TW202240976A

TW202240976A - 天線結構

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Publication number: TW202240976A
Application number: TW110129365A
Authority: TW
Inventors: 洪敬榔
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-04-01
Filing date: 2021-08-10
Publication date: 2022-10-16
Also published as: TWI766790B; TWI786022B; TWI769863B; TW202240251A; TW202240254A; TW202240252A; TW202305465A; TWI828353B; TWI781725B; TWI773478B; TWI782666B; TWI779757B; TW202240925A; TW202240975A; TW202303233A

Abstract

一種天線結構包括第一基板、第二基板、第一電極層、第二電極層、液晶層以及反射層。第一基板與第二基板相對設置。第一電極層和第二電極層分別設置在第一基板和第二基板上。第二電極層重疊於第一電極層。第一電極層所佔區域面積與第二電極層所佔區域面積的比值大於等於0.7且小於1。液晶層設置在第一基板與第二基板之間，且位於第一電極層與第二電極層之間。反射層設置在第二基板背離第二電極層的一側。

Description

天線結構

本發明是有關於一種行動通訊技術，且特別是有關於一種天線結構。

隨著第五代行動通訊技術（5G）的商業化，遠距醫療、VR直播、4K畫質直播、智慧家庭等等應用都有了新的發展契機。由於5G具有高資料速率、減少延遲、節省能源、降低成本、提高系統容量和大規模裝置連接等效能，不同領域的業者還可進行跨界結盟，共同打造新一代的5G生態鏈。為了增加5G毫米波的覆蓋率，一種反射式天線被廣泛應用。

常見的反射式天線又可區分為被動式陣列天線和主動式陣列天線。被動式陣列天線因具有固定的天線尺寸而具有固定的電磁波接收角度和出射角度。相反地，由於主動式陣列天線具有電磁波的相位調變能力，因此能調整電磁波的接收角度和出射角度。然而，這類主動式陣列天線一般是搭配移相器的使用來調變電磁波的相位。對於尺寸越大的陣列天線來說，其移相器的使用成本會越高。

本發明提供一種天線結構，可用於調變電磁波的反射頻率和相位，並且具有較低的生產成本。

本發明的天線結構，包括第一基板、第二基板、第一電極層、第二電極層、液晶層以及反射層。第一基板與第二基板相對設置。第一電極層和第二電極層分別設置在第一基板和第二基板上。第二電極層重疊於第一電極層。第一電極層所佔區域面積與第二電極層所佔區域面積的比值大於等於0.7且小於1。液晶層設置在第一基板與第二基板之間，且位於第一電極層與第二電極層之間。反射層設置在第二基板背離第二電極層的一側。

基於上述，在本發明的一實施例的天線結構中，第一電極層和第二電極層所形成的感應迴路能讓具有特定共振頻率的感應電流傳遞其中，而夾設在這兩電極層之間的液晶層可用來調變感應電流的電流路徑長度，進而調變電磁波的反射頻率和相位。此外，透過第一電極層所佔區域面積與第二電極層所佔區域面積的比值大於等於0.7且小於1，可有效增加電磁波的反射頻率的頻寬。

本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。

現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1A及圖1B是依照本發明的第一實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖2是圖1A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖1B僅繪示出圖1A的第一電極層110、第二電極層120和反射層150。

請參照圖1A及圖1B，天線結構10A包括第一基板101、第二基板102、液晶層LC、第一電極層110以及第二電極層120。第一基板101與第二基板102相對設置。第一基板101和第二基板102的材料例如是玻璃，但不以此為限。液晶層LC設置在第一基板101與第二基板102之間，且位於第一電極層110與第二電極層120之間。第一電極層110設置在第一基板101上，且位於液晶層LC與第一基板101之間。第二電極層120設置在第二基板102上，且位於液晶層LC與第二基板102之間。第一電極層110重疊於第二電極層120。需說明的是，此處的重疊關係是指兩電極層沿著方向Z的投影相重疊。以下段落中若非特別提及，則兩構件的重疊關係也是以方向Z來界定，因此不再贅述。

在本實施例中，天線結構10A適於在第一基板101的一側接收電磁波並且將具有特定頻率（或頻寬）的電磁波反射至第一基板101的該側。也就是說，天線結構10A的第一基板101的該側為電磁波（例如毫米波）的接收側和輻射側。相較於僅具有單一電極層的天線結構來說，多個尺寸略有差異的電極層所堆疊而成的天線結構可具有較寬的反射頻率的頻寬。

特別注意的是，較靠近所述電磁波接收側（或第一基板101）的第一電極層110於第一基板101上的正投影面積小於較遠離所述電磁波接收側的第二電極層120於第一基板101上的正投影面積。舉例來說，第一電極層110和第二電極層120於第一基板101上的正投影輪廓都為正方形，並且分別整面性地分布在區域Z1和區域Z2內，但不以此為限。將第一電極層110所佔區域Z1面積與第二電極層120所佔區域Z2面積的比值設計在大於等於0.7且小於1的範圍內，可有效增加電磁波的反射頻率的頻寬。

