TWI776041B - 還原二氧化碳產製碳化合物之方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其包含提供一光觸媒、提供一還原反應裝置、進行一混合步驟、進行一通氣步驟以及進行一照光步驟。光觸媒包含由下列式(i)或式(ii)所示之化合物：BiOX 式(i)、MBiO2X 式(ii)。還原反應裝置包含一反應器、一光源以及一第一氣體儲存裝置。混合步驟係將光觸媒與一液體溶液於反應器中混合形成一混合溶液。通氣步驟係將二氧化碳氣體由第一氣體儲存裝置通入至混合溶液中形成一飽和溶液。照光步驟係將飽和溶液於光源下照射生成一碳化合物。藉此，本發明可透過光觸媒應用於還原二氧化碳製造碳化合物。
Description
本發明是關於一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法，尤其是關於一種利用光觸媒還原二氧化碳產製碳化合物之方法。
石化燃料為目前最普遍的動力來源，且在工業發展、交通運輸以及農業發展上都佔據重要的地位，然而，石化燃料在使用的過程中會排放大量的二氧化碳，造成溫室效應、空氣汙染等環境問題，為了使環境能夠永續發展，如何降低二氧化碳的排放量與能源再生為現今重視的議題。
目前降低二氧化碳排放方法係使用高效率的發電系統，但其耗能且需高成本運作不符合經濟效益，為了可以節省成本、減少耗能並兼具環境保護，電化學催化與光催化還原二氧化碳為主要的研究技術，其中光催化比起電化學催化最大的優點在於不需要透過電能即能產生催化反應，而是利用太陽光作為能量來源，使用光觸媒進行反應時不會額外製造二氧化碳，因此相關研究學者致力於找尋合適的光觸媒來還原二氧化碳，達到環境保護以及永續能源的發展。
有鑑於此，如何製備出高效能的光觸媒並應用於還原二氧化碳以符合經濟效益，遂成相關業者努力的目標。
本發明之一目的是在於提供一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法，透過合成良好光催化性之鉍基材料作為光觸媒以及複合光觸媒，使其可有效地運用於還原二氧化碳並產製甲烷。
本發明之一實施方式提供一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其包含提供一光觸媒、提供一還原反應裝置、進行一混合步驟、進行一通氣步驟以及進行一照光步驟。其中，前述光觸媒包含由下列式(i)或式(ii)所示之化合物：BiOX 式(i)、MBiO2X 式(ii)，其中M為鉛、鈣、鍶、鋇、銅或鐵，X為氟、氯、溴或碘。前述還原反應裝置包含一反應器、一光源以及一第一氣體儲存裝置，光源以及第一氣體儲存裝置皆與反應器連接，且第一氣體儲存裝置係用於儲存一二氧化碳氣體。前述混合步驟係將光觸媒與一液體溶液於反應器中混合並震盪均勻以形成一混合溶液。前述通氣步驟係將二氧化碳氣體由第一氣體儲存裝置通入至混合溶液中，使二氧化碳氣體飽和溶解於混
合溶液中以形成一飽和溶液。前述照光步驟係將飽和溶液於光源下照射，並持續一反應時間，以生成一碳化合物。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中光觸媒可更包含式(i)之化合物與式(ii)之化合物的一複合物。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中光觸媒可更包含式(i)之化合物或式(ii)之化合物與一碳奈米材料的一複合物。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中碳奈米材料可為氧化石墨烯(GO)或石墨相碳氮化合物(g-C3N4)。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中光源可為可見光、紫外光或太陽光。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中反應時間可為30秒至6小時。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中還原反應裝置可更包含一第二氣體儲存裝置，其與反應器連接，且第二氣體儲存裝置係用於儲存一氦氣氣體。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，可更包含一檢測步驟，其係利用一檢測裝置與反應器連接以測量碳化合物之產量。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中檢測裝置可為氣相層析儀。
依據前述實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中碳化合物可為甲烷或甲醇。
藉此，本發明之還原二氧化碳產製碳化合物之方法是於可見光的照射下，透過鉍基材料之光觸媒以及複合光觸媒還原二氧化碳製造甲烷。鉍基材料之光觸媒具有優良的光催化性能，可提升光催化效率，以增加甲烷之產率，有效應用於二氧化碳之回收，達到永續發展的目標。
100:還原二氧化碳產製碳化合物之方法
110、120、130、140、150:步驟
200:還原反應裝置
