TWI756564B

TWI756564B - 表面處理劑

Info

Publication number: TWI756564B
Application number: TW108133006A
Authority: TW
Inventors: 能勢雅聡; 三橋尚志
Original assignee: 日商大金工業股份有限公司
Priority date: 2018-09-28
Filing date: 2019-09-12
Publication date: 2022-03-01
Also published as: US20210206994A1; TW202026360A; EP3858943A4; EP3858943B1; JP6741134B2; KR20210018343A; EP3858943A1; CN112739789A; JP2020090652A; WO2020066534A1; CN112739789B; KR102561500B1

Abstract

本發明提供一種表面處理劑，係包含(α)下述式(α1)或式(α2)所示之化合物；及(β)含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物而成者。

(式中，各記號係與說明書中者同義)。

Description

表面處理劑

本揭示係關於包含含有全氟聚醚基之化合物之表面處理劑。

已知某種含氟矽烷化合物在使用於基材之表面處理時，可提供優異的撥水性、撥油性、防污性等。從包含含氟矽烷化合物之表面處理劑而得到的層(以下亦稱為「表面處理層」)可作為所謂的機能性薄膜而施於例如玻璃、塑膠、纖維、建築材料等各種各樣的基材。

就如此的含氟矽烷化合物而言，已知例如下述專利文獻1及2所記載之含全氟聚醚基之矽烷化合物，該矽烷化合物在異氰脲酸核中，具備有全氟聚醚基、與具有可水解之基之Si原子(專利文獻1及2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2018/056410號

[專利文獻2]國際公開第2018/056413號

專利文獻1及2所記載之含全氟聚醚基之矽烷化合物雖可提供具有優異的機能之表面處理層，惟仍需求可提供更高水準且平衡良好地具有摩擦耐久性、表面滑溜性、耐UV性及耐候性的表面處理層之表面處理劑。

本揭示係包含以下態樣。

[1]一種表面處理劑，係包含(α)下述式(α1)或式(α2)所示之化合物、及(β)含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物而成者；

式中：

R¹為包含聚醚鏈之一價有機基；

R^1’為包含聚醚鏈之二價有機基；

前述聚醚鏈為

式：-(OC₆F₁₂)_m11-(OC₅F₁₀)_m12-(OC₄F₈)_m13-(OC₃X¹⁰ ₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-所示之鏈，

(式中，m11、m12、m13、m14、m15及m16獨立地為0或1以上之整數，

X¹⁰獨立地為H、F或Cl，

各重複單元的存在順序為任意)；

X¹獨立地為含矽烷之反應性交聯基；

X²獨立地表示一價基。

[2]如上述[1]所述之表面處理劑，其中，

R¹為

R³-(OR²)_a-L-

所示之基，

(式中，(OR²)_a為聚醚鏈，

R³為烷基或氟烷基，

L為單鍵或二價連結基)；

R^1’為

-L’-(OR²)_a-L-

所示之基，

(式中，(OR²)_a為聚醚鏈，

L獨立地為單鍵或二價連結基，

L’獨立地為單鍵或二價連結基)。

[3]如上述[2]所述之表面處理劑，其中，

(OR²)_a為

-(OC₄F₈)_m13-(OC₃F₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-

所示之基， (式中，m13及m14各自為0至30之整數，m15及m16各自為1至200之整數；m13至m16總計為5以上；各重複單元的存在順序為任意)。

[4]如上述[2]或[3]所述之表面處理劑，其中，

L為

-(CX¹²¹X¹²²)_o-(L¹)_p-(CX¹²³X¹²⁴)_q-

所示之基，

(式中，X¹²¹至X¹²⁴獨立地為H、F、OH、或-OSi(OR¹²⁵)₃，其中，3個R¹²⁵獨立地為碳數1至4之烷基；

L¹為-C(=O)NH-、-NHC(=O)-、-O-、-C(=O)O-、-OC(=O)-、-OC(=O)O-、或-NHC(=O)NH-(各鍵之左側與CX¹²¹X¹²²鍵結)，

o為0至10之整數，

p為0或1，

q為1至10之整數)；

L’為

-(CX¹²⁶X¹²⁷)_r-(CX¹²¹X¹²²)_o-(L¹)_p-(CX¹²³X¹²⁴)_q-

所示之基，

(式中，X¹²¹至X¹²⁴、L¹、o、p及q係與上述L中之規定同義，

X¹²⁶及X¹²⁷獨立地為H、F或Cl，

r為1至6之整數)。

[5]如上述[1]至[4]中任一者所述之表面處理劑，其中，

X¹為

式：-L²-{Si(R^a)_s(R^b)_t(R^c)_u(R^d)_v}_n

所示之基，

(式中，L²為單鍵或二價連結基；

R^a、R^b及R^c係相同或不同，且為氫、鹵素、碳數1至10之烷氧基、碳數1至10之胺基、碳數1至10之乙醯氧基、碳數3至10之烯丙基、或碳數3至10之環氧丙基；

R^d係相同或不同，且為-O-、-NH-、-C≡C-、或矽烷鍵；

s、t及u係相同或不同，且為0或1；

v為0至3之整數；

n為1至20之整數；

n為1時，s+t+u為3、v為0；

n為2至20時，s+t+u係相同或不同，且為0至2，v係相同或不同，且為0至2；

v為1以上之整數時，至少兩個Si經由R^d而鍵結成直鏈、梯子型、環狀或雜環狀)。

[6]如上述[1]至[5]中任一者所述之表面處理劑，其中，

X¹為

-L²-SiR⁵ ₃、-L²-Si(OR⁶)₃、-L²-Si(NR⁶ ₂)₃、或-L²-Si(OCOR⁶)₃

所示之基，

(各式中，L²為-C₂H₄-、-C₃H₆-、-C₄H₈-O-CH₂-、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-、-CH₂-、-C₄H₈-；

R⁵為鹵素原子；

R⁶獨立地為碳數1至4之烷基)。

[7]如上述[1]至[4]中任一者所述之表面處理劑，其中，

X¹為

式：-L²-{Si(R^a)_s(R^b)_t(R^c)_u(R^d’)_v}_n

所示之含矽烷之反應性交聯基，

(式中，L²為單鍵或二價連結基；

R^d’係相同或不同，且為-Z-SiR^d1’ _p’R^d2’ _q’R^d3’ _r’所示之基，

(式中，Z係相同或不同，且為單鍵或二價連結基；

R^d1’係相同或不同，且為R^d”；

R^d”與R^d’同義；

R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si最多為5個；

R^d2’係相同或不同，且為羥基或可水解之基；

R^d3’係相同或不同，且為氫原子或低級烷基；

p’係相同或不同，且為0至3之整數；

q’係相同或不同，且為0至3之整數；

r’係相同或不同，且為0至3之整數；

惟p’、q’及r’之和為3)；

s、t及u係相同或不同，且為0或1；

v為0至3之整數；

n為1至20之整數)。

[8]如上述[1]至[4]中任一者所述之表面處理劑，其中，

X¹為

式：-L⁶-{C(R^a6)_s6(R^b6)_t6(R^c6)_u6(R^d6)_v6}_n6

所示之含矽烷之反應性交聯基，

(式中，L⁶為單鍵或二價連結基；

R^a6、R^b6及R^c6係相同或不同，且為氫、鹵素、碳數1至10之烷氧基、碳數1至10之胺基、碳數1至10之乙醯氧基、碳數3至10之烯丙基、碳數3至10之環氧丙基、OCOR⁶⁷(式中，R⁶⁷為碳數1至6之烷基)、OH或-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6；

R^d6係相同或不同，且為-O-、-NH-、-C≡C-、或-Z⁶-CR⁶¹ _p6R⁶² _q6R⁶³ _r6；

Z⁶係相同或不同，且為氧原子或2價有機基；

式中，R⁶¹係相同或不同，且為表示R^d6’；

R^d6’與R^d6同義；

R^d6中，經由Z⁶基而連結成直鏈狀之C最多為5個；

R⁶²係相同或不同，且為-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6；

Y⁶係相同或不同，且為2價有機基；

R⁶⁵係相同或不同，且為羥基或可水解之基；

R⁶⁶係相同或不同，且為氫原子或低級烷基；

j6在每個(-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6)單元中獨立地為1至3之整數；

R⁶³係相同或不同，且為氫原子或低級烷基；

p6係相同或不同，且為0至3之整數；

q6係相同或不同，且為0至3之整數；

r6係相同或不同，且為0至3之整數；

s6、t6及u6係相同或不同，且為0或1；v6為0至3之整數；n6為1至20之整數；惟式中，至少存在2個(-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6))。

[9]如上述[1]至[8]中任一者所述之表面處理劑，其中，(β)含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物係下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)、(D2)、或(E1)所示之化合物，

(Rf-PFPE)_β’-X¹⁰⁵-(SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_β…(B1)

(R¹⁵ _3-nR¹⁴ _nSi)_β-X¹⁰⁵-PFPE-X¹⁰⁵-(SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_β…(B2)

(Rf-PFPE)_γ’-X¹⁰⁷-(SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m)_γ…(C1)

(R^c3 _mR^b3 _lR^a3 _kSi)_γ-X¹⁰⁷-PFPE-X¹⁰⁷-(SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m)_γ…(C2)

(Rf-PFPE)_δ’-X¹⁰⁹-(CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’)δ…(D1)

(R^f3 _m’R^e3 _l’R^d3 _k’C)_δ-X¹⁰⁹-PFPE-X¹⁰⁹-(CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’)_δ…(D2)

(Rf-PFPE-G⁵)_a5-Z⁵-((O-R¹⁶)_c5-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_b5…(E1) 式中，

Rf各自獨立地為可經1個以上之氟原子取代之碳數1至16之烷基；

PFPE為下式所示之基， -(OC₆F₁₂)_a1-(OC₅F₁₀)_b1-(OC₄F₈)_c1-(OC₃F₆)_d1-(OC₂F₄)_e1-(OCF₂)_f1-(式中，

a1、b1、c1、d1及e1各自獨立地為0以上200以下之整數，f1為1以上200以下之整數，標註a1、b1、c1、d1、e1或f1並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意)；

R¹⁴在每次出現時各自獨立地為氫原子或碳數1至22之烷基；

R¹⁵在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；

R¹³在每次出現時各自獨立地為氫原子或鹵素原子；

R¹²在每次出現時各自獨立地為氫原子或低級烷基；

n在每個(-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)單元中獨立地為0至3之整數；

惟在式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)中，至少存在1個R¹⁵；

X¹⁰¹各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；

X¹⁰²在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基；

t各自獨立地為1至10之整數；

α各自獨立地為1至9之整數；

α’為1至9之整數；

X¹⁰⁵各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；

β各自獨立地為1至9之整數；

β’為1至9之整數；

X¹⁰⁷各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；

γ各自獨立地為1至9之整數；

γ’為1至9之整數；

R^a3在每次出現時各自獨立地為-Z³-SiR⁷¹ _pR⁷² _qR⁷³ _r；

Z³在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；

R⁷¹在每次出現時各自獨立地為R^a’；

R^a’與R^a3同義；

R^a3中，經由Z³基而連結成直鏈狀之Si最多為5個；

R⁷²在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；

R⁷³在每次出現時各自獨立地為氫原子或低級烷基；

p在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

q在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

r在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

惟在每個-Z³-SiR⁷¹ _pR⁷² _qR⁷³ _r中，p、q及r之和為3，式(C1)及(C2)中，至少存在1個R⁷²；

R^b3在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；

R^c3在每次出現時各自獨立地為氫原子或低級烷基；

k在每次出現時各自獨立地為1至3之整數；

l在每次出現時各自獨立地為0至2之整數；

m在每次出現時各自獨立地為0至2之整數；

惟在標註γ並以括弧括起的單元中，k、l及m之和為3；

X¹⁰⁹各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；

δ各自獨立地為1至9之整數；

δ’為1至9之整數；

R^d3在每次出現時各自獨立地為-Z^3’-CR⁸¹ _p’R⁸² _q’R⁸³ _r’；

Z^3’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；

R⁸¹在每次出現時各自獨立地為R^d3”；

R^d3”與R^d3同義；

R^d3中，經由Z^3’基而連結成直鏈狀之C最多為5個；

R⁸²為-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j；

Y³在每次出現時各自獨立地為2價有機基；

R⁸⁵在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；

R⁸⁶在每次出現時各自獨立地為氫原子或低級烷基；

j在每個(-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j)單元中獨立地為1至3之整數；

R⁸³在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或低級烷基；

p’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

q’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

r’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

R^e3在每次出現時各自獨立地為-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j；

R^f3在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或低級烷基；

k’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

l’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

m’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；

惟在式中，至少1個q’為2或3，或者至少1個l’為2或3；

G⁵為-R¹⁷-O-、-R¹⁷-CONH-、-CONH-或單鍵；

R¹⁷為伸烷基；

Z⁵為(a5+b5)價之烴基、或烴基之碳原子-碳原子間具有1個以上醚性氧原子之碳數2以上的(a5+b5)價之基；

R¹⁶為伸烷基；

a5為1以上之整數；

b5為1以上之整數；

惟(a5+b5)為3以上；

c5為0或1。

[10]如上述[9]所述之表面處理劑，其中，(β)含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物係式(C1)或(C2)所示之化合物。

[11]如上述[9]或[10]所述之表面處理劑，其中，PFPE為-(OC₄F₈)_m13-(OC₃F6)_m14-(OC₂F4)_m15-(OCF₂)_m16-所示之基，

(式中，m13及m14各自為0至30的整數，m15及m16各自為1至200的整數，各重複單元的存在順序為任意)。

[12]如上述[1]至[11]中任一者所述之表面處理劑，其更包含溶劑。

[13]如上述[1]至[12]中任一者所述之表面處理劑，其係使用來作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑。

[14]如上述[1]至[13]中任一者所述之表面處理劑，其係真空蒸鍍用者。

[15]一種顆粒，係含有上述[1]至[14]項中任一者所述之表面處理劑。

[16]一種物品，係包含基材、與藉由上述[1]至[14]中之任一者所述之表面處理劑而形成在該基材之表面的層。

[17]如上述[16]所述之物品，其中，前述物品為光學構件。

藉由使用本揭示之表面處理劑，可形成表面處理層，該表面處理層除了具有優異的撥水性以外，亦平衡良好地具有優異的耐候性、表面滑溜性、橡皮擦耐久性、及SW摩擦耐久性。

以下針對本揭示之表面處理劑進行具體的說明。

本揭示之表面處理劑係包含(α)式(α1)或式(α2)所示之異氰脲酸化合物、及(β)含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物而成者。

(α)式(α1)或式(α2)所示之異氰脲酸化合物(以下亦稱為「化合物α」)。

上述化合物α係式(α1)或式(α2)所示之化合物，

式中：

R¹為包含聚醚鏈之一價有機基；

R^1’為包含聚醚鏈之二價有機基；

前述聚醚鏈為

(式中，m11、m12、m13、m14、m15及m16獨立地為0或1以上之整數，

X¹⁰獨立地為H、F或Cl，

各重複單元的存在順序為任意)；

X¹獨立地為含矽烷之反應性交聯基；

X²獨立地表示一價基)。

R¹係以包含聚醚鏈之一價有機基(惟排除包含胺酯鍵者)為佳。

R^1’係以包含聚醚鏈之二價有機基(惟排除包含胺酯鍵者)為佳。

X¹⁰係以F為佳。

m11至m16各自以0至200之整數為佳，以0至100之整數為較佳。m11至m16係以總計為1以上為佳，以5以上為較佳，以10以上為更佳。m11至m16係以總計為200以下為佳，以100以下為較佳。m11至m16係以總計為10至200為佳，以10至100為較佳。

上述聚醚鏈中，各重複單元可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀，惟以直鏈狀為佳。例如：-(OC₆F₁₂)-可為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃)CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF(CF₃))-等，惟以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-為佳。-(OC₅F₁₀)-可為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF(CF₃)CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃))-等，惟以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)- 為佳。-(OC₄F₈)-可為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF(CF₃)CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF(CF₃))-、-(OC(CF₃)₂CF₂)-、-(OCF₂C(CF₃)₂)-、-(OCF(CF₃)CF(CF₃))-、-(OCF(C₂F₅)CF₂)-及-(OCF₂CF(C₂F₅))-之任一者，惟以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-為佳。-(OC₃F₆)-可為-(OCF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂)-及-(OCF₂CF(CF₃))-之任一者，惟以-(OCF₂CF₂CF₂)-為佳。而且，-(OC₂F₄)-可為-(OCF₂CF₂)-及-(OCF(CF₃))-之任一者，惟以-(OCF₂CF₂)-為佳。

