TWI774691B - 用於判定基板表面剖面的方法、裝置及系統 - Google Patents
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Abstract
提供了用於判定基板表面剖面的系統、裝置及方法。在一個實施例中,一種方法包括以下步驟:從沿著該基板的一第一側的複數個位置跨該基板的該表面投射具有一垂直分量/剖面的一訊號;在該基板的該表面對面的複數個各別位置中的各個位置處捕捉該等經投射訊號;及使用該等捕捉到的訊號來判定該基板的一表面剖面。該程序可使用一控制器來自動化,該控制器具有沿著基板的各別側的預定的投射及捕捉位置,其中可藉由控制器使用捕捉到的訊號來自動判定基板的表面剖面。
Description
本揭示案的實施例大致關於用於處理基板的系統、裝置及方法,且具體而言是關於用於判定基板的表面剖面的系統、裝置及方法。
翹曲的基板是個防止基板被完全夾在製程腔室托架上的問題。此類翹曲導致基板處理的延遲或停止。
例如,環氧樹脂模製化合物用來在基板封裝時包封模具。這些化合物由於不均勻的加熱及冷欲在熱製程之後彎曲及翹曲,而造成了目前的製程設備中的不均勻的膨脹/收縮速率。傳統的熱製程利用透過輻射、對流或傳導的熱製程進行的指向性傳熱。指向性造成了各向異性的膨脹及收縮速率。在接近熱塑的狀態而運作時,不均勻的冷卻及隨後的收縮速率造成了翹曲的基板。此類翹曲及彎曲效應常常被觀察到,且暗示著基板是靠近基板的熱塑狀態而被處理的,而造成了可接受位準之外的基板翹曲。
能夠在任何製程之前、期間或之後偵測及量測翹曲會產生生產的產量及產率的益處。
本文中提供了用於判定基板的表面剖面以例如判定基板翹曲的基板量測系統、裝置及方法的實施例。在依據本原理的各種實施例中,一種用於判定一基板的一表面剖面的方法包括以下步驟:從沿著該基板的一邊緣的複數個位置跨該基板的該表面投射具有一垂直分量/剖面的一訊號;在該基板的該表面對面的複數個各別位置中的各個位置處捕捉該等經投射訊號;及使用該等捕捉到的訊號來判定該基板的一表面剖面。
在依據本原理的另一實施例中,一種用於判定一基板的一表面剖面的裝置包括: 一第一感測器對偶,包括:一第一傳送器,用於從沿著該基板的一邊緣的複數個位置跨該基板的一表面投射具有一垂直分量/剖面的一訊號;及一第一接收器,用於在該基板的該表面對面的複數個各別位置中的各個位置處捕捉來自該第一傳送器的該等經投射訊號。該裝置更包括:一第一軌道組件,用於跨該基板的該表面的至少一部分移動該第一感測器對偶;一第一編碼器,用於判定與該第一軌道組件相關聯的位置資訊;及一基板支架,用於固持該基板。在各種實施例中,該第一接收器向一控制器傳遞與來自該第一傳送器的該等捕捉到的訊號相關聯的資訊,且該第一編碼器向該控制器傳遞要由該控制器使用的該第一軌道組件的該經判定的位置資訊,以使用與該等捕捉到的訊號相關聯的該資訊及該位置資訊來判定該基板的一表面剖面。
在依據本原理的某些實施例中,上述裝置更包括:一第二感測器對偶,包括:一第二傳送器,用於從沿著該基板的一邊緣的複數個位置與從該第一傳送器所投射的該訊號垂直地跨該基板的一表面投射具有一垂直分量/剖面的一訊號;及一第二接收器,用於在該基板的該表面對面的複數個各別位置中的各個位置處捕捉來自該第二傳送器的該等經投射訊號。該裝置可更包括:一第二軌道組件,用於跨該基板的該表面的至少一部分移動該第二感測器對偶;及一第二編碼器,用於判定與該第二軌道組件相關聯的位置資訊。在此類實施例中,該第二接收器向該控制器傳遞與來自該第二傳送器的該等捕捉到的訊號相關聯的資訊,且該第二編碼器向該控制器傳遞要由該控制器使用的該第二軌道組件的該經判定的位置資訊,以使用與該等捕捉到的訊號相關聯的該資訊及該位置資訊來判定該基板的一表面剖面。
本揭示案的其他及進一步的實施例描述於下文中。
本文中提供了用於判定基板的表面剖面以例如判定基板翹曲的系統、裝置及方法。具發明性的系統、裝置及方法有利地促進了翹曲基板的偵測及量測。儘管將針對具有特定配置的特定感測器來描述本原理的實施例,可在不脫離本原理的範圍的情況下使用其他類型的感測器及感測器配置。此外,儘管在本文中所呈現的實施例中,感測器傳送單元及接收單元被描繪為具有裝置上的特定位置,傳送單元及接收單元的位置是可互換的。
圖1描繪了用於依據本原理的一實施例來判定基板的表面剖面的系統100的高階方塊圖。圖1的系統100說明性地包括了基板量測裝置102及控制器104。在本原理的一個實施例中,要量測的基板放置在基板量測裝置102中,且由基板量測裝置102的至少一個感測器組件(參照圖2)所獲取的量測結果被傳遞到控制器104以供進行處理。
圖2描繪了基板量測裝置102的高階方塊圖,該基板量測裝置102用於判定基板的表面剖面且適於依據本原理的實施例用在圖1的系統100中。圖2的基板量測裝置102說明性地包括了基座110、軌道組件112、感測器支架組件114、包括傳送單元116及接收單元118的感測器組件(例如感測器對偶)、包括基板支架基座122及基板支架124的基板支架組件120、及編碼器140。圖2的基板量測裝置102更描繪了可選的導件130,將在下文中更詳細地描述該導件。
