TWI748772B - 電流判斷電路 - Google Patents
電流判斷電路 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI748772B TWI748772B TW109142106A TW109142106A TWI748772B TW I748772 B TWI748772 B TW I748772B TW 109142106 A TW109142106 A TW 109142106A TW 109142106 A TW109142106 A TW 109142106A TW I748772 B TWI748772 B TW I748772B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- voltage level
- signal
- current
- low
- body diode
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/14—Indicating direction of current; Indicating polarity of voltage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R35/00—Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
Abstract
一種電流判斷電路，用以判斷通過一馬達的一線圈的一電流之狀態，並包括一高側電路、一低側電路以及一處理單元。該高側電路用以根據一高側電晶體的一第一體二極體之兩端的一第一電壓差與一第一控制訊號之電壓準位輸出一第一判斷訊號。該低側電路用以根據一低側電晶體的一第二體二極體之兩端的一第二電壓差與一第二控制訊號之電壓準位輸出一第二判斷訊號。該處理單元用以接收該第一判斷訊號與該第二判斷訊號，並根據該第一判斷訊號之電壓準位與該第二判斷訊號之電壓準位判斷該電流之狀態。
Description
本揭示內容係有關於一種電流判斷電路，特別是指一種用以判斷線圈電流之狀態的電流判斷電路。
以三相馬達之驅動電路中的其中一組高側電晶體以及低側電晶體為例，一般來說，高側電晶體與低側電晶體會輪流導通，以改變線圈電流之流向，進而驅動馬達。當馬達被驅動時，會有一段期間(以下稱為靜滯區(Dead Zone))是高側電晶體與低側電晶體同時處於關斷狀態的時候。值得注意的是，線圈電流在靜滯區時的流向，最能反映運轉中馬達的即時狀態。又，高側電晶體、低側電晶體與馬達線圈共同耦接的一節點之電壓值會根據線圈電流在靜滯區時的流向而改變。據此，傳統上，藉由將該節點之電壓值與系統高電壓或系統低電壓進行比對，就能判斷線圈電流在靜滯區時的流向，以獲取運轉中馬達的即時狀態資訊。
然而，上述判斷結果容易受系統雜訊影響，且由於量測高於系統高電壓之電壓值(或低於系統低電壓之電壓值)，往往需要輔助電路(或其他特別的做法)，進而導致成本的增加。此外，當該節點之電壓值介於系統高電壓與系統低電壓之間時，往往又無法判斷線圈電流之流向。
有鑑於此，本揭示內容提供一電流判斷電路。該電流判斷電路用以判斷通過一馬達的一線圈的一電流之狀態，並包括一高側電晶體、一低側電晶體、一高側電路、一低側電路以及一處理單元。該高側電晶體耦接於該線圈，用以根據一第一控制訊號之電壓準位選擇性地導通或關斷，並包括一第一體二極體。該低側電晶體耦接於該線圈，用以根據一第二控制訊號之電壓準位選擇性地導通或關斷，並包括一第二體二極體。該高側電路耦接於該高側電晶體，並用以根據該第一體二極體之兩端的一第一電壓差以及該第一控制訊號之電壓準位輸出一第一判斷訊號。該低側電路耦接於該低側電晶體，並用以根據該第二體二極體之兩端的一第二電壓差以及該第二控制訊號之電壓準位輸出一第二判斷訊號。該處理單元用以輸出該第一控制訊號與該第二控制訊號，接收該第一判斷訊號與該第二判斷訊號，並根據該第一判斷訊號之電壓準位與該第二判斷訊號之電壓準位判斷該電流之狀態。
藉由高側電路與低側電路之設計，本揭示內容的電流判斷電路可根據寄生於高測電晶體的第一體二極體之兩端的第一電壓差以及寄生於低測電晶體的第二體二極體之兩端的第二電壓差，判斷在靜滯區時線圈中電流之狀態。由於不需量測節點之電壓值，電流判斷電路可避免因為要量測高於系統高電壓或低於系統低電壓之電壓值而引起的問題。此外，處理單元還可獲取電流之相位資訊，並調整電流與馬達之反電動勢間的相位關係，使馬達能以最佳轉速值運轉。
下文係舉實施例配合所附圖式作詳細說明，但所描述的具體實施例僅用以解釋本案，並不用來限定本案，而結構操作之描述非用以限制其執行之順序，任何由元件重新組合之結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本揭示內容所涵蓋的範圍。
在全篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭示之內容中與特殊內容中的平常意義。
關於本文中所使用之『第一』、『第二』…等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本揭示，其僅僅是為了區別以相同技術用語描述的元件或操作而已。
