TWI757430B - 加工方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的課題是在分割被成膜的板狀的被加工物時，不會有使堵塞發生於切削刀的情形，且即使不利用雷射加工裝置，也可加工被加工物。 其解決手段為一種加工方法，係具備： 溝形成步驟，其係從被加工物(W)的表面(W1a)沿著分斷預定線(S)來形成溝(M1)； 擴張薄板貼著步驟，其係於實施溝形成步驟之後，在被加工物(W)的表面(W1a)貼著擴張薄板(T3)； 擴張步驟，其係實施擴張薄板貼著步驟之後，將擴張薄板(T3)擴張；及 噴射步驟，其係實施擴張步驟之後，將噴射物(P)噴射至被加工物(W)的膜(W2)。
Description
[0001] 本發明是有關在板狀物的背面形成膜，設定有複數的分斷預定線之被加工物的加工方法。
[0002] 若以切削刀來切削具備金屬膜或樹脂膜等，特別是具有延性的膜的板狀物，則在切削刀產生膜所造成的堵塞。於是，提案在實施切削加工之前，預先以雷射束來除去上述膜的方法(例如，參照專利文獻1)。 [先行技術文獻] [專利文獻] [0003] [專利文獻1] 日本特開2016-42526號公報
(發明所欲解決的課題) [0004] 但，若以雷射束來除去膜，則不僅產生碎片，且因一般為利用高價的雷射加工裝置來加工，所以有製造成本也增高的問題。 [0005] 因此，在加工被成膜的板狀的被加工物時，有使形成無使堵塞發生於切削刀的情形，且即使不利用雷射加工裝置，也可加工被加工物的課題。 (用以解決課題的手段) [0006] 用以解決上述課題的本發明，為一種加工方法，係於板狀物的背面形成膜，設定有複數的分斷預定線之被加工物的加工方法，其特徵係具備： 溝形成步驟，其係從被加工物的表面沿著該分斷預定線來形成溝； 擴張薄板貼著步驟，其係於實施該溝形成步驟之後，在被加工物的表面貼著擴張薄板； 擴張步驟，其係實施該擴張薄板貼著步驟之後，將該擴張薄板擴張；及 噴射步驟，其係實施該擴張步驟之後，將噴射物噴射至被加工物的該膜。 [0007] 本發明的加工方法，在實施前述擴張步驟之前，具備對於被加工物的前述膜噴射噴射物之第一噴射步驟為理想。 [0008] 前述噴射物，係設為含固體的二氧化碳粒子者為理想。 [發明的效果] [0009] 本發明的加工方法，由於具備： 溝形成步驟，其係從被加工物的表面沿著分斷預定線來形成溝； 擴張薄板貼著步驟，其係於實施溝形成步驟之後，在被加工物的表面貼著擴張薄板； 擴張步驟，其係實施擴張薄板貼著步驟之後，將擴張薄板擴張；及 噴射步驟，其係實施擴張步驟之後，將噴射物噴射至被加工物的膜， 因此可不利用雷射加工裝置，且亦無使膜所造成的堵塞發生於切削刀的情形，將膜分斷且除去膜之沿著溝的區域，亦即膜之中從晶片超出的部分，而可從被加工物製作晶片。並且，藉由擴張來預先將膜部分地或全體地分斷之後，以噴射物來除去膜之中從晶片超出的部分，因此可有效率地從晶片除去此超出部分。 [0010] 並且，在本發明的加工方法中，藉由設為在實施擴張步驟之前，具備對於被加工物的膜噴射噴射物之第一噴射步驟者，以噴射物來部分地或全體地將膜分斷之後，擴張而將溝的間隔擴張，然後以噴射物來除去膜之中從晶片超出的部分，因此可更有效率地除去此超出部分來從被加工物製作晶片。 [0011] 而且，藉由將噴射物設為含固體的二氧化碳粒子者，可更容易地進行藉由噴射物的噴射之膜的分斷或膜之中從晶片超出的部分的除去。
[0013] 圖1所示的被加工物W是例如具備由矽所成的板狀物W1之圓形狀的半導體晶圓，在板狀物W1的表面，亦即被加工物W的表面W1a是複數的分斷預定線S會分別被設定成為正交。然後，在藉由分斷預定線S所區劃的格子狀的區域中分別形成有元件D。在圖1中，在朝向-Z方向側的板狀物W1的背面W1b是形成有由銅及鎳等的金屬所成作為電極作用的一樣厚度(例如0.5μm~10μm)的膜W2。膜W2的露出面是成為被加工物W的背面W2b。另外，被加工物W的構成並非是限於本實施形態所示的例子。例如，板狀物W1是除了矽以外，亦可用藍寶石、鎵或碳化矽等所構成，且膜W2不是金屬膜，例如亦可為DAF(Die Attach Film)或DBF(Die Backside Film)等的厚度5μm~30μm程度的樹脂膜。 [0014] (實施形態1) 以下，說明有關實施本發明的加工方法，從圖1所示的被加工物W製作具備元件D的晶片時的加工方法的各步驟。 [0015] (1-1)使用切削裝置的溝形成步驟 首先，實施從圖1所示的被加工物W的表面W1a沿著分斷預定線S來形成溝的溝形成步驟。在本溝形成步驟中，例如，使用圖2所示的切削裝置1來進行溝形成。 [0016] 圖2所示的被加工物W是在其背面W2b貼著有比被加工物W更大徑的切割膠帶T1，切割膠帶T1的黏著面的外周部是形成被貼著於環狀框架F1的狀態。表面W1a朝向上方而露出的狀態的被加工物W是隔著切割膠帶T1來被支撐於環狀框架F1，藉此形成可藉由環狀框架F1操縱的狀態。 [0017] 圖2所示的切削裝置1是例如至少具備： 吸引保持被加工物W的吸盤台10；及 對於被保持於吸盤台10的被加工物W以旋轉的切削刀110來實施切削加工的切削手段11。 [0018] 吸盤台10是例如其外形為圓形狀，在由多孔的構件等所成的保持面10a上吸引保持被加工物W。吸盤台10是可繞著鉛直方向(Z軸方向)的軸心旋轉，且可藉由未圖示的切削進給手段來往復移動於X軸方向。在吸盤台10的外周部是例如4個(在圖示的例子中是僅圖示2個)的固定夾緊裝置100為了固定環狀框架F1而被均等地配設。 [0019] 切削手段11是具備軸方向相對於被加工物W的移動方向(X軸方向)與水平方向正交的方向(Y軸方向)的主軸111，在主軸111的前端是固定有圓環狀的切削刀110。 [0020] 首先，如圖2所示般，藉由環狀框架F1所支撐的被加工物W會在表面W1a朝向上側的狀態下藉由吸盤台10來吸引保持。並且，藉由各固定夾緊裝置100來挾持固定環狀框架F1。其次，藉由未圖示的對準手段來檢測出應使切削刀110切入的分斷預定線S的Y軸方向的座標位置。隨著分斷預定線S被檢測出，切削手段11會被分度進給於Y軸方向，進行應切削的分斷預定線S與切削刀110的Y軸方向的對位。 [0021] 隨著未圖示的馬達旋轉驅動主軸111，切削刀110會例如從-Y方向側來看高速旋轉為順時針方向。而且，切削手段11會朝向-Z方向來切入進給，切削刀110的最下端會完全切斷板狀物W1，且切削手段11會被定位於不切入膜W2的高度位置。另外，例如，亦可將切削手段11定位於切削刀110不完全切斷板狀物W1的高度位置，亦即切削刀110的最下端比板狀物W1的背面W1b更些微上方的高度位置。 [0022] 藉由保持被加工物W的吸盤台10以預定的切削進給速度來送出於-X方向側(紙面內側)，旋轉的切削刀110會沿著分斷預定線S來從被加工物W的表面W1a側切入至板狀物W1，形成不到圖2、3所示的膜W2的溝M1。如圖3所示般，例如在溝M1的溝底是形成膜W2的表面W2a會露出的狀態。另外，亦可以板狀物W1的切剩部分作為溝M1的底以些微的厚度殘存的方式形成溝M1。 [0023] 若被加工物W被送至切削刀110切完一條的分斷預定線S的X軸方向的預定的位置，則被加工物W的切削進給會一度被停止，切削刀110從被加工物W離開，其次，被加工物W會移動於+X方向回到原點位置。然後，每相鄰的分斷預定線S的間隔，一邊將切削刀110分度進給於+Y方向，一邊依次進行同樣的切削，藉此沿著X軸方向的全部的分斷預定線S來將不到膜W2的深度的溝M1形成於被加工物W。而且，使被加工物W旋轉90度之後進行同樣的切削加工，藉此可沿著全部的分斷預定線S來形成不到圖3所示的膜W2的深度的溝M1。 [0024] (1-2)使用電漿蝕刻裝置的溝形成步驟 溝形成步驟是亦可使用圖4所示的電漿蝕刻裝置9來實施，取代使用圖2所示的切削裝置1來如上述般實施。 [0025] 圖4所示的電漿蝕刻裝置9是具備： 保持被加工物W的靜電吸盤90； 噴出氣體的氣體噴出頭91；及 在內部收容靜電吸盤90及氣體噴出頭91的腔室92。 [0026] 例如，以礬土等的陶瓷或氧化鈦等的介電質所形成的靜電吸盤90是藉由支撐構件900來從下方支撐。在靜電吸盤90的內部，藉由施加電壓而產生電荷的電極(金屬板)901會被配設成與靜電吸盤90的保持面90a平行，此電極901是被連接至匹配器94a及偏壓高頻電源95a。另外，例如，靜電吸盤90並非是被限於像本實施形態那樣的單極型的靜電吸盤者，亦可為所謂的雙極型的靜電吸盤。 [0027] 在經由軸承919來昇降自如地配設於腔室92的上部之氣體噴出頭91的內部是設有氣體擴散空間910，氣體擴散空間910的上部是連通氣體導入口911，在氣體擴散空間910的下部是連通有複數個氣體吐出口912。各氣體吐出口912的下端是朝向靜電吸盤90的保持面90a而開口。 [0028] 在氣體導入口911連接氣體供給部93。氣體供給部93是儲存例如SF6
