TWI776304B - 電流狀態判斷方法及電路 - Google Patents

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Abstract

一種電流狀態判斷方法，用以判斷流經一馬達的一線圈的一電流之狀態，並包括下列步驟：在一高側電晶體以及一低側電晶體均切換至關斷狀態的一第一時間點，量測該高側電晶體、該低側電晶體與該線圈共同耦接之一節點之電壓，並輸出一第一電壓值；在該高側電晶體以及該低側電晶體均保持關斷狀態的一第二時間點，量測該節點之電壓，並輸出一第二電壓值；比對該第一電壓值與該第二電壓值，以得到一比對結果；以及，根據該比對結果判斷該電流之狀態。本揭示內容同時提供一種電流狀態判斷電路，用以執行該電流狀態判斷方法。

Description

電流狀態判斷方法及電路
本揭示內容係有關於一種電流狀態判斷方法及電路，特別是指一種用以判斷線圈電流之狀態的電流狀態判斷方法及電路。
以三相馬達之驅動電路中的其中一組高側電晶體以及低側電晶體為例，一般來說，高側電晶體與低側電晶體會輪流導通，以改變線圈電流之流向，進而驅動馬達。當馬達被驅動時，會有一段期間(以下稱為靜滯區(Dead Zone))是高側電晶體與低側電晶體同時處於關斷狀態的時候。值得注意的是，線圈電流在靜滯區時的流向，最能反映運轉中馬達的即時狀態。又，高側電晶體、低側電晶體與馬達線圈共同耦接的一節點之電壓值會根據線圈電流在靜滯區時的流向而改變。據此，傳統上，藉由將該節點之電壓值與系統高電壓或系統低電壓進行比對，就能判斷線圈電流在靜滯區時的流向，以獲取運轉中馬達的即時狀態資訊。
然而，上述判斷結果容易受系統雜訊影響，且由於量測高於系統高電壓之電壓值(或低於系統低電壓之電壓值)，往往需要輔助電路(或其他特別的做法)，進而導致成本的增加。此外，當該節點之電壓值介於系統高電壓與系統低電壓之間時，往往又無法判斷線圈電流之流向。
有鑑於此，本揭示內容提供一電流狀態判斷方法。該電流狀態判斷方法用以判斷流經一馬達的一線圈的一電流之狀態，並包括下列步驟：在一高側電晶體以及一低側電晶體均切換至關斷狀態的一第一時間點，量測該高側電晶體、該低側電晶體與該線圈共同耦接之一節點之電壓，並輸出一第一電壓值；在該高側電晶體以及該低側電晶體均保持關斷狀態的一第二時間點，量測該節點之電壓，並輸出一第二電壓值；比對該第一電壓值與該第二電壓值，以得到一比對結果；以及，根據該比對結果判斷該電流之狀態。
本揭示內容的另一態樣為一電流狀態判斷方法。該電流狀態判斷方法用以判斷流經一馬達的一線圈的一電流之狀態，並包括下列步驟：在一高側電晶體以及一低側電晶體均切換至關斷狀態的一第一時間點，開始計時；在該高側電晶體以及該低側電晶體均保持關斷狀態的一第二時間點，量測該高側電晶體、該低側電晶體與該線圈共同耦接之一節點之電壓，並輸出一電壓值；比對該電壓值以及一閥值，以得到一比對結果；以及，根據該比對結果判斷該電流之狀態。
本揭示內容的又另一態樣為一電流狀態判斷電路。該電流狀態判斷電路用以判斷流經一馬達的一線圈的一電流之狀態，並包括一電壓量測單元以及一處理單元。該電壓量測單元耦接於一節點，並用以量測該節點之電壓，其中一高側電晶體、一低側電晶體與該線圈共同耦接該節點。該處理單元耦接於該電壓量測單元，並用以根據該節點之電壓變化，判斷在該高側電晶體與該低側電晶體同時處於關斷狀態時該電流之狀態。
本揭示內容的電流狀態判斷電路可根據節點之電壓變化，判斷在靜滯區時線圈中電流之狀態。由於不需量測高於系統高電壓或低於系統低電壓之電壓值，電流狀態判斷電路可不需增加輔助電路，還可在節點之電壓介於系統高電壓與系統低電壓之間時判斷線圈中電流之狀態。此外，有了電流狀態判斷電路所獲取之電流的相位資訊，有助於調整電流與馬達之反電動勢間的相位關係，使得馬達能以最佳轉速值運轉。
下文係舉實施例配合所附圖式作詳細說明，但所描述的具體實施例僅用以解釋本案，並不用來限定本案，而結構操作之描述非用以限制其執行之順序，任何由元件重新組合之結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本揭示內容所涵蓋的範圍。