當電磁波（例如毫米波）由第一基板101的一側照射天線結構10A時，會在第一電極層110和第二電極層120所構成的感應迴路中產生具有特定共振頻率的感應電流。由於設置在第一電極層110與第二電極層120間的液晶層LC可被電驅動而改變自身的有效介電常數，因此，感應電流的電流路徑長度可被電控改變，進而調變天線結構10A所輻射（或反射）出的電磁波的頻率與相位。因此，第一電極層110和第二電極層120除了構成天線結構10A的感應迴路外，還可作為液晶層LC的驅動電極。亦即，這兩電極間所產生的電場可用來驅使液晶層LC的多個液晶分子（未繪示）轉動。

在本實施例中，由於第一電極層110和第二電極層120分別設置在液晶層LC沿著方向Z（即，垂直於第一基板101表面的方向）的相對兩側，因此天線結構10A適於調變電磁波在方向Z上的相位，但本發明不以此為限。

請同時參照圖2，當液晶層LC不驅動（即第一電極層110與第二電極層120不被致能）時，天線結構10A的反射係數S11對頻率的曲線C1a以及電磁波相位對頻率的曲線C2a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構10A的反射係數S11對頻率的曲線C1b以及電磁波相位對頻率的曲線C2b。舉例來說，對於相位落在-160度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率11.2GHz與頻率11.3GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在11.25GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P1約為70度。

特別一提的是，天線結構10A透過雙層電極層的設置，可相較於單一電極層所構成的天線結構增加0.3GHz至0.4GHz的反射頻率頻寬。另一方面，由於本實施例的天線結構10A無需搭配移相器即可具有相位調變的能力，因此，相較於傳統天線結構更具成本優勢，有助於天線結構的大尺寸化。

進一步而言，為了增加天線結構10A對目標電磁波（例如毫米波）的反射率，天線結構10A更包括反射層150，設置在第二基板102背離第二電極層120的一側。在本實施例中，反射層150例如是具有接地電位（grounded）的金屬導電層，並且整面性地覆蓋第二基板102遠離第二電極層120的表面102s，但不以此為限。

以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

圖3A及圖3B是依照本發明的第二實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖4是圖3A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖3B僅繪示出圖3A的第一電極層110A、第二電極層120和反射層150。

請參照圖3A及圖3B，本實施例的天線結構10B與圖1A的天線結構10A的差異在於：第一電極層的構型不同。在本實施例中，第一電極層110A可具有多個第一條狀電極111和多個第二條狀電極112。這些第一條狀電極111與這些第二條狀電極112可沿著方向X交替排列，並且在方向Y上延伸。特別注意的是，液晶層LC還填入這些條狀電極間的空隙，且這些第一條狀電極111電性獨立於這些第二條狀電極112。

也就是說，第一條狀電極111與第二條狀電極112可具有不同的電位，使第一條狀電極111與第二條狀電極112間能產生橫向電場來驅動液晶層LC。因此，本實施例的天線結構10B適於調變電磁波在方向X上的相位。然而，本發明不限於此。在其他實施方式中，第二電極層120可具有不同於第一條狀電極111和第二條狀電極112的電位。因此，第一條狀電極111（或第二條狀電極112）與第二電極層120間還能產生垂直電場來驅動液晶層LC。換句話說，這種驅動方式能同時調變電磁波在方向Z和方向X上的相位，有助於增加天線結構的操作彈性。

請同時參照圖4，在本實施例中，當液晶層LC不驅動（即第一條狀電極111與第二條狀電極112不被致能）時，天線結構10B的反射係數S11對頻率的曲線C3a以及電磁波相位對頻率的曲線C4a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構10B的反射係數S11對頻率的曲線C3b以及電磁波相位對頻率的曲線C4b。舉例來說，對於相位落在-200度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率12.75GHz與頻率12.85GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12.8GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P2約為60度。

圖5A及圖5B是依照本發明的第三實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖6是圖5A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖5B僅繪示出圖5A的第一電極層110、第二電極層120A和反射層150。

請參照圖5A及圖5B，本實施例的天線結構10C與圖1A的天線結構10A的差異在於：第二電極層的構型不同。在本實施例中，第二電極層120A可具有多個第一條狀電極121和多個第二條狀電極122。這些第一條狀電極121與這些第二條狀電極122可沿著方向X交替排列，並且在方向Y上延伸。特別注意的是，液晶層LC還填入這些條狀電極間的空隙，且這些第一條狀電極121電性獨立於這些第二條狀電極122。

也就是說，第一條狀電極121與第二條狀電極122可具有不同的電位，使第一條狀電極121與第二條狀電極122間能產生橫向電場來驅動液晶層LC。因此，本實施例的天線結構10C適於調變電磁波在方向X上的相位。然而，本發明不限於此。在其他實施方式中，第一電極層110可具有不同於第一條狀電極121和第二條狀電極122的電位。因此，第一條狀電極121（或第二條狀電極122）與第一電極層110間還能產生垂直電場來驅動液晶層LC。換句話說，這種驅動方式能同時調變電磁波在方向Z和方向X上的相位，有助於增加天線結構的操作彈性。