一態樣中，上述聚醚鏈係-(OC₃F₆)m₁₄-(式中，m14為1至200之整數)所示之鏈。上述聚醚鏈較佳係-(OCF₂CF₂CF₂)_m14-(式中，m14為1至200之整數)所示之鏈或-(OCF(CF₃)CF₂)_m14-(式中，m14為1至200之整數)所示之鏈。一態樣中，上述聚醚鏈係-(OCF₂CF₂CF₂)_m14-(式中，m14為1至200之整數)所示之鏈。其他態樣中，上述聚醚鏈係-(OCF(CF₃)CF₂)_m14-(式中，m14為1至200之整數)所示之鏈。m14係以5至200之整數為佳，以10至200之整數更佳。

其他態樣中，上述聚醚鏈係-(OC₄F₈)m₁₃-(OC₃F₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-(式中，m13及m14各自為0至30之整數，m15及m16各自為1至200之整數。m13至m16總計為5以上。各重複單元之存在順序為任意)所示之鏈。m15及m16各自以5至200之整數為佳，以10至200之整數更佳。m13至m16係以總計為10以上為佳。上述聚醚鏈係以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)_m13-(OCF₂CF₂CF₂)_m14-(OCF₂CF₂)_m15-(OCF₂)_m16-為佳。一態樣中，上述聚醚鏈可為-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-(式中，m15及m16各自為1至200之整數。各重複單元之存在順序為任意)所示之鏈。m15及m16各自以5至200之整數為佳，以10至200之整數更佳。

在另外的其他態樣中，上述聚醚鏈為-(R^m1-R^m2)_m17-所示之基。式中，R^m1為OCF₂或OC₂F₄，以OC₂F₄為佳。式中，R^m2為選自OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈、 OC₅F₁₀及OC₆F₁₂之基，或獨立地選自此等基之2或3個基的組合。較佳係R^m1為選自OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈之基，或選自OC₃F₆、OC₄F₈、OC₅F₁₀及OC₆F₁₂之基，或獨立地選自此等基之2或3個基的組合。就獨立地選自OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈之2或3個基的組合而言，並無特別限定，可列舉例如：-OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₄F₈-、-OC₃F₆OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₃F₆-、-OC₃F₆OC₄F₈-、-OC₄F₈OC₄F₈-、-OC₄F₈OC₃F₆-、-OC₄F₈OC₂F₄-、-OC₂F₄OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₂F₄OC₄F₈-、-OC₂F₄OC₃F₆OC₂F₄-、-OC₂F₄OC₃F₆OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₄F₈OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₂F₄OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₃F₆OC₃F₆OC₂F₄-及-OC₄F₈OC₂F₄OC₂F₄-等。上述m17為2以上之整數，以3以上之整數為佳，以5以上之整數更佳，且為100以下之整數，以50以下之整數為佳。上述式中，OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈、OC₅F₁₀及OC₆F₁₂可為直鏈或分支鏈之任一者，以直鏈為佳。在該態樣中，聚醚鏈係以-(OC₂F₄-OC₃F₆)_m17-或-(OC₂F₄-OC₄F₈)_m17-為佳。

在另外的其他態樣中，上述聚醚鏈係-(OC₆F₁₂)_m11-(OC₅F₁₀)_m12-(OC₄F₈)_m13-(OC₃F₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-(式中，m15為1以上200以下之整數，m11、m12、m13、m14及m16各自獨立地為0以上200以下之整數，m11、m12、m13、m14、m15及m16之和至少為1，而且，標註m11、m12、m13、m14、m15或m16並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意)所示之基。m15較佳為1以上100以下之整數，更佳為5以上100以下之整數。m11、m12、m13、m14、m15及m16之和係以5以上為佳，以10以上更佳，例如為10以上100以下。

在另外的其他態樣中，上述聚醚鏈係-(OC₆F₁₂)_m11-(OC₅F₁₀)_m12-(OC₄F₈)_m13-(OC₃F₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-(式中，m16為1以上200以下之整數，m11、m12、m13、m14及m15各自獨立地為0以上200以下之整數，m11、m12、 m13、m14、m15及m16之和至少為1，而且，標註m11、m12、m13、m14、m15或m16並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意)所示之基。m16較佳為1以上100以下之整數，更佳為5以上100以下之整數。m11、m12、m13、m14、m15及m16之和係以5以上為佳，以10以上更佳，例如為10以上100以下。

上述聚醚鏈中，m15對m16之比(以下稱為「m15/m16比」)為0.1至10，以0.2至5為佳，以0.2至2更佳，以0.2至1.5又更佳，以0.2至0.85為再更佳。藉由將m15/m16比設為10以下，表面處理層的滑溜性、摩擦耐久性及耐化學性(例如：對人工汗液的耐久性)進一步改善。m15/m16比越小，上述表面處理層的滑溜性及摩擦耐久性越提升。另一方面，藉由將m15/m16比設為0.1以上，可進一步提高化合物之安定性。m15/m16比越大，化合物之安定性越提升。

上述聚醚鏈可為選自由式：-(OCF₂CF₂CX¹¹ ₂)_n11(OCF₂CF(CF₃))_n12(OCF₂CF₂)_n13(OCF₂)_n14(OC₄F₈)_n15-所示之鏈(式中，n11、n12、n13、n14及n15獨立地為0或1以上之整數；

X¹¹獨立地為H、F或Cl；

各重複單元的存在順序為任意)以及式：-(OCF₂-R¹¹)_f-所示之鏈

(式中，R¹¹係選自OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈之基；f為2至100之整數)所成之群組中之至少1種鏈。

X¹¹係以F為佳。

n11至n15各自以0至200之整數為佳。n11至n15係以總計為2以上為佳，以5至300更佳，以10至200又更佳，以10至100為特佳。

R¹¹係選自OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈之基，或獨立地選自此等基之2或3個基的組合。就獨立地選自OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈之2或3個基的組合而言，並無特別限定，惟可列舉例如：-OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₄F₈-、-OC₃F₆OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₃F₆-、-OC₃F₆OC₄F₈-、-OC₄F₈OC₄F₈-、-OC₄F₈OC₃F₆-、-OC₄F₈OC₂F₄-、-OC₂F₄OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₂F₄OC₄F₈-、-OC₂F₄OC₃F₆OC₂F₄-、-OC₂F₄OC₃F₆OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₄F₈OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₂F₄OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₃F₆OC₃F₆OC₂F₄-及-OC₄F₈OC₂F₄OC₂F₄-等。上述f為2至100之整數，以2至50之整數為佳。上述式中，OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈可為直鏈或分支鏈之任一者，以直鏈為佳。在該態樣中，式：-(OC₂F₄-R¹¹)_f-較佳為式：-(OC₂F₄-OC₃F₆)_f-或式：-(OC₂F₄-OC₄F₈)_f-。

上述異氰脲酸化合物中，聚醚鏈部分之數量平均分子量並無特別限定，例如為500至30,000，以1,500至30,000為佳，以2,000至10,000更佳。上述數量平均分子量係藉由¹⁹F-NMR所測定之值。

其他態樣中，聚醚鏈部分之數量平均分子量可為500至30,000，以1,000至20,000為佳，以2,000至15,000更佳，以2,000至10,000又更佳，例如為3,000至6,000。

其他態樣中，聚醚鏈部分之數量平均分子量可為4,000至30,000，以5,000至10,000為佳，以6,000至10,000更佳。

R¹係以式：R³-(OR²)_a-L-(式中，(OR²)_a為上述聚醚鏈；R³為烷基或氟烷基；L為單鍵或二價連結基)所示之一價有機基為佳。

R^1’係以式：-L’-(OR²)_a-L-(式中，(OR²)_a為上述聚醚鏈；L獨立地為單鍵或二價連結基；L’獨立地為單鍵或二價連結基；L與式(α2)的右側之異氰脲酸環鍵結，L’與左側之異氰脲酸環鍵結)所示之一價有機基為佳。

R³之碳數係以1至16為佳，以1至8更佳。

R³可為直鏈或分支鏈，以直鏈或分支鏈之碳數1至16的烷基或氟烷基為佳，以直鏈或分支鏈之碳數1至8的烷基或氟烷基更佳，以直鏈或分支鏈之碳數1至6的烷基或氟烷基又更佳，以直鏈或分支鏈之碳數1至3的烷基或氟烷基再更佳，以直鏈之碳數1至3的烷基或氟烷基為特佳。

R³係以碳數1至16之氟烷基為佳，以CF₂H-C_1-15氟伸烷基或碳數1至16之氟烷基更佳，以碳數1至16之全氟烷基又更佳。

碳數1至16之全氟烷基可為直鏈或分支鏈，較佳係直鏈或分支鏈之碳數1至6(尤其是碳數1至3)之全氟烷基，更佳係直鏈之碳數1至3的全氟烷基，具體上為-CF₃-、-CF₂CF₃或-CF₂CF₂CF₃。

L係與式(α1)之異氰脲酸環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L係以單鍵、伸烷基或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的二價基為佳，以單鍵、碳數1至10之伸烷基或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的碳數1至10之二價烴基更佳。

L係以式：-(CX¹²¹X¹²²)_o-(L¹)_p-(CX¹²³X¹²⁴)_q-(式中，X¹²¹至X¹²⁴獨立地為H、F、OH或OSi(OR¹²⁵)₃(其中，3個R¹²⁵獨立地為碳數1至4之烷基)；L¹為-C(=O)NH-、-NHC(=O)-、-O-、-C(=O)O-、-OC(=O)-、-OC(=O)O-或-NHC(=O)NH-(各鍵之左側與CX¹²¹X¹²²鍵結)；o為0至10之整數；p為0或1；q為1至10之整數)所示之基更佳。

L’係以-(CX¹²⁶X¹²⁷)_r-(CX¹²¹X¹²²)_o-(L¹)_p-(CX¹²³X¹²⁴)_q-(式中，X¹²¹至X¹²⁴、L’、o、p及q係與上述L中之規定同義；X¹²⁶及X¹²⁷獨立地為H、F或Cl，以F 為佳；r為1至6之整數；-(CX¹²⁶X¹²⁷)_r-與(OR²)_a鍵結，(CX¹²³X¹²⁴)_q與異氰脲酸環鍵結)所示之基更佳。

L¹係以-O-或-C(=O)O-為佳。

L特佳為：式：-(CF₂)_m11-(CH₂)_m12-O-(CH₂)_m13-(式中，m11為1至3之整數；m12為1至3之整數；m13為1至3之整數)所示之基、式：-(CF₂)_m14-(CH₂)_m15-O-CH₂CH(OH)-(CH₂)_m16-(式中，m14為1至3之整數；m15為1至3之整數；m16為1至3之整數)所示之基、式：-(CF₂)_m17-(CH₂)_m18-(式中，m17為1至3之整數；m18為1至3之整數)所示之基、或式：-(CF₂)_m19-(CH₂)_m20-O-CH₂CH(OSi(OCH₃)₃)-(CH₂)_m21-(式中，m19為1至3之整數；m20為1至3之整數；m21為1至3之整數)所示之基。

L並無特別限定，具體上可列舉如：-C₂H₄-、-C₃H₆-、-C₄H₈-O-CH₂-、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-、-(CF₂)_n-(n為0至4之整數)、-CH₂-、-C₄H₈-、-(CF₂)_n-(CH₂)_m-(n、m各自獨立地為0至4的整數)、-CF₂CF₂CH₂OCH₂CH(OH)CH₂-、-CF₂CF₂CH₂OCH₂CH(OSi(OCH₃)₃)CH₂-等。

X¹為一價之含矽烷的反應性交聯基。

上述含矽烷的反應性交聯基有助於與基材之接著性。上述交聯性基可與上述基材之材料發生化學反應。

一態樣中，上述含矽烷的反應性交聯基較佳為：式：-L²-{Si(R^a)_s(R^b)_t(R^c)_u(R^d)_v}_n所示之基，(式中，L²為單鍵或二價連結基；

R^a、R^b及R^c係相同或不同，且為氫、鹵素、碳數1至10之烷氧基、碳數1至10之胺基、碳數1至10之乙醯氧基、碳數3至10之烯丙基或碳數3至10之環氧丙基；

R^d係相同或不同，且為-O-、-NH-、-C≡C-或矽烷鍵；

s、t及u係相同或不同，且為0或1；v為0至3之整數；n為1至20之整數；當n為1時，s+t+u為3，v為0；當n為2至20時，s+t+u係相同或不同，且為0至2，v係相同或不同，且為0至2；v為1以上之整數時，至少兩個Si經由R^d而鍵結成直鏈、梯子型、環狀或雜環狀)。R^a、R^b及R^c係與Si鍵結之1價基。R^d係與2個Si鍵結之2價基。

R^a、R^b及R^c較佳係相同或不同，且至少1者為氫、鹵素、碳數1至10之烷氧基或碳數1至10之胺基，其他為碳數1至10之乙醯氧基、碳數3至10之烯丙基或碳數3至10之環氧丙基，更佳係碳數1至4之烷氧基。n為2至20時，較佳係：s+t+u係相同或不同，且為0至2，v為0至2。

R^a、R^b及R^c中，鹵素係以Cl、Br或I為佳，以Cl更佳。

R^a、R^b及R^c中，烷氧基之碳數係以1至5為佳。上述烷氧基可為鏈狀、環狀或分支狀。而且，氫原子可經氟原子等取代。烷氧基係以甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基為佳，以甲氧基或乙氧基更佳。

R^d係相同或不同，且為-O-、-NH-、-C≡C-或矽烷鍵。R^d係以-O-、-NH-或-C≡C-為佳。R^d為與2個Si鍵結之2價基，藉由R^d，可使2個以上之矽原子經由R^d而鍵結成直鏈、梯子型、環狀或雜環狀。n為2以上之整數時，矽原子可彼此鍵結。

一態樣中，X¹為式：-L²-{Si(R^a)_s(R^b)_t(R^c)_u(R^d’)_v}_n所示之含矽烷之反應性交聯基， (式中，L²為單鍵或二價連結基；

R^d’係相同或不同，且為-Z-SiR^d1’ _p’R^d2’ _q’R^d3’ _r’所示之基，(式中，Z係相同或不同，且為單鍵或二價連結基；

R^d1’係相同或不同，且為R^d”；

R^d”與R^d’同義；

R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si最多為5個；

R^d2’係相同或不同，且為羥基或可水解之基；

R^d3’係相同或不同，且為氫原子或低級烷基；

p’係相同或不同，且為0至3之整數；

q’係相同或不同，且為0至3之整數；

r’係相同或不同，且為0至3之整數；

惟p’、q’及r’之和為3)；

s、t及u係相同或不同，且為0或1；

v為0至3之整數；

n為1至20之整數)。

式中，Z係相同或不同，且表示單鍵或二價連結基。

具體而言，Z可列舉如：-C₂H₄-、-C₃H₆-、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-、-CH₂-、-C₄H₈-等。

式中，R^d1係相同或不同，且表示R^d”。R^d”與R^d’同義。

R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si最多為5個。亦即，上述R^d’中，至少存在1個R^d1’時，R^d’中雖存在2個以上經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子，然而該經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數量最多為5個。此外，「R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數量」等於在R^d’中連結成直鏈狀之-Z-Si-的重複數。

例如：以下呈示R^d’中，經由Z基而與Si原子連結之一例。

上述式中，*係指與主鏈之Si鍵結之部位，「...」係指鍵結有除了ZSi以外的預定基，亦即，當Si原子的3個鍵結鍵均為「...」時，係指ZSi的重複之結束處。而且，Si之右上角的數字是指從*開始算起的經由Z基而連結成直鏈狀之Si的出現次數。亦即，以Si²結束ZSi的重複之鏈之「R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數量」為2個，同樣地，以Si³、Si⁴及Si⁵結束ZSi的重複之鏈各自之「R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數量」為3、4及5個。而且，從上述式可清楚地看出，R^d’中雖存在複數個ZSi鏈，惟該等不一定需要全都具有相同的長度，可各自具有任意長度。

較佳態樣中，如下述所示，「R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數量」在所有鏈中為1個(左式)或2個(右式)。

