TWI775837B

TWI775837B - 光調變元件

Info

Publication number: TWI775837B
Application number: TW107113275A
Authority: TW
Inventors: 菲爾貝克; 瑞秋杜賓; 喬瑟夫沙捷特; 伊安查爾斯沙吉
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2017-04-20
Filing date: 2018-04-19
Publication date: 2022-09-01
Also published as: EP3612615A1; CN110536949B; US11124705B2; TW201903129A; EP3612615B1; CN110536949A; KR20190139987A; US20200123446A1; WO2018192896A1

Abstract

本發明係關於一種光調變元件，該光調變元件包含：一對基板；位於該等基板中之一者之內側上的一或多個光學膜；能夠誘發實質上平行於該等基板之主平面之電場的電極結構；以及可獲自光配向組分A)及液晶組分B)之均勻配向的液晶介質。此外，本發明係關於生產該光調變元件之方法、該光調變元件在電光學裝置中之用途、及包含該光調變元件之電光學裝置。

Description

光調變元件

本發明係關於一種光調變元件，該光調變元件包含：一對基板；位於該等基板中之至少一者之內側上的一或多個光學膜；能夠誘發實質上平行於基板主平面之電場的電極結構；以及可獲自光配向組分A)及液晶組分B)之均勻配向的液晶介質。此外，本發明係關於一種生產光調變元件之方法、該光調變元件在電光學裝置中之用途及一種包含該光調變元件之電光學裝置。

數十年來，液晶介質已用於電光顯示器(液晶顯示器-LCD)中以用於資訊顯示之目的。目前所用之液晶顯示器(LC顯示器)常常為扭轉向列(「TN」)型液晶顯示器。然而，此等液晶顯示器之缺點為對比度對視角具有強依賴性。此外，已報告了所謂的平面內切換型(「IPS」)顯示器及隨後的邊緣場切換型(「FFS」)顯示器(尤其參見S.H. Jung等人的Jpn. J. Appl. Phys.，第43卷，第3,2004,10289號)。 FFS顯示器通常含有具有正介電各向異性之LC介質，及通常聚醯亞胺之配向層，其向LC介質之分子提供平面配向。此外，已揭示了FFS顯示器(參見S.H. Lee等人的Appl. Phys. Lett. 73(20)，1998，2882-2883及S.H. Lee等人的Liquid Crystals 39(9)，2012，1141-1148)，FFS顯示器具有與FFS顯示器相似的電極設計及層厚度。為了達成液晶在整個顯示器區域上之均一配向，需要基板頂部上之配向層與液晶接觸。經摩擦的聚醯亞胺已長時間用於均勻地配向液晶。然而，摩擦製程引起多種問題：斑紋、污染、靜電放電問題、殘渣等等。因此，生產聚醯亞胺層之投入量、層之處理及對凸塊或聚合物層之改良相對較大。因此將需要在一方面減少生產成本且在另一方面有助於使影像品質(視角依賴性、對比度及回應時間)達到最佳之簡化技術。在先前技術中，描述了包含合適發色團之定向聚合物的機構，其中藉由用線性偏振光輻照來起始光修改，從而產生較佳分子組態(參見US 5,389,698)。基於此等發現開發了光配向，光配向係一種用於實現液晶配向之技術，液晶配向藉由配向表面之此光誘發性定向排序而避免摩擦。光配向係一種用於藉由用配向表面之光誘發性定向排序代替其來實現避免摩擦之液晶(LC)配向的技術。可經由光分解、光二聚及光異構化之機構來實現此光配向。鑒於此，N.A. Clark等人的朗格繆爾2010 ，26 ( 22 ) ，17482-17488已展示有可能將具有以下結構之化合物自組裝

至基板上以得到單層，單層能夠光配向以誘發液晶之均勻配向。然而，在製造LC單元之前執行自組裝之分離步驟，且報告曝露於光之後配向的可逆性。此外，Mizusaki等人揭示製造均勻自配向邊緣場切換模式液晶單元而不將習知配向層用於液晶2017 ，1-8中。即使IPS/FFS顯示器大體展現類似的對比度對視角具有低依賴性，但當交叉線性偏振器用於此等模式中時，仍然存在漏光問題。為了解決與交叉線性偏振器相關聯的漏光問題，已揭示若干補償方法。舉例而言，在Chen等人的「針對TN及VA LCD之最佳膜補償模式(Optimum film compensation modes for TN and VA LCDs)」，SID 1998摘錄，第315至318頁(1998)及J.E. Anderson與P.J. Bos的「補償平面內切換型液晶顯示器之方法及問題(Methods and concerns of compensating in-plane switching liquid crystal displays)」，Jpn. J. Appl. Phys.，第39卷，第6388至6392頁(2000)中，揭示一種用於使用正雙折射C-膜(n_x =n_y ＜n_z )加上正雙折射A-膜(n_x ＞n_y =n_z )之方法，其中z軸沿著膜表面法線方向，亦即，膜厚度方向，且x軸平行於光軸方向。在Y. Saitoh等人的「平面內切換模式液晶顯示器中對比度之視角的最佳膜補償(Optimum film compensation of viewing angle of contrast in in-plane-switching-mode liquid crystal display)」，Jpn. J. Appl. Phys. Part 1，第37卷，第4822至4828頁(1998)中，揭示了一種使用單一雙軸膜(n_x ＞n_y ＞n_z )來補償交叉線性偏振器之漏光的替代方法。另外，在T. Ishinable等人的「用於極高品質LCD之具有寬波長範圍的寬視角偏振器及四分之一波片(A wide viewing angle polarizer and a quarter-wave plate with a wide wavelength range for extremely high quality LCDs)」，IDW''01，第485至488頁(2001)及T. Ishinable等人的「具有大波長範圍的寬視角偏振器(A wide viewing angle polarizer with a large wavelength range)」，Jpn. Appl. Phys. Part 1，第41卷，第4553至4558頁(2002)中，揭示了使用兩個雙軸膜來補償大波長範圍中之漏光的設計。然而，上文提及的所有方法及方式通常皆用於LC單元與偏振器之間且因此藉由一層玻璃或聚合物而與LC分離，在一些情況下，一層玻璃或聚合物係例如用於觸控螢幕應用或可撓性顯示器，其由於基板材料之雙折射的相關改變而不利。此等問題中之一些及其各別解決方案揭示於例如US 2012/0099053 A1、WO 2009/037565 A2及EP 2990862 A1中，所述專利皆建議光學膜之單元內應用。詳言之，與光學膜或延遲器通常置放於LC單元與偏振器之間的習知顯示器相比較，光學延遲膜之單元內應用具有若干優點。舉例而言，光學膜附接於形成LC單元之玻璃基板外部的顯示器通常遭受視差問題，其可嚴重損害視角特性。若光學膜位於LC顯示器單元內部，則可縮減或甚至避免此等視差問題。此外，光學膜之單元內應用允許減小LCD裝置之總厚度，其為平板顯示器之重要優點。另一優點為所得顯示器變得更穩固。然而，光學膜之上文所提及的所有單元內應用皆將額外配向層用於光學膜之頂部上以便獨立於鄰接光學膜而均勻配向液晶。舉例而言，可獲自反應性液晶原基混合物或可聚合的LC材料之光學膜對鄰接液晶介質之配向產生影響，該影響係由固化之後所利用反應性液晶原基的配向造成。聚合膜中之液晶分子之定向藉此可為平面(亦即，其中液晶分子實質上定向為平行於層)、垂直(與層成直角或垂直於該層)或傾斜的。對應的光學膜描述於例如EP 0 940 707 B1、EP 0 888 565 B1及GB 2 329 393 B1中。因此，通常將額外配向層應用於所用光學膜之頂部上，例如，經摩擦的聚醯亞胺。如通常已知，聚醯亞胺在範圍大致為180℃至220℃或較高的極高溫下進行處理，且因此不與所有類型之基板相容，諸如可撓性塑膠基板。此外，聚醯亞胺在此等溫度下之烘烤或退火通常降低光學膜(詳言之，基於反應性液晶原基之光學膜)之延遲，該等光學膜使其不適宜用於單元內應用。此外且如上文已經提及，以下聚醯亞胺之摩擦製程引起多種其他問題，諸如斑紋、污染、靜電放電問題、殘渣等等。總體而言，先前技術之嘗試與若干缺點相關，詳言之，諸如降低的對比率或不利的處理步驟，該等嘗試尤其不與用於大批量生產對應的LC裝置之通常已知的方法或材料相容。

因此，本發明之一個目的為提供替代例或較佳地改良式液晶(LC)光調變元件(其較佳地屬於FFS或IPS模式)及其生產方法，該方法不具有先前技術之缺點而較佳地具有上文及下文所提及的優點。根據以下詳細描述，本發明之其他目標對熟習此項技術者而言將立即顯而易見。出乎意料地，本發明人已發現上述目標中之一或多者可藉由提供如技術方案1之光調變元件來達成。

術語及定義 以下含義適用上文及下文：術語「液晶」、「介晶化合物」或「液晶原基化合物」(亦簡稱為「液晶原基」)意謂在合適的溫度、壓力及濃度條件下可以介相(向列型、近晶型等等)或尤其以LC相形式存在之化合物。非兩親媒性液晶原基化合物包含例如一或多種棒狀、香蕉形或盤狀液晶原基團。術語「液晶原基團」意謂具有誘使液晶相(或介相)行為之能力的基團。包含液晶原基團之化合物本身未必展現液晶介相。亦有可能其僅在與其他化合物之混合物中，或在聚合液晶原基化合物或材料或其混合物時顯示液晶介相。此包括低分子量非反應性液晶化合物、反應性或可聚合的液晶化合物及液晶聚合物。為簡潔起見，術語「液晶」在下文中係用於液晶原基材料及LC材料兩者。棒狀液晶原基團通常包含由一或多個彼此直接連接或經由鍵聯基團連接之芳族或非芳族環狀基團組成的液晶原基核，視情況包含附接至液晶原基核之末端的端基，且視情況包含一或多個附接至液晶原基核之長邊的側基，其中此等端基及側基通常選自例如碳基或烴基；如鹵素、硝基、羥基等等之極性基團；或可聚合的基團。術語「反應性液晶原基」或「可聚合的LC化合物」意謂可聚合液晶原基或液晶化合物，較佳地為單體化合物。此等化合物可用作純化合物或反應性液晶原基與充當光引發劑、抑制劑、界面活性劑、穩定劑、鏈轉移劑、非可聚合化合物等等之其他化合物的混合物。具有一個可聚合基團之可聚合化合物亦被稱作「單反應性」化合物，具有兩個可聚合基團之化合物被稱作「雙反應性」化合物，且具有多於兩個可聚合基團(亦即，三個、四個五個或多於五個)之化合物被稱作「多反應性」化合物。不具有可聚合基團之化合物亦被稱作「非反應性或非可聚合」化合物。術語LC材料、LC介質或LC調配物(其各自為非可聚合或可聚合的或光反應性或非光反應性的)或其混合物意謂一種材料，該材料包含大於80重量%，較佳地大於90重量%，更佳地大於95重量%之液晶原基化合物，如上文及下文所描述。在一較佳實施例中，根據本發明之所用LC介質的光配向組分A包含以下物質、較佳地由以下物質組成：一或多種光反應性化合物，較佳地一或多種光反應性液晶原基化合物。在一較佳實施例中，根據本發明之LC介質的液晶組分B)包含以下物質、較佳地由以下物質組成：一或多種非可聚合液晶原基或向列原基液晶化合物。術語「非液晶原基化合物或材料」意謂不含如上文所定義之液晶原基團的化合物或材料。根據本發明之光反應性基團為藉由鍵旋轉、骨架重排或原子轉移或基團轉移，或在用可被分子吸收之合適波長的光輻照後，藉由二聚作用使得分子幾何結構改變之分子的官能基。光反應性基團之實例為-C=C-雙鍵及偶氮基團(-N=N-)。包含此光反應性基團之分子結構或子結構之實例為芪(stilbene)、(1,2-二氟-2-苯基-乙烯基)-苯、肉桂酸酯、4-苯基丁-3-烯-2-酮、查耳酮(chalcone)、香豆素(coumarin)、色酮(chromone)、并環萜烯(pentalenone)及偶氮苯。術語「光反應性化合物」或「光敏化合物」係指包含光反應性基團之化合物，且在藉由包括但不限於以下各者之反應光輻照後，該等化合物就改變其結構或形狀：光異構化、光誘發2+2環加合、光致弗里斯(photo-fries)配置或類似的光降解製程。光聚合反應並不包括於此等含義中。然而，如本發明中所描述之光反應性或光敏化合物另外亦可為可聚合或可光聚合的。根據本發明之光反應性反應性液晶原基係包含一或多種光反應性基團之反應性液晶原基化合物。「可聚合基團」(P)較佳地選自含有C=C雙鍵或C≡C參鍵之基團，及適用於用開環聚合之基團，諸如氧雜環丁烷或環氧基團。較佳地，可聚合基團(P)係選自由以下各者組成之群：CH₂ =CW¹ -COO-、CH₂ =CW¹ -CO-、

、

、CH₂ =CW² -(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₃ -CH=CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-CO-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₂ =CH-(COO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、CH₂ =CH-(CO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、Phe-CH=CH-，其中 W¹ 表示H、F、Cl、CN、CF₃ 、具有1至5個C原子之苯基或烷基，尤其是H、F、Cl或CH₃ ， W² 表示H或具有1至5個C原子之烷基，尤其是H、甲基、乙基或正丙基， W³ 及W⁴ 各自彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示視情況經下文定義但不同於P-Sp之一或多個自由基L取代的1,4-伸苯基，較佳地，較佳取代基L為F、Cl、CN、NO₂ 、CH₃ 、C₂ H₅ 、OCH₃ 、OC₂ H₅ 、COCH₃ 、COC₂ H₅ 、COOCH₃ 、COOC₂ H₅ 、CF₃ 、OCF₃ 、OCHF₂ 、OC₂ F₅ ，此外為苯基，且 k₁ 、k₂ 及k₃ 各自彼此獨立地表示0或1，k₃ 較佳地表示1，且k₄ 為1至10之整數。尤其較佳的可聚合基團P為CH₂ =CH-COO-、CH₂ =C(CH₃ )-COO-、CH₂ =CF-COO-、CH₂ =CH-、CH₂ =CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、