在全篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭示之內容中與特殊內容中的平常意義。
關於本文中所使用之『第一』、『第二』…等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本揭示，其僅僅是為了區別以相同技術用語描述的元件或操作而已。
另外，關於本文中所使用之「耦接」或「連接」，均可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，亦可指二或多個元件相互操作或動作。
請參閱第1圖，本揭示內容的其中一實施例係關於一電流狀態判斷電路100。電流狀態判斷電路100用以判斷通過一馬達(圖中未示)的一線圈10的一電流(例如第3圖中的電流I2或第4圖中的電流I3)之狀態，並包括一電壓量測單元102以及一處理單元104。
如第1圖所示，一馬達驅動電路20耦接於線圈10，以驅動該馬達。馬達驅動電路20包括一高側電晶體22、一低側電晶體24以及一控制器26，其中，高側電晶體22、低側電晶體24與該馬達的線圈10共同耦接於一節點N。於本實施例中，該馬達為三相馬達。可以理解的是，該馬達包括三個線圈(其中一個即為如第1圖所示的線圈10)。然而，為了簡化說明，在第1圖中省略了另外二個線圈以及與該些線圈對應的二個馬達驅動電路。結構上，電壓量測單元102耦接於節點N，而處理單元104耦接於電壓量測單元102與控制器26。
具體而言，控制器26用以產生一第一控制訊號CS1以及一第二控制訊號CS2。高側電晶體22用以根據第一控制訊號CS1之電壓準位選擇性地導通或關斷，且低側電晶體24用以根據第二控制訊號CS2之電壓準位選擇性地導通或關斷。高側電晶體22包括一第一端、一第二端、一第一控制端以及寄生於該第一端與該第二端之間的一第一體二極體221，其中，該第一端用以接收一系統高電壓Vcc，該第二端耦接於節點N，該第一控制端用以接收第一控制訊號CS1，第一體二極體221的一陰極端耦接於該第一端，而第一體二極體221的一陽極端耦接於該第二端(或節點N)。低側電晶體24包括一第三端、一第四端、一第二控制端以及寄生於該第三端與該第四端之間的一第二體二極體241，其中，該第三端耦接於節點N，該第四端用以接收一系統低電壓Vss，該第二控制端用以接收第二控制訊號CS2，第二體二極體241的一陰極端耦接於該第三端(或節點N)，而第二體二極體241的一陽極端耦接於該第四端。
於本實施例中，高側電晶體22為P型金氧半導體，而低側電晶體24為N型金氧半導體，然而，本揭示內容並不限於此。於部分實施例中，高側電晶體22可以N型金氧半導體據以實現，低側電晶體24可以P型金氧半導體據以實現。又或者，於其他部分實施例中，高側電晶體22與低側電晶體24也可以雙極性電晶體據以實現。
為能更好地理解本案，將在以下段落中結合附圖說明電流狀態判斷電路100的操作。
請參閱第2~5圖，第2~5圖描述了在驅動該馬達時馬達驅動電路20中各電晶體之狀態。具體而言，控制器26會控制第一控制訊號CS1之電壓準位與第二控制訊號CS2之電壓準位，以輪流導通高側電晶體22(如第5圖所示)與低側電晶體24(如第2圖所示)，進而驅動該馬達。可以理解的是，在該馬達被驅動時會有一段期間(以下稱為靜滯區(Dead Zone))是高側電晶體22與低側電晶體24同時處於關斷狀態(如第3、4圖所示)的時候。
電壓量測單元102係用以在該馬達被驅動時量測節點N之電壓VN，而處理單元104則係用以在高側電晶體22與低側電晶體24同時處於關斷狀態時，根據節點N之電壓VN變化，判斷線圈10中電流之狀態。
請參閱第6圖，其繪示本揭示內容的其中一實施例的電流狀態判斷方法200的流程圖。如第1圖所示的電流狀態判斷電路100可以執行電流狀態判斷方法200，以判斷線圈10中的電流之狀態。電流狀態判斷方法200包括步驟S201~S205。