一態樣中，R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子的數量為1個或2個，以1個為佳。

式中，R^d2’係相同或不同，且表示羥基或可水解之基。羥基並無特別限定，然而可為可水解之基經水解所產生者。

較佳係R^d2’為-OR(式中，R表示取代或未取代之C_1-3烷基，以甲基為佳)。

式中，R^d3’係相同或不同，且表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，以甲基又更佳。

式中，p’係相同或不同，且為0至3之整數；q’係相同或不同，且為0至3之整數；r’係相同或不同，且為0至3之整數。惟p’、q’及r’之和為3。

較佳態樣中，R^d中之末端的R^d’(不存在R^d’時，為R^d)中，上述q’係以2以上為佳，例如為2或3，以3更佳。

較佳態樣中，R^d可在末端部至少具有1個-Si(-Z-SiR^d2’ _q’R^d3’ _r’)2或-Si(-Z-SiR^d2’ _q’R^d3’ _r’)₃，以-Si(-Z-SiR^d2’ _q’R^d3’ _r’)₃為佳。式中，(-Z-SiR^d2’ _q’R^d3’ _r’)單元係以(-Z-SiR^d2’ ₃)為佳。更佳態樣中，以Rd之末端部均為-Si(-Z-SiR^d2’ _q’R^d3’ _r’)₃為佳，以-Si(-Z-SiR^d2’ ₃)₃更佳。末端部之各Si所鍵結的R^d2’越多，與基材之密接性越高，可得到優異之耐久性。

較佳態樣中，式中，關於具有羥基或可水解之基的Si原子之數量，在式(α1)中，係以1至6個為佳，以2至4個更佳，以3個又更佳，在式(α2)中，係以2至12個為佳，以4至8個更佳，以6個又更佳。

較佳態樣中，v為3，R^d各自獨立地為-Z-SiR^d2’ _q’R^d3’ _r’。

L²係與式(α1)或式(α2)之環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L²係以單鍵、伸烷基或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的二價基為佳，以單鍵、碳數1至10之伸烷基或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的碳數1至10之二價烴基為更佳。

具體而言，L²可列舉如：-C₂H₄-、-C₃H₆-、-C₄H₈-O-CH₂、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-、-CH₂-、-C₄H₈-等。

上述含矽烷之反應性交聯基可列舉如：-L²-SiR⁵ ₃、-L²-Si(OR⁶)₃、-L²-Si(NR⁶ ₂)₃、-L²-Si(OCOR⁶)₃(各式中，L²係如同上述，R⁵為鹵素原子，R⁶獨立地為碳數1至4之烷基)。

一態樣中，上述含矽烷之反應性交聯基係以式：-L⁶-{C(R^a6)_s6(R^b6)_t6(R^c6)_u6(R^d6)_v6}_n6所示之基為佳，(式中，L⁶為單鍵或二價連結基；

R^d6係相同或不同，且為-O-、-NH-、-C≡C-或-Z⁶-CR⁶¹ _p6R⁶² _q6R⁶³ _r6；

Z⁶係相同或不同，且為氧原子或2價有機基；

式中，R⁶¹係相同或不同，且表示R^d6’；

R^d6’與R^d6同義；

R^d6中，經由Z⁶基而連結成直鏈狀之C最多為5個；

R⁶²係相同或不同，且為-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6；

Y⁶係相同或不同，且為2價有機基；

R⁶⁵係相同或不同，且為羥基或可水解之基；

R⁶⁶係相同或不同，且為氫原子或低級烷基；

R⁶³係相同或不同，且為氫原子或低級烷基；

p6係相同或不同，且為0至3之整數；

q6係相同或不同，且為0至3之整數；

r6係相同或不同，且為0至3之整數；

s6、t6及u6係相同或不同，且為0或1；v6為0至3之整數；n6為1至20之整數；惟，式中至少存在2個(-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6))。

L⁶係與式(α1)或式(α2)之環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L⁶係以單鍵、伸烷基或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的二價基為佳，以單鍵、碳數1至10之伸烷基或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的碳數1至10之二價烴基更佳。

具體而言，L⁶可列舉如：-C₂H₄-、-C₃H₆-、-C₄H₈-O-CH₂-、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-、-CH₂-、-C₄H₈-等。

R^a、R^b、R^c、R^a6、R^b6及R^c6中，鹵素係以Cl、Br或I為佳，以Cl更佳。

R^a、R^b、R^c、R^a6、R^b6及R^c6中，烷氧基之碳數係以1至5為佳。上述烷氧基可為鏈狀、環狀或分支狀。而且，氫原子可經氟原子等取代。烷氧基係以甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基為佳，以甲氧基或乙氧基更佳。

上述Z⁶較佳係C_1-6伸烷基、-(CH₂)_g-O-(CH₂)_h-(式中，g為0至6之整數，例如1至6之整數；h為0至6之整數，例如1至6之整數)或-伸苯基-(CH₂)_i-(式中，i為0至6之整數)，更佳係C_1-3伸烷基。此等基可經選自由例如氟原子、C_1-6烷基、C_2-6烯基及C_2-6炔基中之1個以上之取代基取代。

式中，R⁶¹在每次出現時各自獨立地表示R^d6’。R^d6’與R^d6同義。

R^d6中，經由Z⁶基而連結成直鏈狀之C最多為5個。亦即，上述R^d6中，至少存在1個R⁶¹時，R^d6中經由Z⁶基而連結成直鏈狀之Si原子存在2個以上，而該經由Z⁶基而連結成直鏈狀之C原子的數量最多為5個。此外，「R^d6中，經由Z⁶基而連結成直鏈狀之C原子的數量」等於在R^d6中連結成直鏈狀之-Z⁶-C-的重複數。

較佳態樣中，如下所示，「R^d6中，經由Z⁶基而連結成直鏈狀之C原子的數量」在所有鏈中為1個(左式)或2個(右式)。

一態樣中，R^d6中，經由Z⁶基連結成直鏈狀之C原子的數量為1個或2個，以1個為佳。

式中，R⁶²表示-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6。

Y⁶在每次出現時各自獨立地表示2價有機基。

較佳態樣中，Y⁶係C_1-6伸烷基、-(CH₂)_g’-O-(CH₂)_h’-(式中，g’為0至6之整數，例如1至6之整數；h’為0至6之整數，例如1至6之整數)或-伸苯基-(CH₂)_i’-(式中，i’為0至6之整數)。此等基可經選自由例如氟原子、C_1-6烷基、C_2-6烯基及C_2-6炔基中之1個以上之取代基取代。

一態樣中，Y⁶可為C_1-6伸烷基或-伸苯基-(CH₂)_i’-。Y⁶為上述基時，可進一步提高耐光性，特別是耐紫外線性。

上述R⁶⁵在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解之基。上述「可水解之基」可列舉與上述相同者。

較佳係R⁶⁵為-OR(式中，R表示取代或未取代之C_1-3烷基，更佳係乙基或甲基，特佳係甲基)。

上述R⁶⁶在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，以甲基為又更佳。

j6在每個(-Y-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6)單元中獨立地表示1至3之整數，以2或3為佳，以3更佳。

上述R⁶³在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，以甲基又更佳。

式中，p6在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q6在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r6在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。惟p6、q6及r6之和為3。

較佳態樣中，R^d6中之末端的R^d6’(不存在R^d6’時，為R^d6本身)中，上述q6係以2以上為佳，例如為2或3，以3更佳。

一態樣中，X¹基為式：-L²-{Si(R^a)_s(R^b)_t(R^c)_u(R^d)_v}_n、或-L⁶-{C(R^a6)_s6(R^b6)_t6(R^c6)_u6(R^d6)_v6}_n6(式中，各符號係與上述者同義)所示之基。

一態樣中，X²可獨立地為上述包含聚醚鏈之一價有機基。上述有機基之較佳的基係與R¹相同。

其他態樣中，X²可獨立地為上述含矽烷之反應性交聯基。

其他態樣中，X²可獨立地為選自由聚矽氧殘基、倍半矽氧烷殘基及矽氮烷基所構成之群組中之至少1種基。

上述聚矽氧殘基可列舉以下之基。

各式中，L²為單鍵或二價連結基；n為1至20之整數；m為0至10之整數；R³¹各自獨立地為1價基，各基所具有之R³¹中的至少1者為反應性基。

各基中所含的複數個R³¹各自獨立地為1價基，且可為上述反應性基，亦可為上述反應性基以外之基。惟各基中所含的複數個R³¹中之至少1者為上述反應性基。

上述反應性基較佳係選自由H、鹵素原子或-OR³²(R³²為碳數1至4之烷基或碳數6至20之芳基)、-L³-SiR⁵ ₃(L³為單鍵或碳數1至10之伸烷基；R⁵為鹵素原子)、-L³-Si(OR⁶)₃(L³係如上所述；R⁶獨立地為碳數1至4之烷基)、-L³-Si(NR⁶ ₂)₃(L³及R⁶係如上所述)、-L³-Si(OCOR⁶)₃(L³及R⁶係如上所述)及包含此等基之任一者的基所構成之群組中之至少1種。

上述反應性基以外之基較佳係選自由烷基、鹵烷基、烷基酯基、鹵烷基酯基、烷基醚基、鹵烷基醚基、烷基醯胺基、鹵烷基醯胺基、二脲基、鹵二脲基、脲基、鹵脲基、-CONR^kCOR¹(R^k及R¹獨立地為H、烷基或鹵烷基)、包含糖鏈之基、伸烷基聚醚基、芳烴基、鹵芳烴基、包含雜環之基、芳基及鹵芳基所構成之群組中之至少1種。

L²係與式(α1)或式(α2)之環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L²之較佳者係如上述者。

上述聚矽氧殘基還可列舉以下之基

各式中，L²為單鍵或二價連結基，R³⁴各自獨立地為1價基，各基所具有的R³⁴中之至少1者為反應性基。

各基所含的複數個R³⁴各自獨立地為1價基，且可為上述反應性基，亦可為上述反應性基以外之基，惟各基中所含的複數個R³⁴中之至少1者為上述反應性基。

上述反應性基較佳係選自由-H、-OR³⁵(R³⁵為碳數1至4之烷基)、鹵素原子、-OH、-O-CR³⁵=CH₂(R³⁵係如上述)、-OCOR³⁵(R³⁵係如上述)、-OCOOR^j(R^j係烷基或鹵烷基)、-NR³⁵ ₂(R³⁵係如上述)以及包含此等基之任一者的基所構成之群組中之至少1種。

上述倍半矽氧烷殘基可列舉以下之基。

各式中，L²為單鍵或二價連結基，R³⁷各自獨立地為1價基，各基所具有之R³⁷中的至少1者為反應性基，p獨立地為0至5000之整數。

各基中所含的複數個R³⁷各自獨立地為1價基，且可為上述反應性基，亦可為上述反應性基以外之基。惟各基中所含的複數個R³⁷中的至少1者為上述反應性基。

L²係與式(α1)或式(α2)之環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L²之較佳係如上述者。

X²可為與上述包含聚醚鏈之1價有機基、含矽烷之反應性交聯基、聚矽氧殘基、倍半矽氧烷殘基及矽氮烷基不同之基。

亦即，X²可獨立地為選自由H、烷基、鹵烷基、烷基酯基、鹵烷基酯基、烷基醚基、鹵烷基醚基、烷基醯胺基、鹵烷基醯胺基、二脲基、鹵二脲基、脲基、鹵脲基、-OCOOR^j(R^j為烷基或鹵烷基)、-CONR^kCOR¹(R^k及R¹獨立地為H、烷基或鹵烷基)、包含糖鏈之基、伸烷基聚醚基、芳烴基、鹵芳烴基、包含雜環之基、芳基、鹵芳基、聚矽氧殘基(惟排除具有反應性基者)以及倍半矽氧烷殘基(惟排除具有反應性基者)所構成之群組中之至少1種。

上述聚矽氧殘基(惟排除具有反應性基者)可列舉以下之基。而且，上述反應性基係指作為可構成R³⁷之反應性基而例示者。

各式中，L⁴為單鍵或2價連結基，R⁴¹各自獨立地為1價反應性基以外之基。

L⁴係與式(α1)或式(α2)之環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L⁴係以單鍵、伸烷基、或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的二價基為佳，以單鍵、碳數1至10之伸烷基、或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的碳數1至10之二價烴基更佳。

具體而言，L⁴可列舉如：-C₂H₄-、-C₃H₆-、-C₄H₈-O-CH₂-、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-等。

上述倍半矽氧烷殘基(惟排除具有反應性基者)可列舉以下之基。而且，上述反應性基係指作為可構成R³⁷之反應性基而例示者。

各式中，L⁴為單鍵或2價連結基，R⁴¹各自獨立地為1價反應性基以外之基，p獨立地為0至5000之整數。

L⁴係與式(α1)或式(α2)之環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L⁴之較佳者係如上述者。

上述矽氮烷基可列舉以下之基。

各式中，L⁵為單鍵或二價連結基；m為2至100之整數；n為100以下之整數；R⁴²各自獨立地為H、碳數1至10之烷基、烯基、碳數5至12之環烷基、碳數6至10之芳基、烷基矽基、烷基氰基、碳數1至4之烷氧基。

L⁵係與式(α1)或式(α2)之環直接鍵結的單鍵或二價連結基。L⁵係以單鍵、伸烷基、或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的二價基為佳，以單鍵、碳數1至10之伸烷基、或包含選自由醚鍵及酯鍵所構成之群組中之至少1種鍵的碳數1至10之二價烴基更佳。

具體而言，L⁵可列舉如：-C₂H₄-、-C₃H₆-、-C₄H₈-O-CH₂-、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-等。

就上述矽氮烷基而言，具體而言，可列舉以下之基。

上述化合物中，R¹之平均分子量並無特別限定，惟可為500至30,000，以1,500至30,000為佳，以2,000至10,000更佳。

上述化合物並無特別限定，惟可具有5×10²至1×10⁵之平均分子量。其中，從耐UV性及摩擦耐久性之觀點而言，較佳係以具有2,000至30,000之平均分子量為佳，以2,500至12,000之平均分子量更佳。另外，本揭示中，「平均分子量」係指數量平均分子量，「平均分子量」係依¹⁹F-NMR所測定之值。

一態樣中，化合物α係上述式(α1)所示之化合物。

其他態樣中，化合物α可為上述式(α1)所示之化合物與式(α2)所示之化合物的混合物。該混合物中，相對於式(α1)所示之化合物與式(α2)所示之化合物的總和，式(α1)所示之化合物係以1莫耳%以上為佳，以10莫耳%以上更佳，以50莫耳%以上又更佳，以80莫耳%以上為再更佳，例如可為90莫耳%以上、95莫耳%以上或99莫耳%以上，上限並無特別限定，可為未達100莫耳%，例如可為99莫耳%以下、95莫耳%以下、90莫耳%以下、85莫耳%以下或80莫耳%以下。

本揭示之表面處理劑中，上述化合物α之含量可為0.01質量%至99.9質量%，以0.1質量%至50質量%為佳，以0.1質量%至30質量%更佳，以0.1質量%至20質量%又更佳，例如可為1質量%至30質量%或5質量%至20質量%。而且，本揭示之表面處理劑中，相對於除去溶劑後之成分(亦包含化合物α)，上述化合物α可為100莫耳%(亦即，僅包含化合物α)，亦可為1莫耳%至99.9莫耳%，以10莫耳%至99莫耳%為佳，以30莫耳%至99莫耳%更佳，以50莫耳%至98莫耳%又更佳，例如可為60莫耳%至95莫耳%、70莫耳%至95莫耳%或80莫耳%至95莫耳%。

上述異氰脲酸化合物可藉由專利文獻1及2所記載之方法製造。

(β)含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物(以下亦稱為「化合物β」)。

上述化合物β具有：具有OCF₂單元之全氟聚醚基、與具有羥基或可水解之基的Si。惟化合物β排除相當於化合物α者。

上述化合物β中，全氟聚醚基具有至少1個(較佳係5個以上，更佳係10個以上)OCF₂單元。

一態樣中，上述全氟聚醚基為下述式所示之基，

-(OC₆F₁₂)_a1-(OC₅F₁₀)_b1-(OC₄F₈)_c1-(OC₃F₆)_d1-(OC₂F₄)_e1-(OCF₂)_f1-

式中，a1、b1、c1、d1及e1各自獨立地為0以上200以下之整數，f1為1以上200以下之整數，標註a1、b1、c1、d1、e1或f1並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。

較佳之態樣中，a1、b1、c1、d1及e1各自獨立地為0以上100以下之整數，f1為1以上200以下之整數。較佳係a1、b1、c1、d1、e1及f1之和為5以上，更佳係10以上，例如為10以上100以下。

全氟聚醚基中之重複單元可為直鏈狀或分支鏈狀，惟以直鏈狀為佳。例如：-(OC₆F₁₂)-可為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃)CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF(CF₃))-等，以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-為佳。-(OC₅F1₀)-可為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF_2CF(CF₃)CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃))-等，以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-為佳。-(OC₄F₈)-可為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF(CF₃)CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF(CF₃))-、-(OC(CF₃)₂CF₂)-、-(OCF₂C(CF₃)₂)-、-(OCF(CF₃)CF(CF₃))-、-(OCF(C₂F₅)CF₂)-以及-(OCF₂CF(C₂F₅))之任一者，以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-為佳。-(OC₃F₆)-可為-(OCF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂)-及-(OCF₂CF(CF₃))-之任一者，以-(OCF₂CF₂CF₂)-為佳。而且，-(OC₂F₄)-可為-(OCF₂CF₂)-及-(OCF(CF₃))-之任一者，以-(OCF₂CF₂)-為佳。