，其中W² 表示H或具有1至5個C原子之烷基，尤其是H、甲基、乙基或正丙基，且k₁ 表示0或1。更佳可聚合的基團(P)係乙烯基、乙烯基氧基、丙烯基、甲基丙烯基、氟丙烯基、氯丙烯基、氧雜環丁烷及環氧化物，最佳地為丙烯基或甲基丙烯基，尤其是丙烯基。較佳地，所有多反應性可聚合的化合物及其子式皆含有含兩個或多於兩個兩個可聚合基團P (多反應性可聚合自由基)之一或多個分支鏈自由基，以替代一或多個自由基P-Sp-。此類型之合適自由基及含有該等自由基之可聚合化合物描述於例如US 7,060,200 B1或US 2006/0172090 A1中。尤其較佳為選自下式之多反應性可聚合自由基： -X-烷基-CHP^x -CH₂ -CH₂ P^y I*a -X-烷基-C(CH₂ P^x )(CH₂ P^y )-CH₂ P^z I*b -X-烷基-CHP^x CHP^y -CH₂ P^z I*c -X-烷基-C(CH₂ P^x )(CH₂ P^y )-C_aa H_2aa+1 I*d -X-烷基-CHP^x -CH₂ P^y I*e -X-烷基-CHP^x P^y I*f -X-烷基-CP^x P^y -C_aa H_2aa+1 I*g -X-烷基-C(CH₂ P^v )(CH₂ P^w )-CH₂ OCH₂ -C(CH₂ P^x )(CH₂ Py)CH₂ P^z I*h -X-烷基-CH((CH₂ )_aa P^x )((CH₂ )_bb P^y ) I*i -X-烷基-CHP^x CHP^y -C_aa H_2aa+1 I*k 其中烷基表示單鍵或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈亞烷基，其中一或多個非鄰接的CH₂ 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式各自彼此獨立地經-C(R^x )=C(R^x )-、-CºC-、-N(R^x )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl或CN置換，其中R^x 具有一個上文所提及的含義，_aa 及_bb 各自彼此獨立地表示0、1、2、3、4、5或6， X 具有針對X'所指示之含義中之一者，且 P^v 至P^z 各自彼此獨立地具有上文針對P所指示之含義中之一者。較佳間隔基團Sp係選自式Sp'-X'，使得自由基「P-Sp-」符合式「P-Sp'-X'-」，其中 Sp' 表示具有1至20，較佳地1至12個C原子之亞烷基，亞烷基視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個非鄰接CH₂ 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式各自彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-NR^xx -、-SiR^xx R^yy -、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-NR^xx -CO-O-、-O-CO-NR^0xx -、-NR^xx -CO-NR^yy -、-CH=CH-或-CºC-置換， X' 表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR^xx -、-NR^xx -CO-、-NR^xx -CO-NR^yy -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CF₂ CH₂ -，較佳地為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR^xx -、-NR^xx -CO-、-NR^xx -CO-NR^yy - 或單鍵。 -CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR^xx -、 -CY^xx =CY^xx -、-CºC-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH- 或單鍵， R^xx 及R^yy 各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，且 Y^xx 及Y^yy 各自彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。典型的間隔基團Sp'為例如-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ CH₂ O)_q1 -CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -S-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -NH-CH₂ CH₂ -或-(SiR^xx R^yy -O)_p1 -，其中P1為1至12之整數，q1為1至3之整數，且R^xx 及R^yy 具有彼此獨立的上文所提及的含義中之一者。尤其較佳的基團-X'-Sp'-為-(CH₂ )_p1 -、-O-(CH₂ )_p1 -、-OCO-(CH₂ )_p1 -、-OCOO-(CH₂ )_p1 -，其中p1為1至12之整數。尤其較佳的基團Sp'為例如亞甲基、伸乙基或直鏈烷基鏈，諸如伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基或伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基伸丁基、伸乙基硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。如本文中所使用，術語「聚合物」應理解為意謂包涵一或多種不同類型之重複單元(分子之最小組成單元)之主鏈的分子，並且包括通常已知之術語「低聚物」、「共聚物」、「均聚物」及其類似者。此外，應理解，術語聚合物除聚合物本身以外亦包括來自伴隨此聚合物合成之引發劑、催化劑及其他元素的殘餘物，其中此類殘餘物理解為不共價併入於其中。此外，此類殘餘物及其他元素雖然通常在聚合後純化製程期間移除，但通常與聚合物混合或共混，使其當聚合物在容器之間或溶劑或分散介質之間轉移時通常與聚合物一起保留。如本發明中所使用之術語「(甲基)丙烯酸聚合物」包括自(甲基)丙烯酸單體獲得的聚合物、可獲自(甲基)丙烯酸單體的聚合物，及可獲自甲基丙烯酸單體與丙烯酸單體之混合物的對應共聚物。術語「聚合」意謂藉由使多個可聚合基團或含有此類可聚合基團之聚合物前驅物(可聚合化合物)鍵結在一起形成聚合物之化學製程。術語「膜」及「層」包括具有機械穩定性之剛性或可撓性、自撐式或獨立的膜，以及位於支撐基板上或兩個基板之間的塗層或層。術語「配向」或「定向」係關於材料之各向異性單元之配向(定向排序)，諸如小分子或大分子碎片在稱為「配向方向」之共同方向上。在液晶材料之配向層中，液晶引向器與配向方向一致以使得配向方向對應於材料之各向異性軸之方向。例如在材料層中，液晶或RM材料之術語「均一定向」或「均一配向」意謂液晶或RM分子之長分子軸(在棒狀化合物之狀況下)或短分子軸(在盤狀化合物之狀況下)實質上沿相同方向定向。換言之，液晶引向器之線平行。例如在液晶材料層中，術語「平面或均勻定向/配向」，意謂一定比例之液晶分子的長分子軸(在棒狀化合物之狀況下)或短分子軸(在盤狀化合物之狀況下)與該層之平面實質上平行(約180°)地定向。例如在材料層中，液晶材料之術語「均一定向」或「均一配向」意謂液晶分子之長分子軸(在棒狀化合物之狀況下)或短分子軸(在盤狀化合物之狀況下)實質上沿相同方向定向。換言之，液晶引向器之線平行。術語「引向器」在先前技術中已知且意謂液晶分子之長分子軸(在棒狀化合物之狀況下)或短分子軸(在盤狀化合物之狀況下)之較佳定向方向。在此等各向異性分子單軸排序之狀況下，引向器為各向異性之軸。術語「膽固醇型結構」或「螺旋絞合結構」係指包含LC分子之膜，其中引向器平行於膜平面且圍繞垂直於膜平面之軸螺旋形地絞合。術語「垂直結構」或「垂直定向」係指其中光軸實質上垂直於膜平面之膜。術語「平面結構」、「均勻定向」或「平面定向」係指其中光軸實質上平行於膜平面之膜。術語「傾斜結構」或「傾斜定向」係指其中光軸相對於膜平面以介於0與90°之間的角度q傾斜的膜。術語「八字形結構」或「八字形定向」意謂如上文所定義之傾斜定向，其中傾斜角在垂直於膜平面之方向上較佳地自最小值變化至最大值。平均傾斜角q_ave 如下定義

其中q'(d')為膜內厚度d'處之局部傾斜角，且d為膜之總厚度。除非另外說明，否則在下文中八字形膜之傾斜角給出為平均傾斜角q_ave 。為簡單起見，具有絞合、平面、垂直、傾斜或八字形定向或結構之光學膜在下文中亦分別被稱作「膽固醇型膜」、「平面膜」、「垂直膜」、「傾斜膜」或「八字形膜」。傾斜及八字形膜亦被稱作「O板」。術語「A板」或「平面膜」係指利用單軸雙折射材料層之光學膜，其異常軸平行於該層之平面定向。術語「C板」或「垂直膜」係指利用單軸雙折射材料層之光學膜，其異常軸垂直於該層之平面定向。在包含具有均一定向之光學單軸雙折射液晶材料的A/C板中，膜之光軸由異常軸之方向給出。包含具有正雙折射之光學單軸雙折射材料的A (或C)板亦被稱作「正A (或C)板」或「+A (或+C)板」。包含具有負雙折射之光學單軸雙折射材料(諸如盤狀各向異性材料)之膜的A (或C)板亦被稱作「負A (或C)板」或「-A (或C)板」，其視盤狀材料之定向而定。由在光譜之UV部分中具有反射譜帶之膽固醇型棒狀材料製成的膜亦具有負C板之光學特性。雙軸膜展現雙軸性程度，其可表示為雙軸性索引BI = R₀ /R_th ，其中 R₀ = d ^. (n_x -n_y )，且 R_th = d ^. [(n_x +n_y )/2 - n_z ] 其中d為膜厚度，n_x 及n_y 為沿膜平面內之正交方向的主要折射率，且n_z 為沿垂直於膜平面之方向的主要折射率。如C. Tschierske、G. Pelzl及S. Diele的Angew.Chem. 2004，116，6340-6368中給出的定義將另外適用於之前給出的定義，且尤其適用於本申請案中與液晶材料相關的非定義術語。本文中之雙折射Dn由以下等式定義 Dn = n_e - n_o 其中n_e 係異常折射率且n_o 係普通折射率，且有效平均折射率n_av _. 由以下等式給出： n_av. = [(2 n_o ² + n_e ² )/3]^1/2 可例如根據「默克液晶、液晶之物理特性(Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals)」, Status 1997年11月，德國默克公司，使用修改後的阿貝折射計(Abbe refractometer)來量測異常折射率n_e 及普通折射率n_o 。術語「負(光學)色散」係指顯示反向雙折射色散之雙折射或液晶材料或層，其中雙折射率(Δn)之量值隨波長(λ)增加而增加。亦即，½Dn (450) ½ ＜ ½Dn (550)½，或Dn (450)/Dn (550) ＜ 1，其中Dn (450)及Dn (550)為分別在450 nm及550 nm之波長下量測之材料的雙折射率。與此對比，「正(光學)色散」意謂具有½Dn (450)½＞ ½Dn (550)½或Dn (450)/Dn (550) ＞ 1之材料或層。亦參見例如A. Uchiyama、T. Yatabe的「針對含有正及負雙折射單元之經定向共聚碳酸酯膜控制雙折射之波長色散(Control of Wavelength Dispersion of Birefringence for Oriented Copolycarbonate Films Containing Positive and Negative Birefringent Units)」.J. Appl. Phys.第42卷，第6941至6945頁(2003)。因為給定波長(R(l))下之光學延遲被定義為雙折射率(Dn(l))與層厚度(d)之乘積 R(l) = Dn(l) ^. d，可藉由比率Dn(450)/Dn(550)將光學色散表示為「雙折射色散」，或藉由比率R(450)/R(550)將光學色散表示為「延遲色散」，其中R(450)及R(550)為分別在450 nm及550 nm之波長下量測之材料的延遲。因為層厚度d不隨波長而改變，所以R (450)/R (550)等於Dn (450)/Dn (550)。因此，具有負或反向色散之材料或層具有R (450)/R (550) ＜ 1或½R (450)½ ＜ ½R (550)½，且具有正或正常色散之材料或層具有R (450)/R (550) ＞ 1或½R (450)½ ＞ ½R (550)½。在本發明中，除非另外說明，否則「光學色散」意謂延遲色散，亦即比率R (450)/R (550)。術語「高色散」意謂色散之絕對值展示與1偏差較大，而術語「低色散」意謂色散之絕對值展示與1偏差較小。因此，「高負色散」意謂色散值顯著小於1，且「低負色散」意謂色散值僅略微小於1。可使用光譜橢偏儀(例如由J. A. Woollam Co.製造的M2000光譜橢偏儀)量測材料之延遲(R(l))，此儀器能夠量測雙折射樣品(例如石英)在通常370 nm至2000 nm之波長範圍內以奈米計的光學延遲。根據此資料，有可能計算材料之色散(R(450)/R(550)或Dn(450)/Dn(550))。用於進行此等量測之方法在2006年10月由N. Singh展示於國家物理實驗室(National Physics Laboratory) (英國倫敦)，且名為「光譜橢圓偏振量測法，第1部分-理論及原理，第2部分-實用實例及第3部分-量測(Spectroscopic Ellipsometry, Part1-Theory and Fundamentals, Part 2 - Practical Examples and Part 3 - measurements)」。根據量測步驟所描述之Retardation Measurement (RetMeas) Manual (2002)及Guide to WVASE (2002) (W oollam可變角度光譜橢偏儀(W oollamV ariableA ngleS pectroscopicE llipsometer))由J. A. Woollam Co. Inc (Lincoln, NE, USA)出版。除非另外說明，否則此方法用於測定本發明中所描述之材料、膜及裝置的延遲。可見光為波長在約400 nm至約800 nm範圍內之電磁輻射。紫外(UV)光為波長在約200 nm至約400 nm範圍內之電磁輻射。術語「透射的」在本申請案之上下文中用以意謂光穿過裝置之透射率為入射光之至少65%，更佳地至少80%，甚至更佳地至少90%。根據本申請案，術語「線性偏振光」意謂至少部分線性偏振之光。在一較佳實施例中，藉由大於5:1之偏振度使配向光線性偏振。視光可配向材料之感光性而定選擇線性偏振光之波長、強度及能量。典型地，波長在UV-A、UV-B及/或UV-C範圍中或在可見光範圍中。在一較佳實施例中，線性偏振光包含波長小於450 nm，更佳地小於420 nm之光。輻照度(E_e )或輻射功率被定義為電磁輻射(dθ)入射於每單位面積(dA)表面上之功率： E_e = dq/dA. 輻射曝光或輻射劑量(H_e )為每時刻(t)之輻照度或輻射功率(E_e )： H_e = E_e ∙ t. 術語「清澈點」意謂具有最高溫度範圍之介相與各向同性相之間發生轉化之溫度。在整個申請案中，且除非另外明確陳述，否則所有濃度皆以重量%引述且係關於作為整體之各別混合物，所有溫度皆以攝氏度引述且所有溫差皆以不同度數引述。在本申請案中，術語「介電正」用於De ＞ 3.0之化合物或組分、「介電中性」用於-1.5 £ De £ 3.0之化合物或組分且「介電負」用於De ＜ -1.5之化合物或組分。在1 kHz之頻率下且在20℃下測定De。各別化合物之介電各向異性由各別單一化合物於向列型主體混合物中之10%溶液之結果判定。倘若各別化合物在主體介質中之溶解度小於10%，則將其濃度減小2倍，直至所得介質足夠穩定以至少允許判定其特性。然而，在一較佳實施例中，為了保持結果之顯著性儘可能地高，使濃度保持為至少5%。測試混合物之電容係在具有垂直及均勻配向之單元中測定。兩種類型之單元的單元間隙皆為大致20 µm。施加之電壓係頻率為1 kHz及均方根值通常為0.5 V至1.0 V之矩形波；然而，總是將其選擇為低於各別測試混合物之電容臨限值。 De被定義為(e_½½ - e_^ )，而e_av. 為(e_½½ + 2 e_^ )/3。由在添加所關注化合物之後主體介質之各別值的改變來測定化合物之介電電容率。將該等值外推至100%之所關注化合物濃度。典型的主體介質為ZLI-4792或BL-087，皆可購自達姆施塔特市之默克。除非上下文另外明確表明，否則如本文中所使用，本文中之術語的複數形式應視為包括單數形式，且反之亦然。對於本發明，