假設在進入步驟S201之前，控制器26分別產生高電壓準位之第一控制訊號CS1與高電壓準位之第二控制訊號CS2，以關斷高側電晶體22並導通低側電晶體24(於本實施例中，高側電晶體22為P型金氧半導體，而低側電晶體24為N型金氧半導體)。如此一來，如第2圖所示，電流I1可從線圈10流出，依序通過節點N與低側電晶體24，並流入系統低電壓Vss處，以驅動該馬達。在高側電晶體22處於關斷狀態且低側電晶體24處於導通狀態時，電壓量測單元102持續量測節點N之電壓VN(此時，電壓VN大致為系統低電壓Vss)，而處理單元104則根據控制器26所產生的高電壓準位之第一控制訊號CS1與高電壓準位之第二控制訊號CS2，判斷馬達驅動電路20未進入靜滯區，而不執行處理。
控制器26接著將第二控制訊號CS2由高電壓準位變更為低電壓準位，以將低側電晶體24由導通狀態切換為關斷狀態，進而使高側電晶體22 與低側電晶體24同時處於關斷狀態(如第3、4圖所示)。如此一來，節點N之電壓VN將從系統低電壓Vss變換為系統高電壓Vcc(如第7A、7B圖所示)。在節點N之電壓VN變換的期間，電流狀態判斷電路100將執行電流狀態判斷方法200。
可以理解的是，在低側電晶體24由導通狀態切換至關斷狀態的瞬間(與此同時，高側電晶體22維持關斷狀態)，仍存在暫態的電流(如第3圖所示的電流I2或如第4圖所示的電流I3)。隨著低側電晶體24被完全關斷，暫態的電流將順向流過第一體二極體221或是順向流過第二體二極體241，使節點N之電壓VN發生變化。舉例來說，在高側電晶體22以及低側電晶體24均保持關斷狀態時，若存在如第3圖所示的電流I2(流出線圈10，並依序通過節點N與第一體二極體221)，則代表節點N之電壓VN有往上增加的現象發生(因為電流I2順向流過第一體二極體221，使節點N之電壓VN由系統低電壓Vss上升至高於系統高電壓Vcc的一電壓值)。反之，若存在如第4圖所示的電流I3(依序通過第二體二極體241與節點N，並流入線圈10)，則代表節點N之電壓VN有往下減少的現象發生(因為電流I3順向流過第二體二極體241，使節點N之電壓VN由系統低電壓Vss下降至低於系統低電壓Vss的一電壓值)。
據此，於步驟S201，在高側電晶體22以及低側電晶體24均切換至關斷狀態的一第一時間點t1(如第7A、7B圖所示)，電壓量測單元102量測節點N之電壓VN，並輸出一第一電壓值VN1(例如：系統低電壓Vss)至處理單元104。
於步驟S202，在高側電晶體22以及低側電晶體24均保持關斷狀態的一第二時間點t2(如第7A、7B圖所示)，電壓量測單元102會再次量測節點N之電壓VN，並輸出一第二電壓值VN2至處理單元104。於本實施例中，第二時間點t2晚於第一時間點t1。
於步驟S203，處理單元104接收第一電壓值VN1與第二電壓值VN2，並比對第一電壓值VN1與第二電壓值VN2，以得到一比對結果。
接著，處理單元104根據該比對結果判斷線圈10中電流之狀態。具體而言，當節點N之電壓VN有往上增加的現象發生，處理單元104將於步驟S203得到第二電壓值VN2大於第一電壓值VN1的結果(如第7A圖所示)，並進入步驟S204。於步驟S204，處理單元104根據第二電壓值VN2大於第一電壓值VN1的結果，判斷電流I2(如第3圖所示)流出線圈10，依序通過節點N與第一體二極體221，並流入系統高電壓Vcc處。反之，當節點N之電壓VN有往下減少的現象發生，處理單元104將於步驟S203得到第二電壓值VN2不大於第一電壓值VN1的結果(如第7B圖所示)，並進入步驟S205。於步驟S205，處理單元104根據第二電壓值VN2不大於第一電壓值VN1的結果，判斷電流I3(如第4圖所示)流出系統低電壓Vss處，依序通過第二體二極體241與節點N，並流入線圈10。
其中，第7A圖中所示的高於系統高電壓Vcc的電壓值曲線與第7B圖中所示的低於系統低電壓Vss的電壓值曲線僅是為了方便說明與理解而繪示，實際上本揭示內容並不會量測高於系統高電壓Vcc以及低於系統低電壓Vss的電壓值。因此，在節點N之電壓VN從系統低電壓Vss變換為系統高電壓Vcc(如第7A、7B圖所示)的期間，處理單元104才有可能於步驟S203得到第二電壓值VN2「不大於」第一電壓值VN1的結果，而非得到第二電壓值VN2「小於」第一電壓值VN1的結果。
