TWI773067B - 雷射光路之調校方法與雷射光路之調校裝置 - Google Patents

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Abstract

一種雷射光路之調校方法，包括以下步驟：雷射光路穿過量測裝置，以獲得雷射光路之至少二雷射聚焦位置，其中至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑；藉由計算焦點位置裝置，計算出各雷射聚焦位置之座標值；依據圓弧路徑與各雷射聚焦位置之座標值，藉由計算焦點位置裝置計算出目標雷射聚焦位置；以及依據目標雷射聚焦位置，藉由調光裝置調整各雷射聚焦位置至目標雷射聚焦位置。此外，一種雷射光路之調校裝置亦被提出。

Description

雷射光路之調校方法與雷射光路之調校裝置
本發明是有關於一種雷射光路之調校方法與雷射光路之調校裝置。
在雷射切割玻璃基材時，通常會將雷射之雷射方向調整與玻璃之法線方向同軸，來維持較佳的切割品質。然而，隨著應用層面越來越廣泛，所用之玻璃鏡面不一定是呈現平面，若玻璃之鏡面呈現曲面，曲面玻璃之法線方向不定，其切割若以傳統切割平台或傳統加工頭機構難以達到此限制。後續業者開發出AC軸加工頭便可使解決此困境，且不須打造五軸搖擺平台。
前述AC軸加工頭雖解決了對曲面玻璃加工之困境，一般而言，如第1A圖與第1B圖所示，一雷射光路之光軸L11通過一聚焦鏡10，雷射光路正常狀況下，雷射光路之光軸L11與聚焦鏡10之光軸AX並無傾斜，故AC軸旋轉時，雷射聚焦P1會在加工平面W上的固定位置上，而不會偏離。然而，如第2A圖與第2B圖所示，雷射光路之光軸L12與聚焦鏡10之光軸AX有一相對夾角AG，使得雷射光路有傾斜，AC軸旋轉時若雷射光路有傾斜，若傾斜的雷射光路通過聚焦鏡10，相對於一預設焦點位置PZ，雷射聚焦P2會在加工平面W上具有偏移量，當雷射頭沿著C軸或A軸旋轉，此傾斜的雷射光會沿著不同角度入射至聚焦鏡，在焦點便不會在同一位置，換言之，雷射光路在傾斜之情形下，將會造成雷射聚焦不在固定 位置上而會有所偏離。在此情況下沿C軸或A軸旋轉360度，雷射聚焦P2會形成一圓形的軌跡。
因此，在此狀況便產生調光機制，調光目的在於使得雷射加工頭在其旋轉軸運動過程中，聚焦點位置能維持固定不變。習用調光方法是將試片固定於加工頭焦點處，並需進行多次的觀察雷射光路之焦點軌跡，調整旋轉軸的步驟，才能完成光路調校之目的，如此繁複步驟，且無法判斷目前光軸是否傾斜，故如何改良並能提供一種『雷射光路之調校方法與雷射光路之調校裝置』來避免上述所遭遇到的問題。
本發明提供一種雷射光路之調校方法與雷射光路之調校裝置，無需進行加工來觀察焦點位置，求得所欲調光之目標雷射聚焦位置，以達到調光的目的。
本發明之一實施例提供一種雷射光路之調校方法，包括以下步驟：一雷射光路穿過一量測裝置，以獲得雷射光路之至少二雷射聚焦位置，其中至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑；藉由一計算焦點位置裝置，計算出各雷射聚焦位置之一座標值；依據圓弧路徑與各雷射聚焦位置之座標值，藉由計算焦點位置裝置計算出一目標雷射聚焦位置；以及依據目標雷射聚焦位置，藉由一調光裝置調整各雷射聚焦位置至目標雷射聚焦位置。
本發明之另一實施例提供一種雷射光路之調校方法，包括以下步驟：一雷射光路穿過一二維量測裝置，以獲得雷射光路之一第一雷射聚焦位置於一第一方向與一第二方向上之一第一座標值；以第一座標值為起始點，旋轉一角度使雷射光路在二維量測裝置上具有一第二雷射聚焦位置；依據二維量測裝置以獲得第二雷射聚焦位置於第一方向與第二方向上 之一第二座標值；依據第一座標值與第二座標值，藉由一計算焦點位置裝置計算出一目標雷射聚焦位置；依據目標雷射聚焦位置，藉由一調光裝置使第一雷射聚焦位置與第二雷射聚焦位置調整至目標雷射聚焦位置。
本發明之又一實施例提供一種雷射光路之調校方法，包括以下步驟：一雷射光路穿過一一維量測裝置中的一一維物理特性元件，以獲該雷射光路相對應之一第一雷射聚焦位置，其中一維物理特性元件具有一已知特徵資訊；藉由一維量測裝置中一能量測量元件量測雷射光路之一第一能量；依據已知特徵資訊以及雷射光路之第一能量，藉由一計算焦點位置裝置計算出於一第一雷射聚焦位置之一第一座標值；以第一座標值為起始點，旋轉一角度使雷射光路在一維物理特性元件上具有一第二雷射聚焦位置與對應之一第二能量；依據已知特徵資訊以及雷射光路之第二能量，藉由計算焦點位置裝置計算出於一第二雷射聚焦位置之一第二座標值；依據第一座標值與第二座標值，藉由一計算焦點位置裝置計算出一目標雷射聚焦位置；依據目標雷射聚焦位置，藉由一調光裝置使第一雷射聚焦位置與第二雷射聚焦位置調整至目標雷射聚焦位置。
本發明之一實施例提供雷射光路之調校裝置，包括一雷射加工裝置、一量測裝置、一計算焦點位置裝置以及一調光裝置。雷射加工裝置接收一雷射光路。量測裝置連接雷射加工裝置，其中雷射光路穿過量測裝置，以形成雷射光路之至少二雷射聚焦位置，至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑。計算焦點位置裝置連接量測裝置，其中計算焦點位置裝置計算出各雷射聚焦位置之一座標值，以計算出一目標雷射聚焦位置。調光裝置連接雷射加工裝置與計算焦點位置裝置，其中依據目標雷射聚焦位置，調光裝置調整各雷射聚焦位置至目標雷射聚焦位置。
本發明之另一實施例提供雷射光路之調校裝置，包括一雷射 加工裝置、一二維量測裝置、一計算焦點位置裝置以及一調光裝置。雷射加工裝置接收一雷射光路。二維量測裝置連接該雷射加工裝置，雷射光路穿過二維量測裝置，以獲得雷射光路之至少二雷射聚焦位置於一第一方向與一第二方向上之一座標值，至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑。