另外，關於本文中所使用之「耦接」或「連接」，均可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，亦可指二或多個元件相互操作或動作。
請參閱第1圖，本揭示內容的其中一實施例係關於一電流判斷電路100。電流判斷電路100用以判斷通過一馬達(圖中未示)的一線圈10的一電流(例如第3圖中的電流I2或第4圖中的電流I3)之狀態，並包括一高側電晶體102、一低側電晶體104、一高側電路106、一低側電路108以及一處理單元110。
於本實施例中，該馬達為三相馬達。可以理解的是，該馬達包括三個線圈(其中一個即為如第1圖所示的線圈10)。然而，為了簡化說明，在第1圖中省略了另外二個線圈以及與該些線圈對應的二個電流判斷電路。
結構上，處理單元110耦接於高側電晶體102與低側電晶體104，並用以分別輸出一第一控制訊號CS1以及第二控制訊號CS2至高側電晶體102與低側電晶體104，以控制高側電晶體102與低側電晶體104。具體而言，處理單元110包括一控制器120，而控制器120用以產生第一控制訊號CS1以及第二控制訊號CS2。
高側電晶體102用以根據第一控制訊號CS1之電壓準位選擇性地導通或關斷，且低側電晶體104用以根據第二控制訊號CS2之電壓準位選擇性地導通或關斷。如第1圖所示，高側電晶體102、低側電晶體104與該馬達的線圈10共同耦接於一節點N。
具體而言，高側電晶體102包括一第一端、一第二端、一第一控制端以及寄生於該第一端與該第二端之間的一第一體二極體121，其中，該第一端用以接收一系統高電壓Vcc，該第二端耦接於節點N，該第一控制端用以接收第一控制訊號CS1，第一體二極體121的一陰極端耦接於該第一端，而第一體二極體121的一陽極端耦接於該第二端(或節點N)。低側電晶體104包括一第三端、一第四端、一第二控制端以及寄生於該第三端與該第四端之間的一第二體二極體141，其中，該第三端耦接於節點N，該第四端用以接收一系統低電壓Vss，該第二控制端用以接收第二控制訊號CS2，第二體二極體141的一陰極端耦接於該第三端(或節點N)，而第二體二極體141的一陽極端耦接於該第四端。換言之，高側電晶體102的該第二端與低側電晶體104的該第三端耦接於該馬達的線圈10。
於本實施例中，高側電晶體102為P型金氧半導體，而低側電晶體104為N型金氧半導體，然而，本揭示內容並不限於此。於部分實施例中，高側電晶體102可以N型金氧半導體據以實現，低側電晶體104可以P型金氧半導體據以實現。又或者，於其他部分實施例中，高側電晶體102與低側電晶體104也可以雙極性電晶體據以實現。
高側電路106與低側電路108分別耦接於高側電晶體102與低側電晶體104，其中，高側電路106用以根據第一體二極體121之兩端的一第一電壓差VD1以及第一控制訊號CS1之電壓準位(相應於高側電晶體102之導通狀態)輸出一第一判斷訊號DS1，而低側電路108用以根據第二體二極體141之兩端的一第二電壓差VD2以及第二控制訊號CS2之電壓準位(相應於低側電晶體104之導通狀態)輸出一第二判斷訊號DS2。
具體而言，高側電路106包括一第一比較器161以及一第一邏輯閘162。第一比較器161的一正輸入端以及一負輸入端分別耦接於第一體二極體121的該陽極端與該陰極端，並用以根據第一體二極體121之兩端(即該陽極端與該陰極端)的第一電壓差VD1，輸出一第一狀態訊號SS1。於本實施例中，第一電壓差VD1根據是否有電流順向流過第一體二極體121而改變。舉例而言，當有電流順向流過第一體二極體121時，第一體二極體121之兩端的第一電壓差VD1(例如：0.7伏)大於0伏(即，為正值)，導致第一比較器161的該正輸入端之電壓準位高於第一比較器161的該負輸入端之電壓準位，進而使得第一比較器161輸出高電壓準位的第一狀態訊號SS1。反之，當沒有電流順向流過第一體二極體121時，第一體二極體121之兩端的第一電壓差VD1不大於0伏(即，不為正值)，導致第一比較器161的該正輸入端之電壓準位低於第一比較器161的該負輸入端之電壓準位，進而使得第一比較器161將輸出低電壓準位的第一狀態訊號SS1。
第一邏輯閘162的二輸入端分別耦接於第一比較器161之輸出端以及高側電晶體102的該第一控制端，並用以根據第一狀態訊號SS1之電壓準位以及第一控制訊號CS1之電壓準位輸出高電壓準位或低電壓準位的第一判斷訊號DS1。舉例而言，當第一狀態訊號SS1與第一控制訊號CS1中的至少其中一個為低電壓準位，則第一邏輯閘162輸出低電壓準位的第一判斷訊號DS1。當第一狀態訊號SS1與第一控制訊號CS1同時為高電壓準位，則第一邏輯閘162輸出高電壓準位的第一判斷訊號DS1。於本實施例中，第一邏輯閘162為及閘(AND gate)。
低側電路108包括一第二比較器181、一第二邏輯閘182以及一第三邏輯閘182。第二比較器181的一正輸入端以及一負輸入端分別耦接於第二體二極體141的該陽極端與該陰極端。與前述第一比較器161的說明類似，第二電壓差VD2根據是否有電流順向流過第二體二極體141而改變。如此一來，第二比較器181可用以根據第二體二極體141之兩端的第二電壓差VD2是否為正值，決定要輸出高電壓準位或低電壓準位的一第二狀態訊號SS2。
