、Ag合金、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）、In-Ga-Zn-O（IGZO）等金屬氧化物的導電性膜。閘極電極3可包含該些導電性膜的單層結構或兩層以上的積層結構。
於閘極電極3上配置有閘極絕緣層4。閘極絕緣層4包含具有高絕緣性的材料，例如可為包含選自SiO2
、SiNx
、SiON、Al2
O3
、Y2
O3
、Ta2
O5
、Hf2
等中的一種以上的氧化物的絕緣膜。閘極絕緣層4可為將該些導電性膜設為單層結構或兩層以上的積層結構而成者。
於閘極絕緣層4上配置有氧化物半導體層5。氧化物半導體層5形成自基板2側依序配置有第一半導體層5a與第二半導體層5b的兩層結構。
較佳為第一半導體層5a與第二半導體層5b包括含有相互相同的構成元素的氧化物半導體膜，且包括含有相互相同的構成元素及不可避免的雜質的氧化物半導體膜。此處，第一半導體層5a與第二半導體層5b均包含以含有In的氧化物為主成分的氧化物半導體膜，所謂含有In的氧化物，例如是In-Ga-Zn-O、In-Al-Mg-O、In-Al-Zn-O或In-Hf-Zn-O等氧化物。
第一半導體層5a與第二半導體層5b包含結晶性的高度（程度）互不相同的氧化物半導體膜。所述氧化物半導體層的結晶性的高度（程度）可根據於藉由使用Cu光源（Cu-Kα射線）的θ-2θ法的X射線繞射（X-Ray Diffraction，XRD）測定中，可確認的波峰的半高寬（full width at half maximum，FWHM）來確認。具體而言，於第一半導體層5a及第二半導體層5b包括以In-Ga-Zn-O（IGZO）等含有In的氧化物為主成分（體積分率為90%以上）的氧化物半導體膜的情況下，可藉由於X射線繞射測定中在2θ=31°附近（例如30°～32°）可確認的波峰的半高寬的大小進行評價。更具體而言，該波峰的半高寬越小，可評價為結晶性越高。
於本實施方式中，第一半導體層5a是包含非晶質（非晶（amorphous））的氧化物半導體膜的層，第二半導體層5b是包含結晶質的氧化物半導體膜的層。即，構成第二半導體層5b的氧化物半導體膜的結晶性較構成第一半導體層5a的氧化物半導體膜的結晶性更高。換言之，於對第二半導體層5b進行的X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬較在對第一半導體層5a進行的X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬更小。藉此，於藉由蝕刻形成源極電極及汲極電極的步驟中，第二半導體層5b作為保護第一半導體層5a的蝕刻阻擋層發揮功能。
構成第二半導體層5b的氧化物半導體膜的結晶性越高，越能夠提高耐蝕刻性，從而作為蝕刻阻擋層發揮優異的功能（即，蝕刻速度下降）。因此，於對第二半導體層5b進行的X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬較佳為4.5°以下，更佳為3.0°以下，進而佳為2.5°以下。
於氧化物半導體層5上配置有源極電極6及汲極電極7。源極電極6及汲極電極7分別包含具有高導電性的材料以便作為電極發揮功能。源極電極6及汲極電極7可包括金屬或導電性氧化物的單層結構，亦可包括兩層以上的積層結構。
