TWI751595B

TWI751595B - 清潔設備及清潔方法與超音波乾燥清潔裝置

Info

Publication number: TWI751595B
Application number: TW109122060A
Authority: TW
Inventors: 盧鴻祥; 陳正龍; 徐顧銘
Original assignee: 日月光半導體製造股份有限公司
Priority date: 2020-06-30
Filing date: 2020-06-30
Publication date: 2022-01-01
Also published as: TW202202239A

Abstract

一種清潔設備包括一超音波乾燥清潔裝置。所述超音波乾燥清潔裝置包括一吹氣裝置及至少一吸取裝置。所述吹氣裝置用以清除一待清潔物件之一表面上的複數個污染顆粒，且所述吹氣裝置包括一超音波產生器及一氣壓腔。所述超音波產生器用以產生一超音波。所述氣壓腔用以吹出一清潔氣流。所述清潔氣流係傳遞所述超音波至所述污染顆粒上，以將所述污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面。所述至少一吸取裝置設置於所述吹氣裝置之一側，用以吸取被震離之所述污染顆粒。

Description

清潔設備及清潔方法與超音波乾燥清潔裝置

本發明是有關於清潔設備及清潔方法，且更具體言之，是有關於使用清潔氣流傳遞超音波的清潔設備及清潔方法與超音波乾燥清潔裝置。

在具有接合線(bonding wires)之封裝產品的溫濕度可靠性試驗(uHAST)中發現，污染顆粒(例如：環境粉塵、機械摩擦或管路摩擦產生的微粒、人體皮膚或皮屑、口水及眼淚等)在高溫下會裂解及釋放出氯離子(chloride ions)，所述氯離子會沿著熱脹冷縮所產生的裂縫進入銅金屬層(copper layer)，並腐蝕銅金屬層及導致銅金屬層破裂(crack)。此外，所述氯離子亦會侵入及腐蝕銅金屬層與保護層(例如：passivation layer 或solder mask)之間的界面，造成界面剝離。

現有技術主要是藉由光學顯微鏡(Optical microscope, OM)進行污染顆粒檢測，其中尺寸大的污染顆粒可藉由乾式或濕式之清洗作業去除，惟此等方法會造成接合線下垂(bonding wire sag)的問題，而尺寸小的污染顆粒則無法有效被去除。以現行一般乾式洗淨之氣槍清洗為例，不論氣體流動的速度有多快，其在物件表面所形成的氣流速度是相當緩慢的，故難以去除小的污染顆粒，進而影響產品的整體良率。

在一實施例中，一種清潔設備包括一超音波乾燥清潔裝置。所述超音波乾燥清潔裝置包括一吹氣裝置及至少一吸取裝置。所述吹氣裝置用以清除一待清潔物件之一表面上的複數個污染顆粒，且所述吹氣裝置包括一超音波產生器及一氣壓腔。所述超音波產生器用以產生一超音波。所述氣壓腔用以吹出一清潔氣流。所述清潔氣流係傳遞所述超音波至所述污染顆粒上，以將所述污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面。所述至少一吸取裝置設置於所述吹氣裝置之一側，用以吸取被震離之所述污染顆粒。

在一實施例中，一種超音波乾燥清潔裝置包括一吹氣裝置及二吸取裝置。所述吹氣裝置用以吹出一清潔氣流及產生一超音波，以清除一待清潔物件之一表面上的複數個污染顆粒。所述清潔氣流於所述待清潔物件之所述表面上形成覆蓋所述污染顆粒之一邊界氣流層。所述超音波藉由所述清潔氣流傳遞至所述污染顆粒上，以將所述污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面。所述二吸取裝置分別設置於所述吹氣裝置之兩側，用以將被震離之所述污染顆粒吸離所述邊界氣流層。

在一實施例中，一種清潔方法包括：提供一待清潔物件，所述待清潔物件之一表面上附著複數個污染顆粒；利用一清潔氣流傳遞一超音波至所述污染顆粒上，以將所述污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面；及從所述清潔氣流之兩側吸取被震離之所述污染顆粒，以獲得一清潔後物件。