210:反應器
220:光源
230:第一氣體儲存裝置
231:第一流量控制器
240:第二氣體儲存裝置
241:第二流量控制器
250:管線
260:控制閥
270:攪拌器
280:檢測裝置
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖係繪示依照本發明之一實施方式之一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法的步驟流程圖；第2圖係繪示依照第1圖之還原反應裝置的示意圖；第3圖係繪示依照本發明實施例1之光觸媒的XRD繞射分析圖；第4A圖和第4B圖係繪示依照本發明實施例1之光觸媒的FESEM表面形貌；第4C圖係繪示依照本發明實施例1之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；第5圖係繪示依照本發明實施例2之光觸媒的XRD繞射分析圖；第6A圖和第6B圖係繪示依照本發明實施例2之光觸媒的FESEM表面形貌；
第6C圖係繪示依照本發明實施例2之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；第7圖係繪示依照本發明實施例3之光觸媒的XRD繞射分析圖；第8A圖和第8B圖係繪示依照本發明實施例3之光觸媒的FESEM表面形貌；第8C圖係繪示依照本發明實施例3之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；第9圖係繪示依照本發明實施例6之光觸媒的XRD繞射分析圖；第10圖係繪示依照本發明實施例7之光觸媒的XRD繞射分析圖；第11圖係繪示依照本發明實施例8之光觸媒的XRD繞射分析圖；第12圖係繪示依照本發明實施例9之光觸媒的XRD繞射分析圖；第13圖係繪示依照本發明實施例10之光觸媒的XRD繞射分析圖；第14圖係繪示依照本發明實施例1及實施例11之光觸媒的XRD繞射分析圖；第15圖係繪示依照本發明實施例11之光觸媒的FESEM表面形貌；第16圖係繪示依照本發明實施例2及實施例12之光觸媒的XRD繞射分析圖；
第17A圖係繪示依照本發明實施例12之光觸媒的TEM明場圖；第17B圖係繪示依照本發明實施例12之光觸媒的擇區電子繞射圖(selected area electron diffraction)；第17C圖係繪示依照本發明實施例12之光觸媒的HR-TEM圖；第17D圖係繪示依照本發明實施例12之光觸媒的元素分布圖；第17E圖係繪示依照本發明實施例12之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；第18圖係繪示依照本發明實施例3及實施例13之光觸媒的XRD繞射分析圖；第19圖係繪示依照本發明實施例1及實施例14之光觸媒的XRD繞射分析圖；第20A圖和第20B圖係繪示依照本發明實施例14之光觸媒的FESEM表面形貌；第20C圖係繪示依照本發明實施例14之光觸媒的TEM明場圖；第20D圖係繪示依照本發明實施例14之光觸媒的擇區電子繞射圖；第20E圖係繪示依照本發明實施例14之光觸媒的HR-TEM圖；第20F圖係繪示依照本發明實施例14之光觸媒的元素分布圖；
第20G圖係繪示依照本發明實施例14之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；第21圖係繪示依照本發明實施例2及實施例15之光觸媒的XRD繞射分析圖；第22A圖和第22B圖係繪示依照本發明實施例15之光觸媒的FESEM表面形貌；第22C圖係繪示依照本發明實施例15之光觸媒的TEM明場圖；第22D圖係繪示依照本發明實施例15之光觸媒的擇區電子繞射圖；第22E圖係繪示依照本發明實施例15之光觸媒的HR-TEM圖；第22F圖係繪示依照本發明實施例15之光觸媒的元素分布圖；第22G圖係繪示依照本發明實施例15之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；第23圖係繪示依照本發明實施例3及實施例16之光觸媒的XRD繞射分析圖；第24A圖和第24B圖係繪示依照本發明實施例16之光觸媒的FESEM表面形貌；第25圖係繪示依照本發明實施例17之光觸媒的XRD繞射分析圖；第26A圖係繪示依照本發明實施例17之光觸媒的TEM明場圖；
第26B圖係繪示依照本發明實施例17之光觸媒的擇區電子繞射圖；第26C圖係繪示依照本發明實施例17之光觸媒的HR-TEM圖；第26D圖係繪示依照本發明實施例17之光觸媒的元素分布圖；第26E圖係繪示依照本發明實施例17之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；第27圖係繪示依照本發明實施例18之光觸媒的XRD繞射分析圖；第28A圖係繪示依照本發明實施例18之光觸媒的TEM明場圖；第28B圖係繪示依照本發明實施例18之光觸媒的擇區電子繞射圖；第28C圖係繪示依照本發明實施例18之光觸媒的HR-TEM圖；第28D圖係繪示依照本發明實施例18之光觸媒的EDS能量分散光譜圖；以及第29圖係繪示依照本發明實施例19之光觸媒的XRD繞射分析圖。