其他態樣中，全氟聚醚基各自獨立地為-(OC₄F₈)_c2-(OC₃F₆)_d2-(OC₂F₄)_e2-(OCF₂)_f2-(式中，c2及d2各自獨立地為0以上30以下之整數；e2及f2各自獨立地為1以上200以下之整數，以5以上200以下為佳，以10以上200以下更佳；標註c2、d2、e2及f2並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意)。較佳係全氟聚醚基各自獨立地為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)_c2-(OCF₂CF₂CF₂)_d2-(OCF₂CF₂)_e2-(OCF₂)_f2-。一態樣中，PFPE各自獨立地為-(OC₂F₄)_e2-(OCF₂)_f2-(式中，e2及f2各自獨立地為1以上200以下之整數，以5以上200以下為佳，以10以上200以下更佳；標註e2或f2並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意)。

在另外的其他態樣中，全氟聚醚基各自獨立地為-(R¹⁰⁶-R¹⁰⁷)_q1-所示之基。式中，R¹⁰⁶為OCF₂。式中，R¹⁰⁷為選自OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈、OC₅F₁₀及OC₆F₁₂之基，或獨立地選自此等基之2或3個基之組合。較佳係R¹⁰⁷為選自OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈之基，或獨立地選自此等基之2或3個基之組合。就獨立地選自OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈之2或3個基之組合而言，並無特別限定，可列舉例如：OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₄F₈-、-OC₃F₆OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₃F₆-、-OC₃F₆OC₄F₈-、-OC₄F₈OC₄F₈-、-OC₄F₈OC₃F₆-、-OC₄F₈OC₂F₄-、-OC₂F₄OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₂F₄OC₄F₈-、-OC₂F₄OC₃F₆OC₂F₄-、-OC₂F₄OC₃F₆OC₃F₆-、-OC₂F₄OC₄F₈OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₂F₄OC₂F₄-、-OC₃F₆OC₂F₄OC₃F₆-、-OC₃F₆OC₃F₆OC₂F₄-及-OC₄F₈OC₂F₄OC₂F₄-等。上述q1為2至100之整數，以2至50之整數為佳。上述式中，OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈、OC₅F₁₀及OC₆F₁₂可為直鏈或分支鏈之任一者，以直鏈為佳。在該態樣中，全氟聚醚基較佳係各自獨立地為-(OCF₂-OC₃F₆)_q1-或-(OCF₂-OC₄F₈)_q1-。

具有羥基或可水解之基的Si中之「可水解之基」係指可經由水解反應而自化合物之主要骨架脫離之基。就可水解之基之例而言，可列舉如：-OR、-OCOR、-O-N=CR₂、-NR₂、-NHR、鹵素(此等式中，R表示取代或未取代之碳數1至4之烷基)等。較佳係-OR(亦即為烷氧基)。R之例中，包含有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，以烷基(尤其是未取代烷基)為佳，以甲基或乙基更佳。羥基並無特別限定，惟可為可水解之基經水解所產生者。

一態樣中，化合物(β)可為下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)、(D2)或(E1)所示之化合物。

(Rf-PFPE)_β’-X¹⁰⁵-(SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_β…(B1)

(Rf-PFPE)_γ’-X¹⁰⁷-(SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m)_γ…(C1)

(Rf-PFPE)_δ’-X¹⁰⁹-(CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’)_δ…(D1)

(R^f3 _m’R^e3 _l’R^d3 _k’C)_δ-X¹⁰⁹-PFPB-X¹⁰⁹-(CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’)_δ…(D2)

(Rf-PFPE-G⁵)_a5-Z⁵-((O-R¹⁶)_c5-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_b5…(E1)

上述式中，Rf各自獨立地表示可經1個以上之氟原子取代的碳數1至16之烷基。

上述可經1個以上之氟原子取代的碳數1至16之烷基中的「碳數1至16之烷基」可為直鏈或分支鏈，以直鏈或分支鏈之碳數1至6(尤其是碳數1至3)的烷基為佳，以直鏈之碳數1至3之烷基更佳。

上述Rf較佳為經1個以上之氟原子取代的碳數1至16之烷基，更佳為CF₂H-C_1-15氟伸烷基或碳數1至16之全氟烷基，又更佳為碳數1至16之全氟烷基。

該碳數1至16之全氟烷基可為直鏈或分支鏈，以直鏈或分支鏈之碳數1至6(尤其是碳數1至3)的全氟烷基為佳，以直鏈之碳數1至3之全氟烷基更佳，具體上為-CF₃、-CF₂CF₃或-CF₂CF₂CF₃。

上述式中，PFPE表示全氟聚醚基。全氟聚醚基係如上述。

上述式中，R¹⁴在每次出現時各自獨立地表示氫原子或碳數1至22之烷基，以碳數1至4之烷基為佳。

上述式中，R¹⁵在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解之基。

上述「可水解之基」，在本說明書中使用時，係指可經由水解反應而自化合物之主要骨架脫離之基。可水解之基之例可列舉例如：-OR、-OCOR、-O-N=CR₂、-NR₂、-NHR、鹵素(此等式中，R表示取代或未取代之碳數1至4之烷基)等，較佳係-OR(亦即為烷氧基)。R之例中，包含有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，以烷基(尤其是未取代烷基)為佳，以甲基或乙基更佳。羥基並無特別限定，可為可水解之基經水解所產生者。

上述式中，R¹³在每次出現時各自獨立地表示氫原子或鹵素原子。鹵素原子係以碘原子、氯原子或氟原子為佳，以氟原子更佳。

上述式中，R¹²在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，可列舉例如：甲基、乙基、丙基等。

上述式中，n在每個(-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)單元中獨立地為0至3之整數，以0至2之整數為佳，以0更佳。然而在式中，所有的n不同時為0。換言之，式中，至少存在1個R¹⁵。

上述式中，t各自獨立地為1至10之整數。較佳態樣中，t為1至6之整數。其他較佳態樣中，t為2至10之整數，以2至6之整數為佳。

上述式中，X¹⁰²在每次出現時各自獨立地表示單鍵或2價有機基。X¹⁰²係以碳數1至20之伸烷基為佳，以-(CH₂)_u-(式中，u為0至2之整數)更佳。

上述式中，R^a3在每次出現時各自獨立地表示-Z³-SiR⁷¹ _pR⁷² _qR⁷³ _r。

上述Z³係以2價有機基為佳。較佳態樣中，上述Z³不包含會與式(C1)或式(C2)中之分子主鏈的末端Si原子(與R^a3鍵結之Si原子)形成矽氧烷鍵者。

上述Z³較佳係C_1-6伸烷基、-(CH₂)_g-O-(CH₂)_h-(式中，g為1至6之整數，h為1至6之整數)或-伸苯基-(CH₂)_i-(式中，i為1至6之整數)，以C_1-3伸烷基更佳，以C_2-3伸烷基為特佳，例如為-CH₂CH₂-。此等基可經例如1個以上選自氟原子、C_1-6烷基、C_2-6烯基及C_2-6炔基之取代基取代。

式中，R⁷¹在每次出現時各自獨立地表示R^a’。R^a’與R^a3同義。

R^a3中，經由Z³基而連結成直鏈狀之Si最多為5個。亦即，上述R^a3中，至少存在1個R⁷¹時，R^a3中經由Z基而連結成直鏈狀之Si原子存在2個以上，而該經由Z³基而連結成直鏈狀之Si原子之數量最多為5個。此外，「R^a3中經由Z³基而連結成直鏈狀之Si原子之數量」等於在R^a3中連結成直鏈狀之-Z³-Si-的重複數。

一態樣中，「R^a3中經由Z³基而連結成直鏈狀之Si原子之數量」為1個(左式)或2個(右式)，以1個為佳。換言之，在式(C1)及(C2)中之包含與X¹⁰⁷鍵結之Si的-Si-R^a3部分中，左式有2個Si連結，右式有3個Si連結。

較佳態樣中，「R^a3中經由Z³基而連結成直鏈狀之Si原子之數量」在所有之鏈中為1個或2個，以1個為佳。

較佳態樣中，k為3，「R^a3中經由Z³基而連結成直鏈狀之Si原子之數量」在所有之鏈中為1個。

式中，R⁷²在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解之基。

較佳係R⁷²為-OR(式中，R為取代或未取代之C_1-3烷基，以甲基更佳)。

式中，R⁷³在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以1至6之烷基更佳，以甲基又更佳。

式中，p在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。惟p、q及r之和為3。

較佳態樣中，R^a3中的末端R^a3’(不存在R^a3’時，為R^a3本身)中，上述q係以2以上為佳，例如為2或3，以3更佳。

較佳態樣中，R^a3可在末端部具有至少1個-Si(-Z³-SiR⁷² _qR⁷³ _r)₂或-Si(-Z³-SiR⁷² _qR⁷³ _r)₃，以-Si(-Z³-SiR⁷² _qR⁷³ _r)₃為佳。式中，(-Z³-SiR⁷² _qR⁷³ _r)之單元係以(-Z³-SiR⁷² ₃)為佳。更佳態樣中，R^a之末端部可全部為-Si(-Z³-SiR⁷² _qR⁷³ _r)₃，以-Si(-Z³-SiR⁷² ₃)₃為佳。

上述式(C1)及(C2)中，至少存在1個R⁷²。

上述式中，R^b3在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解之基。

上述R^b3較佳為羥基、-OR、-OCOR、-O-N=C(R)₂、-N(R)₂、-NHR、鹵素(此等式中，R表示取代或未取代之碳數1至4之烷基)，以-OR為佳。R係包含有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，以烷基(尤其是未取代烷基)為佳，以甲基或乙基更佳。羥基並無特別限定，可為可水解之基經水解所產生者。更佳係R^c為-OR(式中，R表示取代或未取代之C_1-3烷基，以甲基更佳)。

上述式中，R^c3在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，以甲基又更佳。

式中，k在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。惟k、l及m之和為3。

上述式中，R^d3在每次出現時各自獨立地表示-Z^3’-CR⁸¹ _p’R⁸² _q’R⁸³ _r’。

式中，Z^3’在每次出現時各自獨立地表示氧原子或2價有機基。

上述Z^3’係以C_1-6伸烷基、-(CH₂)_g-O-(CH₂)_h-(式中，g為0至6之整數，例如為1至6之整數；h為0至6之整數，例如為1至6之整數)或-伸苯基-(CH₂)_i-(式中，i為0至6之整數)為佳，以C_1-3伸烷基更佳，以C_2-3伸烷基又更佳，例如為CH₂CH₂。此等基例如可經選自由氟原子、C_1-6烷基、C_2-6烯基及C_2-6炔基中之1個以上之取代基取代。

式中，R⁸¹在每次出現時各自獨立地表示R^d3”。R^d3”與R^d3同義。

R^d3中，經由Z^3’基而連結成直鏈狀之C最多為5個。亦即，上述R^d3中，至少存在1個R⁸¹時，R^d3中經由Z^3’基而連結成直鏈狀之Si原子存在2個以上，而該經由Z^3’基而連結成直鏈狀之C原子的數量最多為5個。此外，「R^d3中經由Z^3’基而連結成直鏈狀之C原子的數量」等於在R^d3中連結成直鏈狀之-Z^3’-C-的重複數。

較佳態樣中，如以下之記載，「R^d3中經由Z^3’基而連結成直鏈狀之C原子的數量」在所有鏈中為1個(左式)或2個(右式)。

一態樣中，R^d3中經由Z^3’基而連結成直鏈狀之C原子的數量為1個或2個，以1個為佳。

式中，R⁸²表示-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j。

Y³在每次出現時各自獨立地表示2價有機基。

較佳態樣中，Y³為C_1-6伸烷基、-(CH₂)_g’-O-(CH₂)_h’-(式中，g’為0至6之整數，例如為1至6之整數；h’為0至6之整數，例如為1至6之整數)或-伸苯基- (CH₂)_i’-(式中，i’為0至6之整數)。此等基例如可經選自由氟原子、C_1-6烷基、C_2-6烯基及C_2-6炔基中之1個以上之取代基取代。

一態樣中，Y³可為C_1-6伸烷基或-伸苯基-(CH₂)_i’-。Y³為上述基時，可更提高耐光性，尤其是耐紫外線性。

上述R⁸⁵在每次出現時各自獨立地表示羥基或可水解之基。上述「可水解之基」可列舉與上述相同者。

較佳係R⁸⁵為-OR(式中，R表示取代或未取代之C_1-3烷基，以乙基或甲基為佳，以甲基為特佳)。

上述R⁸⁶在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，以甲基又更佳。

j在每個(-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j)單元中獨立地表示1至3之整數，以2或3為佳，以3更佳。

上述R⁸³在每次出現時各自獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基。R⁸³較佳係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，以甲基又更佳。

式中，p’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。惟p’、q’及r’之和為3。

較佳態樣中，R^d3中之末端的R^d3’’(不存在R^d3”時，為R^d3本身)中，上述q’係以2以上為佳，例如為2或3，以3更佳。

上述式中，R^e3在每次出現時各自獨立地表示-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j。其中，Y³、R⁸⁵、R⁸⁶及j係與上述R⁸²中之記載同義。

上述式中，R^f3在每次出現時各自獨立地表示氫原子、羥基或低級烷基。R^f3較佳係在每次出現時各自獨立地表示氫原子或低級烷基。該低級烷基係以碳數1至20之烷基為佳，以碳數1至6之烷基更佳，以甲基又更佳。

式中，k’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。惟k’、l’及m’之和為3。

一態樣中，至少1個k’為2或3，以3為佳。

一態樣中，k’為2或3，以3為佳。

一態樣中，l’為2或3，以3為佳。

上述式(D1)及(D2)中，至少1個q’為2或3，或者至少1個l’為2或3。亦即，式中，至少存在2個-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j基。

上述式中，G⁵為-R¹⁷-O-、-R¹⁷-CONH-、-CONH-或單鍵。從耐光性優異之觀點而言，G⁵係以-R¹⁷-CONH-或-CONH-為佳，從耐藥性優異之觀點而言，G⁵係以-R¹⁷-O-為佳。

上述R¹⁷為伸烷基。從製造的容易性之觀點而言，R¹⁷係以碳數1至4之伸烷基為佳，以-CH₂-為特佳。

上述式中，Z⁵係(a5+b5)價之烴基、或在烴基之碳原子-碳原子間具有1個以上之醚性氧原子的碳數2以上的(a5+b5)價之基。當G⁵為-R¹⁷-O-且c5為1時，Z⁵為從具有(a5+b5)個羥基的多元醇中除去羥基而得到的殘基。

一態樣中，Z⁵可為以下之基。

從羥基之反應性優異之觀點而言，Z⁵係以從具有1級羥基之多元醇中除去羥基而得到的殘基為佳。從原料之取得容易性之觀點而言，Z⁵係以下述式(Z-1)所示之基、下述式(Z-2)所示之基、下述式(Z-3)所示之基、下述式(Z-4)所示之基或下述式(Z-5)所示之基為特佳。惟R⁴為烷基，以甲基或乙基為佳。

上述式中，R¹⁶為伸烷基。從製造的容易性之觀點而言，R¹⁶係以碳數4至14之伸烷基為佳。更且，在製造中的矽氫化時，從烯丙基(-CH₂CH=CH₂)之部分或全部異構化為內烯烴(-CH=CHCH₃)所成的副產物難以生成之觀點而言，以碳數4至10之伸烷基為特佳。

上述式中，a5為1以上之整數。b5為1以上之整數。(a5+b5)為3以上。a5為1時，b5為4以上；a5為2以上時，b5為1以上。a5為2以上時，a5個[Rf-PFPE-G⁵]可為相同或不同。b5為2以上時，b5個[(O-R¹⁶)_c5-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n]可為相同或不同。c5為0或1。

a5係以1至10為佳，以1至4為特佳。a5為下限值以上時，表面處理層之撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢去除性、潤滑性優異。a5為上限值以下時，表面處理層之外觀優異。(a5+b5)係以3至15為佳，以3至12為特佳。

a5為1時，b5為4以上，以4至10為佳，以4至5為特佳。如a5為1而b5不為4以上時，則表面處理層的耐摩擦性可能不足。b5為上限值以下時，表面處理層之外觀、化合物之安定性優異。

a5為2以上之整數時，b5為1以上之整數，以1至10之整數為佳，以1至4之整數為特佳。a5為2以上之整數時，由於表面處理層之潤滑性優異，故難以對表面處理層施加摩擦力。因此，即使b5為1，表面處理層之耐磨擦性仍優異。b5為上限值以下時，表面處理層之外觀、化合物之安定性優異。

c5為0或1。從化合物之耐光性優異的觀點而言，c5係以0為佳，從化合物之製造的容易性之觀點而言，c5係以1為佳。

上述式中，X¹⁰¹各自獨立地表示單鍵或2至10價有機基。該X¹⁰¹被理解為鏈接器，其係在式(A1)及(A2)所示之化合物中，將主要提供撥水性及表面滑溜性等之全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)以及提供與基材之鍵結能力的矽烷部(亦即，標註α並以括弧括起之基)進行連結者。因此，若式(A1)及(A2)所示之化合物可安定地存在，則該X¹⁰¹可為單鍵，亦可為任意之有機基。