本發明之另一實施例提供雷射光路之調校裝置，包括一雷射加工裝置、一一維量測裝置、一計算焦點位置裝置以及一調光裝置。雷射加工裝置接收一雷射光路。一維量測裝置連接雷射加工裝置，一維量測裝置提供一已知特徵資訊，其中該雷射光路穿過一維量測裝置，獲得雷射光路相對應之至少二雷射聚焦位置之各第一能量。計算焦點位置裝置連接一維量測裝置。計算焦點位置裝置依據已知特徵資訊與雷射光路之各雷射聚焦位置之能量，計算出各雷射聚焦位置之一座標值，進而依據各雷射聚焦位置之座標值，以計算出一目標雷射聚焦位置。調光裝置連接雷射加工裝置與計算焦點位置裝置，其中依據目標雷射聚焦位置，調光裝置調整各雷射聚焦位置至目標雷射聚焦位置。
基於上述，本發明可透過上述以獲得雷射光路之至少二雷射聚焦位置，其中至少二雷射聚焦位置形成圓弧路徑的步驟，判斷是否雷射光路之光軸是否傾斜之情況，故無需進行加工來觀察焦點位置，並可藉由該圓弧路徑以及各該雷射聚焦位置之座標值，求得所欲調光之目標雷射聚焦位置，以達到調光的目的。
為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10:聚焦鏡
50:雷射加工裝置
51:雷射接頭
52:第一部件
521:光學鏡
53:第二部件
531:第一反射鏡
54:第一旋轉部
55:第三部件
551:第二反射鏡
56:第二旋轉部
57:第四部件
571:聚焦鏡
58:雷射加工頭
60:雷射加工裝置
61:雷射接頭
62:第一部件
621:光學鏡
63:旋轉部
64:第二部件
641:聚焦鏡
65:雷射加工頭
70:一維物理特性元件
71:第一區段
72:第二區段
73:第三區段
74:第四區段
100,200,300:雷射光路之調校裝置
110:雷射源
120:雷射加工裝置
130:量測裝置
140:計算焦點位置裝置
150:調光裝置
230:二維量測裝置
330:一維量測裝置
332:一維物理特性元件
334:能量測量元件
A5:直線
AX:光軸
AG:夾角
C1,C5,C7:圓形範圍
C4,C6:圓弧路徑
GL:雷射光路
T:穿透率
L:長度
L1,L4:第一長度
L2,L5:第二長度
L3,L6:第三長度
L11:光軸
L31,L41:第一距離
L32,L42:第二距離
LD1:圓弧路徑
LD2,LD3:調整路徑
LX:第一方向
LY:第二方向
LZ1:圓弧路徑
LZ2,LZ3:調整路徑
P1,P2:雷射聚焦
P3:第一雷射聚焦位置
P4:第二雷射聚焦位置
P40:目標雷射聚焦位置
P41,P51,P61:第一雷射聚焦位置
P42,P52,P62:第二雷射聚焦位置
P53,P63:目標雷射聚焦位置
P54:第一目標雷射聚焦位置
P55:第二目標雷射聚焦位置
PZ:預設焦點位置
PZ1:目標雷射聚焦位置
R1:第一旋轉方向
R2:第二旋轉方向
R3:旋轉方向
T1,T4:第一穿透率
T2,T5:第二穿透率
T3:第三穿透率
T6:第六穿透率
W:加工平面
S100,S200,S300:雷射光路之調校方法
S110~S140:步驟
S210~S250:步驟
S310~S370:步驟
第1A圖為習用技術的雷射光路一實施例的示意圖。
第1B圖為第1A圖的焦點位置的示意圖。
第2A圖為習用技術的雷射光路另一實施例的示意圖。
第2B圖為第2A圖的焦點位置的示意圖。
第3圖為本發明雷射光路之調校裝置一實施例的示意圖。
第4圖為本發明雷射光路之調校方法一實施例的流程圖。
第5A圖為第4圖之雷射光路之調校方法一步驟的示意圖。
第5B圖為第4圖之雷射光路之調校方法另一步驟的示意圖。
第6A圖為本發明雷射加工裝置一實施例的示意圖。
第6B圖為本發明雷射加工裝置另一實施例的示意圖。
第7圖為本發明雷射光路之調校裝置另一實施例的示意圖。
第8圖為本發明雷射光路之調校方法另一實施例的流程圖。
第9A圖為第8圖之雷射光路之調校方法一步驟的示意圖。
第9B圖為第8圖之雷射光路之調校方法另一步驟的示意圖。
第9C圖為第8圖之雷射光路之調校方法又一步驟的示意圖。
第10圖為本發明雷射光路之調校裝置又一實施例的示意圖。
第11圖為本發明雷射光路之調校方法又一實施例的流程圖。
第12圖為第10圖的一維物理特性元件一實施例的示意圖。
第13A圖為第11圖雷射光路之調校方法中於第一方向上第一雷射聚焦位置的示意圖。
第13B圖為第11圖中一維物理特性元件的長度對應穿透率的物理特性曲線變化資訊於第一方向之第一穿透率之實施例的示意圖。
第13C圖為第13B圖中第一雷射聚焦位置於第一方向對應第一長度的示意圖。
第14A圖為第11圖雷射光路之調校方法中第一雷射聚焦位置被旋轉至 第二雷射聚焦位置的示意圖。
第14B圖為第11圖中一維物理特性元件的長度對應穿透率的物理特性曲線變化資訊於第一方向之第二穿透率之實施例的示意圖。
第14C圖為第14B圖中第一雷射聚焦位置於第一方向對應第二長度的示意圖。
第15A圖為第11圖雷射光路之調校方法中計算目標雷射聚焦位置於第一方向一實施例的示意圖。
第15B圖為第11圖中一維物理特性元件的長度對應穿透率的物理特性曲線變化資訊於第一方向之第三長度之實施例的示意圖。
第15C圖為第11圖雷射光路之調校方法中於第一方向將雷射聚焦位置調整至計算目標雷射聚焦位置一實施例的示意圖。
第16A圖為第11圖雷射光路之調校方法中於第二方向上第一雷射聚焦位置的示意圖。
第16B圖為第11圖中一維物理特性元件的長度對應穿透率的物理特性曲線變化資訊於第二方向之第二穿透率之實施例的示意圖。
第16C圖為第16B圖中第二雷射聚焦位置於第二方向對應第二長度的示意圖。
第17A圖為第11圖雷射光路之調校方法中於第二方向上第二雷射聚焦位置的示意圖
第17B圖為第11圖中一維物理特性元件的長度對應穿透率的物理特性曲線變化資訊於第二方向之第二穿透率之實施例的示意圖。
第17C圖為第17B圖中第二雷射聚焦位置於第二方向對應第二長度的示意圖。
第18A圖為第11圖雷射光路之調校方法中計算目標雷射聚焦位置於第 二方向一實施例的示意圖。
