TWI776854B - 蝕刻方法 - Google Patents

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山田洋平
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日商信越聚合物股份有限公司
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Abstract

一種蝕刻方法，係包括去除步驟，該去除步驟係使用已設定為預定的高溫域的熔融氫氧化鈉(SHL)作為熔融鹼，藉此於高溫而且含氧的環境下，一邊在基板面為由Si面與C面所構成之SiC基板(PL)的被蝕刻面形成氧化被膜，一邊以較C面更高的速度將被蝕刻面的Si面予以去除。在前述去除的步驟中，係以被蝕刻面為上面側而使SiC基板(PL)相對於水平面傾斜預定角度，且使熔融氫氧化鈉(SHL)從被蝕刻面的上部側流動至下部側。

Description

蝕刻方法
本發明係關於一種以熔融鹼蝕刻SiC(silicon carbide，碳化矽)基板的蝕刻方法。
在半導體的製造等中，已廣泛地進行將SiC等的基板進行蝕刻以檢測缺陷。再者，SiC基板係由於其優異的特性而被期待作為下一世代的功率(power)半導體基板。
另一方面，在製造高性能且良率高的半導體裝置上，極為重要的是要將損傷較少之良好的面形成於SiC基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-22677號公報
然而，要將損傷較少之良好的面形成於SiC基板，會有所需處理步驟數較多，而要耗費更多的時間及 成本的問題。此外，為了要獲得無缺陷的狀態，需要有精密的研磨加工，因此必要的處理步驟數會變多，而這又成為耗費更多時間及成本的主要原因。
尤其SiC基板為高硬度，且除一部分的藥品外在化學上安定的難加工材料、難切削材料，因此研磨、研削上耗費時間，使此等問題更為顯著。
有鑑於上述問題，本發明之目的為提供一種蝕刻方法，係可在蝕刻凹坑(etch pit)不存在的狀態下進行蝕刻，結果可製造出具有不存在缺陷的表面狀態與鏡面的晶圓。
本發明人為了解決上述問題，乃經不斷檢討，著眼於以熔融鹼(熔融的鹼)檢查出SiC晶圓之缺陷的方法。此方法係為檢測出存在於SiC晶圓表面附近之缺陷的方法，為藉由將SiC晶圓浸漬於熔融鹼中，藉此使缺陷呈現為蝕刻凹坑而被觀察出。
再者，經過不斷實驗並進行檢討，已發現不將SiC基板浸漬於熔融鹼中，而是藉由一邊形成氧化被膜一邊連續地進行蝕刻，可獲得不存在蝕刻凹坑之鏡面的晶圓。然後，再經過不斷的實驗及檢討，終至完成本發明。
用以解決上述問題之本發明的一態樣，係一種包括去除步驟的蝕刻方法，該去除步驟係藉由使用已設定為預定的高溫域的熔融氫氧化鈉作為熔融鹼，於高溫而且含氧的環境下，一邊在基板面為由Si面與C面所構成 之SiC基板的被蝕刻面形成氧化被膜，一邊以較C面更高的速度將前述被蝕刻面的Si面予以去除。在前述去除的步驟中，係以前述被蝕刻面為上面側而使前述SiC基板相對於水平面傾斜預定角度，且使前述熔融氫氧化鈉從前述被蝕刻面的上部側流動至下部側。
藉此，即可獲得在不存在蝕刻凹坑的狀態下進行蝕刻，結果可製造出具有不存在缺陷之表面狀態與鏡面之晶圓的蝕刻方法。
前述預定的高溫域亦可設為650℃以上。
此時，亦可進行配置步驟，係將聚集雷射光的雷射聚光器以非接觸方式配置於SiC結晶構件之被照射面上、形成改質層步驟，係藉由前述雷射聚光器將雷射光照射於前述被照射面而將前述雷射光聚集於前述SiC結晶構件內部，並且使前述雷射聚光器與前述SiC結晶構件相對地移動，而在前述SiC結晶構件內部形成2次元狀之改質層、及形成SiC結晶基板步驟，係將經由前述改質層分割而成的結晶層從前述改質層剝離，從而形成SiC結晶基板的步驟，其中，使用經由前述剝離所獲得的前述SiC結晶基板作為前述SiC基板。