、CF4
、C2
F6
、C2
F4
等的氟系氣體作為蝕刻氣體。 [0029] 氣體噴出頭91是經由匹配器94來連接高頻電源95。藉由從高頻電源95經由匹配器94來供給高頻電力至氣體噴出頭91，可使從氣體吐出口912吐出的蝕刻氣體電漿化。電漿蝕刻裝置9是具備未圖示的控制部，在藉由控制部的控制之下，氣體的吐出量或時間、高頻電力等的條件會被控制。 [0030] 在腔室92的底是形成有排氣口96，此排氣口96是連接排氣裝置97。藉由使此排氣裝置97作動，可將腔室92的內部減壓至預定的真空度。 在腔室92的側部是設有：用以進行被加工物W的搬出入的搬出入口920，及開閉此搬出入口920的閘閥921。 [0031] 在被加工物W被施以電漿蝕刻形成溝時，各元件D(在圖4中是未圖示)會形成藉由阻劑膜R來保護的狀態。亦即，例如，正型阻劑液會被塗佈於被加工物W的表面W1a，一樣的厚度的阻劑膜被形成於表面W1a上之後，只對分斷預定線S照射紫外光，曝光後的被加工物W會被顯像，藉此分斷預定線S會露出，且元件D成為藉由阻劑膜R所保護的狀態。 並且，在被加工物W的背面W2b，膠帶或硬質板會作為保護構件T2而被貼著，背面W2b是形成藉由保護構件T2來保護的狀態。 [0032] 在溝的形成中，首先，開啟閘閥921，從搬出入口920將被加工物W搬入至腔室92內，將表面W1a側朝向上而把被加工物W載置於靜電吸盤90的保持面90a上。關閉閘閥921，藉由排氣裝置97來將腔室92內排氣，以腔室92內作為預定的壓力的密閉空間。 [0033] 使氣體噴出頭91下降至預定的高度位置，在該狀態下從氣體供給部93供給例如以SF6
作為主體的蝕刻氣體至氣體擴散空間910，使從氣體吐出口912噴出至下方。並且，從高頻電源95施加高頻電力至氣體噴出頭91，使高頻電場產生於氣體噴出頭91與靜電吸盤90之間，使蝕刻氣體電漿化。予以並行，從偏壓高頻電源95a施加電壓至電極901，藉此使介質極化現象產生於靜電吸盤90的保持面90a與被加工物W之間，藉由電荷的分極所產生的靜電吸附力來將被加工物W吸附保持於保持面90a上。 [0034] 電漿化後的蝕刻氣體是以阻劑膜R所被覆的各元件D不蝕刻，在分斷預定線S上朝向-Z方向來各向異性蝕刻。因此，沿著圖3所示的分斷預定線S的格子狀的溝M1會被形成於板狀物W1。 [0035] 電漿化後的蝕刻氣體是不蝕刻由金屬所成的膜W2。因此，如圖3所示般，溝M1的底不會到膜W2內，且進行電漿蝕刻至膜W2的表面W2a露出於溝M1的底之後，使電漿蝕刻終了。亦即，停止朝圖4所示的腔室92內之蝕刻氣體等的導入及朝氣體噴出頭91之高頻電力的供給，且將腔室92內的蝕刻氣體從排氣口96排氣至排氣裝置97，設為蝕刻氣體不存在於腔室92內部的狀態。 另外，亦可進行電漿蝕刻至板狀物W1成為蝕刻殘餘部分以些微的厚度殘存於圖3所示的溝M1的底之狀態。 [0036] 其次，從圖4所示的被加工物W的表面W1a上除去阻劑膜R。阻劑膜R的除去是例如藉由使用預定藥劑的濕式處理，或藉由電漿蝕刻裝置9之阻劑膜R的灰化(ashing)來進行。 [0037] (2)擴張薄板(expand sheet)貼著步驟 如上述般實施(1-1)使用切削裝置1的溝形成步驟，或(1-2)使用電漿蝕刻裝置9的溝形成步驟的任一個之後，在圖5所示的被加工物W的表面W1a貼著擴張薄板T3。擴張薄板T3是例如具有比被加工物W的外徑更大的外徑之圓盤狀的薄板，具備對於機械性外力之適度的伸縮性。擴張薄板T3的黏著面T3a會被推壓於被加工物W的表面W1a而貼著，且從被加工物W的背面W2b剝離圖2所示的切割膠帶T1或圖4所示的保護構件T2。 [0038] 而且，如圖6所示般，擴張薄板T3的黏著面T3a的外周區域是被貼著於環框架F2。然後，背面W2b露出於上方的狀態的被加工物W是形成可藉由環框架F2來操縱的狀態。 [0039] (3)擴張步驟 如圖6所示般，將隔著擴張薄板T3來藉由環框架F2支撐的狀態的被加工物W搬送至擴張裝置5。