第18B圖為第11圖中一維物理特性元件的長度對應穿透率的物理特性曲線變化資訊於第二方向之第三長度之實施例的示意圖。
第18C圖為第11圖雷射光路之調校方法中於第二方向將雷射聚焦位置調整至計算目標雷射聚焦位置一實施例的示意圖。
以下結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用於更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此限制本發明的保護範圍。
需說明的是，在各個實施例的說明中，所謂的「第一」、「第二」、「第三」、「第四」、「第五」、及「第六」係用以描述不同的元件，這些元件並不因為此類謂辭而受到限制。此外，為了說明上的便利和明確，圖式中各元件的厚度或尺寸，係以誇張或省略或概略的方式表示，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，且各元件的尺寸並未完全為其實際的尺寸，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均仍應落在本發明所揭示之技術內容涵蓋之範圍內。
第3圖為本發明雷射光路之調校裝置一實施例的示意圖。請參閱第3圖，本實施例的雷射光路之調校裝置100包括一雷射源110、一雷射加工裝置120、一量測裝置130、一計算焦點位置裝置140以及一調光裝置150，其中本實施例不限制量測裝置130、計算焦點位置裝置140與調光裝置150的型態，雷射加工裝置120至少包含聚焦鏡與旋轉軸，雷射源110用以發出一雷射光路GL至雷射加工裝置120，雷射加工裝置120可為單軸 擺頭(如第6A圖)或多軸擺頭(如第6B圖)。
在本實施例中，量測裝置130連接雷射加工裝置130，量測裝置130用以量測雷射光路GL的雷射聚焦位置。計算焦點位置裝置140連接量測裝置130，計算焦點位置裝置140用以計算雷射聚焦位置之座標值。調光裝置150連接雷射加工裝置120以及計算焦點位置裝置140，調光位置150用以調整雷射聚焦位置至目標雷射聚焦位置，以達到調光的目的。
第4圖為本發明雷射光路之調校方法一實施例的流程圖。第5A圖為第4圖之雷射光路之調校方法一步驟的示意圖。第5B圖為第4圖之雷射光路之調校方法另一步驟的示意圖。請先參閱第4圖與第3圖，本實施例的雷射光路之調校方法S100包括以下步驟S110至步驟S140。首先，雷射源110用以發出一雷射光路GL至雷射加工裝置120。接著，進行步驟S110，雷射光路GL穿過量測裝置130，以獲得雷射光路之至少二雷射聚焦位置，其中至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑。
詳細而言，以第5A圖為例，參酌第1圖，雷射源110發出雷射光路GL至雷射加工裝置120。接著，藉由量測裝置130來獲知雷射光路GL之第一雷射聚焦位置P3；接著，旋轉一旋轉軸，以改變雷射光路GL之焦點位置；接著，藉由量測裝置130來獲知經旋轉後之雷射光路GL之第二雷射聚焦位置P4，藉由第一雷射聚焦位置P3與第二雷射聚焦位置P4形成一圓弧路徑LD1。
在一實施例中，旋轉旋轉軸的步驟，包括以下步驟：藉由量測裝置130判斷一聚焦鏡之光軸是否與第一雷射聚焦位置重合。若重合，則無需進行調光步驟。若未重合，進行以下步驟，以聚焦鏡之光軸為中心，第一雷射聚焦位置P3為起點進行旋轉，以得到第二雷射聚焦位置P4。需說明的是，旋轉角度例如可為180度，而可得到一圓弧路徑LD1。
在一實施例中，上述步驟可配合單軸擺頭或多軸擺頭的機制，請參酌第6A圖，第6A圖為本發明雷射加工裝置一實施例的示意圖。本實施例的雷射加工裝置60係為一單軸擺頭，其包括一雷射接頭61、一第一部件62、一旋轉部63、一第二部件64以及一雷射加工頭65，其中第一部件62與第二部件64共構成一殼體，而旋轉部63設置於該殼體。
光學鏡621設置於第一部件62內，聚焦鏡641設置於第二部件64內，旋轉部63位於光學鏡621與聚焦鏡641之間。藉此，雷射接頭61傳輸之雷射光路經由光學鏡621，以將雷射光路投射至聚焦鏡641並出射於雷射加工頭65之外，於前述雷射光路反射至聚焦鏡641過程中，旋轉部63作為雷射加工頭65之旋轉軸，可繞一旋轉方向R3旋轉。由此可知，本發明可應用在單軸擺頭之機制，在旋轉旋轉軸的步驟中，作為旋轉該旋轉軸步驟之一具體裝置。
然，本發明不對此加以限制，在另一實施例中，請參酌第6B圖，第6B圖為本發明雷射加工裝置另一實施例的示意圖。本實施例的雷射加工裝置50係為一多軸擺頭，其包括一雷射接頭51、一第一部件52、一第二部件53、一第三部件55、一第四部件57、一第一旋轉部54、一第二旋轉部56以及一雷射加工頭58，其中第一部件52、第二部件53、第三部件55、第四部件57共構成一殼體，而第一旋轉部54設置於該殼體中的第一部件52與第二部件53之間，作為第一個旋轉軸之機制，第二旋轉部56設置於該殼體中的第二部件53與第三部件55之間，作為第二個旋轉軸之機制，且第一旋轉部54之第一旋轉方向R1與第二旋轉部56之第二旋轉方向R2不同。於一具體實施例中，雷射加工裝置50可為一AC軸加工頭，其中第一旋轉部54作為一C軸之旋轉機制，第二旋轉部56作為一A軸之旋轉機制。
在本實施例中，光學鏡521設置於第一部件52內，第一反射鏡531設置於第二部件53中，第一旋轉部54位於光學鏡521與第一反射鏡531之間，第二反射鏡551位於第三部件55與第四部件57之間，第二旋轉部56位於第一反射鏡531與第二反射鏡551之間，聚焦鏡571位於第二反射鏡551以及雷射加工頭58之間。藉此，雷射接頭51傳輸之雷射光路經由光學鏡521入射至第一反射鏡531，經由第一反射鏡531與第二反射鏡551，以將雷射光路反射至聚焦鏡571並出射於雷射加工頭58之外，於前述雷射光路反射至聚焦鏡571過程中，第一旋轉部54作為雷射加工頭58之第一個旋轉軸，可繞一第一旋轉方向R1旋轉，第二旋轉部56作為雷射加工頭58之第二個旋轉軸，可繞一第二旋轉方向R2旋轉，換言之，本發明可應用在多軸擺頭之機制，在旋轉旋轉軸的步驟中，可透過旋轉第一旋轉部54或第二旋轉部56作為旋轉該旋轉軸步驟之一具體裝置。