亦可藉由對前述被蝕刻面進行等向性蝕刻而將前述氧化被膜予以去除。
亦可將前述SiC基板的氧化速度設為前述氧化被膜的溶解速度以上，藉此而對前述被蝕刻面進行前述等向性蝕刻。
前述高溫而且含氧的環境亦可設為在大氣中使用前述熔融氫氧化鈉的環境。
前述高溫而且含氧的環境亦可設為在將氧氣供給至前述被蝕刻面的空間使用前述熔融氫氧化鈉的環境。
依據本發明，可提供一種可廣範圍地高速形成良好之鏡面的蝕刻方法。
10‧‧‧容器
11‧‧‧XY平台
13‧‧‧修正環
14‧‧‧雷射聚光裝置
15‧‧‧聚光透鏡
16‧‧‧第1透鏡
18‧‧‧第2透鏡
20‧‧‧SiC結晶構件
20r‧‧‧被照射面
22‧‧‧改質層
30‧‧‧電氣爐
32‧‧‧基板保持部
34‧‧‧槽
34m‧‧‧供給口
36‧‧‧收容部
38‧‧‧傾斜保持板
39‧‧‧開閉閥
40‧‧‧氧供給部
42‧‧‧開閉閥
B‧‧‧雷射光
E‧‧‧外周部
EP‧‧‧聚光點
F‧‧‧界面位置
IM‧‧‧浸漬部
M‧‧‧中央部
MP‧‧‧聚光點
NIM‧‧‧非浸漬部
PL‧‧‧SiC基板
PLS‧‧‧基板面
SHL‧‧‧熔融氫氧化鈉
V‧‧‧界面附近
第1圖(a)至(c)分別說明以本發明之一實施形態之蝕刻方法依序將SiC基板進行蝕刻的示意前視圖。
第2圖係第1圖(b)的部分放大側視圖。
第3圖係顯示藉由本發明之一實施形態的蝕刻方法，用以形成所使用之SiC基板之基板加工裝置之一例的立體圖。
第4圖係為說明第3圖所示之基板加工裝置之修正環內之透鏡的側視圖。
第5圖係為說明藉由本發明之一實施形態之變形例的蝕刻方法將SiC基板進行蝕刻的示意側視圖。
第6圖係實驗例1，顯示蝕刻後之基板面之粗糙度的曲線圖。
第7圖係實施例1，顯示蝕刻後之基板面之非浸漬部中之界面附近的照片圖。
第8圖係實施例1，顯示蝕刻後之基板面之浸漬部的照片圖。
第9圖係實施例1，以AFM(Atomic Force Microscope，原子力顯微鏡)拍攝蝕刻後之非浸漬部所獲得的立體圖。
第10圖係實驗例2，顯示蝕刻溫度與蝕刻率之關係的曲線圖。
第11圖係實驗例2，(a)係顯示浸漬部中之蝕刻時間與粗糙度之關係的曲線圖，(b)係顯示非浸漬部之界面附近中之蝕刻時間與粗糙度之關係的曲線圖。
第12圖係實驗例2，(a)係顯示氮流量與蝕刻率之關係的曲線圖，(b)係顯示氮流量與粗糙度之關係的曲線圖。
第13圖係實驗例2，(a)係顯示空氣流量與蝕刻率之關係的曲線圖，(b)係顯示空氣流量與粗糙度之關係的曲線圖。
以下參照所附圖式來說明本發明的實施形態。在以下的說明中，對於與已說明者相同或類似的構成要素係賦予相同或類似的符號，且適當地省略其詳細的說明。
第1圖(a)至(c)係分別說明藉由本發明之一實施形態(以下稱本實施形態)的蝕刻方法將SiC基板依序蝕刻的示意前視圖。第2圖係第1圖(b)的部分放大側視圖。
本實施形態的蝕刻方法，係將基板面為由Si面與C面所構成的SiC基板以熔融鹼予以蝕刻的蝕刻方法，且為藉由使用已設為預定高溫域的熔融氫氧化鈉作為熔融鹼，而在高溫而且含氧的環境下一邊在SiC基板的被蝕刻面形成氧化被膜，一邊以較C面更高的速度將被蝕刻面的Si面予以去除的方法。
具體而言，係在大氣中，首先在已放入於容器10的熔融氫氧化鈉SHL中置入基板面為由Si面與C面所構成的SiC基板PL(參照第1圖(a))。然後，將SiC基板PL以一定速度緩緩地拉升(參照第1圖(a)至(c))。因此，SiC基板PL之基板面PLS中的熔融氫氧化鈉SHL的界面位置F(液面位置)，會從基板上端逐漸往下方移動。另外，如第1圖、第2圖所示，在本說明中，所謂熔融氫氧化鈉SHL的界面位置F係與熔融氫氧化鈉SHL的液面位置相同。
