TWI778721B - 可撓式感測裝置及其製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Multimedia (AREA)
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Abstract
一種可撓式感測裝置，包含一可撓式的載板、多條第一感測線、一介電膜，及多條第二感測線。該載板選自於一BT（bismaleimide-triazine resin，簡稱BT）載板、一ABF(Ajinomoto Build-up Film)載板及一聚醯亞胺(polyimide film)載板。該等第一感測線分別形成於該載板上，並沿一第一方向間隔排列。該介電膜形成於該等第一感測線上。該等第二感測線，形成於該介電膜上，並沿一相交於該第一方向的第二方向間隔排列。每一第二感測線與該等第一感測線透過該介電膜間隔相交。利用該可撓式感測裝置的載板設計，使該可撓式感測裝置也可撓曲。本發明還提供一種可撓式感測裝置的製造方法。
Description
本發明是有關於一種感測裝置，特別是指一種可撓式感測裝置及其製造方法。
目前用於辨識指紋的感測裝置，包括一矽基板、多條形成於該矽基板的且相間隔交錯的感測線，及一夾置於該等感測線之間的介電膜。
然而，受限於矽基板材質與特性，除了必須要搭配半導體廠的專屬設備才能形成該等感測線與該介電膜而不具製程靈活性之外，矽基板本身是一硬質的板狀基材，使得目前感測裝置僅能為硬板態樣。因此，目前感測裝置還有改善空間。
因此，本發明之其中一目的，即在提供一種能夠克服先前技術的至少一個缺點的可撓式感測裝置。
於是，本發明可撓式感測裝置，包含一可撓式的載板、多條第一感測線、一介電膜，及多條第二感測線。
該載板選自於一BT（bismaleimide-triazine resin，簡稱BT）載板、一ABF(Ajinomoto Build-up Film)載板，及一聚醯亞胺(polyimide film)載板。
該等第一感測線分別形成於該載板上，並沿一第一方向間隔排列。
該介電膜形成於該等第一感測線上。
該等第二感測線形成於該介電膜上，並沿一相交於該第一方向的第二方向間隔排列。每一第二感測線與該等第一感測線透過該介電膜間隔相交。
因此，本發明之另一目的，即在提供一種能夠克服先前技術的至少一個缺點的可撓式感測裝置的製造方法，包含：一第一感測線形成步驟、一介電膜形成步驟，及一第二感測線形成步驟。
該第一感測線形成步驟，是在一可撓式的載板上形成多條沿一第一方向間隔排列的第一感測線，該載板選自於一BT載板、一ABF載板，及一聚醯亞胺載板。
該介電膜形成步驟，是在該等第一感測線上形成一介電膜。
該第二感測線形成步驟，是在該介電膜上形成多條沿一相交於該第一方向的第二方向間隔排列的第二感測線，使得每一第二感測線透過該介電膜而與該等第一感測線間隔相交。
本發明之功效在於：透過該載板為可撓式且為特定材質，使該可撓式感測裝置也可撓曲，且製造過程與使用設備也較為彈性。
參閱圖1~3，本發明可撓式感測裝置之一第一實施例，包含一載板1，形成於該載板1之多條第一感測線2、一介電膜3及多條第二感測線4、多條第一導接線5、多條第二導接線6，及一設置於該載板1的處理晶片7。
該載板1為一呈方形的可撓式載板，且具有相反的一第一表面11及一第二表面12，並選自於一BT（bismaleimide-triazine resin，簡稱BT）載板、一ABF(Ajinomoto Build-up Film)載板，及一聚醯亞胺(polyimide film)載板。實施上，該載板1的厚度大於0mm並小於0.5mm，而能在該載板1為可撓式的狀態下，還提供後續形成於其上的膜層一預定的支撐強度。較佳地，該載板1的厚度大於0mm並小於0.1mm。
該等第一感測線2以薄膜狀的態樣分別形成於該載板1的第一表面11，並沿一第一方向D1間隔排列。該等第一感測線2覆蓋該載板1的第一表面11的部分區域，使得該載板1的第一表面11的其餘部分外露於該等第一感測線2。該等第一感測線2由金屬、合金或導電金屬氧化物製成，且每一第一感測線2沿一垂直於該第一方向D1的第二方向D2延伸，並具有多個沿該第二方向D2間隔排列且為菱形的第一擴大部21，及多條分別連接二相鄰第一擴大部21且寬度小於所述第一擴大部21的第一感測部22。
該介電膜3形成並覆蓋於該等第一感測線2上，及該第一載板1之未被該等第一感測線2覆蓋的區域。該介電膜3的製成材質選自於聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，簡稱PMMA)、聚醯亞胺(polyimide)，及已硬化的光阻。