請同時參照圖6，在本實施例中，當液晶層LC不驅動（即第一條狀電極121與第二條狀電極122不被致能）時，天線結構10C的反射係數S11對頻率的曲線C5a以及電磁波相位對頻率的曲線C6a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構10C的反射係數S11對頻率的曲線C5b以及電磁波相位對頻率的曲線C6b。舉例來說，對於相位落在-180度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率14GHz與頻率14.3GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在14.15GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P3約為205度。

圖7A及圖7B是依照本發明的第四實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖8是圖7A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖7B僅繪示出圖7A的第一電極層110、第二電極層120、第三電極層130和反射層150。

請參照圖7A及圖7B，本實施例的天線結構11A與圖1A的天線結構10A的差異在於：天線結構11A還可選擇性地包括第三電極層130。在本實施例中，第三電極層130可設置在第一電極層110遠離第二電極層120的一側。更具體地說，第三電極層130是設置在第一基板101背離第一電極層110的一側表面上，並且完全重疊於第一電極層110和第二電極層120。

也就是說，第三電極層130相較於第一電極層110更靠近電磁波的接收側。為了進一步增加電磁波的反射頻率的頻寬，第三電極層130於第一基板101上的正投影面積可小於第一電極層110於第一基板101上的正投影面積。舉例來說，第一電極層110、第二電極層120和第三電極層130於第一基板101上的正投影輪廓都為正方形，並且分別整面性地分布在區域Z1、區域Z2和區域Z3內，但不以此為限。在其他實施例中，第一電極層和第二電極層的至少一者也可以多個條狀電極（如圖3B和圖5B所示）的形式分布在區域Z1和區域Z2。

透過將第三電極層130所佔區域Z3面積與第一電極層110所佔區域Z1面積的比值設計在大於等於0.7且小於1的範圍內，可有效增加電磁波的反射頻率的頻寬。

請同時參照圖8，當液晶層LC不驅動（即第一電極層110與第二電極層120不被致能）時，天線結構11A的反射係數S11對頻率的曲線C7a以及電磁波相位對頻率的曲線C8a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構11A的反射係數S11對頻率的曲線C7b以及電磁波相位對頻率的曲線C8b。舉例來說，對於相位落在-220度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率13.7GHz與頻率13.8GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在13.75GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P4約為57度。

特別一提的是，天線結構11A透過三層電極層的設置，可相較於單一電極層所構成的天線結構增加約0.6GHz的反射頻率頻寬。另一方面，由於本實施例的天線結構11A無需搭配移相器即可具有相位調變的能力，因此，相較於傳統天線結構更具成本優勢，有助於天線結構的大尺寸化。

圖9A及圖9B是依照本發明的第五實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖10是圖9A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖9B僅繪示出圖9A的第一電極層110A、第二電極層120、第三電極層130和反射層150。

請參照圖9A及圖9B，本實施例的天線結構11B與圖7A的天線結構11A的差異在於：第一電極層的構型不同。在本實施例中，第一電極層110A可具有多個第一條狀電極111和多個第二條狀電極112。這些第一條狀電極111與這些第二條狀電極112可沿著方向X交替排列，並且在方向Y上延伸。特別注意的是，液晶層LC還填入這些條狀電極間的空隙，且這些第一條狀電極111電性獨立於這些第二條狀電極112。

也就是說，第一條狀電極111與第二條狀電極112可具有不同的電位，使第一條狀電極111與第二條狀電極112間能產生橫向電場來驅動液晶層LC。因此，本實施例的天線結構11B適於調變電磁波在方向X上的相位。然而，本發明不限於此。在其他實施方式中，第二電極層120可具有不同於第一條狀電極111和第二條狀電極112的電位。因此，第一條狀電極111（或第二條狀電極112）與第二電極層120間還能產生垂直電場來驅動液晶層LC。換句話說，這種驅動方式能同時調變電磁波在方向Z和方向X上的相位，有助於增加天線結構的操作彈性。

請同時參照圖10，在本實施例中，當液晶層LC不驅動（即第一條狀電極111與第二條狀電極112不被致能）時，天線結構11B的反射係數S11對頻率的曲線C9a以及電磁波相位對頻率的曲線C10a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構11B的反射係數S11對頻率的曲線C9b以及電磁波相位對頻率的曲線C10b。舉例來說，對於相位落在-180度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率11.7GHz與頻率11.8GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12.8GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P5約為60度。

圖11A及圖11B是依照本發明的第六實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖12是圖11A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖11B僅繪示出圖11A的第一電極層110、第二電極層120A、第三電極層130和反射層150。

請參照圖11A及圖11B，本實施例的天線結構11C與圖7A的天線結構11A的差異在於：第二電極層的構型不同。在本實施例中，第二電極層120A可具有多個第一條狀電極121和多個第二條狀電極122。這些第一條狀電極121與這些第二條狀電極122可沿著方向X交替排列，並且在方向Y上延伸。特別注意的是，液晶層LC還填入這些條狀電極間的空隙，且這些第一條狀電極121電性獨立於這些第二條狀電極122。

也就是說，第一條狀電極121與第二條狀電極122可具有不同的電位，使第一條狀電極121與第二條狀電極122間能產生橫向電場來驅動液晶層LC。因此，本實施例的天線結構11C適於調變電磁波在方向X上的相位。然而，本發明不限於此。在其他實施方式中，第一電極層110可具有不同於第一條狀電極121和第二條狀電極122的電位。因此，第一條狀電極121（或第二條狀電極122）與第一電極層110間還能產生垂直電場來驅動液晶層LC。換句話說，這種驅動方式能同時調變電磁波在方向Z和方向X上的相位，有助於增加天線結構的操作彈性。