表示1,4-伸環己基，較佳地，

表示反-1,4-伸環己基。對於本發明，

表示1,4-伸苯基。對於本發明，基團-COO- -C(=O)O-或-CO₂ -表示具有式

之酯基團，且基團-OCO-、-OC(=O)-、-O₂ C-或-OOC-表示具有式

之酯基團。在上文及下文中，「碳基」表示含有至少一個碳原子之單價或多價有機基團，其不含其他原子(諸如C≡C)或視情況含有一或多個其他原子，諸如N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge (例如羰基等等)。「烴基」表示碳基，其另外含有一或多個H原子及視情況一或多個雜原子，諸如N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge。碳基或烴基可為飽和或不飽和基團。不飽和基團為例如芳基、烯基或炔基。具有超過3個C原子之碳基或烴基可為直鏈、分支鏈及/或環狀且可含有螺鏈結或縮合環。在整個申請案中，除非另外明確陳述，否則術語「芳基及雜芳基」涵蓋可為單環或多環的基團，亦即，其可具有一個環(諸如苯基)或兩個或多於兩個環，其亦可為稠合(諸如萘基)或共價鍵聯(諸如聯二苯)的，或含有稠合環與鍵聯環之組合。雜芳基含有一或多個較佳選自O、N、S及Se之雜原子。尤其較佳為具有6至25個C原子之單環、雙環或三環芳基及具有2至25個C原子之單環、雙環或三環雜芳基，其視情況含有稠合環且視情況經取代。此外，較佳為5員、6員或7員芳基及雜芳基，其中另外，一或多個CH基團可以使得O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式經N、S或O置換。較佳芳基為例如苯基、聯二苯、聯三苯、[1,1':3',1'']聯三苯-2'-基、萘基、蒽、聯萘、菲、芘、二氫芘、艸屈、苝、并四苯、稠五苯、苯并芘、茀、茚、茚并茀、螺二茀，更佳為1,4-伸苯基、4,4'-伸聯苯基、1,4-伸聯三苯基。較佳雜芳基為(例如) 5員環，諸如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑；6員環，諸如吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪；或稠合基團，諸如吲哚、異吲哚、吲哚嗪、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘咪唑、菲咪唑、吡啶咪唑、吡嗪咪唑、喹喏啉咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、異噁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、喹啉、異喹啉、喋啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、啡噻嗪、啡噁嗪、苯并噠嗪、苯并嘧啶、喹喏啉、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啶、啡啉、噻吩并[2,3b]噻吩、噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻二唑并噻吩或此等基團之組合。雜芳基亦可經烷基、烷氧基、硫烷基、氟、氟烷基或其他芳基或雜芳基取代。在本申請案之上下文中，術語「(非芳族)脂環族基及雜環基」涵蓋飽和環(亦即，僅含有單鍵之彼等環)及部分不飽和環(亦即，亦可含有複鍵之彼等環)兩者。雜環含有一或多個較佳地選自Si、O、N、S及Se之雜原子。(非芳族)脂環族基及雜環基可為單環的，亦即，僅含有一個環(諸如環己烷)；或為多環的，亦即，含有複數個環(諸如十氫萘或二環辛烷)。尤其較佳為飽和基團。此外，較佳為具有3至25個C原子之單環、二環或三環基團，其視情況含有稠合環且視情況經取代。此外，較佳為5員、6員、7員或8員碳環基團，其中另外，一或多個C原子可經Si置換及/或一或多個CH基團可經N置換及/或一或多個非鄰接CH₂ 基團可經-O-及/或-S-置換。較佳脂環族基及雜環基為(例如) 5員基團，諸如環戊烷、四氫呋喃、四氫硫代呋喃、吡咯啶；6員基團，諸如環己烷、環己矽烷、環己烯、四氫哌喃、四氫硫代哌喃、1,3-二噁烷、1,3-二噻烷、哌啶；7員基團，諸如環庚烷；及稠合基團，諸如四氫萘、十氫萘、茚滿、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、八氫-4,7-甲橋茚滿-2,5-二基，更佳為1,4-伸環己基4,4'-二伸環己基、3,17-十六氫-環戊[a]菲，視情況經一或多個相同或不同基團L取代。尤其較佳芳基、雜芳基、脂環族基及雜環基為1,4-伸苯基、4,4'-伸聯苯基、1,4-伸聯三苯基、1,4-伸環己基、4,4'-二伸環己基及3,17-十六氫-環戊[a]-菲，視情況經一或多個相同或不同基團L取代。上文所提及之芳基、雜芳基、脂環族基及雜環基之較佳取代基(L)為(例如)可溶性促進基團(諸如，烷基或烷氧基)及拉電子基團(諸如，氟、硝基或腈)。下文亦被稱作「L」之較佳取代基係例如F、Cl、Br、I、-OH、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^x )₂ 、-C(=O)Y^x 、-C(=O)R^x 、-C(=O)OR^x 、-N(R^x )₂ ，其中R^x 具有上文所提及之含義，且上文Y^x 表示鹵素、視情況經取代之矽烷基、具有4至40個、較佳4至20個環原子的視情況經取代之芳基或雜芳基及具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子可視情況經F或Cl置換。「經取代之矽烷基或芳基」較佳意謂經鹵素、-CN、R^y 、-OR^y 、-CO-R^y 、-CO-O-R^y 、-O-CO-R^y 或-O-CO-O-R^y 取代之矽烷基或芳基，其中R^y 表示H、具有1至12個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基鏈。在上文及下文展示之式中，經取代之伸苯基環

其中L在每次出現時相同或不同地具有上文及下文所給出之含義中之一者，且較佳地為F、Cl、CN、NO₂ 、CH₃ 、C₂ H₅ 、C(CH₃ )₃ 、CH(CH₃ )₂ 、CH₂ CH(CH₃ )C₂ H₅ 、OCH₃ 、OC₂ H₅ 、COCH₃ 、COC₂ H₅ 、COOCH₃ 、COOC₂ H₅ 、CF₃ 、OCF₃ 、OCHF₂ 、OC₂ F₅ 或P-Sp-，極佳F、Cl、CN、CH₃ 、C₂ H₅ 、OCH₃ 、COCH₃ 、OCF₃ 或P-Sp-，最佳F、Cl、CH₃ 、OCH₃ 、COCH₃ 或OCF₃ 。「鹵素」表示F、Cl、Br或I，較佳F或Cl，更佳F。在上文及下文中，術語「烷基」、「芳基」、「雜芳基」等等亦包涵例如伸烷基、伸芳基、伸雜芳基等等之多價基團。術語「芳基」表示芳族碳基團或自其衍生之基團。術語「雜芳基」表示根據上文定義含有一或多個雜原子之「芳基」。較佳烷基為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十二烷基、三氟甲基、全氟正丁基、2,2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基等等。較佳烷氧基為例如，甲氧基、乙氧基、2-甲氧基-乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基。較佳烯基為例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基。較佳炔基為(例如)乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、辛炔基。較佳胺基為例如二甲胺基、甲胺基、甲基苯胺基、苯胺基。貫穿本說明書之描述及申請專利範圍，詞語「包含(comprise)」及「含有(contain)」及該等詞語之變化形式，例如「包含(comprising)」及「包含(comprises)」意謂「包括但不限於」，且不意欲(且不)排除其他組分。另一方面，詞語「包含」亦包涵但不限於術語「由...組成」。貫穿本說明書之描述及申請專利範圍，詞語「可獲得的」及「所獲得的」及該等詞語之變化形式意謂「包括但不限於」，且不意欲(且不)排除其他組分。另一方面，詞語「可獲得的」亦包涵但不限於術語「所獲得的」。詳細說明在本發明之一較佳實施例中，所利用基板中之至少一者為透射的，更佳地，兩個基板皆為透射的。基板較佳地可由(尤其)各自且彼此獨立的聚合材料、金屬氧化物(例如，ITO)及玻璃或石英板，較佳地各自且彼此獨立的玻璃及/或ITO，尤其玻璃/玻璃組成。合適且較佳的聚合基板為例如環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)、聚酯(諸如聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)或聚乙烯萘二甲酸酯(PEN))、聚乙烯醇(PVA)、聚碳酸酯(PC)或三乙醯纖維素(TAC)之膜，極佳為PET或TAC膜。PET膜可例如以商標名Melinex®購自DuPont Teijin Films。COP膜可例如以商標名Zeonor®或Zeonex®購自ZEON Chemicals L.P.。COC膜可例如以商標名Topas®購自TOPAS Advanced Polymers Inc.。在本發明之另一較佳實施例中，液晶介質層位於一對可撓性層(例如，可撓性聚合物膜)之間。舉例而言，根據本發明之光調變元件因此為可撓性且可彎曲的，且可捲起。可撓性層可表示例如基板層及/或偏振器。為了更詳細地揭示液晶介質層位於可撓性層之間的較佳實施例，參考申請案US 2010/0045924 A1。基板層可藉由例如該層中之間隔件或突出結構而彼此保持界定的分離。典型的間隔件材料為專家通常已知的，且較佳地選自塑膠、二氧化矽、環氧樹脂等等。在一較佳實施例中，基板經配置以彼此分離大致1 µm至大致50 µm範圍內，較佳彼此分離大致1 µm至大致25 µm範圍內，且更佳彼此分離大致1 µm至大致15 µm範圍內。液晶介質層藉此位於由一對基板形成之間隙中。在另一較佳實施例中，一對偏振器充當一對基板且不需要或不存在另外基板。在本發明之另一較佳實施例中，光調變元件包含兩個或多於兩個偏振器，其中之至少一者配置於液晶介質層之一側上且其中之至少一者配置於液晶介質層之相對側上。此處，液晶介質層及偏振器較佳地實質上彼此平行配置。若兩個偏振器精確地存在於光調變元件中且在下文亦被稱作偏振器及分析器，則根據本發明，兩個偏振器之偏振方向以大致90°之角度交叉係較佳的。線性偏振器可為標準類型的吸收偏振器，例如包含拉伸的碘/聚乙烯醇(PVA)及視情況保護性三乙醯纖維素(TAC)層。在本發明之另一較佳實施例中，線性偏振器包含經聚合的或經交聯的LC材料，較佳地經聚合的LC材料，及視情況一或多種吸收染料，如例如EP 0 397 263中所描述。市售偏振器通常提供於透射的雙折射基板上，如TAC膜。根據本發明之光調變元件包含一或多個光學膜，其中之至少一者位於相對基板中之一者的相對側(內側)上。在一較佳實施例中，光學膜可獲自可聚合(棒狀) LC材料。合適的可聚合的LC材料例如揭示於WO 93/22397、EP 0 261 712、DE 195 04 224、WO 95/22586、WO 97/00600、GB 2 351 734、WO 98/00475或WO 98/04651中。然而，此等文件中揭示之化合物僅視為舉例，而不應限制本發明之範疇。利用可聚合(棒狀) LC材料之一個優點在於：可聚合(棒狀) LC材料與如通常用於典型的IPS/FFS顯示器單元之切換層中的LC混合物中之非可聚合棒狀LC材料具有相似色散，且不當著色至少縮減。在一較佳實施例中，用於根據本發明之光調變元件中的光學膜可獲自可聚合的LC材料，可聚合的LC材料包含一或多種雙反應性或多反應性可聚合的液晶原基化合物及視情況一或多種單反應性可聚合的液晶原基化合物。合適的多反應性、雙反應性或單反應性液晶原基化合物例如揭示於WO 93/22397、EP 0 261 712、DE 195 04 224、WO 95/22586、WO 97/00600、GB 2 351 734、WO 98/00475或WO 98/04651中。然而，此等文件中揭示之化合物僅視為舉例，而不應限制本發明之範疇。在一較佳實施例中，一或多種雙反應性或多反應性液晶原基化合物係選自式DRM之化合物， P¹ -Sp¹ -MG-Sp² -P² DRM 其中 P¹ 及P² 彼此獨立地表示可聚合基團， Sp¹ 及Sp² 彼此獨立地為間隔基團或單鍵，且 MG 為液晶原基團，其較佳地選自式MG， -(A¹ -Z¹ )_n -A² - MG 其中 A¹ 及A² 在多次出現之情況下彼此獨立地表示芳族基或脂環族基，其視情況含有一或多個選自N、O及S之雜原子，且視情況經L¹ 單取代或多取代， L¹ 在多次出現之情況下彼此獨立地表示P¹ -Sp¹ -、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR⁰⁰ R⁰⁰⁰ 、-C(=O)OR⁰⁰ 、-C(=O)R⁰⁰ 、-NR⁰⁰ R⁰⁰⁰ 、-OH、-SF₅ ；視情況經取代之具有1至12，較佳地1至6個C原子之矽烷基、芳基或雜芳基；及具有1至12，較佳地1至6個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子視情況經F或Cl置換， Z¹ 在多次出現之情況下彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR⁰⁰ -、-NR⁰⁰ -CO-、-NR⁰⁰ -CO-NR⁰⁰⁰ 、-NR⁰⁰ -CO-O-、-O-CO-NR⁰⁰ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )_n1 、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -、-CºC-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵， R⁰⁰ 及R⁰⁰⁰ 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， Y¹ 及Y² 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN， n 為1、2、3或4，較佳為1或2，最佳為2， n1 為1至10之整數，較佳為1、2、3或4。較佳的基團A¹ 及A² 包括但不限於呋喃、吡咯、噻吩、噁唑、噻唑、噻二唑、咪唑、伸苯基、伸環己基、亞雙環辛基、伸環己烯基、吡啶、嘧啶、吡嗪、甘菊環、茚滿、芴、萘、四氫萘、蒽、菲及二噻吩并噻吩，其中之全部皆未經如上文所定義之1、2、3或4個基團L¹ 取代或經該1、2、3或4個基團L¹ 取代。尤其較佳的基團A¹ 及A² 係選自1,4-伸苯基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫-萘-2,6-二基、茚滿-2,5-二基、亞雙環辛基或1,4-伸環己基，其中一或兩個非鄰接CH₂ 基團視情況經O及/或S置換，其中此等基團未經如上文所定義之1、2、3或4個基團L¹ 取代或經該1、2、3或4個基團L¹ 取代。尤其較佳的式DRM之化合物係選自三反應性化合物，其中L¹ 中之一者表示P¹ -Sp¹ -。更佳的式DRM之化合物係選自多反應性化合物，其中L¹ 中之兩者或多於兩者表示P¹ -Sp¹ -。尤其較佳的基團Z¹ 在每次出現時彼此獨立地較佳選自-COO-、-OCO-、-CH₂ CH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-C≡C-、-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-COO-或單鍵。極佳的式DRM之雙反應性液晶原基化合物係選自以下式：

其中 P⁰ 在多次出現之情況下彼此獨立地為可聚合基團，較佳為丙烯基、甲基丙烯基、氧雜環丁烷、環氧基、乙烯基、庚二烯基、乙烯基氧基、丙烯基醚或苯乙烯基， L 在多次出現之情況下彼此獨立地選自F、Cl、CN或視情況具有1至5個C原子之鹵化烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基， r 為0、1、2、3或4， x及y 彼此獨立地為0或1至12之相同或不同整數， z 各自且獨立地為0或1，其中若鄰接的x或y為0，則z為0。尤其較佳為式DRMa1、DRMa2及DRMa3之化合物，尤其是式DRMa1之化合物。在另一較佳實施例中，光學膜可獲自(較佳地獲自)可聚合的LC材料，除了一或多種多反應性或雙反應性液晶原基化合物以外，可聚合的LC材料亦包含一或多種單反應性液晶原基化合物。合適的單反應性液晶原基化合物較佳地選自式MRM之化合物， P¹ -Sp¹ -MG-R MRM 其中 P¹ 表示可聚合基團， Sp¹ 為間隔基團或單鍵， MG 為液晶原基團，其較佳地選自式MG -(A¹ -Z¹ )_n -A² - MG 其中 A¹ 及A² 在多次出現之情況下彼此獨立地表示芳族基或脂環族基，其視情況含有一或多個選自N、O及S之雜原子，且視情況經L² 單取代或多取代， L² 在多次出現之情況下彼此獨立地表示F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR⁰⁰ R⁰⁰⁰ 、-C(=O)OR⁰⁰ 、-C(=O)R⁰⁰ 、-NR⁰⁰ R⁰⁰⁰ 、-OH、-SF₅ ；視情況經取代之具有1至12，較佳地1至6個C原子之矽烷基、芳基或雜芳基；及具有1至12，較佳地1至6個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子視情況經F或Cl置換， Z¹ 在多次出現之情況下彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR⁰⁰ -、-NR⁰⁰ -CO-、-NR⁰⁰ -CO-NR⁰⁰⁰ 、-NR⁰⁰ -CO-O-、-O-CO-NR⁰⁰ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )_n1 、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -、-CºC-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵， R⁰⁰ 及R⁰⁰⁰ 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， Y¹ 及Y² 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN， n 為1、2、3或4，較佳為1或2，最佳為2， n1 為1至10之整數，較佳為1、2、3或4，且 R F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR^x R^y 、-C(=O)OR^x 、-C(=O)R^y 、-NR^x R^y 、-OH、-SR^x 、-SF₅ 、視情況經取代之具有1至20，較佳地1至12個C原子之矽烷基、直鏈或分支鏈烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個非鄰接CH₂ 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式各自彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-N(R⁰ )-、-Si(R⁰⁰ R⁰⁰⁰ )-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-N(R⁰⁰ )-CO-O-、-O-CO-N(R⁰⁰ )-、-N(R⁰⁰ )-CO-N(R⁰⁰ )-、-CH=CH-或-CºC-置換， R^x 及R^y 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基。在一較佳實施例中，式MRM之單反應性液晶原基化合物係選自下式之化合物：

其中P⁰ 、L、r、x、y及z如式DRMa-1至式DRMe中所定義， R⁰ 為具有至多15個C原子之直鏈或分支鏈烷基或烯基，其中一或多個非鄰接CH₂ -基團可經-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-O-C(O)-、O-C(O)-O-或Y⁰ ，較佳地Y⁰ 置換， Y⁰ 為F、Cl、CN、NO₂ 、OCH₃ 、OCN、SCN、SF₅ 或具有1至4個C原子之單氟化、寡氟化或多氟化烷基、烯基或烷氧基， Z⁰ 為-COO-、-OCO-、-CH₂ CH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-COO-或單鍵， A⁰ 在多次出現之情況下彼此獨立地為未經1、2、3或4個基團L取代或經1、2、3或4個基團L取代之1,4-伸苯基，或反-1,4-伸環己基， u及v 彼此獨立地為0、1或2， w 為0或1，且其中苯環及萘環可另外經一或多個相同或不同的基團L取代。更佳的為式MRM1、MRM2、MRM3、MRM4、MRM5、MRM6、MRM7、MRM9及MRM10之化合物，更佳地為式MRM1、MRM4、MRM6及MRM7之化合物，且特別是式MRM1及MRM7之化合物，且尤其是式MRM1及MRM7之化合物，其中R⁰ 表示Y⁰ 。在另一較佳實施例中，尤其對於負光學色散應用，如上文所描述之可聚合的LC材料另外包含一或多種式ND之化合物，