第二邏輯閘182耦接於低側電晶體104的該第二控制端，並用以切換第二控制訊號CS2之電壓準位。舉例而言，當處理單元110輸出低電壓準位的第二控制訊號CS2時，第二邏輯閘182可將第二控制訊號CS2由低電壓準位切換至高電壓準位，反之亦然。於本實施例中，第二邏輯閘182為反閘(NOT gate)。
第三邏輯閘182的二輸入端分別耦接於第二比較器181之輸出端以及第二邏輯閘182之輸出端。與前述第一邏輯閘162的說明類似，第三邏輯閘182用以根據第二狀態訊號SS2之電壓準位以及第二控制訊號CS2之電壓準位輸出高電壓準位或低電壓準位的第二判斷訊號DS2。於本實施例中，第三邏輯閘182為及閘(AND gate)。
此外，第一邏輯閘162之輸出端以及第三邏輯閘182之輸出端耦接於處理單元110。如此一來，處理單元110可用以接收第一判斷訊號DS1與第二判斷訊號DS2，並根據第一判斷訊號DS1之電壓準位與第二判斷訊號DS2之電壓準位判斷線圈10中電流之狀態。
為能更好地理解本案，將在以下段落中結合附圖說明電流判斷電路100的操作。
當該馬達運轉時，電流判斷電路100的處理單元110會藉由控制器120控制第一控制訊號CS1之電壓準位與第二控制訊號CS2之電壓準位，以輪流導通高側電晶體102與低側電晶體104。
以本實施例(即，高側電晶體102為P型金氧半導體，而低側電晶體104為N型金氧半導體)而言，請參閱第2圖，首先，處理單元110分別輸出低電壓準位之第一控制訊號CS1與低電壓準位之第二控制訊號CS2，以導通高側電晶體102並關斷低側電晶體104。如此一來，電流I1可從系統高電壓Vcc處流出，依序通過高側電晶體102與節點N，並流入線圈10，以驅動該馬達。處理單元110根據低電壓準位之第一控制訊號CS1與低電壓準位之第二控制訊號CS2判斷電流判斷電路100未進入靜滯區(dead zone)。
處理單元110接著將第一控制訊號CS1由低電壓準位變更為高電壓準位，以將高側電晶體102由導通狀態切換為關斷狀態。請參閱第3、4圖，高側電晶體102與低側電晶體104同時處於關斷狀態(即電流判斷電路100進入靜滯區)。在高側電晶體102由導通狀態切換至關斷狀態的瞬間(與此同時，低側電晶體104維持關斷狀態)，仍存在暫態的電流(如第3圖所示的電流I2或如第4圖所示的電流I3)。隨著高側電晶體102被完全關斷，暫態的電流將順向流過第一體二極體121或是順向流過第二體二極體141，使第一電壓差VD1或是第二電壓差VD2發生變化。舉例來說，在高側電晶體102以及低側電晶體104均保持關斷狀態時，若存在如第3圖所示的電流I2(依序通過第二體二極體141與節點N，並流入線圈10)，則代表第二電壓差VD2變為正值。反之，若存在如第4圖所示的電流I3(流出線圈10，並依序通過節點N與第一體二極體121)，則代表第一電壓差VD1變為正值。可以理解的是，如第3圖所示的第一電壓差VD1(因為在第3圖中沒有電流順向流過第一體二極體121)與如第4圖所示的第二電壓差VD2(因為在第4圖中沒有電流順向流過第二體二極體141)均不會變為正值。
請再次參閱第3圖，由於第一電壓差VD1不為正值(因為電流I2未順向流過第一體二極體121)，第一比較器161根據不為正值的第一電壓差VD1輸出低電壓準位的第一狀態訊號SS1，第一邏輯閘162根據低電壓準位之第一狀態訊號SS1與高電壓準位之第一控制訊號CS1輸出低電壓準位(例如：邏輯0)的第一判斷訊號DS1。由於第二電壓差VD2為正值(因為電流I2從系統低電壓Vss處流出，依序通過第二體二極體141與節點N)且第二控制訊號CS2經由第二邏輯閘182從低電壓準位切換至高電壓準位，第二比較器181根據為正值的第二電壓差VD2輸出高電壓準位的第二狀態訊號SS2，第三邏輯閘183根據高電壓準位之第二狀態訊號SS2與高電壓準位之第二控制訊號CS2輸出高電壓準位(例如：邏輯1)的第二判斷訊號DS2。處理單元110根據高電壓準位之第一控制訊號CS1與低電壓準位之第二控制訊號CS2判斷電流判斷電路100進入靜滯區，並根據低電壓準位之第一判斷訊號DS1與高電壓準位之第二判斷訊號DS2判斷電流I2依序通過第二體二極體141與節點N後，流入線圈10。
請再次參閱第4圖，由於第一電壓差VD1為正值(因為電流I3依序通過節點N與第一體二極體121，流入系統高電壓Vcc處)，第一比較器161根據為正值的第一電壓差VD1輸出高電壓準位的第一狀態訊號SS1，第一邏輯閘162根據高電壓準位之第一狀態訊號SS1與高電壓準位之第一控制訊號CS1輸出高電壓準位(例如：邏輯1)的第一判斷訊號DS1。由於第二電壓差VD2不為正值(因為電流I3未順向流過第二體二極體141)且第二控制訊號CS2經由第二邏輯閘182從低電壓準位切換至高電壓準位，第二比較器181根據不為正值的第二電壓差VD2輸出低電壓準位的第一狀態訊號SS1，第三邏輯閘183根據低電壓準位之第二狀態訊號SS2與高電壓準位之第二控制訊號CS2輸出低電壓準位(例如：邏輯0)的第二判斷訊號DS2。處理單元110根據高電壓準位之第一控制訊號CS1與低電壓準位之第二控制訊號CS2判斷電流判斷電路100進入靜滯區，並根據高電壓準位之第一判斷訊號DS1與低電壓準位之第二判斷訊號DS2判斷電流I3流出線圈10，並依序通過節點N與第一體二極體121。