以下將參照圖式說明本發明之實施方式。為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。
然而，閱讀者應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示；並且重複之元件將可能使用相同的編號表示。
請參照第1圖以及第2圖，其中第1圖繪示依照本發明之一實施方式之一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法100的步驟流程圖，第2圖繪示依照第1圖之還原反應裝置200的示意圖。還原二氧化碳產製碳化合物之方法100包含步驟110、步驟120、步驟130、步驟140以及步驟150。
步驟110為提供一光觸媒，其中光觸媒包含由下列式(i)或式(ii)所示之化合物：BiOX 式(i)、MBiO2X 式(ii)，其中M為鉛、鈣、鍶、鋇、銅或鐵，X為氟、氯、溴或碘。詳細來說，式(i)之化合物以及式(ii)之化合物皆為鉍基材料，鉍基材料因其獨特的層狀結構，有利於電子電洞分離，且在可見光下擁有高活性，使鉍基材料具有作為光觸媒材料的潛力。其中，式(i)之化合物係鹵氧化鉍系列的光觸媒，其結晶構造中含有[Bi2O2]2+的層狀結構，可與鹵素離子(X-)形成雙板交錯的特殊異相性層狀結構，此種特定層狀結構可增加其在可見光區域的吸收，並有效促進光電子的分離，然而，鹵氧化鉍之光觸媒的吸收光區大多在於紫外光區，具有電子-電洞重組率過高的問題，導致其光催化活性
常受到限制。為了改善上述問題，進而將金屬離子(M2+)摻入[Bi2O2]2+的層狀結構中，製備出式(ii)之化合物，其係類鈣鈦礦(Perovskite-like)結構之金屬鹵氧化鉍系列的光觸媒，用來修飾式(i)之化合物，提高其光催化活性。
為了增強光觸媒的效率，光觸媒可更包含式(i)之化合物與式(ii)之化合物的一複合物，其可為但不限於PbBiO2X/BiOX或BiOX/MBiO2X。另外，光觸媒可更包含式(i)之化合物或式(ii)之化合物與一碳奈米材料的一複合物，其中碳奈米材料具有優異的化學與物理性質，以及極大的比表面積，使其有良好的電子電洞傳導，因此廣泛應用於光觸媒複合材料，碳奈米材料可為但不限於碳奈米管、碳奈米纖維、碳奈米球、石墨烯、氧化石墨烯(GO)或石墨相碳氮化合物(g-C3N4)，較佳地，本發明所使用的碳奈米材料為氧化石墨烯以及石墨相碳氮化合物。
氧化石墨烯具有環氧基、氫氧基等官能基能進行還原反應，使得光觸媒與氧化石墨烯複合時，可將光催化反應產生的光電子導開，以大幅降低電子電洞的重組率，使光催化效率提高，並能夠提升光觸媒之比表面積，而式(i)之化合物或式(ii)之化合物與氧化石墨烯的複合光觸媒可為但不限於PbBiO2X/GO、BiOX/GO、BiOX/BiOY/GO或BiOX/BiOY/BiOZ/GO(X、Y、Z=F、Cl、Br、I)。石墨相碳氮化合物本身可為可見光觸媒，但是其光催化活性因光生電子電洞重組率高而受限，因此將石墨相碳氮化合物與其他光觸媒複合以製備出異質結構複合光觸媒，可加速分離光
生電子電洞，增加光催化效率，而式(i)之化合物或式(ii)之化合物與石墨相碳氮化合物的複合光觸媒可為但不限於PbBiO2X/g-C3N4、BiOX/g-C3N4、BiOX/BiOY/g-C3N4或BiOX/BiOY/BiOZ/g-C3N4(X、Y、Z=F、Cl、Br、I)。
步驟120為提供一還原反應裝置200，如第2圖所示，還原反應裝置200包含一反應器210、一光源220以及一第一氣體儲存裝置230，且光源220以及第一氣體儲存裝置230皆與反應器210連接，其中第一氣體儲存裝置230係用於儲存一二氧化碳氣體，另外，還原反應裝置200可更包含一第二氣體儲存裝置240，其與反應器210連接，且第二氣體儲存裝置240係用於儲存一氦氣氣體。詳細來說，第一氣體儲存裝置230與第二氣體儲存裝置240分別連接一第一流量控制器231以及一第二流量控制器241，並經由一管線250連接至反應器210，此外，各氣體儲存裝置以及各流量控制器之間皆設有控制閥260，可控制二氧化碳氣體以及氦氣氣體進入流量控制器，再通入於反應器210中。
步驟130為進行一混合步驟，其係將光觸媒與一液體溶液於反應器210中混合並震盪均勻以形成一混合溶液。如第2圖所示，混合溶液係將反應器210放置於一攪拌器270上混合震盪所製備而成，所述液體溶液可為鹼性氫氧化鈉水溶液，其可增加二氧化碳的溶解度。
步驟140為進行一通氣步驟，其係將二氧化碳氣體由第一氣體儲存裝置230通入至混合溶液中，並維持一
小時，確保反應器210內除了二氧化碳外無其他氣體殘留，使二氧化碳氣體飽和溶解於混合溶液中以形成一飽和溶液。
步驟150為進行一照光步驟，其係將飽和溶液於光源220下照射，並持續一反應時間，以生成一碳化合物，其中光源220可為但不限於可見光、紫外光或太陽光，且反應時間可為30秒至6小時。另外，在照光步驟後，可更包含一檢測步驟，其係利用一檢測裝置280與反應器210連接以測量碳化合物之產量，其中檢測裝置280為氣相層析儀。詳細的說，在照光反應持續30秒至6小時後，以每30分鐘使用檢測裝置280測量碳化合物以獲得各時間點反應之層析圖譜數據，以分析碳化合物之產量，而碳化合物可為甲烷或甲醇等有機物。