在圖2的基板量測裝置102的實施例中,傳送單元116安裝在感測器支架組件114的一端上,而接收單元118安裝在感測器支架組件114的另一端上。感測器支架組件114被配置為使得傳送單元116在被安裝在感測器支架組件114上時可定位在基板支架124的一側上且因此定位在要測試的基板的一側上,且使得接收單元118在被安裝在感測器支架組件114上時可定位在基板支架124及要測試的基板的另一側上。在某些實施例中,接收單元118定位在傳送單元116正對面在基板支架124及要測試的基板的相對側上。
將傳送單元116及接收單元118安裝到感測器支架組件114上及將感測器支架組件114定位在基板量測裝置102中使得從傳送單元116朝向接收單元118所傳遞的訊號的至少一部分與要測試的基板的表面接觸。此外,傳送單元116及接收單元118定位在感測器支架組件114上,使得從傳送單元116所傳遞的訊號指向接收單元118以被接收單元118捕捉。
儘管在圖2的實施例中,感測器支架組件114包括了「U」形組件,在依據本原理的其他實施例中,感測器支架組件114實質上可包括允許傳送單元116在被安裝在感測器支架組件114上時定位在要測試的基板的一側上且接收單元118在被安裝在感測器支架組件114上時定位在要測試的基板的另一側上的任何形狀,使得在感測器支架組件114及經安裝的傳送單元116及接收單元118跨基板支架124及要測試的基板移動時,感測器支架組件114及經安裝的傳送單元116及接收單元118並不與基板支架124及要測試的基板接觸且不干擾如本文中所述的基板的測試操作。
在圖2的實施例中,感測器支架組件114被安裝在軌道組件112上,使得感測器支架組件114(具有安裝在該感測器支架組件上的感測器組件)可跨基板支架124及要測試的基板的至少一部分平移。如圖2的實施例中所描繪的,軌道組件112允許感測器支架組件114以及經安裝的傳送單元116及接收單元118跨基板支架124的至少一部分(若不是整個基板支架的話)而移動,該基板支架安裝在基板支架基座122上。
在圖2的實施例中,編碼器140安裝在軌道組件112上。編碼器140可用來判定軌道組件112的位置資訊,如下文將更詳細描述的。
儘管在圖2的實施例中,軌道組件112被描繪為是定位在基板量測裝置102的右側上,在依據本原理的其他實施例中,軌道組件112實質上可定位在基板量測裝置102的基座110允許軌道組件112在不干擾要採取的量測操作的情況下跨要測試的基板的至少一部分移動/平移感測器支架組件114(具有安裝在該感測器支架組件上的感測器組件)的任何位置中。此外,儘管在圖2的實施例中,基板支架124及基板支架基座122被描繪為單獨的元件,在依據本原理的其他實施例中,基板支架及基板支架基座可包括單一單元。
在圖2的基板量測裝置102的實施例中,軌道組件112、基板支架基座122及可選的導件130被說明性地安裝到基座110。在圖2的實施例中,導件130被實施為協助跨基板支架124移動感測器支架組件114(具有安裝在該感測器支架組件上的感測器組件)。導件130可用來在感測器支架組件114正在跨基板支架124移動時相對於基板支架124且因此相對於要測試的基板維持感測器支架組件114的位置且因此維持感測器組件的位置。例如,在一個實施例中,導件130可用來協助維持感測器支架組件114及基板支架124之間的水平條件,且因此維持了感測器組件及該基板支架之間的水平條件。
在依據本原理的某些實施例中,軌道組件112可包括線性致動器,編碼器140可包括線性編碼器,而感測器組件可包括雷射測微計。在替代實施例中,軌道組件112可包括Robo Cylinder®,而感測器組件可包括一感測器,該感測器能夠投射至少具有垂直分量/剖面的光或聲音及接收經投射的光或聲音的一部分,使得可例如基於由接收器所接收及/或被受測的基板的表面阻擋(未被接收器接收)的光或聲音的一部分來作出關於要測試的基板的表面剖面的判定。
圖3描繪控制器104的高階方塊圖,該控制器適合依據本原理的一實施例用在圖1的系統100中。圖3的控制器104說明性地包括處理器310以及用於儲存控制程式、緩存池、人機介面(HMI)程式、圖形使用者介面(GUI)程式等等的記憶體320。處理器310與支援電路系統330(例如電源、時脈電路、快取記憶體等等)以及協助執行儲存在記憶體320中的軟體常式/程式的電路合作。如此,本文中論述為軟體程序的某些程序步驟可被實施在硬體內,例如實施為與處理器310合作執行各種步驟的電路系統。控制器104亦包含輸入-輸出電路系統340,該輸入-輸出電路系統形成與控制器104通訊的各種功能構件之間的介面。如圖3的實施例中所描繪的,控制器104可更包括顯示器350。
儘管圖3的控制器104被描繪為一般用途電腦,控制器104被編程為依據本原理來執行各種特殊的控制功能,且實施例可被實施在硬體中,例如實施為特定應用積體電路(ASIC)。如此,本文中所述的程序步驟要被廣泛地解譯為被軟體、硬體或其組合等效地執行。