由於配置有熔融氫氧化鈉SHL，使得其周圍之大氣溫度上升。因此，SiC基板PL的基板面PLS藉由大氣中的氧而成為易被氧化的環境。再者，在SiC基板PL的界面附近V或接近界面的非浸漬部NIM(尤其在界面附近V)，氧化反應會因為大氣中的氧而高效率地進行，且高效率地形成氧化被膜。再者，藉由與此並行以熔融氫氧化鈉SHL將氧化被膜去除，而高速地進行良好的蝕刻。更詳而言之，在液面的交界區域，熔融鹼會因為表面張力而攀上SiC面，而作出薄的熔融鹼液的膜。再者，由於此膜較薄，因此易於將空氣中的氧供給至SiC面，而使氧化活躍。然後，會活躍地重複進行熔融鹼去除該氧化膜的循環。因此，會高效率地促進鏡面化(等向性蝕刻)。
而且，在界面附近V及非浸漬部NIM(尤其在界面附近V)中，係可將SiC基板PL之被蝕刻面的Si面，以大幅高於C面的速度進行蝕刻去除。另外，所謂Si面、C面，係將1個SiC鍵結切斷時，面向Si原子成為表面之方向的面(以Si原子形成終端的基板面)即為Si面，而面向C原子成為表面之方向的面(以C原子形成終端的基板面)即為C面。
再者，尤其當使用熔融氫氧化鈉時，容易以高速度來蝕刻SiC基板PL的Si面。由於Si面在機械上或在化學上都難以研磨，因此此點在要以高速度將Si面予以鏡面化上極具功效。另外，在將C面而非Si面進行蝕刻時，在將C面予以高效率地去除(蝕刻速度的高速化)而鏡面化的觀點而言，係以使用熔融氫氧化鈉為佳。
為了要以高速度蝕刻Si面，係以在高溫環境下進行蝕刻為佳，具體而言係為650℃以上，尤佳為800℃以上，亦可更高溫。在本發明的蝕刻方法中，雖一邊在Si面形成氧化膜(氧化被膜)一邊藉由蝕刻將氧化膜去除，但可推知所形成的氧化膜，係將會迅速被氧化之10nm左右的氧化膜予以連續地蝕刻去除而最終去除10μm至數十μm的膜厚而可獲得無研削痕跡或缺陷之良好的鏡面者。在此氧化過程中，存在於晶圓內部的缺陷部分亦會被作為氧化膜，從而可進行等向性蝕刻。
SiC基板PL的拉升速度(上升速度)係考慮氧化被膜的厚度或氧化被膜的形成速度與蝕刻速度的關係，而依據熔融氫氧化鈉SHL的種類、溫度、氣體環境中的氧濃度等，而以Si面高速地進行良好的蝕刻之方式來決定。
再者，在本實施形態中，係將SiC基板PL的氧化速度設為氧化被膜的溶解速度以上，藉此對被蝕刻面進行等向性蝕刻。如此，藉由將SiC基板PL的氧化速度設為氧化被膜的溶解速度以上，而避免了未氧化階段的基板材料(SiC)被蝕刻。亦即，即使在基板材料產生了缺陷(結晶缺陷)，此缺陷也會在氧化後，亦即成為氧化被膜後而被蝕刻，結果SiC基板PL會被等向性蝕刻。因此，藉由此等向性蝕刻而被蝕刻之面的缺陷也會被去除，而避免基板面PLS的缺陷被直接蝕刻的異向性蝕刻，因此可於基板面PLS廣範圍且高速地形成良好的鏡面。亦即，相較於藉由將SiC基板整體全部浸漬於熔融氫氧化鈉SHL中(使基板整體成為浸漬部)而進行蝕刻，可在極短時間內在涵蓋基板全面地形成此良好的鏡面。
另外，即使藉由使SiC基板PL從上方以一定速度緩緩地下降至熔融氫氧化鈉SHL，而使SiC基板PL中之熔融氫氧化鈉SHL的界面位置F(熔融氫氧化鈉SHL的液面位置)從基板上方逐漸移動，也可將良好的鏡面廣範圍且高速地形成於SiC基板PL的基板面PLS。
雖亦可考慮使用熔融氫氧化鉀(KOH)取代 熔融氫氧化鈉，但從成本及易於取得等的觀點而言，係以熔融氫氧化鈉SHL(參照第1圖、第2圖)為佳。
此時，當使用氫氧化鈉設為600℃以上(更佳為650至1100℃的範圍、或其以上的溫度)的熔融氫氧化鈉時，易於進行此種高速且良好的蝕刻。另外，在1000℃以上情形下，將會成為較後述之第10圖所示之750℃的蝕刻率更高的蝕刻率。
再者，隨著將熔融氫氧化鈉SHL的溫度增高蝕刻率會大幅上升，而可將界面附近V的粗糙度在短時間內縮小(亦參照後述的實驗例2、第10圖、第11圖(b))，因此亦可將熔融氫氧化鈉SHL散佈於基板面PLS的凸部而使之有效率地平滑化。
再者，亦可在基板面PLS形成溫度分布而提升在溫度較高之基板面部分的蝕刻率，藉此而調整基板面PLS的平面度。此溫度分布係例如可藉由雷射光照射等而進行。