貫穿圖式及實施方式使用共同參考編號以指示相同或相似組件。自結合附圖的以下詳細描述將更容易理解本發明之實施例。

以下揭示內容提供用於實施所提供主題之不同特徵的許多不同實施例或實例。在下文描述組件及配置之特定實例以闡明本發明之特定態樣。當然，此等組件、值、操作、材料及配置僅為實例且不意欲為限制性的。舉例而言，在本文中所提供之描述中，第一特徵在第二特徵上方或上的形成可包括第一特徵以及第二特徵直接接觸地形成或安置的實施例，且亦可包括額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成或安置使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本發明可在本文中所提供之各種實例中重複參考數字及/或字母。此重複係出於簡化及清楚之目的，且本身並不指示所論述各種實施例及/或組態之間的關係。

圖1顯示本發明之清潔設備1的立體示意圖。圖2顯示圖1之俯視圖。圖3顯示本發明之待清潔物件80的結構示意圖。圖4顯示本發明之超音波乾燥清潔裝置10的底部立體圖。配合參閱圖1至圖4，本發明之清潔設備1包括一超音波乾燥清潔裝置10、一移載裝置20、一投料單元30、一收料單元40、一傳送單元50、至少一空氣過濾單元60及一光學檢測裝置70。在一實施例中，如圖2及圖3所示，所述清潔設備1係對一待清潔物件80進行表面清潔處理。在一實施例中，如圖3所示，所述待清潔物件80係可為封裝半成品，且所述封裝半成品可包括一載體81、至少一半導體元件82及複數個接合線(bonding wires)83。

所述載體81係可為基板(substrate)或導線架(lead frame)。所述載體81具有一表面811，且所述載體81包括複數個電性接觸點(electrical contact)812及一保護層813(例如：阻焊層(solder mask))。該等電性接觸點812顯露於所述表面811。在一實施例中，該等電性接觸點812係可為接合墊(bonding pad)或引腳(lead)。所述保護層813覆蓋所述表面811及該等電性接觸點812，並顯露該等電性接觸點812之一部分。

所述半導體元件82設置於所述載體81上。在一實施例中，所述半導體元件82係可為半導體裸片(semiconductor die)。所述半導體元件82具有一表面821，且所述半導體元件82包括複數個電性接觸點822及一保護層823(例如：鈍化層(passivation layer))。該等電性接觸點822顯露於所述表面821。在一實施例中，該等電性接觸點822係可為接合墊(bonding pad)或凸塊(bump)。所述保護層823覆蓋所述表面821及該等電性接觸點822，並顯露該等電性接觸點822之一部分。

該等接合線83電性連接所述半導體元件82與所述載體81。在一實施例中，該等接合線83電性連接所述半導體元件82之該等電性接觸點822之顯露部分與所述載體81之該等電性接觸點812之顯露部分。

在一實施例中，所述待清潔物件80係可為面板。

再參閱圖1及圖2，所述投料單元30用以載入所述待清潔物件80。所述收料單元40用以接收清潔後物件80'。所述傳送單元50連接所述投料單元30與所述收料單元40，用以傳送所述待清潔物件80。

所述超音波乾燥清潔裝置10及所述移載裝置20係設置於所述投料單元30與所述收料單元40之間，且所述移載裝置20設置於所述超音波乾燥清潔裝置10之一側。在一實施例中，所述移載裝置20係為機械手臂。所述至少一空氣過濾單元60(例如：高效率空氣微粒子過濾網(High efficiency particulate air Filter，HEPA))及所述光學檢測裝置70(例如：光學顯微鏡)設置於所述超音波乾燥清潔裝置10之上方，且所述光學檢測裝置70位於所述超音波乾燥清潔裝置10與所述至少一空氣過濾單元60之間。在一實施例中，所述至少一空氣過濾單元60係向下形成一正壓，以確保清潔過程中所產生之揚塵(例如：污染顆粒)只能向下移動，進而防止揚塵(例如：污染顆粒)上飄造成二次污染。在一實施例中，向下移動之揚塵(例如：污染顆粒)可抽離至外部集塵裝置。