請同時參照圖12，在本實施例中，當液晶層LC不驅動（即第一條狀電極121與第二條狀電極122不被致能）時，天線結構11C的反射係數S11對頻率的曲線C11a以及電磁波相位對頻率的曲線C12a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構11C的反射係數S11對頻率的曲線C11b以及電磁波相位對頻率的曲線C12b。舉例來說，對於相位落在-190度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率11.9GHz與頻率12.1GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P6約為180度。

圖13A及圖13B是依照本發明的第七實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖14是圖13A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖13B僅繪示出圖13A的第一電極層110A、第二電極層120A、第三電極層130和反射層150。

請參照圖13A及圖13B，本實施例的天線結構12A與圖11A的天線結構11C的差異在於：第一電極層的構型不同。具體而言，在本實施例中，第一電極層110A和第二電極層120A都各自具有多個條狀電極，例如：第一電極層110A具有多個第一條狀電極111和多個第二條狀電極112，第二電極層120A具有多個第一條狀電極121和多個第二條狀電極122。特別注意的是，第一條狀電極121、第一條狀電極111、第二條狀電極122和第二條狀電極112沿著方向X交替排列。也就是說，任兩相鄰的第一條狀電極121與第二條狀電極122之間設有一條第一條狀電極111或一條第二條狀電極112，任兩相鄰的第一條狀電極111與第二條狀電極112之間設有一條第一條狀電極121或一條第二條狀電極122。

在本實施例中，第一電極層110A的多個第一條狀電極111和多個第二條狀電極112沿著方向Z不重疊於第二電極層120A的多個第一條狀電極121和多個第二條狀電極122，但本發明不以此為限。在其他未繪示的實施例中，第一電極層的多個條狀電極也可部分重疊於第二電極層的多個條狀電極。

由於本實施例的第一電極層110A相似於圖9A的第一電極層110A，而本實施例的第二電極層120A相似於圖11A的第二電極層120A，因此，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。特別一提的是，由於第一電極層110A與第二電極層120A都具有多個條狀電極，因此，位於兩電極層的這些條狀電極之間的部分液晶層LC都可用於改變感應電流的電流路徑長度，有助於增加電磁波的反射頻率的可調變幅度。

請同時參照圖14，當液晶層LC不驅動（即第一電極層110A與第二電極層120A不被致能）時，天線結構12A的反射係數S11對頻率的曲線C13a以及電磁波相位對頻率的曲線C14a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構12A的反射係數S11對頻率的曲線C13b以及電磁波相位對頻率的曲線C14b。舉例來說，對於相位落在-230度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率15.1GHz與頻率15.3GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在15.2GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P7約為70度。

圖15A及圖15B是依照本發明的第八實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖16是圖15A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖15B僅繪示出圖15A的第一電極層110B、第二電極層120A、第三電極層130和反射層150。

請參照圖15A及圖15B，本實施例的天線結構12B與圖13A的天線結構12A的差異在於：第一電極層的多個條狀電極的配置方式不同。具體而言，天線結構12B的第一電極層110B的第一條狀電極111A和第二條狀電極112A的延伸方向（例如方向X）相交於第二電極層120A的第一條狀電極121和第二條狀電極122的延伸方向（例如方向Y）。

因此，相較於圖13A的天線結構12A，本實施例的天線結構12B對於電磁波的反射主頻率和相位都具有更大的調變範圍。請同時參照圖16，當液晶層LC不驅動（即第一電極層110B與第二電極層120A不被致能）時，天線結構12B的反射係數S11對頻率的曲線C15a以及電磁波相位對頻率的曲線C16a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構12B的反射係數S11對頻率的曲線C15b以及電磁波相位對頻率的曲線C16b。舉例來說，對於相位落在-200度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率11.85GHz與頻率12.1GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P8約為180度。

圖17A及圖17B是依照本發明的第九實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖18是圖17A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖17B僅繪示出圖17A的第一電極層110、第二電極層120、第三電極層130A和反射層150。

請參照圖17A及圖17B，本實施例的天線結構13A與圖7A的天線結構11A的主要差異在於：第三電極層的配置方式不同。具體而言，天線結構13A的第三電極層130A是設置在第二電極層120遠離第一電極層110的一側。在本實施例中，天線結構13A更包括第三基板103，且第三電極層130A設置在第二基板102與第三基板103之間。反射層150是設置在第三基板103背離第三電極層130A的一側表面上。舉例來說，第三基板103可以是低介電損耗基板（例如Rogers基板），但不以此為限。

由於第三電極層130A較第一電極層110和第二電極層120遠離電磁波的接收側（或輻射側），第三電極層130A於第一基板101上的正投影面積大於第二電極層120於第一基板101上的正投影面積。舉例來說，第一電極層110、第二電極層120和第三電極層130A於第一基板101上的正投影輪廓都為正方形，並且分別整面性地分布在區域Z1、區域Z2和區域Z3”內，但不以此為限。透過將第二電極層120所佔區域Z2面積與第三電極層130A所佔區域Z3”面積的比值設計在大於等於0.7且小於1的範圍內，可有效增加電磁波的反射頻率的頻寬。

