TWI747626B - 防止破裂及皺褶之電解銅箔、包含此電解銅箔之電極、包含此電極之二次電池及此電解銅箔之製造方法 - Google Patents

防止破裂及皺褶之電解銅箔、包含此電解銅箔之電極、包含此電極之二次電池及此電解銅箔之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之一實施例提供一電解銅箔，其包含一銅層，且具有0.8至12.5之一谷平均粗糙度、0.49至1.28之一(220)面織構係數［TC(220)］、25 kgf/mm2 至51 kgf/mm2 之拉伸強度，以及3%以下之寬度方向重量偏差。

Description

防止破裂及皺褶之電解銅箔、包含此電解銅箔之電極、包含此電極之二次電池及此電解銅箔之製造方法
本發明係關於一電解銅箔、包含此電解銅箔之電極、包含此電極之二次電池及此電解銅箔之製造方法，其優化電解銅箔之谷平均粗糙度（valley mean roughness，VMR）以防止破裂或皺褶等缺陷。
二次電池係一種能量轉換器，其能將電能轉換成化學能，儲存此化學能，並在需要電力時將化學能轉換成電能以產生電能。二次電池可作為電動車以及行動電話、膝上型電腦等可攜式家電的電源。二次電池因可重複充電，故亦可稱作充電電池。
與用完即扔之一次電池相比，二次電池具有經濟上及環境上的優點，且有鉛蓄電池、鎳鎘二次電池、鎳氫二次電池、鋰二次電池等。
尤其，與其他二次電池相比，鋰二次電池在相對於其尺寸及重量下可儲存相對較多的能量。因此，在攜帶性及移動性重要之資訊通訊裝置的領域中，鋰二次電池是較佳的選擇，其應用範圍亦可擴大至混合動力車及電動車用之能量儲存裝置。
鋰二次電池的使用係重覆進行充電及放電的循環。當使用已完全充電之鋰二次電池運作特定裝置時，鋰離子二次電池應具有高充電／放電容量，以增加此裝置的運作時間。因此，有持續性的研究要求以滿足使用者對於鋰二次電池之充電／放電容量日益增高的需求。
此種二次電池包含由銅箔所製成的陽極集電器。在銅箔之中，電解銅箔係廣泛地作為二次電池的陽極集電器。隨著二次電池的要求增加，對於高容量、高效率及高品質之二次電池的要求亦有所增加，而因此有能夠改善二次電池之特性之電解銅箔的需求。尤其，有能夠對二次電池賦予高容量且使二次電持穩定維持容量及表現的需求。
隨著電解銅箔的厚度愈薄，相同空間中能包含愈多的活性材料，從而可增加集電器的數量。因此，可增加二次電池的容量。然而，電解銅箔愈薄愈會發生翹曲，因此當收捲電解銅箔時，電解銅箔的破裂或皺褶等缺陷亦會因邊緣翹曲而發生。基於此原因，製造及使用極薄電解銅箔會產生困難。因此，為了製造具有極薄厚度的電解銅箔，應防止電解銅箔的翹曲。
並且，在電解銅箔的製程中以及在使用電解銅箔之二次電池用電極或二次電池的製程中皆不應在電解銅箔發生翹曲、破裂或皺褶。尤其，在藉由輥對輥（roll-to-roll，RTR）製程製造銅箔或製造使用銅箔之二次電池的製程中，在收捲程序或活性材料之塗覆程序中，亦不應發生銅箔邊緣破裂的缺陷。
本發明係關於能夠滿足相關技術之限制及要求的電解銅箔、包含此電解銅箔之電極、包含此電極之二次電池及此電解銅箔之製造方法。
本發明一實施例旨在提供一個在製程中即使厚度薄亦不會發生翹曲、皺褶或破裂的電解銅箔。並且，本發明之一實施例亦旨在提供一種於使用電解銅箔之二次電池用電極或二次電池的製程中皆不會發生翹曲、皺褶或破裂的電解銅箔。
本發明之一實施例亦旨在提供包含此種電解銅箔之二次電池用電極及包含此種二次電池用電極之二次電池。
本發明之一實施例亦旨在提供防止翹曲、皺褶或破裂發生的電解銅箔之製造方法。
除了上述於上已述之本發明的觀點以外，以下描述本發明之其他特徵及優點，且本發明所屬技術領域中具有通常知識者可由此說明而清楚理解。
根據本發明之實施例，一種電解銅箔包含一銅層，且具有0.8至12.5之一谷平均粗糙度、0.49至1.28之一(220)面織構係數［TC(220)］、25 kgf/mm2 至51 kgf/mm2 之一拉伸強度，以及3%以下之一寬度方向重量偏差，其中寬度方向重量偏差係根據下述式1計算，且谷平均粗糙度係根據下述式2計算： ［式1］寬度方向重量偏差（%）＝（重量標準差／重量算術平均）×100，以及 ［式2］谷平均粗糙度（VMR）＝［粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）］／［表面粗糙度（Ra）］。
電解銅箔可具有2.5 µm以下之表面粗糙度。
電解銅箔之兩表面的表面粗糙度的差異可為0.65 µm以下。
電解銅箔可具有4 µm至30 µm的厚度。
電解銅箔可更包含設置於銅層上之一保護層。
保護層可包含選自鉻（Cr）、一矽烷化合物及一氮化合物之至少一者。
根據本發明之另一實施例，一種二次電池用電極，包含一電解銅箔及設置於電解銅箔上之一活性材料層，其中電解銅箔包含一銅層且具有0.8至12.5之VMR、0.49至1.28之(220)面織構係數［TC(220)］、25 kgf/mm2 至51 kgf/mm2 之拉伸強度，以及3%以下之寬度方向重量偏差。寬度方向重量偏差係根據下述式1計算，且VMR係根據下述式2計算： ［式1］寬度方向重量偏差（%）＝（重量標準差／重量算術平均）×100，以及 ［式2］谷平均粗糙度（VMR）＝［粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）］／［表面粗糙度（Ra）］。
二次電池用電極之電解銅箔可具有2.5 µm以下的表面粗糙度。
電解銅箔之兩表面的表面粗糙度的差異可為0.65 µm以下。
電解銅箔可具有4 µm至30 µm的厚度。
電解銅箔可更包含設置於銅層之一保護層。
保護層可包含選自鉻（Cr）、一矽烷化合物及一氮化合物之至少一者。
活性材料層可包含至少一活性材料，其選自由碳、如矽（Si）、鍺（Ge）、錫（Sn）、鋰（Li）、鋅（Zn）、鎂（Mg）、鎘（Cd）、鈰（Ce）、鎳（Ni）或鐵（Fe）等之金屬、包含此金屬之合金、此金屬之氧化物以及此金屬與碳之複合體所構成之群組。
根據本發明之又一實施例，一種二次電池包含一陰極、一陽極、一電解質及一分隔件，陽極由上述之二次電池用電極所形成，電解質提供可使鋰離子在陰極與陽極之間移動的環境，分隔件用於電性絕緣陰極及陽極。
根據本發明之再一實施例，一種電解銅箔之製造方法，包含製備一電解質以及使用電解質進行電鍍以形成一銅層， 其中電解質包含濃度70 g/L至90 g/L之銅離子、濃度50 g/L至150 g/L之硫酸、濃度5 mg/L至45 mg/L之砷（As）、濃度5 mg/L至25 mg/L之乙醯胺及濃度5 mg/L至20 mg/L之聚丙二醇（polypropylene glycol，PPG），且銅層的形成包含在電解質內彼此間隔設置之一電極板與一旋轉鼓之間施加電流密度為40 A/dm2 至80 A/dm2 的電流。