請復參閱第4圖與第3圖，步驟S110之後，接著進行步驟S120，藉由計算焦點位置裝置140，計算出各雷射聚焦位置之一座標值。以第5A圖為例，藉由計算焦點位置裝置140計算第一雷射聚焦位置P3之座標值以及第二雷射聚焦位置P4之座標值，在此並未限制計算焦點位置裝置140的型態，且在此以兩個雷射聚焦位置作為舉例，在一未繪示實施例中，亦可透過旋轉旋轉軸，改變雷射聚焦位置，以獲得三個、四個等至少兩個雷射聚焦位置。
計算出每個雷射聚焦位置之座標值的步驟S120之後，進行步驟S130，依據圓弧路徑LD1與各雷射聚焦位置之座標值，藉由計算焦點位置裝置140計算出一目標雷射聚焦位置。以第5B圖為例，計算焦點位置裝置140依據第一雷射聚焦位置P3之座標值、第二雷射聚焦位置P4之座標值以及圓弧路徑LD1，可以求得該圓弧路徑LD1的圓心位置，該圓心位置即 為目標雷射聚焦位置PZ1。
以上述步驟S130獲得目標雷射聚焦位置PZ1之後，接著進行步驟S140，依據目標雷射聚焦位置PZ1，藉由一調光裝置150調整各雷射聚焦位置至目標雷射聚焦位置PZ1。以第5B圖為例，由於本發明基於雷射聚焦位置並未與聚焦鏡之光軸重合，故以上述步驟S110至步驟S130求得目標雷射聚焦位置PZ1，該位置即為聚焦鏡之光軸位置。接著，調光裝置150調整雷射光路GL之光軸，使得第二雷射聚焦位置P4得沿著調整路徑LD3而被移動至目標雷射聚焦位置PZ1。同理，若此時最後的聚焦位置在第一雷射聚焦位置P3，調光裝置150調整雷射光路GL之光軸，使第一雷射聚焦位置P3沿著調整路徑LD2而被移動至目標雷射聚焦位置PZ1。
在上述的配置之下，本實施例可透過上述以獲得雷射光路之至少二雷射聚焦位置，其中至少二雷射聚焦位置形成圓弧路徑的步驟，判斷是否雷射光路之光軸是否傾斜之情況，故無需進行加工來觀察焦點位置，並可藉由該圓弧路徑以及各該雷射聚焦位置之座標值，求得所欲調光之目標雷射聚焦位置，以達到調光的目的。
第7圖為本發明雷射光路之調校裝置另一實施例的示意圖。請參閱第7圖，需說明的是，第7圖的雷射光路之調校裝置200與第3圖的雷射光路之調校裝置100相似，其中相同的構件以相同的標號表示且具有相同的功能而不再重複說明，以下僅說明差異處，第7圖的雷射光路之調校裝置200與第3圖的雷射光路之調校裝置100的差異在於：第7圖的雷射光路之調校裝置200的二維量測裝置230。
在本實施例中，二維量測裝置230連接雷射加工裝置120，二維量測裝置230可直接量測出雷射聚焦位置的二維度座標，在本實施例中，二維量測裝置230例如為一光束分析儀(beam profiler)。然，本發明 不對此加以限制，在其他實施例中，二維量測裝置230可為一位置感測器(Position-sensitive diodes，PSD)。
第8圖為本發明雷射光路之調校方法另一實施例的流程圖。第9A圖為第8圖之雷射光路之調校方法一步驟的示意圖。第9B圖為第8圖之雷射光路之調校方法另一步驟的示意圖。第9C圖為第8圖之雷射光路之調校方法又一步驟的示意圖。請先參閱第8圖與第7圖，本實施例的雷射光路之調校方法S200包括以下步驟S210至步驟S250。首先，雷射源110用以發出一雷射光路GL至雷射加工裝置120。接著，進行步驟S210，參酌第9A圖，一雷射光路GL穿過一二維量測裝置230，以獲得雷射光路GL之一第一雷射聚焦位置P41於在二維量測裝置230上的一第一方向LX與一第二方向LY上之一第一座標值，即藉由二維量測裝置230可直接量測出雷射聚焦位置的二維度座標。
在一實施例中，步驟S210包括以下步驟：採用一光束分析儀作為二維量測裝置230，或者採用一位置感測器作為二維量測裝置230。由此可知，本實施例可利用光束分析儀位置感測器作為二維量測裝置230，但本發明不以此為限制。
接著，進行步驟S220，參酌第9B圖，第一雷射聚焦位置P41之第一座標值為起始點，旋轉一角度使雷射光路在二維量測裝置230上具有一第二雷射聚焦位置P42，藉由第一雷射聚焦位置P41與第二雷射聚焦位置P42形成一圓弧路徑LZ1。
在一實施例中，旋轉一角度使雷射光路在二維量測裝置230上具有一第二雷射聚焦位置P42的步驟，包括以下步驟：藉由二維量測裝置230判斷一聚焦鏡之光軸是否與第一雷射聚焦位置重合。若重合，則無需進行調光步驟。若未重合，進行以下步驟，以聚焦鏡之光軸為中心，第 一雷射聚焦位置P41為起點進行旋轉，以得到第二雷射聚焦位置P42。需說明的是，旋轉角度例如可為180度，而可得到一圓弧路徑LD1。在一實施例中，上述步驟可配合單軸擺頭或多軸擺頭的機制，且如前述第6A圖與第6B圖所述。
步驟S220之後，接著，進行步驟S230，依據二維量測裝置230以獲得第二雷射聚焦位置P42於第一方向LX與第二方向LY上之一第二座標值。接著，進行步驟S240，依據第一雷射聚焦位置P41之第一座標值與第二雷射聚焦位置P42之第二座標值，藉由一計算焦點位置裝置140計算出一目標雷射聚焦位置P40，在此並未限制計算焦點位置裝置140的型態，且在此以兩個雷射聚焦位置作為舉例，在一未繪示實施例中，亦可透過旋轉旋轉軸，改變雷射聚焦位置，以獲得三個、四個等至少兩個雷射聚焦位置。
計算出每個雷射聚焦位置之座標值的步驟S230之後，進行步驟S240，依據圓弧路徑LZ1與各雷射聚焦位置之座標值，藉由計算焦點位置裝置140計算出一目標雷射聚焦位置。以第9B圖為例，計算焦點位置裝置140依據第一雷射聚焦位置P41之第一座標值與第二雷射聚焦位置P42之第二座標值以及圓弧路徑LZ1，可以求得該圓弧路徑LX1的圓心位置，該圓心位置即為目標雷射聚焦位置P40。