此處，本實施方式的源極電極6及汲極電極7包括耐蝕刻性較第二半導體層5b差（即蝕刻速度快）的材料。具體而言，例如，於第二半導體層包括結晶質的IGZO膜的情況下，源極電極6及汲極電極7包括如氧化銦鋅（IZO）、氧化銦鎵（IGO）、非晶質的IGZO膜等金屬氧化物或Mo等金屬的導電性膜。
可視需要於氧化物半導體層5、源極電極6及汲極電極7上配置用以對該些進行保護的保護膜。保護膜例如可包含氧化矽膜（SiO2
）、於氮化矽膜中含有氟的氟化氮化矽膜（SiN：F）等。
＜2.薄膜電晶體的製造方法＞
繼而，參照圖2的（a）～圖2的（d）對所述結構的薄膜電晶體1的製造方法進行說明。
本實施方式的薄膜電晶體1的製造方法包括閘極電極形成步驟、閘極絕緣層形成步驟、半導體層形成步驟、源極/汲極電極形成步驟。以下，對各步驟進行說明。
（1）閘極電極形成步驟
首先，如圖2的（a）所示，準備例如包含石英玻璃的基板2，並於基板2的表面形成閘極電極3。閘極電極3的形成方法並無特別限制，例如可藉由真空蒸鍍法、直流（Direct Current，DC）濺鍍法等已知的方法來形成。
（2）閘極絕緣層形成步驟
繼而，如圖2的（b）所示，以覆蓋基板2及閘極電極3的表面的方式形成閘極絕緣層4。閘極絕緣層4的形成方法並無特別限定，可藉由已知的方法來形成。
（3）半導體層形成步驟
繼而，如圖2的（c）及圖2的（d）所示，於閘極絕緣層4上形成作為通道層的氧化物半導體層5。半導體層形成步驟包括形成第一半導體層5a的第一成膜步驟、以及形成第二半導體層5b的第二成膜步驟。
再者，於本實施方式的半導體層形成步驟中，藉由使用電漿濺鍍靶材來形成氧化物半導體膜。具體而言，可使用如圖4所示般的濺鍍裝置100，所述濺鍍裝置100是使用感應耦合型的電漿P來濺鍍靶材T而進行成膜。濺鍍裝置100包括：真空容器20；基板保持部30，於真空容器20內對基板2進行保持；靶材保持部40，於真空容器20內與基板2相向且對靶材T進行保持；以及多根天線50，沿由基板保持部30保持的基板2的表面排列，並產生電漿P。藉由使用濺鍍裝置100，可獨立地進行對天線50供給的高頻電壓與靶材T的偏電壓的設定。因此，可將偏電壓設定為如下程度的低電壓：與電漿P的生成獨立地，將電漿中的離子引入至靶材並加以濺鍍的程度，且可將濺鍍時對靶材T施加的負的偏電壓設定為-1 kV以上（即絕對值為1 kV以下）的負電壓。第一成膜步驟及第二成膜步驟中，將靶材T配置於靶材保持部40並將基板2配置於基板保持部30來進行。此處，作為靶材T，使用作為氧化物半導體層5的原料的InGaZnO等導電性氧化物燒結體。
（3-1）第一成膜步驟
首先，於閘極絕緣層4上形成第一半導體層5a。具體而言，將濺鍍裝置100的真空容器20真空排氣至3×10-6
Torr以下後，一邊以50 sccm以上、200 sccm以下導入濺鍍氣體，一邊將真空容器20內的壓力調整為0.5 Pa以上、3.1 Pa以下。然後，對多根天線50供給1 kW以上、10 kW以下的高頻功率來生成/維持感應耦合型的電漿。對靶材施加直流電壓脈衝來進行靶材的濺鍍。自抑制生成氧脫離的濺鍍粒子，而形成膜中的氧欠缺少的氧化物半導體膜5a的觀點出發，將施加至靶材T的電壓設為-1 kV以上的負電壓。藉此，如圖2的（c）所示，於閘極絕緣層4上形成第一半導體層5a。再者，真空容器20內的壓力、濺鍍氣體的流量、向天線供給的電力量亦可適宜變更。
（3-2）第二成膜步驟