上述式中，α為1至9之整數，α’為1至9之整數，此等α及α’可因應X¹⁰¹之價數而變化。式(A1)中，α及α’之和係與X¹⁰¹之價數相同。例如當X¹⁰¹為10價有機基時，α及α’之和為10，例如：α為9且α’為1、α為5且α’為5、或α為1且α’為9。而且，當X¹⁰¹為單鍵或2價有機基時，α及α’為1。式(A2)中，α係從X¹⁰¹之價數減去1所得的值。

上述X¹⁰¹係以2至7價有機基為佳，以2至4價更佳，以2價又更佳。

一態樣中，X¹⁰¹為2至4價有機基，α為1至3且α’為1。

其他態樣中，X¹⁰¹為2價有機基，α為1且α’為1。在此情況下，式(A1)及(A2)係以下述式(A1’)及(A2’)表示。

上述式中，X¹⁰⁵各自獨立地表示單鍵或2至10價有機基。該X¹⁰⁵被理解為鏈接器，其係在式(B1)及(B2)所示之化合物中，將主要提供撥水性及表面滑溜性等之全氟聚醚部(Rf-PFPE部或-PFPE-部)以及提供與基材之鍵結能力的矽烷部(具體上，係-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)進行連結者。因此，若式(B1)及(B2)所示之化合物可安定地存在，則該X¹⁰⁵可為單鍵，亦可為任意之有機基。

上述式中之β為1至9之整數，β’為1至9之整數。此等β及β’係取決於X¹⁰⁵之價數，式(B1)中，β及β’之和係與X¹⁰⁵之價數相同。例如當X¹⁰⁵為10價有機基時，β及β’之和為10，例如：β為9且β’為1、β為5且β’為5、或β為1且β’為9。而且，當X¹⁰⁵為單鍵或2價有機基時，β及β’為1。式(B2)中，β係從X¹⁰⁵之價數減去1所得的值。

上述X¹⁰⁵係以2至7價有機基為佳，以2至4價更佳，以2價又更佳。

一態樣中，X¹⁰⁵為2至4價有機基，β為1至3且β’為1。

其他態樣中，X¹⁰⁵為2價有機基，β為1且β’為1。在此情況下，式(B1)及(B2)係以下述式(B1’)及(B2’)表示。

Rf-PFPE-X¹⁰⁵-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n…(B1’)

R¹⁵ _3-nR¹⁴ _nSi-X¹⁰⁵-PFPE-X¹⁰⁵-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n…(B2’)

上述式中，X¹⁰⁷各自獨立地表示單鍵或2至10價有機基。該X¹⁰⁷被理解為鏈接器，其係在式(C1)及(C2)所示之化合物中，將主要提供撥水性及表面滑溜性等之全氟聚醚部(Rf-PFPE部或-PFPE-部)以及提供與基材之鍵結能力的矽烷部(具體上，係-SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m基)進行連結者。因此，若式(C1)及(C2)所示之化合物可安定地存在，則該X¹⁰⁷可為單鍵，亦可為任意之有機基。

上述式中，γ為1至9之整數，γ’為1至9之整數。此等γ及γ’係取決於X¹⁰⁷之價數，式(C1)中，γ及γ’之和係與X¹⁰⁷之價數相同。例如當X¹⁰⁷為10價有機基時，γ及γ’之和為10，例如：γ為9且γ’為1、γ為5且γ’為5、或γ為1且γ’為9。而且，當X¹⁰⁷為單鍵或2價有機基時，γ及γ’為1。式(C2)中，γ係從X¹⁰⁷之價數減去1所得的值。

上述X¹⁰⁷係以2至7價有機基為佳，以2至4價更佳，以2價又更佳。

一態樣中，X¹⁰⁷為2至4價有機基，γ為1至3且γ’為1。

其他態樣中，X¹⁰⁷為2價有機基，γ為1且γ’為1。在此情況下，式(C1)及(C2)係以下述式(C1’)及(C2’)表示。

Rf-PFPE-X¹⁰⁷-SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m…(C1’)

R^c3 _mR^b3 _lR^a3 _kSi-X¹⁰⁷-PFPE-X¹⁰⁷-SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m…(C2’)

上述式中，X¹⁰⁹各自獨立地表示單鍵或2至10價有機基。該X¹⁰⁹被理解為鏈接器，其係在式(D1)及(D2)所示之化合物中，將主要提供撥水性及表面滑溜性等之全氟聚醚部(亦即，Rf-PFPE部或-PFPE-部)以及提供與基材之鍵結能力的矽烷部(亦即，標註δ並以括弧括起之基)進行連結者。因此，若式(D1)及(D2)所示之化合物可安定地存在，則該X¹⁰⁹可為單鍵，亦可為任意之有機基。

上述式中，δ為1至9之整數，δ’為1至9之整數。此等δ及δ’係依X¹⁰⁹之價數而變化，式(D1)中，δ及δ’之和係與X¹⁰⁹之價數相同。例如當X¹⁰⁹為10價有機基時，δ及δ’之和為10，例如：δ為9且δ’為1、δ為5且δ’為5、或δ為1且δ’為9。而且，當X¹⁰⁹為單鍵或2價有機基時，δ及δ’為1。式(D2)中，δ係從X¹⁰⁹之價數減去1所得的值。

上述X¹⁰⁹係以2至7價有機基為佳，以2至4價更佳，以2價又更佳。

一態樣中，X¹⁰⁹為2至4價有機基，δ為1至3且δ’為1。

其他態樣中，X¹⁰⁹為2價有機基，δ為1且δ’為1。在此情況下，式(D1)及(D2)係以下述式(D1’)及(D2’)表示。

Rf-PFPE-X¹⁰⁹-CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’…(D1’)

R^f3 _m’R^e3 _l’R^d3 _k’C-X¹⁰⁹-PFPE-X¹⁰⁹-CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’…(D2’)

較佳態樣中，上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹係各自獨立而無特別限定者，惟可為例如下述式所示之2價基，-(R³¹)_p1-(X^a)_q1-[式中，

R³¹表示單鍵、-(CH₂)_s’-或鄰-伸苯基、間-伸苯基或對-伸苯基，以-(CH₂)_s’-為佳；

s’為1至20之整數，以1至6之整數為佳，以1至3之整數更佳，以1或2又更佳；

X^a表示-(X^b)_l’-；

X^b在每次出現時各自獨立地表示選自由-O-、-S-、鄰-伸苯基、間-伸苯基、對-伸苯基、-C(O)O-、-Si(R³³)₂-、-(Si(R³³)₂O)_m”-Si(R³³)₂-、-CONR³⁴-、-O-CONR³⁴-、-NR³⁴-及-(CH₂)_n’-所構成之群組中之基；

R³³在每次出現時各自獨立地表示苯基、C_1-6烷基或C_1-6烷氧基，以苯基或C_1-6烷基為佳，以甲基更佳；

R³⁴在每次出現時各自獨立地表示氫原子、苯基或C_1-6烷基(以甲基為佳)；

m”在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，以1至20之整數為佳；

n’在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，以1至6之整數為佳，以1至3之整數更佳；

l’為1至10之整數，以1至5之整數為佳，以1至3之整數更佳；

p1為0或1；

q1為0或1；

在此，p1及q1之至少1者為1，標註p1或q1並以括弧括起的各重複單元的存在順序為任意]。其中，R³¹及X^a(通常為R³¹及X^a之氫原子)可經選自由氟原子、C_1-3烷基及C_1-3氟烷基中之1個以上之取代基取代。

一態樣中，上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹可各自獨立地為-(R³¹)_p1-(X^a)_q1-所示之2價基，[式中，

R³¹表示-(CH₂)_s’-；

s’為1至20之整數；

X^a表示-(X^b)_l’-；

X^b在每次出現時各自獨立地表示選自由-O-、-CONR³⁴-、-O-CONR³⁴-及-(CH₂)_n’-所構成之群組中之基；

R³⁴在每次出現時各自獨立地表示氫原子、苯基或C_1-6烷基；

n’在每次出現時各自獨立地為1至20之整數；

l’為1至10之整數；

p1為0或1；

q1為0或1；

較佳係上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹各自獨立地為-(R³¹)_p1-(X^a)_q1-R³²-。R³²表示單鍵、-(CH₂)_t’-或鄰-伸苯基、間-伸苯基或對-伸苯基，以-(CH₂)_t’-為佳。t’ 為1至20之整數，以2至6之整數為佳，以2至3之整數更佳。其中，R³²(通常為R³²之氫原子)可經選自由氟原子、C_1-3烷基及C_1-3氟烷基中之1個以上之取代基取代。

較佳係上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹可各自獨立地為單鍵、-X^f-C_1-20伸烷基、-X^f-R³¹-X^c-R³²-、或-X^f-X^d-R³²-[式中，R³¹及R³²係與上述同義，

X^f為單鍵或碳數1至6之全氟伸烷基，以碳數1至4為佳，以碳數1至2更佳，例如為二氟亞甲基]。

更佳係上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹各自獨立地為單鍵、-X^f-C_1-20伸烷基、-X^f-(CH₂)_s’-X^c-、-X^f-(CH₂)_s’-X^c-(CH₂)_t’-、-X^f-X^d-、或-X^f-X^d-(CH₂)_t’-[式中，X^f、s’及t’係與上述同義]。

上述式中，X^c表示-O-、-S-、-C(O)O-、 -CONR³⁴-、-O-CONR³⁴-、-Si(R³³)₂-、-(Si(R³³)₂O)_m”-Si(R³³)₂-、-O-(CH₂)_u’-(Si(R³³)₂O)_m”-Si(R³³)₂-、-O-(CH₂)_u’-Si(R³³)₂-O-Si(R³³)₂-CH₂CH₂-Si(R³³)₂-O-Si(R³³)₂-、-O-(CH₂)_u’-Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂-、-CONR³⁴-(CH₂)_u’-(Si(R³³)₂O)_m”-Si(R³³)₂-、-CONR³⁴-(CH₂)_u’-N(R³⁴)-、或-CONR³⁴-(鄰-、間-或對-伸苯基)-Si(R³³)₂-[式中，R³³、R³⁴及m”係與上述同義，

u’為1至20之整數，以2至6之整數為佳，以2至3之整數更佳]。X^c係以-O-為佳。

上述式中，X^d表示-S-、-C(O)O-、-CONR³⁴-、-O-CONR³⁴-、-CONR³⁴-(CH₂)_u’-(Si(R³³)₂O)_m”-Si(R³³)₂-、-CONR³⁴-(CH₂)_u’-N(R³⁴)-、或-CONR³⁴-(鄰-、間-或對-伸苯基)-Si(R³³)₂-[式中，各符號係與上述同義]。

更佳係上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹可各自獨立地為單鍵、C_1-20伸烷基、-(CH₂)_s’-X^c-(CH₂)_t’-、或-X^d-(CH₂)_t’-[式中，各符號係與上述同義]。

較佳態樣中，上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹可各自獨立地為單鍵、C_1-20伸烷基、-(CH₂)_s’-X^c-、或-(CH₂)_s’-X^c-(CH₂)_t’-[式中，

X^c為-O-、-CONR³⁴-、或-O-CONR³⁴-；

s’為1至20之整數；

t’為1至20之整數]。

一態樣中，上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹各自獨立地為單鍵、C_1-20伸烷基、-(CH₂)_s’-O-(CH₂)_t’-、-(CH₂)_s’-(Si(R³³)₂O)_m”-Si(R³³)₂-(CH₂)_t'-、-(CH₂)_s’-O-(CH₂)_u’-(Si(R³³)₂O)_m”-Si(R³³)₂-(CH₂)_t’-、或 -(CH₂)_s’-O-(CH₂)_t’-Si(R³³)₂-(CH₂)_u’-Si(R³³)₂-(C_vH_2v)-[式中，R³³、m”、s’、t’、u’係與上述同義，v為1至20之整數，以2至6之整數為佳，以2至3之整數更佳]。

上述式中，-(C_vH_2v)-可為直鏈或分支鏈，例如可為-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-、-CH(CH₃)-、-CH(CH₃)CH₂-。

上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹基各自獨立地可經選自由氟原子、C_1-3烷基及C_1-3氟烷基(以C_1-3全氟烷基為佳)中之1個以上之取代基取代。

而且，上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹之各式之左側與PFPE基鍵結。

上述式中，X^f在式(A1)、(B1)、(C1)及(D1)中係以單鍵為佳，在式(A2)、(B2)、(C2)及(D2)中為碳數1至6之全氟伸烷基，以碳數1至4為佳，以碳數1至2更佳，例如為二氟亞甲基。

一態樣中，上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹基可各自獨立地為-O-C_1-6伸烷基以外之基。

其他態樣中，X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹可列舉例如以下之基。

[式中，

R⁴¹各自獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6之烷基或C_1-6烷氧基，以甲基為佳；

D為選自下列者之基：-CH₂O(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃-、-CF₂O(CH₂)₃-、-(CH₂)₂-、 -(CH₂)₃-、-(CH₂)₄-、-CONH-(CH₂)₃-、-CON(CH₃)-(CH₂)₃-、-CON(Ph)-(CH₂)₃-(式中，Ph意指苯基)、以及

(式中，R⁴²各自獨立地表示氫原子、C_1-6烷基或C_1-6烷氧基，以甲基或甲氧基為佳，以甲基更佳)；

E為-(CH₂)_n-(n為2至6之整數)；

D係與分子主鏈之PFPE鍵結，E係與和PFPE為相反側之基鍵結]

就上述X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹之具體例而言，可列舉例如：單鍵、-CH₂OCH₂-、-CH₂O(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃-、-CH₂O(CH₂)₆-、-CF₂-CH₂-O-CH₂-、-CF₂-CH₂-O-(CH₂)₂-、 -CF₂-CH₂-O-(CH₂)₃-、-CF₂-CH₂-O-(CH₂)₆-、-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₃Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₁₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂OCF₂CHFOCF₂-、-CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂-、-CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂CF₂-、-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂-、-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂CF₂-、-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂-、-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂-、-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂-、-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂CF₂-、-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂-、-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂CF₂-、-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂CF₂CF₂-、-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂-、-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂-、 -CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂CF₂-、-CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-、-CH₂OCH₂(CH₂)₇CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₃-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₂CH₃)₂OSi(OCH₂CH₃)₂(CH₂)₃-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂-、-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₂CH₃)₂OSi(OCH₂CH₃)₂(CH₂)₂-、-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-、-CH₂-、-(CH₂)₂-、-(CH₂)₃-、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₅-、-(CH₂)₆-、-CF₂-CH₂-、-CF₂-(CH₂)₂-、-CF₂-(CH₂)₃-、-CF₂-(CH₂)₄-、-CF₂-(CH₂)₅-、-CF₂-(CH₂)₆-、-CO-、-CONH-、 -CONH-CH₂-、-CONH-(CH₂)₂-、-CONH-(CH₂)₃-、-CONH-(CH₂)₆-、-CF₂CONHCH₂-、-CF₂CONH(CH₂)₂-、-CF₂CONH(CH₂)₃-、-CF₂CONH(CH₂)₆-、-CON(CH₃)-(CH₂)₃-、-CON(Ph)-(CH₂)₃-(式中，Ph表示苯基)、-CON(CH₃)-(CH₂)₆-、-CON(Ph)-(CH₂)₆-(式中，Ph表示苯基)、-CF₂-CON(CH₃)-(CH₂)₃-、-CF₂-CON(Ph)-(CH₂)₃-(式中，Ph表示苯基)、-CF₂-CON(CH₃)-(CH₂)₆-、-CF₂-CON(Ph)-(CH₂)₆-(式中，Ph表示苯基)、-CONH-(CH₂)₂NH(CH₂)₃-、-CONH-(CH₂)₆NH(CH₂)₃-、-CH₂O-CONH-(CH₂)₃-、-CH₂O-CONH-(CH₂)₆-、-S-(CH₂)₃-、-(CH₂)₂S(CH₂)₃-、 -CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₃Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₁₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、-C(O)O-(CH₂)₃-、-C(O)O-(CH₂)₆-、-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-、-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-CH(CH₃)-、-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-(CH₂)₃-、-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-CH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂-、-O(CH₂)₃-、-OCFHCF₂-、

