TW201923949A - 用於分離暫時接合之基板堆疊之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於藉由憑藉由一雷射(5)發出之雷射光束(16、16')轟擊一暫時接合之基板堆疊(23)之一結合層(25)而分離該基板堆疊(23)之方法，其特徵在於在使用該等雷射光束(16、16')轟擊該結合層(25)期間偵測在該暫時接合之基板堆疊(23)處反射及/或透射之該雷射(5)之雷射光束(16、16'、16r)。此外，本發明係關於一種對應裝置。

Description

用於分離暫時接合之基板堆疊之裝置及方法
本發明係關於一種根據請求項1之用於分離暫時接合之基板堆疊之方法以及一種根據請求項6之裝置。
在先前技術中存在用於將基板彼此結合之無數方法。結合之目的及目標係永久或暫時基板堆疊。若基板經暫時結合(尤其藉由一接合層)，則其等在程序鏈中之另一點再次彼此分離。分離程序被稱為剝離(debonding)。用於分離基板堆疊之最新且最重要的方法之一者係雷射剝離。在雷射剝離之情況中，具有高功率及經定義波長之一聚焦雷射光束掃描兩個基板之基板堆疊介面區域且由於至接合層中之高能量輸入而導致兩個基板彼此分離。
在先前技術中，剝離程序之一評估在基板彼此分離之後(例如)藉由一光學評估進行。例如，檢查表面粗糙度及表面品質。
先前技術之一問題在於以下事實：由於使用雷射光束轟擊，故可發生基板(尤其基板之昂貴功能組件)之破壞。
因此，本發明之問題係克服先前技術之缺點且尤其確保以儘可能無破壞之方式但同時以一有效方式進行基板堆疊之一分離。
此問題由所協調技術方案之標的物及下文揭示之發明理念解決。在附屬技術方案中指定本發明之有利發展。在描述、技術方案及/或圖式中陳述之至少兩個特徵之全部組合亦落於本發明之範疇內。在值範圍之情況中，位於所述限制內之值亦被視為揭示為極限值且可以任何組合主張。
特定言之，本發明展示可藉由在分離期間評估用於分離基板堆疊之正確雷射參數而避免損害，但同時實現有效分離。另一方面，雷射光束之經引入能量必須足夠高以至少部分破壞暫時接合層(結合層)以便帶來一有效分離。另一方面，經引入雷射功率必須不超過將損壞其上可尤其存在功能組件之基板表面之一功率。換言之，雷射光束之經引入能量導致暫時接合層之接合強度之至少部分弱化(較佳完全降低)。由於由輻射所致，標定能量輸入及能量轉換在接合層中發生，特定言之，功能組件上之熱及/或光熱負載經最小化。針對正確雷射參數之評估，根據本發明，在使用雷射光束轟擊基板堆疊用於分離基板堆疊之基板期間尤其原地偵測經反射雷射光束及/或經透射穿過基板堆疊之雷射光束。
本發明之核心理念尤其在於提供一種裝置及方法，在該裝置及該方法之幫助下，可在基板堆疊之接合層之轟擊期間進行雷射參數之監測及/或調適及/或接合層之監測。
根據本發明，基板堆疊之兩個基板由至少一個結合層(尤其一暫時接合層，較佳一接合黏著劑)結合在一起。將亦可想到使用尤其具有不同物理及/或化學性質之複數個結合層。在根據本發明之一非常特定實施例中，不同結合層以對雷射之光子之一不同靈敏度進行物理及/或化學反應。根據本發明，可想到結合層包括一釋放層。藉由轟擊釋放層，在化學及/或物理上改變釋放層，使得基板之間之黏著性(尤其完全)降低。
本發明之一進一步核心理念尤其在於提供一種判定一種類型之基板堆疊之正確或最佳雷射參數，以便可在大批量製造(HVM)中以一高處理能力及最小程度之控制工作分離基板堆疊之裝置及方法。
雷射參數經最佳化作為來自量測系列之結果及/或作為控制變數之參數。換言之，經偵測量測值(諸如雷射光束強度、輪廓形狀、經分離堆疊之表面均勻性、雷射光束之均質性)藉由尤其自動回饋迴路編譯及/或評估至控制/調節單元(尤其電腦)中。接著，經最佳化控制變數用於進一步剝離程序及/或量測系列。
在最佳雷射參數之前述判定之後剩餘之最小程度之控制工作尤其係關於雷射光束性質之原地量測，其中輻射至少部分及/或暫時未經引導至基板堆疊上，而直接至一雷射感測器上。此允許控制輻射源之給定狀態，尤其用於正確設定、老化現象。
根據本發明之一有利實施例，使用雷射光束(16、16')轟擊結合層(25)以一掃描方式進行。
掃描步驟中雷射光束之一掃描移動包括以下軌跡及/或軌道之一或多者： -x-y掃描或鋸齒線掃描。雷射光束在一座標方向上照明基板堆疊，其中在完成一線之後，在相同方向上照明下一線。 -使用來回移動(曲折移動)之x-y掃描：雷射光束在一個方向上照明一線，在相反方向上尤其無縫地照明/掃描下一線等。 -螺旋掃描：掃描移動沿著一螺旋以相同脈衝頻率且與此結合，以不同偏轉速度實行。 -替代螺旋掃描：掃描移動沿著一螺旋以可變脈衝頻率且與此結合，以掃描器之相同偏轉速度進行。 -圓形掃描：尤其封閉完整圓環藉由掃描移動執行。 -具有局部限制之隨機點掃描：掃描移動與隨機程序(諸如一隨機計數產生器)結合，其中在一個雷射脈衝之後，接著的雷射脈衝在大於5微米，較佳大於50微米，尤其較佳大於500微米，尤其較佳大於5 mm之一距離處在一隨機計算之點處進行。持續更新由雷射脈衝處理及未由雷射脈衝處理之區域，使得裝置尤其藉由自身自數個未處理區域隨機選擇下一點。此方法之一優點係基板上之局部熱負載之減少。
一掃描步驟尤其對應於在不移動雷射光束之情況下曝露雷射光束之一輻射區域。在全部所提及掃描移動之情況中，可較佳調整兩個連續掃描步驟之間之一最小距離。最小距離尤其大於輻射區域之直徑，較佳係輻射區域之直徑之至少兩倍大。在一進一步實施例中，可最小化最小程度之控制工作，其中雷射光束在基板堆疊之掃描期間照射一經定義區域，其中由所列舉感測器偵測透射且雷射輻射之量測不需要額外技術量測(尤其掃描器移動)。
根據本發明，裝置較佳經設置使得不僅進行雷射參數之監測及/或調適，而且同時亦可使用雷射光束實行雷射剝離。因此，可擴展現有雷射剝離裝置以形成根據本發明之一裝置，其中安裝根據本發明之偵測構件。
在一進一步實施例中，可擴展現有剝離裝置以便使用根據本發明之量測裝置以及控制裝置及方法改裝。作為一獨立發明，因此揭示一改裝套組以便使來自先前技術之現有裝置配備有根據本發明之功能性。
本發明尤其描述一種裝置及方法，在該裝置及該方法之幫助下實現一剝離程序(尤其一雷射剝離程序)之一原地量測。本發明尤其係基於以下理念：藉由至少一個感測器(較佳一感測器陣列)量測耦合至基板堆疊中之雷射光束之經透射及/或經反射強度，及尤其藉由輸入功率之標準化獲得關於接合層之轟擊之品質之一結論。特定言之，藉由判定功率損耗而得出關於轟擊之品質之結論。
藉由使用感測器陣列，可尤其產生整個接合層之一局部解析圖。
較佳在一透射模式中使用裝置及方法，此係因為技術上更容易實施將偵測器定位在相對於光學系統之側處。
經透射及/或經反射雷射功率可原地確定，尤其局部解析。經記錄資料遞送關於雷射對接合層之影響之結論。
根據本發明之一釋放層之厚度較佳介於0.0001 µm與1000 µm之間，較佳介於0.005 µm與500 µm之間，更較佳介於0.001 µm與400 µm之間，最較佳介於0.05 µm與300 µm之間，其中最大偏好介於0.01 µm與200 µm之間。
尤其包括釋放層之暫時接合層之厚度較佳介於0.001 µm與1000 µm之間，更較佳介於0.005 µm與500 µm之間，仍更較佳介於0.01 µm與400 µm之間，最較佳介於0.05 µm與300 µm之間，其中最大偏好介於0.1 µm與200 µm之間。
尤其在雷射剝離之情況中，釋放暫時接合層之釋放層且因此實行分離(即，剝離程序)。特定言之，雷射光束離解化學化合物，此導致黏著性之一降低。在剝離之一較佳實施例中，尤其可調整雷射光束觸發暫時接合層中之一直接光化學反應，其尤其不可逆地直接改變暫時接合層(尤其暫時接合層之釋放層)之接合，使得層之黏著強度降低(尤其消除)。無基板或基板堆疊之顯著加熱(尤其無加熱)由於直接光學化反應而發生。相較於整個基板堆疊之初始溫度，溫度增加較佳限於小於100°C，較佳小於50°C，較佳小於25°C，尤其較佳小於15°C。當提及一暫時接合層時，亦可想到一結合層作為一替代例。
在剝離劑之一進一步較佳實施例中，尤其可調整雷射輻射觸發暫時接合層中之一光熱反應，其尤其不可逆地改變暫時接合層(尤其暫時接合層之釋放層)之接合，使得層之黏著強度降低(尤其消除)。進行一足夠高的局部加熱以降低黏著強度。雷射點中之局部加熱尤其小於2000°C，較佳小於1500°C，仍更較佳小於1000°C，最較佳小於500°C，其中最大偏好小於250°C。基板堆疊經整體加熱達小於100°C，較佳小於50°C，尤其較佳小於25°C。
在裝置中之基板上整體量測之反應溫度尤其介於0°C與300°C之間，較佳介於10°C與200°C之間，尤其較佳介於室溫/大氣溫度與40°C之間。
在剝離劑之一進一步較佳實施例中，雷射光束性質(尤其波長、脈衝持續時間、均質性、光束橫截面及/或發光能量)可經調整使得發生一光化學或一光熱反應或兩種類型之反應之一混合形式。
特定言之，在有機材料之情況中，光化學及/或光熱反應可導致有機材料之一完全碳化。此被理解為意謂全部原子之化學移除，惟碳除外。作為碳化之一反應產物而作為一層出現之碳具有一高吸收率，尤其針對根據本發明之相關波長範圍。因此，較佳試圖根據本發明調整參數，使得儘可能少的碳化(較佳無碳化)發生且因此不出現含碳不透明層(尤其一煙灰層)。
根據本發明之裝置尤其包括一光學系統，在該光學系統之幫助下，由一雷射產生之雷射光束可經引導至一基板堆疊上且在反射及/或透射模式中量測其等參數(尤其其等功率)。光學系統較佳藉由一支架靜態連接至一基底。基板堆疊固定於一基板固持器上。
基板固持器較佳包括固定構件。固定構件用於固定基板。固定構件尤其選自以下固定構件之一或多者： •機械固定構件，尤其夾箝，及/或 •真空固定構件，其尤其具有可個別控制之真空軌道及/或可連接至彼此之真空軌道，及/或 •電固定構件，尤其靜電固定構件，及/或 •磁性固定構件，及/或 •黏著性固定構件，尤其具有黏著性(尤其可控制)表面之gel-pak固定件及/或固定構件。
可尤其藉由一較佳基於軟體之控制單元電子控制固定構件。真空固定件係較佳類型之固定件。真空固定件較佳包括複數個真空軌道，其等在樣品固持器之表面處離開。真空軌道可較佳經個別控制。在技術上容易實施之一應用中，將若干真空軌道組合成可經個別控制之真空軌道段。其等可被抽空或溢流。各真空段較佳獨立於其他真空段。真空段較佳以環形形式設計。因此，實現尤其自內部向外延伸或反之亦然之一標定徑向對稱固定件，或一基板自基板固持器之釋放。
一般言之，剝離裝置可含有至少一個控制及/或調節單元(尤其一電腦)，該至少一個控制及/或調節單元檢查及/或儲存及/或處理及/或輸出及/或設定裝置參數/程序參數。特定言之，根據本發明之方法中之全部量測儀器可連接至用於資訊擷取或處理或儲存或輸出之控制及/或調節單元。
一相對移動可較佳發生於光學系統與基板固持器之間。基板固持器較佳移動，而光學系統、支架及基底經配置為靜態。
在一尤其較佳實施例中，基板堆疊與雷射光束之間之一相對移動藉由在光學系統中使光束偏轉而進行，其中基板固持器上之基板及裝置之進一步零件不相對於彼此移動。
提供熟習此項技術者已知之裝載及卸載序列用於裝載基板堆疊且用於卸載經輻射基板堆疊或經分離基板。
在根據本發明之裝置之幫助下，可藉由一雷射分離作為一基板堆疊之部分之至少兩個基板且同時、併發或在至少部分重疊時間段內判定經反射及/或經透射雷射光束之性質/參數，此允許得出關於剝離程序之一直接結論。因此，根據本發明，在分離期間分離之控制係可能的以便最佳化分離程序，即，以一儘可能無損害且有效的方式實行分離。
在根據本發明之一第一實施例中，裝置較佳經設計為一掃描裝置。一掃描裝置被理解為意謂根據本發明之一裝置，其中發生由基板堆疊形成之一X-Y平面中相對於光學系統(尤其相對於經引導在一Z方向上垂直於基板堆疊之雷射光束)之一相對移動。在此情況中，雷射可藉由連續(尤其全區域)掃描而輻射基板之整個接合層。至少一個偵測器較佳相對於光學系統靜態地固定。
在根據本發明之一第二實施例中，雷射光束由裝置發出，該裝置尤其藉由憑藉一透鏡系統使自雷射發出之雷射光束變寬而輻射基板堆疊遍及整個區域。雷射光束(尤其其等功率)之量測較佳藉由一偵測器陣列進行，該偵測器陣列量測依據位置而變化之經透射及/或經反射雷射輻射。替代地，發生至少一個偵測器相對於靜態基板堆疊之一相對移動以便以一位置相依方式量測經透射及/或經反射雷射輻射。
可經連續地遞送至基板之量測為發光功率(尤其輻射功率)之雷射之功率尤其相當於至少5 W，較佳多於10 W，仍更較佳多於15 W，最較佳多於17 W，其中最大偏好多於30 W。
雷射之較佳波長範圍介於100 nm與10,000 nm之間，較佳介於250 nm與1100 nm之間，仍更較佳介於270 nm與430 nm之間，最較佳介於280 nm與380 nm之間，其中最大偏好介於305 nm與380 nm之間。
在一特定較佳實施例中，雷射之波長可藉由頻率轉換器(尤其聲光調變器(尤其布拉格盒(Bragg cell)))調整及濾波。
在裝置之一進一步較佳實施例中，雷射光束含有來自1064 nm、420 nm、380 nm、343 nm、318 nm、308 nm、280 nm之集之至少一個波長。
使用具有至少兩個波長之雷射光束尤其有利，以便尤其在接合層中以一組合方式實行光化學及光熱程序。
在裝置之一尤其較佳實施例中，輻射源係一二極體雷射。
每一基板之雷射輻射之總能量經設定尤其介於0.01 mJ與5000 kJ之間，較佳介於0.1 mJ與4000 kJ之間，尤其較佳介於100 mJ與2000 kJ之間。
可在一連續模式中或以一脈衝方式操作雷射光束。脈衝頻率尤其介於0.1 Hz與300 MHz之間，較佳介於100 Hz與500 kHz之間，尤其較佳介於10 kHz與400 kHz之間，非常尤其較佳介於100 kHz與300 kHz之間。
每一基板堆疊之脈衝之數目(其取決於所需總能量)較佳相當於多於1百萬個脈衝，較佳多於3百萬個脈衝，尤其較佳多於5百萬個脈衝，非常尤其較佳6百萬個脈衝。
每一輻射脈衝照射基板堆疊之能量經設定尤其介於0.1 nJ與1 J之間，較佳介於1 nJ與900 μJ之間，尤其較佳介於10 nJ與500 μJ之間。
每一脈衝之輻射區域尤其介於1 μm2 與100000 μm2 之間，較佳介於10000 μm2 與50000 μm2 之間，尤其較佳介於1000 μm2 與40000 μm2 之間，非常尤其較佳介於2500 μm2 與26000 μm2 之間。
對於熟習此項技術者，輻射區域之同義字為點大小、光束點(雷射點大小)。
輻射區域之形狀尤其係圓形，在其他較佳實施例中為橢圓形，在尤其較佳實施例中為矩形。
在以下正文中且在圖中描述且表示根據本發明之第一實施例。
在公開案之後續正文中，一光學系統被理解為意謂在其之幫助下建構根據本發明之裝置或用於實行根據本發明之程序之全部光學系統之集。根據本發明，尤其選擇以下各者之一或多者作為光學元件： •鏡，尤其平面鏡、凸面鏡或凹面鏡， •透鏡，尤其 ○凸透鏡，尤其雙凸、平面凸或凹凸， ○凹透鏡，尤其雙凹、平面凹或凸凹， ○菲涅爾(Fresnel)透鏡， •稜鏡， •繞射元件，尤其繞射光柵， •望遠鏡。
望遠鏡被理解為意謂光學系統，運用該等光學系統，可使用至少兩個光學組件改變雷射光束之直徑及/或聚焦。
光學組件可包括簡單透鏡及/或校正透鏡(諸如消色差透鏡及/或複消色差透鏡)以及包括尤其可相對於彼此調整之複數個透鏡之透鏡群組。
基板可具有任何形狀，但較佳係圓形。基板之直徑尤其經工業標準化。針對晶圓，標準工業直徑係1吋、2吋、3吋、4吋、5吋、6吋、8吋、12吋及18吋。然而，原則上，根據本發明之實施例可處置任何基板而不考量其直徑。基板尤其經構成為對雷射透明。較佳至少一個，更較佳兩個基板係玻璃基板。
在一進一步實施例中，基板堆疊包括對於雷射輻射透明之一載體基板，一不透明(尤其部分金屬化)之反射產品基板及暫時接合層。在此情況中，載體基板首先由雷射光束穿透。
在一進一步實施例中，基板堆疊可固定於基板固持器上，使得非載體基板，而係產品基板首先被雷射光束穿透。
關於所使用之雷射，針對根據本發明之一基板或根據本發明之一基板堆疊，至少穿過載體基板至結合層中之光學路徑中之透射率較佳大於5%，更較佳大於25%，仍更較佳大於50%，仍更較佳大於75%，其中最大偏好大於90%。
望遠鏡尤其係可非常快速地切換之望遠鏡，其中可尤其非常快速地改變其等焦點。用於在兩個焦點之間切換之切換頻率尤其大於1 Hz，較佳大於10 Hz，仍更較佳大於100 Hz，最較佳大於1000 Hz，其中最大偏好大於10000 Hz。
在其內可改變焦點之長度尤其大於0.1 mm，較佳大於1 mm，仍更較佳大於5 mm，最較佳大於10 mm，其中最大偏好大於20 mm。
根據本發明之實施例可包括複數個望遠鏡，尤其多於1個望遠鏡，較佳多於2個望遠鏡，仍更較佳多於3個望遠鏡，最較佳多於4個望遠鏡，其中最大偏好多於5個望遠鏡。望遠鏡尤其用於光束形狀及因此消融區域或輻射區域之動態放大/縮小。
焦點之調適允許對應於可存在之基板堆疊之任何曲率之焦深範圍之正確定位。特定言之，尤其在產品基板已背面薄化或以其他方式處理之後，暫時接合之基板堆疊可展現極端應力，其導致整個基板堆疊之一不可忽視的曲率。若基板堆疊彎曲，則使用其使基板結合在一起之接合層亦彎曲。當根據本發明進行沿著接合層之全部點之掃描時，根據本發明調適依據位置而變化之焦深範圍以便獲得一最佳剝離結果。
光束可由任意數目個光學元件及光學元件之組合形成。光束形狀係當雷射光束與一平面相交時出現之幾何橫截面輪廓。特定言之，光束與接合層之幾何橫截面輪廓與消融區域/輻射區域相同。可想到的光束形狀係： •線形 •矩形，尤其 ○正方形 •六邊形 •三角形 •橢圓形，尤其圓形 •任何其他形狀，尤其藉由一光圈。
強度輪廓(即，沿著通過光束形狀之一方向之強度之進程)可藉由光學元件任意設定。較佳強度輪廓係 •高斯(Gaussian)輪廓 •矩形輪廓 •三角形輪廓 •橢圓形輪廓，尤其圓形輪廓
光束形狀及強度輪廓之設定選項尤其用於最佳化均質性。藉由實例引用以下理想實例。具有1 μm邊長之一矩形光束形狀及一完美矩形強度輪廓之一雷射光束將產生一完全均質輻射，其中在x及y方向上依1 μm之一步長大小完全掃描區域。由於產生具有一完美正方形光束形狀及一完美矩形輻射輪廓之一雷射光束係不可能的，故藉由疊加其他光束形狀及/或其他強度輪廓而近似表示經輻射區域之均質性。
光束形狀定義消融區域/輻射區域。
在亦稱為一消融點之一小區域之極限情況中，消融區域係雷射光束之橫截面區域，其中接合層之部分被雷射光束損壞及/或尤其不可逆地改變。消融區域之形狀及/或大小尤其對此區域中之雷射之功率密度具有一直接影響且因此可用於以一標定方式控制消融。
消融區域之大小可尤其藉由光學元件(較佳藉由望遠鏡)設定。亦可想到基板堆疊與光學系統之間之一相對位移，只要經引導至基板堆疊上之雷射未平行化(即，會聚或發散)。特定言之，一第二望遠鏡可用於消融區域之一仿射變換(尤其縮放)。由於能夠設定消融區域之大小及形狀，故剝離程序可尤其應用於基板堆疊之材料(尤其介面層之材料)。
在根據本發明之一特定實施例中，光束形狀及/或強度輪廓可經遠端控制，尤其自動調整及控制，在另一實施例中經調節(尤其亦在剝離程序期間)。光束形狀及/或強度輪廓之改變尤其改變消融點或消融區域中之雷射功率密度。
根據本發明之裝置較佳包括一雷射光束形狀感測器(雷射光束輪廓儀)，在該雷射光束形狀感測器之幫助下，可尤其原地(即，在根據本發明之剝離程序期間)調查雷射光束。雷射光束形狀感測器之典型實施例係相機，其等偵測雷射光束輪廓。可使用感測器定量地量測雷射光束之均質性。在根據本發明之一第一實施例中，雷射光束形狀感測器定位於樣品固持器外部。雷射光束之一部分由光學元件去耦且重新引導至雷射光束形狀感測器。在根據本發明之一進一步實施例中，一雷射光束形狀感測器併入樣品固持器中，尤其(較佳齊平)嵌入樣品固持器之固持表面中。
根據本發明之裝置較佳包括一雷射光束能量感測器，在該雷射光束能量感測器之幫助下，可尤其原地(即，在根據本發明之剝離程序期間)調查雷射光束之能量。
雷射光束能量感測器可構成為雷射功率感測器。在根據本發明之一第一實施例中，雷射光束能量感測器定位於樣品固持器外部。雷射光束之一部分由光學元件去耦且重新引導至雷射光束能量感測器。在根據本發明之一進一步實施例中，一雷射光束能量感測器併入樣品固持器中，尤其(較佳齊平)嵌入樣品固持器之固持表面中。
在根據本發明之一實施例中，一雷射光束形狀感測器及/或一雷射光束能量感測器經定位使得雷射光束之一部分由光學元件去耦且在其可穿透至基板堆疊中之前經重新引導。由於此設計，根據本發明可在雷射光束穿透或轟擊基板堆疊之前分析該雷射光束。量測尤其用作一參考值或若干參考值。
此外，一第二雷射光束形狀感測器及/或雷射光束能量感測器可併入基板堆疊下方，尤其樣品固持器中。在此情況中，分析經透射信號。
在根據本發明之一進一步實施例中，一第二雷射光束形狀感測器及/或雷射光束能量感測器定位於基板堆疊上方，以便量測由基板堆疊，尤其由產品基板之接合層及/或金屬化層反射之輻射。在此情況中，分析經反射信號。
亦可想到雷射光束形狀感測器及雷射光束能量感測器併入一裝置中。
雷射光束形狀感測器及雷射光束能量感測器亦由通用術語雷射光束感測器表示。
各雷射光束感測器可尤其將其資料中繼至一控制系統，使得進行雷射光束性質之原地分析。雷射光束性質之分析之結果可接著用於雷射光束之一調適。一控制迴路尤其由雷射光束及雷射光束感測器形成。分析及控制尤其藉由硬體及/或韌體及/或軟體進行。
一或多個凹槽定位於基板固持器中或下方，光敏裝置定位於該一或多個凹槽中。根據本發明，自以下裝置之一或多者選擇光敏裝置： •光敏感測器，且尤其光電二極體， •焦電感測器， •熱感測器，尤其熱電偶或熱電堆 •相機，尤其CCD相機或CMOS相機
根據本發明之裝置尤其允許一或多個下述點之判定： •基板之透射率及/或老化， •穿過暫時接合層之透射率： ○理想地，在個別轟擊中，無或僅非常少的透射率(T)穿過暫時接合層發生(T＜0.01%)，以便確保功能基板(裝置晶圓)之完整性。 ○超過99.9%的雷射輻射較佳在暫時接合層中吸收。 ○使用待分離基板堆疊之相同點上之重複雷射脈衝，可量測暫時接合層回應於劑量之時間改變。至少藉由與Williams-Landel-Ferry方程式或與另一時間-溫度疊加方法之類比，可自時間行為得出關於暫時接合層之熱行為之結論。 ○此外，在已知統計演算法之幫助下自一個點上之重複脈衝之數目判定對於保護產品基板之一最佳化劑量之所需劑量。 ○不同厚度展現不同透射率，可使用其根據Lambert-Beer定律確定消光係數。 ○允許在晶圓空白量測之參考量測中判定碳化，其中最佳程序參數防止可產生至產品基板中之非所要熱輸入之碳化。 •接合層之黏著劑或其他材料與雷射之相互作用，前提是雷射功率可經量測且經表示(經時間解析(時間解析度1 ns或更佳)) •使用雷射寫入場中之一個或鄰近位置上之多次曝露量測動力學及均質性。
根據根據本發明之一改良，裝置包括一邊緣清潔模組。邊緣清潔模組用於移除已用於基板之暫時結合之過量材料(例如，結合劑)。尤其歸因於接合程序，接合層之過量材料可非常接近基板邊緣或在基板邊緣上方被壓出且弄髒外邊緣區域。
較佳在開始分離基板之前移除材料。
在根據本發明之剝離方法之根據本發明之一獨立使用中，唯一地在基板堆疊之一邊緣區處使用雷射輻射以便將特殊區-接合基板堆疊彼此分離，如其等尤其在公開案US2009/0218560 A1中被提及。
特定言之，亦可使用根據本發明之實施例，使得不實行完全剝離，而係黏著性質在若干點處保持完整。因此，此防止基板會完全瓦解且立即變得彼此分離。因此，仍可運送基板堆疊，但亦可藉由最小用力分離基板。
在根據本發明之剝離方法及根據本發明之剝離裝置之根據本發明之一進一步獨立使用中，可以一局部受限方式弱化暫時接合層，使得黏著性質尤其在邊緣區域中保持完整至使得基板堆疊可在一後續時間點尤其機械分離之一程度。
在根據本發明之一進一步獨立使用中，當欲實行一對應邊緣層移除時量測尤其邊緣區域中之透射性質。特定言之，暫時接合之基板具有一暫時接合層，該暫時接合層在離心塗佈程序中聚集在邊緣處且形成一邊緣珠。根據本發明，此邊緣珠較厚，尤其亦較密集。藉由其中出現邊緣珠之區域之發明性量測，可確定其有效移除之確切參數。
方法之此獨立使用被稱為黏合基板之剝離。
根據本發明之方法之基本理念在於一量測程序(尤其一掃描量測程序)，其中可尤其同時實行一雷射剝離程序。
在根據本發明之全部方法中，可重複地進行介面或接合層之輻射。為了此目的，重複地實行掃描程序，使得基板堆疊之消融區域由雷射重複地輻射。因此，遍及消融區域之輻射遍次之數目尤其大於1，較佳大於2，仍更較佳大於5，最較佳大於10，其中最大偏好大於15。
取決於雷射點大小及形狀，可使用高達1千萬個脈衝轟擊基板堆疊用於剝離。可自基板面積、雷射點大小及與整體基板相關之脈衝之數目判定一消融區域之脈衝之值。
多個輻射可尤其使用不同雷射參數重複地發生。根據本發明，因此可達成一更佳均質化及每一遍次之輻射負載之一減少。一較小輻射負載保護定位於產品基板上之組件。產品基板接著亦經受較小程度之熱負載。
對於改良均質性之一進一步可能性可藉由雷射光束源偏移達消融區域之一大小參數之一分率發生。偏移尤其小於消融區域之大小參數之10倍，較佳小於消融區域之大小參數之5倍，仍更較佳小於消融區域之大小參數之1倍，最較佳小於消融區域之大小參數之0.05倍，其中最大偏好小於消融區域之大小參數之0.01倍。若雷射光束具有一圓形消融區域，則大小參數對應於(例如)直徑。
換言之，消融區域之重疊由雷射光束之源之偏移產生，使得雷射光束之不均質性藉由多次輻射平均化。多次輻射可被理解為消融區域上之能量劑量之一整合或一添加。
根據本發明之一第一方法包括判定至少兩個基板自一基板堆疊之最佳剝離之最佳雷射參數。然而，亦可想到僅待調查之一個基板之雷射參數。在此情況中，僅一個基板而非一基板堆疊固定於基板固持器上。此外，可想到在無一插置暫時接合層及/或一插置釋放層的情況下調查兩個基板。特定言之，可因此確定基板堆疊之透射率。使用已知基板堆疊性質，可自相同量測計算暫時接合層之性質。
亦可想到在不同區域中使用不同材料厚度之相同暫時接合黏著劑塗佈一基板或一基板堆疊，使得可在一基板上實行用於判定層之性質之量測系列。此外，可在一基板上使用不同暫時接合黏著劑及/或不同材料厚度。此實現暫時接合黏著劑或若干暫時接合黏著劑之一快速特性化或最佳化。
最佳剝離被理解為一分離程序，其中基板之一完全分離在最小時間內發生，而不損壞或損害基板(尤其基板上之組件)。此由參數經選擇使得產品基板最小可能程度被輻射之事實確保。為了確定此等最佳雷射參數，根據本發明在一電腦(較佳軟體)中形成且儲存尤其呈一清單或矩陣之形式之數個雷射參數。將可想到將一雷射參數(例如，雷射功率)以10之一步長(自10瓦特至1000瓦特)儲存於一清單中。根據本發明，接著使用掃描器接近十個位置且使用對應於經儲存之十個值之一者之一雷射功率輻射介面。藉由經反射及/或經透射雷射功率之發明性同時量測，接著可得出關於發生介面之最佳破壞及因此最佳剝離程序之雷射功率之結論。一清單之使用表示在一參數之基礎上之根據本發明之程序之一最佳化。若必須變動複數個參數，則此等參數必須儲存於一n維清單中。n維清單亦可稱為一矩陣。接著，尤其藉由數學最佳化程序獲得最佳參數組合。熟習此項技術者已知測試計畫之方法，使得用於最佳化之計算指令未經詳細指定作為根據本發明之方法之部分。可根據本發明調查之可想到雷射參數係以下各者之一或多者： •雷射功率 •曝露時間 •X-Y重疊 •光束形狀 •脈衝形狀 •經重複曝露 •波長
根據本發明之一進一步第二方法允許原地均質化量化。此被理解為意謂在剝離程序期間獲得關於(尤其在基板之間之介面中之不同點處)剝離之品質之資訊。當將雷射聚焦於介面上以便(尤其局部)實行剝離程序時，同時量測經反射及/或經透射輻射。自此判定在對應點處之剝離之品質。若未完全實行剝離，則可再次或在一後續時間曝露該點以便完全實行剝離。根據本發明，特定言之，剝離(分離程序)之品質及/或均質性不在雷射轟擊之後，而在雷射轟擊期間發生。
根據本發明之前述方法尤其良好適用於以下暫時接合材料之一或多者： •HD 3007 (單層) • Brewer Science雙層：UV活性層(釋放層) •Brewer 701 •Brewer Bond 305 •Brewer Bond 220 •JSR雷射剝離材料雙層(UV活性層+暫時接合層) • Shin Etsu有機平坦化層+暫時接合層 •3M雙層 • Fujifilm雙層 •可進一步光化學激發之暫時接合黏著劑 •可進一步光熱激發之暫時接合黏著劑 •聚醯亞胺
根據本發明之一第一方法包含以下步驟之一或多者： -自我校準輻射源及量測儀器。為了此目的，在無基板或基板堆疊之情況下實行裝置之一空白量測。在感測器處偵測雷射源在氛圍中之強度及均質性。自我校準用於記錄全部程序相關參數(包含實驗室條件，諸如溫度、相對空氣濕度、浮動顆粒數目)之一當前實際狀態。 -處理且儲存量測值。 -彼此上下放置之一未接合基板堆疊裝載至裝置中。 -視情況，可將彼此上下放置之一未接合基板堆疊及用於膜固定件之膜裝載至裝置中。 -視情況，可在使用或不使用膜固定件之情況下將彼此上下放置為一基板堆疊之玻璃基板(尤其透明玻璃基板)裝載至裝置中。 -視情況，可在不使用膜固定件之情況下將構成一基板堆疊之一玻璃基板裝載至裝置中且進行量測。接著，可使用膜固定件將一進一步(尤其相同)玻璃基板裝載至裝置中且進行量測。因此，可針對一參考量測在不接觸基板之情況下判定一基板堆疊之玻璃基板之吸收率及透射率。 -使用一未接合基板堆疊進行校準量測。在不使用暫時接合黏著劑之情況下量測基板堆疊之透射率。 -處理且儲存量測值。特定言之，可計算基板堆疊之吸收率。 -自裝置卸載未接合基板。 -以最佳化方式調適雷射參數。調適係基於經驗值及/或經計算參數，其等作為參數集儲存於一知識記憶體中之控制件中。 -將一尤其暫時接合之基板堆疊裝載至裝置中。 -視情況，可在使用或不使用膜固定件(不具有透射率)之情況下將包括具有已知及經量測透射率之一玻璃基板、具有已知厚度之一暫時接合黏著劑及具有一已知及經量測透射率之一進一步玻璃基板之一暫時接合之基板堆疊裝載至裝置中。 -一原地量測與剝離並行進行。 -視情況，可進行一原地量測以判定暫時接合黏著劑之透射率，其用於判定(尤其最佳化)參數。 -卸載經分離基板堆疊。 -處理且儲存經量測值。 -再次最佳化雷射參數。
可實行量測系列以形成參數之變動之知識記憶體。參數之變動尤其包含以下各者之變動： -載體基板材料， -載體基板塗層， -載體基板預處理，尤其電漿處理， -載體基板厚度， -固定膜材料， -固定膜厚度， -固定膜塗層， -暫時接合黏著劑之材料， -暫時接合黏著劑之厚度， -暫時接合黏著劑之濾波器材料， -暫時接合黏著劑之釋放層厚度， -暫時接合黏著劑之施覆方法，諸如噴射、旋塗、澆鑄、塗刷。
具有全部變動之全部已知輸入變數以及全部量測結果可儲存於程序之知識記憶體中，使得一快速最佳化可使用熟習此項技術者已知之方法進行。
特定言之，一劑量可藉由一量測系列判定，該劑量在剝離程序期間照射產品基板。因此，可調適暫時接合黏著劑之雷射功率及/或層厚度及/或雷射光束之點大小以便防止對產品基板之損害。
用於產品基板之一劑量判定之個別量測包含： -一第一基板(尤其一玻璃基板，較佳由玻璃製成之一載體基板)之一透射量測。自其判定載體基板之透射率及/或吸收率。 -使用或不使用一固定膜之一第二基板(尤其一玻璃基板)之一透射量測。自其判定第二基板之透射率及/或吸收率。 -包括一第一經量測玻璃基板或具有相同規格之玻璃基板以及具有已知厚度及進一步參數及先前歷史(諸如施覆方法、電荷)之一暫時接合黏著劑以及具有已知參數之一第二玻璃基板以及視情況具有已知參數之一固定膜之一基板堆疊之一透射量測。
可自此等透射量測判定暫時接合黏著劑之吸收率及/或透射率。
若在基板堆疊中之一產品基板上替換一基板(尤其第二基板)，其中其他基板及參數較佳保持非常類似(較佳相同)，則可計算將照射產品基板之劑量。若所得劑量小於損害產品基板之劑量，則可評估計算。若所得劑量將損害產品基板，則可在計算之基礎上調適參數以便能夠有效地且無損害地分離基板堆疊。
特定言之，若輸出變數分散及/或被改變，則可在知識記憶體之幫助下設定最佳剝離參數。因此，特定言之，雷射源之老化或暫時接合黏著劑之厚度變動或暫時接合黏著劑之老化可藉由經對應輸出且回饋之資訊及/或經改變參數識別及補償。
待在固定膜上分離之基板堆疊之透射率之判定假定在暫時接合黏著劑中，雷射功率被吸收超過50%，較佳超過75%，尤其較佳超過95%，非常尤其較佳超過99%，在最佳情況中超過99.9%，在理想情況中超過99.99%。
根據本發明之全部所提及實施例及程序可彼此任意組合，但個別地描述。就描述方法特徵而言，方法特徵亦被視為被揭示為裝置特徵且反之亦然。
圖1a展示根據本發明之用於藉由憑藉自處於透射模式中之一光學系統26發出之雷射光束16轟擊一暫時接合之基板堆疊23之一結合層25而分離基板堆疊23之一裝置1。裝置1包括一基底2與一支架3及光學系統26。光學系統26包括複數個組件，尤其光學元件。基底2及支架3可相對於彼此固定且經固定地連接。結合層25亦被稱為接合層25且尤其構成一暫時接合層。
光學元件較佳經容納於一外殼4中。裝置1包括一雷射5。由雷射5產生之一雷射光束16 (或複數個雷射光束16)藉由一布魯斯特窗(Brewster window) 20去耦且藉由光學元件(尤其鏡7)耦合至一光學系統26中。至少一個望遠鏡9及/或一雷射光束塑形單元21及/或至少一個光圈10及/或一動態聚焦單元13及/或用於分離及/或偏轉雷射光束16之半透明鏡7'及/或一光學位置感測器(尤其一PSD 14)及/或一自動聚焦單元19，及尤其可動態控制之偏轉單元29及/或具有透鏡8之一平場透鏡單元15較佳沿著雷射光束16覆蓋之路徑定位。
雷射5與可控制偏轉單元29之耦合由一線18表示。量測及控制儀器連接至一控制電腦(未表示)。
在由偏轉單元29偏轉之雷射光束16之一第一位置中，雷射光束16之至少一部分由一鏡7偏轉成一去耦雷射光束16r且因此自保留在基板堆疊之方向上之光束路徑16'去耦。去耦雷射光束16r經中繼至一雷射光束形狀感測器11及/或一雷射光束能量感測器17。因此，在雷射光束16之剩餘非去耦部分到達基板堆疊23之前量測去耦雷射光束16r。使用去耦雷射光束16r來判定一參考值或若干參考值。雷射光束16之剩餘部分可到達接合層25且至少部分分離基板堆疊23。
在根據本發明之各裝置1、1'中，可藉由在一視覺範圍12中之一攝影機6調查及量測基板表面24o及/或接合層25。特定言之，攝影機6係一紅外攝影機。若基板24對於可見光透明，則其較佳係對可見波長區域靈敏之一攝影機。
特定言之，基板固持器22可在x及/或y及/或z方向上移動。特定言之，在z方向上之移動可用於改變焦深之位置及/或可用於裝置之一裝載及/或卸載序列。較佳藉由雷射光束之聚焦之一調適而改變焦深。特定言之，裝載及/或卸載亦可在併入基板固持器中之裝載銷之幫助下進行。
根據根據本發明之一第一實施例，基板堆疊23經運送至雷射光束16'之一焦平面中且經固定(尤其夾箝)以用於剝離程序，使得基板堆疊23佔用基板固持器22上之一經定義位置且不改變該位置。
基板堆疊23較佳在一載體上被帶入根據本發明之裝置中。在此情況中，載體較佳連接至基板堆疊23之產品基板。
在一非常特定之程序中，基板堆疊23固定於一膜(膠帶)上，該膜在一框架上方伸展。基板堆疊23經由產品基板連接至膜。因此，可容易地運送基板堆疊23。由於使用此固定件，通常相對薄產品基板在載體基板之移除之後保留在膜上且可經移除而無來自根據本發明之安裝之問題。
亦可想到基板堆疊23在無一載體之情況下由根據本發明之裝置處理。然而，在此情況中，產品基板應具有一足夠厚度(剛性)以便在尺寸上充分穩定。
根據一實施例，在不使用載體之情況下，基板固持器經設計尤其使得在自基板堆疊移除載體基板之後，該基板固持器可使產品基板充分固定且穩定。在根據本發明之一裝置之此一實施例中，尤其藉由用於產品基板之經調適固定元件防止產品基板在剝離之後捲起。特定言之，可有必要使因此固定之產品基板在其自基板固持器移除之前藉由一載體交換(載體反轉(flip flop))固定於另一載體上。
藉由憑藉掃描移動尤其掃描一主要部分(較佳整個接合層25)而發生使用雷射光束16'轟擊基板堆疊23。尤其藉由偏轉單元29實行掃描移動作為雷射光束16'與基板堆疊23之間之一相對移動。
作為此之一替代例(或補充)，可藉由一望遠鏡9改變焦深之位置。
在一進一步實施例中，掃描可藉由一相對移動(尤其基板固持器22相對於光學系統26之一主動移動)進行。
雷射光束16'之掃描移動可包括上文描述之不同軌跡及/或路徑，目標在於(至少主要，較佳完全)轟擊基板堆疊23，尤其結合層25,但同時儘可能少地引起對其之損害。
無論雷射光束16'及/或基板堆疊23及/或基板固持器22何者執行掃描與掃描移動無關，使得以下實施例被揭示為根據本發明： -雷射光束16'固定且基板堆疊23移動，或 -基板堆疊23固定且雷射光束16'移動，或 -雷射光束16'移動且基板堆疊23移動。
一固定雷射光束16' (或固定雷射光束群組)及一固定基板堆疊作為一一次性(即，全區域)掃描而在轟擊期間不移動亦被揭示為根據本發明。
在根據本發明之裝置1、1'之一實施例中，雷射光束感測器30可定位於基板旁於未由基板堆疊23遮蔽之暫時接合黏著劑之平面中。未描繪此實施例。
在根據本發明之裝置1、1'之一替代實施例中，如以圖形表示，雷射光束感測器30可尤其構成基板固持器22之一部分區域，其中定位可(較佳)同心或非同心發生。
尤其平行於及/或對準於基板表面24o配置之雷射光束感測器30之一感測器區域可佔用基板載體22之整個區域之多於0.001%，較佳多於0.005%，尤其較佳多於0.01%，仍更較佳多於0.05%，最較佳多於0.1%。
在根據本發明之裝置1、1'之一(未表示)第三實施例中，多於1個，較佳多於2個，尤其較佳多於5個雷射光束感測器30可併入基板固持器22中，尤其分佈於基板表面24o處。基板固持器之整個區域相對於感測器區域之縮放可不同於第二實施例。
在根據本發明之裝置1、1'之一(未表示)第四實施例中，至少一個雷射光束感測器30可構成一表面區域感測器，使得在剝離期間，可(尤其原地)量測多於50%之基板堆疊區域，較佳多於60%之基板堆疊區域，尤其較佳多於80%之基板堆疊區域，非常尤其較佳多於99%之基板堆疊區域。
圖1b展示根據圖1a之實施例之一發明裝置1之一細節。偏轉單元29已將雷射光束16'偏轉至一進一步光束位置中。雷射光束16'在此光束位置中穿過基板堆疊23照射至雷射光束感測器30上。在處於/穿過基板堆疊23 (尤其接合層25)之反射及/或透射之後之雷射光束16'之剩餘部分之量測尤其藉由雷射光束感測器30進行，該雷射光束感測器30作為一雷射光束能量感測器17且亦作為一雷射光束形狀感測器11兩者且亦作為適用於量測雷射光束之能量以及雷射光束之形狀之一整合感測器。因此，根據本發明之此裝置1係用於透射量測之一裝置1。
圖1c展示如圖1a中描述之根據本發明之一裝置1之一部分。偏轉單元29已將雷射光束16'偏轉至一進一步表示之光束位置中。雷射光束16'穿過基板堆疊23照射基板固持器22。因此，接合層25之全區域掃描係可行的。
圖2展示在反射模式中(即，作為一透射量測之代替或補充，使用一反射量測)之根據本發明之一裝置1'。與裝置1相比，一雷射光束形狀感測器(未展示)及/或一雷射光束能量感測器(未展示)定位於基板堆疊23上方且量測由接合層25反射之輻射。
在根據本發明之各裝置1、1'中，可藉由具有一視覺範圍12之一攝影機6調查及量測基板表面24o及/或接合層25。特定言之，攝影機6係一紅外攝影機，較佳可同時偵測IR及可見光之一攝影機。攝影機6與基板堆疊23之透明度且亦與經採用雷射輻射匹配，使得可使用光學手段觀察釋放程序。
特定言之，基板固持器22可在x及/或y及/或z方向上移動。特定言之，在z方向上之移動可用於改變焦深之位置及/或用於裝置之裝載及/或卸載序列。
在根據本發明之一第一實施例中，基板堆疊23經運送至雷射光束16'之一焦平面中且經夾箝以用於剝離程序，使得基板堆疊23佔用基板固持器22上之一位置且不改變該位置。尤其藉由偏轉單元29將掃描移動作實行為雷射光束16與基板堆疊之間之一相對移動。
作為此之一替代例(或一補充)，可藉由一望遠鏡9改變焦深之位置。基板固持器22相對於光學系統26之相對移動(尤其主動移動)允許整個接合層25之掃描。
作為此之一替代例(或補充)，可藉由一望遠鏡9改變焦深之位置。
在一進一步實施例中，基板固持器22相對於光學系統26之一相對移動(尤其主動移動)可達成整個接合層25之掃描。
在根據本發明之裝置1、1'之一(未表示)實施例中，裝置1、1'可包括用於反射量測之一雷射光束感測器30但無用於透射量測之雷射光束感測器30。當利用一不透明產品基板時可使用此裝置1、1'。
在圖2之表示中，在根據本發明之裝置1、1'中，同時展示雷射光束16之三個專屬光束路徑，其中表示兩個邊緣光束及一中心光束。在根據本發明之一第一實施例中，此僅用於繪示一個別雷射光束16之邊緣位置，其可同時處理基板上之一點。
在根據本發明之裝置1、1'之一進一步(未表示)實施例中，可藉由雷射光束16及偏轉單元29之適合調適(光束分離器、複數個雷射源)來同時並行(尤其大量並行)使用複數個雷射光束以用於剝離。
圖3展示包括兩個基板24及一接合層25之一基板堆疊23之一放大橫截面表示。在各自x-y位置處之聚焦雷射光束16具有在z方向上之一有限焦深範圍28。基板堆疊23具有具一曲率半徑27之一輕微曲率。為了能夠在接合層25上之各x-y位置處精確地對準焦深範圍28，焦深範圍28之z位置較佳地可調整。調整藉由光學元件之至少一者，較佳藉由定位於雷射光束16之光束路徑中之望遠鏡9之至少一者進行。圖3藉由實例將望遠鏡9之一者展示為一上游光學元件。特定言之，在z方向上之焦深範圍28薄於基板堆疊23。焦深範圍較佳小於黏著劑之層厚度，尤其較佳小於黏著劑之厚度之0.5倍。
1‧‧‧裝置
1'‧‧‧裝置
2‧‧‧基底
3‧‧‧支架
4‧‧‧外殼
5‧‧‧雷射
6‧‧‧攝影機
7‧‧‧鏡
7'‧‧‧半透明鏡/部分透明鏡
8‧‧‧透鏡
9‧‧‧望遠鏡
10‧‧‧光圈
11‧‧‧雷射光束形狀感測器
12‧‧‧視覺範圍
13‧‧‧動態聚焦單元
14‧‧‧位置敏感裝置(PSD)
15‧‧‧平場透鏡單元(平場單元)
16‧‧‧雷射光束
16'‧‧‧雷射光束
16r‧‧‧去耦雷射光束
17‧‧‧雷射光束能量感測器
18‧‧‧線
19‧‧‧自動聚焦單元
20‧‧‧布魯斯特窗
21‧‧‧雷射光束塑形單元
22‧‧‧基板固持器
23‧‧‧基板堆疊
24‧‧‧基板
24o‧‧‧基板表面
25‧‧‧結合層/接合層
26‧‧‧光學系統
27‧‧‧曲率半徑
28‧‧‧焦深範圍
29‧‧‧偏轉單元
30‧‧‧雷射光束感測器
自實施例之較佳實例之以下描述且在圖式之幫助下出現本發明之進一步優點、特徵及細節。在圖中： 圖1a展示在一第一掃描器位置中之根據本發明之一裝置之一第一實施例， 圖1b展示在一第二掃描器位置中之根據圖1a之第一實施例， 圖1c展示在一第三掃描器位置中之根據圖1a之第一實施例， 圖2展示根據本發明之裝置之一第二實施例， 圖3展示根據本發明之裝置之一放大部分視圖。
相同組件或具有相同功能之組件在圖中由相同元件符號表示。

Claims (9)

  1. 一種用於藉由憑藉由一雷射(5)發出之雷射光束(16、16')轟擊一暫時接合之基板堆疊(23)之一結合層(25)而分離該基板堆疊(23)之方法，其特徵在於在使用該等雷射光束(16、16')轟擊該結合層(25)期間偵測在該暫時接合之基板堆疊(23)處反射及/或透射之該雷射(5)之雷射光束(16、16'、16r)。
  2. 如請求項1之方法，其中在使用該等雷射光束(16、16')在該暫時接合之基板堆疊(23)或一參考基板堆疊處轟擊該結合層(25)之前偵測該雷射(5)之經反射及/或經透射雷射光束(16、16'、16r)。
  3. 如前述請求項中任一項之方法，其中藉由該等經偵測雷射光束(16、16'、16r)控制該等雷射光束(16、16')之一光束形狀及/或一強度輪廓。
  4. 如請求項1或2之方法，其中該結合層(25)之該轟擊使用該等雷射光束(16、16')以一掃描方式進行。
  5. 如請求項1或2之方法，其中評估且使用該等經偵測雷射光束(16、16'、16r)以控制程序。
  6. 一種用於分離一暫時接合之基板堆疊(23)之裝置，其包括： 構件，其用於藉由由一雷射(5)發出之雷射光束(16、16')轟擊一基板堆疊(23)之一結合層(25)， 偵測構件，其用於偵測在該暫時接合之基板堆疊(23)及/或一參考基板堆疊處反射及/或透射之該雷射(5)之雷射光束(16、16'、16r)。
  7. 如請求項6之裝置，其中用於偵測在該暫時接合之基板堆疊(23)及/或一參考基板堆疊處反射及/或透射之該雷射(5)之雷射光束(16、16'、16r)之偵測構件在使用該等雷射光束(16、16')轟擊該結合層(25)之前可被偵測。
  8. 如請求項6或7之裝置，其包括用於藉由該等經偵測雷射光束(16、16'、16r)控制該等雷射光束(16、16')之光束形狀及/或一強度輪廓之一控制裝置。
  9. 如請求項6或7之裝置，其包括： 一基底(2)， 一支架(3)， 一光學系統(26)，其用於影響該等雷射光束(16、16'、16r)之該光束形狀及/或光束方向，及 一基板固持器(22)，其用於容納且固定該基板堆疊(23)，其中該基板堆疊可相對於該等雷射光束(16、16')移動。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773067B (zh) * 2021-01-04 2022-08-01 財團法人工業技術研究院 雷射光路之調校方法與雷射光路之調校裝置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7339031B2 (ja) * 2019-06-28 2023-09-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US20210078294A1 (en) * 2019-09-16 2021-03-18 Shenzhenshi Yuzhan Precision Technology Co., Ltd. Glass article, methods for manufacturing the same, and laser welding equipemnt
CN111933531B (zh) * 2020-08-11 2023-06-20 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种基于激光键合的立体电路积层制造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US20030224581A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Robert Bosch Gmbh Flip chip packaging process using laser-induced metal bonding technology, system utilizing the method, and device created by the method
JP4439210B2 (ja) * 2002-08-29 2010-03-24 京セラ株式会社 ダミーウエハ
JP4038435B2 (ja) 2002-10-15 2008-01-23 Ｊｕｋｉ株式会社 ダイボンディング装置
WO2009094558A2 (en) 2008-01-24 2009-07-30 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
KR100953686B1 (ko) * 2008-02-18 2010-04-19 에이피시스템 주식회사 레이저 가공장치
JP2011040564A (ja) 2009-08-11 2011-02-24 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法および製造装置
JP2011083795A (ja) 2009-10-15 2011-04-28 Pulstec Industrial Co Ltd レーザ加工装置およびレーザ加工方法
CN102714150B (zh) 2009-12-07 2016-01-20 Ipg微系统有限公司 激光剥离系统及方法
CN102905839B (zh) * 2010-03-30 2016-03-09 Imra美国公司 基于激光的材料加工装置和方法
US9555644B2 (en) 2011-07-14 2017-01-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Non-contact transfer printing
JP5878330B2 (ja) 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
JP2015516672A (ja) * 2012-02-26 2015-06-11 ソレクセル、インコーポレイテッド レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法
JP6007688B2 (ja) 2012-09-11 2016-10-12 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6110136B2 (ja) * 2012-12-28 2017-04-05 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
US20140251533A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 Samsung Display Co., Ltd. Substrate peeling device, method for peeling substrate, and method for fabricating flexible display device
GB2519088B (en) * 2013-10-08 2015-09-16 M Solv Ltd Laser scanning system for laser release
US20160133486A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 International Business Machines Corporation Double Layer Release Temporary Bond and Debond Processes and Systems
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6314082B2 (ja) 2014-12-18 2018-04-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20180022079A1 (en) * 2015-01-14 2018-01-25 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for detaching a substrate from a substrate stack
CN105977194A (zh) 2016-06-30 2016-09-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 纳秒固态激光调制系统及键合晶圆分离的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773067B (zh) * 2021-01-04 2022-08-01 財團法人工業技術研究院 雷射光路之調校方法與雷射光路之調校裝置

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Publication number Publication date
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