藉此，本發明之還原二氧化碳產製碳化合物之方法係藉由鉍基材料及其複合物作為光觸媒，並應用於二氧化碳還原製造甲烷等有機物，形成碳循環，達到永續發展的目標。
1. 光觸媒之合成
本發明之實施例1至實施例3為PbBiO2X(X=Cl、Br、I)光觸媒，其合成方法係取3mmole的硝酸鉍(Bi(NO3)3˙5H2O)溶於10mL的去離子水中攪拌均勻，隨後加入1、3、5或15mL的1M硝酸鉛(Pb(NO3)2)，並使用氫氧化鈉(NaOH)水溶液調整pH值，之後再加入1
mL的1M鹵化鉀(KX,X=Cl、Br、I)水溶液，並劇烈攪拌30分鐘，接著放入高壓釜中加熱至200℃或250℃反應12小時，之後降溫至室溫後使用去離子水過濾洗滌數次，並置入60℃烘箱烘乾12小時，研磨後即可得到實施例1至實施例3。
本發明之實施例4至實施例7為MBiO2X(M=Ca、Sr、Ba,X=Cl、Br、I)光觸媒，其合成方法係取3mmole的硝酸鉍(Bi(NO3)3˙5H2O)溶於10mL的1M硝酸(HNO3)中攪拌均勻，隨後加入1mL的1M鹵化鉀(KX,X=Cl、Br、I)攪拌30分鐘，並使用氫氧化鈉(NaOH)水溶液調整pH值，接著放入高壓釜中加熱至100℃至250℃反應24、48或72小時，之後降溫至室溫後使用去離子水過濾洗滌數次，並置入60℃烘箱烘乾12小時，以產生鹵氧化鉍。或取0.05mole的硝酸鉍溶於25mL之乙醇中配製成A液，取0.05mole的鹵化鉀溶於25mL之去離子水中配製成B液，將A液與B液混合後劇烈攪拌4小時，以抽氣過濾法過濾粉末並烘乾，使用瑪瑙研缽研磨，也可以產生鹵氧化鉍。將製備好的鹵氧化鉍與氫氧化鋇(或鈣或鍶)，以莫耳比1：1之比例磨碎混合均勻並放置坩堝中，放入高溫爐進行鍛燒(調整溫度500℃至900℃、時間12至96小時)，研磨後即可得到實施例4至實施例7。
本發明之實施例8至實施例10為BiOX(X=Cl、Br、I)光觸媒，其合成方法係取3mmole的硝酸鉍(Bi(NO3)3˙5H2O)溶於10mL的1M硝酸(HNO3)中
攪拌均勻，隨後加入1mL的1M鹵化鉀(KX,X=Cl、Br、I)攪拌30分鐘，並使用氫氧化鈉(NaOH)水溶液調整pH值，接著放入高壓釜中加熱至100℃至250℃反應24、48或72小時，之後降溫至室溫後使用去離子水過濾洗滌數次，並置入60℃烘箱烘乾12小時。或取0.05mole的硝酸鉍溶於25mL之乙醇中配製成A液，取0.05mole的鹵化鉀溶於25mL之去離子水中配製成B液，將A液與B液混合後劇烈攪拌4小時，以抽氣過濾法過濾粉末並烘乾，使用瑪瑙研缽研磨，也可以產生鹵氧化鉍。研磨後即可得到實施例8至實施例10。
本發明之實施例11至實施例13為PbBiO2X/BiOX(X=Cl、Br、I)複合光觸媒，其合成方法係取3mmole的硝酸鉍(Bi(NO3)3˙5H2O)溶於10mL的1M硝酸(HNO3)中攪拌均勻，隨後加入1mL的1M鹵化鉀(KX,X=Cl、Br、I)攪拌30分鐘，再加入1、3、5或15mL的1M硝酸鉛(Pb(NO3)2)，並使用氫氧化鈉(NaOH)水溶液調整pH值，接著放入高壓釜中加熱至200℃或250℃反應12小時，之後降溫至室溫後使用去離子水過濾洗滌數次，並置入60℃烘箱烘乾12小時，研磨後即可得到實施例11至實施例13。
本發明之實施例14至實施例16為PbBiO2X(X=Cl、Br、I)/GO複合光觸媒，其合成方法係取5mmole的硝酸鉍(Bi(NO3)3˙5H2O)溶於5mL的去離子水中攪拌均勻，形成A液，另外，取0.05克的氧化石墨烯(GO)溶於10mL的去離子水中攪拌均勻，形成B液，將A液
與B液攪拌均勻後加入5或15mL的1M硝酸鉛(Pb(NO3)2)，並使用氫氧化鈉(NaOH)水溶液調整pH值，之後加入1或3mL的5M鹵化鉀(KX,X=Cl、Br、I)水溶液，並劇烈攪拌30分鐘，接著放入高壓釜中加熱至200℃或250℃反應12小時，之後降溫至室溫後使用去離子水過濾洗滌數次，並置入60℃烘箱烘乾12小時，研磨後即可得到實施例14至實施例16。
本發明之實施例17至實施例19為PbBiO2X(X=Cl、Br、I)/g-C3N4複合光觸媒，其合成方法係取5mmole的硝酸鉍(Bi(NO3)3˙5H2O)溶於5mL的去離子水中攪拌均勻，形成A液，另外，調整g-C3N4與3、5或15mL的1M硝酸鉛(Pb(NO3)2)的比例並溶於10mL的去離子水中攪拌均勻，形成B液，將A液與B液攪拌均勻後使用氫氧化鈉(NaOH)水溶液調整pH值，之後加入1或3mL的5M鹵化鉀(KX,X=Cl、Br、I)水溶液，並劇烈攪拌30分鐘，接著放入高壓釜中加熱至100℃至150℃反應12小時，之後降溫至室溫後使用去離子水過濾洗滌數次，並置入60℃烘箱烘乾12小時，研磨後即可得到實施例17至實施例19。
關於本發明之實施例1至實施例19的光觸媒種類如下表一所示：
2. 光觸媒之性質分析
2.1 鹵氧化鉍鉛光觸媒之性質分析