擴張裝置5是例如具備具有比擴張薄板T3的外徑更大的外徑的環狀台50，環狀台50的開口50c的直徑是形成比擴張薄板T3的外徑更小。在環狀台50的外周部是均等地配設有例如4個(在圖示的例中是僅圖示2個)的固定夾緊裝置52。固定夾緊裝置52是藉由未圖示的彈簧等來將旋轉軸52c成為可轉動於軸，可在環狀台50的保持面50a與固定夾緊裝置52的下面之間夾入環框架F2及擴張薄板T3。 [0040] 在環狀台50的開口50c內，圓筒狀的擴張鼓53會固定高度位置而配設，環狀台50的中心與擴張鼓53的中心是大略一致。此擴張鼓53的外徑是比擴張薄板T3的外徑小，且比形成比被加工物W的外徑更大。 [0041] 環狀台50是例如藉由環狀台昇降手段55成為可上下移動。環狀台昇降手段55是例如汽缸(Air Cylinder)，具備：在內部具備未圖示的活塞之有底圓筒狀的汽缸筒(cylinder tube)550，及被插入至汽缸筒550且一端被安裝於活塞的活塞桿551。活塞桿551的另一端是被固定於環狀台50的下面。藉由空氣被供給(或排出)至汽缸筒550，汽缸筒550的內部壓力變化，活塞桿551會移動於Z軸方向，且環狀台50會移動於Z軸方向。 [0042] 首先，在被定位於基準高度位置的環狀台50的保持面50a隔著擴張薄板T3而載置有環框架F2。其次，使固定夾緊裝置52轉動，使環框架F2及擴張薄板T3形成被挾持固定於固定夾緊裝置52與環狀台50的保持面50a之間的狀態。在此狀態中，環狀台50的保持面50a與擴張鼓53的環狀的上端面是處於同一的高度位置，擴張鼓53的上端面會在擴張薄板T3的環框架F2的內周緣與被加工物W的外周緣之間的區域，從擴張薄板T3的基材面側(圖6的下面側)抵接。 [0043] 如圖7所示般，環狀台昇降手段55會使將環框架F2及擴張薄板T3夾入與固定夾緊裝置52之間的狀態的環狀台50下降，藉此將環狀台50的保持面50a定位於比擴張鼓53的上端面還下方的薄板擴張位置。其結果，擴張鼓53對於固定夾緊裝置52是相對性地上昇，擴張薄板T3是以擴張鼓53的上端面來推上而朝向徑方向外側擴張，隨之，擴張力會集中地施加於膜W2之沿著溝M1的區域，亦即對應於溝M1的區域的膜W2。 [0044] 藉由控制環狀台50的保持面50a的下降位置，調整經由擴張薄板T3來賦予膜W2的擴張力的大小，例如圖7、8所示般，在膜W2形成沿著溝M1來部分地切除膜W2的狀態的分斷起點W2d。並且，擴張薄板T3上的晶片間的間隔也被擴張。另外，除了在膜W2形成沿著溝M1的分斷起點W2d以外，亦可沿著溝M1來完全分斷膜W2，又，亦可形成膜W2之沿著溝M1的區域被拉長而變薄容易被分斷的狀態。 [0045] 另外，將擴張薄板T3擴張後，藉由預定的加熱手段來加熱擴張薄板T3的環狀框架F的內周緣與被加工物W的外周緣之間的環狀區域為理想。例如，以未圖示的保持台來吸引保持擴張薄板T3之中貼著有被加工物W的圓形區域的狀態下進行本加熱。另外，亦可設為在擴張裝置5具備用以進行上述吸引保持的機構者。加熱手段是例如可放射紅外線的紅外線加熱器，從上方以非接觸加熱擴張薄板T3的環狀框架F的內周緣與被加工物W的外周緣之間的環狀區域。另外，加熱手段是亦可為接觸式者，且亦可為能從噴嘴噴射熱風的熱風加熱器。藉由加熱手段來加熱的環狀區域是例如朝徑方向內側收縮至擴張前的大小。 加熱手段的加熱是只對擴張薄板T3的環狀框架F的內周緣與被加工物W的外周緣之間的環狀區域進行，因此可將鄰接的各晶片的間隔維持於擴張後的大小。而且，在先前進行的擴張完全分斷膜W2的情況，比擴張前更被維持在晶片間有間隔的狀態，因此在後述的噴射步驟中可維持從晶片超出的部分的膜W2會容易被除去(噴射物容易射中)的狀態。在先前進行的擴張未完全分斷膜W2的情況，也被保持晶片間的膜W2被拉長而變薄容易被分斷的狀態，因此在後述的噴射步驟中可維持噴射物容易射中的狀態。 [0046] (4)噴射步驟 實施擴張步驟之後，如圖9所示般，為了將噴射物噴射至被加工物W的膜W2，而將隔著擴張薄板T3藉由環框架F2所支撐的狀態的被加工物W搬送至噴射裝置3。 噴射裝置3是例如具備： 保持被加工物W的保持台30； 使保持台30旋轉的旋轉手段32；及 在上端側具備圓形的開口的有底圓筒狀的殼體(casing)34。 [0047] 保持台30是例如其外形為圓形狀，具備由多孔的構件等所成連通至吸引源的保持面30a。在保持台30的周圍是固定環框架F2的固定夾緊裝置301會例如均等配設4個(在圖示的例子中是僅圖示2個)。保持台30是成為可上下移動，在載置有被加工物W時，上昇定位於被加工物W的搬入･搬出高度位置，且在噴射物被噴射至吸引保持的被加工物W時，定位於殼體34內的噴射高度位置。 [0048] 被配設於保持台30的下側的旋轉手段32至少具備： 主軸320，其係上端被固定於保持台30的底面側，可繞著鉛直方向的軸心旋轉；及 旋轉驅動源321，其係以馬達等所構成，被連結至主軸320的下端側。 藉由旋轉驅動源321使主軸320旋轉，被固定於主軸320的保持台30也旋轉。 [0049] 保持台30是被收容於殼體34的內部空間。殼體34是由：圍繞保持台30的外側壁340，及被一體地連接至外側壁340的下部且在中央具有插通主軸320的開口的底板341，及從底板341的開口的內周緣立設的內側壁342所構成，藉由一端被固定於底板341的腳部343所支撐。在保持台30的下面與殼體34的內側壁342的上端面之間是以被主軸320挿嵌而不使異物進入至主軸320與底板341的開口之間隙的方式配設有圓形狀的罩構件344。 [0050] 在殼體34內是配設有可用空氣壓力來噴射例如粉末狀的乾冰(固體的二氧化碳粒子)至被吸引保持於保持面30a的被加工物W的膜W2之噴射噴嘴35。噴射噴嘴35是從殼體34的底板341立設，外形成為側面視大致L字狀，被形成於前端部分的噴射口350會朝向保持台30的保持面30a而開口。噴射噴嘴35是可繞著Z軸方向的軸心迴旋，可從保持台30的上方至退避位置移動噴射口350。 [0051] 噴射噴嘴35是經由配管36a及未圖示的旋轉連接等來連接至儲存有液體的二氧化碳的二氧化碳供給源36。又，噴射噴嘴35是經由配管37a及未圖示的旋轉連接等來連接至儲存有被壓縮的空氣(壓縮空氣)的空氣供給源37。 [0052] 在將噴射物噴射至被加工物W的膜W2時，首先，在被定位於搬入高度位置的保持台30的保持面30a上，被加工物W會將膜W2朝向上側而載置。然後，藉由吸引源所產生出的吸引力傳達至保持面30a，被加工物W會形成藉由保持台30來吸引保持的狀態。並且，環框架F2會藉由各固定夾緊裝置301來挾持固定。其次，保持被加工物W的保持台30會下降至殼體34內的作業高度位置。並且，噴射噴嘴35會迴旋移動，其噴射口350會被定位於被加工物W的膜W2的中央上方。 [0053] 從二氧化碳供給源36供給液體的二氧化碳至噴射噴嘴35，且從空氣供給源37供給空氣至噴射噴嘴35。從二氧化碳供給源36供給的液體的二氧化碳及從空氣供給源37供給的空氣會在噴射噴嘴35內以高壓混合，一旦從噴射噴嘴35的噴射口350朝向下方作為噴射物P被噴射至大氣中，則液體的二氧化碳的溫度會藉由絕熱膨脹而低於凝固點，產生極微細的粉末狀的乾冰(固體的二氧化碳粒子)P1。一旦含此粉末狀的乾冰P1的噴射物P衝突於被加工物W的膜W2，則乾冰P1變形、破碎，朝二氧化碳氣體昇華。 [0054] 並且，噴射噴射物P的噴射噴嘴35會迴旋移動成為繞著Z軸方向的軸心以預定角度來往復於被加工物W的上方。而且，藉由旋轉驅動源321使主軸320從+Z方向側來看朝向例如反時針方向旋轉，保持台30會旋轉於同方向，從噴射噴嘴35的噴射口350噴射含乾冰P1的噴射物P至被加工物W的膜W2的全面。膜W2之沿著溝M1的區域，亦即膜W2之中從晶片超出的部分是形成有沿著溝M1的分斷起點W2d，因此容易藉由外力來從板狀物W1分離。為此，藉由衝突於膜W2之沿著溝M1的區域的乾冰P1的氣化膨脹，膜W2之沿著溝M1的區域會從溝M1上被吹飛而除去。 另外，例如，膜W2沿著溝M1而被分斷時，或膜W2之沿著溝M1的區域被拉長而變薄容易被分斷時，也同樣藉由在乾冰P1的昇華產生的膨脹的能量來從溝M1上除去膜W2之沿著溝M1的區域。 [0055] 而且，膜W2所被除去的部分是藉由保持台30的旋轉來朝向徑方向外側飛散而被排除。藉由預定時間進行噴射物P對於被加工物W的膜W2之噴射，如圖10所示般，可將被加工物W分割成具備元件D及膜W2的各個的晶片C。 [0056] 另外，在將噴射物P噴射至被加工物W的膜W2時，例如，亦可形成拍攝有被加工物W的各溝M1的攝像畫像，由此攝像畫像來檢測出被加工物W的各溝M1的座標位置，再沿著檢測出的各溝M1來直線狀地朝向膜W2噴射噴射物P，藉此從溝M1上來1條1條除去膜W2之沿著溝M1的區域。 [0057] 又，圖9所示的噴射噴嘴35亦可不是噴射含固體的二氧化碳粒子P1的噴射物P者，而是成為可噴射高壓水的構成。亦即，噴射噴嘴35是經由配管36a來連接至儲存水(例如純水)的水供給源，取代二氧化碳供給源36。此情況，是以板狀物W1不會破損或晶片C不會飛散的壓力(例如100MPa~300MPa)來使高壓水從噴射口350朝向被加工物W的膜W2噴射，可用此高壓水來從溝M1上除去膜W2之沿著溝M1的區域。 [0058] 如上述般，由於本發明的加工方法具備： 溝形成步驟，其係從被加工物W的表面W1a沿著分斷預定線S來形成溝M1； 擴張薄板貼著步驟，其係於實施溝形成步驟之後，將擴張薄板T3貼著於被加工物W的表面W1a； 擴張步驟，其係實施擴張薄板貼著步驟之後，將擴張薄板T3擴張；及 噴射步驟，其係實施擴張步驟之後，將噴射物P噴射至被加工物W的膜W2， 因此，可不利用雷射加工裝置，且亦無使膜W2所造成的堵塞發生於切削刀110的情形，將膜W2分斷且除去膜W2之中從晶片C超出的部分，而可從被加工物W製作晶片C。並且，藉由擴張，預先將膜W2沿著溝M1來部分地或全體地分斷之後，或將膜W2之沿著溝M1的區域拉長而變薄之後，以噴射物P來除去鄰接的晶片C間的膜W2(從晶片C的超出部分)，因此可有效率地將鄰接的晶片C間的膜W2從晶片C除去。 [0059] 而且，藉由將噴射物P設為含固體的二氧化碳粒子P1者，可更容易進行藉由噴射物P的噴射之膜W2的分斷或膜W2之中從晶片C超出的部分的除去。 [0060] (實施形態2) 以下，說明有關實施本發明的加工方法，從圖1所示的被加工物W製作具備元件D的晶片時的加工方法的各步驟。在本發明的加工方法的本實施形態2中，與本發明的加工方法的實施形態1同樣，首先，實施(1-1)使用切削裝置的溝形成步驟，或(1-2)使用電漿蝕刻裝置的溝形成步驟的任一個，如圖3所示般，沿著全部的分斷預定線S來將溝M1形成於被加工物W。 其次，與加工方法的實施形態1同樣，實施(2)擴張薄板貼著步驟，如圖5所示般，在被加工物W的表面W1a貼著擴張薄板T3。並且，從被加工物W的背面W2b剝離圖2所示的切割膠帶T1或圖4所示的保護構件T2。 [0061] (3)第一噴射步驟 實施擴張薄板貼著步驟之後，實施對於被加工物W的膜W2噴射噴射物的第一噴射步驟。如圖11所示般，在噴射裝置3的保持台30的保持面30a上，將隔著擴張薄板T3藉由環框架F2所支撐的狀態的被加工物W配置成為膜W2朝向上側。保持台30是吸引保持被加工物W之後，下降至殼體34內的噴射高度位置。 [0062] 噴射噴嘴35會迴旋移動，噴射噴嘴35的噴射口350會被定位於被加工物W的膜W2的中央上方。其次，從二氧化碳供給源36供給液體的二氧化碳至噴射噴嘴35，且從空氣供給源37供給空氣至噴射噴嘴35。液體的二氧化碳與空氣是在噴射噴嘴35內被高壓混合，從噴射口350朝向下方來作為噴射物P噴射至大氣中。而且，噴射噴射物P的噴射噴嘴35會會迴旋移動成為繞著Z軸方向的軸心以預定角度來往復於被加工物W的上方。並且，藉由保持台30從+Z方向側來看朝向例如反時針方向旋轉，從噴射噴嘴35的噴射口350噴射含乾冰P1的噴射物P至被加工物W的膜W2的全面。 [0063] 由於膜W2之沿著溝M1的區域是從下方未以板狀物W1所支撐，因此接收以噴射物P中含的乾冰P1的昇華所產生的膨脹的能量，例如圖12所示般被分斷。另外，膜W2是亦可形成藉由噴射物P的噴射來形成有膜W2會沿著溝M1而部分地被切斷的狀態的分斷起點之狀態，又，亦可成為膜W2之沿著溝M1的區域被拉長而變薄容易被分斷的狀態。 [0064] 另外，在將噴射物噴射至被加工物W的膜W2時，例如，亦可實施伴隨攝有被加工物W的各溝M1的攝像畫像的畫像處理之各溝M1的座標位置檢測，或根據被加工物W的缺口及預先記憶的被加工物W的圖案設計值之各溝M1的座標位置檢測，沿著此檢測出的各溝M1來直線狀地將噴射物朝向膜W2噴射，藉此1條1條分斷膜W2之沿著溝M1的區域。 [0065] 又，圖11所示的噴射噴嘴35亦可不是噴射含固體的二氧化碳粒子P1的噴射物P者，而是成為可噴射高壓水的構成。此情況，是以板狀物W1不會破損或晶片C不會飛散的壓力(例如100MPa~300MPa)來使水從噴射口350朝向被加工物W的膜W2噴射，可用此高壓水來將膜W2之沿著溝M1的區域分斷。 [0066] (4)擴張步驟 實施第一噴射步驟之後，被加工物W會被搬送至圖13所示的擴張裝置5，在被定位於基準高度位置的環狀台50的保持面50a隔著擴張薄板T3來載置環框架F2。其次，環框架F2及擴張薄板T3會被挾持固定於固定夾緊裝置52與環狀台50的保持面50a之間。 [0067] 如圖14所示般，藉由環狀台昇降手段55使在與固定夾緊裝置52之間夾入環框架F2及擴張薄板T3的狀態的環狀台50下降，擴張薄板T3會在擴張鼓53的上端面被推起而朝向徑方向外側擴張。而且，藉由控制環狀台50的保持面50a的下降位置，調整擴張薄板T3的擴張的程度來將各晶片C間的溝M1的間隔擴大至預定的大小。 [0068] 另外，將各晶片C間的溝M1的間隔擴大至預定的大小之後，藉由預定的加熱手段來加熱擴張薄板T3的環框架F2的內周緣與被加工物W的外周緣之間的環狀區域為理想。例如，以未圖示的保持台來吸引保持擴張薄板T3之中貼著有被加工物W的圓形區域的狀態下進行本加熱。另外，亦可設為在擴張裝置5具備用以進行上述吸引保持的機構。藉由加熱手段來加熱的環狀區域是例如朝向徑方向內側收縮至擴張前的大小。 加熱手段的加熱是只對擴張薄板T3的環框架F2的內周緣與被加工物W的外周緣之間的環狀區域進行，因此可將鄰接的各晶片C的間隔維持於擴張後的大小。因此，在後述的噴射步驟中可維持膜W2之中從晶片C超出的部分會容易被除去(噴射物容易射中)的狀態。 [0069] (5)噴射步驟 如圖15所示般，溝M1被擴張的被加工物W會被搬送至噴射裝置3，被加工物W是被吸引保持於保持台30上。保持台30下降至噴射高度位置之後，噴射噴嘴35的噴射口350會被定位於被加工物W的膜W2的中央上方。其次，從二氧化碳供給源36供給液體的二氧化碳至噴射噴嘴35，且從空氣供給源37供給空氣至噴射噴嘴35，藉此從噴射口350朝向下方來噴射含乾冰P1的噴射物P至大氣中。而且，噴射噴射物P的噴射噴嘴35會迴旋移動成為繞著Z軸方向的軸心以預定角度來往復於被加工物W的上方。並且，藉由保持台30從+Z方向側來看朝向例如反時針方向旋轉，噴射物P會被噴射至被加工物W的膜W2的全面。 [0070] 藉由含乾冰P1的噴射物P衝突於被分斷的膜W2之沿著溝M1的區域，亦即膜W2之中從晶片超出的部分，此超出部分會藉由乾冰P1的氣化膨脹來從溝M1上被吹飛而從晶片C除去。並且，膜W2之中被除去的部分是藉由保持台30的旋轉來朝向徑方向外側飛散而被排除。藉由預定時間進行噴射物P之朝被加工物W的膜W2的噴射，可將被加工物W分割成具備元件D及膜W2的各個晶片C。 [0071] 另外，在將噴射物噴射至被加工物W的膜W2時，例如，亦可由拍攝有被加工物W的各溝M1的攝像畫像來檢測出被加工物W的各溝M1的座標位置，沿著檢測出的各溝M1來直線狀地朝向膜W2噴射噴射物，藉此從溝M1上來1條1條除去膜W2之中從晶片C超出的部分。 [0072] 又，圖15所示的噴射噴嘴35亦可不是噴射含固體的二氧化碳粒子P1的噴射物P者，而是成為可噴射高壓水的構成。此情況，是以板狀物W1不會破損或晶片C不會飛散的壓力(例如100MPa~300MPa)來使水從噴射口350朝向被加工物W的膜W2噴射，可用此高壓水來除去膜W2之中從晶片超出的部分。 [0073] 如上述般，本發明的加工方法是在實施擴張薄板貼著步驟之後，實施擴張步驟之前，實施對於被加工物W的膜W2噴射噴射物P的第一噴射步驟，藉此以噴射物P來部分地或全體地將膜W2分斷之後，進行擴張而將溝M1的間隔擴張，然後以噴射物P來除去膜W2之沿著溝M1的區域，因此可短時間效率佳除去膜W2之中從晶片C超出的部分，而可從被加工物W製作晶片C。