其中 U^1,2 彼此獨立地選自：

包括其鏡像，其中環U¹ 及環U² 經由軸向鍵各自鍵結至基團-(B)_q -，且此等環中之一或兩個非鄰接CH₂ 基團視情況經O及/或S置換，且環U¹ 及U² 視情況經一或多個基團L取代， Q^1,2 彼此獨立地為CH或SiH， Q3 為C或Si， B 各自出現時彼此獨立地為-CºC-、-CY¹ =CY² -或視情況經取代之芳族基或雜芳族基， Y^1,2 彼此獨立地為H、F、Cl、CN或R⁰ ， q 為1至10之整數，較佳為1、2、3、4、5、6或7， A^1-4 彼此獨立地選自非芳族、芳族或雜芳族碳環或雜環基，其視情況經一或多個基團R⁵ 取代，且其中-(A¹ -Z¹ )_m -U¹ -(Z² -A² )_n -及-(A³ -Z³ )_o -U² -(Z⁴ -A⁴ )_p -中之每一者不含有多於非芳族基之芳族基且較佳不含有多於一個芳族基， Z^1-4 彼此獨立地為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR⁰ -、-NR⁰ -CO-、-NR⁰ -CO-NR⁰⁰ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₃ -、-(CH₂ )₄ -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=CH-、-CY¹ =CY² -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰ -、-CºC-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、CR⁰ R⁰⁰ 或單鍵， R⁰ 及R⁰⁰ 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基， m及n 彼此獨立地為0、1、2、3或4， o及p 彼此獨立地為0、1、2、3或4， R^1-5 彼此獨立地為相同或不同的基團，其選自H、鹵素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)X⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-NH₂ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-SH、-SR⁰ 、-SO₃ H、-SO₂ R⁰ 、-OH、-NO₂ 、-CF₃ 、-SF₅ 、P-Sp-、視情況經取代之具有1至40個C原子之矽烷基或碳基或烴基，其視情況經一或多個雜原子取代且視情況包含一或多個雜原子，或表示P或P-Sp-，或經P或P-Sp-取代，其中該等化合物包含表示P或P-Sp-或經P或P-Sp-取代之至少一個基團R¹ ^- ⁵ ， P 為可聚合基團， Sp 為間隔基團或單鍵。較佳地，形成式ND中之橋聯基團B之亞基較佳選自具有120°或大於120°，較佳在180°範圍內的鍵結角度之基團。極佳的為-CºC-基團或在對位中連接至其鄰接基團之二價芳族基，如1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、茚滿-2,6-二基或噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基。其他可能的亞基包括-CH=CH-、-CY¹ =CY² -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-及-CH=CR⁰ -，其中Y¹ 、Y² 、R⁰ 具有上文中所給出之含義。較佳地，式ND中之橋聯基團或-(B)_q 包含選自由-CºC-、視情況經取代之1,4-伸苯基及視情況經取代之9H-芴-2,7-二基組成之群的一或多個基團。亞基或式ND中之B較佳地選自由-CºC-、視情況經取代之1,4-伸苯基及視情況經取代之9H-茀-2,7-二基組成之群，其中在茀基中，9位中之H原子視情況經碳基或烴基置換。極佳地，式ND中之橋聯基團或-(B)_q -係選自-CºC-、-CºC-CºC-、-CºC-CºC-CºC-、-CºC-CºC-CºC-CºC-，

其中r為0、1、2、3或4，且L具有如下文所描述之含義。較佳地，橋聯基團所附接之液晶原基團的非芳族環(比如式ND中之U¹ 及U² )較佳選自

，其中R⁵ 如式ND中所定義。較佳地，式ND中之芳族基A¹ ^- ⁴ 可為單核的，亦即僅具有一個芳族環(如苯基或伸苯基)，或多核的，亦即具有兩個或多於兩個稠合環(如萘基或伸萘基)。尤其較佳的為亦可包含稠合環且視情況經取代之具有至多25個C原子之單環、雙環或三環芳族基或雜芳族基。較佳地，式ND之化合物中之非芳族碳環及雜環A¹ ^- ⁴ 包括飽和(亦被稱作「完全飽和」)的彼等環，亦即其確實僅含有由單鍵連接之C原子或雜原子，及不飽和(亦被稱作「部分飽和」)的彼等環，亦即其亦包含由雙鍵連接之C原子或雜原子。非芳族環亦可包含一或多個較佳選自Si、O、N及S之雜原子。非芳族環及芳族環或式ND中之A^1-4 較佳選自視情況經一或多個基團L取代之反-1,4-伸環己基及1,4-伸苯基。極佳的為式ND之化合物，其中m及p為1且n及o為1或2。更佳為式ND之化合物，其中m及p為1或2且n及o為0。更佳為其中m、n、o及p為2之化合物。在式ND之化合物中，液晶原基團中之連接芳族環狀基團及非芳族環狀基團之鍵聯基團或Z¹ ^- ⁴ 較佳選自-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR⁰ -、-NR⁰ -CO-、-NR⁰ -CO-NR⁰ -、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₃ -、-(CH₂ )₄ -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=CH-、-CY¹ =CY² -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰ -、-CºC-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、CR⁰ R⁰⁰ 或單鍵，極佳選自-COO-、-OCO-及單鍵。較佳地，在式ND之化合物中，環上之取代基(諸如L)較佳選自P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR⁰ R⁰⁰ 、-C(=O)X、-C(=O)OR⁰ 、-C(=O)R⁰ 、-NR⁰ R⁰⁰ 、-OH、-SF₅ ；視情況經取代之具有1至12個，較佳地1至6個C原子之矽烷基、芳基或雜芳基；及具有1至12個，較佳地1至6個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子視情況經F或Cl置換，其中R⁰ 及R⁰⁰ 如式ND中所定義且X為鹵素。較佳地，式ND之化合物包含一或多個經兩個或多於兩個可聚合基團P或P-Sp- (多官能性可聚合基團)取代之端基(如R¹ ^- ⁴ )或取代基(如R⁵ )。此類型之合適多官能性可聚合基團揭示於例如US 7,060,200 B1或US 2006/0172090 A1中。極佳的式ND之化合物為以下子式之化合物：

其中R¹ ^- ⁵ 、A¹ ^- ⁴ 、Z¹ ^- ⁴ 、B、m、n、o、p及q具有上文中所給出的含義中之一者。尤其較佳的為以下子式之化合物：

其中Z具有上文中所給出之Z¹ 之含義中之一者，R具有不同於P-Sp-的如上文中所給出之R¹ 的含義中之一者，且P、Sp、L及r如上文所定義，且液晶原基團中之苯環視情況經一或多個如上文所定義之基團L取代。此外，較佳為可聚合的液晶介質，其中式ND之化合物選自由式ND 25或式ND 26之化合物組成之群，特定而言，其中Z表示-COO-，r在每次出現時為0，且P、Sp如上文所定義。此等較佳化合物中之P-Sp-較佳為P-Sp'-X'，其中X'較佳為-O-、-COO-或-OCOO-。式ND、其子式之化合物及用於其合成的合適方法揭示於WO 2008/119427 A1中。可聚合的LC材料中之式ND之化合物的量較佳為0至50%，極佳為0至40%。用於製備用於根據本發明之光調變元件中的光學膜之較佳的可聚合的液晶材料包含 - 5至41重量%，較佳地5至40重量%，極佳地5至32重量%之一或多種雙反應性非對掌性液晶原基化合物，及/或 - 49至90重量%，較佳地50至85重量%之一或多種單反應性非對掌性液晶原基化合物，及/或 - 0.1至10重量%之一或多種光引發劑。所用之光學膜的厚度較佳地為0.2至10 μm，極佳地0.3至5 μm，尤其是0.5至3 μm。光學膜的隨入射光束之波長(l)而變的光學延遲(d(l))由以下等式給出： d(l) = (2pDn∙d)/l 其中(Δn)為膜之雙折射率，(d)為膜之厚度且λ為入射光束之波長。根據Snellius定律，隨入射光束之方向而變的雙折射率定義為 Dn = sinQ / sinY 其中sinΘ為光軸在膜中之入射角或傾斜角，且sinΨ為對應的反射角度。基於此等定律，雙折射率及相應地光學延遲視光學膜之厚度及光軸在膜中之傾斜角而定(參見Berek's補償器)。因此，熟習專家瞭解不同光學遲延或不同雙折射率可藉由調整液晶分子在聚合物膜中之定向而誘發。根據本發明之合適光學膜的雙折射率(Dn)較佳地介於0.01至0.30之範圍內，更佳地介於0.01至0.25之範圍內，且甚至更佳地介於0.01至0.16之範圍內。隨根據本發明之合適光學膜的厚度而變之光學延遲小於200 nm，較佳地小於180 nm且甚至更佳地小於150 nm。尤其相對於單元內應用，根據本發明之光學膜展現高溫穩定性。因此，聚合物膜較佳地展現溫度穩定性高達230℃，更佳地高達250℃，最佳地高達300℃。為了製備膽固醇型膜，可聚合的LC材料較佳地包含一或多種非對掌性可聚合的液晶原基化合物及一或多種對掌性化合物。對掌性化合物較佳地選自非可聚合對掌性化合物，諸如習知的對掌性摻雜劑、可聚合的對掌性非液晶原基化合物或可聚合的對掌性液晶原基化合物。極佳的為具有高螺旋狀扭轉力(HTP)之對掌性摻雜劑，尤其是包含如WO 98/00428中所描述之山梨醇基團的摻雜劑、包含以下各者之摻雜劑：如GB 2,328,207中所描述之氫化安息香基團；如WO 02/94805中所描述之對掌性聯萘衍生物；如WO 02/34739中所描述之對掌性聯萘酚縮醛衍生物；如WO 02/06265中所描述之對掌性TADDOL衍生物；及具有如WO 02/06196及WO 02/06195中所描述之經氟化之鍵聯基團及末端或中心對掌性基團的對掌性化合物。合適的摻雜劑可選自例如市售的R或S 811、R或S 1011、R或S 2011或CB 15 (來自德國達姆施塔特市之默克公司)。在一較佳實施例中，可聚合的LC材料另外包含一或多種光引發劑。為了聚合丙烯基或甲基丙烯基，較佳地使用自由基光引發劑。為了聚合乙烯基、環氧基團或氧雜環丁烷基團，較佳地使用陽離子光引發劑。亦有可能使用熱聚合引發劑，其在加熱時分解以產生開始聚合之自由基或離子。典型的陽離子光引發劑為例如UVI 6974 (Union Carbide)。用於自由基聚合之典型的光引發劑較佳地選自市售Irgacure®或Darocure®(Ciba AG)系列，詳言之，Irgacure 127、Irgacure 184、Irgacure 369、Irgacure 651、Irgacure 817、Irgacure 907、Irgacure 1300、Irgacure、Irgacure 2022、Irgacure 2100、Irgacure 2959、Irgacure Oxe02或Darocure TPO。在一另外較佳實施例中，可聚合的LC材料另外包含一或多種其他組分，諸如催化劑、敏化劑、穩定劑、鏈轉移劑、抑制劑、共反應單體、表面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、黏著劑、流動改良劑、消泡劑、除氣劑、稀釋劑、反應性稀釋劑、助劑、著色劑、染料或色素。在製備所用的光學膜的較佳方法中，將可聚合的LC材料塗佈至基板上且隨後例如藉由曝露於光化輻射而進行光聚合，如例如WO 01/20394、GB 2,315,072或WO 98/04651中所描述。在本發明之一特定實施例中，可聚合的LC材料在光聚合之前在整個層中展現均一配向。在另一特定實施例中，可聚合的LC材料在光聚合之前展現均一的垂直配向。在另外特定實施例中，可聚合的LC材料在光聚合之前展現均一的平面配向。 Friedel-Creagh-Kmetz法則可供熟習此項技術者使用以藉由比較RM層及基板或配向層之表面能(g)來預測混合物是否將採用平面或垂直配向：若g_RM ＞ g_s ，則反應性液晶原基化合物將顯示垂直配向，若g_RM ＜ g_s ，則反應性液晶原基化合物將顯示垂直配向。當基板之表面能相對較低時，反應性液晶原基之間的分子間力比遍及RM基板界面之力更強。因此，反應性液晶原基垂直於基板配向(垂直配向)以便使分子間力最大化。當基板之表面張力大於RM之表面張力時，遍及界面之力佔優勢。若反應性液晶原基平行於基板配向，則界面能量降至最低，因此RM之長軸可與基板相互作用。旋塗本身常常提供可聚合的LC材料之充分配向。然而，類似地，有可能將一或多個配向層提供至基板或電極結構上，從而在反應性液晶原基(RM)聚合之前誘發反應性液晶原基(RM)之各別初始配向。合適的配向層材料通常為專家已知的。典型的垂直配向層材料通常為專家已知的，諸如由烷氧矽烷、烷基三氯矽烷、CTAB、卵磷脂或聚醯亞胺，較佳地聚醯亞胺製成之層，諸如JALS-2096-R1或AL-7511(日本日產化學公司(Nissan Chemical, Japan))。合適的平面配向層材料通常為專家已知的，諸如皆可購自日本合成橡膠公司(JSR)的AL-1054、AL-3046或AL-1254。在一較佳實施例中，藉由熟習此項技術者已知的摩擦或光配向技術，較佳地藉由摩擦技術來處理平面配向層。因此，可達成引向器之均一較佳方向而無需對單元進行任何實體處理，如對單元進行剪切(在一個方向上之機械處理)等等。摩擦方向係非關鍵的且主要僅影響必須應用偏振器之定向。通常，摩擦方向相對於基板最大延伸部在+/-45°範圍內，更佳地在+/-20°範圍內，甚至更佳地在+/-10範圍內，且詳言之，在方向+/-5°範圍內。亦可藉由額外方式誘發或增強均一配向，如對基板之剪切、表面處理，或將界面活性劑添加至可聚合的LC材料。亦可藉由使用兩親媒性材料達成垂直配向；可直接地將兩親媒性材料添加至可聚合的LC材料，或可用呈垂直配向層形式之此等材料處理基板。將兩親媒性材料之極性頭化學鍵結至基板，且烴尾點垂直於基板。兩親媒性材料與RM之間的分子間相互作用促進垂直配向。常用的兩親媒性界面活性劑為專家所知。用於促進垂直配向之另一方法為將電暈放電處理應用於塑膠基板，從而在基板表面上產生醇官能基或酮官能基。此等極性基團可與存在於RM或界面活性劑中之極性基團相互作用以促進垂直配向。一般而言，例如由I. Sage在「Thermotropic Liquid Crystals」(G. W. Gray編，John Wiley & Sons，1987，第75至77頁)中；及由T. Uchida及H. Seki在「Liquid Crystals-Applications and Uses Vol. 3」(B. Bahadur編，World Scientific Publishing, Singapore 1992，第1至63頁)中給出配向技術之評述。由J. Cognard、Mol. Cryst. Liq. Cryst. 78，Supplement 1 (1981), 第1至77頁給出配向材料及配向技術之進一步評述。較佳地，具有均一配向之光學膜係選自A板、C板或其組合。在一較佳實施例中，A (或C)板包含具有正雙折射率之光學單軸雙折射材料，該A (或C)板被稱作「正A (或C)板」或「+A (或+C)板」。在一較佳實施例中，A (或C)板包含具有負雙折射之光學單軸雙折射材料，諸如盤狀各向異性材料的膜，視盤狀材料之定向而定，該A (或C)板亦被稱作「負A (或C)板」或「-A (或C)板」。合適且較佳的A板例如揭示於GB 2 331 813 B或EP 0 940 707 B中，由此其全部揭示內容以引用的方式併入於本文中。合適且較佳的C板例如揭示於GB 2 329 393 B中，由此其全部揭示內容以引用的方式併入於本文中。除上文所提及的均一定向的光學膜之外，類似地，亦較佳的為利用一或多個選自O板、雙軸膜或膽固醇型膜或其組合之光學膜。合適且較佳的O板例如揭示於美國專利第5,619,352號、WO 97/44409、WO 97/44702、WO 97/44703及WO 98/12584.B中，由此其全部揭示內容以引用的方式併入於本文中。合適且較佳的雙軸膜例如揭示於EP 1 453 933 B、EP 1 789 514 B、EP 1 786 887 B或EP 1 763 689 B中，由此其全部揭示內容以引用的方式併入於本文中。合適且較佳的膽固醇型膜例如揭示於EP 2 218 764 B中，由此其全部揭示內容以引用的方式併入於本文中。在一較佳實施例中，根據本發明之光調變元件包含一或多個展現正波長色散之光學膜。類似較佳的為根據本發明之光調變元件包含一或多個展現負或平波長色散之光學膜。合適且較佳的展現負或平波長色散之光學膜例如揭示於WO 2008/119427、WO 2010/020312、WO 2011/003505、WO 2011/050896、WO 2016/020035或尚未公開的歐洲專利申請案16000371.1中，由此其全部揭示內容以引用的方式併入於本文中。在另一較佳實施例中，用於根據本發明之光調變元件中的一或多個光學膜為多層光學膜，其較佳地包含一或多個選自A板、C板、O板、雙軸膜或膽固醇型膜或其組合之光學膜。在另外較佳實施例中，形成多層光學膜之光學膜彼此可直接層壓或經由透射的中間膜(如TAC、DAC或PVA膜)或藉由黏著層(如壓敏黏著劑(PSA))而連接。在另一較佳實施例中，例如藉由將包含具有均一定向之第二聚合的LC材料之第二膜直接提供於獲自具有均一定向之第一聚合的LC材料之第一膜(其充當基板)上，可獲得形成多層光學膜之光學膜，如例如US 6,995,825中所描述。若將兩個或多於兩個光學膜或多層光學膜用於根據本發明之光調變元件中，則類似較佳的為一或多個光學膜在LC單元內部且一或多個光學膜在LC單元外部。在另一較佳實施例中，所有光學膜或多層光學膜皆被提供於LC單元內部。在另一較佳實施例中，利用黏著層(如壓敏黏著劑(PSA))直接將一或多個光學膜或多層光學膜層壓至透明基板或偏振器上。在一較佳實施例中，根據本發明之光調變元件包含以下光學膜或多層光學膜中之一者： -一個+A板；或 -一個+C板；或 -一個+A板及一個-A板；或 -一個+A板及一個+C板；或 -兩個+A板及一個+C板；或 -兩個-A板及一個-C板，或 -一或兩個雙軸膜。較佳地，若將一個+A板用於根據本發明之光調變元件中，則+A板之光軸平行於分析器(上部偏振器)之吸收軸。較佳地，若將一個+A板及一個-A板用於根據本發明之光調變元件中，則+A板之光軸平行於分析器(上部偏振器)之吸收軸且-A板之光軸平行於偏振器(下部偏振器)之吸收軸。較佳地，若將一個+A板及一個+C板用於根據本發明之光調變元件中，則+A板之光軸平行於或垂直於分析器(上部偏振器)之吸收軸。較佳地，若將兩個+A板及一個+C板用於根據本發明之光調變元件中，則+A板之光軸平行於分析器(上部偏振器)之吸收軸且-A板之光軸平行於偏振器(下部偏振器)之吸收軸。較佳地，若將一或兩個雙軸膜用於根據本發明之光調變元件中，則一或兩個雙軸膜之平面內光軸平行於分析器(上部偏振器)之吸收軸。當製造用於根據本發明之光調變元件的光學膜時，大體有利且較佳的為縮減塗佈及層壓步驟之數目。根據本發明之光調變元件可進一步包含一或多個其他光學膜，諸如補償或延遲膜(如一或多個四分之一波延遲膜(QWF，λ/4膜)或半波延遲膜(HWF，λ/2膜))；具有絞合、垂直、平面、傾斜或八字形結構之正或負A板、O板或C板或延遲膜。在另一較佳實施例中，根據本發明之光調變元件另外包含在光學膜之頂部上的各向同性層。在一較佳實施例中，各向同性層可獲自非液晶原基可聚合化合物，諸如二(甲基)丙烯酸烷酯或其鹵化衍生物。在第一較佳實施例中，可藉由如壓敏黏著劑(PSA)之黏著層直接將各向同性層層壓至光學膜上。在另一較佳實施例中，例如，藉由將非液晶原基或各向同性可聚合材料層提供於充當基板之光學膜上及隨後使非液晶原基可聚合材料光聚合，可獲得各向同性層。在一另外較佳實施例中，用於根據本發明之光調變元件中的光學膜可獲自可聚合的LC材料，其包含一或多種多反應性或雙反應性液晶原基化合物(較佳地式DRM之化合物)、視情況一或多種單反應性液晶原基化合物(較佳地選自式MRM之化合物)及一或多種式DRI之可聚合的各向同性化合物， P¹ -Sp¹ -(CF₂ )_n -Sp² -P² DRI 其中參數P¹ 、P² 、Sp¹ 及Sp² 各自且彼此獨立地具有上文在式DRM或MRM下給出的含義中之另一者，且n表示2至12，較佳地3至10，更佳地4至8之整數。不受理論束縛，堅定地認為可聚合的LC材料中之式DRI之可聚合的各向同性化合物在沈積或固化製程期間上升至膜表面且形成各向同性障壁層。本發明亦關於一種可聚合的LC材料，其包含一或多種多反應性或雙反應性液晶原基化合物(較佳地選自式DRM之化合物)、視情況一或多種單反應性液晶原基化合物(較佳地選自式MRM之化合物)及一或多種式DRI之可聚合的各向同性化合物。較佳地，式DRI之化合物相對於總體可聚合的液晶混合物的量在1至40%，更佳地10至35%，且最佳地15至25%範圍內。此外，本發明亦關於一種用於生產根據本發明之光學件的方法，其包含以下步驟： 1. 視情況，將配向層提供於基板上， 2. 將包含以下各者之可聚合的LC材料層提供於配向層或基板之頂部上：一或多種式DRM之多反應性或雙反應性液晶原基化合物、視情況一或多種式MRM之單反應性液晶原基化合物及一或多種式DRI之可聚合的各向同性化合物， 3. 用光化輻射來輻照層堆疊， 4. 視情況將所得聚合物膜自配向層或基板移除，且視情況將聚合物膜層壓至另一基板上。本發明亦關於一種如上文所描述之聚合物膜在根據本發明之光調變元件中的用途。在一較佳實施例中，光調變元件包含電極結構，電極結構能夠允許施加實質上平行於基板或液晶層之電場，或換言之，電極結構能夠允許施加具有至少一個平行於基板主平面或光學膜之相當大的分量的電場。在一較佳實施例中，兩個基板在其面對表面上皆承載相對平行電極，其之間具有插入的液晶介質。合適電極結構為例如梳狀電極配置。在另一較佳實施例中，基板中之一者包括用於產生實質上平行於像素區中第一基板之表面的電場的像素電極及共同電極。在一個基板上具有至少兩個電極的不同種類之顯示器為熟習此項技術者所知，其中最重要的差異在於：像素電極及共同電極兩者皆被結構化，其對於IPS顯示器係典型的，或僅像素電極被結構化且共同電極被非結構化，其為FFS顯示器的情況。在另外較佳實施例中，利用充當間隔件及電極兩者之貫穿單元電極結構。術語貫穿單元電極係指朝向所形成單元之內部突起的電極。詳言之，電極較佳地在控制層或所形成單元之整體厚度及整體長度上方延伸。電極較佳地實質上彼此平行配置。較佳地，電極可具有呈實心導線或圓柱體之形式的環形橫截面，或電極可具有矩形或幾乎矩形的橫截面。尤其較佳的為電極之矩形或幾乎矩形的橫截面。其它合適的電極結構通常為專家已知的且例如揭示於WO 2004/029697 A1中。合適的電極材料通常為專家已知的，如例如由金屬或金屬氧化物(諸如，透明氧化銦錫(ITO)，其根據本發明為較佳的)製成之電極。電極之間的間距較佳地在大致1 µm至大致1000 µm範圍內，更佳地在大致10 µm至大致1000 µm範圍內，且甚至更佳地在大致20 µm至大致1000 µm範圍內，尤其是在大致30 µm至大致200 µm範圍內。在一較佳實施例中，光調變元件之電極與諸如薄膜電晶體(TFT)或薄膜二極體(TFD)之切換元件相關聯。合適的液晶介質包含光配向組分A)及液晶組分B)、較佳地由光配向組分A)及液晶組分B)組成，在下文中亦被稱作「LC主體混合物」，光配向組分A)包含一或多種下文中式I之光反應性液晶原基化合物，液晶組分B)包含一或多種非可聚合液晶原基或液晶化合物，其中式I如下：