以上述步驟S240獲得目標雷射聚焦位置P40之後，接著進行步驟S250，依據目標雷射聚焦位置P40，藉由一調光裝置150調整各雷射聚焦位置至目標雷射聚焦位置P40。以第9C圖為例，由於本發明基於雷射聚焦位置並未與聚焦鏡之光軸重合，故以上述步驟S210至步驟S240求得目標雷射聚焦位置P40，該位置即為聚焦鏡之光軸位置。
接著，調光裝置150調整雷射光路GL之光軸，使得第二雷射 聚焦位置P42得沿著調整路徑LZ2而被移動至目標雷射聚焦位置PZ1。同理，若此時最後的聚焦位置在第一雷射聚焦位置P41，調光裝置150調整雷射光路GL之光軸，使第一雷射聚焦位置P41沿著調整路徑LZ3而被移動至目標雷射聚焦位置P40。當然，在其他實施例中，只要透過第一雷射聚焦位置P41為起點進行旋轉而得到該圓形範圍C1內的雷射聚焦位置，均可依此步驟進行調整，以達到調光的目的。
第10圖為本發明雷射光路之調校裝置又一實施例的示意圖。請參閱第10圖，需說明的是，第10圖的雷射光路之調校裝置100與第3圖、第7圖的雷射光路之調校裝置100、200相似，其中相同的構件以相同的標號表示且具有相同的功能而不再重複說明，以下僅說明差異處，第10圖的雷射光路之調校裝置300與第3圖、第7圖的雷射光路之調校裝置100、200的差異在於：第10圖的雷射光路之調校裝置300的一維量測裝置330。
在本實施例中，一維量測裝置330連接雷射加工裝置120，一維量測裝置330提供一已知特徵資訊。詳細而言，一維量測裝置330包括一一維物理特性元件332以及一能量測量元件334，其中一維物理特性元件332設置在雷射加工裝置120中的聚焦鏡以及能量測量元件334之間。
在本實施例中，一維物理特性元件332是在一維度(或沿著一方向上)具有複數個不同物理特性變化的元件。舉例而言，在一維度方向上具有複數個不同穿透率變化的元件，例如連續式過濾層(continuous filter)，即具有在長度方向上，穿透率逐漸下降的構件，而具有一物理特性曲線變化資訊，由於連續式過濾層沿著一方向的不同穿透率是已知，故該物理特性曲線變化資訊可作為一已知特徵資訊。
以第12圖為例，第12圖揭示一種一維物理特性元件70，其在 第一方向LX上具有不同變化之物理特性(如穿透率)的變化，一維物理特性元件70包括一第一區段71、一第二區段72、一第三區段73以及一第四區段74，且第一區段71、第二區段72、第三區段73與第四區段74分別代表不同的穿透率之物理特性。
進一步，第一區段71、第二區段72、第三區段73與第四區段74依序可代表穿透率逐漸上升、漸增的區段，形成一維能量漸變元件。當然，本發明不對此加以限制，在一未繪示實施例中，第一區段71、第二區段72、第三區段73與第四區段74依序可代表穿透率逐漸下降、漸減的區段，或者第一區段71、第二區段72、第三區段73與第四區段74並非漸增、漸減的區段，而是不同穿透率相互交錯的區段。在另一實施例中，一維物理特性元件70還可為三個、五個、六個、七個等多個不同物理特性組成的區段。
在本實施例中，能量測量元件334設置在上述一維物理特性元件332之下，能量測量元件334用以測量穿過一維物理特性元件332之雷射光路GL的能量。計算焦點位置裝置140連接一維量測裝置330，計算焦點位置裝置140依據雷射光路GL的能量以及一維物理特性元件332提供的物理特性曲線變化資訊之已知特徵資訊，得以計算出於一雷射聚焦位置之座標值，其中物理特性曲線變化資訊為長度對應穿透率。
詳細而言，由於雷射光路GL之總能量是已知的，故雷射光路GL穿過一維物理特性元件332後的能量，可與已知的雷射光路GL之總能量比較，以量測到的能量反推其穿透率，再經由一維物理特性元件332的物理特性曲線變化資訊而可推估出雷射聚焦位置之座標值。
第11圖為本發明雷射光路之調校方法又一實施例的流程圖。請參閱10圖與第11圖，本實施例的雷射光路之調校方法S300包括以 下步驟S310至步驟S370。首先，雷射源110用以發出一雷射光路GL至雷射加工裝置120。接著，進行步驟S310，參酌第13A圖與第10圖，一雷射光路GL穿過一一維量測裝置330中的一一維物理特性元件332，以獲雷射光路GL相對應之一第一雷射聚焦位置P51，其中一維物理特性元件332具有一已知特徵資訊。
在一實施例中，步驟S310包括以下步驟：採用在一維度方向上具有複數個不同穿透率作為一維物理特性元件332。舉例而言，如第13A圖、第14A圖、第15A圖中的一維物理特性元件332係由在第一方向LX上具有複數個不同穿透率。
此外，步驟S310更包括以下步驟：採用具有長度對應穿透率的一物理特性曲線變化資訊作為已知特徵資訊。舉例而言，一維物理特性元件332是在一維度方向上具有複數個不同穿透率變化的元件，例如連續式過濾層(continuous filter)，其具有長度對應穿透率的物理特性曲線變化資訊，由於連續式過濾層沿著一方向的不同穿透率是已知，故該物理特性曲線變化資訊可作為一已知特徵資訊。
請復參閱第11圖，步驟S310之後，進行步驟S320，參酌第10圖，藉由一維量測裝置330中一能量測量元件334量測雷射光路GL之一第一能量。接著，進行步驟S330，參酌第10圖、第13B圖與第13C圖，依據已知特徵資訊以及雷射光路GL之第一能量，藉由一計算焦點位置裝置140計算出於一第一雷射聚焦位置P51之一第一座標值。
詳細而言，步驟S330包括以下步驟：藉由第一雷射聚焦位置P51之第一能量以推算出雷射光路GL穿過一維物理特性元件332之第一穿透率；藉由一維物理特性元件332提供的物理特性曲線變化資訊以及第一穿透率，以獲得第一雷射聚焦位置P51在第一方向LX上的第一座標值。由 於雷射光路GL之總能量是已知的，故雷射光路GL穿過一維物理特性元件332後的能量，可與已知的雷射光路GL之總能量比較，以量測到的能量反推其穿透率。
舉例而言，如第13B所示，其為一維物理特性元件332的長度L對應穿透率T的物理特性曲線變化資訊，藉由前述推算出第一雷射聚焦位置P51的第一穿透率T1，進而由第13B圖的第一穿透率T1得知在如第一方向LX的長度L為第一長度L1，則如第13C圖可知，第一雷射聚焦位置P51在第一方向LX上的X座標值為第一長度L1之數值。