再者，亦可在使屬於SiC基板PL的被蝕刻面之基板面PLS氧化而進行蝕刻時，一邊形成預定厚度(例如數nm至數十nm的厚度)的氧化被膜，一邊以已設為預定高溫域的熔融氫氧化鈉SHL將此氧化被膜予以去除。此時，最終要被蝕刻去除的氧化被膜厚度(蝕刻深度)係以設為10至80μm的範圍為佳。當較10μm更薄時，有蝕刻量容易不足之虞，當較80μm更厚時，即容易變得難以獲得鏡面。
再者，就SiC基板PL而言，可為從SiC結晶構件切出者，或亦可為從SiC結晶構件剝離者。
為了要從SiC結晶構件剝離而獲得SiC基板PL，係以例如下述方式獲得。首先，如第3圖所示，在XY平台(stage)11上載置SiC結晶構件20。然後，進行配置步驟，係將聚集雷射光B的雷射聚光裝置14(雷射聚光器)以非接觸方式配置於SiC結晶構件20的被照射面20r上。
然後，進行形成改質層22的步驟，係藉由雷射聚光裝置14，將雷射光B照射於SiC結晶構件20(在第3圖中係被描繪成基板狀作為一例)的被照射面20r而將雷射光B聚集於SiC結晶構件20內部的預定厚度位置，並且使雷射聚光裝置14與SiC結晶構件20相對地移動，而於SiC結晶構件20的內部形成2次元狀之改質層22。
進一步，形成SiC結晶基板步驟，係進行將經由改質層22分割而成的結晶層從改質層22剝離，藉此而形成SiC結晶基板。使用經由此剝離而獲得的SiC結晶基板作為SiC基板PL。藉此，可藉由蝕刻將良好的鏡面廣範圍且高速地形成於預定厚度之SiC結晶基板的剝離面。
再者，即使該剝離面(基板面)的表面粗糙度較粗糙，亦可將熔融氫氧化鈉SHL散佈在剝離面的凸部而使之有效率地平滑化，又，亦可藉由在剝離面形成溫度分布而提升在溫度較高之基板面部分的蝕刻率，藉此而調整剝離面的平面度。
所使用之SiC結晶構件20，係可為第3圖所示的基板狀，藉此即可藉由自改質層22的剝離而獲得預定厚度的2片SiC結晶基板。
再者，雷射聚光裝置14係可包括修正環13、及保持於修正環13內的聚光透鏡15，具有修正起因於SiC結晶構件20的折射率所引起之像差的功能，亦即具有作為像差修正環的功能。具體而言，如第4圖所示，聚光透鏡15在空氣中聚光時，以使到達聚光透鏡15之外周部E的雷射光B較到達聚光透鏡15之中央部M的雷射光B更聚集在聚光透鏡側之方式進行修正。換言之，在聚光時，以使到達聚光透鏡15之外周部E之雷射光B的聚光點EP，相較於到達聚光透鏡15之中央部M之雷射光B的聚光點MP，更靠近聚光透鏡15的位置之方式進行修正。藉此，即可縮短因為雷射光之聚光所形成之加工痕之在雷射照射方向的長度，亦即易於使改質層22的厚度薄化。
若要以此方式將改質層22的厚度薄化，係例如以在空氣中聚光的第1透鏡16、及配置於該第1透鏡16與SiC結晶構件20之間的第2透鏡18來構成該聚光透鏡15。再者，藉由調整修正環13的旋轉位置，亦即調整第1透鏡16與第2透鏡18的間隔，即可調整聚光點EP與聚光點MP的間隔，而雷射聚光裝置14係被設為以簡單的構成具有作為附設修正環之透鏡功能的構成。
(變形例)
以下說明一邊使容器內的熔融氫氧化鈉流動一邊進行蝕刻之例子。在本變形例中，如第5圖所示，係配置：電氣爐30；基板保持部32，係配置於電氣爐30內，用以將基板保持於上面側；槽34，係貯存熔融氫氧化鈉，可從供給口34m供給；及收容部36，使流過基板保持部32上之基板面PLS的熔融氫氧化鈉SHL流入而予以收容。
在基板保持部32中，係在上面側設有保持基板PL(SiC晶圓)的傾斜保持板38。以此傾斜保持板38而言，係可構成為使流過基板PL上部的熔融氫氧化鈉SHL朝基板PL下方流動之方式，相對於水平面傾斜成可變之傾斜角度，而且，可相對於供給口34m跨越基板PL上部整體而水平移動(朝紙面正交方向移動)。另外，亦可從噴嘴將熔融氫氧化鈉SHL朝基板PL上部噴附，此外，亦可構成為使傾斜保持板38可繞著旋轉軸旋轉。