、

等。

在另外的其他態樣中，X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹各自獨立地為式：-(R¹⁸)_x-(CFR¹⁷)_y-(CH₂)_z-所示之基。式中，x、y及z各自獨立地為0至10之整數，x、y及z之和為1以上，且以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。

上述式中，R¹⁸在每次出現時各自獨立地為氧原子、伸苯基、伸咔唑基、-NR²⁶-(式中，R²⁶表示氫原子或有機基)或2價有機基。較佳係R¹⁸為氧原子或2價極性基。

上述「2價極性基」並無特別限定，惟可列舉如：-C(O)-、-C(=NR²⁷)-及-C(O)NR²⁷-(此等式中，R²⁷表示氫原子或低級烷基)。該「低級烷基」例如為碳數1至6之烷基，例如為甲基、乙基、正丙基，此等可經1個以上之氟原子取代。

上述式中，R¹⁷在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或低級氟烷基，以氟原子為佳。該「低級氟烷基」例如為碳數1至6之氟烷基，以碳數1至3之氟烷基為佳，以碳數1至3之全氟烷基為佳，以三氟甲基、五氟乙基更佳，以三氟甲基又更佳。

在另外的其他態樣中，X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹基之例可列舉以下之基：

[式中，

各X¹⁰¹基中，T中之任意幾個為會與分子主鏈之PFPE鍵結的以下之基：-CH₂O(CH₂)₂-、-CH₂O(CH₂)₃-、-CF₂O(CH₂)₃-、-(CH₂)₂-、-(CH₂)₃-、-(CH₂)₄-、-CONH-(CH₂)₃-、-CON(CH₃)-(CH₂)₃-、-CON(Ph)-(CH₂)₃-(式中，Ph表示苯基)、或

[式中，R⁴²各自獨立地表示氫原子、C_1-6烷基或C_1-6烷氧基，以甲基或甲氧基為佳，以甲基更佳]，關於其他幾個T，如存在分子主鏈之與PFPE為相反側之基(亦即，式(A1)、(A2)、(D1)及(D2)中為碳原子，又，下述式(B1)、(B2)、(C1)及(C2)中為Si原子)時，其餘的T各自獨立地為甲基、苯基、C_1-6烷氧基或自由基捕獲基或紫外線吸收基。

自由基捕獲基如為可捕獲因光照射而產生的自由基者即可而無特別限定，惟可列舉例如：二苯基酮類、苯并三唑類、苯甲酸酯類、水楊酸苯酯類、巴豆酸類、丙二酸酯類、有機丙烯酸酯類、受阻胺類、受阻酚類或三嗪類的殘基。

紫外線吸收基如為可吸收紫外線者即可而無特別限定，惟可列舉例如：苯并三唑類、羥基二苯基酮類、取代及未取代之苯甲酸或水楊酸化合物之酯類、丙烯酸酯或烷氧基肉桂酸酯類、草醯胺類、草醯苯胺類、苯并噁嗪酮類、苯并噁唑類之殘基。

較佳態樣中，較佳之自由基捕獲基或紫外線吸收基可列舉如：

該態樣中，X¹⁰¹、X¹⁰⁵、X¹⁰⁷及X¹⁰⁹可各自獨立地為3至10價有機基。

本揭示之表面處理劑中，相對於式(A1)、(B1)、(C1)、(D1)及(E1)所示之化合物(以下亦稱為「(1)成分」)、與式(A2)、(B2)、(C2)及(D2)所示之化合物(以下亦稱為「(2)成分」)之總和，式(A2)、(B2)、(C2)及(D2)所示之化合物為0.1莫耳%以上35莫耳%以下。相對於(2)成分，式(A2)、(B2)、(C2)及(D2)所示之化合物的含量之下限係以0.1莫耳%為佳，以0.2莫耳%更佳，以0.5莫耳%又更佳，以1莫耳%再更佳，以2莫耳%為特佳，尤其可為5莫耳%。相對於(2)成分，式(A2)、(B2)、(C2)及(D2)所示之化合物的含量之上限係以35莫耳%為佳，以30莫耳%更佳，以20莫耳%又更佳，以15莫耳%或10莫耳%再更佳。相對於(2)成分，式(A2)、(B2)、(C2)及(D2)所示之化合物係以0.1莫耳%以上30莫耳%以下為佳，以0.1莫耳 %以上20莫耳%以下更佳，以0.2莫耳%以上10莫耳%以下又更佳，以0.5莫耳%以上10莫耳%以下再更佳，以1莫耳%以上10莫耳%以下為特佳，例如為2莫耳%以上10莫耳%以下或5莫耳%以上10莫耳%以下。藉由使(2)成分在上述範圍內，可進一步提高摩擦耐久性。

上述表面處理劑中，(1)成分與(2)成分之組合較佳係式(A1)所示之化合物與式(A2)所示之化合物的組合、式(B1)所示之化合物與式(B2)所示之化合物的組合、式(C1)所示之化合物與式(C2)所示之化合物的組合、式(D1)所示之化合物與式(D2)所示之化合物的組合。

式(A1)及式(A2)所示之化合物係以t為2以上之整數為佳，以t為2至10之整數更佳，以t為2至6之整數又更佳。藉由將t設為2以上，而存在複數個具有R¹⁵之Si原子，可得到更高的耐久性。

式(C1)及式(C2)所示之化合物係以k為2或3者為佳，以3更佳。

較佳態樣中，式(C1)及式(C2)所示之化合物係在末端具有-Si-(Z-SiR⁷² ₃)₂或-Si-(Z-SiR⁷² ₃)₃結構，以具有-Si-(Z-SiR⁷² ₃)₃結構更佳。由於末端具有該結構，因此可得到更高的耐久性。

式(D1)及式(D2)所示之化合物係以1’為2或3者為佳，以3更佳。

較佳態樣中，式(D1)及式(D2)所示之化合物係在末端具有-C-(Y-SiR⁸⁵ ₃)₂或-Si-(Y-SiR⁸⁵)₃結構，以-Si-(Y-SiR⁸⁵)₃結構為更佳。由於末端具有該結構，因此可得到更高的耐久性。

一態樣中，化合物(β)係上述式(A1)、(B1)、(C1)、(D1)或(E1)所示之化合物。

一態樣中，化合物(β)係上述式(A2)、(B2)、(C2)、或(D2)所示之化合物。

一態樣中，化合物(β)係上述式(A1)、(A2)、(C1)、(C2)、(D1)、(D2)或(E1)所示之化合物。由於此等化合物可在末端具有複數個具有羥基或可水解之基的Si，因此可得到更高的摩擦耐久性。

一態樣中，化合物(β)係上述式(C1)、(C2)、(D1)、(D2)或(E1)所示之化合物。

一態樣中，化合物(β)係上述式(C1)、(C2)、(D1)或(D2)所示之化合物。

一態樣中，化合物(β)係上述式(A1)及(A2)所示之化合物。

一態樣中，化合物(β)係上述式(B1)及(B2)所示之化合物。

一態樣中，化合物(β)係上述式(C1)及(C2)所示之化合物。藉由使用上述式(C1)及(C2)所示之化合物作為化合物(β)，而提高摩擦耐久性及表面滑溜性。進而提高與如上述化合物(α)般的包含異氰脲酸骨架的化合物之混合性。

一態樣中，化合物(β)係上述式(D1)及(D2)所示之化合物。

一態樣中，化合物(β)係上述式(E1)所示之化合物。

就較佳之化合物(E1)而言，可列舉例如：下式之化合物(1-1)至(1-8)。該化合物從易於工業生產、易於操作並且表面處理層之撥水撥油性、耐摩擦性、指紋污垢去除性、潤滑性及外觀更為優異之觀點而言為佳。

本揭示中所使用的化合物(β)之數量平均分子量係以1,000至30,000為佳，以1,500至30,000更佳，以2,000至10,000又更佳。

本揭示之表面處理劑中，化合物(α)與化合物(β)之重量比係以1：99至99：1為佳，以5：95至90：10更佳，以30：70至90：10又更佳，以30：70至70：30再更佳。由於化合物(α)與化合物(β)之重量比在該範圍內，可兼具優異之紫外線耐久性、表面滑溜性、耐磨損性，例如橡皮擦耐久性、鋼絲絨耐久性等。

一態樣中，化合物(α)之數量平均分子量與化合物(β)之數量平均分子量之比係以9：1至1：9為佳，以7：3至3：7更佳，以6：4至4：6又更佳。

一態樣中，化合物(α)之數量平均分子量係大於化合物(β)之數量平均分子量。當化合物(α)之數量平均分子量大於化合物(β)之數量平均分子量時，較佳係在數量平均分子量比為7：3至6：4(化合物(α)：化合物(β))之關係時，可減低動摩擦係數而改善表面滑溜性。

其他態樣中，化合物(α)之數量平均分子量為化合物(β)之數量平均分子量以下。當化合物(α)之數量平均分子量為化合物(β)之數量平均分子量以下時，較佳係當數量平均分子量比為5：5至2：8(化合物(α)：化合物(β))時，除了可減低動摩擦係數而改善表面滑溜性之外，還可提高耐磨損性。

上述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)、(D2)及(E1)所示之化合物可經由習知方法製造。

本揭示之表面處理劑中除了化合物(α)及化合物(β)以外，還可含有其他矽烷化合物。

其他矽烷化合物可列舉：式(α1)所示之化合物及式(α2)所示之化合物的異氰脲酸環經開環而成之式(α1’)所示之化合物及式(α2’)所示之化合物，

(式中，各符號係與式(α1)及式(α2)同義)；以及除了全氟聚醚基不具有OCF₂單元以外，其餘係具有與式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)、(D2)及(E1)相同的結構之矽烷化合物。

上述不具有OCF₂單元之全氟聚醚基係可列舉例如：-(OC₆F₁₂)_m11-(OC₅F₁₀)_m12-(OC₄F₈)_m13-(OC₃X¹⁰ ₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(式中，各符號係與上述聚醚鏈同義)所示之化合物。

上述不具有OCF₂單元之全氟聚醚基可為下述式：-(OC₃X¹⁰ ₆)_m14-(式中，m14及X¹¹係與上述同義，以X¹¹為F者為佳)所示之基，以及下述式：-(OC₂F₄-R¹¹)_f-(式中，R¹¹係選自OC₂F₄、OC₃F₆及OC₄F₈之基，f為2至100之整數)所示之基。

-(OC₃X¹⁰ ₆)_m14-係以-(OC₃F₆)_m14-為佳，以-(OCF(CF₃)CF₂)_m14-或-(OCF₂CF₂CF₂)_m14-更佳，以-(OCF₂CF₂CF₂)_m14-為特佳。

此等其他矽烷化合物可被包含或不被包含在表面處理劑中，當被包含在表面處理劑中時，相對於化合物(α)之總和100莫耳份，以0.01至20莫耳份為佳，以0.1至15莫耳份更佳，例如可為1至10莫耳份或3至5莫耳份。

此外，本揭示之表面處理劑除了上述化合物(α)及化合物(β)以外，還可含有源自該化合物之合成的化合物，例如R¹-OSO₂CF₃或CF₃SO₂O-R^1’-OSO₂CF₃所示之化合物。

本揭示之表面處理劑可包含可被理解作為含氟油之(非反應性的)氟聚醚化合物，以全氟(聚)醚化合物(以下稱為「含氟油」)為佳。在包含該含氟油時，可更提高使用表面處理劑所形成之表面處理層的表面滑溜性。

上述含氟油並無特別限定，惟可列舉例如下列通式(3)所示之化合物(全氟聚醚化合物)。

Rf¹-(OC₄F₈)_a’-(OC₃F₆)_b’-(OC₂F₄)_c’-(OCF₂)_d’-Rf²...(3)

式中，Rf¹表示可經1個以上之氟原子取代之C_1-16烷基(以C_1-16全氟烷基為佳)，Rf²表示可經1個以上之氟原子取代之C_1-16烷基(以C_1-16全氟烷基為佳)、氟原子或氫原子，Rf¹及Rf²更佳係各自獨立地為C_1-3全氟烷基。

a’、b’、c’及d’各自表示聚合物之構成主骨架的全氟聚醚之4種重複單元數，且互相獨立地為0以上300以下之整數，a’、b’、c’及d’之和至少為1，以1至300為佳，以20至300更佳。標註a’、b’、c’或d’並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。此等重複單元中，-(OC₄F₈)-可為-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂CF₂)-、-(OCF₂CF(CF₃)CF₂)-、-(OCF₂CF₂CF(CF₃))-、-(OC(CF₃)₂CF₂)-、-(OCF₂C(CF₃)₂)-、-(OCF(CF₃)CF(CF₃))-、-(OCF(C₂F₅)CF₂)-以及-(OCF₂CF(C₂F₅))-之任一者，以-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-為佳。-(OC₃F₆)-可為-(OCF₂CF₂CF₂)-、-(OCF(CF₃)CF₂)-以及-(OCF₂CF(CF₃))-之任一者，以-(OCF₂CF₂CF₂)-為佳。-(OC₂F₄)-可為-(OCF₂CF₂)-以及-(OCF(CF₃))-之任一者，以-(OCF₂CF₂)-為佳。

就上述通式(3)所示之全氟聚醚化合物之例而言，可列舉下列通式(3a)及(3b)之任一者所示之化合物(可為1種或2種以上之混合物)。

Rf¹-(OCF₂CF₂CF₂)_b”-Rf²...(3a)

Rf¹-(OCF₂CF₂CF₂CF₂)_a”-(OCF₂CF₂CF₂)_b”-(OCF₂CF₂)_c”-(OCF₂)_d”-Rf²...(3b)

此等式中，Rf¹及Rf²係如上所述；式(3a)中，b”為1以上100以下之整數；式(3b)中，a”及b”各自獨立地為0以上30以下之整數，例如為1以上30以下之整數，c”及d”各自獨立地為1以上300以下之整數。標註a”、b”、c”、d”並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意。

上述含氟油可具有1,000至30,000之數量平均分子量。因此，可得到高的表面滑溜性。

本揭示之表面處理劑中，可包含或不包含含氟油，如包含含氟油時，相對於上述含全氟聚醚基之化合物的總和100質量份(各自為2種以上時為該等之總和，以下亦同)，可包含例如0.1至500質量份之含氟油，以1至400質量份為佳，以5至300質量份更佳。

通式(3a)所示之化合物及通式(3b)所示之化合物可各自單獨使用、亦可組合使用。相較於通式(3a)所示之化合物，使用通式(3b)所示之化合物者，可得到更高的表面滑溜性，因而為佳。將此等組合使用時，通式(3a)所示之化合物與通式(3b)所示之化合物的質量比係以1：1至1：30為佳，以1：1至1：10更佳。根據該質量比，可得到表面滑溜性與摩擦耐久性之平衡優異的表面處理層。

一態樣中，含氟油係包含通式(3b)所示之1種以上之化合物。在該態樣中，表面處理劑中的含氟(聚)醚基的化合物之總和與式(3b)所示之化合物的質量比係以10：1至1：10為佳，以4：1至1：4更佳。

一態樣中，通式(3a)所示之化合物的平均分子量係以2,000至8,000為佳。

一態樣中，通式(3b)所示之化合物的平均分子量係以8,000至30,000為佳。

其他態樣中，通式(3b)所示之化合物的平均分子量係以3,000至8,000為佳。

較佳態樣中，藉由真空蒸鍍法而形成表面處理層時，含氟油的平均分子量可大於化合物(α)之平均分子量及化合物(β)之平均分子量。藉由設為如此的平均分子量，可得到更為優異之摩擦耐久性與表面滑溜性。

而且，從其他觀點而言，含氟油可為通式Rf³-F(式中，Rf³為C_5-16全氟烷基)所示之化合物。而且，亦可為氯三氟乙烯寡聚物。從可得到與末端為C_1-16全氟烷基之上述分子末端具有碳-碳不飽和鍵的含氟化合物所示之化合物的高親和性觀點而言，以Rf³-F所示之化合物及氯三氟乙烯寡聚物為佳。

本揭示之表面處理劑在包含可被理解為上述(d)聚矽氧油之(非反應性的)聚矽氧化合物(以下稱為「聚矽氧油」)時，可進一步提高使用表面處理劑所形成之表面處理層的表面滑溜性。