在一實施例中，所述移載裝置20對所述待清潔物件80之移載操作包括：自所述傳送單元50中取出所述待清潔物件80；將所述待清潔物件80移載至所述超音波乾燥清潔裝置10進行清潔處理；將清潔後物件80'移載至所述光學檢測裝置70進行表面檢查；將檢查後之清潔後物件80'移載至所述傳送單元50。所述清潔後物件80'經由所述傳送單元50傳送至所述收料單元40後，將先被密封保護，再離開所述清潔設備1，以進行後續製程（例如：模封製程）。

圖5顯示圖4的剖視圖。圖6顯示本發明之超音波乾燥清潔裝置10與待清潔物件80的配置示意圖。配合參閱圖4至圖6，所述超音波乾燥清潔裝置10包括一吹氣裝置11及至少一吸取裝置12。所述吹氣裝置11用以清除所述待清潔物件80之一表面85(即保護層823之表面或保護層813之表面)上的複數個污染顆粒90。在一實施例中，所述污染顆粒90包括複數個第一污染顆粒91及複數個第二污染顆粒92，且該等第一污染顆粒91之尺寸係大於該等第二污染顆粒92之尺寸。在一實施例中，該等第二污染顆粒92之尺寸係小於40 μm。

在一實施例中，所述吹氣裝置11包括一超音波產生器112及一氣壓腔114。所述超音波產生器112係設置於所述氣壓腔114內，用以產生一超音波113。所述氣壓腔114用以吹出一清潔氣流115，且所述清潔氣流115係傳遞所述超音波113至所述污染顆粒90（包括該等第一污染顆粒91及該等第二污染顆粒92）上，以將所述污染顆粒90（包括該等第一污染顆粒91及該等第二污染顆粒92）震離所述待清潔物件80之所述表面85。在一實施例中，如圖6所示，所述清潔氣流115係於所述待清潔物件80之所述表面85上形成覆蓋所述污染顆粒90之一邊界氣流層(boundary layer)118。在一實施例中，所述邊界氣流層118係覆蓋該等第二污染顆粒92，即所述邊界氣流層118之厚度係大於該等第二污染顆粒92之厚度。該等第二污染顆粒92之厚度係小於所述邊界氣流層118之厚度。

此外，如圖5及圖6所示，所述吹氣裝置11具有一出氣口111及一氣流通道116。所述氣流通道116位於所述超音波產生器112之中間區域，且所述氣流通道116連通所述氣壓腔114與所述出氣口111，以使所述清潔氣流115可通過所述氣流通道116，並經由所述出氣口111吹出。

為進一步提高清潔率(clean rate)，所述出氣口111與所述待清潔物件80之所述表面85之間的距離D係小於5 mm，小於4 mm，小於3 mm，或小於2 mm。在一實施例中，所述距離D係為0.1至5 mm，0.1至4 mm，0.1至3 mm，或0.1至2 mm。此外，為確保所述超音波113能將所述污染顆粒90震離所述待清潔物件80之所述表面85以及避免所述超音波113震壞所述待清潔物件80，在一實施例中，所述超音波113之頻率係為10至40 kHz或10至30 kHz。

另外，為避免所述清潔氣流115之氣壓過大而損壞所述待清潔物件80(例如：造成接合線83下垂)，在一實施例中，所述清潔氣流115之氣壓係為10至20 kPa或10至17 kPa。

參閱圖7，其係顯示本發明之超音波乾燥清潔裝置連接氣體供應器、過濾件及抽真空件的示意圖。在一實施例中，如圖7所示，所述氣壓腔114係連接一過濾件(filter)119及一氣體供應器117。所述氣體供應器117所提供之氣體經由所述過濾件119過濾後，進入所述氣壓腔114內，以作為圖6所示之清潔氣流115。

再參閱圖4至圖7，所述至少一吸取裝置12設置於所述吹氣裝置11之一側，用以吸取被震離之所述污染顆粒90。在一實施例中，所述至少一吸取裝置12係將被震離之所述污染顆粒90吸離所述邊界氣流層118。