此外，在電氣爐30中，係透過開閉閥39而連接氧供給部40(例如氧氣瓶)。再者，在電氣爐30中係連接開閉閥42，而可釋出電氣爐內的氣體。
在本變形例中，係使傾斜保持板38相對於水平面傾斜預定角度，且使SiC基板PL以上面側為被蝕刻面而保持於該傾斜保持板38。再者，在已設為氧環境的電氣爐30內，係一邊使熔融氫氧化鈉SHL從槽34流動至SiC基板PL的被蝕刻面亦即基板面(基板上面)PLS的上部側，一邊使傾斜保持板38水平移動(朝紙面正交方向移動)而使熔融氫氧化鈉SHL涵蓋SiC基板PL上部整體而 朝下部側流動。電氣爐30內的溫度、熔融氫氧化鈉SHL的溫度及流量、SiC基板PL的移動速度等係調整為使SiC基板PL的氧化速度為氧化被膜之溶解速度以上，而且，使形成於SiC基板PL之被蝕刻面亦即基板面PLS的氧化被膜以高效率被去除，藉此而可將Si面以較C面更高的速度予以去除。
在本變形例中，係以此方式使熔融氫氧化鈉從上部朝下方流動於傾斜的SiC基板PL的基板面PLS，因此可一邊將SiC基板PL予以等向性蝕刻，一邊高效率地進行將良好的鏡面廣範圍且高速地形成於基板面PLS。
另外，即使不如本變形例以氧氣置換電氣爐內的全域，藉由至少以氧氣覆蓋被蝕刻面(基板面)，亦可獲得與本變形例相等的效果。
<實驗例1(濕式蝕刻之高速鏡面化現象的確認)>
在本實驗例中，係將SiC晶圓於熔融NaOH(熔融氫氧化鈉)中浸漬一半左右，藉此而在產生浸漬於熔融NaOH的浸漬部IM、及未浸漬於熔融NaOH的非浸漬部NIM的狀態下進行了蝕刻。另外，以下實驗例中所使用的SiC晶圓，係以鑽石砂輪(diamond wheel)的# 1000將表面進行了研磨作為前加工。
(實驗條件及實驗方法)
本發明人係於Ni(鎳)製的坩堝置入約5g的固形 NaOH，以電氣爐加熱而使之成為750℃的熔融狀態，且將經由Ni線固定的SiC晶圓(SiC基板)於已熔融的NaOH浸漬一半左右，進行20分鐘的蝕刻。所使用的晶圓係傾斜角4°、10mm見方的4H-SiC晶圓。以前加工而言，係藉由鑽石砂輪(SD # 1000)進行了研削。蝕刻率的評估係從蝕刻前後之厚度的差分而求出。粗糙度的測量，係使用了觸針式粗糙度測量機(Taylor Hobson公司製PGI840)。另外，進行研削之主要的理由，係用以先將晶圓的起伏或翹曲予以去除。
(蝕刻面的外觀與形狀)
第6圖顯示蝕刻後之SiC晶圓表面的形狀。在用以獲得第6圖的測量中，測量了在基板面沿著直線的表面的高度。
從第6圖可判斷出非浸漬部NIM被蝕刻去除者較浸漬部IM被蝕刻去除者多。尤其在非浸漬部NIM中，在從界面位置F距離1mm的區域中，係較浸漬部IM多去除了60μm。
(蝕刻表面的詳細觀察)
再者，藉由雷射顯微鏡像觀察浸漬部IM與非浸漬部NIM的界面附近V並進行了攝像。茲將攝像結果分別顯示於第7圖、第8圖。
在浸漬部IM中，雖觀察到蝕刻凹坑的產生 (參照第8圖)，但在非浸漬部NIM中，則確認了無蝕刻凹坑的平滑面(參照第7圖)。
再者，茲將藉由AFM以1μm×1μm測量非浸漬部NIM的結果顯示於第9圖。經此測量的結果，確認了粗糙度為0.54nmRa、8.7nmRz的鏡面。
<實驗例2(蝕刻之基礎特性的調查>
在本實驗例中，係進行了檢查蝕刻的特性會在溫度、氣體環境下產生何種影響的實驗。
(溫度對於到達面粗糙度與蝕刻率造成的影響)
以實驗例1的實驗方法為基礎，將實驗時間設為20至120分鐘、溫度設為600至750℃進行了蝕刻實驗。在本實驗例中，係針對浸漬部IM與非浸漬部NIM的界面附近V，調查了蝕刻溫度與蝕刻率的關係。實驗結果如第10圖所示。
可判斷出浸漬部IM、界面附近V都有愈高溫度則蝕刻率愈大的傾向，兩者變大的比例均為相同程度。再者，在界面附近V的蝕刻率，係較浸漬部IM高出2至3倍左右。尤其在750℃，高至289μm/h的值。