上述聚矽氧油可使用例如矽氧烷鍵為2,000以下的直鏈狀或環狀聚矽氧油。直鏈狀聚矽氧油可為所謂的直接聚矽氧油及改質聚矽氧油。直接聚矽氧油可列舉如：二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫聚矽氧油。改質聚矽氧油可列舉如：將直接聚矽氧油經由烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改質者。環狀聚矽氧油可列舉例如環狀二甲基矽氧烷油等。

本揭示之表面處理劑中，相對於化合物(α)及化合物(β)之總和100質量份(2種以上時為該等之總和，以下亦同)，可含有例如0至300質量份之該聚矽氧油，以0至200質量份為佳。

本揭示之表面處理劑係如上所述，可包含觸媒、溶劑、醇、過渡金屬、鹵化物離子、分子結構內包含具有非共用電子對之原子的化合物等。

上述觸媒可列舉如：酸(例如：乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如：氨、三乙基胺、二乙基胺等)、過渡金屬(例如：Ti、Ni、Sn等)等。

觸媒係促進上述矽烷化合物之水解及脫水縮合，並促進塗覆層的形成。

上述過渡金屬可列舉如：鉑、釕、銠等。

上述鹵化物離子可列舉如：氯化物離子等。

上述分子結構內包含具有非共用電子對之原子的化合物係以包含選自由氮原子、氧原子、磷原子及硫原子所構成之群組中之至少1個原子者為佳，以包含硫原子或氮原子者更佳。

上述分子結構內包含具有非共用電子對之原子的化合物係以分子結構內包含選自由胺基、醯胺基、亞磺醯基、P=O基、S=O基及磺醯基所構成之群組中之至少1個官能基者為佳，以包含選自由P=O基及S=O基所構成之群組中之至少1個官能基者更佳。

上述分子結構內包含具有非共用電子對之原子的化合物係以選自由脂肪族胺化合物、芳香族胺化合物、磷醯胺化合物、醯胺化合物、脲化合物及亞碸化合物所構成之群組中之至少1個化合物為佳，以選自由脂肪族胺化合物、芳香族胺類、磷醯胺、脲化合物及亞碸化合物所構成之群組中之至少1個化合物更佳，以選自由亞碸化合物、脂肪族胺化合物及芳香族胺化合物所構成之群組中之至少1個化合物為特佳，以亞碸化合物又更佳。

上述脂肪族胺化合物可列舉例如：二乙基胺、三乙基胺等。上述芳香族胺化合物可列舉例如：苯胺、吡啶等。上述磷醯胺化合物可列舉例如：六甲基磷醯胺等。上述醯胺化合物可列舉例如：N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等。上述脲化合物可列舉如：四甲基脲等。上述亞碸化合物可列舉如：二甲基亞碸(DMSO)、四亞甲基亞碸、甲基苯基亞碸、二苯基亞碸等。此等化合物中，以使用二甲基亞碸或四亞甲基亞碸為佳。

上述醇可列舉例如：碳數1至6之醇化合物。

上述溶劑可使用例如以下之溶劑：C_5-12全氟脂肪族烴(例如：全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；多氟芳香族烴(例如：雙(三氟甲基)苯)；多氟脂肪族烴(例如：C₆F₁₃CH₂CH₃(例如旭硝子股份有限公司製造之ASAHIKLIN(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如：日本Zeon股份有限公司製造之ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟碳化合物(HFC)(例如：1,1,1,3,3-五氟丁烷(HFC-365mfc))；氫氟氯碳(例如：HCFC-225(ASAHIKLIN(註冊商標)AK225))；氫氟醚(HFE)(例如：全氟丙基甲基醚(C₃F₇OCH₃)(例如：住友3M股份有限公司製造之Novec(商標名)7000)、全氟丁基甲基醚(C₄F₉OCH₃)(例如，住友3M股份有限公司製造之Novec(商標名)7100)、全氟丁基乙基醚(C₄F₉OC₂H₅)(例如，住友3M股份有限公司製造之Novec(商標名)7200)、全氟己基甲基醚(C₂F₅CF(OCH₃)C₃F₇)(例如，住友3M股份有限公司製造之Novec(商標名)7300)等烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或分支狀)、或CF₃CH₂OCF₂CHF₂(例如：旭硝子股份有限公司製造之ASAHIKLIN(註冊商標)AE-3000)、1,2-二氯-1,3,3,3-四氟-1-丙烯(例如：Dupont-Mitsui Fluorochemicals製造之Vertrel(註冊商標)Sion)等。此等溶劑可單獨使用，或將2種以上組合作為混合物使用。更且，例如可為了調整含全氟聚醚基之矽烷化合物的溶解性等，而與其他溶劑混合。

就其他成分而言，除了上述以外，亦可列舉例如：四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。

本揭示之表面處理劑中，上述化合物(α)及化合物(β)之濃度，以總和來計算，係以0.001至1質量%為佳，以0.005至0.5質量%更佳，以0.01至0.2質量%又更佳。

本揭示之表面處理劑可浸漬多孔質物質例如多孔質的陶瓷材料、金屬纖維例如將鋼絲絨固化為棉狀者，而製成顆粒。該顆粒可使用於例如真空蒸鍍。

本揭示亦提供具有藉由本揭示之表面處理劑而形成之表面處理層的物品。

本揭示之物品包含基材、及藉由上述表面處理劑而形成在該基材之表面的層(表面處理層，例如防污性被覆層)。

上述基材可由例如玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，例如可為一般的塑膠材料，亦可為板狀、薄膜、其他形態)、金屬(可為鋁、銅、鐵、鋅、鈦、鋯等金屬單質或合金等複合體)、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築構件等任意之適當的材料所構成。

上述玻璃係以藍寶石玻璃、鈉鈣玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻璃為佳，以化學強化鈉鈣玻璃、化學強化鹼鋁矽酸鹽玻璃及化學結合硼矽酸鹽玻璃為特佳。

上述樹脂係以丙烯酸樹脂、聚碳酸酯為佳。

一態樣中，當要製造的物品為光學構件時，構成基材之表面的材料可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。而且，當要製造的物品為光學構件時，可在基材之表面(最外層)形成某種層(或膜)例如硬塗層、抗反射層等。抗反射層可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。可使用在抗反射層之無機物之例，可列舉SiO₂、SiO、ZrO₂、TiO₂、TiO、Ti₂O₃、Ti₂O₅、Al₂O₃、Ta₂O₅、CeO₂、MgO、Y₂O₃、SnO₂、MgF₂、WO₃、SiN等。此等無機物可單獨使用、或組合此等的2種以上(例如以混合物形式)而使用。當使用多層抗反射層時，其最外層較佳係使用SiO₂及/或SiO。當要製造的物品為觸控面板用的光學玻璃部件時，可在基材(玻璃)之表面的一部份具有透明電極例如使用了銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物等的薄膜。而且，基材可因應其具體規格等而具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框架層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光膜、相位差膜、及液晶顯示模組等。

就該基材而言，可為至少其表面部分由原本就具有羥基的材料所構成者。該材料可列舉玻璃，且可列舉在表面形成有自然氧化膜或熱氧化膜的金屬(特別是卑金屬)、陶瓷、半導體等。或者，如樹脂般，在不具有足夠的羥基之情況、及原本就不具有羥基之情況下，則可藉由對基材實施某種前處理，而在基材的表面導入或增加羥基。該前處理之例可列舉電漿處理(例如電暈放電)、及離子束照射。電漿處理可在基材表面導入或增加羥基，並且可適合利用於潔淨化基材表面(除去異物等)。而且，該前處理之其他的例子，可列舉藉由LB法(朗謬-布洛傑(Langmuir-Blodgett)法)、化學吸附法等，在基材表面預先以單分子膜之形態形成具有碳-碳不飽和鍵基的界面吸附劑，其後，在包含氧、氮等環境下，裂解不飽和鍵之方法。

又或者，就該基材而言，可為至少其表面部分由包含具有一個以上其他反應性基(例如Si-H基)之聚矽氧化合物或烷氧基矽烷之材料所構成者。

基材形狀並無特別限定。而且，要形成表面處理層之基材的表面區域如為基材表面之至少一部分即可，可依要製造的物品之用途及具體規格等而適當地決定。

其次，針對在該基材之表面形成表面處理層的方法進行說明。形成表面處理層之方法包含在基材之表面供給上述表面處理劑，並在基材表面形成表面處理層的步驟。更具體而言，形成表面處理劑之膜，且因應需求而對該膜進行後處理，藉此而從本揭示之表面處理劑形成表面處理層。

表面處理劑之膜的形成方法並無特別限定。可使用例如濕潤被覆法及乾燥被覆法。

就濕潤被覆法之例而言，可列舉如：浸塗、旋塗、流塗、噴塗、輥塗、凹版塗佈及類似的方法。

就乾燥被覆法之例而言，可列舉如：蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺鍍、CVD及類似的方法。就蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)之具體例而言，可列舉如：使用電阻加熱、電子束、微波等的高頻加熱、離子束及類似的方法。就CVD方法之具體例而言，可列舉如：電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似的方法。

更且，可藉由常壓電漿法塗覆。

使用乾燥被覆法時，表面處理劑可直接進行乾燥被覆法、或可使用上述濕潤被覆法相關所例示的溶劑稀釋後進行乾燥被覆法。例如可直接將表面處理劑進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或者可使用使鐵及銅等金屬多孔體或陶瓷多孔體浸漬表面處理劑而成的顆粒狀物質進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。

較佳態樣中，使用蒸鍍法形成表面處理劑的膜，更佳係使用CVD、及高頻加熱(特別是電阻加熱、電子束)之至少一者，特佳係使用電子束。

上述後處理可列舉例如熱處理。熱處理之溫度並無特別限定，惟可為例如60至250℃，以100℃至180℃為佳。熱處理之時間並無特別限定，惟可為例如30分鐘至5小時，以1至3小時為佳。

表面處理層之厚度並無特別限定。在光學構件之情況下，從光學性能、表面滑溜性、摩擦耐久性及防污性之觀點而言，表面處理層之厚度較佳為在1至50nm的範圍，更佳為1至30nm，又更佳為1至15nm。

如上所述，使用表面處理劑而在基材的表面形成表面處理層。

一態樣中，本揭示之物品係在最外層具有表面處理層的光學材料。

就光學材料而言，除了顯示器等相關的光學材料以外，亦較佳可列舉如各種各樣的光學材料：例如陰極射線管(CRT；例如電腦顯示器)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背面投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)等顯示器或者此等顯示器的保護板、或在此等表面實施有抗反射膜處理者。

具有上述表面處理層的物品，並非特別限定者，惟可為光學構件。在光學構件之例中，可列舉如其次者：眼鏡等透鏡；PDP、LCD等顯示器的前面保護板、抗反射板、偏光板、防眩板；行動電話、行動資訊終端等機器的觸控面板片；藍光(Blu-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等光碟的光碟面；光纖；時鐘的顯示面等。

而且，具有上述表面處理層的物品可為醫療機器或醫療材料。

以上係針對使用本揭示之表面處理劑而得的物品進行了詳述。又，本揭示之表面處理劑的用途、使用方法乃至物品之製造方法等，並非限定於上述所例示者。

[實施例]

雖列舉實施例說明本揭示，惟本揭示並不受該實施例所限定。另外，本實施例中，以下所示之化學式皆呈示平均組成，且構成全氟聚醚之重複單元((CF₂CF₂CF₂O)、(CF₂CF₂O)、(CF₂O)等)之存在順序為任意。

合成例1

依據專利文獻1中記載之方法合成以下之化合物(A)。由該合成所得的生成物(A)中包含以下所示之化合物(B)至(I)。

化合物(A)

化合物(B)

化合物(C)

化合物(D)

化合物(E)

化合物(F)

化合物(G)

化合物(H)

化合物(I)

生成物(A)之組成(莫耳比)係化合物(A)為61%、化合物(B)為2%、化合物(D)為2%、化合物(E)為2%、化合物(F)為20%、化合物(I)為13%。

將合成例1所得的生成物(A)以使生成物(A)之濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製造之Novec HFE7200)，從而獲得藥液(A)。

合成例2

接著，依據專利文獻1所記載之方法，合成上述化合物(A)並進行精製以獲得生成物(B)。藉由該合成而獲得的生成物(B)之組成(莫耳比)係化合物(A)為91%、化合物(B)為4%、化合物(D)為5%。

將合成例2所得的生成物(B)以使生成物(B)之濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製造之Novec HFE7200)，從而獲得藥液(B)。

實施例1-(1)

將包含下述化合物(J)(91.0mol%)及化合物(K)(9.0mol%)之混合物以使該混合物的濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)，從而獲得藥液(C)。

化合物(J)CF₃O-(CF₂CF₂O)_m(CF₂O)_nCF₂CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃)₃(m=22,n=19)

化合物(K)((H₃CO)₃SiCH₂CH₂CH₂)₃SiCH₂CH₂CH₂OCH₂CF₂O-(CF₂CF₂O)_m(CF₂O)_nCF₂CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃)₃(m=22,n=19)

將藥液(A)與藥液(C)以8：2之各別重量比充分地混合，以獲得表面處理液(A)。其後，在化學強化玻璃(康寧公司製、「Gorilla」玻璃、厚度0.7mm)上真空蒸鍍。真空蒸鍍之處理條件係設為壓力3.0×10^-3Pa，首先，使二氧化矽以7nm之厚度在該化學強化玻璃之表面蒸鍍而形成二氧化矽膜，繼而，相對於每1片(55mm×100mm)化學強化玻璃，蒸鍍2mg之表面處理劑(A)。其後，將附蒸鍍膜的化學強化玻璃在大氣下、恆溫槽內，以140℃加熱30分鐘。藉此，蒸鍍膜硬化而獲得具有表面處理層的基材(1)。

實施例1-(2)

除了將藥液(A)與藥液(C)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(2)。

實施例2-(1)

除了將藥液(B)與藥液(C)以9：1之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(3)。

實施例2-(2)

除了將藥液(B)與藥液(C)以8：2之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(4)。

實施例2-(3)

除了將藥液(B)與藥液(C)以7：3之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(5)。

實施例2-(4)

除了將藥液(B)與藥液(C)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(6)。

實施例2-(5)

除了將藥液(B)與藥液(C)以3：7之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(7)。

實施例3-(1)

將包含下述化合物(L)(91.0mol%)及化合物(M)(9.0mol%)之混合物以使該混合物的濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)，從而獲得藥液(D)。

除了將藥液(B)與藥液(D)以8：2之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(8)。

實施例3-(2)

除了將藥液(B)與藥液(D)以7：3之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(9)。

實施例3-(3)

除了將藥液(B)與藥液(D)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(10)。

實施例4-(1)

將化合物(J)、化合物(K)、及化合物(N)之組成比(莫耳比)各自為82%、8%、10%的混合物以使該混合物的濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)，從而獲得藥液(E)。

化合物(N) CF₃O-(CF₂CF₂O)_m(CF₂O)_nCF₃(m=22,n=19)

除了將藥液(B)與藥液(E)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(11)。

實施例4-(2)

除了將藥液(B)與藥液(E)以4：6之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(12)。

實施例4-(3)

除了將藥液(B)與藥液(E)以3：7之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(13)。

實施例4-(4)

除了將藥液(B)與藥液(E)以2：8之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(14)。

比較例1-(1)

將下述化合物(O)以使濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)，從而獲得藥液(F)。

除了將藥液(A)與藥液(F)以8：2之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(15)。

比較例1-(2)

除了將藥液(A)與藥液(F)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(16)。

比較例2-(1)

將下述化合物(P)以使濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)，從而獲得藥液(G)。

除了將藥液(A)與藥液(G)以8：2之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(17)。

比較例2-(2)

除了將藥液(A)與藥液(G)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(18)。

比較例3-(1)

將下述化合物(Q)以使濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)，從而獲得藥液(H)。

除了將藥液(B)與藥液(H)以8：2之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(19)。

比較例3-(2)

除了將藥液(B)與藥液(H)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(20)。

比較例4-(1)

將下述化合物(R)以使濃度成為20wt%之方式溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE7200)，從而獲得藥液(I)。

除了將藥液(B)與藥液(I)以8：2之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(21)。

比較例4-(2)

除了將藥液(B)與藥液(I)以5：5之各別重量比充分地混合以外，以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(22)。

比較例5-(1)

僅使用藥液(D)，並以與實施例1-(1)之基材(1)之製備同樣的方法獲得基材(23)。

下述表1表示各實施例及比較例所使用之藥液與其重量比。

[表1]

(試驗例1)

‧水的靜態接觸角之測定方法

水的靜態接觸角係使用全自動接觸角計DropMaster 700(協和界面科學公司製造)並以下述方法測定。藉由將2μL的水從微注射器滴在水平放置之基材上，以攝影型顯微鏡拍攝滴落一秒鐘後的靜止圖像而求取。對於水的靜態接觸角之測定值係測定基材之表面處理層的不同的5處，計算其平均值並使用。針對基材(1)至(23)測定初始值。結果示於下述表2。以下，試驗例3至5中，亦以同樣的方法測定。