於第一成膜步驟之後，於第一半導體層5a上形成第二半導體層5b。具體而言，與第一成膜步驟同樣地使用濺鍍裝置100來進行靶材T的濺鍍，藉此形成第二半導體層5b。與第一成膜步驟同樣地，於第二成膜步驟中，亦較佳為使施加於靶材T的電壓為-1 kV以上的負電壓。第二成膜步驟中的真空容器20內的壓力、濺鍍氣體的流量、向天線供給的電力量等條件可與第一成膜步驟相同，亦可適宜變更。
（3-3）濺鍍氣體中的氧氣濃度
於本實施方式中，使在第二成膜步驟中供給的濺鍍氣體中含有的氧氣濃度高於在第一成膜步驟中供給的濺鍍氣體中含有的氧氣濃度。藉此，於第二成膜步驟中，與第一成膜步驟相比，能夠進一步抑制生成氧脫離的濺鍍粒子，從而能夠於進一步維持靶材的氧化狀態的狀態下成膜，因此能夠使構成第二半導體層5b的氧化物半導體膜的結晶性較構成第一半導體層5a的氧化物半導體膜的結晶性更高。
自提高構成第二半導體層5b的氧化物半導體膜的結晶性的觀點出發，於第二成膜步驟中供給的濺鍍氣體中所含的氧氣濃度以體積分率計較佳為20 vol%以上，更佳為50 vol%以上。最佳為僅供給氧氣（即，體積分率為99.999 vol%以上）作為濺鍍氣體。
於第一成膜步驟中供給的濺鍍氣體中含有的氧氣濃度只要較在第二成膜步驟中供給的濺鍍氣體中含有的氧氣濃度低即可。自於第一成膜步驟中形成非晶質的氧化物半導體膜的觀點出發，濺鍍氣體中含有的氧氣濃度以體積分率計較佳為2 vol%以下，較佳為僅供給氬氣作為濺鍍氣體。
（4）源極/汲極電極形成步驟
繼而，於氧化物半導體層5上形成源極電極6及汲極電極7。此處，於第二半導體層5b上形成導電性膜M之後，藉由光微影術進行圖案化，從而形成源極電極6及汲極電極7。
具體而言，首先，如圖3的（e）所示，以覆蓋閘極絕緣層4及第二半導體層5b的方式形成包含金屬或導電性氧化物的導電性膜M。導電性膜M例如可利用DC濺鍍或射頻（Radio Frequency，RF）濺鍍等公知的方法形成。
繼而，於導電性膜M上塗佈抗蝕劑R後進行曝光、顯影等，如圖3的（f）所示，於導電性膜M上使抗蝕劑R僅殘留於之後成為源極電極6及汲極電極7的部位。
然後，如圖3的（g）所示，藉由蝕刻去除導電膜M中的未塗佈抗蝕劑R的部分，從而形成源極電極6及汲極電極7。作為蝕刻的方法，可進行使用了CF4
氣體等的幹式蝕刻，亦可進行使用了HCl等酸的濕式蝕刻。此處，第二導電層5b具有優於第一導電層5a及導電性膜M的耐蝕刻性，作為蝕刻阻擋層發揮功能以保護第一導電層5a不受蝕刻劑的影響。
（5）保護膜形成步驟
根據需要，例如利用電漿CVD法以覆蓋所形成的氧化物半導體層5、源極電極6以及汲極電極7的上表面的方式形成保護膜。
（6）熱處理步驟
最後，亦可根據需要於包含氧的大氣壓下的環境中進行熱處理。熱處理中的爐內溫度並無特別限定，例如為150℃以上、300℃以下。另外，熱處理時間並無特別限定，例如為1小時以上、3小時以下。
藉由以上所述，可獲得本實施方式的薄膜電晶體1。再者，於本實施方式中，保護膜形成步驟及熱處理步驟並非必需步驟，亦可省略該些。
＜3.氧化物半導體層的結晶性與耐蝕刻性的關係性評價＞
對本實施方式的氧化物半導體層5（第一半導體層5a及第二半導體層5b）的結晶性與耐蝕刻性的關係性進行評價。
（製作樣品）
具體而言，準備多個矽基板，基於所述製造方法的「半導體製造步驟」，製作多個藉由濺鍍於基板上形成了包含ln-Ga-Zn-O（IGZO1114）的氧化物半導體膜的樣品。