處理單元110接著將第二控制訊號CS2由低電壓準位變更為高電壓準位，以將低側電晶體104由關斷狀態切換為導通狀態。請參閱第5圖，高側電晶體102處於關斷狀態，而低側電晶體104處於導通狀態。如此一來，電流I4可從線圈10流出，依序通過節點N與低側電晶體104，並流入系統低電壓Vss處，以驅動該馬達。處理單元110根據高電壓準位之第一控制訊號CS1與高電壓準位之第二控制訊號CS2判斷電流判斷電路100未進入靜滯區。
值得注意的是，在電流判斷電路100進入靜滯區(第一控制訊號CS1為高電壓準位，且第二控制訊號CS2為低電壓準位)時，第一電壓差VD1與第二電壓差VD2有可能因為電流I2或電流I3的大小剛好為零而均不為正值。如此一來，由於第一電壓差VD1不為正值且第一控制訊號CS1處於高電壓準位，第一邏輯閘162根據低電壓準位之第一狀態訊號SS1與高電壓準位之第一控制訊號CS1輸出低電壓準位(例如：邏輯0)的第一判斷訊號DS1，而由於第二電壓差VD2不為正值且第二控制訊號CS2經由第二邏輯閘182從低電壓準位切換至高電壓準位，第三邏輯閘183根據低電壓準位之第二狀態訊號SS2與高電壓準位之第二控制訊號CS2輸出低電壓準位(例如：邏輯0)的第二判斷訊號DS2。處理單元110根據高電壓準位之第一控制訊號CS1與低電壓準位之第二控制訊號CS2判斷電流判斷電路100進入靜滯區，並根據低電壓準位之第一判斷訊號DS1與低電壓準位之第二判斷訊號DS2判斷電流I2或電流I3的大小為零(即，無電流通過線圈10)。
此外，在電流判斷電路100進入靜滯區(第一控制訊號CS1為高電壓準位，且第二控制訊號CS2為低電壓準位)時，第一比較器161與第二比較器181也有可能因為電路故障而分別輸出高電壓準位之第一狀態訊號SS1與高電壓準位之第二狀態訊號SS2。如此一來，第一邏輯閘162根據高電壓準位之第一狀態訊號SS1與高電壓準位之第一控制訊號CS1輸出高電壓準位(例如：邏輯1)的第一判斷訊號DS1，而由於第二控制訊號CS2經由第二邏輯閘182從低電壓準位切換至高電壓準位，第三邏輯閘183根據高電壓準位之第二狀態訊號SS2與高電壓準位之第二控制訊號CS2輸出高電壓準位(例如：邏輯1)的第二判斷訊號DS2。處理單元110根據高電壓準位之第一控制訊號CS1與低電壓準位之第二控制訊號CS2判斷電流判斷電路100進入靜滯區，並根據高電壓準位之第一判斷訊號DS1與高電壓準位之第二判斷訊號DS2判斷通過線圈10之電流的狀態未定。由於通過線圈10之電流的狀態未定，處理單元110判斷電流判斷電路100發生故障，並停止電流判斷電路100的操作。
綜合上述幾種狀況，可整理出一真值表。換言之，處理單元110可根據該真值表，來判斷在靜滯區時線圈10中電流之狀態。其中，該真值表如下：
| DS1 | DS2 | 流經線圈中的電流之狀態 |
| 0 | 0 | 電流為零 |
| 0 | 1 | 電流流入線圈 |
| 1 | 0 | 電流流出線圈 |
| 1 | 1 | 電流狀態未定 |
藉由高側電路106與低側電路108之設計，本揭示內容的電流判斷電路100可根據寄生於高測電晶體102的第一體二極體121之兩端的第一電壓差VD1以及寄生於低測電晶體104的第二體二極體141之兩端的第二電壓差VD2，判斷在靜滯區時線圈10中電流之狀態。由於不需量測節點N之電壓值，電流判斷電路100可避免因為要量測高於系統高電壓Vcc或低於系統低電壓Vss之電壓值而引起的問題。此外，處理單元110還可獲取電流之相位資訊，並調整電流與馬達之反電動勢間的相位關係，使馬達能以最佳轉速值運轉。
雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，所屬技術領域具有通常知識者在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:線圈
100:電流判斷電路
102:高側電晶體
104:低側電晶體
106:高側電路
108:低側電路
110:處理單元
120:控制器
121:第一體二極體
141:第二體二極體
161:第一比較器
162:第一邏輯閘
181:第二比較器
182:第二邏輯閘
183:第三邏輯閘
CS1:第一控制訊號
CS2:第二控制訊號
SS1:第一狀態訊號
SS2:第二狀態訊號
DS1:第一判斷訊號
DS2:第二判斷訊號
Vcc:系統高電壓
Vss:系統低電壓
I1,I2,I3,I4:電流
N:節點
第1圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示一種電流判斷電路的示意圖。
第2圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流判斷電路的示意圖。
第3圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流判斷電路的示意圖。
第4圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流判斷電路的示意圖。
第5圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流判斷電路的示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