其中 A¹¹ 表示芳基或雜芳基，其可經一或多個自由基L取代， A¹² 、A¹³ 各自彼此獨立地定義如A¹¹ 或表示具有3至10個C原子之環烷基，其中1至4個非鄰接CH₂ 基團可經O替換且其中一或多個H原子可經基團L替換， L 在每次出現時，相同或不同地表示OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、SF₅ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^z )₂ 、-C(=O)R^z 、-N(R^z )₂ 、視情況經取代之矽烷基、視情況經取代之具有6至20個C原子之芳基，或具有至多15個C原子之直鏈或分支鏈烷基或烯基，其中一或多個非鄰接CH₂ -基團可經-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-O-C(O)-、O-C(O)-O-置換，其中另外，一或多個H原子可經F或Cl置換， Z¹¹ 在每次出現時相同或不同地表示-CH₂ CH₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-C(O)O-、-OC(O)-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，較佳地表示-C(O)O-、-OC(O)-、-CH=CH-C(O)O-、-O(O)C-CH=CH-、-CH₂ CH₂ -或單鍵， R¹¹ 及R¹² 相同或不同地表示基團P-Sp-或鹵素CN、視情況經氟化之具有至多15個C原子之烷基或烯基，其中一或多個非鄰接CH₂ -基團可經-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-O-C(O)-、O-C(O)-O-置換，由此R¹¹ 及R¹² 中之至少一者表示基團P-Sp-，較佳地R¹¹ 及R¹² 兩者皆表示P-Sp-， R^z 各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， P 可聚合基團， Sp 間隔基團或單鍵， a 為0或1。式I之化合物較佳地選自子式I-1至I-8之化合物。

其中R¹¹ 及R¹² 以及L如上文所指示定義且r在每次出現時，相同或不同地為0、1或2。基團

較佳地表示

；尤其較佳地為

。其中L具有上文所指示之含義且較佳地表示具有1至8個C原子之烷基或烷氧基、鹵素或CN。尤其較佳的式I之化合物係選自子式I-1-1、I-3-1及I-3-2

其中出現的基團具有上文所指示之含義且較佳地 L表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基、Cl或F，尤其較佳地CH₃ 或C₂ H₅ ， P 相同或不同地表示丙烯基或甲基丙烯基， Sp 相同或不同地表示(CH₂ )_t 、- O(CH₂ )_t 或單鍵，且 t 為2至12，較佳地2至8之整數。較佳的式I-1-1、I-3-1及I-3-2之化合物為以下子式之化合物：

其中W表示H或CH₃ 且t為2至8之整數。在一較佳實施例中，根據本發明之LC主體混合物(組分B)包含一或多種，較佳地兩種或多於兩種低分子量(亦即，單體或未聚合)化合物。後者穩定或相對於聚合反應無反應或在用於可聚合化合物之聚合條件下光配向或光配向式I之光反應性液晶原基。原則上，合適的主體混合物為適用於習知VA、IPS或FFS顯示器之任何介電負或正LC混合物。合適的LC混合物為熟習此項技術者已知且揭示於文獻中。具有負介電各向異性之VA顯示器的LC介質描述於例如EP 1 378 557 A1中。適用於LCD及尤其IPS顯示器之具有正介電各向異性之合適的LC混合物自例如JP 07-181 439 (A)、EP 0 667 555、EP 0 673 986、DE 195 09 410、DE 195 28 106、DE 195 28 107、WO 96/23 851、WO 96/28 521及WO2012/079676已知。根據本發明之具有負或正介電各向異性之液晶介質的較佳實施例為如下所指示且藉助於工作實例更詳細地解釋。 LC主體混合物較佳為向列型LC混合物且較佳不具有對掌性LC相。在本發明之一較佳實施例中，LC介質含有具有負介電各向異性之LC主體混合物。此LC介質之較佳實施例及相應LC主體混合物為以下彼等部分a)至z)： a) 包含一或多種式CY及/或PY之化合物的LC介質：

其中 a 表示1或2， b 表示0或1，

R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個非鄰接CH₂ 基團可以使得O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳地具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， Z^x 及Z^y 各自彼此獨立地表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳地單鍵， L^1-4 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。在一較佳實施例中，L¹ 及L² 兩者皆表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F而另一者表示Cl，或L³ 及L⁴ 兩者皆表示F或L³ 及L⁴ 中之一者表示F而另一者表示Cl。式CY之化合物較佳地選自由以下子式組成之群：

其中a表示1或2，烷基及烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且(O)表示氧原子或單鍵。烯基較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。式PY之化合物較佳選自由以下子式組成之群：

其中烷基及烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且(O)表示氧原子或單鍵。烯基較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。 b) 另外包含一或多種下式化合物之LC介質：

其中個別自由基具有以下含義：

R³ 及R⁴ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個非鄰接CH₂ 基團可以使得O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-置換， Z^y 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳為單鍵。式ZK之化合物較佳地選自由以下子式組成之群：

其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。烯基較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。尤其較佳的為式ZK1及ZK3之化合物。尤其較佳的式ZK之化合物選自以下子式：

其中丙基、丁基及戊基為直鏈基團。最佳為式ZK1a及ZK3a之化合物。 c) 另外包含一或多種下式化合物之LC介質：

其中個別自由基在每次出現時相同或不同地具有以下含義： R⁵ 及R⁶ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個非鄰接CH₂ 基團可以使得O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，

e 表示1或2。式DK之化合物較佳選自由以下子式組成之群：

其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。烯基較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。 d) 另外包含一或多種下式化合物之LC介質：

其中個別自由基具有以下含義：

其中至少一個環F不同於伸環己基， f 表示1或2， R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個非鄰接CH₂ 基團可以使得O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換， Z^x 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳為單鍵。 L¹ 及L² 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。在一較佳實施例中，自由基L¹ 及L² 兩者皆表示F或自由基L¹ 及L² 中之一者表示F而另一者表示Cl。式LY之化合物較佳地選自由以下子式組成之群：

其中R¹ 具有上文所指示之含義，烷基表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，(O)表示氧原子或單鍵，且v表示1至6之整數。R¹ 較佳地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，尤其是CH₃ 、C₂ H₅ 、n-C₃ H₇ 、n-C₄ H₉ 、n-C₅ H₁₁ 、CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。 e) 另外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物的LC介質：

其中烷基表示C₁ _- ₆ -烷基，L^x 表示H或F，且X表示F、Cl、OCF₃ 、OCHF₂ 或OCH=CF₂ 。尤其較佳為式G1之化合物，其中X表示F。 f) 另外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物的LC介質：

其中R⁵ 具有上文針對R¹ 所指示之含義中之一者，烷基表示C₁ _- ₆ -烷基，d表示0或1，且z及m各自彼此獨立地表示1至6之整數。此等化合物中之R⁵ 尤其較佳地為C₁ _- ₆ -烷基或烷氧基或C₂ _- ₆ -烯基，d較佳地為1。根據本發明之LC介質較佳包含量≥ 5重量%之上文所提及式之一或多種化合物。 g) 另外包含一或多種選自由下式組成之群的聯二苯化合物之LC介質：

其中烷基及烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基及烯基*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。烯基及烯基*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。 LC混合物中的式B1至B3之聯二苯之比例較佳為至少3重量%，尤其為≥5重量%。式B2之化合物尤其較佳。式B1至B3之化合物較佳地選自由以下子式組成之群：

其中烷基^* 表示具有1至6個C原子之烷基。根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式B1a及/或B2c之化合物。 h) 另外包含一或多種下式之聯三苯化合物之LC介質：