再者，第11圖(a)顯示浸漬部IM之蝕刻面的粗糙度，第11圖(b)顯示非浸漬部NIM之界面附近V之蝕刻面的粗糙度。在浸漬部IM中，可看出粗糙度一度增大，之後則減少的傾向。從蝕刻面的觀察結果來考察， 推測係因為在蝕刻初期出現因為鑽石砂輪所導致的擦痕，之後逐漸變得平滑。
再者，在浸漬部IM的蝕刻率較低，在120分鐘的實驗中，其係尚不足以減小浸漬部IM的粗糙度的時間。然而，由於可看出蝕刻凹坑增加的傾向，故難以適用於鏡面化。
另一方面，可判斷出在非浸漬部NIM中，當到達700℃時，即達到到達面粗糙度1.4nmRa。再者，從蝕刻面的觀察結果可得知，任何條件均未發現蝕刻凹坑的產生。關於此蝕刻凹坑，從蝕刻率低至23μm/h的處理條件，亦即600℃ 120分鐘之蝕刻處理後的觀察結果而言，亦未發現有蝕刻凹坑的產生。
(環境對於粗糙度與蝕刻率造成的影響)
以實驗例1的實驗條件為基礎，以實驗時間為30分鐘，分別在氣體環境為大氣時與氮氣(排除氧氣而使之為惰性的氣體)的情形下進行實驗，調查了其影響。
(氮氣環境的影響)
一邊使氮氣流動於電氣爐內一邊進行了蝕刻。關於浸漬部IM與非浸漬部NIM的界面附近V，係分別於第12圖(a)顯示氮氣流量與蝕刻率的關係，第12圖(b)顯示氮氣流量與粗糙度的關係。另外，第12圖(a)中氮氣流量0L/min係指不流動氮氣，因此電氣爐內仍為大氣環境。
蝕刻率於浸漬部IM、界面附近V，氮氣流量均為10L/min，都大幅降低，而在超過該流量的流量中，未見到超過該程度的變化。
另一方面，關於粗糙度，在浸漬部IM、界面附近V，均有氮氣流量愈增加則愈增大的傾向。因此，可推測出在蝕刻時首先會露出因為研削所導致的擦痕，之後消失，從而成為鏡面。從蝕刻面的觀察結果來看，浸漬部IM、界面附近V均觀察出擦痕，可推知粗糙度的增大傾向其原因為蝕刻率之降低所導致鏡面過程的鈍化。
(大氣的影響)
接著，進行了用以調查大氣影響的蝕刻。關於浸漬部IM與非浸漬部NIM的界面附近V，係分別於第13圖(a)顯示空氣流量與蝕刻率的關係，第13圖(b)顯示空氣流量與粗糙度的關係。浸漬部IM、界面附近V，蝕刻率均與空氣流量無關而幾乎未見變化。然而，可得知即使相同的蝕刻時間，在浸漬部IM中，也是空氣流量愈增加，擦痕(蝕刻凹坑)就愈被去除。此外，在空氣流量為20L/min下於界面附近V會產生膜狀的凹凸，粗糙度顯著地增大。
另外，成為可在大氣中及至空氣流量10L/min為止獲得所要達成的蝕刻狀態之結果。當空氣流量超過該程度時，氧化被膜會產生過剩而有變得不佳之可能性。惟藉由調整蝕刻溫度與熔融氫氧化鈉之液量的關係而非僅調整空氣流量，即使空氣流量超過該程度時亦有獲得效果之 可能性。
經由以上的實驗結果、推測，可得知空氣會在蝕刻中產生作用。因此，可推知在非浸漬部NIM中由於氫氧化鈉蒸氣或表面張力所導致之熔融氫氧化鈉的薄膜會在與SiC反應時引進大氣的氧氣而促進氧化。
<實驗例3(調查在Si面與C面藉由蝕刻而去除的量)>
在本實驗例中，係在一邊的基板面為Si面而另一邊的基板面為C面的SiC基板中，針對兩基板面測量蝕刻量(SiC的去除量)，藉此而比較了蝕刻速度。
在本實驗例中，係從各個基板面，使雷射光聚光於在基板深度方向成為等間隔的位置而形成了加工痕。形成位置係設為浸漬部IM、界面附近V、及非浸漬部NIM。再者，在藉由熔融氫氧化鈉進行蝕刻後，以顯微鏡測量了浸漬部IM、界面附近V、及非浸漬部NIM中之加工痕的深度位置。測量結果如表1所示。
Figure 107105000-A0202-12-0018-1
從表1可得知的結果為，在C面的去除量，在浸漬部IM、界面附近V、非浸漬部NIM中幾乎無差異，但在SiC面的去除量，在界面附近V為最大，而在浸漬部IM中，相較於界面附近V幾乎未被去除，在非浸漬部NIM中則為界面附近V的一半左右。
再者，出現的結果為，於浸漬部IM及非浸漬部NIM中，在Si面的去除量雖較在C面的去除量為小，但於界面附近V中，在Si面的去除量則較在C面的去除量更大。
<實驗例1至3的總結>