請同時參照圖18，當液晶層LC不驅動（即第一電極層110與第二電極層120不被致能）時，天線結構13A的反射係數S11對頻率的曲線C17a以及電磁波相位對頻率的曲線C18a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構13A的反射係數S11對頻率的曲線C17b以及電磁波相位對頻率的曲線C18b。舉例來說，對於相位落在-200度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率12.3GHz與頻率12.4GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12.35GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P9約為50度。

特別一提的是，透過三層電極層的設置，能讓天線結構13A相較於單一電極層所構成的天線結構增加約0.6GHz的反射頻率頻寬。另一方面，由於本實施例的天線結構13A無需搭配移相器即可具有相位調變的能力，因此，相較於傳統天線結構更具成本優勢，有助於天線結構的大尺寸化。

圖19A及圖19B是依照本發明的第十實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖20是圖19A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖19B僅繪示出圖19A的第一電極層110A、第二電極層120、第三電極層130A和反射層150。

請參照圖19A及圖19B，本實施例的天線結構13B與圖17A的天線結構13A的差異在於：第一電極層的構型不同。在本實施例中，第一電極層110A可具有多個第一條狀電極111和多個第二條狀電極112。這些第一條狀電極111與這些第二條狀電極112可沿著方向X交替排列，並且在方向Y上延伸。特別注意的是，液晶層LC還填入這些條狀電極間的空隙，且這些第一條狀電極111電性獨立於這些第二條狀電極112。

也就是說，第一條狀電極111與第二條狀電極112可具有不同的電位，使第一條狀電極111與第二條狀電極112間能產生橫向電場來驅動液晶層LC。因此，本實施例的天線結構13B適於調變電磁波在方向X上的相位。然而，本發明不限於此。在其他實施方式中，第二電極層120可具有不同於第一條狀電極111和第二條狀電極112的電位。因此，第一條狀電極111（或第二條狀電極112）與第二電極層120間還能產生垂直電場來驅動液晶層LC。換句話說，這種驅動方式能同時調變電磁波在方向Z和方向X上的相位，有助於增加天線結構的操作彈性。

請同時參照圖20，在本實施例中，當液晶層LC不驅動（即第一條狀電極111與第二條狀電極112不被致能）時，天線結構13B的反射係數S11對頻率的曲線C19a以及電磁波相位對頻率的曲線C20a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構13B的反射係數S11對頻率的曲線C19b以及電磁波相位對頻率的曲線C20b。舉例來說，對於相位落在-210度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率12.84GHz與頻率13.05GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12.96GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P10約為100度。

圖21A及圖21B是依照本發明的第十一實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖22是圖21A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖21B僅繪示出圖21A的第一電極層110、第二電極層120A、第三電極層130A和反射層150。

請參照圖21A及圖21B，本實施例的天線結構13C與圖17A的天線結構13A的差異在於：第二電極層的構型不同。在本實施例中，第二電極層120A可具有多個第一條狀電極121和多個第二條狀電極122。這些第一條狀電極121與這些第二條狀電極122可沿著方向X交替排列，並且在方向Y上延伸。特別注意的是，液晶層LC還填入這些條狀電極間的空隙，且這些第一條狀電極121電性獨立於這些第二條狀電極122。

也就是說，第一條狀電極121與第二條狀電極122可具有不同的電位，使第一條狀電極121與第二條狀電極122間能產生橫向電場來驅動液晶層LC。因此，本實施例的天線結構13C適於調變電磁波在方向X上的相位。然而，本發明不限於此。在其他實施方式中，第一電極層110可具有不同於第一條狀電極121和第二條狀電極122的電位。因此，第一條狀電極121（或第二條狀電極122）與第一電極層110間還能產生垂直電場來驅動液晶層LC。換句話說，這種驅動方式能同時調變電磁波在方向Z和方向X上的相位，有助於增加天線結構的操作彈性。

請同時參照圖22，在本實施例中，當液晶層LC不驅動（即第一條狀電極121與第二條狀電極122不被致能）時，天線結構13C的反射係數S11對頻率的曲線C21a以及電磁波相位對頻率的曲線C22a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構13C的反射係數S11對頻率的曲線C21b以及電磁波相位對頻率的曲線C22b。舉例來說，對於相位落在-200度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率12.39GHz與頻率12.43GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12.37GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P11約為30度。

圖23A及圖23B是依照本發明的第十二實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖24是圖23A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖23B僅繪示出圖23A的第一電極層110A、第二電極層120A、第三電極層130A和反射層150。

請參照圖23A及圖23B，本實施例的天線結構14A與圖21A的天線結構11C的主要差異在於：第一電極層的構型不同。具體而言，在本實施例中，第一電極層110A和第二電極層120A都各自具有多個條狀電極，例如：第一電極層110A具有多個第一條狀電極111和多個第二條狀電極112，第二電極層120A具有多個第一條狀電極121和多個第二條狀電極122。特別注意的是，第一條狀電極121、第一條狀電極111、第二條狀電極122和第二條狀電極112沿著方向X交替排列。也就是說，任兩相鄰的第一條狀電極121與第二條狀電極122之間設有一條第一條狀電極111或一條第二條狀電極112，任兩相鄰的第一條狀電極111與第二條狀電極112之間設有一條第一條狀電極121或一條第二條狀電極122。