在一個操作實施例中,基板被安裝在基板支架124上。軌道組件112接著用來跨基板的表面移動感測器支架組件114(具有該感測器支架組件上的感測器組件)。在移動期間,傳送單元116跨基板的表面向接收單元118投射具有垂直分量/剖面的訊號(例如雷射射束)(例如雷射光柱)。例如,軌道組件112沿著受測的基板的一側將傳送單元116定位在各種位置處,使得傳送單元116能夠跨基板表面沿著基板的一側的邊緣從各種位置向基板的另一側上的各種各別位置投射訊號(例如垂直光柱)。
接收單元118捕捉經投射的訊號(例如垂直光柱)且偵測來自傳送單元116的訊號中的任何擾動或遮斷。例如,在感測器組件包括數位測微計的實施例中,傳送單元116跨基板表面將具有垂直分量/剖面的雷射射束指向接收單元118。若基板是翹曲的,則翹曲基板的凸起部分將阻擋由接收單元118所捕捉的雷射射束的一部分。關於由接收單元118所捕捉的其餘雷射訊號或被受測的基板的表面阻擋的雷射訊號的資訊可用來產生基板表面的剖面。
例如,在各種實施例中,從傳送單元116所投射的訊號的尺寸是已知的。在來自傳送單元116的訊號跨基板表面而移動時,基板表面上的凸起部分在訊號平移跨越基板表面時阻擋了訊號的一部分。如此,在接收單元118移動跨越基板表面時由接收單元118所捕捉的各別訊號將遺漏訊號的某些部分。例如關於遺漏訊號部分的高度的資訊可用來針對基板表面上的一位置判定基板表面中的凸起高度,訊號在被接收單元118捕捉之前在該位置上方前行。
在依據本原理的一個實施例中,感測器組件具有內部對準系統,該內部對準系統在傳送單元116及接收單元118正確對準時產生小的光學訊號。在各種實施例中,傳送單元116可被對準為使得來自傳送單元116的訊號(例如垂直光柱)的底部剛好觸碰基板支架124的頂面。在某些其他的實施例中,傳送單元116可被對準為使得來自傳送單元116的訊號的底部剛好觸碰要測試的基板的頂面上的最低點。
在依據本原理的一個操作實施例中,感測器組件(例如數位測微計)移動了等於基板支架124上的整個基板表面的距離,且量測結果在行程長度期間基於取樣速率而被感測器組件收集。收集到的量測結果用來產生如從側面所見的基板表面的剖面(如上所述),而產生了至少在獲取感測器量測結果的基板位置處的基板表面的形狀表示。在此類量測期間,編碼器140例如向控制器104提供感測器支架組件114的位置資訊(且因此提供感測器組件的位置資訊)。至少針對基板表面上獲取量測結果的位置,此類位置資訊可包括感測器組件相對於受測的基板的表面上的位置的位置。用於接收單元118的量測資訊及來自編碼器的位置資訊可與一時間及相對於基板表面的位置相關聯,感測器組件在該時間期間被觸發獲取量測結果。此類量測資訊及位置資訊可由控制器104用來針對受測的基板判定表面剖面。控制器104可提供資料管理,例如資料的視覺顯示,以供偵測趨向、圖案、記號等等。資料可接著被收集、分析及例如用來設計翹曲基板的補正的或預防的措施。
在依據本原理的各種實施例中,控制器104被實施為透過軌道組件112(例如線性致動器)來控制感測器支架組件114的移動及藉由感測器組件(例如雷射測微計)觸發量測。例如,在一個操作實施例中,控制器104向軌道組件112傳遞訊號以使得軌道組件112以預定的增量移動。控制器104可接著向感測器組件傳遞訊號以使用傳感器116來跨基板表面投射訊號及使用接收單元118來捕捉經投射的訊號。
例如,在一個實施例中,控制器104向軌道組件112傳遞訊號以使得軌道組件以10mm的增量移動,然而可使用其他的增量。在各種實施例中,軌道組件112上的編碼器140向控制器104傳遞反饋訊號以向控制器104通知軌道組件112的位置。在軌道組件112到達所要的位置時,控制器104向感測器組件傳遞訊號以使得感測器組件捕捉所要的位置處的量測結果。感測器組件向控制器104傳遞表示量測結果的訊號。控制器104可儲存要用來判定基板表面的剖面的接收到的訊號及/或在顯示器350上呈現與量測結果相關聯的訊號的表示。
圖4描繪依據本原理的一實施例的在扁平基板上的基板量測裝置的感測器組件的繪製後的量測結果的圖形表示。圖5描繪依據本原理的一實施例的在翹曲基板上的基板量測裝置的感測器組件的繪製後的量測結果的圖形表示。如圖4中所描繪的,編譯後的量測結果針對受測的基板指示扁平的剖面。在圖4的實施例中,跨具有300mm的直徑的基板以10mm的增量如上所述地獲取感測器組件量測結果。繪製後的感測器量測結果產生了跨圖4的整個受測基板表面具有770µm的高度的基準剖面。
使用依據本原理的相同的量測裝置來量測翹曲的基板。在圖5的實施例中,跨具有300mm的直徑的翹曲基板以10mm的增量再次獲取感測器量測結果。如圖5中所描繪,繪製後的感測器量測結果描繪了翹曲基板的高度上的明顯的下傾。在圖5中,初始的感測器量測結果指示了大約1050µm的基板高度而最後的感測器量測結果指示了大約770µm的基板高度,其中在第一及最後的量測點之間中的感測器量測結果指示了這兩個點之間的基板的高度上的穩定下傾。
圖4及圖5的繪製後的量測結果可使用要向使用者呈現的HMI或圖形使用者介面來呈現在例如控制器104的顯示器350上。
在使用依據本原理由感測器組件所收集的資料的情況下,可作出關於基板表面是否是翹曲的或扁平的以及基板表面翹曲或扁平的程度的判定。此類資訊可用來將受測基板的量測結果與基板表面扁平度的容差進行比較,以例如判定基板是否可被接受用於處理。若基於容差判定的是,基板不適於處理,則可發送基板以經受補正措施或可從處理例程消去。