該等第二感測線4以薄膜狀的態樣分別形成於該介電膜3之反向於該等第一感測線2的表面，並沿該第二方向D2間隔排列。該等第二感測線4由金屬、合金或導電金屬氧化物製成，每一第二感測線4沿一該第一方向D1延伸，並具有多個沿該第一方向D1間隔排列且為菱形的第二擴大部41，及多條分別連接二相鄰第二擴大部41且寬度小於所述第二擴大部41的第二感測部42。
每一第二感測線4與該等第一感測線2透過該介電膜3間隔相交。在本實施例中，每一第二感測線4的每一第二感測部42與各自的第一感測部22的相交處及所述相交處的周圍區域（包括相交處周圍的兩個第一擴大部21與兩個第二擴大部41所圍出的區域），與該介電膜3共同形成一電容C，而為一感測畫素。即在圖1中以正、負電荷舉例所標示的範圍，為所述電容C。
該處理晶片7利用覆晶(flip chip)技術設置並封裝於該載板1的該第二表面12，並為一未經封裝的晶片，用於掃描取得該等感測畫素的電容值。利用該處理晶片7直接封裝於該載板1的設計，能減薄目前指紋感測器的整體厚度與簡化製程。於實施上，在應用於智慧卡時，需通過ISO7816檢測規範。
參閱圖2~4，該等第一導接線5以導電材料製成，分別貫穿該載板1，並連接該等第一感測線2與該處理晶片7，使該處理晶片7能施加電性訊號與掃描該等第一感測線2。實施上，該載板1還具有多個相間隔且貫穿該第一表面11與該第二表面12的第一穿孔13，該等第一導接線5分別從該等第一感測線2經該等第一穿孔13後，再以薄膜形式形成於該載板1的第二表面12，並延伸至該處理晶片7，使得該等第一感測線2利用該等第一導接線5訊號連接於該處理晶片7。
參閱圖2、圖3、圖5，該等第二導接線6以導電材料製成，分別貫穿該介電膜3與該載板1，並連接該等第二感測線4與該處理晶片7，使該處理晶片7能施加電性訊號與掃描該等第二感測線4。實施上，該載板1還具有多個相間隔且貫穿該第一表面11與該第二表面12的第二穿孔14，該介電膜3具有多個相間隔且位置分別對應該等第二穿孔14的第三穿孔31，且每一第二導接線6分別從各自的第二感測線4經各自的第三穿孔31與各自的第二穿孔14後，再以薄膜形式形成於該載板1的第二表面12，並延伸至該處理晶片7，使得該等第二感測線4利用該等第二導接線6訊號連接於該處理晶片7。
參閱圖6~8，本發明可撓式感測裝置的第一實施例的製作方法的一實施例包括一第一感測線形成步驟S1、一介電膜3形成步驟S2、一第二感測線形成步驟S3、一導接線形成步驟S4，及一晶片設置步驟S5。
首先，進行該第一感測線形成步驟S1。先利用一氣相沉積技術（例如：一濺鍍技術）在上述的該載板1的第一表面11形成一第一金屬層；之後，再利用一微影技術與一蝕刻技術，移除該第一金屬層不需要的部分，使其下方的載板1裸露出來，而在該載板1的該第一表面11形成該等第一感測線2。可選擇地，該等第一感測線2也可以直接黏貼於該載板1上。
之後，進行該介電膜形成步驟S2。以一塗布技術或該氣相沉積技術，在該等第一感測線2之反向於該載板1的表面上形成一介電材料，並經該介電材料硬化之後，形成該介電膜3。硬化過程可依據該介電膜3材質，透過乾燥硬化、照光硬化，或加熱硬化。
再來，進行該第二感測線形成步驟S3。先利用該氣相沉積技術（例如：該濺鍍技術），在該介電膜3上形成一第二金屬層；之後，再利用該微影技術與該蝕刻技術，移除該第二金屬層不需要的部分，使其下方的介電膜3裸露出來，而形成該等第二感測線4，且每一第二感測線4透過該介電膜3而與該等第一感測線2間隔相交。可選擇地，該等第二感測線4也可以直接黏貼於該載板1上。
而後，進行該導接線形成步驟S4。參閱圖4、圖5與圖8，先形成貫穿該載板1的第一表面11與第二表面12並分別連接該等第一感測線2與該處理晶片7的該等第一導接線5，及貫穿該載板1的第一表面11與第二表面12並分別連接該等第二感測線4與該處理晶片7的該等第二導接線6。在實施上，可在該載板1鑽有所述第一穿孔13與第二穿孔14，並在該介電膜3形成所述第三穿孔31，每一第一穿孔13位置對應各自的第一感測線2的其中一端部，每一第二穿孔14位置對應各自的第三穿孔31，且位置對應各自的第二感測線4的其中一端部；並於該等第一穿孔13、該等第二穿孔14及該等第三穿孔31中填入導電材料，而成為該等第一導接線5與該等第二導接線6的其中一部分；最後，再於該載板1的第二表面12形成該等第一導接線5與該等第二導接線6其餘部分，而完成該等第一感測線2與該等第二感測線4的製作。當然，也可在形成該等第一感測線2與該等第二感測線4之前，就先在該載板1鑽設形成該等該等第一穿孔13與該等第二穿孔14；或先進行該導接線形成步驟S4，再進行該第一感測線形成步驟S1、該介電膜形成步驟S2與該第二感測線形成步驟S3視實際製程需求決定。