其中R⁵ 及R⁶ 各自彼此獨立地具有上文所指示之含義中之一者，且

各自彼此獨立地表示

其中L⁵ 表示F或Cl，較佳F，且L⁶ 表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F或CHF₂ ，較佳F。式T之化合物較佳地選自由以下子式組成之群：

其中R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基，R*表示具有2至7個C原子之直鏈烯基，(O)表示氧原子或單鍵，且m表示1至6之整數。R*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。 R較佳地表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。根據本發明之LC介質較佳以0.5至30重量%、尤其1至20重量%之量包含式T及其較佳子式之聯三苯。尤其較佳為式T1、T2、T3及T21之化合物。在此等化合物中，R較佳表示烷基，此外表示烷氧基，其各自具有1至5個C原子。若混合物之Δn值≥ 0.1，則聯三苯較佳用於根據本發明之混合物中。較佳混合物包含2至20重量%的一或多種式T之聯三苯化合物，較佳選自化合物T1至T22之群。 i) 另外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物的LC介質：

其中R¹ 及R² 具有上文所指示之含義且較佳地各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或具有2至6個C原子之直鏈烯基。較佳介質包含一或多種選自式O1、O3及O4之化合物。 k) 另外包含一或多種下式化合物之LC介質：

其中

R⁹ 表示H、CH₃ 、C₂ H₅ 或n-C₃ H₇ ，(F)表示視情況選用之氟取代基，且q表示1、2或3，且R⁷ 具有針對R¹ 所指示之含義中之一者，較佳地呈＞ 3重量%，特定言之≥ 5重量%且極其尤佳地5至30重量%之量。尤其較佳的式FI之化合物選自由以下子式組成之群：

其中R⁷ 較佳表示直鏈烷基，且R⁹ 表示CH₃ 、C₂ H₅ 或正C₃ H₇ 。尤其較佳為式FI1、FI2及FI3之化合物。 l) 另外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物的LC介質：

其中R⁸ 具有針對R¹ 所指示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。 m) 另外包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之化合物的LC介質，該等化合物諸如選自由下式組成之群：

其中 R¹⁰ 及R¹¹ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個非鄰接CH₂ 基團可以使得O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳地具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，且R¹⁰ 及R¹¹ 較佳地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，且 Z¹ 及Z² 各自彼此獨立地表示-C₂ H₄ -、-CH=CH-、-(CH₂ )₄ -、-(CH₂ )₃ O-、-O(CH₂ )₃ -、-CH=CH-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CH₂ -或單鍵。 n) 另外包含一或多種下式之二氟二苯并𠳭烷及/或𠳭烷之LC介質：

其中 R¹¹ 及R¹² 各自彼此獨立地具有上文針對R¹¹ 所指示之含義中之一者，環M 為反-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基， Z^m -C₂ H₄ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-或-O-CO-， c 為0、1或2，較佳呈3至20重量%之量，尤其呈3至15重量%之量。尤其較佳的式BC、CR及RC之化合物選自由以下子式組成之群：

其中烷基及烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，(O)表示氧原子或單鍵，c為1或2，且烯基及烯基*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。烯基及烯基*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。極其尤佳為包含一種、兩種或三種式BC-2之化合物的混合物。 o) 另外包含一或多種下式之氟化菲及/或二苯并呋喃的LC介質：

其中R¹¹ 及R¹² 各自彼此獨立地具有上文針對R¹¹ 所指示之含義中之一者，b表示0或1，L表示F，且r表示1、2或3。尤其較佳的式PH及BF之化合物係選自由以下子式組成之群：

其中R及R'各自彼此獨立地表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基。 p) 另外包含一或多種下式之單環化合物的LC介質

其中 R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個非鄰接CH₂ 基團可以使得O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳地具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， L¹ 及L² 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。在一較佳實施例中，L¹ 及L² 兩者皆表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F而另一者表示Cl。式Y之化合物較佳選自由以下子式組成之群：

，其中，烷基及烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，烷氧基表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，烯基及烯基*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且O表示氧原子或單鍵。烯基及烯基*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。尤其較佳的式Y之化合物選自由以下子式組成之群：

其中烷氧基較佳地表示具有3、4或5個C原子之直鏈烷氧基。 q) 除尤其式I或其子式之根據本發明之穩定劑及共聚單體之外，不包含含有末端乙烯基氧基(-O-CH=CH₂ )之化合物的LC介質。 r) 包含1至5種，較佳為1、2或3種較佳選自尤其式I或其子式之根據本發明之穩定劑的穩定劑的LC介質 s) 其中尤其式I或其子式之穩定劑在作為整體之混合物中的比例為1至1500 ppm，較佳為100至1000 ppm的LC介質。 t) 包含1至8種，較佳1至5種式CY1、CY2、PY1及/或PY2之化合物的LC介質。此等化合物在作為整體之混合物中之比例較佳地為5至60%，尤其較佳10至35%。在每一狀況下，此等個別化合物之含量較佳為2至20%。 u) 包含1至8種、較佳1至5種式CY9、CY10、PY9及/或PY10之化合物的LC介質。此等化合物在作為整體之混合物中之比例較佳地為5至60%，尤其較佳10至35%。在每一狀況下，此等個別化合物之含量較佳為2至20%。 v) 包含1至10種，較佳1至8種式ZK之化合物，尤其式ZK1、ZK2及/或ZK6之化合物的LC介質。此等化合物在作為整體之混合物中之比例較佳為3至25%，尤其較佳5至45%。在每一狀況下，此等個別化合物之含量較佳為2至20%。 w) 其中式CY、PY及ZK之化合物在作為整體之混合物中的比例大於70%、較佳大於80%的LC介質。 x) 其中LC主體混合物含有一或多種含有烯基、較佳選自由以下各者組成之群之化合物的LC介質：式CY、PY及LY，其中R¹ 及R² 中之一者或兩者表示具有2至6個C原子之直鏈烯基；式ZK及DK，其中R³ 及R⁴ 中之一者或兩者或R⁵ 及R⁶ 中之一者或兩者表示具有2至6個C原子之直鏈烯基；及式B2及B3，極佳選自式CY15、CY16、CY24、CY32、PY15、PY16、ZK3、ZK4、DK3、DK6、B2及B3，最佳選自式ZK3、ZK4、B2及B3。LC主體混合物中此等化合物之濃度較佳為2至70%，極佳為3至55%。 y) 含有一或多種、較佳1至5種選自式PY1至PY8、極佳式PY2之化合物的LC介質。此等化合物在作為整體之混合物中的比例較佳為1至30%，尤其較佳為2至20%。在每一狀況下，此等個別化合物之含量較佳為1至20%。 z) 含有一或多種，較佳地1種、2種或3種式T2之化合物的LC介質。此等化合物在作為整體之混合物中的含量較佳為1至20%。在本發明之另一較佳實施例中，LC介質含有具有正介電各向異性之LC主體混合物。此LC介質之較佳實施例及對應的LC主體混合物為以下彼等部分aa)至mmm)： aa) LC介質，特徵在於其包含一或多種選自式II及III之化合物之群的化合物

其中 R²⁰ 各自相同或不同地表示具有1至15個C原子之鹵代或未經取代之烷基或烷氧基，其中另外，此等自由基中之一或多個CH₂ 基團可以使得O原子彼此不直接鍵連之方式各自彼此獨立地經-C≡C-、-CF₂ O-、-CH=CH-、

-O-、-CO-O-、-O-CO-置換， X²⁰ 各自相同或不同地表示F、Cl、CN、SF₅ 、SCN、NCS、鹵化烷基、鹵化烯基、鹵化烷氧基或鹵化烯基氧基，各自具有至多6個C原子，且 Y^20-24 各自相同或不同地表示H或F；

式II之化合物較佳選自下式：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。 R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F。尤其較佳的為式IIa及IIb之化合物，尤其其中X表示F之式IIa及IIb之化合物。式III之化合物較佳地選自以下式：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。 R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F。尤其較佳為式IIIa及式IIIe之化合物，尤其是式IIIa之化合物； bb) 另外包含一或多種選自下式之化合物的LC介質：

其中 R²⁰ 、X²⁰ 、及Y²⁰ ^- ²³ 具有上文所指示之含義，且 Z²⁰ 表示-C₂ H₄ -、-(CH₂ )₄ -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C₂ F₄ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-或-OCF₂ -，在式V及VI中亦表示單鍵，在式V及VIII中亦表示-CF₂ O-， r 表示0或1，且 s 表示0或1； - 式IV之化合物較佳選自下式：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。 R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F或OCF₃ ，另外OCF=CF₂ 或Cl。 - 式V化合物較佳選自下式：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。 R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F及OCF₃ ，另外OCHF₂ 、CF₃ 、OCF=CF₂ 及OCH=CF₂ 。 - 式VI之化合物較佳選自下式：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。 R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F，另外OCF₃ 、CF₃ 、CF=CF₂ 、OCHF₂ 及OCH=CF₂ 。 - 式III之化合物較佳地選自下式：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。 R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F，另外OCF₃ 、OCHF₂ 及OCH=CF₂ 。 cc) 介質另外包含一或多種選自上文給出之式ZK1至ZK10的化合物。尤其較佳的為式ZK1及ZK3之化合物。尤其較佳的式ZK之化合物係選自子式ZK1a、ZK1b、ZK1c、ZK3a、ZK3b、ZK3c及ZK3d。 dd) 介質另外包含一或多種選自上文給出之式DK1至DK12的化合物。尤其較佳的化合物為DK3。 ee) 介質另外包含一或多種選自下式之化合物：

其中X²⁰ 具有上文所指示之含義，且 L 表示H或F，「烯基」表示C₂ _- ₆ -烯基。 ff) 式DK-3a及IX之化合物較佳地選自下式：

其中「烷基」表示C₁ _- ₆ -烷基，較佳正C₃ H₇ 、正C₄ H₉ 或正C₅ H₁₁ ，尤其正C₃ H₇ 。 gg) 介質另外包含一或多種選自上文給出之式B1、B2及B3，較佳式B2之化合物。式B1至B3之化合物尤其較佳地選自式B1a、B2a、B2b及B2c。 hh) 介質另外包含一或多種選自下式之化合物：

其中L²⁰ 表示H或F，且R²¹ 及R²² 各自相同或不同地表示正烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基或烯基，各自具有至多6個C原子且較佳各自相同或不同地表示具有1至6個C原子之烷基。 ii) 介質包含一或多種下式之化合物：

其中R²⁰ 、X²⁰ 及Y²⁰ ^- ²³ 具有式III中所指示之含義，且

且

式XI及XII之化合物較佳選自下式：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義且較佳地R²⁰ 表示具有1至6個C原子之烷基且X²⁰ 表示F。根據本發明之混合物尤其較佳地包含一或多種式XIIa及/或XIIe之化合物。 jj) 介質包含上文所給出之一或多種式T化合物，較佳選自式T21至T23及T25至T27之化合物之群。尤其較佳為式T21至T23之化合物。極其尤佳為下式之化合物

. kk) 介質包含一或多種選自上文所給出之式DK9、DK10及DK11之基團的化合物。 ll) 介質另外包含一或多種選自下式之化合物：

其中R²⁰ 及X²⁰ 各自彼此獨立地具有上文所指示之含義中之一者，且Y²⁰ ^- ²³ 各自彼此獨立地表示H或F。X²⁰ 較佳地為F、Cl、CF₃ 、OCF₃ 或OCHF₂ 。R²⁰ 較佳表示各自具有至多6個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基、氟烷基或烯基。根據本發明之混合物尤其較佳地包含一或多種式XVIII-a之化合物，

其中R²⁰ 具有上文所指示之含義。R²⁰ 較佳表示直鏈烷基，尤其表示乙基、正丙基、正丁基及正戊基，且極其較佳地表示正丙基。在根據本發明之混合物中較佳以0.5至20重量%、尤佳1至15重量%之量使用式XVIII化合物，尤其是式XVIII-a之化合物。 mm) 介質另外包含一或多種式XIX之化合物，

其中R²⁰ 、X²⁰ 及Y²⁰ ^- ²⁵ 具有式I中所指示之含義，s表示0或1，且

在式XIX中，X²⁰ 亦可表示具有1至6個C原子之烷基或具有1至6個C原子之烷氧基。烷基或烷氧基較佳地為直鏈。 R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳地表示F。 - 式XIX之化合物較佳選自下式：

其中R²⁰ 、X²⁰ 及Y²⁰ 具有上文所指示之含義。R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F，且Y²⁰ 較佳為F； -

較佳地為

。 - R²⁰ 為具有2至6個C原子之直鏈烷基或烯基； nn) 介質包含一或多種上文所給出的式G1至G4之化合物，較佳地選自G1及G2，其中烷基表示C₁ _- ₆ -烷基，L^x 表示H且X表示F或Cl。在G2中，X尤其較佳地表示Cl。 oo) 介質包含一或多種下式之化合物：

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F。根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式XXII之化合物，其中X²⁰ 較佳表示F。式XX至XXII之化合物較佳以1至20重量%、尤其較佳1至15重量%之量用於根據本發明之混合物中。尤其較佳的混合物包含一或多種式XXII之化合物。 pp) 介質包含一或多種下式之嘧啶或吡啶化合物之化合物

其中R²⁰ 及X²⁰ 具有上文所指示之含義。R²⁰ 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。X²⁰ 較佳表示F。根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式M-1之化合物，其中X²⁰ 較佳表示F。式M-1至M-3之化合物較佳以1至20重量%、尤其較佳1至15重量%之量用於根據本發明之混合物中。另外較佳實施例如下所指示： qq) 介質包含兩種或多於兩種式XII之化合物，尤其是式XIIe之化合物； rr) 介質包含2至30重量%，較佳3至20重量%，尤其較佳3至15重量%的式XII之化合物； ss) 除了式XII之化合物以外，介質亦包含選自式II、III、IX至XIII、XVII及XVIII之化合物之群的其他化合物； tt) 作為整體之混合物中的式II、III、IX至XI、XIII、XVII及XVIII之化合物的比例為40至95重量%； uu) 介質包含10至50重量%，尤佳12至40重量%的式II及/或III之化合物。 vv) 介質包含20至70重量%，尤佳25至65重量%的式IX至XIII之化合物； ww) 介質包含4至30重量%，尤佳5至20重量%的式XVII之化合物； xx) 介質包含1至20重量%、尤佳2至15重量%的式XVIII之化合物； yy) 介質包含至少兩種下式之化合物

。 zz) 介質包含至少兩種下式之化合物

。 aaa) 介質包含至少兩種式XIIa之化合物及至少兩種式XIIe之化合物。 bbb) 介質包含一或多種式XIIa之化合物及一或多種式XIIe之化合物以及一或多種式IIIa之化合物。 ccc) 介質包含至少兩種式XIIa之化合物及至少兩種式XIIe之化合物以及一或多種式IIIa之化合物。 ddd) 介質包含總計≥25重量%，較佳≥30重量%之一或多種式XII之化合物。 eee) 介質包含≥20重量%，較佳≥24重量%，較佳25至60重量%之式ZK3化合物，尤其是式ZK3a化合物。

fff) 介質包含選自與化合物ZK3d組合之化合物ZK3a、ZK3b及ZK3c，較佳ZK3a之群的一或多種化合物。

ggg) 介質包含一或多種式DPGU-n-F之化合物。 hhh) 介質包含一或多種式CDUQU-n-F之化合物。 iii) 介質包含一或多種式CPU-n-OXF之化合物。 jjj) 介質包含一或多種式CPGU-3-OT之化合物。 kkk) 介質包含一或多種式PPGU-n-F之化合物。 lll) 介質包含一或多種式PGP-n-m之化合物，較佳地兩種或三種化合物。 mmm) 介質包含至少一種具有以下結構之式PGP-2-2V化合物