圖6描繪用於依據本原理的一實施例來判定基板的表面剖面以例如判定翹曲的方法600的流程圖。方法600於602處開始,在602期間,沿著基板的第一側從複數個位置跨基板的頂面投射具有垂直分量/剖面的訊號。例如且如上所述,傳送單元可沿著基板的第一側及跨基板表面從不同的位置朝向接收單元投射具有垂直分量/剖面(例如垂直雷射柱,或光或聲音的任何其他垂直分量)的訊號。方法可繼續進行到604。
在604處,經投射的訊號在基板的第二側上跨基板表面而定位的複數個各別位置中的各者處被捕捉。例如且如上所述,被對準為從傳送器接收訊號的接收單元在訊號平移跨越基板表面之後捕捉訊號。方法可繼續進行到606。
在606處,使用捕捉到的訊號來判定基板的表面剖面。例如且如上所述,在各個各別的位置處由接收單元所捕捉的訊號包括了光柱未被基板表面中的任何凸起阻擋的一部分。此類資訊例如被控制器用來判定基板的表面剖面。亦即,編碼器向控制器傳遞感測器組件相對於基板表面的位置的位置資訊,而接收單元向控制器傳遞訊號資訊。擁有了此類資訊,控制器能夠判定基板表面的表示。方法600可接著退出。
在依據本原理的某些實施例中,控制器104包括HMI或圖形使用者介面,該HMI或圖形使用者介面呈現在顯示器(例如顯示器350)上,使得使用者能夠輸入測試參數且在所包括的顯示器上檢視剖面結果。例如,在一個實施例中,使用者能夠使用控制器104的輸入設備(例如鍵盤或觸控螢幕)來輸入步進增量或關於受測的基板上使用者想要獲取感測器量測結果之處的位置資訊。使用者亦能夠輸入如上所述地運行測試的必要資訊且使控制器自動執行測試程序。使用者亦可指示的是,要連續運行測試且使軌道組件112在感測器組件獲取連續的量測結果時連續運轉。由接收單元所捕捉的訊號結果被傳遞到控制器104,而來自編碼器的位置資訊被傳遞到控制器,以供在判定受測的基板的表面剖面時由控制器使用。此類資訊可用來判定基板表面是否翹曲,且若是,則判定翹曲量。
在依據本原理的各種實施例中,控制器104藉由相對於接收到的位置資訊記錄接收到的量測結果,以將基板表面的高度量測結果與基板表面上獲取高度量測結果的位置相關聯,來判定基板的表面剖面。如上所述,此類資訊可被繪製在圖表上例如作為量測高度對上基板表面上獲取量測結果的位置,且呈現在顯示器上作為受測基板的表面剖面。此類資訊亦可被儲存在控制器104的記憶體中。
在依據本原理的各種實施例中,基板量測裝置102可被合併到現存的製程腔室中。例如,在一個實施例中,軌道組件112、編碼器140、包括傳送單元116及接收單元118的感測器支架組件114可被安裝到現存的製程腔室中。如此,要測試的基板可被放置在製程腔室及包括傳送單元116及接收單元118的感測器支架組件114的支撐托架上,軌道組件112及編碼器140可如本文中所述地實施為判定現存製程腔室中的基板的表面剖面以例如判定基板是否是翹曲的。在其他實施例中,基板量測裝置102(或至少其部分)可被暫時定位(例如作為子組件)在現存的製程腔室中以如上所述地判定現存製程腔室中的基板的表面剖面。
在依據本原理的各種實施例中,基板量測裝置包括第二軌道組件、第二編碼器、第二感測器支架組件及第二感測器組件。例如,圖7描繪了圖2的基板量測裝置的高階方塊圖,該方塊圖包括第二軌道組件712、安裝在第二軌道組件712上的第二編碼器(未圖示)、第二感測器支架組件714及包括第二傳送單元716及第二接收單元718的第二感測器組件。在圖7的實施例中,第二軌道組件712、第二編碼器(未圖示)、第二感測器支架組件714及包括第二傳送單元716及第二接收單元718的第二感測器組件被實施為投射及捕捉與針對圖2的基板量測裝置102所述的經投射及捕捉的訊號垂直的方向上的訊號。如此,在圖7的實施例中,基板量測裝置能夠獲取基板表面上的單點的量測結果,該單點由來自第一傳送單元116及第二傳送單元716的訊號在基板表面上交叉的位置所界定。在此類實施例中,第一感測器支架組件114及第二感測器支架組件714可獨立移動且在不同時間移動或在其他實施例中可一齊移動,該第一感測器支架組件具有安裝在該第一感測器支架組件上的第一感測器組件,該第二感測器支架組件具有安裝在該第二感測器支架組件上的第二感測器組件。
儘管上文是針對本揭示案的實施例,可設計本揭示案的其他及進一步的實施例而不脫離本揭示案的基本範圍。
100‧‧‧系統102‧‧‧裝置104‧‧‧控制器110‧‧‧基座112‧‧‧軌道組件114‧‧‧感測器支架組件116‧‧‧傳送單元118‧‧‧接收單元120‧‧‧支架組件122‧‧‧基板支架基座124‧‧‧基板支架130‧‧‧可選的導件140‧‧‧編碼器310‧‧‧處理器320‧‧‧記憶體330‧‧‧支援電路系統340‧‧‧輸入-輸出電路系統350‧‧‧顯示器600‧‧‧方法602‧‧‧步驟604‧‧‧步驟606‧‧‧步驟712‧‧‧軌道組件714‧‧‧軌道組件716‧‧‧傳送單元718‧‧‧接收單元
可藉由參照描繪於附隨圖示中的本揭示案的說明性實施例來瞭解本揭示案的實施例(於上所簡要概述且於以下更詳細論述的實施例)。然而,隨附的繪圖僅繪示本揭示案的一般實施例且因此不要被視為範圍的限制,因為本揭示案可接納其他同等有效的實施例。