綜上所述，經由實驗例1至3，已發現使用了熔融NaOH的SiC基板之藉由濕式蝕刻而在非浸漬部中之Si面(在Si原子形成終端的基板面)之高效率的鏡面化現象。從用以調查該基礎特性的實驗可得知，藉由750℃、20分鐘的蝕刻而成為到達面粗糙度1.4nmRa，在750℃、45分鐘間，蝕刻率成為最大的304μm/h。再者，可得知在蝕刻環境中，空氣產生了作用。
綜上雖已說明了實施形態及實驗例，但此等實施形態及實驗例，係用以將本發明之技術思想予以具體化的例示，發明之範圍並未限定於此等。此等實施形態係可藉由其他各種形態實施，只要在不脫離發明之要旨的範圍內，可進行各種省略、置換、及變更。
[產業上的可利用性]
依據本發明，由於可效率良好地進行蝕刻，因此可利用於半導體領域、顯示器領域、能源領域等之廣泛的領域，最適用於SiC系功率元件(power device)等，可適用於透明電子領域、照明領域、複合型(hybrid)/電動汽車領域等廣泛的領域。
10‧‧‧容器
F‧‧‧界面位置
IM‧‧‧浸漬部
NIM‧‧‧非浸漬部
PL‧‧‧SiC基板
SHL‧‧‧熔融氫氧化鈉

Claims (6)

  1. 一種蝕刻方法，係包括去除步驟，該去除步驟係藉由使用已設定為預定的高溫域的熔融氫氧化鈉作為熔融鹼，於高溫而且含氧的環境下，一邊在基板面為由Si面與C面所構成之SiC基板的被蝕刻面形成氧化被膜，一邊以較C面更高的速度將前述被蝕刻面的Si面予以去除；在前述去除的步驟中，係以前述被蝕刻面為上面側而使前述SiC基板相對於水平面傾斜預定角度，且使前述熔融氫氧化鈉從前述被蝕刻面的上部側流動至下部側。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻方法，其中，前述預定的高溫域係設為650℃以上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之蝕刻方法，係進行：配置步驟，係將聚集雷射光的雷射聚光器以非接觸方式配置於SiC結晶構件之被照射面上；形成改質層步驟，係藉由前述雷射聚光器將雷射光照射於前述被照射面而將前述雷射光聚集於前述SiC結晶構件內部，並且使前述雷射聚光器與前述SiC結晶構件相對地移動，而在前述SiC結晶構件內部形成2次元狀之改質層；以及形成SiC結晶基板步驟，係將經由前述改質層分割而成的結晶層從前述改質層剝離，從而形成SiC結晶基板；其中， 使用經由前述剝離所獲得的前述SiC結晶基板作為前述SiC基板。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之蝕刻方法，係藉由對前述被蝕刻面進行等向性蝕刻而將前述氧化被膜予以去除。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之蝕刻方法，其中，前述高溫而且含氧的環境係設為在大氣中使用前述熔融氫氧化鈉的環境。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之蝕刻方法，其中，前述高溫而且含氧的環境係設為在將氧氣供給至前述被蝕刻面的空間使用前述熔融氫氧化鈉的環境。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6795811B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 国立大学法人埼玉大学 剥離基板製造方法
JP6865431B2 (ja) * 2017-02-16 2021-04-28 国立大学法人埼玉大学 エッチング方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102046857A (zh) * 2008-03-28 2011-05-04 杰富意矿物股份有限公司 AlN块状单晶、使用该单晶的半导体装置和生产该单晶的方法