(試驗例2)

‧表面滑溜性評估(動摩擦係數(COF)之測定)

針對上述基材(1)至(23)進行動摩擦係數之測定。具體而言，使用表面性測定機(Labthink公司製造之FPT-1)，並使用紙作為摩擦物，並根據ASTMD4917測定動摩擦係數(-)。具體而言，將形成有表面處理層之基材水平放置，使摩擦紙(2cm×2cm)與表面處理層的裸露上表面接觸，且在其上施加200gf的負載，然後在施加負載的狀況下以500mm/秒鐘的速度使摩擦紙在平衡狀態下移動來測定動摩擦係數。結果呈示於下述表2。

(試驗例3)

‧摩擦耐久性評估(橡皮擦耐久性)

針對上述基材(1)至(23)藉由橡皮擦摩擦耐久試驗來評估摩擦耐久性。具體而言，使形成有表面處理層之試樣物品水平配置，並使橡皮擦(國譽股份有限公司製、KESHI-70、平面尺寸1cm×1.6cm)與表面處理層之表面接觸，且在其上施加1000gf之負載，其後，在施加負載之狀態下，使橡皮擦以20mm/秒鐘的速度往返。每500次的往返次數測定水的靜態接觸角(度)。在接觸角之測定值未達100度之時間點停止評估。最後，將接觸角超過100度時之往返次數呈示於下述表2。

(試驗例4)

‧鋼絲絨(SW)之摩擦耐久性評估

針對上述基材(1)至(23)實施鋼絲絨之摩擦耐久性評估。具體而言，將形成有表面處理層的基材水平配置，使鋼絲絨(計數# 0000，尺寸5mm×10mm×10mm)與基材的表面處理層接觸，並在其上施加1,000gf的負載，然後，在施加負載的狀態下使鋼絲絨以140mm/秒鐘的速度往返。每2000次的往返次數測定水的靜態接觸角(度)，並在接觸角之測定值未達100度時，停止評估。結果呈示於下述表2(表中，符號「-」係未測定)。

(試驗例5)

‧促進耐候性試驗之評估

針對基材(1)至(23)進行促進耐候性試驗。在促進耐候性試驗中，如下所述進行UVB照射。UVB照射係以如下方式進行：使用UVB-313燈(Q-Lab公司製造，在310nm的輻射度為0.63W/m²)，燈與基材的表面處理層之間的距離設為5cm，載置了基材之板的溫度為63℃。UVB照射雖為連續進行，惟在測定水的靜態接觸角時，會暫時取出基材，將在預定時間照射UVB後的表面處理層以充分浸泡過純水之Kimwipe(商品名，JujoKimberly公司製造)往返擦拭5次，然後以充分浸泡過乙醇之另一片Kimwipe往返擦拭5次，使其乾燥。然後，立即測定水的靜態接觸角。從開始照射UVB起到水的靜態接觸角低於90度為止，每24小時進行一次評估。最後，將接觸角超過90度時為止之累積UVB照射時間呈示於表2。

[表2]

如從上述表2之結果所能理解，確認了經包含相當於化合物(α)之化合物(A)、與相當於化合物(β)之具有-OCF₂-之化合物(J)及化合物(L)的本揭示之表面處理劑(實施例1-(1)至(2)、實施例2-(1)至(5)、實施例3-(1)至(3)、實施例4-(1)至(4))處理的基材(1)至(14)顯示優異的耐磨損性(橡皮擦耐久性4000次以上；SW摩擦耐久性8000次以上)、優異的表面滑溜性(動摩擦係數0.05以下)、及優異的耐UV性(促進耐候性350小時以上)。另一方面，經包含具有不含-OCF₂-之全氟聚醚基的化合物(O)、化合物(P)、化合物(Q)或化合物(R)的表面處理劑(比較例1-(1)至 (2)、比較例2-(1)至(2)、比較例3-(1)至(2)、比較例4-(1)至(2))處理的基材(15)至(22)、及經僅包含化合物(L)與化合物(M)之混合物之表面處理劑(比較例5-(1))處理的基材(23)，至少1個試驗無法獲得滿意的結果。據此，確認了相較於以往的表面處理劑，本揭示之表面處理劑係藉由混合化合物(α)與具有含-OCF₂-之全氟聚醚基之矽烷化合物，可高水準且平衡良好地發揮耐磨損性、表面滑溜性、及耐UV性。

[產業利用性]

本揭示可適合利用於在各種各樣的基材，特別係光學構件之表面形成表面處理層。

Claims

一種表面處理劑，係包含(α)下述式(α1)或式(α2)所示之化合物、及(β)下述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)、(D2)、或(E1)所示且與上述式(α1)或式(α2)所示之化合物相異之含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物而成者；

式中：R¹為包含聚醚鏈之一價有機基；R^1’為包含聚醚鏈之二價有機基；前述聚醚鏈為式：-(OC₆F₁₂)_m11-(OC₅F₁₀)_m12-(OC₄F₈)_m13-(OC₃X¹⁰ ₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-所示之鏈，(式中，m11、m12、m13、m14、m15及m16獨立地為0或1以上之整數，X¹⁰獨立地為H、F或Cl，各重複單元的存在順序為任意)； X¹獨立地為含矽烷之反應性交聯基；X²獨立地表示一價基；

(Rf-PFPE)_β’-X¹⁰⁵-(SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_β…(B1) (R¹⁵ _3-nR¹⁴ _nSi)_β-X¹⁰⁵-PFPE-X¹⁰⁵-(SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_β…(B2) (Rf-PFPE)_γ’-X¹⁰⁷-(SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m)_γ…(C1) (R^c3 _mR^b3 _lR^a3 _kSi)_γ-X¹⁰⁷-PFPE-X¹⁰⁷-(SiR^a3 _kR^b3 _lR^c3 _m)_γ…(C2) (Rf-PFPE)_δ’-X¹⁰⁹-(CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’)_δ…(D1) (R^f3 _m’R^e3 _l’R^d3 _k’C)_δ-X¹⁰⁹-PFPE-X¹⁰⁹-(CR^d3 _k’R^e3 _l’R^f3 _m’)_δ…(D2) (Rf-PFPE-G⁵)_a5-Z⁵-((O-R¹⁶)_c5-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)_b5…(E1)式中，Rf各自獨立地為可經1個以上之氟原子取代之碳數1至16之烷基；PFPE為下式所示之基，-(OC₆F₁₂)_a1-(OC₅F₁₀)_b1-(OC₄F₈)_c1-(OC₃F₆)_d1-(OC₂F₄)_e1-(OCF₂)_f1- (式中，a1、b1、c1、d1及e1各自獨立地為0以上200以下之整數，f1為1以上200以下之整數，標註a1、b1、c1、d1、e1或f1並以括弧括起的各重複單元在式中的存在順序為任意)；R¹⁴在每次出現時各自獨立地為氫原子或碳數1至22之烷基；R¹⁵在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；R¹³在每次出現時各自獨立地為氫原子或鹵素原子；R¹²在每次出現時各自獨立地為氫原子或碳數1至20之烷基；n在每個(-SiR¹⁴ _nR¹⁵ _3-n)單元中獨立地為0至3之整數；惟在式(A1)、(A2)、(B1)及(B2)中，至少存在1個R¹⁵；X¹⁰¹各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；X¹⁰²在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基；t各自獨立地為1至10之整數；α各自獨立地為1至9之整數；α’為1至9之整數；X¹⁰⁵各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；β各自獨立地為1至9之整數；β’為1至9之整數；X¹⁰⁷各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；γ各自獨立地為1至9之整數；γ’為1至9之整數；R^a3在每次出現時各自獨立地為-Z³-SiR⁷¹ _pR⁷² _qR⁷³ _r；Z³在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基； R⁷¹在每次出現時各自獨立地為R^a’；R^a’與R^a3同義；R^a3中，經由Z³基而連結成直鏈狀之Si最多為5個；R⁷²在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；R⁷³在每次出現時各自獨立地為氫原子或碳數1至20之烷基；p在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；惟在每個-Z³-SiR⁷¹ _pR⁷² _qR⁷³ _r中，p、q及r之和為3，式(C1)及(C2)中，至少存在1個R⁷²；R^b3在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；R^c3在每次出現時各自獨立地為氫原子或碳數1至20之烷基；k在每次出現時各自獨立地為1至3之整數；l在每次出現時各自獨立地為0至2之整數；m在每次出現時各自獨立地為0至2之整數；惟在標註γ並以括弧括起的單元中，k、l及m之和為3；X¹⁰⁹各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；δ各自獨立地為1至9之整數；δ’為1至9之整數；R^d3在每次出現時各自獨立地為-Z^3’-CR⁸¹ _p’R⁸² _q’R⁸³ _r’；Z^3’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R⁸¹在每次出現時各自獨立地為R^d3”； R^d3”與R^d3同義；R^d3中，經由Z^3’基而連結成直鏈狀之C最多為5個；R⁸²為-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j；Y³在每次出現時各自獨立地為2價有機基；R⁸⁵在每次出現時各自獨立地為羥基或可水解之基；R⁸⁶在每次出現時各自獨立地為氫原子或碳數1至20之烷基；j在每個(-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j)單元中獨立地為1至3之整數；R⁸³在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或碳數1至20之烷基；p’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；R^e3在每次出現時各自獨立地為-Y³-SiR⁸⁵ _jR⁸⁶ _3-j；R^f3在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或碳數1至20之烷基；k’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；惟在式中，至少1個q’為2或3，或者至少1個l’為2或3；G⁵為-R¹⁷-O-、-R¹⁷-CONH-、-CONH-或單鍵；R¹⁷為伸烷基；Z⁵為(a5+b5)價之烴基、或烴基之碳原子-碳原子間具有1個以上醚性氧原子之碳數2以上的(a5+b5)價之基；R¹⁶為伸烷基； a5為1以上之整數；b5為1以上之整數；惟(a5+b5)為3以上；c5為0或1。
如申請專利範圍第1項所述之表面處理劑，其中，R¹為R³-(OR²)_a-L-所示之基，式中，(OR²)_a為聚醚鏈，R³為烷基或氟烷基，L為單鍵或二價連結基；R^1’為-L’-(OR²)_a-L-所示之基，式中，(OR²)_a為聚醚鏈，L獨立地為單鍵或二價連結基，L’獨立地為單鍵或二價連結基。
如申請專利範圍第2項所述之表面處理劑，其中，(OR²)_a為-(OC₄F₈)_m13-(OC₃F₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-所示之基，式中，m13及m14各自為0至30之整數，m15及m16各自為1至200之整數；m13至m16總計為5以上；各重複單元的存在順序為任意。
如申請專利範圍第2或3項所述之表面處理劑，其中，L為-(CX¹²¹X¹²²)_o-(L¹)_p-(CX¹²³X¹²⁴)_q-所示之基，式中，X¹²¹至X¹²⁴獨立地為H、F、OH、或-OSi(OR¹²⁵)₃，其中，3個R¹²⁵獨立地為碳數1至4之烷基；L¹為-C(=O)NH-、-NHC(=O)-、-O-、-C(=O)O-、-OC(=O)-、-OC(=O)O-、或-NHC(=O)NH-(各鍵之左側與CX¹²¹X¹²²鍵結)，o為0至10之整數，p為0或1，q為1至10之整數；L’為-(CX¹²⁶X¹²⁷)_r-(CX¹²¹X¹²²)_o-(L¹)_p-(CX¹²³X¹²⁴)_q-所示之基，式中，X¹²¹至X¹²⁴、L¹、o、p及q係與上述L中之規定同義，X¹²⁶及X¹²⁷獨立地為H、F或Cl，r為1至6之整數。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其中，X¹為式：-L²-{Si(R^a)_s(R^b)_t(R^c)_u(R^d)_v}_n 所示之基，式中，L²為單鍵或二價連結基；R^a、R^b及R^c係相同或不同，且為氫、鹵素、碳數1至10之烷氧基、碳數1至10之胺基、碳數1至10之乙醯氧基、碳數3至10之烯丙基、或碳數3至10之環氧丙基；R^d係相同或不同，且為-O-、-NH-、-C≡C-、或矽烷鍵；s、t及u係相同或不同，且為0或1；v為0至3之整數；n為1至20之整數；n為1時，s+t+u為3，v為0；n為2至20時，s+t+u係相同或不同，且為0至2，v係相同或不同，且為0至2；v為1以上之整數時，至少兩個Si經由R^d而鍵結成直鏈、梯子型、環狀或雜環狀。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其中，X¹為-L²-SiR⁵ ₃、-L²-Si(OR⁶)₃、-L²-Si(NR⁶ ₂)₃、或-L²-Si(OCOR⁶)₃所示之基，各式中，L²為-C₂H₄-、-C₃H₆-、-C₄H₈-O-CH₂-、-CO-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-、-CH₂-、-C₄H₈-；R⁵為鹵素原子；R⁶獨立地為碳數1至4之烷基。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其中，X¹為式：-L²-{Si(R^a)_s(R^b)_t(R^c)_u(R^d’)_v}_n所示之含矽烷之反應性交聯基，式中，L²為單鍵或二價連結基；R^a、R^b及R^c係相同或不同，且為氫、鹵素、碳數1至10之烷氧基、碳數1至10之胺基、碳數1至10之乙醯氧基、碳數3至10之烯丙基、或碳數3至10之環氧丙基；R^d’係相同或不同，且為-Z-SiR^d1’ _p’R^d2’ _q’R^d3’ _r’所示之基，(式中，Z係相同或不同，且為單鍵或二價連結基；R^d1’係相同或不同，且為R^d’’；R^d”與R^d’同義；R^d’中，經由Z基而連結成直鏈狀之Si最多為5個；R^d2’係相同或不同，且為羥基或可水解之基；R^d3’係相同或不同，且為氫原子或碳數1至20之烷基；p’係相同或不同，且為0至3之整數；q’係相同或不同，且為0至3之整數；r’係相同或不同，且為0至3之整數；惟p’、q’及r’之和為3)；s、t及u係相同或不同，且為0或1；v為0至3之整數、n為1至20之整數。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其中，X¹為式：-L⁶-{C(R^a6)_s6(R^b6)_t6(R^c6)_u6(R^d6)_v6}_n6所示之含矽烷之反應性交聯基，式中，L⁶為單鍵或二價連結基；R^a6、R^b6及R^c6係相同或不同，且為氫、鹵素、碳數1至10之烷氧基、碳數1至10之胺基、碳數1至10之乙醯氧基、碳數3至10之烯丙基、碳數3至10之環氧丙基、OCOR⁶⁷(式中，R⁶⁷為碳數1至6之烷基)、OH或-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6；R^d6係相同或不同，且為-O-、-NH-、-C≡C-、或-Z⁶-CR⁶¹ _p6R⁶² _q6R⁶³ _r6；Z⁶係相同或不同，且為氧原子或2價有機基；式中，R⁶¹係相同或不同，且表示R^d6’；R^d6’與R^d6同義；R^d6中，經由Z⁶基而連結成直鏈狀之C最多為5個；R⁶²係相同或不同，且為-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6；Y⁶係相同或不同，且為2價有機基；R⁶⁵係相同或不同，且為羥基或可水解之基；R⁶⁶係相同或不同，且為氫原子或碳數1至20之烷基；j⁶在每個(-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6)單元中獨立地為1至3之整數；R⁶³係相同或不同，且為氫原子或碳數1至20之烷基；p6係相同或不同，且為0至3之整數；q6係相同或不同，且為0至3之整數；r6係相同或不同，且為0至3之整數；s6、t6及u6係相同或不同，且為0或1；v6為0至3之整數；n6為1至20之整數；惟式中，至少存在2個(-Y⁶-SiR⁶⁵ _j6R⁶⁶ _3-j6)。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其中，(β)含有具有OCF₂單元之全氟聚醚基之矽烷化合物係式(C1)或(C2)所示之化合物。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其中，PFPE為-(OC₄F₈)_m13-(OC₃F₆)_m14-(OC₂F₄)_m15-(OCF₂)_m16-所示之基，式中，m13及m14各自為0至30的整數，m15及m16各自為1至200的整數，各重複單元的存在順序為任意。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其更包含溶劑。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其係使用來作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑。
如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之表面處理劑，其係真空蒸鍍用者。
一種顆粒，係含有申請專利範圍第1至13項中任一項所述之表面處理劑。
一種附有表面處理層之物品，係包含基材、與藉由申請專利範圍第1至13項中任一項所述之表面處理劑而形成在該基材之表面的層。
如申請專利範圍第15項所述之物品，其中，前述物品為光學構件。