10:線圈
100:電流判斷電路
102:高側電晶體
104:低側電晶體
106:高側電路
108:低側電路
110:處理單元
120:控制器
121:第一體二極體
141:第二體二極體
161:第一比較器
162:第一邏輯閘
181:第二比較器
182:第二邏輯閘
183:第三邏輯閘
CS1:第一控制訊號
CS2:第二控制訊號
SS1:第一狀態訊號
SS2:第二狀態訊號
DS1:第一判斷訊號
DS2:第二判斷訊號
Vcc:系統高電壓
Vss:系統低電壓
N:節點
Claims (10)
- 一種電流判斷電路，用以判斷通過一馬達的一線圈的一電流之狀態，並包括：一高側電晶體，耦接於該線圈，用以根據一第一控制訊號之電壓準位選擇性地導通或關斷，並包括一第一體二極體；一低側電晶體，耦接於該線圈，用以根據一第二控制訊號之電壓準位選擇性地導通或關斷，並包括一第二體二極體；一高側電路，耦接於該高側電晶體，並用以根據該第一體二極體之兩端的一第一電壓差以及該第一控制訊號之電壓準位輸出一第一判斷訊號；一低側電路，耦接於該低側電晶體，並用以根據該第二體二極體之兩端的一第二電壓差以及該第二控制訊號之電壓準位輸出一第二判斷訊號；以及一處理單元，用以輸出該第一控制訊號與該第二控制訊號，接收該第一判斷訊號與該第二判斷訊號，並根據高或低電壓準位之該第一判斷訊號與高或低電壓準位之該第二判斷訊號判斷該電流為零、流出該線圈、流入該線圈或狀態未定。
- 如請求項1所述之電流判斷電路，其中當該第一判斷訊號為低電壓準位且該第二判斷訊號為低電壓準位時，該處理單元判斷該電流為零。
- 如請求項1所述之電流判斷電路，其中當該第一判斷訊號為高電壓準位且該第二判斷訊號為低電壓準位時，該處理單元判斷該電流流出該線圈後通過該第一體二極體。
- 如請求項1所述之電流判斷電路，其中當該第一判斷訊號為低電壓準位且該第二判斷訊號為高電壓準位時，該處理單元判斷該電流通過該第二體二極體後流入該線圈。
- 如請求項1所述之電流判斷電路，其中當該第一判斷訊號為高電壓準位且該第二判斷訊號為高電壓準位時，該處理單元判斷該電流之狀態未定。
- 如請求項1所述之電流判斷電路，其中該高側電路包括一第一比較器，耦接於該第一體二極體，並用以根據該第一體二極體之兩端的該第一電壓差，輸出一第一狀態訊號。
- 如請求項6所述之電流判斷電路，其中該高側電路更包括一第一邏輯閘，該第一邏輯閘耦接於該第一比較器與該高側電晶體，並用以根據該第一狀態訊號之電壓準位以及該第一控制訊號之電壓準位輸出該第一判斷訊 號。
- 如請求項1所述之電流判斷電路，其中該低側電路包括一第二比較器，耦接於該第二體二極體，並用以根據該第二體二極體之兩端的該第二電壓差，輸出一第二狀態訊號。
- 如請求項8所述之電流判斷電路，其中該低側電路更包括一第二邏輯閘以及一第三邏輯閘，該第二邏輯閘耦接於該低側電晶體，並用以切換該第二控制訊號之電壓準位，該第三邏輯閘耦接於該第二比較器與該第二邏輯閘，並用以根據該第二狀態訊號之電壓準位以及經由該第二邏輯閘切換之該第二控制訊號之電壓準位輸出該第二判斷訊號。
- 如請求項1所述之電流判斷電路，其中：該高側電晶體更包括一第一端、一第二端以及一第一控制端，該第一體二極體之兩端耦接於該第一端與該第二端，該第一端用以接收一系統高電壓，該第二端耦接於該線圈，而該第一控制端用以接收該第一控制訊號；該低側電晶體更包括一第三端、一第四端以及一第二控制端，該第二體二極體之兩端耦接於該第三端與該第四端，該第三端耦接於該線圈，該第四端用以接收一系統低電壓，而該第二控制端用以接收該第二控制訊號。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109142106A TWI748772B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 電流判斷電路 |
| US17/246,728 US11467193B2 (en) | 2020-11-30 | 2021-05-03 | Current determination circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109142106A TWI748772B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 電流判斷電路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI748772B true TWI748772B (zh) | 2021-12-01 |
| TW202223428A TW202223428A (zh) | 2022-06-16 |
Family
ID=80681019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109142106A TWI748772B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 電流判斷電路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11467193B2 (zh) |