TW201125163A (en) * 2009-12-18 2011-07-16 Sumitomo Electric Industries Group iii nitride crystal substrate, group iii nitride crystal substrate having epitaxial layer, and semiconductor device and method for producing the same
CN102569055A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3593195B2 (ja) * 1995-12-28 2004-11-24 新日本製鐵株式会社 ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
KR20110076448A (ko) 2009-12-29 2011-07-06 (주)비에이치세미콘 탄화물 세라믹 열판 및 그 제조방법
JP5519305B2 (ja) 2010-01-25 2014-06-11 トヨタ自動車株式会社 炭化珪素単結晶の欠陥検出方法
JP2011241096A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Mitsubishi Electric Corp 炭化ケイ素単結晶の製造方法
WO2013031172A1 (ja) * 2011-08-26 2013-03-07 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 ＳｉＣ半導体素子およびその製造方法
JP2014022677A (ja) 2012-07-23 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
KR101418004B1 (ko) 2013-01-25 2014-07-09 한국전기연구원 산화제가 첨가된 에천트를 이용한 고농도 실리콘카바이드 에칭방법
JP2014203833A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
DE112016000831T5 (de) * 2015-02-20 2017-11-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung
JP6379076B2 (ja) * 2015-08-19 2018-08-22 濱田重工株式会社 単結晶ＳｉＣウェハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102046857A (zh) * 2008-03-28 2011-05-04 杰富意矿物股份有限公司 AlN块状单晶、使用该单晶的半导体装置和生产该单晶的方法
TW201125163A (en) * 2009-12-18 2011-07-16 Sumitomo Electric Industries Group iii nitride crystal substrate, group iii nitride crystal substrate having epitaxial layer, and semiconductor device and method for producing the same
CN102569055A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀

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