圖1描繪用於依據本原理的一實施例來判定基板表面剖面的系統的高階方塊圖。
圖2描繪基板量測裝置的高階方塊圖,該基板量測裝置適用於圖1的系統中以供依據本原理的一實施例來判定基板表面剖面。
圖3描繪控制器的高階方塊圖,該控制器適合依據本原理的一實施例用在圖1的系統中。
圖4描繪依據本原理的一實施例的扁平基板上的基板量測裝置的感測器組件的經繪製的量測結果的圖形表示。
圖5描繪依據本原理的一實施例的翹曲基板上的基板量測裝置的感測器組件的經繪製的量測結果的圖形表示。
圖6描繪用於依據本原理的一實施例來判定基板表面剖面的方法的流程圖。
圖7描繪用於依據本原理的另一實施例來判定基板表面剖面的基板量測裝置的高階方塊圖。
為了促進瞭解,已使用了相同的參考標號(若可能的話)來指定普遍用於該等圖式的相同構件。該等圖式並不是按比例繪製的且可為了明確起見而簡化該等圖式。可在不進一步重述的情況下有益地將一個實施例的構件及特徵併入其他實施例。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
102:裝置
110:基座
112:軌道組件
114:感測器支架組件
116:傳送單元
118:接收單元
120:支架組件
122:基板支架基座
124:基板支架
130:可選的導件
140:編碼器
Claims (20)
- 一種用於判定一基板的一表面剖面的方法,包括以下步驟:使用一第一傳送器從沿著該基板的一第一側的一第一位置跨該基板的一頂面投射具有一垂直剖面的一訊號;使用一第一接受器在沿著定位在該基板的該表面的對面的該基板的一第二側的一相應位置處捕捉來自該第一位置的該經投射的訊號;沿著與該基板的該頂面基本上平行的一方向將該第一傳送器線性移動到沿著該基板的該第一側的至少一第二位置;將該訊號投射到該基板的該頂面的該至少一第二位置的對面;沿著與該第一傳送器相同的該方向將該第一接收器線性移動,並且使用該第一接收器在沿著定位在該基板的該表面的對面的該基板的該第二側的相應位置處捕捉來自該至少一第二位置的該經投射的訊號;及使用該等捕捉到的訊號來判定該基板的一表面剖面。
- 如請求項1所述的方法,其中該經投射的訊號包括一雷射射束,該雷射射束包括一垂直雷射柱。
- 如請求項1所述的方法,包括以下步驟:在沿著該基板的該第二側的一位置處捕捉該等經投射訊號中的一相應一個訊號,該位置定位在沿著該基板的該第一側的一位置的正對面,一相應訊號是從該基板的該第一側的該位置投射的。
- 如請求項1所述的方法,包括以下步驟:藉由估算該捕捉步驟的每一位置處的該經投射訊號中的一遮斷來判定該基板的一表面剖面。
- 如請求項4所述的方法,包括以下步驟:藉由估算該經投射訊號中的該遮斷的一高度,來判定該捕捉步驟的該位置處的該基板的該表面的一高度。
- 如請求項1所述的方法,包括以下步驟:預先判定用於捕捉該等經投射訊號的位置;及跨該基板的該表面的至少一部分自動執行該投射及捕捉步驟。
- 如請求項6所述的方法,包括以下步驟:由一使用者使用一控制器上的一人機介面判定該等投射位置;及使用該控制器來控制用於該投射及捕捉步驟的一感測器定位。
- 如請求項7所述的方法,包括以下步驟: 向該控制器傳遞捕捉到的訊號以判定該基板的一表面剖面。
- 如請求項8所述的方法,包括以下步驟:在一顯示器上繪製該等捕捉到的訊號的表示以呈現該基板的該表面剖面的一表示。
- 一種用於判定一基板的一表面剖面的裝置,包括以下步驟:一第一感測器對偶,包括:一第一傳送器,用以從沿著該基板的一第一側的複數個位置跨該基板的一頂面投射具有一垂直剖面的一訊號;及一第一接收器,用以在沿著定位在該基板的該表面的對面的該基板的一第二側的複數個相應位置中的每一位置處捕捉該經投射的訊號;一第一軌道組件,用以跨該基板的該表面的至少一部分將該第一感測器對偶移動到沿著該基板的該第一側的該等複數個位置,並同時移動到沿著該基板的該第二側的該等複數個相應位置中的每一相應位置,該第二側定位在該基板的該表面的對面;一第一編碼器,用以判定與該第一感測器對偶相關聯的位置資訊;及一基板支架,用以支撐該基板; 其中該第一接收器向一控制器傳遞與來自該第一傳送器的該等捕捉到的訊號相關聯的資訊,且該第一編碼器向該控制器傳遞要由該控制器使用的該第一感測器對偶的該經判定的位置資訊,以使用與該等捕捉到的訊號相關聯的該資訊及該位置資訊來判定該基板的一表面剖面。
- 如請求項10所述的裝置,包括:一第二感測器對偶,包括:一第二傳送器,用以從沿著該基板的一第三側的複數個位置與從該第一傳送器所投射的該訊號垂直地跨該基板的一頂面投射具有一垂直剖面的一訊號;一第二接收器,用以在沿著定位在該基板的該表面的對面的該基板的一第四側的複數個相應位置中的每一位置處捕捉該經投射的訊號;一第二軌道組件,用以跨該基板的該表面的至少一部分移動該第二感測器對偶;及一第二編碼器,用以判定與該第二感測器對偶相關聯的位置資訊;其中該第二接收器向該控制器傳遞與來自該第二傳送器的該等捕捉到的訊號相關聯的資訊,且該第二編碼器向該控制器傳遞要由該控制器使用的該第二感測 器對偶的該經判定的位置資訊,以使用與該等捕捉到的訊號相關聯的該資訊及該位置資訊來判定該基板的一表面剖面。