參閱圖6與圖8，最後，進行該晶片設置步驟S5。利用一覆晶技術，在該載板1的第二表面12黏合並封裝該處理晶片7，而完成該可撓式感測裝置的製作。
參閱圖9，為本發明可撓式感測裝置的一第二實施例，該第二實施例與該第一實施例相似，其不同處在於：該載板1的第一表面11的部分區域不被該介電膜3與該等第一感測線2覆蓋而裸露出來，且每一第二感測線4還沿該第一方向D1延伸而形成於該載板1的第一表面11之外露於該介電膜3的區域。此外，該載板1的該等第二穿孔14能自該介電膜3裸露出來，使得該等第二導接線6能自對應的第二感測線4直接穿經該載板1之後，再連接至該處理晶片7。因此，本實施例不需要在該介電膜3上設置所述第三穿孔31(如圖5)，進而能在製造方法中減少一道在該介電膜3上形成所述第三穿孔31的步驟。
綜上所述，本發明可撓式感測裝置，利用該載板1為可撓式載板的設計，使裝置整體也為可撓式，能適度撓曲，增加設計與使用時的彈性，且本發明可撓式感測裝置的製造方法也可不限定於必須使用配合矽基板的特定半導體製程，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1:載板
11:第一表面
12:第二表面
13:第一穿孔
14:第二穿孔
2:第一感測線
21:第一擴大部
22:第一感測部
3:介電膜
31:第三穿孔
4:第二感測線
41:第二擴大部
42:第二感測部
5:第一導接線
6:第二導接線
7:處理晶片
D1:第一方向
D2:第一方向
S1:第一感測線形成步驟
S2:介電膜形成步驟
S3:第二感測線形成步驟
S4:導接線形成步驟
S5:晶片設置步驟
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：
圖1是一俯視示意圖，說明本發明可撓式感測裝置的一第一實施例；
圖2是一仰視示意圖，說明該第一實施例；
圖3是一立體分解示意圖，說明該第一實施例；
圖4是一沿圖1中的Ⅳ-Ⅳ線所截取的一剖視圖；
圖5一沿圖1中的V-V線所截取的一剖視圖；
圖6是一流程圖，說明本發明可撓式感測裝置的該第一實施例的製造方法的一實施例；
圖7~圖8是本發明該可撓式感測裝置的製造方法的實施例的流程示意圖；及
圖9是一俯視示意圖，說明本發明可撓式感測裝置的一第二實施例。
1:載板
11:第一表面
12:第二表面
13:第一穿孔
14:第二穿孔
2:第一感測線
21:第一擴大部
22:第一感測部
3:介電膜
31:第三穿孔
4:第二感測線
41:第二擴大部
42:第二感測部
7:處理晶片
D1:第一方向
D2:第一方向
Claims (6)
- 一種可撓式感測裝置，包含：一可撓式的載板，選自於一BT(bismaleimide-triazine resin，簡稱BT)載板、一ABF(Ajinomoto Build-up Film)載板，及一聚醯亞胺(polyimide film)載板，該載板具有一第一表面，及一反向於該第一表面的第二表面；多條第一感測線，分別形成於該載板上，並沿一第一方向間隔排列，該等第一感測線連接於該載板的該第一表面；一介電膜，形成於該等第一感測線上；多條第二感測線，形成於該介電膜上，並沿一相交於該第一方向的第二方向間隔排列，每一第二感測線與該等第一感測線透過該介電膜間隔相交；一處理晶片，設置於該載板的該第二表面；多條第一導接線，貫穿該載板，並連接該等第一感測線與該處理晶片；及多條第二導接線，貫穿該載板，並連接該等第二感測線與該處理晶片。
- 如請求項1所述的可撓式感測裝置，其中，該載板的厚度大於0mm且小於0.5mm。
- 如請求項1所述的可撓式感測裝置，其中，該介電膜的製成材質選自於聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，簡稱PMMA)、聚醯亞胺 (polyimide)，及已硬化的光阻。
- 一種可撓式感測裝置的製造方法，包含：一第一感測線形成步驟，在一可撓式的載板上形成多條沿一第一方向間隔排列的第一感測線，該載板選自於一BT載板、一ABF載板，及一聚醯亞胺(polyimide film)載板；一介電膜形成步驟，在該等第一感測線上形成一介電膜；一第二感測線形成步驟，在該介電膜上形成多條沿一相交於該第一方向的第二方向間隔排列的第二感測線，使得每一第二感測線透過該介電膜而與該等第一感測線間隔相交；一晶片設置步驟，利用一覆晶技術，在該載板之反向於該等第一感測線的表面設置一處理晶片；及一導接線形成步驟，形成多條穿設於該載板並連接該等第一感測線與該處理晶片的第一導接線，及多條穿設於該載板並連接該等第二感測線與該處理晶片的第二導接線。