請參考第3圖、第4A圖、第4B圖以及第4C圖，其中第3圖繪示依照本發明實施例1之光觸媒的XRD繞射分析圖，第4A圖和第4B圖繪示依照本發明實施例1之光觸媒的FESEM表面形貌，其中第4A圖的放大倍率為5000倍，第4B圖的放大倍率為10000倍，第4C圖繪示依照本發明實施例1之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。由第3圖的結果可見，實施例1之光觸媒的加熱溫度為200℃，其特徵峰皆符合PbBiO2Cl之特徵峰(JCPDS card no 75-2096)，且無其
他晶相產生，為純相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例1為PbBiO2Cl光觸媒。另外，由第4A圖、第4B圖以及第4C圖可知，實施例1之光觸媒呈片狀結構，且其含有Pb、Bi、O、Cl之化學元素組成，關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表二所示：
請參考第5圖、第6A圖、第6B圖以及第6C圖，其中第5圖繪示依照本發明實施例2之光觸媒的XRD繞射分析圖，第6A圖和第6B圖繪示依照本發明實施例2之光觸媒的FESEM表面形貌，其中第6A圖的放大倍率為5000倍，第6B圖的放大倍率為10000倍，第6C圖繪示依照本發明實施例2之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。由第5圖的結果可見，實施例2之光觸媒的加熱溫度為250℃，其特徵峰皆符合PbBiO2Br之特徵峰(JCPDS card no 38-1008)，且無其他晶相產生，為純相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例2為PbBiO2Br光觸媒。另外，由第6A圖、第6B圖以及第6C圖可知，實施例2之光觸媒呈板狀結構，且其含有Pb、Bi、O、Br之化學元素組成。關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表三所示：
請參考第7圖、第8A圖、第8B圖以及第8C圖，其中第7圖繪示依照本發明實施例3之光觸媒的XRD繞射分析圖，第8A圖和第8B圖繪示依照本發明實施例3之光觸媒的FESEM表面形貌，其中第8A圖的放大倍率為5000倍，第8B圖的放大倍率為10000倍，第8C圖繪示依照本發明實施例3之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。由第7圖的結果可見，實施例3之光觸媒的加熱溫度為200℃，其特徵峰皆符合PbBiO2I之特徵峰(JCPDS card no 78-0521)，且無其他晶相產生，為純相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例3為PbBiO2I光觸媒。另外，由第8A圖、第8B圖以及第8C圖可知，實施例3之光觸媒呈片狀結構，且其含有Pb、Bi、O、I之化學元素組成。關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表四所示：
2.2 鹵氧化鉍鋇光觸媒之性質分析
請參考第9圖以及第10圖，其中第9圖繪示依照本發明實施例6之光觸媒的XRD繞射分析圖，第10圖繪示依照本發明實施例7之光觸媒的XRD繞射分析圖。由第9圖的結果可見，實施例6之光觸媒的加熱溫度為600℃，加熱時間分別為24、48以及72小時，上述特徵峰皆符合BaBiO2Cl之特徵峰(JCPDS card no 83-0442)，且無其他晶相產生，為純相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例6為BaBiO2Cl光觸媒。由第10圖的結果可見，實施例7之光觸媒的加熱溫度為800℃，加熱時間分別為24、48以及72小時，上述特徵峰皆符合BaBiO2Br之特徵峰(JCPDS card no 51-0266)，且無其他晶相產生，為純相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例7為BaBiO2Br光觸媒。
2.3 鹵氧化鉍光觸媒之性質分析
請參考第11圖、第12圖以及第13圖，其中第11圖繪示依照本發明實施例8之光觸媒的XRD繞射分析圖，第12圖繪示依照本發明實施例9之光觸媒的XRD繞射分析圖，其中第13圖繪示依照本發明實施例10之光觸媒的XRD繞射分析圖。由第11圖的結果可見，實施例8之光觸媒的特徵峰皆符合BiOCl之特徵峰(JCPDS card no 06-0249)，且無其他晶相產生，為純相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例8為BiOCl光觸媒。由第12圖的結果可見，實施例9之光觸媒的特徵峰皆符合BiOBr之特徵峰(JCPDS card no 78-0348)，且無其他晶相產生，為純相化合物，
因此，由XRD繞射分析可確認實施例9為BiOBr光觸媒。由第13圖的結果可見，實施例10之光觸媒的特徵峰皆符合BiOI之特徵峰(JCPDS card no 10-0445)，且無其他晶相產生，為純相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例10為BiOI光觸媒。