步驟S330之後，接著進行步驟S340，參酌第10圖與第14A圖，以第一雷射聚焦位置P51之第一座標值為起始點，旋轉一角度使雷射光路GL在一維物理特性元件332上具有一第二雷射聚焦位置P52與其對應之一第二能量，其中藉由第一雷射聚焦位置P61與第二雷射聚焦位置P62形成一圓弧路徑C6。
需說明的是，步驟S340中的旋轉角度例如可為180度，而可得到一圓弧路徑LD1。在一實施例中，上述步驟可配合單軸擺頭或多軸擺頭的機制，且如前述第6A圖與第6B圖所述。在一實施例中，步驟S340包括以下步驟：藉由一維量測裝置330中一能量測量元件334量測雷射光路GL之第二雷射聚焦位置P52一第二能量。
步驟S340之後，接著進行步驟S350，參酌第10圖、第14B圖與第14C圖，依據已知特徵資訊以及雷射光路GL之第二能量，藉由一計算焦點位置裝置140計算出於一第二雷射聚焦位置P52之一第二座標值。
詳細而言，步驟S350包括以下步驟：如第14B所示，藉由第二雷射聚焦位置P52之第二能量以推算出雷射光路GL穿過一維物理特性元件332之第二穿透率T2；藉由一維物理特性元件332提供的物理特性曲 線變化資訊以及第二穿透率T2，以獲得第二雷射聚焦位置P52在第一方向LX上的第二座標值。藉由前述推算出第二雷射聚焦位置P52在如第一方向LX的長度L為第二長度L2，則如第14C圖可知，第二雷射聚焦位置P52在第一方向LX上的X座標值為第二長度L2之數值。
步驟S350之後，進行步驟S360，參酌第10圖與第15A圖，依據第一雷射聚焦位置P51之第一座標值與第二雷射聚焦位置P52之第二座標值，藉由一計算焦點位置裝置140計算出一目標雷射聚焦位置P53。步驟S350包括以下步驟：計算焦點位置裝置140依據第一雷射聚焦位置P51之第一座標值、第二雷射聚焦位置P52之第二座標值以及圓弧路徑C4，可以求得該圓弧路徑C4的圓心位置之第三座標值，該圓心位置即為目標雷射聚焦位置P53，其中如第15A圖所示，第一雷射聚焦位置P51於第一方向LX上距離目標雷射聚焦位置P53為一第一距離L31，第二雷射聚焦位置P52於第一方向LX上距離目標雷射聚焦位置P53為一第二距離L32，該第一距離L31等於第二距離L32；依據目標雷射聚焦位置P53於第一方向LX之第三座標值，作為一第三長度L3；藉由一維物理特性元件332提供的物理特性曲線變化資訊以及目標雷射聚焦位置P53之第三長度L3，以獲得目標雷射聚焦位置P53在第一方向LX上的第三穿透率T3。進而可藉由雷射光路GL穿過一維物理特性元件332後的能量以及第三穿透率T3反推出一調整能量值。
以上述步驟S310至步驟S360求得目標雷射聚焦位置P53，該位置即為聚焦鏡之光軸位置，進行步驟S370，參酌第10圖與第15C圖，依據目標雷射聚焦位置P53，藉由一調光裝置150使第一雷射聚焦位置P51與第二雷射聚焦位置P52調整至目標雷射聚焦位置P53。具體而言，由於此時只知道在第一方向LX上目標雷射聚焦位置P53之第三座標值，故依據前 述得知調整能量值，來調整雷射光路GL之光軸之傾斜角，以達到目標之調整值，使得第二雷射聚焦位置P52被移動至一第二目標雷射聚焦位置P55；同理，若此時最後的聚焦位置在第一雷射聚焦位置P51，調光裝置150調整雷射光路GL之光軸，使第一雷射聚焦位置P51被移動至一第一目標雷射聚焦位置P54，其中第一目標雷射聚焦位置P54、第二目標雷射聚焦位置P55以及目標雷射聚焦位置P53係在第二方向LY上連成一直線A5，即第一目標雷射聚焦位置P54、第二目標雷射聚焦位置P55以及目標雷射聚焦位置P53在第一方向LX的座標值相同。當然，在其他實施例中，只要透過第一雷射聚焦位置P51為起點進行旋轉而得到該圓形範圍C5內的雷射聚焦位置，均可依此步驟進行調整，以達到調光的目的。
上述完成在第一方向LX調光的步驟S370之後，更包括以下步驟：旋轉一維物理特性元件332一角度，該角度為90度，使得此時一維物理特性元件332是在第二方向LY上具有複數個不同穿透率變化，換言之，第13A圖至第15C圖是藉由在一維物理特性元件332在第一方向LX上具有複數個不同穿透率變化，來達到第一方向LY調光的目的，而經由將一維物理特性元件332旋轉90度後，使一維物理特性元件332係由在第一方向LX上具有複數個不同穿透率轉變成在第二方向LY上具有複數個不同穿透率，即如第16A圖、第17A圖、第18A圖中的一維物理特性元件332係由在第二方向LY上具有複數個不同穿透率，因此，雷射光路GL對應到的是在第二方向LY上具有複數個不同穿透率變化。
在本實施例中，經由上述經由將一維物理特性元件332旋轉90度後，接著再重複進行步驟S310至步驟S370，參酌第10圖、第16A圖，雷射光路GL穿過一維量測裝置330中的一維物理特性元件332，以獲雷射光路GL相對應之第一雷射聚焦位置P61(步驟S310)，一能量測量元件334 量測雷射光路GL之第一能量(步驟S320)，接著，依據已知特徵資訊以及雷射光路GL之第一能量，藉由計算焦點位置裝置140計算出於第一雷射聚焦位置P61之第一座標值(步驟S330)，其中藉由前述推算出第一雷射聚焦位置P51的第一穿透率T4，進而由第16B圖的第一穿透率T4得知在如第二方向LY的長度L為第一長度L4，則如第16C圖可知，第一雷射聚焦位置P61在第二方向LY上的Y座標值為第一長度L4之數值。
接著，以第一雷射聚焦位置P61之第一座標值為起始點，旋轉一角度使雷射光路GL在一維物理特性元件332上具有一第二雷射聚焦位置P62與其對應之一第二能量(步驟S340)，其中旋轉角度例如可為180度。同理，依據已知特徵資訊以及雷射光路GL之第二能量，藉由一計算焦點位置裝置140計算出於第二雷射聚焦位置P62之第二座標值。藉由第二雷射聚焦位置P62之第二能量以推算出雷射光路GL穿過一維物理特性元件332之第二穿透率T5；藉由一維物理特性元件332提供的物理特性曲線變化資訊以及第二穿透率T5，以獲得第二雷射聚焦位置P62在第二方向LY上的第二座標值。藉由前述推算出第二雷射聚焦位置P62在如第二方向LY的長度L為第二長度L5，則如第17C圖可知，第二雷射聚焦位置P62在第二方向LY上的Y座標值為第二長度L5之數值。