| TW (1) | TWI748772B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW546901B (en) * | 2001-01-29 | 2003-08-11 | Int Rectifier Corp | Voltage sensing with high and low side signals for deadtime compensation and shutdown for short circuit protection |
| TW200618252A (en) * | 2004-07-30 | 2006-06-01 | Renesas Tech Corp | A semiconductor device and a manufacturing method of the same |
| EP3389172A1 (en) * | 2017-04-12 | 2018-10-17 | Power Integrations, Inc. | Current sense circuit for a dc motor inverter |
| CN109863659A (zh) * | 2016-10-25 | 2019-06-07 | 大陆汽车系统公司 | 用于半桥峰值和保持预驱动器的短路检测 |
| WO2020193284A1 (de) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Phasenstrombestimmung mit hilfe des einschaltwiderstandes und der sperrschichttemperatur eines feldeffekttransistors |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373432A (en) * | 1992-12-10 | 1994-12-13 | Hughes Aircraft Company | Fixed frequency DC to DC converter with a variable inductance controller |
| US5838558A (en) * | 1997-05-19 | 1998-11-17 | Trw Inc. | Phase staggered full-bridge converter with soft-PWM switching |
| WO2001071896A1 (fr) * | 2000-03-23 | 2001-09-27 | Tdk Corporation | Alimentation a decoupage |
| US6737842B2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-05-18 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Method and circuits for reducing dead time and reverse recovery loss in buck regulators |
| JP4565879B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2010-10-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| EP2051360B1 (de) * | 2007-10-17 | 2016-09-21 | Power Systems Technologies GmbH | Steuerschaltung für ein primär gesteuertes Schaltnetzteil mit erhöhter Genauigkeit der Spannungsregelung sowie primär gesteuertes Schaltnetzteil |
| US8391026B2 (en) * | 2009-04-09 | 2013-03-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method and circuit for avoiding hard switching in resonant converters |
| US9112452B1 (en) * | 2009-07-14 | 2015-08-18 | Rf Micro Devices, Inc. | High-efficiency power supply for a modulated load |
| US8576000B2 (en) * | 2011-08-25 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | 3D chip stack skew reduction with resonant clock and inductive coupling |