。根據本發明之介質較佳包含0.01至10%，尤佳0.05至5%且最佳0.1至3%之包含根據本發明之式I化合物的組分A)。介質較佳包含一種、兩種或三種、更佳一或兩種且最佳一種根據本發明之式I化合物。在一較佳實施例中，組分A)由式I化合物組成。如文獻(例如在諸如Houben-Weyl，Methoden der organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry]，Georg-Thieme-Verlag,Stuttgart之標準著作)中所描述，利用本身已知方法，確切而言在已知且適合於該等反應之反應條件下製備本發明中所使用之化合物。亦可在此處使用本身已知而未在此處更詳細地提及之變化形式。較佳根據或類似於GB 2 306 470 A中所描述之程序合成式I化合物。根據本發明之介質以本身習知方式來製備。一般而言，較佳在高溫下使組分相互溶解。藉助於合適添加劑，本發明之液晶相可以其可用於迄今已揭示的所有類型之液晶顯示元件之方式來改質。此類型之添加劑為熟悉此項技術者所已知且詳細描述於文獻(H. Kelker/ R. Hatz，Handbook of Liquid Crystals，Verlag Chemie，Weinheim，1980)中。舉例而言，可添加多色染料用於產生彩色客體-主體系統，或可添加多種物質以改變向列相之介電各向異性、黏度及/或配向。光調變元件可另外包含阻擋某些波長之光的濾光器，例如UV濾光器。根據本發明，亦可存在其他功能層，諸如，保護膜、熱絕緣膜或金屬氧化層。在下文中，更詳細地描述根據本發明之光調變元件的合適生產方法。在第一較佳實施例中，用於生產根據本發明之光調變元件的合適方法通常包含以下步驟： a. 在基板中之至少一者上提供電極結構，該電極結構能夠允許施加電場，該電場實質上平行於基板或液晶層， b. 視情況在另一基板上或在該電極結構上提供配向層， c. 在配向層或基板或電極結構之頂部上提供可聚合的LC材料層， d. 用光化輻射來輻照層堆疊， e. 在該等基板中之一者或層堆疊上提供至少包含光配向組分A)及液晶組分B)之液晶介質層， f. 組裝單元，及 g. 用線性偏振光來輻照該單元。常常僅藉由將可聚合的LC材料層提供至如下文所給出之基板上可達成可聚合的LC材料之充分配向。然而，類似有可能的為將一或多個配向層提供至基板上，從而在棒狀反應性液晶原基(RM)如上文所描述發生聚合之前誘發該等棒狀反應性液晶原基(RM)之各別初始配向。典型地，可藉由習知塗佈技術(如旋塗、滾塗、浸塗或刮塗)、藉由專家已知的氣相沈積或習知印刷技術(如網板印刷、平版印刷、卷盤至卷盤印刷、印字機印刷、凹版印刷、輪轉凹版印刷、彈性凸版印刷、凹紋印刷、移印、熱封印刷、噴墨印刷或藉助於印模或印刷板之印刷)將配向層材料塗覆至基板或電極結構上。為了在配向層或基板或電極結構之頂部上提供可聚合的LC材料層，較佳地將可聚合的LC材料溶解於合適溶劑中。合適溶劑較佳地選自有機溶劑。溶劑較佳選自酮，諸如丙酮、甲基乙基酮、甲基丙基酮、甲基異丁基酮或環己酮；乙酸酯，諸如乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯或乙醯乙酸甲酯；醇，諸如甲醇、乙醇或異丙醇；芳族溶劑，諸如甲苯或二甲苯；脂環烴，諸如環戊烷或環己烷；鹵化烴，諸如二氯甲烷或三氯甲烷；二醇或其酯，諸如丙基二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、γ-丁內酯。亦有可能使用以上溶劑之二元、三元或更高混合物。在可聚合的LC材料含有一或多種溶劑的情況下，溶劑中之所有固體(包括RM)之總濃度較佳為10%至60%。可藉由如旋塗、棒塗或刮塗之習知塗佈技術將可聚合的LC材料塗覆至配向層上。藉由為專家已知的習知印刷技術，如網板印刷、平版印刷、卷軸至卷軸印刷、印字機印刷、凹版印刷、輪轉凹版印刷、彈性凸版印刷、凹紋印刷、移印、熱封印刷、噴墨印刷或藉助於印模或印刷板之印刷，其亦可塗覆至基板。對於根據本發明之聚合物膜之生產，藉由原位聚合來聚合或交聯(若一種化合物含有兩個或多於兩個可聚合基團)可聚合的LC材料中之可聚合化合物。聚合可在一步驟中進行。亦有可能在第二步驟中使在第一步驟中未反應之化合物聚合或交聯(「最終固化」)。在較佳製備方法中，可聚合的LC材料塗佈至基板上，且隨後(例如)藉由曝露於加熱或光化輻射而聚合，如(例如) WO 01/20394、GB 2,315,072或WO 98/04651中所描述。 LC材料之聚合較佳藉由將其曝露於光化輻射實現。光化輻射意謂用如UV光、IR光或可見光之光輻照，用X射線或γ射線輻照，或用諸如離子或電子之高能粒子輻照。在一較佳實施例中，藉由光輻照，尤其是用UV光來進行聚合作用。例如可使用單一UV燈或一組UV燈作為光化輻射之源。當使用高燈功率時，可縮減固化時間。用於光輻射之另一可能源為雷射，如例如UV雷射、IR雷射或可見光雷射。固化時間尤其取決於可聚合的LC材料之反應性、塗佈層之厚度、聚合作用引發劑之類型及UV燈之功率。固化時間較佳≤ 5分鐘、極佳≤ 3分鐘、最佳≤ 1分鐘。對於大批量生產，≤ 30秒之短固化時間係較佳的。合適的UV輻射功率較佳地在大致5 mWcm^- ² 至大致200 mWcm^- ² 範圍內，更佳地在大致50 mWcm^- ² 至大致175 mWcm^- ² 範圍內，且最佳地在大致100 mWcm^- ² 至大致150 mWcm^- ² 範圍內。與所施加的UV輻射相關且隨時間而變，合適的UV劑量較佳地在大致25 mJcm^- ² 至大致7200 mJcm^- ² 範圍內，更佳地在大致500 mJcm^- ² 至大致7200 mJcm^- ² 範圍內，且最佳地在大致3000 mJcm^- ² 至大致7200 mJcm^- ² 範圍內。聚合較佳在惰性氣體氛圍下執行，較佳地在經加熱之氮氣氛圍中，而且在空氣中發生聚合係可能的。聚合較佳在1℃至70℃、更佳5℃至50℃、甚至更佳15℃至30℃之溫度下執行。在本發明之一個實施例中，將液晶組合物注入於第一基板與第二基板之間，或在組合第一基板及第二基板之後，藉由毛細管力將液晶組合物注入至組裝後的單元中。在一替代實施例中，可藉由在第一基板上負載液晶組合物之後將第二基板與第一基板組合來使液晶組合物插入於第一與第二基板之間。在一較佳實施例中，以例如JPS63-179323及JPH10-239694中所揭示之被稱為「一滴注入(one drop filling)」(ODF)製程的製程或使用噴墨印刷(IJP)方法將液晶逐滴施配至第一基板上。因此，視注入方法而定，步驟e)組裝單元及f)用至少包含光配向組分A)及液晶組分B)之液晶介質注入單元彼此可互換。在一較佳實施例中，根據本發明之方法含有一製程步驟，其中使得液晶於顯示面板內部靜置一段時間以便將液晶介質均勻重佈於面板內部(在本文中被稱作「退火」)。為生產根據本發明之顯示器，較佳使式I之光反應性液晶原基重佈於面板中。在注入且組裝之後，顯示面板經退火1分鐘與3小時之間，較佳10分鐘與1小時之間且最佳20分鐘與30分鐘之間的一段時間。較佳在室溫下執行退火。在一替代實施例中，在高溫下(較佳在高於20℃且低於140℃下，更佳在高於40℃且低於100℃下且最佳在高於50℃且低於80℃下)執行退火。在一較佳實施例中，在高於液晶主體混合物之清澈點的溫度下執行注入顯示器、退火、光配向及固化可聚合化合物之製程步驟中的一或多者。在光配向液晶面板內部之液晶期間，藉由使顯示器或液晶層曝露於線性偏振光來誘發各向異性。在本發明之一較佳實施例中，在第一步驟中使用線性偏振光來光配向且在第二步驟中使用線性偏振或非偏振UV光來進一步固化光反應性組分A)。在另一較佳實施例中，根據方法施加之線性偏振光係紫外光，其使得能夠同時進行光反應性組分A)之光配向及固化。可藉由UV帶通濾波器來調整輻射波長。輻照波長較佳地在250 nm至450 nm範圍內，更佳地在320 nm至390 nm範圍內。尤其較佳的為約365 nm之輻照波長。例如可使用單一UV燈或一組UV燈作為UV輻射之源。當使用高燈功率時，可縮減固化時間。用於UV輻射之另一可能源為雷射。可藉由專家已知的方法來達成UV輻射之線性偏振。較佳地，藉由使輻射穿過合適的線性偏振器(諸如市售的線柵偏振器(WGP))來達成線性偏振。可同時或逐步地執行式I之光反應性化合物的光配向及式I之化合物之可聚合基團的固化。倘若將方法拆分成不同步驟，則可在相同溫度下或在不同溫度下執行個別步驟。在光配向及固化步驟之後，可視情況在降低溫度下藉由用UV光及/或可見光(線性或非偏振兩者)輻照來執行所謂的「後固化」步驟，以便移除未反應之可聚合化合物。較佳在高於20℃且低於70℃下，更佳在低於60℃且最佳在高於20℃且低於40℃下執行後固化。在第二較佳實施例中，用於生產根據本發明之光調變元件的合適方法通常包含以下步驟： h. 在基板中之至少一者上提供電極結構，該電極結構能夠允許施加電場，該電場實質上平行於基板或液晶層， i. 在另一基板上或在該電極結構上層壓一或多個光學膜， j. 在一個層堆疊上提供至少包含光配向組分A)及液晶組分B)之液晶介質層 k. 組裝單元，及 l. 用線性偏振光來輻照該單元。較佳地，利用如壓敏黏著劑(PSA)之黏著層直接將一或多個光學膜或多層光學膜層壓至透明基板上。根據本發明之光調變元件的光透射率取決於所施加的電場。在一較佳實施例中，當施加電場時，裝置之光透射率較高，且當不施加電場時，裝置之光透射率在初始狀態中較低。在一較佳實施例中，根據本發明之光調變元件具有邊界狀態A及邊界狀態B。出於本申請案之目的，術語邊界狀態用以意謂其中透射率到達最大值或最小值且不進一步改變或實際上不進一步減小或增大所施加電場的狀態。當不施加電場時，光調變元件較佳地具有透射率T_A 之邊界狀態A (所謂的關閉狀態)。當施加電場時，光調變元件較佳地具有透射率T_B 之另一邊界狀態B (所謂的「開啟狀態」)，由此T_A ＜ T_B 。根據本發明之光調變元件可用如專家通常已知的習知驅動波形操作。所需施加之電場強度主要取決於電極間隙及主體混合物之Δ　。施加的電場強度通常低於大致0.5 V/µm^- ¹ ，較佳地低於大致0.2 V/µm^- ¹ ^，且更佳地低於大致0.1 V/µm^- ¹ 。在一較佳實施例中，施加的驅動電壓在0 V至大致10 V範圍內，更佳地在大致1 V至大致7 V範圍內，且甚至更佳地在大致1.5 V至大致4 V範圍內。本發明之光調變元件可用於各種類型之光學及電光學裝置中。因此，本發明亦關於根據本發明之光調變元件在電光學裝置中之用途。該等光學及電光學裝置包括但不限於電光學顯示器、液晶顯示器(LCD)、非線性光學(NLO)裝置及光學資訊儲存裝置。因此，本發明亦關於一種包含根據本發明之光調變元件的電光學裝置。除非上下文另外明確表明，否則如本文中所使用，本文中之術語的複數形式應視為包括單數形式，且反之亦然。在本申請案中所指示之參數範圍皆包括極限值，其包括如由專家已知的最大容許誤差。所指示之用於各種特性範圍之不同上限值及下限值彼此組合產生額外較佳範圍。除非另外明確說明，否則在整個本申請案中應用以下條件及定義。所有濃度皆以重量%引述且係關於作為整體之各別混合物，所有溫度皆以攝氏度引述且所有溫差皆以不同度數引述。除非另外明確說明，否則根據「默克液晶、液晶之物理特性(Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals)」, Status 1997年11月，德國默克公司，測定所有物理特性，且針對20℃之溫度引述。光學各向異性(Dn)在589.3 nm之波長下測定。介電各向異性(Δε)在1 kHz之頻率下測定或只要在19 GHz之頻率下明確陳述。使用德國默克公司生產之測試單元測定臨限電壓以及所有其他電光學特性。用於測定Δε之測試單元的單元厚度為大致20 µm。電極為具有1.13 cm² 面積及保護環之圓形ITO電極。定向層為來自日本日產化學公司用於垂直定向(e_½½ )之SE-1211及來自日本合成橡膠公司用於均勻定向(e_^ )之聚醯亞胺AL-1054。使用Solatron 1260頻率回應分析器，使用正弦波以0.3 V_rms 之電壓來測定電容。電光學量測中所使用之光為白光。在此處使用來自Autronic-Melchers, Germany之市售DMS儀器之裝備。應瞭解，上文所描述之特徵、尤其是較佳實施例中之許多係自身具有發明性，且不僅僅作為本發明之實施例的一部分。除了目前主張之任何發明以外或替代目前主張之任何發明，可為此等特徵尋求獨立保護。在整個本申請案中，應理解，鍵結至三個鄰接原子的C原子處之鍵的角度(例如在C=C或C=O雙鍵中或例如在苯環中)為120°，且鍵結至兩個鄰接原子的C原子處之鍵的角度(例如在C≡C中或在C≡N參鍵中或在烯丙基位置C=C=C中)為180°，除非此等角度另有限制，例如作為小環，如3原子環、4原子環或5原子環之部分，儘管如此，在一些情況下，在一些結構式中，此等角度未精確地表示。應瞭解，可對本發明之前述實施例作出變化，但其仍在本發明之範疇內。除非另外陳述，否則用於相同、等效或類似目的之替代特徵可替換本說明書中所揭示之每一特徵。因此，除非另外說明，否則所揭示之每一特徵僅為一系列通用等效或相似特徵之一個實例。本說明書中所揭示之所有特徵可以任何組合形式組合，但至少一些此等特徵及/或步驟會互斥之組合除外。特定言之，本發明之較佳特徵適用於本發明之所有態樣，且可以任何組合予以使用。同樣，以非必需組合形式而描述之特徵可分別(不以組合形式)使用。無需進一步詳細描述，咸信熟習此項技術者可使用前述描述最大程度地利用本發明。因此，以下實例應理解為僅為說明性且無論如何不以任何方式限制本發明之剩餘部分。以下縮寫用於說明化合物之液晶相行為：K =結晶；N =向列；N2 =扭轉-彎管向列；S =近晶；Ch =膽固醇；I =各向同性；Tg =玻璃轉變。符號之間的數字指示以℃計之相位轉變溫度。在本申請案中且尤其在以下實例中，液晶化合物之結構由縮寫(其亦稱為「字首語」)表示。根據以下三個表A至C，可直接將縮寫轉換成對應結構。所有基團C_n H_2n ₊ ₁ 、C_m H_2m ₊ ₁ 及C_I H2_I ₊ ₁ 較佳分別為具有n、m及l個C原子之直鏈烷基，所有基團C_n H_2n 、C_m H_2m 及C_I H_2I 較佳分別為(CH₂ )_n 、(CH₂ )_m 及(CH₂ )_I ，且-CH=CH-較佳分別為反E伸乙烯基。表A列出用於環元素之符號，表B列出用於鍵聯基團之符號，且表C列出用於分子之左側及右側端基之符號。表 A ：環元素

表 B ：鍵聯基團

表 C ：端基

其中n及m各自為整數，較佳地在1與20之間，且三個點「...」指示此表中之其他符號的空間。實例組分 A - 光反應性化合物 PR-1

轉變溫度：K 92.6 N 176 IPR-2

轉變溫度：K 52 N 135 I組分 B - LC 主體混合物 如下表所指示製備向列型LC主體混合物N-1。

如下表所指示製備向列型LC主體混合物N-2。

反應性液晶原基混合物： 製備以下可聚合的液晶原基混合物RMM-1：

製備以下可聚合的液晶原基混合物RMM-2：

混合物RMM-2具有添加劑2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1,6-二丙烯酸己二醇酯(OFHDA)。製備以下可聚合的液晶原基混合物RMM-3：