更具體而言，使用所述濺鍍裝置100，將真空容器內的壓力減壓至0.9 Pa以下，向多根天線供給7 kW的高頻功率，對靶材施加-400 V的直流脈衝電壓來進行靶材的濺鍍，形成氧化物半導體膜。此處，製作了各1個或各2個（共計9個）改變所供給的濺鍍氣體中的氧氣濃度的5種樣品（分別以體積分率計為0 vol%、5 vol%、20 vol%、50 vol%、100 vol%）。再者，沒有特別記載的製造條件與所述製造方法中記載的條件相同。
（XRD測定中的波峰的半高寬的測定）
針對所製作的5種樣品的氧化物半導體膜，利用使用Cu光源（Cu-Kα射線）的布魯克（Bruker）AXS公司製造的X射線繞射裝置（型號：D8 DISCOVER）來進行X射線繞射（XRD）測定，測定可於2θ=31°附近確認的源於In的波峰的半高寬（FWHM）的大小。濺鍍中的氧氣濃度與波峰的半高寬的關係如表1所示。再者，氧氣濃度為5 vol%、20 vol%、50 vol%及100 vol%的樣品中，於2θ=31°附近可以看到尖銳的波峰，可確認形成有結晶質的氧化物半導體膜（c-IGZO）。另外，於氧氣濃度為0 vol%的樣品中，於2θ=31°附近看不到尖銳的波峰，可確認形成有非晶質的氧化物半導體膜（a-IGZO）。
[表1]
| 氧氣濃度[vol%] | 半高寬[°] |
| 0 | 5.1 |
| 5 | 4.1 |
| 20 | 2.8 |
| 50 | 2.1 |
| 100 | 1.9 |
（蝕刻速度的測定）
對所製作的5種樣品的氧化物半導體膜，以HCl水溶液（體積：0.05 M、0.5 M）為蝕刻劑進行蝕刻，測定其蝕刻速度。氧氣濃度與濺鍍中的氧氣濃度、和蝕刻速度的關係如表2所示。
[表2]
| 氧氣濃度[vol%] | HCl：0.05 M下的蝕刻速度 [nm/分] | HCl：0.5 M下的蝕刻速度 [nm/分] |
| 0 | 16 | 137.9 |
| 5 | 7 | 47.2 |
| 20 | 2.6 | 22.1 |
| 50 | 1.7 | 7.7 |
| 100 | - | 3.6 |
（氧化物半導體膜的結晶性與耐蝕刻性的關係性）
基於所述結果，於圖5中示出XRD測定下的氧化物半導體膜的波峰的半高寬與蝕刻速度的關係。由圖5可知，可確認：於2θ=31°附近能夠確認到的波峰的半高寬為4.5°以下的結晶質的氧化物半導體膜（c-IGZO）與波峰的半高寬超過5°的非晶質（非晶）的氧化物半導體膜（a-IGZO）相比，蝕刻速度大幅降低，顯示出優異的耐蝕刻性。並且，能夠確認結晶質的氧化物半導體膜（c-IGZO）的結晶性越高，即波峰的半高寬越小，蝕刻速度越降低，耐蝕刻性提高，從而適合作為蝕刻阻擋層。
＜4.本實施方式的效果＞
根據如此構成的本實施方式的薄膜電晶體1及其製造方法，構成作為通道層發揮功能的第二半導體層5b的氧化物半導體膜的結晶性較構成第一半導體層5a的氧化物半導體膜的結晶性更高，故於源極/汲極電極形成步驟中藉由蝕刻形成源極電極6及汲極電極7時，第二半導體層5b作為蝕刻阻擋層發揮功能，能夠保護第一半導體層5a不受蝕刻液影響。因此，無需為了另外設置例如包含SiO2
等的絕緣膜作為蝕刻阻擋層而進行濺鍍。而且，由於第一半導體層5a與第二半導體層5b包括含有相互相同的構成元素的氧化物半導體膜，因此於藉由濺鍍形成該些的情況下，使用相同的靶材T，僅變更濺鍍氣體中的氧氣濃度等濺鍍條件就能夠繼續成膜，因此無需更換靶材T或者變更成膜室，從而能夠高生產率地製造薄膜電晶體1。