| US9281748B2 (en) * | 2012-03-02 | 2016-03-08 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Operating a DC-DC converter |
| US8901897B2 (en) * | 2012-03-02 | 2014-12-02 | International Business Machines Corporation | Operating a DC-DC converter |
| US8754669B2 (en) * | 2012-11-09 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Dynamic impedance matching for improved transient performance in a direct current-to-direct current (‘DC/DC’) converter for delivering a load to an electrical component |
| US9236347B2 (en) * | 2013-10-09 | 2016-01-12 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Operating and manufacturing a DC-DC converter |
| US9543838B2 (en) * | 2014-02-14 | 2017-01-10 | Infineon Technologies Ag | Phase fault detection in switching power converters |
| US9735773B2 (en) | 2014-04-29 | 2017-08-15 | Allegro Microsystems, Llc | Systems and methods for sensing current through a low-side field effect transistor |
| US9219422B1 (en) * | 2014-08-21 | 2015-12-22 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Operating a DC-DC converter including a coupled inductor formed of a magnetic core and a conductive sheet |
| US9537400B2 (en) * | 2014-08-29 | 2017-01-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Switching converter with dead time between switching of switches |
| US9829387B2 (en) * | 2014-10-28 | 2017-11-28 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for temperature sensing |
| US10148185B2 (en) * | 2014-11-24 | 2018-12-04 | Dell Products L.P. | Systems and methods for extension of power supply hold-up time |
| US9780636B2 (en) * | 2015-01-19 | 2017-10-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Protection from hard commutation events at power switches |
| US9618539B2 (en) * | 2015-05-28 | 2017-04-11 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Sensing current of a DC-DC converter |
| EP3425788B1 (en) | 2017-07-04 | 2020-06-17 | Melexis Bulgaria Ltd. | Sensorless bdlc control |
| US11770073B2 (en) * | 2019-04-26 | 2023-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for regulated hybrid converters |
-
2020
- 2020-11-30 TW TW109142106A patent/TWI748772B/zh active
-
2021