[0074]W‧‧‧被加工物W1‧‧‧板狀物W1a‧‧‧被加工物的表面S‧‧‧分斷預定線D‧‧‧元件W1b‧‧‧板狀物的背面W2‧‧‧膜W2a‧‧‧膜的表面W2b‧‧‧被加工物的背面T1‧‧‧切割膠帶F1‧‧‧環狀框架M1‧‧‧溝1‧‧‧切削裝置10‧‧‧吸盤台10a‧‧‧保持面100‧‧‧固定夾緊裝置11‧‧‧切削手段110‧‧‧切削刀111‧‧‧主軸9‧‧‧電漿蝕刻裝置90‧‧‧靜電吸盤90a‧‧‧靜電吸盤的保持面900‧‧‧支撐構件901‧‧‧電極91‧‧‧氣體噴出頭910‧‧‧氣體擴散空間911‧‧‧氣體導入口912‧‧‧氣體吐出口92‧‧‧腔室920‧‧‧搬出入口921‧‧‧閘閥93‧‧‧氣體供給部94、94a‧‧‧匹配器95、95a‧‧‧高頻電源、偏壓高頻電源96‧‧‧排氣口97‧‧‧排氣裝置R‧‧‧阻劑膜T2‧‧‧保護構件5‧‧‧擴張裝置50‧‧‧環狀台50a‧‧‧環狀台的保持面50c‧‧‧環狀台的開口52‧‧‧固定夾緊裝置53‧‧‧擴張鼓55‧‧‧環狀台昇降手段550‧‧‧汽缸筒551‧‧‧活塞桿T3‧‧‧擴張薄板F2‧‧‧環框架3‧‧‧噴射裝置30‧‧‧保持台30a‧‧‧保持面301‧‧‧固定夾緊裝置32‧‧‧旋轉手段320‧‧‧主軸321‧‧‧旋轉驅動源34‧‧‧殼體340‧‧‧外側壁341‧‧‧底板342‧‧‧內側壁343‧‧‧腳部344‧‧‧罩構件35‧‧‧噴射噴嘴350‧‧‧噴射口36‧‧‧二氧化碳供給源37‧‧‧空氣供給源P‧‧‧噴射物P1‧‧‧固體的二氧化碳粒子
[0012] 圖1是表示被加工物之一例的側面圖。 圖2是表示利用切削裝置在被加工物形成溝的狀態的剖面圖。 圖3是擴大表示被形成於被加工物的溝之一例的剖面圖。 圖4是表示用以在被加工物形成溝的電漿蝕刻裝置之一例的剖面圖。 圖5是表示擴張薄板被貼著於表面側的狀態的被加工物的一部分的剖面圖。 圖6是表示在擴張裝置設定被貼著於擴張薄板且以環框架來支撐的被加工物的狀態的剖面圖。 圖7是表示藉由擴張裝置來將擴張薄板擴張的狀態的剖面圖。 圖8是擴大表示擴張薄板被擴張之後的被加工物的一部分的剖面圖。 圖9是表示利用噴射裝置來對於被加工物的膜噴射噴射物的狀態的剖面圖。 圖10是擴大表示噴射物被噴射之後的被加工物的一部分的剖面圖。 圖11是表示在第一噴射步驟中，利用噴射裝置來對於被加工物的膜噴射噴射物的狀態的剖面圖。 圖12是擴大表示在第一噴射步驟中噴射物被噴射之後的被加工物的一部分的剖面圖。 圖13是表示在擴張裝置設定在第一噴射步驟中噴射物被噴射之後的被加工物的狀態的剖面圖。 圖14是表示藉由擴張裝置來將擴張薄板擴張而擴張被加工物的溝的間隔的狀態的剖面圖。 圖15是表示利用噴射裝置，沿著被加工物的膜的溝來對於膜之中從晶片超出的部分噴射噴射物的狀態的剖面圖。
3‧‧‧噴射裝置
30‧‧‧保持台
30a‧‧‧保持面
32‧‧‧旋轉手段
34‧‧‧殼體
35‧‧‧噴射噴嘴
36‧‧‧二氧化碳供給源
36a‧‧‧配管
37‧‧‧空氣供給源
37a‧‧‧配管
301‧‧‧固定夾緊裝置
320‧‧‧主軸
321‧‧‧旋轉驅動源
340‧‧‧外側壁
341‧‧‧底板
342‧‧‧內側壁
343‧‧‧腳部
344‧‧‧罩構件
350‧‧‧噴射口
D‧‧‧元件
F2‧‧‧環框架
M1‧‧‧溝
P‧‧‧噴射物
P1‧‧‧固體的二氧化碳粒子
S‧‧‧分斷預定線
T3‧‧‧擴張薄板
W‧‧‧被加工物
W1‧‧‧板狀物
W2‧‧‧膜
W2b‧‧‧被加工物的背面
W2d‧‧‧分斷起點
Claims (3)
- 一種加工方法，係於板狀物的背面形成膜，設定有複數的分斷預定線之被加工物的加工方法，其特徵係具備：溝形成步驟，其係從被加工物的表面沿著該分斷預定線來形成溝；擴張薄板貼著步驟，其係於實施該溝形成步驟之後，在被加工物的表面貼著擴張薄板，更將擴張薄板貼著於環狀框；擴張步驟，其係實施該擴張薄板貼著步驟之後，將該擴張薄板擴張；加熱步驟，其係實施該擴張步驟之後，藉由加熱手段來加熱該擴張薄板的該環狀框的內周緣與被加工物的外周緣之間的環狀區域；及噴射步驟，其係實施該加熱步驟之後，形成拍攝有被加工物的該溝的攝像畫像，由該攝像畫像來檢測出該溝的座標位置，再沿著檢測出的該溝來直線狀地將噴射物噴射至被加工物的該膜，而從該溝上來1條1條除去該膜。
- 如申請專利範圍第1項之加工方法，其中，於實施前述擴張步驟之前，具備對於被加工物的前述膜噴射噴射物之第一噴射步驟。
- 如申請專利範圍第1或2項之加工方法，其中，前述噴 射物為包含固體的二氧化碳粒子。
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