2.4鹵氧化鉍鉛/鹵氧化鉍複合光觸媒之性質分析
請參考第14圖以及第15圖，其中第14圖繪示依照本發明實施例1及實施例11之光觸媒的XRD繞射分析圖，第15圖繪示依照本發明實施例11之光觸媒的FESEM表面形貌。由第14圖的結果可見，實施例11之光觸媒為實施例1之光觸媒與BiOCl所複合的複合光觸媒，其特徵峰皆符合PbBiO2Cl之特徵峰(JCPDS card no 75-2096)以及BiOCl之特徵峰(JCPDS card no 06-0249)，為多晶相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例11為PbBiO2Cl/BiOCl複合光觸媒。另外，由第15圖可知，實施例11之光觸媒呈片狀結構。
請參考第16圖、第17A圖、第17B圖、第17C圖、第17D圖以及第17E圖，其中第16圖繪示依照本發明實施例2及實施例12之光觸媒的XRD繞射分析圖，第17A圖繪示依照本發明實施例12之光觸媒的TEM明場圖，第17B圖繪示依照本發明實施例12之光觸媒的擇區電子繞射圖，第17C圖繪示依照本發明實施例12之光觸媒的HR-TEM圖，第17D圖繪示依照本發明實施例12之光觸媒的元素分布
圖，第17E圖繪示依照本發明實施例12之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。
由第16圖的結果可見，實施例12之光觸媒為實施例2之光觸媒與BiOBr所複合的複合光觸媒，其特徵峰皆符合PbBiO2Br之特徵峰(JCPDS card no 38-1008)以及BiOBr之特徵峰(JCPDS card no 78-0348)，為多晶相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例12為PbBiO2Br/BiOBr複合光觸媒。另外，由第17A圖的結果可見，其係由不同大小不同形貌的薄片組成，由第17B圖的結果可見，其為多晶相型態，與第16圖之XRD繞射分析的結果相同，由第17C圖的結果可見，其顯示兩個不同的晶格條紋，其晶格間距(d-spacing)為0.193nm和0.641nm分別對應於BiOBr的(113)繞射面和PbBiO2Br的(002)繞射面，更加確認實施例12為PbBiO2Br/BiOBr複合光觸媒，並透過第17D圖以及第17E圖可知，實施例12之光觸媒含有Pb、Bi、O、Br之化學元素組成，且皆分布於整個片狀上。關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表五所示：
請參考第18圖，其繪示依照本發明實施例3及實施例13之光觸媒的XRD繞射分析圖。由第18圖的結果可見，實施例13之光觸媒為實施例3之光觸媒與Bi5O7I所複合的複合光觸媒，其特徵峰皆符合PbBiO2I之特徵峰(JCPDS card no 78-0521)以及Bi5O7I之特徵峰(JCPDS card no 48-0548)，為多晶相化合物，因此，由XRD繞射分析可確認實施例13為PbBiO2I/Bi5O7I複合光觸媒。
2.5 鹵氧化鉍鉛/氧化石墨烯複合光觸媒之性質分析
請參考第19圖、第20A圖、第20B圖、第20C圖、第20D圖、第20E圖、第20F圖以及第20G圖，其中第19圖繪示依照本發明實施例1及實施例14之光觸媒的XRD繞射分析圖，第20A圖和第20B圖繪示依照本發明實施例14之光觸媒的FESEM表面形貌，其中第20A圖的放大倍率為1000倍，第20B圖的放大倍率為3000倍，第20C圖繪示依照本發明實施例14之光觸媒的TEM明場圖，第20D圖繪示依照本發明實施例14之光觸媒的擇區電子繞射圖，第20E圖繪示依照本發明實施例14之光觸媒的HR-TEM圖，第20F圖繪示依照本發明實施例14之光觸媒的元素分布圖，第20G圖繪示依照本發明實施例14之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。
由第19圖的結果可見，實施例14之光觸媒的加熱溫度為200℃，其特徵峰皆符合PbBiO2Cl之特徵峰(JCPDS card no 75-2096)，但未觀察到GO的繞射峰，可
能是因為加入GO的含量較低，所以GO的繞射峰強度相對於PbBiO2Cl較弱。另外，由第20A圖以及第20B圖的結果可見，其由原本實施例1之片狀聚集的形貌轉變為由奈米薄片聚集形成的花球狀，而由第20C圖的結果可見，顏色較透明的部分為GO，顏色較深的為純相PbBiO2Cl光觸媒，由第20D圖的結果可見，其為多晶相(polycrystalline)結構，由第20E圖的結果可見，其顯示晶格條紋及晶格間距為0.1741nm對應於PbBiO2Cl的(131)繞射面，更加確認實施例14為PbBiO2Cl/GO複合光觸媒，並透過第20F圖以及第20G圖可知，實施例14之光觸媒含有Pb、Bi、O、Cl、C之化學元素組成，且皆均勻分布於整個片狀上。關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表六所示：