請參閱第5圖，控制器26接著將第一控制訊號CS1由高電壓準位變更為低電壓準位，以將高側電晶體22由關斷狀態切換為導通狀態。如此一來，如第5圖所示，電流I4可從系統高電壓Vcc處流出，依序通過高側電晶體22與節點N，並流入線圈10，以驅動該馬達。在高側電晶體22處於導通狀態且低側電晶體24處於關斷狀態時，電壓量測單元102持續量測節點N之電壓VN(此時，電壓VN大致為系統高電壓Vcc)，而處理單元104則根據控制器26所產生的低電壓準位之第一控制訊號CS1與低電壓準位之第二控制訊號CS2，判斷馬達驅動電路20未進入靜滯區，而不執行處理。
控制器26接著又將第一控制訊號CS1由低電壓準位變更為高電壓準位，以將高側電晶體22由導通狀態切換為關斷狀態，進而使高側電晶體22 與低側電晶體24同時又處於關斷狀態(如第3、4圖所示)。如此一來，節點N之電壓VN將從系統高電壓Vcc變換為系統低電壓Vss(圖中未示)。在節點N之電壓VN變換的期間，電流狀態判斷電路100將再次執行電流狀態判斷方法200。與前述說明類似，當節點N之電壓VN有往上增加的現象發生，處理單元104將於步驟S203得到第二電壓值VN2不小於第一電壓值VN1(例如：系統高電壓Vcc)的結果(因為本揭示內容實際上並不會量測高於系統高電壓Vcc的電壓值)，並進入步驟S204。於步驟S204，處理單元104根據第二電壓值VN2不小於第一電壓值VN1的結果，判斷電流I2(如第3圖所示)流出線圈10，依序通過節點N與第一體二極體221，並流入系統高電壓Vcc處。反之，當節點N之電壓VN有往下減少的現象發生，處理單元104將於步驟S203得到第二電壓值VN2小於第一電壓值VN1的結果，並進入步驟S205。於步驟S205，處理單元104根據第二電壓值VN2小於第一電壓值VN1的結果，判斷電流I3(如第4圖所示)流出系統低電壓Vss處，依序通過第二體二極體241與節點N，並流入線圈10。
請參閱第8圖，其繪示本揭示內容的其中另一實施例的電流狀態判斷方法300的流程圖。如第1圖所示的電流狀態判斷電路100可以執行電流狀態判斷方法300，以判斷線圈10中的電流之狀態。電流狀態判斷方法300包括步驟S301~S305。電流狀態判斷方法300中類似於前述電流狀態判斷方法200之說明，在此不贅述。
以節點N之電壓VN從系統低電壓Vss變換為系統高電壓Vcc的期間(如第9A、9B圖所示)來說，若馬達驅動電路20在進入靜滯區時存在如第3圖所示的電流I2，則代表節點N之電壓VN會在一預定時間內往上增加至高於系統高電壓Vcc的一電壓值(如第9A圖所示)。反之，若在馬達驅動電路20進入靜滯區時存在如第4圖所示的電流I3，則代表節點N之電壓VN不會在該預定時間內往上增加至高於系統高電壓Vcc的一電壓值(如第9B圖所示)。據此，電流狀態判斷電路100執行電流狀態判斷方法300。
於步驟S301，在高側電晶體22以及低側電晶體24均切換至關斷狀態的一第一時間點t1(如第9A、9B圖所示)，處理單元104開始計時，其中處理單元104可包括一計時器(圖中未示)或者處理單元104本身具有計時功能。
於步驟S302，在高側電晶體22以及低側電晶體24仍保持關斷狀態的一第二時間點t2(如第9A、9B圖所示)，電壓量測單元102量測節點N之電壓VN，並輸出一電壓值Vpd。
於步驟S303，處理單元比對電壓值Vpd以及一閥值Vth(如第9A、9B圖所示)，以得到一比對結果。接著，處理單元104根據該比對結果判斷線圈10中電流之狀態。於本實施例中，閥值Vth介於系統高電壓Vcc與系統低電壓Vss之間。
具體而言，當節點N之電壓VN在該預定時間內往上增加至高於系統高電壓Vcc的該電壓值，處理單元104將於步驟S303得到電壓值Vpd大於閥值Vth的結果(如第9A圖所示)，並進入步驟S304。於步驟S304，處理單元104根據電壓值Vpd大於閥值Vth的結果，判斷電流I2(如第3圖所示)流出線圈10，依序通過節點N與第一體二極體221，並流入系統高電壓Vcc處。反之，當節點N之電壓VN沒有在該預定時間內往上增加至高於系統高電壓Vcc的該電壓值，處理單元104將於步驟S303得到電壓值Vpd小於閥值Vth的結果(如第9B圖所示)，並進入步驟S305。於步驟S305，處理單元104根據電壓值Vpd小於閥值Vth的結果，判斷電流I3(如第4圖所示)流出系統低電壓Vss處，依序通過第二體二極體241與節點N，並流入線圈10。