由於本實施例的第一電極層110A相似於圖19A的第一電極層110A，而本實施例的第二電極層120A相似於圖21A的第二電極層120A，因此，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。特別一提的是，由於第一電極層110A與第二電極層120A都具有多個條狀電極，因此，位於兩電極層的這些條狀電極之間的部分液晶層LC都可用於改變感應電流的電流路徑長度，有助於增加電磁波的反射頻率的可調變幅度。

請同時參照圖24，當液晶層LC不驅動（即第一電極層110A與第二電極層120A不被致能）時，天線結構14A的反射係數S11對頻率的曲線C23a以及電磁波相位對頻率的曲線C24a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構14A的反射係數S11對頻率的曲線C23b以及電磁波相位對頻率的曲線C24b。舉例來說，對於相位落在-210度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率12.66GHz與頻率12.72GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12.7GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P12約為30度。

圖25A及圖25B是依照本發明的第十三實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖26是圖25A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖25B僅繪示出圖25A的第一電極層110B、第二電極層120A、第三電極層130A和反射層150。

請參照圖25A及圖25B，本實施例的天線結構14B與圖23A的天線結構14A的差異在於：第一電極層的多個條狀電極的配置方式不同。具體而言，天線結構14B的第一電極層110B的第一條狀電極111A和第二條狀電極112A的延伸方向（例如方向X）相交於第二電極層120A的第一條狀電極121和第二條狀電極122的延伸方向（例如方向Y）。

因此，相較於圖23A的天線結構14A，本實施例的天線結構14B對於電磁波的反射主頻率和相位都具有更大的調變範圍。請同時參照圖26，當液晶層LC不驅動（即第一電極層110B與第二電極層120A不被致能）時，天線結構14B的反射係數S11對頻率的曲線C25a以及電磁波相位對頻率的曲線C26a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構14B的反射係數S11對頻率的曲線C25b以及電磁波相位對頻率的曲線C26b。舉例來說，對於相位落在-210度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率12.8GHz與頻率13.0GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在12.9GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P13約為130度。

圖27A及圖27B是依照本發明的第十四實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖27A對應圖27B的剖線A-A’。圖28是圖27A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖29是圖27A的另一種變形實施例的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖27B僅繪示出圖27A的第一電極層110D、第二電極層120D和反射層150。

請參照圖27A及圖27B，不同於圖1B的天線結構10A，在本實施例中，天線結構15的第一電極層110D所佔區域Z1”和第二電極層120D所佔區域Z2”於第一基板101上的投影外輪廓都是長方形，這兩電極層都是以多個條狀電極的形式設置在這些區域內。舉例來說，第一電極層110D具有多個條狀電極115D，第二電極層120D具有多個條狀電極125D。這些條狀電極115D與這些條狀電極125D沿著方向Y交替排列，且這些條狀電極115D沿著排列方向（例如方向Y）重疊於這些條狀電極125D。更具體地說，這些條狀電極與液晶層LC的膜厚相當。

條狀電極115D與條狀電極125D可具有不同的電位，使條狀電極115D與條狀電極125D間能產生橫向電場來驅動液晶層LC。因此，本實施例的天線結構15適於調變電磁波在方向Y上的相位。特別注意的是，上述區域Z2”和區域Z1”各自沿著這些條狀電極的排列方向的長度較長，而在這些條狀電極的延伸方向上的長度較短。更具體地說，區域Z2”沿著方向Y和方向X分別具有長度L和寬度W，且長度L大於寬度W。另一方面，任兩相鄰的條狀電極115D與條狀電極125D沿著方向Y具有間距G，且間距G與長度L的比值大於0且小於0.1。據此，可確保電磁波的反射頻率和相位能被有效地調變。

需說明的是，雖然用來標示第一電極層110D所佔區域Z1”和第二電極層120D所佔區域Z2”的虛線框都略大於第一電極層110D和第二電極層120D的實際佔區以清楚呈現，但應可理解的是，這些虛線框實際上應重疊於各電極層於第一基板101上的投影外輪廓。

舉例來說，在本實施例中，第二基板102可以是低介電損耗基板（例如Rogers基板），但不以此為限。請同時參照圖28，當液晶層LC不驅動（即條狀電極115D與條狀電極125D不被致能）時，天線結構15的反射係數S11對頻率的曲線C27a以及電磁波相位對頻率的曲線C28a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構15的反射係數S11對頻率的曲線C27b以及電磁波相位對頻率的曲線C28b。舉例來說，對於相位落在-210度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率15.8GHz與頻率16GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在15.9GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P14約為182度。

然而，本發明不限於此。在圖27A的另一變形實施例中，天線結構的第二基板102也可以是玻璃基板。請同時參照圖29，當當液晶層LC不驅動（即條狀電極115D與條狀電極125D不被致能）時，天線結構的反射係數S11對頻率的曲線C29a以及電磁波相位對頻率的曲線C30a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構的反射係數S11對頻率的曲線C29b以及電磁波相位對頻率的曲線C30b。舉例來說，對於相位落在-55度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率18.6GHz與頻率18.7GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在18.6GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P15約為26度。