- 如請求項4所述的可撓式感測裝置的製造方法，其中，該第一感測線形成步驟是先利用濺鍍技術，在該載板上形成一第一金屬層，再利用微影與蝕刻技術，移除該第一金屬層不需要的部分，而形成該等第一感測線，該第二感測線形成步驟是先利用濺鍍技術，在該介電膜上形成成一第二金屬層，再利用微影與蝕刻技術移除該第二 金屬層不需要的部分，而形成該等第二感測線。
- 如請求項4所述的可撓式感測裝置的製造方法，其中，在該介電膜形成步驟中，該介電膜是利用塗布技術形成，且該介電膜的製成材質選自於聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，簡稱PMMA)、聚醯亞胺(polyimide)，及已硬化的光阻。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110127155A TWI778721B (zh) | 2021-07-23 | 2021-07-23 | 可撓式感測裝置及其製造方法 |
| CN202210484174.4A CN115690860A (zh) | 2021-07-23 | 2022-05-06 | 可挠式感测装置及其制造方法 |
| US17/812,731 US20230023809A1 (en) | 2021-07-23 | 2022-07-15 | Flexible sensing device and method of making the same |
| EP22185944.0A EP4123602A1 (en) | 2021-07-23 | 2022-07-20 | Flexible sensing device and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110127155A TWI778721B (zh) | 2021-07-23 | 2021-07-23 | 可撓式感測裝置及其製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI778721B true TWI778721B (zh) | 2022-09-21 |
| TW202305564A TW202305564A (zh) | 2023-02-01 |
Family
ID=82656458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110127155A TWI778721B (zh) | 2021-07-23 | 2021-07-23 | 可撓式感測裝置及其製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230023809A1 (zh) |
| EP (1) | EP4123602A1 (zh) |
| CN (1) | CN115690860A (zh) |
| TW (1) | TWI778721B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2021
- 2021-07-23 TW TW110127155A patent/TWI778721B/zh active
-
2022
- 2022-05-06 CN CN202210484174.4A patent/CN115690860A/zh active Pending
- 2022-07-15 US US17/812,731 patent/US20230023809A1/en active Pending
- 2022-07-20 EP EP22185944.0A patent/EP4123602A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230023809A1 (en) | 2023-01-26 |
| CN115690860A (zh) | 2023-02-03 |
| EP4123602A1 (en) | 2023-01-25 |
| TW202305564A (zh) | 2023-02-01 |
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