接著，依據第一雷射聚焦位置P61之第一座標值與第二雷射聚焦位置P62之第二座標值，藉由計算焦點位置裝置140計算出一目標雷射聚焦位置P63(步驟S350)，如第17A圖所示，第一雷射聚焦位置P61於第二方向LY上距離目標雷射聚焦位置P63為第一距離L41，第二雷射聚焦位置PY2於第二方向LY上距離目標雷射聚焦位置P63為第二距離L42，該第一距離L41等於第二距離L42，並且依據目標雷射聚焦位置P63於第二方向LY之第三座標值，作為一第三長度L6。如此一來，藉由一維物理特性元 件332提供的物理特性曲線變化資訊以及目標雷射聚焦位置P63之第三長度L6，以獲得目標雷射聚焦位置P63在第二方向LY上的第三穿透率T6。進而可藉由雷射光路GL穿過一維物理特性元件332後的能量以及第三穿透率T6反推出一調整能量值。
最後，依據目標雷射聚焦位置P63，藉由調光裝置150使第二雷射聚焦位置P62調整至目標雷射聚焦位置P63。在其他實施例中，只要透過第一雷射聚焦位置P61為起點進行旋轉而得到該圓形範圍C7內(如第一雷射聚焦位置P61)的雷射聚焦位置，均可依此步驟進行調整，以達到調光的目的。
綜上所述，本發明可透過上述以獲得雷射光路之至少二雷射聚焦位置，其中至少二雷射聚焦位置形成圓弧路徑的步驟，判斷是否雷射光路之光軸是否傾斜之情況，故無需進行加工來觀察焦點位置，並可藉由該圓弧路徑以及各該雷射聚焦位置之座標值，求得所欲調光之目標雷射聚焦位置，以達到調光的目的。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S100:雷射光路之調校方法 S110~S140:步驟

Claims (23)

  1. 一種雷射光路之調校方法，包括以下步驟：發出一雷射光路至一雷射加工裝置；該雷射光路穿過一量測裝置，以獲得該雷射光路之至少二雷射聚焦位置，其中該至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑；藉由一計算焦點位置裝置，計算出各該雷射聚焦位置之一座標值；依據該圓弧路徑與各該雷射聚焦位置之該座標值，藉由該計算焦點位置裝置計算出一目標雷射聚焦位置；以及依據該目標雷射聚焦位置，藉由一調光裝置調整各該雷射聚焦位置至該目標雷射聚焦位置。
  2. 如請求項1所述的雷射光路之調校方法，其中所述該至少二雷射聚焦位置形成該圓弧路徑的步驟，包括以下步驟：藉由該量測裝置獲知該雷射光路之一第一雷射聚焦位置；旋轉一旋轉軸；藉由該量測裝置獲知經旋轉後之該雷射光路之一第二雷射聚焦位置；以及藉由該第一雷射聚焦位置與該第二雷射聚焦位置形成該圓弧路徑。
  3. 如請求項2所述的雷射光路之調校方法，其中所述旋轉該旋轉軸的步驟，包括以下步驟：藉由該量測裝置判斷一聚焦鏡之光軸是否與該第一雷射聚焦位置重合；以及若該聚焦鏡之該光軸未與該第一雷射聚焦位置重合，進行以下步驟：以該聚焦鏡之該光軸為中心，該第一雷射聚焦位置為起點進行旋轉，以得到該第二雷射聚焦位置。
  4. 一種雷射光路之調校裝置，包括：一雷射加工裝置，接收一雷射光路；一雷射源，發出該雷射光路至該雷射加工裝置；一量測裝置，連接該雷射加工裝置，其中該雷射光路穿過該量測裝置，以形成該雷射光路之至少二雷射聚焦位置，該至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑；一計算焦點位置裝置，連接該量測裝置，其中該計算焦點位置裝置計算出各該雷射聚焦位置之一座標值，以計算出一目標雷射聚焦位置；以及一調光裝置，連接該雷射加工裝置與該計算焦點位置裝置，其中依據該目標雷射聚焦位置，該調光裝置調整各該雷射聚焦位置至該目標雷射聚焦位置。
  5. 一種雷射光路之調校方法，包括以下步驟：發出一雷射光路至一雷射加工裝置；該雷射光路穿過一二維量測裝置，以獲得該雷射光路之一第一雷射聚焦位置於一第一方向與一第二方向上之一第一座標值；以該第一座標值為起始點，旋轉一角度使該雷射光路在該二維量測裝置上具有一第二雷射聚焦位置；依據該二維量測裝置以獲得該第二雷射聚焦位置於該第一方向與該第二方向上之一第二座標值；依據該第一座標值與該第二座標值，藉由一計算焦點位置裝置計算出一目標雷射聚焦位置；依據該目標雷射聚焦位置，藉由一調光裝置使該第一雷射聚焦位置與該第二雷射聚焦位置調整至該目標雷射聚焦位置。
  6. 如請求項5所述的雷射光路之調校方法，其中所述雷射光路穿過該二維量測裝置的步驟，包括以下步驟：採用一光束分析儀作為該二維量測裝置。
  7. 如請求項5所述的雷射光路之調校方法，其中所述雷射光路穿過該二維量測裝置的步驟，包括以下步驟：採用一位置感測器作為該二維量測裝置。
  8. 如請求項5所述的雷射光路之調校方法，其中所述依據該第一座標值與該第二座標值，藉由該計算焦點位置裝置計算出一目標雷射聚焦位置的步驟，包括以下步驟：藉由該第一雷射聚焦位置與該第二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑。
  9. 一種雷射光路之調校裝置，包括：一雷射加工裝置，接收一雷射光路；一雷射源，發出該雷射光路至該雷射加工裝置；一二維量測裝置，連接該雷射加工裝置，其中該雷射光路穿過該二維量測裝置，以獲得該雷射光路之至少二雷射聚焦位置於一第一方向與一第二方向上之一座標值，該至少二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑；一計算焦點位置裝置，連接該二維量測裝置，其中該計算焦點位置裝置依據各該雷射聚焦位置於該第一方向與該第二方向上之該座標值，以計算出一目標雷射聚焦位置；以及一調光裝置，連接該雷射加工裝置與該計算焦點位置裝置，其中依據該目標雷射聚焦位置，該調光裝置調整各該雷射聚焦位置至該目標雷射聚焦位置。