圖30A及圖30B是依照本發明的第十五實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖30A對應圖30B的剖線B-B’。圖31是圖30A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖32是圖30A的另一種變形實施例的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖30B僅繪示出圖30A的第一電極層110E、第二電極層120E和反射層150。

請參照圖30A及圖30B，本實施例的天線結構16與圖27B的天線結構15的主要差異在於：條狀電極的排列方向和延伸方向都不同。具體而言，天線結構16的第一電極層110E的多個條狀電極115E和第二電極層120E的多個條狀電極125E是沿著方向X交替排列，並且都在方向Y上延伸。

請同時參照圖31，當當液晶層LC不驅動（即條狀電極115E與條狀電極125E不被致能）時，天線結構16的反射係數S11對頻率的曲線C31a以及電磁波相位對頻率的曲線C32a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構16的反射係數S11對頻率的曲線C31b以及電磁波相位對頻率的曲線C32b。舉例來說，對於相位落在-180度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率8.95GHz與頻率9.0GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在8.98GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P16約為204度。

因此，對於沿著方向Y流動的感應電流來說，本實施例的天線結構16對於電磁波的反射頻率調變量較圖27B的天線結構15來得小，但對於電磁波的相位調變量則是較天線結構15來得大。

在本實施例中，天線結構16的第二基板102可以是低介電損耗基板（例如Rogers基板）。然而，本發明不限於此。在圖30A的另一變形實施例中，天線結構的第二基板102也可以是玻璃基板。請同時參照圖32，當當液晶層LC不驅動（即條狀電極115E與條狀電極125E不被致能）時，天線結構的反射係數S11對頻率的曲線C33a以及電磁波相位對頻率的曲線C34a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構的反射係數S11對頻率的曲線C33b以及電磁波相位對頻率的曲線C34b。舉例來說，對於相位落在-55度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率17.2GHz與頻率17.36GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在17.27GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P17約為66度。

也就是說，當圖30A的第二基板102的材質由低介電損耗材料替換為玻璃時，天線結構對於電磁波的反射頻率調變量會增加，而對於電磁波的相位調變量會減少。

圖33A及圖33B是依照本發明的第十六實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖33A對應圖33B的剖線C-C’。圖34是圖33A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。為清楚呈現起見，圖33B僅繪示出圖33A的第一電極層110F、第二電極層120F和反射層150。

請參照圖33A及圖33B，本實施例的天線結構17與圖27A的天線結構15的差異在於：天線結構17的第一電極層110F不重疊於第二電極層120F。在本實施例中，第一電極層110F的多個條狀電極115F沿著排列方向（例如方向Y）不重疊於第二電極層120F的多個條狀電極125F。也就是說，當條狀電極115F具有不同於條狀電極125F的電位時，條狀電極115F與條狀電極125F之間所產生的電場可同時具有垂直分量和水平分量。因此，天線結構17適於調變感應電流在方向Z和方向Y上的相位。

請同時參照圖34，當當液晶層LC不驅動（即條狀電極115F與條狀電極125F不被致能）時，天線結構17的反射係數S11對頻率的曲線C35a以及電磁波相位對頻率的曲線C36a明顯不同於液晶層LC被驅動時，天線結構17的反射係數S11對頻率的曲線C35b以及電磁波相位對頻率的曲線C36b。舉例來說，對於相位落在-180度附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，可改變電磁波的反射主頻率，例如在頻率20.9GHz與頻率21GHz之間切換。從另一觀點來說，對於頻率落在20.97GHz附近的電磁波來說，液晶層LC的驅動與否，能產生的最大相位調變量∆P18約為166度。

綜上所述，在本發明的一實施例的天線結構中，第一電極層和第二電極層所形成的感應迴路能讓具有特定共振頻率的感應電流傳遞其中，而夾設在這兩電極層之間的液晶層可用來調變感應電流的電流路徑長度，進而調變電磁波的反射頻率和相位。此外，透過第一電極層所佔區域面積與第二電極層所佔區域面積的比值大於等於0.7且小於1，可有效增加電磁波的反射頻率的頻寬。

10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、13A、13B、13C、14A、14B、15、16、17:天線結構 101:第一基板 102:第二基板 102s:表面 103:第三基板 110、110A、110B、110D、110E、110F:第一電極層 111、112、111A、112A、121、122、115D、125D、115E、125E、115F、125F:條狀電極 120、120A、120D、120E、120F:第二電極層 130、130A:第三電極層 150:反射層 L:長度 LC:液晶層 W:寬度 X、Y、Z:方向 Z1、Z2、Z3、Z1”、Z2”、Z3”:區域 A-A’、B-B’、C-C’:剖線