- 如請求項11所述的裝置,包括一第二感測器支架組件,該第二感測器支架組件用以沿著該基板的該第三側支撐及定位該第二傳送器以及沿著該基板的該第四側支撐及定位該第二接收器,該第二感測器支架組件安裝在該第二軌道組件上。
- 如請求項12所述的裝置,包括一第二導件,該第二導件用以引導該第二感測器支架組件的一末端。
- 如請求項11所述的裝置,其中該第二感測器對偶包括一雷射測微計。
- 如請求項10所述的裝置,包括一第一感測器支架組件,該第一感測器支架組件用以沿著該基板的該第一側支撐及定位該第一傳送器以及沿著該基板的該第二側支撐及定位該第一接收器,該第一感測器支架組件安裝在該第一軌道組件上。
- 如請求項15所述的裝置,包括一第一導件,該第一導件用以引導該第一感測器支架組件的一末端。
- 如請求項10所述的裝置,其中該第一感測器對偶包括一雷射測微計。
- 一種用於判定一基板的一表面剖面的系統,包括:一基板量測裝置,包括:一第一感測器對偶,包括一第一傳送器及一第一接收器,該第一傳送器用以從沿著該基板的一第一側的複數個位置跨該基板的一頂面投射具有一垂直剖面的一訊號,該第一接收器用以在沿著定位在該基板的該表面的對面的該基板的一第二側的複數個相應位置中的每一位置處捕捉該等經投射訊號;一第一感測器支架組件,用以沿著該基板的該第一側支撐及定位該第一傳送器以及沿著在該基板的該表面對面的該第二側支撐及定位該第一接收器;一第一軌道組件,用以跨該基板的該表面的至少一部分將該第一感測器支架組件及該第一感測器對偶移動到沿著定位在該基板的該表面的對面的該基板的該第一側的該等複數個位置,並同時移動到沿著該基板的該第二側的該等複數個相應位置中的每一相應位置;一第一編碼器,用以判定與該第一感測器對偶相關聯的位置資訊;及 一基板支架,用以固持該基板;及一控制器;其中該第一接收器向該控制器傳遞與來自該第一傳送器的該等捕捉到的訊號相關聯的資訊,且該第一編碼器向該控制器傳遞要由該控制器使用的該第一感測器對偶的該經判定的位置資訊,以使用與該等捕捉到的訊號相關聯的該資訊及該位置資訊來判定該基板的一表面剖面。
- 如請求項18所述的系統,其中該基板量測裝置更包括:一第二感測器對偶,包括:一第二傳送器,用以從沿著該基板的一第三側的複數個位置與從該第一傳送器所投射的該訊號垂直地跨該基板的一頂面投射具有一垂直剖面的一訊號;一第二接收器,用以在沿著定位在該基板的該表面的對面的該基板的一第四側的複數個相應位置中的每一位置處捕捉該經投射的訊號;一第二軌道組件,用以跨該基板的該表面的至少一部分移動該第二感測器對偶;及一第二編碼器,用以判定與該第二感測器對偶相關聯的位置資訊; 其中該第二接收器向該控制器傳遞與來自該第二傳送器的該等捕捉到的訊號相關聯的資訊,且該第二編碼器向該控制器傳遞要由該控制器使用的該第二感測器對偶的該經判定的位置資訊,以使用與該等捕捉到的訊號相關聯的該資訊及該位置資訊來判定該基板的一表面剖面。
- 如請求項19所述的系統,其中該控制器包括用於允許使用者輸入的一介面。
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---|---|---|---|---|
JP6945367B2 (ja) * | 2017-07-05 | 2021-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反り監視装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板反り監視方法 |
JP6789187B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2020-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反り検出装置及び基板反り検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20200046282A (ko) | 2018-10-24 | 2020-05-07 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로 장치 및 고 대역폭 메모리 장치 |
EP3764165A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-13 | ASML Netherlands B.V. | Substrate shape measuring device |
CN110864611A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-06 | 河南工学院 | 一种具有自锁旋转功能的工件表面平整度机械检验装置 |