在銅層的形成中，可以每單位分鐘5%以下之流率偏差來供應電解質，且每單位分鐘流率偏差係根據下述式4計算： ［式4］電解質之每單位分鐘流率偏差（%）＝［（每分鐘流率最大值－每分鐘流率最小值）／每分鐘流率平均值］×100。
電解銅箔之製造方法可更包含於銅層上形成一保護層。
保護層的形成可利用選自鉻（Cr）、一矽烷化合物及一氮化合物之至少一者，以在銅層之一表面上進行防蝕處理。
保護層的形成可包含將銅層浸漬於含有濃度0.5 g/L至1.5 g/L之鉻（Cr）的防蝕液內。
根據本發明之一實施例，在電解銅箔之製程中防止翹曲、皺褶或破裂。其可製造即使重覆充電／放電循環亦具有能夠長時間維持高充電／放電容量的長壽命二次電池。並且，當使用此種電解銅箔時，能在二次電池用電極或二次電池的製程中防止電解銅箔的翹曲、皺褶或破裂。
以下參照附圖詳細描述本發明之實施例。
在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言顯可在本發明中進行各種修改及變更。因此，本發明有意涵蓋申請專利範圍及其均等物之範疇內所提供之發明的修改及變更。
繪示於附圖中用以說明本發明之實施例的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅為範例，本發明並非受限於此。在說明書全文中，相似參照符號通常表示相似元件。
於此所使用之「包含」、「具有」、「由……所構成」等用語，除非與用語「僅」一起使用，否則通常有意允許添加其他元件。除非另外明確表述，否則任何單數參照內容皆可包含多數。即使未明確表述，元件亦解釋成包含普通誤差範圍。
當使用「上」、「上方」、「下方」、「下一個」等用語來描述二個部件之間的位置關係時，除非使用用語「即」、「直接」一起使用，否則一個或多個部件可位於此二個位置之間。
當時序關係之描述包含「之後」、「接下來」、「下一步」及「之前」等時，除非使用「立即」或「直接」，否則包含不連續的情形。
雖可使用「第一」、「第二」等用語來描述各種元件，但此等元件不應受限於此等用語。此等用語僅用以區分一元件與另一元件。因此，在本發明之範疇內，以下所指之第一元件可為第二元件。
用語「至少一」應理解為包含可能來自一個或多個相關事項之任何組合。
本發明之各種實施例的特徵可部分或整體彼此耦接或彼此組合，可彼此進行各種相互運作且可在技術上受到驅動。本發明之實施例可彼此獨立執行，或可在相互依賴的關係下一併執行。
圖1係根據本發明之一實施例之電解銅箔101的剖面示意圖。
如圖1所示，本發明之電解銅箔101包含銅層111。銅層111具有霧面MS及位於霧面MS之相反側之亮面SS。
舉例而言，銅層111可藉由電鍍而形成於旋轉陽極鼓上（參照圖8）。在此情況下，亮面SS係指在電鍍製程中與旋轉陽極鼓接觸的表面，霧面MS係指位於亮面SS之相反側的表面。
相對於銅層111，電解銅箔101具有係為於霧面MS方向之表面的第一表面S1以及係為於亮面SS方向之表面的第二表面S2。參照圖1，電解銅箔101之第一表面S1係第一保護層112a的表面，第二表面S2係亮面SS。根據本發明之一實施例，第一保護層112a可省略，且當第一保護層112a省略時，銅層111之霧面MS成為電解銅箔101之第一表面S1。
一般而言，第二表面的表面粗糙度（Rz）小於第一表面。然而，本發明之一實施例不以此為限，第二表面之表面粗糙度亦可大於或等於第一表面之表面粗糙度。舉例而言，根據使用於製造銅層111之旋轉陽極鼓12（參照圖8）的研磨程度，第二表面之表面粗糙度可小於亦可大於第一表面之表面粗糙度。旋轉陽極鼓12之表面可使用粒度號800至3000的研磨刷來研磨。
參照圖1，電解銅箔101包含設置於銅層111之霧面MS上的第一保護層112a。第一保護層112a可省略。
保護層112可設置於銅層111之霧面MS及亮面SS之至少一者。參照圖1，第一保護層112a設置於霧面MS。然而，本發明之一實施例不以此為限，第一保護層112a亦可僅設置於亮面SS，或亦可設置於霧面MS及亮面SS兩者。
保護層112可保護銅層111，以防止銅層111在儲存或流通期間氧化或變質。因此，保護層112亦可稱作防蝕膜。
根據本發明之一實施例，保護層112可包含選自鉻（Cr）、矽烷化合物及氮化合物之至少一者。
舉例而言，保護層112可由包含鉻（Cr）之防蝕液所製成，即由包含鉻酸化合物之防蝕液所製成。
本發明之電解銅箔101可在室溫（25±15°C）下具有25 kgf/mm2 至51 kgf/mm2 的拉伸強度。
拉伸強度係使用通用測試機（universal testing machine，UTM）來量測，且在此情況下，在對樣品於135°C之溫度熱處理10分鐘後量測其拉伸強度。在此情況下，樣品的寬度為12.7 mm，夾具間距離為50 mm，測試速度為50 mm/min。
當電解銅箔101的拉伸強度小於25 kgf/mm2 時，在電極的製程及／或二次電池之製程的輥對輥程序中所施加的力道容易導致電解銅箔101變形，而因此有發生破裂及／或皺褶的風險。另一方面，當電解銅箔101的拉伸強度超過51 kgf/mm2 且當電解銅箔101受到製程的拉力時，有電解銅箔101破裂的高風險，從而會降低二次電池製程的可操作性。
本發明之電解銅箔101的寬度方向重量偏差可為3%以下。寬度方向重量偏差可如下獲得。
首先，沿電解銅箔101之寬度方向自左處、中心處及右處的位置擷取具有尺寸為5 cm×5 cm的樣品，之後量測三個樣品的重量。接下來，獲得此等量測值之算術平均及標準差，根據下述式1計算寬度方向重量偏差。 ［式1］寬度方向重量偏差（%）＝（重量標準差／重量算術平均）×100
當電解銅箔101的寬度方向重量偏差超過3%時，在製造電池之輥對輥程序中，皺褶會發生在重量偏差超過3%的部分，因此缺陷率上升。
同時，根據本發明之一實施例，隨著二次電池反覆充電及放電，活性材料層120a及120b會交錯發生收縮及膨脹，導致活性材料層120a及120b自電解銅箔101分離，進而降低二次電池的容量。因此，為了確保電極具有預定等級以上的容量維持率及壽命（即為了抑制二次電池的容量降低），電解銅箔101應對活性材料具有優異的可塗覆性，以使電解銅箔101與活性材料層120a及120b之間具有高接合強度。