圖1A及圖1B是依照本發明的第一實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖2是圖1A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖3A及圖3B是依照本發明的第二實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖4是圖3A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖5A及圖5B是依照本發明的第三實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖6是圖5A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖7A及圖7B是依照本發明的第四實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖8是圖7A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖9A及圖9B是依照本發明的第五實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖10是圖9A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖11A及圖11B是依照本發明的第六實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖12是圖11A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖13A及圖13B是依照本發明的第七實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖14是圖13A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖15A及圖15B是依照本發明的第八實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖16是圖15A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖17A及圖17B是依照本發明的第九實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖18是圖17A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖19A及圖19B是依照本發明的第十實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖20是圖19A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖21A及圖21B是依照本發明的第十一實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖22是圖21A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖23A及圖23B是依照本發明的第十二實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖24是圖23A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖25A及圖25B是依照本發明的第十三實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖26是圖25A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖27A及圖27B是依照本發明的第十四實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖28是圖27A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖29是圖27A的另一種變形實施例的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖30A及圖30B是依照本發明的第十五實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖31是圖30A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖32是圖30A的另一種變形實施例的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。圖33A及圖33B是依照本發明的第十六實施例的天線結構的剖視和正視示意圖。圖34是圖33A的天線結構在不同操作模式下的反射係數S11和相位對頻率的曲線圖。

10A:天線結構

101:第一基板

102:第二基板

102s:表面

110:第一電極層

120:第二電極層

150:反射層

LC:液晶層

X、Y、Z:方向

Claims

一種天線結構，包括：一第一基板；一第二基板，與該第一基板相對設置；一第一電極層，設置在該第一基板上；一第二電極層，設置在該第二基板上，且重疊於該第一電極層，其中該第一電極層所佔區域面積與該第二電極層所佔區域面積的比值大於等於0.7且小於1；一液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間，且位於該第一電極層與該第二電極層之間；以及一反射層，設置在該第二基板背離該第二電極層的一側。
如請求項1所述的天線結構，其中該第一電極層或該第二電極層具有多個條狀電極，且該液晶層位於該些條狀電極之間。
如請求項2所述的天線結構，其中該第二電極層具有該些條狀電極，該些條狀電極包括多個第一條狀電極和多個第二條狀電極，該些第一條狀電極與該些第二條狀電極沿著一方向交替排列，且該些第一條狀電極電性獨立於該些第二條狀電極。
如請求項1所述的天線結構，更包括：一第三電極層，設置在該第一電極層遠離該第二電極層的一側。
如請求項4所述的天線結構，其中該第一電極層或該第二電極層具有多個條狀電極，且該液晶層位於該些條狀電極之間。
如請求項5所述的天線結構，其中該第二電極層具有該些條狀電極，該些條狀電極包括沿著一方向交替排列的多個第一條狀電極和多個第二條狀電極，且該些第一條狀電極電性獨立於該些第二條狀電極。
如請求項4所述的天線結構，其中該第一電極層與該第二電極層各自具有多個條狀電極。
如請求項7所述的天線結構，其中該第一電極層的該些條狀電極的延伸方向相交於該第二電極層的該些條狀電極的延伸方向。
如請求項7所述的天線結構，其中該第一電極層的該些條狀電極的延伸方向平行於該第二電極層的該些條狀電極的延伸方向，且該第一電極層的該些條狀電極與該第二電極層的該些條狀電極沿著一方向交替排列。
如請求項9所述的天線結構，其中該第一電極層的該些條狀電極部分重疊於該第二電極層的該些條狀電極。
如請求項4所述的天線結構，其中該第三電極層所佔區域面積與該第一電極層所佔區域面積的比值大於等於0.7且小於1。
如請求項1所述的天線結構，更包括：一第三電極層，設置在該第二電極層遠離該第一電極層的一側。
如請求項12所述的天線結構，其中該第一電極層或該第二電極層具有多個條狀電極。
如請求項13所述的天線結構，其中該第一電極層具有該些條狀電極，該些條狀電極包括沿著一方向交替排列的多個第一條狀電極和多個第二條狀電極，且該些第一條狀電極電性獨立於該些第二條狀電極。
如請求項12所述的天線結構，其中該第二電極層所佔區域面積與該第三電極層所佔區域面積的比值大於等於0.7且小於1。
如請求項12所述的天線結構，其中該第一電極層與該第二電極層各自具有多個條狀電極。
如請求項16所述的天線結構，其中該第一電極層的該些條狀電極的延伸方向相交於該第二電極層的該些條狀電極的延伸方向。
如請求項16所述的天線結構，其中該第一電極層的該些條狀電極的延伸方向平行於該第二電極層的該些條狀電極的延伸方向，該第一電極層的該些條狀電極與該第二電極層的該些條狀電極沿著一方向交替排列，且該第一電極層的該些條狀電極部分重疊於該第二電極層的該些條狀電極。
如請求項1所述的天線結構，其中該第一電極層具有多個第一條狀電極，該第二電極層具有多個第二條狀電極，該些第一條狀電極與該些第二條狀電極沿著一方向交替排列。
如請求項19所述的天線結構，其中該些第一條狀電極沿著該方向重疊於該些第二條狀電極。
如請求項20所述的天線結構，其中該些第一條狀電極和該些第二條狀電極的任兩相鄰者沿著該方向具有一間距，該第二電極層所佔區域沿著該方向具有一長度，且該間距與該長度的比值大於0且小於0.1。
如請求項1所述的天線結構，其中該第二基板為一低介電損耗基板。