在一實施例中，所述吸取裝置12係為真空腔，且如圖7所示，所述吸取裝置12(即所述真空腔)係連接一過濾件(filter)123及一抽真空件125。所述抽真空件125對所述吸取裝置12抽真空，使得所述吸取裝置12內部產生真空吸力，以吸取所述污染顆粒90。此外，所述污染顆粒90可經由所述過濾件123進行濾除。

在一實施例中，所述氣體供應器117、所述過濾件119、所述抽真空件125及所述過濾件123可藉由一控制單元14進行開關控制及參數調整。

為提高對所述污染顆粒90之吸取效率，在一實施例中，如圖5及圖6所示，所述至少一吸取裝置12可包括二吸取裝置12。所述二吸取裝置12分別設置於所述吹氣裝置11之兩側(例如：所述超音波產生器112之兩側)，且所述二吸取裝置12分別具有一吸入口121。在一實施例中，所述吸入口121分別設置於所述出氣口111之兩側。

此外，由於所述污染顆粒90可能為任意幾何形狀，為避免所述污染顆粒90堵住所述二吸取裝置12之各所述吸入口121，所述二吸取裝置12之各所述吸入口121可呈傾斜狀，以將所述污染顆粒90順利導入所述二吸取裝置12內。另外，為達到兩側平衡吸取，所述二吸取裝置12之各所述吸入口121的傾斜方向係相反。

如圖6所示，本發明利用所述清潔氣流115傳遞所述超音波113至所述污染顆粒90（包括該等第一污染顆粒91及該等第二污染顆粒92）上，可將所述污染顆粒90（包括該等第一污染顆粒91及該等第二污染顆粒92）有效震離所述待清潔物件80(例如：封裝半成品或面板)之所述表面85，並使被所述邊界氣流層118所述覆蓋之所述污染顆粒90（例如：該等第二污染顆粒92）能脫離所述邊界氣流層118，進而被所述二吸取裝置12吸離。本發明之超音波乾燥清潔裝置10可提高所述待清潔物件80(例如：封裝半成品或面板)之清潔率(clean rate)達到85%以上。

此外，由於所述待清潔物件80(例如：封裝半成品或面板)表面之污染顆粒90可被所述超音波乾燥清潔裝置10大幅度清除，使得其產品(例如：封裝產品)在溫濕度可靠性試驗(uHAST)中，不會再釋放出氯離子(chloride ions)，因此，可避免電性接觸點(例如：接合墊或凸塊)被腐蝕及防止電性接觸點(例如：接合墊或凸塊)與保護層(例如：鈍化層(passivation layer)或阻焊層(solder mask))之間的界面發生剝離，進而可提高最終產品(例如：封裝產品)的整體良率。

圖8至圖13顯示本發明之清潔方法的一些實施例的一或多個階段。

參閱圖8，本發明之清潔方法的步驟(a)是提供一待清潔物件80及一超音波乾燥清潔裝置10。

圖8之待清潔物件80係相同於圖6之待清潔物件80，即圖8之待清潔物件80之一表面85(即保護層823之表面或保護層813之表面)上附著複數個污染顆粒90。在該步驟(a)中，所述污染顆粒90包括複數個第一污染顆粒91及複數個第二污染顆粒92，且該等第一污染顆粒91之尺寸係大於該等第二污染顆粒92之尺寸。在一實施例中，該等第二污染顆粒92之尺寸係小於40 μm。

圖8之超音波乾燥清潔裝置10係相同於圖6之超音波乾燥清潔裝置10，即圖8之超音波乾燥清潔裝置10包括一吹氣裝置11及二吸取裝置12。所述吹氣裝置11包括一超音波產生器112及一氣壓腔114。所述超音波產生器112係設置於所述氣壓腔114內。此外，所述吹氣裝置11具有一出氣口111及一氣流通道116，所述氣流通道116位於所述超音波產生器112之中間區域，且所述氣流通道116連通所述氣壓腔114與所述出氣口111。所述二吸取裝置12分別設置於所述吹氣裝置11之兩側(例如：所述超音波產生器112之兩側)。