其中，第9A圖中所示的高於系統高電壓Vcc的電壓值曲線與第9B圖中所示的低於系統低電壓Vss的電壓值曲線僅是為了方便說明與理解而繪示，實際上本揭示內容並不會量測高於系統高電壓Vcc以及低於系統低電壓Vss的電壓值。
此外，以節點N之電壓VN從系統高電壓Vcc變換為系統低電壓Vss的期間(圖中未示)來說，若馬達驅動電路20在進入靜滯區時存在如第3圖所示的電流I2，則代表節點N之電壓VN不會在該預定時間內往下減少至低於系統低電壓Vss的一電壓值(圖中未示)。據此，處理單元104將於步驟S303得到電壓值Vpd大於閥值Vth的結果，並進入步驟S304。反之，若在馬達驅動電路20進入靜滯區時存在如第4圖所示的電流I3，則代表節點N之電壓VN會在該預定時間內往下減少至低於系統低電壓Vss的一電壓值(圖中未示)。據此，處理單元104將於步驟S303得到電壓值Vpd小於閥值Vth的結果，並進入步驟S305。
本揭示內容的電流狀態判斷電路100可根據節點N之電壓VN變化，判斷在靜滯區時線圈10中電流之狀態。由於不需量測高於系統高電壓Vcc或低於系統低電壓Vss之電壓值，電流狀態判斷電路100可不需增加輔助電路，還可在節點N之電壓VN介於系統高電壓Vcc與系統低電壓Vss之間時判斷線圈10中電流之狀態。此外，有了電流狀態判斷電路100所獲取之電流的相位資訊，有助於調整電流與馬達之反電動勢間的相位關係，使得馬達能以最佳轉速值運轉。
雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，所屬技術領域具有通常知識者在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:線圈 20:馬達驅動電路 22:高側電晶體 24:低側電晶體 26:控制器 100:電流狀態判斷電路 102:電壓量測單元 104:處理單元 200,300:電流狀態判斷方法 221:第一體二極體 241:第二體二極體 CS1:第一控制訊號 CS2:第二控制訊號 VN:電壓 VN1:第一電壓值 VN2:第二電壓值 Vcc:系統高電壓 Vss:系統低電壓 Vth:閥值 Vpd:電壓值 I1,I2,I3,I4:電流 N:節點 t1:第一時間點 t2:第二時間點 S201,S202,S203,S204,S205,S301,S302,S303,S304,S305:步驟
第1圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示一種電流狀態判斷電路的示意圖。 第2圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流狀態判斷電路的示意圖。 第3圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流狀態判斷電路的示意圖。 第4圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流狀態判斷電路的示意圖。 第5圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示操作中的電流狀態判斷電路的示意圖。 第6圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示一種電流狀態判斷方法的流程圖。 第7A圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示馬達驅動電路與線圈耦接之節點之電壓變化的曲線圖。 第7B圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示馬達驅動電路與線圈耦接之節點之電壓變化的曲線圖。 第8圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示另一種電流狀態判斷方法的流程圖。 第9A圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示馬達驅動電路與線圈耦接之節點之電壓變化的曲線圖。 第9B圖係根據本揭示內容之部分實施例繪示馬達驅動電路與線圈耦接之節點之電壓變化的曲線圖。