＜其他的變形實施方式＞
再者，本發明並不限定於所述實施方式。
於所述實施方式中，為具有多個靶材保持部40的構成，但亦可為具有一個靶材保持部40的構成。該情況下，亦理想的是具有多根天線50，但是亦可為具有一根天線50的構成。
另外，本發明並不限定於所述實施方式，於不脫離其主旨的範圍內當然可進行各種變形。
1:薄膜電晶體
2:基板
3:閘極電極
4:閘極絕緣層
5:氧化物半導體層
5a:第一半導體層（氧化物半導體膜）
5b:第二半導體層
6:源極電極
7:汲極電極
20:真空容器
30:基板保持部
40:靶材保持部
50:天線
100:濺鍍裝置
M:導電性膜
P:電漿
R:抗蝕劑
T:靶材
圖1是示意性表示本實施方式的薄膜電晶體的構成的縱剖面圖。
圖2的（a）～圖2的（d）是示意性表示相同實施方式的薄膜電晶體的製造步驟的剖面圖。
圖3的（e）～圖3的（g）是示意性表示相同實施方式的薄膜電晶體的製造步驟的剖面圖。
圖4是示意性表示於相同實施方式的薄膜電晶體的半導體層形成步驟中使用的濺鍍裝置的構成的圖。
圖5是表示相同實施方式的薄膜電晶體的氧化物半導體層的結晶性與耐蝕刻性的關係性的圖表。
Claims (6)
- 一種薄膜電晶體的製造方法，所述薄膜電晶體於基板上依次配置有閘極電極、閘極絕緣層、氧化物半導體層、源極電極及汲極電極，所述薄膜電晶體的製造方法包括：半導體層形成步驟，使用電漿對靶材進行濺鍍，於所述閘極絕緣層上自所述基板側起依次形成第一半導體層與第二半導體層，所述第一半導體層與所述第二半導體層包括結晶性互不相同的氧化物半導體膜；以及源極/汲極電極形成步驟，將所述第二半導體層作為蝕刻阻擋層進行蝕刻，於所述氧化物半導體層上形成所述源極電極及所述汲極電極，且施加至所述靶材的偏電壓為-1kV以上的負電壓，於藉由利用Cu-Kα射線的θ-2θ法對所述第二半導體層進行的X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬為3.0°以下。
- 如請求項1所述的薄膜電晶體的製造方法，其中所述第一半導體層包括非晶質的所述氧化物半導體膜，所述第二半導體層包括結晶質的所述氧化物半導體膜。
- 如請求項1或請求項2所述的薄膜電晶體的製造方法，其中所述第一半導體層及所述第二半導體層均包括含有In的氧化物半導體膜，於藉由利用Cu-Kα射線的θ-2θ法對所述第二半導體層進行的 X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬小於在對所述第一半導體層進行的所述X射線繞射測定中，於繞射角2θ=31°附近確認到的波峰的半高寬。
- 如請求項1或請求項2所述的薄膜電晶體的製造方法，其中構成所述第二半導體層的所述氧化物半導體膜的耐蝕刻性優於構成所述源極電極及所述汲極電極的材料的耐蝕刻性。
- 如請求項3所述的薄膜電晶體的製造方法，其中構成所述第二半導體層的所述氧化物半導體膜的耐蝕刻性優於構成所述源極電極及所述汲極電極的材料的耐蝕刻性。
- 如請求項1或請求項2所述的薄膜電晶體的製造方法，其為蝕刻阻擋型的薄膜電晶體，且所述第二半導體層作為蝕刻阻擋層發揮功能。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |