TWI766790B

TWI766790B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI766790B
Application number: TW110128697A
Authority: TW
Inventors: 郭家瑋
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-04-01
Filing date: 2021-08-04
Publication date: 2022-06-01
Also published as: TWI786022B; TWI769863B; TW202240976A; TW202240251A; TW202240254A; TW202240252A; TW202305465A; TWI828353B; TWI781725B; TWI773478B; TWI782666B; TWI779757B; TW202240925A; TW202240975A; TW202303233A

Abstract

一種顯示裝置，包括：第一基板、多組超表面結構組、光學層以及顯示模組。多組超表面結構組位於第一基板上。光學層位於超表面結構組上。顯示模組位於超表面結構組上，且包括：第二基板以及多個顯示單元。第二基板具有多個開口。多個顯示單元位於第二基板上，且顯示單元於第二基板的正投影在開口之外。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種能夠提高5G毫米波覆蓋率的顯示裝置。

隨著第五代行動通訊技術（5G）的商業化，遠距醫療、VR直播、4K畫質直播、智慧家庭等等應用都有了新的發展契機。由於5G具有高資料速率、減少延遲、節省能源、降低成本、提高系統容量和大規模裝置連接等效能，不同領域的業者還可進行跨界結盟，共同打造新一代的5G生態鏈。

為了提高5G毫米波的覆蓋率，可以藉由在顯示裝置中設置超表面結構（Meta-surface structure）來延伸電磁波的可傳輸距離。然而，由於超表面結構與顯示裝置中的顯示單元皆具有結構周期性，直接將超表面結構與顯示單元組合於顯示裝置中將產生所謂的疊紋效應（Moire Effect），而且超表面結構對於可見光的反射也會降低顯示裝置的顯示品質。

本發明提供一種顯示裝置，能夠提高5G毫米波的覆蓋率，同時保持良好的顯示品質。

本發明的一個實施例提出一種顯示裝置，包括：第一基板；多組超表面結構組，位於第一基板上；光學層，位於超表面結構組上；以及顯示模組，位於超表面結構組上，其中顯示模組包括：第二基板，具有多個第一開口；以及多個顯示單元，位於第二基板上，且顯示單元於第二基板的正投影在第一開口之外。

在本發明的一實施例中，上述的光學層位於超表面結構組與顯示模組之間。

在本發明的一實施例中，上述的第一基板位於超表面結構組與光學層之間。

在本發明的一實施例中，上述的超表面結構組位於光學層與第一基板之間。

在本發明的一實施例中，上述的超表面結構組包括多個超表面結構，且光學層還位於超表面結構之間。

在本發明的一實施例中，上述的光學層包括毫米波可穿透基材。

在本發明的一實施例中，上述的毫米波可穿透基材具有多個平行凹槽，各凹槽具有側壁，且一部分的側壁塗有可見光吸收材料。

在本發明的一實施例中，上述的側壁與平行於第一基板的表面之間的夾角介於0至60度。

在本發明的一實施例中，上述的光學層還包括復歸反射器，位於毫米波可穿透基材中。

在本發明的一實施例中，上述的顯示模組位於超表面結構組與光學層之間，光學層具有多個透光區域，且多個透光區域於第二基板的正投影分別重疊多個顯示單元於第二基板的正投影。

在本發明的一實施例中，上述的顯示模組位於超表面結構組與光學層之間，光學層具有多個第二開口，且多個第二開口於第二基板的正投影分別重疊多個顯示單元於第二基板的正投影。

在本發明的一實施例中，上述的光學層位於顯示單元之間。

在本發明的一實施例中，上述的光學層位於第一開口中。

在本發明的一實施例中，上述的超表面結構組於第二基板的正投影重疊第一開口。

在本發明的一實施例中，波長在380 nm至780 nm的可見光對上述的光學層的穿透率≤10%。

在本發明的一實施例中，波長在1 mm至10 mm的毫米波對上述的光學層的穿透率≥50%。

在本發明的一實施例中，上述的第一開口的寬度或長度介於100 μm至100 mm之間。

在本發明的一實施例中，上述的多組超表面結構組彼此相同或不同。

在本發明的一實施例中，上述的各超表面結構組包括多個超表面結構，且各超表面結構組的多個超表面結構具有相同的形狀及不同的尺寸、間距或方位。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置10的局部剖面示意圖。圖1B是圖1A的顯示裝置10的基板110及超表面結構組120的局部平面示意圖。圖1C是圖1A的顯示裝置10的顯示模組140的局部平面示意圖。

請同時參照圖1A至圖1C，顯示裝置10包括：基板110；多組超表面結構組120，位於基板110上；光學層130，位於超表面結構組120上；以及顯示模組140，位於超表面結構組120上，其中顯示模組140包括：基板SB，具有多個開口O1；以及多個顯示單元DU，位於基板SB上，且顯示單元DU於基板SB的正投影在開口O1之外。

承上述，在本發明的一實施例的顯示裝置10中，藉由設置超表面結構組120來控制電磁波的相位延遲，可實現電磁波的波束轉向（beam steering），使得顯示裝置10有助於延伸電磁波的可傳輸距離，進而提高5G毫米波的覆蓋率。另外，藉由設置光學層130來吸收可見光波段，可防止疊紋效應，同時避免超表面結構組120反射可見光而影響顯示品質。再者，藉由於基板SB中設置多個開口O1，能夠提高毫米波穿透率。

以下，配合圖式，繼續說明顯示裝置10的各個元件的實施方式。首先，請同時參照圖1A及圖1B，顯示裝置10的基板110可用以承載超表面結構組120及顯示模組140。基板110的材質可以是可撓的或不可撓的，例如玻璃、陶瓷、石英、金屬、聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、複合材料或其他適當的材質，本發明不以此為限。

超表面結構組120可以包括構成最小重複單元的多個超表面結構。舉例而言，在本實施例中，超表面結構121、122、123構成了最小重複單元，因此，超表面結構組120可以包括超表面結構121、122、123。由於尺寸不同的超表面結構121、122、123具有不同共振頻率，當特定頻率電磁波入射於此超表面結構121、122、123時，此超表面結構121、122、123將產生相位延遲量不同的感應電流，進而改變反射電磁波的相位。如此一來，藉由控制超表面結構121、122、123的尺寸即可控制感應電流的相位延遲量，進而調整電磁波的發射角度來使電磁波轉向，從而實現波束轉向（beam steering）的功效。

設置於基板110上的多組超表面結構組120可以彼此相同或彼此不同。舉例而言，在本實施例中，顯示裝置10可以包括多組彼此相同或近似的超表面結構組120，也就是說，超表面結構組120可以具有彼此相同或近似的形狀、尺寸、方位等，但本發明不以此為限。然而，在某些實施例中，顯示裝置10可以包括形狀、尺寸及/或方位等彼此不同的多組超表面結構組。

超表面結構組120可大致以陣列的方式排列於基板110上。舉例而言，在如圖1B所示的實施例中，六組超表面結構組120可大致以2x3的矩陣排列於基板110上，但不以此為限。在一些實施例中，六組超表面結構組120還可以1x6、3x2或6x1的矩陣排列於基板110上。

超表面結構組120中的超表面結構121、122、123可以具有彼此相同的形狀、但彼此不同的尺寸。舉例而言，在本實施例中，超表面結構組120的超表面結構121、122、123可以皆為十字結構，且超表面結構121的尺寸大於超表面結構122的尺寸，超表面結構122的尺寸大於超表面結構123的尺寸。也就是說，超表面結構121、122、123的形狀相同但尺寸不同，且超表面結構121、122、123的尺寸呈現遞減的關係。應注意的是，超表面結構121、122、123的形狀並不限於如圖1B所示的十字結構，超表面結構121、122、123的尺寸變化還可就其三維尺寸進行個別變化或組合變化，且個別超表面結構組120中的超表面結構121、122、123的形狀、尺寸及方位還可個別進行微調，以實現所需的波束轉向。

超表面結構121、122、123的尺寸可以取決於入射電磁波的波長。舉例而言，在本實施例中，對於毫米波的電磁波而言，超表面結構121、122、123的尺寸可以介於0.01 x 0.01 mm ²至10 x 10 mm ²之間，但不以此為限。此外，超表面結構121、122、123的材質可以包括金屬（例如鋁、銅、鉻、銀、鈦、鉬等）、導電氧化物（例如銦錫氧化物、鋅鋁氧化物、鋅鎵氧化物、鋅銦氧化物等）、導電高分子（例如聚(3,4-乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸鹽)（PEDOT:PSS））、金屬奈米線（例如銀奈米線）或其組合。

請同時參照圖1A及圖1C，為了提供畫面顯示的功能，顯示裝置10的顯示模組140的基板SB上可以設置呈陣列排列的顯示單元DU。在本實施例中，基板SB可以是軟性基板或電路基板，例如印刷電路板（PCB）。為了提高毫米波的穿透率，以利超表面結構組120控制反射電磁波的方向，在基板SB中設置多個開口O1，其中超表面結構組120於基板SB的正投影可以重疊開口O1，且開口O1上不設置顯示單元DU，以免顯示單元DU遮蔽開口O1。此外，開口O1的形狀、數量及尺寸並無特別限制。舉例而言，開口O1的寬度或長度可以介於100 μm至100 mm之間。例如，開口O1的最小寬度可以是100 μm、200 μm或500 μm，而開口O1的最大長度可以是1 mm、10 mm或100 mm，但不以此為限。

在本實施例中，顯示單元DU可以包括有機發光二極體（OLED）、微型發光二極體（Micro-LED）或電泳顯示單元等，且本發明不限於此。顯示單元DU的尺寸可以視入射電磁波的波長而定。在一些實施例中，顯示單元DU的尺寸可以例如介於1 x 1 μm ²至50 x 50 μm ²之間。

請參照圖1A，為了避免超表面結構組120的超表面結構121、122、123反射可見光而影響顯示裝置10顯示的畫面品質，使用光學層130來覆蓋表面結構組120。在本實施例中，光學層130位於顯示模組140的下方，且光學層130位於超表面結構組120與顯示模組140之間，超表面結構組120位於光學層130與基板110之間，但不限於此。在一些實施例中，光學層130還可以在不影響顯示單元DU的出光的前提之下位於顯示模組140的上方。

光學層130的材質並無特殊限制，只要對於波長在380 nm至780 nm的可見光而言具有高吸收率及/或低穿透率即可。例如，波長在380 nm至780 nm的可見光對於光學層130的穿透率可以小於或等於10%。此外，對於波長在1 mm至10 mm的毫米波而言，光學層130還可具有低吸收率及/或高穿透率。例如，波長在1 mm至10 mm的毫米波對於光學層130的穿透率可以大於或等於50%。在一些實施例中，光學層130可以包括聚醯亞胺系光阻材料或丙烯酸系光阻材料。

以下，配合圖2至圖11繼續說明本發明的其他實施例或實施態樣，其中，採用與圖1A至圖1C的實施例相同或近似的元件標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A至圖1C的實施例，在以下的說明中將不再贅述。

圖2是依照本發明一實施例的顯示裝置20的局部剖面示意圖。顯示裝置20包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130B以及顯示模組140。與圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比，如圖2所示的顯示裝置20的不同之處在於：光學層130B還可位於超表面結構組120的超表面結構121、122、123之間。如此一來，還能夠提高顯示裝置20的結構穩定性。

圖3A是依照本發明一實施例的顯示裝置30的局部剖面示意圖。圖3B是圖3A的顯示裝置30的光學層130C的局部平面示意圖。圖3C是圖3A的區域I的放大示意圖。請同時參照圖3A至圖3C，顯示裝置30包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130C以及顯示模組140。與圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比，如圖3所示的顯示裝置30的不同之處在於：光學層130C包括毫米波可穿透基材MS，且毫米波可穿透基材MS具有多個平行凹槽GV，其中各個凹槽GV具有相對的兩個側壁W1、W2，且側壁W1的表面塗有可見光吸收材料VA。

在本實施例中，凹槽GV還可以具有連接側壁W1與側壁W2的底面BS，底面BS可以與基板110的表面111平行，且側壁W1與底面BS的延伸線EL的夾角θ可以介於0至60度。當顯示裝置30立起或被吊掛在牆上時，每一凹槽GV的側壁W1可位於側壁W2的下方，使得側壁W1的表面是朝上的。另外，顯示模組140的基板SB的開口O1於光學層130C的正投影可以落於側壁W1上，也就是說，基板SB的開口O1於光學層130C的正投影可以位於塗有可見光吸收材料VA的區域內。如此一來，入射至光學層130C的可見光可大部分被側壁W1上的可見光吸收材料VA吸收。

圖4是依照本發明一實施例的顯示裝置40的局部剖面示意圖。顯示裝置40包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130D以及顯示模組140。與圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比，如圖4所示的顯示裝置40的不同之處在於：光學層130D包括毫米波可穿透基材MS及復歸反射器（Retroreflector）RR，且復歸反射器RR位於毫米波可穿透基材MS中。

在本實施例中，復歸反射器RR之間可以具有間距D1，且顯示模組140的基板SB的開口O1於光學層130D的正投影可以完全重疊復歸反射器RR。如此一來，入射至光學層130D的復歸反射器RR的可見光可被復歸反射器RR反射回原方向，而不會入射於超表面結構組120，同時，毫米波波段訊號可通過復歸反射器RR之間的毫米波可穿透基材MS而入射於超表面結構組120。

圖5是依照本發明一實施例的顯示裝置50的局部剖面示意圖。顯示裝置50包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130以及顯示模組140。與圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比，如圖5所示的顯示裝置50的不同之處在於：基板110位於超表面結構組120與光學層130之間。

在本實施例中，超表面結構組120與顯示模組140位於光學層130的相對側的表面上，如此一來，超表面結構組120反射的可見光不會穿透光學層130，因此不會影響顯示模組140的顯示品質。同時，超表面結構組120可控制入射電磁波的相位延遲而實現波束轉向（beam steering），使得顯示裝置50有助於延伸電磁波的可傳輸距離。

圖6A是依照本發明一實施例的顯示裝置60的局部剖面示意圖。圖6B是圖6A的顯示裝置60的光學層130F的局部平面示意圖。請同時參照圖6A與圖6B，顯示裝置60包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130F以及顯示模組140。與圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比，如圖6所示的顯示裝置60的不同之處在於：顯示模組140位於超表面結構組120與光學層130F之間，且光學層130F具有多個透光區域TA及可見光吸收區域NA。

在本實施例中，多個透光區域TA於顯示模組140的基板SB的正投影可以分別重疊顯示模組140的多個顯示單元DU於基板SB的正投影。如此一來，透光區域TA不會影響顯示單元DU的出光，且可見光吸收區域NA可避免可見光入射於下方的超表面結構組120。

圖7是依照本發明一實施例的顯示裝置70的局部剖面示意圖。顯示裝置70包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130G以及顯示模組140。與圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比，如圖7所示的顯示裝置70的不同之處在於：顯示模組140位於超表面結構組120與光學層130G之間，且光學層130G具有多個開口O2。

在本實施例中，光學層130G能夠吸收可見光波段，因此能夠避免光學層130G下方的超表面結構組120反射可見光而影響顯示裝置70的顯示品質。另外，多個開口O2於顯示模組140的基板SB的正投影可以分別重疊顯示模組140的多個顯示單元DU於基板SB的正投影，使得顯示單元DU能夠正常出光。

圖8是依照本發明一實施例的顯示裝置80的局部剖面示意圖。顯示裝置80包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130H以及顯示模組140。與圖7所示的顯示裝置70相比，如圖8所示的顯示裝置80的不同之處在於：光學層130H位於顯示模組140的顯示單元DU之間。在本實施例中，光學層130H可填滿顯示單元DU之間的空間，且光學層130H能夠吸收下方的超表面結構組120反射的可見光，因此能夠避免下方的超表面結構組120反射的可見光影響顯示裝置80的顯示品質。

圖9是依照本發明一實施例的顯示裝置90的局部剖面示意圖。顯示裝置90包括：基板110、多組超表面結構組120、光學層130I以及顯示模組140。與圖8所示的顯示裝置80相比，如圖9所示的顯示裝置90的不同之處在於：光學層130I位於顯示模組140的基板SB的開口O1中。在本實施例中，光學層130I可填滿基板SB的開口O1，且光學層130I能夠吸收下方的超表面結構組120反射的可見光，而使顯示裝置90具有良好的顯示品質。

圖10是依照本發明一實施例的顯示裝置100的基板110、超表面結構組120K、120L、120M、120N、120O、光學層130以及顯示模組140的平面示意圖。顯示裝置100包括：基板110、多組超表面結構組120K、120L、120M、120N、120O、光學層130以及顯示模組140。與圖1A至圖1C所示的顯示裝置10相比，如圖10所示的顯示裝置100的不同之處在於：顯示裝置100包括彼此不同的超表面結構組120K、120L、120M、120N、120O，且超表面結構組120O的超表面結構還可被分別添加移相線PL。

舉例而言，在本實施例中，超表面結構組120K、120L、120M、120N的超表面結構具有彼此相同的十字結構形狀、但彼此不同的尺寸、間距及/或方位。詳細而言，超表面結構組120K的超表面結構可以具有不同的尺寸，因此可使入射電磁波IA反射而產生反射電磁波OA1，或者使入射電磁波IA出現異常反射（anomalous reflection）而產生異常反射電磁波OA2。另外，超表面結構組120L的超表面結構可以具有不同的間距，因此可使入射電磁波IB散射而產生散射電磁波OB1、OB2、OB3。另外，超表面結構組120M的超表面結構可以具有不同的方位，因此可對入射電磁波IC進行頻率偏移、強度調制或偏振態控制，而產生調制電磁波OC1、OC2。此外，超表面結構組120N的超表面結構可以具有不同的尺寸及間距，因此可使入射電磁波ID1、ID2產生聚焦電磁波OD1、OD2、OD3。藉由在基板110上同時具有多種不同型態的超表面結構組120K、120L、120M、120N，能夠同時對多種波長或多種入射角度的電磁波實現波束轉向（beam steering）或多方向波束散射，從而達成提升5G訊號覆蓋率的功效。

圖11是可用於本發明實施例的超表面結構的圖樣示意圖。在上述實施例中，超表面結構組120、120K、120L、120M、120N的超表面結構還可以具有諸如圖11所示的（a）直條、（b）人字、（c）人字錨、（d）十字、（e）萬字、（f）十字環、（g）人字環、（h）圓環、（i）方環、（j）六角環、（k）方塊、（l）六角塊、（m）圓塊、（n）亞字、（o）端折十字環、（p）人字環-三腳架等形狀或上述形狀的組合。

綜上所述，本發明的顯示裝置藉由設置超表面結構組來對毫米波段的電磁波進行反射、散射、頻率偏移、強度調制、偏振態控制或聚焦，使得顯示裝置能夠提高5G毫米波的覆蓋率。再者，藉由於基板SB中設置多個開口O1，能夠提高毫米波穿透率。另外，藉由設置光學層來避免超表面結構組反射可見光，可防止疊紋效應，同時使顯示裝置保持良好的顯示品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60、70、80、90、100:顯示裝置

110:基板

111:表面

120、120K、120L、120M、120N、120O:超表面結構組

121、122、123:超表面結構

130、130B、130C、130D:光學層

130F、130G、130H、130I:光學層

140:顯示模組

BS:底面

D1:間距

DU:顯示單元

EL:延伸線

GV:凹槽

I:區域

IA、IB、IC、ID1、ID2:入射電磁波

MS:毫米波可穿透基材

NA:可見光吸收區域

O1、O2:開口

OA1、OA2:反射電磁波

OB1、OB2、OB3:散射電磁波

OC1、OC2:調制電磁波

OD1、OD2、OD3:聚焦電磁波

PL:移相線

RR:復歸反射器

SB:基板

TA:透光區域

VA:可見光吸收材料

W1、W2:側壁

θ:夾角

圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置10的局部剖面示意圖。圖1B是圖1A的顯示裝置10的基板110及超表面結構組120的局部平面示意圖。圖1C是圖1A的顯示裝置10的顯示模組140的局部平面示意圖。圖2是依照本發明一實施例的顯示裝置20的局部剖面示意圖。圖3A是依照本發明一實施例的顯示裝置30的局部剖面示意圖。圖3B是圖3A的顯示裝置30的光學層130C的局部平面示意圖。圖3C是圖3A的區域I的放大示意圖。圖4是依照本發明一實施例的顯示裝置40的局部剖面示意圖。圖5是依照本發明一實施例的顯示裝置50的局部剖面示意圖。圖6A是依照本發明一實施例的顯示裝置60的局部剖面示意圖。圖6B是圖6A的顯示裝置60的光學層130F的局部平面示意圖。圖7是依照本發明一實施例的顯示裝置70的局部剖面示意圖。圖8是依照本發明一實施例的顯示裝置80的局部剖面示意圖。圖9是依照本發明一實施例的顯示裝置90的局部剖面示意圖。圖10是依照本發明一實施例的顯示裝置100的基板110、超表面結構組120K、120L、120M、120N、120O、光學層130以及顯示模組140的平面示意圖。圖11是可用於本發明實施例的超表面結構組的圖樣示意圖。

10:顯示裝置

110:基板

120:超表面結構組

130:光學層

140:顯示模組

DU:顯示單元

O1:開口

SB:基板

Claims

一種顯示裝置，包括：第一基板；多組超表面結構組，位於所述第一基板上；光學層，位於所述超表面結構組上；以及顯示模組，位於所述超表面結構組上，其中所述顯示模組包括：第二基板，具有多個第一開口；以及多個顯示單元，位於所述第二基板上，且所述顯示單元於所述第二基板的正投影在所述第一開口之外，其中，所述光學層位於所述超表面結構組與所述顯示模組之間，所述超表面結構組位於所述光學層與所述第一基板之間，所述光學層包括毫米波可穿透基材，所述毫米波可穿透基材具有多個平行凹槽，各所述凹槽具有側壁，且一部分的所述側壁塗有可見光吸收材料。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述側壁與平行於所述第一基板的表面之間的夾角介於0至60度。
一種顯示裝置，包括：第一基板；多組超表面結構組，位於所述第一基板上；光學層，位於所述超表面結構組上；以及顯示模組，位於所述超表面結構組上，其中所述顯示模組包括：第二基板，具有多個第一開口；以及多個顯示單元，位於所述第二基板上，且所述顯示單元於所述第二基板的正投影在所述第一開口之外，其中，所述光學層位於所述超表面結構組與所述顯示模組之間，所述超表面結構組位於所述光學層與所述第一基板之間，所述光學層包括毫米波可穿透基材，其中所述光學層還包括復歸反射器，位於所述毫米波可穿透基材中。
一種顯示裝置，包括：第一基板；多組超表面結構組，位於所述第一基板上；光學層，位於所述超表面結構組上；以及顯示模組，位於所述超表面結構組上，其中所述顯示模組包括：第二基板，具有多個第一開口；以及多個顯示單元，位於所述第二基板上，且所述顯示單元於所述第二基板的正投影在所述第一開口之外，其中所述顯示模組位於所述超表面結構組與所述光學層之間，所述光學層具有多個透光區域，且所述多個透光區域於所述第二基板的正投影分別重疊所述多個顯示單元於所述第二基板的正投影。
一種顯示裝置，包括：第一基板；多組超表面結構組，位於所述第一基板上；光學層，位於所述超表面結構組上；以及顯示模組，位於所述超表面結構組上，其中所述顯示模組包括：第二基板，具有多個第一開口；以及多個顯示單元，位於所述第二基板上，且所述顯示單元於所述第二基板的正投影在所述第一開口之外，其中所述顯示模組位於所述超表面結構組與所述光學層之間，所述光學層具有多個第二開口，且所述多個第二開口於所述第二基板的正投影分別重疊所述多個顯示單元於所述第二基板的正投影。
如請求項1、3、4、5所述的顯示裝置，其中所述超表面結構組於所述第二基板的正投影重疊所述第一開口。
如請求項1、3、4、5所述的顯示裝置，其中波長在380nm至780nm的可見光對所述光學層的穿透率
10%。
如請求項1、3、4、5所述的顯示裝置，其中波長在1mm至10mm的毫米波對所述光學層的穿透率
50%。
如請求項1、3、4、5所述的顯示裝置，其中所述第一開口的寬度或長度介於100μm至100mm之間。
如請求項1、3、4、5所述的顯示裝置，其中所述多組超表面結構組彼此相同或不同。
如請求項1、3、4、5所述的顯示裝置，其中各所述超表面結構組包括多個超表面結構，且各所述超表面結構組的所述多個超表面結構具有相同的形狀及不同的尺寸、間距或方位。