- 2021-05-03 US US17/246,728 patent/US11467193B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW546901B (en) * | 2001-01-29 | 2003-08-11 | Int Rectifier Corp | Voltage sensing with high and low side signals for deadtime compensation and shutdown for short circuit protection |
| TW200618252A (en) * | 2004-07-30 | 2006-06-01 | Renesas Tech Corp | A semiconductor device and a manufacturing method of the same |
| CN109863659A (zh) * | 2016-10-25 | 2019-06-07 | 大陆汽车系统公司 | 用于半桥峰值和保持预驱动器的短路检测 |
| EP3389172A1 (en) * | 2017-04-12 | 2018-10-17 | Power Integrations, Inc. | Current sense circuit for a dc motor inverter |
| WO2020193284A1 (de) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Phasenstrombestimmung mit hilfe des einschaltwiderstandes und der sperrschichttemperatur eines feldeffekttransistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202223428A (zh) | 2022-06-16 |
| US20220170964A1 (en) | 2022-06-02 |
| US11467193B2 (en) | 2022-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6169892B2 (ja) | 半導体集積回路およびその動作方法 | |
| US7034573B1 (en) | Level shifter without DC current flow | |
| US9298238B2 (en) | CMOS power backup switching circuit and method for operating a CMOS power backup switching circuit | |
| US6930517B2 (en) | Differential transistor and method therefor | |
| US6194920B1 (en) | Semiconductor circuit | |
| JP3631529B2 (ja) | 低電力消費ダイオード回路 | |
| US7969191B2 (en) | Low-swing CMOS input circuit | |
| CN101826794A (zh) | 逆流防止电路以及电源切换装置 | |
| US4733107A (en) | Low current high precision CMOS schmitt trigger circuit | |
| TWI713800B (zh) | 移位器 | |
| KR20000057070A (ko) | 아날로그 스위치용 백 게이트 전압제어기를 가지는 반도체장치 | |
| KR102627710B1 (ko) | 충방전 제어 장치, 및 배터리 장치 | |
| JPWO2016143382A1 (ja) | 内部電源回路および半導体装置 | |
| US20190286178A1 (en) | Wide common mode high resolution comparator | |
| US20040207450A1 (en) | Voltage level shifter and system mounting voltage level shifter therein | |
| TWI748772B (zh) | 電流判斷電路 | |
| KR0176326B1 (ko) | 배타적 오아/노아게이트 회로 | |
| US8258829B2 (en) | Power switch circuit and semiconductor integrated circuit device | |
| JP3652793B2 (ja) | 半導体装置の電圧変換回路 | |
| KR100918343B1 (ko) | 다이오드 회로 | |
| JP2000164730A (ja) | Ｍｏｓ型半導体集積回路 | |
| JPH06347337A (ja) | 温度検出回路 | |
| TWI776304B (zh) | 電流狀態判斷方法及電路 | |
| CN114640292A (zh) | 电流判断电路 | |
| CN115333436B (zh) | 电压钳位电路、马达驱动芯片及电压钳位控制方法 |