CN111208014A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-29 | 中国石油大学(华东) | 一种基于超声波的高分子材料损伤原位测试装置及方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5231767A (en) * | 1991-10-22 | 1993-08-03 | Anthony Industries, Inc. | Warp sensing apparatus |
US8582963B2 (en) * | 2011-06-03 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Detection of substrate warping during rapid thermal processing |
TW201603178A (zh) * | 2014-05-06 | 2016-01-16 | Asml荷蘭公司 | 基板支撐件、將基板載於一基板支撐件位置之方法、微影裝置及器件製造方法 |
TW201626487A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-07-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板熱處理裝置、基板熱處理方法、記錄媒體及熱處理狀態檢測裝置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4503330A (en) * | 1981-12-10 | 1985-03-05 | Atlantic Richfield Company | Determining level or tilt angle of solids in a rotatable chamber |
US4806773A (en) * | 1984-10-18 | 1989-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer position detecting method and apparatus |
US5798532A (en) | 1997-06-09 | 1998-08-25 | Integrated Device Technology, Inc. | Apparatus for determining warp in semiconductor wafer cassettes |
JP3058615B2 (ja) * | 1998-04-10 | 2000-07-04 | 株式会社山武 | ウエハ検出装置 |
TW409285B (en) * | 1999-04-13 | 2000-10-21 | United Microelectronics Corp | Wafer position mapping device |
US6813032B1 (en) | 1999-09-07 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced embedded substrate inspection through process data collection and substrate imaging techniques |
US6927079B1 (en) * | 2000-12-06 | 2005-08-09 | Lsi Logic Corporation | Method for probing a semiconductor wafer |
JP4480009B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2010-06-16 | Hoya株式会社 | 欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法 |
JP2007046946A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 基板の両面形状測定装置及び基板の両面形状測定方法 |
KR100655446B1 (ko) | 2005-10-14 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 휨 시뮬레이션 방법 |
KR100903882B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2009-06-24 | 주식회사 미르기술 | 레이저 변위센서를 구비한 비전 검사 시스템 및 비전 검사방법 |
US20080153182A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Sokudo Co., Ltd | Method and system to measure and compensate for substrate warpage during thermal processing |
US8402785B2 (en) * | 2007-11-09 | 2013-03-26 | Corning Incorporated | Method and apparatus for measuring surface shape profile |