實例 1 ：混合物RMM-1溶解於PGMEA中，從而得到30%溶液RMS-1。在3000 rpm下在30秒內將RMS-1旋塗至玻璃基板之摩擦的PI (AL-1054)側上。所得的層在55℃下在60秒內退火且隨後在N₂ 氛圍下在20℃下在60秒內用50 mW/cm² 之UV (具有Hg發射光譜之Omnicure 250-450 nm)輻照。在Woolam M2000橢偏儀上量測延遲。光學膜在800 nm之標稱厚度下具有118 nm之同軸延遲，從而得到0.15之雙折射率。聚合物膜之引向器平行於PI膜之摩擦方向。藉由將第二玻璃基板及5 μm之間隔珠粒用於Norland 65黏著劑中來組裝測試單元。使用Omnicure燈(250至450 nm)在50 mW/cm² 下在60秒內輻照該單元以使Norland黏著劑固化。量測該單元之厚度且該單元之厚度引起7.4 µm之單元間隙。藉由毛細作用在100℃下用由作為組分A的2.1%之PR-1及作為組分B的97.9%之向列型主體混合物N-1組成的混合物注入單元，且使其靜置3分鐘。接著在UV光之偏振方向與聚合物膜基板之PI摩擦方向成45°角的情況下，使單元在100℃下曝露於偏振的UV光(在365 nm下在60秒內量測的250至450 nm之50 mW/cm² )。在黑色表面上執行該曝露。接著在大致5℃/分鐘下使單元緩慢地冷卻至室溫。藉由檢視交叉偏振器之間的單元來量測LC之配向。當來自曝露之PUV光的偏振方向平行於交叉偏振器的方向中之一者時，觀測到均勻暗態。在其他角度下觀測到均勻亮態。此指示LC與PUV曝光而非聚合物膜之引向器的偏振方向配向。結果清楚地展示在使用此技術及此等參數的情況下，LC介質之配向可能與單元內聚合物膜之配向無關。實例 2 ：混合物RMM-2溶解於PGMEA中，從而得到34.45%溶液RMS-2。藉由在3000 rpm下在30秒內將RMS-2旋塗至玻璃基板之摩擦的PI (AL-1054)側上且隨後在55℃下在60秒內退火來製得四種聚合物膜。使用等效方法使用如上文實例1中給出之RMS-01 (其不含有OFHDA添加劑)來製得四種參考聚合物膜。在N₂ 氛圍下在20℃下在60秒內用50 mW/cm² 之UV (具有Hg發射光譜之250至450 nm Omnicure燈)對所得層進行全部輻照，且在Woolam M2000橢偏儀上量測所得聚合物膜之延遲。用RMS-2製得的聚合物膜展現在830 nm之標稱厚度下95.1至99.5 nm之同軸延遲，從而得到0.11至0.12之雙折射率。用RMS-1製得的聚合物膜展現在830 nm之標稱厚度下132.4至133.5 nm之同軸延遲，從而得到0.160至0.161之雙折射率。在該兩種狀況下，聚合物膜之引向器平行於PI膜之摩擦方向。藉由將第二玻璃基板及5 μm之間隔珠粒用於Norland 65黏著劑中來組裝測試單元。使用Omnicure燈(250至450 nm)在50 mW/cm² 下在60秒內輻照該等單元以使Norland黏著劑固化。在注入之前量測每一單元之單元厚度。單元間隙之範圍為8.3 µm至16.6 µm。藉由毛細作用在100℃下用由作為組分A的1.9%之PR-1及作為組分B的98.1%之向列型主體混合物N-1組成的混合物注入單元，且使其靜置3分鐘。在UV光之偏振方向與聚合物膜基板之PI摩擦方向成45°角的情況下，使單元在100℃下曝露於偏振的UV光(在365 nm下量測的250至450 nm之50 mW/cm² )。針對兩種單元類型使用30秒、40秒、50秒及60秒之四種不同的曝光劑量(存在及不存在OFHDA添加劑)。在黑色表面上執行該曝露。在大致5℃/分鐘下使單元緩慢地冷卻至室溫。藉由檢視交叉偏振器之間的單元來量測每一單元中之LC的配向。當PUV曝露之偏振方向平行於交叉偏振器中之一者時的均勻暗態指示LC與PUV光之偏振方向配向。均勻暗態不指示LC之引向器絞合穿過單元之厚度。在下表中給出關於結果的概述：

聚合物膜中具有OFHDA添加劑之單元對於40 s、50 s及60 s之曝露時間具有LC平行於PUV光之偏振方向的配向,及對於30 s之曝露時間具有絞合的LC配向。聚合物膜中不具有OFHDA添加劑之單元對於60 s之曝露時間具有LC與PUV光之偏振方向的配向，及對於30 s、40 s及50 s之曝露時間具有絞合的LC配向。結果指示RM膜中之OFHDA添加劑係有益的，此係因為就不具有添加劑之60 s最小值降至具有添加劑之40 s所需的全部PUV劑量而言，OFHDA添加劑使用於LC之光誘導配向的處理窗口擴展。實例 3 ：藉由在3000 rpm下在30秒內將RMS-2旋塗至玻璃基板之摩擦的PI (AL-1054)側上且隨後在55℃下在60秒內退火來製得四種膜。使用等效方法使用如上文實例1中給出之RMS-01來製得四種參考膜。在N₂ 氛圍下在20℃下在60秒內用50 mW/cm² 之UV (具有Hg發射光譜之250至450 nm Omnicure燈)對所得層進行全部輻照，且在Woolam M2000橢偏儀上量測所得聚合物膜之延遲。用RMS-2製得的聚合物膜展現在770 nm之標稱厚度下92.1至96.3 nm之同軸延遲，從而得到0.120至0.125之雙折射率。用RMS-1製得的聚合物膜展現在800 nm之標稱厚度下118.5至119.4 nm之同軸延遲，從而得到0.148至0.149之雙折射率。在該兩種狀況下，聚合物膜之引向器平行於PI膜之摩擦方向。藉由將第二玻璃基板及5 μm之間隔珠粒用於Norland 65黏著劑中來組裝測試單元。使用Omnicure燈(250至450 nm)在50 mW/cm² 下在60秒內輻照該等單元以使Norland黏著劑固化。在注入之前量測每一單元之單元厚度。單元間隙之範圍為8.2 µm至12.1 µm。藉由毛細作用在100℃下用由作為組分A的2.0%之PR-1及作為組分B的98.0%之向列型主體混合物N-1組成的混合物注入單元，且使其靜置3分鐘。在UV光之偏振方向與聚合物膜樣品之PI摩擦方向成45°角的情況下，使單元在100℃下在60秒內曝露於偏振的UV光(在365 nm下量測的250至450 nm之50 mW/cm² )。PUV之準直可經調整且用圓錐角量化。圓錐角係光束在由燈頭至單元位置之距離分隔的單元位置處生成的半徑之正切函數的兩倍。針對兩種單元類型使用45.9°、39.4°、33.3°及79.6°之四種不同的PUV圓錐角(存在及不存在OFHDA添加劑)。在黑色表面上執行曝露。在大致5℃/分鐘下使單元緩慢地冷卻至室溫。藉由檢視交叉偏振器之間的單元來量測每一單元中之LC的配向。當PUV光之偏振方向平行於交叉偏振器中之一者時的均勻暗態指示LC與PUV光之偏振方向配向。均勻暗態不指示LC之引向器絞合穿過單元之厚度。在下表中給出關於結果的概述：

聚合物膜中具有OFHDA添加劑之單元對於所有圓錐角具有LC與PUV光之偏振方向的配向。聚合物膜中不具有添加劑之單元對於33.3°之最小圓錐角具有LC與PUV光之偏振方向的配向，但對於較高圓錐角具有絞合配向。結果指示RM膜中之OFHDA添加劑係有益的的，此係因為就PUV準直要求而言，OFHDA添加劑使用於LC之光誘導配向的處理窗口擴展。實例 4 ：混合物RMM-3溶解於7:3比率之甲苯：環己酮中，從而得到33%溶液RMS-3。在6000 rpm下在30秒內將RMS-3旋塗至玻璃基板之摩擦的PI (AL-1054)側上。所得層在68℃下在60秒內退火且隨後在N₂ 氛圍下在20℃下在60秒內用80 mW/cm² 之UV (Dela 365 nm窄頻帶LED燈)輻照。在Woolam M2000橢偏儀上量測延遲。光學膜具有在1,040 nm之標稱厚度下130 nm之同軸延遲，從而得到0.12之雙折射率。聚合物膜之引向器平行於PI膜之摩擦方向。色散度(用波長為450 nm及550 nm之光量測的比同軸延遲)為1.035。當色散度接近於1時，膜可視為扁平的。製備以下各向同性聚合物混合物IPM-1：

在3,000 RPM下在30 s內將IPM-1旋塗於獲自RMM-3之光學膜的頂部上，且在N₂ 氛圍下在20℃下在60秒內用50 mW/cm² 之UV (具有Hg發射光譜之Omnicure 250至450 nm)輻照。為了防止IPM-1自RMM-3膜脫濕，在10分鐘內將其曝露於UV臭氧。各向同性層之標稱厚度為100 nm。藉由將第二玻璃基板及5 μm之間隔珠粒用於Norland 65黏著劑中來組裝測試單元。使用Omnicure燈(250至450 nm)在50 mW/cm² 下在60秒內輻照該單元以使Norland黏著劑固化。量測該單元之厚度且該單元之厚度引起13.8 µm之單元間隙。藉由毛細作用在100℃下用由作為組分A的1.0%之PR-2及作為組分B的99.0%之向列型主體混合物N-2組成的混合物注入單元，且使其靜置3分鐘。接著在UV光之偏振方向與聚合物膜基板之PI摩擦方向成45°角的情況下，使單元在100℃下曝露於偏振的UV光(在365 nm下在60秒內量測的250至450 nm之50 mW/cm² )。在黑色表面上執行該曝露。接著在大致5℃/分鐘下使單元緩慢地冷卻至室溫。藉由檢視交叉偏振器之間的單元來量測LC之配向。當來自曝露之PUV光的偏振方向平行於交叉偏振器的方向中之一者時，觀測到均勻暗態。在其他角度下觀測到均勻亮態。此指示LC與PUV曝光而非聚合物膜之引向器的偏振方向配向。結果清楚地展示在使用此技術及此等參數的情況下，LC介質之配向可能與單元內聚合物膜之配向無關。

Claims

一種光調變元件，其包含：一對基板；位於該等基板中之一者之內側上的一或多個光學膜；能夠誘發實質上平行於該等基板之主平面之電場的電極結構；以及可獲自光配向組分A)及液晶組分B)之均勻配向的液晶介質，其中該一或多個光學膜獲自可聚合的LC材料。
如請求項1之光調變元件，其中該一或多個光學膜可獲自包含一或多種雙反應性或多反應性可聚合的液晶原基化合物及視情況一或多種單反應性可聚合的液晶原基化合物的可聚合的LC材料。
如請求項1之光調變元件，其中該一或多個光學膜可獲自包含一或多種雙反應性或多反應性液晶原基化合物的可聚合的LC材料，該等液晶原基化合物選自式DRM P¹-Sp¹-MG-Sp²-P² DRM其中P¹及P² 彼此獨立地表示可聚合基團，Sp¹及Sp² 彼此獨立地為間隔基團或單鍵，且MG 為液晶原基團，其選自式MG -(A¹-Z¹)_n-A²- MG其中A¹及A² 在多次出現之情況下彼此獨立地表示芳族基或脂環族基，其視情況含有一或多個選自N、O及S之雜原子，且視情況經L¹單取代或多取代，L¹ 在多次出現之情況下彼此獨立地表示P¹-Sp¹-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR⁰⁰R⁰⁰⁰、-C(=O)OR⁰⁰、-C(=O)R⁰⁰、-NR⁰⁰R⁰⁰⁰、-OH、-SF₅；視情況經取代之具有1至12個C原子之矽烷基、芳基或雜芳基；及具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子視情況經F或Cl置換，Z¹ 在多次出現之情況下彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR⁰⁰-、-NR⁰⁰-CO-、-NR⁰⁰-CO-NR⁰⁰⁰、-NR⁰⁰-CO-O-、-O-CO-NR⁰⁰-、-OCH₂-、-CH₂O-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂S-、-SCF₂-、-CH₂CH₂-、-(CH₂)_n1、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰⁰-、-CY¹=CY²-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，R⁰⁰及R⁰⁰⁰ 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，Y¹及Y² 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN，n 為1、2、3或4，n1 為1至10之整數。
如請求項1之光調變元件，其中該一或多個光學膜可獲自包含一或多種多反應性或雙反應性液晶原基化合物、視情況一或多種單反應性液晶原基化合物及一或多種式DRI之可聚合的各向同性化合物之可聚合的LC材料， P¹-Sp¹-(CF₂)_n-Sp²-P² DRI其中參數P¹、P²、Sp¹及Sp²各自且獨立地具有如上文在請求項3中給出之含義中之一者，且n表示2至12之整數。
如請求項1之光調變元件，其包含一或多個選自A板、C板、O板、雙軸膜及/或膽固醇型膜之光學膜。
如請求項1之光調變元件，其中該一或多個光學膜展現正波長色散。
如請求項1之光調變元件，其中該一或多個光學膜展現負或平波長色散。
如請求項1之光調變元件，其另外包含在該光學膜之頂部上的各向同性層。
如請求項1至8中任一項之光調變元件，其中該光配向組分A)包含一或多種式I之光反應性液晶原基化合物，
其中A¹¹ 表示芳基或雜芳基，其可經一或多個自由基L取代，A¹²、A¹³各自彼此獨立地表示芳基或雜芳基，其可經一或多個自由基L取代，或表示具有3至10個C原子之環烷基，其中1至4個非鄰接CH₂基團可經O置換且其中一或多個H原子可經基團L置換， L 在每次出現時，相同或不同地表示OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、SF₅、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^z)₂、-C(=O)R^z、-N(R^z)₂、視情況經取代之矽烷基、視情況經取代之具有6至20個C原子之芳基，或具有至多15個C原子之直鏈或分支鏈烷基或烯基，其中一或多個非鄰接CH₂-基團可經-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-O-C(O)-、O-C(O)-O-置換，其中另外，一或多個H原子可經F或Cl置換，Z¹¹ 在每次出現時，相同或不同地表示-CH₂CH₂-、CF₂CF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂、-C(O)O-、-OC(O)-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、或單鍵，R¹¹及R¹²相同或不同地表示基團P-Sp-，或鹵素、CN、視情況經氟化之具有至多15個C原子之烷基或烯基，其中一或多個非鄰接CH₂-基團可經-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-O-C(O)-、O-C(O)-O-置換，由此R¹¹及R¹²中之至少一者表示基團P-Sp-，R^z 各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，P 可聚合基團，Sp 間隔基團或單鍵，a 為0或1。
如請求項1至8中任一項之光調變元件，其中該液晶介質展現介電負各向異性。
如請求項1至8中任一項之光調變元件，其中該液晶介質展現介電正各向異性。
一種用於生產如請求項1至11中任一項之光調變元件的方法，其包含以下步驟a.在該等基板中之至少一者上提供電極結構，該電極結構能夠允許施加電場，該電場實質上平行於該等基板或該液晶層，b.視情況在另一基板上或在該電極結構上提供配向層，c.在該配向層或基板或電極結構之頂部上提供可聚合的LC材料層，d.用光化輻射來輻照層堆疊，f.在該層堆疊上提供至少包含光配向組分A)及液晶組分B)之液晶介質層，e.組裝單元，及g.用線性偏振光來輻照該單元。
一種用於生產如請求項1至11中任一項之光調變元件的方法，其包含以下步驟h.在該等基板中之至少一者上提供電極結構，該電極結構能夠允許施加電場，該電場實質上平行於該等基板或該液晶層，i.在該基板上或在該電極結構上層壓一或多個光學膜，j.在該等基板中之一者或層堆疊上提供至少包含光配向組分A)及液晶組分B)之液晶介質層，k.組裝單元，及l.用線性偏振光來輻照該單元。
一種如請求項1至11中任一項之光調變元件在電光學裝置中的用途。
一種電光學裝置，其包含如請求項1至11中任一項之光調變元件。