請參考第21圖、第22A圖、第22B圖、第22C圖、第22D圖、第22E圖、第22F圖以及第22G圖，其中第21圖繪示依照本發明實施例2及實施例15之光觸媒的XRD繞射分析圖，第22A圖和第22B圖繪示依照本發明實施例15之光觸媒的FESEM表面形貌，其中第22A圖的放大倍率為
1000倍，第22B圖的放大倍率為3000倍，第22C圖繪示依照本發明實施例15之光觸媒的TEM明場圖，第22D圖繪示依照本發明實施例15之光觸媒的擇區電子繞射圖，第22E圖繪示依照本發明實施例15之光觸媒的HR-TEM圖，第22F圖繪示依照本發明實施例15之光觸媒的元素分布圖，第22G圖繪示依照本發明實施例15之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。
由第21圖的結果可見，實施例15之光觸媒的加熱溫度為250℃，其特徵峰皆符合PbBiO2Br之特徵峰(JCPDS card no 38-1008)，但未觀察到GO的繞射峰，可能是因為加入GO的含量較低，所以GO的繞射峰強度相對於PbBiO2Br較弱。另外，由第22A圖以及第22B圖的結果可見，其由原本實施例2之板狀聚集的形貌轉變為由奈米薄片聚集形成的花球狀，而由第22C圖的結果可見，顏色較透明的部分為GO，顏色較深的為純相PbBiO2Br光觸媒，由第20D圖的結果可見，其為多晶相結構，由第20E圖的結果可見，其顯示晶格條紋及晶格間距為0.2115nm對應於PbBiO2Br的(114)繞射面，更加確認實施例15為PbBiO2Br/GO複合光觸媒，並透過第22F圖以及第22G圖可知，實施例15之光觸媒含有Pb、Bi、O、Br、C之化學元素組成，且皆均勻分布於整個片狀上。關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表七所示：
請參考第23圖、第24A圖以及第24B圖，其中第23圖繪示依照本發明實施例3及實施例16之光觸媒的XRD繞射分析圖，第24A圖和第24B圖繪示依照本發明實施例16之光觸媒的FESEM表面形貌，其中第24A圖的放大倍率為1000倍，第24B圖的放大倍率為3000倍。由第23圖的結果可見，實施例16之光觸媒的加熱溫度為200℃，其特徵峰皆符合PbBiO2I之特徵峰(JCPDS card no 78-0521)，但未觀察到GO的繞射峰，可能是因為加入GO的含量較低，所以GO的繞射峰強度相對於PbBiO2I較弱。另外，由第24A圖以及第24B圖的結果可見，其由原本實施例3之片狀聚集的形貌轉變為由奈米薄片聚集形成的花球狀。
2.6 鹵氧化鉍鉛/石墨相碳氮化合物複合光觸媒之性質分析
請參考第25圖、第26A圖、第26B圖、第26C圖、第26D圖以及第26E圖，其中第25圖繪示依照本發明實施例17之光觸媒的XRD繞射分析圖，第26A圖繪示依照本發明實施例17之光觸媒的TEM明場圖，第26B圖繪示依照本發明實施例17之光觸媒的擇區電子繞射圖，第26C圖繪示依照本發明實施例17之光觸媒的HR-TEM圖，第26D圖繪
示依照本發明實施例17之光觸媒的元素分布圖，第26E圖繪示依照本發明實施例17之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。
由第25圖的結果可見，實施例17之光觸媒由下到上為100%(純g-C3N4)、75%、50%、25%、10%、5%、0%(純PbBiO2Cl)，其特徵峰符合PbBiO2Cl之特徵峰(JCPDS card no 13-0352)，但在低的比例條件下，因為加入g-C3N4的含量較低，所以g-C3N4繞射峰強度相對於PbBiO2Cl較弱，難以觀察到g-C3N4。另外，由第26A圖的結果可見，在g-C3N4薄片上有深暗區塊為PbBiO2Cl，薄膜且具層狀結構為g-C3N4，由第26B圖的結果可見，其為多晶相結構，由第26C圖的結果可見，其顯示晶格條紋及晶格間距為0.278nm和0.308nm分別對應於PbBiO2Cl的(020)繞射面和PbBiO2Cl的(004)繞射面，而g-C3N4則為非晶排列，更加確認實施例17為PbBiO2Cl/g-C3N4複合光觸媒，並透過第26D圖以及第26E圖可知，實施例17之光觸媒含有Pb、Bi、O、Cl、C、N之化學元素組成，且皆均勻分布於多層結構上。關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表八所示：
請參考第27圖、第28A圖、第28B圖、第28C圖以及第28D圖，其中第27圖繪示依照本發明實施例18之光觸媒的XRD繞射分析圖，第28A圖繪示依照本發明實施例18之光觸媒的TEM明場圖，第28B圖繪示依照本發明實施例18之光觸媒的擇區電子繞射圖，第28C圖繪示依照本發明實施例18之光觸媒的HR-TEM圖，第28D圖繪示依照本發明實施例18之光觸媒的EDS能量分散光譜圖。