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200:電流狀態判斷方法 S201,S202,S203,S204,S205:步驟

Claims (4)

  1. 一種電流狀態判斷方法，用以判斷流經一馬達的一線圈的一電流之狀態，包括：在一高側電晶體以及一低側電晶體均切換至關斷狀態的一第一時間點，量測該高側電晶體、該低側電晶體與該線圈共同耦接之一節點之電壓，並輸出一第一電壓值；在該高側電晶體以及該低側電晶體均保持關斷狀態的一第二時間點，量測該節點之電壓，並輸出一第二電壓值；比對該第一電壓值與該第二電壓值，以得到一比對結果；以及根據該比對結果判斷該電流之狀態；其中當該第二電壓值大於該第一電壓值時，判斷該電流流出該線圈，並依序通過該節點與該高側電晶體的一第一體二極體；其中當該第二電壓值不大於該第一電壓值時，判斷該電流依序通過該低側電晶體的一第二體二極體與該節點，並流入該線圈；其中當該第二電壓值不小於該第一電壓值時，判斷該電流流出該線圈，並依序通過該節點與該高側電晶體的該第一體二極體；其中當該第二電壓值小於該第一電壓值時，判斷該電流依序通過該低側電晶體的該第二體二極體與該節點，並流入該線圈。
  2. 一種電流狀態判斷方法，用以判斷流經一馬達的一線圈的一電流之狀態，包括：在一高側電晶體以及一低側電晶體均切換至關斷狀態的一第一時間點，開始計時；在該高側電晶體以及該低側電晶體均保持關斷狀態的一第二時間點，量測該高側電晶體、該低側電晶體與該線圈共同耦接之一節點之電壓，並輸出一電壓值；比對該電壓值以及一閥值，以得到一比對結果；以及根據該比對結果判斷該電流之狀態；其中當該電壓值大於該閥值時，判斷該電流流出該線圈，並依序通過該節點與該高側電晶體的一第一體二極體；其中當該電壓值小於該閥值時，判斷該電流依序通過該低側電晶體的一第二體二極體與該節點，並流入該線圈。
  3. 一種電流狀態判斷電路，用以判斷流經一馬達的一線圈的一電流之狀態，包括：一電壓量測單元，耦接於一節點，並用以量測該節點之電壓，其中一高側電晶體、一低側電晶體與該線圈共同耦接該節點；以及一處理單元，耦接於該電壓量測單元，並用以根據該節點之電壓變化，判斷在該高側電晶體與該低側電晶體同時處於關斷狀態時該電流之狀態；其中該電壓量測單元在該高側電晶體與該低側電晶體均切換至關斷狀態的一第一時間點，輸出一第一電壓值； 其中該電壓量測單元在該高側電晶體與該低側電晶體均保持關斷狀態的一第二時間點，輸出一第二電壓值；其中該處理單元比對該第一電壓值與該第二電壓值，以得到一比對結果，並根據該比對結果判斷該電流之狀態；其中當該第二電壓值大於該第一電壓值時，該處理單元判斷該電流流出該線圈，並依序通過該節點與該高側電晶體的一第一體二極體；其中當該第二電壓值不大於該第一電壓值時，該處理單元判斷該電流依序通過該低側電晶體的一第二體二極體與該節點，並流入該線圈；其中當該第二電壓值不小於該第一電壓值時，該處理單元判斷該電流流出該線圈，並依序通過該節點與該高側電晶體的該第一體二極體；其中當該第二電壓值小於該第一電壓值時，該處理單元判斷該電流依序通過該低側電晶體的該第二體二極體與該節點，並流入該線圈。
  4. 如請求項3所述之電流狀態判斷電路，其中在該高側電晶體與該低側電晶體均切換至關斷狀態的該第一時間點，該處理單元開始計時；在該高側電晶體以及該低側電晶體均保持關斷狀態的該第二時間點，該電壓量測單元輸出一電壓值，而該處理單元比對該電壓值以及一閥值；當該電壓值大於該閥值時，該處理單元判斷該電流流出 該線圈，並依序通過該節點與該高側電晶體的該第一體二極體；當該電壓值小於該閥值時，該處理單元判斷該電流依序通過該低側電晶體的該第二體二極體與該節點，並流入該線圈。
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