參閱圖9，在該步驟(a)中，可先利用所述二吸取裝置12吸取尺寸大於該等第二污染顆粒92之該等第一污染顆粒91。在一實施例中，可以利用其他吸取裝置吸取該等第一污染顆粒91。

參閱圖10至圖11，本發明之清潔方法的步驟(b)是利用一清潔氣流115傳遞一超音波113至所述污染顆粒90(例如：該等第二污染顆粒92)上，以將所述污染顆粒90(例如：該等第二污染顆粒92)震離所述待清潔物件80之所述表面85。在該步驟(b)中，所述超音波產生器112用以產生所述超音波113，所述氣壓腔114用以吹出所述清潔氣流115。在一實施例中，所述清潔氣流115係從所述吹氣裝置11之所述出氣口111吹出，且所述出氣口111與所述待清潔物件80之所述表面85之間的距離D係可小於5 mm，小於4 mm，小於3 mm，或小於2 mm，以提高清潔率(clean rate)。在一實施例中，所述距離D係可為0.1至5 mm，0.1至4 mm，0.1至3 mm，或0.1至2 mm。

此外，所述超音波113之頻率係可為10至40 kHz或10至30 kHz，以確保所述超音波113能將所述污染顆粒90(例如：該等第二污染顆粒92)震離所述待清潔物件80之所述表面85以及避免所述超音波113震壞所述待清潔物件80。另外，所述清潔氣流115之氣壓係可為10至20 kPa或10至17 kPa，以避免所述清潔氣流115之氣壓過大而損壞所述待清潔物件80(例如：造成接合線83下垂)。

在一實施例中，所述超音波乾燥清潔裝置10之位置係固定不動，而所述待清潔物件80係可沿著水平面移動。然而，為使所述超音波113能充分傳遞至所有污染顆粒90(例如：該等第二污染顆粒92)，所述待清潔物件80之移動速度不宜過快。在一實施例中，所述待清潔物件80之移動速度係可為10至100 mm/s。

參閱圖12，本發明之清潔方法的步驟(c)是利用所述二吸取裝置12從所述清潔氣流115之兩側吸取被震離之所述污染顆粒90(例如：該等第二污染顆粒92)，以獲得一清潔後物件80'。

參閱圖13，在獲得所述清潔後物件80'之後，係可關閉所述超音波113、所述清潔氣流115及所述二吸取裝置12。

此外，在該步驟(c)之後，可對所述清潔後物件80'進行光學檢查，以確認所述污染顆粒90是否被有效清除。

上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效，並非限制本發明，因此習於此技術之人士對上述實施例進行修改及變化仍不脫本發明之精神。本發明之權利範圍應如後述之申請專利範圍所列。

1:清潔設備 10:超音波乾燥清潔裝置

11:吹氣裝置

12:吸取裝置

14:控制單元

20:移載裝置

30:投料單元

40:收料單元

50:傳送單元

60:空氣過濾單元

70:光學檢測裝置

80:待清潔物件

80':清潔後物件

81:載體

82:半導體元件

83:接合線

85:表面

90:污染顆粒

91:第一污染顆粒

92:第二污染顆粒

111:出氣口

112:超音波產生器

113:超音波

114:氣壓腔

115:清潔氣流

116:氣流通道

117:氣體供應器 118:邊界氣流層 119:過濾件 121:吸入口 123:過濾件 125:抽真空件 811:表面 812:電性接觸點 813:保護層 821:表面 822:電性接觸點 823:保護層 D:距離