JP4388576B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-12-24 | 株式会社コベルコ科研 | 形状測定装置 |
US20090278287A1 (en) | 2008-05-12 | 2009-11-12 | Yun Wang | Substrate processing with reduced warpage and/or controlled strain |
JP5268749B2 (ja) | 2009-04-01 | 2013-08-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板状態検査方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法 |
DE102009037939A1 (de) * | 2009-08-19 | 2011-06-30 | ERS electronic GmbH, 82110 | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Durchbiegung eines scheibenförmigen Werkstücks |
US8395783B2 (en) | 2010-07-16 | 2013-03-12 | Rudolph Technologies, Inc. | System metrology core |
US9279673B2 (en) | 2013-03-18 | 2016-03-08 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of calibrating warpage testing system to accurately measure semiconductor package warpage |
US9397051B2 (en) | 2013-12-03 | 2016-07-19 | Invensas Corporation | Warpage reduction in structures with electrical circuitry |
JP2015129703A (ja) | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 富士通株式会社 | 基板の反り測定方法 |
CN104949631B (zh) | 2014-03-27 | 2017-12-15 | 纽富来科技股份有限公司 | 曲率测定装置以及曲率测定方法 |
JP6191534B2 (ja) | 2014-05-01 | 2017-09-06 | 信越半導体株式会社 | ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 |
-
2017
- 2017-06-15 US US15/623,503 patent/US10446423B2/en active Active
- 2017-08-31 TW TW106129722A patent/TWI774691B/zh active
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- 2017-11-16 CN CN201780071355.1A patent/CN109983301B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5231767A (en) * | 1991-10-22 | 1993-08-03 | Anthony Industries, Inc. | Warp sensing apparatus |
US8582963B2 (en) * | 2011-06-03 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Detection of substrate warping during rapid thermal processing |
TW201603178A (zh) * | 2014-05-06 | 2016-01-16 | Asml荷蘭公司 | 基板支撐件、將基板載於一基板支撐件位置之方法、微影裝置及器件製造方法 |
TW201626487A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-07-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板熱處理裝置、基板熱處理方法、記錄媒體及熱處理狀態檢測裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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