由第27圖的結果可見，實施例18之光觸媒由上到下為100%(純g-C3N4)、75%、50%、25%、15%、10%、5%、0%(純PbBiO2Br)，其特徵峰符合PbBiO2Br之特徵峰(JCPDS card no 38-1008)以及g-C3N4之特徵峰(JCPDS card no 87-1526)。另外，由第28A圖的結果可見，在g-C3N4薄片上有深暗區塊為PbBiO2Br，薄膜且具層狀結構為g-C3N4，由第28B圖的結果可見，其為多晶相結構，由第28C圖的結果可見，其顯示晶格條紋及晶格間距(d-spacing)為0.1662nm和0.2053nm對應於對應於PbBiO2Br的(107)繞射面和g-C3N4的(200)繞射面，更加確認實施例18為PbBiO2Br/g-C3N4複合光觸媒，並透過第28D圖可知，實施例18之光觸媒含有Pb、Bi、O、Br、C、N之化學元素組成。關於各元素的重量百分比(weight%)與原子百分比(atom%)如下表九所示：
請參考第29圖，其繪示依照本發明實施例19之光觸媒的XRD繞射分析圖。由第29圖的結果可見，實施例19之光觸媒由下到上為100%(純g-C3N4)、75%、50%、25%、10%、5%、0%(純PbBiO2I)，其特徵峰符合PbBiO2I之特徵峰(JCPDS card no 38-1007)，但在低的比例條件下，因為加入g-C3N4的含量較低，所以g-C3N4繞射峰強度相對於PbBiO2I較弱，難以觀察到g-C3N4。
3. 還原二氧化碳產製甲烷
本發明係依照第1圖實施方式之還原二氧化碳產製碳化合物之方法100來進行，詳細來說，先將本發明之實施例1至實施例19的光觸媒0.2g加入至300mL的氫氧化鈉溶液中震盪均勻形成混合溶液，之後以每分鐘50mL的速率通入氦氣並維持30分鐘後關閉氣體使用氣相層析儀測量B1作為背景值1，以進行無光照、無二氧化碳之空白測試。接著以每分鐘10mL的速率通入二氧化碳並維持60分鐘後使用氣相層析儀B2作為背景值2，以進行無光照之空白測試。二氧化碳氣體不關閉，使其飽和溶解於混合溶液中形成飽和溶液，開啟LED光源開始照光反應4小時，並且30秒及每30分鐘使用氣相層析儀測量甲烷產量，以獲得個時間點
反應之層析圖譜數據，反應完成後將光源及氣體關閉，將反應後之溶液過濾後在相同參數下使用氣相層析儀分析。
本發明之實施例1至實施例10之光觸媒經由照光反應後，皆能還原二氧化碳並產製甲烷，其甲烷隨照光時間所產生之濃度、觸媒量、測量時間點以及甲烷產率(μmol/g/h)如下表十所示：
本發明之實施例11至實施例19之複合光觸媒經由照光反應後，皆能還原二氧化碳並產製甲烷，其甲烷隨照光時間所產生之濃度、觸媒量、測量時間點以及甲烷產率(μmol/g/h)如下表十一所示：
綜上所述，本發明提供一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法，透過合成有光催化效能之鉍基材料及其複合物作為光觸媒，經由照光反應，使光觸媒產生電子電洞，其不僅能還原二氧化碳，達成二氧化碳的減量，同時又可生成具有經濟價值的甲烷，以達到永續發展的目標。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧還原二氧化碳產製碳化合物之方法
110、120、130、140、150‧‧‧步驟
Claims (7)
- 一種還原二氧化碳產製碳化合物之方法，包含：提供一光觸媒，其中該光觸媒包含由下列式(ii)所示之化合物與氧化石墨烯或石墨相碳氮化合物的一複合物：MBiO2X 式(ii)，其中M為鉛、鈣、鍶、鋇、銅或鐵，X係選自由氟、溴或碘組成之群組；提供一還原反應裝置，其中該還原反應裝置包含一反應器、一光源以及一第一氣體儲存裝置，該光源以及該第一氣體儲存裝置皆與該反應器連接，且該第一氣體儲存裝置係用於儲存一二氧化碳氣體；進行一混合步驟，其係將該光觸媒與一液體溶液於該反應器中混合並震盪均勻以形成一混合溶液；進行一通氣步驟，其係將該二氧化碳氣體由該第一氣體儲存裝置通入至該混合溶液中，使該二氧化碳氣體飽和溶解於該混合溶液中以形成一飽和溶液；進行一照光步驟，其係將該飽和溶液於該光源下照射，並持續一反應時間，以生成一碳化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中該光源為可見光、紫外光或太陽光。
- 如申請專利範圍第1項所述之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中該反應時間為30秒至6小時。
- 如申請專利範圍第1項所述之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中該還原反應裝置更包含一第二氣體儲存裝置，其與該反應器連接，且該第二氣體儲存裝置係用於儲存一氦氣氣體。
- 如申請專利範圍第1項所述之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，更包含一檢測步驟，其係利用一檢測裝置與該反應器連接以測量該碳化合物之產量。
- 如申請專利範圍第5項所述之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中該檢測裝置為氣相層析儀。
- 如申請專利範圍第1項所述之還原二氧化碳產製碳化合物之方法，其中該碳化合物為甲烷或甲醇。
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