當結合附圖閱讀時，自以下詳細描述易於理解本發明之一些實施例的態樣。應注意，各種結構可能未按比例繪製，且各種結構之尺寸可出於論述清晰起見任意增大或減小。

圖1顯示本發明之清潔設備的立體示意圖。

圖2顯示圖1之俯視圖。

圖3顯示本發明之待清潔物件的結構示意圖。

圖4顯示本發明之超音波乾燥清潔裝置的底部立體圖。

圖5顯示圖4的剖視圖。

圖6顯示本發明之超音波乾燥清潔裝置與待清潔物件的配置示意圖。

圖7顯示本發明之超音波乾燥清潔裝置連接氣體供應器、過濾件及抽真空件的示意圖。

圖8顯示本發明之清潔方法的一些實施例的一或多個階段。

圖9顯示本發明之清潔方法的一些實施例的一或多個階段。

圖10顯示本發明之清潔方法的一些實施例的一或多個階段。

圖11顯示本發明之清潔方法的一些實施例的一或多個階段。

圖12顯示本發明之清潔方法的一些實施例的一或多個階段。

圖13顯示本發明之清潔方法的一些實施例的一或多個階段。

10:超音波乾燥清潔裝置

11:吹氣裝置

12:吸取裝置

80:待清潔物件

81:載體

82:半導體元件

83:接合線

85:表面

90:污染顆粒

91:第一污染顆粒

92:第二污染顆粒

111:出氣口

112:超音波產生器

113:超音波

114:氣壓腔

115:清潔氣流

116:氣流通道

118:邊界氣流層

121:吸入口

811:表面

812:電性接觸點

813:保護層

821:表面

822:電性接觸點

823:保護層

D:距離

Claims

一種清潔設備，包括：一超音波乾燥清潔裝置，包括：一吹氣裝置，用以清除一待清潔物件之一表面上的複數個污染顆粒，所述吹氣裝置包括一超音波產生器及一氣壓腔，所述超音波產生器用以產生一超音波，所述氣壓腔用以吹出一清潔氣流，且所述清潔氣流係傳遞所述超音波至所述污染顆粒上，以將所述污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面；及至少一吸取裝置，設置於所述吹氣裝置之一側，用以吸取被震離之所述污染顆粒；其中所述吹氣裝置具有一出氣口，所述至少一吸取裝置包括二吸取裝置，所述二吸取裝置分別設置於所述吹氣裝置之兩側，且所述二吸取裝置分別具有一吸入口，所述吸入口分別設置於所述出氣口之兩側，且所述二吸取裝置之各所述吸入口呈傾斜狀。
如請求項1之清潔設備，另包括一移載裝置，所述移載裝置設置於所述超音波乾燥清潔裝置之一側。
如請求項1之清潔設備，其中所述待清潔物件係為封裝半成品或面板。
如請求項3之清潔設備，其中所述封裝半成品包括一載體、至少一半導體元件及複數個接合線，所述半導體元件設置於所述載體上，該等接合線電性連接所述半導體元件與所述載體之複數個電性接觸點。
如請求項1之清潔設備，另包括一投料單元、一收料單元、一傳送單元、至少一空氣過濾單元及一移載裝置，所述投料單元用以載入所述待清潔物件，所述收料單元用以接收清潔後物件，所述傳送單元連接所述投料單元與所述收料單元，所述至少一空氣過濾單元設置於所述超音波乾燥清潔裝置之上方，所述移載裝置設置於所述超音波乾燥清潔裝置之一側。
如請求項5之清潔設備，其中所述超音波乾燥清潔裝置及所述移載裝置設置於所述投料單元與所述收料單元之間。
如請求項5之清潔設備，另包括一光學檢測裝置，所述光學檢測裝置設置於所述超音波乾燥清潔裝置之上方，且位於所述超音波乾燥清潔裝置與所述至少一空氣過濾單元之間。
如請求項5之清潔設備，其中所述至少一空氣過濾單元係向下形成一正壓。
如請求項1之清潔設備，其中所述吹氣裝置具有一出氣口，所述出氣口與所述待清潔物件之所述表面之間的距離小於5mm。
如請求項9之清潔設備，其中所述距離為0.1至2mm。