  10. 如請求項9所述的雷射光路之調校裝置，其中該二維量測裝置為一光束分析儀。
  11. 如請求項9所述的雷射光路之調校裝置，其中該二維量測裝置為一位置感測器。
  12. 一種雷射光路之調校方法，包括以下步驟：一雷射源，發出一雷射光路至一雷射加工裝置；該雷射光路穿過一一維量測裝置中的一一維物理特性元件，以獲得該雷射光路相對應之一第一雷射聚焦位置，其中該一維物理特性元件具有一已知特徵資訊；藉由該一維量測裝置中一能量測量元件量測該雷射光路之一第一能量；依據該已知特徵資訊以及該雷射光路之該第一能量，藉由一計算焦點位置裝置計算出於一第一雷射聚焦位置之一第一座標值；以該第一座標值為起始點，旋轉一角度使該雷射光路在該一維物理特性元件上具有一第二雷射聚焦位置與對應之一第二能量；依據該已知特徵資訊以及該雷射光路之該第二能量，藉由該計算焦點位置裝置計算出於一第二雷射聚焦位置之一第二座標值；依據該第一座標值與該第二座標值，藉由一計算焦點位置裝置計算出一目標雷射聚焦位置；依據該目標雷射聚焦位置，藉由一調光裝置使該第一雷射聚焦位置與該第二雷射聚焦位置調整至該目標雷射聚焦位置。
  13. 如請求項12所述的雷射光路之調校方法，其中所述該雷射光路穿過該一維量測裝置中的該一維物理特性元件的步驟中，包括以下步驟：採用在一維度方向上具有複數個不同穿透率作為一維物理特性元件。
  14. 如請求項12所述的雷射光路之調校方法，其中所述該雷射光路穿過該一維量測裝置中的該一維物理特性元件的步驟中，包括以下步驟：採用在一維度方向上具有複數個不同穿透率作為一維物理特性元件。
  15. 如請求項12所述的雷射光路之調校方法，其中所述該雷射光路穿過該一維量測裝置中的該一維物理特性元件的步驟中，包括以下步驟：採用具有長度對應穿透率的一物理特性曲線變化資訊作為該已知特徵資訊。
  16. 如請求項15所述的雷射光路之調校方法，其中所述依據該已知特徵資訊以及該雷射光路之該第一能量，藉由該計算焦點位置裝置計算出於該第一雷射聚焦位置之該第一座標值的步驟中，包括以下步驟：藉由該第一雷射聚焦位置之該第一能量，以推算出該雷射光路穿過該一維物理特性元件後之一第一穿透率；以及藉由該一維物理特性元件提供的該物理特性曲線變化資訊以及該第一穿透率，以獲得該第一雷射聚焦位置的一第一座標值。
  17. 如請求項15所述的雷射光路之調校方法，其中所述依據該已知特徵資訊以及該雷射光路之該第二能量，藉由該計算焦點位置裝置計算出於該第二雷射聚焦位置之該第二座標值的步驟中，包括以下步驟：藉由該第二雷射聚焦位置之該第二能量，以推算出該雷射光路穿過該一維物理特性元件後之一第二穿透率；以及藉由該一維物理特性元件提供的該物理特性曲線變化資訊以及該第二穿透率，以獲得該第二雷射聚焦位置的一第二座標值。
  18. 如請求項15所述的雷射光路之調校方法，其中所述依據該第一座標值與該第二座標值，藉由該計算焦點位置裝置計算出該目標雷射聚焦位置的步驟，包括以下步驟：藉由該第一雷射聚焦位置與該第二雷射聚焦位置形成一圓弧路徑；該計算焦點位置裝置依據該第一雷射聚焦位置之該第一座標值、該第二雷射聚焦位置之該第二座標值以及該圓弧路徑，求得該圓弧路徑的一圓心位置之一第三座標值，以該圓心位置作為該目標雷射聚焦位置；依據該目標雷射聚焦位置之該第三座標值，作為該目標雷射聚焦位置之一長度；藉由該一維物理特性元件提供的該物理特性曲線變化資訊以及該目標雷射聚焦位置之該長度，以獲得該目標雷射聚焦位置的一第三穿透率；以及藉由該雷射光路穿過該一維物理特性元件後的該第二能量以及該第三穿透率，以推算出一調整能量值。
  19. 如請求項12所述的雷射光路之調校方法，其中該一維物理特性元件係在一第一方向上具有複數個不同穿透率，所述依據該目標雷射聚焦位置，藉由該調光裝置使該第一雷射聚焦位置與該第二雷射聚焦位置調整至該目標雷射聚焦位置的步驟之後，包括以下步驟：旋轉該一維物理特性元件90度，使該一維物理特性元件係由在該第一方向上具有該複數個不同穿透率轉變成在一第二方向上具有該複數個不同穿透率，其中該第一方向不同於該第二方向。
  20. 如請求項12所述的雷射光路之調校方法，其中所述以該第一座標值為起始點，旋轉該角度使該雷射光路在該一維物理特性元件上具有一第二雷射聚焦位置與對應之該第二能量的步驟，包括以下步驟： 藉由該一維量測裝置中該能量測量元件量測該雷射光路之該第二雷射聚焦位置之一第二能量。
  21. 一種雷射光路之調校裝置，包括：一雷射加工裝置，接收一雷射光路；一雷射源，發出該雷射光路至一雷射加工裝置；一一維量測裝置，連接該雷射加工裝置，該一維量測裝置提供一已知特徵資訊，其中該雷射光路穿過該一維量測裝置，獲得該雷射光路相對應之至少二雷射聚焦位置之能量；一計算焦點位置裝置，連接該一維量測裝置，其中該計算焦點位置裝置依據該已知特徵資訊與該雷射光路之各該雷射聚焦位置之該能量，計算出各該雷射聚焦位置之一座標值，進而依據各該雷射聚焦位置之該座標值，以計算出一目標雷射聚焦位置；以及一調光裝置，連接該雷射加工裝置與該計算焦點位置裝置，其中依據該目標雷射聚焦位置，該調光裝置調整各該雷射聚焦位置至該目標雷射聚焦位置。
  22. 如請求項21所述的雷射光路之調校裝置，其中該一維量測裝置包括一一維物理特性元件以及一能量測量元件，該一維物理特性元件設置在該雷射加工裝置以及該能量測量元件之間，該一維物理特性具有一物理特性曲線變化資訊之該已知特徵資訊，該能量測量元件測量穿過該一維物理特性之該雷射光路的能量。
  23. 如請求項22所述的雷射光路之調校裝置，其中該一維物理特性元件係在一維度方向上具有複數個不同穿透率，該物理特性曲線變化資訊為長度對應穿透率。
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