一般而言，可知藉由控制電解銅箔101之表面粗糙度，可提升電解銅箔101與活性材料層120a及120b之間的接合強度。表面粗糙度亦稱作十點平均粗糙度（ten-point mean roughness）。表面粗糙度係如下決定：藉由在表面粗糙度輪廓中，將取樣區間的距離中心線向上最遠之五個點的距離和（絕對值）以及距離中心線向下最遠之五個點的距離和（絕對值）相加，再除以五所獲得的值。表面粗糙度可根據JIS B 0601-2001標準使用Mahr公司製造之Mahrsurf M300粗糙度測試機來量測。
根據本發明之一實施例，電解銅箔101之第一表面S1及第二表面S2的表面粗糙度（Rz1及Rz2）可為2.5 µm以下。當表面粗糙度（Rz1及Rz2）超過2.5 µm時，電解銅箔101之第一表面S1及第二表面S2會過於不均勻，陽極活性材料之塗覆均勻性會因而降低。在此情況下，電解銅箔101與第一活性材料層120a及第二活性材料層120b之間的接合性會顯著降低。
根據本發明之一實施例，第一表面之表面粗糙度（Rz1）與第二表面之表面粗糙度（Rz2）的差（|Rz1－Rz2|）可為0.65 µm以下。當第一表面及第二表面之表面粗糙度的差超過0.65 µm時，活性材料因第一表面S1及第二表面S2之表面粗糙度（Rz）的差而不會均勻塗覆於第一表面S1及第二表面S2。因此，在二次電池的充電／放電期間，第一表面S1及第二表面S2之間的電性及物理性質會發生差異，因而可能會降低二次電池的容量維持率及壽命。舉例而言，在塗覆活性材料之後，在第一表面及第二表面上，第一活性材料層120a與電解銅箔101之間的接合性以及第二活性材料層120b與電解銅箔101之間的接合性會發生差異。因此，製造電極後，電極會因此差異而沿接合性相對大的方向彎曲，從而使缺陷率上升。
然而實際上，電解銅箔101之表面粗糙度經適度調整（例如調整至2.5 µm以下），不一定可滿足說明書中所要求之電解銅箔101與活性材料層120a及120b之間的接合力。亦即，具有2.5 µm以下之表面粗糙度的電解銅箔101並非總是可確保工業上所要求之83%以上之二次電池之容量維持率（500次充放電之後）。
尤其可知，當活性材料層120a及120b包含矽（Si）以增加二次電池容量時，電解銅箔101的表面粗糙度（Rz）與二次電池的容量維持率之間的相關性較低。
根據本發明之一實施例，發現到在確保電解銅箔101與活性材料層120a及120b之間的接合力（adhesion force）足夠大到可確保二次電池有83%以上的容量維持率（capacity retention rate）時，電解銅箔101的「谷平均粗糙度（VMR）」（以下亦可簡稱為「VMR」）係比表面粗糙度（Rz）更為重要的因子。
以下參照圖2，具體說明電解銅箔101之VMR。
量測電解銅箔101之「粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）」及「表面粗糙度（Ra）」，而VMR可藉由下述式2之計算從「粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）」及「表面粗糙度（Ra）」的量測值而獲得。 ［式2］谷平均粗糙度（VMR）＝［粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）］／［表面粗糙度（Ra）］
如圖2所示，於JIS B 0601:2001標準中所定義之「粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）」，係指在表面粗糙度輪廓（取樣長度：4 mm）中之最深谷距離平均線之深度。
於JIS B 0601:2001標準中所定義之「表面粗糙度（Ra）」亦可稱為「算術平均粗糙度」。表面粗糙度（Ra）係如下決定：藉由在表面粗糙度輪廓中，獲得量測區間（參考長度）之中心線上方及下方的總面積總和，並將此總和除以量測區間的長度值。
「粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）」及「表面粗糙度（Ra）」可根據JIS B 0601-2001標準使用Mitutoyo公司製造之粗糙度測試機量測表面的任意三處［取樣長度：4 mm，測針尖端半徑：2 µm，測針尖端錐角：60°，量測力道：0.75 mN］，接著計算其平均值，以獲得上述之「粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）」及「表面粗糙度（Ra）」。粗糙度輪廓係指電解銅箔之表面。
根據本發明之一實施例，第一表面S1及第二表面S2之粗糙度輪廓之VMR在0.8至12.5之範圍內。
當第一表面S1及第二表面S2之粗糙度輪廓之VMR小於0.8時，會在製造電解銅箔101之輥對輥程序中發生滑動，而使張力不均勻地施加於銅箔，導致破裂。
另一方面，當第一表面S1及第二表面S2之粗糙度輪廓之VMR超過12.5時，在二次電池的製程中，VMR為高的部分會成為缺口而導致破裂。
根據本發明之一實施例，銅層111之霧面MS及亮面SS具有晶面，銅層111之霧面MS及亮面SS之各自的(220)面織構係數［TC(220)］在0.49至1.28之範圍內。
更具體而言，銅層111可具有多個晶面，晶面可用米勒指數（Miller Index）來表示。具體而言，銅層111之晶面可表示為(hkl)面。各個晶面具有面織構係數（texture coefficient，TC），且晶面之TC可使用X射線繞射（XRD）來量測或計算。
以下參照圖3，說明量測及計算構成電解銅箔101之銅層111之晶面之TC的方法。
圖3顯示電解銅箔之XRD圖表之一範例。更具體而言，圖3係構成電解銅箔101之銅層111的XRD圖表。圖3之各個尖峰對應於晶面。
(220)面TC［TC(220)］可以下述方式獲得。
在自30°至95°之範圍的繞射角（2θ）進行XRD法［目標：銅Kα1，2θ間隔：0.01°，2θ掃描速度：3°/min］，以獲得具有對應於n個晶面（n＝4）之尖峰［例如圖4所示之對應於(111)面、(200)面、(220)面及(311)面之尖峰］的XRD圖表，且自圖表獲得各晶面(hkl)之XRD繞射強度［I(hkl)］。並且，獲得由粉末繞射標準聯合委員會JCPDS（joint committee on powder diffraction standards，JCPDS）所規定之標準銅粉之n個晶面的XRD繞射強度［I0(hkl)］。接下來，獲得n個晶面之I(hkl)／I0(hkl)的算術平均值，之後將(220)面之I(220)／I0(220)除以算術平均值以計算(220)面TC［TC(220)］。亦即，(220)面TC［TC(220)］根據下述式3計算。 ［式3］
Figure 02_image001
隨著(220)面TC［TC(220)］增加，銅箔101之晶體結構會變得更為緻密。霧面MS及亮面SS之各自的(220)面TC［TC(220)］可為0.49以上。當(220)面TC［TC(220)］小於0.49時，電解銅箔101之晶體結構會不緻密，而因此有電解銅箔101在製程中破裂的高風險。根據本發明之一實施例，銅層111之霧面MS或亮面SS之(220)面TC亦可稱作電解銅箔101之(220)面TC［TC(220)］。並且，根據本發明之一實施例，銅層111之晶體結構亦可稱作電解銅箔101之晶體結構。
另一方面，當(220)面TC［TC(220)］超過1.28時，銅層111之晶體結構會過度緻密，而因此伸長率會減少至小於3%。因此，電解銅箔101在製程中容易破裂。並且，由於陽極活性材料能夠穩定接觸於電解銅箔101的活性面積（active area）不足，故無法在電解銅箔101與陽極活性材料之間確保足夠的接合力。因此，當二次電池充放電時，電解銅箔101不會與第一及第二活性材料層120a及120b一起膨脹及收縮，而因此有第一活性材料層120a及第二活性材料層120b自電解銅箔101分離的高風險。結果，二次電池容量維持率會降低，進而無法製造穩定的產品。
根據本發明之一實施例，電解銅箔101可具有4 µm至30 µm的厚度。
當電解銅箔101在二次電池中作為電極之集電器時，在相同的空間內，電解銅箔101的厚度愈薄，可容置愈多個集電器，其有利於增加二次電池的容量。然而，當電解銅箔101的厚度小於4 µm時，在使用電解銅箔101之二次電池用電極及二次電池的製程中，可操作性會顯著下降。
另一方面，當電解銅箔101之厚度超過30 µm時，使用電解銅箔101之二次電池用電極的厚度會增加，且二次電池因此厚度而難以實現高容量。
圖4係根據本發明之另一實施例之電解銅箔102的剖面示意圖。以下，為了避免重覆，省略於上已述之元件的描述。
參照圖4，根據本發明之另一實施例的電解銅箔102包含銅層111及分別設置於銅層111之霧面MS與亮面SS的第一保護層112a及第二保護層112b。當比較圖1所示之電解銅箔101時，圖4所示之電解銅箔102更包含設置於銅層111之亮面SS的保護層112b。
為了便於說明，二個保護層112a及112b中，設置於銅層111之霧面MS的保護層112a可稱為「第一保護層」，設置於亮面SS的保護層112b可稱「第二保護層」。
並且，相對於銅層111，圖4所示之電解銅箔102具有係為於霧面MS方向之表面的第一表面S1以及係為於亮面SS方向之表面的第二表面S2。於此，電解銅箔102之第一表面S1係設置於霧面MS之第一保護層112a之表面，第二表面S2係設置於亮面SS之第二保護層112b之表面。
根據本發明之另一實施例，二個保護層112a及112b可各自包含選自鉻（Cr）、矽烷化合物及氮化合物之至少一者。
圖4所示之第一表面S1及第二表面S2之粗糙度輪廓之VMR在0.8至12.5之範圍內。
在電解銅箔102中，霧面MS及亮面SS之各自的(220)面TC［TC(220)］可在0.49至1.28之範圍內。
電解銅箔102可在室溫（25±15°C）下具有25 kgf/mm2 至51 kgf/mm2 的拉伸強度。
電解銅箔102的寬度方向重量偏差可為3%以下。
圖4所示之電解銅箔102之第一表面S1及第二表面S2之表面粗糙度（Rz1及Rz2）可為2.5 µm以下，第一表面之表面粗糙度（Rz1）與第二表面之表面粗糙度（Rz2）之間的差異（|Rz1－Rz2|）可為0.65 µm以下。
圖4之電解銅箔102具有4 µm至30 µm的厚度。
圖5係根據本發明之又一實施例之二次電池用電極103的剖面示意圖。圖5所示之二次電池用電極103可應用於例如圖7所示之二次電池105。
參照圖5，根據本發明之又一實施例之二次電池用電極103包含電解銅箔101及設置於電解銅箔101上之活性材料層120a。於此，電解銅箔101包含銅層111及設置於銅層111上之第一保護層112a，且可作為電流集電器。
具體而言，電解銅箔101具有第一表面S1及第二表面S2，活性材料層120a設置於電解銅箔101之第一表面S1及第二表面S2之至少一者。活性材料層120a可設置於第一保護層112a上。
圖5繪示圖1之電解銅箔101作為電流集電器的範例。然而，本發明之又一實施例不以此為限，圖4所示之銅箔102可作為二次電池用電極103之集電器。
並且，圖5雖繪示第一活性材料層120a僅設置於電解銅箔101之第一表面S1的結構，但本發明之又一實施例不以此為限。第一活性材料層120a及第二活性材料層120b可分別設置於第一表面S1及第二表面S2兩者。並且，活性材料層120可僅設置於電解銅箔101之第二表面S2。
圖5所示之第一活性材料層120a係由電極活性材料所製成，尤其可由陽極活性材料所製成。亦即，圖5所示之二次電池用電極103可作為陽極。
活性材料層120可包含選自由碳、金屬、包含此金屬之合金、此金屬之氧化物、此金屬與碳之複合體的其中至少一者，以作為陽極活性材料。所述金屬可為矽（Si）、鍺（Ge）、錫（Sn）、鋰（Li）、鋅（Zn）、鎂（Mg）、鎘（Cd）、鈰（Ce）、鎳（Ni）及鐵（Fe）之至少一者。具體而言，為了增加二次電池之充電／放電容量，此金屬可包含矽（Si）。
隨著二次電池重覆充電及放電，活性材料層120a會交錯收縮及膨脹，從而導致活性材料層120a自電解銅箔101分離，進而降低二次電池的充電／放電效率。尤其，包含矽（Si）的活性材料120a具有較大程度的膨脹性及收縮性。
根據本發明之又一實施例，由於作為集電器之電解銅箔101可對應於活性材料層120的收縮及膨脹而一起收縮及膨脹，因此，即使活性材料層120收縮及膨脹，電解銅箔101亦不會因活性材料層120的收縮及膨脹而變形或破裂。因此，電解銅箔101及活性材料層120a不會分離。因此，包含二次電池用電極103之二次電池具有優異的充電／放電效率及優異的容量維持率。
圖6係根據本發明之再一實施例之二次電池用電極104的剖面示意圖。
根據本發明之再一實施例之二次電池用電極104包含電解銅箔102及設置於電解銅箔102上之第一活性材料層120a及第二活性材料層120b。電解銅箔102包含銅層111及設置於銅層111之兩表面的第一保護層112a及第二保護層112b。然而，本發明之一實施例不以此為限，第一活性材料層120a及第二活性材料層120b之任一者可省略。
具體而言，圖6所示之二次電池用電極104包含分別設置於電解銅箔102之第一表面S1及第二表面S2的二個第一活性材料層120a及第二活性材料層120b。於此，設置於電解銅箔102之第一表面S1上之活性材料層120a可稱為「第一活性材料層」，設置於電解銅箔102之第二表面S2上之活性材料層120b亦可稱為「第二活性材料層」。
二個第一活性材料層120a及第二活性材料層120b可由相同方法及相同材料所製成，亦可由相異方法所製成或由相異材料所製成。
圖7係根據本發明之再一實施例之二次電池105的剖面示意圖。圖7所示之二次電池105例如為鋰二次電池。
參照圖7，二次電池105包含一陰極370、一陽極340、設置於陰極370與陽極340之間以作為提供離子移動的環境的一電解質350，以及電性絕緣陰極370與陽極340的一分隔件360。於此，在陰極370與陽極340之間移動的離子例如為鋰離子。分隔件360分隔陰極370及陽極340，以防止在一電極產生之電荷經由二次電池105內部移動至另一電極所導致的消耗。參照圖7，分隔件360設置於電解質350內。
陰極370包含陰極集電器371及陰極活性材料層372，而鋁箔可作為陰極集電器371。
陽極340包含陽極集電器341及陽極活性材料層342，電解銅箔可作為陽極集電器341。
根據本發明之一實施例，圖1所示之電解銅箔101或圖4所示之電解銅箔102可作為陽極集電器341。並且，圖5所示之二次電池用電極103或圖6所示之二次電池用電極104可用作圖7所示之二次電池105之陽極340。
以下參照圖8，具體說明根據本發明之一實施例之電解銅箔102之製造方法。
圖8係圖4所示之電解銅箔102之製造方法的示意圖。
本發明之電解銅箔102的製造方法包含：製備一電解質11，以及使用電解質11進行電鍍以形成一銅層111。
具體而言，在電解質11之製備中，首先製備包含銅離子之電解質11。電解質11容置於電解池10。
接下來，在使用電解質11進行電鍍以形成銅層111的步驟中，對於在電解質11內彼此間隔設置之一陰極板13與一旋轉陽極鼓12之間施加電流密度為40 A/dm2 （ASD）至80 A/dm2 的電流以進行電鍍，從而在旋轉陽極鼓12上形成銅層111。銅層111係藉由電鍍的原理所形成。
當施加於陰極板13與旋轉陽極鼓12之間的電流密度小於40 ASD時，會促使晶粒在銅層111中產生，而當電流密度超過80 ASD時，晶粒會迅速變得更細。更具體而言，電流密度可調整至50 ASD以上。
銅層111之亮面SS的表面特性可根據旋轉陽極鼓12表面的拋光或研磨程度而改變。舉例而言，為了調整於亮面SS方向的表面特性，可使用粒度號800至3000的研磨刷來研磨旋轉陽極鼓12表面。
在銅層111的形成步驟中，電解質11的溫度維持於50°C至65°C，且供應電解質11維持於每單位分鐘5%以下的流率偏差（deviation in flow rate）。在此情況下，藉由調整電解質11之組成，可控制銅層111的物理、化學及電等的特性。
根據本發明之一實施例，電解質11包含濃度70 g/L至90 g/L之銅離子、濃度50 g/L至150 g/L之硫酸、濃度5 mg/L至45 mg/L之砷（As）、濃度5 mg/L至25 mg/L之乙醯胺及濃度5 mg/L至20 mg/L之聚丙二醇（PPG）。
為了促進藉由銅電沉積而形成銅層111，電解質11內之銅離子的濃度及硫酸的濃度分別調整在70 g/L至90 g/L的範圍內及50 g/L至150 g/L的範圍內。更具體而言，電解質11內之硫酸濃度可調整在70 g/L至120 g/L的範圍內。
電解質11內之砷（As）的濃度控制在5 mg/L至45 mg/L之範圍內。然而，本發明之一實施例不以此為限。
砷在特定的濃度區間中作為用於加速銅（Cu）還原反應的加速劑。當砷的濃度小於5 mg/L時，在形成銅層111的製程中，銅層111表面被平坦地電鍍，電解銅箔102之第一表面及第二表面之各自的VMR會小於0.8。
另一方面，當砷的濃度超過45 mg/L時，且當銅離子Cu2+ 或Cu1+ 還原成銅（Cu）時，會形成不溶性化合物，雜質可能會一起電沉積（合併）於銅層111上。因此，銅層111以粉狀電鍍故而使谷深驟增。因此，電解銅箔102之第一表面及第二表面之各自的VMR會超過12.5。並且，當砷濃度高時，在形成銅層111的製程中，以晶面為基準，(311)面、(111)面及(100)面可優先生長，且可抑制(220)面的生長。
因此，在銅層111之晶體結構中，為了使(220)面TC［TC(220)］在0.49至1.28的範圍內，且為了使電解銅箔102之第一表面及第二表面之各自的VMR在0.8至12.5之範圍內，電解質11的砷濃度可調整至5 mg/L至45 mg/L之範圍內。
乙醯胺係加進電解質11內的材料，以控制在電解質11中之鍍銅粒子的尺寸。當鍍銅粒子的尺寸過小時，電解銅箔102的拉伸強度會增加。反之，當鍍銅粒子的尺寸過大時，電解銅箔102的拉伸強度會降低。
在電解質11內的乙醯胺濃度係控制在5 mg/L至25 mg/L的範圍內。然而，本發明之一實施例不以此為限。
當乙醯胺的濃度超過25 mg/L時，可極細地電鍍鍍銅粒子，熱處理後之電解銅箔102的拉伸強度會超過51 kgf/mm2 。
另一方面，當乙醯胺的濃度小於5 mg/L時，則會粗糙地電鍍鍍銅粒子，熱處理後的電解銅箔102的拉伸強度會小於25 kgf/mm2 。
PPG係加進電解質內的材料，以控制鍍銅之晶體結構。
隨著電解質內之PPG的濃度增加，電解銅箔102之晶體結構會變得較為緻密，而因此(220)面TC會增加，而且隨著電解質內之PPG的濃度降低，電解銅箔102之晶體結構會變得較不緻密，而因此(220)面TC會進一步降低。
根據本發明，電解質內之PPG的濃度在5 mg/L至20 mg/L之範圍內。
當電解質內之PPG的濃度小於5 mg/L時，電解銅箔102的晶體結構不會充分發展，因此(220)面TC會小於0.49。如上所述，當(220)面TC小於0.49時，電解銅箔102的晶體結構不緻密，而因此有電解銅箔102在製程中破裂的高風險。
另一方面，當電解質內之PPG的濃度超過20 mg/L時，電解銅箔102的晶體結構會過度緻密，因此(220)面TC會超過1.28。如上所述，當(220)面TC超過1.28，伸長率會減少至小於3%。因此，電解銅箔102在製程中容易破裂。並且，由於陽極活性材料能夠穩定接觸於電解銅箔102的活性面積不足，故無法在電解銅箔102與陽極活性材料之間確保足夠的接合力。
在形成銅層111的製程中，供應電解質11之流率偏差維持於每單位分鐘5%以下。供應電解質11的流率偏差係用以調整電解銅箔102的寬度方向重量偏差。流率偏差可以如下方式獲得。
首先，供應電解質11的流率在一分鐘內量測至少二次。藉由所量測之每分鐘流率，可獲得每分鐘流率的平均值、每分鐘流率的最大值及每分鐘流率的最小值。之後，可根據下述式4計算供應電解質之流率偏差。 ［式4］電解質之每單位分鐘流率偏差（%）＝［（每分鐘流率最大值－每分鐘流率最小值）／每分鐘流率平均值］×100
為了使電解銅箔102的寬度方向重量偏差為3%以下，將供應電解質11的流率偏差維持於每單位分鐘5%以下。當供應電解質11的流率偏差超過5%時，會在電解銅箔102的寬度方向發生供應電解質11的流率偏差。因此，當進行鍍銅時會在寬度方向發生效率上的差異，因此電解銅箔102的重量偏差會超過3%。
如上述步驟所製造的銅層111可在清洗槽20中清洗。
舉例而言，可依序進行用以去除銅層111之表面上之例如樹脂成分或自然氧化物等雜質的酸洗流程，以及用以去除用於酸洗之酸性溶液的水洗流程。清洗流程可省略。
根據本發明之一實施例，製造方法可更包含於銅層111上形成第一保護層112a及第二保護層112b。
在保護層112的形成步驟中，於如上所製造之銅層111上形成第一保護層112a及第二保護層112b。
參照圖8，將銅層111浸漬於防蝕液槽30所容置之防蝕液31內，以於銅層111上形成第一保護層112a及第二保護層112b。
防蝕液31可包含選自鉻（Cr）、矽烷化合物及氮化合物之至少一者。
具體而言，銅層111浸漬於其中之防蝕液31可包含鉻（Cr），且鉻（Cr）可在防蝕液31內以離子的狀態存在。
防蝕液31可包含濃度為0.5 g/L至1.5 g/L的鉻。為了形成第一保護層112a及第二保護層112b，防蝕液31的溫度可維持在20°C至40°C的範圍內。銅層111可浸漬於防蝕液31內約1至30秒鐘。
具體而言，將所製造之銅層111浸漬於鉻（Cr）濃度為0.5 g/L至1.5 g/L的防蝕液內（例如在室溫下2至20秒鐘）之後使之乾燥，從而於銅層111上形成第一保護層112a及第二保護層112b。
防蝕液可更包含選自矽烷化合物及氮化合物之至少一者。舉例而言，防蝕液可包含濃度0.5 g/L至1.5 g/L之鉻（Cr）及濃度0.5 g/L至1.5 g/L之矽烷化合物。
形成保護層112以製造電解銅箔102。
下一步，電解銅箔102在清洗槽40中清洗。此種清洗流程可省略。
下一步，進行乾燥流程之後，將電解銅箔102收捲於收捲機WR。
陽極活性材料可塗覆於根據本發明如上製造之電解銅箔101上，從而製造本發明之二次電池用電極（即陽極）。
陽極活性材料可選自由碳、如Si、Ge、Sn、Li、Zn、Mg、Cd、Ce、Ni、Fe等之金屬、包含此金屬之合金、此金屬之氧化物以及此金屬與碳之複合體所構成之群組。
舉例而言，在將1至3重量份之苯乙烯－丁二烯橡膠（styrene butadiene rubber，SBR）及1至3重量份之羧甲基纖維素（carboxymethyl cellulose，CMC）混合於100重量份之用於陽極活性材料的碳之後，將蒸餾水用作溶劑以製備漿液。接下來，使用刮刀將漿液以厚度為20 µm至100 µm的方式塗布於電解銅箔102上，在110°C至130°C之溫度及0.5 ton/cm2 至1.5 ton/cm2 之壓力下加壓。
使用慣用的陰極、電解質、及分隔件，連帶藉由於上已述之方法製造之本發明之二次電池用電極（陽極），可製造鋰二次電池。
以下藉由實施例及比較例詳細描述本發明。然而，提供下述之實施例及比較例以有助本發明之理解，但本發明之範疇不限於以下實施例或比較例。
〈實施例1至7及比較例1至7〉
藉由使用包含在電解質11內彼此間隔設置之一陰極板13及一旋轉陽極鼓12的箔製造機，施加電流密度為60 ASD的電流進行電鍍，以製造銅層111。電解質11為硫酸銅溶液。電解質11內，銅離子濃度為75 g/L，而硫酸的濃度為100g/L。電解質的溫度設定為55°C，而電流密度設定為60 ASD。在進行電鍍期間，使用循環泵浦使鍍液在42 m3 /hr的流率循環於供應槽與電鍍槽之間，且鍍液內細微的雜質係在供應槽與電鍍槽之間的濾筒中去除。
並且，電解質11所包含的砷（As）的濃度、乙醯胺的濃度、PPG的濃度，以及在進行電鍍期間供應電解質之流率偏差揭示於以下表1。
藉由在旋轉陽極鼓12與陰極板13之間施加電流密度為50 ASD的電流以製造銅層111。下一步，將銅層111浸漬於防蝕液約2秒鐘，在銅層111表面上進行鉻酸處理，以形成第一保護層112a及第二保護層112b，從而製造電解銅箔102。防蝕液可使用鉻酸作為主成分，鉻酸的濃度為1.0 g/L。將藉由電鍍形成之銅層浸漬於防蝕液且使之乾燥，從而完成電解銅箔。
結果，製造實施例1至7及比較例1至7之電解銅箔。
［表1］
  As (ppm) 乙醯胺 (ppm) PPG (ppm) 流率偏差 (%)
實施例1 5 11 11 3.5
實施例2 45 11 11 3.5
實施例3 24 5 11 3.5
實施例4 24 25 11 3.5
實施例5 24 11 5 3.5
實施例6 24 11 20 3.5
實施例7 24 11 11 4.9
比較例1 4 11 11 3.5
比較例2 46 11 11 3.5
比較例3 24 4 11 3.5
比較例4 24 26 11 3.5
比較例5 24 11 4 3.5
比較例6 24 11 26 3.5
比較例7 24 11 11 5.3
對於所製造之實施例1至7及比較例1至7的電解銅箔，量測（i）VMR、（ii）拉伸強度、（iii）(220)面TC［TC(220)］、（iv）重量偏差，以及（v）第一表面及第二表面之表面粗糙度（Rz）。
並且，使用電解銅箔製造二次電池，在二次電池進行充電及放電，之後（vi）拆解二次電池以觀察在電解銅箔是否發生破裂或皺褶。
（i）VMR之量測
「粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）」及「表面粗糙度（Ra）」可根據JIS B 0601:2001標準使用Mitutoyo公司製造之粗糙度測試機量測在電解銅箔之表面之任意三處［取樣長度：4 mm，測針尖端半徑：2 µm，測針尖端錐角：60°，量測力道：0.75 mN］，可計算此等之平均值，且之後可自「粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）」及「表面粗糙度（Ra）」之計算值藉由根據下述式2之計算而獲得VMR。 ［式2］VMR＝［粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）］／［表面粗糙度（Ra）］
（ii）拉伸強度之量測
使用UTM量測拉伸強度，在此情況下，在對樣品於135°C之溫度熱處理10分鐘後量測其拉伸強度。在此情況下，樣品之寬度為12.7 mm，夾具間距離為50 mm，測試速度為50 mm/min。
（iii）(220)面TC［TC(220)］之量測
在自30°至95°之範圍的繞射角（2θ）進行XRD法［目標：銅Kα1，2θ間隔：0.01°，2θ掃描速度：3°/min］，以獲得具有對應於n個晶面（n＝4）之尖峰［例如圖4所示之對應於(111)面、(200)面、(220)面及(311)面之尖峰］的XRD圖表，且自圖表獲得各晶面(hkl)之XRD繞射強度［I(hkl)］。並且，獲得由粉末繞射標準聯合委員會（JCPDS）所規定之標準銅粉之n個晶面的XRD繞射強度［I0(hkl)］。接下來，獲得n個晶面之I(hkl)／I0(hkl)的算術平均值，之後將(220)面之I(220)／I0(220)除以算術平均值以計算(220)面TC［TC(220)］。亦即，(220)面TC［TC(220)］根據下述式3計算。 ［式3］
Figure 02_image001
（iv）寬度方向重量偏差之量測
沿電解銅箔102之寬度方向自左處、中心處及右處的位置擷取尺寸為5 cm×5 cm的樣品，之後量測三個樣品之各自的重量。接下來，獲得此等量測值之算術平均及標準差，根據下述式1計算寬度方向重量偏差。
［式1］寬度方向重量偏差（%）＝（重量標準差／重量算術平均）×100
（v）第一表面及第二表面之表面粗糙度（Rz1及Rz2）及其差異（|Rz1－Rz2|）
在實施例1至7及比較例1至7製造之電解銅箔102之第一表面S1及第二表面S2之各自的表面粗糙度（Rz）根據JIS B 0601-2001標準使用Mahr公司製造之M300粗糙度測試機來量測。使用量測結果計算電解銅箔之第一表面S1及第二表面S2之表面粗糙度之差異（|Rz1－Rz2|）。
（vi）皺褶或破裂之發生的觀察
1）陽極之製造
在將2重量份之SBR及2重量份之CMC混合於100重量份之用於陽極活性材料之市售的矽／碳複合陽極材料之後，使用蒸餾水作為溶劑以製備用於陽極活性材料的漿液。使用刮刀以40 µm之厚度將漿液塗布於實施例1至7及比較例1至7之具有寬度10 cm之電解銅箔上，在120°C之溫度下乾燥，將1 ton/cm2 之壓力施加於其上，從而製造二次電池用陽極。
2）電解質之製備
將作為溶質之LiPF6以1M的濃度溶解於以1：2之比例混合碳酸伸乙酯（ethylene carbonate，EC）及碳酸甲酯乙酯（ethyl methyl carbonate，EMC）的非水性有機溶劑，從而製備基本電解質。藉由混合99.5重量%之基本電解質及0.5重量%之琥珀酸酐以製備非水電解質。
3）陰極之製造
以90：10（重量比）之比例混合鋰錳氧化物（Li1.1 Mn1.85 Al0.05 O4 ）及具有正交晶體結構的鋰錳氧化物（o-LiMnO2 ），以製備陰極活性材料。以85：10：5（重量比）之比例混合陰極活性材料、碳黑及作為黏合劑之聚偏二氟乙烯［poly(vinylidenefluoride)，PVDF］，且將之與作為有機溶劑之NMP混合以製備漿液。將所製備之漿液以20 µm之厚度塗布於鋁（Al）箔之兩表面且將之乾燥，以製造陰極。
4）試驗用鋰二次電池之製造
在鋁罐之內，陰極及陽極設置成絕緣於鋁罐，且於其之間設置非水電解質及分隔件，以製造硬幣形式之鋰二次電池。所使用之分隔件為聚丙烯（Celgard 2325，具有厚度25 µm，平均孔徑⌀28 nm，孔隙率40%）。
5）二次電池之充電／放電
以4.3 V之充電電壓及3.4 V之放電電壓驅動如上製造之鋰二次電池，且在50°C之高溫下以0.2 C之電流率（current rate，C-rate）進行100次充電及放電。
6）皺褶或破裂之發生
在進行100次充電及放電後，拆解二次電池以觀察在銅箔是否發生破裂或皺褶。將發生皺褶或破裂之情況標示為「發生」，將未發生皺褶或破裂之情況標示為「無」。試驗結果揭示於表2。
［表2］
分類 VMR 拉伸強度 (kgf/mm2 ) [TC(220)] 重量偏差(%) Rz1 (µm) Rz2 (µm) |Rz1－Rz2| (µm) 破裂 皺褶
實施例1 0.9 37.3 0.89 1.80 0.32 0.82 0.50 無 無
實施例2 12.4 37.3 0.88 1.82 1.45 0.81 0.64 無 無
實施例3 6.7 25.1 0.86 1.79 0.77 0.89 0.12 無 無
實施例4 6.7 51 0.87 1.83 0.65 0.95 0.30 無 無
實施例5 6.7 37.2 0.51 1.50 0.99 0.87 0.12 無 無
實施例6 6.7 37.1 1.26 1.52 0.98 0.93 0.05 無 無
實施例7 6.7 37.2 0.87 2.98 1.21 0.89 0.32 無 無
比較例1 0.7 37.2 0.86 1.79 0.32 0.97 0.65 發生 無
比較例2 12.7 37.2 0.87 1.83 1.60 0.94 0.66 發生 無
比較例3 12.2 24.8 0.86 1.50 0.99 0.87 0.12 發生 無
比較例4 12.1 51.3 0.87 1.83 0.98 0.93 0.05 發生 無
比較例5 12.1 37.3 0.47 1.50 0.88 0.89 0.01 發生 無
比較例6 12.2 37.1 1.3 1.52 1.01 0.95 0.06 發生 無
比較例7 12 37.2 0.87 3.20 1.07 0.88 0.19 無 發生
參照表1及表2可確認以下結果。
使用包含少量砷（As）之電解質而製造的比較例1之電解銅箔，具有小於參考值之0.7的VMR，且發生了破裂。使用包含過量砷（As）之電解質而製造的比較例2之電解銅箔，具有大於參考值之12.7的VMR，兩表面之表面粗糙度之差異（|Rz1－Rz2|）為大於參考值之0.66，且發生了破裂。
使用包含少量乙醯胺之電解質而製造的比較例3之電解銅箔，具有小於參考值的拉伸強度，且發生了破裂。另一方面，使用包含過量乙醯胺之電解質而製造的比較例4之電解銅箔，具有大於參考值的拉伸強度，且發生了破裂。
使用包含少量PPG之電解質而製造的比較例5之電解銅箔，具有小於參考值的(220)面TC［TC(220)］，且發生了破裂。另一方面，使用包含過量PPG之電解質而製造的比較例6之電解銅箔，具有大於參考值的(220)面TC［TC(220)］，且發生了破裂。
藉由以每單位分鐘5.3%之高流率偏差供應電解質11而製造的比較例7之電解銅箔，具有大於參考值的重量偏差，雖未發生破裂，但發生了皺褶。
另一方面，根據本發明之實施例1至7之銅箔中，所有數值皆在參考值以內，且未發生皺褶或破裂。
在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，本發明顯然不以於上已述之實施例及附圖為限，且顯可在本發明中進行各種替換、修改及變更。因此，本發明之範疇係由所附申請專利範圍所定義，且旨在衍生自申請專利範圍之意義、範疇及均等物之所有變更及修改皆落入本發明之範疇。
10:電解池 11:電解質 12:旋轉陽極鼓 13:陰極板 20、40:清洗槽 30:防蝕液槽 31:防蝕液 101、102:銅箔 103、104:二次電池用電極 111:銅層 112a:第一保護層 112b:第二保護層 120a:第一活性材料層 120b:第二活性材料層 340:陽極 341:陽極集電器 342:陽極活性材料層 350:電解質 360:分隔件 370:陰極 371:陰極集電器 372:陰極活性材料層 MS:霧面 S1:第一表面 S2:第二表面 SS:亮面 WR:收捲機
提供本發明之進一步的理解且合併構成本說明書之一部分的附圖，繪示本發明之實施例且用來與說明內容一起解釋發明的原理。
圖1係根據本發明之一實施例之電解銅箔剖面示意圖。
圖2顯示用以說明根據JIS B 0601:2001標準之「粗糙度輪廓之最大谷深（maximum valley depth of roughness profile，Rv）」的粗糙度輪廓之一範例。
圖3顯示電解銅箔之X射線繞射（X-ray diffraction，XRD）圖表之一範例。
圖4係根據本發明之另一實施例之電解銅箔的剖面示意圖。
圖5係根據本發明之又一實施例之二次電池用電極的剖面示意圖。
圖6係根據本發明之再一實施例之二次電池用電極的剖面示意圖。
圖7係根據本發明之再一實施例之二次電池的剖面示意圖。
圖8係圖4所示之電解銅箔之製造方法的示意圖。
101:銅箔
111:銅層
112a:第一保護層
MS:霧面
S1:第一表面
S2:第二表面
SS:亮面

Claims (19)

  1. 一種電解銅箔，包括一銅層，該電解銅箔具有0.8至12.5之一谷平均粗糙度、0.49至1.28之一(220)面織構係數、25 kgf/mm2 至51 kgf/mm2 之一拉伸強度以及3%以下之一寬度方向重量偏差，其中該寬度方向重量偏差係根據下述式1計算，而該谷平均粗糙度係根據下述式2計算：［式1］寬度方向重量偏差（%）＝（重量標準差／重量算術平均）×100；［式2］谷平均粗糙度（VMR）＝［粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）］／［表面粗糙度（Ra）］。
  2. 如請求項1所述之電解銅箔，其中該電解銅箔具有2.5 µm以下之一表面粗糙度。
  3. 如請求項1所述之電解銅箔，其中該電解銅箔之兩表面的表面粗糙度的差異為0.65 µm以下。
  4. 如請求項1所述之電解銅箔，其中該電解銅箔具有4 µm至30 µm之一厚度。
  5. 如請求項1所述之電解銅箔，更包括設置於該銅層上之一保護層。
  6. 如請求項5所述之電解銅箔，其中該保護層包括選自鉻（Cr）、一矽烷化合物及一氮化合物之至少一者。
  7. 一種二次電池用電極，包括：一電解銅箔；以及一活性材料層，設置於該電解銅箔上，其中該電解銅箔包括一銅層且具有0.8至12.5之一谷平均粗糙度、0.49至1.28之一(220)面織構係數［TC(220)］、25 kgf/mm2 至51 kgf/mm2 之一拉伸強度以及3%以下之一寬度方向重量偏差，其中該寬度方向重量偏差係根據下述式1計算，而該谷平均粗糙度係根據下述式2計算：［式1］寬度方向重量偏差（%）＝（重量標準差／重量算術平均）×100；［式2］谷平均粗糙度（VMR）＝［粗糙度輪廓之最大谷深（Rv）］／［表面粗糙度（Ra）］。
  8. 如請求項7所述之二次電池用電極，其中該電解銅箔具有2.5 µm以下之一表面粗糙度。
  9. 如請求項7所述之二次電池用電極，其中該電解銅箔之兩表面的表面粗糙度的差異為0.65 µm以下。
  10. 如請求項7所述之二次電池用電極，其中該電解銅箔具有4 µm至30 µm之一厚度。
  11. 如請求項7所述之二次電池用電極，其中該電解銅箔包括設置於該銅層之一保護層。
  12. 如請求項11所述之二次電池用電極，其中該保護層包括選自鉻（Cr）、一矽烷化合物及一氮化合物之至少一者。
  13. 如請求項7所述之二次電池用電極，其中該活性材料層包括至少一活性材料，該至少一活性材料選自碳、一金屬、包括該金屬之一合金、該金屬之一氧化物以及該金屬與碳之一複合體所構成之群組，其中該金屬為矽（Si）、鍺（Ge）、錫（Sn）、鋰（Li）、鋅（Zn）、鎂（Mg）、鎘（Cd）、鈰（Ce）、鎳（Ni）或鐵（Fe）。
  14. 一種二次電池，包括：一陰極；一陽極，由請求項7至請求項13之任一項所述之二次電池用電極所形成；一電解質，提供鋰離子可在該陰極與該陽極之間移動之一環境；以及一分隔件，配置成電性絕緣該陰極及該陽極。
  15. 一種電解銅箔之製造方法，包括：製備一電解質；以及使用該電解質進行電鍍以形成一銅層；其中該電解質包括：濃度為70 g/L至90 g/L之銅離子、濃度為50 g/L至150 g/L之硫酸、濃度為5 mg/L至45 mg/L之砷（As）、濃度為5 mg/L至25 mg/L之乙醯胺及濃度為5 mg/L至20 mg/L之聚丙二醇；且其中形成該銅層的步驟包括：在該電解質內彼此間隔設置之一電極板與一旋轉鼓之間施加電流密度為40 A/dm2 至80 A/dm2 的一電流。
  16. 如請求項15所述之電解銅箔之製造方法，其中在形成該銅層的步驟中，以5%以下之一每單位分鐘流率偏差來供應該電解質，該每單位分鐘流率偏差係根據下述式4計算：［式4］電解質之每單位分鐘流率偏差（%）＝［（每分鐘流率最大值－每分鐘流率最小值）／每分鐘流率平均值］×100。
  17. 如請求項15所述之電解銅箔之製造方法，更包括於該銅層上形成一保護層。
  18. 如請求項17所述之電解銅箔之製造方法，其中該保護層的形成包括使用選自鉻（Cr）、一矽烷化合物及一氮化合物之至少一者，以在該銅層之一表面上進行防蝕處理。
  19. 如請求項17所述之電解銅箔之製造方法，其中該保護層的形成包括將該銅層浸漬於含有濃度為0.5 g/L至1.5 g/L之鉻（Cr）之一防蝕液內。
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