如請求項1之清潔設備，其中所述清潔氣流之氣壓為10至20kPa。
如請求項1之清潔設備，其中所述超音波之頻率為10至40kHz。
如請求項1之清潔設備，其中所述超音波產生器設置於所述氣壓腔內。
如請求項1之清潔設備，其中所述氣壓腔連接一氣體供應器。
如請求項1之清潔設備，其中所述氣壓腔連接一過濾件。
如請求項1之清潔設備，其中所述吹氣裝置具有一出氣口及一氣流通道，所述氣流通道位於所述超音波產生器之中間區域，且所述氣流通道連通所述氣壓腔與所述出氣口。
如請求項1之清潔設備，其中所述吸取裝置係為真空腔，且所述真空腔連接一抽真空件。
如請求項1之清潔設備，其中所述吸取裝置連接一過濾件。
如請求項1之清潔設備，其中所述二吸取裝置之各所述吸入口的傾斜方向相反。
一種超音波乾燥清潔裝置，包括：一吹氣裝置，用以吹出一清潔氣流及產生一超音波，以清除一待清潔物件之一表面上的複數個污染顆粒，所述清潔氣流於所述待清潔物件之所述表面上形成覆蓋所述污染顆粒之一邊界氣流層，所述超音波藉由所述清潔氣流傳遞至所述污染顆粒上，以將所述污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面；及二吸取裝置，分別設置於所述吹氣裝置之兩側，用以將被震離之所述污染顆粒吸離所述邊界氣流層；其中所述污染顆粒包括複數個第一污染顆粒及複數個第二污染顆粒，該等第一污染顆粒之尺寸大於該等第二污染顆粒之尺寸，且所述邊界氣流層覆蓋該等第二污染顆粒。
如請求項20之超音波乾燥清潔裝置，其中所述邊界氣流層之厚度大於該等第二污染顆粒之厚度。
如請求項20之超音波乾燥清潔裝置，其中該等第二污染顆粒之尺寸小於40μm。
如請求項20之超音波乾燥清潔裝置，其中所述吹氣裝置具有一出氣口，所述出氣口與所述待清潔物件之所述表面之間的距離小於5mm。
如請求項20之超音波乾燥清潔裝置，其中所述清潔氣流之氣壓為10 至20kPa。
如請求項20之超音波乾燥清潔裝置，其中所述超音波之頻率為10至40kHz。
一種清潔方法，包括：(a)提供一待清潔物件及一超音波乾燥清潔裝置，所述待清潔物件之一表面上附著複數個污染顆粒，所述污染顆粒包括複數個第一污染顆粒及複數個第二污染顆粒，該等第一污染顆粒之尺寸大於該等第二污染顆粒之尺寸，所述超音波乾燥清潔裝置包括一吹氣裝置及二吸取裝置，所述吹氣裝置包括一超音波產生器及一氣壓腔，所述超音波產生器用以產生一超音波，所述氣壓腔用以吹出一清潔氣流，所述二吸取裝置分別設置於所述吹氣裝置之兩側，且利用所述二吸取裝置吸取該等第一污染顆粒；(b)利用所述清潔氣流傳遞所述超音波至所述污染顆粒上，以將所述污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面；及(c)利用所述二吸取裝置從所述清潔氣流之兩側吸取被震離之所述污染顆粒，以獲得一清潔後物件。
如請求項26之清潔方法，其中在該步驟(a1)中，所述吹氣裝置具有一出氣口，所述出氣口與所述待清潔物件之所述表面之間的距離小於5mm。
如請求項27之清潔方法，其中所述距離為0.1至2mm。
如請求項26之清潔方法，其中在該步驟(b)中，所述超音波係將該等第二污染顆粒震離所述待清潔物件之所述表面，且該步驟(c)係吸取被震離之該等第二污染顆粒。
如請求項26之清潔方法，其中在該步驟(b)中，所述清潔氣流之氣壓為10至20kPa。
如請求項26之清潔方法，其中在該步驟(b)中，所述超音波之頻率為10至40kHz。
如請求項26之清潔方法，其中在該步驟(b)中，所述待清潔物件之移動速度為10至100mm/s。
如請求項26之清潔方法，其中在該步驟(c)之後，所述清潔方法更包括：(d)對所述清潔後物件進行光學檢查。